BE859202A - Procede pour la formation d'une couche pourvue d'une structure sur un substrat - Google Patents

Procede pour la formation d'une couche pourvue d'une structure sur un substrat

Info

Publication number
BE859202A
BE859202A BE181311A BE181311A BE859202A BE 859202 A BE859202 A BE 859202A BE 181311 A BE181311 A BE 181311A BE 181311 A BE181311 A BE 181311A BE 859202 A BE859202 A BE 859202A
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
substrate
forming
layer
Prior art date
Application number
BE181311A
Other languages
English (en)
French (fr)
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of BE859202A publication Critical patent/BE859202A/xx

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02Epitaxial-layer growth
    • C30B23/04Pattern deposit, e.g. by using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02Epitaxial-layer growth
    • C30B23/08Epitaxial-layer growth by condensing ionised vapours
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/914Doping
    • Y10S438/925Fluid growth doping control, e.g. delta doping

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
BE181311A 1976-09-29 1977-09-29 Procede pour la formation d'une couche pourvue d'une structure sur un substrat BE859202A (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2643893A DE2643893C3 (de) 1976-09-29 1976-09-29 Verfahren zur Herstellung einer mit einer Struktur versehenen Schicht auf einem Substrat

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE859202A true BE859202A (fr) 1978-01-16

Family

ID=5989181

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE181311A BE859202A (fr) 1976-09-29 1977-09-29 Procede pour la formation d'une couche pourvue d'une structure sur un substrat

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4133702A (it)
JP (1) JPS5342554A (it)
BE (1) BE859202A (it)
DE (1) DE2643893C3 (it)
FR (1) FR2366693A1 (it)
GB (1) GB1583850A (it)
IT (1) IT1143690B (it)
NL (1) NL7710607A (it)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7920170A (nl) * 1978-11-28 1980-09-30 Western Electric Company, Incorporated Te New York. Het optisch verhitten van materialen met twee golfleng- ten.
US4234358A (en) * 1979-04-05 1980-11-18 Western Electric Company, Inc. Patterned epitaxial regrowth using overlapping pulsed irradiation
US4234356A (en) * 1979-06-01 1980-11-18 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Dual wavelength optical annealing of materials
US4239790A (en) * 1979-09-12 1980-12-16 Rca Corporation Method of defining a photoresist layer
US4385946A (en) * 1981-06-19 1983-05-31 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Rapid alteration of ion implant dopant species to create regions of opposite conductivity
JPS62130511A (ja) * 1985-12-02 1987-06-12 Hitachi Ltd 半導体素子製造方法
JP3276816B2 (ja) * 1995-09-12 2002-04-22 日本電子株式会社 電子線バイプリズム
WO1999005728A1 (en) 1997-07-25 1999-02-04 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
JP3770014B2 (ja) 1999-02-09 2006-04-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
EP1168539B1 (en) * 1999-03-04 2009-12-16 Nichia Corporation Nitride semiconductor laser device
TWI362769B (en) * 2008-05-09 2012-04-21 Univ Nat Chiao Tung Light emitting device and fabrication method therefor

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3520741A (en) * 1967-12-18 1970-07-14 Hughes Aircraft Co Method of simultaneous epitaxial growth and ion implantation
US3582958A (en) * 1968-04-26 1971-06-01 Massachusetts Inst Technology Ion beam printer
BE717304A (it) * 1968-06-28 1968-12-30
US3619608A (en) * 1969-08-04 1971-11-09 Stanford Research Inst Multiple imaging charged particle beam exposure system
US3709741A (en) * 1970-09-09 1973-01-09 Bell Telephone Labor Inc Impurity patterns produced by ion implantation
US3833814A (en) * 1973-06-20 1974-09-03 Energy Sciences Inc Apparatus for simultaneously uniformly irradiating a region using plural grid controlled electron guns
FR2284189A1 (fr) * 1974-09-03 1976-04-02 Radiotechnique Compelec Procede de depot de materiau semi-conducteur polycristallin
JPS5148097A (en) * 1974-10-23 1976-04-24 Osaka Koon Denki Kk Iongen
FR2298880A1 (fr) * 1975-01-22 1976-08-20 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif d'implantation ionique
US3924136A (en) * 1975-02-18 1975-12-02 Stanford Research Inst Charged particle apodized pattern imaging and exposure system

Also Published As

Publication number Publication date
NL7710607A (nl) 1978-03-31
US4133702A (en) 1979-01-09
DE2643893A1 (de) 1978-03-30
FR2366693B1 (it) 1982-11-19
DE2643893B2 (de) 1980-05-08
JPS5342554A (en) 1978-04-18
DE2643893C3 (de) 1981-01-08
IT1143690B (it) 1986-10-22
FR2366693A1 (fr) 1978-04-28
GB1583850A (en) 1981-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BE859262A (fr) Procede pour la formation d'une couche epitaxiale de matiere sur une surface d'un substrat
FR2277114A1 (fr) Procede de formation d'une couche metallique sur un polyimide
FR2518429B1 (fr) Installation pour deposer en continu, sur la surface d'un substrat porte a haute temperature, une couche d'une matiere solide
BE788374A (fr) Procede de depot d'une couche epitaxiale d'un materiau semi-conducteur sur la surface d'un substrat
FR2522339B1 (fr) Procede de formation d'une couche monocristalline a peu de defauts sur un masque
FR2558478B1 (fr) Revetement multicouches a couche de finition transparente formee sur une couche de base coloree, et procede pour sa formation
FR2348166A1 (fr) Procede et dispositif pour la formation d'un revetement de metal ou de compose metallique sur une face d'un substrat en verre
FR2322667A1 (fr) Procede et appareil pour deposer une couche mince sur un substrat
FR2457912B1 (fr) Procede d'electro-deposition d'un metal sur un substrat
FR2348572A1 (fr) Procede de croissance d'une couche epitaxiale pour la fabrication de dispositifs a semi-conducteurs
BE859265A (fr) Procede de formation d'une couche monocristalline sur un support
BE810777A (fr) Procede pour la fabrication de circuits imprimes sur les deux faces d 'un substrat en matiere ceramique
BE857984A (fr) Procede et dispositif pour deposer une couche d'un verre sur la paroi interne d'un tube
BE859202A (fr) Procede pour la formation d'une couche pourvue d'une structure sur un substrat
BE754184A (fr) Composition inorganique pour revetement et procede pour la formation d'un revetement protecteur sur un substrat
FR2334733A1 (fr) Procede de collage d'un substrat fibreux sur du polyfluorure de vinylidene
FR2619732B1 (fr) Procede pour deposer une pellicule d'oxyde metallique sur un substrat
FR2556109B2 (fr) Dispositif pour deposer en regime continu une couche de silicium polycristallin sur un ruban de carbone
BE810989A (fr) Procede pour former un revetement resistant a l'abrasion aux temperatures elevees sur un substrat ferreux
FR2348983A1 (fr) Procede de depot d'une couche mince sous forme vapeur
FR2588277B1 (fr) Procede de depot d'une couche de tungstene sur une surface dielectrique
BE775973A (fr) Procede de realisation d'un composant semi-conducteur a substrat isolant recouvert partiellement d'une couche semi-conductrice
BE863867A (fr) Procede pour deposer par pulverisation une couche additionnelle sur ou plusieurs couches situees a la surface d'un substrat
FR2380636B1 (fr) Procede pour former une couche electriquement isolante sur un substrat
BE855543A (fr) Procede pour realiser un revetement presentant une structure superficielle