AT9877U1 - Verfahren zur herstellung eines schaltungsträgers - Google Patents

Description

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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträgers bei dem auf ein metallisches Trägermaterial, insbesondere aus Aluminium oder Kupfer, eine Schicht aus dielektrischem Material thermisch gespritzt wird, wobei die aufgespritzte Schicht aus dielektrischem Material eine Vielzahl von Poren aufweist.

Derartige Schaltungsträger werden vorrangig im Bereich der Leistungselektronik, insbesondere im Bereich von Hochtemperaturanwendungen wie dem Motorraum oder Antriebsstrang von Kraftfahrzeugen, eingesetzt.

Der Betrieb jeder elektrischer bzw. elektronischer Schaltung ist mit der Entstehung von Abwärme verbunden, welche, um einer Beeinträchtigung des Betriebs bzw. einer Zerstörung der Schaltung vorzubeugen, so schnell wie möglich abgeführt werden muss. Insbesondere Leistungselektronik zeichnet sich im Betrieb durch eine sehr große Menge von Abwärme aus. Erschwerend kommt bei Hochtemperaturanwendungen noch die relativ hohe Umgebungstemperatur von weit über 100 °C (beispielsweise ca. 150 °C in gewissen Bereichen des Motorraums von Kraftfahrzeugen) hinzu. Um eine möglichst rasche Ableitung der Abwärme zu erreichen, werden die elektrischen bzw. elektronischen Schaltungen auf Schaltungsträgern angebracht, deren metallisches Trägermaterial als Kühlkörper für die Schaltung fungieren kann.

Die Schicht aus dielektrischen Material, welche meist sehr viel dünner ausgebildet ist als jene aus metallischem Material, dient vor allem dazu, die einzelnen Leiterbahnen, welche auf der Schicht aus dielektrischem Material angeordnet sind, vom metallischen Trägermaterial elektrisch zu isolieren. Daneben kann ein dielektrisches Material gewählt werden, welches sich durch einen sehr niedrigen Wärmeübergangswiderstand auszeichnet, sodass die Abwärme von elektrischen bzw. elektronischen Bauteilen, welche auf der Schicht aus dielektrischem -Material angeordnet sind, so schnell wie möglich über das metallische Trägerelement abgeführt werden kann.

Die Schicht aus dielektrischem Material wird bevorzugt in einem thermischen Spritzverfahren auf das metallische Trägermaterial aufgebracht. Derartige Verfahren sind beispielsweise in der GB 990 023, GB 1 461 031 und EP 115 412 A2 beschrieben. Obwohl sich das thermische Spritzverfahren an sich sehr gut für die Aufbringung des dielektrischen Materials auf das metallische Trägermaterial eignet, tritt doch das Problem auf, dass die aufgespritzte Schicht aus dielektrischem Material eine Vielzahl von Poren aufweist, was das elektrische Isolationsvermögen der Schicht aus dielektrischem Material erheblich verringern kann. Besonders problematisch ist das Vorhandensein der Poren in einer feuchten Umgebung.

Es sind bereits Verfahren zum Versiegeln dieser Poren bekannt. Hierdurch soll verhindert werden, dass Feuchtigkeit in die Poren eindringt, wodurch es zu elektrischen Kurzschlüssen zwischen den Leiterbahnen und dem metallischen Trägermaterial kommen kann.

Beispielsweise beschreibt die EP 48 992 A2 ein Verfahren, bei welchem nach dem thermischen Aufspritzen der Schicht aus dielektrischem Material ein Harz zum Versiegeln der Poren auf die Schicht aus dielektrischem Material aufgestrichen wird. Aus der DE 195 29 627 C1 geht ebenfalls das Versiegeln der Poren durch das Aufbringen eines Epoxidharzes hervor. Daneben ist auch das Versiegeln der Poren durch eine im Temperaturbereich zwischen 600 °C und 800 °C schmelzende Keramikglasur beschrieben.

