WO2025249149A1 - 載置台、およびプラズマ処理装置 - Google Patents

載置台、およびプラズマ処理装置

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WO2025249149A1
WO2025249149A1 PCT/JP2025/017411 JP2025017411W WO2025249149A1 WO 2025249149 A1 WO2025249149 A1 WO 2025249149A1 JP 2025017411 W JP2025017411 W JP 2025017411W WO 2025249149 A1 WO2025249149 A1 WO 2025249149A1
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WO
WIPO (PCT)
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ring
mounting table
insulating member
plasma processing
blocking member
Prior art date
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Pending
Application number
PCT/JP2025/017411
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English (en)
French (fr)
Inventor
孝宣 荻野
洋志 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
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Pending legal-status Critical Current
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    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/24—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials
    • H10P50/242—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials of Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping

Definitions

  • This disclosure relates to a mounting table and a plasma processing apparatus.
  • Patent Document 1 discloses a plasma processing apparatus (processing apparatus) that performs plasma processing on a substrate placed on a mounting table (stage).
  • This plasma processing apparatus 1 has a ring such as a cover ring or edge ring placed around the periphery of the substrate placed on the electrostatic chuck of the mounting table.
  • the plasma processing apparatus also has a ring-shaped insulating member (insulator) on the outside of the layered structure of the base and electrostatic chuck.
  • This disclosure provides technology that can prevent deposits from adhering to a substrate-placing table.
  • a mounting table comprising: an electrostatic chuck for mounting a substrate; an insulating member arranged to surround the outside of the electrostatic chuck; one or more rings arranged on top of the insulating member and extending circumferentially around the insulating member; and a blocking member extending circumferentially around the insulating member and blocking the boundary between the insulating member and the ring.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating an example of the configuration of a capacitively coupled plasma processing apparatus.
  • FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing the outer periphery of the mounting table.
  • 3A and 3B are diagrams illustrating a state of the mounting table according to the embodiment during plasma processing, and a state of the mounting table according to a reference example during plasma processing, respectively.
  • 10 is a flowchart illustrating a method for assembling a ring assembly.
  • 5A and 5B are enlarged cross-sectional views of the outer periphery of a mounting table according to a first modified example, and the outer periphery of a mounting table according to a second modified example.
  • Figure 1 is a diagram illustrating an example configuration of a capacitively coupled plasma processing apparatus.
  • the plasma processing system includes a capacitively coupled plasma processing device 1 and a control unit 2.
  • the capacitively coupled plasma processing device 1 includes a plasma processing chamber 10, a gas supply unit 20, a power supply 30, and an exhaust system 40.
  • the plasma processing device 1 also includes a mounting table 11 and a gas inlet unit.
  • the gas inlet unit is configured to introduce at least one processing gas into the plasma processing chamber 10.
  • the gas inlet unit includes a showerhead 13.
  • the mounting table 11 is disposed inside the plasma processing chamber 10.
  • the showerhead 13 is disposed above the mounting table 11. In one embodiment, the showerhead 13 forms at least a part of the ceiling of the plasma processing chamber 10.
  • the plasma processing chamber 10 has a plasma processing space 10s defined by the showerhead 13, a sidewall 10a of the plasma processing chamber 10, and the mounting table 11.
  • the plasma processing chamber 10 has at least one gas supply port for supplying at least one processing gas to the plasma processing space 10s and at least one gas exhaust port 10e for exhausting gas from the plasma processing space 10s.
  • the plasma processing chamber 10 is grounded.
  • the showerhead 13 and the mounting table 11 are electrically insulated from the housing of the plasma processing chamber 10.
  • the mounting table 11 includes a main body 50 and a ring assembly 60.
  • the main body 50 has a central region 50a for supporting the substrate W and an annular region 50b for supporting the ring assembly 60.
  • a wafer is an example of a substrate W.
  • the annular region 50b of the main body 50 surrounds the central region 50a of the main body 50 in a planar view.
  • the substrate W is placed on the central region 50a of the main body 50
  • the ring assembly 60 is placed on the annular region 50b of the main body 50 so as to surround the substrate W on the central region 50a of the main body 50. Therefore, the central region 50a is also called a substrate support surface for supporting the substrate W, and the annular region 50b is also called a ring support surface for supporting the ring assembly 60.
  • the main body 50 includes a base 51 and an electrostatic chuck 52.
  • the base 51 includes a conductive member.
  • the conductive member of the base 51 may function as a lower electrode.
  • the electrostatic chuck 52 is disposed on the base 51.
  • the electrostatic chuck 52 includes a ceramic member 52a and an electrostatic electrode 52b disposed within the ceramic member 52a.
  • the ceramic member 52a has a central region 50a.
  • the ceramic member 52a also has an annular region 50b. Note that another member surrounding the electrostatic chuck 52, such as the annular electrostatic chuck or the annular insulating member, may also have the annular region 50b.
  • the ring assembly 60 may be disposed on the annular electrostatic chuck or the annular insulating member, or may be disposed on both the electrostatic chuck 52 and the annular insulating member.
  • at least one RF/DC electrode coupled to an RF (Radio Frequency) power supply 31 and/or a DC (Direct Current) power supply 32, which will be described later, may be disposed within the ceramic member 52a.
  • the at least one RF/DC electrode functions as a lower electrode.
  • the RF/DC electrode is also called a bias electrode.
  • the conductive member of the base 51 and the at least one RF/DC electrode may function as multiple lower electrodes.
  • the electrostatic electrode 52b may function as a lower electrode. Therefore, the mounting table 11 includes at least one lower electrode.
  • the ring assembly 60 includes one or more rings.
  • the one or more rings include, for example, one focus ring 61 and one or more cover rings 62 (see FIG. 2).
  • the focus ring 61 is formed from a conductive material
  • the cover ring 62 is formed from an insulating material or a conductive material.
  • the mounting table 11 may also include a temperature control module configured to adjust at least one of the electrostatic chuck 52, the ring assembly 60, and the substrate W to a target temperature.
  • the temperature control module may include a heater, a heat transfer medium, a flow path 51a, or a combination thereof.
  • a heat transfer fluid such as brine or gas flows through the flow path 51a.
  • the flow path 51a is formed in the base 51, and one or more heaters are disposed in the ceramic member 52a of the electrostatic chuck 52.
  • the mounting table 11 may also include a heat transfer gas supply unit configured to supply a heat transfer gas to the gap between the back surface of the substrate W and the central region 50a.
  • the showerhead 13 is configured to introduce at least one processing gas from the gas supply unit 20 into the plasma processing space 10s.
  • the showerhead 13 has at least one gas supply port 13a, at least one gas diffusion chamber 13b, and multiple gas inlets 13c.
  • the processing gas supplied to the gas supply port 13a passes through the gas diffusion chamber 13b and is introduced into the plasma processing space 10s from the multiple gas inlets 13c.
  • the showerhead 13 also includes at least one upper electrode.
  • the gas inlet may also include one or more side gas injectors (SGIs) attached to one or more openings formed in the sidewall 10a.
  • SGIs side gas injectors
  • the gas supply unit 20 may include at least one gas source 21 and at least one flow controller 22.
  • the gas supply unit 20 is configured to supply at least one process gas from a corresponding gas source 21 to the showerhead 13 via a corresponding flow controller 22.
  • Each flow controller 22 may include, for example, a mass flow controller or a pressure-controlled flow controller.
  • the gas supply unit 20 may include one or more flow modulation devices that modulate or pulse the flow rate of the at least one process gas.
  • the power supply 30 includes an RF power supply 31 coupled to the plasma processing chamber 10 via at least one impedance matching circuit.
  • the RF power supply 31 is configured to supply at least one RF signal (RF power) to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode. This causes a plasma to be formed from at least one processing gas supplied to the plasma processing space 10s. Therefore, the RF power supply 31 can function as at least a part of a plasma generation unit configured to generate plasma from one or more processing gases in the plasma processing chamber 10.
  • a bias RF signal to the at least one lower electrode, a bias potential is generated on the substrate W, and ion components in the formed plasma can be attracted to the substrate W.
  • the RF power supply 31 includes a first RF generating unit 31a and a second RF generating unit 31b.
