KR102160509B1 - Glass deposition apparatus - Google Patents
Glass deposition apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR102160509B1 KR102160509B1 KR1020180172151A KR20180172151A KR102160509B1 KR 102160509 B1 KR102160509 B1 KR 102160509B1 KR 1020180172151 A KR1020180172151 A KR 1020180172151A KR 20180172151 A KR20180172151 A KR 20180172151A KR 102160509 B1 KR102160509 B1 KR 102160509B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- deposition
- angle
- deposition material
- substrate
- angle limiting
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/225—Oblique incidence of vaporised material on substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
기판 증착장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 증착장치는, 기판에 대한 증착 공정이 진행되는 공정 챔버; 공정 챔버의 일측에 마련되며, 기판을 향해 증착물질을 분사하는 노즐을 구비하는 다수의 리니어 소스; 및 리니어 소스들의 상부 일측에 배치되며, 리니어 소스들에서 분사되는 증착물질이 분사되는 각도를 제한하되, 증착물질의 분사 각도를 선택적으로 조절함으로써 증착물질이 기판에 증착되는 정도를 표시하는 증착프로파일을 변경시키는 증착프로파일 변경유닛을 포함한다.A substrate deposition apparatus is disclosed. A substrate deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a process chamber in which a deposition process is performed on a substrate; A plurality of linear sources provided on one side of the process chamber and including nozzles for spraying a deposition material toward a substrate; And a deposition profile that is disposed on one side of the top of the linear sources, and limits the angle at which the deposition material sprayed from the linear sources is sprayed, but selectively adjusts the spray angle of the deposition material to indicate the degree to which the deposition material is deposited on the substrate. It includes a deposition profile changing unit to change.
Description
본 발명은, 기판 증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 증착공정 시 증착물질이 분사되는 각도를 제한하는 각도 제한판에 쌓이는 증착물질을 감소시킬 수 있으며, 각도 제한판에 증착물질이 쌓이더라도 증착프로파일이 변화되는 현상을 최소화 할 수 있는 기판 증착장치에 관한 것이다The present invention relates to a substrate deposition apparatus, and more particularly, it is possible to reduce the deposition material accumulated on the angle limiting plate that limits the angle at which the deposition material is sprayed during the deposition process, and even if the deposition material accumulates on the angle limiting plate It relates to a substrate deposition apparatus capable of minimizing the phenomenon of profile change.
정보 통신 기술의 비약적인 발전과 시장의 팽창에 따라 디스플레이 소자로 평판표시소자(Flat Panel Display)가 각광 받고 있다.With the rapid development of information and communication technology and the expansion of the market, flat panel displays are in the spotlight as display devices.
이러한 평판표시소자에는 액정표시소자(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 소자(Plasma Display Panel), 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diodes) 등이 있다.Such flat panel display devices include a liquid crystal display, a plasma display panel, and organic light emitting diodes.
이 중에서 유기전계발광소자(OLED, Organic Light Emitting Diode, 이하 OLED라 함)는 빠른 응답속도, 기존의 LCD보다 낮은 소비 전력, 경량성, 별도의 백라이트(back light) 장치가 필요 없어서 초박형으로 만들 수 있는 점, 고휘도 등의 매우 좋은 장점을 가지고 있어서 차세대 디스플레이 소자로서 각광받고 있다.Among them, organic light emitting devices (OLED, Organic Light Emitting Diode, hereinafter referred to as OLED) can be made ultra-thin because they have a fast response speed, lower power consumption than conventional LCDs, light weight, and do not need a separate back light device. It is in the spotlight as a next-generation display device because it has very good advantages such as high brightness and high brightness.
이러한 유기전계발광소자는 기판 위에 양극 막, 유기 박막, 음극 막을 순서대로 입히고, 양극과 음극 사이에 전압을 걸어줌으로써 적당한 에너지의 차이가 유기 박막에 형성되어 스스로 발광하는 원리이다.Such an organic light emitting device is a principle that an anode film, an organic thin film, and a cathode film are sequentially coated on a substrate, and a voltage is applied between the anode and the cathode, so that an appropriate difference in energy is formed in the organic thin film and emit light by itself.
다시 말해, 주입되는 전자와 정공(hole)이 재결합하며, 남는 여기 에너지가 빛으로 발생되는 것이다. 이때 유기 물질의 도펀트의 양에 따라 발생하는 빛의 파장을 조절할 수 있으므로 풀 칼라(full color)의 구현이 가능하다.In other words, the injected electrons and holes recombine, and the remaining excitation energy is generated as light. At this time, since the wavelength of light generated according to the amount of the dopant of the organic material can be adjusted, full color can be implemented.
도 1은 유기막과 무기막이 교대로 증착된 유기전계발광소자(OLED)의 개략적인 구조도이다.1 is a schematic structural diagram of an organic light emitting diode (OLED) in which organic and inorganic layers are alternately deposited.
이 도면을 참조하면, 유기전계발광소자(1, OLED)는 기판(2)과, 기판(2) 상에 적층되는 발광소자(3)를 포함한다.Referring to this drawing, the organic light emitting device 1 (OLED) includes a
기판(2)은 유리 기판 또는 플렉시블 기판이다. 발광소자(3)는 양극, 3층의 유기막(홀 수송층, 발광층, 전자 수송층), 음극의 적층 구조를 갖는다. 유기 분자는 에너지를 받으면(자, 여기 상태임), 원래의 상태(기저 상태)로 돌아오려고 하는데, 그때에 받은 에너지를 빛으로서 방출하려는 성질을 가진다. 발광소자(3)에서는 전압을 걸면 양극으로부터 주입된 홀(+)과 음극으로부터 주입된 전자(-)가 발광층 내에서 재결합하게 되고, 이때에 유기 분자를 여기해서 발광한다.The
이처럼 전압을 가하면 유기물이 빛을 발하는 특성을 이용하여 디스플레이하는 것이 OLED(1)인데, 발광소자(3) 상의 유기물에 따라 R(Red), G(Green), B(Blue)를 발하는 특성을 이용해 풀 칼라(Full Color)를 구현할 수 있다.OLED(1) displays using the characteristic that the organic matter emits light when voltage is applied in this way, and it uses the characteristics of emitting R(Red), G(Green), and B(Blue) depending on the organic material on the light emitting device(3). Full color can be implemented.
한편, 발광소자(3)는 대기 중의 기체나 수분에 의해 쉽게 손상될 수 있기 때문에 그 수명 문제가 대두될 수 있는데, 이를 해결하기 위해 도 1처럼 유기막과 무기막을 교대로 다수 층 적층함으로써 기체나 수분의 유입으로부터 발광소자(3)를 보호하게 된다.On the other hand, since the
도 1에는 발광소자(3)로부터 제1 유기막, 제1 무기막, 제2 유기막, 제2 무기막 ‥ 제5 유기막, 제5 무기막이 순서대로 또한 층별로 증착되어 있다. 이를 자세히 살펴보면, 제1 무기막이 제1 유기막을 완전히 감싸는(봉지되는) 형태로, 이어 제2 유기막이 제1 무기막을 부분적으로 감싸는 형태로, 이어 제2 무기막이 제2 유기막을 완전히 감싸는 형태 등의 순서를 가지고 막이 증착되어 있는 것을 알 수 있다.In FIG. 1, a first organic film, a first inorganic film, a second organic film, a second inorganic film… a fifth organic film, and a fifth inorganic film are sequentially deposited from the
한편, 도 1과 같은 적층 구조, 특히 유기막의 적층 구조 구현을 위해 기판 증착장치가 사용될 수 있다. 기판 증착장치에는 유기물을 기판에 증착시키기 위한 수단으로서 다수의 리니어 소스(Linear Source)가 마련된다.Meanwhile, a substrate deposition apparatus may be used to implement the stacked structure as shown in FIG. 1, in particular, the stacked structure of an organic layer. In the substrate deposition apparatus, a plurality of linear sources are provided as a means for depositing an organic material on a substrate.
