JP2009176565A - 表示装置の製造方法、及び、基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】処理対象基板を静電的に固定する機構を設けることなく耐圧処理できる構成を提供する。
【解決手段】電源52a,52bをそれぞれ処理電極34と電圧規定用電極64とに電気的に接続し、各々所定の電位に規定する。処理電極34には負の高電圧を印加する。また、電圧規定用電極64には正の高電圧を印加し、前面基板11は電気的に接続せず、浮遊電位(フローティング電位)とする。
【選択図】図6
【解決手段】電源52a,52bをそれぞれ処理電極34と電圧規定用電極64とに電気的に接続し、各々所定の電位に規定する。処理電極34には負の高電圧を印加する。また、電圧規定用電極64には正の高電圧を印加し、前面基板11は電気的に接続せず、浮遊電位(フローティング電位)とする。
【選択図】図6
Description
本発明は、表示装置の製造方法、及び、該表示装置の製造に用いられる基板処理装置に関する。
近年、陰極線管(以下、CRTと称する)に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な平面型の画像表示装置が注目されている。例えば、放電現象による蛍光体の発光を利用したプラズマ・ディスプレイ・パネル(PDP)や、主として電界による電子放出を利用したフィールド・エミッション・ディスプレイ(FED)、SEDと称される表面伝導型電子放出装置が知られている。
SEDは、所定の間隔をおいて対向配置された前面基板および背面基板を備え、これらの基板は矩形状の側壁を介して周辺部を互いに接合することにより真空外囲器を構成している。前面基板の内面には3色の蛍光体層が形成され、背面基板の内面には、蛍光体を励起する電子源として、各画素に対応する多数の電子放出素子が配列されている。真空容器の内部は、真空度が10-4Pa程度以下の高真空に維持されている。また、背面基板および前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これらの基板の間には複数の支持部材が配設されている。
SEDにおいて、画像を表示する場合、蛍光体層にアノード電圧が印加され、電子放出素子から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体層へ衝突させることにより、蛍光体が発光して画像を表示する。実用的な表示特性を得るためには、通常の陰極線管と同様の蛍光体を用い、アノード電圧を数kV以上望ましくは5kV以上に設定することが必要となる。
上記のように、アノード電圧として高電圧を印加した場合、前面基板と背面基板との小さい隙間に強電界が形成されることを避けられず、両基板間の放電(絶縁破壊)が問題となる。放電が起こると、瞬間的に100A以上もの電流が流れることがあり、電子放出素子、蛍光面、駆動回路の破壊あるいは劣化が起こりうる。このような放電のダメージは致命的な製品不良につながるため、SEDを実用化するためには、長期に渡り放電が起こらないような対策を施す必要がある。尚、放電を起こすことなく印加できる電圧を耐圧と称することにする。
放電を抑制する方法としては、前面基板および背面基板上に残留する異物を除去して耐圧を向上させる処理方法(以下、耐圧処理と略す)が知られている。例えば、特許文献1には、基板の耐圧処理方法として、真空雰囲気中で基板と処理電極とを対向配置し、これら基板と処理電極との間に電界を印加して基板を電界処理する方法が開示されている。この方法によれば、基板に残留した異物、突起等を処理電極に吸着して除去し、放電発生の要因を取り除くことができる。この基板を用いて画像表示装置を構成することにより、耐圧特性の向上を図ることが可能となる。
特開2006−19105号公報
しかしながら、上記特許文献1に開示されている耐圧処理方法では、対向配置された基板と処理電極との間に電界を印加して基板を電界処理する際、基板と処理電極とがクーロン力により互いに吸着することの無いよう固定する必要がある。このとき、処理電極は金属等の導電物および碍子等の絶縁物により固定できるが、基板については基板処理装置に連続して投入・排出されるため、機械的な力ではなく静電的な力等により固定させる必要がある。ところが、静電的に固定された基板を耐圧処理後にその固定を解除するとき、固定解除に要する時間が長く、パネルの生産効率が上がらないといった問題があった。
本発明は以上の問題点を解決する基板処理装置、及び、表示装置の製造方法を提供することを目的とする。その目的の一例は、処理対象基板を静電的に固定する機構を設けることなく耐圧処理できる構成とすることで固定の解除に要する時間を不要とし、耐圧処理時間を短縮することにある。
