BE531624A - - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/34—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being vacuum tube
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
<Desc/Clms Page number 1> La présente invention se rapporte à des oscillateurs haute EMI1.1 fréquence employant plusieurs cristal e^t'#9 notamment, à un système pour commuter à distance des cristaux incorpores dans un oscillateur haute fré- quence, o EMI1.2 On a utilisé précédemment plusieurs procédés pour la oomuuta- tion des cristaux incorporés dans les oscillateurs haute fréquenceo Un de ces procédés consiste à remplacer physiquement le cristal de commande par un autre capable de procurer les caractéristiques nécessaires pour que l' oscillateur engendre la fréquence désiréeo Un autre de cesprocédés consis- EMI1.3 te à prévoir des moyens de commitation à l'endroit où se trouvent les cris- tauxo re autre encore, de ces procédés de commutation consiste à prévoir à l'endroit où se trouvent les cristaux un relais susceptible d'être -actionné à distance. Evidemment les denx premiers procédés ne peuvent .être mis EMI1.4 en oeuvre à distance, tandis que le trosieme procédé, bien que pouvant être misen oeuvre à distance présente des inconvénientso Cesinconvénients ré- EMI1.5 sidant surtout dans le fait que l'utilisation d ce dernier procédé exige l'introduction d'un élément additionnel nécessitant un espace supplémentaire ainsi qu'un supplément d'énergie pour sa mise en oeuvre et un supplément d' entretien Avec la tendance croissante actuelle pour les systèmes dits miniatures de fonctionnement sur et facile à transporter, il est souhaitable d' avoir recours à un dispositif réduisait le nombre des éléments. EMI1.6 Par oons!ttll. un objet de la présente invention conisiste à prévoir des moyens pour commuter à distance des cristaux incorporés dans un oscillateur haute fréquence, Un autre objet de l'invention consiste à prévoir desmoyens EMI1.7 de comnutation de cristaux n'exigeant pour leur mise en oeuvre aucune éner- gie. Un autre objet, encore:, de l'invention consiste à prévoir des moyens de commutation de cristaux pour des ensembles dits miniatureso Les objets de la présente invention sont réalisés en connectant à la masse, à l'aide d'une ligne coaxiale,chacun des cristaux d'un oscilla- EMI1.8 teur haute fréquence par,-einterm;àiaire d'une self d'une valeur telle que celle-ci formeavec la capacité répartie de la ligne à laquelle elle est associéeun circuit à haute impédance entre le cristal et la masse pour EMI1.9 la fréquence de résonance de ce cristal. Un',oomnutateur de sélection est braubw de telle sorte que la self choisie se trouve court-aircuitée de façon à éliminer son effet électrique pour que l'oscillateur oscille, du fait de l'élimination du chemin à haute impédance à la fréquence du cristal associé à cette selfo Ces objets et caractéristiques,et d'autres encore de la pré- sente invention y apparaîtront plus clairement de ladescription détaillée qui suit ainsi que des dessinsy annexés étant bienentendu que ceux-ci ne sont donnés qu'à titre d'exemple nullement limitatifo Sur les dessins : La figo 1 est un schéma représentant une partie d'un oscillateur haute fréquence; et La figo 2 est un schéma représentant l'emploi de l'invention dans la partie de l'oscillateur haute fréquence représentée à la figo la La figo 1 montre un schéma des connexions utilisées, dans la partie contenant les cristaux d'un oscillateur haute fréquence de type connu, EMI1.10 lorsque la sélection de 4tux-ai s'effectue à l'endroit où ils se trouvento Les cristaux la et Ib sont individuellement connectée par un conmmtateur 6 entre la grille 4 d'un tube électronique 2 et la masse 3. Une résistance 5 connectée entre la grille 4 et la masse 3 sert à la polarisation du tube EMI1.11 2. Le aoznltateur 6 peut être constitué par un relais, de fagon que la con- mutation puisse être commandée à distanceo La fréquence à