WO2025258461A1

WO2025258461A1 - 反射円偏光子、積層光学フィルム、および、仮想現実表示装置

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Publication number: WO2025258461A1
Application number: PCT/JP2025/020060
Authority: WO
Inventors: 竜二実藤; 直良山田; 克己篠田; 真道岸野
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2024-06-10
Filing date: 2025-06-03
Publication date: 2025-12-18
Anticipated expiration: 2026-12-10

Abstract

仮想現実表示装置等に用いたときに表示画像のコントラストの低下を抑制できる反射円偏光子、積層光学フィルム、および、これを用いた仮想現実表示装置を提供する。式（１）の関係を満たす、コレステリック液晶層を含む反射円偏光子。　式（１）　Ｉ₁＋Ｉ₂＋Ｉ₃＋Ｉ₄＋Ｉ₅＜３．０　Ｉ₁は、反射円偏光子が反射する円偏光を入射した際の透過光のうち、反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光の透過率を２倍にした値である。　Ｉ₂は、反射円偏光子が反射する円偏光を入射した際に反射される反射光のうち、反対の旋回方向の円偏光の反射率を１／２倍にした値である。　Ｉ₃は、反対の旋回方向の円偏光を反射円偏光子に入射した際の反射光の反射率を１／４倍にした値である。　Ｉ₄は、反射円偏光子のヘイズ値を表す。　Ｉ₅は、反射円偏光子に無偏光を入射した際の、積分球で測定した反射率におけるＳＣＥ／ＳＣＩ×１００の値を表す。

Description

反射円偏光子、積層光学フィルム、および、仮想現実表示装置

　本発明は、反射円偏光子、積層光学フィルム、および、仮想現実表示装置に関する。

　近年、仮想現実表示装置が実用化されている。仮想現実表示装置は、例えば、表示パネルと、レンズとを有するヘッドマウントディスプレイが挙げられる。このようなヘッドマウントディスプレイを観察者の頭部に装着し、レンズを通して映像を表示させると、臨場感のある映像を観察者に視認させることができる。

　このようなヘッドマウントディスプレイにおいては、その厚みを低減するため、反射光学系を用いたレンズが採用される場合がある。例えば、特許文献１では、仮想現実表示装置等において表示部を小型化、薄型化するため、反射偏光子とハーフミラーとの間で光を反射させて往復させ、虚像を生成する方法が開示されている。

特表２００３－５０４６６３号公報

　本発明者らの検討によれば、従来の仮想現実表示装置では、表示画像のコントラストが低下する場合があり、更なる改良の余地があった。

　本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、本発明が解決しようとする課題は、仮想現実表示装置等に用いたときに表示画像のコントラストの低下を抑制できる反射円偏光子、積層光学フィルム、および、これを用いた仮想現実表示装置を提供することである。

　本発明者らは、上述の課題に関し鋭意検討を重ね、以下の構成により上記課題を達成することができることを見出した。

　〔１〕　下記式（１）の関係を満たす、コレステリック液晶層を含む反射円偏光子。
　　式（１）　Ｉ₁＋Ｉ₂＋Ｉ₃＋Ｉ₄＋Ｉ₅＜３．０
　ここで、Ｉ₁は、反射円偏光子が反射する円偏光を反射円偏光子に入射した際において、反射円偏光子を透過する透過光のうち、反射円偏光子が反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光の透過率を２倍にした値である。
　Ｉ₂は、反射円偏光子が反射する円偏光を反射円偏光子に入射した際において、反射円偏光子で反射される反射光のうち、反射円偏光子が反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光の反射率を１／２倍にした値である。
　Ｉ₃は、反射円偏光子が反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光を反射円偏光子に入射した際において、反射円偏光子で反射される反射光の反射率を１／４倍にした値である。
　Ｉ₄は、反射円偏光子のヘイズ値を表す。
　Ｉ₅は、反射円偏光子に無偏光を入射した際において、積分球で測定した反射率におけるＳＣＥ／ＳＣＩ×１００の値を表す。
　〔２〕　棒状液晶化合物を用いて形成されたコレステリック液晶層Ｘと、円盤状液晶化合物を用いて形成されたコレステリック液晶層Ｙと、を含む、〔１〕に記載の反射円偏光子。
　〔３〕　選択反射中心波長が異なる複数のコレステリック液晶層を含む、〔１〕または〔２〕に記載の反射円偏光子。
　〔４〕　反射円偏光子と、吸収直線偏光子とを含む積層光学フィルムであって、
　積層光学フィルムが、下記式（２）の関係を満たす、積層光学フィルム。
　　式（２）　Ｉ₆＋Ｉ₇＋Ｉ₈＋Ｉ₉＋Ｉ₁₀＜３．５
　ここで、Ｉ₆は、積層光学フィルムが反射する円偏光を積層光学フィルムの反射円偏光子側から入射した際において、積層光学フィルムの透過率を２倍にした値である。
　Ｉ₇は、積層光学フィルムが反射する円偏光を積層光学フィルムの反射円偏光子側から入射した際において、積層光学フィルムで反射される反射光のうち、反射円偏光子が反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光の反射率を１／２倍にした値である。
　Ｉ₈は、積層光学フィルムが反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光を積層光学フィルムの反射円偏光子側から入射した際において、積層光学フィルムで反射される反射光の反射率を１／４倍にした値である。
　Ｉ₉は、積層光学フィルムに積層光学フィルムの反射円偏光子側から光を入射した際のヘイズ値を表す。
　Ｉ₁₀は、積層光学フィルムに無偏光を積層光学フィルムの反射円偏光子側から入射した際において、積分球で測定した反射率におけるＳＣＥ／ＳＣＩ×１００の値を表す。
　〔５〕　反射円偏光子が、コレステリック液晶層を含み、
　反射円偏光子と吸収直線偏光子との間に位相差層を有する、〔４〕に記載の積層光学フィルム。
　〔６〕　反射円偏光子が、位相差層と反射直線偏光子とを含む、〔４〕に記載の積層光学フィルム。
　〔７〕　〔１〕～〔３〕のいずれかに記載の反射円偏光子、または、〔４〕～〔６〕のいずれかに記載の積層光学フィルムを有する仮想現実表示装置。
　〔８〕　さらに、ハーフミラーを含む、〔７〕に記載の仮想現実表示装置。

　本発明によれば、仮想現実表示装置等に用いたときに表示画像のコントラストの低下を抑制できる反射円偏光子、積層光学フィルム、および、これを用いた仮想現実表示装置を提供することができる。

図１は、本発明の反射円偏光子を有する仮想現実表示装置の一例を示す概略図である。図２は、本発明の反射円偏光子を有する仮想現実表示装置における作用を説明するための概略図である。図３は、チェッカーパターンを説明するための図である。図４は、透過ゴーストの影響を説明するための図である。図５は、反射ゴーストの影響を説明するための図である。図６は、ヘイズの影響を説明するための図である。図７は、式（１）中のＩ₁およびＩ₂を説明するための図である。図８は、式（１）中のＩ₃を説明するための図である。図９は、本発明の積層光学フィルムを有する仮想現実表示装置の一例を示す概略図である。図１０は、本発明の積層光学フィルムを有する仮想現実表示装置における作用を説明するための概略図である。図１１は、式（２）中のＩ₆およびＩ₇を説明するための図である。図１２は、式（２）中のＩ₈を説明するための図である。図１３は、反射円偏光子の他の一例を示す概念図である。

　以下、本発明を詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、代表的な実施形態および具体例に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に限定されるものではない。

　なお、本明細書において「～」を用いて表される数値範囲は「～」前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。

　本明細書において、「直交」とは、厳密に９０°を表すのではなく、９０°±１０°、好ましくは、９０°±５°を表すものとする。また、「平行」とは、厳密に０°を表すのではなく、０°±１０°、好ましくは、０°±５°を表すものとする。さらに、「４５°」とは、厳密に４５°を表すのではなく、４５°±１０°、好ましくは、４５°±５°を表すものとする。

　本明細書において「吸収軸」とは、直線偏光を入射したとき、面内において吸光度が最大となる偏光方向を意味する。また、「反射軸」とは、直線偏光を入射したとき、面内において反射率が最大となる偏光方向を意味する。また、「透過軸」とは、面内において吸収軸または反射軸と直交する方向を意味する。さらに、「遅相軸」とは、面内において屈折率が最大となる方向を意味する。

　本明細書において、位相差とは、特にことわらない場合、面内レターデーションを意味し、Ｒｅ（λ）と記載する。ここで、Ｒｅ（λ）は波長λにおける面内のレターデーションを表し、特に記載がないとき、波長λは５５０ｎｍとする。
　また、波長λにおける厚み方向のレターデーションは、本明細書においてＲｔｈ（λ）と記載し、特に記載がないとき、波長λは５５０ｎｍとする。
　Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）は、ＡｘｏＳｃａｎ　ＯＰＭＦ－１（オプトサイエンス社製）を用い、波長λで測定した値を用いることができる。ＡｘｏＳｃａｎにて平均屈折率（（ｎｘ＋ｎｙ＋ｎｚ）／３）と膜厚（ｄ（μｍ））を入力することにより、
　遅相軸方向（°）
　Ｒｅ（λ）＝Ｒ０（λ）
　Ｒｔｈ（λ）＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２－ｎｚ）×ｄが算出される。

［反射円偏光子］
　本発明の反射円偏光子は、コレステリック液晶層を含む反射円偏光子であり、一方の旋回方向の円偏光を反射し、他方の旋回方向の円偏光を透過する。

　ここで、本発明の反射円偏光子は、下記式（１）の関係を満たす。
　　式（１）　Ｉ₁＋Ｉ₂＋Ｉ₃＋Ｉ₄＋Ｉ₅＜３．０

　ここで、Ｉ₁は、反射円偏光子が反射する円偏光を反射円偏光子に入射した際において、反射円偏光子を透過する透過光のうち、反射円偏光子が反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光の透過率を２倍にした値である。

　Ｉ₂は、反射円偏光子が反射する円偏光を反射円偏光子に入射した際において、反射円偏光子で反射される反射光のうち、反射円偏光子が反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光の反射率を１／２倍にした値である。

　Ｉ₃は、反射円偏光子が反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光を反射円偏光子に入射した際において、反射円偏光子で反射される反射光の反射率を１／４倍にした値である。

　Ｉ₄は、反射円偏光子のヘイズ値を表す。

　Ｉ₅は、反射円偏光子に無偏光を入射した際において、積分球で測定した反射率におけるＳＣＥ／ＳＣＩ×１００の値を表す。

［仮想現実表示装置Ａ］
　本発明の仮想現実表示装置は、上述した反射円偏光子を有する仮想現実表示装置である。好ましくは、仮想現実表示装置はさらに、ハーフミラーを含む。

　図１に本発明の反射円偏光子を含む、本発明の仮想現実表示装置の一例の概念図を示す。

　図１に示す仮想現実表示装置１００ａは、画像表示パネル１０２と、λ／４板１０４と、吸収直線偏光子１０６と、λ／４板１０８と、ハーフミラー１２と、支持体１４と、反射円偏光子１０と、位相差層２４と、吸収直線偏光子２２と、をこの順に有する。なお、λ／４板１０４、吸収直線偏光子１０６、λ／４板１０８、支持体１４、位相差層２４、および、吸収直線偏光子２２は、本発明の仮想現実表示装置が好ましく有する部材である。また、反射円偏光子１０、位相差層２４、および、吸収直線偏光子２２の積層体は、後述する本発明の積層光学フィルム２０ａに相当する。

　図１に示す仮想現実表示装置１００ａにおいては、支持体１４の画像表示パネル１０２側の面にハーフミラー１２が配置されており、支持体の他方の面に反射円偏光子１０が配置されている。また、図示例において、支持体１４は、両面が画像表示パネル１０２側に凸状に湾曲しており、レンズ作用を有している。言い換えると、図１に示す例では、支持体１４としてレンズを用いている。支持体１４としては、透明であることが好ましく、例えば、セルロースアシレート、ポリカーボネート等の樹脂フィルム、あるいは、ガラス等を用いることができる。

　仮想現実表示装置１００ａは、画像表示パネル１０２が出射した画像となる光が、λ／４板１０４、吸収直線偏光子１０６、および、λ／４板１０８の順に通過して、円偏光に変換されてハーフミラー１２に入射する。以下、一例として、右円偏光Ｉ_R1としてハーフミラー１２に入射するものとして説明する。

　なお、図１に示す例では、画像表示パネル１０２から照射された光（画像）は右円偏光としてハーフミラー１２に入射するものとして説明するが、本発明においては、画像表示パネル１０２から照射された光が左円偏光としてハーフミラー１２に入射するものであってもよい。この場合、光路上における各光の偏光状態は、図１に示す例とは反転する。また、図１に示す例では、説明のため、ハーフミラー１２および／または反射円偏光子１０で反射される光の光路が重ならないように図示しているが、基本的には鏡面反射される。これらの点は他の図においても同様である。

　ハーフミラー１２に入射した右円偏光Ｉ_R1の一部は、ハーフミラー１２を透過して、支持体１４を透過して、反射円偏光子１０に入射する。図１に示す例では、反射円偏光子１０は、右円偏光を反射し、左円偏光を透過するものであるため、入射した右円偏光Ｉ_R1は、反射円偏光子１０で反射されてハーフミラー１２に再度、入射する（右円偏光Ｉ_R2）。ハーフミラー１２に入射した右円偏光Ｉ_R2の一部は、ハーフミラー１２で反射されて、反射円偏光子１０に向けて進行する。その際、ハーフミラー１２による反射により、円偏光の旋回方向が反転するため、右円偏光Ｉ_R2は、左円偏光Ｉ_L1に変換される。反射円偏光子１０に入射した左円偏光Ｉ_L1は、位相差層２４、および、吸収直線偏光子２２を通過して、直線偏光に変換されて、使用者Ｕに照射される。これにより、画像表示パネル１０２が表示した映像（画像）は、虚像として使用者Ｕに視認される。

　仮想現実表示装置１００ａにおいて、理想的には上述した光路を光が進行して使用者Ｕに画像を表示するが、この光路から外れた迷光Ｉ_Xが存在することで、表示画像のコントラストが低下することがわかった。また、迷光Ｉ_Xの発生原因も種々存在することがわかた。この点について、図２～６を用いて説明する。

　図２は、反射円偏光子を有する仮想現実表示装置におけるコントラスト低下の原因を説明するための概略図である。なお、図２においては、説明のため、λ／４板１０４、吸収直線偏光子１０６、λ／４板１０８、支持体１４、位相差層２４、および、吸収直線偏光子２２の図示は省略するが、図２に示す仮想現実表示装置においても、これらの部材を有していてもよい。

　以下、画像表示パネル１０２が、図３に示すような、白表示部２０２と黒表示部２０４とがチェッカーパターンに配列された画像を表示する場合を例に説明する。

　図２に示すように、画像表示パネル１０２から照射された右円偏光Ｉ_R1の一部は、ハーフミラー１２を透過し、反射円偏光子１０で反射されて右円偏光Ｉ_R2のまま再度ハーフミラー１２に入射して、一部が反射されて左円偏光Ｉ_L1に変換されて反射円偏光子１０を透過して使用者Ｕに図３に示すような画像を表示する。以下、この理想的な光路で表示される画像を主像ともいう。

　図２に示すように、画像表示パネル１０２から照射されてハーフミラー１２を透過した右円偏光Ｉ_R1が、反射円偏光子１０に入射した際に、反射されずに透過する迷光Ｉ_X1が生じる。このような迷光Ｉ_X1は、ゴースト（以下、透過ゴーストともいう）となって主像に重畳して表示される。具体的には、迷光Ｉ_X1の光路は、主像の光路よりも短く、主像よりも縮小して表示されるため、図４に示すように、透過ゴーストの黒部２０６、および、白部２０８の表示位置およびサイズがそれぞれ、主像の黒表示部２０２、および、白表示部２０４の表示位置およびサイズとはずれてしまう。そのため、透過ゴーストの白部２０８の一部が、主像の黒表示部２０２の一部と重畳してしまう。この重畳部２０９では、透過ゴーストの白部２０８の影響により、輝度が高くなるため、グレー表示になってしまう。そのため、実際に表示されるチェッカーパターンの黒表示部と白表示部との輝度の比、すなわち、コントラストが低下してしまう。

　また、図２にＩ_X2で示すように、ハーフミラー１２および反射円偏光子１０で各２回、反射されて出射する迷光Ｉ_X2が原因でゴースト（以下、反射ゴーストともいう）が生じる。本発明者らの検討によれば、主像の光路において、右円偏光Ｉ_R1が反射円偏光子１０で反射される際に、左円偏光として反射される成分が生じることに起因して、迷光Ｉ_X2が生じることがわかった。具体的には、反射円偏光子１０で左円偏光として反射された光の一部は、ハーフミラー１２で反射され、その際、右円偏光に変換される。この右円偏光は反射円偏光子１０で反射されてハーフミラー１２に入射し、その一部がハーフミラー１２で反射されて左円偏光に変換されて、再度、反射円偏光子１０に入射して、反射円偏光子１０を透過して迷光Ｉ_X2として出射される。なお、図２中、破線で示す迷光が右円偏光の場合をＲ、左円偏光の場合をＬで示している。この点は後述する図１０も同様である。

