JP5887946B2 - Method for manufacturing electronic device and method for manufacturing glass laminate - Google Patents

Method for manufacturing electronic device and method for manufacturing glass laminate Download PDF

Info

Publication number
JP5887946B2
JP5887946B2 JP2012007927A JP2012007927A JP5887946B2 JP 5887946 B2 JP5887946 B2 JP 5887946B2 JP 2012007927 A JP2012007927 A JP 2012007927A JP 2012007927 A JP2012007927 A JP 2012007927A JP 5887946 B2 JP5887946 B2 JP 5887946B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin layer
glass substrate
glass
electronic device
support substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012007927A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2013149713A (en
Inventor
大輔 内田
大輔 内田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Priority to JP2012007927A priority Critical patent/JP5887946B2/en
Priority to TW102101529A priority patent/TWI580566B/en
Priority to CN201310018581.7A priority patent/CN103213371B/en
Priority to KR1020130005743A priority patent/KR20130085018A/en
Publication of JP2013149713A publication Critical patent/JP2013149713A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5887946B2 publication Critical patent/JP5887946B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/1055Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
    • B32B17/10798Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer containing silicone
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10009Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets
    • B32B17/10018Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets comprising only one glass sheet
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04Interconnection of layers
    • B32B7/06Interconnection of layers permitting easy separation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/04Glass compositions containing silica
    • C03C3/076Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C03C3/091Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
    • C03C3/093Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium containing zinc or zirconium
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133302Rigid substrates, e.g. inorganic substrates
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

本発明は、電子デバイスの製造方法およびガラス積層体の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an electronic device and a method for manufacturing a glass laminate.

近年、太陽電池(PV)、液晶パネル(LCD)、有機ELパネル(OLED)などのデバイス(電子機器)の薄型化、軽量化が進行しており、これらのデバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。   In recent years, devices (electronic devices) such as solar cells (PV), liquid crystal panels (LCD), and organic EL panels (OLED) have been made thinner and lighter, and the glass substrates used in these devices have been made thinner. Progressing. If the strength of the glass substrate is insufficient due to the thinning, the handling property of the glass substrate is lowered in the device manufacturing process.

そこで、従来から、最終厚さよりも厚いガラス基板上にデバイス用部材(例えば、薄膜トランジスタ)を形成した後、ガラス基板を化学エッチング処理により薄板化する方法が広く採用されている。しかしながら、この方法では、例えば、1枚のガラス基板の厚さを0.7mmから0.2mmや0.1mmに薄板化する場合、元々のガラス基板の材料の大半をエッチング液で削り落とすことになるので、生産性や原材料の使用効率という観点では好ましくない。   Therefore, conventionally, a method of forming a device member (for example, a thin film transistor) on a glass substrate thicker than the final thickness and then thinning the glass substrate by chemical etching is widely used. However, in this method, for example, when the thickness of one glass substrate is reduced from 0.7 mm to 0.2 mm or 0.1 mm, most of the original glass substrate material is scraped off with an etching solution. Therefore, it is not preferable from the viewpoint of productivity and use efficiency of raw materials.

また、上記の化学エッチングによるガラス基板の薄板化方法においては、ガラス基板表面に微細な傷が存在する場合、エッチング処理によって傷を起点として微細な窪み(エッチピット)が形成され、光学的な欠陥となる場合があった。   In addition, in the method of thinning a glass substrate by the above chemical etching, if a fine scratch exists on the surface of the glass substrate, a fine recess (etch pit) is formed from the scratch by the etching process, resulting in an optical defect. There was a case.

最近では、上記の課題に対応するため、薄板ガラス基板と補強板とを積層した積層体を用意し、積層体の薄板ガラス基板上に表示装置を形成した後、薄板ガラス基板から補強板を分離する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。補強板は、支持基板と、該支持基板上に固定された樹脂層とを有し、樹脂層と薄板ガラス基板とが剥離可能に密着される。積層体の樹脂層と薄板ガラス基板の界面が剥離され、薄板ガラス基板から分離された補強板は、新たな薄板ガラス基板と積層され、積層体として再利用することが可能である。
一方、特許文献2の段落[0084]で述べられるように、ガラスの表面に0.100μmより大きいうねりがあると、その表面に形成される回路電極等の正確なパターニングを行うことが困難になり、その結果、回路電極が断線、ショートする確率が上昇し、液晶ディスプレイ等の電子デバイスの歩留まりが低下すると共に、その信頼性を担保し難くなることが知られている。
Recently, in order to cope with the above problems, a laminate in which a thin glass substrate and a reinforcing plate are laminated is prepared, a display device is formed on the thin glass substrate of the laminated body, and then the reinforcing plate is separated from the thin glass substrate. A method has been proposed (see, for example, Patent Document 1). The reinforcing plate has a support substrate and a resin layer fixed on the support substrate, and the resin layer and the thin glass substrate are in close contact with each other in a peelable manner. The interface between the resin layer of the laminate and the thin glass substrate is peeled off, and the reinforcing plate separated from the thin glass substrate can be laminated with a new thin glass substrate and reused as a laminate.
On the other hand, as described in paragraph [0084] of Patent Document 2, if there is a undulation larger than 0.100 μm on the surface of glass, it becomes difficult to accurately pattern circuit electrodes and the like formed on the surface. As a result, it is known that the probability that the circuit electrode is disconnected or short-circuited is increased, the yield of electronic devices such as a liquid crystal display is decreased, and the reliability is difficult to ensure.

国際公開第07/018028号パンフレットInternational Publication No. 07/018028 Pamphlet 特開第2009−13049号公報JP 2009-13049 A

本発明者らは、特許文献1に記載の発明について検討を行ったところ、積層体の薄板ガラス基板上に表示部材などの電子デバイス用部材を所定のパターン状に形成する際に、そのパターンにずれが生じ、表示パネルの生産歩留りが低下する場合がある点を見出した。
その原因について検討を行ったところ、特許文献2に記載されるように、積層された薄板ガラス表面のうねりのような表面凹凸が、上記のような生産歩留りの低下の原因になっていた。
The present inventors have examined the invention described in Patent Document 1, and when forming a member for an electronic device such as a display member on a thin glass substrate of a laminate in a predetermined pattern, It has been found that the production yield of the display panel may be lowered due to the deviation.
When the cause was examined, as described in Patent Document 2, surface irregularities such as waviness on the surface of the laminated thin glass were the cause of the decrease in the production yield as described above.

そこで、本発明者らは、特許文献1に記載の積層体中の薄板ガラス基板の表面を研磨して平坦面とし、その上に電子デバイス用部材などの形成を行った。しかし、電子デバイス用部材が形成された薄板ガラス基板を積層体から剥離すると、剥離後の電子デバイス用部材が形成された薄板ガラス基板の表面に再度うねりが発生していた。このような表面のうねりは、上述したように、生産性の歩留りの低下の原因となる。   Therefore, the present inventors polished the surface of the thin glass substrate in the laminate described in Patent Document 1 to form a flat surface, and formed an electronic device member and the like thereon. However, when the thin glass substrate on which the electronic device member is formed is peeled off from the laminate, undulation is generated again on the surface of the thin glass substrate on which the electronic device member is formed after peeling. Such surface waviness causes a decrease in productivity yield as described above.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、電子デバイス用部材の形成時、および、電子デバイス用部材が形成されたガラス基板を剥離した後においても、ガラス基板表面の平坦性に優れ、その結果電子デバイスの生産歩留りの低下を抑制できる、電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、該電子デバイスの製造に使用されるガラス積層体の製造方法を提供することも目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and the flatness of the glass substrate surface can be achieved even when the electronic device member is formed and after the glass substrate on which the electronic device member is formed is peeled off. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an electronic device that is excellent and as a result can suppress a decrease in production yield of the electronic device. Another object of the present invention is to provide a method for producing a glass laminate used for producing the electronic device.

本発明者は、従来技術の問題点について検討を行ったところ、ガラス基板が積層される樹脂層表面の表面うねりが上記課題に関連していること見出した。該知見に基づき、鋭意検討を行った結果、以下の構成により上記課題が解決できる点を見出し、本発明を完成するに至った。   The inventor examined the problems of the prior art and found that the surface waviness on the surface of the resin layer on which the glass substrate is laminated is related to the above problem. As a result of intensive studies based on the findings, the inventors have found that the above-described problems can be solved by the following configuration, and have completed the present invention.

すなわち、上記目的を達成するために、本発明の第1の態様は、支持基板とその片面に固定された樹脂層とを有し該樹脂層の露出表面が易剥離性を示す樹脂層付き支持基板の該樹脂層の露出表面と、第1主面および第2主面を有する板厚0.3mm以下のガラス基板の該第1主面とを積層面として、該樹脂層付き支持基板とガラス基板とを密着積層して、ガラス積層体を得る積層工程と、該ガラス積層体中の該ガラス基板の第2主面を研磨する研磨工程と、該ガラス基板の研磨された該第2主面上に電子デバイス用部材を形成する部材形成工程と、該電子デバイス用部材が積層した該ガラス基板と、該樹脂層付き支持基板とを分離して、該ガラス基板と該電子デバイス用部材を含む電子デバイスを得る分離工程とを備え、該樹脂層の露出表面における表面うねりが、ろ波中心線うねり(WCA)で0.100μm以下である、電子デバイスの製造方法である。 That is, in order to achieve the above-mentioned object, the first aspect of the present invention is a support with a resin layer having a support substrate and a resin layer fixed to one surface thereof, and the exposed surface of the resin layer exhibits easy peelability. Using the exposed surface of the resin layer of the substrate and the first main surface of a glass substrate having a first main surface and a second main surface and having a thickness of 0.3 mm or less as a laminated surface, the support substrate with a resin layer and glass A laminating step of closely laminating a substrate to obtain a glass laminate, a polishing step of polishing the second main surface of the glass substrate in the glass laminate, and the polished second main surface of the glass substrate A member forming step for forming an electronic device member, the glass substrate on which the electronic device member is laminated, and the support substrate with a resin layer are separated to include the glass substrate and the electronic device member. A separation step of obtaining an electronic device, and an exposed surface of the resin layer Definitive surface waviness is 0.100μm or less filtered centerline waviness (W CA), is a manufacturing method of an electronic device.

第1の態様において、樹脂層の樹脂がシリコーン樹脂であることが好ましい。
第1の態様において、シリコーン樹脂が、オルガノアルケニルポリシロキサンとオルガノハイドロジェンポリシロキサンの反応硬化物であることが好ましい。
第1の態様において、研磨が、化学的機械的研磨(CMP)であることが好ましい。
In the first aspect, the resin of the resin layer is preferably a silicone resin.
In the first aspect, the silicone resin is preferably a reaction cured product of an organoalkenylpolysiloxane and an organohydrogenpolysiloxane.
In the first aspect, the polishing is preferably chemical mechanical polishing (CMP).

第1の態様において、ガラス基板が、酸化物基準の質量百分率表示において、下記を含有する無アルカリガラスからなることが好ましい。
SiO2:50〜66%
Al23:10.5〜24%
23:0〜12%
MgO:0〜8%
CaO:0〜14.5%
SrO:0〜24%
BaO:0〜13.5%
MgO+CaO+SrO+BaO:9〜29.5%
ZrO2:0〜5%
1st aspect WHEREIN: It is preferable that a glass substrate consists of an alkali free glass containing the following in the mass percentage display of an oxide basis.
SiO 2 : 50 to 66%
Al 2 O 3: 10.5~24%
B 2 O 3: 0~12%
MgO: 0 to 8%
CaO: 0 to 14.5%
SrO: 0 to 24%
BaO: 0 to 13.5%
MgO + CaO + SrO + BaO: 9 to 29.5%
ZrO 2 : 0 to 5%

第1の態様において、ガラス基板が、酸化物基準の質量百分率表示において、下記を含有する無アルカリガラスからなることが好ましい。
SiO2:58〜66%
Al23:15〜22%
23:5〜12%
MgO:0〜8%
CaO:0〜9%
SrO:3〜12.5%
BaO:0〜2%
MgO+CaO+SrO+BaO:9〜18%
1st aspect WHEREIN: It is preferable that a glass substrate consists of an alkali free glass containing the following in the mass percentage display of an oxide basis.
SiO 2: 58~66%
Al 2 O 3 : 15-22%
B 2 O 3: 5~12%
MgO: 0 to 8%
CaO: 0 to 9%
SrO: 3 to 12.5%
BaO: 0 to 2%
MgO + CaO + SrO + BaO: 9 to 18%

本発明の第2の態様は、支持基板とその片面に固定された樹脂層とを有し、該樹脂層の露出表面が易剥離性を示す樹脂層付き支持基板の該樹脂層の露出表面と、第1主面および第2主面を有する板厚0.3mm以下のガラス基板の該第1主面とを積層面として、該樹脂層付き支持基板とガラス基板とを密着積層して、ガラス積層体を得る積層工程と、該ガラス積層体中の該ガラス基板の第2主面を研磨する研磨工程と、該樹脂層表面における表面うねりが、ろ波中心線うねり(WCA)で0.100μm以下である、研磨されたガラス基板を含むガラス積層体の製造方法である。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a support substrate and a resin layer fixed to one surface thereof, and the exposed surface of the resin layer of the support substrate with a resin layer in which the exposed surface of the resin layer exhibits easy peelability; A glass substrate having a first main surface and a second main surface and having a thickness of 0.3 mm or less as a laminated surface, the support substrate with a resin layer and the glass substrate are adhered and laminated, 0 and laminated to obtain a laminate, a polishing step of polishing the second main surface of the glass substrate of the glass laminate in surface waviness of the resin layer surface is in filtered centerline waviness (W CA). It is a manufacturing method of the glass laminated body containing the grind | polished glass substrate which is 100 micrometers or less.

第2の態様において、樹脂層の樹脂がシリコーン樹脂であることが好ましい。
第2の態様において、シリコーン樹脂が、オルガノアルケニルポリシロキサンとオルガノハイドロジェンポリシロキサンの反応硬化物であることが好ましい。
第2の態様において、研磨が、化学的機械的研磨(CMP)であることが好ましい。
In the second aspect, the resin of the resin layer is preferably a silicone resin.
In the second embodiment, the silicone resin is preferably a reaction cured product of an organoalkenylpolysiloxane and an organohydrogenpolysiloxane.
In the second embodiment, the polishing is preferably chemical mechanical polishing (CMP).

本発明によれば、電子デバイス用部材の形成時、および、電子デバイス用部材が形成されたガラス基板を剥離した後においてもガラス基板表面の平坦性に優れ、その結果電子デバイスの生産歩留りの低下を抑制できる、電子デバイスの製造方法を提供することができる。また、本発明は、該電子デバイスの製造に使用されるガラス積層体の製造方法を提供することもできる。   According to the present invention, the flatness of the surface of the glass substrate is excellent during the formation of the electronic device member and after the glass substrate on which the electronic device member is formed, and as a result, the production yield of the electronic device is reduced. It is possible to provide a method for manufacturing an electronic device that can suppress the above. Moreover, this invention can also provide the manufacturing method of the glass laminated body used for manufacture of this electronic device.

本発明の電子デバイスの製造方法の工程図である。It is process drawing of the manufacturing method of the electronic device of this invention. 本発明に係るガラス積層体の一実施形態の模式的断面図である。It is typical sectional drawing of one Embodiment of the glass laminated body which concerns on this invention. 本発明に係る電子デバイス用部材付き積層体の一実施形態の模式的断面図である。It is typical sectional drawing of one Embodiment of the laminated body with the member for electronic devices which concerns on this invention. 従来技術のガラス積層体を使用した研磨工程および分離工程の模式的断面図である。It is typical sectional drawing of the grinding | polishing process and isolation | separation process which use the glass laminated body of a prior art.

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、以下の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
なお、本発明において、支持基板の層と樹脂層の界面の剥離強度が樹脂層とガラス基板の層の界面の剥離強度よりも高いことを、以下、樹脂層とガラス基板とは剥離可能に密着し、支持基板と樹脂層とは固定されているという。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and the following embodiments are not deviated from the scope of the present invention. Various modifications and substitutions can be made.
In the present invention, the resin layer and the glass substrate are in close contact with each other so that the peel strength at the interface between the support substrate layer and the resin layer is higher than the peel strength at the interface between the resin layer and the glass substrate. The support substrate and the resin layer are fixed.

本発明者らは、従来技術(特許文献1の発明)で使用される積層体中のガラス基板の表面にうねりがある原因として、ガラス基板自体の表面のうねりと共に、ガラス基板が接する樹脂層表面のうねりが挙げられ、特に、後者の要因が大きいことを見出した。そこで、まず、図4を用いて、樹脂層表面のうねりと従来技術の問題点との関係性について説明する。
図4(a)を示すように、従来のガラス積層体100においては、支持基板112上の樹脂層114表面にうねりのような表面凹凸がある場合、その表面に接して配置されるガラス基板116の板厚が薄いために、樹脂層114表面の表面うねりに追従する形でガラス基板116が変形してしまう(図4(a)参照)。その後に、研磨工程を実施することにより、ガラス基板116の露出している第1主面116aは一時的に平坦化される。しかし、ガラス基板116と樹脂層114とを剥離すると、ガラス基板116の元来平坦であった第2主面116bが平坦に戻る力が働き平坦化されると共に、その代わりに研磨工程時に平坦であった第1主面116aに応力がかかり再び表面うねりが現れる。つまり、樹脂層114の表面うねりがガラス基板の表面に転写される。このようなガラス基板116剥離後の表面うねりの発生は、ガラス基板116の第1主面116aに電子デバイス用部材を形成した後であっても生じる。そのため、単に研磨工程を設けるだけでは、所望の効果を得ることができない。
As a cause of undulations on the surface of the glass substrate in the laminate used in the prior art (invention of Patent Document 1), the inventors of the present invention have a surface of the resin layer in contact with the undulation of the surface of the glass substrate itself. We found that the latter factor was particularly significant. First, the relationship between the undulation on the surface of the resin layer and the problems of the prior art will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 4A, in the conventional glass laminate 100, when the surface of the resin layer 114 on the support substrate 112 has surface irregularities such as waviness, the glass substrate 116 disposed in contact with the surface is provided. Therefore, the glass substrate 116 is deformed so as to follow the surface waviness on the surface of the resin layer 114 (see FIG. 4A). After that, by performing a polishing process, the exposed first main surface 116a of the glass substrate 116 is temporarily planarized. However, if the glass substrate 116 and the resin layer 114 are peeled off, the second main surface 116b of the glass substrate 116 that has been originally flat acts as a flattening force, and is flattened during the polishing process. The first main surface 116a is stressed and surface undulation appears again. That is, the surface waviness of the resin layer 114 is transferred to the surface of the glass substrate. Such surface waviness after the glass substrate 116 is peeled off occurs even after the electronic device member is formed on the first main surface 116 a of the glass substrate 116. Therefore, a desired effect cannot be obtained simply by providing a polishing step.

