JP5710935B2 - 半導体光増幅器組立体 - Google Patents
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Description
(A)光出力のスペクトルが自己位相変調によって長波シフトを示すモード同期半導体レーザ素子、
(B)外部共振器、及び、
(C)波長選択素子、
を備えた半導体レーザ装置組立体であって、
モード同期半導体レーザ素子から外部共振器を介して出射されたパルス状のレーザ光の長波成分を波長選択素子によって抽出し、外部に出力する。
(A)光出力のスペクトルが自己位相変調によって長波シフトを示す半導体光増幅器、及び、
(B)波長選択素子、
を備えた半導体光増幅器組立体であって、
半導体光増幅器から出射されたパルス状のレーザ光の長波成分を波長選択素子によって抽出し、外部に出力する。
1.本発明の半導体レーザ装置組立体及び半導体光増幅器組立体、全般に関する説明
2.実施例1(本発明の半導体レーザ装置組立体)
3.実施例2(実施例1の変形)
4.実施例3(実施例1の別の変形)
5.実施例4(本発明の第1の態様に係る半導体光増幅器組立体)
6.実施例5(実施例4の変形)
7.実施例6(本発明の第2の態様及び第3の態様に係る半導体光増幅器組立体)
8.実施例7(実施例6の変形)、その他
本発明の半導体レーザ装置組立体において、モード同期半導体レーザ素子から外部共振器を介して出射されたパルス状のレーザ光の光出力スペクトルには複数のピークが含まれ、該複数のピークの内の1つのピークを波長選択素子によって抽出し、外部に出力する形態とすることができる。
1×10≦L2/L1≦1×102
望ましくは、
20≦L2/L1≦50
を満足することが好ましい。あるいは又、回折格子に入射(衝突)するレーザ光の中に含まれる回折格子における格子状のパターンの本数として、1200本乃至3600本、望ましくは2400本乃至3600本を例示することができる。あるいは又、モード同期半導体レーザ素子と回折格子との間に、モード同期半導体レーザ素子からのレーザ光を平行光とするためのレンズが配置されている構成とすることもできる。
バイ・セクション型半導体レーザ素子は、
(a)第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層、GaN系化合物半導体から成る発光領域及び可飽和吸収領域を構成する第3化合物半導体層(活性層)、並びに、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体、
(b)第2化合物半導体層上に形成された帯状の第2電極、並びに、
(c)第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、
を備え、
第2電極は、発光領域を経由して第1電極に直流電流を流すことで順バイアス状態とするための第1部分と、可飽和吸収領域に電界を加えるための第2部分とに、分離溝によって分離されている形態とすることができる。
第3化合物半導体層は、井戸層及び障壁層を備えた量子井戸構造を有し、
井戸層の厚さは、1nm以上、10nm以下、好ましくは、1nm以上、8nm以下であり、
障壁層の不純物ドーピング濃度は、2×1018cm-3以上、1×1020cm-3以下、好ましくは、1×1019cm-3以上、1×1020cm-3以下である形態とすることができる。尚、このようなモード同期半導体レーザ素子を、便宜上、『第3の構成のモード同期半導体レーザ素子』と呼ぶ場合がある。
第2電極の幅は、0.5μm以上、50μm以下、好ましくは1μm以上、5μm以下、
リッジ構造の高さは、0.1μm以上、10μm以下、好ましくは0.2μm以上、1μm以下、
第2電極を第1部分と第2部分とに分離する分離溝の幅は、1μm以上、モード同期半導体レーザ素子における共振器長(以下、単に『共振器長』と呼ぶ)の50%以下、好ましくは10μm以上、共振器長の10%以下であることが望ましい。共振器長として、0.6mmを例示することができるが、これに限定するものではない。また、リッジ構造の幅として2μm以下を例示することができ、リッジ構造の幅の下限値として、例えば、0.8μmを挙げることができるが、これに限定するものではない。リッジ部の両側面よりも外側に位置する第2化合物半導体層の部分の頂面から第3化合物半導体層(活性層)までの距離(D)は1.0×10-7m(0.1μm)以上であることが好ましい。距離(D)をこのように規定することによって、第3化合物半導体層の両脇(Y方向)に可飽和吸収領域を確実に形成することができる。距離(D)の上限は、閾値電流の上昇、温度特性、長期駆動時の電流上昇率の劣化等に基づき決定すればよい。尚、以下の説明において、共振器長方向をX方向とし、積層構造体の厚さ方向をZ方向とする。
