WO2025041454A1

WO2025041454A1 - 電子モジュール、電子装置及び電子モジュールの製造方法

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Publication number: WO2025041454A1
Application number: PCT/JP2024/024211
Authority: WO
Inventors: 仁志中田
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2023-08-22
Filing date: 2024-07-04
Publication date: 2025-02-27
Anticipated expiration: 2026-02-22
Also published as: JPWO2025041454A1; US20250357225A1

Abstract

導電板間の絶縁性を維持する。　半導体装置は、銅または銅合金を主成分とする第１導電板（２２ａ）と、第１導電板（２２ａ）と対向する第２裏面（２３ａ７）及び第２裏面（２３ａ７）から接続する側面を有し、銅または銅合金を主成分とする第２導電板（２３ａ）と、第２導電板（２３ａ）の第２裏面（２３ａ７）及び側面に設けられ、電気絶縁性であって、第２導電板（２３ａ）の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する第２酸化膜（２３ｂ）と、を備える。第１導電板（２２ａ）の第１配線部（２２ａ２）と第２導電板（２３ａ）の第２配線部（２３ａ２）との間の絶縁部材として、第１酸化膜（２２ｂ）及び第２酸化膜（２３ｂ）が用いられている。

Description

電子モジュール、電子装置及び電子モジュールの製造方法

　本発明は、電子モジュール、電子装置及び電子モジュールの製造方法に関する。

　半導体装置は、半導体モジュールとキャパシタとを含む。半導体モジュールは、Ｎ型のパワー端子と、絶縁部材を挟んで当該Ｎ型のパワー端子上に当該Ｎ型パワー端子の一端部を露出して配置されたＰ型のパワー端子とを含む。キャパシタは、当該Ｎ型のパワー端子型のパワー端子の一端部に接続されるＮ型の接続端子と、Ｎ型の接続端子に絶縁部材を挟んで設けられたＰ型の接続端子とを含む。Ｐ型の接続端子とＰ型のパワー端子とは連結部材で接続されている（例えば、特許文献１を参照）。

　絶縁部材としては、パワーモジュール内の基板において金属板表面にアルミニウム酸化膜が形成される場合がある。アルミニウム酸化膜は陽極酸化によって形成される（例えば、特許文献２～４を参照）。また、電気回路基板は、圧延クラッドにより銅層及び当該銅層の反対側にアルミニウム層が形成されたクラッド材が用いられる場合がある（例えば、非特許文献１を参照）。このようなクラッド材を用いて、アルミニウム層の表側面に陽極酸化により絶縁層が形成される。当該絶縁層が接着層を介して、冷却体を形成する金属層に接合される（例えば、特許文献５を参照）。

　半導体装置の絶縁層を陽極酸化により形成する際に、シュウ酸水溶液を電解溶液として使用すると、膜厚２０μｍのときの絶縁破壊電圧が、未封孔の場合に約１ｋＶ、封孔した場合に約１．３ｋＶとなる（例えば、非特許文献２を参照）。

特開２０２１－１０６２３５号公報特開２０１３－８０９２４号公報特開２０１２－９９７８２号公報特開２０１２－９９７７９号公報特表２０１８－５３３１９７号公報

バイメタルジャパン株式会社、"クラッド材とは"、インターネット＜ＵＲＬ：ｗｗｗ．ｂｉｍｅｔａｌ．ｃｏ．ｊｐ／ｃｌａｄ．ｈｔｍｌ＞浅藤憲、村中武彦、前嶋正受、"アルミニウム合金アノード酸化皮膜の耐電圧"、山口県産業技術センター研究報告、Ｎо.３３、ｐ.１２－１６、２０２１年

　本発明は、導電板間の絶縁性が維持された電子モジュール、電子装置及び電子モジュールの製造方法を提供することを目的とする。

　本発明の一観点によれば、銅または銅合金を主成分とする第１導電板と、前記第１導電板と対向する主面及び前記主面から連続する側面を有し、銅または銅合金を主成分とする第２導電板と、前記第２導電板の前記主面及び前記側面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第２導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層と、を備える電子モジュールが提供される。

　また、前記第１導電板は、前記第２導電板と対向する主面及び前記主面から連続する側面を有し、前記第１導電板の前記主面及び前記側面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第１導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層を備えてよい。

　また、前記第２導電板と対向する主面及び前記主面から連続する側面を有し、銅または銅合金を主成分とする第３導電板と、前記第３導電板の前記主面及び前記側面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第３導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層と、を備えてよい。

　また、前記第１導電板、前記第２導電板または前記第３導電板の前記主面及び前記側面に各々設けられた前記金属酸化物層は、酸化アルミニウムを含んでよい。
　また、前記第１導電板、前記第２導電板または前記第３導電板の前記主面及び前記側面に各々設けられた前記金属酸化物層の厚さは、２０μｍ以上であってよい。

　また、前記第１導電板の一部の端部は、前記第２導電板よりも外側に延伸し、前記端部に前記第１導電板の表面が露出した第１接合領域を備えてよい。
　また、前記第２導電板の前記主面は、反対側の他の主面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第２導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層を備え、前記第２導電板の表面が露出した第２接合領域を備えてよい。

　また、前記第３導電板の前記主面とは反対側の他の主面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第３導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層を備え、前記第３導電板の表面が露出した第３接合領域を備えてよい。

　また、端部に第１外部接続部を有する前記第１導電板と、端部に第２外部接続部を有する前記第２導電板と、を含み、積層された前記第１導電板及び前記第２導電板に、複数の外部接続端子が差し込まれる複数の差し込み孔を有し、前記複数の差し込み孔、前記第１外部接続部及び前記第２外部接続部を除いて、前記第１導電板及び前記第２導電板を封止する封止部材、を具備するバスバー、をさらに有してよい。

　また、本発明の一観点によれば、銅または銅合金を主成分とする第１導電板と、前記第１導電板と対向する主面を有し、銅または銅合金を主成分とする第２導電板と、前記第２導電板の前記主面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第２導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層と、を備える電子モジュールが提供される。

　また、本発明の一観点によれば、銅または銅合金を主成分とする第１導電板と、前記第１導電板と対向する主面、前記主面から連続する側面、及び前記主面とは反対側の他の主面を有し、銅または銅合金を主成分とする第２導電板と、前記第２導電板の前記主面、前記側面、及び前記他の主面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第２導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層を備える第１電子モジュールと、前記第２導電板に接合され、銅または銅合金を主成分とする第４導電板と、を備え、前記第２導電板と前記第４導電板との接合部は、前記金属酸化物層を貫通する溶接痕を含んでいる電子装置が提供される。

　また、前記第１導電板は、前記第２導電板と対向する主面、前記主面から連続する側面、及び前記主面とは反対側の他の主面を有し、前記第１導電板の前記主面、前記側面、及び前記他の主面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第１導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層を備え、前記第１導電板に接合され、銅または銅合金を主成分とする第５導電板を更に備え、前記第１導電板と前記第５導電板との接合部は、前記金属酸化物層を貫通する溶接痕を含んでよい。

　また、本発明の一観点によれば、銅または銅合金を主成分とする第１導電板と、前記第１導電板と対向する主面、前記主面から連続する側面、及び前記主面とは反対側の他の主面を有し、銅または銅合金を主成分とする第２導電板と、前記第２導電板の前記主面、前記側面、及び前記他の主面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第２導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層を備える第１電子モジュールと、前記第２導電板に接合され、銅または銅合金を主成分とする第４導電板と、を備え、前記第２導電板と前記第４導電板との接合部は、前記第２導電板の前記他の主面に設けられた前記金属酸化物層の開口領域を通過する溶接痕を含んでいる電子装置が提供される。

　また、前記第１導電板は、前記第２導電板と対向する主面、前記主面から連続する側面、及び前記主面とは反対側の他の主面を有し、前記第１導電板の前記主面、前記側面、及び前記他の主面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第１導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層を備え、前記第１導電板に接合され、銅または銅合金を主成分とする第５導電板を更に備え、前記第１導電板と前記第５導電板との接合部は、前記第１導電板の前記主面に設けられた前記金属酸化物層の開口領域を通過する溶接痕を含んでよい。
　また、前記溶接痕はレーザ溶接痕であってよい。

　また、本発明の一観点によれば、銅または銅合金を主成分とする第１導電板と、前記第１導電板と対向する主面及び前記主面とは反対側の他の主面を有し、銅または銅合金を主成分とする第２導電板と、前記第２導電板の前記主面及び前記他の主面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第２導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層を備える第２電子モジュールと、前記第２導電板に接合され、銅または銅合金を主成分とする第４導電板と、を備え、前記第２導電板と前記第４導電板との接合部は、前記金属酸化物層を貫通する溶接痕を含んでいる電子装置が提供される。

