JP2005149978A - 画像表示装置の製造方法及び画像表示装置の製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】耐圧特性に優れ、表示性能及び信頼性を向上できる画像表示装置を製造可能な画像表示装置の製造方法及び画像表示装置の製造装置を提供する。
【解決手段】前面基板及び背面基板の少なくとも一方の処理対象基板３３を収納可能な真空チャンバ３０と、真空チャンバ３０の内部を真空排気する排気機構３２と、真空チャンバ３０内において処理対象基板３３と対向して配置された処理電極３４と、処理対象基板３３に導電性を付与する導電化処理機構４０と、導電化処理機構４０により導電性を付与された処理対象基板３３と処理電極３４との間に電界を印加する電界印加機構３５と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】 図３

Description

この発明は、画像表示装置の製造方法及び画像表示装置の製造装置に係り、特に、画像表示装置の耐圧特性を改善可能な製造方法及び製造装置に関する。

近年、次世代の画像表示装置として、多数の電子放出素子を画像表示面と対向配置させた平面型の画像表示装置の開発が進められている。電子放出素子には様々な種類があるが、いずれも基本的には電界による電子放出を利用したもので、これらの電子放出素子を用いた画像表示装置は、一般に、フィールド・エミッション・ディスプレイ（以下、ＦＥＤと称する）と呼ばれている。このようなＦＥＤの内、表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置は、表面伝導型電子放出ディスプレイ（以下、ＳＥＤと称する）とも呼ばれているが、ＳＥＤも含む総称としてＦＥＤという用語を用いる。

ＦＥＤは、一般に、所定の隙間を置いて対向配置された前面基板及び背面基板を有している。これらの基板は、矩形枠状の側壁を介してそれぞれの周縁部同士を互いに接合され、真空外囲器を構成している。真空外囲器の内部は、真空度が１０^−４Ｐａ程度以下の高真空に維持されている。また、背面基板及び前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これらの基板の間には複数の支持部材が配設されている。

前面基板の内面には、赤、青、緑にそれぞれ発光する蛍光体層を含む蛍光体スクリーンが形成されている。また、実用的な表示特性を得るために、蛍光体スクリーン上にメタルバックと呼ばれるアルミ薄膜が形成されている。さらに、真空外囲器の内部に残留したガス及び各基板の放出ガスを吸着するために、ゲッタ膜と呼ばれるガス吸着特性を持った金属膜がメタルバック上に蒸着（ゲッタフラッシュ）されている。

背面基板の内面には、蛍光体層を励起して発光させるための電子を放出する多数の電子放出素子が設けられている。また、多数の走査線及び信号線がマトリックス状に形成され、各電子放出素子に接続されている。

このようなＦＥＤでは、蛍光体スクリーン及びメタルバックを含む画像表示面にはアノード電圧が印加され、電子放出素子から放出された電子ビームがアノード電圧により加速されて蛍光体層に衝突することにより、蛍光体層が発光する。これにより、画像表示面に画像が表示される。この場合、アノード電圧は、最低でも数ｋＶ、できれば１０ｋＶ以上にすることが望まれる。

このようなＦＥＤでは、前面基板と背面基板との隙間を１〜３ｍｍ程度に設定することができ、現在のテレビやコンピュータのディスプレイとして使用されている陰極線管（ＣＲＴ）と比較して、大幅な軽量化、薄型化を達成することができる。

しかしながら、前面基板と背面基板との間の隙間は、解像度や電子放出効率の特性などの観点からあまり大きくすることはできず、１〜３ｍｍ程度に設定する必要がある。したがって、ＦＥＤでは、前面基板と背面基板との小さい隙間に強電界が形成されることを避けられず、両基板間の放電（絶縁破壊）が問題となる。

放電が起こると、瞬間的に１００Ａ以上の電流が流れるため、電子放出素子や画像表示面の破壊あるいは劣化を招くことになる。また、放電によって駆動回路が破壊されることもある。これらをまとめて放電によるダメージと呼ぶことにする。このようなダメージは、製品として許容されない。したがって、ＦＥＤを実用化するためには、放電によるダメージを抑制しなければならない。しかしながら、放電を完全に抑制することは非常に困難である。

一方、放電が発生しないようにするのではなく、放電が起きても電子放出素子ヘの影響を無視（軽減）できるよう、放電の規模を縮小するという対策がある。このような考え方に関連する技術として、例えば、特許文献１には、画像表示面に設けられたメタルバックに切り欠きを入れてジグザグなどのパターンを形成し、蛍光面の実効的なインダクタンス・抵抗を高める技術が開示されている。また、特許文献２には、メタルバックを分割する技術が開示されている。さらに、特許文献３には、分割部での沿面放電を抑制するために、分割部に導電性材料の被覆を設けるという技術が開示されている。

しかしながら、これらの技術を用いる場合でも、放電によるダメージを完全に抑制することは困難である。
一般に、放電が生じる電圧にはばらつきがある。また、長期間経過した後に放電が起こることもある。放電を抑制するということは、アノード電圧印加時に放電が全く起こらないようにするか、放電確率を実用上許容できる程度まで小さくすることを意味する。放電を抑制しつつ印加可能なアノード−カソード間の電位差を、以後、耐圧と称することとする。

放電の要因にはいろいろなものがある。第１は、カソード側の微小な突起や異物などからの電子放出がトリガとなるものである。第２は、カソードあるいはアノードに付着した微粒子、あるいはそれらの一部がはがれたものが対向面に衝突することがトリガとなるものである。とりわけ、ＦＥＤでは、蛍光体スクリーンに重ねてメタルバックという強度の弱い薄膜及びゲッタ膜が形成されているため、その一部がはがれることが放電のトリガとなりうる。

更に、このゲッタ膜は、ゲッタの基盤となる金属基盤にガス吸着特性の大きいＢａ，Ｔｉなどの金属を固定し金属基盤を加熱することにより蒸着膜としてメタルバック上に形成される。この際、金属基盤の加熱による蒸着工程で金属基盤の一部及びゲッタ電極の一部が溶解し、前面基板及び背面基板上に落下することがあり、これが放電源となり放電を拡大する大きな要因となっている。

一般に耐圧を向上させるための技術として、コンディショニングという手法が周知である。この手法の詳細については、例えば、放電ハンドブック（オーム社、１９９８）の３０２ページに記載されている。これは、対向面間に電位差を形成し、耐圧を向上させるものである。コンディショニングには、放電を起こす場合と起こさない場合とがあるが、狭義では、放電（スパーク）を起こすスパークコンディショニングをコンディショニングと称することもある。スパークコンディショニングにより耐圧が向上するメカニズムは詳細にはわかっていないが、微小突起や異物等の放電源が放電により溶けて除去されること、あるいは、付着した微粒子が電界により除去されることによると考えられている。

