BG66707B1 - Мултисензорен елемент - Google Patents

Мултисензорен елемент Download PDF

Info

Publication number
BG66707B1
BG66707B1 BG111537A BG11153713A BG66707B1 BG 66707 B1 BG66707 B1 BG 66707B1 BG 111537 A BG111537 A BG 111537A BG 11153713 A BG11153713 A BG 11153713A BG 66707 B1 BG66707 B1 BG 66707B1
Authority
BG
Bulgaria
Prior art keywords
contact
contacts
ring
current source
conductivity
Prior art date
Application number
BG111537A
Other languages
English (en)
Other versions
BG111537A (bg
Inventor
Вълчева Лозанова Сия
Станоев Руменин Чавдар
Найденов Величков Георги
Йорданов Иванов Август
Original Assignee
Inst Po Sistemno Inzhenerstvo I Robotika Ban
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Po Sistemno Inzhenerstvo I Robotika Ban filed Critical Inst Po Sistemno Inzhenerstvo I Robotika Ban
Priority to BG111537A priority Critical patent/BG66707B1/bg
Publication of BG111537A publication Critical patent/BG111537A/bg
Publication of BG66707B1 publication Critical patent/BG66707B1/bg

Links

Landscapes

  • Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

Мултисензорният елемент съдържа полупроводникова подложка (1) с първи тип проводимост, върху едната страна на която са формирани централен контакт (2) с втори тип проводимост, като симетрично спрямо него e разположен базов контакт (3) с първия тип проводимост. На равни разстояния от този контакт (3) са разположени две двойки еднакви правоъгълни контакти (4 и 6) и съответно (5 и 7) с втория тип проводимост. Елементът съдържа първи (8) и втори (13) токоизточник. Измерваното магнитно поле (14) лежи в равнината на подложката (1). Централният (2) и базовият (3) контакт са свързани през първия токоизточник (8) така, че емитерът централният контакт (2) - базовият контакт (3) да е включен в права посока, а контактите (4, 5, 6 и 7) са съединени през еднакви по стойност товарни резистори (9, 10, 11 и 12) с единия извод на втория токоизточник (13), другият извод на който е съединен с базовия контакт (3) така, че колекторите контактите (4, 5, 6 и 7) - базовият контакт (3) да са включени в обратна посока. Изводите на токоизточниците (8 и 13), съединени с контакта (3) са свързани помежду си. Централният контакт (2) е кръстовиден, а базовият контакт (3) представлява дълбок ринг и е с квадратна форма, а от външните му страни и в близост до тях са разположени контактите (4, 5, 6 и 7). Емитерът контактът (2) - рингът (3) функционира в режим генератор на ток, като двойките срещуположни спрямо контакта (2) външните контакти (4 и 6) и съответно (5 и 7) са изходи (15 и 16) за двете ортогонални равнинни компоненти на магнитното поле (14), а контактът (2) и рингът (3) са изход (17) на мултисензорния елемент за температурата на околната среда. 1 претенция, 1 фигура