　また、本発明の一観点によれば、銅または銅合金を主成分とする第１導電板と、前記第１導電板と対向する主面及び前記主面とは反対側の他の主面を有し、銅または銅合金を主成分とする第２導電板と、前記第２導電板の前記主面及び前記他の主面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第２導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層を備える第２電子モジュールと、前記第２導電板に接合され、銅または銅合金を主成分とする第４導電板と、を備え、前記第２導電板と前記第４導電板との接合部は、前記第２導電板の前記他の主面に設けられた前記金属酸化物層の開口領域を通過する溶接痕を含んでいる電子装置が提供される。

　また、本発明の一観点によれば、銅または銅合金を主成分とする第１導電板と、前記第１導電板と対向する主面と前記主面から連続する側面とを有し、銅または銅合金を主成分とする第２導電板と、を準備する用意工程と、前記第２導電板の前記主面及び前記側面に設けられ、前記第１導電板の金属とは異なる元素を含有する被覆層を形成する被覆工程と、前記被覆層を酸化して電気絶縁性の金属酸化物層を形成する酸化工程と、を含む電子モジュールの製造方法が提供される。
　また、前記酸化工程は、陽極酸化で行われてよい。
　また、前記第２導電板の金属とは異なる元素は、アルミニウムであってよい。

　また、本発明の一観点によれば、銅または銅合金を主成分とする第１導電板の上面及び下面を、電気絶縁性であって前記第１導電板の金属とは異なる元素を含有する被覆層で覆った第１端子を準備する第１用意工程と、銅または銅合金を主成分とする第２導電板の上面及び下面を、電気絶縁性であって前記第１導電板の金属とは異なる元素を含有する被覆層で覆った第２端子を準備する第２用意工程と、前記第１端子と前記第２端子を重ねる工程と、前記第１端子及び前記第２端子を樹脂製のケースで固定する工程と、を含む電子モジュールの製造方法が提供される。

　なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた発明となりうる。

　開示の技術によれば、導電板間の絶縁性が維持される。
　本発明の上記及び他の目的、特徴及び利点は本発明の例として好ましい実施の形態を表す添付の図面と関連した以下の説明により明らかになるであろう。

第１の実施の形態の半導体モジュールの平面図である。第１の実施の形態の半導体ユニットの平面図である。第１の実施の形態の半導体ユニットの断面図である。第１の実施の形態の端子積層部の平面図である。第１の実施の形態の端子積層部に含まれる第１端子の平面図である。第１の実施の形態の端子積層部に含まれる第２端子の平面図である。第１の実施の形態の端子積層部の断面図である。第１の実施の形態の接合領域が除去された端子積層部の断面図である。第１の実施の形態の半導体モジュールに含まれるケースの製造方法を示すフローチャートである。第１の実施の形態のケースの製造方法に含まれる被覆工程を説明するための図である。第１の実施の形態のケースの製造方法に含まれる酸化工程を説明するための図である。第１の実施の形態の変形例１－１の半導体モジュールに含まれるケースの製造方法を示すフローチャートである。第１の実施の形態の変形例１－１の半導体モジュールに含まれる用意工程を説明するための図である。第１の実施の形態の変形例１－１の半導体モジュールに含まれる端子成形工程及び酸化工程を説明するための図である。第１の実施の形態の変形例１－１の端子積層部の断面図である。第１の実施の形態の変形例１－１の接合領域が除去された端子積層部の断面図である。第２の実施の形態の半導体装置の斜視図である。第２の実施の形態のキャパシタの斜視図である。第２の実施の形態の半導体装置に含まれるキャパシタと半導体モジュールの断面図である。第３の実施の形態の半導体モジュールの斜視図である。第３の実施の形態の半導体モジュールの断面図である。第３の実施の形態の半導体モジュールの平面図である。第３の実施の形態の第１端子及び第２端子の平面図である。第３の実施の形態の第１端子及び第２端子の断面図である。第３の実施の形態の第１端子及び第２端子の断面図である。第３の実施の形態の変形例３－１の第１端子及び第２端子の断面図である。第３の実施の形態の変形例３－２の第１端子、第２端子及び第３端子の断面図である。第３の実施の形態の変形例３－３の第１端子、第２端子及び第３端子の断面図である。第４の実施の形態の半導体装置の側面図である。第４の実施の形態の半導体装置の平面図である。第４の実施の形態の半導体モジュールの断面図である。第４の実施の形態のバスバーの平面図である。第４の実施の形態のバスバーの第１断面図である。第４の実施の形態のバスバーの第２断面図である。

　以下、図面を参照して、実施の形態について説明する。なお、以下の説明において、「おもて面」及び「上面」とは、図１の半導体装置１において、上側（＋Ｚ方向）を向いたＸ－Ｙ面を表す。同様に、「上」とは、図１の半導体装置１において、上側（＋Ｚ方向）の方向を表す。「裏面」及び「下面」とは、図１の半導体装置１において、下側（－Ｚ方向）を向いたＸ－Ｙ面を表す。同様に、「下」とは、図１の半導体装置１において、下側（－Ｚ方向）の方向を表す。必要に応じて他の図面でも同様の方向性を意味する。「高位」とは、図１の半導体装置１において、上側（＋Ｚ側）の位置を表す。同様に。「低位」とは、図１の半導体装置１において、下側（－Ｚ側）の位置を表す。「おもて面」、「上面」、「上」、「裏面」、「下面」、「下」、「側面」は、相対的な位置関係を特定する便宜的な表現に過ぎず、本発明の技術的思想を限定するものではない。例えば、「上」及び「下」は、必ずしも地面に対する鉛直方向を意味しない。つまり、「上」及び「下」の方向は、重力方向に限定されない。また、以下の説明において「主成分」とは、８０ｖｏｌ％以上含む場合を表す。

　［第１の実施の形態］
　第１の実施の形態の半導体装置に含まれる半導体モジュールについて図１を用いて説明する。図１は、第１の実施の形態の半導体モジュールの平面図である。

　半導体モジュール２は、半導体ユニット（図示を省略）と当該半導体ユニットが配置される放熱板（図３を参照）と放熱板に配置されて当該半導体ユニットを格納するケース２０とを有している。半導体ユニットについては、図２及び図３を参照して後述する。

　ケース２０は、枠部２１と端子積層部２４とＵ端子２６ａ及びＶ端子２６ｂ及びＷ端子２６ｃと制御端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃとを含んでいる。枠部２１は、平面視で略矩形状を成しており、四方が第１～第４側部２１ａ～２１ｄにより囲まれている。枠部２１は、おもて面に対して、第１側部２１ａ及び第３側部２１ｃに沿って順に設けられた収納領域２１ｅ１，２１ｅ２，２１ｅ３を含んでいる。

　収納領域２１ｅ１，２１ｅ２，２１ｅ３は、平面視で枠部２１のおもて面で制御端子２５ａ，２５ｂに仕切られて、枠部２１の長手方向（第１，第３側部２１ａ，２１ｃ）に沿ってそれぞれ設けられた空間である。収納領域２１ｅ１，２１ｅ２，２１ｅ３には、既述の半導体ユニットがそれぞれ格納されている。半導体ユニットは、収納領域２１ｅ１，２１ｅ２，２１ｅ３内で、後述する端子積層部に含まれる第１端子２２及び第２端子２３とＵ端子２６ａとＶ端子２６ｂとＷ端子２６ｃと電気的にそれぞれ接合される。また、図示を省略するものの、半導体ユニットは、制御端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃにワイヤにより電気的に接続される。

　収納領域２１ｅ１，２１ｅ２，２１ｅ３は、半導体ユニットがこのようにして格納されると、図１に示すように、封止部材３６により封止される。封止部材３６は、熱硬化性樹脂と当該熱硬化性樹脂に含まれる充填剤とを含んでいる。熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、マレイミド樹脂である。充填剤は、例えば、酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化ホウ素または窒化アルミニウムである。

　このような枠部２１は、熱可塑性樹脂を用いて射出成形により３組の端子積層部２４とＵ端子２６ａ及びＶ端子２６ｂ及びＷ端子２６ｃと制御端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃとを含んで成形される。また、制御端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃは、枠部２１とは別に熱硬化性樹脂を用いて射出成形により樹脂に含まれて形成されてよい。このように樹脂で一体成形された制御端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃが枠部２１のおもて面の開口に取り付けられて収納領域２１ｅ１，２１ｅ２，２１ｅ３が構成されてよい。このような制御端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃは収納領域２１ｅ１，２１ｅ２，２１ｅ３の＋Ｙ方向側の側部であって、ケース２０の短手方向（第２，第４側部２１ｂ，２１ｄ）に平行にそれぞれ取り付けられている。熱可塑性樹脂は、例えば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）樹脂、ポリブチレンサクシネート（ＰＢＳ）樹脂、ポリアミド（ＰＡ）樹脂、または、アクリロニトリルブタジエンスチレン（ＡＢＳ）樹脂である。なお、収納領域２１ｅ１，２１ｅ２，２１ｅ３は、特に区別しない場合には、収納領域２１ｅとして説明する。