이러한 리니어 소스가 적용되는 기판 증착장치에서는 장비의 크기 제한과 마스크 쉐도우 성능(수직에 가까운 방향으로 방출된 물질일수록 쉐도우가 작아지기 때문에 특정 각도 바깥쪽으로 방출된 물질은 버리는 것)을 위해 기판에 도달하는 증착물질의 영역을 제한하기 위한 수단이 고려된다.In the substrate deposition apparatus to which such a linear source is applied, the size of the equipment is limited and the mask shadow performance (materials emitted in a direction closer to the vertical, the smaller the shadow, so the material emitted outside a certain angle is discarded). Means are contemplated for limiting the area of the deposition material.
예컨대, 종전의 기판 증착장치에 제1 내지 제3 리니어 소스가 적용되는 한편 수직방향 기준 -30도 ~ +30도 각도 이내로 입사되는 물질만 사용된다고 가정하면, 기하학적인 이유로 인해 제1 리니어 소스에서 분사되어 기판으로 향하는 증착물질은 +20도 ~ -30도 사이의 증착물질이 사용되고, 제2 리니어 소스에서 분사되어 기판으로 향하는 증착물질은 +25 ~ -25도 사이의 증착물질이 사용되며, 제3 리니어 소스에서 분사되어 기판으로 향하는 증착물질은 +30 ~ -20도 사이의 증착물질이 사용될 수 있다.For example, assuming that the first to third linear sources are applied to the conventional substrate deposition apparatus, while only a material incident within an angle of -30 degrees to +30 degrees relative to the vertical direction is used, spraying from the first linear source for geometric reasons A deposition material between +20 and -30 degrees is used for the deposition material to be directed to the substrate, and a deposition material between +25 and -25 degrees is used for the deposition material sprayed from the second linear source and directed to the substrate. The deposition material sprayed from the linear source and directed to the substrate may be a deposition material between +30 and -20 degrees.
이렇게 증착물질이 입사되는 각도를 한정하기 위해 각도 제한판이 마련되는데, 각도 제한판은 노즐을 통해 분사된 물질의 분사 각도를 조절하여 공정에서 원하는 기판 영역에 닿을 수 있도록 하는 부품이며, 분사 각도의 조절에 의해 유효 면적(Effective area) 뿐만 아니라, 기판 영역에 증착되는 양이 달라질 수 있다. In this way, an angle limiting plate is provided to limit the angle at which the deposition material is incident, and the angle limiting plate is a component that adjusts the spray angle of the material sprayed through the nozzle so that it can reach the desired substrate area in the process. As a result, the amount deposited on the substrate area as well as the effective area may vary.
그리고 각도 제한판의 가공 정도에 따라 증착물질이 기판에 증착되는 균일도를 나타내는 증착프로파일에 영향을 줄 수도 있고, 가동시간이 지속될수록 각도 제한판에 물질이 증착되는 양이 누적되어 공정이 더 이상 진행되지 못할 정도가 되기도 한다.Also, depending on the degree of processing of the angle limiting plate, the deposition profile indicating the uniformity in which the deposition material is deposited on the substrate may be affected, and as the operation time continues, the amount of material deposited on the angle limiting plate accumulates and the process proceeds further. Sometimes it can't be done.
이렇게 각도 제한판이 마련된 종래의 기판 증착장치는 일정 시간이 지나고 각도 제한판에 물질 쌓임량이 한계에 다다르기 전에 공정을 중단하고 각도 제한판을 세정하거나 세정된 각도 제한판으로 교체하는 방식으로 공정을 반복하여야 한다. In the conventional substrate deposition apparatus in which the angle limiting plate is provided, the process is repeated by stopping the process after a certain period of time and before the amount of material accumulated on the angle limiting plate reaches the limit and cleaning the angle limiting plate or replacing the cleaned angle limiting plate. shall.
따라서, 크루시블 내부에 물질이 충분함에도 불구하고 각도 제한판 물질 쌓임량으로 인해 불가피하게 공정을 멈추고 유지보수 작업을 진행해야 하는 문제가 있다.Therefore, despite the sufficient amount of material inside the crucible, there is a problem in that the process is inevitably stopped and maintenance work is performed due to the accumulation amount of the material of the angle limiting plate.
또한, 각도 제한판에 많은 물질이 쌓이게 되면 쌓인 물질로 인해 센서 또는 기판으로 가는 물질의 양이 미세하게 변하여 증착프로파일이 바뀌게 되고, 그 정도에 따라 원하는 균일도를 벗어나게 되는 문제가 있으며, 쌓인 물질 낙하로 인해 노즐 클로깅(Clogging) 등 심각한 문제를 야기할 수 있다.In addition, if a lot of material is accumulated on the angle limiting plate, the amount of material going to the sensor or the substrate slightly changes due to the accumulated material, so that the deposition profile changes, and depending on the degree, there is a problem that the desired uniformity is deviated. This can cause serious problems such as nozzle clogging.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 소스유닛에서 증착물질이 분사되는 각도를 제한하는 각도 제한기구를 구비하되, 증착물질이 각도 제한기구에 쌓이더라도 증착프로파일이 변화되는 현상을 최소화할 수 있으며, 나아가 각도 제한판에 쌓이는 증착물질을 감소시킬 수 있는 기판 증착장치를 제공하는 것이다.Accordingly, the technical problem to be achieved by the present invention is provided with an angle limiting mechanism for limiting the angle at which the deposition material is sprayed from the source unit, but it is possible to minimize a phenomenon in which the deposition profile changes even if the deposition material is accumulated in the angle limiting device, Further, it is to provide a substrate deposition apparatus capable of reducing the deposition material accumulated on the angle limiting plate.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판에 대한 증착 공정이 진행되는 공정 챔버;According to an aspect of the present invention, a process chamber in which a deposition process for a substrate is performed;
상기 공정 챔버의 일측에 마련되며, 상기 기판을 향해 증착물질을 분사하는 노즐을 구비하는 다수의 리니어 소스; 및 상기 리니어 소스들의 상부 일측에 배치되며, 상기 리니어 소스들에서 분사되는 증착물질이 분사되는 각도를 제한하되, 상기 증착물질의 분사 각도를 선택적으로 조절함으로써 상기 증착물질이 상기 기판에 증착되는 균일도를 나타내는 증착프로파일을 변경시키는 증착프로파일 변경유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 증착장치가 제공될 수 있다.A plurality of linear sources provided on one side of the process chamber and including nozzles for spraying a deposition material toward the substrate; And limiting an angle at which the deposition material sprayed from the linear sources is sprayed, but selectively adjusting the spray angle of the deposition material to control the uniformity at which the deposition material is deposited on the substrate. A substrate deposition apparatus comprising a deposition profile changing unit for changing the indicated deposition profile may be provided.
