CH428946A - Circuit intégré - Google Patents

Description

      Circuit        intégré       La présente invention a pour objet un circuit     intégré.     On sait que ceux-ci se     composent    de plusieurs zones  semi-conductrices, isolées les unes des autres et diffu  sées de façon à former des éléments du circuit.  



  Ces isolations peuvent être exécutées de deux façons,  soit par jonction     PN,    :soit par paroi de     quartz        SiO2.     La technique d'isolation par paroi de quartz est bien  connue. Il existe     d'ailleurs    plusieurs méthodes pour éta  blir ces parois de quartz.     Cette        technique    est employée  quand on désire une faible capacité entre les éléments  isolés, soit     dans    les circuits de commutation à ultra  vitesse, soit dans les     circuits    de très faible consomma  tion (hautes impédances).  



  L'isolation par paroi de quartz présente par contre       l'inconvénient    que la distance     séparant    deux zones ainsi  isolées est relativement grande, ce qui est dû au fait  qu'on doit,     dans    une phase de préparation, faire une  attaque chimique :qui ,est relativement difficile à contrô  ler en géométrie. Ainsi, dans un circuit avec un grand  nombre de zones isolées, la surface     délimitée    entre les  zones isolées peut être plus grande que la     surface    des  zones elles-mêmes.  



       Dans    les circuits courants, on isole les     différentes     zones par des régions diffusées     formant    une jonction     PN.     Ces jonctions     présentent    une plus     grande    capacité para  site par unité .de surface et exigent des précautions quant  au potentiel     appliqué.     



  Par contre, la distance séparant deux zones ainsi  isolées est beaucoup plus     faible    que dans le cas de l'iso  lation par une paroi de quartz.  



  L'invention a pour but d'économiser la     surface    utili  sée tout en n'augmentant la capacité parasite que très  légèrement, ce but étant atteint en     combinant    les deux  techniques d'isolation.  



  Selon l'invention, le circuit intégré est     caractérisé    en  ce qu'il     comprend    un substrat     polycristallin    présentant  plusieurs caissons isolés entre eux et du substrat par une    paroi diélectrique, chacun des     caissons    renfermant plu  sieurs éléments     diffusés    dont au moins les bords adja  cents aux autres éléments     présentent    un type de     conduc-          tibilité    donné, ces éléments étant isolés les uns des autres  par des régions diffusées dont le type de conductibilité  est opposé à     celui    des bords desdits éléments.  



  Le dessin représente, à titre d'exemple et sous forme  schématique, deux formes d'exécution du circuit intégré.  La     fig.    1 est une vue en coupe partielle d'un     circuit     intégré, les zones des caissons destinées à former les dif  férents éléments du circuit     intégré    étant représentées non  diffusées     afin    de mieux faire ressortir les     régions    diffu  sées pour isoler les     zones    entre     elles.     



  La     fig.    2 est une vue en plan schématique d'un cir  cuit intégré à quatre caissons.  



  La     fig.    1 représente en     coupe    un circuit intégré tel  qu'il se présente après isolation des     différentes    zones  dans les caissons, mais avant la diffusion de ces zones       pour    en     faire    les éléments devant     constituer    le circuit  intégré.  



  Il comprend un substrat 1 en silicium     polycristallin     présentant des caissons 2 isolés du substrat 1 et entre  eux par des parois 3 en quartz     S'02.    Ces caissons sont  constitués par du Si     monocri:stallin    de type N et sont  divisés en plusieurs zones 4, par des régions diffusées 5.  La     surface    extérieure des caissons est isolée par une  paroi de quartz 6, laquelle a été ouverte en 7 pour per  mettre la     diffusion    des régions d'isolation 5. Ces régions       d'isolation    sont du type de     conductibilité    opposé à celui  du     silicium    emplissant les caissons, soit du type P.

   On  voit qu'elles s'étendent de     part    en part à travers les  caissons 2, c'est-à-dire de la paroi 6 à la paroi 3,     ceci     de façon à isoler entièrement les différentes zones 4 les  unes des autres.  



  Le choix des caissons et des zones devant     constituer     les différents éléments du circuit intégré est effectué de  façon que les éléments hautement isolés sont contenus      dans des caissons     différents        tandis    que les éléments dont  l'isolation relative est moins critique sont contenus dans  un même caisson.  



  Les     différentes    zones 4 peuvent facilement être     diffu-          sées    par la méthode     dite          planar      pour     constituer    les       différents    éléments. Il     suffira    d'ouvrir la paroi 7 aux       endroits    voulus.  



  On voit à la     fig.    1 que la distance 8 séparant deux  zones adjacentes contenues dans un même caisson est  sensiblement plus faible que la     distance    9 séparant     deux     zones adjacentes mais     contenues    dans deux caissons  différents.  



  Dans un exemple     pratique,    la profondeur 10 des cais  sons pourra être -de 8     li,    la     distance    9 entre     deux    cais  sons 2 de 60     #t    et la largeur 8 d'une isolation diffu  sée 5 de 20     #t.     



  La     fig.    2 est une vue schématique en     plan    d'un cir  cuit intégré     comprenant    quatre caissons 11 de neuf élé  ments 12 chacun. Les caissons 11 sont isolés par des  parois de quartz 13 tandis que les éléments 12 conte  nus dans un même caisson sont isolés par des régions       diffusées    14.  



  En admettant que chacun des éléments mesure  100     1,        x    100     1,        et    que les isolations ont les épaisseurs  données     ci-dessus,    .la surface totale du circuit inté  gré est de  (6 - 0,1     +    4 - 0,020 + 3 -     0,060)2    = 0,74     mm2       En isolant au     contraire    tous les éléments 12 :par des  parois .de     quartz,    la     surface    totale serait de  (6 - 0,1     +    7 -     0,06)2    = 1;04     mm2  

Claims (1)

1. REVENDICATION Circuit intégré, caractérisé -en ce qu'il comprend un substrat polycristallin présentant plusieurs caissons isolés entre eux et du substrat par une paroi diélectrique, cha cun des caissons renfermant plusieurs éléments diffusés dont au moins les bords adjacents aux autres éléments présentent un type de conductibilité donné, ces éléments étant isolés les uns des autres par ,

   des régions diffusées dont le type de conductibilité est opposé à celui des bords desdits éléments. SOUS-REVENDICATIONS 1. Circuit selon la revendication, caractérisé en ce que le substrat est en Si et la paroi en SiO2. 2.

   Circuit selon la revendication, caractérisé en ce que lés caissons sont entièrement enveloppés par la paroi diélectrique, ceci à l'exception d'ouvertures pratiquées à l'endroit des régions diffusées afin d'isoler les différents éléments, et d'ouvertures pratiquées pour diffuser les éléments et établir les contacts électriques. 3.

   Circuit selon la sous-revendication 2, caractérisé en ce que les régions d'isolation diffusées s'étendent transversalement à travers le caisson, d'une paroi diélec trique à la paroi opposée.