laquelle le circuit oscille est déterminée par la fréquence de résonance série du cristal <Desc/Clms Page number 2> inséré dans se circuit. Ce procédé de commutation des cristaux est bien EMI2.1 connus Dans le circuit représenté à la figo 2 les cristaux la et 16 , le tube 2,la masse 3, la grille 4 et la résistance 5 accomplissent les mêmes fonctions que les éléments semblables du circuit représenté à la EMI2.2 fig, 1, En outre,, des lignes coaxiales 7a et 7b connectent respectivement les cristaux la et lb au lieu de commande situé à distancée Des selfs 8a et 8b sont connectées respectivement entre les lignes coaxiales 7a et 7b d'une part et la masse. Les valeurs de ces selfs sont telles qu'elles pro- duisent des chemins à haute impédancepour les fréquences de résonance série des cristaux la et lbentre les cristaux la et lb et la masseLe EMI2.3 eomoeltateur 6 est connecté de façon à éliminer l'effet électrique de l'une des selfs 8a -ou 8bo Lorsqu'une des selfs 8a et 8b est électriquement éli= minée, un chemin à basse impédance existe entre le cristal correspondant la ou lb et la masser ce qui provoque l'oscillation de l'oscillateur sur la fréquence déterminée par ce cristal correspondant. Pour réduire le coef=- EMI2.4 ficient de surtension des selfs 8a et 8b, on prévoir des résistances Sa et 9b et ainsi.. lorsque ces selfs ne sont pas électriquement éliminées, le circuit résonant parallèle formé par la combinaison de la capacité ré- partie des lignes coaxiales 7a et 7b et des selfs Sa et 8b ne peut jouer le rôle d'un circuit parasite pour l'oseillateuro Bien que deux cristaux furent employés dans la partie de l' EMI2.5 oslâat3ur haute fréquence représentée il doit être entendu que tout Timbre de cristaux désiré ainsi d'ailleurs que tout type d'oscillateur peuvent être employés, EMI2.6 Bien que dans un but d"explication de l'invention une réali= sation particulière de celle- ci ait été représentée et décrite il doit
Claims (1)
- être entendu que divers changements ou modifications évidents à tout homma de lart peuvent y être apportés sans s'écarter pour cela de lesprit de l'invention ni sortir de son domaine RESUME La présente invention se rapporteà des oscillateurs haute fré- EMI2.7 Q,aeroa employant plusieurs cristaux ety plus particulièrement à un systè- me de commutation perfectionné pour un tel oscillateurs! cette invention EMI2.8 étant caractérisée notammentg 9 par les points suivants pouvant être pris séparément ou en Toute combinai sono la Dans le système de commutation objet de l'invention chaque cristal à une de ses bornes connectée par une ligne coaxiale à une extrémité dune self dont la valeur, mesurée à la fréquence de résonance du cristal correspondant,est égale mais:de signe expose à'celle de la ' réactance de la dite ligne coaxiale mesurée à cette dite fréquence de EMI2.9 -,é 9,,z 1(\.e les bornes restantes des cristaux étant connectées ensembles fi '.l'!".. premier point de jonction tandis que les extrémités restantes des selfs sont connectées ensemble à un second point de jonction;, et;, en outre chacune des selfs est shuntée par un dispositif d'interruption qui, lorsqu' il est fermée élimine l'effet de la self dans le circuit série constitué par la self et la ligne coaxiale de telle sorte que la fréquence de fonc= EMI2.10 t.ionne#nt de l'oscillateur se trouve déterminée par le cristal associée 2.Les dites lignes coaxiales s'étendent jusqu'au point situé à distance de sélection de fréquence auquel se trouvent les dites selfs EMI2.11 ainsi que les dits dispositifs d2interruption,, 3.Chacune des dites selfs est shuntée par une résistance destinée à réduire son coefficient de surtension. en annexe 1 dessin.
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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BE531624A true BE531624A (fr) |
Family
ID=163908
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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