BR112012021377B1 - método de tratamento de um componente de um dispositivo dispensador de medicamento, método para produzir um dispositivo dispensador de medicamento, e dispositivo dispensador para dispensar um medicamento - Google Patents
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Abstract
MÉTODO PARA TRATAR UM COMPONENTE DE UM DISPOSITIVO DISPENSADOR DE MEDICAMENTO, MÉTODO PARA PRODUZIR UM DISPOSITIVO DISPENSADOR DE MEDICAMENTO, DISPOSITIVO DISPENSADOR PARA DISPENSAR UM MEDICAMENTO De acordo com a invenção é fornecido um método para tratar um componente de um dispositivo dispensador de medicamento, em que o componente tem uma ou mais superfícies que entram em contato com o medicamento durante armazenamento ou uso do dispositivo, sendo que o método inclui as etapas de: fornecer o dito componente; e revestir pelo menos uma das ditas superfícies por meio de deposição por plasma para, desse modo, inibir a deposição de superfície ou degradação do medicamento, em que pelo menos parte da deposição por plasma é executada sob controle de polarização CC.
Description
[001] Essa invenção refere-se a métodos para produzir dispositivos dispensadores para dispensar um medicamento, métodos para tratar um componente do mesmo, com referência em particular, mas de forma alguma exclusiva, a dispositivos dispensadores pressurizados.
[002] É bem conhecida a administração de medicamentos a um paciente através de inalação por meio do uso de dispositivos dispensadores pressurizados que dispensam o medicamento em um fluido excipiente, comumente como um aerossol. Tais dispositivos são frequentemente referidos como inaladores de dose calibrada pressurizados (pMDIs), e são muito comumente usados para tratar asma e doença pulmonar obstrutiva crônica (COPD).
[003] Um problema associado a dispositivos dispensadores desse tipo é a absorção do medicamento ativo nas superfícies internas do dispositivo. Isso, por sua vez, pode levar a uma perda de potência e/ou dosagem errática durante a vida útil do dispositivo. Em alguns casos, pode ocorrer agregação de partículas do fármaco se o medicamento ativo estiver presente como uma suspensão de partículas. Uma abordagem que tem sido adotada a fim de reduzir a absorção de superfície do fármaco ativo é modificar as propriedades de superfície do dispositivo, e tradicionalmente isso tem sido feito através de revestimento por aspersão com um polímero de baixa energia. Entretanto, esse processo pode ser difícil de gerir, e frequentemente a qualidade dos revestimentos de superfície é variável.
[004] Sabe-se, por exemplo, a partir dos documentos EP0642992, EP1066073 e WO2008/146024 que várias superfícies internas de dispositivos pMDI podem ser dotadas de revestimentos depositados por polimerização por plasma. Polimerização por plasma é altamente desejável visto que é uma técnica de baixa temperatura. Entretanto, os presentes inventores também perceberam que há desvantagens associadas a técnicas de polimerização por plasma de técnica anterior, e que, a fim de fornecer uma abordagem prática e comercial de utilização econômica e que resulta em revestimentos que têm propriedades físicas e químicas aceitáveis, é necessário desenvolver técnicas novas e aperfeiçoadas. Exemplos de desvantagens incluem deposição de revestimento não uniforme, a duração de tempo que leva para depositar a camada polimerizada, e as características de desempenho do revestimento em uso em um dispositivo dispensador. Uma desvantagem adicional é que após polimerização por plasma, o revestimento é tipicamente arquivado/condicionado por um a sete dias para permitir reorientação de sítios insaturados reativos na superfície do revestimento por plasma que são criados como parte do processo de polimerização por plasma. Além de retardar o processo de produção por causa da necessidade de um período de descanso considerável antes do produto poder ser usado, os presentes inventores perceberam que espécies indesejáveis tais como água, grupos hidroxila e espécies presentes na atmosfera podem ser absorvidas na/reagir com a superfície revestida por plasma (sendo que sítios reativos permanecem) durante o período de descanso.
[005] A presente invenção, em pelo menos algumas de suas realizações, lida com os seguintes problemas e necessidades descritos acima.
