BG66707B1 - Мултисензорен елемент - Google Patents
Мултисензорен елемент Download PDFInfo
- Publication number
- BG66707B1 BG66707B1 BG111537A BG11153713A BG66707B1 BG 66707 B1 BG66707 B1 BG 66707B1 BG 111537 A BG111537 A BG 111537A BG 11153713 A BG11153713 A BG 11153713A BG 66707 B1 BG66707 B1 BG 66707B1
- Authority
- BG
- Bulgaria
- Prior art keywords
- contact
- contacts
- ring
- current source
- conductivity
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
Мултисензорният елемент съдържа полупроводникова подложка (1) с първи тип проводимост, върху едната страна на която са формирани централен контакт (2) с втори тип проводимост, като симетрично спрямо него e разположен базов контакт (3) с първия тип проводимост. На равни разстояния от този контакт (3) са разположени две двойки еднакви правоъгълни контакти (4 и 6) и съответно (5 и 7) с втория тип проводимост. Елементът съдържа първи (8) и втори (13) токоизточник. Измерваното магнитно поле (14) лежи в равнината на подложката (1). Централният (2) и базовият (3) контакт са свързани през първия токоизточник (8) така, че емитерът централният контакт (2) - базовият контакт (3) да е включен в права посока, а контактите (4, 5, 6 и 7) са съединени през еднакви по стойност товарни резистори (9, 10, 11 и 12) с единия извод на втория токоизточник (13), другият извод на който е съединен с базовия контакт (3) така, че колекторите контактите (4, 5, 6 и 7) - базовият контакт (3) да са включени в обратна посока. Изводите на токоизточниците (8 и 13), съединени с контакта (3) са свързани помежду си. Централният контакт (2) е кръстовиден, а базовият контакт (3) представлява дълбок ринг и е с квадратна форма, а от външните му страни и в близост до тях са разположени контактите (4, 5, 6 и 7). Емитерът контактът (2) - рингът (3) функционира в режим генератор на ток, като двойките срещуположни спрямо контакта (2) външните контакти (4 и 6) и съответно (5 и 7) са изходи (15 и 16) за двете ортогонални равнинни компоненти на магнитното поле (14), а контактът (2) и рингът (3) са изход (17) на мултисензорния елемент за температурата на околната среда. 1 претенция, 1 фигура
Description
Област на техниката
Изобретението се отнася до мултисензорен елемент, приложим в областта на сензориката, контролно-измервателната технология и слабополевата магнитометрия, роботиката и мехатрониката, микро- и нанотехнологиите, позиционирането на обекти в равнината, автоматизация на производството, системното инженерство, безконтактното измерване на физични величини като електрически ток, мощност, енергия, ъглови и линейни премествания, сила, военното дело, сигурността и др.
Предшестващо състояние на техниката
Известен е мултисензорен елемент, измерващ едновременно и независимо двете равнинни компоненти на вектора на магнитното поле, съдържащ полупроводникова подложка с първи тип проводимост, върху едната страна на която са формирани централен контакт с втори тип проводимост и квадратна форма, като на разстояния и симетрично спрямо четирите му страни има последователно по един правоъгълен вътрешен контакт с втория тип проводимост и по един външен базов контакт с първия тип проводимост. Четирите базови контакти са съединени и през първи токоизточник са свързани с централния така, че емитерът централен контакт-базови контакти да е включен в права посока. Вътрешните контакти са съединени през еднакви по стойност товарни резистори с единия извод на втори токоизточник, другият извод на който е съединен с базовите контакти така, че колекторите вътрешни контакти-базови контакти да са включени в обратна посока. Изводите на токоизточниците, съединени с базовите контакти са свързани помежду си. Измерваното външно магнитно поле лежи в равнината на подложката като двойките срещуположни вътрешни контакти спрямо централния контакт са изходи за двете ортогонални равнинни компоненти на вектора на магнитното поле [1].
Недостатък на този мултисензорен елемент е редуцираната точност на двата изхода в резултат на ниското ниво сигнал/шум от високата стойност на собствения (фликер 1/f) шум, тъй като през самите колектори, разположени в близост до емитера протича съществена част от инжектирания от емитера ток на така формирания транзистор.
