BE670311A - - Google Patents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
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- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
Description
<Desc/Clms Page number 1> Procéda d'application de couches partiellement chevauchenates en particulier pour un condensateur électrique. L'invention concerne un procéda pour appliquer par vapo- risation sur un support des couches de forces différentes chevau- chant partiellement, en particulier des couches alternées de matiè- res conductrices et de matières diélectriques pour former un con- densateur électrique, dans lequel on a prévu pour chacune des cou- ches une source de vaporisation alors que la forme de la couche formée sur le support par la matière provenant de cette source est déterminée par une ouverture ménagée dans un masque disposa entre la source en cause et le support à une certaine distance des deux; elle concerne également un porteur muni de couches appliquées de cette manière. <Desc/Clms Page number 2> Dans les procédés connus du genre précité, on utilise en , règle générale des masques différents pour obtenir les couches avec le chevauchement désire. Cela implique bien souvent une in- terruption du vide entre Inapplication par vaporisation des diver- ses couches ou bien une manipulation des masques et du porteur dans le vide, ce qui requiert des formes de construction compliquées. L'invention fournit un procède du genre mentionné dans lequel les couches successives peuvent être appliquées par vapori- sation moyennant un léger déplacement d'une ou plusieurs des par- fies requise, ou bien sans une telle variation de position,à réa- liser à l'aide de moyens extérieurs. Le procédé oonforme à l'invention présente le paricul- rité que pour inapplication par vaporisation des diverses couches on utilise une seule et même ouverture du masque et que le che- vauchement partiel désiré des couches est obtenu par des positions relatives différentes des sources de vaporisation, du masque et du porteur, le tout de façon que, pour au moins une partie de l'ou- verture ménagée dans le masque, la dimension de cette ouverture mesurée perpendiculairement à la direction du déplacement relatif du masque et du porteur ou bien dans la ligne des diverses sources de vaporisation, et allant vers une des extrémités de l'ouverture donnée par cette direction, diminue d'une manière plus ou moins continue. La position relative désirée des couches appliquées par vaporisation, comportant chacune une partie non recouverte par la couche suivante, peut être obtenue d'une manière simple par un glissement du masque du porteur ou une ou plusieurs des sources de vaporisation. Dans une forme de réalisation avantageuse, on uti- lise plusieurs sources de vaporisation, disposées suivant une droi- te et qui, tout comme le masque et le porteur, occupent pendant tout le processus de vaporisation une place fixe et sont mises en fonctionnement consécutivement. Suivant une autre forme de l'inven- <Desc/Clms Page number 3> tion, destinée à la réalisation d'un condensateur électrique; la vaporisation s'effectue à l'aide de trois sources de vaporisation fixes disposées suivant une ligne droite et d'un masque fixe par rapport à ces sources et au porteur, alors que la source de vapo- risation centrale sert à la vaporisation de matières diélectriques et les deux autres à la vaporisation de matières conductrices., les sources de vaporisation étant mises en fonctionnement consécu- tivement dans un seul ordre d'aller ou bien dans un ordre de suc- cession d'aller et ensuite de retour. Il y a lieu de noter que, dans le cadre de la présente invention, on entend par vaporisation non seulement la condensa- %ion de la vapeur obtenue par l'amenée de ohaleur mais 'salement la précipitation par pulvérisation cati dique. La description qui va suivre avec référence au dessin annexe, donnée à titire d'exemple non limitatif, fera bien compren- dre comment l'invention peut être réslisés, les particularités qui ressortent tant du texte que du dessin faisent, bien entendu, par- tie de l'invention. Le fig. l est une vue en plan d'un condensateur obtenu par la mise en oeuvre du procède conforme à l'invention. La fige 2 représente un dispositif pour la mise en oeu- vre du procédé conforme à l'invention. Sur la fig. l, un condensateur électrique est consistué pari un porteur isolant form6 par une couche isolante d'oxyde de silicium et dispose sur un disque de silicium moncristallin et dont on constitue par exemple un circuit de substances solides. Le condensateur est constitué par un jeu de couches conductrices 2, un jeu de couches isolantes 3 et un jeu de couches conductrices 4. Chaque couche successive d'un jeu recouvre la couche précéente de ce jeu. La forme de chaque couche est celle d'un trapèze isos- cèle et les jeux sont déplacés entre eux le long de la ligne qui partage les cotés parallèles en deux parties égales. Les couches <Desc/Clms Page number 4> du jeu 2 sont en contact électrique entre elles à gauche du jeu 3, les couches du jeu 4 sont en contact électrique entre elles à droi- te dujeu 4, alors que lejeu 2 est isolé du jeu 4 par les couches du jeu 3. La manière dont le condensateur est inséré dans le cir- cuit de substances solides est indiquée par les lignes en pointillé ; qui montrent l'emplacement des conducteurs5 et 6. Une couche d'aluminium, d'une épaisseur de 3.000 #, cor- respondant au jeu 2 d'une couche correspondante faisant partie du jeu 4 et une couche d'oxyde de silicium, d'une épaisseur de 6.00 @ correspondant au jeu 3 permet d'obtenir une capacité de 90 pF/mm2 de la partie chevauchante des couches 2 et 4. Dans un condensateur conrme à l'inveniton, dans lequel on uti- , lise la