　端子積層部２４は、枠部２１の長手方向（第１側部２１ａ）に沿って収納領域２１ｅ１，２１ｅ２，２１ｅ３にそれぞれ対応して第１側部２１ａに露出して３組設けられている。このような端子積層部２４は、第１端子２２と、第１端子２２のおもて面の一端部を露出して第１端子２２上に積層された第２端子２３とを含んでいる。

　第１端子２２の一端部のおもて面は、第１側部２１ａから上方（＋Ｚ方向）を向いて表出されている。第１端子２２の他端部は、ケース２０の収納領域２１ｅの内部で半導体ユニットの半導体チップの負極に相当する箇所に電気的に接続されている。

　第２端子２３は、第１端子２２上に第１端子２２の一端部を露出して配置されている。第２端子２３の一端部のおもて面は、第１側部２１ａから上方（＋Ｚ方向）を向いて表出されている。第２端子２３の他端部は、ケース２０の収納領域２１ｅの内部で半導体チップの正極に相当する箇所に電気的に接続されている。

　第１端子２２及び第２端子２３は、導電性に優れた金属により構成されている。このような金属は、例えば、銅あるいは銅合金である。また、第１端子２２及び第２端子２３のそれぞれ表面には酸化膜が形成されている。これにより、第１端子２２及び第２端子２３の絶縁性が維持される。このような端子積層部２４の詳細については後述する。

　制御端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃは、その一端部が半導体モジュール２の上方（＋Ｚ方向）に延伸している。また、制御端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃの他端部は、収納領域２１ｅ１，２１ｅ２，２１ｅ３内の各半導体ユニットの半導体チップの制御電極にそれぞれ電気的に接続されている。制御端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃは、導電性に優れた金属により構成されている。このような金属は、例えば、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金である。制御端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃの耐食性を向上させるために、めっき処理を行ってもよい。この際、用いられるめっき材は、例えば、ニッケル、ニッケル－リン合金、ニッケル－ボロン合金である。

　Ｕ端子２６ａとＶ端子２６ｂとＷ端子２６ｃとは、枠部２１の長手方向（第３側部２１ｃ）に沿って収納領域２１ｅ１，２１ｅ２，２１ｅ３にそれぞれ対応して第３側部２１ｃに露出して設けられている。Ｕ端子２６ａとＶ端子２６ｂとＷ端子２６ｃとの一端部のおもて面は、第３側部２１ｃから上方（＋Ｚ方向）を向いてそれぞれ露出されている。Ｕ端子２６ａとＶ端子２６ｂとＷ端子２６ｃとの他端部は、収納領域２１ｅ１，２１ｅ２，２１ｅ３内の各半導体ユニットの半導体チップの出力電極に相当する箇所にそれぞれ電気的に接続されている。Ｕ端子２６ａとＶ端子２６ｂとＷ端子２６ｃとは、導電性に優れた金属により構成されている。このような金属は、例えば、銅あるいは銅合金である。Ｕ端子２６ａとＶ端子２６ｂとＷ端子２６ｃの耐食性を向上させるために、めっき処理を行ってもよい。この際、用いられるめっき材は、例えば、ニッケル、ニッケル－リン合金、ニッケル－ボロン合金である。

　次に、半導体モジュール２に含まれる半導体ユニットについて図２及び図３を用いて説明する。図２は、第１の実施の形態の半導体ユニットの平面図である。図３は、第１の実施の形態の半導体ユニットの断面図である。図３は、図２の一点鎖線Ｙ－Ｙにおける断面図である。

　半導体ユニット３は、図３に示されるように、放熱板３７に接合部材（図示を省略）を介して配置される。ケース２０は放熱板３７に接着剤を介して配置されて、半導体ユニット３がケース２０の収納領域２１ｅ１，２１ｅ２，２１ｅ３にそれぞれ収納される。このような半導体ユニット３は、絶縁回路基板３０と半導体チップ３４ａ～３４ｄとリードフレーム３５ａ～３５ｄとを含んでいる。

　なお、放熱板３７と半導体ユニット３（絶縁回路基板３０）とを接合する接合部材は、はんだ、または、焼結材が用いられる。はんだは、鉛フリーはんだ、または、鉛入りはんだが用いられる。鉛フリーはんだは、例えば、錫、銀、銅、亜鉛、アンチモン、インジウム、ビスマスの少なくとも２つを含む合金を主成分とする。さらに、はんだには、添加物が含まれてもよい。添加物は、例えば、ニッケル、ゲルマニウム、コバルトまたはシリコンである。はんだは、添加物が含まれることで、濡れ性、光沢、結合強度が向上し、信頼性の向上を図ることができる。鉛入りはんだは、さらに、鉛を含む。焼結材は、例えば、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、銀、銀合金の少なくとも１つを含む金属材料が用いられる。

　絶縁回路基板３０は、平面視で矩形状である。絶縁回路基板３０は、絶縁板３１と、絶縁板３１の裏面に形成された金属板３３と、絶縁板３１のおもて面に形成された複数の配線板３２ａ～３２ｉとを有している。複数の配線板３２ａ～３２ｉ及び金属板３３の外形は、平面視で、絶縁板３１の外形より小さく、絶縁板３１の内側に形成されている。なお、複数の配線板３２ａ～３２ｉの形状、個数、大きさは一例である。

　絶縁板３１は、平面視で矩形状を成す。また、絶縁板３１は、角部が面取りされていてもよい。例えば、Ｃ面取りあるいはＲ面取りされていてもよい。絶縁板３１は、外周辺である長辺３１ａ、短辺３１ｂ、長辺３１ｃ、短辺３１ｄにより四方が囲まれている。このような絶縁板３１は、熱伝導性のよいセラミックスにより構成されている。セラミックスは、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、または、窒化珪素を主成分とする材料により構成されている。

　金属板３３は、平面視で矩形状を成す。また、角部が、例えば、Ｃ面取りあるいはＲ面取りされていてもよい。金属板３３は、絶縁板３１のサイズより小さく、絶縁板３１の縁部を除いた裏面全面に形成されている。金属板３３は、熱伝導性に優れた金属を主成分として構成されている。金属は、例えば、銅、アルミニウムまたは、少なくともこれらの一種を含む合金である。金属板の耐食性を向上させるために、めっき処理を行ってもよい。この際、用いられるめっき材は、例えば、ニッケル、ニッケル－リン合金、ニッケル－ボロン合金である。

　配線板３２ａ～３２ｉは、絶縁板３１の縁部を除いた全面にわたって形成されている。好ましくは、平面視で、配線板３２ａ～３２ｆの絶縁板３１の外周に面する端部は、金属板３３の絶縁板３１の外周側の端部と重畳する。このため、絶縁回路基板３０は、絶縁板３１の裏面の金属板３３との応力バランスが維持される。絶縁板３１の過度な反り、割れ等の損傷が抑制される。配線板３２ａ～３２ｉは、導電性に優れた金属により構成されている。このような金属は、例えば、銅、アルミニウム、または、少なくともこれらの一種を含む合金である。また、配線板３２ａ～３２ｉの表面に対して、耐食性を向上させるために、めっき処理を行ってもよい。この際、用いられるめっき材は、例えば、ニッケル、ニッケル－リン合金、ニッケル－ボロン合金である。

　配線板３２ａは、絶縁板３１の長辺３１ａ側に、長辺３１ａに沿って、短辺３１ｂから短辺３１ｄにかけて形成されている。配線板３２ａの下方（－Ｘ方向）の長辺３１ｃ側に窪みが形成されている。配線板３２ｂは、配線板３２ａに対して±Ｙ方向の中心線に対してほぼ線対称を成している。配線板３２ｂは、絶縁板３１の長辺３１ｃ側に、長辺３１ｃに沿って、短辺３１ｂから短辺３１ｄにかけて形成されている。配線板３２ｂの下方（－Ｘ方向）の長辺３１ａ側に窪みが形成されている。

　配線板３２ｃは、配線板３２ａの下部（－Ｘ方向）と配線板３２ｅの下部（－Ｘ方向）と短辺３１ｄと配線板３２ｅとで囲まれる領域に配置されている。すなわち、配線板３２ｃは、略Ｌ字状を成している。配線板３２ｄは、配線板３２ｃに対して±Ｙ方向の中心線に対してほぼ線対称を成している。配線板３２ｄは、配線板３２ｂの下部（－Ｘ方向）と配線板３２ｆと短辺３１ｄと配線板３２ｆとで囲まれる領域に配置されている。すなわち、配線板３２ｄは、略Ｌ字状を成している。

