BG65935B1 - Микропреобразувател на хол - Google Patents

Микропреобразувател на хол Download PDF

Info

Publication number
BG65935B1
BG65935B1 BG109868A BG10986807A BG65935B1 BG 65935 B1 BG65935 B1 BG 65935B1 BG 109868 A BG109868 A BG 109868A BG 10986807 A BG10986807 A BG 10986807A BG 65935 B1 BG65935 B1 BG 65935B1
Authority
BG
Bulgaria
Prior art keywords
hall
contacts
contact
output
differential amplifier
Prior art date
Application number
BG109868A
Other languages
English (en)
Other versions
BG109868A (bg
Inventor
Чавдар РУМЕНИН
Сия ЛОЗАНОВА
Светослав НОЙКОВ
Original Assignee
Институт По Управление И Системни Изследвания При Бан
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт По Управление И Системни Изследвания При Бан filed Critical Институт По Управление И Системни Изследвания При Бан
Priority to BG109868A priority Critical patent/BG65935B1/bg
Publication of BG109868A publication Critical patent/BG109868A/bg
Publication of BG65935B1 publication Critical patent/BG65935B1/bg

Links

Landscapes

  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

Микропреобразувателят на Хол съдържа полупроводникова подложка (1), токоизточник (10), първи, втори и трети диференциален усилвател (11, 12 и 13), като изходите на първия и втория усилвател са съединени с входа на третия усилвател (13), чийто изход е изходът на микропреобразувателя. Върху едната страна на подложката (1) са формирани пет правоъгълни омични контакти - първи (2), втори (3), трети (4), четвърти (5) и пети (6), разположени успоредно на дългите си страни. Вторият (3) и четвъртият (5) контакт през два еднакви резистора (7 и 8) са свързани с тример (9), средната точка на който е съединена с единия извод на токоизточника (10), а другият е свързан с контакт (4). Вторият (3) и четвъртият (5) и съответно първият (2) и петият (6) контакт са свързани с входовете на първия (11) и втория (12) диференциален усилвател. Магнитното поле (15) е перпендикулярно на напречното сечение на подложката (1).