Der Einsatz von Harzen ist insofern nachteilig, als es sich um ein relativ aufwendiges Verfahren handelt, da die Harze in einer geeigneten Form (beispielsweise durch Polymerisierung - siehe EP 48 992 A2) gehärtet werden müssen. Die in der DE 195 29 627 C1 zusätzlich beschriebene Aufbringung einer Keramikglasur ist insofern nachteilig, als die bei den angegebenen Temperaturen schmelzende Keramikglasur, welche aus dem Porzellangewerbe stammt, stark bleihaltig ist und damit in den meisten Ländern nicht mehr angewendet werden darf. Weiters hat sich herausgestellt, dass eine derartige Keramikglasur häufig selbst porös ist, sodass der auf die 3 AT 009 877 U1

Schicht aus dielektrischem Material aufgebrachte Film selbst Löcher haben kann. In diesem Fall ist das Problem des Auftretens von Kurzschlüssen überhaupt nicht behoben.

Nachteilig ist bei allen Verfahren des Standes der Technik weiters, dass die Versiegelung der Poren in einem eigenen Arbeitsgang stattzufinden hat.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren bereitzustellen, welches die oben angeführten Nachteile des Standes der Technik vermeidet.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.

Durch das gemeinsame Aufbringen des Siegelmaterials mit dem dielektrischen Material wird zumindest ein vollständiger Arbeitsgang (nämlich das Aufbringen des Siegelmaterials) eingespart. Gegenüber dem Aufbringen eines Harzes weist das erfindungsgemäße Verfahren den weiteren Vorteil auf, dass ein weiterer Arbeitsgang, nämlich das Aushärten des Harzes entfallen kann. Die Erstarrung des Siegelmaterials erfolgt nämlich automatisch durch das Abkühlen des Siegelmaterials.

Prinzipiell kann das erfindungsgemäße Verfahren bei allen Arten von thermischen Spritzverfahren eingesetzt werden. Im Stand der Technik sind beispielsweise das Plasmaspritzen und Flammspritzen bekannt. Die deutsche Norm DIN 32530 unterteilt die unter dem Begriff „thermisches Spritzen“ zusammengefassten Spritzverfahren in genauer Weise. Beispielhaft sei das Plasmaspritzverfahren im Folgenden kurz beschrieben.

Beim Plasmaspritzen wird der pulverförmige Spritzzusatz in oder außerhalb einer Plasmakanone durch einen Plasmastrahl geschmolzen und auf die Werkstückoberfläche geschleudert. Das Plasma wird durch einen Lichtbogen erzeugt, der in einem Gas (Plasmagas) brennt, welches dabei dissoziiert und ionisiert wird. Die ionisierten Gasteilchen erreichen eine hohe Ausströmgeschwindigkeit und geben bei der Rekombination ihre Wärmeenergie an die Spritzpartikel ab.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren kann das Siegelmaterial an sich getrennt vom dielektrischen Material in den thermischen Strahl (Plasmastrahl) eingebracht werden. Besonders bevorzugt ist jedoch eine Ausführungsform der Erfindung, bei welcher das Siegelmaterial dem dielektrischen Material vor dem Aufspritzen beigemengt wird. Hierdurch kann einerseits eine gute Vermengung des Siegelmaterials und des dielektrischen Materials sichergestellt werden. Andererseits kann die Zuführung des aufzuspritzenden Materials über eine einzige Einbringungsvorrichtung erfolgen.

Als dielektrisches Material kann beispielsweise ein Keramikmaterial, vorzugsweise Aluminiumoxid (Al203) oder Aluminiumnitrit (AIN) verwendet werden.

Als Siegelmaterial eignen sich besonders Gläser. Beispielsweise kann vorgesehen sein, dass das verwendete Glas aus Dibismuttrioxid, Aluminiumoxid, Siliziumdioxid oder Dibortrioxid oder einem Gemisch aus zwei oder mehreren dieser Komponenten besteht. In einem möglichen Ausführungsbeispiel kann vorgesehen sein, dass das verwendete Glas aus 55% Dibismuttrioxid, 21% Aluminiumoxid, 14% Siliziumdioxid und 10% Dibortrioxid besteht. Geeignete Gläser können zum Beispiel von der Ferro Corporation, 1000 Lakeside Avenue, Cleveland, Ohio 44114-7000, USA (www.ferro.com) bezogen werden.

Das gewünschte Versiegeln der Poren kann mit einer Menge an Siegelmaterial von etwa 5 % bis 30 % der Gesamtmenge von dielektrischem Material und Siegelmaterial erreicht werden.