상기 증착프로파일 변경유닛은, 상기 리니어 소스들의 상부 일측에 고정되어 배치되며, 상기 리니어 소스들에서 분사되는 증착물질이 회절되어 퍼지면서 상기 기판에 증착되는 것이 저지되도록 상기 증착물질의 분사 각도를 제한하는 고정형 분사각도 제한모듈; 및 상기 고정형 분사각도 제한모듈의 일측에 상대 이동 가능하게 연결되며, 상대 이동에 의해 상기 증착물질의 분사 각도를 변경시키는 가동형 분사각도 변경모듈을 포함할 수 있다.The deposition profile changing unit is fixedly disposed on one side of the top of the linear sources, and limits the spray angle of the deposition material so that deposition on the substrate is prevented while the deposition material sprayed from the linear sources is diffracted and spread. Fixed injection angle limiting module; And a movable spray angle change module that is connected to one side of the fixed spray angle limiting module so as to be relatively movable, and changes the spray angle of the deposition material by relative movement.
상기 고정형 분사각도 제한모듈은, 상기 리니어 소스들의 상부 일측으로부터 수직 방향으로 돌출되어 결합되는 제1 각도 제한판; 및 상기 제1 각도 제한판의 상부에 교차되게 연결되어 상기 증착물질의 분사 각도를 제한하는 제2 각도 제한판을 포함할 수 있다.The fixed injection angle limiting module may include: a first angle limiting plate protruding from an upper side of the linear sources in a vertical direction to be coupled; And a second angle limiting plate intersectingly connected to an upper portion of the first angle limiting plate to limit the spray angle of the deposition material.
상기 가동형 분사각도 변경모듈은 상기 고정형 분사각도 제한모듈의 일측에 상대 회동 가능하게 연결되며, 상기 가동형 분사각도 변경모듈은, 상기 제2 각도 제한판의 상부에 상대 회동 가능하게 연결되는 분사각도 변경 플레이트; 및 상기 분사각도 변경 플레이트의 일측에 연결되어 상기 분사각도 변경 플레이트를 회동시키는 구동부를 포함할 수 있다.The movable injection angle change module is connected to one side of the fixed injection angle limiting module so as to be rotatable, and the movable injection angle change module is connected to the second angle limiting plate so as to be relatively rotatable. Change plate; And a driving part connected to one side of the spray angle change plate to rotate the spray angle change plate.
상기 분사각도 변경 플레이트는, 상기 리니어 소스에 노즐이 배치되는 방향을 따라 미리 정해진 간격으로 나누어진 구간마다 배치되는 복수의 단위 분사각도 변경 플레이트를 포함할 수 있다.The spray angle change plate may include a plurality of unit spray angle change plates disposed in each section divided at predetermined intervals along a direction in which nozzles are disposed in the linear source.
상기 단위 분사각도 변경 플레이트는, 미리 결정된 반지름을 가지는 원호의 형태를 가질 수 있다.The unit injection angle changing plate may have a shape of an arc having a predetermined radius.
상기 가동형 분사각도 변경모듈의 상기 구동부는 상기 공정 챔버의 내부 일측에 배치되되 내부를 대기압 상태로 형성시키는 ATM 박스의 내부에 마련되며, 상기 구동부는, 모터; 및 상기 모터와 상기 분사각도 변경 플레이트에 각각 연결되어 상기 모터의 구동력을 상기 분사각도 변경 플레이트에 전달하는 구동 전달부를 포함할 수 있다.The driving unit of the movable injection angle changing module is disposed inside one side of the process chamber and is provided inside an ATM box that forms the inside at atmospheric pressure, and the driving unit includes: a motor; And a driving transmission unit connected to the motor and the injection angle changing plate to transmit a driving force of the motor to the injection angle changing plate.
상기 구동 전달부는, 상기 분사각도 변경 플레이트의 일측에 연결되는 회전축; 상기 회전축의 일측에 결합되는 피니언 기어; 및 상기 모터와 상기 피니언 기어를 연결시키는 랙을 포함할 수 있다.The drive transmission unit, the rotation shaft connected to one side of the injection angle change plate; A pinion gear coupled to one side of the rotation shaft; And a rack connecting the motor and the pinion gear.
상기 고정형 분사각도 제한모듈은, 상기 증착물질이 쌓이는 것을 방지하기 위해 상기 제1 각도 제한판 및 상기 제2 각도 제한판의 내부에 배치되어 상기 제1 각도 제한판 및 상기 제2 각도 제한판을 가열시키는 히터 코일을 더 포함할 수 있다.The fixed spray angle limiting module is disposed inside the first angle limiting plate and the second angle limiting plate to prevent the deposition material from accumulating to heat the first angle limiting plate and the second angle limiting plate. It may further include a heater coil.
상기 리니어 소스는, 외관을 형성하는 블록 하우징(block housing); 및 상기 블록 하우징 내에 배치되며, 증착물질이 내부에 충전되는 크루시블(crucible)을 포함할 수 있다.The linear source includes: a block housing forming an exterior; And a crucible disposed in the block housing and filled with a deposition material therein.
상기 크루시블은, 상기 증착물질이 충전되는 크루시블 바디; 및 상기 크루시블 바디의 상부에 결합되되 상기 증착물질이 분사되는 다수의 노즐이 형성되는 크루시블 덮개를 포함할 수 있다.The crucible may include a crucible body filled with the deposition material; And a crucible cover coupled to an upper portion of the crucible body and having a plurality of nozzles through which the deposition material is sprayed.
상기 블록 하우징은, 하부 쿨링 블록; 상기 하부 쿨링 블록의 측벽을 형성하는 다수의 측부 쿨링 블록; 및 상기 하부 쿨링 블록 및 상기 다수의 측부 쿨링 블록의 상부를 형성하는 상부 쿨링 블록을 포함할 수 있다.The block housing may include a lower cooling block; A plurality of side cooling blocks forming side walls of the lower cooling block; And an upper cooling block forming an upper portion of the lower cooling block and the plurality of side cooling blocks.
본 발명의 실시예들은, 가동형 분사각도 변경모듈을 포함하는 증착프로파일 변경유닛을 마련함으로써 소스유닛에서 증착물질이 분사되는 각도를 제한하는 각도 제한기구를 구비하되 제한하는 각도를 변경시킬 수 있으므로, 증착물질이 각도 제한기구에 쌓이더라도 증착프로파일이 변화되는 현상을 최소화 할 수 있으며 나아가 증착공정을 중단하지 않고서도 증착프로파일을 변경시킬 수 있다.Embodiments of the present invention are provided with an angle limiting mechanism for limiting the angle at which the deposition material is sprayed from the source unit by providing a deposition profile change unit including a movable spray angle change module, but the limiting angle can be changed, Even if the deposition material accumulates in the angle limiting mechanism, the phenomenon of changing the deposition profile can be minimized, and further, the deposition profile can be changed without stopping the deposition process.
또한, 히터 코일을 포함하는 고정형 분사각도 제한모듈을 마련함으로써 각도 제한판에 쌓이는 증착물질을 감소시킬 수 있다.In addition, by providing a fixed injection angle limiting module including a heater coil, it is possible to reduce the deposition material accumulated on the angle limiting plate.