Description

Изобретението се отнася до микропреобразувател на Хол, приложимо в областта на безконтактната автоматика, микросистемите, сензорната електроника, системите за управление, контролно-измервателната технология, автомобилостроенето, енергетиката, позиционирането на обекти в пространството, уредостроенето, медицината, военното дело и др.
Предшестващо състояние на техниката
Известен е микропреобразувател на Хол с редуциран офсет (паразитно изходно напрежение в отсъствие на магнитно поле), съдържащ правоъгълна полупроводникова подложка с при- 20 месен тип проводимост, от двете дълги страни на която са формирани на разстояния, последователно и симетрично спрямо надлъжната ос на подложката съответно по един първи, по един втори, по един трети и по един четвърти омичен контакт. Двойките втори и четвърти контакт са свързани с по един източник на постоянен ток, така че полярностите на вторите и съответно на четвъртите контакти да съвпадат като четвъртите контакти са съединени помежду си. Двойките 30 първи и трети контакт са свързани съответно с входовете на първи и втори диференциален усилвател като изходите на тези два диференциални усилватели са съединени с входа на трети диференциален усилвател, чийто изход е изходът на микропреобразувателя на Хол, а външното магнитно поле е приложено перпендикулярно на равнината на полупроводниковата подложка [1,2].
Недостатъци на този микропреобразувател на Хол са усложнената конструкция, съдържаща два отделни токоизточника, и недостатъчно ефективното редуциране на офсета в различните образци, от предварителните оптимизации на геометрични размери, работни режими и технологии на производство. 45
Известен е още и микропреобразувател на Хол, съдържащ полупроводникова подложка с примесен тип проводимост, върху едната страна на която са формирани последователно и на разстояния един от друг четири правоъгълни омични контакти първи, втори, трети и четвърти, разположени успоредно на дългите си страни. Първият и третият контакт са свързани през първи токоизточник, вторият и четвъртият контакти 5 са съединени с втори токоизточник, токоизточниците са в режим генератор на ток като полярностите на захранване на втория и третия контакт съвпадат. Вторият и третият, и съответно първият и четвъртият контакт са свързани с входо10 вете на първи и на втори диференциален усилвател, изходите на които са съединени с входа на трети диференциален усилвател, приложеното външно магнитно поле е перпендикулярно на напречното сечение на полупроводниковата 15 подложка и е успоредно на дългите страни на омичните контакти като изход на микропреобразувателя на Хол е изходът на третия диференциален усилвател [3].
Недостатъци на този микропреобразувател на Хол са усложнената конструкция от двата отделни токоизточника и високото ниво на шума, тъй като омичните контакти, свързани с входовете на диференциалните усилватели са едновременно и захранващи, и двата тока директно 2 5 генерират паразитни шумови напрежения, влошаващи качеството на метрологичната информация.
Техническа същност на изобретението
Задача на изобретението е да се създаде микропреобразувател на Хол с опростена конструкция, винаги редуциран офсет за различните образци и понижено ниво на собствен шум. 35 Тази задача се решава с микропреобразувател на Хол, съдържащ полупроводникова подложка с примесен тип проводимост, върху едната страна на която са формирани последователно и на разстояния един от друг пет право40 ъгьлниомични контакти първи, втори, трети, четвърти и пети, разположени успоредно на дългите си страни. Третият контакт е централен като вторият и четвъртият, и съответно първият и петият контакти са симетрични спрямо централния. Вторият и четвъртият омичен контакт през два еднакви товарни резистора са свързани с тример, средната точка на който е съединена с единия извод на токоизточник, а другият му извод е свързан с третия омичен контакт. Вторият и 5 0 четвъртият, и съответно първият и петият контакт
65935 Bl са свързани с входовете на първи и втори диференциалнен усилвател, изходите на които са съединени с входа на трети диференциален усилвател, чийто изход е изходът на микропреобразувателя на Хол, а външното магнитно поле е приложено перпендикулярно на напречното сечение на полупроводниковата подложка и е успоредно на дългите страни на правоъгълните омични контакти.
Предимства на изобретението са опростената конструкция, съдържаща само един токоизточник, офсетът в различните образци е винаги редуциран, ниското ниво на шума, възможността за реализиране на двумерна сензорна микросистема за едновременно и независимо измерване на двете равнинни компоненти на магнитното поле.
Пояснение на приложената фигура
