CH498429A - Procédé d'électrophotographie - Google Patents

Description

  
 



  Procédé d'électrophotographie
 La présente invention se rapporte à un procédé d'électrophotographie destiné à produire une image électrostatique latente, d'une haute sensibilité sur une couche mince hautement isolante par l'utilisation de niveauxtrappes dans le matériau photosensible.



   On a déjà proposé un certain nombre de procédés d'électrophotographie qui utilisent un élément photosensible consistant dans trois couches telles que, par exemple, une couche mince ou film transparent fortement isolant, une couche ou film photoconducteur, et une électrode, toutes ces couches étant intimement liées ensemble pour former un tout. Tous ces procédés utilisent l'effet photoconducteur de la couche photosensible de sorte qu'il est nécessaire de construire la couche photosensible de façon à obtenir un effet photoconducteur très net. De ce fait, non seulement le choix du matériau photosensible est limité, mais il était aussi difficile d'obtenir des éléments photographiques hautement sensibles.



   La présente invention permet d'éviter de tels inconvénients du fait qu'elle met à profit un phénomène unique qui résulte de la capture de porteurs de charge aux niveaux des impuretés dans la couche photosensible.



   Le procédé selon l'invention est caractérisé par les phases suivantes: préparation d'un élément photosensible ayant une pluralité de niveaux capteurs destinés à présenter une polarisation interne persistante et une couche fortement isolante liée   monolithiquement    à au moins une surface de ladite couche photo sensible, application d'un premier champ électrique à travers ledit élément photo sensible pour déposer une charge électrique d'une première polarité sur la surface de ladite couche fortement isolante,

   application d'un second champ électrique à travers ledit élément photo sensible pour déposer une charge électrique de polarité opposée à la première charge sur la surface de ladite couche fortement isolante pendant qu'une image lumineuse est projetée sur ledit élément photo sensible de façon à former une image électrostatique latente correspondant à ladite image lumineuse sur ladite couche fortement isolante.



   Dans une forme d'exécution de ce procédé, le potentiel de courant continu de polarité prédéterminée est appliqué pendant que de la lumière est projetée uniformément sur toute la surface de ladite couche photosensible, et ensuite un courant continu de polarité opposée à celle du premier courant est appliqué à la couche photosensible pendant que la surface de cette couche photosensible est irradiée par une image lumineuse.



   Une autre forme d'exécution du procédé selon la présente invention comprend les phases suivantes: préparation de l'élément photosensible comprenant une couche photosensible formée en liant ensemble de fines particules photosensibles ayant une pluralité de niveaux de capture tels que lesdites particules sont électriquement isolées les unes des autres au moyen d'un liant transparent et fortement isolant, ladite couche photosensible présentant une caractéristique de formation d'une polarisation interne persistante, et une couche mince liée à au moins une face de ladite couche photosensible;

   application d'une charge électrostatique de potentiel élevé et de polarité prédéterminée à ladite couche fortement isolante au moyen d'une décharge couronne, et application d'une charge électrostatique de polarité opposée à celle de ladite charge de polarité prédéterminée à la surface dudit élément photosensible pendant qu'une image lumineuse est projetée sur ladite couche photosensible pour former ainsi une image électrostatique latente correspondant à ladite image lumineuse sur la couche photosensible sur la surface dudit élément photosensible.



   L'invention est décrite ci-après en conjonction avec le dessin ci-annexé dans lequel:  
 La fig. 1 est une vue en perspective, partiellement en coupe, d'un élément photosensible;
 la fig. 2 est une vue de côté d'un appareil électrophotographique au moment d'une exposition à la lumière;
 les fig. 3 et 4 représentent des circuits équivalents de l'élément photosensible;
 la fig. 5 représente la caractéristique de charge électrostatique de l'élément photosensible;
 la fig. 6 est une vue en perspectitve avec parties en coupe d'une variante de l'élément photosensible;
 la fig. 7 est une vue de côté d'une variante d'un appareil électrophotographique au moment de l'exposition à la lumière;
 les fig. 8 et 9 représentent respectivement un circuit équivalent et une courbe de caractéristique de courant électrique dans le cas où l'on utilise une électrode à décharge couronne;

  ;
 la fig. 10 représente une variante du circuit équivalent de la fig. 8;
 la fig.   1 1    est une vue de côté d'un dispositif d'essai pour mesurer la caractéristique de l'électrode à décharge couronne;
 les fig. 12a, 12b et 12c illustrent trois différents types d'électrodes à décharge couronne qui peuvent être utilisées dans le procédé selon la présente invention;
 la fig. 13 représente une caractéristique de charge électrostatique de la surface d'un élément photo sensible lorsqu'on utilise une décharge couronne;
 la fig. 14 est une vue de côté d'un dispositif électrographique susceptible d'être utilisé pour une opération continue;

  ;
 la fig. 15 représente un tracé de courant photoélectrique répondant à la projection de lumière de photoconducteurs ayant un certain nombre de niveaux capteurs, et
 la fig. 16 représente des courbes de potentiel destinées à expliquer une variante du procédé selon la présente invention.



   L'élément photosensible représenté à titre d'exemple d'exécution de la présente invention dans la fig. 1 comprend une couche mince fortement isolante 1, une couche ou film photosensible 2, et une électrode 3, ces trois couches étant liées ensemble en un élément mince et flexible. La couche mince fortement isolante 1 peut être faite en résine synthétique des séries polyesters, vinylique, tétrafluoroéthylène, acrylique, ou polycarbonates ou encore en n'importe quelle autre matière fortement isolante et transparente aux rayons lumineux. Toutefois, si l'électrode 3 est déjà faite en matière transparente, la couche 1 ne doit pas nécessairement être faite en matière transparente.

  La couche photo sensible 2 est formée en une fine couche en dispersant des cristaux fluorescents ou photoconducteurs finement pulvérisés dans une solution ou un polymère d'un liant fortement isolant et transparent tel que l'acétate de vinyle, un polyester, époxy, acétate de cellulose, nitrocellulose, etc., en formant cette suspension en un film, et en séchant ledit film. En général, il est avantageux d'appliquer ladite suspension en une couche d'épaisseur uniforme sur la couche fortement isolante 1. Les cristaux photo sensibles finement pulvérisés utilisés de préférence peuvent être des poudres de ZnS, ZnO, ZnCdS, CdSe, PbO ou d'autres substances inorganiques. En variante, on peut utiliser de l'anthracène, de l'anthraquinone ou d'autres substances organiques.



   Le liant doit être utilisé dans des proportions suffisamment élevées par rapport aux couches minces photoconductrices conventionnelles faites en cristaux photoconducteurs finement pulvérisés avec un liant, ceci afin d'éviter le passage d'électrons à travers la couche photosensible lorsqu'un courant est appliqué simultanément à la lumière à l'élément photosensible. En effet, dans un élément photo sensible classique composé de fins cristaux de matière photoconductrice, pour produire une image électrostatique latente, la charge appliquée sur la surface de l'élément photosensible doit être drainée à travers la couche photo conductrice de sorte que la quantité de liant, qui est en général un isolant électrique, ne doit pas être assez grande pour empêcher ou affaiblir   effet    désiré.

  Au contraire, dans le procédé suivant rinvention, la photoconductivité de l'élément photosensible n'est pas utilisée mais on utilise en son lieu et place la polarisation interne persistante pour former rimage latente. Afin d'utiliser pleinement la polarisation interne persistante, les cristaux de matière fluorescente ou photoconductrice doivent être isolés les uns des autres sur leurs surfaces adjacentes en aménageant des couches fortement résistantes ou des couches bloquant le courant qui servent à empêcher la migration d'électrons libres.



   En utilisant le liant dans une telle proportion élevée, il est, bien entendu, possible d'utiliser un métal déposé à l'état de vapeur ou une feuille métallique comme électrode. En outre, on peut utiliser un   matétriau    tel qu'une feuille de papier pour autant qu'elle possède une résistance sensiblement moindre que la couche fortement isolante 1 et la couche photosensible 2.



   En bref, la première phase du procédé selon l'invention consiste à appliquer un courant continu ayant une polarité prédéterminée susceptible d'appliquer à la couche mince fortement isolante de l'élément photo sensible sus-mentionné un potentiel de même polarité que le porteur de minorité. En même temps, si on le désire, de la lumière peut être projetée uniformément sur toute la surface de la couche photosensible durant cette première phase. Dans la seconde phase qui suit, on projette une image lumineuse sur la couche photosensible pendant qu'on applique à cette couche une tension de polarité inverse à la première. Lorsque ces deux phases sont terminées, il se forme une image électrostatique latente sur la surface de l'élément photosensible, image correspondant à ladite image lumineuse.

  Une fois cefte image latente formée, elle mettra beaucoup de temps pour s'effacer et   l'on    n'observera aucun affaiblissement de cette image, même si elle est exposée à la lumière naturelle d'un local ordinaire ou même à la lumière du soleil.

 

   La fig. 2 représente un exemple d'appareil utilisé pour appliquer un courant à travers l'élément photosensible en même temps qu'on projette sur lui de la lumière; dans cette figure, le chiffre de référence 4 désigne une électrode transparente faite en verre Nesa   ou en une    autre matière transparente similaire à une feuille de verre, revêtue d'une fine couche de métal par dépôt à l'état de vapeur; le chiffre 5 désigne une source de courant continu dont la polarite peut être inversée à volonté. Comme l'élément photosensible possède une flexibilité suffisante, on peut le presser contre l'électrode transparente 4 par n'importe quel moyen approprié.



   Avec le dispositif décrit ci-dessus, on peut projeter de la lumière sur l'élément photosensible 2 depuis le côté de l'électrode transparente 4 et on peut appliquer une tension aux électrodes 3 et 4.  