도 1은 유기막과 무기막이 교대로 증착된 유기전계발광소자(OLED)의 개략적인 구조도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 증착장치가 도시된 도면이다.
도 3은 도 2에서 다수의 리니어 소스와 증착프로파일 변경유닛 간의 개략적인 배치도이다.
도 4는 도 3의 리니어 소스의 상부에서 바라보는 방향으로의 다수의 리니어 소스와 증착프로파일 변경유닛 간의 개략적인 배치도이다.
도 5는 도 3의 다수의 리니어 소스와 증착프로파일 변경유닛의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6은 도 1의 리니어 소스의 사시도이다.
도 7은 도 6의 A-A선에 따른 단면도이다.1 is a schematic structural diagram of an organic light emitting diode (OLED) in which organic and inorganic layers are alternately deposited.
2 is a diagram illustrating a substrate deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic layout diagram between a plurality of linear sources and a deposition profile changing unit in FIG. 2.
FIG. 4 is a schematic layout diagram between a plurality of linear sources and a deposition profile changing unit in a direction viewed from the top of the linear source of FIG. 3.
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a plurality of linear sources and a deposition profile changing unit of FIG. 3.
6 is a perspective view of the linear source of FIG. 1.
7 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 6.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.In order to fully understand the present invention, operational advantages of the present invention, and objects achieved by the implementation of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings illustrating preferred embodiments of the present invention and the contents described in the accompanying drawings.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by describing a preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings. The same reference numerals in each drawing indicate the same member.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 증착장치가 도시된 도면이며, 도 3은 도 2에서 다수의 리니어 소스와 증착프로파일 변경유닛 간의 개략적인 배치도이고, 도 4는 도 3의 리니어 소스의 상부에서 바라보는 방향으로의 다수의 리니어 소스와 증착프로파일 변경유닛 간의 개략적인 배치도이며, 도 5는 도 3의 다수의 리니어 소스와 증착프로파일 변경유닛의 단면을 개략적으로 도시한 도면이고, 도 6은 도 1의 리니어 소스의 사시도이며, 도 7은 도 6의 A-A선에 따른 단면도이다.2 is a diagram illustrating a substrate deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a schematic layout diagram between a plurality of linear sources and a deposition profile changing unit in FIG. 2, and FIG. 4 is a diagram of the linear source of FIG. It is a schematic layout diagram between a plurality of linear sources and a deposition profile change unit in a direction viewed from the top, FIG. 5 is a view schematically showing a cross section of a plurality of linear sources and a deposition profile change unit of FIG. 3, and FIG. 1 is a perspective view of the linear source, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 6.
이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 증착장치는 공정 챔버(10)와, 리니어 소스(100a, 100b, 100c)와, 증착프로파일 변경유닛(200)을 포함한다.As shown in these drawings, the substrate deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes a
우선 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 증착장치는 리니어 소스(100a~100c)들에서 분사되는 증착물질이 회절되어 퍼지면서 기판에 불필요하게 증착되는 것을 효과적으로 제한할 수 있도록 한 것으로서, 기판에 대한 증착 공정이 진행되는 공정 챔버(10)와, 공정 챔버(10)의 일측에 마련되어 기판을 향해 증착물질을 분사하는 리니어 소스(100a~100c)를 포함한다.First, referring to FIGS. 2 and 3, the substrate deposition apparatus according to the present embodiment allows the deposition material sprayed from the
본 실시예에서는 3개의 제1 내지 제3 리니어 소스(100a~100c)를 적용하고 있다. 물론, 이의 개수에 본 발명의 권리범위가 제한되지 않는다. 그리고 기판은 유기전계발광소자(1, OLED)의 제조를 위한 것일 수 있으나 이 역시 이러한 사항에 제한되지 않는다.In this embodiment, three first to third
공정 챔버(10)에 대해 먼저 살펴본다. 공정 챔버(10)는 기판에 대한 증착 공정이 진행되는 장소이다. 즉 도 1에 도시된 유기전계발광소자(1, OLED)의 제조를 위해 유기막과 무기막을 증착하는 장소를 형성한다. 본 실시예의 증착장치는 유기물을 증착하는 증착장치일 수 있다.First, the
증착 공정 시 공정 챔버(10)의 내부는 진공 분위기를 유지한다. 때문에 공정 챔버(10)에는 진공 펌프 등이 연결될 수 있다.During the deposition process, the inside of the
한편, 제1 내지 제3 리니어 소스(100a~100c)는 공정 챔버(10)의 일측에 마련되어 기판을 향해 증착물질을 분사한다.Meanwhile, the first to third
자세히 후술하겠지만 본 실시예에 적용되는 제1 내지 제3 리니어 소스(100a~100c)는 공정 챔버(10)의 길이 방향으로 길게 배치되고 추가 조립이 필요 없는 일체형 구조를 개시하고 있기 때문에, 매 사용 시마다 야기될 수 있는 온도 편차 발생을 줄일 수 있다.As will be described later in detail, since the first to third
제1 내지 제3 리니어 소스(100a~100c)의 구조는 모두 동일하다. 이하, 제1 내지 제3 리니어 소스(100a~100c)의 구체적인 구조에 대해 도 6 내지 도 7을 참조하여 먼저 설명하기로 한다.The structures of the first to third
제1 내지 제3 리니어 소스(100a~100c) 모두는 블록 하우징(110, block housing)과, 블록 하우징(110) 내에 배치되는 크루시블(130)을 포함한다.All of the first to third
구조를 살펴보면, 블록 하우징(110)은 장비의 외관을 형성한다. 내부의 크루시블(130)을 보호하는 한편 크루시블(130)의 온도가 내려가는 것을 저지시키기 위해 블록 하우징(110)은 밀폐형 구조를 갖는다.Looking at the structure, the
블록 하우징(110)은 하부를 이루는 하부 쿨링 블록(111)과, 하부 쿨링 블록(111)의 측벽을 형성하는 다수의 측부 쿨링 블록(112)과, 하부 쿨링 블록(111) 및 다수의 측부 쿨링 블록(112)의 상부를 형성하는 상부 쿨링 블록(113)을 포함한다.The
공정이 끝나거나 혹은 공정 제어를 위해 하부 쿨링 블록(111), 다수의 측부 쿨링 블록(112) 및 상부 쿨링 블록(113)에는 냉각수가 흐르는 냉각수 유로(115)가 형성된다.The cooling
상부 쿨링 블록(113)의 상단부에 탑 쉴드(114, top shield)가 배치된다. 탑 쉴드(114)는 증착물질이 블록 하우징(110) 특히, 상부 쿨링 블록(113)으로 쌓이는 것을 방지한다. 탑 쉴드(114)에는 크루시블(130)의 노즐(132)이 배치되는 노즐 배치구(114a)가 형성된다.A
블록 하우징(110)의 내벽, 특히 측부 쿨링 블록(112)의 내벽에는 크루시블(130)을 가열하는 히팅 블록(120, heating block)이 마련된다. 히팅 블록(120)의 주변에는 반사판이나 세라믹 등의 구조들이 마련되는데, 이들에 대해서는 생략한다.A
히팅 블록(120)에 히터(121,122, heater)가 탑재될 수 있다. 자세히 도시하지는 않았지만 히터는 상대적으로 짧은 상부 히터(122)와, 상대적으로 긴 하부 히터(121)로 나뉠 수 있다. 크루시블(130)을 실질적으로 가열하는 히터가 하부 히터(121)이며, 상부 히터(122)는 온도 관리를 위해 개별적으로 제어된다.