Недостатък е също силната зависимост на изходите от температурата на околната среда в резултат на температурната чувствителност на формираните диодни р-п преходи - емитерът и четирите колектори върху едната страна на полупроводниковата подложка.
Недостатък е още необходимостта да се формира в непосредствена близост до мултисензорния елемент, върху същата полупроводникова подложка, на температурен сензор, сигналът на който да се използва в схема за последваща термокомпенсация на изходите.
Техническа същност на изобретението
Задача на изобретението е да се създаде мултисензорен елемент с температурно компенсирана магниточувствителност на двата изхода, да отпадне необходимостта от формиране на допълнителен температурен сензор за термокомпенсационната схема и повишена точност чрез редуциране нивото на собствения му шум.
Тази задача е решена с мултисензорен елемент, съдържащ полупроводникова подложка с първи тип проводимост, върху едната страна на която са формирани централен контакт с втори тип проводимост и правилна кръстовидна форма, на разстояние и симетрично спрямо централния контакт има дълбок ринг с първия тип проводимост и е с квадратна форма, а от външните му страни и в близост до тях са разположени на равни разстояния и симетрично спрямо централния контакт по един външен правоъгълен контакт с втория тип проводимост. Централният контакт през първи токоизточник, функциониращ в режим генератор на ток е свързан с квадратния ринг така, че емитерът централен контакт-ринг да е включен в права посока. Външните контакти са съединени през еднакви по стойност товарни резистори с единия извод на втори токоизточник, другият извод на който е съединен с ринга така, че колекторите външни контакти-ринг да са включени в обратна посока. Изводите на токоизточниците, съединени с ринга са свързани помежду си. Измерваното външно магнитно поле лежи в равнината на подложката като двойките срещуположни спрямо централния контакт външни контакти са изходите за двете ор
Описания на издадени патенти за изобретения № 08.2/31.08.2018 тогонални равнинни компоненти на вектора на магнитното поле, а централният контакт и рингът са изходът на мултисензорния елемент за температурата на околната среда.
Предимство на изобретението е увеличената измервателна точност (резолция) на двата изхода чрез повишаване нивото сигнал/шум в резултат на редуцирания собствен (фликер Ι/f) шум от протичане само на малка част от емитерния ток през самите колектори, разположени извън областта, ограничена от квадратния ринг (базовия контакт).
Предимство е също възможността за пълно компенсиране на температурната зависимост на изходите от използване като температурно-компенсационно напрежение при последващата обработка на изходните сигнали на линейната температурна зависимост на диодното напрежение емитер-ринг при постоянен захранващ ток.
Предимство е още отпадналата необходимост да се формира в непосредствена близост до мултисензорния елемент, върху същата полупроводникова подложка, на отделен температурен сензор заедно със съпътстващата го интерфейсна схемотехника.
Предимство е и опростената приборна конструкция, съдържаща общо шест, вместо девет активни сензорни контакти.
Пояснение на приложената фигура
По-подробно изобретението се пояснява с едно негово примерно изпълнение, дадено на приложената фигура 1.
Примери за изпълнение на изобретението
Мултисензорният елемент съдържа полупроводникова подложка 1 с първи тип проводимост, върху едната страна на която са формирани централен контакт 2 с втори тип проводимост и правилна кръстовидна форма, на разстояние и симетрично спрямо централния контакт 2 има дълбок ринг 3 с първия тип проводимост и квадратна форма, а от външните му страни и в близост до тях са разположени на равни разстояния и симетрично спрямо централния контакт 2 по един външен правоъгълен контакт 4, 5, 6 и 7 с втория тип проводимост. Централният контакт 2 през първи токоизточник 8, функциониращ в режим генератор на ток е свързан с квадратния ринг 3 така, че емитерът централен контакт 2 - ринг 3 да е включен в права посока. Външните контакти 4, 5, 6 и 7 са съединени през еднакви по стойност товарни резистори 9, 10, 11 и 12 с единия извод на втори токоизточник 13, другият извод на който е съединен с ринга 3 така, че колекторите външни контакти 4, 5, 6 и 7 - ринг 3 да са включени в обратна посока. Изводите на токоизточниците 8 и 13, съединени с ринга 3 са свързани помежду си. Измерваното външно магнитно поле 14 лежи в равнината на подложката 1, като двойките срещуположни спрямо централния контакт 2 външни контакти 4 и 6 и съответно 5 и 7 са изходите 15 и 16 за двете ортотонални равнинни компоненти на вектора на магнитното поле 14, а централният контакт 2 и рингът 3 са изходът 17 на мултисензорния елемент за температурата на околната среда.
