CH390397A - Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Halbleiteranordnungen mit mehreren Elektroden und mindestens einem p-n-Übergang - Google Patents
Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Halbleiteranordnungen mit mehreren Elektroden und mindestens einem p-n-ÜbergangInfo
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Description
Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Halbleiteranordnungen mit mehreren Elektroden und mindestens einem p-n-Übergang Gegenstand des Hauptpatentes ist ein Ver fahren zur Oberflächenbehandlung von Halbleiteran ordnungen, die mehrere Elektroden und mindestens einen p-n-übergang haben, mit einem strömenden Ätzmittel, bei dem die Strömungsgeschwindigkeit des Ätzmittels durch eine Fremdkraft erhöht wird, welche an der Oberfläche des Halbleiterelementes eine radial nach aussen gerichtete Strömungskomponente erzeugt. Die vorliegende zusätzliche Erfindung besteht darin, dass die Fremdkraft mittels Drehung der Halbleiter anordnung erzeugt wird, wobei die Drehung der Halbleiteranordnung durch ein strömendes Medium hervorgerufen wird. Dieser Antrieb bringt den Vorteil, dass der Elek tromotor entfällt. Die bei dem Atzverfahren entste henden Dämpfe bringen ausserdem erhöhte Korro sionsgefahr für alle Metallteile und daher die Not wendigkeit besonderer Abdichtung des Elektromo tors, mit dessen Kühlluft auch dampfförmige Reste des Ätzmittels angezogen werden; eine ausreichende Abdichtung des Motors sowie der stromführenden Anschlussteile ist jedoch nur unter erheblichem Auf wand möglich. Dieser Aufwand wird durch den Weg fall des Elektromotors erspart. Ein weiterer Vorteil des Antriebes mittels eines strömenden Mediums lässt sich dadurch erzielen, dass ein zur Abdeckung von solchen Teilen der Ober fläche der Halbleiteranordnung oder seines Gehäuses, die vor dem Angriff des Ätzmittels geschützt werden sollen, bereits vorhandener Flüssigkeits- oder Gas strahl durch geeignete Anordnung der vorhandenen Düsen oder durch die Anordnung von zusätzlichen Düsen zum Antrieb der Halbleiteranordnung ver wendet werden kann. Der Flüssigkeits- oder Gasstrahl wird dabei zweckmässig so auf eine drehbare Unterlage des Halb- Leiterelementes, beispielsweise eine rotationssymmetri sche Spritzscheibe, gerichtet, dass sich eine Kompo nente des Strahldruckes ergibt, welche ein Drehmo ment auf die Unterlage ausübt. Zur Erhöhung des Wirkungsgrades wird die Unterlage des Halbleiter elementes vorteilhaft mit Schaufeln, beispielsweise ähnlich den Schaufeln von Turbinen, oder mit Ver tiefungen versehen, gegen welche der Strahl gerichtet wird. In der Zeichnung sind als Ausführungsbeispiel Ätzvorrichtungen, mit denen das erfindungsgemässe Verfahren in einfacher Weise durchgeführt werden kann, im Schnitt dargestellt. Bei der Vorrichtung nach den Fig. 1 und 2 sind auf der Oberseite der Spritz scheibe Schaufeln angeordnet; die Zuführung des an treibenden Flüssigkeitsstrahles erfolgt dabei vorteil haft von oben. Die Fig. 3 und 4 stellen Teilschnitte einer Vorrichtung mit seitlicher Zuführung des an treibenden Flüssigkeitsstrahles und Vertiefungen in der Spritzscheibe dar. Fig. 1 zeigt eine Vorrichtung, mit der ein Halb leiterelement, in diesem Falle ein Flächentransistor, geätzt werden kann. Der Transistor hat einen Basis körper 2, beispielsweise aus p-leitendem Silizium, und auf dessen Unterseite einen Kollektor 3, der bei spielsweise durch Einlegieren einer antimonhaltigen Goldfolie hergestellt ist. Auf der Oberseite befindet sich ein ebenso hergestellter ringförmiger Emitter 4 sowie zwei sperrfreie Basiskontakte, ein scheibenför miger 5 und ein ringförmiger 6, welch letztere durch Einlegieren von Aluminiumfolien hergestellt sein kön nen. Da der p-n-übergang des Kollektors an der Oberseite hochgezogen ist, kann er gemeinsam mit den p-n-übergängen dies Emitters geätzt werden. Auf der Unterseite des Halbleiterelementes ist eine Grund platte 7, beispielsweise aus Molybdän, aufgelötet, die ihrerseits am Gehäuseunterteil 8 befestigt ist. Das Ge häuseunterteil 8 ist mittels des zentral angebrachten Gewindebolzens 9 auf eine Welle 10 aufgeschraubt, welche