CH444957A - Messanordnung mit Brückenschaltung und Transistorverstärkern im Querzweig - Google Patents

Messanordnung mit Brückenschaltung und Transistorverstärkern im Querzweig

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CH444957A
CH444957A CH1392965A CH1392965A CH444957A CH 444957 A CH444957 A CH 444957A CH 1392965 A CH1392965 A CH 1392965A CH 1392965 A CH1392965 A CH 1392965A CH 444957 A CH444957 A CH 444957A
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CH
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voltage
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bridge circuit
transistor
transistors
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Application number
CH1392965A
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English (en)
Inventor
Steinmann Helmut
Original Assignee
Karlsruhe Augsburg Iweka
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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R17/00Measuring arrangements involving comparison with a reference value, e.g. bridge
    • G01R17/10AC or DC measuring bridges
    • G01R17/105AC or DC measuring bridges for measuring impedance or resistance

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)

Description


  
 



  Messanordnung mit Brückenschaltung und Transistorverstärkern im Querzweig
Die Erfindung bezieht sich auf eine Messanordnung mit Brückenschaltung und Transistorverstärkern im Querzweig.



   Eine Messbrücke besteht bekanntlich aus vier Elementen, z. B. Widerständen in Brückenschaltung, und einem Messinstrument im Querzweig dieser Brücke.



  Die   Grösse    der auftretenden Spannung in diesem Querzweig bestimmt u. a. die Empfindlichkeit der   Mess anordnung.    Durch Verstärken dieser Spannung lässt sich demnach die Empfindlichkeit der Messauswertung steigern. Da die Richtung der Spannung im Querzweig wechseln kann, sind im allgemeinen zwei Verstärkerschaltungen nötig, und zwar für jede Spannungsrichtung eine.



   Als Verstärkerelement wird in zunehmendem Masse der Transistor verwendet. Der Transistor benötigt zu seinem Betrieb eine leitende Verbindung zwischen seinem Basisanschluss und seinem Emitteranschluss. Als solch leitende Verbindung wird im allgemeinen ein niederohmiger Widerstand verwendet. Wie Fig. 1 zeigt, kann an den beiden Enden des Diagonalzweiges je ein Transistorverstärker angeschlossen werden. Wenn nun die benötigte Verbindung zwischen Basisanschluss und Emitteranschluss durch Widerstände R21 und R22 hergestellt wird, dann fliesst über diese Widerstände R21 und R22 ein Belastungsstrom, so dass die Empfindlichkeit der Messbrücke verringert wird.



   Es ist bekannt (Fig. 2) zwei Transistorverstärker über eine Spannungsrichtungs-Auswerteschaltung A zu betreiben, die je nach Stromrichtung bzw. Spannungsrichtung einen der beiden Transistorverstärker einschaltet. Diese Schaltung A ist aus dem vorliegenden Anwendungszweck insoweit nachteilig, als sie einen gewissen Aufwand bedeutet vor allem deshalb, weil die Anschaltung der nachfolgenden Leistungsverstärker mit technischen Schwierigkeiten verbunden ist.



   Durch die Erfindung soll die Aufgabe gelöst werden, die geschilderten Nachteile zu vermeiden. Sie ist dadurch gekennzeichnet, dass auf beiden Seiten des Diagonalzweiges der Brückenschaltung mindestens je ein Transistor im Diagonalzweig liegt und dass die Vorspannungszuführung für die Transistoren mit am Diagonalzweig angeschlossenen und in Durchlassrichtung des Basisstromes gepolten Halbleiterdioden realisiert ist.



   Weitere Einzelheiten ergeben sich aus dem im folgenden beschriebenen und in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiel. Es zeigen:
Fig. 1 und 2 bereits besprochene Schaltungen und
Fig. 3 die Schaltung gemäss der Erfindung.



   Die Messbrücke besteht aus einer Widerstandsbrükkenschaltung, enthaltend die Widerstände   R1    bis R4, aus zwei Transistorverstärkern mit den Transistoren T1 und T2 und einem Messinstrument M an den Verstärkerausgängen. Der Widerstandsbrücke   R1    bis R4 wird die   Brückenspannung -Ubr + Ubr    zugeführt, die Abweichungen von der Null-Lage   -      zu    sehen am Ausschlag des   Messinstrumentes - werden    am Widerstand   R1    durch einen Messwertgeber bzw. Messwertwandler erzeugt. Der Widerstand   R1    kann beispielsweise ein Heissleiter sein, dessen Widerstands-Temperaturverhalten gemessen wird.

   Die Transistoren   T1    und T2 liegen mit ihren Basisleitungen   B1    und B2 im Diagonalzweig der Widerstandsbrücke. Der Diagonalzweig schliesst sich über einen Teil der Kollektorleitungen   K1    und K2, über eine Querleitung Q und über das Messinstrument M. Die   Versorgungsspannung -U    der Transistoren wird den Transistoren   T1    und T2 über Widerstände R5 bis R8 zugeführt. Von den Basisleitungen B1 und B2 führen Richtleiter oder Dioden   D1    und D2 zu einem Punkt P, der über einen Widerstand R10 mit Pluspotential verbunden ist. Es ist somit eine leitende Verbindung zwischen Basisanschluss und Emitteranschluss jedes der Transistoren   T1    und T2 geschaffen.