Wird als thermisches Spritzverfahren das Plasmaspritzen gewählt, sollte darauf geachtet werden, dass das meist in Pulverform vorliegende Siegelmaterial mit einer solchen Korngröße und Schmelztemperatur gewählt wird, dass das Siegelmaterial bis zur notwendigen Spritztempera- 4 AT 009 877 U1 tur, beispielsweise 2100 °C verbrennungsfrei auf das metallische Trägermaterial gespritzt werden kann. So können beispielsweise AI2O3 Pulver mit Partikelgrößen von 5 pm bis 60 pm (typisch -22,5 pm / +5,6 pm) und einer Schmelztemperatur von 2050°C verwendet.

Es hat sich herausgestellt, dass es für die Befestigung der Leiterbahnen und der elektrischen bzw. elektronischen Bauteile wünschenswert ist, wenn die Oberfläche der Schicht aus dielektrischem Material im Wesentlichen frei von Siegelmaterial ist. Beim Stand der Technik musste hierfür die zuvor aufgestrichene Harzschicht in einem gesonderten Arbeitsgang entfernt werden. Das erfindungsgemäße Verfahren weist den weiteren Vorteil auf, dass die Spritztemperatur und der Spritzdruck derart gewählt werden können, dass die Oberfläche der Schicht aus dielektrischem Material bereits nach Beendigung des Spritzvorganges ohne weitere Arbeitsschritte im Wesentlichen frei von Siegelmaterial ist.

Beispiel:

Im Spritzprozess erreicht der Plasmastrahl unmittelbar am Düsenaustritt eine sehr hohe Geschwindigkeit von typisch ca. 349m/s. Die Temperaturen liegen dabei oberhalb von 22.000°C. Die Geschwindigkeit ist dabei abhängig von der Partikelgröße und der Gasgeschwindigkeit. Die Temperaturen beim Auftreffen auf das Substrat liegen noch zwischen 2.500°C und 3.000°C wobei die Partikelgeschwindigkeiten je nach Partikelgröße noch zwischen 115m/s bis 220m/s betragen kann.

Die Erfindung betrifft weiters einen Schaltungsträger - insbesondere mit einer metallischen Trägerschicht, auf der zumindest bereichsweise eine dielektrische Schicht angeordnet ist -, wobei auf dem Schaltungsträger - gegebenenfalls auf der dielektrischen Schicht - Leiterbahnen angeordnet sind.

Bei bisher bekannten Schaltungsträgern fehlte die Möglichkeit komplexere Schaltungsaufbauten zu realisieren. Erfindungsgemäß ist daher vorgesehen, dass der Schaltungsträger wenigstens eine Stelle aufweist, an der sich in Draufsicht auf den Schaltungsträger zwei Leiterbahnen kreuzen, wobei zwischen den sich kreuzenden Leiterbahnen ein dielektrisches Material - vorzugsweise ein Glas - angeordnet ist.

Die Herstellung eines derartigen Schaltungsträgers kann derart erfolgen, dass wenigstens eine erste Leiterbahn auf den Schaltungsträger - gegebenenfalls auf die dielektrische Schicht - aufgebracht wird, dass an wenigstens einer Stelle ein dielektrisches Material auf die wenigstens eine erste Leiterbahn aufgebracht wird und dass wenigstens eine zweite Leiterbahn so auf den Schaltungsträger - gegebenenfalls auf die dielektrische Schicht - aufgebracht wird, dass sie an der wenigstens einen Stelle, die wenigstens eine erste Leiterbahn in Draufsicht auf den Schaltungsträger kreuzend, über das dielektrische Material verläuft.

Die Erfindung betrifft weiters einen Schaltungsträger mit einer metallischen Trägerschicht, auf der zumindest bereichsweise eine dielektrische Schicht angeordnet ist. Das Aufbringen der dielektrischen Schicht auf der metallischen Trägerschicht kann beispielsweise nach einer Ausführungsform des vorstehend beschriebenen Verfahrens erfolgen. Es sind jedoch auch andere Arten der Aufbringung der dielektrischen Schicht denkbar. Beispielsweise könnte die dielektrische Schicht auf die metallische Trägerschicht aufgedruckt und anschließend bei Temperaturen zwischen 400 °C und 530 °C gesintert werden. Insbesondere bei dieser Methode ist häufig keine zusätzliche Versiegelung der dielektrischen Schicht notwendig, da die dielektrische Schicht ohnehin keine Poren aufweist.