본 실시예에 적용되는 히터(121,122)는 텅스텐 또는 탄탈럼 등의 고온 금속 와이어에 전압과 전류를 인가하는 저항 가열방식을 사용한다. 이때, 고온 금속 와이어의 온도는 1000℃를 넘기 때문에 고온 금속 와이어는 외부에 노출된 누드 타입(nude type)으로 적용될 수 있다.The
크루시블(130)은 도가니라 불리는 구조물로서 내부에 충전되는 증착물질을 전술한 히터(121,122)의 작용으로 증발시켜 기판으로 분사시킨다. 앞서 기술한 것처럼 본 실시예에 따른 리니어 소스(100)에 적용되는 증착물질은 유기물일 수 있다.The
이러한 크루시블(130)은 증착물질이 충전되는 크루시블 바디(131)와, 크루시블 바디(131)의 상부에 결합되는 크루시블 덮개(134)를 포함한다.The
크루시블 덮개(134)에는 크루시블 바디(131) 내의 증착물질이 기판으로 분사되는 다수의 노즐(132)이 형성된다. 다수의 노즐(132)은 탑 쉴드(114)의 노즐 배치구(114a)에 배치된다. A plurality of
블록 하우징(110)의 하부를 형성하는 하부 쿨링 블록(111) 상에는 해당 위치에서 크루시블(130)의 하부 일 영역을 받쳐 지지하는 크루시블 받침대(140)가 마련된다.A
하부 쿨링 블록(111) 상에 배치되는 크루시블 받침대(140)를 통해 크루시블(130)을 하부에서 떠받쳐 지지하기 때문에 고온에서 크루시블(130) 지지에 따른 구조 안정성을 확보할 수 있다.Since the
반드시 그러한 것은 아니나 크루시블(130)의 외부에는 증착물질 확산 방지용 쉴드(150)가 마련될 수 있다. 증착물질 확산 방지용 쉴드(150)는 블록 하우징(110) 내에서 크루시블(130)을 부분적으로 둘러싸게 배치되는 구조물로서, 크루시블(130) 측에서 누출 가능한 증착물질이 블록 하우징(110)의 내벽으로 향하는 것을 저지시키는 역할을 한다. 블록 하우징(110)의 내벽에는 히터(121,122)와 같은 다수의 부품이 탑재되는데 증착물질 확산 방지용 쉴드(150)로 인해 크루시블(130) 측에서 누출 가능한 증착물질이 블록 하우징(110)의 내벽으로 향하는 것이 저지될 수 있는 이점이 있다.Although not necessarily the case, a
앞서도 기술한 바와 같이, 본 실시예와 같이 제1 내지 제3 리니어 소스(100a~100c)가 적용되는 기판 증착장치에서는 장비의 크기 제한과 마스크 쉐도우 성능(수직에 가까운 방향으로 방출된 물질일수록 쉐도우가 작아지기 때문에 특정 각도 바깥쪽으로 방출된 물질은 버리는 것)을 위해 기판에 도달하는 증착물질의 영역을 제한하기 위한 수단이 고려된다.As previously described, in the substrate deposition apparatus to which the first to third
예를 들어, 이렇게 증착물질이 입사되는 각도를 한정하기 위해 각도 제한판이 마련되는데, 각도 제한판은 노즐을 통해 분사된 물질의 분사 각도를 조절하여 공정에서 원하는 기판 영역에 닿을 수 있도록 하는 부품이며, 분사 각도의 조절에 의해 유효 면적(Effective area) 뿐만 아니라, 기판 영역에 증착되는 양이 달라질 수 있다. For example, an angle limiting plate is provided to limit the angle at which the deposition material is incident. The angle limiting plate is a component that adjusts the spray angle of the material sprayed through the nozzle so that it can reach a desired substrate area in the process. By controlling the spray angle, not only the effective area but also the amount of deposition on the substrate area may vary.
그리고 각도 제한판의 가공 정도에 따라 증착물질이 기판에 증착되는 균일도를 나타내는 증착프로파일에 영향을 줄 수도 있고, 가동시간이 지속될수록 각도 제한판에 물질이 증착되는 양이 누적되어 공정이 더 이상 진행되지 못할 정도가 되기도 한다.Also, depending on the degree of processing of the angle limiting plate, the deposition profile indicating the uniformity in which the deposition material is deposited on the substrate may be affected, and as the operation time continues, the amount of material deposited on the angle limiting plate accumulates and the process proceeds further. Sometimes it can't be done.
이렇게 각도 제한판이 마련된 종래의 기판 증착장치는 일정 시간이 지나고 각도 제한판에 물질 쌓임량이 한계에 다다르기 전에 공정을 중단하고 각도 제한판을 세정하거나 세정된 각도 제한판으로 교체하는 방식으로 공정을 반복하여야 한다. In the conventional substrate deposition apparatus in which the angle limiting plate is provided, the process is repeated by stopping the process after a certain period of time and before the amount of material accumulated on the angle limiting plate reaches the limit and cleaning the angle limiting plate or replacing the cleaned angle limiting plate. shall.