   Die Transistoren   T1    und T2 werden auf einen bestimmten Arbeitspunkt  eingestellt, und zwar geschieht dies dadurch, dass zwischen Emitter und Basis eine bestimmte Vorspannung eingestellt wird. Zu diesem Zweck ist ein Spannungsteiler an die   Versorgungsspannung -U    +U der Transistoren angeschlossen, der am Punkte P eine Vorspannung -Uv erzeugt. Der Spannungsteiler besteht aus den Widerständen R9 bis R11 und der Siliziumdiode D3. Die Diode D3 dient zur Spannungsstabilisierung und kann demnach auch als Zener-Diode ausgebildet sein.



   Die Wirkungsweise der Schaltung ist folgende:
Durch eine Veränderung des Widerstandwertes   R1    ist der Abgleich der Messbrücke gestört. Im Diagonalzweig entsteht dadurch eine Spannung Uo, die entweder einen Strom über die Diode   D1    oder die Diode D2 zum Punkt P und von dort über den Widerstand R10 zu einem der Transistoren   T1    oder T2 und deren Basis   B1    oder B2 treibt. Dadurch werden die Transistoren   T1    oder T2 gesteuert. Es verschiebt sich das Potential des Kollektors K1 oder K2, und es entsteht eine Spannung zwischen den beiden Kollektoren   K1    und K2. Diese Spannung wird dem Messinstrument M über die Querleitung Q zugeführt.



   Häufig wird das Messinstrument als Null-Punkt Instrument verwendet, d. h. der Widerstand R2 ist als Regelwiderstand ausgebildet und wird so lange verstellt, bis die Brücke abgeglichen und das Messinstrument Null zeigt. In diesem Falle kann es vorteilhaft sein, die Transistorverstärker als Schaltverstärker zu betreiben und das Messinstrument als Anzeigegerät für den Abgleich bzw. den Nicht-Abgleich zu verwenden.



   Die Schaltung besitzt ein besonderes Merkmal darin, dass sich die Brückenspannung Uo und die Vorspannung -Uv in der Wirkung auf den Transistor   T1    oder T2 addieren, so dass eine von der'Brückenspannung unabhängige Einstellung der Arbeitspunkte der Transistoren   T1    und T2 mit der Vorspannung -Uv ermöglicht wird. Dies ist von grossem Vorteil, wenn die Verstärker als Schaltverstärker ausgebildet sind.



   Es ist in Abweichung vom dargestellten Ausführungsbeispiel möglich, das Messinstrument in einen Querzweig der Emitter zu legen, wenn besondere Gründe hierfür vorliegen. Es ist weiterhin möglich, anstelle von Widerständen   R1    bis R4 andere Elemente, z. B. Induktivitäten, vorzusehen. Es ist weiterhin möglich, npn-Transistoren anstelle von pnp-Transistoren zu verwenden, wenn die   Versorgungsspannung -U    und die Dioden D1, D2 und D3 umgepolt werden. Es ist weiterhin möglich, anstelle der Verstärker mit einem Transistor solche mit zwei oder mehreren zu verwenden, wenn eine   noch grössere    Empfindlichkeit erzielt werden soll. Ausserdem kann der Verstärkerausgang anstatt mit einem Messinstrument auch mit Anzeigelampen oder mit Relais abgeschlossen werden.   

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH Messanordnung mit Brückenschaltung und Transistorverstärkern im Querzweig, dadurch gekennzeichnet, dass auf beiden Seiten des Diagonalzweiges der Brückenschaltung (R1 bis R4) mindestens je ein Transistor (T1 und T2) im Diagonalzweig liegt und dass die Vorspannungszuführung für die Transistoren (T1 und T2) mit am Diagonalzweig angeschlossenen und in Durchlassrichtung des Basisstromes gepolten Halbleiterdioden (D1 und D2) realisiert ist.
    UNTERANSPRÜCHE 1) Messanordnung nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterdioden (D1 und D2) zu einem gemeinsamen Punkt (P) führen, der eine Vorspannung (-Uv) aufweist.
    2) Messanordnung nach Unteranspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass diese Vorspannung (-Uv) mit Hilfe der Versorgungsspannung (-U) an einem Spannungsteiler erzeugt wird.
    3) Messanordnung nach Unteranspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Spannungsteiler aus drei Widerständen (R9, R10 und R11) und einer Siliziumdiode (D3) besteht.
    4) Messanordnung nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass der das Messinstrument (M) enthaltende Diagonalzweig als Querzweig (Q) der beiden Kollektoren (K1 und K2) ausgebildet ist.
CH1392965A 1964-12-05 1965-10-08 Messanordnung mit Brückenschaltung und Transistorverstärkern im Querzweig CH444957A (de)

Applications Claiming Priority (1)

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DEJ0027054 1964-12-05

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CH444957A true CH444957A (de) 1967-10-15

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ID=7202854

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CH1392965A CH444957A (de) 1964-12-05 1965-10-08 Messanordnung mit Brückenschaltung und Transistorverstärkern im Querzweig

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