  • the first RF generating unit 31a is coupled to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode via at least one impedance matching circuit and is configured to generate a source RF signal (source RF power) for plasma generation.
  • the source RF signal has a frequency in the range of 10 MHz to 150 MHz.
  • the first RF generating unit 31a may be configured to generate multiple source RF signals having different frequencies. The generated one or more source RF signals are supplied to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode.
  • the second RF generating unit 31b is coupled to at least one lower electrode via at least one impedance matching circuit and is configured to generate a bias RF signal (bias RF power).
  • the frequency of the bias RF signal may be the same as or different from the frequency of the source RF signal.
  • the bias RF signal has a frequency lower than the frequency of the source RF signal.
  • the bias RF signal has a frequency in the range of 100 kHz to 60 MHz.
  • the second RF generating unit 31b may be configured to generate multiple bias RF signals having different frequencies.
  • the generated one or more bias RF signals are supplied to at least one lower electrode.
  • at least one of the source RF signal and the bias RF signal may be pulsed.
  • the power supply 30 may also include a DC power supply 32 coupled to the plasma processing chamber 10.
  • the DC power supply 32 includes a first DC generator 32a and a second DC generator 32b.
  • the first DC generator 32a is connected to at least one lower electrode and configured to generate a first DC signal.
  • the generated first bias DC signal is applied to the at least one lower electrode.
  • the second DC generator 32b is connected to at least one upper electrode and configured to generate a second DC signal.
  • the generated second DC signal is applied to the at least one upper electrode.
  • At least one of the first and second DC signals may be pulsed.
  • a sequence of voltage pulses is applied to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode.
  • the voltage pulses may have a rectangular, trapezoidal, triangular, or combination thereof pulse waveform.
  • a waveform generator for generating the sequence of voltage pulses from the DC signal is connected between the first DC generator 32a and at least one lower electrode.
  • the first DC generator 32a and the waveform generator constitute a voltage pulse generator.
  • the second DC generator 32b and the waveform generator constitute a voltage pulse generator
  • the voltage pulse generator is connected to at least one upper electrode.
  • the voltage pulses may have positive or negative polarity.
  • the sequence of voltage pulses may include one or more positive voltage pulses and one or more negative voltage pulses within one period.
  • the first and second DC generators 32a and 32b may be provided in addition to the RF power supply 31, or the first DC generator 32a may be provided instead of the second RF generator 31b.
  • the exhaust system 40 may be connected to, for example, a gas exhaust port 10e provided at the bottom of the plasma processing chamber 10.
  • the exhaust system 40 may include a pressure regulating valve and a vacuum pump. The pressure in the plasma processing space 10s is adjusted by the pressure regulating valve.
  • the vacuum pump may include a turbomolecular pump, a dry pump, or a combination thereof.
  • the control unit 2 processes computer-executable instructions that cause the plasma processing apparatus 1 to perform the various processes described in this disclosure.
  • the control unit 2 may be configured to control each element of the plasma processing apparatus 1 to perform the various processes described herein. In one embodiment, part or all of the control unit 2 may be included in the plasma processing apparatus 1.
  • the control unit 2 may include a processing unit 2a1, a memory unit 2a2, and a communication interface 2a3.
  • the control unit 2 is realized, for example, by a computer 2a.
  • the processing unit 2a1 may be configured to perform various control operations by reading a program from the memory unit 2a2 and executing the read program. This program may be stored in the memory unit 2a2 in advance, or may be acquired via a medium when needed.
  • the acquired program is stored in the memory unit 2a2 and read from the memory unit 2a2 by the processing unit 2a1 for execution.
  • the medium may be various storage media readable by the computer 2a, or may be a communication line connected to the communication interface 2a3.
  • the processing unit 2a1 may be a CPU (Central Processing Unit).
  • the memory unit 2a2 may include RAM (Random Access Memory), ROM (Read Only Memory), HDD (Hard Disk Drive), SSD (Solid State Drive), or a combination of these.
  • the communication interface 2a3 may communicate with the plasma processing apparatus 1 via a communication line such as a LAN (Local Area Network).
  • FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing the outer periphery of the mounting table 11.
  • the mounting table 11 includes a main body 50, which is formed by stacking a base 51 and an electrostatic chuck 52, and a ring assembly 60 that is placed on the upper surface of the main body 50 together with the substrate W.
  • the ring assembly 60 includes one focus ring 61 and multiple cover rings 62.
  • the cover ring 62 is configured to be separable into two members, a first cover ring 621 and a second cover ring 622.
  • the ring assembly 60 is placed on the upper surface of the main body 50 in a form in which the focus ring 61, the first cover ring 621, and the second cover ring 622 are assembled.
  • the number of rings in the ring assembly 60 is not particularly limited.
  • the focus ring 61 may be composed of multiple rings.
  • the cover ring 62 may be composed of three or more rings, or may be a single ring (see also Figure 5(B) below).
  • the main body 50 of the mounting table 11 includes an insulating member 53 on the outer periphery of the layered structure of the base 51 and electrostatic chuck 52.
  • the insulating member 53 is formed from a hard, heat-resistant insulating material such as ceramics or quartz.
  • the insulating member 53 is formed in a circular ring shape in a plan view and is an insulator ring that forms the outer shape of the main body 50 by surrounding the radial outside of the base 51 and electrostatic chuck 52.
  • the insulating member 53 prevents radicals, ions, etc. that move from the plasma processing space 10s to the gas exhaust port 10e from reacting with the base 51, etc., to generate by-products (deposits).
  • the insulating member 53 has a convex portion 531 that protrudes vertically upward, on the radially inward side of the upper end surface.
  • the convex portion 531 is formed in a circular ring shape in a plan view, extending along the circumferential direction of the insulating member 53.
  • the upper surface of the convex portion 531 faces the lower surface of a portion of the first cover ring 621.
  • the main body 50 includes a conductive unit 55 that electrically connects the base 51 and the focus ring 61.
  • the conductive unit 55 supplies the focus ring 61 with a signal (power such as a bias RF signal, bias DC signal, or source RF signal) supplied from the power supply 30 to the base 51.
  • a signal power such as a bias RF signal, bias DC signal, or source RF signal
  • the focus ring 61 to which a bias voltage is applied forms a sheath electric field in the plasma processing space 10s above it.
  • the plasma processing apparatus 1 controls the sheath electric field above the substrate W and the sheath electric field above the focus ring 61 to be at the same height, thereby guiding the attraction of ions in the plasma in the vertical direction and improving the in-plane uniformity of the plasma processing, for example.
  • the conductive portion 55 has a first conductive ring 551, a connecting member 552, and a second conductive ring 553 to form a power supply path that bypasses the electrostatic chuck 52.
  • the first conductive ring 551 and the second conductive ring 553 are formed from an electrically connectable and elastically deformable conductive material.
  • the first conductive ring 551 and the second conductive ring 553 may be, for example, a spiral tube. Note that one or both of the first conductive ring 551 and the second conductive ring 553 may not be annular and circumferentially encircling the base 51, but may be multiple arc-shaped members divided circumferentially.
  • the first conductive ring 551 is disposed in a groove 511 formed on the outer peripheral surface of the base 51, and the portion protruding from the groove 511 contacts the inner peripheral surface of the connection member 552.
  • the groove 511 circles the outer peripheral surface of the base 51 near the top.
  • the first conductive ring 551 is sandwiched between the groove 511 and the connection member 552 in an elastically deformed form, thereby maintaining a stable electrical connection between the base 51 and the connection member 552.
  • the connecting member 552 is formed in a circular ring shape that circles the radially outer side of the base 51 and electrostatic chuck 52.
  • the connecting member 552 is installed so as to bridge a range in the vertical direction from the top of the base 51 to a height exceeding the height position of the annular region 50b of the electrostatic chuck 52.
  • the connecting member 552 is formed from a conductive material that is harder than the first conductive ring 551 and the second conductive ring 553.
  • the connecting member 552 can be made from a metal material such as aluminum, copper, iron, or an alloy of these.
  • the connecting member 552 has a circular recess 552c cut out on the inside at the top in the vertical direction, and this recess 552c houses the second conductive ring 553.