　また、図２にＩ_X3で示すように、ハーフミラー１２および反射円偏光子１０で各３回、反射されて出射する迷光Ｉ_X3が原因でゴースト（反射ゴースト）が生じる。本発明者らの検討によれば、主像の光路において、左円偏光Ｉ_L1が反射円偏光子１０を透過する際に、反射される成分が生じることに起因して、迷光Ｉ_X3が生じることがわかった。具体的には、ハーフミラー１２で反射された左円偏光Ｉ_L1が反射円偏光子１０に入射した際に、その一部が反射される。この左円偏光がハーフミラー１２に入射して、その一部がハーフミラー１２で反射され、その際、右円偏光に変換される。この右円偏光は反射円偏光子１０で反射されてハーフミラー１２に入射し、その一部がハーフミラー１２で反射されて左円偏光に変換されて、再度、反射円偏光子１０に入射して、反射円偏光子１０を透過して迷光Ｉ_X3として出射される。

　このような迷光Ｉ_X2および迷光Ｉ_X3は、ゴースト（以下、反射ゴーストともいう）となって主像に重畳して表示される。具体的には、迷光Ｉ_X2および迷光Ｉ_X3の光路は、主像の光路よりも長く、主像よりも拡大して表示されるため、図５に示すように、反射ゴーストの黒部２１０、および、白部２１２の表示位置およびサイズがそれぞれ、主像の黒表示部２０２、および、白表示部２０４の表示位置およびサイズとはずれてしまう。そのため、反射ゴーストの白部２１２の一部が、主像の黒表示部２０２の一部と重畳してしまう。この重畳部２１３では、反射ゴーストの白部２１２の影響により、輝度が高くなるため、グレー表示になってしまう。そのため、実際に表示されるチェッカーパターンの黒表示部と白表示部との輝度の比、すなわち、コントラストが低下してしまう。

　また、図２にＩ_X4で示すように、ハーフミラー１２で反射された左円偏光Ｉ_L1が、反射円偏光子１０を透過する際に、一部が散乱して迷光Ｉ_X4が生じる。このような迷光Ｉ_X4は、主像の白部が拡散されてぼやけた像として、主像に重畳して表示される。具体的には、迷光Ｉ_X4は、主像の光路とは異なる種々の方向に散乱されるため、図６に示すように、主像全体に重畳して、黒表示部２０２の輝度が高くなって、グレー表示になってしまう。そのため、実際に表示されるチェッカーパターンの黒表示部と白表示部との輝度の比、すなわち、コントラストが低下してしまう。

　また、図２にＩ_X5で示すように、ハーフミラー１２を透過した右円偏光Ｉ_R1が、反射円偏光子１０で反射される際に、一部が散乱して迷光Ｉ_X5が生じる。このような迷光Ｉ_X5は、主像の白部が拡散されてぼやけた像として、主像に重畳して表示される。具体的には、迷光Ｉ_X5は、主像の光路とは異なる種々の方向に散乱されるため、図６に示すように、主像全体に重畳して、黒表示部２０２の輝度が高くなって、グレー表示になってしまう。そのため、実際に表示されるチェッカーパターンの黒表示部と白表示部との輝度の比、すなわち、コントラストが低下してしまう。

　このように、本発明者らは、主像の光路で発生する種々の迷光が表示画像のコントラスト低下の原因となることを見出した。

　これに対して、本発明の反射円偏光子は、コレステリック液晶層を含み、下記式（１）を満たす。
　　式（１）　Ｉ₁＋Ｉ₂＋Ｉ₃＋Ｉ₄＋Ｉ₅＜３．０

　ここで、Ｉ₁は、図７に示すように、反射円偏光子１０が反射する円偏光（図示例では右円偏光Ｉ_R）を反射円偏光子１０に入射した際において、反射円偏光子１０を透過する透過光のうち、反射円偏光子１０が反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光Ｉ₀₁（図示例では左円偏光）の各波長の透過率（Ｉ₀₁の分光放射照度／Ｉ_Rの分光放射照度）を波長４５０ｎｍから波長６５０ｎｍで平均化し、２倍にした値である。Ｉ₁は反射円偏光子の両面に反射防止フィルム（反射率Ｒ_ＡＲ（λ））を貼合した形態で上記測定をしてＩ₁’を得た後、反射防止フィルムの反射率Ｒ_ＡＲ（λ）を減算することで得られる。式で表すとＩ₁＝Ｉ₁’－Ｒ_ＡＲ（λ）となる。

　円偏光Ｉ₀₁の透過率は、以下のようにして測定できる。分光光度計（例えば、日本分光社製紫外可視近赤外分光光度計Ｖ－７５０）を用いて、光源と検出器との間に反射円偏光子１０をセットして、反射円偏光子１０を透過した光を検出するようにした。また、光源側に広帯域円偏光板をセットして反射円偏光子１０に右円偏光が入射するようにし、検出器側に広帯域円偏光板をセットして右円偏光をカットし左円偏光のみが検出されるようにして、円偏光Ｉ₀₁の分光放射照度を測定して、入射する右円偏光Ｉ_Rの分光放射照度に対する比率から、円偏光Ｉ₀₁の透過率を求めることができる。

　Ｉ₂は、図７に示すように、反射円偏光子１０が反射する円偏光（図示例では右円偏光Ｉ_R）を反射円偏光子１０に入射した際において、反射円偏光子１０で反射される反射光のうち、反射円偏光子が反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光Ｉ₀₂（図示例では左円偏光）の各波長の反射率（Ｉ₀₂の分光放射照度／Ｉ_Rの分光放射照度）を波長４５０ｎｍから波長６５０ｎｍで平均化し、１／２倍にした値である。Ｉ₂は反射偏光子の両面に反射防止フィルム（反射率Ｒ_ＡＲ（λ））を貼合した形態で上記測定をしてＩ₂’を得た後、反射防止フィルムの反射率Ｒ_ＡＲ（λ）を減算することで得られる。式で表すとＩ₂＝Ｉ₂’－Ｒ_ＡＲ（λ）となる。

　円偏光Ｉ₀₂の反射率は、以下のようにして測定できる。分光光度計（例えば、日本分光社製紫外可視近赤外分光光度計Ｖ－７５０）を用いて、光源および検出器を反射円偏光子１０の一方の面側にセットして、反射円偏光子１０が反射した光を検出するようにした。その際、光源側に広帯域円偏光板をセットして反射円偏光子１０に右円偏光が入射するようにし、検出器側に広帯域円偏光板をセットして右円偏光をカットし左円偏光のみが検出されるようにして、円偏光Ｉ₀₂の分光放射照度を測定して、入射する右円偏光Ｉ_Rの分光放射照度に対する比率から、円偏光Ｉ₀₂の反射率を求めることができる。

　Ｉ₃は、図８に示すように、反射円偏光子１０が反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光（図示例では左円偏光Ｉ_L）を反射円偏光子１０に入射した際において、反射円偏光子１０で反射される反射光Ｉ₀₃の各波長の反射率（Ｉ₀₃の分光放射照度／Ｉ_Lの分光放射照度）を波長４５０ｎｍから波長６５０ｎｍの値で平均化し、１／４倍にした値である。Ｉ₃は反射偏光子の両面に反射防止フィルム（反射率Ｒ_ＡＲ（λ））を貼合した形態で上記測定をしてＩ₃’を得た後、反射防止フィルムの反射率Ｒ_ＡＲ（λ）を減算することで得られる。式で表すとＩ₃＝Ｉ₃’－Ｒ_ＡＲ（λ）となる。

　反射光Ｉ₀₃の反射率は、以下のようにして測定できる。分光光度計（例えば、日本分光社製紫外可視近赤外分光光度計Ｖ－７５０）を用いて、光源および検出器を反射円偏光子１０の一方の面側にセットして、反射円偏光子１０が反射した光を検出するようにした。その際、光源側に広帯域円偏光板をセットして反射円偏光子１０に左円偏光が入射するようにし、検出器側に広帯域円偏光板をセットして右円偏光をカットし左円偏光のみが検出されるようにして、反射光Ｉ₀₃の分光放射照度を測定して、入射する左円偏光Ｉ_Lの分光放射照度に対する比率から、反射光Ｉ₀₃の反射率を求めることができる。

　Ｉ₄は、反射円偏光子１０のヘイズ値を表す。ヘイズ値は、ヘイズメーター(例えば、ＮＤＨ２０００、日本電色工業株式会社製)を用いて、ＪＩＳＫ７１３６に従って測定すればよい。

　Ｉ₅は、反射円偏光子１０に無偏光を入射した際において、積分球で測定した反射率におけるＳＣＥ／ＳＣＩ×１００の値を表す。

　ＳＣＥおよびＳＣＩの測定は、分光光度計（例えば、日本分光社製紫外可視近赤外分光光度計Ｖ－７５０）に積分球ユニットを設置して測定することができる。ＳＣＥは正反射光を光トラップで吸収させることで得られる、正反射除去した時の反射率である。ＳＣＩは光トラップ部に白色板を設置することで得られる、正反射光も含む反射率である。

　反射円偏光子１０が、上記式（１）を満たすことで、仮想現実表示装置に用いた際に、上述した透過ゴーストとなる迷光Ｉ_X1、反射ゴーストとなる迷光Ｉ_X2およびＩ_X3、散乱成分の迷光Ｉ_X4およびＩ_X5を低減することができるため、表示画像のコントラストの低下を抑制することができる。

　ここで、表示画像のコントラストの低下を抑制できる観点から、０≦Ｉ₁＋Ｉ₂＋Ｉ₃＋Ｉ₄＋Ｉ₅＜３．０を満たすのが好ましく、０≦Ｉ₁＋Ｉ₂＋Ｉ₃＋Ｉ₄＋Ｉ₅＜２．８を満たすのがより好ましい。

　ここで、コレステリック液晶層を含む反射円偏光子が、上記式（１）を満たすものとする方法としては、以下の方法がある。

　主に、透過ゴースト、および／または、反射ゴーストに起因するＩ₁、Ｉ₂、および、Ｉ₃を低減する方法としては、コレステリック液晶層の厚み方向レターデーションＲｔｈを相殺するＲｔｈ補償層を設ける方法がある。

　周知のとおり、コレステリック液晶層は、液晶化合物を厚み方向に螺旋状に積み重ねた構成を有している。液晶化合物として棒状液晶化合物を用いた場合には、厚み方向レターデーションＲｔｈが正の値になる。一方、液晶化合物として円盤状液晶化合物を用いた場合には、厚み方向レターデーションＲｔｈが負の値になる。いずれの場合も、反射円偏光子に斜め方向からの入射光に対してゴーストが生じやすくなる。これに対して、Ｒｔｈ補償層を設けて、厚み方向レターデーションＲｔｈを相殺することで、斜め方向からの入射光に対してゴーストの発生を抑制することができる。Ｒｔｈ補償層としては、Ｃプレート等が挙げられる。また、反射円偏光子が、複数のコレステリック液晶層を有する構成の場合には、複数のコレステリック液晶層のうち一部を、棒状液晶化合物を用いて形成されたコレステリック液晶層Ｘとし、他の一部を、円盤状液晶化合物を用いて形成されたコレステリック液晶層Ｙとすることで、厚み方向レターデーションＲｔｈを相殺するものとしてもよい。すなわち、各コレステリック液晶層がＲｔｈ補償層に相当する。

　例えば、図１３に示す例のように、反射円偏光子１０ａが５層のコレステリック液晶層３０～３８を有する場合には、厚み方向に順に、コレステリック液晶層３０を棒状液晶化合物を用いて形成されたコレステリック液晶層Ｘとし、コレステリック液晶層３２を円盤状液晶化合物を用いて形成されたコレステリック液晶層Ｙとし、コレステリック液晶層３４をコレステリック液晶層Ｘとし、コレステリック液晶層３６をコレステリック液晶層Ｙとし、コレステリック液晶層３８をコレステリック液晶層Ｘとすることで、３層のコレステリック液晶層Ｘと２層のコレステリック液晶層Ｙとで、反射円偏光子１０全体として、厚み方向レターデーションＲｔｈを相殺するものとしてもよい。

　なお、上記説明では、棒状液晶化合物を用いて形成されたコレステリック液晶層Ｘと、円盤状液晶化合物を用いて形成されたコレステリック液晶層Ｙとを交互に積層する構成としたが、これに限定はされず、厚み方向レターデーションＲｔｈを相殺できれば、コレステリック液晶層Ｘが連続して積層されてもよいし、コレステリック液晶層Ｙが連続して積層されてもよい。

　また、図１３に示す例では、５層のコレステリック液晶層を有する構成としたが、これに限定はされず、厚み方向レターデーションＲｔｈを相殺できれば、２～４層のコレステリック液晶層を有する構成であってもよく、６層以上のコレステリック液晶層を有する構成であってもよい。

　また、反射円偏光子１０ａが、棒状液晶化合物を用いて形成されたコレステリック液晶層Ｘと、円盤状液晶化合物を用いて形成されたコレステリック液晶層Ｙと有する場合に、コレステリック液晶層Ｘの選択反射中心波長と、コレステリック液晶層Ｙの選択反射中心波長とは、同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。また、複数のコレステリック液晶層Ｘを有する場合に、各コレステリック液晶層Ｘの選択反射中心波長は同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。同様に、複数のコレステリック液晶層Ｙを有する場合に、各コレステリック液晶層Ｙの選択反射中心波長は同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。

　主に、透過ゴースト、および／または、反射ゴーストに起因するＩ₁、Ｉ₂、および、Ｉ₃を低減する別の方法としては、界面反射を抑制する方法がある。図１に示すように、反射円偏光子１０を仮想現実表示装置１００ａに用いる場合には、他の部材（図１に示す例では支持体１４）に貼着して用いられる。その際、反射円偏光子１０と他の部材、あるいは、他の部材に貼着するための貼着層との界面で、反射が生じてしまう。界面で光が反射した場合、反射円偏光子１０（コレステリック液晶層）による反射とは異なり、円偏光の旋回方向が変化するため、旋回方向が変化した円偏光はゴーストの発生の原因となる。そのため、界面反射を抑制することで、ゴーストの発生を抑制できる。

　界面反射を抑制する方法としては、反射円偏光子１０と他の部材、あるいは、反射円偏光子１０と貼着層との間に光干渉層を設ける方法がある。光干渉層は、その屈折率が、反射円偏光子１０の屈折率と他の部材の屈折率との間、あるいは、反射円偏光子１０の屈折率と貼着層の屈折率との間であることが好ましく、膜厚は、６０～１１０ｎｍ、または、２３０～３３０ｎｍの範囲であることが好ましい。これにより、反射円偏光子１０と光干渉層との界面で反射した光と、光干渉層と他の部材（あるいは貼着層）との界面で反射した光との位相を好適にずらして反射光を互いに打ち消すようにできる。その結果、界面での不要な光の反射によるゴーストの発生を抑制できる。

　なお、貼着層の屈折率がｎＡであり、反射円偏光子１０の屈折率がｎＬであるとき、光干渉層の屈折率ｎＩが、（ｎＡ×ｎＬ）^１／２－０．０３≦ｎＩ≦（ｎＡ×ｎＬ）^１／２＋０．０３を満たすのが好ましく、（ｎＡ×ｎＬ）^１／２－０．０２≦ｎＩ≦（ｎＡ×ｎＬ）^１／２＋０．０２を満たすのがより好ましく、（ｎＡ×ｎＬ）^１／２－０．０１≦ｎＩ≦（ｎＡ×ｎＬ）^１／２＋０．０１を満たすのがさらに好ましい。なお、反射円偏光子１０が複数の層を有する場合には、光干渉層と隣接する層の屈折率をｎＬとすればよい。光干渉層の屈折率をこの範囲に設定することで、光干渉層の両界面における反射光の振幅を同程度の大きさにすることができ、より大きな反射防止効果を得られる。

　また、光干渉層の膜厚は、７５～１００ｎｍ、または、２４５～３００ｎｍの範囲にあることがより好ましく、８０～９５ｎｍ、または、２６０～２８５ｎｍの範囲にあることがさらに好ましい。

　主に、散乱成分に起因するＩ₄、および、Ｉ₅を低減する方法としては、コレステリック液晶層中の液晶化合物の配向の乱れを抑制する方法がある。後述するようにコレステリック液晶層は、液晶化合物を含む液晶組成物をコレステリック液晶層を形成する面（配向膜上）に塗布した後、塗膜中の液晶化合物をコレステリック配向させるため、配向処理（加熱等）を行い、その後、紫外線（ＵＶ）を照射して硬化させることで形成される。その際、棒状液晶化合物を用いる場合には、ＵＶ硬化時の温度をより低い温度とすることが好ましい。一方、円盤状液晶化合物を用いる場合には、ＵＶ硬化時の温度をより高い温度とするか、または、ＵＶ硬化時の温度で一定時間放置した後にＵＶ硬化することが好ましい。これにより、液晶化合物の配向の乱れが少ないコレステリック液晶層を形成することができ、コレステリック液晶層を透過する際の、あるいは、反射する際の光の散乱を低減することができる。その結果、光の散乱によるゴーストの発生を抑制できる。