　配線板３２ｅは、配線板３２ａに隣接して、長辺３１ａに沿って短辺３１ｂから－Ｘ方向に延伸している。配線板３２ｅの－Ｘ方向の端部は、短辺３１ｄから離間している。配線板３２ｅの上部（＋Ｘ方向）の長辺３１ｃ側の側部が途中で窪んでいる。配線板３２ｆは、配線板３２ｅに対して±Ｙ方向の中心線に対してほぼ線対称を成している。配線板３２ｆは、配線板３２ｂの上部（＋Ｘ方向）に隣接して、長辺３１ｃに沿って短辺３１ｂから－Ｘ方向に延伸している。配線板３２ｆの－Ｘ方向の端部は、短辺３１ｄから離間している。配線板３２ｆの上部（＋Ｘ方向）の長辺３１ａ側の側部が途中で窪んでいる。

　配線板３２ｇは、平面視でＩ字状を成し、配線板３２ｅ，３２ｆの間に、長辺３１ａ，３１ｃに沿って配置されている。配線板３２ｈは、平面視でＩ字状を成し、配線板３２ｅ，３２ｆの窪みで囲まれる領域に配線板３２ｅ側であって、長辺３１ａに沿って配置されている。配線板３２ｉは、平面視でＬ字状を成し、配線板３２ｅ，３２ｆの窪みで囲まれる領域に配線板３２ｆ側であって、長辺３１ｃに沿って配置されている。配線板３２ｉは、配線板３２ｈの長辺３１ｃ側及び短辺３１ｄ側を囲うように配置されている。

　また、絶縁回路基板３０の配線板３２ａ，３２ｂの下端部（－Ｘ方向）には、第２端子２３の第２接続部２３ａ１がそれぞれ接合される。絶縁回路基板３０の配線板３２ｃ，３２ｄの下端部（－Ｘ方向）には、第１端子２２の第１接続部２２ａ１がそれぞれ接合される。絶縁回路基板３０の配線板３２ｅ，３２ｆの上端部（＋Ｘ方向）には、Ｕ端子２６ａとＶ端子２６ｂとＷ端子２６ｃとの接合部がそれぞれ接合される。なお、図２では、Ｕ端子２６ａが配線板３２ｅ，３２ｆにそれぞれ接合されている場合を例示している。

　このような構成を有する絶縁回路基板３０として、例えば、ＤＣＢ（Direct Copper Bonding）基板、ＡＭＢ（Active Metal Brazed）基板を用いてもよい。絶縁回路基板３０は、後述する半導体チップ３４ａ～３４ｄで発生した熱を配線板３２ａ，３２ｂ，３２ｅ及び３２ｆ、絶縁板３１及び金属板３３を介して、絶縁回路基板３０の裏面側に伝導させて放熱する。

　半導体チップ３４ａ～３４ｄは、炭化シリコンにより構成されるパワーデバイスである。このパワーデバイスの一例として、パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）が挙げられる。このパワーＭＯＳＦＥＴでは、ボディダイオードがＦＷＤ（Free Wheeling Diode）として機能する。このような半導体チップ３４ａ～３４ｄは、裏面に入力電極（主電極）としてドレイン電極を、おもて面に、制御電極としてゲート電極及び出力電極（主電極）としてソース電極をそれぞれ備えている。

　また、半導体チップ３４ａ～３４ｄは、シリコンにより構成されるパワーデバイスであってもよい。この場合のパワーデバイスは、例えば、ＲＣ（Reverse Conducting）－ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）が挙げられる。ＲＣ－ＩＧＢＴは、スイッチング素子であるＩＧＢＴ及びダイオード素子であるＦＷＤが１チップ内に構成されたものである。このような半導体チップ３４ａ～３４ｄは、例えば、裏面に入力電極（主電極）としてコレクタ電極を、おもて面に、制御電極としてゲート電極、出力電極（主電極）としてエミッタ電極をそれぞれ備えている。

　なお、半導体チップ３４ａ～３４ｄは、本実施の形態では、配線板３２ａ，３２ｂ，３２ｅ，３２ｆに、既述の接合部材を介してそれぞれ複数配置されている。図２では、それぞれ、２つずつ配置されている場合を示している。この場合、半導体チップ３４ａ～３４ｄは、制御電極がそれぞれ対向するように配置されている。

　リードフレーム３５ａ～３５ｄは、半導体チップ３４ａ～３４ｄのおもて面の出力電極と配線板３２ｅ，３２ｆ，３２ｃ，３２ｄとを電気的に接続する。リードフレーム３５ａは、半導体チップ３４ａと配線板３２ｅとを電気的かつ機械的に接続している。リードフレーム３５ｂは、半導体チップ３４ｂと配線板３２ｆとを電気的かつ機械的に接続している。リードフレーム３５ｃは、半導体チップ３４ｃと配線板３２ｃとを電気的かつ機械的に接続している。リードフレーム３５ｄは、半導体チップ３４ｄと配線板３２ｄとを電気的かつ機械的に接続している。

　リードフレーム３５ａ～３５ｄの一端部は半導体チップ３４ａ～３４ｄの出力電極に接合部材として既述のはんだにより接合される。また、リードフレーム３５ａ～３５ｄの他端部は配線板３２ｅ，３２ｆ，３２ｃ，３２ｄに既述の接合部材を用いて接合される。または、超音波、レーザ溶接により接合してもよい。このようなリードフレーム３５ａ～３５ｄは、導電性に優れた材質により構成されている。このような材質として、例えば、銅、アルミニウム、または、少なくともこれらの１種を含む合金等により構成されている。また、リードフレーム３５ａ～３５ｄの表面には、耐食性を向上させるために、めっき処理を行ってもよい。この場合のめっき材は、例えば、ニッケル、ニッケル－リン合金、ニッケル－ボロン合金である。

　放熱板３７は、平面視で矩形状を成し、ケース２０の裏面の外形に対応している。放熱板３７のおもて面には、半導体ユニット３が長手方向に沿ってそれぞれ接合部材により接合される。放熱板３７は、熱伝導性に優れた金属を主成分として構成されている。金属は、例えば、銅、アルミニウムまたは、少なくともこれらの一種を含む合金である。金属板の耐食性を向上させるために、めっき処理を行ってもよい。この際、用いられるめっき材は、例えば、ニッケル、ニッケル－リン合金、ニッケル－ボロン合金である。

　次に、このような端子積層部２４の詳細について、図４～図８を用いて説明する。図４は、第１の実施の形態の端子積層部の平面図である。図５は、第１の実施の形態の端子積層部に含まれる第１端子の平面図であり、図６は、第１の実施の形態の端子積層部に含まれる第２端子の平面図である。図７は、第１の実施の形態の端子積層部の断面図であり、図８は、第１の実施の形態の接合領域が除去された端子積層部の断面図である。なお、図７及び図８は、図４の一点鎖線Ｙ－Ｙにおける断面図を示している。

　端子積層部２４は、図４に示されるように、第１端子２２と第２端子２３とを含んでいる。端子積層部２４においては、図７に示されるように、平板状の第１端子２２の上に、平板状の第２端子２３が積層されている。この際、第１端子２２に含まれる先端面２２ａ３が、第２端子２３に含まれる先端面２３ａ３よりも、外側（－Ｘ方向）に延伸して、第１端子２２に含まれる第１接合領域２２ａ８に対応する範囲が表出している。また、端子積層部２４は、第１端子２２の先端面２２ａ３が枠部２１の第１側部２１ａに対して同一平面を成して、枠部２１に固定されている。

　第１端子２２は、図５に示されるように、第１導電板２２ａと第１酸化膜２２ｂとを含む。第１導電板２２ａは、第１接続部２２ａ１と第１配線部２２ａ２とを一体的に含む。第１酸化膜２２ｂは、第１配線部２２ａ２の表面を被覆している。第１配線部２２ａ２は、図５中で、第１酸化膜２２ｂ中に破線で表された矩形状の部分である。

　第１配線部２２ａ２は、平板状であって、先端面２２ａ３と、第１側面２２ａ４，２２ａ５と、第１おもて面２２ａ６と、第１裏面２２ａ７とを備える。第１おもて面２２ａ６及び第１裏面２２ａ７は、平面視で矩形状を成し、それぞれ同様のサイズである。第１おもて面２２ａ６の外側（－Ｘ方向）に、平面視で、先端面２２ａ３に沿った第１接合領域２２ａ８が設定されている。第１接合領域２２ａ８は、図５において、第１おもて面２２ａ６の－Ｘ方向側に破線で囲まれた領域である。第１接合領域２２ａ８の範囲は、後述するキャパシタ４に含まれる第１接続端子４３の第１，第２，第３接続部分４３ａ，４３ｂ，４３ｃの接合される範囲に対応している。例えば、第１接合領域２２ａ８は、平面視で、矩形状を成す。第１接合領域２２ａ８の±Ｙ方向の幅は、第１おもて面２２ａ６の同方向の幅よりも小さい。第１接合領域２２ａ８は先端面２２ａ３から内側（＋Ｘ方向）に所定の長さを有する。

　先端面２２ａ３は、端子積層部２４の延伸方向（－Ｘ方向）の最外の端部である。すなわち、先端面２２ａ３は、第１おもて面２２ａ６及び第１裏面２２ａ７の四方の－Ｘ方向に設けられている。先端面２２ａ３は、ケース２０の枠部２１の第１側部２１ａ及び第３側部２１ｃに略平行を成す。