  • the connecting member 552 may be assembled with a slight clearance to absorb differences in the thermal expansion coefficients of the base 51, insulating member 53, etc.
  • the connecting member 552 may be assembled in a form in which it contacts some or all of the base 51, insulating member 53, etc.
  • the second conductive ring 553 is arranged so that it circles around while making contact with the inner circumferential surface of the recessed portion 552c of the connecting member 552.
  • the second conductive ring 553 is sandwiched between the connecting member 552 and the focus ring 61 in an elastically deformed state, thereby maintaining a stable electrical connection between the connecting member 552 and the focus ring 61.
  • the recessed portion 552c of the connecting member 552 may have a restricting structure such as a recessed groove that prevents the second conductive ring 553 from coming loose.
  • the focus ring 61 of the ring assembly 60 is disposed between the stepped surfaces of the central region 50a and the annular region 50b of the electrostatic chuck 52 and the inside of the second conductive ring 553.
  • the focus ring 61 is formed in a circular ring shape in a plan view and is made of a hard conductive material (including a semiconductor). Examples of materials for the focus ring 61 include silicon, silicon carbide, and other metals.
  • a signal (power) from the power supply 30 is supplied to the focus ring 61 via the base 51 and the conductive portion 55.
  • a bias voltage bias voltage (bias RF signal, bias DC signal) is applied to the focus ring 61 during plasma processing, thereby forming a sheath electric field in the plasma processing space 10s above it.
  • the focus ring 61 may have a protrusion 611 (see dotted line in Figure 2) at approximately the same height as the top surface of the substrate W placed on the side of the substrate W placed in the central region 50a of the electrostatic chuck 52.
  • the focus ring 61 may also contact the back surface of the substrate W placed in the central region 50a of the electrostatic chuck 52. This allows a bias voltage to be applied to the substrate W as well via the base 51, the conductive portion 55, and the focus ring 61.
  • the focus ring 61 may be placed so that its top surface is spaced apart (out of contact) from the back surface of the substrate W.
  • the first cover ring 621 one of the cover rings 62, is formed in an annular shape extending circumferentially radially outward from the outer edge of the substrate W (in other words, above the insulating member 53).
  • This first cover ring 621 is placed so as to cover the insulating member 53, the connecting member 552, the second conductive ring 553, and the upper outer periphery of the focus ring 61.
  • the first cover ring 621 prevents these components from being directly exposed to the plasma in the plasma processing space 10s.
  • the first cover ring 621 is formed of an insulating material such as aluminum oxide or quartz.
  • the first cover ring 621 according to this embodiment may be formed of a conductive material similar to that of the focus ring 61. This allows the plasma processing apparatus 1 to form a sheath electric field above the first cover ring 621 as well.
  • the height position of the first cover ring 621 may be set to the same height as the upper surface of the substrate W placed in the central region 50a. Furthermore, a step portion 621b is provided on the radially outer upper surface of the first cover ring 621, onto which the second cover ring 622 can be hooked.
  • the second covering ring 622 is a ring-shaped member in a plan view that is positioned radially outward of the first covering ring 621.
  • the second covering ring 622 covers the blocking member 70 (described below), thereby accommodating the blocking member 70 without exposing it to the plasma processing space 10s.
  • the second covering ring 622 has a flange 622f on its vertically upper side and radially inner side that can be assembled to the stepped portion 621b of the first covering ring 621.
  • the upper surface of the second covering ring 622, including the flange 622f, is assembled so that it is approximately flush with the upper surface of the first covering ring 621.
  • This second covering ring 622 is preferably formed using the insulating material listed for the first covering ring 621. It is also preferable that the first covering ring 621 and the second covering ring 622 are made of the same material. This makes it possible to suppress differences in thermal expansion between the components of the divided covering ring 62.
  • a space 63 in which a blocking member 70 can be placed is formed between the upper surface of the insulating member 53, the outer peripheral surface 621o of the first covering ring 621, and the inner peripheral surface of the second covering ring 622.
  • a gap C may occur between the main body 50 and the ring assembly 60 mounted on top of the main body 50.
  • This type of gap C occurs due to assembly errors in the main body 50 or ring assembly 60 or dimensional errors in each component. For this reason, it is difficult to predict the position and size of the gap C.
  • gaps C include the gap C1 between the insulating member 53 and the second cover ring 622, the gap C2 between the insulating member 53 (protrusion 531) and the first cover ring 621, the vertical gap C3 between the insulating member 53 and the connecting member 552, the horizontal gap C4 between the insulating member 53 and the connecting member 552, and the gap C5 between the connecting member 552 and the first cover ring 621.
  • Figure 3(A) is a diagram showing the state of the mounting table 11 according to the embodiment during plasma processing.
  • Figure 3(B) is a diagram showing the state of the mounting table 11' according to the reference example during plasma processing.
  • the mounting table 11' has a ring assembly 60 consisting of a focus ring 61 and a cover ring 62 that is not divided into two. Furthermore, the mounting table 11' does not have a blocking member 70 between the main body 50 and the ring assembly 60.
  • radicals R may enter each gap C and reach the base 51, connecting member 552, focus ring 61, etc. Specifically, radicals R enter through gap C1 between the insulating member 53 and the cover ring 62 and reach the connecting member 552. Some of the radicals R react with the connecting member 552, which is made of a conductive material, to become by-products (deposits) and adhere to the connecting member 552.
  • the other radicals R may reach the base 51 by moving through the vertical gap C3 between the insulating member 53 and the connecting member 552 and then through the horizontal gap C4 between the insulating member 53 and the connecting member 552.
  • the other part of the radicals R reacts with the base 51, which is made of a conductive material, and becomes deposits that adhere to the base 51.
  • the other part of the radicals R may reach the focus ring 61 by moving through the gap C5 between the connecting member 552 and the cover ring 62.
  • the mounting table 11 is provided with a blocking member 70 that blocks the gap C.
  • the blocking member 70 integrally covers the outer peripheral surface 531o of the protruding portion 531 of the insulating member 53 and the outer peripheral surface 621o of the first cover ring 621, thereby blocking the boundary between the protruding portion 531 and the second cover ring 622.
  • the blocking member 70 has an annular shape in a plan view and is formed in a band shape with a fixed length spanning the outer peripheral surface 531o of the convex portion 531 and the outer peripheral surface 621o of the first cover ring 621. In other words, the blocking member 70 wraps around the entire outer peripheral surfaces 531o, 621o in the circumferential direction, covering the gap C2 between the upper surface of the convex portion 531 of the insulating member 53 and the lower surface of the first cover ring 621. This allows the blocking member 70 to reliably block the entire gap C2.
  • the material for the blocking member 70 can be, for example, a resin material (rubber material) with high heat resistance and elasticity.
  • the blocking member 70 can be easily attached to the outer peripheral surfaces 531o, 621o by placing the first covering ring 621 on the convex portion 531, expanding the blocking member 70 to face the outer peripheral surfaces 531o, 621o, and then contracting the blocking member 70.
  • the material for the blocking member 70 is not particularly limited as long as it can block the boundary between the convex portion 531 and the second covering ring 622; for example, it can be a non-elastic material.
  • the material for the blocking member 70 can be an insulating material (organic material, inorganic material), or a conductive material or semiconductor material.
  • the blocking member 70 can be made of glass fiber plastic, carbon fiber plastic, or the like.
  • the mounting base 11 preferably includes a restricting portion 71 that restricts the closure member 70 from coming off.
  • the restricting portion 71 can be a tapered surface 71t in which the outer surface 531o of the protrusion 531 and the outer surface 621o of the first cover ring 621 are flush with each other and continuous with each other, and the diameter decreases in the direction in which the closure member 70 is attached (vertically downward).
  • the inclination angle of the tapered surface 71t relative to the vertical direction is not particularly limited, but it is preferable to set it in the range of approximately 1° to 5°, for example. In this embodiment, the inclination angle of the tapered surface 71t is 3°.
  • the mounting base 11 improves the contact between the insulating member 53 and the first cover ring 621 and the closure member 70. In other words, the mounting base 11 can more reliably prevent the closure member 70, which is mounted on the tapered surface 71t, from coming off in the vertically upward direction.
