AT361043B - Thyristor mit monolithisch integrierter diode und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents
Thyristor mit monolithisch integrierter diode und verfahren zu seiner herstellungInfo
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- AT361043B AT361043B AT962674A AT962674A AT361043B AT 361043 B AT361043 B AT 361043B AT 962674 A AT962674 A AT 962674A AT 962674 A AT962674 A AT 962674A AT 361043 B AT361043 B AT 361043B
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/101—Integrated devices comprising main components and built-in components, e.g. IGBT having built-in freewheel diode
- H10D84/131—Thyristors having built-in components
- H10D84/135—Thyristors having built-in components the built-in components being diodes
- H10D84/136—Thyristors having built-in components the built-in components being diodes in anti-parallel configurations, e.g. reverse current thyristor [RCT]
Applications Claiming Priority (1)
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Family
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Family Applications (1)
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