Действието на мултисензорния елемент, съгласно изобретението, е следното.
Спецификата на мултисензорните елементи е, че те измерват едновременно и независимо с една и съща област от полупроводниковата подложка 1 (чипът) повече от една сензорна величина, например, векторните компоненти на магнитното поле, [1]. Фактически се осъществява функционална интеграция на повече от един преобразувател на неелектрични величини върху общия чип 1, най-често силициев. В нашия случай това са двете отделни компоненти Βχ и В на вектора на магнитното поле 14. При съответното свързване на контактите 2 и 3 към токоизточника 8, емитерният р-п преход централният контакт 2 - квадратния ринг 3 се включва в права посока и започва инжекция на неосновни токоносители в полупроводниковата подложка 1. Понеже контактите 2 и 3 са формирани достатъчно близко и между тях отсъстват колекторите 4, 5, 6 и 7, съществената част от емитерния ток I преминава през базовия контакт, в нашия случай това е квадратният ринг 3. В резултат малка част от тока 12 3 достига до обратно поляризираните оттокоизточника 13 колекторни диоднир-п преходи 4,5,6 и 7, формирайки обратните им токове. Тъй като всички контакти 2,3,4,5,6 и7 натозимултисензор сас правилна форма и са разположени симетрично, четирите отделни колекторни токове I 15,16 и 17 са равни помежду си, 1=1=1= Ιγ. Фактически мултисензорният елемент може да се сравни с диференциален биполярен
Описания на издадени патенти за изобретения № 08.2/31.08.2018 транзистор, чийто емитер е контакт 2, базовият контакт е рингът 3, а съответните колекторни двойки 4 и 6, и 5 и 7 са диференциалните изходи 15 и 16. Товарните колекторни резистори 9, 10, 11 и 12 R = R; = Rd = R, трансформират токовете 14,15,16 и 17 в изходни напрежения, които са изходите V4 615 и V5 7 16 на мултисензорния елемент.
В отсъствие на външно магнитно поле В 14, В = 0, траекторията на токовете 12 и 13 в областите под контактите 2 и 3 първоначално е перпендикулярна на горната повърхност на подложката 1 с първи тип проводимост и прониква дълбоко в обема на структурата 1. След това ефективните траектории на тока 12 в обема на подложката 1 стават успоредни на горната й страна и част от тях преминават под дълбокия ринг 3. Така известно количество от неосновните токоносители достигат до обратно поляризираните от токоизточника 13 колектори 4, 5, 6 и 7, формирайки обратните токове I Ι5,1 и Ιγ. Именно дълбокият ринг 3 с първи тип проводимост допълнително редуцира обратните колекторни токове. При евентуална структурна асиметрия и неравенство на колекторните токове, равенството 1=1=1= 17 се постига с допълнителни тримери, включени между резисторите 9 и 11, и съответно 10 и 12. По този начин неминуемият офсет на изходите 15 и 16, в отсъствие на магнитно поле В 14 (В = 0), лесно се компенсира (нулира) чрез изменение стойността на съпротивленията чрез тримерите в съответните вериги, включващи контактите 4, 5, 6 и 7. Следва да се отбележи, че посоките на компоненти 12 и -12 6 са противоположни. Същото се отнася и за другите токове 12 и -12 7.
