CH457627A - Halbleiterbauelement mit einem Metallkontakt und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes - Google Patents

Halbleiterbauelement mit einem Metallkontakt und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes

Info

Publication number
CH457627A
CH457627A CH179667A CH179667A CH457627A CH 457627 A CH457627 A CH 457627A CH 179667 A CH179667 A CH 179667A CH 179667 A CH179667 A CH 179667A CH 457627 A CH457627 A CH 457627A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
semiconductor component
producing
metal contact
semiconductor
component
Prior art date
Application number
CH179667A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Heinz-Herbert Dr Arndt
Juergen Dr Schaedel
Mueller Dieter
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH457627A publication Critical patent/CH457627A/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
CH179667A 1966-03-19 1967-02-07 Halbleiterbauelement mit einem Metallkontakt und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes CH457627A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES102622A DE1283970B (de) 1966-03-19 1966-03-19 Metallischer Kontakt an einem Halbleiterbauelement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH457627A true CH457627A (de) 1968-06-15

Family

ID=7524571

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH179667A CH457627A (de) 1966-03-19 1967-02-07 Halbleiterbauelement mit einem Metallkontakt und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3633076A (enExample)
BE (1) BE694479A (enExample)
CH (1) CH457627A (enExample)
DE (1) DE1283970B (enExample)
FR (1) FR1515415A (enExample)
GB (1) GB1174613A (enExample)
NL (1) NL6702273A (enExample)
SE (1) SE312864B (enExample)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2643147A1 (de) * 1975-09-25 1977-04-07 Texas Instruments Inc Halbleiterdiode

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1263381A (en) * 1968-05-17 1972-02-09 Texas Instruments Inc Metal contact and interconnection system for nonhermetic enclosed semiconductor devices
CH484517A (de) * 1968-06-28 1970-01-15 Ibm Verfahren zum Aufbringen eines Stoffes auf einen begrenzten Oberflächenbereich eines Halbleiters
BE763522A (fr) * 1970-03-03 1971-07-16 Licentia Gmbh Serie de couches de contact pour des elements de construction semi-conducteurs
US3769688A (en) * 1972-04-21 1973-11-06 Rca Corp Method of making an electrically-insulating seal between a metal body and a semiconductor device
JPS5745061B2 (enExample) * 1972-05-02 1982-09-25
US4106860A (en) * 1973-09-07 1978-08-15 Bbc Brown Boveri & Company Limited Liquid-crystal cell
JPS5341064B2 (enExample) * 1974-02-25 1978-10-31
US4096510A (en) * 1974-08-19 1978-06-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thermal printing head
JPS5152277A (ja) * 1974-09-24 1976-05-08 Hitachi Ltd Handotaisochi
JPS51142988A (en) * 1975-06-04 1976-12-08 Hitachi Ltd Semiconductor devices
US4065588A (en) * 1975-11-20 1977-12-27 Rca Corporation Method of making gold-cobalt contact for silicon devices
DE2807350C2 (de) * 1977-03-02 1983-01-13 Sharp K.K., Osaka Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung in Baueinheit mit einem integrierten Schaltkreis
FR2431900A1 (fr) * 1978-07-25 1980-02-22 Thomson Csf Systeme de soudure d'un laser a semiconducteur sur un socle metallique
US4214256A (en) * 1978-09-08 1980-07-22 International Business Machines Corporation Tantalum semiconductor contacts and method for fabricating same
DE2926785C2 (de) * 1979-07-03 1985-12-12 HIGRATHERM electric GmbH, 7100 Heilbronn Bipolarer Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung
NL8004139A (nl) * 1980-07-18 1982-02-16 Philips Nv Halfgeleiderinrichting.
DE3039658A1 (de) * 1980-10-21 1982-05-06 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Mit edelmetall beschichtetes molybdaen und verfahren zu seiner herstellung
JPS5778173A (en) * 1980-11-04 1982-05-15 Hitachi Ltd Semiconductor device and manufacture thereof
US4482913A (en) * 1982-02-24 1984-11-13 Westinghouse Electric Corp. Semiconductor device soldered to a graphite substrate
JPS60119777A (ja) * 1983-11-30 1985-06-27 Mitsubishi Electric Corp ゲ−トタ−ンオフサイリスタ
US4736236A (en) * 1984-03-08 1988-04-05 Olin Corporation Tape bonding material and structure for electronic circuit fabrication
US4737839A (en) * 1984-03-19 1988-04-12 Trilogy Computer Development Partners, Ltd. Semiconductor chip mounting system
DE3781861T2 (de) * 1986-10-27 1993-04-01 Electric Power Res Inst Herstellung einer mehrschichtigen leistungshalbleiterschaltung mit mehrfachen parallelen kontaktfingern.
US4974056A (en) * 1987-05-22 1990-11-27 International Business Machines Corporation Stacked metal silicide gate structure with barrier
US5367195A (en) * 1993-01-08 1994-11-22 International Business Machines Corporation Structure and method for a superbarrier to prevent diffusion between a noble and a non-noble metal
US5503286A (en) * 1994-06-28 1996-04-02 International Business Machines Corporation Electroplated solder terminal
US6897141B2 (en) * 2002-10-23 2005-05-24 Ocube Digital Co., Ltd. Solder terminal and fabricating method thereof
US9093385B2 (en) * 2013-05-28 2015-07-28 Infineon Technologies Ag Method for processing a semiconductor workpiece with metallization