　第１側面２２ａ４，２２ａ５は、第１おもて面２２ａ６及び第１裏面２２ａ７の四方の±Ｙ方向にそれぞれ設けられている。言い換えると、第１側面２２ａ４，２２ａ５は、第１おもて面２２ａ６及び第１裏面２２ａ７の四方の±Ｙ方向のそれぞれの端部から連続して第１おもて面２２ａ６及び第１裏面２２ａ７に接続されている。第１側面２２ａ４，２２ａ５は、端子積層部２４の延伸方向（＋Ｘ方向）に平行である。すなわち、第１側面２２ａ４，２２ａ５は、ケース２０の枠部２１の第２側部２１ｂ及び第４側部２１ｄに略平行を成す。また、先端面２２ａ３に対向する後端面（符号を省略）が、第１おもて面２２ａ６及び第１裏面２２ａ７の四方の＋Ｘ方向に設けられている。

　第１接続部２２ａ１は、平面視で矩形状を成している。第１接続部２２ａ１は第１配線部２２ａ２と同じ厚さである。第１接続部２２ａ１は、第１配線部２２ａ２の先端面２２ａ３の反対側の後端面に形成されて、＋Ｘ方向に所定の長さ、延伸している。２つの第１接続部２２ａ１は、第１配線部２２ａ２の当該後端面の中央部に±Ｙ方向に所定の隙間を空けて並んでいる。

　このような第１導電板２２ａは、導電性に優れた金属により構成される。このような金属は、例えば、銅あるいは銅を主成分とする合金である。第１導電板２２ａの厚さは、全体的に略均一であり、例えば、０．８ｍｍ以上、１．２ｍｍ以下であり、例えば、１．０ｍｍである。

　第１酸化膜２２ｂは、第１導電板２２ａの第１配線部２２ａ２の表面に設けられている。すなわち、第１酸化膜２２ｂは、第１配線部２２ａ２の先端面２２ａ３と、第１側面２２ａ４，２２ａ５と、第１おもて面２２ａ６と、第１裏面２２ａ７との表面上にそれぞれ設けられている。第１酸化膜２２ｂは、第１導電板２２ａの先端面２２ａ３の反対側の後端面に形成されてよい。なお、第１酸化膜２２ｂは、第１導電板２２ａのうち、第１接続部２２ａ１には設けられていない。このような第１酸化膜２２ｂは、絶縁性を有する材料を主成分として構成される。この材料は、金属酸化物であって、例えば、アルミニウム酸化物層である。なお、第１酸化膜２２ｂは単一の層として図示されている。なお、アルミニウム酸化物層の第１酸化膜２２ｂに対応する第１導電板２２ａの表面にアルミニウム層が含まれてもよい。

　第２端子２３は、図６に示されるように、第２導電板２３ａと第２酸化膜２３ｂとを含む。第２導電板２３ａは、第２接続部２３ａ１と第２配線部２３ａ２とを一体的に含む。第２酸化膜２３ｂは、第２配線部２３ａ２の表面を被覆している。第２配線部２３ａ２は、図６中で、第２酸化膜２３ｂ中に破線で表されたＴ字形状の部分である。

　第２配線部２３ａ２は、平板状であって、先端面２３ａ３と、第２側面２３ａ４，２３ａ５と、第２おもて面２３ａ６と、第２裏面２３ａ７とを備える。第２おもて面２３ａ６及び第２裏面２３ａ７は、平面視でＴ字形状を成し、それぞれ同様のサイズである。第２おもて面２３ａ６の外側（－Ｘ方向）に、平面視で、先端面２３ａ３に沿った第２接合領域２３ａ８が設定されている。第２接合領域２３ａ８は、図６において、第２おもて面２３ａ６の－Ｘ方向側に破線で囲まれた領域であり、第１接合領域２２ａ８に対向している。第２接合領域２３ａ８の範囲は、後述するキャパシタ４に含まれる連結部材４１ａ，４１ｂ，４１ｃのサイズに対応している。例えば、第２接合領域２３ａ８は、平面視で、矩形状を成す。第２接合領域２３ａ８の±Ｙ方向の幅は、第２おもて面２３ａ６の同方向の幅よりも小さい。第２接合領域２３ａ８は先端面２３ａ３から内側（＋Ｘ方向）に所定の長さを有する。

　先端面２３ａ３は、端子積層部２４の延伸方向（－Ｘ方向）の最外の端部である。すなわち、先端面２３ａ３は、第２おもて面２３ａ６及び第２裏面２３ａ７の四方の－Ｘ方向に設けられている。先端面２３ａ３は、ケース２０の枠部２１の第１側部２１ａ及び第３側部２１ｃに略平行を成す。

　第２側面２３ａ４，２３ａ５は、第２おもて面２３ａ６及び第２裏面２３ａ７の四方の±Ｙ方向にそれぞれ設けられている。言い換えると、第２側面２３ａ４，２３ａ５は、第２おもて面２３ａ６及び第２裏面２３ａ７の四方の±Ｙ方向のそれぞれの端部から連続して第２おもて面２３ａ６及び第２裏面２３ａ７に連続されている。第２側面２３ａ４，２３ａ５は、端子積層部２４の延伸方向（－Ｘ方向）に平行である。すなわち、第２側面２３ａ４，２３ａ５は、ケース２０の枠部２１の第２側部２１ｂ及び第４側部２１ｄに略平行を成す。また、先端面２３ａ３に対向する後端面（符号を省略）が、第２おもて面２３ａ６及び第２裏面２３ａ７の四方の＋Ｘ方向に設けられている。

　第２接続部２３ａ１は、平面視で矩形状を成している。第２接続部２３ａ１は第２配線部２３ａ２と同じ厚さである。第２接続部２３ａ１は、第２配線部２３ａ２の先端面２３ａ３の反対側の後端面に形成されて、＋Ｘ方向に所定の長さ、延伸している。２つの第２接続部２３ａ１は、第２配線部２３ａ２の当該後端面の±Ｙ方向の両端部に形成されている。なお、第２接続部２３ａ１は、第１接続部２２ａ１と同じ厚さ、同じサイズであってよい。第２端子２３が第１端子２２上に配置されると、図４に示されるように、第２接続部２３ａ１は第１接続部２２ａ１の外側に位置する。

　このような第２導電板２３ａは、導電性に優れた金属により構成される。このような金属は、例えば、銅あるいは銅を主成分とする合金である。第１導電板２２ａの厚さは、全体的に略均一であり、例えば、０．８ｍｍ以上、１．２ｍｍ以下であり、例えば、１．０ｍｍである。

　第２酸化膜２３ｂは、第２導電板２３ａの第２配線部２３ａ２の表面に設けられている。すなわち、第２酸化膜２３ｂは、第２配線部２３ａ２の先端面２３ａ３と、第２側面２３ａ４，２３ａ５と、第２おもて面２３ａ６と、第２裏面２３ａ７との上にそれぞれ形成されている。第２酸化膜２３ｂは、第２導電板２３ａの先端面２３ａ３の反対側の後端面に設けられてよい。なお、第２酸化膜２３ｂは、第２導電板２３ａのうち、第２接続部２３ａ１には設けられていない。このような第２酸化膜２３ｂは、第１酸化膜２２ｂと同じ材質により形成されている。また、この場合でも、アルミニウム酸化物層の第２酸化膜２３ｂに対応する第２導電板２３ａの表面にアルミニウム層が含まれてもよい。

　このような端子積層部２４は、既述の通り、枠部２１に一体的に成形されている。端子積層部２４は、図７に示されるように、第１端子２２に含まれる第１配線部２２ａ２に対応する部分と第２端子２３に含まれる第２配線部２３ａ２に対応する部分とが枠部２１に固定されている。第１端子２２の第１接続部２２ａ１及び第２端子２３の第２接続部２３ａ１は、枠部２１の収納領域２１ｅ内に配置される。

　第１端子２２の第１接続部２２ａ１は、収納領域２１ｅ内に収納された絶縁回路基板３０の配線板３２ｃ，３２ｄに接合して、半導体チップ３４ｃ，３４ｄの出力電極（負極）に電気的に接続する（図２を参照）。第２端子２３の第２接続部２３ａ１は、収納領域２１ｅ内に収納された絶縁回路基板３０の配線板３２ａ，３２ｂに接合して、半導体チップ３４ａ，３４ｂの入力電極（正極）に電気的に接続する（図２を参照）。なお、第１接続部２２ａ１及び第２接続部２３ａ１の接合は、例えば、超音波接合、レーザ溶接、接合部材（例えば、はんだ、焼結体）が用いられる。