[006] De acordo com um primeiro aspecto da invenção, é fornecido um método para tratar um componente de um dispositivo dispensador de medicamento, em que o componente tem uma ou mais superfícies que entram em contato com o medicamento durante armazenamento ou uso do dispositivo, e sendo que o método inclui as etapas de: fornecer os ditos componentes; e revestir pelo menos uma das ditas superfícies por meio de deposição por plasma para, desse modo, inibir a deposição de superfície ou degradação do medicamento, em que pelo menos parte da deposição por plasma é executada sob controle de polarização CC.
[007] Preferencialmente, a deposição por plasma compreende polimerizar por plasma pelo menos um monômero. Alternativamente, um revestimento inorgânico pode ser depositado por plasma.
[008] Dessa maneira, um processo de polimerização por plasma bastante eficiente pode ser fornecido, o que resulta em um revestimento uniforme com taxa de deposição ótima.
[009] O controle de polarização CC pode ser executado por meio do uso de uma tensão de polarização CC na faixa de 50 a 800 Volts, preferencialmente na faixa de 50 a 500 Volts, mais preferencialmente na faixa de 50 a 350 Volts.
[010] Prefere-se que, para componentes metálicos, o componente seja ligado à terra durante a etapa de deposição por plasma, tal como polimerização por plasma do monômero. Os presentes inventores perceberam que se o componente é, ao invés disso, mantido em potencial de RF, então o plasma produzido pode ser demasiadamente intenso, fazendo com que o revestimento seja removido. Isso é um problema particular em realizações nas quais o componente é um corpo de lata. Outra maneira na qual polimerização por plasma pode ser executada é permitindo que o potencial do componente flutue. Essa abordagem é a menos preferida em realizações nas quais o componente é metálico, visto que nessas realizações a carga é facilmente dissipada e a atração da espécie de revestimento é significativamente reduzida, o que leva a um revestimento fracamente ligado e poroso. É possível permitir que componentes formados a partir de materiais isolantes tais como polímeros flutuem.
[011] Em realizações nas quais o componente é um corpo de lata, é vantajoso que durante a etapa de deposição por plasma, um potencial de RF seja aplicado a um eletrodo que é posicionado no corpo de lata. Essa configuração pode resultar em revestimentos particularmente uniformes ao longo de toda a superfície interna do corpo de lata.
[012] Vantajosamente, a etapa de deposição por plasma é executada em uma ausência substancial de oxigênio. Constatou-se que a presença de oxigênio tem um efeito prejudicial em um revestimento polimerizado, e também pode ter um efeito prejudicial em alguns medicamentos. Vantajosamente, o revestimento produzido pela deposição por plasma tem um teor de oxigênio de menos que 10% em porcentagem atômica (At %), preferencialmente menos que 5% em porcentagem atômica, mais preferencialmente menos que 2% em porcentagem atômica conforme medido pela Espectroscopia de Fotoelétrons por Raios X (XPS) quando o monômero ou outro precursor em si mesmo não contém oxigênio.
[013] A etapa de deposição por plasma pode ser inicialmente executada sem controle de polarização CC, com controle de polarização CC sendo iniciado um período de tempo após o início da deposição por plasma. A etapa de deposição por polimerização por plasma pode ser inicialmente executada por meio do uso de controle de potência dianteira.
[014] Potência é suprida ao plasma durante polimerização por plasma do monômero. Vantajosamente, a etapa de polimerização por plasma do monômero é concluída por desligar a carga de partida de potência ao plasma enquanto mantém-se uma carga de partida do monômero de modo que o plasma diminua usando um reservatório capacitivo de elétrons, proporcionando, desse modo, resfriamento rápido (quenching) superficial do revestimento. Dessa maneira, após a carga de partida de potência ser desligada, o plasma pode diminuir lentamente, à medida que se permite que elétrons no reservatório capacitivo sejam descarregados. Isso resulta em plasma parcialmente ionizado de intensidade decrescente que lava a superfície. Finalmente, a superfície é lavada por monômero puro e não ionizado. Combinados, isso tem o efeito surpreendente de “descapeamento” de sítios insaturados para formar uma superfície estável antes de o componente ser removido do sítio da polimerização por plasma (tipicamente uma câmara de plasma). Isso fornece a vantagem significativa de evitar qualquer necessidade de um período de descanso antes do componente poder ser usado. A carga de partida do monômero pode ser mantida por um tempo na faixa de 5 segundos a 10 minutos após a carga de partida de potência ao plasma ser desligada. Preferencialmente, a carga de partida é mantida por um tempo na faixa de 30 a 60 segundos.