따라서, 크루시블 내부에 물질이 충분함에도 불구하고 각도 제한판 물질 쌓임량으로 인해 불가피하게 공정을 멈추고 유지보수 작업을 진행해야 하는 문제가 있다.Therefore, despite the sufficient amount of material inside the crucible, there is a problem in that the process is inevitably stopped and maintenance work is performed due to the accumulation amount of the material of the angle limiting plate.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 증착프로파일 변경유닛(200)을 마련함으로써, 소스유닛에서 증착물질이 분사되는 각도를 제한하는 각도 제한기구를 구비하되 제한하는 각도를 변경시킬 수 있으므로, 증착물질이 각도 제한기구에 쌓이더라도 증착프로파일이 변화되는 현상을 최소화 할 수 있으며 나아가 증착공정을 중단하지 않고서도 증착프로파일을 변경시킬 수 있게 된다.According to an embodiment of the present invention, by providing the deposition
증착프로파일 변경유닛(200)은 리니어 소스(100a~100c)들의 상부 일측에 배치되며, 상기 리니어 소스(100a~100c)들에서 분사되는 증착물질이 분사되는 각도를 제한하되, 상기 증착물질의 분사 각도를 선택적으로 조절함으로써 상기 증착물질이 상기 기판에 증착되는 정도를 표시하는 증착프로파일을 변경시키는 역할을 한다.The deposition
이러한 증착프로파일 변경유닛(200)은 고정형 분사각도 제한모듈(210)과, 가동형 분사각도 변경모듈(230)을 포함한다.The deposition
고정형 분사각도 제한모듈(210)은 리니어 소스(100a~100c)들의 상부 일측에 고정되어 배치되며, 리니어 소스(100a~100c)들에서 분사되는 증착물질이 회절되어 퍼지면서 기판에 증착되는 것이 저지되도록 증착물질의 분사 각도를 제한하는 역할을 한다.The fixed spray
이러한 고정형 분사각도 제한모듈(210)은, 도 3 및 도 5에 자세히 도시된 바와 같이, 제1 각도 제한판(211)과, 제2 각도 제한판(312), 히터 코일(213)을 포함한다.This fixed injection
제1 각도 제한판(211)은 리니어 소스(100a~100c)들의 상부 일측으로부터 수직 방향으로 돌출되어 결합되어 리니어 소스(100a~100c)들에서 분사되는 증착물질의 분사 각도를 1차로 제한하는 역할을 한다. 이에 따라, 도 3에 자세히 도시된 바와 같이, 점선 A와 같이 증착물질의 분사 각도가 제한된다.The first
제2 각도 제한판(312)은 제1 각도 제한판(211)의 상부에 교차되게 연결되어 증착물질의 분사 각도를 2차로 제한하는 역할을 한다. 즉 제2 각도 제한판(312)을 마련함으로써, 제1 각도 제한판(211) 만을 마련하는 경우보다 분사 각도를 더욱 제한할 수 있게 된다. 이에 따라, 도 3에 자세히 도시된 바와 같이, 점선 B와 같이 증착물질의 분사 각도가 제한된다.The second angle limiting plate 312 is intersected with the upper portion of the first
제1 각도 제한판(211)과 제2 각도 제한판(312)에 증착물질이 많이 쌓이게 되면 쌓인 물질로 인해 센서 또는 기판으로 가는 물질의 양이 미세하게 변하여 증착프로파일이 바뀌게 되고, 그 정도에 따라 원하는 균일도를 벗어나게 되는 문제가 있으며, 쌓인 물질 낙하로 인해 노즐 클로깅(Clogging) 등 심각한 문제를 야기할 수 있다.When a large amount of deposition material is accumulated on the first
따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 도 5에 자세히 도시된 바와 같이 히터 코일(213)을 마련함으로써, 각도 제한판에 많은 물질이 쌓이게 되는 것을 방지할 수 있게 되어 균일도를 벗어나게 되는 문제와 쌓인 물질 낙하로 인한 노즐 클로깅(Clogging) 등의 심각한 문제를 사전에 방지할 수 있다.Therefore, according to an embodiment of the present invention, by providing the
히터 코일(213)은 증착물질이 쌓이는 것을 방지하기 위해 제1 각도 제한판(211) 및 제2 각도 제한판(212)의 내부에 배치되어 제1 각도 제한판(211) 및 제2 각도 제한판(212)을 가열시키는 역할을 한다. 또한 도 5에 자세히 도시된 바와 같이, 리니어 소스의 상부 부분에도 추가적으로 마련될 수도 있을 것이다.The
가동형 분사각도 변경모듈(230)은 고정형 분사각도 제한모듈(210)의 일측에 상대 이동 가능하게 연결되며, 상대 이동에 의해 증착물질의 분사 각도를 변경시키는 역할을 한다. 즉 가동형 분사각도 변경모듈(230)을 마련함으로써, 제1 각도 제한판(211)과 제2 각도 제한판(212)을 마련하는 경우보다 분사 각도를 더욱 제한할 수 있게 된다. 이에 따라, 도 3에 자세히 도시된 바와 같이, 점선 C와 같이 증착물질의 분사 각도가 제한된다.점선 C는 The movable spray
나아가, 가동형 분사각도 변경모듈(230)은 분사 각도를 조절할 수 있으므로, 후술할 분사각도 변경 플레이트(231)가 수직으로 세워져 있는 상태부터 제2 각도 제한판(212)의 방향과 동일한 수평으로 누워있는 상태까지 회동하면서 분사 각도를 제한하는 범위를 조절할 수 있게 된다. 즉 도 3에 도시된 점선 C는 분사각도 변경 플레이트(231)가 조절되는 각도에 따라 변경되는 것이다.Further, since the movable spray
또한 분사각도 변경 플레이트(231)가 회동하는 방향을 선택적으로 변경함으로써, 도 4에 자세히 도시된 바와 같이 기판의 중앙영역을 향해 증착물질을 분사하는 제2 리니어 소스(100b)의 분사 각도를 가장가리 영역보다 더욱 더 제한할 수도 있게 된다.In addition, by selectively changing the direction in which the spray
본 실시 예에서 가동형 분사각도 변경모듈(230)은 고정형 분사각도 제한모듈(210)의 일측에 상대 회동 가능하게 연결되었으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 슬라이드 방식 등을 채택하여 회동 동작이 아닌 미끄럼 동작에 의해서도 증착물질의 분사각도를 제한할 수 있을 것이다.In the present embodiment, the movable spray
이러한 가동형 분사각도 변경모듈(230)은, 분사각도 변경 플레이트(231)와, 구동부(232)를 포함한다.The movable injection
분사각도 변경 플레이트(231)는 제2 각도 제한판(212)의 상부에 상대 회동 가능하게 연결되며, 리니어 소스(100a~100c)에 노즐이 배치되는 방향을 따라 미리 정해진 간격으로 나누어진 구간마다 배치되는 복수의 단위 분사각도 변경 플레이트(231)가 배치될 수 있다.The spray
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 도 4에 자세히 도시된 바와 같이, 리니어 소스(100a~100c)에 노즐이 배치되는 방향을 따라 3등분으로 나누어진 세개의 단위 분사각도 변경 플레이트(231)가 인접하여 배치되었다.According to an embodiment of the present invention, as shown in detail in FIG. 4, three unit spray
세개의 단위 분사각도 변경 플레이트(231)가 인접하여 배치됨으로써, 각각의 단위 분사각도 변경 플레이트(231)의 고정 각도를 다르게 설정함으로써, 기판의 특정 위치마다 개별적으로 분사 각도를 제한할 수 있으므로, 더욱 세밀하게 증착프로파일을 변경할 수 있게 된다.Since the three unit spray
다만 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니며, 개별적으로 분사 각도를 제한하기 위한 기판의 특정 위치의 세분화 정도에 따라 단위 분사각도 변경 플레이트(231)의 개수를 변경할 수 있을 것이다.However, the present invention is not limited thereto, and the number of the unit spray
한편, 도 4에 자세히 도시된 바와 같이, 각각의 단위 분사각도 변경 플레이트(231)는 미리 결정된 반지름을 가지는 원호의 형태로 마련되었다.Meanwhile, as shown in detail in FIG. 4, each unit injection
이렇게 원호의 형태로 마련됨으로써, 단위 분사각도 변경 플레이트(231)의 고정 각도에 따라 단위 분사각도 변경 플레이트(231)의 중앙 영역에 해당하는 부분의 분사 각도를 단위 분사각도 변경 플레이트(231)의 주변 영역에 해당하는 부분의 분사 각도 보다 더욱 크게 제한할 수 있게 된다.By being provided in the form of an arc in this way, the spray angle of the portion corresponding to the central area of the unit spray
다만 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니며, 개별적으로 분사 각도를 제한하기 위한 영역에 따라 단위 분사각도 변경 플레이트(231)의 형태를 변경할 수 있을 것이다.However, the present invention is not limited thereto, and the shape of the unit spray
구동부(232)는 분사각도 변경 플레이트의 일측에 연결되어 상기 분사각도 변경 플레이트를 회동시키는 역할을 하며, 모터(233)와 구동 전달부(234)를 포함한다.The driving
본 실시 예에서 구동부(232)는 공정 챔버(10)의 내부 일측에 배치되되 내부를 대기압 상태로 형성시키는 ATM 박스(300)의 내부에 마련되는데, 이는 공정 챔버(10)가 진공의 분위기로 유지되어야 하기 때문이다.In this embodiment, the driving
구동 전달부(234)는 모터(233)와 분사각도 변경 플레이트(231)에 각각 연결되어 모터(233)의 구동력을 분사각도 변경 플레이트(231)에 전달하는 역할을 한다.The
본 실시 예에서 구동 전달부(234)는 분사각도 변경 플레이트(231)의 일측에 연결되는 회전축(235)과, 회전축(235)의 일측에 결합되는 피니언 기어(236)와, 모터(233)와 피니언 기어(237)를 연결시키는 랙(236)을 포함하는 랙과 피니언 조합에 의해 마련되었다.In this embodiment, the
다만 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니며, 모터(233)의 구동력을 효율적으로 전달할 수 있는 다양한 조합의 구동 전달부(234)가 마련될 수 있을 것이다.However, the present invention is not limited thereto, and various combinations of
이와 같이, 본 실시 예에 따르면, 가동형 분사각도 변경모듈을 포함하는 증착프로파일 변경유닛을 마련함으로써 소스유닛에서 증착물질이 분사되는 각도를 제한하는 각도 제한기구를 구비하되 제한하는 각도를 변경시킬 수 있으므로, 증착물질이 각도 제한기구에 쌓이더라도 증착프로파일이 변화되는 현상을 최소화 할 수 있으며 나아가 증착공정을 중단하지 않고서도 증착프로파일을 변경시킬 수 있게 된다.As described above, according to this embodiment, by providing a deposition profile changing unit including a movable spray angle changing module, an angle limiting mechanism for limiting the angle at which the deposition material is sprayed from the source unit is provided, but the limiting angle can be changed Therefore, even if the deposition material accumulates in the angle limiting mechanism, a phenomenon in which the deposition profile is changed can be minimized, and further, the deposition profile can be changed without stopping the deposition process.