本発明は、画像表示部材を有する第一基板と、該画像表示部材に向けて電子を放出する電子放出素子を有する第二基板とを有する表示装置の製造方法であって、第一基板または第二基板を挟んで処理電極と電圧規定用電極とを対向配置し、第一基板または第二基板の電位を浮遊電位とした状態で、該処理電極と電圧規定用電極との間に電圧を印加する工程を有することを特徴とする。
本発明によれば、処理対象基板を固定する機構を設けることなく耐圧処理が可能で、固定の解除に要する時間が不要となるので、耐圧処理時間を短縮化した基板処理方法(表示装置の製造方法)を提供することができる。
以下図面を参照しながら、この発明の実施形態に係る基板処理装置について詳細に説明する。始めに、基板処理装置により処理される基板を備えた画像表示装置として、表面伝導型の電子放出素子を備えたSEDを例にとって説明する。
図1および図2に示すように、SEDは、それぞれ矩形状のガラス板からなる前面基板11(第一基板)および背面基板12(第二基板)を備え、これらの基板は約1.0〜2.0mmの隙間をおいて対向配置されている。前面基板11および背面基板12は、ガラスからなる矩形枠状の側壁13を介して周縁部同士が接合され、内部が10-5Pa程度の高真空に維持された偏平な真空外囲器10を構成している。
接合部材として機能する側壁13は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材23により、前面基板11の周縁部および背面基板12の周縁部に封着され、これらの基板同士を接合している。
真空外囲器10の内部には、前面基板11および背面基板12に加わる大気圧荷重を支えるため、例えば、ガラスからなる複数の板状の支持部材14が設けられている。これらの支持部材14は、真空外囲器10の長辺と平行な方向に延在しているとともに、短辺と平行な方向に沿って所定の間隔を置いて配置されている。尚、支持部材14の形状については特にこれに限定されるものではなく、柱状の支持部材を用いてもよい。
前面基板11の内面には蛍光面として機能する蛍光体スクリーン15が形成されている。この蛍光体スクリーン15は、赤、緑、青に発光する蛍光体層16、および遮光層17を並べて構成され、これらの蛍光体層16はストライプ状、ドット状あるいは矩形状に形成されている。蛍光体スクリーン15上には、アルミニウム等からなるメタルバック20およびゲッター膜22が順に形成されている。
背面基板12の内面には、蛍光体スクリーン15の蛍光体層16を励起する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子18が設けられている。これらの電子放出素子18は複数列および複数行に配列され、対応する蛍光体層とともに画素を形成している。各電子放出素子18は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。背面基板12の内面上には、電子放出素子18に電位を供給する多数本の配線21がマトリックス状に設けられ、その端部は真空外囲器10の外部に引出されている。
SEDにおいて、画像を表示する場合、画像表示部材である、蛍光体スクリーン15およびメタルバック20に例えば、8kVのアノード電圧を印加し、電子放出素子18から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体スクリーンへ衝突させる。これにより、蛍光体スクリーン15の蛍光体層16が励起されて発光し、カラー画像を表示する。
次に、上記のように構成されたSEDの製造工程において、前面基板11および背面基板12を耐圧処理する基板処理装置および基板処理方法について説明する。図3に示すように、基板処理装置は、真空処理槽として機能する真空チャンバ30を備え、この真空チャンバ30には、内部を真空排気する排気ポンプ32が接続されている。
真空チャンバ30内には、基板を耐圧処理する処理電極34や、ゲッター成膜装置35が設けられている。さらに当該チャンバ内には、処理対象基板となる前面基板11を、処理電極34と対向する耐圧処理位置(図3に示される基板11の位置)と、ゲッター成膜装置35と対向するゲッター蒸着位置40との間で搬送する基板搬送機構42が設けられている。
図3ないし図6に示すように、処理電極34は、例えば、アルミニウム、ステンレス鋼、チタン、ニッケル等の金属により細長い矩形板状に形成されている。処理電極34の長辺側の両側縁、つまり、エッジ34aは、ガラス等の誘電体からなる誘電体36および高抵抗膜37によって覆われている。誘電体36の内、処理電極34のエッジ34aを覆った角部36aは、丸められ円弧状に形成されている(図6)。処理電極34は、耐圧処理位置に搬送された前面基板11の上でゲッタ膜22の範囲に相当する処理領域の短辺よりも長い長辺と、前面基板11の長辺よりも短い短辺と、を有している(図4)。処理電極34は、水平に配置されているとともに、その長辺が前面基板11の短辺と平行に位置するように配置されている(図4、図5)。また、処理電極34は、その長辺方向両端部が前面基板11の上でゲッタ膜22の範囲に相当する処理領域の短辺を越えて両側へ突出するように配置されている(図4、図5)。
