JP6252490B2 - GLASS LAMINATE, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND SUPPORT SUBSTRATE WITH SILICONE RESIN LAYER - Google Patents
GLASS LAMINATE, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND SUPPORT SUBSTRATE WITH SILICONE RESIN LAYER Download PDFInfo
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Description
本発明は、ガラス積層体およびその製造方法に係り、特に、所定の弾性率を示すシリコーン樹脂層を有するガラス積層体およびその製造方法に関する。
また、本発明はシリコーン樹脂層付き支持基材に係り、特に、ガラス基板がその表面に剥離可能に積層されるシリコーン樹脂層付き支持基材およびその製造方法に関する。The present invention relates to a glass laminate and a method for producing the same, and more particularly to a glass laminate having a silicone resin layer exhibiting a predetermined elastic modulus and a method for producing the same.
The present invention also relates to a support base material with a silicone resin layer, and more particularly, to a support base material with a silicone resin layer on which a glass substrate is releasably laminated and a manufacturing method thereof.
近年、太陽電池(PV)、液晶パネル(LCD)、有機ELパネル(OLED)などのデバイス(電子機器)の薄型化、軽量化が進行しており、これらのデバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。 In recent years, devices (electronic devices) such as solar cells (PV), liquid crystal panels (LCD), and organic EL panels (OLED) have been made thinner and lighter, and the glass substrates used in these devices have been made thinner. Progressing. If the strength of the glass substrate is insufficient due to the thinning, the handling property of the glass substrate is lowered in the device manufacturing process.
そこで、従来から、最終厚さよりも厚いガラス基板上にデバイス用部材(例えば、薄膜トランジスタ)を形成した後、ガラス基板を化学エッチング処理により薄板化する方法が広く採用されている。
しかし、この方法では、例えば、1枚のガラス基板の厚さを0.7mmから0.2mmや0.1mmに薄板化する場合、元々のガラス基板の材料の大半をエッチング液で削り落とすことになるので、生産性や原材料の使用効率という観点では好ましくない。また、上記の化学エッチングによるガラス基板の薄板化方法においては、ガラス基板表面に微細な傷が存在する場合、エッチング処理によって傷を起点として微細な窪み(エッチピット)が形成され、光学的な欠陥となる場合があった。Therefore, conventionally, a method of forming a device member (for example, a thin film transistor) on a glass substrate thicker than the final thickness and then thinning the glass substrate by chemical etching is widely used.
However, in this method, for example, when the thickness of one glass substrate is reduced from 0.7 mm to 0.2 mm or 0.1 mm, most of the original glass substrate material is scraped off with an etching solution. Therefore, it is not preferable from the viewpoint of productivity and use efficiency of raw materials. In addition, in the method of thinning a glass substrate by the above chemical etching, if a fine scratch exists on the surface of the glass substrate, a fine recess (etch pit) is formed from the scratch by the etching process, resulting in an optical defect. There was a case.
最近では、上記の課題に対応するため、薄板ガラス基板と補強板とを積層したガラス積層体を用意し、ガラス積層体の薄板ガラス基板上に表示装置などの電子デバイス用部材を形成した後、薄板ガラス基板から支持板を分離する方法が提案されている(例えば、特許文献1)。補強板は、支持板と、該支持板上に固定されたシリコーン樹脂層とを有し、シリコーン樹脂層と薄板ガラス基板とが剥離可能に密着される。ガラス積層体のシリコーン樹脂層と薄板ガラス基板の界面が剥離され、薄板ガラス基板から分離された補強板は、新たな薄板ガラス基板と積層され、ガラス積層体として再利用することが可能である。 Recently, in order to cope with the above problems, after preparing a glass laminate in which a thin glass substrate and a reinforcing plate are laminated and forming a member for an electronic device such as a display device on the thin glass substrate of the glass laminate, A method of separating a support plate from a thin glass substrate has been proposed (for example, Patent Document 1). The reinforcing plate has a support plate and a silicone resin layer fixed on the support plate, and the silicone resin layer and the thin glass substrate are in close contact with each other in a peelable manner. The reinforcing plate separated from the thin glass substrate is peeled off from the interface between the silicone resin layer of the glass laminate and the thin glass substrate, and can be reused as a glass laminate by being laminated with a new thin glass substrate.
特許文献1に記載のガラス積層体に関して、近年さらに高い耐熱性が要求されるようになってきた。ガラス積層体のガラス基板上に形成される電子デバイス用部材の高機能化や複雑化に伴い、電子デバイス用部材を形成する際の温度がさらに高温になると共に、その高温に曝される時間も長時間を要する場合が少なくない。また、使用されるガラス基板もより薄膜化しており、その取扱い性が困難となっていた。
特許文献1に記載のガラス積層体は大気中300℃、1時間の処理に耐えうる。しかし、本発明者らの検討によれば、特許文献1を参照して、より厚みの薄いガラス基板を使用したガラス積層体に対して360℃、1時間の処理を行った場合、ガラス基板をシリコーン樹脂層表面から剥離する際に、ガラス基板が樹脂層表面から剥がれずにその一部が破壊されたり、樹脂層の樹脂の一部がガラス基板上に残存したりして、結果として電子デバイスの生産性の低下を招く場合があった。In recent years, higher heat resistance has been required for the glass laminate described in Patent Document 1. As the electronic device members formed on the glass substrate of the glass laminate become more functional and complex, the temperature at which the electronic device members are formed becomes even higher, and the time exposed to the high temperatures also increases. It often takes a long time. Moreover, the glass substrate used is also made thinner, making it difficult to handle.
The glass laminate described in Patent Document 1 can withstand treatment at 300 ° C. for 1 hour in the air. However, according to studies by the present inventors, referring to Patent Document 1, when a glass laminate using a thinner glass substrate is treated at 360 ° C. for 1 hour, the glass substrate is When peeling from the surface of the silicone resin layer, the glass substrate is not peeled off from the surface of the resin layer, but part of it is destroyed, or part of the resin of the resin layer remains on the glass substrate, resulting in an electronic device. In some cases, the productivity of the product was reduced.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、高温加熱処理後であってもガラス基板とシリコーン樹脂層との剥離強度の上昇が抑制され、容易にガラス基板を剥離することができるガラス積層体およびその製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、該ガラス積層体の製造に使用されるシリコーン樹脂層付き支持基材を提供することも目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and even after high-temperature heat treatment, the increase in peel strength between the glass substrate and the silicone resin layer is suppressed, and the glass substrate can be easily peeled off. It aims at providing a glass laminated body and its manufacturing method.
Another object of the present invention is to provide a support substrate with a silicone resin layer used in the production of the glass laminate.
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、本発明を完成した。
すなわち、本発明の第1の態様は、支持基材とシリコーン樹脂層とガラス基板とをこの順で備え、支持基材とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度がシリコーン樹脂層とガラス基板との界面の剥離強度よりも大きい、ガラス積層体であって、シリコーン樹脂層のシリコーン樹脂が、架橋性オルガノポリシロキサンの架橋物であり、ナノインデンテーション法により測定したシリコーン樹脂層の弾性率が0.5〜2.5MPaである、ガラス積層体である。As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have completed the present invention.
That is, the first aspect of the present invention includes a support base material, a silicone resin layer, and a glass substrate in this order, and the peel strength at the interface between the support base material and the silicone resin layer is between the silicone resin layer and the glass substrate. The glass laminate is larger than the peel strength at the interface, and the silicone resin of the silicone resin layer is a crosslinked product of a crosslinkable organopolysiloxane, and the elastic modulus of the silicone resin layer measured by the nanoindentation method is 0. It is a glass laminated body which is 5-2.5 MPa.
第1の態様において、架橋性オルガノポリシロキサンの架橋物が、アルケニル基を有するオルガノポリシロキサンと、ハイドロシリル基を有するオルガノポリシロキサンとを反応させて得られる架橋物であることが好ましい。
第1の態様において、アルケニル基とハイドロシリル基との混合モル比(アルケニル基のモル数/ハイドロシリル基のモル数)が1/1〜1/0.8であることが好ましい。
第1の態様において、シリコーン樹脂層が、さらにシリコーンオイルを含むことが好ましい。
第1の態様において、シリコーン樹脂層の厚さが2〜100μmであることが好ましい。
第1の態様において、支持基材がガラス板であることが好ましい。In the first embodiment, the crosslinked product of the crosslinkable organopolysiloxane is preferably a crosslinked product obtained by reacting an organopolysiloxane having an alkenyl group and an organopolysiloxane having a hydrosilyl group.
In the first aspect, the mixing molar ratio of alkenyl group to hydrosilyl group (number of moles of alkenyl group / number of moles of hydrosilyl group) is preferably 1/1 to 1 / 0.8.
In the first aspect, the silicone resin layer preferably further contains silicone oil.
1st aspect WHEREIN: It is preferable that the thickness of a silicone resin layer is 2-100 micrometers.
1st aspect WHEREIN: It is preferable that a support base material is a glass plate.
本発明の第2の態様は、支持基材の片面に架橋性オルガノポリシロキサンを含む層を形成し、支持基材面上で架橋性オルガノポリシロキサンを架橋させてシリコーン樹脂層を形成し、次いでシリコーン樹脂層の表面にガラス基板を積層する第1の態様のガラス積層体を製造する方法である。 In the second aspect of the present invention, a layer containing a crosslinkable organopolysiloxane is formed on one side of a support substrate, and the silicone resin layer is formed by crosslinking the crosslinkable organopolysiloxane on the support substrate surface. It is a method for producing a glass laminate of the first embodiment in which a glass substrate is laminated on the surface of a silicone resin layer.
本発明の第3の態様は、支持基材と支持基材面上に設けられたシリコーン樹脂層とを有する、シリコーン樹脂層付き支持基材であって、シリコーン樹脂層のシリコーン樹脂が、架橋性オルガノポリシロキサンの架橋物であり、ナノインデンテーション法により測定したシリコーン樹脂層の弾性率が0.5〜2.5MPaである、シリコーン樹脂層付き支持基材である。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a support substrate with a silicone resin layer having a support substrate and a silicone resin layer provided on the support substrate surface, wherein the silicone resin of the silicone resin layer is crosslinkable. It is a cross-linked product of organopolysiloxane, and is a support substrate with a silicone resin layer, wherein the elastic modulus of the silicone resin layer measured by the nanoindentation method is 0.5 to 2.5 MPa.
本発明によれば、高温加熱処理後であってもガラス基板とシリコーン樹脂層との剥離強度の上昇が抑制され、容易にガラス基板を剥離することができるガラス積層体およびその製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、該ガラス積層体の製造に使用されるシリコーン樹脂層付き支持基材を提供することもできる。ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, even after high temperature heat processing, the raise of the peeling strength of a glass substrate and a silicone resin layer is suppressed, and the glass laminated body which can peel a glass substrate easily, and its manufacturing method are provided. be able to.
Moreover, according to this invention, the support base material with a silicone resin layer used for manufacture of this glass laminated body can also be provided.
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、以下の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and the following embodiments are not deviated from the scope of the present invention. Various modifications and substitutions can be made.
本発明のガラス積層体は、支持基材とシリコーン樹脂層とガラス基板とをこの順で備える。すなわち、支持基材とガラス基板との間にシリコーン樹脂層を有し、したがって、シリコーン樹脂層は一方の側が支持基材に接し、他方の側がガラス基板に接している。
本発明のガラス積層体の特徴点の一つは、ナノインデンテーション法により測定されるシリコーン樹脂層の弾性率が所定の範囲内にある点が挙げられる。特に、支持基材上に形成したシリコーン樹脂層の弾性率が所定の範囲内にある。弾性率が所定の範囲内にあるシリコーン樹脂層は、従来のシリコーン樹脂層と比較して柔らかい。このような柔軟なシリコーン樹脂層を使用すると、このシリコーン樹脂層上に配置されるガラス基板とある程度密着してその位置ズレを防止すると共に、比較的容易にガラス基板を剥離することができる。上記のような特性が得られる詳細な理由は不明だが、以下のように推測される。まず、ガラス基板がシリコーン樹脂層上に積層された場合、シリコーン樹脂層が柔らかいためガラス基板表面の形状に追随するように変形し、シリコーン樹脂層とガラス基板との間に空隙などを生じることなく、シリコーン樹脂層とガラス基板とが良好に密着する。また、高温加熱処理後にガラス基板をシリコーン樹脂層から剥離する際には、シリコーン樹脂層が変形しやすいため局所的にガラス基板に応力が加わることも抑制でき、結果としてガラス基板を容易に剥離することができる。The glass laminated body of this invention is equipped with a support base material, a silicone resin layer, and a glass substrate in this order. That is, it has a silicone resin layer between a support base material and a glass substrate, therefore, one side of the silicone resin layer is in contact with the support base material, and the other side is in contact with the glass substrate.
One of the characteristic points of the glass laminate of the present invention is that the elastic modulus of the silicone resin layer measured by the nanoindentation method is within a predetermined range. In particular, the elastic modulus of the silicone resin layer formed on the support substrate is within a predetermined range. A silicone resin layer having an elastic modulus within a predetermined range is softer than a conventional silicone resin layer. When such a flexible silicone resin layer is used, the glass substrate can be peeled relatively easily while being in close contact with the glass substrate disposed on the silicone resin layer to a certain degree to prevent positional displacement. Although the detailed reason for obtaining the above characteristics is unknown, it is presumed as follows. First, when the glass substrate is laminated on the silicone resin layer, the silicone resin layer is soft so that it deforms to follow the shape of the glass substrate surface without causing a gap or the like between the silicone resin layer and the glass substrate. The silicone resin layer and the glass substrate adhere well. Further, when the glass substrate is peeled from the silicone resin layer after the high-temperature heat treatment, the silicone resin layer is easily deformed, so that it is possible to suppress stress from being locally applied to the glass substrate, and as a result, the glass substrate is easily peeled off. be able to.
図1は、本発明に係るガラス積層体の一例の模式的断面図である。
図1に示すように、ガラス積層体10は、支持基材12とガラス基板16とそれらの間にシリコーン樹脂層14が存在する積層体である。シリコーン樹脂層14は、その一方の面が支持基材12に接すると共に、その他方の面がガラス基板16の第1主面16aに接している。言い換えると、シリコーン樹脂層14はガラス基板16の第1主面16aに接している。
支持基材12およびシリコーン樹脂層14からなる2層部分は、液晶パネルなどの電子デバイス用部材を製造する部材形成工程において、ガラス基板16を補強する。なお、ガラス積層体10の製造のためにあらかじめ製造される支持基材12およびシリコーン樹脂層14からなる2層部分をシリコーン樹脂層付き支持基材18という。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an example of a glass laminate according to the present invention.