Die konstruktive Einsetzbarkeit eines derartigen Schalterträgers wird erfindungsgemäß dadurch erhöht, dass die metallische Trägerschicht wenigstens bereichsweise gekrümmt ausgebildet ist. Durch eine derartige Ausbildung kann auf im jeweiligen Anwendungsfall vorliegende geometrische Gegebenheiten besonders Rücksicht genommen werden. 5 AT 009 877 U1

Insbesondere das thermische Spritzen eignet sich besonders für die Herstellung eines derartigen Schaltungsträgers, da es für das Aufspritzen des dielektrischen Materials gleichgültig ist, ob die metallische Trägerschicht gekrümmt oder eben ausgebildet ist.

Natürlich können auf einem derartigen Schaltungsträger auf der dielektrischen Schicht, insbesondere auch im gekrümmten Bereich, Leiterbahnen und/oder elektrische bzw. elektronische Bauteile angebracht sein.

Die dielektrische Schicht kann ebenso wie in den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen ein Keramikmaterial, vorzugsweise Aluminiumoxid (Al203) oder Aluminiumnitrid (AIN) sein.

Die Erfindung betrifft weiters eine Vorrichtung mit einem Schaltungsträger, wobei der Schaltungsträger eine metallische Trägerschicht aufweist, insbesondere mit einem Schaltungsträger nach einer der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen.

Bei Vorrichtungen gemäß dem Stand der Technik kommen dem Schaltungsträger in der Vorrichtung keine strukturellen Aufgaben zu.

Bei dieser Variante der Erfindung ist hingegen vorgesehen, dass die metallische Trägerschicht des Schaltungsträgers als Strukturelement der Vorrichtung ausgebildet ist. Hierdurch kann ein beim Stand der Technik gesondert vorzusehendes Strukturelement eingespart werden. Weiters kann die metallische Trägerschicht als Strukturelement eines Teils der Vorrichtung ausgebildet sein, welcher ohnehin zur Kühlung der Vorrichtung ausgebildet ist. In diesem Fall ergibt sich ein verbesserter Kühleffekt von am Schaltungsträger angeordneten elektrischen bzw. elektronischen Bauteilen.

Beispielsweise kann bei Vorrichtungen, welche eine von Gehäusewänden umschlossene Kammer aufweisen, die durch eine Trennwand in zwei Teilkammern geteilt ist, vorgesehen sein, dass der Schaltungsträger selbst die Trennwand bildet. Andererseits kann allgemein vorgesehen sein, dass der Schaltungsträger einen Teil des Gehäuses an der Vorrichtung bildet.

Ein besonders bevorzugtes Ausführungsbeispiel dieser Variante der Erfindung betrifft eine Vorrichtung, welche als Wasserpumpe ausgebildet ist.

Insbesondere im Motorbereich von Kraftfahrzeugen kommen Wasserpumpen zum Einsatz, welche zwei Kammern aufweisen, wobei die Elektronik der Wasserpumpe in einer ersten der beiden Teilkammern angeordnet ist und die wasserfördernden Teile der Wasserpumpe in einer zweiten der beiden Teilkammern angeordnet sind. Beim Stand der Technik sind die beiden Teilkammern durch eine eigens vorgesehene Trennwand voneinander abgetrennt, wobei allerdings auf der Trennwand der die Elektronik der Wasserpumpe tragende Schaltungsträger befestigt war.

Zur Verbesserung der Abfuhr der Abwärme kann nunmehr erfindungsgemäß vorgesehen sein, dass der Schaltungsträger die Trennwand zwischen den beiden Teilkammern bildet und so in der Kammer angeordnet ist, dass jene Seite des Schaltungsträgers, welche die elektrischen bzw. elektronischen Bauteile trägt, in der ersten Teilkammer angeordnet ist, während die andere Seite des Schaltungsträgers im Betrieb der Wasserpumpe von sich in der zweiten Teilkammer befindendem Wasser überströmbar ist. Diese Ausführungsform zeichnet sich nicht nur durch die Einsparung eines Strukturteiles, sondern insbesondere durch eine sehr gute Kühlung der elektrischen bzw. elektronischen Bauteile aus.