(1)1つの第2電極の第1部分と1つの第2電極の第2部分とが設けられ、第2電極の第1部分と、第2電極の第2部分とが、分離溝を挟んで配置されている状態
(2)1つの第2電極の第1部分と2つの第2電極の第2部分とが設けられ、第1部分の一端が、一方の分離溝を挟んで、一方の第2部分と対向し、第1部分の他端が、他方の分離溝を挟んで、他方の第2部分と対向している状態
(3)2つの第2電極の第1部分と1つの第2電極の第2部分とが設けられ、第2部分の端部が、一方の分離溝を挟んで、一方の第1部分と対向し、第2部分の他端が、他方の分離溝を挟んで、他方の第1部分と対向している状態(即ち、第2電極は、第2部分を第1部分で挟んだ構造)
を挙げることができる。また、広くは、
(4)N個の第2電極の第1部分と(N−1)個の第2電極の第2部分とが設けられ、第2電極の第1部分が第2電極の第2部分を挟んで配置されている状態
(5)N個の第2電極の第2部分と(N−1)個の第2電極の第1部分とが設けられ、第2電極の第2部分が第2電極の第1部分を挟んで配置されている状態
を挙げることができる。尚、(4)及び(5)の状態は、云い換えれば、
(4’)N個の発光領域[キャリア注入領域、利得領域]と(N−1)個の可飽和吸収領域[キャリア非注入領域]とが設けられ、発光領域が可飽和吸収領域を挟んで配置されている状態
(5’)N個の可飽和吸収領域[キャリア非注入領域]と(N−1)個の発光領域[キャリア注入領域、利得領域]とが設けられ、可飽和吸収領域が発光領域を挟んで配置されている状態
である。尚、(3)、(5)、(5’)の構造を採用することで、モード同期半導体レーザ素子の光出射端面における損傷が発生し難くなる。
(A)基体上に、第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層、GaN系化合物半導体から成る発光領域及び可飽和吸収領域を構成する第3化合物半導体層、並びに、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体を形成した後、
(B)第2化合物半導体層上に帯状の第2電極を形成し、次いで、
(C)第2電極をエッチング用マスクとして、少なくとも第2化合物半導体層の一部分をエッチングして、リッジストライプ構造を形成した後、
(D)分離溝を第2電極に形成するためのレジスト層を形成し、次いで、レジスト層をウエットエッチング用マスクとして、第2電極に分離溝をウエットエッチング法にて形成し、以て、第2電極を第1部分と第2部分とに分離溝によって分離する、
各工程を具備した製造方法に基づき製造することができる。
(a)第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層、GaN系化合物半導体から成る光増幅領域(キャリア注入領域、利得領域)を有する第3化合物半導体層、並びに、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体、
(b)第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、
(c)第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、
を備えており、
積層構造体はリッジストライプ構造を有し、
光出射端面におけるリッジストライプ構造の幅をWout、光入射端面におけるリッジストライプ構造の幅をWinとしたとき、Wout>Winを満足する構成とすることができる。
0.2≦Wout/Wmax≦0.9
好ましくは、0.5≦Wout/Wmax≦0.9
を満足することが望ましい。
(A)光出力のスペクトルが自己位相変調によって長波シフトを示すモード同期半導体レーザ素子10、
(B)外部共振器80、及び、
(C)波長選択素子82、
を備えている。そして、モード同期半導体レーザ素子10から外部共振器80を介して出射されたパルス状のレーザ光の長波成分を波長選択素子82によって抽出し、外部に出力する。