　具体的には、棒状液晶化合物を用いる場合には、ＵＶ硬化時の温度を３０～６０℃とするのが好ましく、４０～５０℃とするのがより好ましい。

　また、円盤状液晶化合物を用いる場合には、ＵＶ硬化時の温度を５０～１００℃とするのが好ましく、６０～８０℃とするのがより好ましい。

　また、円盤状液晶化合物を用いる場合には、ＵＶ硬化時の温度が５０℃以下の場合には、ＵＶ硬化前の放置時間を３～６０分とするのが好ましく、５～１０分とするのがより好ましい。

　Ｉ₅を低減するその他の方法としては、コレステリック液晶層を構成する螺旋構造に乱れが発生することを抑制する方法がある。螺旋構造の乱れとは、コレステリック液晶層を構成する液晶材料の配向方向（ダイレクター）が等しい面を等位相面とした時に、等位相面が平面とならず面の一部もしくは全面に凹凸を有する状態を指す。等位相面に凹凸が発生する理由としては、コレステリック配向が不連続となる転傾の発生、波打ち構造の発生、螺旋ピッチの液晶層内でのばらつき、が挙げられる。

　転傾は不純物の混入、液晶材料の析出が原因となる場合がある。それに対してＵＶ硬化前の液晶配向促進のための加熱処理を高温もしくは長時間にして素材の溶解、拡散を促進することで改善する方法がある。また溶液の溶剤選択および固形分の調整等により溶解性を高めて析出の発生を抑制する方法がある。

　波打ち構造の発生は、下地となる配向膜の配向度が不足する時に発生する場合があり、配向度を上げることで改善する方法がある。また配向膜もしくは下層の液晶層に発生した凹凸が伝播して発生する場合があり、配向膜もしくは下層の液晶層の凹凸を低減することで改善する方法がある。また塗膜の空気界面で素材が相分離構造を発現して発生することがあり、塗膜の温度を上げて相分離を解消することで改善する方法がある。

　螺旋ピッチの液晶層内でのばらつきは硬化収縮の不均一によって発生する場合がある。硬化収縮の不均一さは液晶材料の粘度が高い時、例えば円盤状液晶化合物を使用した時に発生しやすい。これを改善する方法としては、塗膜の温度を上げて粘度を下げる方法、光重合開始剤の量を増やしてラジカル重合の開始点を増やす方法、紫外線硬化のための紫外線の照度を挙げてラジカル重合の開始点を増やす方法が挙げられる。

　また、反射円偏光子１０が、選択反射中心波長が異なる複数のコレステリック液晶層を有する場合には、視感度の高い波長域を反射するコレステリック液晶層を、光が入射する側（ハーフミラー１２側）の１層目とするのが好ましい。すなわち、選択反射中心波長が５５０ｎｍに最も近いコレステリック液晶層をハーフミラー１２側に配置するのが好ましい。これにより、視感度の高い波長域の光が他のコレステリック液晶層を通過する前に１層目のコレステリック液晶層で反射することができるため、コレステリック液晶層間の界面等で散乱されることを抑制することができる。

［積層光学フィルム］
　本発明の積層光学フィルムは、反射円偏光子と、吸収型直線偏光子とを含む積層光学フィルムであって、
　前記積層光学フィルムが、下記式（２）の関係を満たす、積層光学フィルムである。
　　式（２）　Ｉ₆＋Ｉ₇＋Ｉ₈＋Ｉ₉＋Ｉ₁₀＜３．５

　ここで、Ｉ₆は、積層光学フィルムが反射する円偏光を積層光学フィルムの反射円偏光子側から入射した際において、積層光学フィルムの透過率を２倍にした値である。

　Ｉ₇は、積層光学フィルムが反射する円偏光を積層光学フィルムの反射円偏光子側から入射した際において、積層光学フィルムで反射される反射光のうち、反射円偏光子が反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光の反射率を１／２倍にした値である。

　Ｉ₈は、積層光学フィルムが反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光を積層光学フィルムの反射円偏光子側から入射した際において、積層光学フィルムで反射される反射光の反射率を１／４倍にした値である。

　Ｉ₉は、積層光学フィルムに積層光学フィルムの反射円偏光子側から光を入射した際のヘイズ値を表す。

　Ｉ₁₀は、積層光学フィルムに無偏光を積層光学フィルムの反射円偏光子側から入射した際において、積分球で測定した反射率におけるＳＣＥ／ＳＣＩ×１００の値を表す。

［仮想現実表示装置Ｂ］
　本発明の仮想現実表示装置は、上述した積層光学フィルムを有する仮想現実表示装置である。好ましくは、仮想現実表示装置はさらに、ハーフミラーを含む。

　図９に本発明の積層光学フィルムを含む、本発明の仮想現実表示装置の他の一例の概念図を示す。

　図９に示す仮想現実表示装置１００ｂは、画像表示パネル１０２と、λ／４板１０４と、吸収直線偏光子１０６と、λ／４板１０８と、ハーフミラー１２と、支持体１４と、位相差層１８と、反射直線偏光子１６と、吸収直線偏光子２２と、をこの順に有する。位相差層１８と反射直線偏光子１６との積層体が反射円偏光子１１に相当し、反射円偏光子１１と吸収直線偏光子２２との積層体が本発明の積層光学フィルム２０ｂに相当する。なお、λ／４板１０４、吸収直線偏光子１０６、λ／４板１０８、および、支持体１４は、本発明の仮想現実表示装置が好ましく有する部材である。

　仮想現実表示装置１００ｂは、画像表示パネル１０２が出射した画像となる光が、λ／４板１０４、吸収直線偏光子１０６、および、λ／４板１０８の順に通過して、円偏光に変換されてハーフミラー１２に入射する。以下、一例として、右円偏光Ｉ_R1としてハーフミラー１２に入射するものとして説明する。

　ハーフミラー１２に入射した右円偏光Ｉ_R1の一部は、ハーフミラー１２を透過して、支持体１４を透過して、反射円偏光子１１に入射する。図９に示す例では、反射円偏光子１１は、ハーフミラー１２側に位相差層１８を有しており、入射した右円偏光Ｉ_R1を直線偏光に変換する。この直線偏光は反射直線偏光子１６に入射する。反射直線偏光子１６は、その反射軸の向きが、位相差層１８によって右円偏光から変換された直線偏光を反射するように配置されている。反射直線偏光子１６が反射した直線偏光は、再度、位相差層１８に入射して右円偏光Ｉ_R2に変換される。この右円偏光Ｉ_R2は、ハーフミラー１２に入射して、一部が反射されて、反射円偏光子１１に向けて進行する。その際、ハーフミラー１２による反射により、円偏光の旋回方向が反転するため、右円偏光Ｉ_R2は、左円偏光Ｉ_L1に変換される。反射円偏光子１１に入射した左円偏光Ｉ_L1は、位相差層１８により直線偏光に変換される。この直線偏光は偏光方向が、反射直線偏光子１６の反射軸と直交するため、反射直線偏光子１６を透過する。この直線偏光は、吸収直線偏光子２２に入射するが、吸収直線偏光子２２の透過軸は、反射直線偏光子１６の透過軸と平行に配置されているため、吸収直線偏光子２２を通過して、使用者Ｕに照射される。これにより、画像表示パネル１０２が表示した映像（画像）は、虚像として使用者Ｕに視認される。

　仮想現実表示装置１００ｂにおいて、理想的には上述した光路を光が進行して使用者Ｕに画像を表示するが、この光路から外れた迷光Ｉ_Xが存在することで、表示画像のコントラストが低下することがわかった。また、迷光Ｉ_Xの発生原因も種々存在することがわかた。この点について、図１０を用いて説明する。

　図１０は、積層光学フィルムを有する仮想現実表示装置におけるコントラスト低下の原因を説明するための概略図である。なお、図１０においては、説明のため、λ／４板１０４、吸収直線偏光子１０６、λ／４板１０８、および、支持体１４の図示は省略するが、図１０に示す仮想現実表示装置においても、これらの部材を有していてもよい。

　主像の光路については図９で説明したとおりである。

　図１０に示すように、画像表示パネル１０２から照射されてハーフミラー１２を透過した右円偏光Ｉ_R1が、反射円偏光子１１に入射した際に、反射されずに透過する迷光が生じる。この迷光のうち、吸収直線偏光子２２の吸収軸と平行な直線偏光成分は吸収されるが、吸収軸と直交する直線偏光成分は透過して、迷光Ｉ_X6が生じる。このような迷光Ｉ_X6は、透過ゴーストとなって主像に重畳して表示される（図４参照）。そのため、透過ゴーストの白部２０８の一部が、主像の黒表示部２０２の一部と重畳してしまう。この重畳部２０９では、透過ゴーストの白部２０８の影響により、輝度が高くなるため、グレー表示になってしまう。そのため、実際に表示されるチェッカーパターンの黒表示部と白表示部との輝度の比、すなわち、コントラストが低下してしまう。

　また、図１０にI_X7で示すように、ハーフミラー１２および反射円偏光子１１で各２回、反射されて出射する迷光I_X7が原因で反射ゴーストが生じる。本発明者らの検討によれば、主像の光路において、右円偏光Ｉ_R1が反射円偏光子１１で反射される際に、左円偏光として反射される成分が生じることに起因して、迷光I_X7が生じることがわかった。具体的には、反射円偏光子１１で左円偏光として反射された光の一部は、ハーフミラー１２で反射され、その際、右円偏光に変換される。この右円偏光は反射円偏光子１１で反射されてハーフミラー１２に入射し、その一部がハーフミラー１２で反射されて左円偏光に変換されて、再度、反射円偏光子１１に入射して、反射円偏光子１１を透過して迷光Ｉ_X7として出射される。

　また、図１０にI_X8で示すように、ハーフミラー１２および反射円偏光子１１で各３回、反射されて出射する迷光I_X8が原因で反射ゴーストが生じる。本発明者らの検討によれば、主像の光路において、左円偏光Ｉ_L1が反射円偏光子１１を透過する際に、反射される成分が生じることに起因して、迷光I_X8が生じることがわかった。具体的には、ハーフミラー１２で反射された左円偏光Ｉ_L1が反射円偏光子１１に入射した際に、その一部が反射される。この左円偏光がハーフミラー１２に入射して、その一部がハーフミラー１２で反射され、その際、右円偏光に変換される。この右円偏光は反射円偏光子１１で反射されてハーフミラー１２に入射し、その一部がハーフミラー１２で反射されて左円偏光に変換されて、再度、反射円偏光子１１に入射して、反射円偏光子１１を透過して迷光Ｉ_X8として出射される。

　このような迷光Ｉ_X7および迷光Ｉ_X8は、反射ゴーストとなって主像に重畳して表示される（図５参照）。そのため、反射ゴーストの白部２１２の一部が、主像の黒表示部２０２の一部と重畳してしまう。この重畳部２１３では、反射ゴーストの白部２１２の影響により、輝度が高くなるため、グレー表示になってしまう。そのため、実際に表示されるチェッカーパターンの黒表示部と白表示部との輝度の比、すなわち、コントラストが低下してしまう。

　また、図１０にI_X9で示すように、ハーフミラー１２で反射された左円偏光Ｉ_L1が、反射円偏光子１１を透過する際に、一部が散乱して迷光Ｉ_X9が生じる。このような迷光Ｉ_X9は、主像の白部が拡散されてぼやけた像として、主像に重畳して表示される（図６参照）。そのため、図６に示すように、主像全体に重畳して、黒表示部２０２の輝度が高くなって、グレー表示になってしまう。そのため、実際に表示されるチェッカーパターンの黒表示部と白表示部との輝度の比、すなわち、コントラストが低下してしまう。

　また、図１０にI_X10で示すように、ハーフミラー１２を透過した右円偏光Ｉ_R1が、反射円偏光子１１で反射される際に、一部が散乱して迷光Ｉ_X10が生じる。このような迷光Ｉ_X10は、主像の白部が拡散されてぼやけた像として、主像に重畳して表示される（図６参照）。そのため、図６に示すように、主像全体に重畳して、黒表示部２０２の輝度が高くなって、グレー表示になってしまう。そのため、実際に表示されるチェッカーパターンの黒表示部と白表示部との輝度の比、すなわち、コントラストが低下してしまう。

　これに対して、本発明の積層光学フィルムは、反射円偏光子と吸収直線偏光子とを含み、積層光学フィルムが、下記式（２）の関係を満たす。
　　式（２）　Ｉ₆＋Ｉ₇＋Ｉ₈＋Ｉ₉＋Ｉ₁₀＜３．５

　ここで、Ｉ₆は、図１１に示すように、積層光学フィルム２０が反射する円偏光（図示例では右円偏光Ｉ_R）を反射円偏光子１１側から入射した際において、積層光学フィルムを透過する透過光Ｉ₀₆（直線偏光）の各波長の透過率（Ｉ₀₆の分光放射照度／Ｉ_Rの分光放射照度）を波長４５０ｎｍから波長６５０ｎｍで平均化し、２倍にした値である。Ｉ₆は積層光学フィルムの両面に反射防止フィルム（反射率Ｒ_ＡＲ（λ））を貼合した形態で上記測定をしてＩ₆’を得た後、反射防止フィルムの反射率Ｒ_ＡＲ（λ）を減算することで得られる。式で表すとＩ₆＝Ｉ₆’－Ｒ_ＡＲ（λ）となる。

　透過光Ｉ₀₆の透過率は、以下のようにして測定できる。分光光度計（例えば、日本分光社製紫外可視近赤外分光光度計Ｖ－７５０）を用いて、光源と検出器との間に積層光学フィルム２０をセットして、積層光学フィルム２０を透過した光を検出するようにした。また、光源側に広帯域円偏光板をセットして反射円偏光子１１に右円偏光が入射するようにして、透過光Ｉ₀₆の分光放射照度を測定して、入射する右円偏光Ｉ_Rの分光放射照度に対する比率から、透過光Ｉ₀₆の透過率を求めることができる。

　Ｉ₇は、図１１に示すように、積層光学フィルム２０が反射する円偏光（図示例では右円偏光Ｉ_R）を反射円偏光子１１側から入射した際において、積層光学フィルム２０で反射される反射光のうち、反射円偏光子１１が反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光Ｉ₀₇（図示例では左円偏光）の各波長の反射率（Ｉ₀₇の分光放射照度／Ｉ_Rの分光放射照度）を波長４５０ｎｍから波長６５０ｎｍで平均化し、１／２倍にした値である。Ｉ_７は積層光学フィルムの両面に反射防止フィルム（反射率Ｒ_ＡＲ（λ））を貼合した形態で上記測定をしてＩ_７’を得た後、反射防止フィルムの反射率Ｒ_ＡＲ（λ）を減算することで得られる。式で表すとＩ_７＝Ｉ_７’－Ｒ_ＡＲ（λ）となる。

　円偏光Ｉ₀₇の反射率は、以下のようにして測定できる。分光光度計（例えば、日本分光社製紫外可視近赤外分光光度計Ｖ－７５０）を用いて、光源および検出器を積層光学フィルム２０の一方の面側にセットして、積層光学フィルム２０が反射した光を検出するようにした。その際、光源側に広帯域円偏光板をセットして反射円偏光子に右円偏光が入射するようにし、検出器側に広帯域円偏光板をセットして右円偏光をカットし左円偏光のみが検出されるようにして、円偏光Ｉ₀₇の分光放射照度を測定して、入射する右円偏光Ｉ_Rの分光放射照度に対する比率から、円偏光Ｉ₀₇の反射率を求めることができる。

　Ｉ₈は、図１２に示すように、積層光学フィルム２０が反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光（図示例では左円偏光Ｉ_L）を反射円偏光子１１側から入射した際において、積層光学フィルム２０で反射される反射光Ｉ₀₈の各波長の反射率（Ｉ₀₈の分光放射照度／Ｉ_Ｌの分光放射照度）を波長４５０ｎｍから波長６５０ｎｍで平均化し、１／４倍にした値である。Ｉ₈は積層光学フィルムの両面に反射防止フィルム（反射率Ｒ_ＡＲ（λ））を貼合した形態で上記測定をしてＩ₈’を得た後、反射防止フィルムの反射率Ｒ_ＡＲ（λ）を減算することで得られる。式で表すとＩ₈＝Ｉ₈’－Ｒ_ＡＲ（λ）となる。

　反射光Ｉ₀₈の反射率は、以下のようにして測定できる。分光光度計（例えば、日本分光社製紫外可視近赤外分光光度計Ｖ－７５０）を用いて、光源および検出器を積層光学フィルム２０の一方の面側にセットして、積層光学フィルム２０が反射した光を検出するようにした。その際、光源側に広帯域円偏光板をセットして積層光学フィルム２０に左円偏光が入射するようにし、検出器側に広帯域円偏光板をセットして右円偏光をカットし左円偏光のみが検出されるようにして、反射光Ｉ₀₈の分光放射照度を測定して、入射する左円偏光Ｉ_Lの分光放射照度に対する比率から、反射光Ｉ₀₈の反射率を求めることができる。

　Ｉ₉は、積層光学フィルム２０のヘイズ値を表す。ヘイズ値は、ヘイズメーター(例えば、ＮＤＨ２０００、日本電色工業株式会社製)を用いて、ＪＩＳＫ７１３６に従って測定すればよい。

　Ｉ₁₀は、積層光学フィルム２０に無偏光を入射した際において、積分球で測定した反射率におけるＳＣＥ／ＳＣＩ×１００の値を表す。

　積層光学フィルム２０が、上記式（２）を満たすことで、仮想現実表示装置に用いた際に、上述した透過ゴーストとなる迷光Ｉ_X6、反射ゴーストとなる迷光Ｉ_X7およびＩ_X8、散乱成分となる迷光Ｉ_X9およびＩ_X10を低減することができるため、表示画像のコントラストの低下を抑制することができる。