[015] O monômero ou monômeros podem ser um ou mais dentre um hidrocarboneto, fluorocarbono, silano ou siloxano. Um único monômero pode ser usado, ou uma mistura de monômeros pode ser utilizada. Precursores de perfluorocarbono adequados incluem CnF2n+2 em que n situa-se na faixa de 1 a 8, e as substâncias químicas HFA134a (1,1,1,2,-tetrafluoroetano) e HFA227 (1,1,1,2,3,3,3-heptafluoropropano), que são comumente usadas como propelentes em dispositivos dispensadores de medicamento. Perfluorocarbonos cíclicos podem ser usados, e uma realização particularmente preferida é C4F8. Perfluorocarbonos insaturados podem ser usados.
[016] Em realizações nas quais o precursor é um hidrocarboneto, alcanos da fórmula CnH2n+2 em que n é 1 a 12 podem ser usados. Metano e etano são particularmente preferidos. C3H8, C4H10 e C5H12 também são realizações preferidas. Alcenos, alcinos e hidrocarbonetos cíclicos podem ser usados como o precursor.
[017] O revestimento pode ser de qualquer espessura desejada. Tipicamente, a espessura situa-se na faixa de 15 a 500 nm, com a faixa de 15 a 125 nm sendo preferida. Entretanto, é possível fornecer revestimentos de outras espessuras, e espessuras na faixa de 300 a 400nm são comercialmente atrativas.
[018] O componente pode passar por uma etapa de limpeza antes da etapa de polimerização por plasma do monômero. Preferencialmente, a etapa de limpeza utiliza um tratamento de limpeza por plasma, e mais preferencialmente um plasma é formado por meio do uso de argônio. É importante que oxigênio seja excluído de qualquer etapa de limpeza, visto que oxigenação da superfície do componente pode dificultar a realização da etapa ou etapas subsequentes. Além disso, qualquer oxigênio absorvido nas paredes do aparelho de processamento pode lixiviar e dissociar um revestimento por plasma subsequentemente depositado, também dificultando e tornando desvantajosa a etapa subsequente de revestimento por plasma.
[019] A superfície do componente pode sofrer modificação de superfície antes da etapa de polimerização por plasma do monômero, em que a modificação de superfície acontece em uma etapa de tratar por plasma por meio do uso de um precursor que contém flúor e/ou carbono sob condições que incluem uma ausência substancial de oxigênio o que resulta na superfície substancialmente compreendendo porções químicas de carbeto metálico e/ou de fluoreto metálico após a modificação de superfície. A etapa de modificação de superfície é realizada antes da etapa de polimerização por plasma do monômero, e geralmente é executada após qualquer etapa de limpeza. Geralmente, um plasma mais intenso é utilizado durante a etapa de modificação de superfície a fim de dissociar de modo eficaz o precursor que contém flúor e/ou carbono em flúor reativo e/ou carbono. Os perfluorocarbonos e hidrocarbonetos discutidos acima também podem ser usados para a etapa de modificação de superfície. Metano, etano e CF4, C2F6, C3F8 e C4F8 são particularmente preferidos. A modificação de superfície e a polimerização por plasma do monômero subsequente podem formam um único processo contínuo. Em uma realização, um plasma é inicialmente executado por meio do uso de polarização CC ou de controle de potência dianteira a fim de efetuar a modificação de superfície, com o controle de polarização CC sendo mantido ou iniciado posteriormente a fim de efetuar a etapa de polimerização por plasma do monômero.
