CH392704A
(de )
1965-05-31
Verfahren zur Herstellung von mehrschichtigen Halbleiteranordnungen
AT257566B
(de )
1967-10-10
Verfahren zur Erzeugung von Methacrylonitril aus Isobuten
CH444835A
(de )
1967-10-15
Verfahren zur Herstellung von Epoxyalkoholen
AT247009B
(de )
1966-05-25
Verfahren zur Herstellung von flächenförmigen Gebilden
CH471227A
(de )
1969-04-15
Verfahren zur Herstellung von metallischem Kupfer durch Reduktion
CH401633A
(de )
1965-10-31
Verfahren zum Ätzen von im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörpern
CH433510A
(de )
1967-04-15
Verfahren zur Serienfertigung von Halbleiterbauelementen
AT246699B
(de )
1966-04-25
Verfahren zur Herstellung von wasserunlöslichen Metallsilikaten
CH414676A
(de )
1966-06-15
Verfahren zur Herstellung von Phenyläthanolaminen
CH424765A
(de )
1966-11-30
Verfahren zur Herstellung von ungesättigten Ketonen
CH406177A
(de )
1966-01-31
Verfahren zur Gewinnung von ungesättigten Aldehyden
AT238768B
(de )
1965-02-25
Verfahren zur abschließenden Formgebung von Halbleitersystemen durch elektrolytische Feinätzung
CH437815A
(de )
1967-06-15
Verfahren zur Reduktion von Kupferoxyd
AT244289B
(de )
1965-12-27
Verfahren zur Herstellung von metallisierten Flächengebilden
AT244596B
(de )
1966-01-10
Verfahren zur Herstellung von gehärteten Harzen
CH425774A
(de )
1966-12-15
Verfahren zur Herstellung von 19-Nor-steroiden
CH410251A
(de )
1966-03-31
Verfahren zur Herstellung von Waschmitteln
CH433205A
(de )
1967-04-15
Verfahren zur Herstellung von Einkristallen aus Metalloxyden
CH430225A
(de )
1967-02-15
Verfahren zur Herstellung von Uran-Aluminium-Legierungen
CH397878A
(de )
1965-08-31
Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
CH443288A
(de )
1967-09-15
Verfahren zur Herstellung von Steroid-Galacturoniden
CH415579A
(de )
1966-06-30
Verfahren zur Herstellung von feindispersem Kupferoxychlorid
CH450407A
(de )
1968-01-31
Verfahren zur Herstellung von 13-homologisierten Steroid-Ketonen
AT238692B
(de )
1965-02-25
Verfahren zur Herstellung von Kapseln durch Koacervierung
CH406440A
(de )
1966-01-31
Verfahren zur abschliessenden Formgebung von Übergängen zwischen Gebieten unterschiedlichen Leistungstyps in Halbleitersystemen