　ここで、表示画像のコントラストの低下を抑制できる観点から、０≦Ｉ₆＋Ｉ₇＋Ｉ₈＋Ｉ₉＋Ｉ₁₀＜３．５を満たすのが好ましく、０≦Ｉ₆＋Ｉ₇＋Ｉ₈＋Ｉ₉＋Ｉ₁₀＜３．３を満たすのがより好ましい。

　ここで、位相差層１８と反射直線偏光子１６とを含む反射円偏光子１１を有する積層光学フィルム２０ｂが、上記式（２）を満たすものとする方法としては、以下の方法がある。

　主に、透過ゴースト、および／または、反射ゴーストに起因するＩ₆およびＩ₇を低減する方法としては、界面反射を抑制する方法がある。図９に示すように、積層光学フィルム２０ｂを仮想現実表示装置１００ｂに用いる場合には、他の部材（図２に示す例では支持体１４）に貼着して用いられる。その際、積層光学フィルム２０ｂと他の部材、あるいは、他の部材に貼着するための貼着層との界面で、反射が生じてしまう。界面で光が反射した場合、反射円偏光子１１による反射とは異なり、円偏光の旋回方向が変化するため、旋回方向が変化した円偏光はゴーストの発生の原因となる。そのため、界面反射を抑制することで、ゴーストの発生を抑制できる。

　界面反射を抑制する方法としては、上述した例と同様に、反射円偏光子１１と他の部材、あるいは、反射円偏光子１１と貼着層との間に光干渉層を設ける方法がある。例えば、光干渉層を、位相差層１８のハーフミラー１２側の面に配置すればよい。

　主に、反射ゴーストに起因するＩ₇を低減する方法としては、主像のパス（反射円偏光子１１⇒ハーフミラー１２⇒反射円偏光子１１の順に通過する光路）において、２回目に反射円偏光子１１に入射する時の偏光状態を可視域の波長域に渡って理想の直線偏光（反射直線偏光子１６の透過軸に平行）に近づける方法がある。理想の直線偏光からずれていると、２回目に反射直線偏光子１６に入射する際に反射直線偏光子１６の反射軸に平行な成分を反射してしまいＩ₇を増加させてしまう。

　主像のパスにおいて、２回目に反射直線偏光子１６に入射する時の偏光状態を可視域の波長域に渡って理想の直線偏光（反射直線偏光子１６の透過軸に平行）に近づける方法としては、位相差層１８に広帯域λ／４板を使用する方法がある。

　また、主に、反射ゴーストに起因するＩ₈を低減する方法としては、反射直線偏光子１６の透過軸方向の光反射を抑制する方法がある。

　反射直線偏光子１６の透過軸方向の光反射を抑制する方法としては、材料および作製プロセス等の最適化により反射直線偏光子１６を構成する部材の透過軸の屈折率変化を抑制する方法がある。

　ここで、上述した例では、積層光学フィルム２０ｂは、反射円偏光子１１が、位相差層１８と反射直線偏光子１６とを含む構成としたがこれに限定はされない。積層光学フィルム２０は、反射円偏光子がコレステリック液晶層を含むものであってもよい。この場合には、積層光学フィルム２０ａは、反射円偏光子１０と吸収直線偏光子２２との間に位相差層２４を有することが好ましい（図１参照）。

　積層光学フィルム２０ａが、反射円偏光子１０と、位相差層２４と、吸収直線偏光子２２とをこの順に有する構成の場合にも、上記式（２）を満たすことで、仮想現実表示装置に用いた際に、表示画像のコントラストの低下を抑制することができる。

　ここで、コレステリック液晶層を含む反射円偏光子１０を有する積層光学フィルム２０ａが、上記式（２）を満たすものとする方法としては、上述した、コレステリック液晶層を含む反射円偏光子が、上記式（１）を満たすものとする方法と同様の方法が挙げられる。

　以下、各構成要素について説明する。

〔反射円偏光子〕
　反射円偏光子とは、右円偏光または左円偏光を透過して、透過する円偏光とは旋回方向が逆の円偏光を反射する偏光子である。反射円偏光子としては、一例として、コレステリック液晶層を有する反射円偏光子が例示される。また、反射円偏光子がコレステリック液晶層を有する場合は、支持体と、コレステリック液晶層中の液晶化合物を配向させるための配向膜を有していてもよい。また、前述のとおり、反射円偏光子は、複数のコレステリック液晶層を有していてもよく、複数のコレステリック液晶層は、選択反射中心波長が互いに異なるものであってもよい。

〔コレステリック液晶層〕
　コレステリック液晶層とは、液晶化合物がコレステリック配向した液晶層を指す。なお、コレステリック配向とは、コレステリック液晶相となっている液晶化合物の配向をいい、コレステリック液晶層とは、コレステリック配向が保持されている層であればよい。典型的には、重合性基を有する重合性液晶化合物を、カイラル剤を添加する等の方法でコレステリック液晶相の配向状態としたうえで、紫外線照射、加熱等によって重合、硬化し、流動性が無い層を形成して、形成できる。

　コレステリック液晶層は、外場および外力等によって配向形態に変化を生じさせることのない状態に変化した層であることが好ましい。なお、コレステリック液晶層においては、コレステリック液晶相の光学的性質が層中において保持されていれば十分であり、コレステリック液晶層中の液晶化合物は、もはや液晶性を示していなくてもよい。例えば、重合性液晶化合物は、硬化反応により高分子量化して、もはや液晶性を失っていてもよい。

　コレステリック液晶層の反射光の中心波長λは、コレステリック液晶相における螺旋構造の螺旋ピッチ数Ｐ（＝螺旋の周期）に依存し、コレステリック液晶層の平均屈折率ｎを用いて、λ＝ｎ×Ｐの関係で表される。なお、コレステリック液晶層の反射光の中心波長は、以下のようにして求めることができる。分光光度計を用いてコレステリック液晶層の透過スペクトルをコレステリック液晶層の法線方向から測定すると、反射光の中心波長付近の領域において、透過率が低下するピークを有するスペクトルが得られる。すなわち、反射光の中心波長付近の領域において、反射率が上昇するピークを有する反射スペクトルが得られる。このうち、最も大きいピークの値の１／２の値の透過率となる２つの波長のうち、短波長側の波長の値をλ_１（ｎｍ）、長波長側の波長の値をλ_２（ｎｍ）とし、反射光の中心波長λは、下記式で求められる。
　　λ＝（λ_１＋λ_２）／２

　なお、上記手順で求めたλ_１は、上記最外コレステリック液晶層の反射スペクトルについて同様の手順で求めた場合、上記短波長側の半値波長であるλｍｉｎとなる。また、λ_２は、上記最外コレステリック液晶層の反射スペクトルについて同様の手順で求めた場合、上記長波長側の半値波長であるλｍａｘとなる。

　コレステリック液晶相の螺旋ピッチは、液晶化合物とともに用いるカイラル剤の種類、およびその添加濃度で変化し、上記いずれか１つ以上を調整することで所望のピッチのコレステリック液晶相が得られる。なお、螺旋の旋回方向、および螺旋ピッチの測定方法については、「液晶化学実験入門」日本液晶学会編　シグマ出版２００７年出版、４６頁、および「液晶便覧」液晶便覧編集委員会　丸善　１９６頁に記載の方法を用いることができる。具体的には、実施例に示す方法で螺旋ピッチ数Ｐを測定する。

　コレステリック液晶層の厚さは、反射すべき偏光を十分に反射することができ、かつ、透過すべき偏光を十分に透過することができる厚さに適宜調整すればよい。

　コレステリック液晶層に含まれる液晶化合物は、特に制限されないが、例えば、棒状液晶化合物、および、円盤状液晶化合物が挙げられる。

　棒状液晶化合物は、公知の棒状液晶化合物が挙げられ、重合性基を有する重合性棒状液晶化合物が好ましく挙げられる。棒状液晶化合物の例としては、特に制限されないが、例えば、特表平１１－５１３０１９号公報の請求項１または特開２００５－２８９９８０号公報の段落［００２６］～［００９８］に記載のものが挙げられる。

　棒状液晶化合物は屈折率異方性Δｎが高い（高Δｎ）液晶化合物を用いることも好ましい。ここで、Δｎとは、遅相軸方向の屈折率と進相軸方向の屈折率の差分である。

　棒状液晶化合物が高Δｎの特性を有していると、コレステリック液晶相の螺旋構造の巻き数が少なくても高い反射率が得られるため、薄い膜厚でも所望の反射特性を得ることができる。薄膜化によりコレステリック液晶層の法線方向から斜めに傾いた入射光に対して生じる位相差の大きさを低減することができ、その結果としてよりゴーストを低減することができる。

　屈折率異方性Δｎの高い液晶化合物としては、特に限定されないが、国際公開第２０１９／１８２１２９号の段落［００１４］～［００２９］に例示の化合物、および、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を好ましく用いることができる。

　一般式（Ｉ）中、Ｐ^１およびＰ^２は、それぞれ独立に、水素原子、－ＣＮ、－ＮＣＳまたは重合性基を表す。

　一般式（Ｉ）中、Ｓｐ^１およびＳｐ^２は、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表す。ただし、Ｓｐ^１およびＳｐ^２は、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基および脂肪族炭化水素環基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基を含む２価の連結基を表すことはない。

　一般式（Ｉ）中、Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は、それぞれ独立に、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＨＲ－、－ＣＨＲＣＨＲ－、－ＯＣＨＲ－、－ＣＨＲＯ－、－ＳＯ－、－ＳＯ_２－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯ－Ｓ－、－Ｓ－ＣＯ－、－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－、－ＣＯ－ＮＲ－、－ＮＲ－ＣＯ－、－ＳＣＨＲ－、－ＣＨＲＳ－、－ＳＯ－ＣＨＲ－、－ＣＨＲ－ＳＯ－、－ＳＯ_２－ＣＨＲ－、－ＣＨＲ－ＳＯ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｓ－、－ＳＣＦ_２－、－ＯＣＨＲＣＨＲＯ－、－ＳＣＨＲＣＨＲＳ－、－ＳＯ－ＣＨＲＣＨＲ－ＳＯ－、－ＳＯ_２－ＣＨＲＣＨＲ－ＳＯ_２－、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－、－ＣＨ＝ＣＨ－ＯＣＯ－、－ＣＯＯ－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＯＯ－ＣＨＲＣＨＲ－、－ＯＣＯ－ＣＨＲＣＨＲ－、－ＣＨＲＣＨＲ－ＣＯＯ－、－ＣＨＲＣＨＲ－ＯＣＯ－、－ＣＯＯ－ＣＨＲ－、－ＯＣＯ－ＣＨＲ－、－ＣＨＲ－ＣＯＯ－、－ＣＨＲ－ＯＣＯ－、－ＣＲ＝ＣＲ－、－ＣＲ＝Ｎ－、－Ｎ＝ＣＲ－、－Ｎ＝Ｎ－、－ＣＲ＝Ｎ－Ｎ＝ＣＲ－、－ＣＦ＝ＣＦ－またはＣ≡Ｃ－を表す。Ｒは水素原子または炭素原子数１～１０のアルキル基を表す。Ｒが複数存在する場合は、同一であっても異なっていてもよい。Ｚ^１およびＺ^２は、それぞれ複数存在する場合は、同一であっても異なっていてもよい。複数存在するＺ^３は、同一であっても異なっていてもよい。ただし、Ｓｐ^２に連結したＺ^３は、単結合を表す。

　一般式（Ｉ）中、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、単結合または－Ｓ－を表す。複数存在するＸ^１およびＸ^２は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。ただし、複数存在するＸ^１および複数存在するＸ^２のうち、いずれか少なくとも１つは－Ｓ－を表す。

　一般式（Ｉ）中、ｋは２～４の整数を表す。

　一般式（Ｉ）中、ｍおよびｎは、それぞれ独立に、０～３の整数を表す。複数存在するｍは、同一であっても異なっていてもよい。

　一般式（Ｉ）中、Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３およびＡ^４は、それぞれ独立に、下記一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－７）のいずれかで表される基、または下記一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－７）のいずれかで表される基を２つ以上３つ以下連結してなる基を表す。複数存在するＡ^２およびＡ^３は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ａ^１およびＡ^４は、それぞれ複数存在する場合は、同一であっても異なっていてもよい。

　一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－７）中、Ｗ^１～Ｗ^１８は、それぞれ独立に、ＣＲ^１またはＮを表し、Ｒ^１は水素原子または下記置換基Ｌを表す。

　一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－７）中、Ｙ^１～Ｙ^６は、それぞれ独立に、ＮＲ^２、ＯまたはＳを表し、Ｒ^２は水素原子または下記置換基Ｌを表す。

　一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－７）中、Ｇ^１～Ｇ^４は、それぞれ独立に、ＣＲ^３Ｒ^４、ＮＲ^５、ＯまたはＳを表し、Ｒ^３～Ｒ^５は、それぞれ独立に、水素原子または下記置換基Ｌを表す。

　一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－７）中、Ｍ^１およびＭ^２は、それぞれ独立に、ＣＲ^６またはＮを表し、Ｒ^６は水素原子または下記の置換基Ｌを表す。

　一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－７）中、＊は結合位置を表す。

　置換基Ｌは、炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数１～１０のアルコキシ基、炭素原子数１～１０のアルキルアミノ基、炭素原子数１～１０のアルキルチオ基、炭素原子数１～１０のアルカノイル基、炭素原子数１～１０のアルカノイルオキシ基、炭素原子数１～１０のアルカノイルアミノ基、炭素原子数１～１０のアルカノイルチオ基、炭素原子数２～１０のアルキルオキシカルボニル基、炭素原子数２～１０のアルキルアミノカルボニル基、炭素原子数２～１０のアルキルチオカルボニル基、ヒドロキシ基、アミノ基、メルカプト基、カルボキシ基、スルホ基、アミド基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子または重合性基である。ただし、置換基Ｌとして記載した上記基が－ＣＨ_２－を有する場合、上記基に含まれる－ＣＨ_２－の少なくとも１つを、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＨ＝ＣＨ－または－Ｃ≡Ｃ－に置き換えてなる基も置換基Ｌに含まれる。また、置換基Ｌとして記載した上記基が水素原子を有する場合、上記基に含まれる水素原子の少なくとも１つを、フッ素原子および重合性基からなる群より選択される少なくとも１つに置き換えてなる基も、置換基Ｌに含まれる。

　よりゴーストを低減するため、液晶化合物の屈折率異方性Δｎ_５５０（波長５５０ｎｍにおける屈折率異方性）は、０．１２以上が好ましく、０．１６以上がより好ましく、０．２０以上がさらに好ましく、０．２５以上が最も好ましい。Δｎ_５５０（波長５５０ｎｍにおける屈折率異方性）の上限としては、界面反射抑制の観点から、０．９０以下が好ましく、０．７０以下がより好ましく、０．５０以下が最も好ましい。

　円盤状液晶化合物は、公知の円盤状液晶化合物が挙げられ、重合性基を有する重合性円盤状液晶化合物が好ましく挙げられる。円盤状液晶化合物の例としては、特に制限されないが、例えば、特開２００７－１０８７３２号広報の段落[００２０]～[０１２２]に記載の円盤状液晶化合物を好適に用いることができる。

　また、円盤状液晶化合物は屈折率異方性Δｎが高い（高Δｎ）液晶化合物を用いることも好ましい。ここで、Δｎとは、遅相軸方向の屈折率と進相軸方向の屈折率の差分である。

　円盤状液晶化合物が高Δｎの特性を有していると、コレステリック液晶相の螺旋構造の巻き数が少なくても高い反射率が得られるため、薄い膜厚でも所望の反射特性を得ることができる。薄膜化によりコレステリック液晶層の法線方向から斜めに傾いた入射光に対して生じる位相差の大きさを低減することができ、その結果としてよりゴーストを低減することができる。高Δｎの円盤状液晶化合物は、例えば、特開２０１０－２４４０３８号公報の段落[００１２]～[０１０８]に記載の円盤状液晶化合物を好適に用いることができる。

　よりゴーストを低減するため、液晶化合物の屈折率異方性Δｎ５５０（波長５５０ｎｍにおける屈折率異方性）は０．１２以上が好ましく、０．１６以上がより好ましく、０．２０以上がさらに好ましく、０．２５以上が最も好ましい。Δｎ_５５０（波長５５０ｎｍにおける屈折率異方性）の上限としては、界面反射抑制の観点から、０．９０以下が好ましく、０．７０以下がより好ましく、０．５０以下が最も好ましい。

　液晶化合物が有していてもよい重合性基は、特に制限されないが、付加重合反応が可能な官能基が好ましく、重合性エチレン性不飽和基または環重合性基がより好ましく、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、スチリル基、または、アリル基がさらに好ましい。

　液晶化合物が有する重合性基の数は特に制限されないが、２以上が好ましい。上限は特に制限されないが、１０以下の場合が多い。

　コレステリック液晶層は、重合性基を有する液晶化合物を用いて形成された層であることが好ましく、重合性基を有する液晶化合物の配向状態を固定してなる層であることがより好ましい。