　また、端子積層部２４の第１端子２２及び第２端子２３は、第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂを介して積層されている。このため、第１端子２２の第１導電板２２ａと第２端子２３の第２導電板２３ａとの絶縁性が維持される。したがって、第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂの厚さは、第１端子２２と第２端子２３との間の沿面距離を確保して絶縁性を十分に保持できる厚さである。例えば、第１端子２２と第２端子２３との間の絶縁破壊電圧が１ｋＶ以上である場合、第１端子２２と第２端子２３との間の第１酸化膜２２ｂと第２酸化膜２３ｂを合わせた厚さは２０μｍ以上である。なお、第１導電板２２ａ及び第２導電板２３ａに対する第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂの被覆方法の詳細については、後述する。

　また、第１端子２２と第２端子２３との間の絶縁性を十分に保持できる場合には、第１酸化膜２２ｂと第２酸化膜２３ｂのうちのいずれか一方のみが設けられてよい。また、第１端子２２と第２端子２３との間の絶縁性を維持するために、第１酸化膜２２ｂは、少なくとも、第１側面２２ａ４，２２ａ５及び第１おもて面２２ａ６に設けられてよい。または、第２酸化膜２３ｂは、第２側面２３ａ４，２３ａ５及び第２裏面２３ａ７に設けられてよい。

　このように第１導電板２２ａと第２導電板２３ａとの絶縁性を維持するために、第１導電板２２ａの第１配線部２２ａ２と第２導電板２３ａの第２配線部２３ａ２との間に絶縁部材を設ける必要がある。絶縁部材が、例えば、シート状の絶縁紙である場合、第１端子２２（第１導電板２２ａ）と第２端子２３（第２導電板２３ａ）との間の十分な沿面距離を確保することができ、第１端子２２と第２端子２３との間の絶縁性を維持することができる。しかしながら、絶縁紙は、耐湿性が低い。このため、使用期間が長くなると、第１端子２２と第２端子２３との間の絶縁性を維持することができなくなってしまう。また、絶縁紙は、薄い箇所を含む場合がある。このような箇所では、第１端子２２と第２端子２３との間の電圧により絶縁破壊が生じるおそれがある。

　他方、半導体モジュール２では、第１導電板２２ａの第１配線部２２ａ２と第２導電板２３ａの第２配線部２３ａ２との間の絶縁部材として、第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂが用いられている。それによって、耐湿性を改善することができる。このため、使用期間が長くなっても、第１端子２２と第２端子２３との間の絶縁性の低下を抑制することができる。

　さらに、絶縁紙を用いる場合よりも、酸化物層である第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂと枠部２１を構成する熱可塑性樹脂との間の接着性がよい。このため、端子積層部２４とケース２０との間の密着性が向上する。また、酸化物層である第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂは、絶縁紙を用いた場合と比べて、絶縁破壊が発生する可能性も低くなる。

　また、第１端子２２及び第２端子２３は、第１導電板２２ａ及び第２導電板２３ａの間が第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂにより絶縁性が維持されるため、第１端子２２及び第２端子２３の間に別途絶縁部材が不要となる。このため、端子積層部２４の小型化が可能となり、半導体モジュール２を小型化することができる。

　なお、第１端子２２の第１接合領域２２ａ８には正極の端子が、第２端子２３の第２接合領域２３ａ８には負極の端子が接合される。すると、第１端子２２における通電方向と第２端子２３における通電方向とが逆方向となる。これによって、インダクタンスが相殺される結果としてインダクタンスの低減効果が得られる。ここで、本実施形態では第１端子２２と第２端子２３との間の厚さ方向の長さを短縮することができるため、インダクタンスの低減効果がさらに増強され、第１端子２２と第２端子２３との間のインダクタンスをさらに低減することができる。

　なお、このような端子積層部２４の第１端子２２及び第２端子２３に、後述するように、第１接続端子４３及び連結部材４１がそれぞれ接合される（後述する図１４を参照）。この際、第１端子２２の第１接合領域２２ａ８に対応する第１酸化膜２２ｂに、例えば、レーザ照射が行われる。第２端子２３の第２接合領域２３ａ８に対応する第２酸化膜２３ｂに、同様に、レーザ照射が行われる。この結果、図８に示されるように、第１酸化膜２２ｂが除去され、第１導電板２２ａの第１接合領域２２ａ８が露出される。第２酸化膜２３ｂが除去され、第２導電板２３ａの第２接合領域２３ａ８が露出される。また、第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂを除去するためには、レーザ照射以外に、例えば、やすりによる研磨、フライスによる切削を用いてよい。

　次に、このような半導体モジュール２に含まれるケース２０の製造方法について、図９を用いて説明する。図９は、第１の実施の形態の半導体モジュールに含まれるケースの製造方法を示すフローチャートである。なお、図９に示すケース２０の製造方法は、半導体モジュール２の製造方法に含まれる。

　ケース２０を製造するにあたり、まず、各種端子、ケース２０（枠部２１）のケース材料を用意する用意工程を行う（ステップＳ１０）。ステップＳ１０では、これら以外でも、ケース２０の製造に必要な材料、工具、部品等を必要に応じて用意する。なお、各種端子とは、第１端子２２、第２端子２３、Ｕ端子２６ａ、Ｖ端子２６ｂ、Ｗ端子２６ｃ、並びに、制御端子２５である。導電板から、図５及び図６の第１導電板２２ａ、第２導電板２３ａ、図１のＵ端子２６ａ、Ｖ端子２６ｂ、Ｗ端子２６ｃを取得する。各端子の取得は、例えば、導電板の型抜き、切り抜き、打ち抜きにより行われる。導電板は、導電性に優れた金属から構成され、このような金属は例えば、銅あるいは銅を主成分とする合金である。ケース材料は、例えば、ＰＰＳ樹脂である。

　次いで、第１導電板２２ａ及び第２導電板２３ａに対して被覆層を被覆する被覆工程を行う（ステップＳ１１）。図４及び図５に示された第１端子２２及び第２端子２３は幾つかの方法により製造することができる。ステップＳ１１及び次のステップＳ１２は、製造方法の一例である。まず、被覆工程の一例について図１０を用いて説明する。図１０は、第１の実施の形態のケースの製造方法に含まれる被覆工程を説明するための図である。なお、図１０では第１導電板２２ａについて説明する。第２導電板２３ａも同様に処理される。

　まず、被膜容器５０に溶液５１を満たす。この溶液５１は、例えば、アルミニウムを含む。アルミニウムを含む溶液５１に、さらに、マグネシウムまたはシリコンを含んでよい。このような被膜容器５０の溶液５１に対して、第１導電板２２ａを、先端面２２ａ３を下にして、鉛直下方に（溶液５１に向けて）移動する。第１導電板２２ａの第１接続部２２ａ１を残して、第１配線部２２ａ２を溶液５１に浸す。これにより、第１導電板２２ａの第１配線部２２ａ２において、先端面２２ａ３、第１側面２２ａ４，２２ａ５、第１おもて面２２ａ６、第１裏面２２ａ７（図７を参照）が溶液５１に触れる。なお、第１配線部２２ａ２の先端面２２ａ３の反対側の後端面も溶液５１に触れてもよい。第１導電板２２ａのうち第１接続部２２ａ１は溶液５１に触れない。

　図示は省略したが、第２導電板２３ａについても同様に、第２接続部２３ａ１を残して、第２導電板２３ａの第２配線部２３ａ２において、先端面２３ａ３、第２側面２３ａ４，２３ａ５、第２おもて面２３ａ６、第２裏面２３ａ７が溶液５１に触れる。第２導電板２３ａのうち第２接続部２３ａ１は溶液５１に触れない。なお、第２配線部２３ａ２の先端面２２ａ３の反対側の後端面も溶液５１に触れてもよい。

　このように溶液５１中に浸した第１導電板２２ａを被膜容器５０から取り出すと、溶液５１が付着されることで、第１導電板２２ａに含まれる第１配線部２２ａ２の先端面２２ａ３、第１側面２２ａ４，２２ａ５、第１おもて面２２ａ６、第１裏面２２ａ７に被覆層２２ｂ１が設けられる（図１１の上部の図を参照）。被覆層２２ｂ１は、アルミニウムを含んでいる。

　第２導電板２３ａも同様に第２導電板２３ａに含まれる第２配線部２３ａ２の先端面２３ａ３、第２側面２３ａ４，２３ａ５、第２おもて面２３ａ６、第２裏面２３ａ７に被覆層が設けられる。

　なお、第１導電板２２ａ及び第２導電板２３ａに対する、アルミニウムを含む被覆層の被覆の方法として、上記の方法は一例に過ぎない。第１導電板２２ａ及び第２導電板２３ａに対して、アルミニウムを含む被覆層が被覆できれば別の方法でもよい。この方法として、例えば、スパッタリング、蒸着、めっき処理が挙げられる。