(a)第1導電型(各実施例においては、具体的には、n型導電型)を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層30、GaN系化合物半導体から成る発光領域(利得領域)41及び可飽和吸収領域42を構成する第3化合物半導体層(活性層)40、並びに、第1導電型と異なる第2導電型(各実施例においては、具体的には、p型導電型)を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層50が、順次、積層されて成る積層構造体、
(b)第2化合物半導体層50上に形成された帯状の第2電極62、並びに、
(c)第1化合物半導体層30に電気的に接続された第1電極61、
を備えている。
第2化合物半導体層50
p型GaNコンタクト層(Mgドープ)55
p型GaN(Mgドープ)/AlGaN超格子クラッド層54
p型AlGaN電子障壁層(Mgドープ)53
ノンドープAlGaNクラッド層52
ノンドープGaInN光ガイド層51
第3化合物半導体層40
GaInN量子井戸活性層
(井戸層:Ga0.92In0.08N/障壁層:Ga0.98In0.02N)
第1化合物半導体層30
n型GaNクラッド層32
n型AlGaNクラッド層31
但し、
井戸層(2層) 10.5nm ノン・ドープ
障壁層(3層) 14nm ノン・ドープ
sin(α)+sin(β)=N・m・λ (A)
θB=(α+β)/2
となる。また、このときの波長をブレーズ波長といい、λBと表すと、
λB={2/(N・m)}sin(θB)・cos(α−θB)
となる。ここで、図31の(B)に示すように、入射光の方向に+1次の回折光が戻るときの波長をλ1で表すと、このとき、α=β=βBとなるので、結局、
λ1=(2/N)sin(θB) (B)
となる。このときの配置がリトロー配置と呼ばれる。
f=c/(2n・X’)
図2の(A) 図2の(B) 図2の(C)
電流1 120mA 120mA 120mA
逆バイアス電圧 +4V −18V −18V
平均パワー 45.6mW 16.16mW 7.8mW
ピーク波長 402.24nm 402.87nm 402.87nm
Δλ 0.34nm
パルス幅 1.68p秒 1.31p秒
ピークパワー 9.6W 5.95W
L1=1.6μm
L2=53μm
であり、
20≦L2/L1≦50
を満足している。このように、モード同期半導体レーザ素子10の光出射端面から出射され、回折格子81に入射するレーザ光を平行光束とはしないことで、モード同期動作が不安定になることを抑制することができる。
(1)第2化合物半導体層50をエッチングするときのエッチング用マスクとしての機能を有すること。
(2)第2化合物半導体層50の光学的、電気的特性に劣化を生じさせることなく、第2電極62はウエットエッチング可能であること。
(3)第2化合物半導体層50上に成膜したとき、10-2Ω・cm2以下のコンタクト比抵抗値を示すこと。
(4)積層構造とする場合、下層金属層を構成する材料は、仕事関数が大きく、第2化合物半導体層50に対して低いコンタクト比抵抗値を示し、しかも、ウエットエッチング可能であること。
(5)積層構造とする場合、上層金属層を構成する材料は、リッジ構造を形成する際のエッチングに対して(例えば、RIE法において使用されるCl2ガス)に対して耐性があり、しかも、ウエットエッチング可能であること。
先ず、基体上、具体的には、n型GaN基板21の(0001)面上に、周知のMOCVD法に基づき、第1導電型(n型導電型)を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層30、GaN系化合物半導体から成る発光領域(利得領域)41及び可飽和吸収領域42を構成する第3化合物半導体層(活性層40)、並びに、第1導電型と異なる第2導電型(p型導電型)を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層50が、順次、積層されて成る積層構造体を形成する(図28の(A)参照)。
その後、第2化合物半導体層50上に帯状の第2電極62を形成する。具体的には、真空蒸着法に基づきPd層63を全面に成膜した後(図28の(B)参照)、Pd層63上に、フォトリソグラフィ技術に基づき帯状のエッチング用レジスト層を形成する。そして、王水を用いて、エッチング用レジスト層に覆われていないPd層63を除去した後、エッチング用レジスト層を除去する。こうして、図29の(A)に示す構造を得ることができる。尚、リフトオフ法に基づき、第2化合物半導体層50上に帯状の第2電極62を形成してもよい。
