ATE38296T1 - Photovolteische zelle vom pin-typ mit heterouebergang zwischen einer amorphen siliziumverbindung und amorphem silizium. - Google Patents

Photovolteische zelle vom pin-typ mit heterouebergang zwischen einer amorphen siliziumverbindung und amorphem silizium.

Info

Publication number
ATE38296T1
ATE38296T1 AT81110111T AT81110111T ATE38296T1 AT E38296 T1 ATE38296 T1 AT E38296T1 AT 81110111 T AT81110111 T AT 81110111T AT 81110111 T AT81110111 T AT 81110111T AT E38296 T1 ATE38296 T1 AT E38296T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
heterojunion
photovoltic
amorphen
cell
pin type
Prior art date
Application number
AT81110111T
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Hamakawa
Yoshihisa Tawada
Original Assignee
Kanegafuchi Chemical Ind
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP55171375A external-priority patent/JPS5795677A/ja
Priority claimed from JP55181150A external-priority patent/JPS57104276A/ja
Priority claimed from JP56012313A external-priority patent/JPS57126175A/ja
Priority claimed from JP56022690A external-priority patent/JPS57136377A/ja
Application filed by Kanegafuchi Chemical Ind filed Critical Kanegafuchi Chemical Ind
Priority claimed from EP81110111A external-priority patent/EP0053402B1/de
Application granted granted Critical
Publication of ATE38296T1 publication Critical patent/ATE38296T1/de

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
AT81110111T 1980-12-03 1981-12-03 Photovolteische zelle vom pin-typ mit heterouebergang zwischen einer amorphen siliziumverbindung und amorphem silizium. ATE38296T1 (de)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55171375A JPS5795677A (en) 1980-12-03 1980-12-03 Amorphous silicon type photoelectric tranducer
JP55181150A JPS57104276A (en) 1980-12-19 1980-12-19 Amorphous silicon thin film photoelectric element
JP56012313A JPS57126175A (en) 1981-01-29 1981-01-29 Amorphous silicon carbide/amorophous silicon hetero junction optoelectric element
JP56022690A JPS57136377A (en) 1981-02-17 1981-02-17 Amorphous silicon nitride/amorphous silicon heterojunction photoelectric element
EP81110111A EP0053402B1 (de) 1980-12-03 1981-12-03 Photovolteische Zelle vom pin-Typ mit Heteroübergang zwischen einer amorphen Siliziumverbindung und amorphem Silizium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE38296T1 true ATE38296T1 (de) 1988-11-15

Family

ID=27513180

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT81110111T ATE38296T1 (de) 1980-12-03 1981-12-03 Photovolteische zelle vom pin-typ mit heterouebergang zwischen einer amorphen siliziumverbindung und amorphem silizium.

Country Status (1)

Country Link
AT (1) ATE38296T1 (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3583969D1 (de) Abtastvorrichtung mit halbleiterlaser.
DE3675321D1 (de) Halbleiteranordnung mit packung vom steckerstifttyp.
DE3683263D1 (de) Halbleiteranordnung mit einer silizium-auf-isolator-struktur.
DE3574777D1 (de) Hochspannungsgeraet.
DE3851458D1 (de) Vorrichtung mit einer scheideförmigen Durchflusszelle.
DE3576433D1 (de) Halbleiterspeichervorrichtung.
DE3878527D1 (de) Nichtwaessrige zelle.
DE3584189D1 (de) Halbleiterspeichergeraet.
DE3581773D1 (de) Halbleiterspeichervorrichtung.
DE3585364D1 (de) Halbleitervorrichtungen mit hoher durchbruchspannung.
DE3583453D1 (de) Halbleiterlaservorrichtung mit einem isolator.
DE3578224D1 (de) Integrierte schaltung vom chip-auf-chip-typ.
NO153617C (no) Silduk samt fremgangsmaate for dens fremstilling.
DE3676321D1 (de) Halbleiterlaser-vorrichtung mit schutzbelag an den seitenflaechen.
DE3587704D1 (de) Photoleitende Vorrichtung mit perylenen Farbstoffen.
DK33583A (da) Blyakkumulator
DE3578989D1 (de) Halbleiterspeichergeraet mit schreibepruefoperation.
DE3484413D1 (de) Konzentrator mit prioritaetsverteilung.
DE3889563D1 (de) Halbleiteranordnung mit Schmelzsicherung.
DE3577949D1 (de) Halbleiterbauelement mit hoher durchschlagspannung.
DE3587052D1 (de) Halbleiterspeichergeraet.
BR8100938A (pt) Celula fotovoltaica aperfeicoada e respectivo processo de fabricacao
DE3587450D1 (de) Terminalschnittstelle mit fiberoptik.
DE3576613D1 (de) Brennstoffzellenvorrichtungen.
ATA906284A (de) Polyolefin mit guten haftungseigenschaften

Legal Events

Date Code Title Description
UEP Publication of translation of european patent specification
RZN Patent revoked