По-подробно изобретението се пояснява с приложената фигура, представляваща едно негово примерно изпълнение.
Примери за изпълнение на изобретението
Микропреобразувателят на Хол съдържа полупроводникова подложка 1 с примесен тип проводимост, върху едната страна на която са формирани последователно и на разстояния един от друг пет правоъгълни омични контакти първи 2, втори 3, трети 4, четвърти 5 и пети 6, разположени успоредно на дългите си страни. Третият контакт 4 е централен като вторият 3 и четвъртият 5, и съответно първият 2 и петият 6 контакти са симетрични спрямо централния 4. Вторият 3 и четвъртият 5 омичен контакт през два еднакви товарни резистора 7 и 8 са свързани с тример 9, средната точка на който е съединена с единия извод на токоизточник 10, а другият му извод е свързан с третия омичен контакт 4. Вторият 3 и четвъртият 5, и съответно първият 2 и петият 6 контакти са свързани с входовете на първи и втори диференциален усилвател 11 и 12, изходите на които са съединени с входа на трети диференциален усилвател 13, чийто изход 14 е изходът на микропреобразувателя на Хол, а външното магнитно поле 15 е приложено перпендикулярно на напречното сечение на полупроводниковата подложка 1 и е успоредно на дългите страни на пра воъгълните омични контакти 2,3,4,5 и 6.
Действието на микропреобразувателя на Хол, съгласно изобретението, е следното.
При включване на токоизточника 10, в резултат на структурната симетрия спрямо централния трети контакт 4 и еднаквите по стойност товарни резистори 7 и 8, в подложката 1 протичат два еднакви и с противоположна посока токове
13 4 и -14 5 като 14 = 13 4 + |-14 5|. Понеже омичните контакти 3, 4 и 5 са планарни и представляват еквипотенциални равнини, токовете през тях 13,
14 и 15 първоначално са перпендикулярни на горната повърхност на подложката 1 и проникват навътре в обема й. При това компоненти 13 и 15 са съпосочни, а токът 14 под контакта 4 е противоположен на тях. Ако по някакви причини двата тока 13 4 и 14 5 се отличават по стойност, равенството I = |-145| се установява чрез вариране съпротивлението на тримера 9. Такава възможност за изравняване на токовете не е предвидена в известното техническо решение. Различната по повърхността на полупроводниковата подложка 1 температура Т от протичането на токове 14,13 4 и 14 5; наличието намеханични напрежения от корпусирането на чипа с микропреобразувателя на Хол, нанасянето на изолиращи диелектрични покрития или проводящи тънки слоеве върху полупроводниковата подложка 1 при технологичните процеси; геометричните литографски грешки в симетричното разположение на контактите 3 и 5, и 2 и 6, и др. водят до генериране на офсет. Анализът показва, че предложеният микропреобразувател на Хол функционално обединява в подложката 1 два елемента на Хол с изходните контакти 3 и 5, и съответно 2 и 6. По същество техническото решение е мултисензор, предоставящ информация за магнитното поле В 15 едновременно от два изхода. В резултат на описаните по-горе причини на тези два изхода възникват паразитни напрежения (офсети) в отсъствие на магнитно поле В 15 V35 (В = 0) # 0 и съответно V26 (В = 0) * 0. Тъй като токовите компоненти 13 и 15 през омични контакти 3 и 5 са съпосочни, това води до един и същ знак на офсетите. От друга страна двата функционално интегрирани микросензори на Хол имат обща активна зона в полупроводниковата подложка 1, което е предпоставка за почти изравнени по стойност офсети V3 5 (В=0)« V2 6 (В=0). Общата преобразувателна област също така гарантира и
65935 Bl перфектно съгласуване и изравняване на температурните дрейфове на двата офсета в широк температурен интервал Делта Т.
Прилагането на външното магнитно поле В15 перпендикулярно на напречното сечение на полупроводниковата подложка 1 и успоредно на дългите страни на правоъгълните контакти 2,3, 4,5 и 6 чрез силата на Лоренц FL ~ ню х В води до деформиране на двете криволинейни токови траектории 13.4 и 145 в противоположни посоки, нюйг е дрейфовата скорост на движение на носителите. Например, първата 13 4 се “свива” към горната повърхност на подложката 1, а втората 145 се “разширява” навътре в обема. В резултат върху горната повърхност на подложката 1, където са разположени омичните контакти се индуцират допълнителни електрически товари, формиращи полето на Хол Ен. Този сензорен механизъм обуславя магниточувствителността на двата функционално обединени елементи на Хол. Единият от тях е триизводен, формиран е контактите 3 - 4 - 5. В него резултиращото поле на Хол ЕН1 компенсира действието на силата на Лоренц Fl върху захранващия ток 14 от централния контакт 4 като напрежението на Хол е VH1 (В)= V3 5 (В). Особеност на този микросензор е, че контактите 3 и 5 са едновременно захранващи и изходни. Режимът напрежение на Хол VH1 е в резултат на товарните резистори 7 и 8. По стойност те са най-малко на порядък по-големи от входното съпротивление на микропреобразу вателя. Другият микросензор на Хол е четириизводен, формиран с омичните контакти
