AT234767B - Verfahren zum Herstellen extrem planer einkristalliner Halbleiterflächen - Google Patents
Verfahren zum Herstellen extrem planer einkristalliner HalbleiterflächenInfo
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Description
<Desc/Clms Page number 1>
Verfahren zum Herstellen extrem planer einkristalliner Halbleiterflächen
EMI1.1
<Desc/Clms Page number 2>
Materialien als Träger bzw. zum Aufwachsen verwendet werden. Eine solche Auflagefläche kann entwe- der poliert oder mit einer aufgewachsenen Deckschicht, z. B. aus SiC oder aus einer stickstoffhaltigen Schicht, wie Si N, versehen sein. Es kann eine HF-Heizung vorgesehen sein.
Der anschliessende Aufwachsprozess wird in einem mit 30 l/h strömenden SiCI/H-Gemisch im Mol- Verhältnis 1 : 25 durchgeführt ; die Trägerscheiben werden auf einer Temperatur von 11500C gehalten. In etwa 5 min wachsen 35 J. L dicke Schichten auf ; ihre Wachstumsrichtung ist gleich der Ziehrichtung des Siliciumstabes, aus dem die als Träger dienenden Scheiben herausgeschnitten worden sind.
Es ist für das erfindungsgemässe. Verfahren ohne unmittelbaren Belang, welcher Art die Gasphase ist, aus der die Abscheidung des Halbleitermaterials erfolgt. Im vorstehenden Beispiel kann an Stelle des SiCleinanderesSi-Halogenid,wieSiHCl,SiHCl, Siy oderSiBr, oder eine andere Si-Verbindung, wie SiH4 oder Si (C2HJ4 verwendet werden. Die Abscheidung kann darüber hinaus auch aus einer Gasphase erfolgen, die durch das gasförmige Halbleitermaterial und einen gasförmigen Träger, wie z. B. Wasserstoff oder ein Edelgas, gebildet wird.
Die Ergebnisse sind aus den Figuren zu entnehmen. Fig. 1 zeigt eine Aufnahme der Oberfläche der erfindungsgemäss aufgewachsenen Siliciumschicht bei 70-facher Vergrösserung ; es sind keinerlei Störungen zu erkennen. Fig. 2 zeigt eine entsprechende Aufnahme im Interferenzmikroskop bei gleicher Vergrö- sserung ; die Störungsfreiheit der Interferenzstreifen ist auffallend.
In gleicher Weise lässt sich das erfindungsgemässe Verfahren anwenden zum Herstellen planer Halbleiterflächen aus andern Halbleitermaterialien, z. B. aus Germanium oder aus halbleitenden Verbindungen, wie z. B. Indiumantimonid.
PATENTANSPRÜCHE :
1. Verfahren zum Herstellen extrem planer einkristalliner Halbleiterflächen, deren Rauhtiefe kleiner als 0, 03juf ist, durch Abscheidung des Halbleitermaterials aus der Gasphase auf einen einkristallinen Träger, dadurch gekennzeichnet, dass die Aufwachsfläche normal zur Zieh-bzw. Wachstumsrichtung des Trägerkristalls gewählt wird.
EMI2.1
Claims (1)
- tem Wasser behandelt wird.3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Trägerkristall vor dem Aufwachsvorgang 10 min bis 3 h im Wasserstoffstrom bei einer Temperatur ausgeheizt wird, die vorzugsweise zwischen 1100 und 14000C liegt.4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger auf einer Heizunterlage aus dem Material des Trägers bzw. des aufzuwachsenden Halbleitermaterials angebracht wird.5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger auf einer Heizunterlage aus vorzugsweise einkristallinem Silicium angebracht wird.6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass eine Heizunterlage verwendet wird, die mit einer aufgewachsenen Deckschicht versehen ist.7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine stickstoffhaltige Deckschicht, z. B. EMI2.2 8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine Deckschicht aus SiC verwendet wird.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE234767T | 1961-07-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT234767B true AT234767B (de) | 1964-07-27 |
Family
ID=29722242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT266762A AT234767B (de) | 1961-07-18 | 1962-04-02 | Verfahren zum Herstellen extrem planer einkristalliner Halbleiterflächen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT234767B (de) |
-
1962
- 1962-04-02 AT AT266762A patent/AT234767B/de active
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