次いで、第2電極62をエッチング用マスクとして、少なくとも第2化合物半導体層50の一部分をエッチングして(具体的には、第2化合物半導体層50の一部分をエッチングして)、リッジ構造を形成する。具体的には、Cl2ガスを用いたRIE法に基づき、第2電極62をエッチング用マスクとして用いて、第2化合物半導体層50の一部分をエッチングする。こうして、図29の(B)に示す構造を得ることができる。このように、帯状にパターニングされた第2電極62をエッチング用マスクとして用いてセルフアライン方式にてリッジ構造を形成するので、第2電極62とリッジ構造との間に合わせずれが生じることがない。
その後、分離溝を第2電極62に形成するためのレジスト層64を形成する(図30参照)。尚、参照番号65は、分離溝を形成するために、レジスト層64に設けられた開口部である。次いで、レジスト層64をウエットエッチング用マスクとして、第2電極62に分離溝62Cをウエットエッチング法にて形成し、以て、第2電極62を第1部分62Aと第2部分62Bとに分離溝62Cによって分離する。具体的には、王水をエッチング液として用い、王水に約10秒、全体を浸漬することで、第2電極62に分離溝62Cを形成する。そして、その後、レジスト層64を除去する。こうして、図3及び図4に示す構造を得ることができる。このように、ドライエッチング法と異なり、ウエットエッチング法を採用することで、第2化合物半導体層50の光学的、電気的特性に劣化が生じることがない。それ故、モード同期半導体レーザ素子の発光特性に劣化が生じることがない。尚、ドライエッチング法を採用した場合、第2化合物半導体層50の内部損失αiが増加し、閾値電圧が上昇したり、光出力の低下を招く虞がある。ここで、第2電極62のエッチングレートをER0、積層構造体のエッチングレートをER1としたとき、
ER0/ER1≒1×102
である。このように、第2電極62と第2化合物半導体層50との間に高いエッチング選択比が存在するが故に、積層構造体をエッチングすること無く(あるいは、エッチングされても僅かである)、第2電極62を確実にエッチングすることができる。尚、ER0/ER1≧1×10、好ましくは、ER0/ER1≧1×102を満足することが望ましい。
その後、n側電極の形成、基板の劈開等を行い、更に、パッケージ化を行うことで、モード同期半導体レーザ素子10を作製することができる。
=X0/(n・e・μ・S)
実施例3 参考例3
井戸層 8nm 10.5nm
障壁層 12nm 14nm
井戸層の不純物ドーピング濃度 ノン・ドープ ノン・ドープ
障壁層の不純物ドーピング濃度 Si:2×1018cm-3 ノン・ドープ
(A)光出力のスペクトルが自己位相変調によって長波シフトを示す半導体光増幅器200、及び、
(B)波長選択素子210、
を備えている。そして、半導体光増幅器200から出射されたパルス状のレーザ光の長波成分を波長選択素子210によって抽出し、外部に出力する。
(a)第1導電型(実施例4においては、具体的には、n型導電型)を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層230、GaN系化合物半導体から成る光増幅領域(キャリア注入領域、利得領域)241を有する第3化合物半導体層(活性層)240、並びに、第1導電型と異なる第2導電型(実施例4においては、具体的には、p型導電型)を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層250が、順次、積層されて成る積層構造体、
(b)第2化合物半導体層250上に形成された第2電極262、並びに、
(c)第1化合物半導体層230に電気的に接続された第1電極261、
を備えている。より具体的には、実施例4における半導体光増幅器200は、実施例1におけるモード同期半導体レーザ素子10と、第2電極の構成、構造を除き、実質的に同じ構成、構造を有する。
Wout=15μm
Win =1.4μm
である。そして、半導体光増幅器200の軸線AX1に沿って光出射端面203から積層構造体の内側の領域には、キャリア非注入領域205が設けられている。ここで、半導体光増幅器200の軸線AX1に沿ったキャリア非注入領域205の長さ(キャリア非注入領域205の幅)をLNCとしたとき、
LNC =5μm