　次いで、このような第１導電板２２ａ及び第２導電板２３ａの被覆層を酸化する酸化工程を行う（ステップＳ１２）。ステップＳ１１で第１導電板２２ａ及び第２導電板２３ａに設けられた被覆層を酸化するために、例えば、陽極酸化処理法が行われる。陽極酸化処理法とは、電解溶液中で、導電板を陽極として直接電流を流すことによって、導電板を電気的に酸化させて、その表面に酸化物層を形成させる処理方法である。このような陽極酸化処理法を用いた酸化工程について、図１１を用いて説明する。図１１は、第１の実施の形態のケースの製造方法に含まれる酸化工程を説明するための図である。なお、図１１では第１導電板２２ａについて説明する。第２導電板２３ａも同様に処理される。

　ステップＳ１１で被覆層２２ｂ１が被覆された第１導電板２２ａ（図１１の上部の図）を電解溶液に浸す。この際、電解溶液中には、陰極も含まれている。陰極は、例えば、鉛、カーボンを主成分として構成されてよい。電解溶液は、例えば、シュウ酸、クロム酸、リン酸等の水溶液がある。ここでは、電解溶液としては、シュウ酸水溶液が用いられる。シュウ酸水溶液を使用する陽極酸化処理法によって形成される酸化膜は、バリア層が厚く、微細孔が小さく、絶縁破壊電圧が大きい。絶縁破壊電圧を１ｋＶ以上に設定する場合、形成される酸化物層の厚さは２０μｍ以上が必要となる。電解溶液としては、シュウ酸水溶液を用いることで、このような絶縁破壊電圧を実現する厚さの酸化物層を構成することができる。

　このような電解溶液中において、第１導電板２２ａに正極を印加し、陰極に負極を印加して直流電流を所定の時間、流す。第１導電板２２ａの第１配線部２２ａ２の表面を被膜する被覆層２２ｂ１が酸化されて、第１酸化膜２２ｂ（図１１の下部の図）が形成される。

　以上のようにして、第１導電板２２ａの第１配線部２２ａ２において、先端面２２ａ３、第１側面２２ａ４，２２ａ５、第１おもて面２２ａ６、第１裏面２２ａ７に第１酸化膜２２ｂが形成される。図示は省略したが、第２端子２３についても同様に、第２導電板２３ａの第２配線部２３ａ２において、先端面２３ａ３、第２側面２３ａ４，２３ａ５、第２おもて面２３ａ６、第２裏面２３ａ７に第２酸化膜２３ｂが形成される。

　第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂは、例えば、酸化アルミニウムを主成分として構成される。ここでは、第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂは単一の層として図示されている。なお、第１導電板２２ａの第１配線部２２ａ２及び第２導電板２３ａの第２配線部２３ａ２の表面にアルミニウム層が残存し、その上に、第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂが形成されてよい。以上により、第１端子２２及び第２端子２３が得られる。

　なお、ここでは、第１端子２２において第１接続部２２ａ１を残して、第１酸化膜２２ｂが第１配線部２２ａ２の先端面２２ａ３、第１側面２２ａ４，２２ａ５、第１おもて面２２ａ６、第１裏面２２ａ７に形成されている場合が示されている。同様に、第２端子２３でも、第２接続部２３ａ１を残して、第２酸化膜２３ｂが第２配線部２３ａ２の先端面２３ａ３、第２側面２３ａ４，２３ａ５、第２おもて面２３ａ６、第２裏面２３ａ７に形成される場合が示されている。第１導電板２２ａと第２導電板２３ａとの間の沿面距離を確保して絶縁性を十分に保持できる場合には、第１酸化膜２２ｂのみ、または、第２酸化膜２３ｂのみを設けてよい。また、同様に、絶縁性を十分に保持できれば、第１酸化膜２２ｂは、第１おもて面２２ａ６及び第１側面２２ａ４，２２ａ５のみに設けられてよい。または、第２酸化膜２３ｂは、第２裏面２３ａ７及び第２側面２３ａ４，２３ａ５のみに設けられてよい。さらには、第１酸化膜２２ｂが、第１おもて面２２ａ６及び第１側面２２ａ４，２２ａ５のみに設けられることで、第２酸化膜２３ｂが、第２裏面２３ａ７及び第２側面２３ａ４，２３ａ５のみに設けられてよい。

　また、図８で説明したように、第１端子２２の第１おもて面２２ａ６上に第１接合領域２２ａ８を開口するために、第１酸化膜２２ｂの第１接合領域２２ａ８に対応する範囲がレーザにより除去される。このような除去の代わりに、ステップＳ１１で第１導電板２２ａの第１おもて面２２ａ６の第１接合領域２２ａ８に対して、あらかじめ、マスクで覆って溶液５１に触れないようにマスキングしてもよい。この場合には、アルミニウムよりも高い融点を有する材料で構成されるマスクを用いて、第１導電板２２ａの第１接合領域２２ａ８に相当する部分をマスキングする。これにより、当該部分に溶液５１が触れないようにする。その後、第１導電板２２ａの第１接合領域２２ａ８をマスクした状態で、ステップＳ１２を行う。この際、マスクで覆われている範囲には被覆層が形成されない。そして、マスクを除去することで、第１端子２２の第１おもて面２２ａ６上に第１接合領域２２ａ８が開口されて第１酸化膜２２ｂを形成することができる。第２端子２３に対しても、同様に、第２接合領域２３ａ８が開口されて第２酸化膜２３ｂを形成することができる。

　次いで、ケース用の金型に部品をセットするセット工程を行う（ステップＳ１３）。この際の部品は、第１端子２２、第２端子２３、Ｕ端子２６ａ、Ｖ端子２６ｂ、Ｗ端子２６ｃ、並びに、制御端子である。第１端子２２及び第２端子２３をセットする際には、第１端子２２上に第２端子２３を配置して構成される端子積層部２４をセットする。

　次いで、このようなケース用の金型内に、ケース材料を充填するインサート成形工程を行う（ステップＳ１４）。ステップＳ１３で部品がセットされた金型内にケース材料を充填し、ケース材料を硬化する。なお、ここでのケース材料は、例えば、ＰＰＳ樹脂である。ケース材料の硬化後、金型を離脱して、図１に示されたケース２０が得られる。

　なお、このように製造されたケース２０を、半導体ユニット３が接合された放熱板３７上にセットする。この際、ケース２０の収納領域２１ｅ１，２１ｅ２，２１ｅ３に半導体ユニット３が収納される。半導体ユニット３とケース２０の各種端子とを電気的に接続する配線工程並びに収納領域２１ｅ１，２１ｅ２，２１ｅ３内に封止部材を充填することで半導体モジュール２が得られる。

　上記半導体モジュール２は、銅または銅合金を主成分とする第１導電板２２ａと、第１導電板２２ａと対向する第２裏面２３ａ７及び第２裏面２３ａ７から連続する側面を有し、銅または銅合金を主成分とする第２導電板と、第２導電板の裏面及び側面に設けられ、電気絶縁性であって、第２導電板２３ａの金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する第２酸化膜２３ｂと、を備える。第１導電板２２ａの第１配線部２２ａ２と第２導電板２３ａの第２配線部２３ａ２との間の絶縁部材として、第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂが用いられている。それによって、耐湿性を改善することができる。このため、使用期間が長くなっても、第１端子２２と第２端子２３との間の絶縁性の低下を抑制することができる。

　さらに、絶縁紙を用いる場合よりも、第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂと枠部２１を構成する熱可塑性樹脂との間の接着性がよい。このため、端子積層部２４とケース２０との間の密着性が向上する。また、第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂは、絶縁紙を用いた場合と比べて、絶縁破壊が発生する可能性も低くなる。

　なお、第１端子２２の第１接合領域２２ａ８には正極の端子が、第２端子２３の第２接合領域２３ａ８には負極の端子が接合される。すると、第１端子２２における通電方向と第２端子２３における通電方向とが逆方向となる。これによって、インダクタンスが相殺される結果としてインダクタンスの低減効果が得られる。ここで、第１端子２２と第２端子２３との間の厚さ方向の長さを短縮することができるため、インダクタンスの低減効果がさらに増強され、第１端子２２と第２端子２３との間のインダクタンスをさらに低減することができる。

　次に、第１の実施の形態の変形例１－１について説明する。第１の実施の形態では、第１導電板２２ａ及び第２導電板２３ａを、アルミニウムを含む溶液５１に浸して、第１導電板２２ａ及び第２導電板２３ａの表面に被覆層を付着させ、陽極酸化法により当該被覆膜を酸化させている。変形例１－１では、第１導電板２２ａ及び第２導電板２３ａにクラッド材が用いられている場合である。変形例１－１の半導体モジュール２は、クラッド材を利用した端子積層部２４を含んでいる。変形例１－１の半導体モジュール２は、端子積層部２４以外は、第１の実施の形態と同様である。

　このような変形例１－１の半導体モジュール２に含まれるケース２０の製造方法について、図１２を用いて説明する。図１２は、第１の実施の形態の変形例１－１の半導体モジュールに含まれるケースの製造方法を示すフローチャートである。なお、図１２に示すケース２０の製造方法は、半導体モジュール２の製造方法に含まれる。図９のフローチャートと同様の工程は説明を簡略する。