2-3-5-6 като захранващите са 3 и 5, а изходните 2 и 6. В него ефективното поле на Хол ЕН2 ком5 пенсира силата на Лоренц FL, действаща върху двете съпосочни токови компоненти 13 и 15 като напрежението на Хол е Vm (В) з V2 6 (В). Важна особеност на двете Холови напрежения VH1(B) и Vffi(B) е, че са е противоположен знак, т.е. VH](B) 10 = |-VH2(B)|, тъй като ток 14 е противоположен на компоненти 13 и 15. Ако магниточувствителността S в двата микросензора евентуално се отличава, това се преодолява чрез изравняване на двете Холови напрежения на следващия етап 15 от обработката на сигналите. Именно е вариране на коефициентите на усилване на първия 11 и на втория 12 диференциални усилватели се постига равенството Vn(B) = |-V]2(B)|.
Ролята на диференциалните усилватели 11 20 и 12 е да се развържат двете изходни напрежения V3;5=V3 5(0)+νΗ1(Β) и v2 6 = v2 6(0) - Vffi(B) на микропреобразувателя на Хол, и да се неутрализира взаимното влияние на изходите му. Диференциалните усилватели 11 и 12 формират 25 изходни напрежения Vn и V12 спрямо обща точка, например третия централен контакт 4, пропорционални на разликата между потенциалите на контактите 3 и 5, и съответно 2 и 6. Чрез третия диференциален усилвател 13 изходните нап30 режения Vn и V12 от усилвателите 11 и 12 се изваждат. По тази причина е в сила равенството:
νη(β = 0) + Гп(В) - (К12(В = 0) - Т12(В)) - 2ТМ(В) + (ГП(В = 0) - Т12(В = 0))
Следователно магниточувствителното изходно напрежение V14(B) 14 на диференциалния усилвател 13 е удвоено, докато остатъчният офсет на изхода 14 на микропреобразувателя на Хол е драстично редуциран. Редуцирането е в резултат на двата почти равни по стойност и с един и същ знак начални офсети на изходите на микропреобразувателя, които се изваждат с диференциалния усилвател 13.
Пониженото ниво на шума Ι/f е в резултат от използването на един токоизточник 10 и разполагането на изходните контакти 2 и 6 извън зоната на протичане на захранващия ток 14. Така паразитното шумово напрежение, което се по дава на входовете на диференциалните усилватели 11 и 12 е съществено намалено, което води до повишаване резолюцията на микропреобразувателя на Хол.
θ Неочаквани положителни ефекти на новото техническо решение, в сравнение с известните микропреобразуватели на Хол са: опростената конструкция, съдържаща само един токоизточник; и възможността остатъчният офсет в
5 различните образци да бъде винаги редуциран и ниското ниво на шума от оригиналната приборна конструкция. Независимо от евентуалните различия в електрическите и технологичните характеристики на отделните образци, с тримера 9
65935 Bl е възможно винаги, варирайки в малки граници токовите компоненти 13 и 15, да се постигне един и същ знак и почти изравняване по стойност на двата начални офсета. Такава алтернатива в известното решение отсъства. Това е причината в различните образци да не се постига винаги редуциране на офсета. Дори често пъти остатъчният офсет е повишен, вместо редуциран (когато началните офсети са с различен знак и диференциалният усилвател 13 ги сумира).
Проведените експерименти с п-тип силициеви микропреобразуватели на Хол, съгласно изобретението, установиха без изключение редуциране на офсета V14(B=0). Редуцирането е наймалко с около два порядъка в сравнения с офсетите на двата изхода, независимо от неминуемите първоначални различия в електрическите характеристики на образците. Собственият шум 1/f (фликер шумът) е намален около 50-60 пъти.
Друго предимство на новия сензор на Хол с редуциран офсет е, че на негова основа може да се конструира двумерна 2D сензорна микросистема за измерване на двете компоненти Вх и Ву на магнитното поле В15, лежащо в равнината 25 на полупроводниковата подложка 1. Това решение съдържа два еднакви микропреобразуватели на Хол с общия трети централен контакт 4, ориентирани един спрямо друг на 90°. При произволна посока на полето В 15 неговите равнин- 30 ни компоненти Вх и Ву активират съответните взаимноперпендикулярни Холови канали, като напреженията от изходите 14 на третите диференциални усилватели 13 предоставят едновременно и независимо информация за магнитни компоненти Вх и Ву. Стойността на равнинния вектор В се дава с релацията |В| = (Вх 2 + Ву2)1/2, а ъгълът алфа между В и хоризонталната х ос на координатната система х-у с израза алфа = tan'1 (Ву/Вх).
Предпочитаната технология за реализиране на микропреобразувателя на Хол е CMOS.