Falls jene Seite des Schaltungsträgers, welche die elektrischen bzw. elektronischen Bauteile trägt, nicht gesondert wasserdicht isoliert ist, müssten natürlich die beiden Teilkammern selbst voneinander durch Isolierungen wasserdicht isoliert sein. 6 AT 009 877 U1

In allen Ausführungsbeispielen ist vorzugsweise vorgesehen, dass die Schicht aus metallischem Trägermaterial gleichzeitig als mechanischer (starrer) Träger aller Komponenten des Schaltungsträgers fungiert.

Weitere Vorteile und Einzelheiten der einzelnen Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich anhand der Figuren sowie der dazugehörigen Figurenbeschreibungen. Dabei zeigen:

Fig. 1 schematisch eine Vorrichtung zur Durchführung eines erfindungsgemäßen

Verfahrens,

Fig. 2a, 2b, 2c einen mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Schaltungsträger in Draufsicht, Seitendarstellung und in einer Detailansicht und Fig. 3 den Einsatz eines erfindungsgemäßen Schaltungsträgers in einer Wasserpum pe.

Fig. 1 zeigt das thermische Aufspritzen einer Schicht 3 aus dielektrischem Material auf eine Schicht 2 aus metallischem Trägermaterial eines Schaltungsträgers 1. Schematisch dargestellt ist eine Plasmakanone 13 mit einer Kathode 14 und einer Anode 15. Die Pfeile 16 deuten die Zuführung von Plasmagas an. Durch eine Hochfrequenzzündung kommt es zur Ausbildung eines Lichtbogens zwischen der Kathode 14 und der Anode 15, was zur Ionisierung des Plasmagases führt. Das so entstandene Plasma verlässt die Brenndüse mit hohen Geschwindigkeiten (ca. 300 bis 700 m/s) und mit Temperaturen von ca. 15000 bis 20000 °C. Über eine Einbringungsvorrichtung 17 wird das auf die Schicht 2 aufzubringende Material (dargestellt durch den Pfeil 18) in den Plasmastrahl eingebracht, wo es durch diesen aufgeschmolzen und auf eine hohe Geschwindigkeit beschleunigt wird. Das aufgeschmolzene Material trifft mit einer hohen Geschwindigkeit auf die metallische Trägerschicht 2 auf (Strahl 19) und lagert sich dort als Schicht 3 aus dielektrischem Material ab. Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird ein Gemenge aus dem Siegelmaterial und dem dielektrischen Material gemeinsam über die Einbringungsvorrichtung 17 in den Plasmastrahl eingebracht.

Fig. 2a zeigt in Draufsicht beispielhaft einen Schaltungsträger 1 an dessen Schicht 3 aus dielektrischem Material Leiterbahnen 4 sowie elektrische bzw. elektronische Bauteile 5 angebracht sind. In diesem Ausführungsbeispiel besteht die metallische Trägerschicht 2 aus Aluminium, welche vor dem thermischen Bespritzen mittels Sandstrahltechnik gereinigt und angeraut wurde. Die Schicht 3 überdeckt die metallische Trägerschicht 2 vollflächig. An den vier Ecken der metallischen Trägerschicht 2 sind Bohrungen 8 angeordnet, über die der Schaltungsträger 1 später verschraubt werden kann. In Fig. 2a sind weiters eine vierundzwanzigpolige Steckerleiste 6 sowie eine neunpolige Steckerleiste 7 erkennbar. Bei den dargestellten elektrischen bzw. elektronischen Bauteilen 5 handelt es sich um einen Mikrokontroller, Regler, Treiberschaltkreise, Leistungstransistoren und Widerstände. An der Stelle 22 kreuzen sich zwei Leiterbahnen 4, 4', wobei zwischen den sich kreuzenden Leiterbahnen 4, 4' ein dielektrisches Material 22 angeordnet ist.

Die Leiterbahnen 4 wurden nach dem thermischen Aufspritzen der Schicht 3 aus dielektrischem Material auf diese aufgedruckt und anschließend bei Temperaturen zwischen 400 °C und 530 °C gesintert. Auf die gedruckten Leiterbahnen 4 wurde anschließend mittels Schablonendruck eine Lotpastenschicht aufgetragen, in die dann die elektrischen bzw. elektronischen Bauteile 5 hineinbestückt wurden.

Die bestückten Bauteile 5 und die Steckerleisten 6, 7 wurden gleichzeitig auf dem Schaltungsträger 1 verlötet.