As shown in FIG. 1, the glass laminated
The two-layer portion composed of the
このガラス積層体10は、後述する部材形成工程まで使用される。即ち、このガラス積層体10は、そのガラス基板16の第2主面16b表面上に液晶表示装置などの電子デバイス用部材が形成されるまで使用される。その後、電子デバイス用部材が形成されたガラス積層体は、シリコーン樹脂層付き支持基材18と電子デバイス用部材付きガラス基板に分離され、シリコーン樹脂層付き支持基材18は電子デバイスを構成する部分とはならない。シリコーン樹脂層付き支持基材18には新たなガラス基板16が積層され、新たなガラス積層体10として再利用することができる。
This glass laminated
支持基材12とシリコーン樹脂層14の界面は剥離強度(x)を有し、支持基材12とシリコーン樹脂層14の界面に剥離強度(x)を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、支持基材12とシリコーン樹脂層14の界面が剥離する。シリコーン樹脂層14とガラス基板16の界面は剥離強度(y)を有し、シリコーン樹脂層14とガラス基板16の界面に剥離強度(y)を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、シリコーン樹脂層14とガラス基板16の界面が剥離する。
ガラス積層体10(後述の電子デバイス用部材付き積層体も意味する)においては、上記剥離強度(x)は上記剥離強度(y)よりも大きい(高い)。したがって、ガラス積層体10に支持基材12とガラス基板16とを引き剥がす方向の応力が加えられると、本発明のガラス積層体10は、シリコーン樹脂層14とガラス基板16の界面で剥離してガラス基板16とシリコーン樹脂層付き支持基材18に分離する。
つまり、シリコーン樹脂層14は支持基材12上に固定されてシリコーン樹脂層付き支持基材18を形成し、ガラス基板16はシリコーン樹脂層14上に剥離可能に密着している。The interface between the
In the glass laminate 10 (which also means a laminate with an electronic device member described later), the peel strength (x) is greater (higher) than the peel strength (y). Therefore, when a stress is applied to the
That is, the
剥離強度(x)は、剥離強度(y)と比較して、充分高いことが好ましい。剥離強度(x)を高めることは、支持基材12に対するシリコーン樹脂層14の付着力を高め、かつ加熱処理後においてガラス基板16に対してよりも相対的に高い付着力を維持できることを意味する。
支持基材12に対するシリコーン樹脂層14の付着力を高めるためには、後述するように、架橋性オルガノポリシロキサンを支持基材12上で架橋硬化させてシリコーン樹脂層14を形成することが好ましい。架橋硬化の際の接着力で、支持基材12に対して高い結合力で結合したシリコーン樹脂層14を形成することができる。
一方、架橋硬化後の架橋性オルガノポリシロキサンの硬化物のガラス基板16に対する結合力は、上記架橋硬化時に生じる結合力よりも低いのが通例である。したがって、支持基材12上で架橋性オルガノポリシロキサンを架橋硬化させてシリコーン樹脂層14を形成し、その後シリコーン樹脂層14の面にガラス基板16を積層して、ガラス積層体10を製造することが好ましい。The peel strength (x) is preferably sufficiently higher than the peel strength (y). Increasing the peel strength (x) means that the adhesion of the
In order to increase the adhesion of the
On the other hand, the bond strength of the cured product of the crosslinkable organopolysiloxane after the crosslink curing to the
本発明の第1の態様であるガラス積層体は、支持基材とシリコーン樹脂層とガラス基板とをこの順で備え、支持基材とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度がシリコーン樹脂層とガラス基板との界面の剥離強度よりも大きい、ガラス積層体であって、シリコーン樹脂層のシリコーン樹脂が、架橋性オルガノポリシロキサンの架橋物であり、ナノインデンテーション法により測定した前記シリコーン樹脂層の弾性率が0.5〜2.5MPaである、ガラス積層体である。 The glass laminate according to the first aspect of the present invention includes a support base, a silicone resin layer, and a glass substrate in this order, and the peel strength at the interface between the support base and the silicone resin layer is the silicone resin layer and the glass. The glass laminate is larger than the peel strength at the interface with the substrate, and the silicone resin of the silicone resin layer is a crosslinked product of a crosslinkable organopolysiloxane, and the elasticity of the silicone resin layer measured by the nanoindentation method A glass laminate having a rate of 0.5 to 2.5 MPa.
以下で、まず、ガラス積層体10を構成する各層(支持基材12、ガラス基板16、シリコーン樹脂層14)について詳述し、その後、ガラス積層体および電子デバイス用部材付きガラス基板の製造方法について詳述する。
Below, each layer (
[支持基材]
支持基材12は、ガラス基板16を支持して補強し、後述する部材形成工程(電子デバイス用部材を製造する工程)において電子デバイス用部材の製造の際にガラス基板16の変形、傷付き、破損などを防止する。
支持基材12としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、SUS板などの金属板などが用いられる。通常、部材形成工程が熱処理を伴うため、支持基材12はガラス基板16との平均線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、ガラス基板16と同一材料で形成されることがより好ましく、支持基材12はガラス板であることが好ましい。特に、支持基材12は、ガラス基板16と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。[Supporting substrate]
The
As the
支持基材12の厚さは、ガラス基板16よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。好ましくは、ガラス基板16の厚さ、シリコーン樹脂層14の厚さ、およびガラス積層体10の厚さに基づいて、支持基材12の厚さが選択される。例えば、現行の部材形成工程が厚さ0.5mmの基板を処理するように設計されたものであって、ガラス基板16の厚さとシリコーン樹脂層14の厚さとの和が0.1mmの場合、支持基材12の厚さを0.4mmとする。支持基材12の厚さは、通常の場合、0.2〜5.0mmであることが好ましい。
The thickness of the
支持基材12がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、0.08mm以上であることが好ましい。また、ガラス板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、1.0mm以下であることが好ましい。
When the
支持基材12とガラス基板16との25〜300℃における平均線膨張係数の差は、好ましくは500×10-7/℃以下であり、より好ましくは300×10-7/℃以下であり、さらに好ましくは200×10-7/℃以下である。上記平均線膨張係数の差が大き過ぎると、部材形成工程における加熱冷却時に、ガラス積層体10が激しく反ったり、支持基材12とガラス基板16とが剥離したりする可能性がある。支持基材12の材料がガラス基板16の材料と同じ場合、このような問題が生じるのを抑制することができるため、支持基材はガラス板であることが好ましい。The difference in average linear expansion coefficient at 25 to 300 ° C. between the
[ガラス基板]
ガラス基板16は、第1主面16aがシリコーン樹脂層14と接し、シリコーン樹脂層14側とは反対側の第2主面16bに電子デバイス用部材が設けられる。
ガラス基板16の種類は、一般的なものであってよく、例えば、LCD、OLEDといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板16は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低い。熱収縮率の指標としては、JIS R 3102(1995年改正)に規定されている平均線膨張係数が用いられる。[Glass substrate]
As for the
The
ガラス基板16の平均線膨張係数が大きいと、部材形成工程は加熱処理を伴うことが多いので、様々な不都合が生じやすい。例えば、ガラス基板16上にTFTを形成する場合、加熱下でTFTが形成されたガラス基板16を冷却すると、ガラス基板16の熱収縮によって、TFTの位置ずれが過大になるおそれがある。
If the average linear expansion coefficient of the
ガラス基板16は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板16は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法(リドロー法)で成形して得られる。
The
ガラス基板16のガラスの種類は特に限定されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が40〜90質量%のガラスが好ましい。
The glass type of the
ガラス基板16のガラスとしては、電子デバイス用部材の種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス(無アルカリガラス)からなる(ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる)。このように、ガラス基板16のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。
As the glass of the
ガラス基板16の厚さは、ガラス基板16の薄型化および/または軽量化の観点から、0.3mm以下であることが好ましく、より好ましくは0.20mm以下であり、さらに好ましくは0.15mm以下であり、特に好ましくは0.10mm以下である。0.3mm以下の場合、ガラス基板16に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。0.15mm以下の場合、ガラス基板16をロール状に巻き取ることが可能である。
また、ガラス基板16の厚さは、ガラス基板16の製造が容易であること、ガラス基板16の取り扱いが容易であることなどの理由から、0.03mm以上であることが好ましい。The thickness of the
Further, the thickness of the
なお、ガラス基板16は2層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「ガラス基板16の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。
The
[シリコーン樹脂層]
シリコーン樹脂層は実質的にシリコーン樹脂からなり、該シリコーン樹脂は架橋性オルガノポリシロキサンの架橋物であり、ナノインデンテーション法により測定した弾性率が0.5〜2.5MPaである。支持基材とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度は、シリコーン樹脂層とガラス基板との界面の剥離強度よりも大きい。
シリコーン樹脂層14は、ガラス基板16と支持基材12とを分離する操作が行われるまでガラス基板16の位置ずれを防止すると共に、ガラス基板16などが分離操作によって破損するのを防止する。シリコーン樹脂層14のガラス基板16と接する表面(シリコーン樹脂層の第1主面)14aは、ガラス基板16の第1主面16aに剥離可能に密着する。一方、シリコーン樹脂層14は支持基材12上に固定されている。そのため、シリコーン樹脂層14はガラス基板16の第1主面16aに弱い結合力で結合しており、その界面の剥離強度(y)は、シリコーン樹脂層14と支持基材12との間の界面の剥離強度(x)よりも低い。
すなわち、ガラス基板16と支持基材12とを分離する際には、ガラス基板16の第1主面16aとシリコーン樹脂層14との界面で剥離し、支持基材12とシリコーン樹脂層14との界面では剥離し難い。このため、シリコーン樹脂層14はガラス基板16の第1主面16aと密着するが、ガラス基板16を容易に剥離することができる表面特性を有する。すなわち、シリコーン樹脂層14は、ガラス基板16の第1主面16aに対してある程度の結合力で結合してガラス基板16の位置ずれなどを防止していると同時に、ガラス基板16を剥離する際には、ガラス基板16を破壊することなく、容易に剥離できる程度の結合力で結合している。本発明では、このシリコーン樹脂層14表面の容易に剥離できる性質を剥離性という。一方、支持基材12の第1主面とシリコーン樹脂層14とは相対的に剥離しがたい結合力で結合している。
なお、シリコーン樹脂層14とガラス基板16の界面の結合力は、ガラス積層体10のガラス基板16の面(第2主面16b)上に電子デバイス用部材を形成する前後に変化してもよい(すなわち、剥離強度(x)や剥離強度(y)が変化してもよい)。しかし、電子デバイス用部材を形成した後であっても、剥離強度(y)は、剥離強度(x)よりも低い。[Silicone resin layer]
The silicone resin layer is substantially composed of a silicone resin, and the silicone resin is a crosslinked product of a crosslinkable organopolysiloxane and has an elastic modulus of 0.5 to 2.5 MPa measured by a nanoindentation method. The peel strength at the interface between the support substrate and the silicone resin layer is greater than the peel strength at the interface between the silicone resin layer and the glass substrate.
The
That is, when separating the
The bonding force at the interface between the
シリコーン樹脂層14とガラス基板16とは、弱い接着力やファンデルワールス力に起因する結合力で結合していると考えられる。シリコーン樹脂層14を形成した後その表面にガラス基板16を積層する場合、シリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂が接着力を示さないほど充分に架橋している場合はファンデルワールス力に起因する結合力で結合していると考えられる。しかし、シリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂は、ある程度の弱い接着力を有することが少なくない。たとえ接着性が極めて低い場合であっても、ガラス積層体10製造後その積層体上に電子デバイス用部材を形成する際には、加熱操作などにより、シリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂はガラス基板16面に接着し、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との間の結合力は上昇すると考えられる。
場合により、積層前のシリコーン樹脂層14の表面や積層前のガラス基板16の第1主面16aに両者間の結合力を弱める処理を行って積層することもできる。積層する面に非接着性処理などを行い、その後積層することにより、シリコーン樹脂層14とガラス基板16の界面の結合力を弱め、剥離強度(y)を低くすることができる。The
In some cases, the surface of the
また、シリコーン樹脂層14は、接着力や粘着力などの強い結合力で支持基材12表面に結合されている。たとえば、上述したように、架橋性オルガノポリシロキサンを支持基材12表面で架橋硬化させることにより、架橋物であるシリコーン樹脂を支持基材12表面に接着して、高い結合力を得ることができる。また、支持基材12表面とシリコーン樹脂層14との間に強い結合力を生じさせる処理(例えば、カップリング剤を使用した処理)を施して支持基材12表面とシリコーン樹脂層14との間の結合力を高めることができる。
シリコーン樹脂層14と支持基材12とが高い結合力で結合していることは、両者の界面の剥離強度(x)が高いことを意味する。The
The fact that the
ナノインデンテーション法により測定したシリコーン樹脂層14の弾性率は、0.5〜2.5MPaである。なかでも、ガラス基板16の剥離性がより優れる点で、0.5〜2.0MPaが好ましく、0.5〜1.2MPaがより好ましい。
シリコーン樹脂層14の弾性率が0.5MPa未満の場合、および、シリコーン樹脂層14の破壊が生じ、2.5MPa超の場合、ガラス基板16とシリコーン樹脂層14とが剥離し難くなる。なお、上記弾性率は、シリコーン樹脂層14表面の任意の5箇所以上の点で測定した弾性率を算術平均して得られる平均値である。The elastic modulus of the
When the elastic modulus of the
ナノインデンテーション法により測定した弾性率を上記範囲とするには、後述するように、シリコーン樹脂層を所定のシリコーン樹脂層とすること、シリコーン樹脂層にシリコーンオイルを含ませること、シリコーン樹脂層の形成方法などにより制御することができる。 In order to set the elastic modulus measured by the nanoindentation method within the above range, as described later, the silicone resin layer should be a predetermined silicone resin layer, the silicone resin layer contains silicone oil, It can be controlled by the forming method or the like.
本発明において、ナノインデンテーション法による弾性率測定方法としては、JKR(Johnson-Kendall-Roberts)解析を原子間力顕微鏡を用いたフォース測定と組み合わせることで弾性率(ヤング率)が得られる。この手法では、カンチレバーを試料面に対して垂直に移動させ、カンチレバーの位置に対して荷重を測定する。カンチレバーのバネ定数に対して十分に硬い試料では試料変形が起こらないが、柔らかい試料では荷重に応じて試料も変形することを利用して、荷重と試料変形量との関係が得られる。押し込みが小さく、試料が柔らかい範囲ではJKR解析が最適である。
上記弾性率測定方法の詳細については、高分子論文集Vol.69,No.7,435〜442に開示される。なお、弾性率の測定手順に関しては、後述する実施例欄において詳述する。In the present invention, the elastic modulus (Young's modulus) can be obtained by combining JKR (Johnson-Kendall-Roberts) analysis with force measurement using an atomic force microscope as a method of measuring elastic modulus by the nanoindentation method. In this method, the cantilever is moved perpendicularly to the sample surface, and the load is measured with respect to the position of the cantilever. Samples that are sufficiently hard with respect to the spring constant of the cantilever do not cause sample deformation, but soft samples can also be used to obtain a relationship between the load and the amount of sample deformation by utilizing the deformation of the sample according to the load. JKR analysis is optimal when the indentation is small and the sample is soft.
For details of the above elastic modulus measurement method, see Polymer Journal Vol. 69, no. 7, 435-442. The procedure for measuring the elastic modulus will be described in detail in an example section described later.
シリコーン樹脂層14の厚さは特に限定されないが、2〜100μmであることが好ましく、3〜50μmであることがより好ましく、7〜20μmであることがさらに好ましい。シリコーン樹脂層14の厚さがこのような範囲であると、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との間に気泡や異物が介在することがあっても、ガラス基板16のゆがみ欠陥の発生を抑制することができる。また、シリコーン樹脂層14の厚さが厚すぎると、形成するのに時間および材料を要するため経済的ではなく、耐熱性が低下する場合がある。また、シリコーン樹脂層14の厚さが薄すぎると、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との密着性が低下する場合がある。
なお、シリコーン樹脂層14は2層以上からなっていてもよい。この場合「シリコーン樹脂層14の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。
また、シリコーン樹脂層14が2層以上からなる場合は、各々の層を形成する樹脂が異なる架橋シリコーン樹脂であってもよい。Although the thickness of the
The
Moreover, when the
シリコーン樹脂層14に含まれるシリコーン樹脂は架橋性オルガノポリシロキサンの架橋物であり、通常、3次元網目構造を形成している。
架橋性オルガノポリシロキサンの種類は特に制限されず、所定の架橋反応を介して、架橋硬化し、シリコーン樹脂を構成する架橋物(硬化物)となれば特にその構造は限定されず、所定の架橋性を有していればよい。架橋の形式は特に制限されず、架橋性オルガノポリシロキサン中に含まれる架橋性基の種類に応じて適宜公知の形式を採用できる。例えば、ヒドロシリル化反応、縮合反応、または、加熱処理、高エネルギー線処理若しくはラジカル重合開始剤によるラジカル反応などが挙げられる。
より具体的には、架橋性オルガノポリシロキサンがアルケニル基またはアルキニル基などのラジカル反応性基を有する場合、上記ラジカル反応を介したラジカル反応性基同士の反応により架橋して硬化物(架橋シリコーン樹脂)となる。
また、架橋性オルガノポリシロキサンがシラノール基を有する場合、シラノール基同士の縮合反応により架橋して硬化物となる。
さらに、架橋性オルガノポリシロキサンが、ケイ素原子に結合したアルケニル基(ビニル基など)を有するオルガノポリシロキサン(すなわち、オルガノアルケニルポリシロキサン)、および、ケイ素原子に結合した水素原子(ハイドロシリル基)を有するオルガノポリシロキサン(すなわち、オルガノハイドロジェンポリシロキサン)を含む場合、ヒドロシリル化触媒(例えば、白金系触媒)の存在下、ヒドロシリル化反応により架橋して硬化物となる。The silicone resin contained in the
The type of the crosslinkable organopolysiloxane is not particularly limited, and the structure is not particularly limited as long as it is cross-linked and cured through a predetermined cross-linking reaction to obtain a cross-linked product (cured product) constituting the silicone resin. What is necessary is just to have sex. The form of crosslinking is not particularly limited, and a known form can be appropriately employed depending on the kind of the crosslinkable group contained in the crosslinkable organopolysiloxane. Examples thereof include a hydrosilylation reaction, a condensation reaction, a heat treatment, a high energy ray treatment, or a radical reaction using a radical polymerization initiator.