　なお、「固定した」状態は、液晶化合物の配向が保持された状態が最も典型的、且つ、好ましい態様である。それだけには制限されず、具体的には、通常０～５０℃、より過酷な条件下では－３０～７０℃の温度範囲において、層に流動性がなく、また、外場もしくは外力によって配向形態に変化を生じさせることなく、固定された配向形態を安定に保ち続けることができる状態であることがより好ましい。

　またコレステリック液晶相のピッチは、膜厚方向に変化していても良い。膜厚方向にピッチが変化している様子をピッチグラジエントと呼び、膜厚方向にピッチが変化している層をピッチグラジエント層と呼ぶ。ピッチグラジエント層は、公知の方法で作製でき、例えば、特開２０２０－０６０６２７号公報等を参照して作製できる。ピッチグラジエント層では、膜厚方向に螺旋ピッチが変化しているため、複数の波長域の光を反射し得る。

　コレステリック液晶層を形成する際には、コレステリック液晶層の形成面に液晶組成物を塗布して、液晶化合物をコレステリック液晶相の状態に配向した後、液晶化合物を硬化して、コレステリック液晶層とするのが好ましい。すなわち、配向膜上にコレステリック液晶層を形成する場合には、配向膜に液晶組成物を塗布して、液晶化合物をコレステリック液晶相の状態に配向した後、液晶化合物を硬化して、コレステリック液晶相を固定してなるコレステリック液晶層を形成するのが好ましい。

　液晶組成物の塗布は、インクジェットおよびスクロール印刷等の印刷法、ならびに、スピンコート、バーコートおよびスプレー塗布等のシート状物に液体を一様に塗布できる公知の方法が全て利用可能である。

　塗布された液晶組成物は、必要に応じて乾燥および／または加熱され、その後、硬化され、コレステリック液晶層を形成する。この乾燥および／または加熱の工程で、液晶組成物中の液晶化合物がコレステリック液晶相に配向すればよい。加熱を行う場合、加熱温度は、２００℃以下が好ましく、８０℃以上１３０℃以下がより好ましい。

　配向させた液晶化合物は、必要に応じて、さらに重合される。重合は、熱重合、および、光照射による光重合のいずれでもよいが、光重合が好ましい。光照射は、紫外線を用いるのが好ましい。照射エネルギーは、２０ｍＪ／ｃｍ^２～５０Ｊ／ｃｍ^２が好ましく、５０～１５００ｍＪ／ｃｍ^２がより好ましい。光重合反応を促進するため、加熱条件下または窒素雰囲気下で光照射を実施してもよい。照射する紫外線の波長は２５０～４３０ｎｍが好ましい。

　コレステリック液晶層を形成する際の支持体としては、特に制限されないが、透明であることが好ましく、例えば、セルロースアシレート、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレートおよびポリメタクリレート、環状ポリオレフィン、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリスチレン、ポリエステル等のフィルムを用いることができる。なかでも、セルロースアシレートフィルム、環状ポリオレフィン、ポリアクリレート、ポリメタクリレートが好ましい。また市販品のセルロースアセテートフィルム（例えば、富士フイルム株式会社製の「ＴＤ８０Ｕ」および「Ｚ－ＴＡＣ」等）を利用することもできる。

　支持体が仮支持体である場合は、剥離時の破断を防止する観点から、引き裂き強度の高い支持体が好ましい。例えば、ポリカーボネート、および、ポリエステル系のフィルムが好ましい。

　また、支持体は、透過光および反射光の偏光度に与える悪影響を抑制する観点から、位相差が小さいことが好ましい。具体的には、Ｒｅの大きさが１０ｎｍ以下であることが好ましく、Ｒｔｈの大きさの絶対値が５０ｎｍ以下であることが好ましい。また、支持体が上述の仮支持体として使用されるものであっても、反射円偏光子、および／または、積層光学フィルムの品質検査を行う上で、仮支持体の位相差は小さいことが好ましい。

〔ハーフミラー〕
　本発明に用いるハーフミラーは、入射する光の約半分を透過し、残りの約半分を反射する従来公知のハーフミラーである。ハーフミラーの透過率は、５０±３０％が好ましく、５０±１０％がより好ましく、５０％が最も好ましい。ハーフミラーは例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等の透明性を有する樹脂、あるいは、ガラス等からなる基材上に、銀、アルミニウム等の金属等からなる反射層を有する構成である。銀、アルミニウム等の金属からなる反射層は蒸着等によって基材の表面に形成される。反射層の厚さは１～２０ｎｍが好ましく、２～１０ｎｍがより好ましく、３～６ｎｍがさらに好ましい。また、基材は、位相差を有さないことが好ましい。その観点で、ハーフミラーの基材は、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、またはガラスが好ましい。

〔位相差層〕
　本発明に用いる位相差層は、ある特定の波長の直線偏光を円偏光に（または、円偏光を直線偏光に）変換する機能を有する位相差板である。より具体的には、所定の波長λｎｍにおける面内レターデーションＲｅがλ／４（または、この奇数倍）を示す板である。

　位相差層の波長５５０ｎｍでの面内レターデーション（Ｒｅ（５５０））は、理想値（１３７．５ｎｍ）を中心として、２５ｎｍ程度の誤差があってもよく、例えば、１１０～１６０ｎｍであることが好ましく、１２０～１５０ｎｍであることがより好ましい。

　本発明に用いる位相差層は、可視光域にわたる各波長でλ／４板の特性を示すことがより好ましく、こうした位相差層は、特に広帯域λ／４板と呼ぶ。広帯域λ／４板は、波長λｎｍでの面内レターデーション（Ｒｅ（λ））が以下の式（Ａ）、（Ｂ）を満たすことが好ましい。
　　式（Ａ）Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜１．００
　　式（Ｂ）Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）≧１．００
Ｒｅ（４５０）は波長４５０ｎｍにおけるλ／４板の面内レターデーションを表し、Ｒｅ（５５０）は波長５５０ｎｍにおけるλ／４板の面内レターデーションを表し、Ｒｅ（６５０）は波長６５０ｎｍにおけるλ／４板の面内レターデーションを表す。

　本発明に用いる位相差層は、単層の位相差層で構成してもよく、２層以上の位相差層を貼合、逐次形成等の手法で積層して構成しても良い。ここでいう位相差層とは、光学的に異方性を示す層である。位相差層としては、例えば、ｎｘ、ｎｙ、および、ｎｚのうち少なくとも２つが異なる層が挙げられる。なお、ｎｘは、位相差層の厚み方向に垂直な方向（面内方向）であって最大の屈折率を与える方向の屈折率を表す。ｎｙは、位相差層の面内方向であってｎｘの方向に直交する方向の屈折率を表す。ｎｚは、位相差層の厚み方向の屈折率を表す。

　本発明に用いる位相差層を構成する材料は特に制限されず、液晶化合物、および、ポリマーが挙げられる。液晶化合物は液晶材料を配向させて屈折率異方性を発現させることで、位相差層を形成することができる。ポリマーは流延および塗布等で得られたポリマーフィルムを延伸等によって屈折率異方性を発現させることで、位相差層を形成することができる。本発明に用いる位相差層は、液晶化合物を用いて形成された層であることが薄さの点では好ましく、重合性基を有する液晶化合物を用いて形成された層であることがより好ましい。

　液晶化合物の種類は、特に制限されない。一般的に、液晶化合物はその形状から、棒状タイプ（棒状液晶化合物）と円盤状タイプ（ディスコティック液晶化合物）とに分類できる。さらに、液晶化合物は、低分子タイプと高分子タイプとの分類できる。高分子とは一般に重合度が１００以上のものを指す（高分子物理・相転移ダイナミクス，土井正男著，２頁，岩波書店，１９９２）。本発明では、いずれの液晶化合物を用いることもできるが、棒状液晶化合物またはディスコティック液晶化合物を用いるのが好ましく、棒状液晶化合物を用いるのがより好ましい。２種以上の棒状液晶化合物、２種以上のディスコティック液晶化合物、または、棒状液晶化合物とディスコティック液晶化合物との混合物を用いてもよい。

　なお、棒状液晶化合物としては、例えば、特表平１１－５１３０１９号公報の請求項１、および、特開２００５－２８９９８０号公報の段落００２６～００９８に記載の液晶化合物が挙げられる。

　ディスコティック液晶化合物としては、例えば、特開２００７－１０８７３２号公報の段落００２０～００６７、および、特開２０１０－２４４０３８号公報の段落００１３～０１０８に記載の液晶化合物が挙げられる。

　液晶化合物は、重合性基を有することが好ましい。つまり、液晶化合物は、重合性液晶化合物であることが好ましい。液晶化合物が重合性基を有する場合、後述する硬化処理によって、液晶化合物の配向状態を容易に固定化できる。

　液晶化合物が有する重合性基の種類は特に制限されず、付加重合反応が可能な官能基が好ましく、重合性エチレン性不飽和基または環重合性基がより好ましく、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、スチリル基、または、アリル基がさらに好ましい。

　液晶化合物は、順波長分散性および逆波長分散性のいずれを示す液晶化合物であってもよい。単膜で広帯域λ／４板の特性を示す位相差層を利用する場合は、逆波長分散性を示す液晶化合物が好ましく、重合性基を２つ以上有し、逆波長分散性を示す液晶化合物がより好ましい。

　本明細書において「逆波長分散性を示す液晶化合物」とは、この化合物を用いて作製された光学異方性層の特定波長（可視光範囲）における面内のレターデーション（Ｒｅ）値を測定した際に、上述の式（Ａ）および式（Ｂ）の関係を満たすものをいう。

　また、本明細書において「順波長分散性を示す液晶化合物」とは、この化合物を用いて作製された位相差層の特定波長（可視光範囲）における面内のレターデーション（Ｒｅ）値を測定した際に、以下の式（Ｃ）および式（Ｄ）の関係を満たすものをいう。
　　式（Ｃ）Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≧１．００
　　式（Ｄ）Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）＜１．００

　上述したように、位相差層は、重合性基を有する液晶化合物を用いて形成された層であることが好ましく、重合性基を有する液晶化合物の配向状態を固定してなる層であることがより好ましい。

　重合性基を有する液晶化合物が取り得る配向状態は特に制限されず、例えば、ホモジニアス配向、ホメオトロピック配向、捩れ配向、コレステリック配向、ハイブリッド配向（一方の表面から他方の表面に向かって液晶化合物のチルト角が連続的に変化する配向）、および、傾斜配向（一方の表面から他方の表面に向かって液晶化合物のチルト角が一定である配向）が挙げられる。なお、捩れ配向とは、液晶化合物が厚み方向を回転軸として捩れている配向状態を表し、液晶化合物が捩れ配向するとともに、所定のチルト角（チルト角が０°超）を有する場合にはツイストハイブリッド配向に該当する。なお、本明細書において、捩れ配向とは、液晶化合物の捩れ角が３６０°未満である態様に該当し、コレステリック配向とは、液晶化合物の捩れ角が３６０°以上である態様に該当する。

　液晶化合物を用いて形成された位相差層は、液晶化合物の配向状態が異なる領域を厚み方向に沿って複数有していてもよい。例えば、位相差層は、厚み方向に沿って、液晶化合物がホモジニアス配向した状態を固定してなる領域と、液晶化合物が捩れ配向した状態を固定してなる領域とを有していてもよい。

　位相差層の厚みは特に制限されないが、０．１～１０．０μｍが好ましく、０．５～５．０μｍがより好ましい。

　広帯域λ／４板の構成の具体例としては、単層の位相差層で構成したものとして、国際公開ＷＯ２０１９／１６００１６号公報、特開２０２０－１７３４６０、国際公開ＷＯ２０２１／１５７６９４号公報等に開示されている逆波長分散性を示す液晶化合物を用いた位相差層、国際公開ＷＯ２０２２／０３０３０８号公報、特開２０２２－１８４６９１号公報等に開示されている液晶化合物の配向状態が異なる領域を厚み方向に沿って複数有する位相差層が挙げられる。また、２層以上の位相差層の積層で構成したものとして、特開２００１－１０８８２５号公報、特開２００１－０９１７４１号公報、国際公開ＷＯ２０１３／１３７４６４号公報等に開示されているλ／４位相差層およびλ／２位相差層とを組み合わせた構成、特開２００１－０２１７２０号公報、特開２０１４－２０９２１９号公報、国際公開ＷＯ２０２２／２５５１０５号公報等に開示されている捻れ配向を有する位相差層とその他の位相差層とを組み合わせた構成が例示される。また、斜め方向の入射光に対する位相差変化を補償するため、ポジティブＣプレートおよびネガティブＣプレート等の他の位相差層をさらに加えても良い。

　位相差層は、支持体、および配向層等を含んでいてもよく、支持体および配向層は、仮支持体であってもよい。位相差層の支持体としては上記コレステリック液晶層を形成する際に用いる支持体と同様の支持体を用いることができる。

　また、仮想現実表示装置および電子ファインダー等の光学系内に組み込まれるアイトラッキング、表情認識、および、虹彩認証といった近赤外光を光源に使用した各種センサーへの影響を最小限に抑える点で、積層光学フィルムに用いる位相差層は、近赤外光に対して透過性であることが好ましい。

〔吸収直線偏光子〕
　吸収直線偏光子としては、公知の吸収直線偏光子を適用でき、例えば、ポリビニルアルコール、および、その他の高分子樹脂に二色性物質を染着し、延伸することで配向させた偏光子でもよいし、液晶化合物の配向を利用して二色性物質を配向させた偏光子でもよい。

　吸収直線偏光子の厚みは、１０μｍ以下が好ましく、７μｍ以下がより好ましく、５μｍ以下がさらに好ましい。吸収型直線偏光子が薄いと、積層光学フィルムを延伸したり、成形したりした場合に、フィルムのクラックや破断を防止することができる。

　また、吸収型直線偏光子の単板透過率は、４０％以上が好ましく、４２％以上がより好ましい。また、偏光度は、９０％以上が好ましく、９５％以上がより好ましく、９９％以上がさらに好ましい。なお、本明細書において、吸収型直線偏光子の単板透過率および偏光度は、自動偏光フィルム測定装置：ＶＡＰ－７０７０（日本分光社製）を用いて測定する。

　吸収直線偏光子は、液晶化合物と二色性物質とを含有する光吸収異方性層であることも好ましい。液晶化合物と二色性物質を含有する直線偏光子は、厚みを薄くすることができ、かつ、延伸および成形等を行ってもクラックおよび破断等を生じにくいため、好ましい。光吸収異方性層の厚さは、特に限定されないが、薄型化する観点から、０．１～８μｍが好ましく、０．３～５μｍがより好ましい。

　液晶化合物と二色性物質を含有してなる吸収直線偏光子は、例えば、特開２０２０－０２３１５３号公報等を参照して作製することができる。直線偏光子の偏光度を向上する観点からは、光吸収異方性層は、二色性物質の配向度が０．９５以上であることが好ましく、０．９７以上であることがより好ましい。

　光吸収異方性層を形成するための光吸収異方性層形成用組成物が含有する液晶化合物は、可視域で二色性を示さない液晶化合物が好ましい。

　液晶化合物としては、低分子液晶化合物および高分子液晶化合物のいずれも用いることができる。ここで、「低分子液晶化合物」とは、化学構造中に繰り返し単位を有さない液晶化合物のことをいう。また、「高分子液晶化合物」とは、化学構造中に繰り返し単位を有する液晶化合物のことをいう。

　高分子液晶化合物としては、例えば、特開２０１１－２３７５１３号公報に記載されているサーモトロピック液晶高分子が挙げられる。また、高分子液晶化合物は、末端に架橋性基を有していることが好ましい。高分子液晶化合物が末端に有する架橋性基としては、例えば、アクリロイル基およびメタクリロイル基等が例示される。

　液晶化合物は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。高分子液晶化合物と低分子液晶化合物を併用することも好ましい。

　液晶化合物の含有量は、本組成物中の二色性物質の含有量１００質量部に対して、２５～２０００質量部が好ましく、３３～１０００質量部がより好ましく、５０～５００質量部がさらに好ましい。液晶化合物の含有量が上記範囲内にあることで、偏光子の配向度がより向上する。

　光吸収異方性層を形成するための光吸収異方性層形成用組成物が含有する二色性物質は、特に限定されず、可視光吸収物質（二色性色素）、紫外線吸収物質、赤外線吸収物質、非線形光学物質、および、カーボンナノチューブなどが挙げられ、従来公知の二色性物質（二色性色素）を使用することができる。

　本発明においては、２種以上の二色性物質を併用してもよく、例えば、より広い波長範囲で高い偏光度を得る観点から、波長３７０～５５０ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する少なくとも１種の二色性物質と、波長５００～７００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する少なくとも１種の二色性物質とを併用することが好ましい。

　吸収直線偏光子が、液晶化合物と二色性物質とを含有する光吸収異方性層を有する場合、吸収直線偏光子は、支持体、および配向層等を含んでいてもよく、支持体および配向層は、仮支持体であってもよい。

　仮支持体を用いる場合は、光吸収異方性層を別の積層体に転写した後、仮支持体を剥離して取り除くことによって、積層体（積層光学フィルム）を薄型化でき、さらに、仮支持体が有する位相差が、透過光の偏光度に与える悪影響を除くことができるため、好ましい。

　支持体の種類は特に制限されないが、可視光線に対して透明であることが好ましく、例えば、上記コレステリック液晶層を形成する際に用いられる支持体と同様の支持体を用いることができる。