in einer Bohrung der Grundplatte 11 im Gleitsitz geführt wird und deren freies Ende als Gleitlager dient. Auf der Welle 10 ist eine Spritz- scheibe 12 angeordnet, welche die Form einer Ku- gelkalotte hat und auf deren Oberseite die Schaufeln 13 für den Flüssigkeitsstrahlantrieb sitzen. Ein Auf fangraum für die Ätzflüssigkeit des Antriebsstrahles wird gebildet von der Grundplatte 11, in welcher eine ringförmige Rille 14 und eine Ablaufbohrung <B>15</B> ausgespart sind, und einer Kappe 16, deren Ober seite eine zentrale Öffnung 17 aufweist. Durch die Öffnung 17 hindurch kann ein Rohr 18 mit einer düsenförmigen Ausflussöffnung auf das zu behan delnde Halbleiterelement gerichtet werden, durch welches ein strömendes Ätzmittel, insbesondere eine Ätzflüssigkeit, strahlförmig zur Wirkung gebracht werden. Die Gehäusewand des Halbleiterelementes kann vor dem Angriff des Ätzmittels geschützt wer den, indem durch eine Düse in der Stellung 19 ein Spülmittel, z. B. destilliertes Wasser, zugeführt wird. Durch eine oder auch mehrere zusätzliche Düsen 20, welche vorzugsweise durch die Öffnung 17, jedoch auch durch die Oberseite der Kappe 16 hindurch- geführt werden können, wird ein Flüssigkeitsstrahl, beispielsweise ein Wasserstrahl, auf die Schaufeln 13 gerichtet, womit das Halbleiterelement in Drehung versetzt werden kann. Alle Teile der Vorrichtung, welche mit dem Ätzmittel in Berührung kommen kön nen, werden zweckmässig aus einem gegen den An griff des Atzmittels widerstandsfähigen Kunststoff her gestellt. Fig. 2 zeigt in einer Draufsicht (Schnitt 1-I der (Fig. 1) die Richtung der Düsen 20 für den Antriebs strahl sowie die Anordnung der Schaufeln 13 auf der Oberfläche der Spritzscheibe 12. In. Fig. 3 ist ein Ausführungsbeispiel veranschau licht, bei dem die Spritzscheibe 12 mit Vertiefungen 32 nach Art eines Peltonrad#es versehen ist. Eine oder mehrere Düsen 31 für die Zuführung des An triebsflüssigkeitsstrahles sind durch die Seitenwände der Kappe 16 vorzugsweise angenähert tangential auf die Spritzscheibe 12 gerichtet und leiten den Flüssig keitsstrahl in die Vertiefungen. Fig. 4 zeigt in einem waagrechten Schnitt H-H durch den in. Fig. 3 dargestellten Teil einer Vorrich- tung die Anordnung der Vertiefungen 32 in der Spritzscheibe sowie die Anordnung der Düsen 31. Die Möglichkeiten zur Anordnung der Düsen sowie zur Ausgestaltung der Spritzscheibe sind nicht auf die dargestellten Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr können beispielsweise auch an den Seiten flächen der Spritzscheibe Schaufeln angeordnet oder auch an der Oberseite statt der Schaufeln Vertie- fungen eingefräst werden. Eine ähnliche Antriebswirkung wie mit einem Flüssigkeitsstrahl wird auch erzielt, wenn durch die Düsen 20 bzw. 31 Druckgas statt einer Flüssigkeit zugeführt wird.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Halb leiteranordnungen, die mehrere Elektroden und min destens einen p-n-Übergang haben, nach dem Patent anspruch des Hauptpatentes, dadurch gekennzeich net, dass die Fremdkraft mittels Drehung der Halb leiteranordnung erzeugt wird, wobei die Drehung der Halbleiteranordnung durch ein strömendes Medium hervorgerufen wird. UNTERANSPRÜCHE 1.Verfahren nach Patentanspruch, dadurch ge kennzeichnet, dass die Drehung durch das gleiche Medium hervorgerufen wird, das auch zur Abdek- kung nicht zu ätzender Teile verwendet wird. 2. Verfahren nach Patentanspruch, dadurch ge kennzeichnet, dass das strömende Medium gegen eine drehbare Unterlage der Halbleiteranordnung ge schleudert wird. 3. Verfahren nach Unteranspruch 2, dadurch ge kennzeichnet, d'ass das strömende Medium gegen an der drehbaren Unterlage des Halbleiterelementes an gebrachte Schaufeln geschleudert wird.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CH (1) | CH390397A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0130866A1 (de) * | 1983-06-29 | 1985-01-09 | Fujitsu Limited | Gerät und Anlage für die Behandlung planarer Substrate mit Flüssigkeiten |
-
1960
- 1960-01-21 CH CH64460A patent/CH390397A/de unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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