More specifically, when the crosslinkable organopolysiloxane has a radical reactive group such as an alkenyl group or an alkynyl group, the cured product (crosslinked silicone resin) is crosslinked by a reaction between the radical reactive groups via the radical reaction. )
Moreover, when crosslinkable organopolysiloxane has a silanol group, it crosslinks by the condensation reaction of silanol groups, and it becomes a hardened | cured material.
In addition, the crosslinkable organopolysiloxane has an organopolysiloxane having an alkenyl group (such as a vinyl group) bonded to a silicon atom (ie, an organoalkenylpolysiloxane) and a hydrogen atom bonded to a silicon atom (hydrosilyl group). In the case of containing the organopolysiloxane having (that is, organohydrogenpolysiloxane), it is crosslinked by a hydrosilylation reaction in the presence of a hydrosilylation catalyst (for example, a platinum-based catalyst) to form a cured product.
なかでも、シリコーン樹脂層14の形成が容易で、ガラス基板16の剥離性により優れる点で、架橋性オルガノポリシロキサンが、両末端および/または側鎖にアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン(以後、適宜オルガノポリシロキサンAとも称する)と、両末端および/または側鎖にハイドロシリル基を有するオルガノポリシロキサン(以後、適宜オルガノポリシロキサンBとも称する)とを含む態様が好ましい。
なお、アルケニル基としては特に限定されないが、例えば、ビニル基(エテニル基)、アリル基(2−プロペニル基)、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキシニル基などが挙げられ、なかでも耐熱性に優れる点から、ビニル基が好ましい。
また、オルガノポリシロキサンAに含まれるアルケニル基以外の基、および、オルガノポリシロキサンBに含まれるハイドロシリル基以外の基としては、アルキル基(特に、炭素数4以下のアルキル基)が挙げられる。Among these, the crosslinkable organopolysiloxane is an organopolysiloxane having alkenyl groups at both ends and / or side chains (hereinafter referred to as appropriate) because the
In addition, although it does not specifically limit as an alkenyl group, For example, a vinyl group (ethenyl group), an allyl group (2-propenyl group), a butenyl group, a pentenyl group, a hexynyl group etc. are mentioned, Especially from the point which is excellent in heat resistance. A vinyl group is preferred.
Examples of the group other than the alkenyl group contained in the organopolysiloxane A and the group other than the hydrosilyl group contained in the organopolysiloxane B include an alkyl group (particularly an alkyl group having 4 or less carbon atoms).
オルガノポリシロキサンA中におけるアルケニル基の位置は特に制限されないが、オルガノポリシロキサンAが直鎖状の場合、アルケニル基は下記に示すM単位およびD単位のいずれかに存在してもよく、M単位とD単位の両方に存在していてもよい。硬化速度の点から、少なくともM単位に存在していることが好ましく、2個のM単位の両方に存在していることが好ましい。
なお、M単位およびD単位とは、オルガノポリシロキサンの基本構成単位の例であり、M単位とは有機基が3つ結合した1官能性のシロキサン単位、D単位とは有機基が2つ結合した2官能性のシロキサン単位である。シロキサン単位において、シロキサン結合は2個のケイ素原子が1個の酸素原子を介して結合した結合であることより、シロキサン結合におけるケイ素原子1個当たりの酸素原子は1/2個とみなし、式中O1/2と表現される。The position of the alkenyl group in the organopolysiloxane A is not particularly limited. However, when the organopolysiloxane A is linear, the alkenyl group may be present in any one of the M unit and D unit shown below. And D units may be present. From the viewpoint of curing speed, it is preferably present at least in M units, and preferably present in both two M units.
The M unit and D unit are examples of basic structural units of organopolysiloxane. The M unit is a monofunctional siloxane unit in which three organic groups are bonded. The D unit is bonded to two organic groups. Bifunctional siloxane unit. In the siloxane unit, the siloxane bond is a bond in which two silicon atoms are bonded through one oxygen atom, so that the oxygen atom per silicon atom in the siloxane bond is regarded as ½, Expressed as O 1/2 .
オルガノポリシロキサンA中におけるアルケニル基の数は特に制限されないが、1分子中に1〜3個が好ましく、2個がより好ましい。
オルガノポリシロキサンAの好適な構造としては、直鎖状または環状であり、1分子中に2個以上のアルケニル基を有し、該アルケニル基が2個のM単位の両方に1つ以上存在するものである。
オルガノポリシロキサンB中におけるハイドロシリル基の位置は特に制限されないが、オルガノポリシロキサンAが直鎖状の場合、ハイドロシリル基はM単位およびD単位のいずれかに存在してもよく、M単位とD単位の両方に存在していてもよい。硬化速度の点から、少なくともD単位に存在していることが好ましい。
オルガノポリシロキサンB中におけるハイドロシリル基の数は特に制限されないが、1分子中に少なくとも3個有することが好ましく、3個がより好ましい。
オルガノポリシロキサンBの好適な構造としては、オルガノポリシロキサンAが直鎖状または環状の場合、ハイドロシリル基を1分子中に2個以上有し、ハイドロシリル基のモル含有率が30%以上あることが好ましい。The number of alkenyl groups in the organopolysiloxane A is not particularly limited, but is preferably 1 to 3 per molecule and more preferably 2.
The preferred structure of the organopolysiloxane A is linear or cyclic, has two or more alkenyl groups in one molecule, and one or more alkenyl groups are present in both of two M units. Is.
The position of the hydrosilyl group in the organopolysiloxane B is not particularly limited. However, when the organopolysiloxane A is linear, the hydrosilyl group may be present in either the M unit or the D unit. It may be present in both D units. It is preferable that it exists in at least D unit from the point of a cure rate.
The number of hydrosilyl groups in the organopolysiloxane B is not particularly limited, but it is preferably at least 3 per molecule, and more preferably 3.
As a preferred structure of the organopolysiloxane B, when the organopolysiloxane A is linear or cyclic, it has two or more hydrosilyl groups in one molecule, and the molar content of hydrosilyl groups is 30% or more. It is preferable.
オルガノポリシロキサンAとオルガノポリシロキサンBとの混合比率は特に制限されないが、得られるシリコーン樹脂層のナノインデンテーション法による弾性率を所定の範囲とするために、オルガノポリシロキサンAとオルガノポリシロキサンBとの混合比率を調整することができる。オルガノポリシロキサンA中の全アルケニル基と、オルガノポリシロキサンB中のハイドロシリル基(ケイ素原子に結合した水素原子)とのモル比(アルケニル基のモル数/ハイドロシリル基のモル数)は、ガラス基板の剥離性がより優れる点で、1/1〜1/0.8となるように調整することが好ましい。なかでも、1/1〜1/0.9となるように混合比率を調整することが好ましい。 The mixing ratio of the organopolysiloxane A and the organopolysiloxane B is not particularly limited, but the organopolysiloxane A and the organopolysiloxane B are used in order to keep the elastic modulus of the resulting silicone resin layer by the nanoindentation method within a predetermined range. The mixing ratio can be adjusted. The molar ratio (number of moles of alkenyl group / number of moles of hydrosilyl group) of all alkenyl groups in organopolysiloxane A and hydrosilyl groups (hydrogen atoms bonded to silicon atoms) in organopolysiloxane B is glass. It is preferable to adjust so that it may become 1/1-1 / 0.8 at the point which the peelability of a board | substrate is more excellent. Especially, it is preferable to adjust a mixing ratio so that it may become 1/1 to 1 / 0.9.
架橋性オルガノポリシロキサンとして好適な構造と混合比率としては、オルガノポリシロキサンAとしては、直鎖状または環状であり、1分子中に2個以上のアルケニル基を有し、該アルケニル基が2個のM単位の両方に1つ以上存在するものが好ましく、オルガノポリシロキサンBとしては、ハイドロシリル基を1分子中に2個以上有し、ハイドロシリル基のモル含有率が30%以上あることが好ましく、オルガノポリシロキサンA中の全アルケニル基と、オルガノポリシロキサンB中のハイドロシリル基(ケイ素原子に結合した水素原子)とのモル比(アルケニル基のモル数/ハイドロシリル基のモル数)が、1/1〜1/0.8となるように調整することが好ましい。 As the structure and mixing ratio suitable for the crosslinkable organopolysiloxane, the organopolysiloxane A is linear or cyclic, has two or more alkenyl groups in one molecule, and two alkenyl groups. It is preferable that at least one of both M units is present, and the organopolysiloxane B has two or more hydrosilyl groups in one molecule, and the molar content of hydrosilyl groups is 30% or more. Preferably, the molar ratio (number of moles of alkenyl group / number of moles of hydrosilyl group) of all alkenyl groups in organopolysiloxane A and hydrosilyl groups (hydrogen atoms bonded to silicon atoms) in organopolysiloxane B is It is preferable to adjust to be 1/1 to 1 / 0.8.
ヒドロシリル化触媒としては、白金族金属系触媒を用いることが好ましい。白金族金属系触媒としては、白金系、パラジウム系、ロジウム系などの触媒が挙げられ、特に白金系触媒として用いることが経済性、反応性の点から好ましい。白金族金属系触媒としては、公知のものを用いることができる。具体的には、白金微粉末、白金黒、塩化第一白金酸、塩化第二白金酸などの塩化白金酸、四塩化白金、塩化白金酸のアルコール化合物、アルデヒド化合物、あるいは白金のオレフィン錯体、アルケニルシロキサン錯体、カルボニル錯体などがあげられる。
ヒドロシリル化触媒の使用量としては、オルガノポリシロキサンAとオルガノポリシロキサンBとの合計質量100質量部に対して、0.1〜20質量部が好ましく、1〜10質量部がより好ましい。白金成分としては、オルガノポリシロキサンAとオルガノポリシロキサンBとの合計質量100質量部に対して2〜400ppmが好ましく、2〜300ppmがより好ましい。As the hydrosilylation catalyst, a platinum group metal catalyst is preferably used. Examples of the platinum group metal-based catalyst include platinum-based, palladium-based, and rhodium-based catalysts, and it is particularly preferable to use as a platinum-based catalyst from the viewpoint of economy and reactivity. As the platinum group metal catalyst, known catalysts can be used. Specifically, platinum fine powder, platinum black, chloroplatinic acid such as chloroplatinic acid, chloroplatinic acid, platinum tetrachloride, alcohol compounds of chloroplatinic acid, aldehyde compounds, platinum olefin complexes, alkenyls Examples thereof include siloxane complexes and carbonyl complexes.
The amount of the hydrosilylation catalyst used is preferably 0.1 to 20 parts by mass and more preferably 1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total mass of the organopolysiloxane A and the organopolysiloxane B. As a platinum component, 2-400 ppm is preferable with respect to 100 mass parts of total mass of organopolysiloxane A and organopolysiloxane B, and 2-300 ppm is more preferable.
架橋性オルガノポリシロキサンの重量平均分子量は特に制限されないが、取扱い性に優れると共に、成膜性にも優れ、高温処理条件下におけるシリコーン樹脂の分解がより抑制される点で、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)測定による、ポリスチレン換算の重量平均分子量は1,000〜5,000,000が好ましく、2,000〜3,000,000がより好ましい。
架橋性オルガノポリシロキサンの粘度は10〜5000mPa・sが好ましく、15〜3000mPa・sがより好ましい。なお本明細書において、特に断りのない場合は、粘度は25℃で測定した時の値である。The weight-average molecular weight of the crosslinkable organopolysiloxane is not particularly limited, but it is excellent in handleability, excellent in film formability, and more resistant to decomposition of the silicone resin under high temperature processing conditions. The weight average molecular weight in terms of polystyrene as measured by chromatography is preferably 1,000 to 5,000,000, and more preferably 2,000 to 3,000,000.
The viscosity of the crosslinkable organopolysiloxane is preferably 10 to 5000 mPa · s, more preferably 15 to 3000 mPa · s. In addition, in this specification, unless there is particular notice, a viscosity is a value when it measures at 25 degreeC.
本発明における硬化性シリコーン樹脂組成物には、さらに、触媒とともに触媒活性を調整する目的で触媒活性を抑制する作用のある活性抑制剤(反応抑制剤、遅延剤等とも呼ばれる化合物)を併用することが好ましい。活性抑制剤としては、例えば、各種有機窒素化合物、有機リン化合物、アセチレン系化合物、オキシム化合物、有機クロロ化合物などが挙げられる。アセチレン系化合物としては具体的に、1−エチニル−1−シクロヘキサノール、3,5−ジメチル−1−ヘキシン−3−オール、4−エチル−1−オクチン−3−オールなどが挙げられる。さらに必要に応じて、本発明の効果を損なわない範囲で、各種シリカ、炭酸カルシウム、酸化鉄などの無機フィラーなどを含有していてもよい。また、耐熱性向上剤として、金属酸化物などの金属化合物を含んでいてもよい。
また、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、トルエン、キシレンなどの有機溶媒や水などの分散媒は、硬化シリコーン樹脂を構成しない成分であるが、硬化性シリコーン樹脂組成物の塗布のための作業性向上などの目的で本発明における硬化性シリコーン樹脂組成物に配合して使用することができる。In the curable silicone resin composition of the present invention, an activity inhibitor (compound also called a reaction inhibitor, a retarder, etc.) having an action of suppressing the catalyst activity is used together with the catalyst for the purpose of adjusting the catalyst activity. Is preferred. Examples of the activity inhibitor include various organic nitrogen compounds, organic phosphorus compounds, acetylene compounds, oxime compounds, and organic chloro compounds. Specific examples of the acetylene compound include 1-ethynyl-1-cyclohexanol, 3,5-dimethyl-1-hexyn-3-ol, 4-ethyl-1-octin-3-ol, and the like. Furthermore, if necessary, inorganic fillers such as various silicas, calcium carbonates, iron oxides and the like may be contained within a range not impairing the effects of the present invention. Moreover, metal compounds, such as a metal oxide, may be included as a heat resistance improvement agent.
In addition, organic solvents such as hexane, heptane, octane, toluene and xylene, and dispersion media such as water are components that do not constitute a cured silicone resin, but include improved workability for application of the curable silicone resin composition. For the purpose, it can be used by blending with the curable silicone resin composition of the present invention.
シリコーン樹脂層14には、シリコーンオイルが含まれていてもよい。シリコーン樹脂層にシリコーンオイルが含まれることによってもナノインデンテーション法により測定したシリコーン樹脂層の弾性率を所定の値に制御することができる。シリコーンオイルは、上記架橋性オルガノポリシロキサンと異なり、架橋性オルガノポリシロキサンとは反応しない、架橋性を有さない非架橋性(非反応性)のオルガノポリシロキサンである。
シリコーンオイルの種類は特に限定されないが、ジメチルポリシロキサン、メチルフェニルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサンなどのストレートシリコーンオイル、ストレートシリコーンオイルの側鎖または末端にポリエーテル基、ハロゲン基等を導入した変性シリコーンオイルが例示される。
なお、シリコーンオイルの具体的に市販されている商品名または型番としては、芳香族基(例えば、フェニル基)を有するシリコーンオイルとして、KTSF433(モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製)、KF−50、KF−53、KF−54(信越化学工業社製)、SH550(東レダウコーニング社製)などが挙げられる。
芳香族基を有さないシリコーンオイルとしては、SH200(東レダウコーニング社製)、KNS−330(信越化学社製)などが挙げられる。The
The type of silicone oil is not particularly limited, but straight silicone oils such as dimethylpolysiloxane, methylphenylpolysiloxane, diphenylpolysiloxane, etc., modified silicone oils in which polyether groups, halogen groups, etc. are introduced into the side chain or terminal of straight silicone oil Is exemplified.