　また、仮想現実表示装置および電子ファインダー等の光学系内に組み込まれるアイトラッキング、表情認識、および、虹彩認証といった近赤外光を光源に使用した各種センサーへの影響を最小限に抑えるためには、積層光学フィルムに用いる吸収直線偏光子は近赤外光に対して透過性であることが好ましい。

〔反射直線偏光子〕
　反射直線偏光子は、ある方向（透過軸方向）の直線偏光を透過して、その直線偏光と直交する方向（反射軸方向）の直線偏光を反射する直線偏光子である。反射直線偏光子は、可視光の波長域において、ある方向の直線偏光を選択的に透過するものが好ましく、公知の反射直線偏光子が利用可能である。

　反射直線偏光子としては、一例として、特開２０１１－０５３７０５号公報等に記載されるような誘電体多層膜を延伸したフィルムが挙げられる。また、反射直線偏光子は、市販品も好適に利用可能である。市販品の反射直線偏光子としては、３Ｍ社製の反射型直線偏光子（商品名ＡＰＦ）が例示される。

　また、反射直線偏光子としては、一例として、ワイヤーグリッド偏光子も挙げられる。ワイヤーグリッド偏光子は、公知のものが適用でき、市販品を用いてもよい。

〔画像表示パネル〕
　本発明に用いる画像表示パネルとしては、公知の画像表示パネルを用いることができる。たとえば、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）表示装置、マイクロＬＥＤ表示装置等の自発光型の微細な発光体を透明基板上に配列した画像表示パネルが例示される。これら自発光型の表示装置は、通常、表示面の反射防止のため表示面に（円）偏光板が貼合されている。そのため、出射光は偏光している。また、その他の画像表示パネルとしては液晶表示装置が例示される。液晶表示装置もまた、表面に偏光板を有するため、出射光は偏光している。以下の説明では、有機エレクトロルミネッセンス表示装置をＯＬＥＤともいう。ＯＬＥＤとは『Organic Light Emitting Diode』の略である。

〔その他の機能層〕
　本発明の反射円偏光子、積層光学フィルム、および、仮想現実表示装置は、その他の機能層を有していてもよい。

　また、仮想現実表示装置および電子ファインダー等の光学系内に組み込まれるアイトラッキング、表情認識、および、虹彩認証といった近赤外光を光源に使用した各種センサーへの影響を最小限に抑えるためには、その他機能性層は、近赤外光に対して透過性であることが好ましい。

〔貼着層〕
　各層を貼着する貼着層としては、公知の接着剤および粘着剤等を適宜使うことができる。

　粘着層としては、市販の粘着剤を任意に用いることができ、薄型化の観点、および、表面粗さＲａを低減する観点から、厚みが２５μｍ以下であることが好ましく、１５μｍ以下であることがより好ましく、６μｍ以下であることがもっとも好ましい。また、粘着剤は、アウトガスが生じにくいものであることが好ましい。特に、延伸および成形等を行う場合、真空プロセスおよび加熱プロセス等を経る場合があるが、それらの条件においてもアウトガスが出ないことが好ましい。

　接着層としては、市販の接着剤等を任意に用いることができ、たとえば、エポキシ樹脂系の接着剤、および、アクリル樹脂系の接着剤等を用いることができる。

　接着剤は、薄型化の観点、および、表面粗さＲａを低減する観点から、厚みが２５μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましく、１μｍ以下であることがもっとも好ましい。また、接着剤は、接着層を薄くする観点、および、被着体に対し接着剤を均一な厚みで塗布する観点から、粘度が３００ｃＰ以下であることが好ましく、１００ｃＰ以下がより好ましい。

　また、被着体が表面凹凸を有している場合には、粘着剤および／または接着剤は、表面粗さＲａを低減する観点から、接着する層の表面凹凸を包埋できるよう、適切な粘弾性または厚みを選択することもできる。表面凹凸を包埋する観点からは、粘着剤および／または接着剤は、粘度が５０ｃＰ以上であることが好ましい。また、厚みは、表面凹凸の高さよりも厚いことが好ましい。

　接着剤の粘度を調整する方法としては、例えば、溶媒を含む接着剤を用いる方法が挙げられる。この場合、溶媒の比率によって接着剤の粘度を調整することができる。また、接着剤を被着体に塗布した後、溶媒を乾燥させることで、接着剤の厚みをより低減することができる。

　界面での反射を低減し、ゴーストの発生を抑制する観点からは、各層の貼着に用いる粘着剤または接着剤は、隣接する層との屈折率差が小さいことが好ましい。具体的には、隣接する層の屈折率差は、０．１以下が好ましく、０．０５以下がより好ましく、０．０１以下がさらに好ましい。また、位相差層は、複屈折を持つことにより進相軸方向と遅相軸方向の屈折率が異なるため、進相軸方向と遅相軸方向の屈折率を足して２で割った値をその液晶層の平均屈折率ｎ_ａｖｅとしたときに、隣接する粘着層または接着層の屈折率はｎ_ａｖｅとの差は、０．０７５以下が好ましく、０．０５以下がより好ましく、０．０２５以下がさらに好ましい。粘着剤または接着剤の屈折率は、例えば、酸化チタンの微粒子およびジルコニアの微粒子等を混合し、調整することができる。

　また、位相差層、直線反射偏光子、および吸収直線偏光子は、面内において屈折率の異方性を有する場合があるが、面内における全ての方向において、隣接する層との屈折率差が０．０５以下であることが好ましい。そのため、粘着剤または接着剤は、面内に屈折率異方性を有するものであってもよい。

　また、各層の間の貼着層は、厚みが１００ｎｍ以下であることも好ましい。貼着層の厚みが１００ｎｍ以下であると、可視域の光は屈折率差を感じにくくなり、余計な反射を抑制することができる。貼着層の厚みは、５０ｎｍ以下がより好ましく、３０ｎｍ以下がさらに好ましい。厚みが１００ｎｍ以下の貼着層を形成する方法としては、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ層）などのセラミック接着剤を貼合面に蒸着する方法があげられる。貼合部材の貼合面は、貼合前にプラズマ処理、コロナ処理、鹸化処理等の表面改質処理を施す事、および、プライマー層を付与する事ができる。また、貼合面が複数ある場合は、貼合面毎に貼着層の種類および厚み等を調整する事ができる。具体的には、例えば、以下（１）～（３）に示す手順で、厚みが１００ｎｍ以下である貼着層を設けることができる。
（１）積層する層を、ガラス基材からなる仮支持体に貼合する。
（２）積層する層の表面と、積層される層の表面の両方に対し、蒸着等により、厚さ１００ｎｍ以下のＳｉＯｘ層を形成する。蒸着は、ＳｉＯｘ粉体を蒸着源とし、例えばアルバック社製の蒸着装置（型番ＵＬＥＹＥＳ）等を用いて行うことができる。また、形成したＳｉＯｘ層の表面にプラズマ処理を施しておく事が好ましい。
（３）形成されたＳｉＯｘ層同士を貼合した後、仮支持体を剥離する。貼合は、例えば、１２０℃の温度で実施する事が好ましい。

　各層の塗布、接着、または貼合は、ロール・トゥ・ロールで行ってもよいし、枚葉方式で行ってもよい。

　ロール・トゥ・ロール方式は、生産性を向上したり、各層の軸ずれを低減したりする観点で好ましい。

　一方、枚葉方式は、少量、多品種生産に適していること、および、上述した、貼着層の厚みが１００ｎｍ以下であるような、特殊な接着方法を選択できる点で、好ましい。

　また、接着剤および／または粘着剤を被着体に塗布する方法としては、例えば、ロールコーティング法、グラビア印刷法、スピンコート法、ワイヤーバーコーティング法、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、ダイコーティング法、スプレー法、および、インクジェット法などの公知の方法が挙げられる。

〔光干渉層〕
　光干渉層は単層の光干渉層で構成してもよく、２層以上の光干渉層を貼合、逐次形成等の手法で積層して構成してもよい。

　光干渉層を形成する材料としては、モノマーを架橋したハードコート材料、光配向膜、液晶材料を用いたＣプレートを利用することができる。このうち光配向膜は、この上に液晶材料を用いて位相差層を形成する時に、液晶配向させる役割も担うため、より好ましい。また、このうちＣプレートは光学補償調整の役割も担うため、より好ましい。更にポジティブＣプレートであることがより好ましい。ここで、ポジティブＣプレートとは、Ｒｅが実質的にゼロであり、Ｒｔｈが負の値を有する位相差層である。ポジティブＣプレートは、例えば、棒状液晶化合物を垂直配向させることにより得ることができる。ポジティブＣプレートの製造方法の詳細は、例えば、特開２０１７－１８７７３２号公報、特開２０１６－０５３７０９号公報、特開２０１５－２００８６１号公報などの記載を参酌できる。

＜光配向膜用材料＞
　光干渉層としては、光配向性の素材に偏光または非偏光を照射して配向層とした、いわゆる光配向膜（光配向層）を用いることも好ましい態様である。光配向膜には、垂直方向または斜め方向から偏光照射する工程、または、斜め方向から非偏光照射する工程により配向規制力を付与することが好ましい。

　光配向膜を利用することで、特定液晶化合物を優れた対称性で水平配向させることが可能である。そのため、光配向膜を利用して形成された位相差層ポジティブＡプレートは、特にＩＰＳ（In-Place-Switching）モード液晶表示装置のように駆動液晶のプレ傾斜角が必要無い液晶表示装置における光学補償に有用である。

　光配向膜に用いられる光配向材料としては、例えば、特開２００６－２８５１９７号公報、特開２００７－０７６８３９号公報、特開２００７－１３８１３８号公報、特開２００７－０９４０７１号公報、特開２００７－１２１７２１号公報、特開２００７－１４０４６５号公報、特開２００７－１５６４３９号公報、特開２００７－１３３１８４号公報、特開２００９－１０９８３１号公報、特許第３８８３８４８号、特許第４１５１７４６号に記載のアゾ化合物、特開２００２－２２９０３９号公報に記載の芳香族エステル化合物、特開２００２－２６５５４１号公報、特開２００２－３１７０１３号公報に記載の光配向性単位を有するマレイミドおよび／またはアルケニル置換ナジイミド化合物、特許第４２０５１９５号、特許第４２０５１９８号に記載の光架橋性シラン誘導体、特表２００３－５２０８７８号公報、特表２００４－５２９２２０号公報、特許第４１６２８５０号に記載の光架橋性ポリイミド、ポリアミド、またはエステル、特開平９－１１８７１７号公報、特表平１０－５０６４２０号公報、特表２００３－５０５５６１号公報、国際公開第２０１０/１５０７４８号、特開２０１３－１７７５６１号公報、特開２０１４－０１２８２３号公報に記載の光二量化可能な化合物、特にシンナメート化合物、カルコン化合物、クマリン化合物が挙げられる。特に好ましい例としては、アゾ化合物、光架橋性ポリイミド、ポリアミド、エステル、シンナメート化合物、カルコン化合物が挙げられる。

＜層間光配向膜用材料＞
　光干渉層は層間光配向膜用材料を含むことが好ましい。これにより光干渉層上に液晶材料を塗布した時に液晶配向させることができ、光干渉層と反射円偏光子が隣接した構造を形成することができる。層間光配向膜用材料としては、特開２０２１－１４３３３６に記載の光配向性ポリマーを用いることができる。

　層間光配向膜用材料は、シンナモイル基を有する化合物であることが好ましい。シンナモイル化合物は、光干渉層（好ましくはＣプレート）と反射円偏光子の間に含まれるのが好ましい。すなわち、シンナモイル化合物は、光干渉層（好ましくはＣプレート）と反射円偏光子との境界近傍の領域に含まれるのが好ましい。

〔ポジティブＣプレート〕
　ポジティブＣプレートとは、Ｒｅが実質的にゼロであり、Ｒｔｈが負の値を有する位相差層である。ポジティブＣプレートは、例えば、棒状液晶化合物を垂直配向させることにより得ることができる。ポジティブＣプレートの製造方法の詳細は、例えば、特開２０１７－１８７７３２号公報、特開２０１６－０５３７０９号公報、特開２０１５－２００８６１号公報などの記載を参酌できる。

　ポジティブＣプレートは、斜めから入射した光に対して、透過光の偏光度を高めるための、光学補償層として機能する。ポジティブＣプレートは、積層光学フィルムの任意の場所に設置することができ、複数が設置されていてもよい。

　ポジティブＣプレートは、位相差層に隣接して、または、位相差層の内部に、設置してもよい。位相差層として、例えば棒状液晶化合物を固定化してなる層を用いた場合、位相差層は正のＲｔｈを有する。このとき、位相差層に対して斜め方向から光が入射した場合、Ｒｔｈの作用により透過光の偏光状態が変化し、透過光の偏光度が低下することがある。位相差層の内部、または近傍にポジティブＣプレートを有していると、斜め入射光の偏光状態の変化をより抑制し、透過光の偏光度の低下をより抑制でき、結果としてゴーストをより抑制できるため、好ましい。本発明者らの検討によれば、ポジティブＣプレートは、レンズ（支持体）と位相差層の間に配置されていることが好ましく、位相差層と反射直線偏光子の間に配置されていてもよく、その他の場所に設置されていてもよい。この場合のポジティブＣプレートのＲｅ（５５０）は、およそ１０ｎｍ以下であることが好ましく、Ｒｔｈ（５５０）は、－９０～－４０ｎｍであることが好ましい。

〔反射防止層〕
　本発明の積層光学フィルムは、表面に反射防止層を有することも好ましい。本発明の積層光学フィルムは、特定の円偏光を反射し、それと反対回りの円偏光を透過する機能を有するが、積層光学フィルムの表面における反射は、一般的に意図しない偏光の反射を含み、それにより透過光の偏光度を低下させる場合がある。そのため、積層光学フィルムは表面に反射防止層を有することが好ましい。反射防止層は、積層光学フィルムの一方の表面にのみ設置されてもよいし、両面に設置されてもよい。

　反射防止層の種類は特に制限されないが、より反射率を低下させる観点から、モスアイフィルム、または、ＡＲ（Ａｎｔｉ－Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ）フィルムが好ましい。モスアイフィルム、および、ＡＲフィルムは、公知のものを用いることができる。

　また、積層光学フィルムを延伸したり、成形したりする場合には、延伸により膜厚が変動しても高い反射防止性能を維持できることから、モスアイフィルムが好ましい。さらに、反射防止層が支持体を含むものであって、延伸および成形等を行う場合には、延伸および成形等を容易にする観点から、上記支持体のガラス転移温度Ｔｇのピーク温度が１７０℃以下であることが好ましく、１３０℃以下であることがさらに好ましい。具体的には、例えば、ＰＭＭＡフィルム等が好ましい。

〔各層の直接塗布〕
　本発明の積層光学フィルムの各層の間には、貼着層を有さないことも好ましい。層を形成する際、すでに形成されている隣接層の上に直接塗布を行うことで、貼着層をなくすことができる。さらに、隣接する層の一方、または両方が液晶化合物を含む層である場合、面内の全ての方向で屈折率差を小さくするために、液晶化合物の配向方向が界面で連続的に変化するようにすることが好ましい。例えば、液晶化合物と二色性物質を含有する直線偏光子に対して、液晶化合物を含有する位相差層を直接塗布し、直線偏光子の液晶化合物による配向規制力によって、位相差層の液晶化合物が界面で連続をなすように配向させることもできる。

〔各層の積層の順序〕
　本発明の積層光学フィルムは多数の層からなるが、それらを積層する工程の順序には特に制限がなく、任意に選択することができる。

　例えば、仮支持体と機能層からなるフィルムから、機能層を転写する場合には、転写先のフィルムの厚みが１０μｍ以上になるように積層順序を調整することで、転写時のシワおよびクラック等を防止することができる。

　また、積層光学フィルムの表面粗さＲａを低減する観点からは、表面凹凸が大きい層の上に別の層を積層した場合、表面凹凸がさらに増幅される場合があるため、表面粗さＲａが小さい層から順に積層していくことが好ましい。

　また、積層光学フィルムの製造歩留まりを向上させたり、コストを低減したりする観点から、積層の順序を選択することもできる。

　以下に実施例を挙げて、本発明の特徴をさらに具体的に説明する。なお、以下に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。また、本発明の趣旨を逸脱しない限り、以下に示す構成以外の構成とすることもできる。

〔反射円偏光子用塗布液の調製〕

＜反射円偏光子用塗布液Ｒ－１＞
　下記に示す組成物を、７０℃に保温された容器中にて、攪拌、溶解させ、反射円偏光子用塗布液Ｒ－１を調製した。ここでＲは棒状液晶化合物を用いた塗布液を表す。

―――――――――――――――――――――――――――――――――
　反射円偏光子用塗布液Ｒ－１
―――――――――――――――――――――――――――――――――
・メチルエチルケトン　　　　　　　　　　　　　　　１２０．９質量部
・シクロヘキサノン　　　　　　　　　　　　　　　　　２１．３質量部
・下記の棒状液晶化合物の混合物Ｘ　　　　　　　　　１００．０質量部
・下記の光重合開始剤Ｂ　　　　　　　　　　　　　　　１．００質量部
・下記のカイラル剤Ａ　　　　　　　　　　　　　　　　４．１８質量部
・下記の界面活性剤Ｓ１　　　　　　　　　　　　　　　　０．１質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――