Description

Област на техниката
Изобретението се отнася до мултисензорен елемент, приложим в областта на сензориката, контролно-измервателната технология и слабополевата магнитометрия, роботиката и мехатрониката, микро- и нанотехнологиите, позиционирането на обекти в равнината, автоматизация на производството, системното инженерство, безконтактното измерване на физични величини като електрически ток, мощност, енергия, ъглови и линейни премествания, сила, военното дело, сигурността и др.
Предшестващо състояние на техниката
Известен е мултисензорен елемент, измерващ едновременно и независимо двете равнинни компоненти на вектора на магнитното поле, съдържащ полупроводникова подложка с първи тип проводимост, върху едната страна на която са формирани централен контакт с втори тип проводимост и квадратна форма, като на разстояния и симетрично спрямо четирите му страни има последователно по един правоъгълен вътрешен контакт с втория тип проводимост и по един външен базов контакт с първия тип проводимост. Четирите базови контакти са съединени и през първи токоизточник са свързани с централния така, че емитерът централен контакт-базови контакти да е включен в права посока. Вътрешните контакти са съединени през еднакви по стойност товарни резистори с единия извод на втори токоизточник, другият извод на който е съединен с базовите контакти така, че колекторите вътрешни контакти-базови контакти да са включени в обратна посока. Изводите на токоизточниците, съединени с базовите контакти са свързани помежду си. Измерваното външно магнитно поле лежи в равнината на подложката като двойките срещуположни вътрешни контакти спрямо централния контакт са изходи за двете ортогонални равнинни компоненти на вектора на магнитното поле [1].
Недостатък на този мултисензорен елемент е редуцираната точност на двата изхода в резултат на ниското ниво сигнал/шум от високата стойност на собствения (фликер 1/f) шум, тъй като през самите колектори, разположени в близост до емитера протича съществена част от инжектирания от емитера ток на така формирания транзистор.
Недостатък е също силната зависимост на изходите от температурата на околната среда в резултат на температурната чувствителност на формираните диодни р-п преходи - емитерът и четирите колектори върху едната страна на полупроводниковата подложка.
Недостатък е още необходимостта да се формира в непосредствена близост до мултисензорния елемент, върху същата полупроводникова подложка, на температурен сензор, сигналът на който да се използва в схема за последваща термокомпенсация на изходите.
Техническа същност на изобретението
Задача на изобретението е да се създаде мултисензорен елемент с температурно компенсирана магниточувствителност на двата изхода, да отпадне необходимостта от формиране на допълнителен температурен сензор за термокомпенсационната схема и повишена точност чрез редуциране нивото на собствения му шум.
Тази задача е решена с мултисензорен елемент, съдържащ полупроводникова подложка с първи тип проводимост, върху едната страна на която са формирани централен контакт с втори тип проводимост и правилна кръстовидна форма, на разстояние и симетрично спрямо централния контакт има дълбок ринг с първия тип проводимост и е с квадратна форма, а от външните му страни и в близост до тях са разположени на равни разстояния и симетрично спрямо централния контакт по един външен правоъгълен контакт с втория тип проводимост. Централният контакт през първи токоизточник, функциониращ в режим генератор на ток е свързан с квадратния ринг така, че емитерът централен контакт-ринг да е включен в права посока. Външните контакти са съединени през еднакви по стойност товарни резистори с единия извод на втори токоизточник, другият извод на който е съединен с ринга така, че колекторите външни контакти-ринг да са включени в обратна посока. Изводите на токоизточниците, съединени с ринга са свързани помежду си. Измерваното външно магнитно поле лежи в равнината на подложката като двойките срещуположни спрямо централния контакт външни контакти са изходите за двете ор
Описания на издадени патенти за изобретения № 08.2/31.08.2018 тогонални равнинни компоненти на вектора на магнитното поле, а централният контакт и рингът са изходът на мултисензорния елемент за температурата на околната среда.
Предимство на изобретението е увеличената измервателна точност (резолция) на двата изхода чрез повишаване нивото сигнал/шум в резултат на редуцирания собствен (фликер Ι/f) шум от протичане само на малка част от емитерния ток през самите колектори, разположени извън областта, ограничена от квадратния ринг (базовия контакт).
Предимство е също възможността за пълно компенсиране на температурната зависимост на изходите от използване като температурно-компенсационно напрежение при последващата обработка на изходните сигнали на линейната температурна зависимост на диодното напрежение емитер-ринг при постоянен захранващ ток.