[020] De acordo com um segundo aspecto da invenção é fornecido um método para produzir um dispositivo dispensador de medicamento, sendo que o método inclui as etapas de: tratar um componente do dispositivo dispensador por um método de acordo com o primeiro aspecto da invenção; fornecer outros componentes do dispositivo; e montar os componentes para fornecer um dispositivo dispensador de medicamento montado.
[021] De acordo com um terceiro aspecto da invenção é fornecido um dispositivo dispensador para dispensar um medicamento, sendo que o dispositivo inclui pelo menos um componente tratado por um método de acordo com o primeiro aspecto da invenção.
[022] O componente pode ter um revestimento produzido pela deposição por plasma que tem um teor de oxigênio de menos que 2% em porcentagem atômica conforme medido por XPS.
[023] De acordo com um quarto aspecto da invenção é fornecido um dispositivo dispensador para dispensar medicamento, em que o dispositivo inclui um componente que tem uma ou mais superfícies que entram em contato com o medicamento durante armazenamento ou uso do dispositivo, no qual as ditas superfícies têm um revestimento depositado por plasma, e tem um teor de oxigênio de menos que 2% em porcentagem atômica conforme medido por XPS.
[024] Embora a invenção tenha sido descrita acima, a mesma se estende a qualquer combinação da invenção conforme apresentada ou nos seguintes desenhos, descrição ou reivindicações.
[025] Modalidades de métodos e dispositivos dispensadores de acordo com a invenção serão agora descritas em referência aos desenhos anexos, nos quais:
[026] A Figura 1 é uma vista em corte transversal de um dispositivo dispensador pressurizado; e
[027] A Figura 2 mostra um arranjo para revestir um corpo de lata.
[028] A Figura 1 ilustra um dispositivo dispensador pressurizado, mostrado geralmente em (10), que compreende uma habitação (12) que recebe um medicamento pressurizado que contém o arranjo (14). A habitação (12) compreende uma porção cilíndrica aberta (12a) na qual o medicamento pressurizado que contém o arranjo (14) é disposto, e uma passagem aberta (12b) que serve como um bocal. A habitação (12) adicionalmente compreende uma parede interna (12c) que sustenta um soquete (12d) que tem uma via (12e) que recebe a haste de válvula do arranjo contentor de medicamento pressurizado. A via (12e) se comunica com uma greta (12f) que por sua vez está em comunicação com a passagem de saída definida pela passagem aberta (12b). A parede interna (12c) tem um número de aberturas (12g) formadas na mesma que permite que ar flua da área superior da habitação (12) para dentro da passagem aberta (12b).
[029] A estrutura e a operação do arranjo contentor de medicamento pressurizado (14) serão agora descritas em mais detalhes. O arranjo (14) compreende um corpo de lata (16) no qual é crimpada uma virola (18). Montado na virola (18) está um sistema de válvula de medição, mostrado geralmente em (20). O sistema de válvula de medição (20) compreende uma haste de válvula (22), uma porção da qual está disposta em um membro de válvula (24). Tanto a haste de válvula (22) quanto o membro de válvula (24) são localizados em um compartimento de válvula (26), e a haste de válvula (22) é axialmente reciprocável na mesma contra a ação de uma mola (28) que inclina a haste de válvula (22) em uma posição fechada conforme mostrado na Figura 1.
[030] O sistema de válvula de medição (20) adicionalmente compreende uma câmara calibradora (30) que é definida pelo membro de válvula (24) e uma porção da haste de válvula (22) juntamente com vedações internas e externas (32,34). A vedação interna (32) atua para vedar o membro de válvula (24) contra o compartimento de válvula (26), e separa a câmara calibradora (30) do interior (36) do compartimento de válvula (26). A vedação externa (34) atua para vedar o membro de válvula (24) e o compartimento de válvula (26) contra a virola (18), e também veda a câmara calibradora (30) do exterior do arranjo contentor de medicamento pressurizado (14).