　棒状液晶化合物の混合物Ｘ

　上記混合物Ｘにおいて、数値は質量％である。また、Ｒは酸素原子で結合する基である。さらに、上記の棒状液晶の波長３００～４００ｎｍにおける平均モル吸光係数は、１４０／ｍｏｌ・ｃｍであった。

　カイラル剤Ａ

　界面活性剤Ｓ１

　光重合開始剤Ｂ

　カイラル剤Ａは、光によって螺旋誘起力（ＨＴＰ：Ｈｅｌｉｃａｌ　Ｔｗｉｓｔｉｎｇ　Ｐｏｗｅｒ）が減少するカイラル剤である。

＜反射円偏光子用塗布液Ｒ－２、Ｒ－３＞
　カイラル剤Ａの添加量を後段に示す表１のように変更した以外は、反射円偏光子用塗布液Ｒ－１と同様に調製した。

　表１．　棒状液晶化合物を含有する塗布液のカイラル剤量

＜反射円偏光子用塗布液Ｄ－１＞
　下記に示す組成物を、５０℃に保温された容器中にて、攪拌、溶解させ、反射円偏光子用塗布液Ｄ－１を調製した。ここでＤは円盤状液晶化合物を用いた塗布液を表す。

―――――――――――――――――――――――――――――――――
　反射円偏光子用塗布液Ｄ－１
―――――――――――――――――――――――――――――――――
・下記の円盤状液晶化合物（Ａ）　　　　　　　　　　　　　８０質量部
・下記の円盤状液晶化合物（Ｂ）　　　　　　　　　　　　　２０質量部
・下記の重合性モノマーＥ１　　　　　　　　　　　　　　　１０質量部
・下記の界面活性剤Ｓ２　　　　　　　　　　　　　　　　０．３質量部
・光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製、イルガキュアー９０７）　　　３質量部
・上記カイラル剤Ａ　　　　　　　　　　　　　　　　　５．４５質量部
・メチルエチルケトン　　　　　　　　　　　　　　　　　２９０質量部
・シクロヘキサノン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５０質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――

　円盤状液晶化合物（Ａ）

　円盤状液晶化合物（Ｂ）

　重合性モノマーＥ１

　界面活性剤Ｓ２

＜反射円偏光子用塗布液Ｄ－２～Ｄ－４＞
　カイラル剤Ａの添加量を下記表２のように変更した以外は、反射円偏光子用塗布液Ｄ－１と同様に調製した。

　表２．　円盤状液晶化合物を含有する塗布液のカイラル剤量

＜反射円偏光子用塗布液Ｄ－５～Ｄ－７＞
　カイラル剤Ａの添加量と開始剤の添加量を下記表２－２のように変更した以外は、反射円偏光子用塗布液Ｄ－１と同様に調製した。

　表２－２．　円盤状液晶化合物を含有する塗布液のカイラル剤量、開始剤量

＜配向層形成用塗布液ＰＡ－１＞
　下記に示す組成物を、６０℃に保温された容器中にて、攪拌、溶解させ、光配向層形成用塗布液ＰＡ－１を調製した。

―――――――――――――――――――――――――――――――――
（配向層形成用塗布液ＰＡ―１）
―――――――――――――――――――――――――――――――――
・下記重合体Ｍ－ＰＡ－１　　　　　　　　　　　　１００．００質量部
・下記光重合開始剤Ｃ　　　　　　　　　　　　　　　　５．００質量部
・酢酸ｎ―ブチル　　　　　　　　　　　　　　　２６２５．００質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――

　重合体Ｍ－ＰＡ－１

　光重合開始剤Ｃ

〔反射円偏光子１の作製〕

　＜光配向層の形成＞

　上記で調整した配向層形成用塗布液ＰＡ―１を、ワイヤーバーで連続的に厚さ１００μｍのＰＥＴフィルム（東洋紡株式会社製、コスモシャインＡ４２６５）上に塗布した。塗膜が形成された支持体を１２０℃の温風で６０秒間乾燥した。その後、低酸素雰囲気下（１００ｐｐｍ以下）にて、７０℃で、照度１００ｍＷ／ｃｍ^２、照射量１００ｍＪ／ｃｍ^２の高圧水銀ランプの光を、波長３４０ｎｍ以上に透過帯域を有するロングパスフィルタを透過させながら照射して硬化することで、光配向層を形成した。干渉膜厚計ＯＰＴＭ（大塚電子製、最小二乗法で解析）で測定した膜厚は８０ｎｍであった。

　次に、照度７ｍＷ／ｃｍ^２、照射量７．９ｍＪ／ｃｍ^２の偏光ＵＶ（波長３１３ｎｍ）を光配向層側から照射した。波長３１３ｎｍの偏光ＵＶは、水銀ランプから出た紫外光を、波長３１３ｎｍに透過帯域を有するバンドパスフィルタと、ワイヤーグリッド偏光板を透過させることで得た。上記で調製した反射円偏光子用塗布液Ｒ－１をワイヤーバーコーターで塗布した後、１１０℃で７２秒乾燥し、溶媒を気化させた後に１００℃で１分間加熱熟成を行って、均一な配向状態を得た。その後、この塗布膜を１００℃に1分間保持し、低酸素雰囲気下（１００ｐｐｍ以下）にて、照度８０ｍＷ／ｃｍ^２、照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２のメタルハライドランプの光を照射して硬化することで、棒状液晶化合物を含むコレステリック液晶層を形成した。このコレステリック液晶層は、選択反射中心波長が青色光の波長域にあるため、以下では、第一の青色光反射層（第一の光反射層）ともいう。光の照射は、いずれも、コレステリック液晶層側から行った。このとき、硬化後の第一の青色光反射層の膜厚が２．６μｍとなるように塗布厚みを調整した。

　次に、第一の青色光反射層の表面を、放電量１５０Ｗ・ｍｉｎ／ｍ^２でコロナ処理を行った後、コロナ処理を行った面上に、反射円偏光子用塗布液Ｄ－１をワイヤーバーコーターで塗布した。続いて、塗布膜を７０℃、２分間乾燥し、溶媒を気化させた後に１１５℃で３分間加熱熟成を行って、均一な配向状態を得た。その後、この塗布膜を４５℃に１分間保持し、低酸素雰囲気下（１００ｐｐｍ以下）にて、メタルハライドランプを用いて紫外線照射（３００ｍＪ／ｃｍ^２）して硬化することで、円盤状液晶化合物を含むコレステリック液晶層を形成した。このコレステリック液晶層は、選択反射中心波長が青色光の波長域にあるため、以下では、第二の青色光反射層（第二の光反射層）ともいう。光の照射は、いずれも、コレステリック液晶層側から行った。この時、硬化後の第二の青色光反射層の膜厚が２．０μｍとなるように塗布厚みを調整した。

　次に、第二の青色光反射層上に、反射円偏光子用塗布液Ｄ－２をワイヤーバーコーターで塗布した。続いて、塗布膜を７０℃、２分間乾燥し、溶媒を気化させた後に１１５℃で３分間加熱熟成を行って、均一な配向状態を得た。その後、この塗布膜を４５℃に１分間保持し、これに窒素雰囲気下でメタルハライドランプを用いて紫外線照射（３００ｍＪ／ｃｍ^２）して硬化することで、第二の青色光反射層上に円盤状液晶化合物を含むコレステリック液晶層を形成した。このコレステリック液晶層は、選択反射中心波長が緑色光の波長域にあるため、以下では、緑色光反射層（第三の光反射層）ともいう。光の照射は、いずれも、コレステリック液晶層側から行った。この時、硬化後の緑色光反射層の膜厚が２．７μｍとなるように塗布厚みを調整した。

　次に、緑色光反射層上に、反射円偏光子用塗布液Ｒ－２をワイヤーバーコーターで塗布した後、１１０℃で７２秒乾燥し、溶媒を気化させた後に１００℃で１分間加熱熟成を行って、均一な配向状態を得た。その後、この塗布膜を１００℃に１分間保持し、低酸素雰囲気下（１００ｐｐｍ以下）にて、照度８０ｍＷ／ｃｍ^２、照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２のメタルハライドランプの光を照射して硬化することで、緑色光反射層上に棒状液晶化合物を含むコレステリック液晶層を形成した。このコレステリック液晶層は、選択反射中心波長が赤色光の波長域にあるため、以下では、赤色光反射層（第四の光反射層）ともいう。光の照射は、いずれも、コレステリック液晶層側から行った。この時、硬化後の赤色光反射層の膜厚が３．４μｍとなるように塗布厚みを調整した。

　次に、赤色光反射層の表面を、放電量１５０Ｗ・ｍｉｎ／ｍ^２でコロナ処理を行った後、コロナ処理を行った面上に反射円偏光子用塗布液Ｄ－３をワイヤーバーコーターで塗布した。続いて、塗布膜を７０℃、２分間乾燥し、溶媒を気化させた後に１１５℃で３分間加熱熟成を行って、均一な配向状態を得た。その後、この塗布膜を４５℃に１分間保持し、これに窒素雰囲気下でメタルハライドランプを用いて紫外線照射（３００ｍＪ／ｃｍ^２）して硬化することで、赤色光反射層上に円盤状液晶化合物を含むコレステリック液晶層を形成した。このコレステリック液晶層は、選択反射中心波長が黄色光の波長域にあるため、以下では、黄色光反射層（第五の光反射層）ともいう。光の照射は、いずれも、コレステリック液晶層側から行った。この時、硬化後の黄色光反射層の膜厚が３．４μｍとなるように塗布厚みを調整した。

　作製した反射円偏光子１の各反射層について、反射中心波長と膜厚を表３－１に示す。ここで、反射中心波長とは、コレステリック液晶を用いた反射帯域を有する光反射フィルムの特性を定義するのに用いられ、フィルムが反射するスペクトルバンドの中間点を指す。具体的には、ピーク反射率に対して半値を示す短波長側の波長と長波長側の波長の平均値を計算することで得た。反射中心波長（反射光の中心波長）は、単層だけ塗布した膜を作成して確認した。膜厚はＳＥＭで確認した。

　表３－１．　反射円偏光子の光反射層の特性

〔反射円偏光子２の作製〕
　反射円偏光子２は、塗布液の種類およびコレステリック液晶を用いた各層の膜厚を下記表３－２のように変更し、また、ＵＶ照射時の温度およびＵＶ照射前にその温度に保持する時間を下記表４のように変えた以外は、反射円偏光子１と同じ作製方法で作製した。

　表３－２．　反射円偏光子２の光反射層の特性

〔反射円偏光子３～６の作製〕
　反射円偏光子３～５は、各層のＵＶ照射時の温度と、ＵＶ照射前にその温度に保持する時間を下記表４のように変えた以外は、反射円偏光子１と同じ作製方法で作製した。また反射円偏光子６は、各層のＵＶ照射時の温度と、ＵＶ照射前にその温度に保持する時間を下記表４のように変えた以外は、反射円偏光子２と同じ作製方法で作製した。ここで、２、３、５層目は円盤状液晶を用いた光反射層、１、４層目は棒状液晶を用いた光反射層である。

〔反射円偏光子７の作製〕
　反射円偏光子７は、塗布液の種類およびコレステリック液晶を用いた各層の膜厚を下記表３－３のように変更し、また、ＵＶ照射時の温度およびＵＶ照射前にその温度に保持する時間を下記表４のように変えた以外は、反射円偏光子１と同じ作製方法で作製した。

　表３－３．　反射円偏光子７の光反射層の特性

　表４．作製した反射円偏光子１～７

〔積層光学フィルムの作製〕
　以下の手順で積層光学フィルムを作製した。

＜位相差層１の作製＞
　特開２０２０－０８４０７０号公報の段落０１５１～０１６３に記載の方法を参照して、逆分散性の位相差層１を作製した。位相差層１は、Ｒｅ＝１４６ｎｍ、Ｒｔｈ＝７３ｎｍであった。

＜ポジティブＣプレート２の作製＞
　特開２０１６－０５３７０９号公報の段落０１３２～０１３４に記載の方法を参照し、膜厚を調整して、ポジティブＣプレート１を作製した。ただし、支持体は、ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）からトリアセチルセルロースフィルム（ＴＡＣフィルム）に変更した。ポジティブＣプレート１は、Ｒｅ＝０．１ｎｍ、Ｒｔｈ＝－８０ｎｍであった。

＜吸収直線偏光子の作製＞
　以下の手順で、吸収直線偏光子を作製した。

（セルロースアシレートフィルム１の作製）
　－コア層セルロースアシレートドープの作製－
　下記の組成物をミキシングタンクに投入し、撹拌して、各成分を溶解し、コア層セルロースアシレートドープとして用いるセルロースアセテート溶液を調製した。

―――――――――――――――――――――――――――――――――
　コア層セルロースアシレートドープ
―――――――――――――――――――――――――――――――――
・アセチル置換度２．８８のセルロースアセテート　　　　１００質量部
・特開２０１５－２２７９５５号公報の実施例に
　記載されたポリエステル化合物Ｂ　　　　　　　　　　　　１２質量部
・下記化合物Ｆ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２質量部
・メチレンクロライド（第１溶媒）　　　　　　　　　　　４３０質量部
・メタノール（第２溶媒）　　　　　　　　　　　　　　　　６４質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――

　化合物Ｆ

　－外層セルロースアシレートドープの作製－
　上記のコア層セルロースアシレートドープ９０質量部に下記のマット剤溶液を１０質量部加え、外層セルロースアシレートドープとして用いるセルロースアセテート溶液を調製した。

―――――――――――――――――――――――――――――――――
　マット剤溶液
―――――――――――――――――――――――――――――――――
・平均粒子サイズ２０ｎｍのシリカ粒子
（ＡＥＲＯＳＩＬ　Ｒ９７２、日本アエロジル（株）製）　　　２質量部
・メチレンクロライド（第１溶媒）　　　　　　　　　　　　７６質量部
・メタノール（第２溶媒）　　　　　　　　　　　　　　　　１１質量部
・上記のコア層セルロースアシレートドープ　　　　　　　　　１質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――

　－セルロースアシレートフィルム１の作製－
　上記コア層セルロースアシレートドープと上記外層セルロースアシレートドープを平均孔径３４μｍのろ紙および平均孔径１０μｍの焼結金属フィルターでろ過した後、上記コア層セルロースアシレートドープとその両側に外層セルロースアシレートドープとを３層同時に流延口から２０℃のドラム上に流延した（バンド流延機）。

　次いで、溶媒含有率略２０質量％の状態で剥ぎ取り、フィルムの幅方向の両端をテンタークリップで固定し、横方向に延伸倍率１．１倍で延伸しつつ乾燥した。

　その後、熱処理装置のロール間を搬送することにより、さらに乾燥し、厚み４０μｍの光学フィルムを作製し、これをセルロースアシレートフィルム１とした。得られたセルロースアシレートフィルム１の面内レターデーションは０ｎｍであった。

　＜光配向層ＰＡ１の形成＞

　下記配向層形成用塗布液Ｓ－ＰＡ－１を、ワイヤーバーで連続的に上記セルロースアシレートフィルム１上に塗布した。塗膜が形成された支持体を１４０℃の温風で１２０秒間乾燥し、続いて、塗膜に対して偏光紫外線照射（１０ｍＪ／ｃｍ^２、超高圧水銀ランプ使用）することで、光配向層ＰＡ１を形成した。膜厚は０．３μｍであった。

―――――――――――――――――――――――――――――――――
（配向層形成用塗布液Ｓ－ＰＡ－１）
―――――――――――――――――――――――――――――――――
・下記記重合体Ｍ－ＰＡ－１　　　　　　　　　　　１００．００質量部
・下記酸発生剤ＰＡＧ－１　　　　　　　　　　　　　　５．００質量部
・下記酸発生剤ＣＰＩ－１１０ＴＦ　　　　　　　　　０．００５質量部
・キシレン　　　　　　　　　　　　　　　　　　１２２０．００質量部
・メチルイソブチルケトン　　　　　　　　　　　　１２２．００質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――

　重合体Ｍ－ＰＡ－１

　酸発生剤ＰＡＧ－１

　酸発生剤ＣＰＩ－１１０ＴＦ

　＜光吸収異方性層Ｐ１の形成＞
　得られた配向層ＰＡ１上に、下記の光吸収異方性層形成用塗布液Ｓ－Ｐ－１をワイヤーバーで連続的に塗布した。次いで、塗布層Ｐ１を１４０℃で３０秒間加熱し、塗布層Ｐ１を室温（２３℃）になるまで冷却した。次いで、９０℃で６０秒間加熱し、再び室温になるまで冷却した。その後、ＬＥＤ灯（中心波長３６５ｎｍ）を用いて照度２００ｍＷ／ｃｍ^２の照射条件で２秒間照射することにより、配向層ＰＡ１上に光吸収異方性層Ｐ１を形成した。膜厚は１．６μｍであった。