Предимство е още отпадналата необходимост да се формира в непосредствена близост до мултисензорния елемент, върху същата полупроводникова подложка, на отделен температурен сензор заедно със съпътстващата го интерфейсна схемотехника.
Предимство е и опростената приборна конструкция, съдържаща общо шест, вместо девет активни сензорни контакти.
Пояснение на приложената фигура
По-подробно изобретението се пояснява с едно негово примерно изпълнение, дадено на приложената фигура 1.
Примери за изпълнение на изобретението
Мултисензорният елемент съдържа полупроводникова подложка 1 с първи тип проводимост, върху едната страна на която са формирани централен контакт 2 с втори тип проводимост и правилна кръстовидна форма, на разстояние и симетрично спрямо централния контакт 2 има дълбок ринг 3 с първия тип проводимост и квадратна форма, а от външните му страни и в близост до тях са разположени на равни разстояния и симетрично спрямо централния контакт 2 по един външен правоъгълен контакт 4, 5, 6 и 7 с втория тип проводимост. Централният контакт 2 през първи токоизточник 8, функциониращ в режим генератор на ток е свързан с квадратния ринг 3 така, че емитерът централен контакт 2 - ринг 3 да е включен в права посока. Външните контакти 4, 5, 6 и 7 са съединени през еднакви по стойност товарни резистори 9, 10, 11 и 12 с единия извод на втори токоизточник 13, другият извод на който е съединен с ринга 3 така, че колекторите външни контакти 4, 5, 6 и 7 - ринг 3 да са включени в обратна посока. Изводите на токоизточниците 8 и 13, съединени с ринга 3 са свързани помежду си. Измерваното външно магнитно поле 14 лежи в равнината на подложката 1, като двойките срещуположни спрямо централния контакт 2 външни контакти 4 и 6 и съответно 5 и 7 са изходите 15 и 16 за двете ортотонални равнинни компоненти на вектора на магнитното поле 14, а централният контакт 2 и рингът 3 са изходът 17 на мултисензорния елемент за температурата на околната среда.
Действието на мултисензорния елемент, съгласно изобретението, е следното.
Спецификата на мултисензорните елементи е, че те измерват едновременно и независимо с една и съща област от полупроводниковата подложка 1 (чипът) повече от една сензорна величина, например, векторните компоненти на магнитното поле, [1]. Фактически се осъществява функционална интеграция на повече от един преобразувател на неелектрични величини върху общия чип 1, най-често силициев. В нашия случай това са двете отделни компоненти Βχ и В на вектора на магнитното поле 14. При съответното свързване на контактите 2 и 3 към токоизточника 8, емитерният р-п преход централният контакт 2 - квадратния ринг 3 се включва в права посока и започва инжекция на неосновни токоносители в полупроводниковата подложка 1. Понеже контактите 2 и 3 са формирани достатъчно близко и между тях отсъстват колекторите 4, 5, 6 и 7, съществената част от емитерния ток I преминава през базовия контакт, в нашия случай това е квадратният ринг 3. В резултат малка част от тока 12 3 достига до обратно поляризираните оттокоизточника 13 колекторни диоднир-п преходи 4,5,6 и 7, формирайки обратните им токове. Тъй като всички контакти 2,3,4,5,6 и7 натозимултисензор сас правилна форма и са разположени симетрично, четирите отделни колекторни токове I 15,16 и 17 са равни помежду си, 1=1=1= Ιγ. Фактически мултисензорният елемент може да се сравни с диференциален биполярен
Описания на издадени патенти за изобретения № 08.2/31.08.2018 транзистор, чийто емитер е контакт 2, базовият контакт е рингът 3, а съответните колекторни двойки 4 и 6, и 5 и 7 са диференциалните изходи 15 и 16. Товарните колекторни резистори 9, 10, 11 и 12 R = R; = Rd = R, трансформират токовете 14,15,16 и 17 в изходни напрежения, които са изходите V4 615 и V5 7 16 на мултисензорния елемент.
В отсъствие на външно магнитно поле В 14, В = 0, траекторията на токовете 12 и 13 в областите под контактите 2 и 3 първоначално е перпендикулярна на горната повърхност на подложката 1 с първи тип проводимост и прониква дълбоко в обема на структурата 1. След това ефективните траектории на тока 12 в обема на подложката 1 стават успоредни на горната й страна и част от тях преминават под дълбокия ринг 3. Така известно количество от неосновните токоносители достигат до обратно поляризираните от токоизточника 13 колектори 4, 5, 6 и 7, формирайки обратните токове I Ι5,1 и Ιγ. Именно дълбокият ринг 3 с първи тип проводимост допълнително редуцира обратните колекторни токове. При евентуална структурна асиметрия и неравенство на колекторните токове, равенството 1=1=1= 17 се постига с допълнителни тримери, включени между резисторите 9 и 11, и съответно 10 и 12. По този начин неминуемият офсет на изходите 15 и 16, в отсъствие на магнитно поле В 14 (В = 0), лесно се компенсира (нулира) чрез изменение стойността на съпротивленията чрез тримерите в съответните вериги, включващи контактите 4, 5, 6 и 7. Следва да се отбележи, че посоките на компоненти 12 и -12 6 са противоположни. Същото се отнася и за другите токове 12 и -12 7.