forme d'un trapèze osodè;l, à à côté parallèles de 2 et de 2,75 mm écartés d'une distance de 3 mm, la partie chevauchante peut avoir une longueur de 2,2 mm et, en cs d'utilisation de jeux de couches, on peut obtenir une capacité plus grande tout en utilisant la marne surface du porteur. La capacité peut être déterminée facilement par voie empirique pour chaque nombre de couches et pour chaque forme. La fig. 2 représente un dispositif qui est monté dans une cloche à vide non représentée sur le dessin ; ce dispositif est constitué par un porteur 7 pour un disque de silicium 8 re- couvert d'une couche 1 d'oxyde de silicium et par un porteur 9 pour un masque 10 muni d'une ouverture trapézoïdale 11 présentant les dimensions indiquées ci-dessus pour les couches des jeux 2, 3 et 4. Les cotés parallèles du trapèze sont perpendiculaires au plan du dessin. Trois cuvettes de vaporisation 12,13 et 14 sont dispo- sées à une certaine distance l'une de l'autre suivant un plan pas- sant par la droite qui divise en deux parties égales les deux cô- tés parallèles, la cuvette 13 étant disposée verticalement sous. <Desc/Clms Page number 5> le milieu du trapèze. Les cuvettes 12 et 14 contiennent de l'alu- minium et la cuvette 13 contient de l'oxyde de silicium. La distance entre le masoue 10 et la surface de la cou- che 1 est de 1 mm et celle entre le masque 10 et la cuvette 13 est de.12,7 cm, alors que celle entre la cuvette 13 et les cuvettes 12 et 14 est de 5,08 cm. Il y a lieu de noter que les dimensions utilisées dpns le dispositif dépendent de la nature des sources de vapeur formées par les cuvettes 12, 13 et 14. C'est ainsi qu'à mesure que les sources se rapprochent de la forme ponctuelle, le disque 8 peut se trouver plus près du masque 10, 4tant donné que la pénombre de vaporisation est moins prononcée. Au cours de la fabrication du condensateur, de la vapeur est produite par les cuvettes dans l'ordre de succession 12, 13, 14, 1-le 12, etc: ce qui fournit les couches 2, 3 et 4 représentées sur la fig. l.
Claims (1)
- RESUME' 1. Procédé pour appliquer par vaporisation sur un sup- port des couches de forces différentes chevauchant partiellement; en-particulier des couches alternées de matières conductrices et de matières'diélectriques pour former un condensateur électrique, dans lequel on a prévu pour chacune des couches une source de va- portisation alors que ls forme de la couche formée sur le support par la matière provenant de cette source est'déterminée par une ouverture ménagée dans un masque disposé entre ls source en cause et le support à une certaine distance des deux, caractérisé en,ce que pour l'application par vaporisation des diverses couches on utilise une seule et même ouverture du masque et que le chevauche- ment partiel désiré des couches est obtenu par des positions re- latives différentes des sources de vaporisation, du masque et du porteur,,le tout de façon que, pour au moins une partie de l'ouver- i ture ménagée dans le masque, la dimension de cette ouverture mesurée <Desc/Clms Page number 6> perpendiculaireemnt à la direction du déplacement relatif dumas- que et du porteur ou bien dans la ligne des diverses sources de vaporisation, et allant vers une des extrémités de couverture donnée par cette direction, diminue d'une manière plus ou moins continue.2. Le procédé spécifie ci-dessus peut présenter en outre les particularités suivantes prises isolement ou en combinaison a) la vaporisation s'effectue à l'aide de trois sources de vaporisation fixes disposées suivant une ligne droite et d'un masque fixe par rapport à cette source et au porteur, alors que la source de vaporisation centrale sert à la vaporisation de ma- tiéres diélectriques et les deux autres à la vaporisation de ma- tières conductrices, lessources de vaporisation étant mises en fonctionnement consécutivement dans un seul ordre d'aller ou bien dans un ordre de succession d'aller et ensuite de retour ; b) l'ouverture ménagée dans le masque est de forme tra- pézoïdal 3.Dispositif porteur à couches différentes appliquées par vaporisation et chevauchant partiellement, obtenu par la mise en ocuvre du procède spécifie ci-dessus.4. Condensateur Electrique obtenu par la mise en oeuvre du procéda spécifia ci-dessus, constitue par un porteur isolant recouvert consécutivement de couches conductrices et de couches isolantes... dans lequel les couches conductrices sont interconnec- tees deuxà deux, ce qui fournit un jeu de couches conductrices séparées entre elles par des couches isolantes, caractérisé en ce nue toutes les couches ont pratiquement la même forme et la même ,grandeur;et que les deux jeux de couches conductrices et de cou- ches isolantes sont disposés en trois étages dont l'un est consti- tué par les couches isolantes, le second par des couches conductri- ces de l'un des jeux et le troisième par les couches conductrices du second jeu, le tout de façon que les couches successives de cha- <Desc/Clms Page number 7> que étage recouvrent la première couche de l'étage et ne la dépas- sent guère,alors que la position relative des étages et la forme des couches sont telles que chaque jeu de couches conductrices dépasse extérieurement les couches isolantes pour former les con- nexions et que les couches des deux jeux sont isolées entre elles par les couches isolantes qui s'éttendent latéralement jusqu'à un endroit compris entre les limites latérales des deux piles de cou- ches conductrices, ce condensateur pouvant présenter en outre la particularité que les couches présentent la forme d'un trapèze isoscèle et que les diverans piles sont décalées entre elles dans la direction perpendiculaire aux côtés parallèles dudit trapèze.
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