TW202414502A - 電漿處理裝置內結構體、電極板及電漿處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種降低接觸電阻之電漿處理裝置內結構體、電極板及電漿處理裝置。該電漿處理裝置內結構體具備：第1構件，以含矽(Si)之材料構成；第2構件，支持該第1構件；以及導電連接構件，配置於該第1構件與該第2構件之間，將該第1構件與該第2構件導通；該第1構件，在和該導電連接構件接觸之位置具有金屬層。

Description

電漿處理裝置內結構體、電極板及電漿處理裝置

本發明係關於一種電漿處理裝置內結構體、電極板及電漿處理裝置。

於專利文獻1揭露一種包含噴淋頭及高頻電源之電漿處理裝置；該噴淋頭，具備：電極板，形成有複數個氣體噴出孔，具有作為上部電極之作用；以及電極支持體，形成有與氣體噴出孔連通的氣體流通孔，支持電極板；該高頻電源，將高頻電力供給至噴淋頭之電極支持體。 [習知技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特開2020-17697號公報

[本發明所欲解決的問題]

在一態樣中，本發明提供降低接觸電阻之電漿處理裝置內結構體、電極板及電漿處理裝置。 [解決問題之技術手段]

為了解決上述問題，依本發明之一態樣，可提供一種電漿處理裝置內結構體，包含：第1構件，以含Si之材料構成；第2構件，支持該第1構件；以及導電連接構件，配置於該第1構件與該第2構件之間，將該第1構件與該第2構件導通；該第1構件，在和該導電連接構件接觸之位置具有金屬層。 [本發明之效果]

依本發明之一態樣，可提供降低接觸電阻之電漿處理裝置內結構體、電極板及電漿處理裝置。

以下，參考圖式，針對各種例示性實施形態詳細地說明。另，於各圖式中，對於相同或相當的部分給予相同符號。

以下，針對電漿處理系統的構成例予以說明。圖1係用於說明電容耦合型之電漿處理裝置的構成例之圖的一例。

電漿處理系統，包含電容耦合型之電漿處理裝置1及控制部2。電容耦合型之電漿處理裝置1，包含電漿處理腔室10、氣體供給部20、電源30及排氣系統40。此外，電漿處理裝置1，包含基板支持部11及氣體導入部。氣體導入部，構成為將至少一種處理氣體導入至電漿處理腔室10內。氣體導入部，包含噴淋頭13。基板支持部11，配置於電漿處理腔室10內。噴淋頭13，配置於基板支持部11之上方。一實施形態中，噴淋頭13，構成電漿處理腔室10之頂部(ceiling)的至少一部分。電漿處理腔室10，具有由噴淋頭13、電漿處理腔室10的側壁10a、及基板支持部11所界定出之電漿處理空間10s。電漿處理腔室10，具有用於將至少一種處理氣體供給至電漿處理空間10s的至少一個氣體供給口、及用於從電漿處理空間將氣體排出的至少一個氣體排出口。電漿處理腔室10的側壁10a，例如以金屬(例如鋁)形成，使其接地。噴淋頭13及基板支持部11，和電漿處理腔室10的殼體電性絕緣。

基板支持部11，包含本體部111及環組件112。本體部111，具備用於支持基板W之中央區域111a、及用於支持環組件112之環狀區域111b。晶圓為基板W的一例。本體部111之環狀區域111b，俯視時包圍本體部111之中央區域111a。基板W，配置於本體部111之中央區域111a上；環組件112，以包圍本體部111之中央區域111a上的基板W之方式，配置於本體部111之環狀區域111b上。因此，中央區域111a，亦稱作用於支持基板W的基板支持面；環狀區域111b，亦稱作用於支持環組件112的環支持面。

一實施形態中，本體部111，包含基台1110及靜電吸盤1111。基台1110，例如包含導電性構件。基台1110之導電性構件，可作為下部電極而作用。靜電吸盤1111，配置於基台1110之上。靜電吸盤1111，包含陶瓷構件1111a、及配置於陶瓷構件1111a內的靜電電極1111b。陶瓷構件1111a，具有中央區域111a。一實施形態中，陶瓷構件1111a，亦具有環狀區域111b。另，亦可使環狀靜電吸盤、環狀絕緣構件等包圍靜電吸盤1111的其他構件，具有環狀區域111b。此一情況，環組件112，亦可配置於環狀靜電吸盤或環狀絕緣構件之上，或亦可配置於靜電吸盤1111與環狀絕緣構件雙方之上。此外，亦可將與後述射頻(Radio Frequency, RF)電源31及／或直流(Direct Current, DC)電源32耦合的至少一個射頻／直流電極，配置於陶瓷構件1111a內。此一情況，使至少一個射頻／直流電極作為下部電極而作用。將後述偏壓射頻訊號及／或直流訊號供給至至少一個射頻／直流電極的情況，射頻／直流電極亦稱作偏壓電極。另，亦可使基台1110之導電性構件與至少一個射頻／直流電極，作為複數下部電極而作用。此外，亦可使靜電電極1111b作為下部電極而作用。因此，基板支持部11，至少包含一個下部電極。

環組件112，包含一個或複數個環狀構件。一實施形態中，一個或複數個環狀構件，包含一個或複數個邊緣環與至少一個覆蓋環。邊緣環，以導電性材料或絕緣材料形成；覆蓋環，以絕緣材料形成。

此外，基板支持部11亦可包含調溫模組，其構成為將靜電吸盤1111、環組件112及基板中之至少一者調節為目標溫度。調溫模組，亦可包含加熱器、熱傳媒體、流路1110a、或其等之組合。使鹽水或氣體等熱傳流體，於流路1110a流通。一實施形態中，將流路1110a形成在基台1110內；將一個或複數個加熱器，配置於靜電吸盤1111之陶瓷構件1111a內。此外，基板支持部11亦可包含熱傳氣體供給部，其構成為將熱傳氣體供給至基板W的背面與中央區域111a之間的間隙。

噴淋頭13，構成為將來自氣體供給部20之至少一種處理氣體導入至電漿處理空間10s內。噴淋頭13，具備至少一個氣體供給口13a、至少一個氣體擴散室13b、複數個氣體流通孔13c、及複數個氣體導入口13d。供給至氣體供給口13a之處理氣體，通過氣體擴散室13b及複數個氣體流通孔13c，從複數個氣體導入口13d導入至電漿處理空間10s內。此外，噴淋頭13，包含至少一個上部電極。另，氣體導入部，除了包含噴淋頭13以外，亦可包含安裝於形成在側壁10a之一個或複數個開口部的一個或複數個側面氣體注入部(SGI：Side Gas Injector)。