Външното магнитно поле В 14, което лежи в равнината на подложката 1 и е с произволна ориентация, чрез двете си взаимноперпендикулярни компоненти Βχ и В води до възникване на съответни латерално отклоняващи движещите се токоносители сили на Лоренц, FL = qVd| х В; q е елементарният товар на електрона, a е векторът на средната дрейфова скорост на движещите се токоносители. В резултат на тази Лоренцова дефлекция F траекториите на противоположно насочените токови компоненти 12 -12 6 и 12 -12 7 се “свиват” и съответно “разширяват”. В зависимост от посоката на магнитния вектор В 14, всеки от двата срещуположни тока нараства, респективно намалява за сметка на другия. Този сензорен механизъм променя стойностите на двойките колекторни токове 12 4(В ), -12 6(В ) и съответно 12 5(В ) -12 7(В ). Това води до генериране на двата изхода 15 и 16 на напрежения V4 6 и V5 7, които дават информацията за стойностите и посоките на двете ортогонални компоненти Βχ и Ву на вектора на магнитното поле В 14. Абсолютната стойност на вектора на магнитното поле В 14 в равнината х-у на подложката 1 и ъгълът Θ на полето В 14 спрямо фиксирана реперна ос в същата равнина се дават с изразите: |В| = (Βχ 2 + Ву2)1/2 и Θ = tan1 (V (В )/Vx(Bx)). Увеличената измервателна точност (резолцията) на изходите 15 и 16 се дължи на повишеното ниво сигнал/шум от редуцирания собствен (фликер 1/f) шум, поради протичане само на малка част от токоносителите през самите колектори 4, 5, 6 и 7, разположени извън областта, ограничена от ринга 3. Този резултат е от факта, че произходът на фликер 1/f шума се дължи на стойността на протичащия през даден контакт ток. При това спектралната плътност на този шум в даден честотен диапазон Af се дава със съотношението 1/f ~ I2. Ето защо приборната конструкция на новия мултисензорен елемент е избрана така, че емитерният ток 12 да бъде максимално изведен от структурата 1 чрез близко разположения до емитера 2 ринг 3. Постигнато е също опростяване на приборната конструкция, която съдържа общо шест - 2, 3, 4, 5, 6 и 7, вместо девет активни омични контакти както е в известното решение.
Принципният недостатък на измерващите двете векторни компоненти Βχ и В мултисензорни елементи е силната температурна зависимост на изходните сигнали V46(T) 15 и V5 (Т) 16. За да бъде компенсиран (нулиран) този паразитен ефект се използва задължително термокомпенсационна схема, обработваща напреженията V4 (Т) и V57(T) на сензорните канали 15 и 16. При това в непосредствена близост до мултисензора се формира температурен преобразувателен елемент заедно с интерфейсната за него схемотехника. Това решение съществено усложнява този клас двумерни векторни магнитометри. Ето защо в новия мултисензор е избран принципно различен подход. Успешно е осъществена функционална интеграция към измерването на компоненти Βχ и В и на температурен сензор, регистриращ температурата на околната среда. Когато р-п преходът емитерът 2 - базовия контакт 3 функционира в режим генератор на ток I2 = const, изходното му напрежение V23(T) 17 е линейна функция на температурата Т. Експериментално е установено, че този температурнозависим сигнал V23(T) 17 не се
Описания на издадени патенти за изобретения № 08.2/31.08.2018 влияе от посоката и стойността на магнитното поле В 14 в твърде широк интервал ΔΒ. Този резултат е ключов за новия мултисензор. Следователно чрез новия елемент може едновременно и независимо с една и съща преобразувателна зона да се измерят стойностите и посоките на компоненти Βχ и Ву, и на температурата на средата, те. на полупроводниковата подложка 1. Така линейното напрежение V23(T) 17 успешно може да се подаде за управление на термокомпенсациоината схема на двата изхода 15 и 16. Главните предимства са опростяването на цялостната конструкция и точността на компенсацията, понеже преобразувателите механизми се развиват в една и съща зона. Приборната конструкция съдържа шест - 2, 3, 4, 5, 6 и 7 вместо девет активни сензорни контакти както е в известното решение.
Неочакваният положителен ефект на новото техническо решение се заключава в оригиналната приборна конструкция, драстично редуцираща колекторните токове, основната причина, повишаваща резолцията на устройството както и иновативната функционална интеграция на още един преобразувател в мултисензора - този за температурата на околната среда.
Мултисензорният елемент може да се реализира с различните модификации на планарната силициева технология - CMOS, BiCMOS, а при необходимост може да се използват микромашининг силициеви процеси.