である。キャリア非注入領域205には第2電極262が設けられていない。半導体光増幅器全体の長さは2.0mmである。尚、半導体光増幅器200の軸線に沿って光入射端面201から積層構造体の内側の領域にも、キャリア非注入領域が設けられている。
第2化合物半導体層250
p型GaNコンタクト層(Mgドープ)257
p型AlGaN(Mgドープ)クラッド層255
p型GaN(Mgドープ)層254
p型AlGaN電子障壁層(Mgドープ)253
第3化合物半導体層240
GaInN量子井戸活性層
(井戸層:Ga0.92In0.08N/障壁層:Ga0.98In0.02N)
第1化合物半導体層230
n型GaN層232
n型AlGaNクラッド層231
但し、
井戸層(2層):10nm[ノン・ドープ]
障壁層(3層):12nm[ドーピング濃度(Si):2×1018cm-3]
t1=200nm
t2=120nm
であり、
0.1≦t2/t1<1
を満足している。
図13の(A) 図13の(B) 図13の(C)
電流2 1050mA 1050mA
平均パワー 241mW 90mW
ピーク波長 402.75nm 403.10nm 403.10nm
Δλ 0.32nm
パルス幅 1.20p秒 1.00p秒
ピークパワー 200W 90W
LAmp-1=1.97mm
LAmp-2=0.01mm
であり、
0.001≦LAmp-2/LAmp-1≦0.01
を満足している。また、分離溝の幅は0.02mmである。
0.2≦Wout/Wmax≦0.9
を満足する。尚、図24においては、第2電極262の図示を省略したが、第2電極262は、実施例4と同様に、リッジ部の頂面に相当するp型GaNコンタクト層からp型AlGaNクラッド層の頂面の一部に亙り形成されている。
0<θ≦10(度)
好ましくは、
0<θ≦6(度)
とすることが望ましい。斜めリッジストライプ型を採用することで、無反射コートをされた端面の反射率を、より0%の理想値に近づけることができ、その結果、半導体レーザ内で周回してしまうレーザ光の発生を防ぐことができ、メインのレーザ光に付随するサブのレーザ光の生成を抑制できるといった利点を得ることができる。
Claims (7)
- (A)光出力のスペクトルが自己位相変調によって長波シフトを示す半導体光増幅器、及び、
(B)波長選択素子、
を備えた半導体光増幅器組立体であって、
半導体光増幅器から出射されたパルス状のレーザ光の長波成分を波長選択素子によって抽出し、外部に出力し、
長波シフト後のスペクトルにおいて、スペクトルの包絡線が、シフト後の波長をピークとしてピークの半値まで低下している場合、包絡線の半値が与えるスペクトル幅を、外部に出力する波長とし、
長波シフト後のスペクトルにおいて、スペクトルの包絡線が、ピークの半値まで低下せずに、異なるピークへと連続している場合、包絡線の極小を与える波長と包絡線の半値を与える波長の間にあるスペクトル成分を、あるいは又、包絡線の極小を与える波長と包絡線の極小を与える波長の間にあるスペクトル成分を、外部に出力する波長とする半導体光増幅器組立体。 - 波長選択素子はバンドパスフィルターから成る請求項1に記載の半導体光増幅器組立体。
- 波長選択素子は、回折格子、及び、回折格子から出射された1次以上の回折光を選択するアパーチャから成る請求項1に記載の半導体光増幅器組立体。
- (A)光出力のスペクトルが自己位相変調によって長波シフトを示す半導体光増幅器、及び、
(B)波長選択素子、
を備えた半導体光増幅器組立体であって、
半導体光増幅器から出射されたパルス状のレーザ光の長波成分を波長選択素子によって抽出し、外部に出力し、
半導体光増幅器は、
(a)第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層、GaN系化合物半導体から成る光増幅領域を有する第3化合物半導体層、並びに、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体、
(b)第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、
(c)第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、
を備えており、
積層構造体はリッジストライプ構造を有し、
光出射端面におけるリッジストライプ構造の幅をWout、光入射端面におけるリッジストライプ構造の幅をWinとしたとき、Wout>Winを満足し、
