AT327587B - Transistortemperaturregler - Google Patents
TransistortemperaturreglerInfo
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- AT327587B AT327587B AT218373A AT218373A AT327587B AT 327587 B AT327587 B AT 327587B AT 218373 A AT218373 A AT 218373A AT 218373 A AT218373 A AT 218373A AT 327587 B AT327587 B AT 327587B
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/20—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature
- G05D23/24—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature the sensing element having a resistance varying with temperature, e.g. a thermistor
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- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1906—Control of temperature characterised by the use of electric means using an analogue comparing device
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Description
<Desc/Clms Page number 1> Gegenstand der Erfindung ist ein Transistortemperaturregler mit einem Thermistor- bzw. Widerstands fühler. Bekannte Transistorregler bestehen aus einer nicht abgeglichenen Wheatstoneschen Brücke mit einem temperaturabhängigen Widerstandselement, einem Potentiometer zum Abgleich der Brücke für eine gewünschte Temperatur, einem Spannungsverstärker für den nicht abgeglichenen Zustand der Brücke und einem Verstärker mit Relais für die Steuerung des Heiz- bzw. Kühlsystems. Oben genannte Regler arbeiten in zwei grundsätzlichen Schaltungen. In dem ersten System wird die Brücke zusammen mit dem Thermistorfühler mit Gleichspannung bzw. gleichgerichteter Spannung gespeist, und die Diagonale der Brücke ist galvanisch mit der ersten Stufe des Spannungsverstärkers für den nichtabgeglichenen Zustand verbunden. Zu den Nachteilen dieses Systems gehört der grosse Einfluss der Umgebungstemperatur auf die Umschaltungsgrenze, besonders des ersten Transistors, der in der Schaltung des Gleichstromverstärkers arbeitet, und die Trägheit des Systems, die hauptsächlich durch verspätetes Ansprechen des Relaissystems verursacht wird. Ein weiterer Nachteil dieses Systems ist der ungünstige Einfluss der in der Brücke entstehenden thermoelektrischen Spannungen. In dem zweiten Reglersystem wird die Brücke mit Wechselspannung gespeist. Der Spannungsverstärker für den nicht abgeglichenen Zustand ist ein Wechselspannungsverstärker, und die Feststellung der Richtung des nichtabgeglichenen Zustandes der Brücke erfolgt in der Schaltung des Phasendetektors. In diesem System wird auch ein Phasenschieber angewendet. Mit dessen Hilfe wird die Phasenübereinstimmung der Spannung des nichtabgeglichenen Zustandes mit der Vergleichsspannung in einem nichtabgeglichenem Zustand der Brücke hergestellt. Nach der Filterung steuert die Gleichspannung des Phasendetektors das Relais, damit der Verstärker mit dem Relais auf die Veränderung der Spannungskomponente nicht reagiert. Nachteil dieses Systems ist die grosse Trägheit, die hauptsächlich durch die grosse Zeitkonstante des Spannungsfilterungssystems, das hinter dem Phasendetektor angeordnet ist, verursacht wird, und die Notwendigkeit der Einstellung des Phasenschiebers. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Temperaturregler zu schaffen, bei dem die Anordnung eines Phasenschiebers und eines Phasendetektors nicht notwendig ist. Die Erfindung geht aus von einem Transistortemperaturregler mit einer mit Wechselspannung gespeisten Brücke, in der ein Widerstandswärmefühler angeordnet ist und mit einem Verstärker mit nachgeschaltetem Relais. Die gestellte Aufgabe wird gemäss der Erfindung dadurch gelöst, dass an die Diagonale der von einer getrennten Wechselspannungsquelle gespeisten Brücke eine Darlingtonschaltung aus Transistoren in Emitterfolgeschaltung angeschlossen ist, wobei parallel zur Basis-Emitter-Strecke eines der Transistoren eine Diode geschaltet ist, um die Temperatur