  • the second cover ring 622 which is placed radially outward of the first cover ring 621, covers the upper part of the insulating member 53 and also functions as a member for protecting the blocking member 70. This prevents the blocking member 70 from being directly exposed to the plasma in the plasma processing space 10s.
  • the mounting table 11 can prevent further infiltration by the blocking member 70.
  • the blocking member 70 blocks the infiltration of radicals R into the gap C2 between the convex portion 531 of the insulating member 53 and the first cover ring 621. This prevents the radicals R from reaching the base 51 or the connecting member 552.
  • the mounting table 11 can stably perform plasma processing on the substrate W.
  • Figure 4 is a flowchart showing a method for assembling the ring assembly 60.
  • the worker When placing the ring assembly 60 on the main body 50, the worker assembles the ring assembly 60 onto the top of the main body 50, for example, using the assembly method shown in Figure 4.
  • the worker first places the focus ring 61 in the annular region 50b of the electrostatic chuck 52 (step S101). At this time, the worker inserts the focus ring 61 into the recess in the annular region 50b so that the outer peripheral surface of the focus ring 61 contacts the second conductive ring 553 of the pre-installed conductive portion 55.
  • the mounting table 11 may be configured so that the focus ring 61 is inserted first, and then the second conductive ring 553 is installed between the connecting member 552 and the focus ring 61.
  • the worker places the first cover ring 621 so that it overlaps the outer periphery of the focus ring 61 (step S102).
  • the worker places the first cover ring 621 on the focus ring 61 while accommodating the connecting member 552 inside the first cover ring 621.
  • the outer periphery of the first cover ring 621 overlaps the upper surface of the convex portion 531 of the insulating member 53, and a tapered surface 71t is formed in which the outer periphery 621o of the first cover ring 621 and the outer periphery 531o of the convex portion 531 are flush with each other.
  • the worker attaches the blocking member 70 to the tapered surface 71t, blocking the boundary between the insulating member 53 and the first cover ring 621 with the blocking member 70 (step S103).
  • the worker expands the blocking member 70 to face the tapered surface 71t, and then contracts the blocking member 70, thereby easily attaching the blocking member 70 to the tapered surface 71t.
  • the blocking member 70 attached to the tapered surface 71t is prevented from coming off vertically upward (in the direction opposite to the attachment direction).
  • step S104 places the second covering ring 622 radially outside the first covering ring 621.
  • the worker places the second covering ring 622 so that the flange 622f fits into the stepped portion 621b of the first covering ring 621.
  • This places the blocking member 70 in the space 63 surrounded by the insulating member 53, first covering ring 621, and second covering ring 622.
  • the worker can smoothly cover the gap C2 between the connecting member 552 and the first cover ring 621 with the blocking member 70, and protect the blocking member 70 with the second cover ring 622.
  • the mounting base 11 assembled with the ring assembly 60 in this way can prevent the intrusion of radicals R by the blocking member 70, and suppress the adhesion of deposits.
  • the ring assembly 60 of the mounting table 11 with the first cover ring 621 and the second cover ring 622, it is possible to increase the degree of layout freedom, such as by attaching the blocking member 70 to the first cover ring 621 side.
  • the blocking member 70 integrally covers the outer surface 531o of the insulating member 53 (protrusion 531) and the outer surface 621o of the first cover ring 621, thereby more reliably blocking the gap C that occurs at the boundary.
  • the second cover ring 622 can suppress deterioration of the blocking member 70.
  • the ring assembly 60 can effectively form a sheath electric field radially outside the substrate W. Furthermore, by configuring the focus ring 61 to receive power via the conductive portion 55, the thickness of the sheath electric field can be easily controlled. Furthermore, by providing the mounting table 11 with a restricting portion 71 (tapered surface 72t), it is possible to prevent the attached blocking member 70 from becoming detached. Furthermore, because the blocking member 70 is made of a rubber material, it can be easily attached in response to the operator's operation to expand and contract the blocking member 70 when placing the cover ring 62.
  • the mounting table 11 and plasma processing apparatus 1 are not limited to the above embodiment and may take various modified forms.
  • the mounting table 11 may be installed in a substrate processing apparatus other than the plasma processing apparatus 1. Even in this case, the provision of the blocking member 70 can prevent deposits and the like from adhering to the components within the mounting table 11.
  • the mounting table 11 may also be configured without the conductive portion 55 that supplies power to the focus ring 61.
  • the mounting table 11 may not have the focus ring 61 as a ring.
  • the mounting table 11 may not have the cover ring 62, and the blocking member 70 may be disposed at the boundary between the insulating member 53 and the focus ring 61.
  • the restricting portion 71 is not limited to the tapered surface 72t, and may also have a structure, such as a protrusion, on which the blocking member 70 can be hooked.
  • the mounting table 11A according to the first modified example shown in Figure 5(A) differs from the mounting table 11 according to the embodiment in that, instead of the band-shaped blocking member 70, an O-ring 75, which is an elastically deformable blocking member having a circular cross section, is used. Note that, below, components that are the same as those in the above embodiment are given the same reference numerals, and detailed descriptions thereof will be omitted.
  • the O-ring 75 is housed in a recess 622a formed on the inner surface of the second cover ring 622, and airtightly closes the gap (space 63) between it and the opposing protrusion 531 of the insulating member 53. Even in this case, the O-ring 75 can prevent the intrusion of radicals R.
  • the recess 622a also functions as a restricting portion 71 that restricts the movement of the O-ring 75.
  • the blocking member 70 is not limited to a strip shape, and various shapes may be used as long as it can close the gap between the insulating member 53 and the ring assembly 60.
  • the mounting table 11B according to the second modified example shown in Figure 5(B) differs from the mounting tables 11 and 11A in that it uses a single cover ring 62 that is not divided into multiple pieces, and that a strip-shaped blocking member 76 is installed at the boundary between this cover ring 62 and the insulating member 53.
  • the blocking member 76 is exposed to the space connecting the plasma processing space 10s and the gas exhaust port 10e.
  • a flexible ceramic sheet or the like can be used as a material for such a blocking member 76.
  • the ring includes a first cover ring disposed radially outward from the substrate and a second cover ring disposed radially outward from the first cover ring, the blocking member blocks at least one of a boundary between the insulating member and the first covering ring and a boundary between the insulating member and the first covering ring; 2.
  • the blocking member integrally covers the outer peripheral surface of the insulating member and the outer peripheral surface of the first covering. 4. The mounting table according to claim 2 or 3.
  • the ring has a focus ring formed of a conductive material inside the first cover ring; 5.
  • the mounting table according to any one of claims 2 to 4.
  • the restricting portion is a tapered surface that is continuous with a surface of the insulating member on which the blocking member is provided and a surface of the ring, and that has a diameter that decreases in a direction in which the blocking member is attached.
  • the blocking member is made of an elastic rubber material. 9. The mounting table according to any one of claims 1 to 8.
  • the mounting tables 11, 11A, 11B and plasma processing apparatus 1 are illustrative in all respects and not restrictive.
  • the embodiments may be modified and improved in various ways without departing from the spirit and scope of the appended claims.
  • the matters described in the above embodiments may be configured in other ways as long as they are not inconsistent, and may be combined as long as they are not inconsistent.
  • the plasma processing apparatus 1 disclosed herein can be applied to any type of apparatus, including Atomic Layer Deposition (ALD) apparatus, Capacitively Coupled Plasma (CCP), Inductively Coupled Plasma (ICP), Radial Line Slot Antenna (RLSA), Electron Cyclotron Resonance Plasma (ECR), and Helicon Wave Plasma (HWP).