半導体光増幅器から出力されるレーザ光の光強度は、光出射端面を構成する第3化合物半導体層1cm2当たり60キロワット以上であり、
半導体光増幅器の軸線に沿って光出射端面から積層構造体の内側の領域には、キャリア非注入領域が設けられており、以て、光出射端面から出射されるレーザ光の幅を、キャリア非注入領域が設けられていない場合よりも広げ、高出力化を図る半導体光増幅器組立体。 - (A)光出力のスペクトルが自己位相変調によって長波シフトを示す半導体光増幅器、及び、
(B)波長選択素子、
を備えた半導体光増幅器組立体であって、
半導体光増幅器から出射されたパルス状のレーザ光の長波成分を波長選択素子によって抽出し、外部に出力し、
半導体光増幅器は、
(a)第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層、GaN系化合物半導体から成る光増幅領域を有する第3化合物半導体層、並びに、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体、
(b)第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、
(c)第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、
を備えており、
積層構造体はリッジストライプ構造を有し、
光出射端面におけるリッジストライプ構造の幅をWout、光入射端面におけるリッジストライプ構造の幅をWinとしたとき、Wout>Winを満足し、
半導体光増幅器の軸線に沿って光出射端面から積層構造体の内側の領域には、キャリア非注入領域が設けられており、
第2電極は、分離溝で分離された第1部分及び第2部分から構成され、
キャリア非注入領域には第2電極の第2部分が設けられている半導体光増幅器組立体。 - (A)光出力のスペクトルが自己位相変調によって長波シフトを示す半導体光増幅器、及び、
(B)波長選択素子、
を備えた半導体光増幅器組立体であって、
半導体光増幅器から出射されたパルス状のレーザ光の長波成分を波長選択素子によって抽出し、外部に出力し、
半導体光増幅器は、
(a)第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層、GaN系化合物半導体から成る光増幅領域を有する第3化合物半導体層、並びに、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体、
(b)第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、
(c)第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、
を備えており、
積層構造体はリッジストライプ構造を有し、
光出射端面におけるリッジストライプ構造の幅をWout、光入射端面におけるリッジストライプ構造の幅をWinとしたとき、Wout>Winを満足し、
第2電極の幅はリッジストライプ構造の幅よりも狭い半導体光増幅器組立体。 - (A)光出力のスペクトルが自己位相変調によって長波シフトを示す半導体光増幅器、及び、
(B)波長選択素子、
を備えた半導体光増幅器組立体であって、
半導体光増幅器から出射されたパルス状のレーザ光の長波成分を波長選択素子によって抽出し、外部に出力し、
半導体光増幅器は、
(a)第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層、GaN系化合物半導体から成る光増幅領域を有する第3化合物半導体層、並びに、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体、
(b)第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、
(c)第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、
を備えており、
積層構造体はリッジストライプ構造を有し、
光出射端面におけるリッジストライプ構造の幅をWout、光入射端面におけるリッジストライプ構造の幅をWinとしたとき、Wout>Winを満足し、
リッジストライプ構造の最大幅をWmaxとしたとき、Wmax>Woutを満足する半導体光増幅器組立体。
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