例えば、ＣＲＴでは、電子銃の電極間に動作時電圧の４倍程度のパルス電圧を印加し、数千回程度の放電を起こすという処理が広く行われている。これはスパークコンディショニングに相当する。

放電を起こさないコンディショニングにも耐圧を向上する効果があるが、この場合でもできるだけ対向面間に高い電位差を形成することが望ましい。しかしながら、このような高い電位差により、意図せずして放電が起きてしまう可能性があり、放電ダメージの発生が避けられない。また、このような放電を起こさないコンディショニングには、スパークコンディショニングに匹敵する効果は期待できない。

ところが、ＦＥＤでは、このようなスパークコンディショニングを行うと、画像表示面や電子放出素子が破壊ないし劣化してしまう。そのため、単純にはこの手法を用いることができない。

このために、ＦＥＤ内部に放電発生要因となる異物が混入することを防ぐため、エアーブローや超音波ドライ洗浄、更に、クリーンルーム内での製造を行っている。しかしながら、エアーブローでは基板に堆積した異物を取り除くことはできるが、基板に付着（固着）した異物を取り除くことができない。たとえエアーブローにて異物を取り除くことができたとしても、前面基板及び背面基板を封着する真空封着装置に投入するまでに、空気中に舞っている微少な異物がこれらの基板に再度付着する可能性もあり、微少な異物の混入を完全に防ぐことができない。

また、ゲッタフラッシュは真空中でしか行えないため、この時に発生する粉塵によっても、前面基板及び背面基板は汚染される。このため、真空封着装置内で、前面基板及び背面基板に付着した異物を除去しなければならない。

コンディショニング以外の耐圧向上策としては、材料、構造、製造プロセスの最適化、製造環境のクリーン化、洗浄、エアーブロー等が考えられる。しかしながら、このような対策だけでは耐圧を望ましい値まで高めることが困難であり、より効果の大きな耐圧改善策が強く望まれている。また、コスト低減の観点から、クリーン度を非常に高くすることや、徹底的に微粒子を除去するといった手法は望ましくない。
特開２０００−３１１６４２号公報 特開平１０−３２６５８３号公報 特開２０００−２５１７９７号公報

以上述べたように、ＦＥＤにおいては、放電対策が重要であるが、放電を抑制する目的で、動作電圧であるアノード電圧を低く設定したり、前面基板と背面基板とのギャップを大きくしたりすると、輝度や解像度などの表示性能の低下を招くこととなり、製品として望まれる十分な表示性能を得ることが困難となる。また、前面基板及び背面基板を真空封着装置に投入する際に付着する異物や、ゲッタフラッシュ時に発生する粉塵を除去する手段がない。

この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、耐圧特性に優れ、表示性能及び信頼性を向上できる画像表示装置を製造可能な画像表示装置の製造方法及び画像表示装置の製造装置を提供することにある。

この発明の第１の様態による画像表示装置の製造方法は、
画像表示面を有した前面基板と、前記画像表示面に向けて電子を放出する電子放出素子を有した背面基板と、を備えた画像表示装置の製造方法であって、
真空雰囲気中で、前記前面基板及び前記背面基板の少なくとも一方の処理対象基板に導電性を付与する導電化処理工程と、
導電性を有する前記処理対象基板の主面と処理電極とを対向配置し、前記処理対象基板と前記処理電極との間に電界を印加する電界処理工程と、
前記電界処理工程の後、前記前面基板と前記背面基板とを真空雰囲気中で対向配置した状態で互いに封着する封着工程と、
を具備することを特徴とする。

この発明の第２の様態による画像表示装置の製造装置は、
画像表示面を有した前面基板と、前記画像表示面に向けて電子を放出する電子放出素子を有した背面基板と、を備えた画像表示装置の製造装置であって、
前記前面基板及び前記背面基板の少なくとも一方の処理対象基板を収納可能な真空チャンバと、
前記真空チャンバの内部を真空排気する排気機構と、
前記真空チャンバ内において、前記処理対象基板と対向して配置された処理電極と、
前記処理対象基板に導電性を付与する導電化処理機構と、
前記導電化処理機構により導電性を付与された前記処理対象基板と前記処理電極との間に電界を印加する電界印加機構と、
を備えたことを特徴とする。

このように構成された画像表示装置の製造方法及び画像表示装置の製造装置によれば、真空雰囲気中で処理対象基板に導電性を付与し、導電性を有する処理対象基板と処理電極との間に電界を印加して電界処理することにより、導電化の有無に関わらず、処理対象基板の主面に残留した異物や突起等の放電発生の要因を取り除くことができる。このような電界処理を行った処理対象基板を用いることにより、耐圧特性に優れ、表示性能及び信頼性を向上した画像表示装置を製造することができる。

この発明によれば、耐圧特性に優れ、表示性能及び信頼性を向上できる画像表示装置を製造可能な画像表示装置の製造方法及び画像表示装置の製造装置を提供することができる。

以下、この発明の一実施の形態に係る画像表示装置の製造方法及び画像表示装置の製造装置について図面を参照して説明する。なお、ここでは、本製造方法及び製造装置により製造される画像表示装置として、表面伝導型の電子放出素子を備えたＦＥＤを例にとって説明する。

図１及び図２に示すように、ＦＥＤは、１〜２ｍｍの隙間を置いて対向配置された前面基板１１及び背面基板１２を備えている。これら前面基板１１及び背面基板１２は、絶縁基板としてそれぞれ板厚が１〜３ｍｍ程度の矩形状のガラス板を用いて構成されている。これらの前面基板１１及び背面基板１２は、矩形枠状の側壁１３を介して周縁部同士が接合され、内部が１０^−４Ｐａ程度の高真空に維持された扁平な矩形状の真空外囲器１０を構成している。

真空外囲器１０は、その内部に設けられ、前面基板１１及び背面基板１２に加わる大気圧荷重を支えるための複数のスペーサ１４を備えている。このスペーサ１４としては、板状あるいは柱状等の形状を採用可能である。

前面基板１１は、その内面に画像表示面を備えている。すなわち、画像表示面は、蛍光体スクリーン１５、蛍光体スクリーン１５上に配置されたメタルバック２０、メタルバック２０上に配置されたゲッタ膜２２などで構成されている。

蛍光体スクリーン１５は、赤、緑、青にそれぞれ発光する蛍光体層１６と、マトリクス状に配置された黒色光吸収層１７とを有している。これらの蛍光体層１６は、ストライプ状に形成されても良いし、ドット状に形成されても良い。メタルバック２０は、アルミニウム膜等で形成され、アノード電極として機能する。ゲッタ膜２２は、ガス吸着特性を持った金属膜によって形成され、真空外囲器１０の内部に残留したガス及び各基板からの放出ガスを吸着する。

