CH396216A - Verfahren zum Herstellen von Schichten aus halbleitenden AiiiBv-Verbindungen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Schichten aus halbleitenden AiiiBv-Verbindungen

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CH396216A
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semiconducting
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CH842161A
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Von Sturm Ferdinand Dipl-Chem
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Siemens Ag
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    • C22C1/007Preparing arsenides or antimonides, especially of the III-VI-compound type, e.g. aluminium or gallium arsenide
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DE2810605C2 (de) * 1978-03-11 1980-03-13 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Elektrolytisches Abscheideverfahren zur Herstellung von großflächigen Halbleiterbauelementen

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