In addition, as a trade name or model number of silicone oil specifically marketed, as silicone oil having an aromatic group (for example, phenyl group), KTSF433 (manufactured by Momentive Performance Materials Japan GK), KF -50, KF-53, KF-54 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), SH550 (manufactured by Toray Dow Corning), and the like.
Examples of the silicone oil having no aromatic group include SH200 (manufactured by Toray Dow Corning), KNS-330 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), and the like.
シリコーンオイルの粘度は特に制限されないが、シリコーン樹脂層14表面にブリードアウトしやすくガラス基板16の剥離性がより優れる点、および、剥離されたガラス基板16の透明性がより優れる点で、100〜6000mm2/sが好ましく、100〜3000mm2/sがより好ましく、125〜1000mm2/sがさらに好ましい。
シリコーン樹脂層14中におけるシリコーンオイルの含有割合は特に制限されないが、ガラス基板16の剥離性が優れると共に、剥離されたガラス基板の透明性がより優れる点で、シリコーン樹脂100質量部に対して、6〜20質量部が好ましく、6〜15質量部がより好ましく、8〜15質量部がさらに好ましい。The viscosity of the silicone oil is not particularly limited, but it is easy to bleed out on the surface of the
The content ratio of the silicone oil in the
[ガラス積層体およびその製造方法]
本発明のガラス積層体10は、上述したように、支持基材12とガラス基板16とそれらの間にシリコーン樹脂層14が存在する積層体である。
本発明のガラス積層体10の製造方法は特に制限されず、公知の方法を採用し得る。例えば、支持基材12上にシリコーン樹脂層14が固定化されたシリコーン樹脂層付き支持基材18のシリコーン樹脂層14上にガラス基板16を積層する方法が好ましい。なかでも、剥離強度(x)が剥離強度(y)よりも高い積層体を得るために、支持基材12表面上で所定の架橋性オルガノポリシロキサンを架橋硬化させてシリコーン樹脂層14を形成する方法が好ましい。すなわち、架橋性オルガノポリシロキサンを含む層を支持基材12の表面に形成し、支持基材12表面上で架橋性オルガノポリシロキサンを架橋させてシリコーン樹脂層14(架橋シリコーン樹脂)を形成し、次いで、シリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂面にガラス基板16を積層して、ガラス積層体10を製造する方法である。また、支持基材12表面上で所定の架橋性オルガノポリシロキサンを架橋硬化させることによっても、ナノインデンテーション法による弾性率を所定の範囲に制御することができる。
架橋性オルガノポリシロキサンを支持基材12表面で硬化させると、硬化反応時の支持基材12表面との相互作用により接着し、シリコーン樹脂と支持基材12表面との剥離強度は高くなると考えられる。したがって、ガラス基板16と支持基材12とが同じ材質からなるものであっても、シリコーン樹脂層14と両者間の剥離強度に差を設けることができる。
以下、架橋性オルガノポリシロキサンを含む層を支持基材12の表面に形成し、支持基材12表面上で架橋性オルガノポリシロキサンを架橋させてシリコーン樹脂層14を形成する工程を樹脂層形成工程、シリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂面にガラス基板16を積層してガラス積層体10とする工程を積層工程といい、各工程の手順について詳述する。[Glass laminate and manufacturing method thereof]
As described above, the
The manufacturing method in particular of the glass laminated
When the crosslinkable organopolysiloxane is cured on the surface of the
Hereinafter, a step of forming a
(樹脂層形成工程)
樹脂層形成工程では、架橋性オルガノポリシロキサンを含む層を支持基材12の表面に形成し、支持基材12表面上で架橋性オルガノポリシロキサンを架橋させてシリコーン樹脂層14を形成する。
支持基材12上に架橋性オルガノポリシロキサンを含む層を形成するためには、架橋性オルガノポリシロキサンを溶媒に溶解させたコーティング用組成物を使用し、この組成物を支持基材12上に塗布して溶液の層を形成し、次いで溶媒を除去して架橋性オルガノポリシロキサンを含む層とすることが好ましい。組成物中における架橋性オルガノポリシロキサンの濃度の調整などにより、架橋性オルガノポリシロキサンを含む層の厚さを制御することができる。
溶媒としては、作業環境下で架橋性オルガノポリシロキサンを容易に溶解でき、かつ、容易に揮発除去させることのできる溶媒であれば、特に限定されるものではない。具体的には、例えば、酢酸ブチル、ヘプタン、2−ヘプタノン、1−メトキシ−2−プロパノールアセテート、トルエン、キシレン、THF、クロロホルム等を例示することができる。(Resin layer forming process)
In the resin layer forming step, a layer containing a crosslinkable organopolysiloxane is formed on the surface of the
In order to form a layer containing a crosslinkable organopolysiloxane on the
The solvent is not particularly limited as long as it can easily dissolve the crosslinkable organopolysiloxane in a working environment and can be easily volatilized and removed. Specific examples include butyl acetate, heptane, 2-heptanone, 1-methoxy-2-propanol acetate, toluene, xylene, THF, chloroform and the like.
支持基材12表面上に架橋性オルガノポリシロキサンを含む組成物を塗布する方法は特に限定されず、公知の方法を使用することができる。例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などが挙げられる。
その後、必要に応じて、溶媒を除去するための乾燥処理が実施されてもよい。乾燥処理の方法は特に制限されないが、例えば、減圧条件下で溶媒を除去する方法や、架橋性オルガノポリシロキサンの硬化が進行しないような温度で加熱する方法などが挙げられる。The method for applying the composition containing the crosslinkable organopolysiloxane on the surface of the
Then, if necessary, a drying process for removing the solvent may be performed. The method for the drying treatment is not particularly limited, and examples thereof include a method of removing the solvent under reduced pressure conditions and a method of heating at a temperature at which the curing of the crosslinkable organopolysiloxane does not proceed.
次いで、支持基材12上の架橋性オルガノポリシロキサンを架橋させて、シリコーン樹脂層14を形成する。より具体的には、図2(A)に示すように、該工程では支持基材12の少なくとも片面の表面上にシリコーン樹脂層14が形成される。
硬化(架橋)の方法は、上述したように、架橋性オルガノポリシロキサンの架橋形式に応じて適宜最適な方法が選択され、例えば、加熱処理や露光処理が挙げられる。なかでも、架橋性オルガノポリシロキサンがヒドロシリル化反応、縮合反応、ラジカル反応により架橋する場合、ガラス基板16に対する密着性および耐熱性に優れるシリコーン樹脂が得られる点で、熱硬化によりシリコーン樹脂層14を製造することが好ましい。
以下、熱硬化の態様について詳述する。Next, the crosslinkable organopolysiloxane on the
As described above, the curing (crosslinking) method is appropriately selected according to the crosslinking type of the crosslinkable organopolysiloxane, and examples thereof include heat treatment and exposure treatment. In particular, when the crosslinkable organopolysiloxane is crosslinked by a hydrosilylation reaction, a condensation reaction, or a radical reaction, a silicone resin having excellent adhesion and heat resistance to the
Hereinafter, the aspect of thermosetting is explained in full detail.
架橋性オルガノポリシロキサンを熱硬化させる温度条件は、シリコーン樹脂層14の耐熱性を向上し、ガラス基板16と積層後の剥離強度(y)を上記のように制御しうる範囲内で特に制限されないが、150〜300℃が好ましく、180〜250℃がより好ましい。また、加熱時間は、通常、10〜120分が好ましく、30〜60分がより好ましい。熱硬化の温度が低すぎると、耐熱性やシリコーン樹脂層14の平坦性が低下し、一方、温度が高すぎると剥離強度(y)が低くなりすぎ、いずれもガラス基板16とシリコーン樹脂層14との密着性が弱くなる場合がある。
The temperature condition for thermosetting the crosslinkable organopolysiloxane is not particularly limited as long as the heat resistance of the
なお、架橋性オルガノポリシロキサンはプレキュア(予備硬化)を行った後、後硬化(本硬化)を行って硬化させてもよい。プレキュアを行うことにより、耐熱性により優れたシリコーン樹脂層14を得ることができる。プレキュアは溶媒の除去に引き続き行うことが好ましく、その場合、層から溶媒を除去して架橋性オルガノポリシロキサンおよびシリコーンオイルを含む層を形成する工程とプレキュアを行う工程とは特に区別されない。
The crosslinkable organopolysiloxane may be cured by precuring (precuring) and then performing postcuring (main curing). By performing the pre-cure, the
(積層工程)
積層工程は、上記の樹脂層形成工程で得られたシリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂面上にガラス基板16を積層し、支持基材12とシリコーン樹脂層14とガラス基板16とをこの順で備えるガラス積層体10を得る工程である。より具体的には、図2(B)に示すように、シリコーン樹脂層14の支持基材12側とは反対側の表面(シリコーン樹脂層の第1主面)14aと、第1主面16aおよび第2主面16bを有するガラス基板16の第1主面16aとを積層面として、シリコーン樹脂層14とガラス基板16とを積層し、ガラス積層体10を得る。(Lamination process)
In the laminating step, the
ガラス基板16をシリコーン樹脂層14上に積層する方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。
例えば、常圧環境下でシリコーン樹脂層14の表面上にガラス基板16を重ねる方法が挙げられる。なお、必要に応じて、シリコーン樹脂層14の表面上にガラス基板16を重ねた後、ロールやプレスを用いてシリコーン樹脂層14にガラス基板16を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。The method in particular of laminating | stacking the
For example, a method of stacking the
真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保が行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、ガラス基板16のゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。
When pressure bonding is performed by a vacuum laminating method or a vacuum pressing method, it is more preferable because it suppresses mixing of bubbles and secures good adhesion. By press-bonding under vacuum, even if minute bubbles remain, there is an advantage that the bubbles do not grow by heating and are less likely to cause a distortion defect of the
ガラス基板16を積層する際には、シリコーン樹脂層14に接触するガラス基板16の表面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。クリーン度が高いほど、ガラス基板16の平坦性は良好となるので好ましい。
When laminating the
なお、ガラス基板16を積層した後、必要に応じて、プレアニール処理(加熱処理)を行ってもよい。該プレアニール処理を行うことにより、積層されたガラス基板16のシリコーン樹脂層14に対する密着性が向上し、適切な剥離強度(y)とすることができ、後述する部材形成工程の際に電子デバイス用部材の位置ずれなどが生じにくくなり、電子デバイスの生産性が向上する。
プレアニール処理の条件は使用されるシリコーン樹脂層14の種類に応じて適宜最適な条件が選択されるが、ガラス基板16とシリコーン樹脂層14の間の剥離強度(y)をより適切なものとする点から、300℃以上(好ましくは、300〜400℃)で5分間以上(好ましく、5〜30分間)加熱処理を行うことが好ましい。In addition, after laminating | stacking the
The conditions for the pre-annealing treatment are appropriately selected according to the type of the
なお、シリコーン樹脂層14の形成は、上記方法に限られるものではない。
例えば、シリコーン樹脂表面に対する密着性がガラス基板16よりも高い材質の支持基材12を用いる場合には、架橋性オルガノポリシロキサンを何らかの剥離性表面上で硬化してシリコーン樹脂のフィルムを製造し、このフィルムをガラス基板16と支持基材12との間に介在させ同時に積層することができる。
また、架橋性オルガノポリシロキサンの硬化による接着性がガラス基板16に対して充分低くかつその接着性が支持基材12に対して充分高い場合は、ガラス基板16と支持基材12の間で架橋性オルガノポリシロキサンを硬化させてシリコーン樹脂層14を形成することができる。
さらに、支持基材12がガラス基板16と同様のガラス材料からなる場合であっても、支持基材12表面の接着性を高める処理を施してシリコーン樹脂層14に対する剥離強度を高めることもできる。例えば、シランカップリング剤のような化学的に固定力を向上させる化学的方法(プライマー処理)や、フレーム(火炎)処理のように表面活性基を増加させる物理的方法、サンドブラスト処理のように表面の粗度を増加させることにより引っかかりを増加させる機械的処理方法などが例示される。The formation of the
For example, in the case of using a
Moreover, when the adhesiveness by hardening of crosslinkable organopolysiloxane is low enough with respect to the
Furthermore, even when the
(ガラス積層体)
本発明のガラス積層体10は、種々の用途に使用することができ、例えば、後述する表示装置用パネル、PV、薄膜2次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品を製造する用途などが挙げられる。なお、該用途では、ガラス積層体10が高温条件(例えば、360℃以上)で曝される(例えば、1時間以上)場合が多い。
ここで、表示装置用パネルとは、LCD、OLED、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットLEDパネル、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)シャッターパネル等が含まれる。(Glass laminate)
The
Here, the display device panel includes LCD, OLED, electronic paper, plasma display panel, field emission panel, quantum dot LED panel, MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) shutter panel, and the like.
[部材付きガラス基板およびその製造方法]
本発明においては、上述した積層体を用いて、ガラス基板と電子デバイス用部材とを含む部材付きガラス基板(電子デバイス用部材付きガラス基板)が製造される。
該部材付きガラス基板の製造方法は特に限定されないが、電子デバイスの生産性に優れる点から、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造し、得られた電子デバイス用部材付き積層体からシリコーン樹脂層のガラス基板側界面を剥離面として部材付きガラス基板とシリコーン樹脂層付き支持基材とに分離する方法が好ましい。
以下、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造する工程を部材形成工程、電子デバイス用部材付き積層体からシリコーン樹脂層のガラス基板側界面を剥離面として部材付きガラス基板とシリコーン樹脂層付き支持基材とに分離する工程を分離工程という。
以下に、各工程で使用される材料および手順について詳述する。[Glass substrate with member and method for producing the same]
In this invention, the glass substrate with a member (glass substrate with a member for electronic devices) containing a glass substrate and the member for electronic devices is manufactured using the laminated body mentioned above.
Although the manufacturing method of this glass substrate with a member is not specifically limited, From the point which is excellent in productivity of an electronic device, the member for electronic devices is formed on the glass substrate in the said glass laminated body, and the laminated body with an electronic device member is used. A method in which the manufactured and obtained laminate with a member for electronic devices is separated into a glass substrate with a member and a supporting substrate with a silicone resin layer by using the glass substrate side interface of the silicone resin layer as a release surface is preferable.
Hereinafter, the step of forming a member for an electronic device by forming a member for an electronic device on the glass substrate in the glass laminate is a member forming step, and the glass substrate for the silicone resin layer from the laminate with the member for an electronic device. The process of separating into a glass substrate with a member and a supporting substrate with a silicone resin layer using the side interface as a release surface is called a separation process.
The materials and procedures used in each process are described in detail below.
(部材形成工程)
部材形成工程は、上記積層工程において得られたガラス積層体10中のガラス基板16上に電子デバイス用部材を形成する工程である。より具体的には、図2(C)に示すように、ガラス基板16の第2主面16b(露出表面)上に電子デバイス用部材20を形成し、電子デバイス用部材付き積層体22を得る。
まず、本工程で使用される電子デバイス用部材20について詳述し、その後工程の手順について詳述する。(Member formation process)
A member formation process is a process of forming the member for electronic devices on the
First, the
(電子デバイス用部材(機能性素子))
電子デバイス用部材20は、ガラス積層体10中のガラス基板16上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材20としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜2次電池、または、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材(例えば、表示装置用部材、太陽電池用部材、薄膜2次電池用部材、電子部品用回路)が挙げられる。(Electronic device components (functional elements))
The
例えば、太陽電池用部材としては、シリコン型では、正極の酸化スズなど透明電極、p層/i層/n層で表されるシリコン層、および負極の金属等が挙げられ、その他に、化合物型、色素増感型、量子ドット型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、薄膜2次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、電子部品用回路としては、CCDやCMOSでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。For example, as a member for a solar cell, a silicon type includes a transparent electrode such as tin oxide of a positive electrode, a silicon layer represented by p layer / i layer / n layer, a metal of a negative electrode, and the like. And various members corresponding to the dye-sensitized type, the quantum dot type, and the like.