背面基板１２は、その内面に表面伝導型の電子放出素子１８を備えている。この電子放出素子１８は、蛍光体スクリーン１５の蛍光体層１６を励起する電子源として機能する。すなわち、複数の電子放出素子１８は、背面基板１２上において、画素毎に対応して複数列及び複数行に配列され、それぞれ蛍光体層１６に向けて電子ビームを放出する。各電子放出素子１８は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。また、電子放出素子１８に電位を供給するための多数本の配線２１は、背面基板１２の内面にマトリクス状に設けられ、その端部は真空外囲器１０の外部に引出されている。

このようなＦＥＤでは、画像を表示する動作時においては、蛍光体スクリーン１５及びメタルバック２０を含む画像表示面にアノード電圧を印加する。そして、電子放出素子１８から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体スクリーン１５へ衝突させる。これにより、蛍光体スクリーン１５の蛍光体層１６が励起され、それぞれ対応する色に発光する。このようにして、画像表示面にカラー画像が表示される。

次に、上述したような構成のＦＥＤを製造するための製造装置について説明する。
図３に示すように、製造装置は、真空チャンバ３０、排気機構３２、処理電極３４、電界印加機構３５、導電化処理機構４０などを備えて構成されている。真空チャンバ３０は、真空処理槽で構成され、その内部に、処理対象基板３３を収納可能である。処理対象基板３３は、その主面に画像表示面を有した前面基板１１及びその主面に電子放出素子１８を有した背面基板１２の少なくとも一方である。

真空チャンバ３０内には、処理対象基板３３を搬送する基板搬送機構５０が設けられている。この基板搬送機構５０は、処理対象基板３３を電界処理するための電界処理位置ＰＳ１、及び、処理対象基板３３を導電化処理するための導電化処理位置ＰＳ２を含む範囲にわたって処理対象基板３３を搬送する。電界処理位置ＰＳ１は、処理電極３４と対向する位置に規定される。導電化処理位置ＰＳ２は、導電化処理機構４０と対向する位置に規定される。

排気機構３２は、真空チャンバ３０の内部を真空排気するものであって、真空チャンバ３０に接続された排気ポンプなどで構成されている。処理電極３４は、真空チャンバ３０内に設けられ、処理対象基板３３の主面３３Ａに対してほぼ平行に、かつ、所定の隙間をおいて対向可能に配置されている。ここで適用される処理電極３４は、例えば細長い矩形状に形成され、処理対象基板３３とほぼ等しい幅及び処理対象基板３３よりも短い長さを有している。

真空チャンバ３０内には、処理電極３４を支持するとともに処理対象基板３３と対向した状態でその長さ方向に移動させる電極移動機構６０が設けられている。この電極移動機構６０は、処理対象基板３３が位置決めされる電界処理位置ＰＳ１の外側であって、処理対象基板３３とは対向しない第１待機位置ＰＥ１及び第２待機位置ＰＥ２との間で処理電極３４を往復移動させる。

電界印加機構３５は、真空チャンバ３０内において、処理対象基板３３と処理電極３４との間に電界を印加する。すなわち、電界印加機構３５は、処理電極３４を接地するとともに、処理対象基板３３に対して所定の電圧を印加する電源３６を備えている。なお、真空チャンバ３０は、処理電極３４と同電位のアース電位に接地されている。

導電化処理機構４０は、処理対象基板３３に導電性を付与する。すなわち、導電化処理機構４０は、カバー４１、導電膜材料４２、ゲッタ膜材料４３、加熱機構４４などによって構成されている。カバー４１は、導電化処理位置ＰＳ２に配置された処理対象基板３３と対向するよう形成された開口部４１Ａを有している。導電膜材料４２及びゲッタ膜材料４３は、カバー４１内において開口部４１Ａに対向した位置に設けられている。加熱機構４４は、高周波加熱方式あるいは抵抗加熱方式を採用することができ、導電膜材料４２及びゲッタ膜材料４３を加熱する。

つまり、導電膜材料４２及び加熱機構４４は、真空雰囲気中で、処理対象基板３３の主面３３Ａに向けて導電膜材料を蒸発させて導電膜を形成する導電膜形成装置として機能する。また、ゲッタ膜材料４３及び加熱機構４４は、真空雰囲気中で、処理対象基板３３の主面３３Ａに向けてゲッタ膜材料を蒸発させてゲッタ膜を形成するゲッタ膜形成装置として機能する。

また、製造装置は、図４に示すように構成されても良い。すなわち、この製造装置は、図３に示したのと同様に、真空チャンバ３０、排気機構３２、電界印加機構３５、導電化処理機構４０などを備える他に、第１処理電極３４Ａ及び第２処理電極３４Ｂを備えて構成されている。なお、図３に示した製造装置と同一の構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。

真空チャンバ３０内に設けられた基板搬送機構５０は、処理対象基板３３を電界処理するための第１電界処理位置ＰＳ１、処理対象基板３３を導電化処理するための導電化処理位置ＰＳ２、及び、処理対象基板３３を電界処理するための第２電界処理位置ＰＳ３を含む範囲にわたって処理対象基板３３を搬送する。第１電界処理位置ＰＳ１は、第１処理電極３４Ａと対向する位置に規定される。導電化処理位置ＰＳ２は、導電化処理機構４０と対向する位置に規定される。第２電界処理位置ＰＳ３は、第２処理電極３４Ｂと対向する位置に規定される。

第１処理電極３４Ａ及び第２処理電極３４Ｂは、ともに処理対象基板３３の主面３３Ａに対してほぼ平行に、かつ、所定の隙間をおいて対向可能に配置されている。ここで適用される第１処理電極３４Ａ及び第２処理電極３４Ｂは、例えば細長い矩形状に形成され、処理対象基板３３とほぼ等しい幅及び処理対象基板３３よりも短い長さを有している。

これら第１処理電極３４Ａ及び第２処理電極３４Ｂは、それぞれ電極移動機構６０に支持されている。各電極移動機構６０は、処理対象基板３３が配置された第１電界処理位置ＰＳ１及び第２電界処理位置ＰＳ３の外側であって、処理対象基板３３とは対向しない第１待機位置ＰＥ１及び第２待機位置ＰＥ２との間でそれぞれ第１処理電極３４Ａ及び第２処理電極３４Ｂを往復移動させる。

第１電界処理位置ＰＳ１と第２電界処理位置ＰＳ３との間に設けられた導電化処理機構４０は、処理対象基板３３に導電性を付与する。この導電化処理機構４０は、図３に示したのと同様に、導電膜形成装置及びゲッタ膜形成装置としての機能を有している。

次に、上述したような構成のＦＥＤを製造するための第１の製造方法について図５に示したフローチャートを参照して説明する。
まず、蛍光体スクリーン１５及びメタルバック２０を含む画像表示面を有した前面基板１１、及び、電子放出素子１８を有した背面基板１２を用意し、真空雰囲気中で、前面基板１１及び背面基板１２の少なくとも一方の処理対象基板３３に対して導電性を付与する導電化処理を行う（ＳＴ１１）。

ここでは、少なくとも導電化処理（ＳＴ１１）及びこの後の電界処理（ＳＴ１２）は、図３に示した製造装置を用いて行うものとして説明する。すなわち、排気機構３２を作動し、真空チャンバ３０内を所望の真空度まで真空排気する。これにより、真空チャンバ３０内を真空雰囲気とする。

そして、基板搬送機構５０により処理対象基板３３を真空チャンバ３０内に搬入し、導電化処理位置ＰＳ２に設置する。このとき、処理対象基板３３は、導電化処理位置ＰＳ２において、その主面３３Ａを導電化処理機構４０におけるカバー４１の開口部４１Ａに向けた状態で配置される。処理対象基板３３が前面基板１１である場合には、画像表示面を有した主面を導電化処理機構４０に向けて配置し、また、処理対象基板３３が背面基板１２である場合には、電子放出素子１８を有した主面を導電化処理機構４０に向けて配置する。

そして、導電化処理機構４０により、処理対象基板３３に導電性を付与する。ここでは、導電化処理機構４０は、加熱機構４４により導電膜材料４２を加熱して蒸発させ、処理対象基板３３の主面３３Ａに導電膜を形成することで導電性を付与しても良いし、加熱機構４４によりゲッタ膜材料４３を加熱して蒸発させ、処理対象基板３３の主面３３Ａにゲッタ膜を形成することで導電性を付与しても良い。あるいは、他の手法を用いてもよく、少なくとも処理対象基板３３の主面に導電性が付与されれば如何なる手法であっても良い。これにより、処理対象基板３３の主面３３Ａ上に残留していた導電化していない異物、埃等の放電発生要因を導電化させることができる。

続いて、導電性を有する処理対象基板３３の主面３３Ａを電界処理する（ＳＴ１２）。すなわち、真空チャンバ３０内において、基板搬送機構５０により処理対象基板３３を搬送して電界処理位置ＰＳ１に設置する。このとき、処理対象基板３３は、電界処理位置ＰＳ１において、その主面３３Ａを処理電極３４側に向けた状態で処理電極３４との間に所定の隙間を置いて配置される。また、このとき、処理電極３４は、第１待機位置ＰＥ１に位置しており、電界処理位置ＰＳ１の処理対象基板３３とは対向しない。

そして、処理対象基板３３を電界印加機構３５の電源３６に電気的に接続するとともに、処理電極３４をアースに電気的に接続する。そして、電源３６により処理対象基板３３に所定の電圧を印加する。電源３６から印加される電圧は、処理対象基板３３と処理電極３４との間でプラスあるいはマイナスの電位差が生じるように設定する。これにより、処理対象基板３３と処理電極３４との間に電界が発生する。

このような電界が発生した後、電極移動機構６０により処理電極３４を第１待機位置ＰＥ１から第２待機位置ＰＥ２に向かって一定の速度で移動させる。このとき、処理電極３４は、処理対象基板３３の主面３３Ａとの間に所定の隙間を置いて対向した状態で、処理対象基板３３の長さ方向に沿って移動する。このように、処理対象基板３３及び処理電極３４を相対的に移動させ、処理対象基板３３の主面３３Ａを電界処理しながら、処理電極３４によって処理対象基板３３全面を走査する。

その後、処理電極３４が処理対象基板３３を越えて基板外の第２待機位置ＰＥ２まで移動した時点で、処理電極３４の移動を停止するとともに処理対象基板３３への電圧印加を停止する。

このような電界処理により、処理対象基板３３が電界処理され、処理対象基板３３上の放電発生要因が除去される。すなわち、処理対象基板３３に残留していた導電化した異物などを処理電極３４に吸着して除去するとともに、処理対象基板３３の生産過程で形成された不用な突起、メタルバック等の付着力の弱い個所などを除去することができる。

また、電界処理が完了した後、処理電極３４が処理対象基板３３と対向しない位置まで移動した時点で電圧印加を停止することにより、処理電極３４で吸着した異物や突起などの放電発生要因を処理電極３４上に保持することができ、処理対象基板３３側に再度付着することを防止することができる。

なお、ここでは、処理電極３４を第１待機位置ＰＥ１から第２待機位置ＰＥ２までの片道だけ移動させながら電界処理を行ったが、処理電極３４を第１待機位置ＰＥ１から第２待機位置ＰＥ２までの間を往復移動させながら電界処理を行い、処理電極３４を第１待機位置ＰＥ１まで移動させた後に電界処理を停止する構成としても良い。この場合、電界処理が完了した処理対象基板３３を（第２待機位置ＰＥ２に対向する位置を通過して）導電化処理位置ＰＳ２側に移動する際、電界処理後に処理電極３４の上を通過することがない。

要するに、電界処理後の処理電極３４は、電界処理された処理対象基板３３が移動する搬送経路上に対向しない位置で待機することが望ましく、電界処理された処理対象基板３３が第１待機位置ＰＥ１に対向する位置を通過して搬送される場合には処理電極３４は第２待機位置ＰＥ２で待機し、あるいは、電界処理された処理対象基板３３が第２待機位置ＰＥ２に対向する位置を通過して搬送される場合には処理電極３４は第１待機位置ＰＥ１で待機していれば良い。これにより、放電発生要因の処理電極３４から処理対象基板３３への再付着をより確実に防止することができる。

このような電界処理工程の後、前面基板１１と背面基板１２とを真空雰囲気中で対向配置した状態で互いに封着する（ＳＴ１３）。すなわち、基板搬送機構５０により処理対象基板３３を大気に晒すことなく真空雰囲気中に維持した状態で図示しない封着位置へ搬送する。そして、封着位置に搬送された前面基板１１及び背面基板１２は、互いの主面を対向した状態で矩形枠状の側壁１３を介して接合される。これにより、真空外囲器１０を形成し、ＦＥＤが完成する。なお、前面基板１１及び背面基板１２の封着は、上述した電界処理と同一の真空チャンバ内、あるいは、真空状態で連通した他の真空チャンバ内のいずれで行っても良い。

上述したような第１の製造方法によれば、真空チャンバ３０へ投入される前に前面基板１１及び背面基板１２に付着した異物、及び、前面基板１１及び背面基板１２の生産過程で形成された不用な突起などの放電発生要因を除去することができる。

また、電界処理において、導電化していない放電発生要因は除去できない。このため、電界処理の前に処理対象基板（前面基板１１及び背面基板１２）を導電化処理することにより、導電化していない放電発生要因が導電化され電界処理によって除去することができる。

これにより、放電発生のトリガを取り除くことができ、耐圧特性の向上したＦＥＤを得ることができる。特に、前面基板１１及び背面基板１２の電界処理を真空チャンバ３０内で行った後、これらの基板を大気に晒すことなく真空外囲器１０を形成することにより、大気中の粉塵などが基板に再付着するおそれがなく、初期放電及び長期にわたる放電の抑制を実現することができる。

その結果、放電に伴う画像表示面や電子放出素子の破壊、劣化、更には、駆動回路の破壊を防止することができ、ＦＥＤの信頼性向上及び長寿命化を図ることができる。同時に、アノード電位を高く設定することが可能となり、高輝度で表示性能の高いＦＥＤを得ることができる。

なお、上述した第１の製造方法では、用意した前面基板１１及び背面基板１２の少なくとも一方の処理対象基板３３を直ちに導電化処理位置ＰＳ２に搬送し導電化処理した（ＳＴ１１）が、導電化処理の前に電界処理位置ＰＳ１に搬送し電界処理を行っても良い。これにより、真空チャンバ３０内に投入された時点で導電化している放電発生要因を処理対象基板３３から除去することができ、さらに耐圧特性を向上することが可能となる。

このような導電化処理前の電界処理を追加する場合、図３に示した製造装置では、まず、電界処理位置ＰＳ１において処理対象基板３３の電界処理を行った後、導電化処理位置ＰＳ２において処理対象基板３３の導電化処理を行い、再び電界処理位置ＰＳ１において処理対象基板３３の電界処理を行えばよい。図３に示した製造装置によれば、処理電極を含む電界処理機構を１ユニット設ければ良く、装置構成の簡略化を図ることができ、小型化が可能となる。

また、図４に示した製造装置では、まず、第１電界処理位置ＰＳ１において第１処理電極３４Ａにより処理対象基板３３の電界処理を行った後、導電化処理位置ＰＳ２において処理対象基板３３の導電化処理を行い、第２電界処理位置ＰＳ３において第２処理電極３４Ｂにより処理対象基板３３の電界処理を行えばよい。図４に示した製造装置によれば、装置内に処理工程に対応した順番で処理機構が配列されているため、処理対象基板３３を一方向に搬送して処理することができ、複数の処理対象基板３３を連続して処理することも可能となるため、製造歩留まりの向上及び製造コストの低減を図ることができる。

次に、上述したような構成のＦＥＤを製造するための第２の製造方法について図６に示したフローチャートを参照して説明する。なお、第１の製造方法で説明したのと同一の工程については詳細な説明を省略する。

まず、蛍光体スクリーン１５及びメタルバック２０を含む画像表示面を有した前面基板１１、及び、電子放出素子１８を有した背面基板１２を用意し、真空雰囲気中で、前面基板１１の主面に導電性を有する薄膜を形成する（ＳＴ２１）。

すなわち、排気機構３２を作動し、所望の真空度まで真空排気した真空チャンバ３０内に、基板搬送機構５０により前面基板１１を搬入し、導電化処理位置ＰＳ２に設置する。このとき、前面基板１１は、導電化処理位置ＰＳ２において、画像表示面を有した主面を導電化処理機構４０におけるカバー４１の開口部４１Ａに向けた状態で配置される。

そして、導電化処理機構４０は、加熱機構４４により導電膜材料４２またはゲッタ膜材料４３を加熱して蒸発させ、前面基板１１の主面に導電膜またはゲッタ膜からなる導電性を有する薄膜を形成する。これにより、前面基板１１の主面上に残留していた導電化していない異物、埃等の放電発生要因を導電化させることができる。

続いて、真空チャンバ３０内において、基板搬送機構５０により前面基板１１を搬送して電界処理位置ＰＳ１に設置して、前面基板１１の主面に形成された導電性薄膜と処理電極３４とを対向配置し、さらに、前面基板１１と処理電極３４との間に電位差を与え電界を発生することにより、導電性薄膜を有する前面基板１１の主面を電界処理する（ＳＴ２２）。これにより、真空チャンバ３０内への投入時に前面基板１１の主面に付着した放電発生要因の他に、導電性薄膜形成工程（ＳＴ２１）で発生した塵や真空チャンバ３０内を浮遊する物質などの前面基板１１の主面に付着した放電発生要因が除去される。

このような電界処理工程の後、前面基板１１と背面基板１２とを真空雰囲気中で対向配置した状態で互いに封着する（ＳＴ２３）。すなわち、基板搬送機構５０により前面基板１１を大気に晒すことなく真空雰囲気中に維持した状態で図示しない封着位置へ搬送して、封着位置に搬送された背面基板１２と互いの主面を対向した状態で矩形枠状の側壁１３を介して接合される。これにより、真空外囲器１０を形成し、ＦＥＤが完成する。

上述したような第２の製造方法によれば、第１の製造方法と同様に、真空チャンバ３０へ投入される前に前面基板１１に付着した異物、及び、前面基板１１の生産過程で形成された不用な突起などの放電発生要因を導電性の有無に関わらず除去することができる。

これにより、耐圧特性の向上しＦＥＤを得ることができ、また、放電に伴う画像表示面や電子放出素子の破壊、劣化、更には、駆動回路の破壊を防止することができ、ＦＥＤの信頼性向上及び長寿命化を図ることができる。同時に、アノード電位を高く設定することが可能となり、高輝度で表示性能の高いＦＥＤを得ることができる。

なお、この第２の製造方法によれば、導電性薄膜を形成するために導電膜またはゲッタ膜を用いているが、ここでの成膜は放電発生要因の導電化が最大の目的であり、放電発生要因を導電化できれば如何なる材質の膜を用いても良いことは言うまでもない。できれば、耐圧特性に優れた膜や、ガス吸着特性をもった膜を成膜すれば、ＦＥＤの性能も向上し、尚且つ耐圧特性の優れたＦＥＤを提供することができる。

次に、上述したような構成のＦＥＤを製造するための第３の製造方法について図７に示したフローチャートを参照して説明する。なお、第１の製造方法で説明したのと同一の工程については詳細な説明を省略する。

まず、蛍光体スクリーン１５及びメタルバック２０を含む画像表示面を有した前面基板１１、及び、電子放出素子１８を有した背面基板１２を用意し、真空雰囲気中で、前面基板１１の主面に導電膜を形成する（ＳＴ３１）。

すなわち、所望の真空度まで真空排気した真空チャンバ３０内に、基板搬送機構５０により前面基板１１を搬入し、導電化処理位置ＰＳ２に設置する。このとき、前面基板１１は、導電化処理位置ＰＳ２において、画像表示面を有した主面を導電化処理機構４０に向けた状態で配置される。そして、導電化処理機構４０は、加熱機構４４により導電膜材料４２を加熱して蒸発させ、前面基板１１の主面に導電膜を形成する。

続いて、真空雰囲気中で、前面基板１１の導電膜上にゲッタ膜を形成する（ゲッタフラッシュ）（ＳＴ３２）。すなわち、導電化処理機構４０は、加熱機構４４によりゲッタ膜材料４３を加熱して蒸発させ、導電化処理位置ＰＳ２に配置された前面基板１１の導電膜上にゲッタ膜を形成する。これにより、前面基板１１の主面上に残留していた導電化していない異物、埃等の放電発生要因を導電化させることができる。

続いて、真空チャンバ３０内において、基板搬送機構５０により前面基板１１を搬送して電界処理位置ＰＳ１に設置して、前面基板１１の主面に形成された導電膜と処理電極３４とを対向配置し、さらに、前面基板１１と処理電極３４との間に電位差を与え電界を発生することにより、導電膜を有する前面基板１１の主面を電界処理する（ＳＴ３３）。これにより、真空チャンバ３０内への投入時に前面基板１１の主面に付着した放電発生要因の他に、導電膜形成工程（ＳＴ３１）及びゲッタ膜形成工程（ＳＴ３２）で発生した塵や真空チャンバ３０内を浮遊する物質などの前面基板１１の主面に付着した放電発生要因が除去される。

このような電界処理工程の後、前面基板１１と背面基板１２とを真空雰囲気中で対向配置した状態で互いに封着する（ＳＴ３４）。これにより、真空外囲器１０を形成し、ＦＥＤが完成する。
上述したような第３の製造方法によれば、第２の製造方法と同様の効果を得ることができる。

次に、上述したような構成のＦＥＤを製造するための第４の製造方法について図８に示したフローチャートを参照して説明する。なお、第１の製造方法で説明したのと同一の工程については詳細な説明を省略する。

まず、蛍光体スクリーン１５及びメタルバック２０を含む画像表示面を有した前面基板１１、及び、電子放出素子１８を有した背面基板１２を用意し、真空雰囲気中で、前面基板１１の主面に導電膜を形成する（ＳＴ４１）。

すなわち、所望の真空度まで真空排気した真空チャンバ３０内に、基板搬送機構５０により前面基板１１を搬入し、導電化処理位置ＰＳ２に設置する。このとき、前面基板１１は、導電化処理位置ＰＳ２において、画像表示面を有した主面を導電化処理機構４０に向けた状態で配置される。そして、導電化処理機構４０は、加熱機構４４により導電膜材料４２を加熱して蒸発させ、前面基板１１の主面に導電膜を形成する。これにより、前面基板１１の主面上に残留していた導電化していない異物、埃等の放電発生要因を導電化させることができる。

続いて、真空チャンバ３０内において、基板搬送機構５０により前面基板１１を搬送して電界処理位置ＰＳ１に設置して、前面基板１１の主面に形成された導電膜と処理電極３４とを対向配置し、さらに、前面基板１１と処理電極３４との間に電位差を与え電界を発生することにより、導電膜を有する前面基板１１の主面を電界処理する（ＳＴ４２）。これにより、真空チャンバ３０内への投入時に前面基板１１の主面に付着した放電発生要因の他に、導電膜形成工程（ＳＴ４１）で発生した塵や真空チャンバ３０内を浮遊する物質などの前面基板１１の主面に付着した放電発生要因が除去される。

続いて、真空雰囲気中で、前面基板１１の導電膜上にゲッタ膜を形成する（ゲッタフラッシュ）（ＳＴ４３）。すなわち、基板搬送機構５０により前面基板１１を搬送して導電化処理位置ＰＳ２に設置する。そして、導電化処理機構４０は、加熱機構４４によりゲッタ膜材料４３を加熱して蒸発させ、前面基板１１の導電膜上にゲッタ膜を形成する。

このような電界処理工程の後、前面基板１１と背面基板１２とを真空雰囲気中で対向配置した状態で互いに封着する（ＳＴ４４）。これにより、真空外囲器１０を形成し、ＦＥＤが完成する。
上述したような第４の製造方法によれば、第２の製造方法と同様の効果を得ることができる。

次に、上述したような構成のＦＥＤを製造するための第５の製造方法について図９に示したフローチャートを参照して説明する。なお、第１の製造方法で説明したのと同一の工程については詳細な説明を省略する。

まず、蛍光体スクリーン１５及びメタルバック２０を含む画像表示面を有した前面基板１１、及び、電子放出素子１８を有した背面基板１２を用意し、真空雰囲気中で、前面基板１１の主面に導電膜を形成する（ＳＴ５１）。

すなわち、所望の真空度まで真空排気した真空チャンバ３０内に、基板搬送機構５０により前面基板１１を搬入し、導電化処理位置ＰＳ２に設置する。このとき、前面基板１１は、導電化処理位置ＰＳ２において、画像表示面を有した主面を導電化処理機構４０に向けた状態で配置される。そして、導電化処理機構４０は、加熱機構４４により導電膜材料４２を加熱して蒸発させ、前面基板１１の主面に導電膜を形成する。これにより、前面基板１１の主面上に残留していた導電化していない異物、埃等の放電発生要因を導電化させることができる。

続いて、真空チャンバ３０内において、基板搬送機構５０により前面基板１１を搬送して電界処理位置ＰＳ１に設置して、前面基板１１の主面に形成された導電膜と処理電極３４とを対向配置し、さらに、前面基板１１と処理電極３４との間に電位差を与え電界を発生することにより、導電膜を有する前面基板１１の主面を電界処理する（ＳＴ５２）。このような第１電界処理により、真空チャンバ３０内への投入時に前面基板１１の主面に付着した放電発生要因の他に、導電膜形成工程（ＳＴ５１）で発生した塵や真空チャンバ３０内を浮遊する物質などの前面基板１１の主面に付着した放電発生要因が除去される。

続いて、真空雰囲気中で、前面基板１１の導電膜上にゲッタ膜を形成する（ゲッタフラッシュ）（ＳＴ５３）。すなわち、基板搬送機構５０により前面基板１１を搬送して導電化処理位置ＰＳ２に設置する。そして、導電化処理機構４０は、加熱機構４４によりゲッタ膜材料４３を加熱して蒸発させ、前面基板１１の導電膜上にゲッタ膜を形成する。

続いて、真空チャンバ３０内において、基板搬送機構５０により前面基板１１を搬送して電界処理位置ＰＳ１に設置して、前面基板１１の主面に形成されたゲッタ膜と処理電極３４とを対向配置し、さらに、前面基板１１と処理電極３４との間に電位差を与え電界を発生することにより、ゲッタ膜を有する前面基板１１の主面を電界処理する（ＳＴ５４）。このような第２電界処理により、これにより、真空チャンバ３０内への投入時に前面基板１１の主面に付着した放電発生要因の他に、ゲッタ膜形成工程（ＳＴ５３）で発生した塵や真空チャンバ３０内を浮遊する物質などの前面基板１１の主面に付着した放電発生要因が除去される。

このような第２電界処理工程の後、前面基板１１と背面基板１２とを真空雰囲気中で対向配置した状態で互いに封着する（ＳＴ５５）。これにより、真空外囲器１０を形成し、ＦＥＤが完成する。
上述したような第５の製造方法によれば、第２の製造方法と同様の効果を得ることができる。

なお、上述した第２乃至第５の製造方法では、用意した前面基板１１を直ちに導電化処理位置ＰＳ２に搬送し、その主面上に導電膜やゲッタ膜などの導電性薄膜を形成したが、このような工程の前に前面基板１１を電界処理位置ＰＳ１に搬送し電界処理を行っても良い。これにより、真空チャンバ３０内に投入された時点で導電化している放電発生要因を前面基板１１から除去することができ、さらに耐圧特性を向上することが可能となる。

また、前面基板１１と背面基板１２とを封着する工程の前に、背面基板１２の主面（電子放出素子を有する面）と処理電極３４とを対向配置し、背面基板１２と処理電極３４との間に電界を印加する背面基板１２の電界処理工程を追加しても良い。この際、放電発生要因の導電化のために使用する背面基板１２の主面に形成する導電膜は、高抵抗膜などを用いることで、配線等への電圧印加等、回路的に影響を与えず、導電化していない放電発生要因を導電化することができ、電界処理にて除去することができる。さらに、高抵抗膜を形成することで、ＦＥＤ動作時の放電抑制になるといったメリットもある。

さらに、前面基板１１の主面上に導電膜やゲッタ膜などの導電性薄膜を形成した後の電界処理は、電界処理位置ＰＳ１あるいは電界処理位置ＰＳ３のいずれで行っても良く、図３に示したような製造装置あるいは図４に示したような製造装置のいずれでも上述した第２乃至第５の製造方法を行うことが可能である。

上述した第３乃至第５の製造方法においては、前面基板１１上にガス吸着能力を持ったゲッタ膜を形成している。このゲッタ膜は、導電性薄膜であるため、導電化していない放電発生要因を導電化するために使用しても構わないが、その後の電界処理により放電発生要因とともに前面基板上から除去されてしまう。このため、ＦＥＤ完成後におけるゲッタ膜の残留量が低下してしまうため、ガス吸着能力の低下を招いてしまう。

このため、ゲッタ膜によるガス吸着能力を十分に確保することを望む場合、第４の製造方法で説明したように、導電膜を形成することで前面基板１１上の放電発生要因を導電化し、電界処理にて放電発生要因を除去した後に、ゲッタ膜を形成し、その後は、電界処理を行わないことが望ましい。

なお、この場合、電界処理により前面基板上に残留した異物や生産過程で形成された不用な突起などの放電発生要因が確実に除去され、しかも、その後のゲッタ膜形成時等での発塵がなく、且つ、前面基板の下方に設置されたゲッタ膜材料を下から上に向かってゲッタフラッシュするなどして、その他に放電発生要因が前面基板に付着するような要因がなければ、この段階でＦＥＤの耐圧特性を十分に向上させることが可能となる。

また、前面基板上に存在する放電発生要因は、導電性の有無に関わらず、導電膜またはゲッタ膜を形成した工程の後に１回だけ電界処理を行えば除去可能である。しかしながら、前面基板の主面を常にクリーンな状態に維持して信頼性の高い電界処理効率を得ることを望む場合、第３及び第５の製造方法で説明したように、導電膜及びゲッタ膜を形成する工程の前に電界処理を行い、予め導電化している異物、生産過程で形成された不用な突起、付着力の弱い蛍光体やメタルバック等の放電発生要因を除去し、導電膜及びゲッタ膜を形成する工程の後に再度電界処理を行い、それぞれの膜蒸着時に発生する塵や導電化した異物などの放電発生要因を除去することが望ましい。

また、もし１回の電界処理で放電発生要因を完全に除去できなった場合、２回目の電界処理で取り除ける可能性もあり、信頼性の面からみても、第５の製造方法のように複数回の電界処理を行うことが望ましいと言える。

実際に、第４の製造方法により、導電膜形成後に電界処理を行い、その後、ゲッタ膜を形成したＦＥＤの耐圧特性を評価したところ、１１ｋＶとＦＥＤ動作時に必要な高電圧の仕様より、十分に優れた耐圧特性が得られた。因みに、導電膜形成後に電界処理を行わないと、ＦＥＤの耐圧特性は２ｋＶと高電圧の仕様を満足できない耐圧特性となった。

また、導電膜形成後に第１電界処理を行い、ゲッタ膜形成後に第２電界処理を行ったＦＥＤの耐圧特性を評価したところ、１３ｋＶとさらに優れた耐圧特性を得られるとともにＦＥＤ動作時の信頼性も向上させることができた。

以上説明したように、この実施の形態に係る画像表示装置の製造方法及び画像表示装置の製造装置によれば、放電発生要因の極めて少ない基板を製作することが可能となり、長寿命で耐圧特性に優れ、しかも表示性能及び信頼性の高い画像表示装置を製造することができる。

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

例えば、上述した実施の形態では、電界処理工程において、処理電極３４を接地するとともに処理対象基板３３に電圧を印加したが、逆に、処理対象基板３３を接地するとともに処理電極３４に電圧を印加しても良い。

また、上述した実施の形態では、電界処理工程で適用される製造装置では、図３及び図４に示したように、処理電極３４は、細長い矩形状の電極であったが、この例に限定されるものではない。例えば、処理電極３４は、処理対象基板３３の大きさ以上の寸法を有する板状電極であって、処理電極３４を移動させることなく一括して電界処理を行うように構成しても良い。また、処理電極３４の大きさは変えず、且つ処理電極は移動せず、処理対象基板３３を処理電極３４と相対的に移動させる構成としても良い。

さらに、上述した実施の形態では、処理対象基板の鉛直下方に配置された導電膜材料及びゲッタ膜材料を鉛直上方に向けて蒸発させることにより、導電膜形成工程及びゲッタ膜形成工程で発生する粉塵の処理対象基板への付着を低減する構成としたが、処理対象基板と導電膜材料及びゲッタ膜材料の位置関係はこの例に限定されるものではなく、いずれの方向で対向するような位置関係であっても構わない。

またさらに、上述した実施の形態では、前面基板及び背面基板の両方を真空雰囲気中で電界処理する構成としてが、少なくとも一方の基板を電界処理することによっても耐圧特性の向上した画像表示装置を得ることができる。さらに、この発明は、ＦＥＤに限らず、プラズマディスプレイパネル等の他の画像表示装置を製造する際にも適用することができることは言うまでもない。