   La description qui suit explique le phénomène qui se passe dans ces conditions. On suppose qu'on utilise dans la couche mince photo sensible une substance phosphorescente   (ZnCd) S : Ag    à   l'état    cristallisé finement pulvérisé, à cause de son comportement facilement compréhensible. La substance   (ZnCd)S : Ag    perd subitement sa photoconductivité lorsque son contenu de ZnS dépasse 20    /o,    cette tendance est particulièrement évidente lorsqu'on utilise Ag comme activateur.

  Ce phénomène peut être considéré comme étant causé par la présence d'un grand nombre de niveaux capteurs extrêmement profonds dans le   ZnS : Ag.    La densité du niveau d'impureté est particulièrement élevée au voisinage de la surface du ZnS : Ag du fait de la diffusion de l'activateur depuis la surface des cristaux à laquelle vient s'ajouter l'effet de raccourcissement de la durée de vie moyenne des électrons excités par la lumière, effet dû à la densité élevée des niveaux capteurs. Celle-ci tend à supprimer le flux du courant photoconducteur et par conséquent à diminuer le changement de résistance.

  D'autre part, dans le cas où des cristaux de   (ZnCd)S : Ag    contenant   40 0/o    de ZnS sont liés ensemble au moyen d'un liant fortement isolant pour former une couche mince 2 ayant une épaisseur de plusieurs dizaines de microns, on ne constate aucun changement de la résistance sous une illumination de plusieurs centaines de lux. On observe cependant une polarisation interne persistante extrêmement forte dans la couche photosensible.



   Le terme   polarisation interne persistante   )y    utilisé ici désigne le phénomène suivant: lorsqu'il se produit une illumination concurremment à l'application d'une tension de courant continu, les électrons qui sont excités par la lumière sont projetés à travers les cristaux photo sensibles pulvérisés sous l'influence de la tension appliquée et sont alors retenus dans des niveaux capteurs si profonds qu'ils ne peuvent plus s'échapper, créant ainsi un champ électrique interne de polarité opposée à celle du champ électrique externe, et ce champ électrique interne est retenu pendant une longue période de temps dans un espace obscur après que le champ électrique externe a cessé d'exister, cette rétention étant due à ces niveaux capteurs profonds.

  Par conséquent, il est naturel que la polarisation interne persistante soit établie dans les cristaux phosphorescents pendant les première et deuxième phases décrites ci-dessus.



   Il y a lieu de remarquer particulièrement que dans le type de polarisation interne persistante bien connu de l'électrophotographie, le champ électrique lui-même formé Par la charge capturée est utilisé pour l'image latente, tandis que dans le procédé suivant l'invention, une charge de surface qui est formée sur la couche fortement isolante est utilisée comme image latente, de sorte qu'il y a une grande différence dans les conditions requises pour la persistance des charges internes, comme il sera expliqué plus loin.



   Comme la polarisation interne formée par les électrons capturés a la même polarité que celle de la polarisation diélectrique des matériaux diélectriques, la couche dans laquelle la polarisation interne persistante a été établie présente un accroissement apparent de la constante diélectrique. En outre, si la polarisation interne persistante pouvait être créée dans le sens opposé à celui de la polarisation diélectrique par des moyens appropriés quelconques, il en résulterait une diminution de la constante diélectrique. Par conséquent, puisque la couche photosensible 2 a une caractéristique lui permettant de changer sa constante diélectrique sans changer sa résistance, ceci équivaut à un changement de sa capacité.



  De cette façon, la couche photosensible peut être représentée par un circuit équivalent consistant dans une simple capacité C1 de la couche fortement isolante et une capacité C2 connectée en série qui varie suivant l'illumination de la lumière, comme représenté à la fig. 3.



   Une autre considération concernant les variations de capacité est la suivante:
 Le brevet USA   No    3121006 expose un procédé d'électrographie dans lequel de fins cristaux pulvérisés dotés de photoconductivité sont liés au moyen d'un liant fortement isolant pour former une couche mince photoconductrice ou photosensible utilisée en xérographie, la surface de cette cruche mince photoconductrice est uniformément chargée d'électricité statique dans l'obscurité, et une image lumineuse est ensuite projetée sur la couche photoconductrice pour provoquer un affaiblissement rapide de la charge de surface sur les parties brillantes de l'image lumineuse et former ainsi une image latente due au changement local intervenu dans la charge de surface correspondant à l'image lumineuse.

  Dans ce procédé, le taux d'affaiblissement de la charge de surface dans l'obscurité est choisi de façon à répondre aux exigences de la xérographie en choisissant le facteur d'affaiblissement D de la couche photosensible dans l'obscurité de façon à avoir une valve supérieure à 3. Le facteur d'affaiblissement peut être exprimé par l'inverse du produit de la résistance R et de la capacité C de la couche photosensible, de sorte qu'une valeur élevée du facteur d'affaiblissement signifie que la charge de surface s'affaiblit rapidement tandis qu'une valeur faible du facteur d'affaiblissement signifie que l'affaiblissement de la charge sur la surface est lent.

  Toutes les couches photosensibles utilisées normalement dans le procédé dénommé xérographie diminuent leur résistance mais ne changent pas sensiblement leur capacité lorsqu'elles sont irradiées par les rayons lumineux.   I1    s'ensuit que le potentiel de surface peut être généralement et approximativement représenté par l'équation suivante:   
 V = VO . e - RC
 RC    dans laquelle   VO    représente le potentiel de surface initial. Comme la caractéristique d'affaiblissement est déterminée seulement par la constante de temps RC, l'inverse de la constante de temps, c'est-à-dire l/RC qui représente la vitesse d'affaiblissement convient aussi pour représenter la caractéristique de la couche photosensible en xérographie.



   Dans une couche photo sensible formée en liant ensemble des fins cristaux pulvérisés présentant le phénomène de polarisation interne persistante, la résistance sur les surfaces contiguës des cristaux est généralement très élevée, et la valeur de résistance ne diminue pas, même lorsqu'elle est illuminée par la lumière.   I1    s'ensuit que lorsque des fins cristaux pulvérisés sont liés ensemble par un liant fortement isolant pour former une couche mince, le flux d'électrons libres qui s'écoule dans les cristaux en réponse à l'excitation produite par la lumière
 sera arrêté du fait de la couche à résistance élevée existant sur les surfaces contiguës des cristaux finement divisés, 

   et le phénomène de polarisation interne fortement persistante ne se produit que dans la condition où de telles couches bloquant le courant qui servent à arrêter le flux des électrons libres sont   formées. Lorsqu'il se produit     une polarisation interne persistante,   l'on    observe d'ordinaire pas de variation de la résistance. Par conséquent, avec une couche photosensible présentant des couches bloquant le courant telles que celles mentionnées cidessus, la variation de la résistance est faible sous un champ de courant continu, même sous une illumination par la lumière. En outre, une mauvaise distribution de la charge électrique causée par l'existence d'une polarisation interne persistante détermine une variation de la capacité.

  Comme cette variation de la capacité est causée par la présence d'une charge isolée qui est mal distribuée dans le même sens que la polarisation diélectrique, elle a le même effet que si la constante diélectrique de la couche photo sensible augmentait, et présente ainsi une augmentation de la capacité.



   En résumant ce qui précède, contrairement à ce qui se passe dans le procédé de xérographie, dans lequel la constante de temps de la couche photosensible diminue avec l'irradiation par la lumière, la constante de temps augmente ici du fait que la capacité augmente tandis que la résistance ne varie pas sensiblement sous l'irradiation par la lumière.   II    s'ensuit que pour les couches photosensibles utilisées en xérographie le rapport entre les facteurs d'affaiblissement Dd et Dl dans l'obscurité et sous illumination par la lumière devient Dd  <  D1, tandis qu'avec des couches photosensibles présentant une polarisation interne fortement persistante, le rapport est inverse, à savoir: Dd  >    D1.   



   La couche fortement isolante et la couche photosensible ont une légère conductivité qui est représentée par les résistances R1 et   R?    dans la fig. 3. Toutefois, comme la résistivité de ces deux couches est très élevée, elles peuvent être considérées de la manière suivante en rapport avec les magnitudes des capacités C1 et   Q.    Plus particulièrement, afin de permettre d'obtenir une électrographie satisfaisante, il est souhaitable de former la couche mince superficielle isolante de façon qu'elle ait une épaisseur de plusieurs microns jusqu'à un maximum de 20 microns, de façon que la marge de capacité soit de 1 X 10-10 farads à 2 X 10-9 farads par centimètre carré.

  D'autre part, comme l'épaisseur de la couche photosensible 2 est comprise dans les limites de dix à cent microns du fait de diverses limitations imposées par la pratique. la capacité de la couche photosensible sera de
 1 X   10-t     farads à 1 X 10-9 farads par centimètre carré.



  D'autre part, comme la résistivité de la couche mince isolante 1 est comprise entre les limites de   1 X 1012    à
 1 X   1015    ohms et la couche photosensible 2 a une résistivité d'environ   1 X 1014    ohms, la constante de temps
RC pour chaque couche est la suivante:
Couche fortement isolante:   RtCt    = plus de 100 secondes.



  Couche photosensible:   R2Q    = plus de 10000 secondes.