Further, as a member for a thin film secondary battery, in the lithium ion type, a transparent electrode such as a metal or a metal oxide of a positive electrode and a negative electrode, a lithium compound of an electrolyte layer, a metal of a current collecting layer, a resin as a sealing layer In addition, various members corresponding to nickel hydrogen type, polymer type, ceramic electrolyte type and the like can be mentioned.
In addition, as a circuit for an electronic component, in a CCD or CMOS, a metal of a conductive part, a silicon oxide or a silicon nitride of an insulating part, and the like, various sensors such as a pressure sensor and an acceleration sensor, a rigid printed board, a flexible printed board And various members corresponding to a rigid flexible printed circuit board.
(工程の手順)
上述した電子デバイス用部材付き積層体22の製造方法は特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、ガラス積層体10のガラス基板16の第2主面16b表面上に、電子デバイス用部材20を形成する。
なお、電子デバイス用部材20は、ガラス基板16の第2主面16bに最終的に形成される部材の全部(以下、「全部材」という)ではなく、全部材の一部(以下、「部分部材」という)であってもよい。シリコーン樹脂層14から剥離された部分部材付きガラス基板を、その後の工程で全部材付きガラス基板(後述する電子デバイスに相当)とすることもできる。
また、シリコーン樹脂層14から剥離された、全部材付きガラス基板には、その剥離面(第1主面16a)に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から支持基材12を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を2枚用いて組み立て、その後、全部材付き積層体から2枚の支持基材12を剥離して、2枚のガラス基板を有する部材付きガラス基板を製造することもできる。(Process procedure)
The manufacturing method of the
The
Moreover, the other electronic device member may be formed in the peeling surface (1st
例えば、OLEDを製造する場合を例にとると、ガラス積層体10のガラス基板16のシリコーン樹脂層14側とは反対側の表面上(ガラス基板16の第2主面16bに該当)に有機EL構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、等の各種の層形成や処理が行われる。これらの層形成や処理として、具体的には、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。
For example, when an OLED is manufactured as an example, an organic EL is formed on the surface of the
また、例えば、TFT−LCDを製造する場合は、ガラス積層体10のガラス基板16の第2主面16b上に、レジスト液を用いて、CVD法およびスパッター法など、一般的な成膜法により形成される金属膜および金属酸化膜等にパターン形成して薄膜トランジスタ(TFT)を形成するTFT形成工程と、別のガラス積層体10のガラス基板16の第2主面16b上に、レジスト液をパターン形成に用いてカラーフィルタ(CF)を形成するCF形成工程と、TFT形成工程で得られたTFT付き積層体とCF形成工程で得られたCF付き積層体とを積層する貼合わせ工程等の各種工程を有する。
Further, for example, when manufacturing a TFT-LCD, a resist film is used on the second
TFT形成工程やCF形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いて、ガラス基板16の第2主面16bにTFTやCFを形成する。この際、パターン形成用のコーティング液としてレジスト液が用いられる。
なお、TFTやCFを形成する前に、必要に応じて、ガラス基板16の第2主面16bを洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。In the TFT formation process and the CF formation process, the TFT and the CF are formed on the second
In addition, before forming TFT and CF, you may wash | clean the 2nd
貼合わせ工程では、TFT付き積層体の薄膜トランジスタ形成面と、CF付き積層体のカラーフィルタ形成面とを対向させて、シール剤(例えば、セル形成用紫外線硬化型シール剤)を用いて貼り合わせる。その後、TFT付き積層体とCF付き積層体とで形成されたセル内に、液晶材を注入する。液晶材を注入する方法としては、例えば、減圧注入法、滴下注入法がある。 In the laminating step, the thin film transistor forming surface of the laminated body with TFT and the color filter forming surface of the laminated body with CF are opposed to each other using a sealing agent (for example, an ultraviolet curable sealing agent for cell formation). Thereafter, a liquid crystal material is injected into a cell formed by the laminate with TFT and the laminate with CF. Examples of the method for injecting the liquid crystal material include a reduced pressure injection method and a drop injection method.
(分離工程)
分離工程は、図2(D)に示すように、上記部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体22から、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との界面を剥離面として、電子デバイス用部材20が積層されたガラス基板16(部材付きガラス基板24)と、支持基材12とに分離して、電子デバイス用部材20およびガラス基板16を含む部材付きガラス基板24を得る工程である。
剥離時のガラス基板16上の電子デバイス用部材20が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をガラス基板16上に形成することもできる。(Separation process)
As shown in FIG. 2 (D), the separation step is performed by using the electronic device member-attached
When the
ガラス基板16と支持基材12とを剥離する方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、ガラス基板16とシリコーン樹脂層14との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離することができる。好ましくは、電子デバイス用部材付き積層体22の支持基材12が上側、電子デバイス用部材20側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材20側を定盤上に真空吸着し(両面に支持基材が積層されている場合は順次行う)、この状態でまず刃物をガラス基板16−シリコーン樹脂層14界面に刃物を侵入させる。そして、その後に支持基材12側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物を差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうするとシリコーン樹脂層14とガラス基板16との界面やシリコーン樹脂層14の凝集破壊面へ空気層が形成され、その空気層が界面や凝集破壊面の全面に広がり、支持基材12を容易に剥離することができる。
また、支持基材12は、新たなガラス基板と積層して、本発明のガラス積層体10を製造することができる。The method of peeling the
Moreover, the
なお、電子デバイス用部材付き積層体22から部材付きガラス基板24を分離する際においては、イオナイザによる吹き付けや湿度を制御することにより、シリコーン樹脂層14の欠片が部材付きガラス基板24に静電吸着することをより抑制することができる。
When the
上述した部材付きガラス基板24の製造方法は、携帯電話やPDAのようなモバイル端末に使用される小型の表示装置の製造に好適である。表示装置は主としてLCDまたはOLEDであり、LCDとしては、TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等を含む。基本的にパッシブ駆動型、アクティブ駆動型のいずれの表示装置の場合でも適用することができる。
The manufacturing method of the
上記方法で製造された部材付きガラス基板24としては、ガラス基板と表示装置用部材を有する表示装置用パネル、ガラス基板と太陽電池用部材を有する太陽電池、ガラス基板と薄膜2次電池用部材を有する薄膜2次電池、ガラス基板と電子デバイス用部材を有する電子部品などが挙げられる。表示装置用パネルとしては、液晶パネル、有機ELパネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネルなどを含む。
As the
本発明の第3の態様であるシリコーン樹脂層付き支持基材は、支持基材と支持基材面上に設けられたシリコーン樹脂層とを有する、シリコーン樹脂層付き支持基材であって、シリコーン樹脂層のシリコーン樹脂が、架橋性オルガノポリシロキサンの架橋物であり、ナノインデンテーション法により測定した前記シリコーン樹脂層の弾性率が0.5〜2.5MPaである、シリコーン樹脂層付き支持基材である。
シリコーン樹脂層付き支持基材は、第1の態様で述べたのと同様のシリコーン樹脂層が第1の態様で述べたのと同様の支持基材の表面に形成されたものである。このようなシリコーン樹脂層付き支持基材は、支持基材表面にシリコーン樹脂層を形成することや、前記積層体からガラス基板または部材付きガラス基板を剥離することにより得られる。The support base material with a silicone resin layer according to the third aspect of the present invention is a support base material with a silicone resin layer, which has a support base material and a silicone resin layer provided on the support base material surface. The support substrate with a silicone resin layer, wherein the silicone resin of the resin layer is a crosslinked product of a crosslinkable organopolysiloxane, and the elastic modulus of the silicone resin layer measured by a nanoindentation method is 0.5 to 2.5 MPa. It is.
The support substrate with the silicone resin layer is such that the same silicone resin layer as described in the first embodiment is formed on the same surface of the support substrate as described in the first embodiment. Such a support substrate with a silicone resin layer can be obtained by forming a silicone resin layer on the surface of the support substrate or by peeling a glass substrate or a glass substrate with a member from the laminate.
以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。 EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples and the like, but the present invention is not limited to these examples.
以下の実施例1〜9、比較例1〜2では、ガラス基板として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(縦200mm、横200mm、板厚0.2mm、平均線膨張係数38×10-7/℃、旭硝子社製商品名「AN100」)を使用した。また、支持基材としては、同じく無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(縦240mm、横240mm、板厚0.5mm、平均線膨張係数38×10-7/℃、旭硝子社製商品名「AN100」)を使用した。In Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 and 2 below, a glass plate made of non-alkali borosilicate glass (length 200 mm, width 200 mm, plate thickness 0.2 mm, average linear expansion coefficient 38 × 10 −7). / ° C., trade name “AN100” manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.). Moreover, as a support base material, a glass plate (240 mm long, 240 mm wide, 0.5 mm thick, average linear expansion coefficient 38 × 10 −7 / ° C., made by Asahi Glass Co., Ltd., also made of non-alkali borosilicate glass. ")It was used.
<実施例1>
初めに、板厚0.5mmの支持基材を純水洗浄した後、さらにUV洗浄して清浄化した。
次に、荒川化学社製主剤(ASA-V01)(100質量部)と、荒川化学社製硬化剤(ASA-X01)(13質量部)と配合した。荒川化学社製触媒(ASA-C01)は、(ASA-V01)100質量部に対し5重量部添加した。さらに、ヘプタンを添加して架橋性オルガノポリシロキサンを含む溶液Xを作製した。この溶液Xをスピンコーター(回転数:300rpm、15秒)にて支持基材の第1主面上に塗布して、未硬化の架橋性オルガノポリシロキサンを含む層を支持基材上に設けた(塗工量20g/m2)。<Example 1>
First, a supporting substrate having a thickness of 0.5 mm was cleaned with pure water, and further cleaned by UV cleaning.
Next, Arakawa Chemical Co., Ltd. main agent (ASA-V01) (100 parts by mass) and Arakawa Chemical Co., Ltd. curing agent (ASA-X01) (13 parts by mass) were blended. Arakawa Chemical's catalyst (ASA-C01) was added in an amount of 5 parts by weight per 100 parts by weight of (ASA-V01). Further, a solution X containing a crosslinkable organopolysiloxane was prepared by adding heptane. This solution X was applied onto the first main surface of the supporting substrate with a spin coater (rotation speed: 300 rpm, 15 seconds), and a layer containing an uncured crosslinkable organopolysiloxane was provided on the supporting substrate. (Coating amount 20 g / m 2 ).
次に、230℃に10分間大気中で加熱硬化して、支持基材の第1主面に厚さ10μmのシリコーン樹脂層を形成した。
その後、ガラス基板と、支持基材のシリコーン樹脂層面とを、室温下で真空プレスにより貼り合わせ、ガラス積層体Aを得た。
得られたガラス積層体Aにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。Next, it was heated and cured at 230 ° C. for 10 minutes in the air to form a silicone resin layer having a thickness of 10 μm on the first main surface of the support base.
Then, the glass substrate A and the silicone resin layer surface of the supporting substrate were bonded together by vacuum pressing at room temperature to obtain a glass laminate A.
In the obtained glass laminate A, the supporting base material and the glass substrate were in close contact with the silicone resin layer without generating bubbles, there were no distortion defects, and the smoothness was good.
次に、ガラス積層体Aを窒素雰囲気下にて360℃で60分間加熱処理をおこない、室温まで冷却したところ、ガラス積層体Aの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかった。
そして、ガラス積層体Aの4箇所のうち1箇所のコーナー部におけるガラス基板と支持シリコーン樹脂層の界面に厚さ0.1mmのステンレス製刃物を挿入させて剥離の切欠部を形成しながら、ガラス基板と支持基材それぞれの剥離面でない面に真空吸着パッドを吸着させ、互いにガラス基板と支持基材が分離する方向に外力を加えて、ガラス基板と支持基材を破損すること無く分離した。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ(キーエンス社製)から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行った。具体的には、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら真空吸着パッドを引き上げた。
なお、シリコーン樹脂層は支持基材と共にガラス基板から分離され、該結果より、支持基材とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度(x)が、シリコーン樹脂層とガラス基板の界面の剥離強度(y)よりも高いことが確認された。
また、ガラス基板剥離後の支持基材上のシリコーン樹脂層の弾性率をナノインデンテーション法で測定したところ、2.36MPaであった。Next, the glass laminate A was heated at 360 ° C. for 60 minutes in a nitrogen atmosphere and cooled to room temperature. As a result, the glass substrate A was separated from the supporting substrate and the glass substrate, and the silicone resin layer was foamed or whitened. No change in appearance was observed.
And while forming the notch part of peeling by inserting the stainless steel cutting tool of thickness 0.1mm in the interface of the glass substrate and support silicone resin layer in the corner part of one place among four places of the glass laminated body A, glass The vacuum suction pad was adsorbed on the surface of the substrate and the supporting base that were not the release surfaces, and an external force was applied in the direction in which the glass substrate and the supporting base were separated from each other, thereby separating the glass substrate and the supporting base without being damaged. Here, the cutter was inserted while spraying a static eliminating fluid on the interface from an ionizer (manufactured by Keyence Corporation). Specifically, the vacuum suction pad was pulled up while spraying a static eliminating fluid continuously from the ionizer toward the formed gap.
The silicone resin layer is separated from the glass substrate together with the supporting base material. From the result, the peeling strength (x) at the interface between the supporting base material and the silicone resin layer is determined as the peeling strength (y at the interface between the silicone resin layer and the glass substrate). ) Was confirmed.
Moreover, it was 2.36 MPa when the elasticity modulus of the silicone resin layer on the support base material after glass substrate peeling was measured by the nanoindentation method.
ナノインデンテーション法の測定条件は以下の通りであった。
オミクロンナノテクノロジージャパン株式会社製のTI-950 Tribo Indenterを用いて、シリコーン樹脂層の諸物性値の測定を行った。すなわち、使用圧子としてConical 5um型の三角錐圧子を用い、変位速度一定モード30nm/secに押し込み荷重を加え、最大荷重の2μNに到達後、同様にステップ状に押し込み荷重を徐荷していく。測定は25℃の恒温条件下で行い、測定装置とサンプルの温度を十分に安定させた後に、押し込みの強さ0.2μNで、深さ200nmでの弾性率を測定し、5回の連続測定の平均値をもって測定値とした。The measurement conditions of the nanoindentation method were as follows.
Various physical property values of the silicone resin layer were measured using TI-950 Tribo Indenter manufactured by Omicron Nanotechnology Japan Co., Ltd. That is, a Conical 5um type triangular pyramid indenter is used as the working indenter, a pushing load is applied to the constant displacement speed mode 30 nm / sec, and after reaching the maximum load of 2 μN, the pushing load is gradually reduced stepwise. The measurement is performed under a constant temperature condition of 25 ° C., and after sufficiently stabilizing the temperature of the measuring apparatus and the sample, the elastic modulus at a depth of 200 nm is measured with an indentation strength of 0.2 μN, and five continuous measurements are performed. The average value was taken as the measured value.
<実施例2>
架橋性オルガノポリシロキサンを含む溶液Xに、さらにメチルフェニルシリコーンオイル(信越化学工業社製、KF−50、粘度100mm2/s)を加えた以外は、実施例1と同様の方法で、ガラス積層体Bを得た。
なお、メチルフェニルシリコーンオイルの使用量は、シリコーン樹脂100質量部に対して、5質量部であった。<Example 2>
In the same manner as in Example 1, except that methylphenyl silicone oil (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KF-50, viscosity 100 mm 2 / s) was added to the solution X containing a crosslinkable organopolysiloxane, Body B was obtained.
In addition, the usage-amount of methylphenyl silicone oil was 5 mass parts with respect to 100 mass parts of silicone resins.