図１は、この発明の実施の形態に係る製造方法及び製造装置により製造されるＦＥＤの一例を概略的に示す斜視図である。 図２は、図１に示したＦＥＤのＡ−Ａ線に沿った断面構造を概略的に示す図である。 図３は、この発明の一実施の形態に係る画像表示装置の製造装置を概略的に示す断面図である。 図４は、この発明の一実施の形態に係る他の画像表示装置の製造装置を概略的に示す断面図である。 図５は、この発明の一実施の形態に係る画像表示装置の第１の製造方法を説明するためのフローチャートである。 図６は、この発明の一実施の形態に係る画像表示装置の第２の製造方法を説明するためのフローチャートである。 図７は、この発明の一実施の形態に係る画像表示装置の第３の製造方法を説明するためのフローチャートである。 図８は、この発明の一実施の形態に係る画像表示装置の第４の製造方法を説明するためのフローチャートである。 図９は、この発明の一実施の形態に係る画像表示装置の第５の製造方法を説明するためのフローチャートである。

符号の説明

１０…真空外囲器、１１…前面基板、１２…背面基板、１５…蛍光体スクリーン、１８…電子放出素子、２０…メタルバック、２２…ゲッタ膜、３０…真空チャンバ、３２…排気機構、３３…処理対象基板（前面基板、背面基板）、３４…処理電極、３４Ａ…第１処理電極、３４Ｂ…第２処理電極、３５…電界印加機構、４０…導電化処理機構、５０…基板搬送機構、６０…電極移動機構

Claims (14)

1. 画像表示面を有した前面基板と、前記画像表示面に向けて電子を放出する電子放出素子を有した背面基板と、を備えた画像表示装置の製造方法であって、
   真空雰囲気中で、前記前面基板及び前記背面基板の少なくとも一方の処理対象基板に導電性を付与する導電化処理工程と、
   導電性を有する前記処理対象基板の主面と処理電極とを対向配置し、前記処理対象基板と前記処理電極との間に電界を印加する電界処理工程と、
   前記電界処理工程の後、前記前面基板と前記背面基板とを真空雰囲気中で対向配置した状態で互いに封着する封着工程と、
   を具備することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
2. 前記導電化処理工程では、前記処理対象基板の主面に導電膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
3. 前記導電化処理工程では、真空雰囲気中で、前記処理対象基板の主面に対向配置された導電膜材料を蒸発させて前記導電膜を形成することを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置の製造方法。
4. 前記導電化処理工程では、前記処理対象基板の主面にゲッタ膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
5. 前記導電化処理工程では、真空雰囲気中で、前記処理対象基板の主面に対向配置されたゲッタ膜材料を蒸発させて前記ゲッタ膜を形成することを特徴とする請求項４に記載の画像表示装置の製造方法。
6. 画像表示面を有した前面基板と、前記画像表示面に向けて電子を放出する電子放出素子を有した背面基板と、を備えた画像表示装置の製造方法であって、
   真空雰囲気中で、前記前面基板の主面に導電性を有する薄膜を形成する導電性薄膜形成工程と、
   前記前面基板の主面に形成された導電性薄膜と処理電極とを対向配置し、前記前面基板と前記処理電極との間に電界を印加する電界処理工程と、
   前記電界処理工程の後、前記前面基板と前記背面基板とを真空雰囲気中で対向配置した状態で互いに封着する封着工程と、
   を具備することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
7. 画像表示面を有した前面基板と、前記画像表示面に向けて電子を放出する電子放出素子を有した背面基板と、を備えた画像表示装置の製造方法であって、
   真空雰囲気中で、前記前面基板の主面に導電膜を形成する導電膜形成工程と、
   真空雰囲気中で、前記前面基板の導電膜上にゲッタ膜を形成するゲッタ膜形成工程と、
   前記前面基板の主面に形成されたゲッタ膜と処理電極とを対向配置し、前記前面基板と前記処理電極との間に電界を印加する電界処理工程と、
   前記電界処理工程の後、前記前面基板と前記背面基板とを真空雰囲気中で対向配置した状態で互いに封着する封着工程と、
   を具備することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
8. 画像表示面を有した前面基板と、前記画像表示面に向けて電子を放出する電子放出素子を有した背面基板と、を備えた画像表示装置の製造方法であって、
   真空雰囲気中で、前記前面基板の主面に導電膜を形成する導電膜形成工程と、
   前記前面基板の主面に形成された導電膜と処理電極とを対向配置し、前記前面基板と前記処理電極との間に電界を印加する電界処理工程と、
   前記電界処理工程の後、真空雰囲気中で、前記前面基板の導電膜上にゲッタ膜を形成するゲッタ膜形成工程と、
   前記ゲッタ膜形成工程の後、前記前面基板と前記背面基板とを真空雰囲気中で対向配置した状態で互いに封着する封着工程と、
   を具備することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
9. 画像表示面を有した前面基板と、前記画像表示面に向けて電子を放出する電子放出素子を有した背面基板と、を備えた画像表示装置の製造方法であって、
   真空雰囲気中で、前記前面基板の主面に導電膜を形成する導電膜形成工程と、
   前記前面基板の主面に形成された導電膜と処理電極とを対向配置し、前記前面基板と前記処理電極との間に電界を印加する第１電界処理工程と、
   前記第１電界処理工程の後、真空雰囲気中で、前記前面基板の導電膜上にゲッタ膜を形成するゲッタ膜形成工程と、
   前記前面基板の主面に形成されたゲッタ膜と前記処理電極とを対向配置し、前記前面基板と前記処理電極との間に電界を印加する第２電界処理工程と、
   前記第２電界処理工程の後、前記前面基板と前記背面基板とを真空雰囲気中で対向配置した状態で互いに封着する封着工程と、
   を具備することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
10. 前記導電膜形成工程の前に、前記前面基板の主面と前記処理電極とを対向配置し、前記前面基板と前記処理電極との間に電界を印加する電界処理工程を追加したことを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の画像表示装置の製造方法。
11. 前記封着工程の前に、前記背面基板の主面と前記処理電極とを対向配置し、前記背面基板と前記処理電極との間に電界を印加する電界処理工程を追加したことを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の画像表示装置の製造方法。
12. 画像表示面を有した前面基板と、前記画像表示面に向けて電子を放出する電子放出素子を有した背面基板と、を備えた画像表示装置の製造装置であって、
    前記前面基板及び前記背面基板の少なくとも一方の処理対象基板を収納可能な真空チャンバと、
    前記真空チャンバの内部を真空排気する排気機構と、
    前記真空チャンバ内において、前記処理対象基板と対向して配置された処理電極と、
    前記処理対象基板に導電性を付与する導電化処理機構と、
    前記導電化処理機構により導電性を付与された前記処理対象基板と前記処理電極との間に電界を印加する電界印加機構と、
    を備えたことを特徴とする画像表示装置の製造装置。
13. 前記導電化処理機構は、前記処理対象基板の主面に導電膜を形成する導電膜形成装置を備えたことを特徴とする請求項１２に記載の画像表示装置の製造装置。
14. 前記導電化処理機構は、前記処理対象基板の主面にゲッタ膜を形成するゲッタ膜形成装置を備えたことを特徴とする請求項１２または１３に記載の画像表示装置の製造装置。

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