Um eine ideale Abfuhr der Abwärme der elektrischen bzw. elektronischen Bauteile 5 zu erzielen, wurden alle elektrischen bzw. elektronischen Bauteile 5 unmittelbar, das heißt ohne Zwischenträger, auf dem Schaltungsträger 1 (auf dessen Schicht 3) montiert.

Claims (24)

1. 7 AT 009 877 U1 In Fig. 2b ist der Schichtaufbau eines erfindungsgemäßen Schaltungsträgers 1 dargestellt. Diese Darstellung ist selbstverständlich nicht maßstabsgerecht. Beispielsweise kann die Dicke der metallischen Trägerschicht 2 bis zu 10 mm (typisch 1-5 mm) betragen, während die Schicht 3 aus dielektrischem Material üblicherweise eine Dicke von 30 pm bis 70 pm aufweist. Fig. 2c zeigt eine Detailsicht des in den Fig. 2a und 2b dargestellten Schaltungsträgers 1 im Bereich der Schicht 3 aus dielektrischem Material. Erkennbar sind in der Schicht 3 aus dielektrischem Material angeordnete Poren 20, welche durch Siegelmaterial 9 versiegelt sind. Erkennbar ist weiters, dass die Oberfläche der Schicht 3 aus dielektrischem Material außerhalb des Bereichs der Poren 20 im Wesentlichen frei vom Siegelmaterial 9 ist. Fig. 3 zeigt eine spezielle Anwendung eines erfindungsgemäßen Schaltungsträgers 1 in einer Wasserpumpe 10. Die Wasserpumpe 10 weist dabei eine erste Teilkammer 11 und eine zweite Teilkammer 12 auf. Der Schaltungsträger 1 ist als Strukturelement (in diesem Fall als Trennwand) zwischen den beiden Teilkammern 11, 12 der Wasserpumpe 10 angeordnet. Die Anordnung ist so gewählt, dass die metallische Trägerschicht 2 zur zweiten Teilkammer 12 zeigt, während die Schicht 3 aus dielektrischem Material mit den daran angeordneten elektrischen bzw. elektronischen Bauteilen 5 in die erste Teilkammer 11 ragt. Im Betrieb der Wasserpumpe 10 kann die metallische Trägerschicht 2 vom in der Teilkammer 12 befindlichen Wasser überströmt werden, was die Kühlung der elektrischen bzw. elektronischen Bauelemente 5 erheblich verbessert. Um zu verhindern, dass Wasser von der zweiten Teilkammer 12 in die-erste Teilkammer 1 eindringt sind wasserdichte Isolierungen 21 vorgesehen. Ansprüche: 1. Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträgers bei dem auf ein metallisches Trägermaterial, insbesondere aus Aluminium oder Kupfer, eine Schicht aus dielektrischem Material thermisch gespritzt wird, wobei die aufgespritzte Schicht aus dielektrischem Material eine Vielzahl von Poren aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass gemeinsam mit dem dielektrischen Material ein Siegelmaterial auf das metallische Trägermaterial thermisch gespritzt wird, sodass die Poren (20) der Schicht (3) aus dielektrischem Material durch das Siegelmaterial (9) versiegelt werden.
2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Siegelmaterial (9) dem dielektrischen Material vor dem Aufspritzen beigemengt wird.
3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass als dielektrisches Material ein Keramikmaterial, vorzugsweise Aluminiumoxid (Al203) oder Aluminiumnitrid (AIN), verwendet wird.
4. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass als Siegelmaterial (9) Glas verwendet wird.
5. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das verwendete Glas aus Dibismuttrioxid, Aluminiumoxid, Siliziumdioxid oder Dibortrioxid oder einem Gemisch aus zwei oder mehreren dieser Komponenten besteht.
6. 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das verwendete Glas aus 55 % Dibismuttrioxid, 21 % Aluminiumoxid, 14 % Siliziumdioxid und 10 % Dibortrioxid besteht.
7. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Menge an Siegelmaterial (9) etwa 5 % - 30 % der Gesamtmenge von dielektrischem Material und Siegelmaterial (9) beträgt. 8 AT 009 877 U1
8. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Siegelmaterial (9) in Pulverform vorliegend verwendet wird, wobei die Korngröße und die Schmelztemperatur des Sigelmaterials (9) derart gewählt werden, dass das Siegelmaterial (9) bis zu einer Spritztemperatur von etwa 1800° C verbrennungsfrei auf das metallische Trägermaterial gespritzt werden kann.
9. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Spritztemperatur und der Spritzdruck derart gewählt werden, dass die Oberfläche der Schicht (3) aus dielektrischem Material nach Beendigung des Spritzvorganges im Wesentlichen frei von Siegelmaterial (9) ist.