   Comme le temps total nécessaire pour le procédé électrographique est inférieur à 1 seconde, les résistances   Rt    et R2 peuvent être négligées et le circuit équivalent représenté à la fig. 3 peut être simplifié et devenir celui de la fig. 4. En supposant qu'un courant de   + V,    volts soit appliqué dans l'obscurité au circuit de la fig. 4, la charge électrique Q, s'écoule instantanément dans les capacités   C1    et C2 suivant l'équation suivante:

  :
   V, =      Q1/Ct      +      Q/C2    (1)
 Si on illumine ensuite la couche photo sensible 2 qui comprend la capacité   Q'    les électrons excités par la lumière dans la bande de conduction vont émigrer vers l'électrode positive suivant la tension   V2    à travers   Q,    et ces électrons dans la bande de conduction vont tomber directement dans la bande d'électron de valence pour se recombiner et s'éteindre ou vont disparaître en tombant dans des centres de recombinaison,

   ou bien encore ils vont former un champ de polarisation en étant retenus dans les niveaux capteurs après avoir émigré en avant vers l'électrode positive suivant la tension appliquée par la stimulation de la lumière puisqu'une tension   
 Qt = V2 (2)
 Q    n'est pas appliquée à la couche photosensible 2. Lorsqu'on continue la projection de lumière, les électrons qui ont été capturés dans le niveau capteur seront de nouveau excités et émigreront vers l'électrode positive formant ainsi un champ de polarisation augmentant graduellement dans les cristaux phosphorescents finement divisés. La polarisation à rintérieur de chacun des cristaux finement divisés est la même que si la couche photosensible était entièrement polarisée.



   Cette condition correspond à une couche photosensible dans laquelle le champ de polarisation interne persistante est formé de façon que des charges de   -Qp    et
 + Qp soient accumulées sur les deux côtés de la couche photosensible 2. La quantité de ces charges peut être calculée comme il sera décrit ci-après.



   Si   l'on    suppose que rélément photosensible est de nature capacitive et qu'une charge Q' pénètre dans la capacité   Q    suivant le changement de capacité dans la couche photosensible 2, L'équation (3) ci-après représentera le rapport entre les quantités suivantes:
 Tension appliquée de l'extérieur sur la totalité de l'élément photosensible: V
 Tension induite intérieurement dans la totalité de l'élément photosensible:   VI,   
 Constante diélectrique de la couche isolante 1: Et
 Distance de l'électrode à la couche isolante 1:
 Surface de la couche isolante 1:
 Entrefer entre l'électrode et la couche photosen   sible: d,   
 Constante diélectrique de la couche photosensible   2 e2   
 Surface de la couche photosensible 2: S.

 

     V = Qt = Q d + Q' Qi + Q'Qp d = Q1+ Q' + Qî + Q'Qp
 S1 #1 S2 #2 C1 C2 (3)   
 L'équation (3) ci-dessus peut être remaniée pour donner l'équation suivante:   
 Qi Q1 C2 + - Q'Qp
 (4)   
 C1 C2 C1 C2
 La charge Q qui est déterminée par la quantité de polarisation interne persistante Qp est répartie entre les capacités C, et   Q.    Par conséquent, la tension à travers la capacité C, augmente de Q'/C, et la tension à travers l'autre capacité   Q    diminue de   Q'/C,.    La polarisation in  terne persistante augmente graduellement aussi longtemps qu'existent à la fois un champ électrique interne suffisant pour provoquer la migration des électrons excités et le niveau capteur vide.

  Mais il y a une limitation à cette augmentation de la polarisation interne persistante lorsque la tension appliquée de l'extérieur   Vl    atteint une certaine valeur maximum. En remplaçant l'équation (2) dans l'équation (4), la magnitude de la polarisation interne persistante Qp peut être calculée comme suit:
 Qp = (C1 + C). Q1/Q2 (5)
 Comme la condition déterminée par cette équation indique que la tension à travers la capacité   Q    devient égale à zéro, et toute la tension appliquée passe dans la capacité   C1,    aucune autre augmentation de la polarisation interne persistante dans la couche photosensible n'est plus possible.

  Par conséquent, cette équation représente l'augmentation maximum théorique de la tension à travers la couche isolante lorsque la polarisation interne persistante est établie dans la couche photosensible.



   Toutefois, lorsque la polarisation interne persistante est établie sous illumination par la lumière, les électrons qui ont été capturés dans le niveau capteur ont une tendance à être relâchés par l'excitation de la lumière. Les électrons capturés diminuent donc l'intensité du champ électrique interne. Comme l'augmentation de la polarisation interne persistante cesse lorsque le nombre d'électrons migrants diminue jusqu'a un point pour lequel le nombre des électrons migrants équivaut au nombre des électrons relâchés par les niveaux capteurs, l'augmentation de la quantité de polarisation interne persistante Qp cesse aussi dans une condition d'équilibre dans laquelle il reste encore un faible champ électrique interne dans la capacité   Q,    sans atteindre la quantité maximum définie par l'équation (5).



   La description ci-dessus se rapporte au phénomène qui se produit pendant la première phase du procédé. Le phénomène qui se produit pendant la seconde phase du procédé sera pris en considération ci-après. Lorsqu'une tension est continuellement appliquée pendant la première et la seconde phase du procédé, la libération des électrons capturés est très limitée aussi longtemps que l'élément photosensible est maintenu dans l'obscurité.



  Cependant, si l'élément photosensible demeure pendant longtemps dans l'obscurité sans application de tension après la première phase du procédé, une certaine libération d'électrons capturés est inévitable. Par conséquent, il n'est pas avantageux d'attendre pour commencer la seconde phase très longtemps après la fin de la première phase. Comme ce phénomène est thermique et dépend de la profondeur du niveau auquel les électrons sont capturés, l'affaiblissement des matières phosphorescentes telles que   (ZnCd) S : Ag    est relativement peu important.



   Lorsqu'une tension de polarité opposée est appliquée à l'élément au cours de la seconde phase, la libération des électrons capturés se fait de manière différente, à savoir, ce phénomène est analogue à celui désigné par le terme        électro-luminescence  . Cet effet est dépendant de la manière dont la tension est appliquée, par exemple, du fait que la tension appliquée atteint simultanément une haute tension ou qu'elle n'atteint cette tension que graduellement. Comme mentionné plus haut, bien que les électrons capturés soient libérés pour deux raisons différentes, diverses expériences ont prouvé qu'un nombre suffisant d'électrons capturés existent immédiatement après l'application d'une tension de polarité opposée dans la seconde phase du procédé.

  En supposant que la charge retenue   Qp    formée pendant la première phase est réduite à   Q'p    pour les raisons sus-mentionnées par l'application d'une tension inverse, et aussi que la charge de surface diminue de Q" suivant la libération des charges retenues Qp à Q'p, l'équation (6) suivante est valable pour une nouvelle tension de polarité inverse -V2.



     
 Q1 + Q'-Q" Qi + a,' (6)
 Cl c2   
Cette équation peut être écrite comme suit:    oi-Q1 Q,+Q'-Q Q" QN8Q   
   C1    C2   C1    C2
 (7) dans laquelle   #Qp    représente la différence entre Qp et   Q0.   



   En substituant l'équation (7) ci-dessus dans l'équation (3) on obtient:   
 Q" Q" -#Q1 (8)
 ',,2+V, (8)
 C1 Q   
 Si la polarisation interne persistante n'est pas libérée    pour les raisons indiquées ci-dessus, et si Q0 devient    par conséquent zéro, l'équation (8) peut alors s'écrire comme suit:   
 C1 C2
 Q" cc (V+V,)
 C,+Q   
Ainsi la variation de tension à travers la capacité Cl est:
   -Q      ¯¯¯¯¯¯¯      (V2+V,)    (9)
   - C,    C1 + C2
Lorsque   b      Qp    n'est pas zéro, la variation de tension augmente.

  Lorsque Qp est égal à zéro, et si la polarisation interne persistante a été établie de façon à atteindre une saturation parfaite au cours de la première phase. le potentiel électrique à travers la couche mince fortement isolante peut s'exprimer comme suit   Vc,=V1- 2+V,) + V1) 1 (C,V1-QV2) (10)   
 C1 + C2 C1 + C2
 Comme décrit ci-dessus, il est possible de donner à   Vct    une valeur plus grande que zéro en choisissant convenablement les tensions V, et V2 et le rapport des capacités C, et C2. Cela signifie qu'il est possible de contrôler le potentiel de charge de la capacité   C1    de la couche mince fortement isolante 1 dans l'état de polarité positive, même si une tension appliquée à l'élément photosensible est de polarité négative.

  Pour faciliter encore le contrôle décrit ci-dessus, la capacité C, de la couche mince fortement isolante 1 peut être choisie plus grande que la capacité   Q    de la couche photosensible 2 ou la tension V2 peut être choisie de façon qu'elle ne  soit pas sensiblement supérieure à   V2.    D'autre part, si une tension   -Vg    est appliquée à l'élément photosensible dans l'obscurité sans avoir accompli ladite première phase du procédé, la différence de tension   
 C2
 --------- V2
 C2 + C2    à travers la capacité   C,    deviendra la suivante:

  :   
 C2 1 C1V1
 C2 V + 1 C V V CtvlCuti
 C,+Q C,+Q   
 (11)
 Comme mentionné ci-dessus, la condition calculée par les équations (6) à (11) indique la condition à un instant suivant immédiatement l'application d'une tension dans la deuxième phase. Toutefois, lorsque l'élément photosensible est laissé dans l'obscurité, on peut supposer que cette condition demeure inchangée pendant au moins une certaine période. D'autre part, sur les parties de l'élément photosensible sur lesquelles des parties brillantes de l'image lumineuse sont projetées, les électrons retenus sont rapidement libérés par l'excitation lumineuse, ce qui permet ainsi aux électrons d'émigrer. Ainsi, une nouvelle polarisation interne persistante    <       Qp     s'établit nouvellement conformément à l'équation suivante, qui est similaire à l'équation (5).



     
 -Q -Q -Q + Q
 C, C2 C,   
 Par conséquent, il est clair qu'une nouvelle polarisation persistante est établie et que la tension appliquée de l'extérieur est entièrement concentrée par la capacité   C,    qui représente la couche mince fortement isolante. La différence des potentiels de charge sur les parties de l'élément photosensible correspondant aux parties obscures et brillantes de l'image projetée diffère suivant que la première phase du procédé a été accomplie ou non. Cela revient à dire que, dans le cas où la première phase du procédé n'est pas exécutée, cette différence de potentiel est:   
 C,
 c + c,    tandis que dans le cas où cette première phase du procédé est accomplie, la différence de potentiel augmente jusqu'à   
 C,
 C,+Q .   