  • ALD Atomic Layer Deposition
  • CCP Capacitively Coupled Plasma
  • ICP Inductively Coupled Plasma
  • RLSA Radial Line Slot Antenna
  • ECR Electron Cyclotron Resonance Plasma
  • HWP Helicon Wave Plasma

Landscapes

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Abstract

載置台は、基板を載置する静電チャックと、前記静電チャックの外側を周回するように設けられる絶縁部材と、前記絶縁部材の上部に配置され、当該絶縁部材の周方向に沿って延在する１以上のリングと、を備える。また、載置台は、前記絶縁部材の周方向に沿って延在し、かつ前記絶縁部材と前記リングの間の境界を閉塞する閉塞部材を備える。載置台は、前記閉塞部材によって前記境界を閉塞することで、載置台に付着するデポを抑制できる。

Description

載置台、およびプラズマ処理装置
　本開示は、載置台、およびプラズマ処理装置に関する。
　特許文献１には、載置台（ステージ）に載置した基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置（処理装置）が開示されている。このプラズマ処理装置１は、載置台の静電チャックに載置する基板の周囲に、カバーリング、エッジリング等のリングを載置している。また、プラズマ処理装置は、基台および静電チャックの積層構造の外側に円環状の絶縁部材（絶縁体）を備える。
特開２０２３－１１３８５０号公報
　本開示は、基板を載置する載置台に対してデポが付着することを抑制できる技術を提供する。
　本開示の一態様によれば、基板を載置する静電チャックと、前記静電チャックの外側を周回するように設けられる絶縁部材と、前記絶縁部材の上部に配置され、当該絶縁部材の周方向に沿って延在する１以上のリングと、前記絶縁部材の周方向に沿って延在し、かつ前記絶縁部材と前記リングの間の境界を閉塞する閉塞部材と、を備える、載置台が提供される。
　一態様によれば、基板を載置する載置台に対してデポが付着することを抑制できる。
容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。 載置台の外周部を拡大して示す断面図である。 図３（Ａ）は、実施形態に係る載置台のプラズマ処理時の状態を示す図である。図３（Ｂ）は、参考例に係る載置台のプラズマ処理時の状態を示す図である。 リングアセンブリの組立方法を示すフローチャートである。 図５（Ａ）は、第１変形例に係る載置台の外周部を拡大して示す断面図である。図５（Ｂ）は、第２変形例に係る載置台の外周部を拡大して示す断面図である。
　以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
　まず、プラズマ処理システムの構成例について説明する。図１は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
　プラズマ処理システムは、容量結合型のプラズマ処理装置１および制御部２を含む。容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０および排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、載置台１１およびガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。載置台１１は、プラズマ処理チャンバ１０の内部に配置される。シャワーヘッド１３は、載置台１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａおよび載置台１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間１０ｓからガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口１０ｅとを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３および載置台１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。
　載置台１１は、本体部５０およびリングアセンブリ６０を含む。本体部５０は、基板Ｗを支持するための中央領域５０ａと、リングアセンブリ６０を支持するための環状領域５０ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部５０の環状領域５０ｂは、平面視で本体部５０の中央領域５０ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部５０の中央領域５０ａ上に配置され、リングアセンブリ６０は、本体部５０の中央領域５０ａ上の基板Ｗを囲むように本体部５０の環状領域５０ｂ上に配置される。従って、中央領域５０ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域５０ｂは、リングアセンブリ６０を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。
　一実施形態において、本体部５０は、基台５１および静電チャック５２を含む。基台５１は、導電性部材を含む。基台５１の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック５２は、基台５１の上に配置される。静電チャック５２は、セラミック部材５２ａとセラミック部材５２ａ内に配置される静電電極５２ｂとを含む。セラミック部材５２ａは、中央領域５０ａを有する。一実施形態において、セラミック部材５２ａは、環状領域５０ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック５２を囲む他の部材が環状領域５０ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ６０は、環状静電チャックまたは環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック５２と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電源３１および／またはＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材５２ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号および／またはＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台５１の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極５２ｂが下部電極として機能してもよい。従って、載置台１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。
　リングアセンブリ６０は、１以上のリングを含む。一実施形態において、１以上のリングは、例えば、１つのフォーカスリング６１と、１つまたは複数のカバーリング６２とを含む（図２参照）。フォーカスリング６１は、導電性材料により形成され、カバーリング６２は、絶縁材料または導電性材料により形成される。
　また、載置台１１は、静電チャック５２、リングアセンブリ６０および基板Ｗのうち少なくとも１つをターゲット温度に調整するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路５１ａ、またはこれらの組み合わせを含んでもよい。流路５１ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路５１ａが基台５１内に形成され、１または複数のヒータが静電チャック５２のセラミック部材５２ａ内に配置される。また、載置台１１は、基板Ｗの裏面と中央領域５０ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。
　シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、および複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１または複数の開口部に取り付けられる１または複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ　Ｇａｓ　Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。
　ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１および少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラまたは圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調またはパルス化する１またはそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。
　電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極および／または少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ処理チャンバ１０において１またはそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。