Външното магнитно поле В 14, което лежи в равнината на подложката 1 и е с произволна ориентация, чрез двете си взаимноперпендикулярни компоненти Βχ и В води до възникване на съответни латерално отклоняващи движещите се токоносители сили на Лоренц, FL = qVd| х В; q е елементарният товар на електрона, a е векторът на средната дрейфова скорост на движещите се токоносители. В резултат на тази Лоренцова дефлекция F траекториите на противоположно насочените токови компоненти 12 -12 6 и 12 -12 7 се “свиват” и съответно “разширяват”. В зависимост от посоката на магнитния вектор В 14, всеки от двата срещуположни тока нараства, респективно намалява за сметка на другия. Този сензорен механизъм променя стойностите на двойките колекторни токове 12 4(В ), -12 6(В ) и съответно 12 5(В ) -12 7(В ). Това води до генериране на двата изхода 15 и 16 на напрежения V4 6 и V5 7, които дават информацията за стойностите и посоките на двете ортогонални компоненти Βχ и Ву на вектора на магнитното поле В 14. Абсолютната стойност на вектора на магнитното поле В 14 в равнината х-у на подложката 1 и ъгълът Θ на полето В 14 спрямо фиксирана реперна ос в същата равнина се дават с изразите: |В| = (Βχ 2 + Ву2)1/2 и Θ = tan1 (V (В )/Vx(Bx)). Увеличената измервателна точност (резолцията) на изходите 15 и 16 се дължи на повишеното ниво сигнал/шум от редуцирания собствен (фликер 1/f) шум, поради протичане само на малка част от токоносителите през самите колектори 4, 5, 6 и 7, разположени извън областта, ограничена от ринга 3. Този резултат е от факта, че произходът на фликер 1/f шума се дължи на стойността на протичащия през даден контакт ток. При това спектралната плътност на този шум в даден честотен диапазон Af се дава със съотношението 1/f ~ I2. Ето защо приборната конструкция на новия мултисензорен елемент е избрана така, че емитерният ток 12 да бъде максимално изведен от структурата 1 чрез близко разположения до емитера 2 ринг 3. Постигнато е също опростяване на приборната конструкция, която съдържа общо шест - 2, 3, 4, 5, 6 и 7, вместо девет активни омични контакти както е в известното решение.
Принципният недостатък на измерващите двете векторни компоненти Βχ и В мултисензорни елементи е силната температурна зависимост на изходните сигнали V46(T) 15 и V5 (Т) 16. За да бъде компенсиран (нулиран) този паразитен ефект се използва задължително термокомпенсационна схема, обработваща напреженията V4 (Т) и V57(T) на сензорните канали 15 и 16. При това в непосредствена близост до мултисензора се формира температурен преобразувателен елемент заедно с интерфейсната за него схемотехника. Това решение съществено усложнява този клас двумерни векторни магнитометри. Ето защо в новия мултисензор е избран принципно различен подход. Успешно е осъществена функционална интеграция към измерването на компоненти Βχ и В и на температурен сензор, регистриращ температурата на околната среда. Когато р-п преходът емитерът 2 - базовия контакт 3 функционира в режим генератор на ток I2 = const, изходното му напрежение V23(T) 17 е линейна функция на температурата Т. Експериментално е установено, че този температурнозависим сигнал V23(T) 17 не се
Описания на издадени патенти за изобретения № 08.2/31.08.2018 влияе от посоката и стойността на магнитното поле В 14 в твърде широк интервал ΔΒ. Този резултат е ключов за новия мултисензор. Следователно чрез новия елемент може едновременно и независимо с една и съща преобразувателна зона да се измерят стойностите и посоките на компоненти Βχ и Ву, и на температурата на средата, те. на полупроводниковата подложка 1. Така линейното напрежение V23(T) 17 успешно може да се подаде за управление на термокомпенсациоината схема на двата изхода 15 и 16. Главните предимства са опростяването на цялостната конструкция и точността на компенсацията, понеже преобразувателите механизми се развиват в една и съща зона. Приборната конструкция съдържа шест - 2, 3, 4, 5, 6 и 7 вместо девет активни сензорни контакти както е в известното решение.
Неочакваният положителен ефект на новото техническо решение се заключава в оригиналната приборна конструкция, драстично редуцираща колекторните токове, основната причина, повишаваща резолцията на устройството както и иновативната функционална интеграция на още един преобразувател в мултисензора - този за температурата на околната среда.
Мултисензорният елемент може да се реализира с различните модификации на планарната силициева технология - CMOS, BiCMOS, а при необходимост може да се използват микромашининг силициеви процеси.