   C1 + C2
Par conséquent, l'augmentation de la différence de potentiel est représentée par:
 C1    C1 + C2 (V1 + V2) (12)   
 On peut facilement comprendre de cette équation que la différence des potentiels de charge peut être rendue plus grande en donnant à la capacité C, une valeur plus grande qu'à la capacité   Q.   



   La description qui précède se rapporte au cas dans lequel est établie la polarisation interne persistante idéale, mais il est évident qu'on ne peut réellement obtenir une telle capture idéale des électrons. Toutefois, cette puissante action de contrôle de la polarisation interne persistante est une caractéristique très efficace pour l'utilisation du phénomène en électrographie. Les exemples qui suivent décrivent le nouveau procédé d'électrophotographie qui utilise la polarisation interne persistante.



   Exemple I
 Comme représenté à la fig. 1, des cristaux phosphorescents finement pulvérisés ayant un calibre moyen des particules de 5 microns et contenant   40 o    de ZnS,   60 oxo    de CdS, un activateur constitué par Ag et un liant contenant à raison de 20   o/o    en poids desdits cristaux finement pulvérisés, de la nitrocellulose dissoute préalablement dans une quantité appropriée d'acétate d'amyle, sont mélangés ensemble de telle façon que lesdits cristaux phosphorescents pulvérisés soient parfaitement dispersés.



  Le mélange est ensuite appliqué sur une couche mince fortement isolante composée d'un film de résine synthétique de la série des polyesters et ayant une épaisseur de 12 microns, et le film ainsi revêtu est séché progressivement pour produire une couche photosensible de 50 microns d'épaisseur qui est ensuite séchée à fond.



   Après cela on lie à cette couche photosensible une mince couche d'aluminium servant d'électrode en utilisant comme liant une substance conductrice de l'électricité et   l'on    complète ainsi l'élément photosensible.



   La résistance spécifique de la couche photosensible de cet élément photosensible est de   10t7    ohms/cm. En ce qui concerne la couche photosensible elle-même, on a procédé à une expérience pour déterminer sa caractéristique photoconductrice: à cet effet, des électrodes ont été appliquées aux deux faces de la couche photosensible et une lumière d'une intensité de 500 lux a été projetée à travers l'une des électrodes: aucune variation de la résistance n'a pu être décelée.



   Comme représenté dans la fig. 2,   l'élément    photosensible ci-dessus a été convenablement pressé contre une électrode transparente 4. Ensuite, dans une première phase, un courant continu de   +    1000 volts a été appliqué à travers l'élément photo sensible de manière telle que l'électrode transparente acquière une polarité positive, et une illumination uniforme de 150 lux a été projetée sur l'entière surface de la couche photo sensible 2 pendant que ledit courant était appliqué. Une seconde après, les applications de courant et de lumière ont été arrêtées simultanément.

  Dans la seconde phase, pendant qu'on appliquait un courant continu de   - 1000    volts (de signe contraire à celui utilisé dans la première phase), on a projeté sur la couche photosensible une image lumineuse ayant une brillance de 150 lux dans ses parties brillantes, et, encore une seconde après, l'application de courant et la projection de l'image ont été interrompues simultanément. Immédiatement après la fin de cette seconde phase, on a séparé l'électrode transparente 4 et on a mesuré sa tension à la lumière naturelle du local. Comme résultat, on a observé une tension de -870 volts dans les parties de la couche mince fortement isolante 1 correspondant à la partie brillante de l'image, et une tension de   +20    volts dans les parties correspondant aux parties sombres.

 

   Lorsqu'on a effectué la seconde phase du procédé sans la première phase, le potentiel des parties correspondant aux parties brillantes de l'image avait sensiblement la même valeur que précédemment, mais le potentiel des parties correspondant aux parties sombres de l'image s'élevait à -400 volts; ainsi, la différence de potentiel entre les parties brillantes et les parties sombres  était réduite de moitié par rapport à celle du cas où   l'on    exécutait d'abord la première phase du procédé.



   Les résultats de la mesure continue de la tension appliquée à la couche fortement isolante par le même procédé que déccrit ci-dessus sont représentés à la fig. 5.



  Dans cette figure 5, aL désigne le potentiel de la charge de surface dans la première phase du procédé et bD et bL désignent les potentiels de charge dans les parties correspondant aux parties brillantes et aux parties sombres de l'image projetée dans la seconde phase du procédé. D et L représentent les résultats d'un cas dans lequel la seconde phase a été exécutée sans première phase préalable.



   Lorsqu'on utilise des cristaux phosphorescents finement pulvérisés comme matière photosensible suivant l'exemple 1 ci-dessus, l'effet du liant fortement isolant n'est pas toujours très apparent du fait de la résistance limite très élevée des cristaux. Par conséquent, une variation du rapport de mélange entre le liant et les cristaux photosensibles finement pulvérisés ne détermine pas un changement sensible de la caractéristique de l'élément.



  Toutefois, dans le cas où la matière photosensible utilisée est photoconductrice, les caractéristiques d'isolation et du rapport de mélange du liant deviennent des facteurs très importants. Lorsqu'on utilise comme matière photoconductrice la substance bien connue   CdS : Cu,    il existe une relation intime entre le niveau capteur et la forte photoconductivité de cette matière. Les niveaux capteurs qui contribuent à la photoconductivité peuvent former la polarisation interne persistante comme dans le cas d'une matière phosphorescente dans des conditions particulières. A cet effet il est nécessaire de prévoir une couche à forte résistance connue comme couche de blocage sur la surface cristalline.

  S'il existe une couche à forte résistance, les électrons n'auront plus la possibilité de s'écouler à l'extérieur des cristaux, de sorte que la densité des électrons au voisinage de la limite des cristaux augmentera, causant ainsi une distribution non uniforme des électrons capturés pour créer le phénomène de polarisation interne persistante.



   La persistance de la polarisation interne créée est causée principalement par le niveau capteur et n'est pas très élevée Si on la compare avec celle d'une matière ayant une plus large bande d'inhibition telle que ZnS.



  Toutefois, il est possible de former une image latente suffisamment forte en utilisant les électrons capturés de la même façon que dans le cas des cristaux phosphorescents finement pulvérisés mentionnés ci-dessus. Dans la pratique réelle, on a obtenu le même résultat en composant un élément photosensible en employant CdS : Cu ou   CdS : Ag    et en procédant de la même façon que dans l'exemple 1 ci-dessus à l'exception du fait qu'on a supprimé la projection de lumière dans la première phase du procédé.



   La raison pour laquelle on a supprimé la projection de lumière dans la première phase du procédé et appliqué seulement une tension dans l'obscurité à l'élément photosensible composé de CdS réside dans le fait qu'une matière telle que le CdS possède des niveaux capteurs superficiels relativement denses qui coexistent avec des niveaux capteurs profonds et que, du fait d'une telle distribution des niveaux capteurs,   I'amorçage    du courant électrique en réponse à la projection de lumière est lent, mais la densité du courant électrique est extrêmement forte. Pour cette même raison, le désamorçage du courant électrique après l'interruption de la projection de lumière est aussi très lent. Cela veut dire que les électrons qui participent à la conduction peuvent exister dans le niveau capteur pendant une très longue période de temps.

  Par conséquent, sans excitation par une projection de lumière supplémentaire, les électrons excités par une projection précédente de lumière peuvent remplir les niveaux capteurs près de la surface limite et maintenir le champ électrique interne et le champ électrique externe causé par la tension appliquée dans un état d'équilibre. En d'autres termes, il est possible de concentrer toute la tension appliquée à la capacité   C1    de la couche fortement isolante de la même façon que dans le cas des cristaux phosphorescents finement pulvérisés.



   En outre, dans le cas où   l'on    utilise, comme décrit ci-dessus, des cristaux photoconducteurs finement pulvérisés, il y a un net avantage qui est différent de celui qui est obtenu en employant des cristaux phosphorescents finement pulvérisés, à savoir: dans le cas d'une matière photoconductrice telle que CdS: Cu présentant différentes profondeurs de niveaux capteurs, les électrons demeurent dans le niveau capteur superficiel après la cessation de l'excitation lumineuse, et du fait que ces électrons deviennent facilement des électrons photoconducteurs dans la bande de conduction par stimulation thermique, le courant électrique ne diminue pas énergiquement à moins que tous les électrons retenus dans les niveaux capteurs superficiels tombent dans les niveaux capteurs profonds ou tombent dans la bande d'électrons de valence.



   Si   l'on    exécute la seconde phase du procédé après
   ne    énergique stimulation par la lumière dans la phase   nrécédente,    le champ de polarisation interne dans les   parties    correspondant aux parties sombres de l'image augmentera jusqu'à la même valeur que le champ électrostatique externe, où se produit la rétention maximum.



  Ainsi la même tension élevée que celle des parties brillantes sera appliquée à la capacité CI de la couche mince fortement isolante et il s'ensuivra que le rapport signal/ bruit de l'image latente est sévèrement altéré dans une mesure telle que, dans certains cas, on ne relève aucune différence entre les parties brillantes et les parties sombres. Toutefois si   l'on    applique seulement une tension dans la première phase à des cristaux photoconducteurs finement pulvérisés qui ont été convenablement excités nendant la phase précédente, les électrons   oui    contri   oient    à la conductivité émigrent rapidement vers la surface des cristaux conformément à la polarité de la tension appliquée. En conséquence, le nombre des électrons dans cette surface limitée augmente rapidement.



  donnant lieu à un accroissement rapide du nombre des électrons qui sont capturés dans un niveau capteur ou qui sont recombinés dans la bande d'électrons de valence dans cette surface, provoquant ainsi une rapide diminution du nombre des électrons dans la bande de conduction. Par conséquent, si l'on commence la seconde phase à ce moment, le nombre des électrons qui émigrent conformément à la polarité du champ électrique nouvellement engendré par une tension externe appliquée dans la seconde phase diminuera radicalement de sorte que   l'on    disposera d'une fonction de contrôle aussi effective que celle observée dans une matière telle que (ZnCd)S : Ag.