此外，噴淋頭13，具備電極板131、電極支持體132、及後述導電連接構件133(參考圖2等)。噴淋頭13，經由絕緣構件136，支持在電漿處理腔室10之上部。

電極板131，以與基板支持部11所支持之基板W相對向的方式配置。電極板131，具有作為上部電極之作用。於電極板131，形成複數個氣體導入口13d。電極板131，以含Si之材料(例如Si、SiC等)構成。

電極支持體132，設置於電極板131之上方，將電極板131以可任意裝卸的方式支持。於電極支持體132之內部，形成氣體擴散室13b。此外，於電極支持體132之內部，形成從氣體擴散室13b連通至電極板131之氣體導入口13d的複數個氣體流通孔13c。電極支持體132，以金屬或金屬基複合材料(MMC：Metal Matrix Composites)等導電性材料構成。作為金屬，例如可使用鋁。此外，作為金屬基複合材料，例如可使用由陶瓷與鋁構成的金屬基複合材料。此外，電極支持體132之表面，亦可施行陽極氧化處理(氧皮鋁處理)。此外，電極支持體132，和電極板131熱性接觸而將電極板131冷卻。電極支持體132，亦稱作冷卻板。

此外，在電極板131與電極支持體132之間，配置後述導電連接構件133(參考圖2等)。電極板131與電極支持體132，經由導電連接構件133而電性連接。

氣體供給部20，亦可包含至少一個氣體源21及至少一個流量控制器22。一實施形態中，氣體供給部20，構成為將至少一種處理氣體，從分別對應之氣體源21，經由分別對應之流量控制器22而供應至噴淋頭13。各流量控制器22，例如亦可包含質量流量控制器或壓力控制式之流量控制器。進一步，氣體供給部20，亦可包含將至少一種處理氣體的流量進行調變或脈波化之一個或複數個流量調變裝置。

電源30，包含經由至少一個阻抗匹配電路而與電漿處理腔室10耦合的射頻電源31。射頻電源31，構成為將至少一種射頻訊號(射頻電力)供給至至少一個下部電極及／或至少一個上部電極。藉此，由供給至電漿處理空間10s之至少一種處理氣體形成電漿。因此，射頻電源31，可作為電漿產生部之至少一部分而作用，該電漿產生部構成為於電漿處理腔室10中由一或複數種處理氣體產生電漿。此外，藉由將偏壓射頻訊號供給至至少一個下部電極，而可於基板W產生偏壓電位，將形成的電漿中之離子成分導入至基板W。

一實施形態中，射頻電源31，包含第1射頻訊號產生部31a及第2射頻訊號產生部31b。第1射頻訊號產生部31a，構成為經由至少一個阻抗匹配電路而與至少一個下部電極及／或至少一個上部電極耦合，產生電漿產生用的來源射頻訊號(來源射頻電力)。一實施形態中，來源射頻訊號，具有10MHz～150MHz之範圍內的頻率。一實施形態中，第1射頻訊號產生部31a，亦可構成為產生具有不同頻率之複數種來源射頻訊號。將產生之一種或複數種來源射頻訊號，供給至至少一個下部電極及／或至少一個上部電極。

第2射頻訊號產生部31b，構成為經由至少一個阻抗匹配電路而與至少一個下部電極耦合，產生偏壓射頻訊號(偏壓射頻電力)。偏壓射頻訊號之頻率，可與來源射頻訊號之頻率相同，亦可相異。一實施形態中，偏壓射頻訊號，具有較來源射頻訊號之頻率更低的頻率。一實施形態中，偏壓射頻訊號，具有100kHz～60MHz之範圍內的頻率。一實施形態中，第2射頻訊號產生部31b，亦可構成為產生具有不同頻率之複數種偏壓射頻訊號。將產生的一種或複數種偏壓射頻訊號，供給至至少一個下部電極。此外，於各種實施形態中，亦可使來源射頻訊號及偏壓射頻訊號中之至少一者脈波化。

此外，電源30，亦可包含與電漿處理腔室10耦合的直流電源32。直流電源32，包含第1直流訊號產生部32a及第2直流訊號產生部32b。一實施形態中，第1直流訊號產生部32a，構成為與至少一個下部電極連接，產生第1直流訊號。將產生的第1直流訊號，施加至至少一個下部電極。一實施形態中，第2直流訊號產生部32b，構成為與至少一個上部電極連接，產生第2直流訊號。將產生的第2直流訊號，施加至至少一個上部電極。

於各種實施形態中，亦可使第1及第2直流訊號中之至少一者脈波化。此一情況，將電壓脈波的序列施加至至少一個下部電極及／或至少一個上部電極。電壓脈波，亦可具有矩形、梯形、三角形或其等之組合的脈波波形。一實施形態中，將用於由直流訊號產生電壓脈波的序列之波形產生部，連接在第1直流訊號產生部32a與至少一個下部電極之間。因此，第1直流訊號產生部32a及波形產生部，構成電壓脈波產生部。使第2直流訊號產生部32b及波形產生部構成電壓脈波產生部之情況，電壓脈波產生部，與至少一個上部電極連接。電壓脈波，可具有正極性，亦可具有負極性。此外，電壓脈波的序列，亦可於一周期內包含一個或複數個正極性電壓脈波與一個或複數個負極性電壓脈波。另，可在射頻電源31以外進一步設置第1直流訊號產生部32a及第2直流訊號產生部32b，亦可取代第2射頻訊號產生部31b而設置第1直流訊號產生部32a。

排氣系統40，例如可與設置於電漿處理腔室10之底部的氣體排出口10e相連接。排氣系統40，亦可包含壓力調整閥及真空泵。藉由壓力調整閥，調整電漿處理空間10s內之壓力。真空泵，亦可包含渦輪分子泵、乾式泵或其等之組合。

控制部2，處理使電漿處理裝置1實行本發明中所述之各種步驟的電腦可實行之指令。控制部2，可構成為控制電漿處理裝置1的各要素俾實行此處所述之各種步驟。一實施形態中，亦可使控制部2之部分或全部包含於電漿處理裝置1。控制部2，可包含處理部2a1、記憶部2a2及通訊介面2a3。控制部2，例如藉由電腦2a而實現。處理部2a1，可構成為從記憶部2a2讀取程式，實行所讀取之程式，藉以施行各種控制動作。此等程式，可預先收納於記憶部2a2，亦可在必要時經由媒體而取得。取得的程式，收納於記憶部2a2，藉由處理部2a1從記憶部2a2讀取而實行。媒體，可為電腦2a可讀取之各種記錄媒體，亦可為連接至通訊介面2a3之通訊線路。處理部2a1，亦可為CPU(Central Processing Unit, 中央處理器)。記憶部2a2，亦可包含RAM(Random Access Memory, 隨機存取記憶體)、ROM(Read Only Memory, 唯讀記憶體)、HDD(Hard Disk Drive, 硬碟)、SSD(Solid State Drive, 固態硬碟)、或其等之組合。通訊介面2a3，亦可經由LAN(Local Area Network, 區域網路)等通訊線路而與電漿處理裝置1之間通訊。

接著，利用圖2至圖5，針對噴淋頭13的結構進一步說明。圖2係第1實施例之噴淋頭13的剖面示意圖之一例。圖3係第1實施例之噴淋頭13的部分放大剖面示意圖之一例。另，在將電極板131支持於電極支持體132時，電極支持體132之底面和電極板131之頂面接觸。圖4係第1實施例之噴淋頭13所具備的電極支持體132之底視圖的一例。圖5係第1實施例之噴淋頭13所具備的電極板131之俯視圖的一例。

如圖2及圖3所示，噴淋頭13，具備電極板131(第1構件之一例)、電極支持體132(第2構件之一例)、導電連接構件133、及密封構件134與135。此外，噴淋頭13，係包含作為上部電極之電極板的電極組件(電漿處理裝置內結構體之一例)。

圖4所示的電極支持體132之底面，係與電極板131相對向的面。於電極支持體132之底面的中央部，形成有形成複數個氣體流通孔13c之氣體流通孔形成區域1321。另，圖4中，圖示一部分的氣體流通孔13c，將其他的氣體流通孔13c之圖示省略。

圖5所示的電極板131之頂面，係與電極支持體132相對向的面。於電極板131之頂面的中央部，形成有形成複數個氣體導入口13d之氣體導入口形成區域1311。另，圖5中，圖示一部分的氣體導入口13d，將其他氣體導入口13d之圖示省略。

如圖2所示，電極支持體132之底面和電極板131之頂面接觸，將電極板131支持在電極支持體132。藉此，使電極支持體132的氣體流通孔13c與電極板131的氣體導入口13d連通。亦即，供給至氣體供給口13a之處理氣體，被導入至氣體擴散室13b，於氣體擴散室13b內擴散。而後，處理氣體，從氣體擴散室13b，通過複數個氣體流通孔13c及複數個氣體導入口13d，導入至電漿處理空間10s(參考圖1)。

此外，藉由使電極支持體132之底面和電極板131之頂面接觸，將電極板131支持在電極支持體132，而使電極板131與電極支持體132熱性接觸。此外，於電極支持體132，形成熱媒體所流通之流路(未圖示)。藉此，由在電漿處理空間10s產生之電漿進入至電極板131的熱，傳遞至電極支持體132，藉由在電極支持體132之流路(未圖示)流通的熱媒體而散熱。

此外，如圖2至圖4所示，於電極支持體132之底面，在較氣體流通孔形成區域1321更外周，形成圓環狀的凹溝部1322。於凹溝部1322，配置導電連接構件133。此外，如圖3所示，電極支持體132，亦可於表面具有陽極氧化膜(一例中為氧皮鋁膜)1325。另一方面，於凹溝部1322之內壁面(側壁面及頂壁面)，並未形成陽極氧化膜而係以導電性材料形成。

此外，如圖3及圖5所示，於電極板131之頂面，在較氣體導入口形成區域1311更外周，於和電極支持體132的凹溝部1322相對應之位置，具有圓環狀的金屬層1312。金屬層1312，係藉由將金屬蒸鍍(真空蒸鍍)、噴敷、或接合至電極板131之頂面而形成。此處，金屬層1312的金屬，例如以鋁(Al)、鎢(W)、鈦(Ti)、鈷(Co)、鎳(Ni)等中之任一者構成。

此外，將金屬靶材以電漿濺鍍，藉由真空蒸鍍在電極板131之頂面形成金屬層1312時，電漿的熱進入電極板131，將電極板131之溫度，例如從200℃加熱至400℃。此外，藉由噴敷，在電極板131之頂面形成金屬層1312時，熱進入電極板131，將電極板131之溫度，例如從200℃加熱至400℃。在此一狀態下，藉由在以含Si之材料(例如Si、SiC等)構成的電極板131之頂面形成金屬層1312，而使金屬擴散至含Si之材料內。藉此，於金屬層1312之下，具有金屬矽化物層1313。此外，如圖3所示，電極板131之表面，在除了形成有金屬層1312及金屬矽化物層1313的區域以外，形成自然氧化膜1315。

另，金屬層1312，可形成在電極板131之頂面的全表面，亦可部分地形成。金屬層1312，至少形成在和導電連接構件133接觸之位置。此外，金屬層1312，亦可形成在以密封構件134、135包圍之區域。

此處，在電極板131之頂面形成的金屬層1312之厚度，例如具有數百nm以上、數十萬nm以下的級序。具體而言，不包含金屬矽化物層1313的金屬層1312之厚度，宜為1nm以上5000nm以下。

導電連接構件133，以具有可撓性的導電性材料形成。此處，作為導電連接構件133的導電性材料，例如可使用鋁、不鏽鋼、哈氏合金(Hastelloy)(註冊商標)等中之任一者。導電連接構件133，例如具有將帶狀的金屬呈螺旋狀地捲繞之螺旋管結構。於螺旋管結構的導電連接構件133中，導電連接構件133之直徑，形成為較凹溝部1322之深度略大。藉此，在使電極支持體132之底面和電極板131之頂面接觸，將電極板131支持在電極支持體132時，導電連接構件133，包夾於凹溝部1322的頂壁面與電極支持體132的頂面之間，在凹溝部1322內變形。藉此，導電連接構件133，以可和形成在電極支持體132之底面的凹溝部1322之側壁面及／或凹溝部1322之頂壁面通電的方式接觸。此外，導電連接構件133，以可和形成在電極板131之頂面的金屬層1312通電的方式接觸。藉此，導電連接構件133，可將電極板131與電極支持體132電性導通。

另，導電連接構件133，並未限定於螺旋管結構，例如亦可具有板彈簧結構。藉此，在使電極支持體132之底面和電極板131之頂面接觸，將電極板131支持在電極支持體132時，導電連接構件133於凹溝部1322內變形。此外，導電連接構件133，以可和形成在電極支持體132之底面的凹溝部1322之側壁面及／或凹溝部1322之頂壁面通電的方式接觸。此外，導電連接構件133，以可和形成在電極板131之頂面的金屬層1312通電之方式接觸。藉此，導電連接構件133，將電極板131與電極支持體132電性連接。

此外，如圖2及圖4所示，於電極支持體132之底面，在較氣體流通孔形成區域1321更外周、且較圓環狀的凹溝部1322更內周，形成圓環狀的凹溝部1323。於凹溝部1323，配置密封構件134。此外，於電極支持體132之底面，在較圓環狀的凹溝部1322更外周，形成圓環狀的凹溝部1324。於凹溝部1324，配置密封構件135。另，於凹溝部1323、1324之內壁面(側壁面及頂壁面)，亦可形成陽極氧化膜。

密封構件134、135，具有可撓性，以氟系或矽氧系橡膠形成。在使電極支持體132之底面和電極板131之頂面接觸，將電極板131支持在電極支持體132時， 密封構件134，在較導電連接構件133更內周，將電極板131與電極支持體132之間密封。此外，密封構件135，在較導電連接構件133更往電極支持體132之底面的外周，將電極板131與電極支持體132之間密封。

亦即，密封構件134、135，防止處理氣體到達至電極板131的金屬層1312、電極支持體132的凹溝部1322之側壁面與頂壁面、及導電連接構件133。藉此，可防止電極板131的金屬層1312、電極支持體132的凹溝部1322之側壁面與頂壁面、及導電連接構件133，和處理氣體反應而增加接觸電阻的情形。

另，金屬層1312，如圖5所示，說明於電極板131之頂面的周向中，形成為在周向連續的圓環狀者，但並未限定於此一形態。金屬層1312，亦可於電極板131之頂面的周向中離散地形成。圖6係第2實施例之噴淋頭所具備的電極板131之俯視圖的一例。

如圖6所示，亦可將金屬層1312，於電極板131之頂面的周向中分割，形成為3段金屬層1312a、1312b、1312c。另，亦可將金屬層1312分割為2段，或亦可分割為4段以上。此外，分割出的金屬層1312a、1312b、1312c，可形成為相同圓弧狀，亦可形成為不同長度、間隔的圓弧狀。

此外，金屬層1312及凹溝部1322，如圖4及圖5所示，說明形成於一個圓周上者，但並未限定於此一形態。金屬層1312及凹溝部1322，亦可於徑向形成複數個。圖7係第3實施例之噴淋頭13所具備的電極支持體132之底視圖的一例。圖8係第3實施例之噴淋頭13所具備的電極板131之俯視圖的一例。

如圖7所示，於電極支持體132之底面，在較氣體流通孔形成區域1321更外周，形成圓環狀的凹溝部1322d。此外，於電極支持體132之底面，在較圓環狀的凹溝部1322d更外周，形成圓環狀的凹溝部1322e。於凹溝部1322d、1322e之內壁面(側壁面及頂壁面)，並未形成陽極氧化膜，而係以導電性材料形成。於凹溝部1322d，配置導電連接構件133d。於凹溝部1322e，配置導電連接構件133e。導電連接構件133d、133e，以具有可撓性的導電性材料形成。

如圖8所示，於電極板131之頂面，在較氣體導入口形成區域1311更外周，於和電極支持體132的凹溝部1322d相對應之位置，形成圓環狀的金屬層1312d。此外，於電極板131之頂面，在較金屬層1312d更外周，於和電極支持體132的凹溝部1322e相對應之位置，形成圓環狀的金屬層1312e。此外，於金屬層1312d、1312e之下，形成金屬矽化物層。

在使電極支持體132之底面和電極板131之頂面接觸，將電極板131支持在電極支持體132時，導電連接構件133d，於凹溝部1322d內變形，以可和形成在電極支持體132之底面的凹溝部1322d之側壁面及／或凹溝部1322d之頂壁面通電的方式接觸，以可和形成在電極板131之頂面的金屬層1312d通電的方式接觸。藉此，導電連接構件133d，將電極板131與電極支持體132電性導通。同樣地，導電連接構件133e，將電極板131與電極支持體132電性導通。

此外，如圖7所示，於電極支持體132之底面，在較氣體流通孔形成區域1321更外周、且較圓環狀的凹溝部1322d更內周，形成圓環狀的凹溝部1323d。於凹溝部1323d，配置密封構件134d。此外，於電極支持體132之底面，在較圓環狀的凹溝部1322d更外周，形成圓環狀的凹溝部1324d。於凹溝部1324d，配置密封構件135d。此外，於電極支持體132之底面，在較凹溝部1324d更外周、且較圓環狀的凹溝部1322e更內周，形成圓環狀的凹溝部1323e。於凹溝部1323e，配置密封構件134e。此外，於電極支持體132之底面，在較圓環狀的凹溝部1322e更外周，形成圓環狀的凹溝部1324e。於凹溝部1324e，配置密封構件135e。

密封構件134d、135d，防止處理氣體到達至電極板131的金屬層1312d、電極支持體132的凹溝部1322d之側壁面與頂壁面、及導電連接構件133d的情形。同樣地，密封構件134e、135e，防止處理氣體到達至電極板131的金屬層1312e、電極支持體132的凹溝部1322e之側壁面與頂壁面、及導電連接構件133e的情形。藉此，可防止電極板131的金屬層1312d、1312e，電極支持體132的凹溝部1322d、1322e之側壁面與頂壁面、及導電連接構件133d、133e，和處理氣體反應而增加接觸電阻的情形。另，設置於電極支持體132之配置密封構件的溝，亦可為具備凹溝部1323d、1324d、1323e、1324e中之至少一者的構成。

圖6及圖7所示的例子中，以將金屬層1312及凹溝部1322形成2圈之情況為例而說明，但並未限定於此一形態，金屬層1312及凹溝部1322，亦可形成為3圈以上。此外，亦可將涵蓋複數圈地形成的金屬層1312及凹溝部1322中之至少一者，於電極板131之頂面的周向中離散地形成。

此外，於將金屬層1312及凹溝部1322形成複數圈的構成中，亦可將形成在電極板131之氣體導入口形成區域1311、及形成在電極支持體132之氣體流通孔形成區域1321，設置複數個。圖9係第4實施例之噴淋頭13所具備的電極支持體132之底視圖的一例。圖10係第4實施例之噴淋頭13所具備的電極板131之俯視圖的一例。

如圖9所示，於電極支持體132之底面的中央部，形成有形成複數個氣體流通孔13c之氣體流通孔形成區域1321f。此外，於電極支持體132之底面，在較氣體流通孔形成區域1321f更外周，形成有形成複數個氣體流通孔13c之氣體流通孔形成區域1321g。此外，於電極支持體132之底面，在較氣體流通孔形成區域1321g更外周，形成有形成複數個氣體流通孔13c之氣體流通孔形成區域1321h。另，圖9中，圖示一部分的氣體流通孔13c，將其他氣體流通孔13c之圖示省略。

於電極支持體132之底面，在較氣體流通孔形成區域1321f更外周、且較氣體流通孔形成區域1321g更內周，形成圓環狀的凹溝部1322f。此外，於電極支持體132之底面，在較氣體流通孔形成區域1321g更外周、且較氣體流通孔形成區域1321h更內周，形成圓環狀的凹溝部1322g。此外，於電極支持體132之底面，在較氣體流通孔形成區域1321h更外周，形成圓環狀的凹溝部1322h。於凹溝部1322f、1322g、1322h之內壁面(側壁面及頂壁面)，並未形成陽極氧化膜，而係以導電性材料形成。於凹溝部1322f，配置導電連接構件133f。於凹溝部1322g，配置導電連接構件133g。於凹溝部1322h，配置導電連接構件133h。導電連接構件133f、133g、133h，以具有可撓性的導電性材料形成。

如圖10所示，於電極板131之頂面的中央部，形成有形成複數個氣體導入口13d之氣體導入口形成區域1311f。此外，於電極板131之頂面，在較氣體導入口形成區域1311f更外周，形成有形成複數個氣體導入口13d之氣體導入口形成區域1311g。此外，於電極板131之頂面，在較氣體導入口形成區域1311g更外周，形成有形成複數個氣體導入口13d之氣體導入口形成區域1311h。另，圖10中，圖示一部分的氣體導入口13d，將其他氣體導入口13d之圖示省略。

於電極板131之頂面，在較氣體導入口形成區域1311f更外周、且較氣體導入口形成區域1311g更內周，於和電極支持體132的凹溝部1322f對應之位置，形成圓環狀的金屬層1312f。此外，於電極板131之頂面，在較氣體導入口形成區域1311g更外周、且較氣體導入口形成區域1311h更內周，於和電極支持體132的凹溝部1322g相對應之位置，形成圓環狀的金屬層1312g。於電極板131之頂面，在較氣體導入口形成區域1311h更外周，於和電極支持體132的凹溝部1322h相對應之位置，形成圓環狀的金屬層1312h。此外，於金屬層1312f、1312g、1312h之下，形成金屬矽化物層。

在使電極支持體132之底面和電極板131之頂面接觸，將電極板131支持在電極支持體132時，導電連接構件133f，於凹溝部1322f內變形，以可和形成在電極支持體132之底面的凹溝部1322f之側壁面及／或凹溝部1322f之頂壁面通電的方式接觸，以可和形成在電極板131之頂面的金屬層1312f通電的方式接觸。藉此，導電連接構件133f，將電極板131與電極支持體132電性導通。同樣地，導電連接構件133g，將電極板131與電極支持體132電性導通。此外，導電連接構件133h，將電極板131與電極支持體132電性導通。

此外，如圖9所示，於電極支持體132之底面，在較氣體流通孔形成區域1321f更外周、且較圓環狀的凹溝部1322f更內周，形成圓環狀的凹溝部1323f。於凹溝部1323f，配置密封構件134f。此外，於電極支持體132之底面，在較圓環狀的凹溝部1322f更外周、且較氣體流通孔形成區域1321g更內周，形成圓環狀的凹溝部1324f。於凹溝部1324f，配置密封構件135f。於電極支持體132之底面，在較氣體流通孔形成區域1321g更外周、且較圓環狀的凹溝部1322g更內周，形成圓環狀的凹溝部1323g。於凹溝部1323g，配置密封構件134g。此外，於電極支持體132之底面，在較圓環狀的凹溝部1322g更外周、且較氣體流通孔形成區域1321h更內周，形成圓環狀的凹溝部1324g。於凹溝部1324g，配置密封構件135g。於電極支持體132之底面，在較氣體流通孔形成區域1321h更外周、且較圓環狀的凹溝部1322h更內周，形成圓環狀的凹溝部1323h。於凹溝部1323h，配置密封構件134h。此外，於電極支持體132之底面，在較圓環狀的凹溝部1322h更外周，形成圓環狀的凹溝部1324h。於凹溝部1324h，配置密封構件135h。

密封構件134f、135f，防止處理氣體到達至電極板131的金屬層1312f、電極支持體132的凹溝部1322f之側壁面與頂壁面、及導電連接構件133f的情形。同樣地，密封構件134g、135g，防止處理氣體到達至電極板131的金屬層1312g、電極支持體132的凹溝部1322g之側壁面與頂壁面、及導電連接構件133g的情形。此外，密封構件134h、135h，防止處理氣體到達至電極板131的金屬層1312h、電極支持體132的凹溝部1322h之側壁面與頂壁面、及導電連接構件133h的情形。藉此，可防止電極板131的金屬層1312f、1312g、1312h，電極支持體132的凹溝部1322f、1322g、1322h之側壁面與頂壁面、及導電連接構件133f、133g、133h，和處理氣體反應而增加接觸電阻的情形。另，設置於電極支持體132之配置密封構件的溝，亦可為具備凹溝部1323f、1324f、1323g、1324g、1323h、1324h中之至少一者的構成。

圖8及圖9所示的例子中，以將金屬層1312及凹溝部1322形成3圈之情況為例而說明，但並未限定於此一形態，金屬層1312及凹溝部1322，亦可形成為2圈以上。此外，亦可將涵蓋複數圈地形成的金屬層1312及凹溝部1322中之至少一者，於電極板131之頂面的周向中離散地形成。

此外，圖8及圖9所示的例子中，亦可將氣體擴散室13b(參考圖1)區隔為複數個(3個)。從形成在中央部的第1氣體擴散室，通過氣體流通孔形成區域1321f的氣體流通孔13c，由氣體導入口形成區域1311f的氣體導入口13d導入至電漿處理空間10s內。從形成在較第1氣體擴散室更外周的第2氣體擴散室，通過氣體流通孔形成區域1321g的氣體流通孔13c，由氣體導入口形成區域1311g的氣體導入口13d導入至電漿處理空間10s內。從形成在較第2氣體擴散室更外周的第3氣體擴散室，通過氣體流通孔形成區域1321h的氣體流通孔13c，由氣體導入口形成區域1311h的氣體導入口13d導入至電漿處理空間10s內。

同樣地，導電連接構件133、及配置導電連接構件133的凹溝部1322，如圖4所示，說明於電極支持體132之底面的周向中，形成為在周向連續的圓環狀之形態，但並未限定於此一形態。導電連接構件133、及配置導電連接構件133的凹溝部1322，亦可於電極支持體132之底面的周向中離散地形成。

此外，導電連接構件133、及配置導電連接構件133的凹溝部1322，如圖4所示，說明形成於一個圓周上之形態，但並未限定於此一形態。導電連接構件133、及配置導電連接構件133的凹溝部1322，亦可涵蓋複數圈地形成。此外，亦可將涵蓋複數圈地形成之導電連接構件133、及配置導電連接構件133的凹溝部1322中之至少一者，於電極支持體132之底面的周向中離散地形成。

此處，以從第1射頻訊號產生部31a將來源射頻訊號供給至下部電極，從第2射頻訊號產生部31b將偏壓射頻訊號供給至下部電極，從第2直流訊號產生部32b將第2直流訊號供給至上部電極之電漿處理裝置1為例而進行說明。

第2直流訊號產生部32b，將第2直流訊號供給至電極支持體132。而後，第2直流訊號，從電極支持體132經由導電連接構件133而供給至電極板131。

此外，藉由從氣體供給部20將處理氣體經由噴淋頭13供給至電漿處理空間10s內，從第1射頻訊號產生部31a將來源射頻訊號供給至下部電極，從第2射頻訊號產生部31b將偏壓射頻訊號供給至下部電極，而在電漿處理空間10s內產生電漿。

此處，存在下述疑慮：於形成在電極支持體132的氣體流通孔13c及形成在電極板131的氣體導入口13d流通之處理氣體電離，在氣體流通孔13c及氣體導入口13d內發生放電。氣體流通孔13c及氣體導入口13d內的放電，若電極板131與電極支持體132之界面中的電位差越小，則越能夠抑制處理氣體的電離，能夠抑制放電。藉由抑制放電，而可使電極板131之更換時期、平均維修時間間隔拉長，可改善電漿處理裝置1的生產力。

此處，與參考例之噴淋頭13C對比，並針對本實施形態之噴淋頭13進一步說明。首先，利用圖11，針對參考例之噴淋頭13C的結構予以說明。圖11係參考例之噴淋頭13C的部分放大剖面示意圖之一例。另，將電極板131C支持在電極支持體132時，電極支持體132之底面和電極板131C之頂面接觸。

如圖11所示，噴淋頭13C，具備電極板131C、電極支持體132、導電連接構件133、及密封構件(未圖示)。參考例之噴淋頭13C的電極板131C，相較於本實施形態之噴淋頭13的電極板131，在並未形成金屬層1312(參考圖3)及金屬矽化物層1313(參考圖3)之點上不同。關於其他構成皆相同，將重複的說明省略。

參考例之噴淋頭13C中，於電極板131C之表面，形成成為絶緣體(例如SiO ₂)的自然氧化膜1315。此外，導電連接構件133，在形成有自然氧化膜1315之位置和電極板131C接觸。因此，導電連接構件133和電極板131的接觸電阻變大。因此，在從第2直流訊號產生部32b將第2直流訊號供給至電極支持體132時，由於電極支持體132和導電連接構件133的接觸電阻、及導電連接構件133和電極板131的接觸電阻，而在電極板131與電極支持體132之間產生電位差。此外，於氣體流通孔13c及氣體導入口13d流通之處理氣體的壓力變高。因此，在氣體流通孔13c及氣體導入口13d內的電極板131與電極支持體132之界面附近中，有因該電位差而發生放電的疑慮。由於發生放電，而造成電極板131消耗，使平均維修時間間隔變短，有電漿處理裝置1的生產力降低之疑慮。

此外，在並未從第2直流訊號產生部32b將第2直流訊號供給至上部電極的情況，亦有發生相同問題的情況。亦即，若從第1射頻訊號產生部31a將來源射頻訊號供給至下部電極，從第2射頻訊號產生部31b將偏壓射頻訊號供給至下部電極，於電漿處理空間10s產生電漿，則有電漿從氣體導入口13d進入至與氣體導入口13d之邊界的情況。此一情況，亦因電極板131與電極支持體132之間的電位差，而有在氣體流通孔13c及氣體導入口13d內發生放電的疑慮。由於發生放電，而造成電極板131消耗，使平均維修時間間隔變短，有電漿處理裝置1的生產力降低之疑慮。

相對於此，本實施形態之噴淋頭13中，於電極板131之頂面的導電連接構件133所所接觸之位置，形成金屬層1312。藉此，於金屬層1312之下形成金屬矽化物層1313，可抑制導電連接構件133所接觸之位置中的矽氧化膜(自然氧化膜)之形成。此外，藉由形成金屬矽化物層1313，而可降低金屬層1312和電極板131的接觸電阻。

因此，可降低導電連接構件133和電極板131的接觸電阻。因此，在從第2直流訊號產生部32b將第2直流訊號供給至電極支持體132時，可降低電極板131與電極支持體132之界面中的電位差。藉此，可抑制處理氣體的電離，可抑制放電。藉由抑制放電，可使平均維修時間間隔拉長，可改善電漿處理裝置1的生產力。

此外，作為其他參考例之噴淋頭，考慮在和電極板之頂面的導電連接構件接觸之位置，將鋁帶以導電性黏接劑貼附於電極板的構成。與其相對，本實施形態之噴淋頭13中，將金屬層1312與電極板131的母材(Si、SiC等)之間，以金屬矽化物層1313連接。藉此，相較於參考例之噴淋頭中的鋁帶與電極板的母材之間的接觸電阻，可將本實施形態之噴淋頭13中的金屬層1312與電極板131的母材之間的接觸電阻減小。藉此，可降低電極板131與電極支持體132之界面中的電位差。藉此，可抑制處理氣體的電離，可抑制放電。藉由抑制放電，可使平均維修時間間隔拉長，可改善電漿處理裝置1的生產力。

此外，在具備以含Si之材料構成的電極板131、支持電極板131的電極支持體132、及配置於電極板131與電極支持體132之間而將電極板131與電極支持體132導通的導電連接構件133之電漿處理裝置內結構體(電極組件)中，電極板131，在和該導電連接構件133接觸之位置具有金屬層1312，雖以上述構成為例進行說明，但並未限定於此一形態。在具備以含Si之材料構成的第1構件、支持第1構件的第2構件、及將第1構件與第2構件導通的導電連接構件之其他電漿處理裝置內結構體中，第1構件，亦可為在和導電連接構件接觸之位置具有金屬層的構成。此外，第1構件，亦可為經由導電連接構件及第2構件而施加電壓之構件。此外，亦可為使第2構件接地，使經由導電連接構件而電性連接的第1構件亦接地之構成。

圖12係用於說明電容耦合型之電漿處理裝置的構成例之圖的另一例。另，下述說明中，針對與圖1所示之電漿處理裝置1重複的構成，將說明省略。圖12所示之電漿處理裝置1，除了圖1所示之電漿處理裝置1的元件以外，更具備：矽環141，防沉積遮蔽件142，擋板143，及導電連接構件201、202、203、204。此外，電漿處理腔室10，具備下側構件10a1及上側構件10a2。下側構件10a1及上側構件10a2，構成電漿處理腔室10之側壁10a。此外，上側構件10a2，構成電漿處理腔室10之頂部的至少一部分。

矽環141(第1構件之一例)、上側構件10a2(第2構件之一例)及導電連接構件201，為電漿處理裝置內結構體的一例。

矽環141，係以包圍電極板131的方式配置之圓環狀的構件。矽環141，以含Si之材料(例如Si或SiC)構成。矽環141，支持在上側構件10a2。圖12所示的例子中，在上側構件10a2中的構成電漿處理腔室10之頂部的至少一部分之部分中，支持矽環141。

此外，在矽環141與上側構件10a2之間，配置導電連接構件201。導電連接構件201，與導電連接構件133同樣地以具有可撓性的導電性材料形成。矽環141與上側構件10a2，經由導電連接構件201而電性連接。

此處，於矽環141之頂面的導電連接構件201所接觸之位置，具有金屬層(圖示省略)。藉此，於金屬層之下形成金屬矽化物層，可抑制導電連接構件201所接觸之位置中的矽氧化膜(自然氧化膜)之形成。此外，藉由形成金屬矽化物層，而可降低金屬層和矽環141的接觸電阻。

因此，可降低導電連接構件201和矽環141的接觸電阻。因此，可降低矽環141與上側構件10a2之界面中的電位差。亦即，可使矽環141成為接地電位。

此外，以將形成於矽環141之頂面的金屬層包圍之方式，在矽環141與上側構件10a2之間配置密封構件(圖示省略)。

此外，如圖12所示，亦可為矽環141具有氣體導入口141a，上側構件10a2具有與氣體導入口141a連通的氣體流通孔之構成。氣體供給部20，亦可包含至少一個氣體源23及至少一個流量控制器24。氣體供給部20，構成為將處理氣體，從氣體源23經由流量控制器24而供給至氣體導入口141a。

藉由降低矽環141與上側構件10a2之界面中的電位差，而可抑制處理氣體的電離，可抑制放電。藉由抑制放電，可使平均維修時間間隔拉長，可改善電漿處理裝置1的生產力。

防沉積遮蔽件142(第1構件之一例)、電漿處理腔室10的側壁10a(第2構件之一例)、及導電連接構件202與203，係電漿處理裝置內結構體之一例。

防沉積遮蔽件142，係沿著電漿處理腔室10之內壁面設置的構件。防沉積遮蔽件142，以含Si之材料(例如Si或SiC)構成。防沉積遮蔽件142，於外周面側具備往徑向外側突出的凸部，此凸部藉由下側構件10a1與上側構件10a2夾持而支持。

此外，在防沉積遮蔽件142與上側構件10a2(電漿處理腔室10之側壁10a的一部分)之間，配置導電連接構件202。此外，在防沉積遮蔽件142與下側構件10a1(電漿處理腔室10之側壁10a的一部分)之間，配置導電連接構件203。導電連接構件202、203，與導電連接構件133同樣地以具有可撓性的導電性材料形成。防沉積遮蔽件142與電漿處理腔室10之側壁10a(下側構件10a1、上側構件10a2)，經由導電連接構件202、203而電性連接。

此處，於防沉積遮蔽件142的被夾持之部分頂面的導電連接構件202所接觸之位置，具有金屬層(圖示省略)。藉此，於金屬層之下形成金屬矽化物層，可抑制導電連接構件202所接觸之位置中的矽氧化膜(自然氧化膜)之形成。此外，藉由形成金屬矽化物層，而可降低金屬層和防沉積遮蔽件142的接觸電阻。

因此，可降低導電連接構件202和防沉積遮蔽件142的接觸電阻。因此，可降低防沉積遮蔽件142與電漿處理腔室10的側壁10a之界面中的電位差。

同樣地，於防沉積遮蔽件142的被夾持之部分底面的導電連接構件203所接觸之位置，具有金屬層(圖示省略)。藉此，於金屬層之下形成金屬矽化物層，可抑制導電連接構件203所接觸之位置中的矽氧化膜(自然氧化膜)之形成。此外，藉由形成金屬矽化物層，而可降低金屬層和防沉積遮蔽件142的接觸電阻。

因此，可降低導電連接構件203和防沉積遮蔽件142的接觸電阻。因此，可降低防沉積遮蔽件142與電漿處理腔室10的側壁10a之界面中的電位差。亦即，可使防沉積遮蔽件142成為接地電位。

此外，以將形成於防沉積遮蔽件142的金屬層包圍之方式，在防沉積遮蔽件142與電漿處理腔室10的側壁10a之間配置密封構件(圖示省略)。

擋板143(第1構件之一例)、下側構件10a1(第2構件之一例)、及導電連接構件204，係電漿處理裝置內結構體之一例。

擋板143，係具有複數個貫通孔之圓環狀的構件。電漿處理空間10s內之氣體，通過擋板143的貫通孔，從氣體排出口10e藉由排氣系統40排氣。擋板143，以含Si之材料(例如Si或SiC)構成。擋板143，由下側構件10a1支持。圖12所示的例子中，下側構件10a1，於擋板143之外周側中支持擋板143。另，雖說明支持擋板143之外周側的例子，但並未限定於此一形態，亦可為支持擋板143之內周側及／或外周側的結構。

此外，在擋板143與下側構件10a1之間，配置導電連接構件204。此外，在擋板143與下側構件10a1之間，配置導電連接構件204。導電連接構件204，與導電連接構件133同樣地以具有可撓性的導電性材料形成。擋板143與下側構件10a1，經由導電連接構件204而電性連接。

此處，在擋板143之底面的導電連接構件204所接觸之位置，具有金屬層(圖示省略)。藉此，於金屬層之下形成金屬矽化物層，可抑制導電連接構件204所接觸之位置中的矽氧化膜(自然氧化膜)之形成。此外，藉由形成金屬矽化物層，可降低金屬層和擋板143的接觸電阻。

因此，可降低導電連接構件204和擋板143的接觸電阻。因此，可降低擋板143與下側構件10a1之界面中的電位差。亦即，可使擋板143成為接地電位。

此外，以將形成於擋板143的金屬層包圍之方式，在擋板143與下側構件10a1之間配置密封構件(圖示省略)。

此外，雖以使第2構件接地之電漿處理裝置內結構體為例進行說明，但並未限定於此一形態。亦可應用在對第2構件施加偏電壓之電漿處理裝置內結構體。

以上，雖針對電漿處理系統之實施形態等進行說明，但本發明並未限定於上述實施形態等，於發明申請專利範圍所記載之本發明的要旨範圍內，可進行各種變形、改良。

另，本發明主張根據2022年6月6日在日本提出申請之日本特許申請案2022-91875號的優先權，將此等日本專利申請案之全部內容，作為參考而援用至本申請案。

1:電漿處理裝置 10:電漿處理腔室(第2構件) 10a:側壁 10a1:下側構件 10a2:上側構件 10e:氣體排出口 10s:電漿處理空間 11:基板支持部 111:本體部 111a:中央區域 111b:環狀區域 1110:基台 1110a:流路 1111:靜電吸盤 1111a:陶瓷構件 1111b:靜電電極 112:環組件 13,13C:噴淋頭(電極組件、電漿處理裝置內結構體) 13a:氣體供給口 13b:氣體擴散室 13c:氣體流通孔 13d:氣體導入口 131,131C:電極板(第1構件) 1311,1311f,1311g,1311h:氣體導入口形成區域 1312,1312a,1312b,1312c,1312d,1312e,1312f,1312g,1312h:金屬層 1313:金屬矽化物層 1315:自然氧化膜 132:電極支持體(第2構件) 1321,1321f,1321g,1321h:氣體流通孔形成區域 1322,1322d,1322e,1322f,1322g,1322h:凹溝部 1323,1323d,1323e,1323f,1323g,1323h:凹溝部 1324,1324d,1324e,1324f,1324g,1324h:凹溝部 1325:陽極氧化膜 133,133d,133e,133f,133g,133h:導電連接構件 134,134d,134e,134f,134g,134h:密封構件 135,135d,135e,135f,135g,135h:密封構件 136:絕緣構件 141:矽環(第1構件) 141a:氣體導入口 142:防沉積遮蔽件(第1構件) 143:擋板(第1構件) 2:控制部 2a:電腦 2a1:處理部 2a2:記憶部 2a3:通訊介面 20:氣體供給部 201,202,203,204:導電連接構件 21,23:氣體源 22,24:流量控制器 30:電源 31:射頻電源 31a:第1射頻訊號產生部 31b:第2射頻訊號產生部 32:直流電源 32a:第1直流訊號產生部 32b:第2直流訊號產生部 40:排氣系統 W:基板

圖1係用於說明電容耦合型之電漿處理裝置的構成例之圖的一例。 圖2係噴淋頭的剖面示意圖之一例。 圖3係第1實施例之噴淋頭的部分放大剖面示意圖之一例。 圖4係第1實施例之噴淋頭所具備的電極支持體之底視圖的一例。 圖5係第1實施例之噴淋頭所具備的電極板之俯視圖的一例。 圖6係第2實施例之噴淋頭所具備的電極板之俯視圖的一例。 圖7係第3實施例之噴淋頭所具備的電極支持體之底視圖的一例。 圖8係第3實施例之噴淋頭所具備的電極板之俯視圖的一例。 圖9係第4實施例之噴淋頭所具備的電極支持體之底視圖的一例。 圖10係第4實施例之噴淋頭所具備的電極板之俯視圖的一例。 圖11係參考例之噴淋頭的部分放大剖面示意圖之一例。 圖12係用於說明電漿處理裝置的構成例之圖的另一例。

13:噴淋頭(電極組件、電漿處理裝置內結構體)

131:電極板(第1構件)

1312:金屬層

1313:金屬矽化物層

1315:自然氧化膜

132:電極支持體(第2構件)

1322:凹溝部

1325:陽極氧化膜

133:導電連接構件

Claims (16)

1. 一種電漿處理裝置內結構體，包含： 第1構件，以含矽(Si)之材料構成； 第2構件，支持該第1構件；以及 導電連接構件，配置於該第1構件與該第2構件之間，將該第1構件與該第2構件導通； 該第1構件，在和該導電連接構件接觸之位置具有金屬層。
2. 如請求項1之電漿處理裝置內結構體，其中， 在該金屬層與該第1構件之間具有金屬矽化物層。
3. 如請求項2之電漿處理裝置內結構體，其中， 該金屬層係以鋁、鎢、鈦、鈷、鎳中之任一者構成。
4. 如請求項3之電漿處理裝置內結構體，其中， 該金屬層之厚度為1nm以上、5000nm以下。
5. 如請求項1至4中任一項之電漿處理裝置內結構體，其中， 該金屬層係形成為圓環狀。
6. 如請求項1至4中任一項之電漿處理裝置內結構體，其中， 該金屬層係形成於一個圓周上。
7. 如請求項1至4中任一項之電漿處理裝置內結構體，其中， 該第1構件係以矽(Si)或碳化矽(SiC)構成。
8. 如請求項1至4中任一項之電漿處理裝置內結構體，其中， 該第1構件，具備氣體導入口； 該第2構件，具備與該氣體導入口連通的氣體流通孔。
9. 如請求項1至4中任一項之電漿處理裝置內結構體，其中， 該第1構件為電極板； 該第2構件為電極支持體。
10. 一種電極板，藉由電極支持體以可任意裝卸的方式支持，經由導電連接構件而與該電極支持體導通； 在和該導電連接構件接觸之位置，具有金屬層。
11. 如請求項10之電極板，其中， 在該金屬層與該電極板之間具有金屬矽化物層。
12. 如請求項11之電極板，其中， 該金屬層係以鋁、鎢、鈦、鈷、鎳中之任一者構成。
13. 如請求項12之電極板，其中， 該金屬層之厚度為1nm以上、5000nm以下。
14. 如請求項10至13中任一項之電極板，其中， 該電極板係以矽(Si)或碳化矽(SiC)構成。
15. 一種電漿處理裝置， 包含如請求項1至4中任一項之電漿處理裝置內結構體。
16. 如請求項15之電漿處理裝置，其中， 該第1構件為電極板； 該第2構件為電極支持體； 該電漿處理裝置，更包含： 基板支持部，支持基板；以及 直流訊號產生部，將直流訊號供給至該電極支持體。

Images