真空チャンバ30内には、誘電体36を支持しているとともに、耐圧処理位置に搬送された前面基板11に対して処理電極34を相対的に移動させる移動機構38(図3、図4)が設けられている。移動機構38は、耐圧処理位置に搬送された前面基板11の長辺と平行な方向Xに沿って延在した一対のガイド部48を有している。誘電体36は、その長辺方向両端部がそれぞれガイド部48に沿って移動自在に支持されている。また、処理電極34は、誘電体36を間に挟んで、前面基板11と隙間をおいてほぼ平行に対向している。
移動機構38は、ガイド部48に沿って誘電体36を往復移動させる駆動部50を備えている。駆動部50を作動させることにより、誘電体36に設置されている処理電極34は、耐圧処理位置に搬送された前面基板11に対して、前面基板11の長辺と平行な方向X(図4)に沿って相対移動される。
本例の基板処理装置は、電圧印加部として機能する電源52a,52bを備えている。この電源52a,52bは、処理電極34と電圧規定用電極64との間に電界を印加する。電界の印加方法は、これに限らず、処理対象基板と処理電極間に電界を印加できれば他の方法としてもよい。尚、図3および図4では、基板搬送機構42によって、電圧規定用電極64は隠れているため不図示である。
図3に示すように、ゲッター成膜装置35は、ゲッター蒸着位置40に向かって開放したカバー54と、カバー54内の底部に設けられたゲッター材56と、ゲッター材56を加熱する加熱機構58とを備えている。加熱機構58としては、高周波加熱方式あるいは抵抗加熱方式を用いることができる。
次に、上記基板処理装置により基板を耐圧処理する方法について説明する。ここでは、処理対象基板として、蛍光体スクリーン15およびメタルバック20が形成された前面基板11を処理する場合について説明する。
図3に示すように、まず、排気ポンプ32により真空チャンバ30内を所望の真空度まで真空排気する。続いて、真空チャンバ30内に前面基板11を搬入し、搬送機構42によって耐圧処理位置に設置する。前面基板11は、その長辺方向が処理電極34の移動方向Xと一致した状態で配置される。処理電極34は、前面基板11の長辺方向一端部、例えば、左端部の表面と対向する初期位置に移動させておく(図3の状態)。耐圧処理位置において、前面基板11は、メタルバック20側の表面が処理電極34と接触している誘電体36と所望の隙間、例えば、2mmの隙間を置いて対向配置される。
次に、電源52a,52bをそれぞれ処理電極34と電圧規定用電極64とに電気的に接続し、各々所定の電位に規定する。処理電極34には負の高電圧を印加する。また、図6の下半分に示したように電圧規定用電極64には正の高電圧を印加し、前面基板11は電気的に接続せず、浮遊電位(フローティング電位)とする。
このような構成とすることにより、前面基板11は処理電極34の電位と電圧規定用電極64の電位との間で本配置により決まる電位となる。その結果、前面基板11と処理電極34との間に働くクーロン力と、前面基板11と電圧規定用電極64との間に働くクーロン力とが釣り合い、前面基板11を静電的に固定しなくても前面基板11が処理電極34の方向へ吸着されることはない。尚、処理電極34と電圧規定用電極64の間に印加する印加電圧は、例えば表示装置の駆動時におけるアノード電圧8kVの2倍の16kVとする。これは、表示装置を実際に駆動する際にアノードに印加される電圧と同等の電圧を予め経験させることで、実際の駆動の際の印加電圧下で、安定した動作を実現するためである。よって、この観点に基づけば、印加電圧は16kVに限る必要はなく、より安全をみて、表示装置駆動時におけるアノード電圧の2倍以上の電圧を印加すれば尚良い。尚、メタルバック20がSEDの動作時と同様、処理電極34に対し正の電位差が生じるようにするのが好適であるが、負の電位差が生じるようにしてもよい。このようにして、前面基板11と処理電極34との間に電位差を印加して電界を発生させ、処理電極34と対向している前面基板11の表面領域を耐圧処理する。すなわち、前面基板11上に残留した異物をクーロン力によって処理電極34と接触している誘電体36に吸着させて除去することで、放電発生の要因を取り除くことができる。尚、放電発生要因を除去という表現を便宜上使うが、除去されたものがすべて放電発生要因というわけではなく、厳密には、放電源になる可能性のある放電源候補を除去するという意味である。