또한, 히터 코일을 포함하는 고정형 분사각도 제한모듈을 마련함으로써 각도 제한판에 쌓이는 증착물질을 감소시킬 수 있게 된다.In addition, by providing a fixed spray angle limiting module including a heater coil, it is possible to reduce the deposition material accumulated on the angle limiting plate.
이와 같이 본 발명은 기재된 실시 예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정 예 또는 변형 예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.As described above, the present invention is not limited to the described embodiments, and it is obvious to those of ordinary skill in the art that various modifications and variations can be made without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, it should be said that such modifications or variations belong to the claims of the present invention.
10 : 공정 챔버 100a~100c : 리니어 소스
110 : 블록 하우징 111 : 하부 쿨링 블록
112 : 측부 쿨링 블록 113 : 상부 쿨링 블록
114 : 탑 쉴드 120 : 히팅 블록
121 : 하부 히터 122 : 상부 히터
130 : 크루시블 131 : 크루시블 바디
132 : 노즐 134 : 크루시블 덮개
200 : 증착프로파일 변경 유닛 210 : 고정형 분사각도 제한모듈
211 : 제1 각도 제한판 212 : 제2 각도 제한판
213 : 히터 코일 230 : 가동형 분사각도 변경모듈
231 : 분사각도 변경 플레이트 232 : 구동부
233 : 모터 234 : 구동 전달부10:
110: block housing 111: lower cooling block
112: side cooling block 113: upper cooling block
114: top shield 120: heating block
121: lower heater 122: upper heater
130: crucible 131: crucible body
132: nozzle 134: crucible cover
200: deposition profile change unit 210: fixed spray angle limiting module
211: first angle limiting plate 212: second angle limiting plate
213: heater coil 230: movable injection angle change module
231: spray angle change plate 232: drive unit
233: motor 234: drive transmission unit
Claims (12)
상기 공정 챔버의 일측에 마련되며, 상기 기판을 향해 증착물질을 분사하는 노즐을 구비하는 다수의 리니어 소스; 및
상기 리니어 소스들의 상부 일측에 배치되며, 상기 리니어 소스들에서 분사되는 증착물질이 분사되는 각도를 제한하되, 상기 증착물질의 분사 각도를 선택적으로 조절함으로써 상기 증착물질이 상기 기판에 증착되는 균일도를 나타내는 증착프로파일을 변경시키는 증착프로파일 변경유닛을 포함하고,
상기 증착프로파일 변경유닛은,
상기 리니어 소스들의 상부 일측에 고정되어 배치되며, 상기 리니어 소스들에서 분사되는 증착물질이 회절되어 퍼지면서 상기 기판에 증착되는 것이 저지되도록 상기 증착물질의 분사 각도를 제한하는 고정형 분사각도 제한모듈; 및
상기 고정형 분사각도 제한모듈의 일측에 상대 이동 가능하게 연결되며, 상대 이동에 의해 상기 증착물질의 분사 각도를 변경시키는 가동형 분사각도 변경모듈을 포함하며,
상기 고정형 분사각도 제한모듈은,
상기 리니어 소스들의 상부 일측으로부터 수직 방향으로 돌출되어 결합되는 제1 각도 제한판;
상기 제1 각도 제한판의 상부에 교차되게 연결되어 상기 증착물질의 분사 각도를 제한하는 제2 각도 제한판; 및
상기 증착물질이 쌓이는 것을 방지하기 위해 상기 제1 각도 제한판 및 상기 제2 각도 제한판의 내부에 배치되어 상기 제1 각도 제한판 및 상기 제2 각도 제한판을 가열시키는 히터 코일을 포함하고,
상기 가동형 분사각도 변경모듈은 상기 고정형 분사각도 제한모듈의 일측에 상대 회동 가능하게 연결되며,
상기 가동형 분사각도 변경모듈은,
상기 제2 각도 제한판의 상부에 상대 회동 가능하게 연결되는 분사각도 변경 플레이트; 및
상기 분사각도 변경 플레이트의 일측에 연결되어 상기 분사각도 변경 플레이트를 회동시키는 구동부를 포함하고,
상기 분사각도 변경 플레이트는,
상기 리니어 소스에 노즐이 배치되는 방향을 따라 미리 정해진 간격으로 나누어진 구간마다 배치되되, 개별적으로 고정 각도를 다르게 설정 가능한 복수의 단위 분사각도 변경 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 증착장치.A process chamber in which a deposition process is performed on a substrate;
A plurality of linear sources provided on one side of the process chamber and including nozzles for spraying a deposition material toward the substrate; And
It is disposed on one side of the upper portion of the linear sources, and limits the angle at which the deposition material sprayed from the linear sources is sprayed, but indicates the uniformity at which the deposition material is deposited on the substrate by selectively adjusting the spray angle of the deposition material It includes a deposition profile changing unit for changing the deposition profile,
The deposition profile changing unit,
A fixed spray angle limiting module that is fixedly disposed on one side of the top of the linear sources, and limits the spray angle of the deposition material so that deposition on the substrate is prevented while the deposition material sprayed from the linear sources is diffracted and spread; And
It is connected to one side of the fixed injection angle limiting module to be relatively movable, and includes a movable injection angle change module for changing the injection angle of the deposition material by the relative movement,
The fixed injection angle limiting module,
A first angle limiting plate protruding in a vertical direction from an upper side of the linear sources to be coupled;
A second angle limiting plate intersectingly connected to an upper portion of the first angle limiting plate to limit the spray angle of the deposition material; And
And a heater coil disposed inside the first angle limiting plate and the second angle limiting plate to heat the first angle limiting plate and the second angle limiting plate to prevent the deposition material from accumulating,
The movable injection angle change module is connected to one side of the fixed injection angle limiting module so as to be able to rotate relative,
The movable injection angle change module,
A spray angle changing plate connected to an upper portion of the second angle limiting plate so as to be rotatable; And
It is connected to one side of the injection angle change plate and includes a driving unit for rotating the injection angle change plate,
The spray angle change plate,
A substrate deposition apparatus comprising a plurality of unit spray angle changing plates that are disposed in each section divided at predetermined intervals along a direction in which the nozzles are disposed in the linear source, and individually set differently fixed angles.
