CH499883A - Verfahren zum Herstellen einer auf einem elektrisch isolierenden Fremdsubstrat befindlichen integrierten Halbleiterschaltung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer auf einem elektrisch isolierenden Fremdsubstrat befindlichen integrierten Halbleiterschaltung

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CH499883A
CH499883A CH1453469A CH1453469A CH499883A CH 499883 A CH499883 A CH 499883A CH 1453469 A CH1453469 A CH 1453469A CH 1453469 A CH1453469 A CH 1453469A CH 499883 A CH499883 A CH 499883A
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Siemens Ag
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CH1453469A 1968-09-30 1969-09-26 Verfahren zum Herstellen einer auf einem elektrisch isolierenden Fremdsubstrat befindlichen integrierten Halbleiterschaltung CH499883A (de)

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DE19681789064 DE1789064A1 (de) 1968-09-30 1968-09-30 Verfahren zum Herstellen epitaktischer Schichten aus elektrisch isolierendem Material unter Verwendung eines aus Halbleitermaterial bestehenden Traegerkoerpers

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