Claims (1)

  1. Патентни претенции
    1. Мултисензорен елемент, съдържащ полупроводникова подложка с първи тип проводимост, върху едната страна на която са формирани централен контакт с втори тип проводимост и правилна форма, като на разстояние и симетрично спрямо него са разположени базов контакт с първия тип проводимост и на равни разстояния от този контакт две двойки еднакви правоъгълни контакти с втория тип проводимост, първи и втори токоизточници, като централният и базовият контакт са свързани през първи токоизточник така, че емитерът централен контакт - базов контакт е включен в права посока, а четирите правоъгълни контакти са съединени през еднакви по стойност товарни резистори с единия извод на втори токоизточник, другият извод на който е съединен с базовия контакт така, че колекторите правоъгълни контакти - базов контакт са включени в обратна посока, като изводите на токоизточниците, съединени с базовия контакт са свързани помежду си, а векторът на измервано външно магнитно поле лежи в равнината на подложката, характеризиращ се с това, че формата на централния контакт (2) е кръстовидна, а базовият контакт (3) представлява дълбок ринг и е с квадратна форма и от външните му страни и в близост до тях са разположени правоъгълните контакти (4, 5, 6 и 7) с втория тип проводимост, като емитерът централен контакт (2) - ринг (3) функционира в режим генератор на ток, а двойките срещуположни спрямо централния контакт (2) външни правоъгълни контакти (4 и 6) и съответно (5 и 7) са изходите (15 и 16) за двете ортогонални равнинни компоненти на вектора на магнитното поле (14), а централният контакт (2) и рингът (3) са изходът (17) на мултисензорния елемент за температурата на околната среда.
BG111537A 2013-07-16 2013-07-16 Мултисензорен елемент BG66707B1 (bg)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG111537A BG66707B1 (bg) 2013-07-16 2013-07-16 Мултисензорен елемент

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG111537A BG66707B1 (bg) 2013-07-16 2013-07-16 Мултисензорен елемент

Publications (2)

Publication Number Publication Date
BG111537A BG111537A (bg) 2015-01-30
BG66707B1 true BG66707B1 (bg) 2018-07-31

Family

ID=56847855

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BG111537A BG66707B1 (bg) 2013-07-16 2013-07-16 Мултисензорен елемент

Country Status (1)

Country Link
BG (1) BG66707B1 (bg)

Also Published As

Publication number Publication date
BG111537A (bg) 2015-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9252355B2 (en) Low offset and high sensitivity vertical hall effect sensor
BG66707B1 (bg) Мултисензорен елемент
RU2437185C2 (ru) Интегральный магнитотранзисторный датчик с цифровым выходом
RU2591736C1 (ru) Магнитотранзистор с компенсацией коллекторного тока
BG67160B1 (bg) Магниточувствителен полупроводников сензор
BG66790B1 (bg) X-, y- и z-компонентен магнитометър
BG112804A (bg) 2d микросензор на хол с равнинна чувствителност
BG67250B1 (bg) Полупроводниково устройство на хол
JP3431326B2 (ja) ホール素子および電気量測定装置
BG66874B1 (bg) Мултисензорно устройство
BG67038B1 (bg) Равнинно-магниточувствителна микросистема на хол
BG67071B1 (bg) Равнинно-магниточувствително устройство на хол
BG67380B1 (bg) Двумерен микросензор за магнитно поле
BG67076B1 (bg) Магниточувствителен сензор
BG112385A (bg) Двуосен микросензор за магнитно поле
BG66704B1 (bg) Двумерен полупроводников магнитометър
BG67386B1 (bg) Интегрален сензор на хол с равнинна чувствителност
BG67209B1 (bg) Магнитодиоден сензор
BG67247B1 (bg) Микросензор на хол с равнинна чувствителност
BG66711B1 (bg) Сензор на хол с тангенциална ос на магниточувствителност
BG67249B1 (bg) Интегрален микросензор на хол с равнинна чувствителност
BG66561B1 (bg) Биполярен магнитотранзисторен сензор
BG66714B1 (bg) Трикомпонентен микросензор за магнитно поле
Tikhonov et al. Imbalance of the potentials of a dual-collector lateral bipolar magnetotransistor
BG67134B1 (bg) Микросензор на хол