　一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａおよび第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極および／または少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１または複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極および／または少なくとも１つの上部電極に供給される。
　第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１または複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号およびバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。
　また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａおよび第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のバイアスＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。
　種々の実施形態において、第１および第２のＤＣ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極および／または少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形またはこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａおよび波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂおよび波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１または複数の正極性電圧パルスと１または複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１および第２のＤＣ生成部３２ａ、３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。
　排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁および真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプまたはこれらの組み合わせを含んでもよい。
　制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部または全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２および通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ　Ｄｉｓｋ　Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｄｒｉｖｅ）、またはこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ　Ａｒｅａ　Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。
　次に、上記のプラズマ処理装置１に設置される載置台１１の構成について、図２を参照しながら具体的に説明していく。図２は、載置台１１の外周部を拡大して示す断面図である。
　載置台１１は、基台５１および静電チャック５２を積層した本体部５０と、本体部５０の上面に基板Ｗと共に載置されるリングアセンブリ６０と、を備える。また、実施形態に係るリングアセンブリ６０は、１つのフォーカスリング６１および複数のカバーリング６２を含む。例えば、カバーリング６２は、第１カバーリング６２１と第２カバーリング６２２との２つの部材に分割可能に構成される。言い換えれば、リングアセンブリ６０は、フォーカスリング６１、第１カバーリング６２１および第２カバーリング６２２を組み付けた形態で本体部５０の上面に載置される。なお、リングアセンブリ６０のリングの数は、特に限定されない。例えば、フォーカスリング６１は複数のリングによって構成されてもよい。また例えば、カバーリング６２は、３つ以上のリングによって構成されてもよく、あるいは１つのリングでもよい（後記の図５（Ｂ）も参照）。
　載置台１１の本体部５０は、基台５１および静電チャック５２の積層構造の外周部に絶縁部材５３を備える。絶縁部材５３は、例えば、セラミックス、石英等の硬質かつ耐熱性を有する絶縁材料により形成されている。絶縁部材５３は、平面視で円環状に形成され、基台５１および静電チャック５２の径方向外側を周回することで本体部５０の外形を構成するインシュレータリングである。絶縁部材５３は、プラズマ処理空間１０ｓからガス排出口１０ｅに移動するラジカルやイオン等が、基台５１等と反応して副生成物（デポ）が生じることを防止する。
　絶縁部材５３は、鉛直方向上側に突出する凸部５３１を、上端面の径方向内側に有している。凸部５３１は、絶縁部材５３の周方向に沿って延在する平面視で円環状に形成されている。リングアセンブリ６０の載置状態で、凸部５３１の上面には、第１カバーリング６２１の一部の下面が対向配置される。
　さらに、本体部５０は、基台５１とフォーカスリング６１とを電気的に導通させる導通部５５を備える。導通部５５は、電源３０から基台５１に供給される信号（バイアスＲＦ信号、バイアスＤＣ信号、ソースＲＦ信号等の電力）をフォーカスリング６１に供給する。一例として、バイアス電圧が印加されたフォーカスリング６１は、その上方のプラズマ処理空間１０ｓにシース電界を形成する。プラズマ処理装置１は、例えば、基板Ｗ上のシース電界と、フォーカスリング６１上のシース電界とを同じ高さに制御することで、プラズマ中のイオンの引き込みを鉛直方向に沿わせて、プラズマ処理の面内均一性等を改善する。
　導通部５５は、静電チャック５２を迂回する電力の供給経路を形成するために、第１導通リング５５１、接続部材５５２および第２導通リング５５３を有する。第１導通リング５５１および第２導通リング５５３は、電気的に接続可能かつ弾性変形可能な導電性材料により形成される。第１導通リング５５１および第２導通リング５５３は、例えば、スパイラルチューブであってよい。なお、第１導通リング５５１、第２導通リング５５３のうち一方または両方は、基台５１等を周回する円環状でなく、周方向に分割された複数の円弧部材であってもよい。
　第１導通リング５５１は、基台５１の外周面に形成された凹溝５１１に配置されており、凹溝５１１から突出している部分が接続部材５５２の内周面に接触している。凹溝５１１は、基台５１の上方寄りの外周面を環状に周回している。第１導通リング５５１は、凹溝５１１および接続部材５５２の間において弾性変形した形態で挟まれることで、基台５１と接続部材５５２との電気的な接続を安定して維持できる。
　接続部材５５２は、平面視で、基台５１および静電チャック５２の径方向外側を周回する円環状に形成されている。接続部材５５２は、鉛直方向に沿って基台５１の上部から静電チャック５２の環状領域５０ｂの高さ位置を越える範囲を架橋するように設置される。接続部材５５２は、第１導通リング５５１や第２導通リング５５３よりも硬質な導電性材料により形成される。例えば、接続部材５５２の材料としては、アルミニウム、銅、鉄、またはこれらの合金等の金属材料があげられる。
　接続部材５５２は、内側に部切り欠かれた円環状の窪み部５５２ｃを鉛直方向上側に有し、この窪み部５５２ｃに第２導通リング５５３を収容している。接続部材５５２は、基台５１、絶縁部材５３等との熱膨張率の違いを吸収するために、若干のクリアランスを有するように組み立てられてもよい。あるいは、接続部材５５２は、基台５１、絶縁部材５３等のうち一部または全部に接触した形態で組み立てられてもよい。
　第２導通リング５５３は、接続部材５５２の窪み部５５２ｃの内周面に接触しながら周回するように配置されている。第２導通リング５５３は、接続部材５５２およびフォーカスリング６１の間において弾性変形した形態で挟まれることで、接続部材５５２とフォーカスリング６１との電気的な接続を安定して維持できる。なお、接続部材５５２の窪み部５５２ｃは、第２導通リング５５３の抜けを規制する凹溝等の規制構造を有してもよい。
　一方、リングアセンブリ６０のフォーカスリング６１は、静電チャック５２の中央領域５０ａと環状領域５０ｂの段差面と、第２導通リング５５３の内側との間に配置される。フォーカスリング６１は、硬質な導電性材料（半導体を含む）により平面視で円環状に形成されている。フォーカスリング６１の材料としては、例えば、ケイ素、炭化ケイ素、または他の金属があげられる。フォーカスリング６１は、基台５１および導通部５５を経由して、電源３０の信号（電力）が供給される。例えば、フォーカスリング６１は、プラズマ処理時にバイアス電圧（バイアスＲＦ信号、バイアスＤＣ信号）が印加されることで、その上方のプラズマ処理空間１０ｓにシース電界を形成する。
　フォーカスリング６１は、静電チャック５２の中央領域５０ａに載置された基板Ｗの側方において、当該基板Ｗの上面と略同じ高さの突出部６１１（図２の点線参照）を有してもよい。また、フォーカスリング６１は、静電チャック５２の中央領域５０ａに載置された基板Ｗの裏面に接触してもよい。これにより、基台５１、導通部５５およびフォーカスリング６１を介して基板Ｗにもバイアス電圧が印加される。あるいは、フォーカスリング６１は、基板Ｗの裏面に対して上面が離間するように（非接触に）載置されてもよい。
　カバーリング６２の一方である第１カバーリング６２１は、基板Ｗの外縁よりも径方向外側（言い換えれば、絶縁部材５３の上方）を周方向に延在する円環状に形成されている。この第１カバーリング６２１は、絶縁部材５３、接続部材５５２、第２導通リング５５３およびフォーカスリング６１の外周部の上方を覆うように載置される。第１カバーリング６２１は、接続部材５５２、第２導通リング５５３を覆うことで、プラズマ処理空間１０ｓのプラズマに対して、これらの部材が直接的に晒されることを防止する。