―――――――――――――――――――――――――――――――――
　光吸収異方性層形成用塗布液Ｓ－Ｐ－１の組成
―――――――――――――――――――――――――――――――――
・下記二色性物質Ｄ－１　　　　　　　　　　　　　　　０．２５質量部
・下記二色性物質Ｄ－２　　　　　　　　　　　　　　　０．３６質量部
・下記二色性物質Ｄ－３　　　　　　　　　　　　　　　０．５９質量部
・下記高分子液晶性化合物Ｍ－Ｐ－１　　　　　　　　　２．２１質量部
・下記低分子液晶性化合物Ｍ－１　　　　　　　　　　　１．３６質量部
・重合開始剤
　ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＯＸＥ－０２（ＢＡＳＦ社製）　０．２００質量部
・下記界面活性剤Ｆ－３　　　　　　　　　　　　　　０．０２６質量部
・シクロペンタノン　　　　　　　　　　　　　　　　４６．００質量部
・テトラヒドロフラン　　　　　　　　　　　　　　　４６．００質量部
・ベンジルアルコール　　　　　　　　　　　　　　　　３．００質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――

　二色性物質Ｄ－１

　二色性物質Ｄ－２

　二色性物質Ｄ－３

　高分子液晶性化合物Ｍ－Ｐ－１

　低分子液晶性化合物Ｍ－１

　界面活性剤Ｆ－３

＜積層光学フィルム作製のための転写＞
　積層光学フィルム作製のための転写は、以下の手順により行った。
（１）ＰＭＭＡ基材に、ＵＶ接着剤ケミシールＵ２０８４Ｂ（ケミテック株式会社製、硬化後屈折率ｎ１．６０）をワイヤーバーコーターで厚み２μｍとなるように塗布した。その上に光吸収異方性層Ｐ１を転写した。光吸収異方性層Ｐ１の仮支持体の反対側がＵＶ接着剤と接するように、ラミネーターで貼り合わせた。
（２）パージボックスのなかで酸素濃度が１００ｐｐｍ以下になるまで窒素パージした後、光吸収異方性層Ｐ１の仮支持体側から高圧水銀ランプの紫外線を照射して硬化した。照度は２５ｍＷ／ｃｍ^２、照射量は１０００ｍＪ／ｃｍ^２だった。
（３）最後に光吸収異方性層Ｐ１の仮支持体を剥離した。

　次に、光吸収異方性層Ｐ１に対し、上述と同様の転写の手順にて、位相差層１を転写した。ただし、位相差層１の遅相軸と、光吸収異方性層Ｐ１の吸収軸とが４５°をなすように積層した。次に、位相差層１に対し、上述と同様の転写の手順にて、ポジティブＣプレート２を転写した。

　最後に、ポジティブＣプレート２に対し、上述と同様の転写の手順にて、光反射層１を転写した。このようにして、実施例１の反射円偏光子１を用いた積層光学フィルムを得た。

　反射円偏光子２～７に関しても、同様の手順にて、積層光学フィルム２～７を作製した。

［反射円偏光子の光学特性の評価］
　反射偏光子１～７の光学特性を下記方法で測定した。その結果を表５－１に示す。

　Ｉ₁；反射円偏光子が反射する円偏光を反射円偏光子に入射した際において、反射円偏光子を透過する透過光のうち、反射円偏光子が反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光の透過率を２倍にした値である。透過率の測定は、分光光度計（日本分光社製紫外可視近赤外分光光度計Ｖ－７５０）を用いて行った。その際、光源側に広帯域円偏光板をセットし、右円偏光が出射されるようにした。また検出器側には広帯域円偏光板をセットし、右円偏光をカットし左円偏光のみが検出されるようにされるようにした。ここで広帯域円偏光板は、株式会社ルケオ製偏光フィルムＰＯＬＡＸ－１５Ｎと、株式会社ルケオ製波長フィルムＳＢ－ＲＥＴＡＸ－５Ｌ－１／４λを組み合わせて作製した。得られた透過率を２倍にすることでＩ₁を得た。

　Ｉ₂；反射円偏光子が反射する円偏光を反射円偏光子に入射した際において、反射円偏光子で反射される反射光のうち、反射円偏光子が反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光の反射率を１／２倍にした値である。反射率の測定は、分光光度計（日本分光社製紫外可視近赤外分光光度計Ｖ－７５０）を用いて行った。その際、光源側に広帯域円偏光板をセットし、右円偏光が出射されるようにした。また検出器側には広帯域円偏光板をセットし、右円偏光をカットし左円偏光のみが検出されるようにした。ここで広帯域円偏光板は、株式会社ルケオ製偏光フィルムＰＯＬＡＸ－１５Ｎと、株式会社ルケオ製波長フィルムＳＢ－ＲＥＴＡＸ－５Ｌ－１／４λを組み合わせて作製した。得られた反射率を１／２倍にすることでＩ₂を得た。

　Ｉ₃；反射円偏光子が反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光を反射円偏光子に入射した際において、反射円偏光子で反射される反射光の反射率を１／４倍にした値である。反射率の測定は、分光光度計（日本分光社製紫外可視近赤外分光光度計Ｖ－７５０）を用いて行った。その際、光源側に広帯域円偏光板をセットし、左円偏光が出射されるようにした。また検出器側には広帯域円偏光板をセットし、右円偏光をカットし左円偏光のみが検出されるようにした。ここで広帯域円偏光板は、株式会社ルケオ製偏光フィルムＰＯＬＡＸ－１５Ｎと、株式会社ルケオ製波長フィルムＳＢ－ＲＥＴＡＸ－５Ｌ－１／４λを組み合わせて作製した。得られた反射率を１／４倍にすることでＩ₃を得た。

　Ｉ₄；反射円偏光子のヘイズを表す。ヘイズメーター(ＮＤＨ２０００、日本電色工業株式会社製)を用いて、ＪＩＳＫ７１３６に従ってヘイズ値を測定してＩ₄を得た。

　Ｉ₅；反射円偏光子に無偏光を入射した際において、積分球で測定した反射率におけるＳＣＥ／ＳＣＩ×１００の値を表す。ＳＣＥおよびＳＣＩの測定は、分光光度計（日本分光社製紫外可視近赤外分光光度計Ｖ－７５０）に積分球ユニットを設置して測定した。ＳＣＥは正反射光を光トラップで吸収させることで、正反射除去した時の反射率を得た。ＳＣＩは光トラップ部に白色板を設置することで、正反射光も含む反射率を得た。これらの比を求め、１００倍することでＩ₅を得た。

［積層光学フィルムの光学特性の評価］
　積層光学フィルム１～７の光学特性を下記方法で測定した。その結果を表５－２に示す。

　Ｉ₆；積層光学フィルムが反射する円偏光を積層光学フィルムの反射円偏光子側から入射した際において、積層光学フィルムの透過率を２倍にした値である。透過率の測定は、分光光度計（日本分光社製紫外可視近赤外分光光度計Ｖ－７５０）を用いて行った。その際、光源側に広帯域円偏光板をセットし、右円偏光が出射されるようにした。検出器側には何もセットしなかった。ここで広帯域円偏光板は、株式会社ルケオ製偏光フィルムＰＯＬＡＸ－１５Ｎと、株式会社ルケオ製波長フィルムＳＢ－ＲＥＴＡＸ－５Ｌ－１／４λを組み合わせて作製した。得られた透過率を２倍にすることでＩ₆を得た。

　Ｉ₇；積層光学フィルムが反射する円偏光を積層光学フィルムの反射円偏光子側から入射した際において、積層光学フィルムで反射される反射光のうち、反射円偏光子が反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光の反射率を１／２倍にした値である。反射率の測定は、分光光度計（日本分光社製紫外可視近赤外分光光度計Ｖ－７５０）を用いて行った。その際、光源側に広帯域円偏光板をセットし、右円偏光が出射されるようにした。また検出器側には広帯域円偏光板をセットし、右円偏光をカットし左円偏光のみが検出されるようにした。ここで広帯域円偏光板は、株式会社ルケオ製偏光フィルムＰＯＬＡＸ－１５Ｎと、株式会社ルケオ製波長フィルムＳＢ－ＲＥＴＡＸ－５Ｌ－１／４λを組み合わせて作製した。得られた反射率を１／２倍にすることでＩ₇を得た。

　Ｉ₈；積層光学フィルムが反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光を積層光学フィルムの反射円偏光子側から入射した際において、積層光学フィルムで反射される反射光の反射率を１／４倍にした値である。反射率の測定は、分光光度計（日本分光社製紫外可視近赤外分光光度計Ｖ－７５０）を用いて行った。その際、光源側に広帯域円偏光板をセットし、左円偏光が出射されるようにした。また検出器側には広帯域円偏光板をセットし、右円偏光をカットし左円偏光のみが検出されるようにした。ここで広帯域円偏光板は、株式会社ルケオ製偏光フィルムＰＯＬＡＸ－１５Ｎと、株式会社ルケオ製波長フィルムＳＢ－ＲＥＴＡＸ－５Ｌ－１／４λを組み合わせて作製した。得られた反射率を１／４倍にすることでＩ₈を得た。

　Ｉ₉；積層光学フィルムに反射円偏光子側から光を入射した際のヘイズを表す。ヘイズメーター(ＮＤＨ２０００、日本電色工業株式会社製)を用いて、ＪＩＳＫ７１３６に従ってヘイズ値を測定してＩ₉を得た。

　Ｉ₁₀；積層光学フィルムに反射円偏光子側から無偏光を入射した際において、積分球で測定した反射率におけるＳＣＥ／ＳＣＩ×１００の値を表す。ＳＣＥは正反射光を光トラップで吸収させることで、正反射除去した時の反射率を得た。ＳＣＩは光トラップ部に白色板を設置することで、正反射光も含む反射率を得た。これらの比を求め、１００倍することでＩ₁₀を得た。

　表５―１．反射円偏光子の光学特性

　表５―２．積層光学フィルムの光学特性

［積層光学フィルムの成形］
　以下のようにして、作製した積層光学フィルムを曲面形状に成形した。

　積層光学フィルム１を成形装置にセットした。成形装置内の成形空間は積層光学フィルム１で仕切られたボックス１とボックス２からなり、積層光学フィルム１の下側にあるボックス１に、モールドとして凸面側にアルミ蒸着を施したＴｈｏｒｌａｂ社製凸メニスカスレンズＬＥ１０７６－Ａ（直径２インチ、焦点距離１００ｍｍ、凹面側の曲率半径６５ｍｍ）を凹面が上になるように配置した。この際、積層光学フィルム１の反射円偏光子側がモールド側になるように配置した。また積層光学フィルム１の上側にあるボックス２には、上部に透明な窓を設置し、この外側に積層光学フィルム１を加熱するためのＩＲ光源を設置した。ＩＲ光源と積層光学フィルム１の間に、波長２．２μｍから波長３．０μｍの赤外線を反射率約５０％で反射するコレステリック液晶層からなるパターン赤外線反射フィルターを配置した。パターン赤外線反射フィルターのパターンは、ドーナツ形であり、直径２インチの円形状の赤外線反射フィルターの中心部を直径１インチでくりぬいたものである。この際、真上から見たときに、パターン赤外線反射フィルターの中心部が、モールドの中心部に来るように配置した。次に、真空ポンプでボックス１内、ボックス２内をそれぞれ０．１気圧以下となるように真空引きした。次に、積層光学フィルム１を加熱する工程として、赤外線を照射し、積層光学フィルム１の中心部が１０８℃、端部が９９℃となるまで加熱した。支持体として用いたＰＭＭＡフィルムのガラス転位温度Ｔｇは１０５℃であるため、成形中、中心部が伸びやすく、端部が伸びにくい状態になることを狙った。次に、積層光学フィルム１をモールドに押し付け、モールドの形状に沿って変形させる工程として、ボックス２にガスボンベからガスを流入させて３００ｋＰａに加圧し、積層光学フィルム１をモールドに圧着させた。最後に積層光学フィルム１を、モールドであるレンズから取り外した。これにより、曲面に成形された積層光学フィルム１を得た。

　積層光学フィルム２～７に関しても、同様の手順にて、曲面に成形した。

［コントラストの評価］
〔仮想現実表示装置の作製〕
　往復光学系を採用した仮想現実表示装置である、Ｈｕａｗｅｉ社製の仮想現実表示装置「Ｈｕａｗｅｉ　ＶＲ　Ｇｌａｓｓ」を分解し、複合レンズを全て取り出した。代わりに積層した積層光学フィルム１を貼合した複合レンズ１を本体に組み込み、更に複合レンズ１と目の間に積層光学体の光吸収異方性層Ｐ１側が目側に来るように設置することで、比較例１の仮想現実表示装置を作製した。作製した仮想現実表示装置において、画像表示パネルに白黒のチェッカーパターンを表示させ、コントラストの視認性を目視にて、下記五段階で評価した。

＜コントラストの評価＞
Ａ：黒と白の差が顕著で、細部が鮮明に区分される。
Ｂ：黒と白の差がはっきりしている。
Ｃ：黒と白の差がはっきりしているが、やや明瞭さを欠く。
Ｄ：黒と白の差が不十分で、画像がぼけてみえる。

　さらに、比較例２および実施例１～５の仮想現実表示装置を同様の手順で作製し、コントラスト視認性の評価を行った。その評価結果を表６に示す。

　その結果、実施例１～５の仮想現実表示装置においては、レンズの全領域にわたって、チェッカーパターンの黒と白の差がはっきりと視認された。一方、比較例１～２の仮想現実表示装置においては、チェッカーパターンの黒と白の差が不十分で、画像がぼけてみえた。

　表６．　コントラストの評価結果

　以上の結果から、本発明の効果は明らかである。

１０、１０ａ、１１　反射円偏光子
１２　ハーフミラー
１４　支持体
１６　反射直線偏光子
１８、２４　位相差層
２０、２０ａ、２０ｂ　積層光学フィルム
２２　吸収直線偏光子
３０、３４、３８　コレステリック液晶層Ｘ
３２、３６　コレステリック液晶層Ｙ
１００ａ、１００ｂ　仮想現実表示装置
１０２　画像表示パネル
１０４、１０８　λ／４板
１０６　吸収直線偏光子
２０２　黒表示部
２０４　白表示部
２０６　透過ゴーストの黒部
２０８　透過ゴーストの白部
２０９、２１３　重畳部
２１０　反射ゴーストの黒部
２１２　反射ゴーストの白部

Claims

　下記式（１）の関係を満たす、コレステリック液晶層を含む反射円偏光子。
　　式（１）　Ｉ₁＋Ｉ₂＋Ｉ₃＋Ｉ₄＋Ｉ₅＜３．０
　ここで、Ｉ₁は、前記反射円偏光子が反射する円偏光を前記反射円偏光子に入射した際において、前記反射円偏光子を透過する透過光のうち、前記反射円偏光子が反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光の透過率を２倍にした値である。
　Ｉ₂は、前記反射円偏光子が反射する円偏光を前記反射円偏光子に入射した際において、前記反射円偏光子で反射される反射光のうち、前記反射円偏光子が反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光の反射率を１／２倍にした値である。
　Ｉ₃は、前記反射円偏光子が反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光を前記反射円偏光子に入射した際において、前記反射円偏光子で反射される反射光の反射率を１／４倍にした値である。
　Ｉ₄は、前記反射円偏光子のヘイズ値を表す。
　Ｉ₅は、前記反射円偏光子に無偏光を入射した際において、積分球で測定した反射率におけるＳＣＥ／ＳＣＩ×１００の値を表す。
　棒状液晶化合物を用いて形成されたコレステリック液晶層Ｘと、円盤状液晶化合物を用いて形成されたコレステリック液晶層Ｙと、を含む、請求項１に記載の反射円偏光子。
　選択反射中心波長が異なる複数のコレステリック液晶層を含む、請求項１に記載の反射円偏光子。
　反射円偏光子と、吸収直線偏光子とを含む積層光学フィルムであって、
　前記積層光学フィルムが、下記式（２）の関係を満たす、積層光学フィルム。
　　式（２）　Ｉ₆＋Ｉ₇＋Ｉ₈＋Ｉ₉＋Ｉ₁₀＜３．５
　ここで、Ｉ₆は、前記積層光学フィルムが反射する円偏光を前記積層光学フィルムの前記反射円偏光子側から入射した際において、前記積層光学フィルムの透過率を２倍にした値である。
　Ｉ₇は、前記積層光学フィルムが反射する円偏光を前記積層光学フィルムの前記反射円偏光子側から入射した際において、前記積層光学フィルムで反射される反射光のうち、前記反射円偏光子が反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光の反射率を１／２倍にした値である。
　Ｉ₈は、前記積層光学フィルムが反射する円偏光と反対の旋回方向の円偏光を前記積層光学フィルムの前記反射円偏光子側から入射した際において、前記積層光学フィルムで反射される反射光の反射率を１／４倍にした値である。
　Ｉ₉は、前記積層光学フィルムに前記積層光学フィルムの前記反射円偏光子側から光を入射した際のヘイズ値を表す。
　Ｉ₁₀は、前記積層光学フィルムに無偏光を前記積層光学フィルムの前記反射円偏光子側から入射した際において、積分球で測定した反射率におけるＳＣＥ／ＳＣＩ×１００の値を表す。
　前記反射円偏光子が、コレステリック液晶層を含み、
　前記反射円偏光子と前記吸収直線偏光子との間に位相差層を有する、請求項４に記載の積層光学フィルム。
　前記反射円偏光子が、位相差層と反射直線偏光子とを含む、請求項４に記載の積層光学フィルム。
　請求項１～３のいずれか一項に記載の反射円偏光子、または、請求項４～６のいずれか一項に記載の積層光学フィルムを有する仮想現実表示装置。
　さらに、ハーフミラーを含む、請求項７に記載の仮想現実表示装置。