[031] É fornecida uma vedação adicional por uma vedação de corpo de lata (42) que atua para vedar o corpo de lata (16) contra a virola 18) mediante frisagem da mesma. O compartimento de válvula (26) tem uma pluralidade de fendas (38) que permitem que o interior (36) do compartimento de válvula (26) se comunique com o interior (40) do corpo de lata (16). A haste de válvula (22) tem dois canais (44,46). Cada canal, (44,46) compreende uma via longitudinal e uma via transversal. A via transversal do canal de haste de válvula (44) é disposta de modo que, quando o arranjo contentor de medicamento pressurizado (14) está em sua posição fechada conforme mostrado na Figura 1, a câmara calibradora (30) está em comunicação com o interior (36) do compartimento de válvula (26) e assim também está em comunicação com o interior (40) do corpo de lata (16). Conforme explicado em mais detalhes abaixo, o volume da câmara calibradora (30) corresponde ao volume de fluido que contém medicamento administrado em uma dose única. Na posição fechada mostrada na Figura 1, a dose é inteiramente contida na câmara calibradora (30) e não pode escapar para o exterior do arranjo contentor de medicamento pressurizado (14) devido à ação da vedação externa (34).
[032] Para liberar uma dose de fluido que contém medicamento, a haste de válvula (22) é empurrada contra a ação de inclinação da mola (28) no interior (36) do compartimento de válvula (26) a uma extensão em que o canal de haste de válvula (44) não se comunica mais com a câmara calibradora (30). A haste de válvula (22) é modelada de modo que, nessa posição de dispensação, o canal de haste de válvula (46) da haste de válvula (22) se comunica com a câmara calibradora (30), permitindo, assim, que a dose de fluido que contém medicamento na câmara calibradora (30) seja dispensada através da haste de válvula (22). A dose em seguida passa através da via (12e), da greta (12f) e da passagem aberta (12b) para sair do dispositivo.
[033] Quando a haste de válvula (22) é subsequentemente liberada, a ação de inclinação da mola (28) faz com que a haste de válvula (22) seja movida de volta em direção à posição mostrada na Figura 1. Desse modo, o canal de haste de válvula (46) assume uma posição por meio da qual a câmara calibradora (30) é vedada contra o exterior, e o canal de haste de válvula (44) assume uma posição por meio da qual o interior (36) do compartimento de válvula (26) está em comunicação com a câmara calibradora (30). Devido ao diferencial de pressão entre o interior com pressão relativamente alta (40) do corpo de lata (16) e a pressão relativamente baixa da câmara calibradora (30), a câmara calibradora (30) é repreenchida com outra dose do fluido que contém medicamento.
[034] O dispositivo dispensador pressurizado (10) mostrado na Figura 1 é um exemplo de tal dispositivo, e muitos outros arranjos calibradores são conhecidos que diferem em maior ou menor grau no modo preciso de ação. A presente invenção não reivindica o modo de ação do dispositivo mostrado na Figura 1 ou de qualquer outro dispositivo dispensador pressurizado. Ao invés disso, a presente invenção fornece dispositivos e componentes que têm os mesmos revestimentos nesses, que inibem perdas de medicamentos para superfícies internas do dispositivo, e métodos associados de produção de tais dispositivos e componentes. O dispositivo mostrado na Figura 1 é fornecido a fim de auxiliar a observação do leitor de como a presente invenção pode ser aplicada. O leitor versado observará que a presente invenção pode ser aplicada a outros modelos de dispositivo dispensador pressurizado além do mostrado na Figura 1, e de fato pode ser aplicada a diferentes tipos de dispositivos dispensadores de medicamento além de dispositivos dispensadores pressurizados.