 

   Comme décrit ci-dessus, lorsqu'on utilise des matières dites   photoconductrices    ,    la caractéristique de forte isolation du liant est un facteur très important. En conséquence, les caractéristiques de la matière liante et  le rapport de son mélange avec les cristaux photoconducteurs pulvérisés doivent être choisis avec un soin extrême. Par conséquent, en ce qui concerne le liant apte à former la couche photosensible 2, il est souhaitable d'employer une matière ayant généralement une résistance spécifique supérieure à   1014    ohms/cm. En outre, la proportion de liant doit être déterminée suivant la tension appliquée à la couche photosensible 2.



   La couche de cristaux photoconducteurs finement pulvérisés liés ensemble par un liant fortement isolant manifeste une caractéristique de résistance non linéaire remarquable par rapport à la tension appliquée. Cependant, lorsque la couche mince photosensible est préparée par frittage des mêmes cristaux photoconducteurs finement pulvérisés, le courant photo-électrique varie en proportion directe de l'intensité de la lumière projetée.



  Le rapport entre le courant photoélectrique et la tension appliquée est aussi linéaire. Par contraste, dans une couche composée des mêmes cristaux photoconducteurs finement pulvérisés liés par un liant isolant, son courant photoélectrique varie non linéairement par rapport à l'intensité de la lumière et par rapport à la tension appliquée. En outre, l'amorçage du courant photo électrique est lent lorsqu'on applique une tension relativement basse ou une lumière faible.

  Ceci est probablement dû à une caractéristique de résistance non linéaire des couches isolantes aux surfaces contiguës des cristaux photoconducteurs pulvérisés et à la non-linéarité du courant qui traverse les couches isolantes entre les cristaux photoconducteurs pulvérisés, la magnitude dudit courant étant déterminée par l'intensité de la polarisation interne établie dans les cristaux, l'intensité du champ électrique dans ces couches isolantes, et l'effet dit        effet tunnel  .



   Lorsqu'une variation de capacité de la couche photosensible causée par la polarisation interne persistante est utilisée pour la formation de l'image, il est essentiel d'augmenter la probabilité de retenir les électrons à la limite des cristaux photoconducteurs pulvérisés. A cet effet, une migration des électrons entre les cristaux photoconducteurs pulvérisés n'est pas souhaitable, Dans le nouveau procédé suivant la présente invention, on doit par conséquent prendre soin de faire passer un nombre minimum d'électrons à travers la couche de liant isolant au moyen de l'effet tunnel, en considérant si oui ou non la couche photosensible présente une polarisation interne persistante sous l'effet d'une tension appliquée de rextérieur qui est répartie par la couche photosensible conformément aux équations qui précèdent (1) et (6).



   Dans le cas où une forte tension est appliquée sans tenir compte de la considération ci-dessus, ce qui permet aux électrons de s'écouler librement entre les cristaux photoconducteurs pulvérisés du fait de l'effet tunnel ou d'un autre phénomène, la direction du flux d'électrons est probablement unidirectionnelle à cause de l'asymétrie de l'élément photosensible et de la polarité du porteur de majorité de la matière photoconductrice.



  Dans l'élément photosensible qui est utilisé à plusieurs reprises, l'hystérésis causée par la précédente formation de l'image dérange sérieusement la formation de l'image dans le cycle qui suit. Si la résistance de la couche photosensible est suffisamment basse pour permettre aux électrons de s'écouler facilement à travers la couche photosensible, la condition ne diffère pas de celle du cas où il n'existe pas de couche de blocage, de sorte qu'il n'y a pas de possibilité de créer un champ électrique polarisé par des électrons capturés dans la couche photosensible, et cette couche est seulement une couche photoconductrice dont la résistance peut varier par la projection de lumière.

  Par conséquent, dans ces conditions, la fonction n'existe pas, mais une image latente est formée par la différence de la charge de la capacité   C,    de la couche fortement isolante en utilisant la différence de la constante de temps causée par la différence de résistance des parties brillantes et des parties sombres de la couche photoconductrice.   Il    est évident que cette méthode est pratique, mais elle présente certaines difficultés telles qu'une augmentation de la résistance dans l'obscurité, la production de la couche photosensible, le choix de la matière photoconductrice, etc. De surcroît, le régime horaire de chaque phase du procédé de formation de l'image doit être strictement contrôlé.

  En outre, en ce qui concerne la structure de l'élément photosensible, un résultat satisfaisant ne peut pas être obtenu à moins que la capacité CL de la couche fortement isolante ne soit beaucoup plus grande que la capacité   Q    de la couche photosensible, car le potentiel électrique est distribué ou réparti suivant les capacités des couches respectives lorsqu'un courant continu est appliqué, comme indiqué par l'équation (1). Ceci est vrai pour tous les systèmes d'électrographie qui utilisent un élément photosensible revêtu d'une couche fortement isolante.

  Toutefois, afin de rendre la capacité C, beaucoup plus petite que la capacité   G,    on ne peut pas obtenir un résultat satisfaisant à moins que la couche photosensible ne soit prévue beaucoup plus épaisse que la limite pour une absorption de lumière pratique ou à moins que la couche fortement isolante ne soit prévue extrêmement mince.



     11    est donc très difficile d'améliorer à la fois la caractéristique mécanique et la caractéristique de formation de l'image de l'élément photosensible dans le cas où celui-ci est utilisé à plusieurs reprises.



   Par contraste, dans le nouveau procédé suivant la présente invention qui utilise la fonction spéciale causée par la distribution non uniforme des électrons dans les cristaux photosensibles finement divisés au lieu d'utiliser la variation de résistance de la couche photosensible, il est possible de maintenir la résistance de la couche photosensible extrêmement élevée dans l'obscurité, même si l'épaisseur de la couche photosensible est réduite.



  D'autre part, même si l'épaisseur de la couche photosensible est augmentée et l'intensité de la lumière est faible, il se produit une variation notable de la polarisation interne persistante à cause de l'effet cumulatif de la polarisation interne persistante elle-même, de sorte qu'il se produit un changement assez fort de la capacité à l'intérieur de la couche photosensible.   n    s'ensuit qu'on dispose d'une parfaite fonction de formation d'image avec un temps légèrement plus long.

 

   Exemple 2
 On a préparé un élément photosensible par le même
   ^cédé    que dans l'exemple I à l'exception du fait qu'on a utilisé des cristaux finement pulvérisés de CdS qui avaient été activés par Ag et avaient un calibre moyen des particules de 4 microns. La couche photo sensible de cet élément présentait très peu de photoconductivité sous une projection de lumière de 10 lux.



   La première et la seconde phases du procédé ont été exécutées sur cet élément photosensible en utilisant le même appareil que dans l'exemple 1. Le courant continu qui a été appliqué dans la première comme dans la seconde phase était de 1000 volts. Dans la première  phase, l'illumination uniforme par la lumière a été supprimée, mais la polarisation interne persistante a été établie en utilisant la photoconductivité résiduelle provenant d'une action préalable (hystérésis) de la lumière naturelle du local et qui restait dans l'élément photoconducteur.



   Le courant continu a été appliqué seulement pendant 0,1 seconde avec une telle polarité que la couche mince fortement isolante de l'élément photosensible prenne une polarité positive. Par la suite, dans une seconde phase, la polarité du courant continu appliqué dans la première phase a été inversée conjointement avec la projection pendant 0,1 seconde d'une image lumineuse avec une intensité de 10 lux sur les parties brillantes à travers l'électrode transparente. Immédiatement après, la projection de l'image lumineuse et l'application de courant ont été interrompues simultanément, après quoi l'électrode transparente a été retirée.

  Comme résultat de ces opérations, on a observé un potentiel de -920 volts dans les parties de la couche mince fortement isolante correspondant aux parties brillantes de l'image lumineuse et un potentiel de -120 volts dans les parties correspondant aux parties sombres de l'image. Lorsqu'une image a été formée par la seconde phase seulement sans l'utilisation de la première phase du procédé, le potentiel observé dans les parties correspondant aux parties brillantes de rimage était à peu près le même que cidessus, c'est-à-dire -920 volts, mais le potentiel observé dans les parties correspondant aux parties sombres de l'image lumineuse projetée était de -460 voltes.



   De la description de l'exemple 2 qui précède il ressort clairement que la libération des électrons capturés peut être considérée comme étant causée par la commutation de la polarité du courant appliqué ou par quelque autre cause thermique. Bien que la faculté de former l'image ne soit pas si bonne dans cet exemple que dans le cas de   (ZnCd)S : Ag,    il a cependant été possible d'obtenir une image électrostatique latente relativement forte. On a constaté que cette image latente peut persister sans affaiblissement pendant très longtemps lorsqu'elle est exposée à la lumière naturelle du local, et qu'en utilisant de la poudre finement divisée chargée électriquement que   l'on    emploie généralement comme révélateur en électrographie, il est possible d'obtenir une image visible extraordinairement claire et intense.

  En outre, L'image développée peut être transférée sur un papier à copier par n'importe quel procédé approprié. Le cycle de formation de l'image peut être immédiatement recommencé après que la surface de l'élément photosensible a été nettoyée.



   Afin d'empêcher le passage du courant entre la couche mince photosensible et l'électrode, on peut interposer une couche mince fortement isolante entre l'électrode et la couche photosensible, améliorant ainsi la structure asymétrique de l'élément photosensible ainsi que sa faculté de former l'image, comme il sera décrit dans l'exemple 3 qui suit.



