BE532033A - - Google Patents

Info

Publication number
BE532033A
BE532033A BE532033DA BE532033A BE 532033 A BE532033 A BE 532033A BE 532033D A BE532033D A BE 532033DA BE 532033 A BE532033 A BE 532033A
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
semiconductor device
semiconductor
junction
junction electrode
temperature
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
French (fr)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Publication of BE532033A publication Critical patent/BE532033A/fr

Links

Classifications

    • H10P95/00
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/04Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the liquid state
    • H10P95/50

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
BE532033D 1953-09-30 BE532033A (index.php)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US38320153A 1953-09-30 1953-09-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE532033A true BE532033A (index.php)

Family

ID=23512148

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE532033D BE532033A (index.php) 1953-09-30

Country Status (1)

Country Link
BE (1) BE532033A (index.php)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2695852A (en) Fabrication of semiconductors for signal translating devices
FR2477771A1 (fr) Procede pour la realisation d'un dispositif semiconducteur a haute tension de blocage et dispositif semiconducteur ainsi realise
FR2573916A1 (fr) Procede de fabrication d'un film semi-conducteur mince et film ainsi obtenu
EP0780889B1 (fr) Procédé de depôt sélectif d'un siliciure de métal réfractaire sur du silicium
FR2489041A1 (fr) Procede de formation d'un evidement dans un corps semi-conducteur
EP0000317A1 (fr) Procédé de fabrication d'une électrode en siliciure sur un substrat notamment semi-conducteur
EP0180268B1 (fr) Procédé de réalisation d'un dispositif semiconducteur incluant l'action de plasma
EP2333820A2 (fr) Procédé de formation de matériaux métalliques comportant des semi-conducteurs
FR2474763A1 (fr) Transistor a film mince
EP0092266A1 (fr) Procédé de fabrication de transistors à effet de champ, en GaAs, par implantations ioniques et transistors ainsi obtenus
FR2463509A1 (fr) Procede de fabrication de dispositifs semi-conducteurs et dispositifs obtenus par ce procede
FR2560436A1 (fr) Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur comportant un film monocristallin sur un isolant
BE532033A (index.php)
FR2856193A1 (fr) Tranche soi et procede de preparation
JPS637624A (ja) 3−v族化合物半導体材料中への導電形付与物質の拡散方法
FR2813707A1 (fr) Fabrication d'un transistor bipolaire
FR2530081A1 (fr) Procede pour la fabrication d'une diode electroluminescente au znse emettant en lumiere verte et diodes conformes a celles ainsi obtenues
EP0202977A1 (fr) Procédé de fabrication sur un support isolant d'un film de silicium monocristallin orienté et à défauts localisés
EP0127488B1 (fr) Procédé de fabrication d'un transistor de puissance à tenue en tension élevée à l'ouverture
US3769563A (en) High speed, high voltage transistor
FR2799049A1 (fr) Procede pour empecher la diffusion de bore dans un silicium par implantation ionique de carbone
EP0012324A1 (fr) Procédé de formation de contacts sur des régions semi-conductrices peu profondes
FR2471046A1 (fr) Procede de formation d'une pellicule isolante sur un dispositif semi-conducteur, et dispositif ainsi obtenu, notamment transistor a effet de champ
JPS61183961A (ja) 電極の製造方法
JPH02194626A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法