　第１カバーリング６２１は、例えば、酸化アルミニウム、石英等の絶縁材料により形成される。あるいは、実施形態に係る第１カバーリング６２１は、フォーカスリング６１と同様の導電性材料により形成されてもよい。これにより、プラズマ処理装置１は、第１カバーリング６２１の上方にもシース電界を形成できる。
　例えば、第１カバーリング６２１の高さ位置は、中央領域５０ａに配置された基板Ｗの上面と同じ高さに設定されるとよい。また、第１カバーリング６２１の径方向外側の上面には、第２カバーリング６２２が引っ掛かり可能な段差部６２１ｂが設けられている。
　第２カバーリング６２２は、第１カバーリング６２１よりも径方向外側に配置される平面視で円環状の部材である。第２カバーリング６２２は、後記の閉塞部材７０を覆うことで、プラズマ処理空間１０ｓに対して閉塞部材７０を非露出に収容する。第２カバーリング６２２は、その鉛直方向上側かつ径方向内側に、第１カバーリング６２１の段差部６２１ｂに組み付け可能なフランジ６２２ｆを有する。フランジ６２２ｆを含む第２カバーリング６２２の上面は、第１カバーリング６２１の上面に対して略面一になるように組み立てられる。
　この第２カバーリング６２２は、第１カバーリング６２１であげた絶縁材料を適用して形成されるとよい。また、第１カバーリング６２１と第２カバーリング６２２とが同じ材料により構成されることが好ましい。これにより、分割されたカバーリング６２の部材間の熱膨張差を抑制できる。カバーリング６２の組立状態では、絶縁部材５３の上面と、第１カバーリング６２１の外周面６２１ｏと、第２カバーリング６２２の内周面との間に、閉塞部材７０を配置可能な空間部６３が形成される。
　以上のように構成される載置台１１は、リングアセンブリ６０の載置状態において、本体部５０と、この本体部５０の上部に載置されるリングアセンブリ６０との間に隙間Ｃが生じる場合がある。この種の隙間Ｃは、本体部５０やリングアセンブリ６０の組立誤差または各部品の寸法誤差等により生じる。このため、隙間Ｃの位置や大きさを予測することは困難である。例えば、隙間Ｃは、絶縁部材５３と第２カバーリング６２２との隙間Ｃ１、絶縁部材５３（凸部５３１）と第１カバーリング６２１との隙間Ｃ２、絶縁部材５３と接続部材５５２との縦方向の隙間Ｃ３、絶縁部材５３と接続部材５５２との横方向の隙間Ｃ４、接続部材５５２と第１カバーリング６２１との隙間Ｃ５等があげられる。
　本体部５０とリングアセンブリ６０との間に隙間Ｃが生じていると、プラズマ処理時に隙間ＣからラジカルＲ（またはイオン）が浸入する可能性がある。以下、隙間Ｃに侵入したラジカルＲの挙動について図３（Ａ）および図３（Ｂ）を参照しながら説明する。図３（Ａ）は、実施形態に係る載置台１１のプラズマ処理時の状態を示す図である。図３（Ｂ）は、参考例に係る載置台１１’のプラズマ処理時の状態を示す図である。
　図３（Ｂ）に示すように、参考例に係る載置台１１’は、リングアセンブリ６０として、フォーカスリング６１、２つに分割されていないカバーリング６２と、を有する。また、載置台１１’は、本体部５０とリングアセンブリ６０との間に閉塞部材７０を備えない。この場合、ラジカルＲは、各隙間Ｃに進入することで、基台５１、接続部材５５２、フォーカスリング６１等に到達する可能性がある。具体的には、ラジカルＲは、絶縁部材５３とカバーリング６２との隙間Ｃ１から侵入して、接続部材５５２に到達する。ラジカルＲの一部は、導電性材料により形成された接続部材５５２と反応することで、副生成物（デポ）となって接続部材５５２に付着する。また、ラジカルＲの他部は、絶縁部材５３と接続部材５５２との縦方向の隙間Ｃ３を移動し、さらに絶縁部材５３と接続部材５５２との横方向の隙間Ｃ４を移動することで基台５１に到達することもある。このラジカルＲの他部は、導電性材料により形成された基台５１と反応することで、デポとなって基台５１に付着する。あるいは、ラジカルＲの他部は、接続部材５５２とカバーリング６２との隙間Ｃ５を移動することでフォーカスリング６１に到達することもある。
　つまり、載置台１１’を有するプラズマ処理装置１は、プラズマ処理を複数回繰り返すことで、基台５１、接続部材５５２、フォーカスリング６１の全部または一部にデポが堆積していく。この種のデポは、例えば、プラズマ処理空間１０ｓに飛散した場合に、基板Ｗに付着してパーティクルとなる。
　そこで、実施形態に係る載置台１１は、図２に示すように、隙間Ｃを閉塞する閉塞部材７０を備える。閉塞部材７０は、絶縁部材５３の凸部５３１の外周面５３１ｏと、第１カバーリング６２１の外周面６２１ｏとを一体に覆うことで、凸部５３１と第２カバーリング６２２の境界を閉塞する。
　閉塞部材７０は、平面視で円環状を呈し、かつ凸部５３１の外周面５３１ｏと第１カバーリング６２１の外周面６２１ｏとにわたって一定の長さを有する帯状（バンド状）に形成されている。言い換えれば、閉塞部材７０は、絶縁部材５３の凸部５３１の上面と第１カバーリング６２１の下面との間の隙間Ｃ２を覆いながら、外周面５３１ｏ、６２１ｏ全体を周方向に周回している。これにより、閉塞部材７０は、隙間Ｃ２全体を確実に閉塞できる。
　閉塞部材７０の材料としては、例えば、高い耐熱温度と、弾力性とを有する樹脂材料（ゴム材料）を適用することがあげられる。閉塞部材７０がゴム材料の場合、第１カバーリング６２１を凸部５３１に載置した形態で、閉塞部材７０を拡大して外周面５３１ｏ、６２１ｏに対向させた後に当該閉塞部材７０を収縮することにより、外周面５３１ｏ、６２１ｏに閉塞部材７０を簡単に装着できる。なお、閉塞部材７０の材料は、凸部５３１と第２カバーリング６２２の境界を閉塞できれば、特に限定されず、例えば、弾力性をもたない材料でもよい。閉塞部材７０の材料は、絶縁材料（有機材料、無機材料）でもよく、または導電性材料や半導体材料であってもよい。一例として、閉塞部材７０は、ガラス繊維プラスチックや炭素繊維プラスチック等を適用することができる。
　また、載置台１１は、閉塞部材７０の離脱を規制する規制部７１を備えることが好ましい。例えば、規制部７１としては、凸部５３１の外周面５３１ｏおよび第１カバーリング６２１の外周面６２１ｏは、相互に面一に連続すると共に、閉塞部材７０の装着方向（鉛直方向下側）に向かって小径となるテーパ面７１ｔを適用できる。鉛直方向に対するテーパ面７１ｔの傾斜角度は、特に限定されるものではないが、例えば、１°～５°程度の範囲に設定するとよい。実施形態のテーパ面７１ｔの傾斜角度は３°としている。載置台１１は、このテーパ面７１ｔを有することで、絶縁部材５３および第１カバーリング６２１と、閉塞部材７０との接触性を向上させる。すなわち、載置台１１は、テーパ面７１ｔに外装した閉塞部材７０が鉛直方向上側に向かって離脱することをより確実に防ぐことができる。
　第１カバーリング６２１の径方向外側に載置される第２カバーリング６２２は、絶縁部材５３の上部を覆うと共に、閉塞部材７０を保護するための部材として機能する。これにより、プラズマ処理空間１０ｓのプラズマに閉塞部材７０が直接的に晒されることを防ぐことができる。
　以上の実施形態に係る載置台１１は、図３（Ａ）に示すように、絶縁部材５３と第２カバーリング６２２との間の隙間Ｃ１からラジカルＲが侵入した場合でも、閉塞部材７０によりそれ以上の浸入を防止することができる。つまり、閉塞部材７０は、絶縁部材５３の凸部５３１と第１カバーリング６２１との隙間Ｃ２へのラジカルＲの浸入を遮断する。これにより、ラジカルＲは、基台５１や接続部材５５２に到達することがなくなる。載置台１１は、デポの付着が抑止されることで、基板Ｗに対するプラズマ処理を安定的に実行させることができる。
　図４は、リングアセンブリ６０の組立方法を示すフローチャートである。本体部５０にリングアセンブリ６０を載置する場合、作業者は、例えば、図４に示す組立方法によって、本体部５０の上部にリングアセンブリ６０を組み立てていく。
　この組立方法において、作業者は、まず静電チャック５２の環状領域５０ｂにフォーカスリング６１を載置する（ステップＳ１０１）。この際、作業者は、予め設置された導通部５５の第２導通リング５５３に対してフォーカスリング６１の外周面が接触するように、環状領域５０ｂの窪みにフォーカスリング６１を挿入する。あるいは、載置台１１は、フォーカスリング６１を先に挿入し、その後に接続部材５５２とフォーカスリング６１の間に第２導通リング５５３を設置する構成でもよい。
　フォーカスリング６１の載置後、作業者は、フォーカスリング６１の外周部に重なるように第１カバーリング６２１を載置する（ステップＳ１０２）。例えば、作業者は、第１カバーリング６２１の内側に接続部材５５２を収容しながら、フォーカスリング６１に第１カバーリング６２１を載置する。これにより、第１カバーリング６２１の外周部が絶縁部材５３の凸部５３１の上面に重なり、第１カバーリング６２１の外周面６２１ｏと凸部５３１の外周面５３１ｏとが面一に連なるテーパ面７１ｔが形成される。
　この状態で、作業者は、テーパ面７１ｔに閉塞部材７０を装着して、絶縁部材５３と第１カバーリング６２１との間の境界を閉塞部材７０で閉塞する（ステップＳ１０３）。上記したように、作業者は、閉塞部材７０を拡大してテーパ面７１ｔに対向させ、この閉塞部材７０を収縮することで、閉塞部材７０をテーパ面７１ｔに容易に装着できる。また、テーパ面７１ｔに装着された閉塞部材７０は、鉛直方向上側（装着方向と逆方向）への離脱が抑止される。
　最後に、作業者は、第１カバーリング６２１の径方向外側において、第２カバーリング６２２を載置する（ステップＳ１０４）。第２カバーリング６２２は、作業者によって、第１カバーリング６２１の段差部６２１ｂにフランジ６２２ｆを嵌め合わせるように載置される。これにより、絶縁部材５３、第１カバーリング６２１、および第２カバーリング６２２で囲われた空間部６３に、閉塞部材７０が配置された状態となる。