   Exemple 3
 Comme représenté dans la fig. 6 et comme dans le cas des éléments photo sensibles décrits dans les exemples 1 et 2, après la formation de la couche photosensible 2 sur la couche fortement isolante 1, on a appliqué une émulsion d'acétate de vinyle sur le côté opposé de la couche photosensible, formant ainsi une autre couche fortement isolante la d'une épaisseur de 1 à 2 microns
 très que l'émulsion a été complètement séchée. On a ensuite lié une électrode 3 à cette nouvelle couche for   moment    isolante la.



   En utilisant l'élément photosensible, on a mis en   ceuvre    un procédé de formation d'image dans les mêmes conditions que dans les exemples 1 et 2 respectivement, et les résultats suivants ont été obtenus. Bien que la charge électrostatique sur les parties correspondant aux parties brillantes de l'image lumineuse ait été à peu près égale à celle des exemples 1 et 2, dans le cas où   l'on    a employé la même façon de procéder que dans l'exemple 1 mais en employant l'élément photosensible représenté dans la fig. 6, on a observé un potentiel de charge de -60 volts sur les parties correspondant aux parties sombres de l'image lumineuse. Cela veut dire que le contraste de l'image latente obtenue avec cet élément avait diminué légèrement par rapport à celle de l'image obtenue dans l'exemple 1.

  Dans le cas où   l'on    a procédé de la même façon en utilisant un élément photosensible construit suivant la fig. 6, on a observé un potentiel de charge de -20 volts sur les parties correspondant aux parties sombres de l'image lumineuse, de sorte que le contraste de l'image latente avait augmenté par rapport à celui de l'image latente obtenue dans l'exemple 2. En outre, un élément photosensible ayant la construction représentée dans la fig. 6 peut donner des résultats satisfaisants, même si   l'on    applique un courant extérieur plus fort. Ainsi, par exemple, si   l'on    utilise un élément photosensible tel que celui décrit dans l'exemple 2, et si le courant extérieur appliqué dépasse 1500 volts, la formation de l'image perd de sa haute fidélité parce qu'il se produit une partielle panne et contamination de l'image.



  Cependant, avec un élément construit comme représenté dans la fig. 6, il est possible d'augmenter le courant externe jusqu'à 2000 volts sans perte de fidélité de l'image formée.



   Comme on l'a déjà fait remarquer au sujet de l'exemple 3, le transfert des charges entre la couche photosensible et l'électrode dans l'élément photosensible altère fortement la fidélité de la formation de   l'image.   



  La couche mince fortement isolante la doit être considérée comme agissant de façon à empêcher un brouillage causé par un champ électrique local non polarisé créé par l'injection d'une charge excédentaire dans la couche photosensible par l'électrode, indépendamment de la réponse à la projection de l'image lumineuse, et l'accumulation graduelle de charge électrique d'une seule polarité qui est produite par l'opération répétée de formation d'image due à l'effet de fonction rectificatrice qui est inhérent au contact à la limite entre deux matières différentes telles que la matière photosensible et l'électrode.

 

   Si   l'on    considère la fonction de la couche fortement isolante la du point de vue du facteur d'atténuation, dans une couche photo sensible composée de cristaux finement pulvérisés possédant une résistance interfacielle relativement basse, les porteurs de charge s'écoulent à travers la couche photosensible lorsque la résistance diminue du fait de l'irradiation par les rayons lumineux, produisant ainsi un échange des porteurs de charge entre la couche photosensible et l'électrode.

  Afin d'empêcher cet effet contraire de se produire, on insère une mince couche fortement isolante ayant une résistance suffisamment élevée entre la couche photosensible et l'électrode ; on dispose ainsi d'une couche bloquant le courant qui fonctionne de façon à empêcher l'échange de por  teurs de charge entre la couche photo sensible et l'électrode et à établir une charge de polarisation interne persistante. On maintient ainsi la condition mentionnée plus   haut Dd Dl lorsque la couche mince fortement iso-    lante sur la surface frontale et l'électrode sur la surface postérieure sont retirées.



   D'autre part, les résultats d'expériences conduites de la même manière que pour les exemples 1, 2 et 3 sur des cristaux photoconducteurs finement divisés de   CdS : Cu    montrent que, bien que certaines difficultés aient été notées dans le contrôle de charge, par exemple des inconvénients que   l'on    pense être dus à une libération de la polarisation interne plus rapide que dans le cas de   CdS : Ag,    et plus particulièrement à un accroissement du potentiel de charge dans les parties correspondant aux parties sombres de l'image lumineuse, il était encore possible d'obtenir des images claires et distinctes.



   Bien que les cristaux photosensibles finement divisés soient analogues en ce qu'il existe une pluralité de niveaux capteurs dans les cristaux eux-mêmes, les mêmes bons résultats sont obtenus, même si ces niveaux capteurs sont situés à l'extérieur des cristaux. I1 est possible d'utiliser, par exemple, un agent colorant organique comme le montrera l'exemple qui va suivre.



   Exemple 4
 On a préparé un élément photo sensible de la manière suivante:   1  /o    (calculé sur le poids de ZnO) de
Rose Bengale dissous dans l'alcool éthylique ont été ajoutés à des cristaux de ZnO ayant un calibre moyen des particules de 0,2 micron et mélangés avec lesdits cristaux dans un moulin à billes pendant 2 heures. Après séchage de ce mélange, on lui a ajouté 25   9/o    (basés sur le poids de ZnO) d'acétate de cellulose dissous dans l'acétate de butyle et le mélange a été ensuite soigneusement malaxe dans un moulin à billes pendant 2 heures.



  Le composé ainsi préparé a ensuite été appliqué uniformément sur un film de résine synthétique de polyester de 6 microns et séché jusqu'à une épaisseur de 50 microns. Après que la couche de revêtement a été complètement séchée, on a lié à cette couche une feuille d'aluminium au moyen d'un liant conducteur de rélectricité, complétant ainsi un élément photosensible.



   En utilisant cet élément photosensible et le même appareil que celui décrit dans l'exemple 1, dans une première phase du procédé on a appliqué à la couche photosensible un potentiel de + 600 volts pendant 0,3 seconde, de telle façon que la surface de la couche fortement isolante soit chargée positivement sans irradiation de rayons lumineux quelconques. Dans la seconde phase suivante, on a appliqué un potentiel de -600 volts pendant 0,3 seconde également avec projection d'une image lumineuse ayant une brillance de 100 lux dans ses parties brillantes. Les tensions résultantes ont été de - 540 volts dans les parties correspondant aux parties brillantes de l'image projetée et de -50 volts dans les parties correspondant aux parties sombres de ladite image.



   Le Rose Bengale qui a été utilisé dans l'exemple 4 ci-dessus peut être remplacé par n'importe lequel d'un grand nombre d'agents colorants synthétiques tels que la Rhodamine,   1'Auramine,    le Bleu de Méthylène, et ainsi de suite. En variante, d'autres substances inorganiques peuvent être utilisées. Toutefois, afin d'augmenter la photosensibilité des cristaux finement divisés et d'établir des niveaux capteurs sur la face externe des cristaux, il est préférable d'utiliser le Rose Bengale.



  Quand une matière telle que CdS ou CdSe est contenue dans le ZnS, ou quand un procédé spécial d'activation est employé pour concentrer des niveaux capteurs profonds près de la surface des cristaux finement divisés, la différence de tension entre les parties correspondant aux parties brillantes et aux parties sombres de l'image projetée est grande, car la tension de la charge électrique sur les parties correspondant aux parties sombres de l'image est limitée à une valeur basse. Pour la raison mentionnée ci-dessus, comme dans le cas de ZnO, il est possible d'utiliser divers genres d'agents colorants avec de bons résultats qui améliorent la photosensibilité.



   Lorsque la couche photosensible de l'élément photosensible utilisé dans l'exemple 4 est irradiée pendant plus de deux secondes avec des rayons lumineux visibles d'une intensité de 100 lux, sa résistance diminue jusqu'à environ un dixième de sa valeur originale, mais lorsqu'elle n'est irradiée que pendant 0,3 seconde, sa résistance ne diminue que jusqu'à 9/10 seulement.



   Dans les exemples décrits ci-dessus, si l'électrode comprise dans l'élément photosensible et l'électrode transparente externe sont séparées dans l'obscurité après l'accomplissement de la première phase et de la seconde phase, les tensions de surface de l'élément photo sensible, mesurées également dans l'obscurité indiqueront la présence soit d'un bas potentiel positif dans les parties correspondant aux parties sombres de l'image et d'un potentiel positif élevé dans les parties correspondant aux parties brillantes de l'image, soit un potentiel négatif dans les parties correspondant aux parties sombres et un potentiel positif dans les parties correspondant aux parties brillantes de l'image projetée.

  Lorsqu'on utilise   (ZnCd)S : Ag,    cette différence entre les potentiels électriques est à peu près de la même magnitude que celle de l'exemple 1, de sorte que   l'on    peut obtenir des images claires et distinctes. Cependant, dans le cas de   CdS : Ag,    la différence de potentiel est légèrement plus petite que celle observée dans l'exemple 2. D'autre part, lorsqu'on utilise CdS: Cu, la différence de potentiel observée est inférieure à 1/3 de la valeur obtenue par le même procédé que dans les exemples 1 et 2. Toutefois, dans tous les cas, un développement par une poudre finement divisée chargée électriquement est toujours possible. Toutefois, si   l'on    utilise des révélateurs ayant la même polarité que ceux utilisés dans les exemples 1 et 3, on obtiendra des images inversées.

  En préjugeant du fait que dans les deux cas ladite image latente inversée s affaiblit rapidement sous l'action de la lumière, il est clair que ladite image latente inversée est formée par des électrons capturés dans la couche mince photosensible.