得られたガラス積層体Bにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。
次に、ガラス積層体Bを実施例1と同様の加熱処理をおこなったところ、ガラス積層体Bの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかった。
そして、ガラス積層体Bを実施例1と同様の方法で支持基材とガラス基板との分離を行ったところ、ガラス基板と支持基材とが破損すること無く分離した。なお、シリコーン樹脂層は支持基材と共にガラス基板から分離された。該結果より、支持基材とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度(x)が、シリコーン樹脂層とガラス基板の界面の剥離強度(y)よりも高いことが確認された。
また、ガラス基板剥離後の支持基材上のシリコーン樹脂層の弾性率をナノインデンテーション法で測定したところ、2.29MPaであった。In the obtained glass laminate B, the supporting base material and the glass substrate were in close contact with the silicone resin layer without generating bubbles, there were no distortion defects, and the smoothness was good.
Next, when the glass laminate B was subjected to the same heat treatment as in Example 1, changes in appearance such as separation of the support substrate of the glass laminate B and the glass substrate, foaming or whitening of the silicone resin layer were observed. There wasn't.
And when the glass base material B was isolate | separated from the support base material and the glass substrate by the method similar to Example 1, it isolate | separated, without damaging a glass substrate and a support base material. The silicone resin layer was separated from the glass substrate together with the supporting base material. From the results, it was confirmed that the peel strength (x) at the interface between the support substrate and the silicone resin layer was higher than the peel strength (y) at the interface between the silicone resin layer and the glass substrate.
Moreover, it was 2.29 MPa when the elasticity modulus of the silicone resin layer on the support base material after glass substrate peeling was measured by the nanoindentation method.
<実施例3>
メチルフェニルシリコーンオイル(信越化学工業社製、KF−50、粘度100mm2/s)の使用量を5質量部から15質量部に変更した以外は、実施例2と同様の方法で、ガラス積層体Cを得た。<Example 3>
A glass laminate in the same manner as in Example 2 except that the amount of methylphenyl silicone oil (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KF-50, viscosity 100 mm 2 / s) was changed from 5 parts by mass to 15 parts by mass. C was obtained.
得られたガラス積層体Cにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。
次に、ガラス積層体Cを実施例1と同様の加熱処理をおこなったところ、ガラス積層体Cの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかった。
そして、ガラス積層体Cを実施例1と同様の方法で支持基材とガラス基板との分離を行ったところ、ガラス基板と支持基材とが破損すること無く分離した。なお、シリコーン樹脂層は支持基材と共にガラス基板から分離された。該結果より、支持基材とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度(x)が、シリコーン樹脂層とガラス基板の界面の剥離強度(y)よりも高いことが確認された。
また、ガラス基板剥離後の支持基材上のシリコーン樹脂層の弾性率をナノインデンテーション法で測定したところ、2.09MPaであった。In the obtained glass laminate C, the supporting base material and the glass substrate were in close contact with the silicone resin layer without generating bubbles, there were no distortion defects, and the smoothness was good.
Next, when the glass laminate C was subjected to the same heat treatment as in Example 1, changes in appearance such as separation of the support substrate of the glass laminate C and the glass substrate, foaming or whitening of the silicone resin layer were observed. There wasn't.
Then, when the glass substrate C was separated from the supporting substrate and the glass substrate by the same method as in Example 1, the glass substrate and the supporting substrate were separated without being damaged. The silicone resin layer was separated from the glass substrate together with the supporting base material. From the results, it was confirmed that the peel strength (x) at the interface between the support substrate and the silicone resin layer was higher than the peel strength (y) at the interface between the silicone resin layer and the glass substrate.
Moreover, it was 2.09 MPa when the elasticity modulus of the silicone resin layer on the support base material after glass substrate peeling was measured by the nanoindentation method.
<実施例4>
メチルフェニルシリコーンオイル(信越化学工業社製、KF−50、粘度100mm2/s)の使用量を5質量部から20質量部に変更した以外は、実施例2と同様の方法で、ガラス積層体Dを得た。<Example 4>
A glass laminate in the same manner as in Example 2 except that the amount of methylphenyl silicone oil (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KF-50, viscosity 100 mm 2 / s) was changed from 5 parts by mass to 20 parts by mass. D was obtained.
得られたガラス積層体Dにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。
次に、ガラス積層体Dを実施例1と同様の加熱処理をおこなったところ、ガラス積層体Dの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかった。
そして、ガラス積層体Dを実施例1と同様の方法で支持基材とガラス基板との分離を行ったところ、ガラス基板と支持基材とが破損すること無く分離した。なお、シリコーン樹脂層は支持基材と共にガラス基板から分離された。該結果より、支持基材とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度(x)が、シリコーン樹脂層とガラス基板の界面の剥離強度(y)よりも高いことが確認された。
また、ガラス基板剥離後の支持基材上のシリコーン樹脂層の弾性率をナノインデンテーション法で測定したところ、1.15MPaであった。In the obtained glass laminate D, the supporting base material and the glass substrate were in close contact with the silicone resin layer without generating bubbles, there were no distortion defects, and the smoothness was good.
Next, when the glass laminate D was subjected to the same heat treatment as in Example 1, changes in appearance such as separation of the support substrate of the glass laminate D and the glass substrate, foaming or whitening of the silicone resin layer were observed. There wasn't.
And when the glass base material D was isolate | separated from the support base material and the glass substrate by the method similar to Example 1, it isolate | separated, without damaging a glass substrate and a support base material. The silicone resin layer was separated from the glass substrate together with the supporting base material. From the results, it was confirmed that the peel strength (x) at the interface between the support substrate and the silicone resin layer was higher than the peel strength (y) at the interface between the silicone resin layer and the glass substrate.
Moreover, it was 1.15 MPa when the elasticity modulus of the silicone resin layer on the support base material after glass substrate peeling was measured by the nanoindentation method.
<実施例5>
メチルフェニルシリコーンオイル(信越化学工業社製、KF−50、粘度100mm2/s)の代わりに、メチルフェニルシリコーンオイル(東レダウコーニング社製、SH200、粘度200mm2/s)を使用した以外は、実施例2と同様の方法で、ガラス積層体Eを得た。<Example 5>
Instead of using methyl phenyl silicone oil (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KF-50, viscosity 100 mm 2 / s), methyl phenyl silicone oil (manufactured by Toray Dow Corning, SH 200, viscosity 200 mm 2 / s) was used. A glass laminate E was obtained in the same manner as in Example 2.
得られたガラス積層体Eにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。
次に、ガラス積層体Eを実施例1と同様の加熱処理をおこなったところ、ガラス積層体Eの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかった。
そして、ガラス積層体Eを実施例1と同様の方法で支持基材とガラス基板との分離を行ったところ、ガラス基板と支持基材とが破損すること無く分離した。なお、シリコーン樹脂層は支持基材と共にガラス基板から分離された。該結果より、支持基材とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度(x)が、シリコーン樹脂層とガラス基板の界面の剥離強度(y)よりも高いことが確認された。
また、ガラス基板剥離後の支持基材上のシリコーン樹脂層の弾性率をナノインデンテーション法で測定したところ、2.34MPaであった。In the obtained glass laminate E, the supporting base material and the glass substrate were in close contact with the silicone resin layer without generating bubbles, there were no distortion defects, and the smoothness was good.
Next, when the glass laminate E was subjected to the same heat treatment as in Example 1, changes in appearance such as separation of the support substrate and glass substrate of the glass laminate E, foaming and whitening of the silicone resin layer were observed. There wasn't.
Then, when the glass substrate E was separated from the supporting substrate and the glass substrate by the same method as in Example 1, the glass substrate and the supporting substrate were separated without being damaged. The silicone resin layer was separated from the glass substrate together with the supporting base material. From the results, it was confirmed that the peel strength (x) at the interface between the support substrate and the silicone resin layer was higher than the peel strength (y) at the interface between the silicone resin layer and the glass substrate.
Moreover, it was 2.34 MPa when the elasticity modulus of the silicone resin layer on the support base material after glass substrate peeling was measured by the nanoindentation method.
<実施例6>
メチルフェニルシリコーンオイル(東レダウコーニング社製、SH200、粘度200mm2/s)の使用量を5質量部から10質量部に変更した以外は、実施例5と同様の方法で、ガラス積層体Fを得た。<Example 6>
The glass laminate F was prepared in the same manner as in Example 5 except that the amount of methyl phenyl silicone oil (Toray Dow Corning, SH200, viscosity 200 mm 2 / s) was changed from 5 parts by mass to 10 parts by mass. Obtained.
得られたガラス積層体Fにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。
次に、ガラス積層体Fを実施例1と同様の加熱処理をおこなったところ、ガラス積層体Fの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかった。
そして、ガラス積層体Fを実施例1と同様の方法で支持基材とガラス基板との分離を行ったところ、ガラス基板と支持基材とが破損すること無く分離した。なお、シリコーン樹脂層は支持基材と共にガラス基板から分離された。該結果より、支持基材とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度(x)が、シリコーン樹脂層とガラス基板の界面の剥離強度(y)よりも高いことが確認された。
また、ガラス基板剥離後の支持基材上のシリコーン樹脂層の弾性率をナノインデンテーション法で測定したところ、2.31MPaであった。In the obtained glass laminate F, the supporting base material and the glass substrate were in close contact with the silicone resin layer without generating bubbles, there were no distortion defects, and the smoothness was good.
Next, when the glass laminate F was subjected to the same heat treatment as in Example 1, changes in appearance such as separation of the support substrate and glass substrate of the glass laminate F, foaming or whitening of the silicone resin layer were observed. There wasn't.
Then, when the glass laminate F was separated from the support base material and the glass substrate by the same method as in Example 1, the glass substrate and the support base material were separated without being damaged. The silicone resin layer was separated from the glass substrate together with the supporting base material. From the results, it was confirmed that the peel strength (x) at the interface between the support substrate and the silicone resin layer was higher than the peel strength (y) at the interface between the silicone resin layer and the glass substrate.
Moreover, it was 2.31 MPa when the elasticity modulus of the silicone resin layer on the support base material after glass substrate peeling was measured by the nanoindentation method.
<実施例7>
メチルフェニルシリコーンオイル(東レダウコーニング社製、SH200、粘度200mm2/s)の使用量を5質量部から15質量部に変更した以外は、実施例5と同様の方法で、ガラス積層体Gを得た。<Example 7>
The glass laminate G was prepared in the same manner as in Example 5 except that the amount of methyl phenyl silicone oil (Toray Dow Corning, SH200, viscosity 200 mm 2 / s) was changed from 5 parts by mass to 15 parts by mass. Obtained.
得られたガラス積層体Gにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。
次に、ガラス積層体Gを実施例1と同様の加熱処理をおこなったところ、ガラス積層体Gの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかった。
そして、ガラス積層体Gを実施例1と同様の方法で支持基材とガラス基板との分離を行ったところ、ガラス基板と支持基材とが破損すること無く分離した。なお、シリコーン樹脂層は支持基材と共にガラス基板から分離された。該結果より、支持基材とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度(x)が、シリコーン樹脂層とガラス基板の界面の剥離強度(y)よりも高いことが確認された。
また、ガラス基板剥離後の支持基材上のシリコーン樹脂層の弾性率をナノインデンテーション法で測定したところ、2.09MPaであった。In the obtained glass laminate G, the supporting base material and the glass substrate were in close contact with the silicone resin layer without generating bubbles, there were no distortion defects, and the smoothness was good.
Next, when the glass laminate G was subjected to the same heat treatment as in Example 1, changes in appearance such as separation of the support substrate of the glass laminate G and the glass substrate, foaming or whitening of the silicone resin layer were observed. There wasn't.
And when the glass substrate G was separated from the supporting substrate and the glass substrate by the same method as in Example 1, the glass substrate and the supporting substrate were separated without being damaged. The silicone resin layer was separated from the glass substrate together with the supporting base material. From the results, it was confirmed that the peel strength (x) at the interface between the support substrate and the silicone resin layer was higher than the peel strength (y) at the interface between the silicone resin layer and the glass substrate.
Moreover, it was 2.09 MPa when the elasticity modulus of the silicone resin layer on the support base material after glass substrate peeling was measured by the nanoindentation method.
<実施例8>
架橋性オルガノポリシロキサンを含む溶液Xの代わりに、以下の架橋性オルガノポリシロキサンを含む溶液Yを使用した以外は、実施例1と同様の方法で、ガラス積層体Hを得た。<Example 8>
A glass laminate H was obtained in the same manner as in Example 1 except that the solution Y containing the following crosslinkable organopolysiloxane was used instead of the solution X containing the crosslinkable organopolysiloxane.
(架橋性オルガノポリシロキサンを含む溶液Y)
主剤として、両末端にビニル基を1つずつ導入したジメチルシリコーン(56mPa・s)(100質量部)と、硬化剤として、メチルヒドロジェンシリコーン(メチル:ヒドロジェン(モル比)=2:1、ハイドロシリル基のモル含有率は33.3%、104mPa・s)(10質量部)とを配合した。カールステット触媒を樹脂成分に対して、白金換算で3ppm添加した。遅延剤として、1−エチニル−1−シクロヘキサノールを樹脂成分に対して、0.2質量部添加した。さらに、ヘプタンを添加して架橋性オルガノポリシロキサンを含む溶液Yを作製した。主剤のビニル基と硬化剤のヒドロジェン基とのモル比(アルケニル基のモル数/ハイドロシリル基のモル数)は、1モル:0.8モルになるように配合されている。(Solution Y containing crosslinkable organopolysiloxane)
As the main agent, dimethyl silicone (56 mPa · s) (100 parts by mass) with one vinyl group introduced at both ends, and as the curing agent, methyl hydrogen silicone (methyl: hydrogen (molar ratio) = 2: 1, hydro The molar content of the silyl group was 33.3%, 104 mPa · s) (10 parts by mass). The Karlstedt catalyst was added at 3 ppm in terms of platinum with respect to the resin component. As a retarder, 0.2 part by mass of 1-ethynyl-1-cyclohexanol was added to the resin component. Further, a solution Y containing a crosslinkable organopolysiloxane was prepared by adding heptane. The molar ratio of the vinyl group of the main agent to the hydrogen group of the curing agent (number of moles of alkenyl group / number of moles of hydrosilyl group) is 1 mole: 0.8 mole.
得られたガラス積層体Hにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。
次に、ガラス積層体Hを実施例1と同様の加熱処理をおこなったところ、ガラス積層体Hの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかった。
そして、ガラス積層体Hを実施例1と同様の方法で支持基材とガラス基板との分離を行ったところ、ガラス基板と支持基材とが破損すること無く分離した。なお、シリコーン樹脂層は支持基材と共にガラス基板から分離された。該結果より、支持基材とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度(x)が、シリコーン樹脂層とガラス基板の界面の剥離強度(y)よりも高いことが確認された。
また、ガラス基板剥離後の支持基材上のシリコーン樹脂層の弾性率をナノインデンテーション法で測定したところ、0.65MPaであった。In the obtained glass laminate H, the supporting base material and the glass substrate were in close contact with the silicone resin layer without generating bubbles, there were no distortion defects, and the smoothness was good.
Next, when the glass laminate H was subjected to the same heat treatment as in Example 1, changes in appearance such as separation of the support substrate and glass substrate of the glass laminate H, foaming and whitening of the silicone resin layer were recognized. There wasn't.
Then, when the glass substrate H was separated from the supporting substrate and the glass substrate by the same method as in Example 1, the glass substrate and the supporting substrate were separated without being damaged. The silicone resin layer was separated from the glass substrate together with the supporting base material. From the results, it was confirmed that the peel strength (x) at the interface between the support substrate and the silicone resin layer was higher than the peel strength (y) at the interface between the silicone resin layer and the glass substrate.
Moreover, it was 0.65 MPa when the elasticity modulus of the silicone resin layer on the support base material after glass substrate peeling was measured by the nanoindentation method.
<実施例9>
架橋性オルガノポリシロキサンを含む溶液Xの代わりに、以下の架橋性オルガノポリシロキサンを含む溶液Zを使用した以外は、実施例1と同様の方法で、ガラス積層体Iを得た。<Example 9>
A glass laminate I was obtained in the same manner as in Example 1 except that the solution Z containing the following crosslinkable organopolysiloxane was used instead of the solution X containing the crosslinkable organopolysiloxane.