상기 단위 분사각도 변경 플레이트는,
미리 결정된 반지름을 가지는 원호의 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 증착장치.The method of claim 1,
The unit spray angle change plate,
A substrate deposition apparatus, characterized in that it has a shape of an arc having a predetermined radius.
상기 가동형 분사각도 변경모듈의 상기 구동부는 상기 공정 챔버의 내부 일측에 배치되되 내부를 대기압 상태로 형성시키는 ATM 박스의 내부에 마련되며,
상기 구동부는,
모터; 및
상기 모터와 상기 분사각도 변경 플레이트에 각각 연결되어 상기 모터의 구동력을 상기 분사각도 변경 플레이트에 전달하는 구동 전달부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 증착장치.The method of claim 1,
The driving part of the movable injection angle change module is disposed inside one side of the process chamber, and is provided inside an ATM box that forms the inside at atmospheric pressure,
The driving unit,
motor; And
And a drive transmission unit connected to the motor and the spray angle change plate, respectively, to transmit a driving force of the motor to the spray angle change plate.
상기 구동 전달부는,
상기 분사각도 변경 플레이트의 일측에 연결되는 회전축;
상기 회전축의 일측에 결합되는 피니언 기어; 및
상기 모터와 상기 피니언 기어를 연결시키는 랙을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 증착장치.The method of claim 7,
The drive transmission unit,
A rotation shaft connected to one side of the spray angle change plate;
A pinion gear coupled to one side of the rotation shaft; And
And a rack connecting the motor and the pinion gear.
상기 리니어 소스는,
외관을 형성하는 블록 하우징(block housing); 및
상기 블록 하우징 내에 배치되며, 증착물질이 내부에 충전되는 크루시블(crucible)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 증착장치.The method of claim 1,
The linear source,
A block housing forming the exterior; And
A substrate deposition apparatus comprising a crucible disposed in the block housing and filled with a deposition material.
상기 크루시블은,
상기 증착물질이 충전되는 크루시블 바디; 및
상기 크루시블 바디의 상부에 결합되되 상기 증착물질이 분사되는 다수의 노즐이 형성되는 크루시블 덮개를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 증착장치.The method of claim 10,
The crucible is,
A crucible body filled with the deposition material; And
And a crucible cover coupled to an upper portion of the crucible body and having a plurality of nozzles through which the deposition material is sprayed.
상기 블록 하우징은,
하부 쿨링 블록;
상기 하부 쿨링 블록의 측벽을 형성하는 다수의 측부 쿨링 블록; 및
상기 하부 쿨링 블록 및 상기 다수의 측부 쿨링 블록의 상부를 형성하는 상부 쿨링 블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 증착장치.The method of claim 10,
The block housing,
Lower cooling block;
A plurality of side cooling blocks forming side walls of the lower cooling block; And
And an upper cooling block forming an upper portion of the lower cooling block and the plurality of side cooling blocks.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180172151A KR102160509B1 (en) | 2018-12-28 | 2018-12-28 | Glass deposition apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180172151A KR102160509B1 (en) | 2018-12-28 | 2018-12-28 | Glass deposition apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200082026A KR20200082026A (en) | 2020-07-08 |
KR102160509B1 true KR102160509B1 (en) | 2020-09-28 |
Family
ID=71601193
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180172151A KR102160509B1 (en) | 2018-12-28 | 2018-12-28 | Glass deposition apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102160509B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102021117574A1 (en) * | 2021-07-07 | 2023-01-12 | Thyssenkrupp Steel Europe Ag | Coating system for coating a flat object and a method for coating a flat object |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100703427B1 (en) * | 2005-04-15 | 2007-04-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | Vapor deposition source and Vapor deposition apparatus having thereof |
KR100704873B1 (en) | 2005-07-27 | 2007-04-10 | 김대겸 | Fixing device of advertisement sign |
KR101885245B1 (en) * | 2012-05-31 | 2018-09-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | Depositing apparatus and method for manufacturing organic light emitting diode display using the same |
KR101404985B1 (en) * | 2012-10-26 | 2014-06-10 | 주식회사 선익시스템 | Linear Type Evaporation Source of In-Line Deposition System |
KR102046563B1 (en) * | 2012-12-13 | 2019-11-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | Thin film depositing apparatus and the thin film depositing method using the same |
KR102497653B1 (en) * | 2016-03-02 | 2023-02-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | Deposition device and method of fabricating light emitting display device using the same |
-
2018
- 2018-12-28 KR KR1020180172151A patent/KR102160509B1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200082026A (en) | 2020-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101760897B1 (en) | Deposition source and apparatus for organic layer deposition having the same | |
JP5364731B2 (en) | Thin film deposition equipment | |
KR101097311B1 (en) | Organic light emitting display apparatus and apparatus for thin layer deposition for manufacturing the same | |
JP5367195B2 (en) | Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and organic EL display device manufacturing method | |
JP6139423B2 (en) | Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and organic electroluminescence element manufacturing method | |
US8889551B2 (en) | Depositing device and method for manufacturing organic light emitting diode display using the same | |
US20170012200A1 (en) | Deposition apparatus | |
JP6429491B2 (en) | Vapor deposition apparatus mask, vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and organic electroluminescence element manufacturing method | |
KR101479942B1 (en) | Linear evaporation source and thin layers deposition apparatus for flat panel display having the same | |
KR102160509B1 (en) | Glass deposition apparatus | |
KR20130035863A (en) | Evaporation source and film forming apparatus | |
JP2009114517A (en) | Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method of manufacturing organic el apparatus | |
KR102037723B1 (en) | Glass deposition apparatus | |
KR102560313B1 (en) | Decompression apparatus and method of manufacturing light emitting display device using the same | |
KR102020768B1 (en) | Glass Deposition Apparatus | |
KR102132434B1 (en) | Glass deposition apparatus | |
KR102229161B1 (en) | Glass deposition apparatus | |
KR101648489B1 (en) | Apparatus for depositing thin films and method using the same | |
KR102020767B1 (en) | Glass deposition apparatus | |
KR102190641B1 (en) | Deposition source and glass deposition apparatus having the same | |
KR102160508B1 (en) | Linear evaporation source | |
KR102190640B1 (en) | Linear evaporation source | |
KR102104307B1 (en) | Linear evaporation source | |
KR102229164B1 (en) | High temperature evaporation source | |
KR101649739B1 (en) | Linear evaporation source |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |