JP2024050423A - プラズマ処理装置及び基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】処理装置においてチャンバに対する適切なライナ構造を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置は、第１の導電性材料で形成され、グランド電位に接続される導電性チャンバと、導電性チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、第１の導電性材料と異なる第２の導電性材料で形成され、導電性チャンバ内において周方向に並べて配置される複数の導電性ライナであり、各導電性ライナは、第１の面と第１の面と反対側の第２の面とを有し、第１の面は、導電性チャンバの側壁に接触し、第２の面は、プラズマに曝され、複数の導電性ライナのうち２つの隣り合う導電性ライナの間には間隙が形成されている、複数の導電性ライナと、複数の導電性ライナにそれぞれ対応する複数の固定器具であり、各固定器具は、対応する導電性ライナを導電性チャンバの側壁に固定するように構成される、複数の固定器具と、を有する。【選択図】図３

Description

本開示は、プラズマ処理装置及び基板処理装置に関する。

特許文献１には、基板処理システムにおいてチャンバ内に設けられた閉じ込めリングが開示されている。閉じ込めリングは、プラズマ領域内にプラズマを閉じ込めるために設けられる。閉じ込めリングは、環状の下壁、外壁及び上壁を含む。

米国特許出願公開第２０２０／００７５２９５号明細書

本開示にかかる技術は、処理装置においてチャンバに対する適切なライナ構造を提供する。

本開示の一態様のプラズマ処理装置は、第１の導電性材料で形成され、グランド電位に接続される導電性チャンバと、前記導電性チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、前記第１の導電性材料と異なる第２の導電性材料で形成され、前記導電性チャンバ内において周方向に並べて配置される複数の導電性ライナであり、各導電性ライナは、第１の面と前記第１の面と反対側の第２の面とを有し、前記第１の面は、前記導電性チャンバの側壁に接触し、前記第２の面は、前記プラズマに曝され、前記複数の導電性ライナのうち２つの隣り合う導電性ライナの間には間隙が形成されている、複数の導電性ライナと、前記複数の導電性ライナにそれぞれ対応する複数の固定器具であり、各固定器具は、対応する導電性ライナを前記導電性チャンバの側壁に固定するように構成される、複数の固定器具と、を有する。

本開示によれば、処理装置においてチャンバに対する適切なライナ構造を提供することができる。

プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。 容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。 プラズマ処理チャンバの側壁とライナアセンブリを上方から見た平面図である。 他の実施形態にかかるライナアセンブリの間隙構造を示す平面図である。 他の実施形態にかかるライナアセンブリの間隙構造を示す平面図である。 他の実施形態にかかるライナアセンブリの間隙構造を示す平面図である。 導電性ライナにおける固定器具の配置を示す側面図である。 固定器具による導電性ライナと側壁の固定構造を示す説明図である。 プラズマ処理チャンバ内が低温環境下又は高温環境下でのプラズマ処理チャンバと複数の導電性ライナの状態を示す説明図である。 他の実施形態において導電性ライナにおける固定器具の配置を示す側面図である。 他の実施形態においてプラズマ処理チャンバの側壁とライナアセンブリを上方から見た平面図である。 他の実施形態においてプラズマ処理チャンバの側壁とライナアセンブリを上方から見た平面図である。 他の実施形態においてプラズマ処理チャンバの側壁とライナアセンブリを上方から見た平面図である。 他の実施形態において固定器具による導電性ライナと側壁の固定構造を示す説明図である。

半導体デバイスの製造工程では、プラズマ処理装置において、半導体基板（以下、「基板」という。）に対してエッチングや成膜処理等のプラズマ処理が行われる。プラズマ処理では、処理ガスを励起させることによりプラズマを生成し、当該プラズマによって基板を処理する。

プラズマ処理装置は、チャンバの内部に形成されたプラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処装置には、プラズマ処理空間にプラズマを閉じ込めるためのライナが設けられる。ライナは、チャンバ内において、当該チャンバに接触して設けられる。上述した特許文献１における閉じ込めリングの外壁は、このライナに相当する。

ライナは、例えばＳｉ又はＳｉＣで形成される。Ｓｉ又はＳｉＣを用いた場合、プラズマの均一性に優位であり、且つ、パーティクルの発生を抑制することができる。またチャンバは、製造コストや加工性の観点から、例えばＡｌで形成される。すなわち、外周側にＡｌのチャンバが設けられ、内周側にＳｉ又はＳｉＣのライナが設けられる。かかる場合、Ｓｉ又はＳｉＣとＡｌとでは線膨張係数が異なるため、プラズマ処理を所望の温度で行うと、ライナとチャンバの径方向の寸法が変化し、当該ライナとチャンバの接触を維持できない場合がある。そうすると、ライナとチャンバ間の熱伝達や導通を確保することができない。従って、従来のライナの構造には改善の余地がある。

本開示にかかる技術は、上記事情に鑑みてなされたものであり、処理装置においてチャンバに対する適切なライナ構造を提供する。以下、本実施形態にかかるプラズマ処理装置について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

＜プラズマ処理システム＞
先ず、一実施形態にかかるプラズマ処理システムについて説明する。図１は、プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。

一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。

プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。

制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

＜プラズマ処理装置＞
以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合型のプラズマ処理装置の構成例について説明する。図２は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。

容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０はグランド電位に接続される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。

更に、プラズマ処理装置１は、ライナアセンブリ１４を含む。ライナアセンブリ１４は、プラズマ処理チャンバ１０の側壁（内壁）１０ａに沿って環状に設けられる。ライナアセンブリ１４は、プラズマ処理空間１０ｓの内部にプラズマを閉じ込めるために設けられる。なお、基板支持部１１とライナアセンブリ１４との間には、バッフルアセンブリが環状に設けられてもよい。バッフルアセンブリは、プラズマ処理空間１０ｓの内部のガスを排出するために設けられる。

基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。

一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ電源３１及び／又はＤＣ電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。

リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。

また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板Ｗのうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。

第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。

種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ、３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

＜プラズマ処理チャンバとライナアセンブリ＞
次に、上述したプラズマ処理チャンバ１０とライナアセンブリ１４の構成について説明する。図３は、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａとライナアセンブリ１４を上方から見た平面図である。

プラズマ処理チャンバ１０は、導電性チャンバであり、第１の導電性材料で形成される。第１の導電性材料は、例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｗ等の金属である。プラズマ処理チャンバ１０はグランド電位に接続される。

プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａの外側面１０ｂは、平面視において円形状を有する。側壁１０ａの内側面１０ｃは、複数の平坦面を有する。本実施形態では、内側面１０ｃにおける平坦面の数は６個であり、すなわち内側面１０ｃは平面視において六角形状を有する。なお、内側面１０ｃにおける平坦面の数は任意である。後述するように内側面１０ｃは導電性ライナ２００の第１の面２００ａと接触し、内側面における平坦面の数は第１の面２００ａの数と同じになる。

ライナアセンブリ１４は、環状形状を分割した分割構造を有し、複数の導電性ライナ２００を有する。導電性ライナ２００は、第１の導電性材料と異なる第２の導電性材料で形成される。一実施形態において、第２の導電性材料は、Ｓｉ又はＳｉＣである。一実施形態において、第２の導電性材料は、カーボン、チタン、タングステン又はハステロイである。導電性ライナ２００は、プラズマ処理チャンバ１０を介してグランド電位に接続される。すなわち、導電性ライナ２００は、グランド電位へのパスとして機能する。

複数の導電性ライナ２００は、平面視で全体として環状形状を有し、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａに沿って周方向に並べて配置される。また、複数の導電性ライナ２００は、側壁１０ａと接触して設けられる。複数の導電性ライナ２００は、本実施形態では、導電性ライナ２００の数は６個であり、６個の導電性ライナ２００がほぼ均等に配置される。すなわち、導電性ライナ２００の平面視における寸法はほぼ同じである。なお、なお、導電性ライナ２００の数は任意である。導電性ライナ２００の数は、好ましくは例えば３～３０個である。

導電性ライナ２００の第１の面（外側面）２００ａは、平坦面であり、側壁１０ａの内側面１０ｃと接触する。導電性ライナ２００の第１の面２００ａと反対側の第２の面（内側面）２００ｂは、プラズマ処理空間１０ｓに露出する。従って、第２の面２００ｂは、プラズマ処理空間１０ｓ内で生成されたプラズマに曝される。第２の面２００ｂは、平面視において第１の曲率を有する。第１の曲率は、複数の導電性ライナ２００の第２の面２００ｂが、平面視において全体として円形状となる曲率である。

なお、複数の導電性ライナ２００のうち、一の導電性ライナ２００の下方には、窓（図示せず）やシャッタ（図示せず）が設けられてもよい。

複数の導電性ライナ２００のうち２つの隣り合う導電性ライナ２００の間には、間隙２０１が形成される。本実施形態では６個の導電性ライナ２００に対して、間隙２０１が６箇所に形成される。この間隙２０１により、２つの隣り合う導電性ライナ２００が熱膨張しても、当該導電性ライナ２００が干渉するのを抑制することができる。

ここで、導電性ライナ２００間の間隙が径方向、すなわち放射状に形成される場合、側壁１０ａの内側面１０ｃがプラズマに暴露して、異常放電が生じるおそれがある。この点、間隙を径方向に細長形状に形成すれば、内側面１０ｃにプラズマが到達する確率を下げて、異常放電の可能性を下げることはできる。

一方、異常放電を更に抑制するためには、本実施形態のように間隙２０１は径方向に対して斜めに形成されるのが好ましい。かかる場合、側壁１０ａの内側面１０ｃはプラズマ処理空間１０ｓに露出せず、プラズマに暴露することを抑制できる。その結果、異常放電を抑制することができる。

なお、間隙２０１の構成は本実施形態に限定されない。側壁１０ａの内側面１０ｃがプラズマに暴露するのを抑制する構成であれば、間隙２０１は任意の構成を取り得る。例えば図４～図６に示すように、間隙２０１は、複数の折り返し部分を有するラビリンス状の構造（ラビリンス構造）を有していてもよい。図４に示すように導電性ライナ２００の側面に矩形状の凹凸を形成し、一方の凹部に他方の凸部を配置することで、ラビリンス構造を形成してもよい。図５に示すように導電性ライナ２００の側面に角形状（図示の例では三角形状）の凹凸を形成することで、ラビリンス構造を形成してもよい。図６に導電性ライナ２００の側面の凹凸を複数形成することで、ラビリンス構造を形成してもよい。いずれラビリンス構造であっても、側壁１０ａの内側面１０ｃがプラズマに暴露することを抑制でき、異常放電を抑制することができる。

プラズマ処理装置１は、複数の導電性ライナ２００にそれぞれ対応する複数の固定器具を含む。各固定器具は、対応する導電性ライナ２００をプラズマ処理チャンバ１０の側壁（内壁）１０ａに固定するように構成される。固定器具は、少なくとも１つの固定部材２０２を含む。一実施形態において、固定器具は、１つの固定部材２０２を含み、図３に示すように各導電性ライナ２００は、固定部材２０２によってプラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａに固定される。固定部材２０２は、２つの隣り合う導電性ライナ２００に間隙２０１が形成された状態で、且つ、導電性ライナ２００の第１の面２００ａと側壁１０ａの内側面１０ｃが接触した状態で、導電性ライナ２００を側壁１０ａに固定する。

図３に示す例では、固定部材２０２は、ボルトである。一実施形態において、ボルト２０２は、導電性ライナ２００側から当該導電性ライナ２００を側壁１０ａに固定する。すなわち、ボルト２０２のヘッドは、導電性ライナ２００内に配置される。また、図７に示すように固定部材２０２は、導電性ライナ２００の水平方向略中央に設けられる。

固定部材２０２の材料は、特に限定されず、金属、セラミック、樹脂、石英等が用いられる。ここで、導電性ライナ２００と側壁１０ａを安定して接触させるためには、第１の面２００ａと内側面１０ｃの面圧を維持する必要があり、固定部材２０２にはこの面圧を維持するための軸力が必要となる。固定部材２０２の軸力は設計によって決まるため、必要な軸力が確保できれば、上述したように固定部材２０２の材料は特に限定されない。但し、軸力の確保しやすさの観点から、固定部材２０２は金属で形成されるのが好ましい。

図８は、ボルト２０２による導電性ライナ２００と側壁１０ａの固定構造を具体的に示す説明図である。図８（ａ）に示すように導電性ライナ２００は、第１の面２００ａから第２の面２００ｂに貫通する貫通孔２００ｃを有する。図７に示したように貫通孔２００ｃは、導電性ライナ２００の水平方向略中央に形成される。また、側壁１０ａの内側面１０ｃにもボルト孔１０ｄが形成される。側壁１０ａのボルト孔１０ｄは、導電性ライナ２００の貫通孔２００ｃと連通している。図８（ｂ）に示すようにボルト２０２は、貫通孔２００ｃを介してボルト孔１０ｄに取り付けられて、導電性ライナ２００と側壁１０ａを固定する。なお、ボルト孔１０ｄの底部には、ナットが設けられてもよく、この場合、ボルト２０２をナットに取り付けることにより導電性ライナ２００が側壁１０ａに固定される。

ボルト２０２が、例えばプラズマ耐性が低い金属等で形成されている場合には、図８（ｃ）に示すようにボルト２０２のヘッド２０２ａを覆うように、キャップ２０３を設ける。キャップ２０３は、プラズマ耐性を有する材料、例えばＳｉで形成される。キャップ２０３の形成方法は、特に限定されず、Ｓｉのカバープレートを嵌め込んでもよいし、Ｓｉ材料を溶射してもよい。なお、ボルト２０２が、例えばプラズマ耐性が高いセラミック等で形成されている場合、上記キャップ２０３を設けなくてもよい。

図９（ａ）はプラズマ処理チャンバ１０内が低温環境下でのプラズマ処理チャンバ１０と複数の導電性ライナ２００を示し、図９（ｂ）はプラズマ処理チャンバ１０内が高温環境下でのプラズマ処理チャンバ１０と複数の導電性ライナ２００を示す。低温とは、プラズマ処理チャンバ１０であるＡｌと、導電性ライナ２００であるＳｉ又はＳｉＣとの線膨張差が小さい温度域である。高温とは、例えば数百℃であり、プラズマ処理チャンバ１０と導電性ライナ２００の線膨張差が大きい温度域である。

図９（ａ）に示すように低温環境下では、プラズマ処理チャンバ１０と導電性ライナ２００の線膨張差は小さく、側壁１０ａの内側面１０ｃと導電性ライナ２００の第１の面２０ａとの接触は維持される。なお、かかる場合、２つの隣り合う導電性ライナ２００の間隙２０１は小さい。

一方、図９（ｂ）に示すようにプラズマ処理チャンバ１０内が上昇した高温環境下では、プラズマ処理チャンバ１０と導電性ライナ２００の線膨張差は大きくなる。具体的には、側壁１０ａの径方向の線膨張は大きく（図中の太線矢印）、導電性ライナ２００の径方向の線膨張は小さい（図中の細線矢印）。かかる場合でも、導電性ライナ２００は固定部材２０２によって側壁１０ａに固定されるため、導電性ライナ２００は側壁１０ａに追従する。このため、側壁１０ａの内側面１０ｃと導電性ライナ２００の第１の面２０ａとの接触は維持される。

また、側壁１０ａの周方向の線膨張は大きく、導電性ライナ２００の周方向の線膨張は小さい。かかる場合でも、ライナアセンブリ１４は複数の導電性ライナ２００に分割された構造を有するため、間隙２０１が大きくなるものの、側壁１０ａの内側面１０ｃと導電性ライナ２００の第１の面２０ａとの接触は維持される。このように本実施形態によれば、ライナアセンブリ１４が複数の導電性ライナ２００に分割された構造を有し、且つ、固定部材２０２によって導電性ライナ２００が側壁１０ａに固定されるため、側壁１０ａと導電性ライナ２００との接触を維持することができる。従って、側壁１０ａと導電性ライナ２００間の熱伝導と導通を維持することができる。

また、側壁１０ａの内側面１０ｃと導電性ライナ２００の第１の面２００ａはそれぞれ平坦面であり、面接触する。従って高温環境下でも、これら内側面１０ｃと第１の面２００ａの面接触（接面）を維持することができる。

ここで、例えば導電性ライナ２００が水平方向略中央から離れた箇所で側壁１０ａと固定されている場合、高温環境下における側壁１０ａと導電性ライナ２００の線膨張差によって、固定部材２０２と導電性ライナ２００が干渉する場合がある。かかる場合、導電性ライナ２００が割れ等の損傷を被るおそれがある。この点、図７に示したように固定部材２０２は導電性ライナ２００の水平方向略中央に設けられ、導電性ライナ２００は中央で側壁１０ａに固定されるが、中央から離れたところでは側壁１０ａに固定されない。このため、線膨張差の影響を受けず、導電性ライナ２００の割れ等の損傷を回避することができる。

なお、本実施形態では、固定部材２０２は導電性ライナ２００の水平方向略中央に１個設けられたが、固定部材２０２の数はこれに限定されない。すなわち、一実施形態において、１つの導電性ライナ２００を固定するための固定器具は、複数の固定部材２０２を含む。図１０に示すように固定部材２０２は、導電性ライナ２００の水平方向略中央を中心に、複数、一例では４個設けられていてもよい。かかる場合、複数の固定部材２０２による導電性ライナ２００と側壁１０ａとの接圧は向上し、導電性ライナ２００の固定を安定させることができる。

但し、複数の固定部材２０２は、導電性ライナ２００の水平方向略中央において、高温環境下で固定部材２０２と導電性ライナ２００が干渉しない範囲、すなわち導電性ライナ２００の割れ等の損傷が生じない範囲に設けられる。この導電性ライナ２００の水平方向略中央からの固定部材２０２の設置位置の許容範囲は、線膨張差に依存し、換言すればプラズマ処理チャンバ１０内の温度設定に依存する。例えば、温度が高いほど許容範囲は狭くなり、温度が低いほど許容範囲は広くなる。

また、本実施形態では、固定部材２０２はボルトであったが、固定部材２０２の構成はこれに限定されない。例えば、固定部材２０２はボルト以外のネジであってもよい。また例えば、固定器具はクランプ構造を有していてもよい。かかる場合、クランプ構造の固定器具は、導電性ライナ２００の水平方向略中央において高さ方向に設けられる。固定器具は、導電性ライナ２００の上端と下端をクランプしてもよいし、導電性ライナ２００の上端から下端にわたってクランプしてもよい。

次に、他の実施形態にかかるプラズマ処理チャンバ１０とライナアセンブリ１４の構成について説明する。図１１～図１３は、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａとライナアセンブリ１４を上方から見た平面図である。

図１１に示すようにプラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａの内側面１０ｃは、平面視において円形状を有する。導電性ライナ２００の第１の面２００ａは、平面視において第２の曲率を有する。第２の曲率は、複数の導電性ライナ２００の第１の面２００ａが、平面視において全体として円形状となる曲率である。すなわち、側壁１０ａの内側面１０ｃと導電性ライナ２００の第１の面２００ａはそれぞれ同じ平面形状を有し、内側面１０ｃと第１の面２００ａは接触する。なお、本実施形態では、上記実施形態と同様に固定部材２０２は、導電性ライナ２００側から当該導電性ライナ２００と側壁１０ａを固定する。

図１２に示す側壁１０ａと導電性ライナ２００はそれぞれ、図３に示した側壁１０ａと導電性ライナ２００と同じ形状を有する。すなわち、側壁１０ａの内側面１０ｃは複数の平坦面を有し、導電性ライナ２００の第１の面２００ａは平坦面である。また、図１３に示す側壁１０ａと導電性ライナ２００はそれぞれ、図１１に示した側壁１０ａと導電性ライナ２００と同じ形状を有する。すなわち、側壁１０ａの内側面１０ｃは平面視において円形状を有し、導電性ライナ２００の第１の面２００ａは平面視において第２の曲率を有する。

ただし、図３と図１１に示した実施形態では、固定部材２０２は導電性ライナ２００側から当該導電性ライナ２００と側壁１０ａを固定したが、図１２と図１３に示した実施形態では、固定部材２０２は側壁１０ａ側から当該側壁１０ａと導電性ライナ２００を固定する。すなわち、ボルト２０２のヘッド２０２ａは、側壁１０ａ側に配置される。

図１４は、ボルト２０２による側壁１０ａと導電性ライナ２００の固定構造を具体的に示す説明図である。図１４（ａ）に示すように側壁１０ａは、外側面１０ｂから内側面１０ｃに貫通する貫通孔１０ｆを有する。貫通孔１０ｆは、導電性ライナ２００の水平方向略中央に対応する位置に形成される。また、導電性ライナ２００の第１の面２００ａにもボルト孔２００ｄが形成される。導電性ライナ２００のボルト孔２００ｄは、側壁１０ａの貫通孔１０ｆと連通しておいる。図１４（ｂ）に示すようにボルト２０２は、貫通孔１０ｆを介してボルト孔２００ｄに取り付けられて、側壁１０ａと導電性ライナ２００を固定する。なお、かかる場合、ボルト２０２のヘッド２０２ａはプラズマに暴露されないので、ボルト２０２にどの材料を用いてもキャップ２０３を省略できる。なお、ボルト孔２００ｄの底部には、ナットが設けられてもよく、この場合、ボルト２０２をナットに取り付けることにより導電性ライナ２００が側壁１０ａに固定される。

以上の図１１～図１３に示したいずれの場合であっても、上記実施形態と同様の効果を享受することができる。すなわち、ライナアセンブリ１４が複数の導電性ライナ２００に分割された構造を有し、且つ、固定部材２０２によって導電性ライナ２００が側壁１０ａに固定されるため、側壁１０ａと導電性ライナ２００との接触を維持することができる。

なお、図３、図１１～図１３に示した実施形態において、側壁１０ａの内側面１０ｃと導電性ライナ２００の第１の面２００ａとの間には、柔軟性を有する伝熱部材（図示せず）を設けてもよい。伝熱部材は、例えばグラファイトで形成される。かかる場合、高温環境下で側壁１０ａと導電性ライナ２００の線膨張差が大きくなった場合でも、柔軟性の伝熱部材によって、側壁１０ａに対する導電性ライナ２００の追従性を更に向上させることができる。

特に、図１１及び図１３に示した実施形態では、側壁１０ａの内側面１０ｃと導電性ライナ２００の第１の面２００ａはそれぞれ円形状であり、図３及び図１２に示した実施形態のように平坦面の場合に比べて面接触（接面）を維持しにくい。そこで、このように内側面１０ｃと第１の面２００ａとの間に柔軟性を有する伝熱部材を設けることは有用である。

以上の実施形態におけるプラズマ処理チャンバ１０と複数の導電性ライナ２００は、プラズマ処理装置１以外の基板処理装置にも適用できる。例えば基板処理装置は、プラズマ処理チャンバ１０と同じ構成のチャンバと、複数の導電性ライナ２００と同じ構成の複数のライナを有する。チャンバは、例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｗ等の金属で形成される。ライナは、例えばＳｉ又はＳｉＣで形成される。かかる場合、上記実施形態と同様の効果を享受することができ、チャンバ内が高温環境下でチャンバと複数のライナの線膨張差が生じても、チャンバの側壁とライナとの接触を維持することができる。従って、側壁１０ａと導電性ライナ２００間の熱伝導と導通を維持することができる。

以上の実施形態では、プラズマ処理装置１における複数の導電性ライナ２００と、基板処理装置における複数のライナはそれぞれ、導電性材料であるＳｉ又はＳｉＣで形成されたが、絶縁材料である石英で形成されてもよい。かかる場合、上記実施形態と同様の効果を享受することができ、チャンバ内が高温環境下でチャンバと複数のライナの線膨張差が生じても、チャンバの側壁とライナとの接触を維持することができる。従って、側壁１０ａと導電性ライナ２００間の熱伝導を維持することができる。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、上記実施形態の構成要件は任意に組み合わせることができる。当該任意の組み合せからは、組み合わせにかかるそれぞれの構成要件についての作用及び効果が当然に得られるとともに、本明細書の記載から当業者には明らかな他の作用及び他の効果が得られる。

また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。

なお、以下のような構成例も本開示の技術的範囲に属する。
（１）
第１の導電性材料で形成され、グランド電位に接続される導電性チャンバと、
前記導電性チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、
前記第１の導電性材料と異なる第２の導電性材料で形成され、前記導電性チャンバ内において周方向に並べて配置される複数の導電性ライナであり、各導電性ライナは、第１の面と前記第１の面と反対側の第２の面とを有し、前記第１の面は、前記導電性チャンバの側壁に接触し、前記第２の面は、前記プラズマに曝され、前記複数の導電性ライナのうち２つの隣り合う導電性ライナの間には間隙が形成されている、複数の導電性ライナと、前記複数の導電性ライナにそれぞれ対応する複数の固定器具であり、各固定器具は、対応する導電性ライナを前記導電性チャンバの側壁に固定するように構成される、複数の固定器具と、を有する、プラズマ処理装置。
（２）
前記間隙は、径方向に対して斜めに形成されている、前記（１）に記載のプラズマ処理装置。
（３）
前記間隙は、複数の折り返し部分を有するラビリンス状の構造を有する、前記（１）に記載のプラズマ処理装置。
（４）
前記複数の導電性ライナの数は、３～３０である、前記（１）～（３）のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
（５）
前記導電性ライナは、前記第１の面から前記第２の面に貫通する貫通孔を有し、
前記固定器具は、前記貫通孔に挿通される少なくとも１つのボルトを含む、前記（１）～（４）のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
（６）
前記貫通孔は、前記導電性ライナの水平方向略中央に形成される、前記（５）に記載のプラズマ処理装置。
（７）
前記第２の面は、平面視において第１の曲率を有する、前記（１）～（６）のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
（８）
前記導電性チャンバの側壁の内側面は、複数の平坦面を有し、
前記第１の面は、平坦面である、前記（７）に記載のプラズマ処理装置。
（９）
前記導電性チャンバの側壁の内側面は、平面視において円形状を有し、
前記第１の面は、平面視において第２の曲率を有する、前記（７）に記載のプラズマ処理装置。
（１０）
前記第２の導電性材料は、Ｓｉ又はＳｉＣである、前記（１）～（９）のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
（１１）
前記第１の導電性材料は、金属である、前記（１０）に記載のプラズマ処理装置。
（１２）
金属で形成され、グランド電位に接続されるチャンバと、
Ｓｉ又はＳｉＣで形成され、前記チャンバ内において周方向に並べて配置される複数のライナであり、各ライナは、第１の面と前記第１の面と反対側の第２の面とを有し、前記第１の面は、前記チャンバの側壁に接触し、前記複数のライナのうち２つの隣り合うライナの間には間隙が形成されている、複数のライナと、
前記複数のライナにそれぞれ対応する複数の固定器具であり、各固定器具は、対応するライナを前記チャンバの側壁に固定するように構成される、複数の固定器具と、を有する、基板処理装置。
（１３）
前記間隙は、径方向に対して斜めに形成されている、前記（１２）に記載の基板処理装置。
（１４）
前記間隙は、複数の折り返し部分を有するラビリンス状の構造を有する、前記（１２）に記載の基板処理装置。
（１５）
前記複数のライナの数は、３～３０である、前記（１２）～（１４）のいずれかに記載の基板処理装置。
（１６）
前記ライナは、前記第１の面から前記第２の面に貫通する貫通孔を有し、
前記固定器具は、前記貫通孔に挿通される少なくとも１つのボルトを含む、前記（１２）～（１５）のいずれかに記載の基板処理装置。
（１７）
前記貫通孔は、前記ライナの水平方向略中央に形成される、前記（１６）に記載のプラズマ処理装置。
（１８）
前記第２の面は、平面視において第１の曲率を有する、前記（１２）～（１７）のいずれかに記載の基板処理装置。
（１９）
導電性材料で形成され、グランド電位に接続されるチャンバと、
絶縁材料で形成され、前記チャンバ内において周方向に並べて配置される複数のライナであり、各ライナは、第１の面と前記第１の面と反対側の第２の面とを有し、前記第１の面は、前記チャンバの側壁に接触し、前記複数のライナのうち２つの隣り合うライナの間には間隙が形成されている、複数のライナと、
前記複数のライナにそれぞれ対応する複数の固定器具であり、各固定器具は、対応するライナを前記チャンバの側壁に固定するように構成される、複数の固定器具と、を有する、基板処理装置。
（２０）
前記絶縁材料は、石英である、前記（１９）に記載の基板処理装置。

１ プラズマ処理装置
１０ プラズマ処理チャンバ
１２ プラズマ生成部
２００ 導電性ライナ
２００ａ 第１の面
２００ｂ 第２の面
２０１ 間隙
２０２ 固定部材（ボルト、固定器具）

Claims (20)

1. 第１の導電性材料で形成され、グランド電位に接続される導電性チャンバと、
   前記導電性チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、
   前記第１の導電性材料と異なる第２の導電性材料で形成され、前記導電性チャンバ内において周方向に並べて配置される複数の導電性ライナであり、各導電性ライナは、第１の面と前記第１の面と反対側の第２の面とを有し、前記第１の面は、前記導電性チャンバの側壁に接触し、前記第２の面は、前記プラズマに曝され、前記複数の導電性ライナのうち２つの隣り合う導電性ライナの間には間隙が形成されている、複数の導電性ライナと、
   前記複数の導電性ライナにそれぞれ対応する複数の固定器具であり、各固定器具は、対応する導電性ライナを前記導電性チャンバの側壁に固定するように構成される、複数の固定器具と、を有する、プラズマ処理装置。
2. 前記間隙は、径方向に対して斜めに形成されている、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記間隙は、複数の折り返し部分を有するラビリンス状の構造を有する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記複数の導電性ライナの数は、３～３０である、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
5. 前記導電性ライナは、前記第１の面から前記第２の面に貫通する貫通孔を有し、
   前記固定器具は、前記貫通孔に挿通される少なくとも１つのボルトを含む、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
6. 前記貫通孔は、前記導電性ライナの水平方向略中央に形成される、請求項５に記載のプラズマ処理装置。
7. 前記第２の面は、平面視において第１の曲率を有する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
8. 前記導電性チャンバの側壁の内側面は、複数の平坦面を有し、
   前記第１の面は、平坦面である、請求項７に記載のプラズマ処理装置。
9. 前記導電性チャンバの側壁の内側面は、平面視において円形状を有し、
   前記第１の面は、平面視において第２の曲率を有する、請求項７に記載のプラズマ処理装置。
10. 前記第２の導電性材料は、Ｓｉ又はＳｉＣである、請求項１～９のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
11. 前記第１の導電性材料は、金属である、請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
12. 金属で形成され、グランド電位に接続されるチャンバと、
    Ｓｉ又はＳｉＣで形成され、前記チャンバ内において周方向に並べて配置される複数のライナであり、各ライナは、第１の面と前記第１の面と反対側の第２の面とを有し、前記第１の面は、前記チャンバの側壁に接触し、前記複数のライナのうち２つの隣り合うライナの間には間隙が形成されている、複数のライナと、
    前記複数のライナにそれぞれ対応する複数の固定器具であり、各固定器具は、対応するライナを前記チャンバの側壁に固定するように構成される、複数の固定器具と、を有する、基板処理装置。
13. 前記間隙は、径方向に対して斜めに形成されている、請求項１２に記載の基板処理装置。
14. 前記間隙は、複数の折り返し部分を有するラビリンス状の構造を有する、請求項１２に記載の基板処理装置。
15. 前記複数のライナの数は、３～３０である、請求項１２に記載の基板処理装置。
16. 前記ライナは、前記第１の面から前記第２の面に貫通する貫通孔を有し、
    前記固定器具は、前記貫通孔に挿通される少なくとも１つのボルトを含む、請求項１２～１５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
17. 前記貫通孔は、前記ライナの水平方向略中央に形成される、請求項１６に記載の基板処理装置。
18. 前記第２の面は、平面視において第１の曲率を有する、請求項１２～１５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
19. 導電性材料で形成され、グランド電位に接続されるチャンバと、
    絶縁材料で形成され、前記チャンバ内において周方向に並べて配置される複数のライナであり、各ライナは、第１の面と前記第１の面と反対側の第２の面とを有し、前記第１の面は、前記チャンバの側壁に接触し、前記複数のライナのうち２つの隣り合うライナの間には間隙が形成されている、複数のライナと、
    前記複数のライナにそれぞれ対応する複数の固定器具であり、各固定器具は、対応するライナを前記チャンバの側壁に固定するように構成される、複数の固定器具と、を有する、基板処理装置。
20. 前記絶縁材料は、石英である、請求項１９に記載の基板処理装置。

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