[035] A presente invenção fornece métodos para depositar revestimentos que inibem perdas do medicamento para as superfícies internas do dispositivo dispensador pressurizado fornecendo vários revestimentos polimerizados por plasma. A Figura 2 mostra um arranjo no qual um corpo de lata (50) é revestido através de polimerização por plasma. No arranjo, o corpo de lata é mantido na terra, e um eletrodo de RF alongado (52) se estende ao interior do corpo de lata (50) substancialmente ao longo do eixo geométrico longitudinal do corpo de lata (50). O corpo de lata (50) é posicionado em um reator de plasma (54) que tem uma entrada de suprimento de gás/monômero (56), e uma saída (58) para escapar gases por meio do uso de uma bomba à vácuo (não mostrada). O monômero ou monômeros apropriados são liberados no corpo de lata (50) através da entrada de suprimento de gás/monômero (56) a partir de uma fonte de liberação apropriada (não mostrada) que tipicamente inclui um ou mais controladores de fluxo de massa. Um revestimento polimerizado é depositado nas superfícies internas do corpo de lata (50) golpeando e mantendo um plasma enquanto o monômero ou monômeros são fluidos no corpo de lata (50). Tipicamente, potência de RF de 13,56 MHz é aplicada ao eletrodo de RF (52), e o plasma é golpeado por meio do uso de técnicas bem conhecidas na arte. Outras frequências RF podem ser usadas, e espera-se que frequências na faixa de 4kHz a 20MHz possam ser utilizadas em modo pulsado ou de potência contínua. O plasma faz com que um revestimento delgado de monômero polimerizado seja depositado nas superfícies internas do corpo de lata (50). Constatou-se que pressões de gás na faixa de 1x10-2 a 10 mbar podem ser usadas. Densidades de potência entre 0,1 e 2 watts cm-2 podem ser empregadas.
[036] Em uma realização preferida, potência é suprida ao eletrodo de RF (52) para criar um plasma relativamente intenso a fim de fornecer uma modificação de superfície inicial antes da deposição do revestimento polimerizado. O gás precursor pode ser um perfluorocarbono a fim de produzir uma superfície fluorada que tem porções químicas de flúor metálico e um revestimento polimerizado de flurocarbono subsequente, ou pode ser um precursor de hidrocarboneto que é usado para fornecer uma superfície modificada que tem porções químicas de carbeto metálico e um revestimento polimerizado de hidrocarboneto subsequente. Sob condições de processo representativas, o teor de oxigênio na superfície interior do corpo de lata 50 cai de 40 a 44% em porcentagem atômica a 8 a 10% em porcentagem atômica conforme medido por XPS em dois minutos do início do processamento. O objetivo é acionar o nível de óxido o mínimo possível. Para o restante do processo, a carga de partida de potência é alterada ou mantida em modo de polarização CC, e a superfície modificada é revestida com uma camada polimerizada por plasma. Com a configuração mostrada na Figura 2, com o eletrodo de RF (52) posicionada no corpo de lata ligado à terra (50), a resistência elétrica eficaz da lata aumenta conforme a lata se torna progressivamente revestida. Como resultado, a via de eléctron normal para a lata ligada à terra é reduzida conforme a espessura do revestimento aumenta. Operação por potência dianteira é tipicamente usada em processos de polimerização por plasma de técnica anterior para revestir componentes, tais como corpos de lata, para dispositivos dispensadores de medicamento. Entretanto, sob operação por potência dianteira normal, emissão de eléctron a partir da carga de partida de potência será reduzida conforme o processamento procede, auto polarização CC será reduzido, e intensidade de plasma cairá, resultando em um revestimento poroso fraco. Em contraste, operando-se um controle de polarização CC, o polarização CC é fixo, e é mantida uma emissão de eléctron constante que por sua vez mantém uma densidade de plasma constante. Isso fornece uma taxa de deposição constante, e um revestimento uniforme de alta qualidade, tanto em termos da extensão lateral do revestimento, quanto em termos do da profundidade do revestimento. Essa taxa permanente de revestimento pode ser mantida até que uma espessura desejada seja obtida. Tipicamente, a espessura desejada situa-se na faixa de 15 a 200 nm, mas a invenção não é limitada nesse sentido. Uma vantagem adicional de controle de polarização CC da polimerização por plasma de um revestimento é encontrada no final do processo. É típico na técnica anterior que componentes revestidos sejam armazenados por entre um e sete dias de modo que sítios de superfície insaturados reativos no revestimento possam saturar. No processo descrito em relação à Figura 2, a carga de partida de potência e o modo de polarização CC podem ser simplesmente desligados, e a carga de partida do monômero gasoso pode fluir por um período depois disso, o que é tipicamente na faixa de 5 segundos a 10 minutos, com uma faixa preferida de 30 segundos a 1 minuto. A intensidade do plasma cai gradualmente à medida que elétrons no reservatório capacitivo são usados, permitindo que a superfície seja lavada com um plasma que contém relativamente menos e maiores espécies ionizadas, até que a superfície seja lavada com monômero não ionizado "puro". O efeito é de “descapeamento” do revestimento com polímero e monômero não reativos, o que permite que o componente revestido seja recuperado do reator de plasma (54) sem que seja exigido um período de descanso subsequente à insaturação.