Claims (1)
- Патентни претенции1. Мултисензорен елемент, съдържащ полупроводникова подложка с първи тип проводимост, върху едната страна на която са формирани централен контакт с втори тип проводимост и правилна форма, като на разстояние и симетрично спрямо него са разположени базов контакт с първия тип проводимост и на равни разстояния от този контакт две двойки еднакви правоъгълни контакти с втория тип проводимост, първи и втори токоизточници, като централният и базовият контакт са свързани през първи токоизточник така, че емитерът централен контакт - базов контакт е включен в права посока, а четирите правоъгълни контакти са съединени през еднакви по стойност товарни резистори с единия извод на втори токоизточник, другият извод на който е съединен с базовия контакт така, че колекторите правоъгълни контакти - базов контакт са включени в обратна посока, като изводите на токоизточниците, съединени с базовия контакт са свързани помежду си, а векторът на измервано външно магнитно поле лежи в равнината на подложката, характеризиращ се с това, че формата на централния контакт (2) е кръстовидна, а базовият контакт (3) представлява дълбок ринг и е с квадратна форма и от външните му страни и в близост до тях са разположени правоъгълните контакти (4, 5, 6 и 7) с втория тип проводимост, като емитерът централен контакт (2) - ринг (3) функционира в режим генератор на ток, а двойките срещуположни спрямо централния контакт (2) външни правоъгълни контакти (4 и 6) и съответно (5 и 7) са изходите (15 и 16) за двете ортогонални равнинни компоненти на вектора на магнитното поле (14), а централният контакт (2) и рингът (3) са изходът (17) на мултисензорния елемент за температурата на околната среда.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
BG111537A BG66707B1 (bg) | 2013-07-16 | 2013-07-16 | Мултисензорен елемент |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
BG111537A BG66707B1 (bg) | 2013-07-16 | 2013-07-16 | Мултисензорен елемент |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
BG111537A BG111537A (bg) | 2015-01-30 |
BG66707B1 true BG66707B1 (bg) | 2018-07-31 |
Family
ID=56847855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
BG111537A BG66707B1 (bg) | 2013-07-16 | 2013-07-16 | Мултисензорен елемент |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
BG (1) | BG66707B1 (bg) |
-
2013
- 2013-07-16 BG BG111537A patent/BG66707B1/bg unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BG111537A (bg) | 2015-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9252355B2 (en) | Low offset and high sensitivity vertical hall effect sensor | |
BG66707B1 (bg) | Мултисензорен елемент | |
RU2437185C2 (ru) | Интегральный магнитотранзисторный датчик с цифровым выходом | |
RU2591736C1 (ru) | Магнитотранзистор с компенсацией коллекторного тока | |
BG67160B1 (bg) | Магниточувствителен полупроводников сензор | |
BG66790B1 (bg) | X-, y- и z-компонентен магнитометър | |
BG112804A (bg) | 2d микросензор на хол с равнинна чувствителност | |
BG67250B1 (bg) | Полупроводниково устройство на хол | |
JP3431326B2 (ja) | ホール素子および電気量測定装置 | |
BG66874B1 (bg) | Мултисензорно устройство | |
BG67038B1 (bg) | Равнинно-магниточувствителна микросистема на хол | |
BG67071B1 (bg) | Равнинно-магниточувствително устройство на хол | |
BG67380B1 (bg) | Двумерен микросензор за магнитно поле | |
BG67076B1 (bg) | Магниточувствителен сензор | |
BG112385A (bg) | Двуосен микросензор за магнитно поле | |
BG66704B1 (bg) | Двумерен полупроводников магнитометър | |
BG67386B1 (bg) | Интегрален сензор на хол с равнинна чувствителност | |
BG67209B1 (bg) | Магнитодиоден сензор | |
BG67247B1 (bg) | Микросензор на хол с равнинна чувствителност | |
BG66711B1 (bg) | Сензор на хол с тангенциална ос на магниточувствителност | |
BG67249B1 (bg) | Интегрален микросензор на хол с равнинна чувствителност | |
BG66561B1 (bg) | Биполярен магнитотранзисторен сензор | |
BG66714B1 (bg) | Трикомпонентен микросензор за магнитно поле | |
Tikhonov et al. | Imbalance of the potentials of a dual-collector lateral bipolar magnetotransistor | |
BG67134B1 (bg) | Микросензор на хол |