　以上の組立方法によって、作業者は、接続部材５５２と第１カバーリング６２１と間の隙間Ｃ２を閉塞部材７０により覆い、かつ第２カバーリング６２２により閉塞部材７０を保護した形態を、スムーズに形成することができる。このようにリングアセンブリ６０が組み立てられた載置台１１は、閉塞部材７０によりラジカルＲの侵入を防止して、デポの付着を抑制することが可能となる。
　また、載置台１１のリングアセンブリ６０は、第１カバーリング６２１と第２カバーリング６２２とを備えることで、第１カバーリング６２１側に閉塞部材７０を装着する等のレイアウトの自由度を高めることが可能となる。特に、閉塞部材７０は、絶縁部材５３（凸部５３１）の外周面５３１ｏと第１カバーリング６２１の外周面６２１ｏを一体に覆っていることで、より確実に境界に生じる隙間Ｃを閉塞できる。また、第２カバーリング６２２は、閉塞部材７０を外部に対して非露出とすることで、閉塞部材７０の劣化を抑制できる。
　リングアセンブリ６０は、第１カバーリング６２１の内側にフォーカスリング６１を有することで、基板Ｗの径方向外側にシース電界を良好に形成できる。しかも、導通部５５を介してフォーカスリング６１に電力を供給する構成とすれば、シース電界の厚さを容易に制御することが可能となる。さらに、載置台１１は、規制部７１（テーパ面７２ｔ）を備えることで、装着した閉塞部材７０の離脱を回避することができる。またさらに、閉塞部材７０がゴム材料により形成されていることで、カバーリング６２の載置時に作業者による閉塞部材７０の拡大および収縮の操作に応じて、閉塞部材７０を簡単に装着することができる。
　なお、実施形態に係る載置台１１、およびプラズマ処理装置１は、上記の実施形態に限定されず、種々の変形例をとり得る。例えば、載置台１１は、プラズマ処理装置１以外の基板処理装置に設置されてもよい。この場合でも、閉塞部材７０を備えることで、載置台１１内の構成にデポ等が付着することを抑制できる。また、載置台１１は、フォーカスリング６１に電力を供給する導通部５５を備えない構成でもよい。さらに、載置台１１は、リングとしてフォーカスリング６１を備えない構成でもよい。逆に、載置台１１は、カバーリング６２を備えずに、絶縁部材５３とフォーカスリング６１との間の境界に閉塞部材７０を配置してもよい。規制部７１は、テーパ面７２ｔに限らず、突起等の閉塞部材７０が引っ掛かり可能な構造等でもよい。
　図５（Ａ）に示す第１変形例に係る載置台１１Ａは、帯状の閉塞部材７０に代えて、円形状の断面を有し且つ弾性変形可能な閉塞部材であるＯリング７５を適用した点で、実施形態に係る載置台１１と異なる。なお、以下では、上記の実施形態の構成と同じ構成には同一の符号を付して、その詳細な説明については省略する。
　例えば、Ｏリング７５は、第２カバーリング６２２の内周面に形成された凹部６２２ａに収容され、対向する絶縁部材５３の凸部５３１との間（空間部６３）を気密に閉塞する。この場合でも、Ｏリング７５は、ラジカルＲの浸入を防ぐことができる。また、凹部６２２ａは、Ｏリング７５の移動を規制する規制部７１として機能する。要するに、閉塞部材７０は、絶縁部材５３とリングアセンブリ６０との間を閉塞できれば、帯状に限定されず、種々の形状を採用してよい。
　図５（Ｂ）に示す第２変形例に係る載置台１１Ｂは、複数に分割していない１つのカバーリング６２を適用すると共に、このカバーリング６２と絶縁部材５３の境界に帯状の閉塞部材７６を設置した点で、上記の載置台１１、１１Ａと異なる。また図５（Ｂ）の例では、閉塞部材７６は、プラズマ処理空間１０ｓとガス排出口１０ｅとを接続する空間に露出されている。この閉塞部材７６は、プラズマの耐性が高い材料を適用することで、プラズマによる劣化を抑制しながら、隙間Ｃの閉塞を継続することができる。例えば、このような閉塞部材７６の材料としては、可撓性を有するセラミックシート等を適用することがあげられる。
　以上に開示された実施形態は、例えば、以下の態様を含む。
　［付記１］
　基板を載置する静電チャックと、
　前記静電チャックの外側を周回するように設けられる絶縁部材と、
　前記絶縁部材の上部に配置され、当該絶縁部材の周方向に沿って延在する１以上のリングと、
　前記絶縁部材の周方向に沿って延在し、かつ前記絶縁部材と前記リングの間の境界を閉塞する閉塞部材と、を備える、
　載置台。
　［付記２］
　前記リングは、前記基板よりも径方向外側に配置される第１カバーリングと、前記第１カバーリングよりも径方向外側に配置される第２カバーリングと、を含み、
　前記閉塞部材は、前記絶縁部材と前記第１カバーリングの間の境界、または前記絶縁部材と前記第１カバーリングの間の境界のうち少なくとも一方を閉塞する、
　付記１に記載の載置台。
　［付記３］
　前記第２カバーリングは、前記閉塞部材を覆うことで前記載置台の外部に対して前記閉塞部材を非露出とする、
　付記２に記載の載置台。
　［付記４］
　前記閉塞部材は、前記絶縁部材の外周面および前記第１カバーリングの外周面を一体に覆っている、
　付記２または３に記載の載置台。
　［付記５］
　前記リングは、導電性材料により形成されたフォーカスリングを前記第１カバーリングの内側に有する、
　付記２乃至４のいずれか１項に記載の載置台。
　［付記６］
　前記静電チャックの下側に配置されて、電源に接続される基台と、
　前記基台と前記フォーカスリングとを導通させる導通部と、を有し、
　前記第１カバーリングは、前記フォーカスリングの一部および前記導通部を覆う、
　付記５に記載の載置台。
　［付記７］
　前記閉塞部材の離脱を規制する規制部を有する、
　付記１乃至６のいずれか１項に記載の載置台。
　［付記８］
　前記規制部は、前記閉塞部材が設けられる前記絶縁部材の面および前記リングの面を連続し、かつ前記閉塞部材の装着方向に向かって小径となるテーパ面である、
　付記７に記載の載置台。
　［付記９］
　前記閉塞部材は、弾力性を有するゴム材料により形成されている、
　付記１乃至８のいずれか１項に記載の載置台。
　［付記１０］
　付記１乃至９のいずれか１項に記載の載置台と、
　前記載置台を内部に備え、当該載置台に載置された前記基板にプラズマ処理を実行可能なプラズマ処理チャンバと、を含む、
　プラズマ処理装置。
　今回開示された実施形態に係る載置台１１、１１Ａ、１１Ｂ、およびプラズマ処理装置１は、すべての点において例示であって制限的なものではない。実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形および改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
　本開示のプラズマ処理装置１は、Atomic Layer Deposition(ALD)装置、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna(RLSA)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のいずれのタイプの装置でも適用可能である。
　本願は、日本特許庁に２０２４年５月２７日に出願された基礎出願である特願２０２４－０８５６３６号の優先権を主張するものであり、その全内容を参照によりここに援用する。
１１、１１Ａ、１１Ｂ　載置台
５２　　　　　　　　　静電チャック
５３　　　　　　　　　絶縁部材
６０　　　　　　　　　リングアセンブリ
７０　　　　　　　　　閉塞部材
Ｗ　　　　　　　　　　基板

Claims (10)

  1. 　基板を載置する静電チャックと、
    　前記静電チャックの外側を周回するように設けられる絶縁部材と、
    　前記絶縁部材の上部に配置され、当該絶縁部材の周方向に沿って延在する１以上のリングと、
    　前記絶縁部材の周方向に沿って延在し、かつ前記絶縁部材と前記リングの間の境界を閉塞する閉塞部材と、を備える、
    　載置台。
  2. 　前記リングは、前記基板よりも径方向外側に配置される第１カバーリングと、前記第１カバーリングよりも径方向外側に配置される第２カバーリングと、を含み、
    　前記閉塞部材は、前記絶縁部材と前記第１カバーリングの間の境界、または前記絶縁部材と前記第１カバーリングの間の境界のうち少なくとも一方を閉塞する、
    　請求項１に記載の載置台。
  3. 　前記第２カバーリングは、前記閉塞部材を覆うことで前記載置台の外部に対して前記閉塞部材を非露出とする、
    　請求項２に記載の載置台。
  4. 　前記閉塞部材は、前記絶縁部材の外周面および前記第１カバーリングの外周面を一体に覆っている、
    　請求項２に記載の載置台。
  5. 　前記リングは、導電性材料により形成されたフォーカスリングを前記第１カバーリングの内側に有する、
    　請求項２に記載の載置台。
  6. 　前記静電チャックの下側に配置されて、電源に接続される基台と、
    　前記基台と前記フォーカスリングとを導通させる導通部と、を有し、
    　前記第１カバーリングは、前記フォーカスリングの一部および前記導通部を覆う、
    　請求項５に記載の載置台。
  7. 　前記閉塞部材の離脱を規制する規制部を有する、
    　請求項１に記載の載置台。
  8. 　前記規制部は、前記閉塞部材が設けられる前記絶縁部材の面および前記リングの面を連続し、かつ前記閉塞部材の装着方向に向かって小径となるテーパ面である、
    　請求項７に記載の載置台。
  9. 　前記閉塞部材は、弾力性を有するゴム材料により形成されている、
    　請求項１に記載の載置台。
  10. 　請求項１乃至９のいずれか１項に記載の載置台と、
    　前記載置台を内部に備え、当該載置台に載置された前記基板にプラズマ処理を実行可能なプラズマ処理チャンバと、を含む、
    　プラズマ処理装置。
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JP2024044557A (ja) * 2022-09-21 2024-04-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

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