図6は図4におけるB−B線に沿った処理電極の断面図であるが、この図に示すように、処理電極34の両エッジ34aと外側電極39とを結ぶように誘電体36上に高抵抗膜37を備えている。高抵抗膜37は、例えば、ATO、金属酸化膜、金属窒化膜等によって形成され、その抵抗値は、107Ω以上となっている。処理電極34には前述のように負の高電圧を印加し、外側電極39には低電圧を印加または接地する。このような構成とすることにより、処理電極ユニットを固定するための処理電極ユニット押さえ治具49(図5参照)を低電圧印加部または接地電位とすることができ、固定が容易となる。このとき、処理電極34に負電圧を供給する電路も必要であるが、固定には関与しない。また、処理電極34と外側電極39とをつなぐ高抵抗膜37は、処理電極34のエッジ34aと外側電極39の内側エッジとの間で発生する放電を抑える働きを有する。高抵抗膜37が存在しない場合、処理電極34のエッジ34aで電界放出により発生した電子が誘電体36の面上を負に帯電させ、帯電領域が外側電極39へ向かって広がり、外側電極の内側で絶縁破壊し放電が発生する。高抵抗膜37が存在すると、電界放出で電子が発生しても高抵抗膜に吸収されるため、負へ帯電することなく放電発生を抑えることができる。
図5は図4におけるC−C線に沿った処理電極の断面図であるが、この図に示すように、処理電極ユニットは処理電極押さえ治具49によって処理電極固定ベース51に固定されている。外側電極39は、処理電極固定ベース51と面接触しており、所定の電圧に給電される。
電界を発生させた後、移動機構38の駆動部50を駆動し、処理電極34を前面基板11のメタルバック20と所定の隙間を置いて対向した状態で、前面基板の長辺方向に沿ってその左端部から右端部に向かって一定の速度で移動させる。このように、前面基板11および処理電極34を相対的に移動させ、前面基板11の表面を耐圧処理しながら、処理電極34によって前面基板表面全体を走査する。
その後、処理電極34が前面基板11の表面右端を越え、前面基板外まで移動した時点で、処理電極を停止するとともにメタルバック20への電圧印加を停止する。これにより、前面基板11の表面全域を耐圧処理し、メタルバック20上に残留していた異物等を除去することができる。
耐圧処理が終了した後、基板搬送機構42により前面基板11を耐圧処理位置からゲッター蒸着位置40へ移動させる。尚、本実施形態では、処理電極34を前面基板11の表面の左端から右端へ片道だけ走査する構成とした。しかし、上記と同様の方法により、処理電極34を往復移動させ、前面基板11の左端を越え前面基板外まで移動させた後に停止する構成にすることも可能である。この場合、耐圧処理が完了した前面基板11は、処理電極34の下を通過することなくゲッター蒸着位置40に移動することが可能となる。
ゲッター蒸着位置40において、前面基板11はそのメタルバック20側の表面が上を向いた状態でゲッター成膜装置35のカバー54の下部開口と対向する。この状態で、カバー54の底部に設けられたゲッター材56を加熱機構58により加熱して蒸発させ、ゲッターフラッシュを行う。これにより、前面基板11のメタルバック20上にゲッターを蒸着しゲッター膜22を形成する。
ゲッター膜22の成膜後、基板搬送機構42により前面基板11をゲッター蒸着位置40から再び耐圧処理位置に搬送する。そして、ゲッター膜22の形成された前面基板11を上記と同様の工程により耐圧処理する。これにより、ゲッター蒸着工程で前面基板11に付着した異物や新たに形成された放電源を除去する。
一方、電子放出素子18等が形成された背面基板12の電子放出面についても上記と同様の工程により耐圧処理を実施する。ただし、背面基板12に対してゲッター蒸着は行わないので、背面基板12の耐圧処理は1回だけ行えばよい。
その後、耐圧処理された前面基板11および背面基板12を大気に晒すことなく真空雰囲気中に維持した状態で図示しない封着位置へ搬送し、ここで互いに封着して真空外囲器10を形成する。尚、基板の封着は、上述した耐圧処理と同一の真空チャンバ内、あるいは、真空状態で連通した他の真空チャンバ内のいずれで行ってもよい。
上記のように構成された表示装置用の基板処理電極構造によれば、真空チャンバ30へ投入される前に前面基板11や背面基板12に付着した粉塵などの異物、並びに前面基板11や背面基板12の生産過程で形成された不要な突起などを除去することができる。また、これらの基板11,12を真空チャンバ30へ投入した後、ゲッター蒸着工程で発生した新たな放電源浮遊物質等の基板に付着した塵、埃等の異物を除去することができる。また、処理電極ユニットは、処理対象基板よりも小さな寸法に形成されているため、処理電極ユニットの支持および基板11,12に対する位置決めが容易であり、高い精度で耐圧処理を実施することができる。処理電極ユニットの小型化、軽量化に伴い駆動系の簡素化も図ることが可能となる。