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2973466A (en) * 1959-09-09 1961-02-28 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor contact
FR1246813A (fr) * 1959-10-10 1960-11-25 Perfectionnements à la fabrication des éléments semi-conducteurs
NL299522A (enExample) * 1962-05-25 1900-01-01
US3290753A (en) * 1963-08-19 1966-12-13 Bell Telephone Labor Inc Method of making semiconductor integrated circuit elements
NL134170C (enExample) * 1963-12-17 1900-01-01
US3370207A (en) * 1964-02-24 1968-02-20 Gen Electric Multilayer contact system for semiconductor devices including gold and copper layers
US3290127A (en) * 1964-03-30 1966-12-06 Bell Telephone Labor Inc Barrier diode with metal contact and method of making
US3341753A (en) * 1964-10-21 1967-09-12 Texas Instruments Inc Metallic contacts for semiconductor devices
GB1104804A (en) * 1964-04-28 1968-02-28 Texas Instruments Inc Improvements relating to semiconductor devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2643147A1 (de) * 1975-09-25 1977-04-07 Texas Instruments Inc Halbleiterdiode

Also Published As

Publication number Publication date
DE1283970B (de) 1968-11-28
SE312864B (enExample) 1969-07-28
GB1174613A (en) 1969-12-17
NL6702273A (enExample) 1967-09-20
US3633076A (en) 1972-01-04
FR1515415A (fr) 1968-03-01
BE694479A (enExample) 1967-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH457627A (de) Halbleiterbauelement mit einem Metallkontakt und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
CH457046A (de) Verfahren zur Herstellung eines selbstsichernden, mit einem Gewinde versehenen Befestigungselementes
CH488263A (de) Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Bauteiles mit einem Magnetkern und denselben umgebenden Wicklungen
CH427044A (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers mit einem geschützten pn-Übergang
CH539340A (de) Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterwiderstand und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung
CH455076A (de) Verfahren zur Herstellung eines Supraleiters
CH491608A (de) Verfahren zur Herstellung eines Nahrungsmittels und dessen Verwendung
CH471670A (de) Verfahren und Einrichtung zur Herstellung eines Gegenstandes mit Borsten
CH464503A (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Kunststoffbehälters
CH455322A (de) Verfahren und Anordnung zur Herstellung eines Hologramms
CH546897A (de) Verfahren zur herstellung eines selbstsichernden, mit einem gewinde versehenen befestigungselementes.
CH500049A (de) Verfahren zur Herstellung eines Schleifkörpers
AT324421B (de) Halbleitervorrichtung mit einem lateralen transistor und verfahren zur herstellung einer solchen
CH522456A (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Formstücks
AT253203B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von mit einem Füllstoff gefüllten hohlen Bauelementen
CH453508A (de) Halbleiterbauelement mit einem Schutzüberzug und Verfahren zu seiner Herstellung
AT282310B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Baustahlmatten
AT279186B (de) Verfahren zur Herstellung eines Laminants
AT308850B (de) Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleitervorrichtung
CH488810A (de) Verfahren zur Herstellung eines Verbundmetalls
CH462338A (de) Anordnung mit einem lichtempfindlichen Halbleiter-Bauelement und Verfahren zum Herstellen einer derartigen Anordnung
CH470759A (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
CH404778A (de) Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Körpers
CH463089A (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Draht- oder Rohrmaterial mit einem Füllmaterial
AT276567B (de) Verfahren zur Herstellung eines Hochspannungsgleichrichters