[037] A configuração mostrada na Figura 2 em que o componente a ser tratado é ligado à terra e um eletrodo de RF separado é usado, é uma configuração preferida para polimerizar por plasma um revestimento de polímero. A configuração é adequada, ainda, para a etapa anterior de modificação de superfície. A vantagem de usar a mesma configuração tanto para a etapa de modificação de superfície quanto para a etapa de polimerização por plasma é que as duas etapas podem ser executadas como parte de uma operação contínua. É particularmente vantajoso à medida que gás pode ser usado tanto como o precursor para a etapa de modificação de superfície, quanto como um gás de monômero para o revestimento por plasma etapa. Quando a superfície do componente é convertida a porções químicas de fluoreto metálico, o precursor pode ser CF4, C2F6, C3F8, C4F8, HFA134a e HFA227. Quando se pretende que a modificação da superfície dos componentes produza uma camada de carbeto metálico, é preferido que o precursor/monômero seja metano ou etano, mas hidrocarbonetos da faixa CH4 to C6H14 podem ser utilizados.
[038] O componente tratado pela presente invenção pode ser submetido a uma pré-etapa de limpeza antes da etapa de deposição de polímero (a etapa de limpeza é anterior, ainda, à etapa de modificação de superfície quando uma etapa de modificação de superfície é utilizada). É comum na técnica anterior usar uma pré-etapa de limpeza que utiliza oxigênio. Os presentes inventores perceberam que o uso de oxigênio na pré-etapa de limpeza, ou de fato em outro lugar no processamento do componente, é altamente desvantajoso. Os presentes inventores constataram que a presença de oxigênio é nociva ao acúmulo de revestimentos depositados e à adesão dos mesmos. Oxigênio absorvido nas paredes do reator de plasma e outras partes, por exemplo, pode lixiviar para dissociar o revestimento e/ou o monômero, o que é prejudicial ao polímero e aumenta o tempo de processamentos. Qualquer pré- etapa de limpeza deve, portanto, excluir oxigênio. Uma pré-etapa de limpeza particularmente útil usa um plasma de argônio para limpar o componente antes da etapa de modificação de superfície.
[039] A realização mostrada na Figura 2 é um processo para tratar uma lata no qual a lata atua como um eletrodo de terra. Constatou-se que isso fornece resultados particularmente bons. Outras configurações de revestimento são possíveis. Por exemplo, em outras configurações, a lata pode atuar como o eletrodo de RF. Entretanto, com componentes tais como latas, que têm um espaço substancialmente fechado, essa configuração pode ser desvantajosa pois pode ocorrer um “feito de cátodo oco” no qual um plasma altamente intenso é produzido. Esse plasma pode ser de tal intensidade que qualquer revestimento polimerizado é removido pelo plasma a uma taxa que é comparável à taxa de deposição. É comum na técnica anterior usar outra configuração na qual a lata está em um potencial de flutuação entre dois eletrodos. Entretanto, os presentes inventores perceberam que é altamente desvantajoso quando o componente é metálico, pois carga de superfície não pode ser mantida e, ao invés disso, dissipa. Como resultado, há uma atração minimizada de espécies de revestimento iônico, e percebe-se que latas porosas e fracamente ligadas são produzidas com taxas de deposição diminuídas.
[040] Corpos de lata de alumínio revestidos por polimerização por plasma na faixa de hidrocarbonetos e perflurocarbonetos discutidos têm mostrado ângulos de contato (por meio do uso de gotas de água de 1 μl) na faixa de 105 a 128°. Espectros de XPS do revestimento finalizado mostram que as espécies presentes consistem principalmente de ligações em uma matriz altamente densa, com menos que 2% em porcentagem atômica de oxigênio como ligações C-O e outras funcionalidades de oxigênio. Nenhum alumínio é exposto.