Claims (1)

  1. Патентни претенции
    1. Микропреобразувател на Хол, съдържащ полупроводникова подложка с примесен 5 тип проводимост, върху едната страна на която са формирани последователно и на разстояния един от друг правоъгълни омични контакти, успоредни на дългите си страни, токоизточник, първи и втори диференциален усилвател, изходите на които са съединени с входа на трети диференциален усилвател, чийто изход е изходът на микропреобразувателя на Хол, външното магнитно поле е перпендикулярно на напречното сечение на полупроводниковата подложка и е успоредно на дългите страни на правоъгълните омични 15 контакти, характеризиращ се с това, че омичните контакти са пет - първи (2), втори (3), трети (4), четвърти (5) и пети (6), третият контакт (4) е централен, като вторият (3) и четвъртият (5), и съответно първият и петият (6) контакт са симетрични спрямо централния (4), вторият (3) и четвъртият (5) омичен контакт през два еднакви товарни резистора (7 и 8) са свързани с тример (9), средната точка на който е съединена с единия извод на токоизточника (10), а другият му извод е свързан с третия контакт (4), вторият (3) и четвъртият (5) и съответно първият (2) и петият (6) контакт са свързани с входовете на първия (11) и втория (12) диференциален усилвател.
BG109868A 2007-05-02 2007-05-02 Микропреобразувател на хол BG65935B1 (bg)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG109868A BG65935B1 (bg) 2007-05-02 2007-05-02 Микропреобразувател на хол

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG109868A BG65935B1 (bg) 2007-05-02 2007-05-02 Микропреобразувател на хол

Publications (2)

Publication Number Publication Date
BG109868A BG109868A (bg) 2008-11-28
BG65935B1 true BG65935B1 (bg) 2010-05-31

Family

ID=40328065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BG109868A BG65935B1 (bg) 2007-05-02 2007-05-02 Микропреобразувател на хол

Country Status (1)

Country Link
BG (1) BG65935B1 (bg)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102881817A (zh) * 2011-07-14 2013-01-16 迈克纳斯公司 磁场传感器和用于确定和校正磁场传感器的偏置电压的方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BG65231B1 (bg) * 2002-06-25 2007-08-31 Чавдар РУМЕНИН Магниточувствителен сензор

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BG65231B1 (bg) * 2002-06-25 2007-08-31 Чавдар РУМЕНИН Магниточувствителен сензор

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102881817A (zh) * 2011-07-14 2013-01-16 迈克纳斯公司 磁场传感器和用于确定和校正磁场传感器的偏置电压的方法
CN102881817B (zh) * 2011-07-14 2015-10-28 迈克纳斯公司 磁场传感器和用于确定和校正磁场传感器的偏置电压的方法
US9689931B2 (en) 2011-07-14 2017-06-27 Tdk-Micronas Gmbh Magnetic field sensor and method for determining and correcting an offset voltage of a magnetic field sensor

Also Published As

Publication number Publication date
BG109868A (bg) 2008-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20200350831A1 (en) Coreless current sensor for high current power module
US9709639B2 (en) Hall effect sensor
CN114413749B (zh) 磁场感测装置及磁场感测方法
CN115728536A (zh) 电流传感器、用电设备及电流量测方法
BG65935B1 (bg) Микропреобразувател на хол
US20240044944A1 (en) Current detection apparatus and current detection method
US20220206044A1 (en) Differential hall sensor
BG65079B1 (bg) Тримерна магниточувствителна микросистема
BG66403B1 (bg) Микросензор на хол с паралелна ос на магниточувствителност
BG66281B1 (bg) Биполярен магнитотранзистор
BG65231B1 (bg) Магниточувствителен сензор
BG67509B1 (bg) Магниточувствително устройство
BG67380B1 (bg) Двумерен микросензор за магнитно поле
Lozanova et al. 2D in-plane Hall sensing based on a new microdevice coupling concept
BG113356A (bg) Микросензор на хол с повече от един изход
CN115902345A (zh) 电流检测模块、用电设备及电流检测方法
BG112804A (bg) 2d микросензор на хол с равнинна чувствителност
BG67134B1 (bg) Микросензор на хол
BG113275A (bg) Равнинно-магниточувствителен елемент
BG66404B1 (bg) Полупроводников елемент на хол с паралелна ос на чувствителност
BG67551B1 (bg) Двуосен магниточувствителен сензор, съдържащ елементи на хол
BG65345B1 (bg) Тримерен векторен сензор на хол
BG65970B1 (bg) Микросистема за измерване на трите компоненти на магнитното поле
BG112676A (bg) Сензор за магнитно поле
BG67136B1 (bg) Магнитометър на хол