そこで、本発明者らは、樹脂層表面のうねりを所定値以下にすると共に、研磨工程を設けることにより、上記課題が解決できることを見出している。樹脂層表面のうねりを小さくすることにより、その上に積層されるガラス基板の変形を小さくすることができ、後述する分離工程後においても樹脂層表面のうねりがガラス基板の表面に転写されることを抑制することができる。さらに、研磨工程によって、ガラス基板自体の表面うねりや表面の微小な疵を除去できる。特に、樹脂層の露出表面における表面うねりがろ波中心線うねり(WCA)で0.100μm以下であれば、その上に積層されるガラス基板の表面うねりもそれ以下となり、上述した特許文献2で述べた電子デバイスの歩留まりの低下や信頼性の確保が達成される。
以下に、電子デバイスおよび積層体の製造方法について、各工程順に説明する。
Therefore, the present inventors have found that the above problem can be solved by setting the waviness on the surface of the resin layer to a predetermined value or less and providing a polishing step. By reducing the waviness on the surface of the resin layer, the deformation of the glass substrate laminated thereon can be reduced, and the waviness on the surface of the resin layer can be transferred to the surface of the glass substrate even after the separation step described later. Can be suppressed. Furthermore, the surface waviness and minute wrinkles on the surface of the glass substrate itself can be removed by the polishing process. In particular, if the surface waviness on the exposed surface of the resin layer is 0.100 μm or less in the filtered center line waviness (W CA ), the surface waviness of the glass substrate laminated thereon is also less than that. The reduction in the yield of electronic devices and the securing of reliability are achieved as described above.
Below, the manufacturing method of an electronic device and a laminated body is demonstrated in order of each process.

図1は、本発明の電子デバイスの製造方法の一実施形態における製造工程を示すフローチャートである。図1に示すように、電子デバイスの製造方法は、積層工程(S102)、研磨工程(S104)、部材形成工程(S106)および、分離工程(S108)を備える。
以下に、各工程で使用される材料およびその手順について詳述する。まず、積層工程(S102)について詳述する。
FIG. 1 is a flowchart showing a manufacturing process in an embodiment of a method for manufacturing an electronic device of the present invention. As shown in FIG. 1, the electronic device manufacturing method includes a stacking step (S102), a polishing step (S104), a member forming step (S106), and a separation step (S108).
Below, the material used in each process and its procedure are explained in full detail. First, the lamination step (S102) will be described in detail.

[積層工程]
積層工程S102は、樹脂層付き支持基板の樹脂層の露出表面と、第1主面および第2主面を有する所定の板厚のガラス基板の第1主面とを積層面として、樹脂層付き支持基板の樹脂層とガラス基板とを密着積層し、ガラス積層体を得る工程である。該工程S102を実施することにより、後述する研磨工程S104および部材形成工程S106で使用されるガラス積層体が得られる。
[Lamination process]
The laminating step S102 includes a resin layer with the exposed surface of the resin layer of the support substrate with the resin layer and the first main surface of the glass substrate having a predetermined plate thickness having the first main surface and the second main surface. In this step, the resin layer of the support substrate and the glass substrate are adhered and laminated to obtain a glass laminate. By carrying out the step S102, a glass laminate used in the polishing step S104 and the member forming step S106 described later is obtained.

図2は、本発明に係るガラス積層体の一例の模式的断面図である。
図2に示すように、ガラス積層体10は、支持基板12の層とガラス基板16の層とそれらの間に樹脂層14が存在する積層体である。樹脂層14は、その一方の面が支持基板12の層に固定されると共に、その他方の面がガラス基板16の第1主面16aに接し、樹脂層14とガラス基板16との界面は剥離可能に密着されている。言い換えると、樹脂層14はガラス基板16の第1主面16aに対して易剥離性を具備している。
支持基板12の層および樹脂層14からなる2層部分は、液晶パネルなどの電子デバイス用部材を製造する部材形成工程S106において、ガラス基板16を補強する。なお、ガラス積層体10の支持基板12の層および樹脂層14からなる2層部分がガラス積層体10から独立したものを樹脂層付き支持基板18という。樹脂層付き支持基板18において、樹脂層14は支持基板12に固定されている。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an example of a glass laminate according to the present invention.
As shown in FIG. 2, the glass laminate 10 is a laminate in which a support substrate 12 layer, a glass substrate 16 layer, and a resin layer 14 exist therebetween. One surface of the resin layer 14 is fixed to the layer of the support substrate 12, the other surface is in contact with the first main surface 16 a of the glass substrate 16, and the interface between the resin layer 14 and the glass substrate 16 is peeled off. Close contact is possible. In other words, the resin layer 14 is easily peelable from the first main surface 16 a of the glass substrate 16.
The two-layer portion including the layer of the support substrate 12 and the resin layer 14 reinforces the glass substrate 16 in the member forming step S106 for manufacturing an electronic device member such as a liquid crystal panel. In addition, what the 2 layer part which consists of the layer of the support substrate 12 of the glass laminated body 10 and the resin layer 14 became independent from the glass laminated body 10 is called the support substrate 18 with a resin layer. In the support substrate 18 with the resin layer, the resin layer 14 is fixed to the support substrate 12.

このガラス積層体10は、部材形成工程S106まで使用される。即ち、このガラス積層体10は、そのガラス基板16の第2主面16b表面上に液晶表示装置などの電子デバイス用部材が形成されるまで使用される。その後、樹脂層付き支持基板18の層は、ガラス基板16の層との界面で剥離され、樹脂層付き支持基板18の層は電子デバイスを構成する部分とはならない。分離された樹脂層付き支持基板18は新たなガラス基板16と積層され、ガラス積層体10として再利用することができる。   This glass laminated body 10 is used until member formation process S106. That is, the glass laminate 10 is used until a member for an electronic device such as a liquid crystal display device is formed on the surface of the second main surface 16b of the glass substrate 16. Thereafter, the layer of the support substrate 18 with the resin layer is peeled off at the interface with the layer of the glass substrate 16, and the layer of the support substrate 18 with the resin layer does not become a part constituting the electronic device. The separated support substrate 18 with the resin layer is laminated with a new glass substrate 16 and can be reused as the glass laminate 10.

以下で、まず、ガラス積層体を構成する各層(支持基板、樹脂層、ガラス基板)について詳述し、その後該工程S102の手順について詳述する。   Below, each layer (a support substrate, a resin layer, a glass substrate) which comprises a glass laminated body is explained in full detail first, and the procedure of this process S102 is explained in full detail after that.

(支持基板)
支持基板12は、樹脂層14と協働して、ガラス基板16を支持して補強し、後述する部材形成工程S106(電子デバイス用部材の製造工程)において電子デバイス用部材の製造の際にガラス基板16の変形、傷付き、破損などを防止する。また、従来よりも厚さが薄いガラス基板を使用する場合、従来のガラス基板と同じ厚さのガラス積層体10とすることにより、部材形成工程S106において、従来の厚さのガラス基板に適合した製造技術や製造設備を使用可能にすることも、支持基板12を使用する目的の1つである。
(Support substrate)
The support substrate 12 cooperates with the resin layer 14 to support and reinforce the glass substrate 16, and in manufacturing the electronic device member in the member forming step S <b> 106 (electronic device member manufacturing step) described later. The substrate 16 is prevented from being deformed, scratched or damaged. In addition, when a glass substrate having a thickness smaller than that of the conventional glass substrate is used, the glass laminate 10 having the same thickness as that of the conventional glass substrate is adapted to the glass substrate having the conventional thickness in the member forming step S106. One of the purposes of using the support substrate 12 is to make it possible to use manufacturing technology and manufacturing equipment.

支持基板12としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、SUS板、セラミック板などの金属板などが用いられる。支持基板12は、部材形成工程S106が熱処理を伴う場合、ガラス基板16との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、ガラス基板16と同一材料で形成されることがより好ましく、支持基板12はガラス板であることが好ましい。特に、支持基板12は、ガラス基板16と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。   As the support substrate 12, for example, a metal plate such as a glass plate, a plastic plate, a SUS plate, or a ceramic plate is used. When the member forming step S106 involves heat treatment, the support substrate 12 is preferably formed of a material having a small difference in linear expansion coefficient from the glass substrate 16, and more preferably formed of the same material as the glass substrate 16. The support substrate 12 is preferably a glass plate. In particular, the support substrate 12 is preferably a glass plate made of the same glass material as the glass substrate 16.

支持基板12の後述する樹脂層14が積層される表面の表面うねりが、ろ波中心線うねり(WCA)で0.100μm以下であることが好ましい。ここで、「表面うねり」は、公知の触針式の表面形状測定装置を用いて、JIS B−0610(1987)に記載のWCA(ろ波中心線うねり)を測定した値である。なお、本発明において、ろ波うねり曲線のカットオフ値は0.8mmとし、測定長さは40mmとする。表面うねりが上記範囲内であれば、後述する樹脂層14のガラス基板16と接触する表面(易剥離性表面)14aの表面うねりが小さくなり、結果として後述する分離工程S108後においても、電子デバイス用部材が形成されたガラス基板16の第2主面の表面うねりが小さく、電子デバイス用部材の位置ずれの発生が抑制される。なかでも、上記効果がより優れる点で、ろ波中心線うねりは0.070μm以下であることが好ましく、0.030μm以下であることがより好ましい。なお、下限は特に制限されないが、0μmであることが好ましい。
なお、支持基板12表面の表面うねりを低減する方法としては、公知の研磨方法(例えば、公知の物理研摩または化学研磨。より具体的には、CMPなど)を使用することができる。
It is preferable that the surface waviness of the support substrate 12 on which a resin layer 14 to be described later is laminated is 0.100 μm or less in terms of filtered center line waviness (W CA ). Here, “surface waviness” is a value obtained by measuring W CA (filtered centerline waviness) described in JIS B-0610 (1987) using a known stylus type surface shape measuring device. In the present invention, the cutoff value of the filtered waviness curve is 0.8 mm, and the measurement length is 40 mm. If the surface waviness is within the above range, the surface waviness of the surface (easy peelable surface) 14a that contacts the glass substrate 16 of the resin layer 14 to be described later becomes small, and as a result, even after the separation step S108 described later, the electronic device The surface waviness of the second main surface of the glass substrate 16 on which the member for use is formed is small, and the occurrence of displacement of the electronic device member is suppressed. Of these, the filtered center line undulation is preferably 0.070 μm or less, and more preferably 0.030 μm or less, in that the above effect is more excellent. The lower limit is not particularly limited, but is preferably 0 μm.
In addition, as a method for reducing the surface waviness on the surface of the support substrate 12, a known polishing method (for example, a known physical polishing or chemical polishing, more specifically, CMP or the like) can be used.

支持基板12の厚さは、ガラス基板16よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。好ましくは、ガラス基板16の厚さ、樹脂層14の厚さ、およびガラス積層体10の厚さに基づいて、支持基板12の厚さが選択される。例えば、現行の部材形成工程が厚さ0.5mmの基板を処理するように設計されたものであって、ガラス基板16の厚さと樹脂層14の厚さとの和が0.1mmの場合、支持基板12の厚さを0.4mmとする。支持基板12の厚さは、通常の場合、0.2〜5.0mmであることが好ましい。   The support substrate 12 may be thicker than the glass substrate 16 or thinner. Preferably, the thickness of the support substrate 12 is selected based on the thickness of the glass substrate 16, the thickness of the resin layer 14, and the thickness of the glass laminate 10. For example, when the current member forming process is designed to process a substrate having a thickness of 0.5 mm, and the sum of the thickness of the glass substrate 16 and the thickness of the resin layer 14 is 0.1 mm, the support is provided. The thickness of the substrate 12 is 0.4 mm. In general, the thickness of the support substrate 12 is preferably 0.2 to 5.0 mm.

支持基板12がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、0.08mm以上であることが好ましい。また、ガラス板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、1.0mm以下であることが好ましい。   When the support substrate 12 is a glass plate, the thickness of the glass plate is preferably 0.08 mm or more because it is easy to handle and difficult to break. Further, the thickness of the glass plate is preferably 1.0 mm or less because the rigidity is desired so that the glass plate is appropriately bent without being broken when it is peeled off after forming the electronic device member.

ガラス基板16と支持基板12との25〜300℃における平均線膨張係数(以下、単に「平均線膨張係数」という)の差は、好ましくは500×10-7/℃以下であり、より好ましくは300×10-7/℃以下であり、さらに好ましくは200×10-7/℃以下である。差が大き過ぎると、部材形成工程S106における加熱冷却時に、ガラス積層体10が激しく反ったり、ガラス基板16と樹脂層付き支持基板18とが剥離したりする可能性がある。ガラス基板16の材料と支持基板12の材料が同じ場合、このような問題が生じるのを抑制することができる。 The difference in average linear expansion coefficient between glass substrate 16 and support substrate 12 at 25 to 300 ° C. (hereinafter simply referred to as “average linear expansion coefficient”) is preferably 500 × 10 −7 / ° C. or less, more preferably It is 300 × 10 −7 / ° C. or less, more preferably 200 × 10 −7 / ° C. or less. If the difference is too large, the glass laminate 10 may be severely warped or the glass substrate 16 and the support substrate 18 with a resin layer may be peeled off during heating and cooling in the member forming step S106. When the material of the glass substrate 16 and the material of the support substrate 12 are the same, it can suppress that such a problem arises.

(樹脂層)
樹脂層14は、支持基板12の少なくとも片面上に固定されており、また、ガラス基板16と剥離可能に密着する。樹脂層14は、ガラス基板16と支持基板12とを分離する操作が行われるまでガラス基板16の位置ずれを防止すると共に、分離操作によってガラス基板16から容易に剥離し、ガラス基板16などが分離操作によって破損するのを防止する。また、樹脂層14は支持基板12に固定されており、分離操作において樹脂層14と支持基板12は剥離せず、分離操作によって樹脂層付き支持基板18が得られる。なお、分離操作により、樹脂層14とガラス基板16の界面が剥離しやすいように、分離操作を始めるにあたり、その界面に剥離起点を設けて剥離を行うことが好ましい。
樹脂層14のガラス基板16と接する表面14aは、ガラス基板16の第1主面16aに剥離可能に密着する。本発明では、この樹脂層表面14aの容易に剥離できる性質を易剥離性(剥離性)という。
(Resin layer)
The resin layer 14 is fixed on at least one surface of the support substrate 12 and is in close contact with the glass substrate 16 so as to be peeled off. The resin layer 14 prevents displacement of the glass substrate 16 until the operation of separating the glass substrate 16 and the support substrate 12 is performed, and is easily separated from the glass substrate 16 by the separation operation, so that the glass substrate 16 and the like are separated. Prevent damage by operation. Further, the resin layer 14 is fixed to the support substrate 12, and the resin layer 14 and the support substrate 12 are not separated in the separation operation, and the support substrate 18 with the resin layer is obtained by the separation operation. In order to facilitate the separation of the interface between the resin layer 14 and the glass substrate 16 by the separation operation, it is preferable to perform separation by providing a separation starting point at the interface.
The surface 14a of the resin layer 14 that contacts the glass substrate 16 is in close contact with the first main surface 16a of the glass substrate 16 in a peelable manner. In this invention, the property which can peel this resin layer surface 14a easily is called easy peelability (peelability).

本発明において、上記固定と(剥離可能な)密着は剥離強度(すなわち、剥離に要する応力)に違いがあり、固定は密着に対し剥離強度が大きいことを意味する。また、剥離可能な密着とは、剥離可能であると同時に、固定されている面の剥離を生じさせることなく剥離可能であることも意味する。具体的には、本発明のガラス積層体10において、ガラス基板16と支持基板12とを分離する操作を行った場合、密着された面で剥離し、固定された面では剥離しないことを意味する。したがって、ガラス積層体10をガラス基板16と支持基板12とに分離する操作を行うと、ガラス積層体10はガラス基板16と樹脂層付き支持基板18の2つに分離される。   In the present invention, the above-mentioned fixing and (separable) adhesion have a difference in peeling strength (that is, stress required for peeling), and fixing means that the peeling strength is larger than the adhesion. Further, the peelable adhesion means that it can be peeled at the same time that it can be peeled without causing peeling of the fixed surface. Specifically, in the glass laminate 10 of the present invention, when the operation of separating the glass substrate 16 and the support substrate 12 is performed, it means that the peeled surface is peeled off and the fixed surface is not peeled off. . Therefore, when the operation of separating the glass laminate 10 into the glass substrate 16 and the support substrate 12 is performed, the glass laminate 10 is separated into two, the glass substrate 16 and the support substrate 18 with a resin layer.

樹脂層14は、接着力や粘着力などの強い結合力で支持基板12表面に固定されていることが好ましい。例えば、反応硬化性樹脂を支持基板12表面で反応硬化させることにより、硬化した樹脂は支持基板12表面に接着する。また、支持基板12表面と樹脂層14間に強い結合力を生じさせる処理(例えば、カップリング剤を使用した処理)を施して支持基板12表面と樹脂層14間の結合力を高めることができる。
一方、樹脂層14はガラス基板16の第1主面16aに弱い結合力で結合させ、例えば固体分子間におけるファンデルワールス力に起因する結合力で結合させることが好ましい。ガラス基板16に接する前の樹脂層表面14aは、易剥離性の表面であることが好ましく、この易剥離性の樹脂層表面14aとガラス基板16の第1主面16aとを接触させることにより、両表面を弱い結合力で結合させることができる。すなわち、樹脂層表面14aが易剥離性であるとガラス基板16の第1主面16aとの界面における剥離性がより良好なものとなる。両表面は隙間なく接触し、この状態を本発明では密着という。
The resin layer 14 is preferably fixed to the surface of the support substrate 12 with a strong bonding force such as an adhesive force or an adhesive force. For example, the reaction-curable resin is reacted and cured on the surface of the support substrate 12 so that the cured resin adheres to the surface of the support substrate 12. In addition, the bonding force between the surface of the support substrate 12 and the resin layer 14 can be increased by applying a treatment (for example, treatment using a coupling agent) that generates a strong bonding force between the surface of the support substrate 12 and the resin layer 14. .
On the other hand, the resin layer 14 is preferably bonded to the first main surface 16a of the glass substrate 16 with a weak bonding force, for example, with a bonding force caused by van der Waals force between solid molecules. The resin layer surface 14a before being in contact with the glass substrate 16 is preferably an easily peelable surface, and by contacting the easily peelable resin layer surface 14a with the first main surface 16a of the glass substrate 16, Both surfaces can be bonded with a weak bonding force. That is, if the resin layer surface 14a is easily peelable, the peelability at the interface with the first main surface 16a of the glass substrate 16 becomes better. Both surfaces are in contact with each other without any gap, and this state is referred to as close contact in the present invention.

なお、通常の意味で易剥離性ではない樹脂層の表面に易剥離性を付与する表面処理によっても樹脂層表面を易剥離性とすることができる。また、通常の意味で易剥離性ではない樹脂層であっても、上記固定における結合力に対して充分低い結合力で密着しうる樹脂であれば(かつ、ガラス基板や支持基板の破損、などを生じることなく剥離可能であれば)、表面処理を施すことなく樹脂層の材料として使用できる。
特に、ガラス基板に接する樹脂層表面が易剥離性である場合は、剥離の際に樹脂層表面の破損でその一部がガラス基板表面に残ることが少ない。
In addition, the resin layer surface can be made easily peelable also by the surface treatment which gives easy peelability to the surface of the resin layer which is not easily peelable in a normal meaning. In addition, even a resin layer that is not easily peelable in a normal sense is a resin that can be adhered with a sufficiently low bonding force with respect to the above-described fixing force (and breakage of a glass substrate or a support substrate, etc.) Can be used as a material for the resin layer without surface treatment.
In particular, when the surface of the resin layer in contact with the glass substrate is easily peelable, a part of the surface of the resin layer is hardly left due to breakage of the resin layer surface during peeling.

上記のように、樹脂層14の支持基板12の表面に対する結合力は、樹脂層14のガラス基板の第1主面16aに対する結合力よりも相対的に高い。このため、樹脂層14と支持基板12との間の剥離強度は、樹脂層14とガラス基板16との間の剥離強度よりも高くなっている。樹脂層14と支持基板12との間は、粘着や接着で結合していることが好ましい。ただしこれに限られるものではなく、樹脂層14のガラス基板16に対する結合力よりも相対的に高い限り、樹脂層14と支持基板12との間は、他の結合力に起因する力によって結合していてもよい。   As described above, the bonding force of the resin layer 14 to the surface of the support substrate 12 is relatively higher than the bonding force of the resin layer 14 to the first main surface 16a of the glass substrate. For this reason, the peel strength between the resin layer 14 and the support substrate 12 is higher than the peel strength between the resin layer 14 and the glass substrate 16. It is preferable that the resin layer 14 and the support substrate 12 are bonded together by adhesion or adhesion. However, the present invention is not limited to this, and the resin layer 14 and the support substrate 12 are bonded by a force due to another bonding force as long as the bonding force is relatively higher than the bonding force of the resin layer 14 to the glass substrate 16. It may be.

樹脂層14の表面14a(ガラス基板16と接する表面)における表面うねりが、ろ波中心線うねり(WCA)で0.100μm以下である。「表面うねり」は、公知の触針式の表面形状測定装置を用いて、JIS B−0610(1987)に記載のWCA(ろ波中心線うねり)を測定した値である。なお、本発明において、ろ波うねり曲線のカットオフ値は0.8mmとし、測定長さは40mmとする。表面うねりが上記範囲内であれば、後述する分離工程S108後においても、電子デバイス用部材が形成されたガラス基板16の第2主面上への表面うねりの発生が抑制される。結果として、電子デバイス用部材の位置ずれの発生が抑制される。本効果がより優れる点で、0.070μm以下が好ましく、0.030μm以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、0μmであることが好ましい。
なお、樹脂層14表面の表面うねりを低減する方法としては、表面うねりの小さい支持基板12を使用する方法や、樹脂層14を形成する際に使用される樹脂層形成用組成物を用いて樹脂層形成用組成物の層(以後、樹脂層形成用組成物層とも表記)を支持基板12上に形成後で硬化前に、樹脂層形成用組成物層を備える支持基板12を静置する方法、樹脂層14の表面に平坦な表面(ろ波中心線うねり(WCA)で0.100μm以下である表面)を有する平坦部材を(好ましくは、加熱環境下で)押圧して平坦性を転写させる方法や、樹脂層14の表面をエッチングする方法などが挙げられる。
The surface waviness on the surface 14a of the resin layer 14 (the surface in contact with the glass substrate 16) is 0.100 μm or less as a filtered center line waviness (W CA ). The “surface waviness” is a value obtained by measuring W CA (filtered center line waviness) described in JIS B-0610 (1987) using a known stylus type surface shape measuring device. In the present invention, the cutoff value of the filtered waviness curve is 0.8 mm, and the measurement length is 40 mm. If the surface waviness is within the above range, the occurrence of surface waviness on the second main surface of the glass substrate 16 on which the electronic device member is formed is suppressed even after the separation step S108 described later. As a result, occurrence of displacement of the electronic device member is suppressed. In the point which this effect is more excellent, 0.070 micrometer or less is preferable and 0.030 micrometer or less is more preferable. The lower limit is not particularly limited, but is preferably 0 μm.
In addition, as a method of reducing the surface waviness on the surface of the resin layer 14, a resin using a method using the support substrate 12 with a small surface waviness or a resin layer forming composition used when forming the resin layer 14 is used. A method of allowing the support substrate 12 provided with the resin layer forming composition layer to stand after forming a layer of the layer forming composition (hereinafter also referred to as a resin layer forming composition layer) on the support substrate 12 and before curing. The flatness is transferred by pressing a flat member (preferably in a heating environment) having a flat surface (surface having a filtered center line waviness (W CA ) of 0.100 μm or less) on the surface of the resin layer 14. And a method of etching the surface of the resin layer 14.

樹脂層14の大きさは、特に限定されない。樹脂層14の大きさは、ガラス基板16や支持基板12よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。   The size of the resin layer 14 is not particularly limited. The size of the resin layer 14 may be larger or smaller than the glass substrate 16 and the support substrate 12.

樹脂層14の厚さは特に限定されないが、表面うねりを小さくできる点で、15μm以下であることが好ましく、2〜15μmであることがより好ましく、2〜10μmであることがさらに好ましい。樹脂層14の厚さがこのような範囲であると、樹脂層14とガラス基板16との密着が十分になるからである。また、樹脂層14とガラス基板16との間に気泡や異物が介在することがあっても、ガラス基板16のゆがみ欠陥の発生を抑制することができるからである。また、樹脂層14の厚さが厚すぎると、形成するのに時間および材料を要するため経済的ではなく、表面うねりが大きくなりやすい。   The thickness of the resin layer 14 is not particularly limited, but is preferably 15 μm or less, more preferably 2 to 15 μm, and even more preferably 2 to 10 μm in that the surface waviness can be reduced. This is because if the thickness of the resin layer 14 is within such a range, the resin layer 14 and the glass substrate 16 are sufficiently adhered. In addition, even if bubbles or foreign substances may be present between the resin layer 14 and the glass substrate 16, the occurrence of distortion defects in the glass substrate 16 can be suppressed. On the other hand, if the resin layer 14 is too thick, it takes time and materials to form the resin layer 14, which is not economical and the surface undulation tends to increase.

なお、樹脂層14は2層以上からなっていてもよい。この場合「樹脂層14の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。
また、樹脂層14が2層以上からなる場合は、各々の層を形成する樹脂の種類が異なってもよい。
The resin layer 14 may be composed of two or more layers. In this case, “the thickness of the resin layer 14” means the total thickness of all the layers.
Moreover, when the resin layer 14 consists of two or more layers, the kind of resin which forms each layer may differ.

樹脂層14は、ガラス転移点が室温(25℃程度)よりも低い、またはガラス転移点を有しない材料からなることが好ましい。より容易にガラス基板16と剥離することができ、同時にガラス基板16との密着も十分になるからである。   The resin layer 14 is preferably made of a material having a glass transition point lower than room temperature (about 25 ° C.) or having no glass transition point. This is because it can be more easily peeled off from the glass substrate 16 and at the same time the adhesion to the glass substrate 16 becomes sufficient.

また、樹脂層14は、部材形成工程S106において加熱処理されることが多いので、耐熱性を有していることが好ましい。   Moreover, since the resin layer 14 is often heat-treated in the member forming step S106, the resin layer 14 preferably has heat resistance.

また、樹脂層14の弾性率が高すぎるとガラス基板16との密着性が低くなる傾向にある。一方、樹脂層14の弾性率が低すぎると剥離性が低くなる。   Moreover, when the elasticity modulus of the resin layer 14 is too high, it exists in the tendency for adhesiveness with the glass substrate 16 to become low. On the other hand, if the elastic modulus of the resin layer 14 is too low, the peelability is lowered.

樹脂層14を形成する樹脂の種類は、特に限定されない。例えば、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリウレタン樹脂、またはシリコーン樹脂が挙げられる。いくつかの種類の樹脂を混合して用いることもできる。中でもシリコーン樹脂が好ましい。シリコーン樹脂は、耐熱性や剥離性に優れるためである。また、支持基板12がガラス板である場合、ガラス板表面のシラノール基との縮合反応によって、ガラス板に固定し易いからである。シリコーン樹脂層は、支持基板12とガラス基板16との間に介装されている状態では、例えば大気中200℃程度で1時間程度処理しても、剥離性がほぼ劣化しない点も好ましい。   The kind of resin which forms the resin layer 14 is not specifically limited. For example, acrylic resin, polyolefin resin, polyurethane resin, or silicone resin can be used. Several types of resins can be mixed and used. Of these, silicone resins are preferred. This is because the silicone resin is excellent in heat resistance and peelability. Moreover, when the support substrate 12 is a glass plate, it is because it is easy to fix to a glass plate by the condensation reaction with the silanol group of the glass plate surface. In the state where the silicone resin layer is interposed between the support substrate 12 and the glass substrate 16, for example, it is preferable that the peelability does not substantially deteriorate even if the silicone resin layer is processed in the atmosphere at about 200 ° C. for about 1 hour.

樹脂層14は、シリコーン樹脂の中でも剥離紙用に使用されるシリコーン樹脂(硬化物)からなることが好ましい。剥離紙の剥離層のシリコーン樹脂は、剥離紙にコートした硬化性シリコーン樹脂組成物の層を硬化させて形成される。この硬化性シリコーン樹脂組成物を使用し、この硬化性シリコーン樹脂組成物を支持基板12の表面で硬化させて形成した硬化シリコーン樹脂からなる樹脂層は、支持基板12表面に接着するとともにその自由表面は優れた易剥離性を有するので好ましい。また、柔軟性が高いので、樹脂層14とガラス基板16との間へ気泡や塵介などの異物が混入してもガラス基板16のゆがみ欠陥の発生を抑制することができる。   The resin layer 14 is preferably made of a silicone resin (cured product) used for release paper among silicone resins. The silicone resin of the release layer of the release paper is formed by curing a layer of the curable silicone resin composition coated on the release paper. Using this curable silicone resin composition, a resin layer made of a cured silicone resin formed by curing the curable silicone resin composition on the surface of the support substrate 12 adheres to the surface of the support substrate 12 and its free surface. Is preferable because it has excellent easy peelability. Moreover, since the flexibility is high, even if foreign matter such as bubbles or dust is mixed between the resin layer 14 and the glass substrate 16, it is possible to suppress the occurrence of distortion defects of the glass substrate 16.

このような樹脂層14を形成するために使用される硬化性シリコーン樹脂組成物は、その硬化機構により縮合反応型シリコーン樹脂組成物、付加反応型シリコーン樹脂組成物、紫外線硬化型シリコーン樹脂組成物および電子線硬化型シリコーン樹脂組成物に分類されるが、いずれも使用することができる。これらの中でも付加反応型シリコーン樹脂組成物が好ましい。これは、硬化反応のしやすさ、硬化後の樹脂層表面14aの易剥離性の程度が良好で、耐熱性も高いからである。   The curable silicone resin composition used to form such a resin layer 14 has a condensation reaction type silicone resin composition, an addition reaction type silicone resin composition, an ultraviolet curable type silicone resin composition, and a curing mechanism. Although classified into the electron beam curable silicone resin composition, any of them can be used. Among these, addition reaction type silicone resin compositions are preferred. This is because the curing reaction is easy, the degree of easy peeling of the resin layer surface 14a after curing is good, and the heat resistance is also high.

付加反応型シリコーン樹脂組成物は、主剤および架橋剤を含み、白金系触媒などの触媒の存在下で硬化する硬化性の組成物である。付加反応型シリコーン樹脂組成物の硬化は、加熱処理により促進される。付加反応型シリコーン樹脂組成物中の主剤は、ケイ素原子に結合したアルケニル基(ビニル基など)を有するオルガノポリシロキサン(すなわち、オルガノアルケニルポリシロキサン。なお、直鎖状が好ましい)であることが好ましく、アルケニル基などが架橋点となる。付加反応型シリコーン樹脂組成物中の架橋剤は、ケイ素原子に結合した水素原子(ハイドロシリル基)を有するオルガノポリシロキサン(すなわち、オルガノハイドロジェンポリシロキサン。なお、直鎖状が好ましい)であることが好ましく、ハイドロシリル基などが架橋点となる。
付加反応型シリコーン樹脂組成物は、主剤と架橋剤の架橋点が付加反応をすることにより硬化する。
The addition reaction type silicone resin composition is a curable composition that contains a main agent and a crosslinking agent and cures in the presence of a catalyst such as a platinum-based catalyst. Curing of the addition reaction type silicone resin composition is accelerated by heat treatment. The main component in the addition reaction type silicone resin composition is preferably an organopolysiloxane having an alkenyl group (such as a vinyl group) bonded to a silicon atom (that is, an organoalkenylpolysiloxane, preferably a straight chain). An alkenyl group or the like serves as a crosslinking point. The crosslinking agent in the addition reaction type silicone resin composition is an organopolysiloxane having a hydrogen atom (hydrosilyl group) bonded to a silicon atom (that is, an organohydrogenpolysiloxane, preferably a straight chain). Is preferred, and a hydrosilyl group or the like serves as a crosslinking point.
The addition reaction type silicone resin composition is cured by an addition reaction between the crosslinking points of the main agent and the crosslinking agent.

また、硬化性シリコーン樹脂組成物は形態的に溶剤型、エマルジョン型および無溶剤型があり、いずれの型も使用可能である。これらの中でも無溶剤型が好ましい。生産性、安全性、環境特性の面が優れるからである。また、樹脂層14を形成する際の硬化時、すなわち、加熱硬化、紫外線硬化または電子線硬化の時に発泡を生じる溶剤を含まないため、樹脂層14中に気泡が残留しにくいからである。   Moreover, the curable silicone resin composition has a solvent type, an emulsion type, and a solventless type in terms of form, and any type can be used. Among these, a solventless type is preferable. This is because productivity, safety, and environmental characteristics are excellent. Further, it does not contain a solvent that causes foaming at the time of curing when forming the resin layer 14, that is, at the time of heat curing, ultraviolet curing, or electron beam curing, so that bubbles are unlikely to remain in the resin layer 14.

また、硬化性シリコーン樹脂組成物として、具体的には市販されている商品名または型番としてKNS−320A、KS−847(いずれも信越シリコーン社製)、TPR6700(モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製)、ビニルシリコーン「8500」(荒川化学工業社製)とメチルハイドロジェンポリシロキサン「12031」(荒川化学工業社製)との組み合わせ、ビニルシリコーン「11364」(荒川化学工業社製)とメチルハイドロジェンポリシロキサン「12031」(荒川化学工業社製)との組み合わせ、ビニルシリコーン「11365」(荒川化学工業社製)とメチルハイドロジェンポリシロキサン「12031」(荒川化学工業社製)との組み合わせなどが挙げられる。   Moreover, as a curable silicone resin composition, specifically, as a trade name or a model number that is commercially available, KNS-320A, KS-847 (both manufactured by Shin-Etsu Silicone), TPR6700 (Momentive Performance Materials Japan Joint) Company), a combination of vinyl silicone “8500” (Arakawa Chemical Industries) and methylhydrogenpolysiloxane “12031” (Arakawa Chemical Industries), vinyl silicone “11364” (Arakawa Chemical Industries) and methyl Combination with hydrogenpolysiloxane "12031" (Arakawa Chemical Industries), combination of vinyl silicone "11365" (Arakawa Chemical Industries) and methylhydrogenpolysiloxane "12031" (Arakawa Chemical Industries), etc. Is mentioned.

なお、KNS−320A、KS−847およびTPR6700は、あらかじめ主剤と架橋剤とを含有している硬化性シリコーン樹脂組成物である。   KNS-320A, KS-847, and TPR6700 are curable silicone resin compositions that contain a main agent and a crosslinking agent in advance.

また、樹脂層14を形成するシリコーン樹脂(上記硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化物)は、シリコーン樹脂層中の低分子量のシリコーン等の成分がガラス基板16に移行しにくい性質、すなわち低シリコーン移行性を有することが好ましい。   Further, the silicone resin forming the resin layer 14 (cured product of the curable silicone resin composition) has a property that components such as low molecular weight silicone in the silicone resin layer are difficult to migrate to the glass substrate 16, that is, low silicone migration. It is preferable to have properties.

(樹脂層の製造方法)
樹脂層14を支持基板12上に固定する方法は、特に限定されない。
例えば、積層工程S102の前に、支持基板12上に易剥離性を有する樹脂層14を形成し固定する樹脂層形成工程を実施してもよい。例えば、樹脂層形成用組成物(硬化性樹脂組成物)を支持基板12上に塗布して樹脂層14を形成する樹脂層形成工程を実施してもよい。より具体的には、支持基板12表面上に樹脂層14となる樹脂層形成用組成物層を形成し、次いで、該樹脂層形成用組成物を硬化して支持基板12上に固定された樹脂層14を形成する方法が好ましい。
また、例えば、フィルム状の樹脂を支持基板12の表面に固定する方法で樹脂層14を形成することもできる。具体的には、支持基板12の表面に、フィルムの表面に対する高い固定力(高い剥離強度)を付与するために、支持基板12の表面に表面改質処理(プライミング処理)を行い、支持基板12上に固定する方法が挙げられる。例えば、シランカップリング剤のような化学的に固定力を向上させる化学的方法(プライマー処理)、フレーム(火炎)処理のように表面活性基を増加させる物理的方法、サンドブラスト処理のように表面の粗度を増加させることにより引っかかりを増加させる機械的処理方法などが例示される。
(Method for producing resin layer)
The method for fixing the resin layer 14 on the support substrate 12 is not particularly limited.
For example, a resin layer forming step of forming and fixing the easily peelable resin layer 14 on the support substrate 12 may be performed before the stacking step S102. For example, a resin layer forming step of forming a resin layer 14 by applying a resin layer forming composition (curable resin composition) on the support substrate 12 may be performed. More specifically, a resin layer forming composition layer that becomes the resin layer 14 is formed on the surface of the support substrate 12, and then the resin layer forming composition is cured and fixed on the support substrate 12. A method of forming layer 14 is preferred.
In addition, for example, the resin layer 14 can be formed by a method of fixing a film-like resin to the surface of the support substrate 12. Specifically, in order to impart a high fixing force (high peel strength) to the surface of the film on the surface of the support substrate 12, a surface modification process (priming process) is performed on the surface of the support substrate 12, and the support substrate 12 The method of fixing on top is mentioned. For example, chemical methods (primer treatment) that improve the fixing force chemically such as silane coupling agents, physical methods that increase surface active groups such as flame (flame) treatment, surface treatments such as sandblast treatment Examples thereof include a mechanical processing method for increasing the catch by increasing the roughness.

支持基板12表面上に樹脂層14となる樹脂層形成用組成物層を形成し、次いで、該樹脂層形成用組成物層を硬化して樹脂層14を形成する方法において、支持基板12表面上に樹脂層形成用組成物層を形成する方法としては、例えば、樹脂層形成用組成物を支持基板12上にコートする方法が挙げられる。コートする方法としては、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などが挙げられる。このような方法の中から、樹脂組成物の種類に応じて適宜選択することができる。   In the method of forming a resin layer forming composition layer to be the resin layer 14 on the surface of the supporting substrate 12 and then curing the resin layer forming composition layer to form the resin layer 14, Examples of the method of forming the resin layer forming composition layer include a method of coating the resin layer forming composition on the support substrate 12. Examples of the coating method include spray coating, die coating, spin coating, dip coating, roll coating, bar coating, screen printing, and gravure coating. From such a method, it can select suitably according to the kind of resin composition.

また、樹脂層14となる樹脂層形成用組成物を支持基板12上にコートする場合、その塗布量は1〜100g/m2であることが好ましく、5〜20g/m2であることがより好ましい。 In the case of coating a resin layer forming composition comprising a resin layer 14 on the supporting substrate 12, and more is that the coating amount is preferably from 1 to 100 g / m 2, is 5 to 20 g / m 2 preferable.

樹脂層形成用組成物に溶媒および樹脂が含まれる場合、上述した所定の表面うねりを示す表面を備える樹脂層14を製造するためには、樹脂層形成用組成物中の溶媒の含有量を、組成物全量に対して、70質量%以下にすることが好ましく、なかでも60質量%以下にすることがより好ましく、50質量%以下にすることがさらに好ましい。溶媒量を上記範囲内に調整することにより、形成された組成物の層から溶媒が揮発する量が抑えられ、結果として表面うねりの少ない樹脂層14を得ることができる。なお、溶媒量の下限に関しては、樹脂層形成用組成物が塗布可能であれば特に制限されないが、取扱い性などの点から、30質量%以上であることが好ましい。   When a resin and a resin are contained in the resin layer forming composition, in order to produce the resin layer 14 having a surface exhibiting the predetermined surface waviness described above, the content of the solvent in the resin layer forming composition is: It is preferably 70% by mass or less, more preferably 60% by mass or less, and still more preferably 50% by mass or less with respect to the total amount of the composition. By adjusting the amount of the solvent within the above range, the amount of the solvent volatilized from the formed composition layer can be suppressed, and as a result, the resin layer 14 with less surface waviness can be obtained. The lower limit of the amount of the solvent is not particularly limited as long as the resin layer forming composition can be applied, but is preferably 30% by mass or more from the viewpoint of handleability.

樹脂層形成用組成物で使用される溶媒の種類は特に制限されないが、得られる樹脂層14の表面うねりの発生がより抑制される点で、沸点が100℃以下の溶媒を使用することが好ましい。
また、樹脂層形成用組成物の粘度は、より表面うねりの少ない樹脂層14を形成できる点から、40mPas以下であることが好ましく、20mPas以下であることがより好ましい。なお、下限は特に制限されないが、組成物の成膜性の点から、3mPas以上であることが好ましい。
The type of the solvent used in the resin layer forming composition is not particularly limited, but it is preferable to use a solvent having a boiling point of 100 ° C. or lower in terms of further suppressing the occurrence of surface waviness of the resulting resin layer 14. .
The viscosity of the resin layer forming composition is preferably 40 mPas or less, and more preferably 20 mPas or less, from the viewpoint that the resin layer 14 with less surface waviness can be formed. In addition, although a minimum in particular is not restrict | limited, From the point of the film formability of a composition, it is preferable that it is 3 mPas or more.

なお、樹脂層形成用組成物に含まれる樹脂としては、上述した樹脂層を形成しうる樹脂が挙げられ、なかでも硬化性シリコーンが好ましく挙げられる。   In addition, as resin contained in the composition for resin layer formation, resin which can form the resin layer mentioned above is mentioned, Especially, curable silicone is mentioned preferably.

例えば、付加反応型シリコーン樹脂組成物から樹脂層14を形成する場合、オルガノアルケニルポリシロキサンとオルガノハイドロジェンポリシロキサンと触媒との混合物からなる樹脂層形成用組成物Xを、上記のスプレーコート法などの公知の方法により支持基板12上に塗布し、その後に加熱硬化させる。
加熱硬化条件は、触媒の配合量によっても異なるが、大気中で50℃〜250℃、好ましくは100℃〜200℃で反応させる。また、この場合の反応時間は5〜60分間、好ましくは10〜30分間とする。
For example, when the resin layer 14 is formed from an addition reaction type silicone resin composition, the resin layer forming composition X composed of a mixture of an organoalkenylpolysiloxane, an organohydrogenpolysiloxane, and a catalyst is used as the spray coating method described above. Is applied onto the support substrate 12 by a known method, and then cured by heating.
The heat curing conditions vary depending on the amount of the catalyst, but the reaction is carried out at 50 ° C. to 250 ° C., preferably 100 ° C. to 200 ° C. in the atmosphere. In this case, the reaction time is 5 to 60 minutes, preferably 10 to 30 minutes.

樹脂層形成用組成物Xを加熱硬化させることによって、硬化反応の際にシリコーン樹脂が支持基板12と化学的に結合し、また、アンカー効果によってシリコーン樹脂層が支持基板12と結合して、接着する。これらの作用によって、シリコーン樹脂層が支持基板12に強固に固定される。なお、シリコーン樹脂以外の樹脂からなる樹脂層を樹脂層形成用組成物から形成する場合も、上記と同様の方法で支持基板12に固定された樹脂層14を形成することができる。   By thermally curing the resin layer forming composition X, the silicone resin is chemically bonded to the support substrate 12 during the curing reaction, and the silicone resin layer is bonded to the support substrate 12 by the anchor effect, thereby being bonded. To do. By these actions, the silicone resin layer is firmly fixed to the support substrate 12. In addition, also when forming the resin layer which consists of resin other than a silicone resin from the composition for resin layer formation, the resin layer 14 fixed to the support substrate 12 by the method similar to the above can be formed.

なお、支持基板12表面上に樹脂層14となる樹脂層形成用組成物層を形成し、次いで、該樹脂層形成用組成物層を硬化して支持基板12上に固定された樹脂層14を形成する方法において、形成される樹脂層14の平坦性がより優れる点で、樹脂層形成用組成物層を形成後で硬化前に、樹脂層形成用組成物層を備える支持基板12を静置することが好ましい。所定時間静置することにより、樹脂層形成用組成物層の表面の平坦性が向上すると共に、樹脂層形成用組成物層に含まれる揮発成分が除去され硬化の際に樹脂層14の表面が荒れることをより抑制することができる。
静置する際の温度は特に制限されず、硬化の際の加熱条件の温度のよりも低い温度で静置すればよく、0〜100℃であることが好ましく、0〜室温(25℃程度)がより好ましい。
静置時間は特に制限されず、樹脂層14の平坦性および生産性の両者のバランスがより優れる点で、30秒〜1時間が好ましく、1分〜10分がより好ましい。
また、必要に応じて、減圧下で静置を行ってもよい。減圧の条件は特に制限されないが、樹脂層14の平坦性および操作の効率性の両者のバランスがより優れる点で、1〜1000Paが好ましく、10〜1000Paがより好ましい。
A resin layer forming composition layer that becomes the resin layer 14 is formed on the surface of the support substrate 12, and then the resin layer 14 fixed on the support substrate 12 is cured by curing the resin layer forming composition layer. In the method of forming, the support substrate 12 provided with the resin layer forming composition layer is allowed to stand after the resin layer forming composition layer is formed and before curing, in that the flatness of the formed resin layer 14 is more excellent. It is preferable to do. By allowing to stand for a predetermined time, the flatness of the surface of the resin layer forming composition layer is improved, and the volatile components contained in the resin layer forming composition layer are removed so that the surface of the resin layer 14 is cured during curing. Roughening can be further suppressed.
The temperature at the time of leaving still is not restrict | limited, What is necessary is just to leave still at the temperature lower than the temperature of the heating conditions in the case of hardening, It is preferable that it is 0-100 degreeC, 0-room temperature (about 25 degreeC) Is more preferable.
The standing time is not particularly limited, and is preferably 30 seconds to 1 hour, more preferably 1 minute to 10 minutes, in that the balance between the flatness and productivity of the resin layer 14 is more excellent.
Moreover, you may stand still under reduced pressure as needed. The conditions for reducing the pressure are not particularly limited, but 1 to 1000 Pa is preferable and 10 to 1000 Pa is more preferable in that the balance between the flatness of the resin layer 14 and the operational efficiency is more excellent.

(ガラス基板)
ガラス基板16は、第1主面16aが樹脂層と密着し、樹脂層14側とは反対側の第2主面16bに電子デバイス用部材が設けられる。
ガラス基板16の種類は、一般的なものであってよく、例えば、LCD、OLEDといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板16は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低い。熱収縮率の指標としては、JIS R 3102(1995年改正)に規定されている線膨張係数が用いられる。
(Glass substrate)
As for the glass substrate 16, the 1st main surface 16a is closely_contact | adhered with a resin layer, and the member for electronic devices is provided in the 2nd main surface 16b on the opposite side to the resin layer 14 side.
The glass substrate 16 may be of a general type, and examples thereof include a glass substrate for a display device such as an LCD or an OLED. The glass substrate 16 is excellent in chemical resistance and moisture permeability and has a low heat shrinkage rate. As an index of the heat shrinkage rate, a linear expansion coefficient defined in JIS R 3102 (revised in 1995) is used.

ガラス基板16の線膨張係数が大きいと、部材形成工程S106は加熱処理を伴うことが多いので、様々な不都合が生じやすい。例えば、ガラス基板16上にTFTを形成する場合、加熱下でTFTが形成されたガラス基板16を冷却すると、ガラス基板16の熱収縮によって、TFTの位置ずれが過大になるおそれがある。   When the linear expansion coefficient of the glass substrate 16 is large, the member forming step S106 is often accompanied by heat treatment, and various inconveniences are likely to occur. For example, when a TFT is formed on the glass substrate 16, if the glass substrate 16 on which the TFT is formed is cooled under heating, the TFT may be displaced excessively due to thermal contraction of the glass substrate 16.

ガラス基板16は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板16は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法(リドロー法)で成形して得られる。   The glass substrate 16 is obtained by melting a glass raw material and molding the molten glass into a plate shape. Such a molding method may be a general one, and for example, a float method, a fusion method, a slot down draw method, a full call method, a rubber method, or the like is used. The glass substrate 16 having a particularly small thickness can be obtained by heating a glass once formed into a plate shape to a moldable temperature and then stretching it by means of stretching or the like to make it thin (redraw method).

ガラス基板16のガラスは、特に限定されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が40〜90質量%のガラスが好ましい。   The glass of the glass substrate 16 is not particularly limited, but non-alkali borosilicate glass, borosilicate glass, soda lime glass, high silica glass, and other oxide-based glasses mainly composed of silicon oxide are preferable. As the oxide glass, a glass having a silicon oxide content of 40 to 90% by mass in terms of oxide is preferable.

ガラス基板16のガラスとしては、電子デバイス用部材の種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス(無アルカリガラス)からなる(ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる)。このように、ガラス基板のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。   As the glass of the glass substrate 16, glass suitable for the type of electronic device member and its manufacturing process is employed. For example, a glass substrate for a liquid crystal panel is made of glass (non-alkali glass) that does not substantially contain an alkali metal component because the elution of an alkali metal component easily affects the liquid crystal (however, usually an alkaline earth metal) Ingredients are included). Thus, the glass of the glass substrate is appropriately selected based on the type of device to be applied and its manufacturing process.

ガラス基板16のガラスとしては、熱膨張率が小さい点で、酸化物基準の質量百分率表示において、下記を含有する無アルカリガラスが好ましく挙げられる。
SiO2:50〜66%
Al23:10.5〜24%
23:0〜12%
MgO:0〜8%
CaO:0〜14.5%
SrO:0〜24%
BaO:0〜13.5%
MgO+CaO+SrO+BaO:9〜29.5%
ZrO2:0〜5%
The glass of the glass substrate 16 is preferably an alkali-free glass containing the following in terms of the oxide-based mass percentage because the coefficient of thermal expansion is small.
SiO 2 : 50 to 66%
Al 2 O 3: 10.5~24%
B 2 O 3: 0~12%
MgO: 0 to 8%
CaO: 0 to 14.5%
SrO: 0 to 24%
BaO: 0 to 13.5%
MgO + CaO + SrO + BaO: 9 to 29.5%
ZrO 2 : 0 to 5%

また、ガラス基板16のガラスとしては、熱膨張率が小さい点で、酸化物基準の質量百分率表示において、下記を含有する無アルカリガラスも好ましく挙げられる。
SiO2:58〜66%
Al23:15〜22%
23:5〜12%
MgO:0〜8%
CaO:0〜9%
SrO:3〜12.5%
BaO:0〜2%
MgO+CaO+SrO+BaO:9〜18%
Moreover, as a glass of the glass substrate 16, the alkali free glass containing the following is preferably mentioned in the mass percentage display of an oxide basis at a point with a small thermal expansion coefficient.
SiO 2: 58~66%
Al 2 O 3 : 15-22%
B 2 O 3: 5~12%
MgO: 0 to 8%
CaO: 0 to 9%
SrO: 3 to 12.5%
BaO: 0 to 2%
MgO + CaO + SrO + BaO: 9 to 18%

ガラス基板16の厚さは、ガラス基板16の薄型化および/または軽量化の観点から、0.3mm以下であり、さらに好ましくは0.15mm以下である。0.3mm超の場合、ガラス基板16の薄型化および/または軽量化の要求を満たせない。0.3mm以下の場合、ガラス基板16に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。0.15mm以下の場合、ガラス基板16をロール状に巻き取ることが可能である。
また、ガラス基板16の厚さは、ガラス基板16の製造が容易であること、ガラス基板16の取り扱いが容易であることなどの理由から、0.03mm以上であることが好ましい。
The thickness of the glass substrate 16 is 0.3 mm or less, more preferably 0.15 mm or less, from the viewpoint of reducing the thickness and / or weight of the glass substrate 16. In the case of more than 0.3 mm, the glass substrate 16 cannot satisfy the demand for thickness reduction and / or weight reduction. In the case of 0.3 mm or less, it is possible to give good flexibility to the glass substrate 16. In the case of 0.15 mm or less, the glass substrate 16 can be rolled up.
Further, the thickness of the glass substrate 16 is preferably 0.03 mm or more for reasons such as easy manufacture of the glass substrate 16 and easy handling of the glass substrate 16.

なお、ガラス基板16は2層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「ガラス基板16の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。   The glass substrate 16 may be composed of two or more layers. In this case, the material for forming each layer may be the same material or different materials. In this case, “the thickness of the glass substrate 16” means the total thickness of all the layers.

(工程の手順)
本工程S102では、上述した樹脂層付き支持基板18とガラス基板16とを用意し、上記樹脂層付き支持基板18の樹脂層表面14aとガラス基板16の第1主面16aとを積層面として両者を密着積層する。樹脂層14の積層面が易剥離性を有しており、通常の重ね合わせと加圧により、容易に剥離可能に密着させることができる。
具体的には、例えば、常圧環境下で易剥離性の樹脂層14の表面14aにガラス基板16を重ねた後、ロールやプレスを用いて樹脂層14とガラス基板16とを圧着させる方法が挙げられる。ロールやプレスで圧着することにより樹脂層14とガラス基板16とがより密着するので好ましい。また、ロールまたはプレスによる圧着により、樹脂層14とガラス基板16との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
(Process procedure)
In this step S102, the support substrate 18 with a resin layer and the glass substrate 16 described above are prepared, and both the resin layer surface 14a of the support substrate 18 with the resin layer and the first main surface 16a of the glass substrate 16 are laminated surfaces. Are stuck together. The laminated surface of the resin layer 14 has easy peelability, and can be easily and peelably adhered by normal superposition and pressurization.
Specifically, for example, after the glass substrate 16 is stacked on the surface 14a of the easily peelable resin layer 14 in a normal pressure environment, the resin layer 14 and the glass substrate 16 are pressure-bonded using a roll or a press. Can be mentioned. It is preferable because the resin layer 14 and the glass substrate 16 are more closely adhered by pressure bonding with a roll or a press. Further, it is preferable because bubbles mixed between the resin layer 14 and the glass substrate 16 are relatively easily removed by pressure bonding with a roll or a press.

真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保が行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、ガラス基板16のゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。   When pressure bonding is performed by a vacuum laminating method or a vacuum pressing method, it is more preferable because it suppresses mixing of bubbles and secures good adhesion. By press-bonding under vacuum, even if minute bubbles remain, there is an advantage that the bubbles do not grow by heating and are not likely to lead to a distortion defect of the glass substrate 16.

樹脂層14をガラス基板16の第1主面16aに剥離可能に密着させる際には、樹脂層14およびガラス基板16の互いに接触する側の面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。樹脂層14とガラス基板16との間に異物が混入しても、樹脂層14が変形するのでガラス基板16の表面の平坦性に影響を与えることはないが、クリーン度が高いほどその平坦性は良好となるので好ましい。   When the resin layer 14 is detachably adhered to the first main surface 16a of the glass substrate 16, the surfaces of the resin layer 14 and the glass substrate 16 that are in contact with each other are sufficiently washed and laminated in a clean environment. It is preferable to do. Even if a foreign substance is mixed between the resin layer 14 and the glass substrate 16, the resin layer 14 is deformed and thus does not affect the flatness of the surface of the glass substrate 16. Is preferable because it becomes favorable.

上記積層工程S102により形成されたガラス積層体10は、種々の用途に使用することができ、例えば、後述する表示装置用パネル、PV、薄膜2次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品を製造する用途などが挙げられる。なお、該用途では、ガラス積層体10が高温条件(例えば、320℃以上)で曝される(例えば、1時間以上)場合が多い。
ここで、表示装置用パネルとは、LCD、OLED、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットLEDパネル、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)シャッターパネル等が含まれる。
The glass laminate 10 formed by the lamination step S102 can be used for various applications, such as a display device panel, PV, a thin film secondary battery, a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface, and the like. The use which manufactures these electronic components is mentioned. In this application, the glass laminate 10 is often exposed (for example, 1 hour or longer) under high temperature conditions (for example, 320 ° C. or higher).
Here, the display device panel includes LCD, OLED, electronic paper, plasma display panel, field emission panel, quantum dot LED panel, MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) shutter panel, and the like.

[研磨工程]
研磨工程S104は、積層工程S102で得られたガラス積層体10中のガラス基板16の第2主面16bを研磨する工程である。本工程S104を設けることにより、ガラス基板16の第2主面16bの微小な凹凸および疵を除去することができ、電子デバイス用部材が形成される面の平坦性を向上することができる。よって、製品である電子デバイスの信頼性を高めることができる。この効果は、本発明で使用される厚みが0.3mm以下のガラス基板に対して顕著である。厚み0.3mm以下のガラス基板は、単独で研磨することが難しく、ガラス積層体10にする前に予め研磨することが難しいからである。
[Polishing process]
Polishing process S104 is a process of grind | polishing the 2nd main surface 16b of the glass substrate 16 in the glass laminated body 10 obtained by lamination process S102. By providing this step S104, minute irregularities and wrinkles on the second main surface 16b of the glass substrate 16 can be removed, and the flatness of the surface on which the electronic device member is formed can be improved. Therefore, the reliability of the electronic device which is a product can be improved. This effect is remarkable for a glass substrate having a thickness of 0.3 mm or less used in the present invention. This is because it is difficult to polish a glass substrate having a thickness of 0.3 mm or less alone, and it is difficult to polish it in advance before forming the glass laminate 10.

研磨の方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができ、メカニカルな研磨(物理研磨)または化学的な研磨(化学研磨)を使用することができる。メカニカルな研磨としては、セラミック砥粒を吹き付けて研削するサンドブラスト方法、ラッピングシートや砥石を用いた研磨、砥粒と化学溶媒を併用した化学的機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)法等を用いることができる。
また、化学研磨(ウェットエッチングと呼ぶこともある)としては、薬液を使用してガラス基板の表面を研磨する方法を用いることができる。
なかでも、研磨後のガラス基板16の第2主面16bの平坦性および清浄度がより高い点で、化学的機械研磨が好ましい。なお、化学的機械研磨で使用される砥粒としては、酸化セリウムなどの公知の砥粒を使用することができる。
The polishing method is not particularly limited, and a known method can be adopted, and mechanical polishing (physical polishing) or chemical polishing (chemical polishing) can be used. As mechanical polishing, use a sand blasting method in which ceramic abrasive grains are sprayed to grind, polishing using a lapping sheet or a grindstone, a chemical mechanical polishing (CMP) method in which abrasive grains and a chemical solvent are used in combination. Can do.
As chemical polishing (sometimes referred to as wet etching), a method of polishing the surface of a glass substrate using a chemical solution can be used.
Among these, chemical mechanical polishing is preferable in that the flatness and cleanliness of the second main surface 16b of the glass substrate 16 after polishing are higher. In addition, as abrasive grains used in chemical mechanical polishing, known abrasive grains such as cerium oxide can be used.

上記積層工程S102および研磨工程S104を経ることによって、研磨されたガラス基板を含むガラス積層体を製造することができる。   By passing through the lamination step S102 and the polishing step S104, a glass laminate including a polished glass substrate can be produced.

[部材形成工程]
部材形成工程S106は、上記研磨工程S104において研磨されたガラス基板16の第2主面16b上に電子デバイス用部材を形成する工程である。
図3は、本工程S106で得られる電子デバイス用部材付き積層体の一例の模式的断面図である。電子デバイス用部材付き積層体20は、上記ガラス積層体10と、電子デバイス用部材22から構成される。
まず、本工程S106で使用される電子デバイス用部材について詳述し、その後工程S106の手順について詳述する。
[Member forming process]
The member forming step S106 is a step of forming an electronic device member on the second main surface 16b of the glass substrate 16 polished in the polishing step S104.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an example of a laminated body with an electronic device member obtained in this step S106. The laminated body 20 with a member for electronic devices is comprised from the said glass laminated body 10 and the member 22 for electronic devices.
First, the electronic device member used in this step S106 will be described in detail, and then the procedure of step S106 will be described in detail.

(電子デバイス用部材(機能性素子))
電子デバイス用部材22は、ガラス積層体10中のガラス基板16の第2主面16b上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材22としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜2次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材が挙げられる。表示装置用パネルとしては、有機ELパネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル等が含まれる。
(Electronic device components (functional elements))
The electronic device member 22 is a member that is formed on the second main surface 16b of the glass substrate 16 in the glass laminate 10 and constitutes at least a part of the electronic device. More specifically, examples of the electronic device member 22 include a member used for a display device panel, a solar cell, a thin film secondary battery, and an electronic component such as a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface. Examples of the display device panel include an organic EL panel, a plasma display panel, a field emission panel, and the like.

例えば、太陽電池用部材としては、シリコン型では、正極の酸化スズなど透明電極、p層/i層/n層で表されるシリコン層、および負極の金属等が挙げられ、その他に、化合物型、色素増感型、量子ドット型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、薄膜2次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、電子部品用部材としては、CCDやCMOSでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。
For example, as a member for a solar cell, a silicon type includes a transparent electrode such as tin oxide of a positive electrode, a silicon layer represented by p layer / i layer / n layer, a metal of a negative electrode, and the like. And various members corresponding to the dye-sensitized type, the quantum dot type, and the like.
Further, as a member for a thin film secondary battery, in the lithium ion type, a transparent electrode such as a metal or a metal oxide of a positive electrode and a negative electrode, a lithium compound of an electrolyte layer, a metal of a current collecting layer, a resin as a sealing layer, etc. In addition, various members corresponding to nickel hydrogen type, polymer type, ceramic electrolyte type and the like can be mentioned.
In addition, as a member for electronic components, in CCD and CMOS, metal of conductive part, silicon oxide and silicon nitride of insulating part, etc., other various sensors such as pressure sensor and acceleration sensor, rigid printed board, flexible printed board And various members corresponding to a rigid flexible printed circuit board.

(工程の手順)
上述した電子デバイス用部材付き積層体20の製造方法は特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、積層体10のガラス基板16の第2主面16b表面上に、電子デバイス用部材22を形成する。
なお、電子デバイス用部材22は、ガラス基板16の第2主面16bに最終的に形成される部材の全部(以下、「全部材」という)ではなく、全部材の一部(以下、「部分部材」という)であってもよい。樹脂層14から剥離された部分部材付きガラス基板を、その後の工程で全部材付きガラス基板(後述する電子デバイスに相当)とすることもできる。
また、樹脂層14から剥離された、全部材付きガラス基板には、その剥離面(第1主面16a)に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から樹脂層付き支持基板を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を2枚用いて電子デバイスを組み立て、その後、全部材付き積層体から2枚の樹脂層付き支持基板を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。
(Process procedure)
The manufacturing method of the laminated body 20 with the member for electronic devices mentioned above is not specifically limited, The 2nd main surface of the glass substrate 16 of the laminated body 10 by a conventionally well-known method according to the kind of structural member of the member for electronic devices. An electronic device member 22 is formed on the surface of 16b.
The electronic device member 22 is not all of the members finally formed on the second main surface 16b of the glass substrate 16 (hereinafter referred to as “all members”), but a part of all the members (hereinafter referred to as “parts”). May be referred to as a member. The glass substrate with a partial member peeled from the resin layer 14 can be used as a glass substrate with all members (corresponding to an electronic device described later) in the subsequent steps.
Moreover, the other electronic device member may be formed in the peeling surface (1st main surface 16a) in the glass substrate with all the members peeled from the resin layer 14. FIG. Moreover, an electronic device can also be manufactured by assembling a laminate with all members and then peeling the support substrate with a resin layer from the laminate with all members. Furthermore, an electronic device can also be manufactured by assembling an electronic device using two laminates with all members, and then peeling the two support substrates with resin layers from the laminate with all members.

例えば、OLEDを製造する場合を例にとると、ガラス積層体10のガラス基板16の樹脂層14側とは反対側の表面上(ガラス基板16の第2主面16bに該当)に有機EL構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、等の各種の層形成や処理が行われる。これらの層形成や処理として、具体的には、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。   For example, taking the case of manufacturing an OLED as an example, an organic EL structure on the surface of the glass laminate 10 opposite to the resin layer 14 side of the glass substrate 16 (corresponding to the second main surface 16b of the glass substrate 16). In order to form a body, a transparent electrode is formed, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, etc. are deposited on the surface on which the transparent electrode is formed, a back electrode is formed, and a sealing plate Various layers are formed and processed, such as sealing with the use of. Specific examples of the layer formation and processing include film formation processing, vapor deposition processing, sealing plate adhesion processing, and the like.

また、例えば、TFT−LCDの製造方法は、平面化後のガラス積層体10のガラス基板16の第2主面16b上に、レジスト液を用いて、CVD法およびスパッター法など、一般的な成膜法により形成される金属膜および金属酸化膜等にパターン形成して薄膜トランジスタ(TFT)を形成するTFT形成工程と、別の平面化後のガラス積層体10のガラス基板16の第2主面16b上に、レジスト液をパターン形成に用いてカラーフィルタ(CF)を形成するCF形成工程と、TFT付きデバイス基板とCF付きデバイス基板とを積層する貼り合わせ工程等の各種工程を有する。   In addition, for example, the TFT-LCD manufacturing method uses a resist solution on the second main surface 16b of the glass substrate 16 of the planarized glass laminate 10 using a resist solution, such as a CVD method and a sputtering method. TFT forming step of forming a thin film transistor (TFT) by patterning a metal film and a metal oxide film formed by a film method, and a second main surface 16b of the glass substrate 16 of the glass laminate 10 after another planarization On top of this, there are various processes such as a CF forming process for forming a color filter (CF) using a resist solution for pattern formation, and a bonding process for laminating a device substrate with TFT and a device substrate with CF.

TFT形成工程やCF形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いて、ガラス基板16の第2主面16bにTFTやCFを形成する。この際、パターン形成用のコーティング液としてレジスト液が用いられる。
なお、TFTやCFを形成する前に、必要に応じて、ガラス基板16の第2主面16bを洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。
In the TFT formation process and the CF formation process, the TFT and the CF are formed on the second main surface 16b of the glass substrate 16 by using a well-known photolithography technique, etching technique, or the like. At this time, a resist solution is used as a coating solution for pattern formation.
In addition, before forming TFT and CF, you may wash | clean the 2nd main surface 16b of the glass substrate 16 as needed. As a cleaning method, known dry cleaning or wet cleaning can be used.

貼り合わせ工程では、TFT付き積層体と、CF付き積層体との間に液晶材を注入して積層する。液晶材を注入する方法としては、例えば、減圧注入法、滴下注入法がある。   In the bonding step, a liquid crystal material is injected and laminated between the laminated body with TFT and the laminated body with CF. Examples of the method for injecting the liquid crystal material include a reduced pressure injection method and a drop injection method.

[分離工程]
分離工程S108は、上記部材形成工程S106で得られた電子デバイス用部材付き積層体20から、電子デバイス用部材22が積層したガラス基板16と、樹脂層付き支持基板18とを分離して、電子デバイス用部材22およびガラス基板16を含む電子デバイス24(電子デバイス用部材付きガラス基板)を得る工程である。
剥離時のガラス基板16上の電子デバイス用部材22が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をガラス基板16上に形成することもできる。
[Separation process]
In the separation step S108, the glass substrate 16 on which the electronic device member 22 is laminated and the support substrate 18 with the resin layer are separated from the laminate 20 with the electronic device member obtained in the member forming step S106, and an electronic This is a step of obtaining an electronic device 24 (a glass substrate with a member for electronic devices) including the device member 22 and the glass substrate 16.
When the electronic device member 22 on the glass substrate 16 at the time of peeling is a part of the formation of all the necessary constituent members, the remaining constituent members can be formed on the glass substrate 16 after separation.

ガラス基板16の第1主面16aと樹脂層14の表面14aとを剥離する方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、ガラス基板16と樹脂層14との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離することができる。好ましくは、電子デバイス用部材付き積層体20の支持基板12が上側、電子デバイス用部材22側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材22側を定盤上に真空吸着し(両面に支持基板が積層されている場合は順次行う)、この状態でまず刃物をガラス基板16−樹脂層14界面に刃物を侵入させる。そして、その後に支持基板12側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物を差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうすると樹脂層14とガラス基板16との界面へ空気層が形成され、その空気層が界面の全面に広がり、支持基板12を容易に剥離することができる。   The method of peeling the 1st main surface 16a of the glass substrate 16 and the surface 14a of the resin layer 14 is not specifically limited. Specifically, for example, a sharp blade-like object is inserted into the interface between the glass substrate 16 and the resin layer 14 and given a trigger for peeling, and then the peeling is performed by spraying a mixed fluid of water and compressed air. can do. Preferably, the laminate 20 with electronic device members is placed on a surface plate so that the support substrate 12 is on the upper side and the electronic device member 22 side is on the lower side, and the electronic device member 22 side is vacuum-adsorbed on the surface plate. (In the case where support substrates are laminated on both surfaces, the steps are sequentially performed). In this state, the blade is first inserted into the glass substrate 16-resin layer 14 interface. Then, the support substrate 12 side is sucked by a plurality of vacuum suction pads, and the vacuum suction pads are raised in order from the vicinity of the place where the blade is inserted. Then, an air layer is formed at the interface between the resin layer 14 and the glass substrate 16, and the air layer spreads over the entire interface, and the support substrate 12 can be easily peeled off.

上述した製造方法は、携帯電話やPDAのようなモバイル端末に使用される小型の表示装置の製造に好適である。表示装置は主としてLCDまたはOLEDであり、LCDとしては、TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等を含む。基本的にパッシブ駆動型、アクティブ駆動型のいずれの表示装置の場合でも適用することができる。   The manufacturing method described above is suitable for manufacturing a small display device used for a mobile terminal such as a mobile phone or a PDA. The display device is mainly an LCD or an OLED, and the LCD includes a TN type, STN type, FE type, TFT type, MIM type, IPS type, VA type, and the like. Basically, the present invention can be applied to both passive drive type and active drive type display devices.

以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。   EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples and the like, but the present invention is not limited to these examples.

<実施例1>
縦350mm、横300mm、板厚0.5mmのガラス基板(「AN100」、線膨張係数38×10-7/℃の無アルカリガラス板:旭硝子株式会社製)を支持基板として用意し、純水洗浄、UV洗浄して表面を浄化して、表面を清浄化した支持基板を得た。
次に、成分(A)として直鎖状ビニルメチルポリシロキサン(「VDT−127」、25℃における粘度700−800cP(センチポアズ):アズマックス製、オルガノポリシロキサン1molにおけるビニル基のmol%:0.325)と、成分(B)として直鎖状メチルヒドロポリシロキサン(「HMS−301」、25℃における粘度25−35cP(センチポアズ):アズマックス製、1分子内におけるケイ素原子に結合した水素原子の数:8個)とを、全ビニル基と全ケイ素原子に結合した水素原子とのモル比(水素原子/ビニル基)が0.9となるように混合し、このシロキサン混合物100重量部に対して、成分(C)として下記式(1)で示されるアセチレン系不飽和基を有するケイ素化合物1質量部を混合した。
HC≡C−C(CH3)2−O−Si(CH3)3 式(1)
次いで成分(A)と成分(B)と成分(C)との合計量に対して、白金換算で白金金属濃度が100ppmとなるように白金系触媒(信越シリコーン株式会社製、CAT−PL−56)を加えオルガノポリシロキサン組成物の混合液を得た。
得られた混合液を、先に清浄化した支持基板の第1主面上にダイコーターにより塗工した(速度5mm/s、GAP150μm、塗布圧95kPa)。その後、支持基板上に塗工した混合物(樹脂層形成用組成物層)を室温で10分間静置した後に、大気中で180℃、60分間加熱硬化させ、支持基板上に縦350mm×横300mm、厚さ15μmの硬化シリコーン樹脂層を形成して支持体A(樹脂層付き支持基板)を得た。なお、硬化シリコーン樹脂層の露出表面のろ波中心線うねり(WCA)は、0.090μmであった。
<Example 1>
Prepare a glass substrate (“AN100”, linear expansion coefficient 38 × 10 −7 / ° C. non-alkali glass plate: manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) having a length of 350 mm, a width of 300 mm, and a thickness of 0.5 mm as a support substrate and washed with pure water The substrate was cleaned by UV cleaning to obtain a support substrate with a cleaned surface.
Next, as a component (A), linear vinylmethylpolysiloxane (“VDT-127”, viscosity at 25 ° C. 700-800 cP (centipoise): manufactured by Azumax, mol% of vinyl group in 1 mol of organopolysiloxane: 0.325 ) And linear methylhydropolysiloxane (“HMS-301” as component (B), viscosity 25-35 cP (centipoise) at 25 ° C .: manufactured by Asmax, the number of hydrogen atoms bonded to silicon atoms in one molecule: 8) are mixed so that the molar ratio of all vinyl groups to hydrogen atoms bonded to all silicon atoms (hydrogen atoms / vinyl groups) is 0.9, with respect to 100 parts by weight of this siloxane mixture, As a component (C), 1 part by mass of a silicon compound having an acetylenically unsaturated group represented by the following formula (1) was mixed.
HC≡C—C (CH 3 ) 2 —O—Si (CH 3 ) 3 Formula (1)
Next, a platinum-based catalyst (CAT-PL-56 manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) such that the platinum metal concentration is 100 ppm in terms of platinum with respect to the total amount of component (A), component (B), and component (C). ) Was added to obtain a mixed liquid of the organopolysiloxane composition.
The obtained mixed liquid was coated on the first main surface of the previously cleaned support substrate by a die coater (speed 5 mm / s, GAP 150 μm, coating pressure 95 kPa). Thereafter, the mixture (composition layer for resin layer formation) coated on the support substrate was allowed to stand at room temperature for 10 minutes, and then heat-cured at 180 ° C. for 60 minutes in the atmosphere, and 350 mm long × 300 mm wide on the support substrate. Then, a cured silicone resin layer having a thickness of 15 μm was formed to obtain a support A (support substrate with a resin layer). The filtered center line waviness (W CA ) of the exposed surface of the cured silicone resin layer was 0.090 μm.

一方、縦350mm、横300mm、板厚0.2mmのガラス基板(「AN100」、線膨張係数38×10-7/℃の無アルカリガラス板:旭硝子株式会社製)を純水洗浄、UV洗浄し、ガラス基板の表面を清浄化した。
その後、支持体Aとガラス基板とを位置合わせしたうえで、真空プレス装置を用いて、室温下で、ガラス基板の第1主面と、支持体Aの硬化シリコーン樹脂層の剥離性表面とを密着させガラス積層体を得た。
次に、オスカー型研磨機を用いて、得られたガラス積層体のガラス基板の第2主面(露出表面)の研磨を行った。研磨液としては、シリカ粒子の平均粒子径が0.08μmであり、シリカ粒子の含有量が10質量%であるコロイダルシリカ研磨溶液を用いた。研磨パッドとしては、スウェード素材を用いた。研磨条件は、研磨液の供給量が30ml/分であり、研磨圧力が20000Paであり、下定盤の回転数が80rpmであり、研磨時間は、600秒であった。
研磨終了後、研磨処理が施されたガラス積層体におけるガラス基板の第2主面を定盤に真空吸着させたうえで、ガラス基板の4箇所のコーナー部のうち1箇所のコーナー部におけるガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に、厚さ0.1mmのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板とシリコーン樹脂層の界面に剥離のきっかけを与えた。そして、支持基板を24個の真空吸着パッドで吸着した上で、刃物を差し込んだコーナー部に近い吸着パッドから順に上昇させた。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ(キーエンス社製)から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行った。次に、形成した空隙へ向けて、イオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら真空吸着パッドを引き上げた。その結果、定盤上に研磨処理が施されたガラス基板をガラス積層体から分離することができた。得られたガラス基板の第2主面のろ波中心線うねり(WCA)は、0.090μmであった。該結果より、ガラス積層体のガラス基板に研磨処理を施した後に分離されたガラス基板は、優れた表面平坦性を有することが確認された。結果を表1にまとめて示す。
On the other hand, a glass substrate having a length of 350 mm, a width of 300 mm, and a thickness of 0.2 mm (“AN100”, an alkali-free glass plate having a linear expansion coefficient of 38 × 10 −7 / ° C .: manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) is washed with pure water and UV washed. The surface of the glass substrate was cleaned.
Then, after aligning the support A and the glass substrate, using a vacuum press apparatus, the first main surface of the glass substrate and the peelable surface of the cured silicone resin layer of the support A are used at room temperature. It was made to adhere and the glass laminated body was obtained.
Next, the 2nd main surface (exposed surface) of the glass substrate of the obtained glass laminated body was grind | polished using the Oscar type | mold grinder. As the polishing liquid, a colloidal silica polishing solution having an average particle diameter of silica particles of 0.08 μm and a silica particle content of 10% by mass was used. A suede material was used as the polishing pad. The polishing conditions were a polishing liquid supply amount of 30 ml / min, a polishing pressure of 20000 Pa, a rotation speed of the lower platen of 80 rpm, and a polishing time of 600 seconds.
After the polishing is completed, the second main surface of the glass substrate in the glass laminate subjected to the polishing treatment is vacuum-adsorbed on the surface plate, and then the glass substrate at one corner portion of the four corner portions of the glass substrate. A stainless steel knife having a thickness of 0.1 mm was inserted into the interface between the glass substrate and the silicone resin layer, and an interface for peeling was applied to the interface between the glass substrate and the silicone resin layer. And after adsorbing a support substrate with 24 vacuum suction pads, it raised in order from the suction pad near the corner part which inserted the blade. Here, the cutter was inserted while spraying a static eliminating fluid on the interface from an ionizer (manufactured by Keyence Corporation). Next, the vacuum suction pad was pulled up while spraying a static eliminating fluid continuously from the ionizer toward the formed gap. As a result, it was possible to separate the glass substrate whose surface was polished on the surface plate from the glass laminate. The filtered center line waviness (W CA ) of the second main surface of the obtained glass substrate was 0.090 μm. From the results, it was confirmed that the glass substrate separated after the glass substrate of the glass laminate was polished had excellent surface flatness. The results are summarized in Table 1.

<実施例2>
実施例1と同様の手順で得られたオルガノポリシロキサン組成物の混合液100重量部に対してヘプタンを43重量部加え混合溶液を調製し、得られた混合溶液をダイコーター(塗布速度40mm/s、GAP140μm、塗布圧50kPa)にて支持基板上に塗布し、室温で10分静置した後に大気中で180℃、60分間加熱硬化させて15μmの硬化シリコーン樹脂層を形成した以外は、実施例1と同様の手順に従って、ガラス積層体を作製して研磨処理を行い、研磨処理が施されたガラス基板の分離を行った。各種結果を表1にまとめて示す。なお、ガラス積層体から分離されたガラス基板の第2主面のろ波中心線うねり(WCA)は、樹脂層のろ波中心線うねりと同程度であり、0.100μm以下であった。
<Example 2>
A mixed solution was prepared by adding 43 parts by weight of heptane to 100 parts by weight of the mixed solution of the organopolysiloxane composition obtained by the same procedure as in Example 1, and the resulting mixed solution was mixed with a die coater (coating speed 40 mm / s, GAP 140 μm, coating pressure 50 kPa), applied to a support substrate, allowed to stand at room temperature for 10 minutes, and then heated and cured in air at 180 ° C. for 60 minutes to form a 15 μm cured silicone resin layer. In accordance with the same procedure as in Example 1, a glass laminate was prepared and subjected to polishing treatment, and the glass substrate subjected to the polishing treatment was separated. Various results are summarized in Table 1. The filtered center line waviness (W CA ) of the second main surface of the glass substrate separated from the glass laminate was similar to the filtered center line waviness of the resin layer, and was 0.100 μm or less.

<実施例3>
混合溶液をダイコーターにて支持基板上に塗布後、室温で30分間静置した後に大気中で180℃、60分間加熱硬化させて15μmの硬化シリコーン樹脂層を形成した以外は、実施例2と同様の手順に従って、ガラス積層体を作製して研磨処理を行い、研磨処理が施されたガラス基板の分離を行った。各種結果を表1にまとめて示す。なお、ガラス積層体から分離されたガラス基板の第2主面のろ波中心線うねり(WCA)は、樹脂層のろ波中心線うねりと同程度であり、0.100μm以下であった。
<Example 3>
The mixed solution was applied on a support substrate with a die coater, allowed to stand at room temperature for 30 minutes, and then heated and cured in the atmosphere at 180 ° C. for 60 minutes to form a 15 μm cured silicone resin layer. According to the same procedure, a glass laminate was prepared and subjected to a polishing treatment, and the glass substrate subjected to the polishing treatment was separated. Various results are summarized in Table 1. The filtered center line waviness (W CA ) of the second main surface of the glass substrate separated from the glass laminate was similar to the filtered center line waviness of the resin layer, and was 0.100 μm or less.

<実施例4>
実施例1と同様の手順で得られたオルガノポリシロキサン組成物の混合液100重量部に対してヘプタンを100重量部加え混合溶液を調製し、得られた混合溶液をダイコーター(塗布速度40mm/s、GAP100μm、塗布圧28kPa)にて支持基板上に塗布し、室温で30秒静置した後に大気中で180℃、60分間加熱硬化させて15μmの硬化シリコーン樹脂層を形成した以外は、実施例1と同様の手順に従って、ガラス積層体を作製して研磨処理を行い、研磨処理が施されたガラス基板の分離を行った。各種結果を表1にまとめて示す。なお、ガラス積層体から分離されたガラス基板の第2主面のろ波中心線うねり(WCA)は、樹脂層のろ波中心線うねりと同程度であり、0.100μm以下であった。
<Example 4>
A mixed solution was prepared by adding 100 parts by weight of heptane to 100 parts by weight of the mixed solution of the organopolysiloxane composition obtained in the same procedure as in Example 1, and the resulting mixed solution was mixed with a die coater (coating speed 40 mm / s, GAP 100 μm, coating pressure 28 kPa), applied to a support substrate, allowed to stand at room temperature for 30 seconds, and then cured by heating at 180 ° C. for 60 minutes in the air to form a cured silicone resin layer of 15 μm. In accordance with the same procedure as in Example 1, a glass laminate was prepared and subjected to polishing treatment, and the glass substrate subjected to the polishing treatment was separated. Various results are summarized in Table 1. The filtered center line waviness (W CA ) of the second main surface of the glass substrate separated from the glass laminate was similar to the filtered center line waviness of the resin layer, and was 0.100 μm or less.

<実施例5>
混合溶液をダイコーターにて支持基板上に塗布後、室温で10分間静置した後に大気中で180℃、60分間加熱硬化させて15μmの硬化シリコーン樹脂層を形成した以外は実施例4と同様の手順に従って、ガラス積層体を作製して研磨処理を行い、研磨処理が施されたガラス基板の分離を行った。各種結果を表1にまとめて示す。なお、ガラス積層体から分離されたガラス基板の第2主面のろ波中心線うねり(WCA)は、樹脂層のろ波中心線うねりと同程度であり、0.100μm以下であった。
<Example 5>
The mixed solution was applied on a support substrate with a die coater, and then allowed to stand at room temperature for 10 minutes, and then heated and cured in the atmosphere at 180 ° C. for 60 minutes to form a 15 μm cured silicone resin layer. According to the procedure, a glass laminate was prepared and subjected to a polishing treatment, and the glass substrate subjected to the polishing treatment was separated. Various results are summarized in Table 1. The filtered center line waviness (W CA ) of the second main surface of the glass substrate separated from the glass laminate was similar to the filtered center line waviness of the resin layer, and was 0.100 μm or less.

<実施例6>
ダイコーターの塗布速度を40mm/sから80mm/sに変更して、8μmの硬化シリコーン樹脂層を形成した以外は、実施例4と同様の手順に従って、ガラス積層体を作製して研磨処理を行い、研磨処理が施されたガラス基板の分離を行った。各種結果を表1にまとめて示す。なお、ガラス積層体から分離されたガラス基板の第2主面のろ波中心線うねり(WCA)は、樹脂層のろ波中心線うねりと同程度であり、0.100μm以下であった。
<Example 6>
A glass laminate was prepared and polished according to the same procedure as in Example 4 except that the coating speed of the die coater was changed from 40 mm / s to 80 mm / s and a cured silicone resin layer of 8 μm was formed. Then, the glass substrate subjected to the polishing treatment was separated. Various results are summarized in Table 1. The filtered center line waviness (W CA ) of the second main surface of the glass substrate separated from the glass laminate was similar to the filtered center line waviness of the resin layer, and was 0.100 μm or less.

<実施例7>
混合溶液をダイコーターにて支持基板上に塗布後、室温で10分間静置した後に大気中で180℃、60分間加熱硬化させて8μmの硬化シリコーン樹脂層を形成した以外は、実施例6と同様の手順に従って、ガラス積層体を作製して研磨処理を行い、研磨処理が施されたガラス基板の分離を行った。各種結果を表1にまとめて示す。なお、ガラス積層体から分離されたガラス基板の第2主面のろ波中心線うねり(WCA)は、樹脂層のろ波中心線うねりと同程度であり、0.100μm以下であった。
<Example 7>
The mixed solution was applied on a support substrate with a die coater, allowed to stand at room temperature for 10 minutes, and then heated and cured in air at 180 ° C. for 60 minutes to form an 8 μm cured silicone resin layer. According to the same procedure, a glass laminate was prepared and subjected to a polishing treatment, and the glass substrate subjected to the polishing treatment was separated. Various results are summarized in Table 1. The filtered center line waviness (W CA ) of the second main surface of the glass substrate separated from the glass laminate was similar to the filtered center line waviness of the resin layer, and was 0.100 μm or less.

<実施例8>
実施例1と同様の手順で得られたオルガノポリシロキサン組成物の混合液100重量部に対してヘプタンを150重量部加え混合溶液を調製し、得られた混合溶液をダイコーター(塗布速度40mm/s、GAP100μm、塗布圧20kPa)にて支持基板上に塗布し、室温で30秒静置した後に大気中で180℃、60分間加熱硬化させて15μmの硬化シリコーン樹脂層を形成した以外は、実施例1と同様の手順に従って、ガラス積層体を作製して研磨処理を行い、研磨処理が施されたガラス基板の分離を行った。各種結果を表1にまとめて示す。なお、ガラス積層体から分離されたガラス基板の第2主面のろ波中心線うねり(WCA)は、樹脂層のろ波中心線うねりと同程度であり、0.100μm以下であった。
<Example 8>
A mixed solution was prepared by adding 150 parts by weight of heptane to 100 parts by weight of the mixed solution of the organopolysiloxane composition obtained by the same procedure as in Example 1, and the resulting mixed solution was mixed with a die coater (coating speed 40 mm / s, GAP 100 μm, coating pressure 20 kPa), applied to a support substrate, allowed to stand at room temperature for 30 seconds, and then cured by heating at 180 ° C. for 60 minutes in the air to form a cured silicone resin layer of 15 μm. In accordance with the same procedure as in Example 1, a glass laminate was prepared and subjected to polishing treatment, and the glass substrate subjected to the polishing treatment was separated. Various results are summarized in Table 1. The filtered center line waviness (W CA ) of the second main surface of the glass substrate separated from the glass laminate was similar to the filtered center line waviness of the resin layer, and was 0.100 μm or less.

<実施例9>
混合溶液をダイコーターにて支持基板上に塗布後、室温で10分間静置した後に大気中で180℃、60分間加熱硬化させて8μmの硬化シリコーン樹脂層を形成した以外は、実施例8と同様の手順に従って、ガラス積層体を作製して研磨処理を行い、研磨処理が施されたガラス基板の分離を行った。各種結果を表1にまとめて示す。なお、ガラス積層体から分離されたガラス基板の第2主面のろ波中心線うねり(WCA)は、樹脂層のろ波中心線うねりと同程度であり、0.100μm以下であった。
<Example 9>
The mixed solution was applied on a support substrate with a die coater, allowed to stand at room temperature for 10 minutes, and then heated and cured in air at 180 ° C. for 60 minutes to form an 8 μm cured silicone resin layer. According to the same procedure, a glass laminate was prepared and subjected to a polishing treatment, and the glass substrate subjected to the polishing treatment was separated. Various results are summarized in Table 1. The filtered center line waviness (W CA ) of the second main surface of the glass substrate separated from the glass laminate was similar to the filtered center line waviness of the resin layer, and was 0.100 μm or less.

<実施例10>
実施例1と同様の手順で得られたオルガノポリシロキサン組成物の混合液100重量部に対してヘプタンを233重量部加え混合溶液を調製し、得られた混合溶液をダイコーター(塗布速度40mm/s、GAP70μm、塗布圧15kPa)にて支持基板上に塗布し、室温で30秒静置した後に大気中で180℃、60分間加熱硬化させて15μmの硬化シリコーン樹脂層を形成した以外は、実施例1と同様の手順に従って、ガラス積層体を作製して研磨処理を行い、研磨処理が施されたガラス基板の分離を行った。各種結果を表1にまとめて示す。なお、ガラス積層体から分離されたガラス基板の第2主面のろ波中心線うねり(WCA)は、樹脂層のろ波中心線うねりと同程度であり、0.100μm以下であった。
<Example 10>
A mixed solution was prepared by adding 233 parts by weight of heptane to 100 parts by weight of the mixed solution of the organopolysiloxane composition obtained by the same procedure as in Example 1, and the resulting mixed solution was mixed with a die coater (coating speed 40 mm / s, GAP 70 μm, coating pressure 15 kPa), applied on a support substrate, allowed to stand at room temperature for 30 seconds, and then cured by heating at 180 ° C. for 60 minutes in air to form a cured silicone resin layer of 15 μm. In accordance with the same procedure as in Example 1, a glass laminate was prepared and subjected to polishing treatment, and the glass substrate subjected to the polishing treatment was separated. Various results are summarized in Table 1. The filtered center line waviness (W CA ) of the second main surface of the glass substrate separated from the glass laminate was similar to the filtered center line waviness of the resin layer, and was 0.100 μm or less.

<実施例11>
混合溶液をダイコーターで支持基板上に塗布後、室温で10分間静置した後に大気中で180℃、60分間加熱硬化させて15μmの硬化シリコーン樹脂層を形成した以外は、実施例10と同様の手順に従って、ガラス積層体を作製して研磨処理を行い、研磨処理が施されたガラス基板の分離を行った。各種結果を表1にまとめて示す。なお、ガラス積層体から分離されたガラス基板の第2主面のろ波中心線うねり(WCA)は、樹脂層のろ波中心線うねりと同程度であり、0.100μm以下であった。
<Example 11>
The mixed solution was applied on a support substrate with a die coater, and then allowed to stand at room temperature for 10 minutes and then heated and cured in the atmosphere at 180 ° C. for 60 minutes to form a 15 μm cured silicone resin layer. According to the procedure, a glass laminate was prepared and subjected to a polishing treatment, and the glass substrate subjected to the polishing treatment was separated. Various results are summarized in Table 1. The filtered center line waviness (W CA ) of the second main surface of the glass substrate separated from the glass laminate was similar to the filtered center line waviness of the resin layer, and was 0.100 μm or less.

<実施例12>
混合溶液をダイコーターで支持基板上に塗布後、室温で30分間静置した後に大気中で180℃、60分間加熱硬化させて15μmの硬化シリコーン樹脂層を形成した以外は、実施例10と同様の手順に従って、ガラス積層体を作製して研磨処理を行い、研磨処理が施されたガラス基板の分離を行った。各種結果を表1にまとめて示す。なお、ガラス積層体から分離されたガラス基板の第2主面のろ波中心線うねり(WCA)は、樹脂層のろ波中心線うねりと同程度であり、0.100μm以下であった。
<Example 12>
The mixed solution was applied onto a support substrate with a die coater, and then allowed to stand at room temperature for 30 minutes, and then heated and cured in the atmosphere at 180 ° C. for 60 minutes to form a 15 μm cured silicone resin layer. According to the procedure, a glass laminate was prepared and subjected to a polishing treatment, and the glass substrate subjected to the polishing treatment was separated. Various results are summarized in Table 1. The filtered center line waviness (W CA ) of the second main surface of the glass substrate separated from the glass laminate was similar to the filtered center line waviness of the resin layer, and was 0.100 μm or less.

<比較例1>
混合溶液をダイコーターで支持基板上に塗布後、静置せずに大気中で180℃、60分間加熱硬化させて15μmの硬化シリコーン樹脂層を形成した以外は、実施例1と同様の手順に従って、ガラス積層体を作製して研磨処理を行い、研磨処理が施されたガラス基板の分離を行った。各種結果を表1にまとめて示す。なお、ガラス積層体から分離されたガラス基板の第2主面のろ波中心線うねり(WCA)は、樹脂層のろ波中心線うねりと同程度であり、0.100μm超であった。
<Comparative Example 1>
After applying the mixed solution on the support substrate with a die coater, the same procedure as in Example 1 was followed, except that the cured silicone resin layer having a thickness of 15 μm was formed by heating and curing in the atmosphere at 180 ° C. for 60 minutes. Then, a glass laminate was prepared and subjected to polishing treatment, and the glass substrate subjected to the polishing treatment was separated. Various results are summarized in Table 1. The filtered center line waviness (W CA ) of the second main surface of the glass substrate separated from the glass laminate was similar to the filtered center line waviness of the resin layer, and exceeded 0.100 μm.

<比較例2>
混合溶液をダイコーターで支持基板上に塗布後、静置せずに大気中で180℃、60分間加熱硬化させて15μmの硬化シリコーン樹脂層を形成した以外は、実施例2と同様の手順に従って、ガラス積層体を作製して研磨処理を行い、研磨処理が施されたガラス基板の分離を行った。各種結果を表1にまとめて示す。なお、ガラス積層体から分離されたガラス基板の第2主面のろ波中心線うねり(WCA)は、樹脂層のろ波中心線うねりと同程度であり、0.100μm超であった。
<Comparative Example 2>
After applying the mixed solution on the support substrate with a die coater, the same procedure as in Example 2 was followed, except that the cured silicone resin layer having a thickness of 15 μm was formed by heating and curing in the atmosphere at 180 ° C. for 60 minutes. Then, a glass laminate was prepared and subjected to polishing treatment, and the glass substrate subjected to the polishing treatment was separated. Various results are summarized in Table 1. The filtered center line waviness (W CA ) of the second main surface of the glass substrate separated from the glass laminate was similar to the filtered center line waviness of the resin layer, and exceeded 0.100 μm.

以下の表1中、固形分濃度は、オルガノポリシロキサン組成物の混合液中の固形分濃度(溶媒以外の濃度)を意味し、樹脂層WCAはガラス基板を積層前の樹脂層付き支持基板中の樹脂層の露出表面のろ波中心線うねりを意味する。なお、ろ波中心線うねりはJIS B−0610(1987)に従って測定した。なお、ろ波うねり曲線のカットオフ値は0.8mmとし、測定長さは40mmとした。 In Table 1 below, the solid content concentration means the solid content concentration (concentration other than the solvent) in the mixed solution of the organopolysiloxane composition, and the resin layer WCA is a support substrate with a resin layer before the glass substrate is laminated. It means the wavy center line undulation of the exposed surface of the resin layer inside. The filtered center line waviness was measured according to JIS B-0610 (1987). The cut-off value of the filtering waviness curve was 0.8 mm, and the measurement length was 40 mm.

上記表1に示すように、樹脂層のろ波中心線うねりが0.100μm以下の実施例においては、得られるガラス基板の研磨処理面のろ波中心線うねりも樹脂層の値とほぼ同程度であり、0.100μm以下となった。この結果より、本製造方法で得られるガラス基板の表面はうねりが小さく、該ガラス基板上に回路電極などのデバイスを作製した場合、特許文献2で述べられたような回路電極の断線、ショートなどの問題の発生がより抑制されることが確認された。
また、実施例2と3との比較などより、静置時間が長い方が樹脂層の平坦性がより優れることが確認された。
一方、比較例1および2は、特許文献1で具体的に記載されるように静置時間をおくことなく、樹脂層を製造した態様である。これらの比較例においては、樹脂層のろ波中心線うねりが0.100μm超となっており、結果として得られるガラス基板の研磨処理面のろ波中心線うねりも0.100μm超となり、電子デバイス製造用のガラス基板としては不適であることが確認された。
As shown in Table 1 above, in an example in which the filtering center line waviness of the resin layer is 0.100 μm or less, the filtering center line waviness of the polishing surface of the glass substrate to be obtained is approximately the same as the value of the resin layer. It was 0.100 μm or less. From this result, the surface of the glass substrate obtained by this production method has a small undulation, and when a device such as a circuit electrode is produced on the glass substrate, the circuit electrode is disconnected or shorted as described in Patent Document 2. It was confirmed that the occurrence of this problem was further suppressed.
Moreover, it was confirmed from the comparison with Example 2 and 3 that the flatness of a resin layer is more excellent when the stationary time is long.
On the other hand, Comparative Examples 1 and 2 are embodiments in which the resin layer was produced without leaving the standing time as specifically described in Patent Document 1. In these comparative examples, the filtering center line waviness of the resin layer exceeds 0.100 μm, and the filtering center line waviness of the polishing surface of the resulting glass substrate also exceeds 0.100 μm. It was confirmed to be unsuitable as a glass substrate for production.

<実施例13>
本例では、実施例1で製造された、研磨処理が施されたガラス積層体を用いてOLEDを作製した。
より具体的には、ガラス積層体における研磨処理を施したガラス基板の第2主面上に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成した。次に、プラズマCVD法により、ゲート電極を設けたガラス基板の第2主面側に、さらに窒化シリコン、真性アモルファスシリコン、n型アモルファスシリコンの順に成膜し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、ゲート絶縁膜、半導体素子部およびソース/ドレイン電極を形成した。次に、プラズマCVD法により、ガラス基板の第2主面側に、さらに窒化シリコンを成膜してパッシベーション層を形成した後に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜して、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成した。
続いて、ガラス基板の第2主面側に、さらに蒸着法により正孔注入層として4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス[(N−ナフチル)−N−フェニル]ベンジジン、発光層として8−キノリノールアルミニウム錯体(Alq3)に2,6−ビス[4−[N−(4−メトキシフェニル)−N−フェニル]アミノスチリル]ナフタレン−1,5−ジカルボニトリル(BSN−BCN)を40体積%混合したもの、電子輸送層としてAlq3をこの順に成膜した。次に、ガラス基板の第2主面側にスパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成した。次に、対向電極を形成したガラス基板の第2主面上に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止した。上記手順によって得られた、ガラス基板上に有機EL構造体を有するガラス積層体は、電子デバイス用部材付き積層体に該当する。
続いて、得られたガラス積層体の封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、ガラス積層体のコーナー部のガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に、厚さ0.1mmのステンレス製刃物を差し込み、ガラス積層体から樹脂層付き支持基板を分離して、OLEDパネル(電子デバイスに該当。以下パネルAという)を得た。作製したパネルAにICドライバを接続し、常温常圧下で駆動させたところ、駆動領域内において表示ムラは認められなかった。また、高温高湿環境(80℃、80%RH)下で駆動させた場合も、表示ムラは認められなかった。
<Example 13>
In this example, an OLED was manufactured using the glass laminate manufactured in Example 1 and subjected to the polishing treatment.
More specifically, a molybdenum film was formed by a sputtering method on the second main surface of the glass substrate subjected to the polishing treatment in the glass laminate, and a gate electrode was formed by etching using a photolithography method. Next, silicon nitride, intrinsic amorphous silicon, and n-type amorphous silicon are formed in this order on the second main surface side of the glass substrate provided with the gate electrode by plasma CVD, and then molybdenum is formed by sputtering. Then, a gate insulating film, a semiconductor element portion, and source / drain electrodes were formed by etching using a photolithography method. Next, after forming a passivation layer by further forming silicon nitride on the second main surface side of the glass substrate by plasma CVD, indium tin oxide is formed by sputtering and photolithography is used. A pixel electrode was formed by etching.
Subsequently, on the second main surface side of the glass substrate, 4,4 ′, 4 ″ -tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine as a hole injection layer and bis [ (N-naphthyl) -N-phenyl] benzidine, 8-quinolinol aluminum complex (Alq 3 ) as a light emitting layer, 2,6-bis [4- [N- (4-methoxyphenyl) -N-phenyl] aminostyryl] A mixture of 40% by volume of naphthalene-1,5-dicarbonitrile (BSN-BCN) and Alq 3 as an electron transport layer were formed in this order, and then formed on the second main surface side of the glass substrate by sputtering. Aluminum was deposited, and a counter electrode was formed by etching using a photolithography method.Next, ultraviolet light was formed on the second main surface of the glass substrate on which the counter electrode was formed. Another glass substrate was bonded and sealed through a chemical adhesive layer, and the glass laminate having the organic EL structure on the glass substrate obtained by the above procedure was laminated with an electronic device member. Applies to the body.
Subsequently, after the sealed body side of the obtained glass laminate is vacuum-adsorbed to a surface plate, a 0.1 mm thick stainless steel product is formed at the interface between the glass substrate and the silicone resin layer at the corner of the glass laminate. A blade was inserted, and the support substrate with a resin layer was separated from the glass laminate to obtain an OLED panel (corresponding to an electronic device, hereinafter referred to as panel A). When an IC driver was connected to the manufactured panel A and driven under normal temperature and normal pressure, display unevenness was not observed in the driving region. Further, even when driven in a high temperature and high humidity environment (80 ° C., 80% RH), display unevenness was not recognized.

<実施例14>
本例では、実施例1で製造された、研磨処理が施されたガラス積層体を用いてLCDを作製した。
ガラス積層体を2枚用意し、まず、片方のガラス積層体における研磨処理が施されたガラス基板の第2主面上に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成した。次に、プラズマCVD法により、ゲート電極を設けたガラス基板の第2主面側に、さらに窒化シリコン、真性アモルファスシリコン、n型アモルファスシリコンの順に成膜し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、ゲート絶縁膜、半導体素子部およびソース/ドレイン電極を形成した。次に、プラズマCVD法により、ガラス基板の第2主面側に、さらに窒化シリコンを成膜してパッシベーション層を形成した後に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成した。次に、画素電極を形成したガラス基板の第2主面上に、ロールコート法によりポリイミド樹脂液を塗布し、熱硬化により配向層を形成し、ラビングを行った。得られたガラス積層体を、ガラス積層体A1と呼ぶ。
次に、もう片方のガラス積層体における研磨処理が施されたガラス基板の第2主面上に、スパッタリング法によりクロムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより遮光層を形成した。次に、遮光層を設けたガラス基板の第2主面側に、さらにダイコート法によりカラーレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化によりカラーフィルタ層を形成した。次に、ガラス基板の第2主面側に、さらにスパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、対向電極を形成した。次に、対向電極を設けたガラス基板の第2主面上に、ダイコート法により紫外線硬化樹脂液を塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化により柱状スペーサを形成した。次に、柱状スペーサを形成したガラス基板の第2主面上に、ロールコート法によりポリイミド樹脂液を塗布し、熱硬化により配向層を形成し、ラビングを行った。次に、ガラス基板の第2主面側に、ディスペンサ法によりシール用樹脂液を枠状に描画し、枠内にディスペンサ法により液晶を滴下した後に、上述したガラス積層体A1を用いて、2枚のガラス積層体のガラス基板の第2主面側同士を貼り合わせ、紫外線硬化および熱硬化によりLCDパネルを有する積層体を得た。ここでのLCDパネルを有する積層体を以下、パネル付き積層体B2という。
次に、実施例1と同様にパネル付き積層体B2から両面の樹脂層付き支持基板を剥離し、TFTアレイを形成した基板およびカラーフィルタを形成した基板からなるLCDパネルB(電子デバイスに該当)を得た。
作製したLCDパネルBにICドライバを接続し、常温常圧下で駆動させたところ、駆動領域内において表示ムラは認められなかった。また、高温高湿環境(80℃、80%RH)下で駆動させた場合も、表示ムラは認められなかった。
<Example 14>
In this example, an LCD was manufactured using the glass laminate manufactured in Example 1 and subjected to the polishing treatment.
Two glass laminates are prepared. First, a molybdenum film is formed by sputtering on the second main surface of a glass substrate that has been subjected to polishing treatment in one glass laminate, and etching is performed using a photolithography method. A gate electrode was formed. Next, silicon nitride, intrinsic amorphous silicon, and n-type amorphous silicon are formed in this order on the second main surface side of the glass substrate provided with the gate electrode by plasma CVD, and then molybdenum is formed by sputtering. Then, a gate insulating film, a semiconductor element portion, and source / drain electrodes were formed by etching using a photolithography method. Next, after forming a passivation layer by further forming silicon nitride on the second main surface side of the glass substrate by plasma CVD, indium tin oxide was formed by sputtering and photolithography was used. A pixel electrode was formed by etching. Next, a polyimide resin liquid was applied on the second main surface of the glass substrate on which the pixel electrode was formed by a roll coating method, an alignment layer was formed by thermosetting, and rubbing was performed. The obtained glass laminated body is called glass laminated body A1.
Next, a chromium film was formed by sputtering on the second main surface of the glass substrate on which the other glass laminate had been subjected to polishing treatment, and a light-shielding layer was formed by etching using photolithography. Next, a color resist was further applied by a die coating method to the second main surface side of the glass substrate provided with the light shielding layer, and a color filter layer was formed by a photolithography method and thermal curing. Next, an indium tin oxide film was further formed on the second main surface side of the glass substrate by a sputtering method to form a counter electrode. Next, an ultraviolet curable resin liquid was applied to the second main surface of the glass substrate provided with the counter electrode by a die coating method, and columnar spacers were formed by a photolithography method and heat curing. Next, a polyimide resin solution was applied on the second main surface of the glass substrate on which the columnar spacers were formed by a roll coating method, an alignment layer was formed by thermosetting, and rubbing was performed. Next, after the sealing resin liquid is drawn in a frame shape on the second main surface side of the glass substrate by the dispenser method, and the liquid crystal is dropped in the frame by the dispenser method, the above-described glass laminate A1 is used. The 2nd main surface side of the glass substrate of a sheet of glass laminated body was bonded together, and the laminated body which has an LCD panel by ultraviolet curing and thermosetting was obtained. Hereinafter, the laminate having the LCD panel is referred to as a laminate B2 with a panel.
Next, LCD panel B (corresponding to an electronic device) composed of a substrate on which a TFT array is formed and a substrate on which a color filter is formed is peeled off from both sides of the laminated body B2 with a panel in the same manner as in Example 1. Got.
When an IC driver was connected to the manufactured LCD panel B and driven under normal temperature and normal pressure, no display unevenness was observed in the driving region. Further, even when driven in a high temperature and high humidity environment (80 ° C., 80% RH), display unevenness was not recognized.

<比較例3>
比較例1の手順に従って、研磨処理が施されたガラス積層体を製造した。
次に、得られたガラス積層体を使用して、実施例13と同様手の手順に従って、OLEDパネルを作製した。
作製したパネルにICドライバを接続し、常温常圧下で駆動させたところ、駆動領域内において表示ムラは認められなかったが、高温高湿環境(80℃、80%RH)下で長時間接続し続けると一部表示ムラが現れた。
<Comparative Example 3>
According to the procedure of Comparative Example 1, a glass laminate subjected to polishing treatment was produced.
Next, using the obtained glass laminate, an OLED panel was produced according to the same procedure as in Example 13.
When an IC driver was connected to the manufactured panel and driven under normal temperature and normal pressure, no display unevenness was observed in the driving area, but it was connected for a long time under a high temperature and high humidity environment (80 ° C., 80% RH). When continued, some display irregularities appeared.

10,100 ガラス積層体
12,112 支持基板
14,114 樹脂層
14a 樹脂層表面
16,116 ガラス基板
16a,116a ガラス基板の第1主面
16b,116b ガラス基板の第2主面
18 樹脂層付き支持基板
20 電子デバイス用部材付き積層体
22 電子デバイス用部材
24 電子デバイス
10, 100 Glass laminate 12, 112 Support substrate 14, 114 Resin layer 14a Resin layer surface 16, 116 Glass substrate 16a, 116a Glass substrate first main surface 16b, 116b Glass substrate second main surface 18 Support with resin layer Substrate 20 Laminated body 22 with electronic device member 24 Electronic device member 24 Electronic device

Claims (12)

支持基板とその片面に固定された樹脂層とを有し前記樹脂層の露出表面が易剥離性を示す樹脂層付き支持基板の前記樹脂層の露出表面と、第1主面および第2主面を有する板厚0.3mm以下のガラス基板の前記第1主面とを積層面として、前記樹脂層付き支持基板とガラス基板とを密着積層して、ガラス積層体を得る積層工程と、
前記ガラス積層体中の前記ガラス基板の第2主面を研磨する研磨工程と、
前記ガラス基板の研磨された前記第2主面上に電子デバイス用部材を形成する部材形成工程と、
前記電子デバイス用部材が積層した前記ガラス基板と、前記樹脂層付き支持基板とを分離して、前記ガラス基板と前記電子デバイス用部材を含む電子デバイスを得る分離工程とを備え、
前記樹脂層の露出表面における表面うねりが、ろ波中心線うねり(WCA)で0.100μm以下であり、
前記樹脂層の厚さが15μm以下である、電子デバイスの製造方法。
An exposed surface of the resin layer of the support substrate with a resin layer, which has a support substrate and a resin layer fixed to one surface thereof, and the exposed surface of the resin layer exhibits easy peelability, and a first main surface and a second main surface A laminating step of obtaining a glass laminate by closely laminating the support substrate with a resin layer and the glass substrate with the first main surface of the glass substrate having a thickness of 0.3 mm or less having a laminating surface;
A polishing step of polishing the second main surface of the glass substrate in the glass laminate;
A member forming step of forming an electronic device member on the polished second main surface of the glass substrate;
Separating the glass substrate on which the electronic device member is laminated and the support substrate with the resin layer, and obtaining an electronic device including the glass substrate and the electronic device member,
Surface waviness in the exposed surface of the resin layer is, Ri 0.100μm der Hereinafter filtered centerline waviness (W CA),
The manufacturing method of an electronic device whose thickness of the said resin layer is 15 micrometers or less .
前記積層工程の前に、支持基板表面上に樹脂層となる樹脂層形成用組成物層を形成し、前記樹脂層形成用組成物層を備える支持基板を所定時間静置し、次いで、前記樹脂層形成用組成物層を硬化して支持基板上に固定された樹脂層を形成する工程を有する、請求項1に記載の電子デバイスの製造方法。Before the laminating step, a resin layer forming composition layer to be a resin layer is formed on the support substrate surface, and the support substrate including the resin layer forming composition layer is allowed to stand for a predetermined time, and then the resin The manufacturing method of the electronic device of Claim 1 which has the process of hardening the layer forming composition layer and forming the resin layer fixed on the support substrate. 前記樹脂層の樹脂が、シリコーン樹脂である、請求項1または2に記載の電子デバイスの製造方法。 Resin of the resin layer is a silicone resin, a method for fabricating an electronic device according to claim 1 or 2. 前記シリコーン樹脂が、オルガノアルケニルポリシロキサンとオルガノハイドロジェンポリシロキサンの反応硬化物である、請求項に記載の電子デバイスの製造方法。 The method of manufacturing an electronic device according to claim 3 , wherein the silicone resin is a reaction cured product of an organoalkenylpolysiloxane and an organohydrogenpolysiloxane. 前記研磨が、化学的機械的研磨(CMP)である、請求項1〜のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。 The polishing is a chemical mechanical polishing (CMP), a method of manufacturing an electronic device according to any one of claims 1-4. 前記ガラス基板が、酸化物基準の質量百分率表示において、下記を含有する無アルカリガラスからなる、請求項1〜のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
SiO2:50〜66%
Al23:10.5〜24%
23:0〜12%
MgO:0〜8%
CaO:0〜14.5%
SrO:0〜24%
BaO:0〜13.5%
MgO+CaO+SrO+BaO:9〜29.5%
ZrO2:0〜5%
The said glass substrate is a manufacturing method of the electronic device in any one of Claims 1-5 which consists of an alkali free glass containing the following in the mass percentage display of an oxide basis.
SiO 2 : 50 to 66%
Al 2 O 3: 10.5~24%
B 2 O 3: 0~12%
MgO: 0 to 8%
CaO: 0 to 14.5%
SrO: 0 to 24%
BaO: 0 to 13.5%
MgO + CaO + SrO + BaO: 9 to 29.5%
ZrO 2 : 0 to 5%
前記ガラス基板が、酸化物基準の質量百分率表示において、下記を含有する無アルカリガラスからなる、請求項1〜のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
SiO2:58〜66%
Al23:15〜22%
23:5〜12%
MgO:0〜8%
CaO:0〜9%
SrO:3〜12.5%
BaO:0〜2%
MgO+CaO+SrO+BaO:9〜18%
The said glass substrate is a manufacturing method of the electronic device in any one of Claims 1-5 which consists of an alkali free glass containing the following in the mass percentage display of an oxide basis.
SiO 2: 58~66%
Al 2 O 3 : 15-22%
B 2 O 3: 5~12%
MgO: 0 to 8%
CaO: 0 to 9%
SrO: 3 to 12.5%
BaO: 0 to 2%
MgO + CaO + SrO + BaO: 9 to 18%
支持基板とその片面に固定された樹脂層とを有し、前記樹脂層の露出表面が易剥離性を示す樹脂層付き支持基板の前記樹脂層の露出表面と、第1主面および第2主面を有する板厚0.3mm以下のガラス基板の前記第1主面とを積層面として、前記樹脂層付き支持基板とガラス基板とを密着積層して、ガラス積層体を得る積層工程と、
前記ガラス積層体中の前記ガラス基板の第2主面を研磨する研磨工程と、
前記樹脂層表面における表面うねりが、ろ波中心線うねり(WCA)で0.100μm以下であり、前記樹脂層の厚さが15μm以下である、研磨されたガラス基板を含むガラス積層体の製造方法。
An exposed surface of the resin layer of the support substrate with a resin layer, the exposed surface of the resin layer exhibiting easy peelability, a first main surface, and a second main surface. A laminating step of obtaining a glass laminate by closely laminating the support substrate with a resin layer and the glass substrate, with the first main surface of a glass substrate having a surface of 0.3 mm or less having a thickness as the laminating surface,
A polishing step of polishing the second main surface of the glass substrate in the glass laminate;
Surface waviness in the resin layer surface state, and are less 0.100μm with filtered centerline waviness (W CA), the thickness of the resin layer is 15μm or less, the glass laminate comprising a polished glass substrate Production method.
前記積層工程の前に、支持基板表面上に樹脂層となる樹脂層形成用組成物層を形成し、前記樹脂層形成用組成物層を備える支持基板を所定時間静置し、次いで、前記樹脂層形成用組成物層を硬化して支持基板上に固定された樹脂層を形成する工程を有する、請求項8に記載のガラス積層体の製造方法。Before the laminating step, a resin layer forming composition layer to be a resin layer is formed on the support substrate surface, and the support substrate including the resin layer forming composition layer is allowed to stand for a predetermined time, and then the resin The manufacturing method of the glass laminated body of Claim 8 which has the process of hardening the layer forming composition layer and forming the resin layer fixed on the support substrate. 前記樹脂層の樹脂が、シリコーン樹脂である、請求項8または9に記載のガラス積層体の製造方法。 The method for producing a glass laminate according to claim 8 or 9 , wherein the resin of the resin layer is a silicone resin. 前記シリコーン樹脂が、オルガノアルケニルポリシロキサンとオルガノハイドロジェンポリシロキサンの反応硬化物である、請求項10に記載のガラス積層体の製造方法。 The method for producing a glass laminate according to claim 10 , wherein the silicone resin is a reaction cured product of an organoalkenylpolysiloxane and an organohydrogenpolysiloxane. 前記研磨が、化学的機械的研磨(CMP)である、請求項8〜11のいずれかに記載のガラス積層体の製造方法。 The manufacturing method of the glass laminated body in any one of Claims 8-11 whose said grinding | polishing is chemical mechanical grinding | polishing (CMP).
JP2012007927A 2012-01-18 2012-01-18 Method for manufacturing electronic device and method for manufacturing glass laminate Active JP5887946B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012007927A JP5887946B2 (en) 2012-01-18 2012-01-18 Method for manufacturing electronic device and method for manufacturing glass laminate
TW102101529A TWI580566B (en) 2012-01-18 2013-01-15 A manufacturing method of an electronic device, and a method for manufacturing a glass laminate
CN201310018581.7A CN103213371B (en) 2012-01-18 2013-01-17 The manufacture method of electronic device and the manufacture method of glass laminate
KR1020130005743A KR20130085018A (en) 2012-01-18 2013-01-18 Method for manufacturing electronic device and method for manufacturing glass laminate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012007927A JP5887946B2 (en) 2012-01-18 2012-01-18 Method for manufacturing electronic device and method for manufacturing glass laminate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013149713A JP2013149713A (en) 2013-08-01
JP5887946B2 true JP5887946B2 (en) 2016-03-16

Family

ID=48811682

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012007927A Active JP5887946B2 (en) 2012-01-18 2012-01-18 Method for manufacturing electronic device and method for manufacturing glass laminate

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5887946B2 (en)
KR (1) KR20130085018A (en)
CN (1) CN103213371B (en)
TW (1) TWI580566B (en)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6119567B2 (en) * 2013-11-11 2017-04-26 旭硝子株式会社 Method for manufacturing glass laminate and method for manufacturing electronic device
JP6136909B2 (en) * 2013-12-17 2017-05-31 旭硝子株式会社 Manufacturing method of support substrate with resin layer, manufacturing method of glass laminate, manufacturing method of electronic device
JP6136910B2 (en) * 2013-12-17 2017-05-31 旭硝子株式会社 Manufacturing method of glass laminate and manufacturing method of electronic device
JP2015223810A (en) * 2014-05-29 2015-12-14 旭硝子株式会社 Resin layer-equipped support substrate, and glass laminate
JP6361440B2 (en) * 2014-05-30 2018-07-25 Agc株式会社 Glass laminate, method for producing the same, and method for producing electronic device
DE102014110268B4 (en) * 2014-07-22 2017-11-02 Osram Oled Gmbh Method for producing an optoelectronic component
CN104282442B (en) * 2014-10-17 2017-09-29 华中科技大学 A kind of DSSC photocathode and its preparation method and application
WO2016104450A1 (en) * 2014-12-26 2016-06-30 旭硝子株式会社 Glass laminate, method for producing electronic device, method for producing glass laminate, and glass plate package
JP6759222B2 (en) 2015-02-02 2020-09-23 コーニング インコーポレイテッド A method of strengthening the edges of a glass-laminated article and the glass-laminated article formed thereby.
JP6519221B2 (en) * 2015-02-23 2019-05-29 日本電気硝子株式会社 Glass substrate and laminate using the same
JP6429388B2 (en) * 2015-03-19 2018-11-28 株式会社ディスコ Manufacturing method of laminated device
KR102651767B1 (en) * 2015-05-28 2024-03-28 에이지씨 가부시키가이샤 Glass substrate and laminated substrate
CN107709258B (en) 2015-07-03 2022-04-01 Agc株式会社 Carrier substrate, laminate, and method for manufacturing electronic device
CN106865982B (en) * 2017-03-03 2019-05-24 四川旭虹光电科技有限公司 Glass is used in capacitance touch control system protection
DE112018003666T5 (en) * 2017-07-19 2020-05-07 Mitsubishi Electric Corporation METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT AND SEMICONDUCTOR COMPONENT
JP7115850B2 (en) * 2017-12-28 2022-08-09 株式会社ディスコ Workpiece processing method and processing apparatus
CN108874225B (en) * 2018-06-27 2021-07-30 信利光电股份有限公司 Manufacturing method of ultrathin touch screen functional sheet
US20200041828A1 (en) * 2018-08-01 2020-02-06 Sharp Kabushiki Kaisha Method of removing panel from suction surface, method of producing display panel, and panel catcher
CN109798843B (en) * 2019-03-15 2020-11-13 本钢板材股份有限公司 Method for judging steel plate surface waviness influence factors in cold rolling process
JPWO2021251246A1 (en) * 2020-06-10 2021-12-16
CN112297586B (en) * 2020-10-14 2023-07-28 河北光兴半导体技术有限公司 Method for separating laminated glass assembly for display panel
CN114904636B (en) * 2022-04-15 2023-09-05 江苏日御光伏新材料科技有限公司 Method for applying organic protective film layer to glass powder

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3888223B2 (en) * 2002-05-13 2007-02-28 ソニー株式会社 Manufacturing method of liquid crystal display element
JP2005060215A (en) * 2003-07-29 2005-03-10 Nippon Electric Glass Co Ltd Glass substrate for display, and its manufacturing method
JP2008023625A (en) * 2006-07-19 2008-02-07 Nitta Haas Inc Workpiece retaining material
JP5582446B2 (en) * 2009-07-10 2014-09-03 日本電気硝子株式会社 Film glass manufacturing method and manufacturing apparatus
JP5436959B2 (en) * 2009-07-14 2014-03-05 ニッタ・ハース株式会社 Workpiece holding material manufacturing method
WO2011090004A1 (en) * 2010-01-25 2011-07-28 旭硝子株式会社 Method for manufacturing laminate, and laminate

Also Published As

Publication number Publication date
TWI580566B (en) 2017-05-01
CN103213371B (en) 2016-09-28
CN103213371A (en) 2013-07-24
KR20130085018A (en) 2013-07-26
TW201338973A (en) 2013-10-01
JP2013149713A (en) 2013-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5887946B2 (en) Method for manufacturing electronic device and method for manufacturing glass laminate
JP5949894B2 (en) GLASS LAMINATE, ITS MANUFACTURING METHOD, DISPLAY PANEL MANUFACTURING METHOD, AND DISPLAY PANEL OBTAINED BY THE MANUFACTURING METHOD
JP5716678B2 (en) LAMINATE MANUFACTURING METHOD AND LAMINATE
JP5796449B2 (en) Manufacturing method of electronic device, manufacturing method of carrier substrate with resin layer
JP5924344B2 (en) LAMINATE, METHOD FOR PRODUCING LAMINATE, AND METHOD FOR PRODUCING GLASS SUBSTRATE WITH ELECTRONIC DEVICE MEMBER
JP6443350B2 (en) Glass laminate
JP6119567B2 (en) Method for manufacturing glass laminate and method for manufacturing electronic device
WO2015156395A1 (en) Glass laminate, method for producing same and method for manufacturing electronic device
JP6252490B2 (en) GLASS LAMINATE, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND SUPPORT SUBSTRATE WITH SILICONE RESIN LAYER
JP6610563B2 (en) Glass laminate, electronic device manufacturing method, glass laminate manufacturing method, glass plate package
JP6194893B2 (en) GLASS LAMINATE, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND SUPPORT SUBSTRATE WITH SILICONE RESIN LAYER
TW201806761A (en) Glass laminate and manufacturing method therefor
JPWO2018092688A1 (en) Multilayer substrate and electronic device manufacturing method
JP5978912B2 (en) Manufacturing method of glass laminate and manufacturing method of electronic device
TWI656967B (en) Glass laminated body, manufacturing method thereof, and manufacturing method of electronic device
JP2014080348A (en) Method of manufacturing glass laminate and method of manufacturing electronic device
TW201601902A (en) Supportive substrate with resin layer and manufacturing method thereof, glass laminate, and method for manufacturing electronic device
JPWO2015016113A1 (en) Manufacturing method of electronic device
JP2014079730A (en) Method of manufacturing glass laminate, and method of manufacturing electronic device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140901

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150527

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150602

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150803

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160119

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160201

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5887946

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250