(架橋性オルガノポリシロキサンを含む溶液Z)
荒川化学社製主剤(A78)(100質量部)と、荒川化学社製硬化剤(ASA-X01)(15質量部)と配合した。荒川化学社製触媒(ASA-C01)は、(A78)100質量部に対し5重量部添加した。さらに、ヘプタンを添加して架橋性オルガノポリシロキサンを含む溶液Zを作製した。(Solution Z containing crosslinkable organopolysiloxane)
Arakawa Chemical Co., Ltd. main agent (A78) (100 parts by mass) and Arakawa Chemical Co., Ltd. curing agent (ASA-X01) (15 parts by mass) were blended. Arakawa Chemical's catalyst (ASA-C01) was added in an amount of 5 parts by weight per 100 parts by weight of (A78). Furthermore, a solution Z containing a crosslinkable organopolysiloxane was prepared by adding heptane.
得られたガラス積層体Iにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。
次に、ガラス積層体Iを実施例1と同様の加熱処理をおこなったところ、ガラス積層体Iの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかった。
そして、ガラス積層体Iを実施例1と同様の方法で支持基材とガラス基板との分離を行ったところ、ガラス基板と支持基材とが破損すること無く分離した。なお、シリコーン樹脂層は支持基材と共にガラス基板から分離された。該結果より、支持基材とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度(x)が、シリコーン樹脂層とガラス基板の界面の剥離強度(y)よりも高いことが確認された。
また、ガラス基板剥離後の支持基材上のシリコーン樹脂層の弾性率をナノインデンテーション法で測定したところ、1.10MPaであった。In the obtained glass laminate I, the supporting substrate and the glass substrate were in close contact with the silicone resin layer without generating bubbles, and there was no distortion defect and smoothness was good.
Next, when the glass laminate I was subjected to the same heat treatment as in Example 1, changes in appearance such as separation of the support substrate and glass substrate of the glass laminate I, foaming and whitening of the silicone resin layer were observed. There wasn't.
And when the glass substrate I was separated from the supporting substrate and the glass substrate by the same method as in Example 1, the glass substrate and the supporting substrate were separated without being damaged. The silicone resin layer was separated from the glass substrate together with the supporting base material. From the results, it was confirmed that the peel strength (x) at the interface between the support substrate and the silicone resin layer was higher than the peel strength (y) at the interface between the silicone resin layer and the glass substrate.
Moreover, it was 1.10 MPa when the elasticity modulus of the silicone resin layer on the support base material after glass substrate peeling was measured by the nanoindentation method.
<比較例1>
架橋性オルガノポリシロキサンを含む溶液Xの代わりに、以下の架橋性オルガノポリシロキサンを含む溶液Wを使用した以外は、実施例1と同様の方法で、ガラス積層体Jを得た。<Comparative Example 1>
A glass laminate J was obtained in the same manner as in Example 1, except that the solution W containing the following crosslinkable organopolysiloxane was used instead of the solution X containing the crosslinkable organopolysiloxane.
(架橋性オルガノポリシロキサンを含む溶液W)
ADEKA社製 FX-T153Vi-5K(900mPa・s)(100質量部)と、ADEKA社製硬化剤FX-T153H-5K(1240mPa・s)(10質量部)とを配合した。さらに、ドデカンを添加して架橋性オルガノポリシロキサンを含む溶液Wを作製した。アルケニル基とハイドロシリル基のモル比が1:1となるように配合した。(Solution W containing crosslinkable organopolysiloxane)
FX-T153Vi-5K (900 mPa · s) (100 parts by mass) manufactured by ADEKA and a curing agent FX-T153H-5K (1240 mPa · s) (10 parts by mass) manufactured by ADEKA were blended. Further, dodecane was added to prepare a solution W containing a crosslinkable organopolysiloxane. The alkenyl group and the hydrosilyl group were blended so that the molar ratio was 1: 1.
得られたガラス積層体Jを実施例1と同様の方法で支持基材とガラス基板との分離を行ったところ、シリコーン樹脂層とガラス基板とが剥離しづらく、ガラス基板が割れてしまう、または、シリコーン樹脂層が破壊され、その大部分がガラス基板上に付着してしまった。
なお、ガラス基板剥離後の支持基材上のシリコーン樹脂層の弾性率をナノインデンテーション法で測定したところ、0.23MPaであった。When the obtained glass laminate J was separated from the supporting base material and the glass substrate in the same manner as in Example 1, it was difficult for the silicone resin layer and the glass substrate to peel off, and the glass substrate was cracked, or The silicone resin layer was destroyed, and most of it was deposited on the glass substrate.
In addition, it was 0.23 MPa when the elasticity modulus of the silicone resin layer on the support base material after glass substrate peeling was measured by the nanoindentation method.
<比較例2>
架橋性オルガノポリシロキサンを含む溶液Xの代わりに、以下の架橋性オルガノポリシロキサンを含む溶液Vを使用した以外は、実施例1と同様の方法で、ガラス積層体Kを得た。<Comparative example 2>
A glass laminate K was obtained in the same manner as in Example 1, except that the solution V containing the following crosslinkable organopolysiloxane was used instead of the solution X containing the crosslinkable organopolysiloxane.
(架橋性オルガノポリシロキサンを含む溶液V)
荒川化学社製主剤(A41)(100質量部)と、荒川化学社製硬化剤(ASA-X01)(13質量部)とを、アルケニル基とハイドロシリル基のモル比が1:1となるように配合した。荒川化学社製触媒(ASA-C01)は、(A41)100質量部に対し5重量部添加した。さらに、ドデカンを添加して架橋性オルガノポリシロキサンを含む溶液Vを作製した。(Solution V containing crosslinkable organopolysiloxane)
Arakawa Chemical Co., Ltd. main agent (A41) (100 parts by mass) and Arakawa Chemical Co., Ltd. curing agent (ASA-X01) (13 parts by mass) so that the molar ratio of alkenyl group to hydrosilyl group is 1: 1. Blended into Arakawa Chemical's catalyst (ASA-C01) was added in an amount of 5 parts by weight per 100 parts by weight of (A41). Further, a solution V containing a crosslinkable organopolysiloxane was prepared by adding dodecane.
得られたガラス積層体Kを実施例1と同様の方法で支持基材とガラス基板との分離を行ったところ、シリコーン樹脂層とガラス基板とが剥離しづらく、ガラス基板が割れてしまう、または、シリコーン樹脂層が破壊され、その大部分がガラス基板上に付着してしまった。
なお、ガラス基板剥離後の支持基材上のシリコーン樹脂層の弾性率をナノインデンテーション法で測定したところ、3.15MPaであった。When the obtained glass laminate K was separated from the supporting base material and the glass substrate in the same manner as in Example 1, the silicone resin layer and the glass substrate were difficult to peel off, and the glass substrate was broken, or The silicone resin layer was destroyed, and most of it was deposited on the glass substrate.
In addition, it was 3.15 MPa when the elasticity modulus of the silicone resin layer on the support base material after glass substrate peeling was measured by the nanoindentation method.
上記実施例および比較例の結果を、以下にまとめて示す。
なお、表1中、「剥離性」は、ガラス基板およびシリコーン樹脂層の破壊がなく、ガラス基板をガラス積層体から剥離できた場合を「○」、ガラス基板の剥離の際に、ガラス基板またはシリコーン樹脂層の破壊が生じた場合を「×」とした。The results of the above examples and comparative examples are summarized below.
In Table 1, “Peelability” means “◯” when the glass substrate can be peeled from the glass laminate without breaking the glass substrate and the silicone resin layer, and when the glass substrate is peeled, The case where the silicone resin layer was broken was indicated as “x”.
また、360℃、60分間の加熱処理後のガラス積層体A〜Kに対して、以下の剥離試験を行い、ガラス基板の剥離強度(N/25mm)を測定した。
幅25mm・長さ70mmのガラス積層体A〜Kを用意し、オートグラフAG−20/50kNXDplus(島津製作所)を用いてガラス基板の剥離を行った。なお、剥離速度は30mm/minあった。荷重を検知した地点を0とし、その位置から1.5mm離れた位置での剥離強度を測定値とした。Moreover, the following peeling test was done with respect to the glass laminated bodies AK after heat processing for 360 degreeC for 60 minutes, and the peeling strength (N / 25mm) of the glass substrate was measured.
Glass laminates A to K having a width of 25 mm and a length of 70 mm were prepared, and the glass substrate was peeled off using Autograph AG-20 / 50kNXDplus (Shimadzu Corporation). The peeling speed was 30 mm / min. The point where the load was detected was set to 0, and the peel strength at a position 1.5 mm away from the position was taken as the measured value.
上記表1から分かるように、シリコーン樹脂層の弾性率が所定の範囲(0.5〜2.5MPa)にある場合、ガラス基板の剥離性が優れることが確認された。
一方、シリコーン樹脂層の弾性率が低すぎる比較例1、および、高すぎる比較例2においては、ガラス基板の剥離性が劣っていた。As can be seen from Table 1 above, it was confirmed that when the elastic modulus of the silicone resin layer is within a predetermined range (0.5 to 2.5 MPa), the peelability of the glass substrate is excellent.
On the other hand, in Comparative Example 1 in which the elastic modulus of the silicone resin layer was too low and in Comparative Example 2 that was too high, the peelability of the glass substrate was inferior.
<実施例10>
本例では、実施例1で得たガラス積層体Aを用いてOLEDを製造する。
まず、ガラス積層体Aにおけるガラス基板の第2主面上に、プラズマCVD法により窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンの順に成膜する。次に、イオンドーピング装置により低濃度のホウ素をアモルファスシリコン層に注入し、窒素雰囲気下450℃60分間加熱処理し脱水素処理をおこなう。次に、レーザアニール装置によりアモルファスシリコン層の結晶化処理をおこなう。次に、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングおよびイオンドーピング装置より、低濃度のリンをアモルファスシリコン層に注入し、N型およびP型のTFTエリアを形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、プラズマCVD法により酸化シリコン膜を成膜してゲート絶縁膜を形成した後に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成する。次に、フォトリソグラフィ法とイオンドーピング装置により、高濃度のホウ素とリンをN型、P型それぞれの所望のエリアに注入し、ソースエリアおよびドレインエリアを形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、プラズマCVD法による酸化シリコンの成膜で層間絶縁膜を、スパッタリング法によりアルミニウムの成膜およびフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりTFT電極を形成する。次に、水素雰囲気下450℃60分間加熱処理し水素化処理をおこなった後に、プラズマCVD法による窒素シリコンの成膜で、パッシベーション層を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、紫外線硬化性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により平坦化層およびコンタクトホールを形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより画素電極を形成する。
続いて、蒸着法により、ガラス基板の第2主面側に、正孔注入層として4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス[(N−ナフチル)−N−フェニル]ベンジジン、発光層として8−キノリノールアルミニウム錯体(Alq3)に2,6−ビス[4−[N−(4−メトキシフェニル)−N−フェニル]アミノスチリル]ナフタレン−1,5−ジカルボニトリル(BSN−BCN)を40体積%混合したもの、電子輸送層としてAlq3をこの順に成膜する。次に、スパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止する。上記手順によって、ガラス基板上に有機EL構造体を形成する。ガラス基板上に有機EL構造体を有するガラス積層体A(以下、パネルAという。)が、本発明の電子デバイス用部材付き積層体(支持基材付き表示装置用パネル)である。
続いて、パネルAの封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、パネルAのコーナー部のガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に、厚さ0.1mmのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板とシリコーン樹脂層の界面に剥離のきっかけを与える。そして、パネルAの支持基材表面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ(キーエンス社製)から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行う。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら真空吸着パッドを引き上げる。その結果、定盤上に有機EL構造体が形成されたガラス基板のみを残し、シリコーン樹脂層付き支持基材を剥離することができる。
続いて、実施例1と同様の方法で分離したガラス基板の剥離面を清浄化し、分離されたガラス基板をレーザーカッタまたはスクライブ−ブレイク法を用いて切断し、複数のセルに分断した後、有機EL構造体が形成されたガラス基板と対向基板とを組み立てて、モジュール形成工程を実施してOLEDを作製する。こうして得られるOLEDは、特性上問題は生じない。<Example 10>
In this example, an OLED is manufactured using the glass laminate A obtained in Example 1.
First, silicon nitride, silicon oxide, and amorphous silicon are formed in this order on the second main surface of the glass substrate in the glass laminate A by plasma CVD. Next, low concentration boron is injected into the amorphous silicon layer by an ion doping apparatus, and a dehydrogenation process is performed by heating at 450 ° C. for 60 minutes in a nitrogen atmosphere. Next, the amorphous silicon layer is crystallized by a laser annealing apparatus. Next, low concentration phosphorus is implanted into the amorphous silicon layer by an etching and ion doping apparatus using a photolithography method, thereby forming N-type and P-type TFT areas. Next, a silicon oxide film is formed on the second main surface side of the glass substrate by a plasma CVD method to form a gate insulating film, then molybdenum is formed by a sputtering method, and etching is performed using a photolithography method. A gate electrode is formed. Next, high concentration boron and phosphorus are implanted into desired areas of the N-type and P-type by photolithography and an ion doping apparatus, thereby forming a source area and a drain area. Next, an interlayer insulating film is formed on the second main surface side of the glass substrate by silicon oxide film formation by plasma CVD, and a TFT electrode is formed by aluminum film formation by sputtering and etching using photolithography. Next, after heat treatment is performed at 450 ° C. for 60 minutes in a hydrogen atmosphere, a passivation layer is formed by film formation of nitrogen silicon by a plasma CVD method. Next, an ultraviolet curable resin is applied to the second main surface side of the glass substrate, and a planarization layer and a contact hole are formed by photolithography. Next, a film of indium tin oxide is formed by a sputtering method, and a pixel electrode is formed by etching using a photolithography method.
Subsequently, by a vapor deposition method, 4,4 ′, 4 ″ -tris (3-methylphenylamino) triphenylamine as a hole injection layer and bis [(( N-naphthyl) -N-phenyl] benzidine, 8-quinolinol aluminum complex (Alq 3 ) as a light emitting layer, 2,6-bis [4- [N- (4-methoxyphenyl) -N-phenyl] aminostyryl] naphthalene A mixture of 40% by volume of 1,5-dicarbonitrile (BSN-BCN) and Alq 3 as an electron transport layer are formed in this order, and then aluminum is formed by a sputtering method. Next, another glass substrate is bonded to the second main surface side of the glass substrate through an ultraviolet curable adhesive layer. According to the above procedure, an organic EL structure is formed on a glass substrate, and a glass laminate A (hereinafter referred to as panel A) having the organic EL structure on the glass substrate is used for the electronic device of the present invention. It is a laminated body with a member (panel for display apparatuses with a supporting base material).
Subsequently, after vacuum-adsorbing the sealing body side of the panel A to the surface plate, a stainless steel knife having a thickness of 0.1 mm is inserted into the interface between the glass substrate and the silicone resin layer at the corner portion of the panel A, and glass Provides a trigger for peeling at the interface between the substrate and the silicone resin layer. And after adsorb | sucking the support base material surface of the panel A with a vacuum suction pad, a suction pad is raised. Here, the blade is inserted while spraying a static eliminating fluid on the interface from an ionizer (manufactured by Keyence Corporation). Next, the vacuum suction pad is pulled up while the static elimination fluid is continuously sprayed from the ionizer toward the formed gap. As a result, only the glass substrate on which the organic EL structure is formed on the surface plate is left, and the supporting base material with the silicone resin layer can be peeled off.
Subsequently, the separation surface of the glass substrate separated by the same method as in Example 1 was cleaned, the separated glass substrate was cut using a laser cutter or a scribe-break method, and divided into a plurality of cells. The glass substrate on which the EL structure is formed and the counter substrate are assembled, and a module forming process is performed to manufacture an OLED. The OLED obtained in this way does not have a problem in characteristics.