この際、処理電極ユニットは、そのエッジ部分が丸められ円弧状に形成されている(図6)。そのため、小型の処理電極を用いた場合でも、処理電極のエッジ部分での電界集中を抑制することができ、処理電極と処理対象基板との間の放電発生を防止することができる。したがって、処理電極と基板との間に一層高い電界を印加させた状態で基板を耐圧処理することが可能となり、基板上の異物、突起等を一層確実に除去することができる。更に、処理電極の表面には誘電体層が設けられていることから、処理電極と基板との間の放電を一層確実に防止することが可能となる。
このように耐圧処理された基板を用いて真空外囲器を製造することにより、耐圧特性の向上したSEDを得ることができる。また、前面基板、背面基板の耐圧処理、およびゲッター蒸着処理を真空チャンバ内で行った後、これらの基板を大気に晒すことなく真空外囲器を形成する。このことにより、大気中の粉塵などが基板に再付着する虞がなく、初期放電および長期に渡る放電の抑制を実現することができる。
上述した実施形態において、ゲッター膜22を形成した後にのみ、前面基板11を処理電極34と対向する耐圧処理位置に搬送し、前面基板11の耐圧処理を行う構成としてもよい。この場合においても、最終的に真空外囲器内に露出して背面基板12と対向するゲッター膜22を耐圧処理することにより、放電源を除去することができる。その結果、SEDの耐圧特性を充分に向上させることが可能となる。あるいは、ゲッター膜の蒸着前にのみ耐圧処理を行う構成としてもよく、この場合でも耐圧特性の向上を図ることができる。また、高抵抗膜37を設けることにより、誘電体層への帯電を防止し、放電抑制を図ることができる。
その他、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
上述した実施の形態では、前面基板11および背面基板12の両方を真空雰囲気中で耐圧処理する構成としたが、少なくとも一方の基板を電界処理することによっても耐圧の向上した画像表示装置を得ることができる。真空雰囲気中の方が高い電圧を印加できる点や封着と一貫して処理ができる点で好適ではあるが、真空雰囲気中であることが必ずしも必要なわけではなく、大気中で耐圧処理を行うことでもある程度の効果が期待できることを確認している。
この発明は、電子源として表面伝導型電子放出素子を用いたものに限らず、電界放出型、カーボンナノチューブ等の他の電子源を用いた画像表示装置の基板処理にも適用可能である。
11 前面基板
12 背面基板
34 処理電極
64 電位規定用電極
12 背面基板
34 処理電極
64 電位規定用電極
Claims (6)
- 画像表示部材を有する第一基板と、該画像表示部材に向けて電子を放出する電子放出素子を有する第二基板とを有する表示装置の製造方法であって、
前記第一基板または第二基板を挟んで処理電極と電圧規定用電極とを対向配置し、前記第一基板または前記第二基板の電位を浮遊電位とした状態で、前記処理電極と前記電圧規定用電極との間に電圧を印加する工程を有することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記処理電極は表面に誘電体層を有し、該誘電体層を介して前記処理電極と前記画像表示部材または前記電子放出素子とが対向配置していることを特徴とする請求項1に記載の表示装置の製造方法。
- 前記処理電極と前記電圧規定用電極との間に印加される電圧は、表示装置を駆動する際に前記画像表示部材に印加される電圧の2倍以上の電圧であることを特徴とする請求項1または2に記載の表示装置の製造方法。
- 画像表示部材を有する第一基板と、該画像表示部材に向けて電子を放出する電子放出素子を有する第二基板とを有する表示装置の製造に用いられる基板処理装置であって、
前記第一基板または第二基板の位置を挟んで対向配置される処理電極と電圧規定用電極を備え、前記第一基板または前記第二基板の電位を浮遊電位とした状態で、前記処理電極と前記電圧規定用電極との間に電圧を印加することを特徴とする基板処理装置。 - 前記処理電極は表面に誘電体層を有し、該誘電体層を介して前記処理電極と前記画像表示部材または前記電子放出素子とが対向配置していることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記処理電極と前記電圧規定用電極との間に印加される電圧は、表示装置を駆動する際に前記画像表示部材に印加される電圧の2倍以上の電圧であることを特徴とする請求項4または5に記載の基板処理装置。
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