  Lorsqu'on utilise   CdS : Cu,    l'affaiblissement est plus prononcé qu'avec   (ZnCd)S : Ag.    De nombreuses expériences ont montré que ce phénomène est causé par différents taux de libération thermique des électrons capturés après formation de rimage latente.

 

   Des expériences faites sur une matière photosensible telle que le   CdS : Cu    ont montré que la libération de la charge électrique capturée est relativement rapide après l'application d'un potentiel inverse, mais que la constante de temps est d'à peu près une seconde. En conséquence, quand on complète la formation d'une image latente électrostatique de surface en appliquant une tension inverse pendant environ 0,1 seconde, le potentiel dans les parties correspondant aux parties sombres de l'image peut être pleinement contrôlé et, dans les parties correspondant aux parties brillantes de l'image lumineuse  projetée, les images latentes peuvent être formées sans poser aucun problème, car la vitesse de libération causée par les rayons lumineux incidents est très grande.



   On peut aussi utiliser d'autres procédés d'application de tension différents de ceux décrits dans les exemples précédents, procédés dans lesquels le rapport entre la durée de projection de lumière et la durée d'application de la tension peut varier de différentes façons comme décrit ci-après.



   Considérant en premier lieu la charge électrique sur la surface de l'élément photosensible après la seconde phase du procédé, l'état de la couche photosensible après l'interruption de l'application de tension continue n'est stable que lorsque la distribution de la charge à l'intérieur de l'élément photosensible demeure constante.



   Cependant, lorsque la densité des électrons capturés dans la couche photosensible change après l'interruption de l'application du courant dans la seconde phase, la distribution du courant du circuit en série comprenant la capacité C, de la couche mince isolante de surface et la capacité C2 de la couche photosensible est modifiée.



  Etant donné que cela produit des différences de potentiel à la surface de la couche isolante qui était au même potentiel immédiatement après l'application du courant, les charges de la surface sont nivelées par le contact de l'électrode transparente, et l'image latente est perdue. En réalité, lorsqu'on utilise pour des éléments photosensibles des matières avec libération thermique rapide des électrons capturés telles que   CdS :

  Cu,    on a observé que l'affaiblissement de l'image latente est dépendant de l'intervalle de temps entre l'interruption de l'application de courant et le retrait de l'électrode.   I1    est clair que puisque les électrons capturés dans les niveaux capteurs peu profonds sont rapidement libérés thermiquement, un contact prolongé avec l'électrode transparente après la seconde phase provoque la disparition de l'image latente.



   Par conséquent, il est important d'empêcher l'échange des charges entre l'électrode transparente et la couche photosensible après la fin de la seconde phase.   n y    a deux procédés possibles (a) et (b) pour obtenir ce résultat.



   (a) L'électrode transparente peut être séparée de l'élément photosensible après l'achèvement de la seconde phase, mais sans interrompre l'application de courant; on forme ainsi un entrefer d'air fortement isolant entre eux de façon à empêcher les charges de surface de diffuser. Par ce procédé, l'état de la surface juste après la séparation de l'électrode transparente peut être maintenu pendant longtemps.



   (b) On peut utiliser un système de décharge couronne, étant donné que ce système n'exige aucun contact avec l'élément photosensible, et par conséquent ne provoque aucune diffusion de la charge de surface.



   A titre d'exemple du procédé (a) sus-mentionné, mis à part le procédé consistant à retirer l'électrode transparente pendant l'application du courant, il est possible d'utiliser une électrode du type électrode roulante 6 pour appliquer le courant dans la seconde phase, comme représenté schématiquement dans la fig. 7. Un tel procédé qui emploie une électrode établissant un contact physique avec l'élément photo sensible peut poser certains problèmes mécaniques tels que le contact défectueux entre l'électrode et l'élément photosensible, ainsi que l'abrasion de l'élément photosensible. Malgré cela, ce procédé est avantageux lorsqu'il s'agit de former des images à grande vitesse.



   En contraste, lorsqu'on utilise une décharge couronne comme dans le procédé (b) ci-dessus, l'élément photosensible ne subit aucun dommage mécanique et l'appareil est simple puisqu'il n'y a pas d'électrode en contact direct avec l'élément. Toutefois la vitesse totale de formation de l'image diminue du fait des caractéristiques du circuit électrique employé, et cela sera facile à comprendre en examinant le circuit équivalent représenté dans la fig. 8. Dans cette figure, C, et   Q    sont les capacités du film fortement isolant et de la couche photosensible, respectivement, Ca désigne la capacité de l'entrefer de la décharge couronne et   R8    désigne la résistance de la décharge qui est caractéristique de la décharge couronne.

  La décharge couronne commence lorsque la tension a atteint une certaine valeur et le courant de décharge augmente ensuite avec la tension. Cette caractéristique est représentée dans la fig. 9 dans laquelle le courant de décharge est représenté en fonction de la tension. Comme on peut le remarquer d'après la courbe, la caractéristique est linéaire d'une manière générale à l'exception d'une petite partie non linéaire près du seuil de la tension à laquelle la décharge commence. L'inclinaison de la courbe est déterminée par la résistance de la décharge, de sorte qu'elle peut également être représentée par la résistance en ohms. La tension qui détermine le courant I traversant la résistance   R3    n'est pas en rapport direct avec la tension appliquée à l'électrode de décharge couronne.

  La tension effective   (VO)    qui détermine le courant de décharge est exprimée comme suit:
   Ve    =   V3V4    équation dans laquelle Vs représente la tension élevée effectivement appliquée, et V4 représente le seuil de tension pour lequel la décharge commence. Par conséquent:    Ve = I X R3.   



   L'entrefer entre l'électrode de décharge couronne et la surface de l'élément photosensible est très large comparativement à l'épaisseur de la couche fortement isolante, et la constante diélectrique de l'air est plus petite que celles des couches respectives de l'élément photosensible. En conséquence, la capacité Cl de l'entrefer est très petite, de sorte que pour déterminer la division de la tension dans le circuit, il suffit seulement de considérer l'effet de la charge électrique fournie à travers la résistance R8 aux capacités C, et   C,.    En conséquence, en négligeant la capacité Ca et en considérant le circuit simplifié représenté dans la fig. 

   10, la charge électrique
Q emmagasinée à la surface peut être déterminée comme   suit   
EMI11.1     

 Comme on peut le comprendre à l'examen de l'équation (13), la charge sera forte sur les parties qui correspondent aux parties brillantes de l'image, comme décrit dans les exemples 1 à 4, étant donné que l'existence d'une polarisation interne latente change la capacité apparente de la couche photosensible (voir équations (1) à (12) de l'exemple 2), et la charge sera petite sur les  surfaces correspondant aux parties obscures de l'image projetée.



   Comme mentionné ci-dessus, lorsqu'on utilise une décharge couronne, comme la tension de charge est plus élevée que dans le cas où l'électrode est amenée en contact direct avec l'élément photosensible, il est très avantageux d'améliorer le contraste ou l'intensité de l'image latente. Toutefois, il y a à cela un inconvénient du fait que la résistance effective   R8    ralentit l'établissement du potentiel de charge.



   Le calcul montre que la résistance de charge   R3    n'empêchera pas l'opération si la valeur de cette résistance   R    est suffisamment petite pour qu'on puisse la négliger par rapport à l'impédance de la couche photosensible lorsque celle-ci est illuminée par la lumière. En outre, il ne se posera aucun problème si la constante de temps d'un circuit en série comprenant la capacité C, de la couche fortement isolante et la résistance de décharge   R    est beaucoup plus petite que le temps requis pour créer la polarisation interne persistante dans la couche photosensible lors de la projection de l'image lumineuse.



   Dans le cas d'une couche fortement isolante ayant une constante diélectrique de 3 et une épaisseur de 6 microns, la capacité   C1    de cette couche isolante est d'environ 440 pf/cm2. Par conséquent, si la résistance de décharge R3 est de   105    ohms, la constante de temps peut être exprimée par:
   T    = 4.4 X 1010 X 108 = 4.4 X 10-2 (sec.)
D'autre part, une électrode couronne dont la résistance est 108 ohms/cm2 est une électrode de décharge tout à fait inefficace.



   La valeur de la résistance de décharge   R3    (corrigée pour 1 cm2) a été mesurée en remplaçant la couche photosensible par un conducteur parfait comme représenté dans la fig. 11 dans laquelle le chiffre 7 désigne une plaque métallique plate remplaçant la couche photosensible, 8 désigne la partie mise à la terre de l'électrode couronne, 9 désigne un fil d'électrode de décharge connecté à une source de courant électrique à forte tension dont l'autre pôle est à la terre, et 10 désigne un ampèremètre connecté de façon à mesurer le courant effectif de décharge.

  La résistance de décharge   R8 varie    avec la distance du fil électrode 9 à la couche photosensible, mais si cette distance est extrêmement petite afin de diminuer la résistance   R3,    le courant de décharge vers l'électrode mise à terre 8 diminuera, causant ainsi une décharge extrêmement peu uniforme.   I1    est facile de limiter la résistance de décharge
R3 jusqu'à 107 ohms. En conséquence, le dispositif de décharge couronne peut être utilisé pour appliquer la tension sans inconvénient majeur si l'application de tension peut être faite dans un temps d'environ 5 X 10-2 secondes.

  Lorsqu'une décharge couronne est utilisée avec la couche photosensible, la densité de la charge capturée de la polarisation interne persistante causée par la projection des rayons lumineux a une caractéristique d'établissement qui peut s'exprimer approximativement par l'équation suivante:
   q = q oo (11at)    (14) dans laquelle   q co    désigne la quantité maximum de charge capturée après qu'un temps infini s'est écoulé, et        est une constante qui est déterminée par la densité des électrons libres, la densité des niveaux capteurs, la probabilité de libération des électrons capturés, etc., dans les cristaux photosensibles pulvérisés.

