CH497792A - Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen

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CH497792A
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Simon Dr Middelhoek
Sasso Giovanni
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH506188A (de) * 1970-09-02 1971-04-15 Ibm Feldeffekt-Transistor
JPS5612011B2 (enExample) * 1973-01-16 1981-03-18
US4032341A (en) * 1973-01-16 1977-06-28 Katsumi Momose Pattern exposure using a polychromatic light source
GB2140460B (en) * 1983-05-27 1986-06-25 Dowty Electronics Ltd Insulated metal substrates

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3226265A (en) * 1961-03-30 1965-12-28 Siemens Ag Method for producing a semiconductor device with a monocrystalline semiconductor body
DE1283970B (de) * 1966-03-19 1968-11-28 Siemens Ag Metallischer Kontakt an einem Halbleiterbauelement
FR1518245A (fr) * 1966-04-07 1968-03-22 Philips Nv Transistors à effet de champ et leur procédé de fabrication
CH471242A (de) * 1968-03-01 1969-04-15 Ibm Verfahren zur selektiven Maskierung zu bearbeitender Flächen

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