zu kompensieren. Vorzugsweise ist dabei ein Relais zusammen mit einer Kapazität in den Emitterkreis eines der Transistoren, der galvanisch mit dem Emitter des andern Transistors verbunden ist, geschaltet. Ausserdem sind die Brücke einerseits und die Darlingtonschaltung der Transistoren zusammen mit der Relaisschaltung anderseits von getrennten Spannungsquellen mit der gleichen Phasenverschiebung in Punkten 9, 10 gespeist. Der erfindungsgemässe Temperaturregler besitzt eine hohe Empfindlichkeit, besteht aus einer einfachen Konstruktion und ist in einem grossen Bereich von Speisespannungsveränderungen unabhängig. Das Schaltschema der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt. Die eine Diagonale einer Brücke--A--, in deren einen Zwei sich ein Temperaturwiderstandsfühler --l-- und ein regelbarer Widerstand -2-- zur Einstellung der Ansprechgrenze befindet, ist an eine Wechselspannungsquelle angeschlossen. Die Spannung der zweiten Diagonale bei nichtabgeglichenem Zustand der Brücke gelangt in die Darlingtonschaltung, die sich aus Transistoren--3 und 4--und einer Diode--5--zusammensetzt. Diese Schaltung steuert einen Transistor--6--, in dessen Emitterkreis ein Relais--7--parallel zu einer Kapazität --8-- geschaltet ist. Die Wirkungsweise des Temperaturreglers ist wie folgt : In nichtabgeglichenem Zustand der Brücke-grosser Widerstand des Fühlers-verursacht die abzugleichende Spannung, dass die Transistoren-3 und 4-bei positiven Halbperioden der Speisewechselspannung der Brücke--A--leitend werden. Dadurch wird der Transistor--6--angesteuert und das Ansprechen des Relais--7--verursacht. Bei Erwärmung des Fühlers geht die Brücke--A--in den Gleichgewichtszustand über, die Darlingtonschaltung der Transistoren--3, 4-wird gesperrt, wodurch der Transistor--6--gesperrt wird und das Relais --7-- abfällt. EMI1.1 Kompensation des Nullstromes der Basisverbindung. Dieser Strom würde sonst mit zunehmender Arbeitstemperatur wachsen. Der Wert der Kapazität-8-, die parallel zum Relais --7-- geschaltet ist, ist derart gewählt, dass das Relais--7--anzieht, wenn die Transistoren--3, 4, 6--bei den negativen Hälften der Speisespannung der Brücke--A--gesperrt sind.
Claims (1)
- PATENTANSPRÜCHE : 1. Transistortemperaturregler mit einer mit Wechselspannung gespeisten Brücke, in der ein Widerstandswärmefühler angeordnet ist und mit einem Verstärker mit nachgeschaltetem Relais, EMI2.1 gespeisten Brücke (A) eine Darlingtonschaltung aus Transistoren in Emitterfolgeschaltung (3,4) angeschlossen ist, wobei parallel zur Basis-Emitter-Strecke eines der Transistoren (4) eine Diode (5) geschaltet ist. EMI2.2 und eine Kapazität (8) in den Emitterkreis eines der Transistoren (6) geschaltet ist, der galvanisch mit dem Emitter des andern Transistors (4) verbunden ist. EMI2.3 Brücke (A) einerseits und die Darlingtonschaltung der Transistoren (3, 4) zusammen mit der Relaisschaltung (6,7, 8) anderseits von getrennten Spannungsquellen mit der gleichen Phasenverschiebung in Punkten (9, 10) gespeist sind.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT218373A AT327587B (de) | 1973-03-12 | 1973-03-12 | Transistortemperaturregler |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT218373A AT327587B (de) | 1973-03-12 | 1973-03-12 | Transistortemperaturregler |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ATA218373A ATA218373A (de) | 1975-04-15 |
| AT327587B true AT327587B (de) | 1976-02-10 |
Family
ID=3529482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT218373A AT327587B (de) | 1973-03-12 | 1973-03-12 | Transistortemperaturregler |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT327587B (de) |
-
1973
- 1973-03-12 AT AT218373A patent/AT327587B/de active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATA218373A (de) | 1975-04-15 |
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