  Etant donné que la capacité d'une couche photosensible varie suivant l'équation (14) ci-dessus, on comprendra aisément qu'on obtient une charge d'image latente par une différence suffisamment grande de potentiel de surface conformément à la brillance de l'image lumineuse à projeter, même lorsque la valeur de la résistance de la décharge couronne dépasse la valeur mentionnée ci-dessus.



   Lorsqu'on utilise une décharge couronne, il est nécessaire de commencer la décharge couronne simultanément à la projection d'une image lumineuse de façon qu'une différence de potentiel soit créée dans l'élément photosensible. Par conséquent, il est préférable de disposer l'électrode de décharge couronne comme représenté dans la fig. 12. Dans les fig. 12a, 12b et 12c, le chiffre 8 désigne une électrode compteur de décharge, 9 désigne une électrode de décharge composée d'un fil fin, et 8a désigne une électrode compteur de décharge transparente. Ces électrodes sont disposées de façon qu'une image lumineuse puisse être librement transmise depuis le haut. Bien entendu, la disposition des électrodes n'est pas limitée à celle de ces exemples particuliers, et leur composition, leur disposition et leur nombre peut varier de façon appropriée.

  Dans le cas où   l'on    utilise une électrode de décharge couronne pour la formation de l'image, il faut noter une nette différence dans la distribution de la tension comme représenté dans la fig. 13. Ceci est dû au rapport entre la tension appliquée et les capacités comme indiqué dans les équations (1) à (6). Toutefois, la tendance générale de la variation des potentiels de charge avec le temps dans la fig. 13 est fondamentalement la même que celle représentée dans la fig. 5. Les mêmes signes de référence sont utilisés dans les deux fig. 5 et 13.



   Comme décrit ci-dessus, l'élément photosensible utilisé dans cette invention présente certaines limitations quant au choix de la matière photosensible, de l'agent liant, de la matière du film fortement isolant, etc. Ces limitations sont causées par le fait que les électrons capturés dans les niveaux capteurs des cristaux photosensibles finement pulvérisés jouent le rôle principal dans la formation d'une variation de charge efficace suivant l'intensité de l'image lumineuse. La description qui va suivre indique les limites les plus appropriées entre lesquelles on peut choisir les divers éléments qui composent l'élément photosensible:
Couche fortement isolante:
 Cette couche doit avoir une capacité élevée, une haute caractéristique d'isolation, une haute résistance mécanique et une bonne transparence.

  A cet effet, cette couche est faite en un film de matière ayant une résistivité spécifique supérieure à   10" cl    et une épaisseur de 2 à 100 microns. En outre, lorsque c'est nécessaire, la couche doit être transparente.

 

  Couche photosensible:
 La couche photosensible doit avoir une capacité relativement faible par rapport à celle de la couche fortement isolante, et sa variation de charge doit être limitée au niveau capteur situé à l'intérieur des cristaux photosensibles finement pulvérisés. Ces exigences impliquent la condition que la couche photosensible soit composée de cristaux photoconducteurs ou fluorescents pulvérisés présentant un calibre moyen des particules de 20 microns, et d'un liant transparent ayant une résistivité spécifique supérieure à 1010 ohms/cm.

  Les cristaux photoconducteurs ou fluorescents pulvérisés doivent être dispersés dans le liant et formés en une couche d'une épaisseur de 10 à 200 microns, de façon à empêcher la charge  de fuir entre les particules cristallines et de maintenir ainsi dans l'obscurité la polarisation interne persistante établie dans la seconde phase du procédé pendant un temps suffisamment long.



  Cristaux photosensibles finement divisés:
 Etant donné que l'opération de formation de l'image suivant la présente invention dépend des niveaux capteurs, cette matière doit avoir un niveau capteur suffisamment profond pour retenir les électrons qui ont été capturés pendant la période d'application du courant dans la seconde phase dans les cristaux, de préférence près de la surface de ces derniers. Si un matériau est composé de façon à présenter de nombreux niveaux capteurs en ajoutant d'autres éléments qui tendent à situer ces niveaux capteurs près de la surface des cristaux, un matériau de ce genre peut aussi être utilisé pour le procédé selon la présente invention.



  Electrode incorporée dans l'élément photosensible:
 Pour autant que cette électrode est construite de façon à former une unité monolithique avec deux ou plusieurs autres couches pour former un champ électrique à l'intérieur de l'élément en coopération avec une autre électrode, elle peut consister en n'importe quelle matière ayant une résistance suffisamment plus basse que celle des deux autres couches.



     I1    est souhaitable qu'un élément photo sensible construit avec des couches qui ont été choisies conformément aux exigences décrites ci-dessus ait une valeur de capacité CI qui ne soit pas beaucoup plus élevée que la capacité   C,    de façon à répondre aux conditions capacitives de distribution de tension indiquées dans l'équation (6).



   Pour permettre une production continue d'images en utilisant cet élément photosensible, il est souhaitable d'utiliser l'appareil illustré dans la fig. 14. Cet appareil comprend un tambour rotatif muni sur sa périphérie d'un élément photo sensible dont la couche fortement isolante 1 est exposée à l'extérieur; ce tambour est entraîné en rotation à vitesse constante. L'exposition de l'élément photosensible est réalisée au moyen d'un système optique 14 qui projette l'image d'un objet 13 qui se meut en synchronisme avec la rotation du tambour. Pour établir un champ électrique à l'extérieur du tambour rotatif, des électrodes à décharge couronne 15 et 16 sont agencées.



  L'électrode à décharge couronne 15 est du type représenté dans la fig. 12, de sorte qu'aucun champ électrique n'est engendré sur une zone sur laquelle l'image lumineuse est projetée.



   Chacune des électrodes à décharge couronne peut être construite de façon appropriée. Par exemple, le dispositif de décharge couronne utilisé dans la seconde phase du procédé peut avoir un sommet transparent pour permettre la projection de l'image lumineuse depuis dessus.



   L'électrode à décharge couronne 16 pour la première phase du procédé est montée à proximité du tambour dans une position appropriée avant l'électrode 15, afin d'accomplir la première phase. Lorsque l'image lumineuse est projetée sur l'élément photosensible dans la première phase, cette électrode de décharge couronne 16 peut être du même type général que l'électrode de décharge 15, mais lorsque l'image lumineuse n'est pas projetée, elle peut être du type illustré dans la fig. 11. Un écran 17 est placé sur les électrodes 15 et 16 pour masquer les rayons lumineux dispersés. Lorsque l'objet 13 se meut dans la direction de sa flèche, et lorsque le tambour tourne dans la direction de sa flèche en réglant les vitesses relatives de ces deux organes, l'exposition de la surface photosensible 2 a lieu synchroniquement.

  Si des potentiels de polarités opposées sont appliqués aux électrodes 15 et 16, une image électrostatique latente correspondant à l'image lumineuse de robjet 13 se formera continuellement.



     I1    est avantageux de disposer de façon appropriée une source de lumière 18 pour dépolariser ou effacer le champ capturé dans la couche photosensible, un ensemble révélateur 19 qui utilise une poudre chargée finement divisée pour développer l'image latente, un dispositif de transfert 20 destiné à reporter l'image poudreuse sur une feuille de papier, et une brosse 21 pour nettoyer la surface du tambour en position adjacente audit tambour, comme représenté dans la fig. 14.

 

   Lorsqu'on utilise une électrode transparente dans la couche photosensible, il est possible de projeter la lumière depuis l'intérieur du tambour avec le même résultat que celui qu'on obtient lorsque l'image lumineuse est projetée à travers une couche fortement isolante transparente sur la surface du tambour.



   D'autre part, il est possible d'utiliser des rayons électromagnétiques de n'importe quel type désiré, par exemple des rayons gamma, des rayons X, des rayons ultraviolets ou infrarouges auxquels les cristaux photosensibles pulvérisés répondent. 

Claims (1)

1. REVENDICATION

   Procédé d'électrophotographie, caractérisé par les phases suivantes: préparation d'un élément photosensible comprenant une couche photosensible ayant une pluralité de niveaux capteurs destinés à présenter une polarisation interne persistante et une couche fortement isolante liée monolithiquement à au moins une surface de ladite couche photosensible, application d'un premier champ électrique à travers ledit élément photo sensible pour déposer une charge électrique d'une première pola rité sur la surface de ladite couche fortement isolante,

   application d'un second champ électrique à travers ledit élément photo sensible pour déposer une charge électrique de polarité opposée à la première charge sur la surface de ladite couche fortement isolante pendant qu'une image lumineuse est projetée sur ledit élément photosensible de façon à former une image électrostatique latente correspondant à ladite image lumineuse sur ladite couche fortement isolante.

   SOUS-REVENDICATIONS 1. Procédé d'électrophotographie suivant la revendication, caractérisé en ce qu'on applique lesdits premier et second champs électriques à travers ledit élément photosensible au moyen d'une paire d'électrodes disposées sur les côtés opposés dudit élément.

   2. Procédé d'électrophotographie suivant la revendication et la sous-revendication 1, caractérisé en ce qu'au moins l'une desdites électrodes est transparente aux rayons lumineux et ladite image lumineuse est projetée sur ledit élément photosensible à travers ladite électrode transparente.

   3. Procédé d'électrophotographie suivant la revendication, caractérisé en ce que ledit premier champ électrique est appliqué à travers ledit élément photosensible concurremment avec la projection de rayons lumineux uniformes sur l'entière surface de ladite couche photosensible.

   4. Procédé d'électrophotographie suivant la revendication, caractérisé en ce que lesdites charges électriques de polarités opposées sont déposées sur la surface de ladite couche fortement isolante au moyen d'une décharge à effet couronne.