Claims (13)
1. MÉTODO DE TRATAMENTO DE UM COMPONENTE METÁLICO DE UM DISPOSITIVO DISPENSADOR DE MEDICAMENTO, sendo em que o componente metálico tem uma ou mais superfícies que entram em contato com o medicamento durante o armazenamento ou uso do dispositivo, o método caracterizado por incluir as etapas de: fornecer dito componente metálico; e revestir pelo menos uma das ditas superfícies por meio de deposição por plasma para, desse modo, inibir a deposição de superfície ou degradação do medicamento, em que a deposição por plasma compreende polimerizar por plasma pelo menos um monômero, e em que pelo menos parte da deposição por plasma é executada sob controle de polarização CC, com uma polarização CC fixa para manter uma emissão de eléctron constante e uma densidade de plasma constante, em que o componente é ligado à terra durante a etapa de deposição por plasma, em que o componente metálico é um corpo de lata, e durante a etapa de deposição por plasma um potencial de RF é aplicado a um eletrodo que é posicionado dentro do corpo de lata, e em que a polarização CC está entre o corpo de lata e o eletrodo.
2. MÉTODO, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por um revestimento inorgânico ser depositado por plasma.
3. MÉTODO, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 2, caracterizado pelo controle de polarização CC ser executado por meio do uso de uma tensão de polarização CC na faixa de 50 a 800 Volts, preferencialmente na faixa de 50 a 500 Volts, mais preferencialmente na faixa de 50 a 350 Volts.
4. MÉTODO, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 3, caracterizado pela etapa de deposição por plasma ser executada na ausência substancial de oxigênio.
5. MÉTODO, de acordo com a reivindicação 4, caracterizado pelo revestimento produzido pela deposição por plasma ter um teor de oxigênio inferior a menos que 10% em porcentagem atômica (At %), preferencialmente menos que 5% em porcentagem atômica, mais preferencialmente, menos que 2% em porcentagem atômica conforme medido por XPS.
6. MÉTODO, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 5, caracterizado pela etapa de deposição por plasma ser inicialmente executada sem controle de polarização CC, preferencialmente por meio do uso de controle de potência dianteira, com o controle de polarização CC sendo iniciado um período de tempo após o início da deposição por plasma.
7. MÉTODO, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pela potência ser fornecida ao plasma durante a etapa de polimerização por plasma do monômero, e a etapa ser concluída desligando-se a potência fornecida ao plasma enquanto mantém-se um suprimento do monômero de modo que o plasma diminua com o uso de um reservatório capacitivo de elétrons, proporcionando, desse modo, um arrefecimento resfriamento rápido (quenching) superficial do revestimento.
8. MÉTODO, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por pelo menos um monômero ser um ou mais dentre um hidrocarboneto, fluorocarboneto, silano ou siloxano.
9. MÉTODO, de acordo com a reivindicação 8, caracterizado pelo monômero ser um perfluorocarboneto.
10. MÉTODO, de acordo com qualquer uma das reivindicações 8 a 9, caracterizado pelo monômero ser etano ou C4F8.
11. MÉTODO PARA PRODUZIR UM DISPOSITIVO DISPENSADOR DE MEDICAMENTO, caracterizado por incluir as etapas de: tratamento de um componente do dispositivo dispensador por um método conforme definido em qualquer uma das reivindicações 1 a 10; fornecimento de outros componentes do dispositivo; e montagem dos componentes para fornecer um dispositivo dispensador de medicamento montado.
12. DISPOSITIVO DISPENSADOR PARA DISPENSAR UM MEDICAMENTO, caracterizado dispositivo incluir pelo menos um componente tratado por um método conforme definido em qualquer uma das reivindicações 1 a 10.
13. DISPOSITIVO DISPENSADOR, de acordo com a reivindicação 12, caracterizado pelo componente ter um revestimento produzido pela deposição por plasma, que tem um teor de oxigênio inferior a menos que 2% em porcentagem atômica conforme medido por XPS.
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