10. 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass auf die dielektrische Schicht (3) Leiterbahnen (4) aufgebracht werden.
11. 11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass am Schaltungsträger (1) elektrische und/oder elektronische Bauteile (5) angebracht werden.
12. 12. Schaltungsträger - insbesondere mit einer metallischen Trägerschicht, auf der zumindest bereichsweise eine dielektrische Schicht angeordnet ist -, wobei auf dem Schaltungsträger - gegebenenfalls auf der dielektrischen Schicht - Leiterbahnen angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltungsträger (1) wenigstens eine Stelle (22) aufweist, an der sich in Draufsicht (22) auf den Schaltungsträger (1) zwei Leiterbahnen (4, 4') kreuzen, wobei zwischen den sich kreuzenden Leiterbahnen (4, 4') ein dielektrisches Material (23) - vorzugsweise ein Glas - angeordnet ist.
13. 13. Schaltungsträger mit einer metallischen Trägerschicht, auf der zumindest bereichsweise eine dielektrische Schicht angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Trägerschicht (2) wenigstens bereichsweise gekrümmt ausgebildet ist.
14. 14. Schaltungsträger nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass auf der dielektrischen Schicht (3) Leiterbahnen (4) angeordnet sind.
15. 15. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die dielektrische Schicht (3) ein Keramikmaterial, vorzugsweise Aluminiumoxid (Al203) oder Aluminiumnitrid (AIN) ist.
16. 16. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass am Schaltungsträger (1) elektrische und/oder elektronische Bauteile (5) angebracht sind.
17. 17. Vorrichtung mit einem Schaltungsträger, wobei der Schaltungsträger eine metallische Trägerschicht aufweist, insbesondere nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Trägerschicht (2) als Strukturelement der Vorrichtung ausgebildet ist.
18. 18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltungsträger (1) einen Teil des Gehäuses der Vorrichtung bildet.
19. 19. Vorrichtung nach Anspruch 17 oder 18, wobei die Vorrichtung eine von Gehäusewänden umschlossene Kammer aufweist und wobei eine Trennwand die Kammer in zwei Teilkammern teilt, dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltungsträger (1) die Trennwand bildet.
20. 20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung eine Wasserpumpe (10) ist.
21. 21. Wasserpumpe nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektronik der Was- g AT 009 877 U1 serpumpe (10) in einer ersten (11) der beiden Teilkammern (11, 12) angeordnet ist und dass die Wasser fördernden Teile der Wasserpumpe (10) in einer zweiten (12) der beiden Teilkammern (11, 12) angeordnet sind.
22. 22. Wasserpumpe nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass der die Trennwand bildende Schaltungsträger (1) so in der Kammer angeordnet ist, dass jene Seite des Schaltungsträger (1), welche die elektrischen bzw. elektronischen Bauteile (5) trägt, in der ersten Teilkammer (11) angeordnet ist, wobei die andere Seite des Schaltungsträgers (1) im Betrieb der Wasserpumpe (10) von sich in der zweiten Teilkammer (12) befindendem Wasser überströmbar ist.
23. 23. Wasserpumpe nach Anspruch 21 oder 22, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Teilkammern (11, 12) voneinander durch Isolierungen wasserdicht isoliert sind.
24. 24. Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträger nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine erste Leiterbahn (4) auf den Schaltungsträger (1) - gegebenenfalls auf die dielektrische Schicht (3) - aufgebracht wird, dass an wenigstens einer Stelle (22) ein dielektrisches Material (23) auf die wenigstens eine erste Leiterbahn (4) aufgebracht wird und dass wenigstens eine zweite Leiterbahn (4') so auf den Schaltungsträger (1) - gegebenenfalls auf die dielektrische Schicht (3) aufgebracht wird, dass sie an der wenigstens einen Stelle (22), die wenigstens eine erste Leiterbahn (4) in Draufsicht auf den Schaltungsträger (1) kreuzend, über das dielektrische Material verläuft. Hiezu 3 Blatt Zeichnungen