<実施例11>
本例では、実施例1で得たガラス積層体Aを用いてLCDを製造する。
まず、2枚のガラス積層体Aを準備して、片方のガラス積層体A1におけるガラス基板の第2主面上に、プラズマCVD法により窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンの順に成膜する。次に、イオンドーピング装置により低濃度のホウ素をアモルファスシリコン層に注入し、窒素雰囲気下450℃60分間加熱処理し脱水素処理をおこなう。次に、レーザアニール装置によりアモルファスシリコン層の結晶化処理をおこなう。次に、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングおよびイオンドーピング装置より、低濃度のリンをアモルファスシリコン層に注入し、N型およびP型のTFTエリアを形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、プラズマCVD法により酸化シリコン膜を成膜しゲート絶縁膜を形成した後に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成する。次に、フォトリソグラフィ法とイオンドーピング装置により、高濃度のホウ素とリンをN型、P型それぞれの所望のエリアに注入し、ソースエリアおよびドレインエリアを形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、プラズマCVD法による酸化シリコンの成膜で層間絶縁膜を、スパッタリング法によりアルミニウムの成膜およびフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりTFT電極を形成する。次に、水素雰囲気下450℃60分間加熱処理し水素化処理をおこなった後に、プラズマCVD法による窒素シリコンの成膜で、パッシベーション層を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、紫外線硬化性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により平坦化層およびコンタクトホールを形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより画素電極を形成する。
次に、もう片方のガラス積層体A2を大気雰囲気下450℃60分間加熱処理する。次に、ガラス積層体Aにおけるガラス基板の第2主面上に、スパッタリング法によりクロムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより遮光層を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、ダイコート法によりカラーレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化によりカラーフィルタ層を形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、ダイコート法により紫外線硬化樹脂液を塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化により柱状スペーサを形成する。次に、ロールコート法によりポリイミド樹脂液を塗布し、熱硬化により配向層を形成し、ラビングをおこなう。
次に、ディスペンサ法によりシール用樹脂液を枠状に描画し、枠内にディスペンサ法により液晶を滴下した後に、上記で画素電極が形成されたガラス積層体A1を用いて、2枚のガラス積層体Aのガラス基板の第2主面側同士を貼り合わせ、紫外線硬化および熱硬化によりLCDパネルを得る。<Example 11>
In this example, an LCD is manufactured using the glass laminate A obtained in Example 1.
First, two glass laminates A are prepared, and silicon nitride, silicon oxide, and amorphous silicon are formed in this order on the second main surface of the glass substrate in one glass laminate A1 by plasma CVD. Next, low concentration boron is injected into the amorphous silicon layer by an ion doping apparatus, and a dehydrogenation process is performed by heating at 450 ° C. for 60 minutes in a nitrogen atmosphere. Next, the amorphous silicon layer is crystallized by a laser annealing apparatus. Next, low concentration phosphorus is implanted into the amorphous silicon layer by an etching and ion doping apparatus using a photolithography method, thereby forming N-type and P-type TFT areas. Next, after a silicon oxide film is formed on the second main surface side of the glass substrate by a plasma CVD method and a gate insulating film is formed, molybdenum is formed by a sputtering method, and the gate is etched by photolithography. An electrode is formed. Next, high concentration boron and phosphorus are implanted into desired areas of the N-type and P-type by photolithography and an ion doping apparatus, thereby forming a source area and a drain area. Next, an interlayer insulating film is formed on the second main surface side of the glass substrate by silicon oxide film formation by plasma CVD, and a TFT electrode is formed by aluminum film formation by sputtering and etching using photolithography. Next, after heat treatment is performed at 450 ° C. for 60 minutes in a hydrogen atmosphere, a passivation layer is formed by film formation of nitrogen silicon by a plasma CVD method. Next, an ultraviolet curable resin is applied to the second main surface side of the glass substrate, and a planarization layer and a contact hole are formed by photolithography. Next, a film of indium tin oxide is formed by a sputtering method, and a pixel electrode is formed by etching using a photolithography method.
Next, the other glass laminate A2 is heat-treated at 450 ° C. for 60 minutes in an air atmosphere. Next, a chromium film is formed on the second main surface of the glass substrate in the glass laminate A by a sputtering method, and a light shielding layer is formed by etching using a photolithography method. Next, a color resist is applied to the second main surface side of the glass substrate by a die coating method, and a color filter layer is formed by a photolithography method and heat curing. Next, a film of indium tin oxide is formed by a sputtering method to form a counter electrode. Next, an ultraviolet curable resin liquid is applied to the second main surface side of the glass substrate by a die coating method, and columnar spacers are formed by a photolithography method and thermal curing. Next, a polyimide resin solution is applied by a roll coating method, an alignment layer is formed by thermosetting, and rubbing is performed.
Next, a sealing resin liquid is drawn in a frame shape by the dispenser method, and after dropping the liquid crystal in the frame by the dispenser method, two glass layers are laminated using the glass laminate A1 in which the pixel electrodes are formed as described above. The second main surface sides of the glass substrate of the body A are bonded together, and an LCD panel is obtained by ultraviolet curing and thermal curing.
続いて、ガラス積層体A1の第2主面を定盤に真空吸着させ、ガラス積層体A2のコーナー部のガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に、厚さ0.1mmのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板の第1主面とシリコーン樹脂層の剥離性表面との剥離のきっかけを与える。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ(キーエンス社製)から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行う。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら真空吸着パッドを引き上げる。そして、ガラス積層体A2の支持基材の第2主面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。その結果、定盤上に、ガラス積層体A1の支持基材が付いたLCDの空セルのみを残し、シリコーン樹脂層付き支持基材を剥離することができる。 Subsequently, the second main surface of the glass laminate A1 is vacuum-adsorbed on a surface plate, and a stainless steel knife having a thickness of 0.1 mm is inserted into the interface between the glass substrate and the silicone resin layer at the corner of the glass laminate A2. Triggering the peeling between the first main surface of the glass substrate and the peelable surface of the silicone resin layer. Here, the blade is inserted while spraying a static eliminating fluid on the interface from an ionizer (manufactured by Keyence Corporation). Next, the vacuum suction pad is pulled up while the static elimination fluid is continuously sprayed from the ionizer toward the formed gap. And after adsorb | sucking the 2nd main surface of the support base material of glass laminated body A2 with a vacuum suction pad, a suction pad is raised. As a result, it is possible to leave only the empty cell of the LCD with the supporting substrate of the glass laminate A1 on the surface plate, and to peel the supporting substrate with the silicone resin layer.
次に、第1主面にカラーフィルタが形成されたガラス基板の第2主面を定盤に真空吸着させ、ガラス積層体A1のコーナー部のガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に、厚さ0.1mmのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板の第1主面とシリコーン樹脂層の剥離性表面との剥離のきっかけを与える。そして、ガラス積層体A1の支持基材の第2主面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。その結果、定盤上にLCDセルのみを残し、シリコーン樹脂層が固定された支持基材を剥離することができる。こうして、厚さ0.1mmのガラス基板で構成される複数のLCDのセルが得られる。 Next, the second main surface of the glass substrate on which the color filter is formed on the first main surface is vacuum-adsorbed on a surface plate, and the thickness is formed at the interface between the glass substrate and the silicone resin layer at the corner portion of the glass laminate A1. A 0.1 mm stainless steel blade is inserted to give a trigger for peeling between the first main surface of the glass substrate and the peelable surface of the silicone resin layer. And after adsorb | sucking the 2nd main surface of the support base material of glass laminated body A1 with a vacuum suction pad, a suction pad is raised. As a result, only the LCD cell is left on the surface plate, and the supporting substrate to which the silicone resin layer is fixed can be peeled off. Thus, a plurality of LCD cells composed of a glass substrate having a thickness of 0.1 mm are obtained.
続いて、切断する工程により、複数のLCDのセルに分断する。完成された各々のLCDセルに偏光板を貼付する工程を実施し、続いてモジュール形成工程を実施してLCDを得る。こうして得られるLCDは、特性上問題は生じない。 Subsequently, it is divided into a plurality of LCD cells by a cutting step. A step of attaching a polarizing plate to each completed LCD cell is performed, and then a module forming step is performed to obtain an LCD. The LCD obtained in this way does not have a problem in characteristics.
<実施例12>
本例では、実施例1で得たガラス積層体Aを用いてOLEDを製造する。
まず、ガラス積層体Aにおけるガラス基板の第2主面上に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成する。次に、プラズマCVD法により、ガラス基板の第2主面側にさらに窒化ケイ素を成膜してゲート絶縁膜を形成し、続いてスパッタリング法により酸化インジウムガリウム亜鉛を成膜してフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより酸化物半導体層を形成する。次に、プラズマCVD法により、ガラス基板の第2主面側にさらに窒化ケイ素を成膜してチャネル保護層を形成し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜してフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりソース電極およびドレイン電極を形成する。次に、大気中で450℃にて60分間加熱処理を行う。次に、ガラス基板の第2主面側にさらにプラズマCVD法により窒化ケイ素を成膜してパッシベーション層を形成し、続いてスパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜してフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成する。
続いて、蒸着法により、ガラス基板の第2主面側に、正孔注入層として4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス[(N−ナフチル)−N−フェニル]ベンジジン、発光層として8−キノリノールアルミニウム錯体(Alq3)に2,6−ビス[4−[N−(4−メトキシフェニル)−N−フェニル]アミノスチリル]ナフタレン−1,5−ジカルボニトリル(BSN−BCN)を40体積%混合したもの、電子輸送層としてAlq3をこの順に成膜する。次に、スパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止する。上記手順によって、ガラス基板上に有機EL構造体を形成する。ガラス基板上に有機EL構造体を有するガラス積層体A(以下、パネルAという。)が、本発明の電子デバイス用部材付き積層体(支持基材付き表示装置用パネル)である。
続いて、パネルAの封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、パネルAのコーナー部のガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に、厚さ0.1mmのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板とシリコーン樹脂層の界面に剥離のきっかけを与える。そして、パネルAの支持基材表面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ(キーエンス社製)から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行う。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら真空吸着パッドを引き上げる。その結果、定盤上に有機EL構造体が形成されたガラス基板のみを残し、シリコーン樹脂層付き支持基材を剥離することができる。
続いて、実施例1と同様の方法で分離したガラス基板の剥離面を清浄化し、分離されたガラス基板をレーザーカッタまたはスクライブ−ブレイク法を用いて切断し、複数のセルに分断した後、有機EL構造体が形成されたガラス基板と対向基板とを組み立てて、モジュール形成工程を実施してOLEDを作製する。こうして得られるOLEDは、特性上問題は生じない。<Example 12>
In this example, an OLED is manufactured using the glass laminate A obtained in Example 1.
First, molybdenum is deposited on the second main surface of the glass substrate in the glass laminate A by a sputtering method, and a gate electrode is formed by etching using a photolithography method. Next, a silicon nitride film is further formed on the second main surface side of the glass substrate by a plasma CVD method to form a gate insulating film, and then an indium gallium zinc oxide film is formed by a sputtering method to perform a photolithography method. An oxide semiconductor layer is formed by the etching used. Next, a silicon nitride film is further formed on the second main surface side of the glass substrate by plasma CVD to form a channel protective layer, and then molybdenum is formed by sputtering and etching using a photolithography method is performed. Thus, a source electrode and a drain electrode are formed. Next, heat treatment is performed in the atmosphere at 450 ° C. for 60 minutes. Next, a silicon nitride film is further formed on the second main surface side of the glass substrate by a plasma CVD method to form a passivation layer, followed by an indium tin oxide film formed by a sputtering method and etching using a photolithography method. Thus, a pixel electrode is formed.
Subsequently, by a vapor deposition method, 4,4 ′, 4 ″ -tris (3-methylphenylamino) triphenylamine as a hole injection layer and bis [(( N-naphthyl) -N-phenyl] benzidine, 8-quinolinol aluminum complex (Alq 3 ) as a light emitting layer, 2,6-bis [4- [N- (4-methoxyphenyl) -N-phenyl] aminostyryl] naphthalene A mixture of 40% by volume of 1,5-dicarbonitrile (BSN-BCN) and Alq 3 as an electron transport layer are formed in this order, and then aluminum is formed by a sputtering method. Next, another glass substrate is bonded to the second main surface side of the glass substrate through an ultraviolet curable adhesive layer. According to the above procedure, an organic EL structure is formed on a glass substrate, and a glass laminate A (hereinafter referred to as panel A) having the organic EL structure on the glass substrate is used for the electronic device of the present invention. It is a laminated body with a member (panel for display apparatuses with a supporting base material).
Subsequently, after vacuum-adsorbing the sealing body side of the panel A to the surface plate, a stainless steel knife having a thickness of 0.1 mm is inserted into the interface between the glass substrate and the silicone resin layer at the corner portion of the panel A, and glass Provides a trigger for peeling at the interface between the substrate and the silicone resin layer. And after adsorb | sucking the support base material surface of the panel A with a vacuum suction pad, a suction pad is raised. Here, the blade is inserted while spraying a static eliminating fluid on the interface from an ionizer (manufactured by Keyence Corporation). Next, the vacuum suction pad is pulled up while the static elimination fluid is continuously sprayed from the ionizer toward the formed gap. As a result, only the glass substrate on which the organic EL structure is formed on the surface plate is left, and the supporting base material with the silicone resin layer can be peeled off.
Subsequently, the separation surface of the glass substrate separated by the same method as in Example 1 was cleaned, the separated glass substrate was cut using a laser cutter or a scribe-break method, and divided into a plurality of cells. The glass substrate on which the EL structure is formed and the counter substrate are assembled, and a module forming process is performed to manufacture an OLED. The OLED obtained in this way does not have a problem in characteristics.
本出願は、2012年12月28日出願の日本特許出願2012−286768に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。 This application is based on Japanese Patent Application No. 2012-286768 filed on Dec. 28, 2012, the contents of which are incorporated herein by reference.
10 ガラス積層体
12 支持基材
14 シリコーン樹脂層
14a シリコーン樹脂層の第1主面
16 ガラス基板
16a ガラス基板の第1主面
16b ガラス基板の第2主面
18 シリコーン樹脂層付き支持基材
20 電子デバイス用部材
22 電子デバイス用部材付き積層体
24 部材付きガラス基板DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記シリコーン樹脂層のシリコーン樹脂が、架橋性オルガノポリシロキサンの架橋物であり、
ナノインデンテーション法により測定した前記シリコーン樹脂層の弾性率が0.5〜2.5MPaであって、
前記シリコーン樹脂層が、さらにシリコーンオイルを含み、
前記シリコーンオイルの含有割合は、前記シリコーン樹脂100質量部に対して、6〜20質量部である、ガラス積層体。 A support base material, a silicone resin layer, and a glass substrate are provided in this order, and the peel strength at the interface between the support base material and the silicone resin layer is greater than the peel strength at the interface between the silicone resin layer and the glass substrate. A glass laminate,
The silicone resin of the silicone resin layer is a crosslinked product of a crosslinkable organopolysiloxane,
The elastic modulus of the silicone resin layer measured by a nanoindentation method is 0.5 to 2.5 MPa,
The silicone resin layer further contains silicone oil,
The content rate of the said silicone oil is a glass laminated body which is 6-20 mass parts with respect to 100 mass parts of said silicone resins.
前記シリコーン樹脂層のシリコーン樹脂が、架橋性オルガノポリシロキサンの架橋物であり、
ナノインデンテーション法により測定した前記シリコーン樹脂層の弾性率が0.5〜2.5MPaであって、
前記シリコーン樹脂層が、さらにシリコーンオイルを含み、
前記シリコーンオイルの含有割合は、前記シリコーン樹脂100質量部に対して、6〜20質量部である、シリコーン樹脂層付き支持基材。 A support substrate with a silicone resin layer, comprising a support substrate and a silicone resin layer provided on the support substrate surface,
The silicone resin of the silicone resin layer is a crosslinked product of a crosslinkable organopolysiloxane,
The elastic modulus of the silicone resin layer measured by a nanoindentation method is 0.5 to 2.5 MPa,
The silicone resin layer further contains silicone oil,
The content rate of the said silicone oil is a support base material with a silicone resin layer which is 6-20 mass parts with respect to 100 mass parts of said silicone resins.
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