CH380085A - Verfahren zum Ziehen von Halbleiterstäben aus der Schmelze sowie Tiegelvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents

Verfahren zum Ziehen von Halbleiterstäben aus der Schmelze sowie Tiegelvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens

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CH380085A
CH380085A CH8044859A CH8044859A CH380085A CH 380085 A CH380085 A CH 380085A CH 8044859 A CH8044859 A CH 8044859A CH 8044859 A CH8044859 A CH 8044859A CH 380085 A CH380085 A CH 380085A
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CH8044859A
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Kappelmeyer Rudolf
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Siemens Ag
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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CH8044859A 1958-11-17 1959-11-10 Verfahren zum Ziehen von Halbleiterstäben aus der Schmelze sowie Tiegelvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens CH380085A (de)

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3240568A (en) * 1961-12-20 1966-03-15 Monsanto Co Process and apparatus for the production of single crystal compounds
US3291650A (en) * 1963-12-23 1966-12-13 Gen Motors Corp Control of crystal size
US3291574A (en) * 1963-12-23 1966-12-13 Gen Motors Corp Semiconductor crystal growth from a domical projection
US3471266A (en) * 1967-05-29 1969-10-07 Tyco Laboratories Inc Growth of inorganic filaments
NL6917398A (nl) * 1969-03-18 1970-09-22
BE791024A (fr) * 1971-11-08 1973-05-07 Tyco Laboratories Inc Procede pour developper des cristaux a partir d'un bain d'une matiere
US4264385A (en) * 1974-10-16 1981-04-28 Colin Fisher Growing of crystals
US4167554A (en) * 1974-10-16 1979-09-11 Metals Research Limited Crystallization apparatus having floating die member with tapered aperture
DE2454092A1 (de) * 1974-11-14 1976-05-26 Wacker Chemitronic Verfahren zum quantitativen entfernen von restschmelzen
GB1487587A (en) * 1974-12-04 1977-10-05 Metals Res Ltd Crystal growth
GB1577413A (en) * 1976-03-17 1980-10-22 Metals Research Ltd Growth of crystalline material
JPS6379790A (ja) * 1986-09-22 1988-04-09 Toshiba Corp 結晶引上げ装置
JPH0633218B2 (ja) * 1987-12-08 1994-05-02 日本鋼管株式会社 シリコン単結晶の製造装置
JPH01192789A (ja) * 1988-01-27 1989-08-02 Toshiba Corp 結晶引上げ装置及び結晶引上げ方法
JP2755588B2 (ja) * 1988-02-22 1998-05-20 株式会社東芝 結晶引上げ方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1061527B (de) * 1953-02-14 1959-07-16 Siemens Ag Verfahren zum zonenweisen Umschmelzen von Staeben und anderen langgestreckten Werkstuecken
BE528916A (nl) * 1953-05-18
US2944875A (en) * 1953-07-13 1960-07-12 Raytheon Co Crystal-growing apparatus and methods
DE1134967B (de) * 1954-03-02 1962-08-23 Siemens Ag Verfahren zum Ziehen eines stabfoermigen kristallinen Halbleiterkoerpers
US2892739A (en) * 1954-10-01 1959-06-30 Honeywell Regulator Co Crystal growing procedure
US2927008A (en) * 1956-10-29 1960-03-01 Shockley Transistor Corp Crystal growing apparatus

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GB916390A (en) 1963-01-23
NL244873A (nl)
US3078151A (en) 1963-02-19
FR1237642A (fr) 1960-07-29
DE1141977B (de) 1963-01-03
NL121446C (nl)

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