　まず、図９のフローチャートと同様に、ケース２２の製造部品を用意する用意工程を行う（ステップＳ１０）。ここでは、各種端子の部材として用いられるクラッド材が用意される。クラッド材について図１３を用いて説明する。図１３は、第１の実施の形態の変形例１－１の半導体モジュールに含まれる用意工程を説明するための図である。なお、クラッド材２２ｃについて、図１３（Ａ）は、平面図、図１３（Ｂ）は、＋Ｘ方向に見た側面図、図１３（Ｃ）は、－Ｙ方向に見た側面図である。

　クラッド材２２ｃは、導電板２２ｃ２と導電板２２ｃ２のおもて面及び裏面にそれぞれ形成されたクラッド膜２２ｃ１とを含む。導電板２２ｃ２は、クラッド材２２ｃの母材であって、第１の実施の形態の第１導電板２２ａと同様に、銅あるいは銅を主成分とする合金である。クラッド膜２２ｃ１は、アルミニウムを主成分として構成されている。クラッド材２２ｃは、導電板のおもて面及び裏面にクラッド膜２２ｃ１が設けられ圧力をかけて、圧延されて形成されたものである。このようにして、導電板２２ｃ２にクラッド膜２２ｃ１が圧着されると、導電板２２ｃ２の金属とクラッド膜２２ｃ１の金属とが圧力によって原子間結合される圧延接合によって、接合材を用いずに、接合される。このため、クラッド膜２２ｃ１は導電板２２ｃ２から剥離しにくい。

　次いで、クラッド材２２ｃから端子を成形する端子成形工程を行う（ステップＳ１１ａ）。端子成形工程について、図１４を用いて説明する。図１４は、第１の実施の形態の変形例１－１の半導体モジュールに含まれる端子成形工程及び酸化工程を説明するための図である。なお、図１４（Ａ）は、端子成形工程後を示す平面図である。図１４（Ｂ）は、後述する酸化工程後を示す平面図である。

　ステップＳ１０で用意したクラッド材２２ｃに対して、第１の実施の形態の第１導電板２２ａ及び第２導電板２３ａの形状に対応するようにプレス加工（せん断加工）を行う。このようにしてプレス加工されたクラッド材２２ｃは、図１４（Ａ）に示されるような形状が得られる。なお、図１４（Ａ）は、図示されていないものの、第１導電板２２ａのおもて面及び裏面にクラッド膜２２ｃ１がそれぞれ形成されている。また、図示を省略するものの、第２導電板２３ａのおもて面及び裏面にもクラッド膜がそれぞれ形成されている。

　次いで、このような第１導電板２２ａのクラッド膜２２ｃ１を酸化する酸化工程を行う（ステップＳ１２）。ステップＳ１１ａで成形した第１導電板２２ａ及び第２導電板２３ａに設けられたクラッド膜２２ｃ１を酸化するために、第１の実施の形態と同様に、陽極酸化処理法が行われる。これにより、第１導電板２２ａのおもて面及び裏面のクラッド膜２２ｃ１が酸化されて第１酸化膜２２ａ２となり、第１端子２２が得られる。

　また、このような第１端子２２では、第１接続部２２ａ１のおもて面及び裏面にも第１酸化膜２２ａ２が形成されている。第１接続部２２ａ１の第１酸化膜２２ａ２は除去してよい。除去することで、図１４（Ｂ）に示される、第１端子２２が得られる。なお、図示を省略するものの、第２端子２３もまた同様にして得られる。

　なお、ここでは、ステップＳ１０の用意工程でクラッド材２２ｃを用意し、このクラッド材２２ｃに対して、ステップＳ１１ａの端子成形工程及びステップＳ１２の酸化工程を行う場合を例に挙げている。この場合に限らずに、ステップＳ１０の用意工程で、クラッド材２２ｃに対して端子成形工程及び酸化工程を行って、第１端子２２を用意してもよい。第２端子２３についても同様である。

　以上のように第１端子２２及び第２端子２３が得られると、以降のステップＳ１３，Ｓ１４は、第１の実施の形態の図９のステップＳ１３，Ｓ１４と同様の処理が行われて、ケース２０が得られる。このように製造されたケース２０を含む半導体モジュール２について、図１５及び図１６を用いて説明する。図１５は、第１の実施の形態の変形例１－１の端子積層部の断面図であり、図１６は、第１の実施の形態の変形例１－１の接合領域が除去された端子積層部の断面図である。なお、図１５及び図１６は、第１の実施の形態の図７及び図８に対応する。

　変形例１－１の端子積層部２４もまた、図１５に示されるように、第１端子２２と第２端子２３とを含んでいる。変形例１－１の端子積層部２４でも、平板状の第１端子２２の上に、平板状の第２端子２３が積層されている。第１端子２２に含まれる先端面２２ａ３が、第２端子２３に含まれる先端面２３ａ３よりも、外側（－Ｘ方向）に延伸して、第１端子２２に含まれる第１接合領域２２ａ８に対応する範囲が表出している。また、端子積層部２４は、第１端子の先端面２２ａ３が枠部２１の第１側部２１ａに対して同一平面を成して、枠部２１に固定されている。

　第１端子２２は、第１の実施の形態の図７の場合と同様に、第１導電板２２ａと第１酸化膜２２ｂとを含む。第１端子２２は、既述の通り、クラッド材２２ｃから得られるものである。このため、第１酸化膜２２ｂは、第１導電板２２ａの第１配線部２２ａ２のおもて面２２ａ６及び裏面２２ａ７のみに形成されている。第１酸化膜２２ｂは、第１導電板２２ａの第１配線部２２ａ２の先端面２２ａ３、後端面（符号を省略）及び第１側面２２ａ４，２２ａ５には形成されていない。

　第２端子２３もまた、第１の実施の形態の図７の場合と同様に、第２導電板２３ａと第２酸化膜２３ｂとを含む。第２端子２３もまた、既述の通り、クラッド材２２ｃから得られるものである。このため、第２酸化膜２３ｂは、第２導電板２３ａの第２配線部２３ａ２のおもて面２３ａ６及び裏面２３ａ７のみに形成されている。第２酸化膜２３ｂは、第２導電板２３ａの第２配線部２３ａ２の先端面２３ａ３、後端面（符号を省略）及び第２側面２３ａ４，２３ａ５には形成されていない。

　このように第１端子２２及び第２端子２３は、共に、第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂが第１導電板２２ａ及び第２導電板２３ａの先端面２２ａ３，２３ａ３、第１側面２２ａ４，２２ａ５及び第２側面２３ａ４，２３ａ５並びに後端面に形成されていない。このため、第１端子２２及び第２端子は、絶縁性を維持するために、平面視で、先端面２２ａ３，２３ａ３間、第１側面２２ａ４，２２ａ５及び第２側面２３ａ４，２３ａ５間、後端面間の沿面距離を第１の実施の形態の図７の場合よりも長く取ることが望ましい。例えば、第１端子２２の先端面２２ａ３は、第１の実施の形態の図７の場合よりも、第２端子２３の先端面２３ａ３から－Ｘ方向に延伸してよい。また、第１側面２２ａ４，２２ａ５は、第１の実施の形態の場合よりも、第２側面２３ａ４，２３ａ５から±Ｙ方向にそれぞれ延伸してよい。

　また、変形例１－１の積層端子部２４の第１端子２２及び第２端子２３にも、後述する第１接続端子４３及び連結部材４１がそれぞれ接合される（後述する図１９を参照）。この際、第１端子２２の第１接合領域２２ａ８に対応する第１酸化膜２２ｂにも、第１の実施の形態と同様に、レーザ照射が行われる。この際、例えば、第１導電板２２ａ２の第１酸化膜２２ｂにおいて、平面視で、先端面２２ａ３から＋Ｘ方向に所定の長さであって、第１側面２２ａ４，２２ａ５を横切る範囲がレーザ照射により除去されてよい。

　第２端子２３の第２接合領域２３ａ８に対応する第２酸化膜２３ｂに、同様に、レーザ照射が行われる。この際、例えば、第２導電板２３ａ２の第２酸化膜２３ｂにおいて、平面視で、先端面２３ａ３から＋Ｘ方向に所定の長さであって、第２側面２３ａ４，２３ａ５を横切る範囲がレーザ照射により除去されてよい。

　この結果、図１６に示されるように、先端面２２ａ３側の第１酸化膜２２ｂが除去され、第１導電板２２ａの第１接合領域２２ａ８が露出される。先端面２３ａ３側の第２酸化膜２３ｂが除去され、第２導電板２３ａの第２接合領域２３ａ８が露出される。なお、第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂのレーザ照射によって除去される範囲は一例である。図８に示した範囲を除去してもよい。また、第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂを除去するためには、レーザ照射以外に、第１の実施の形態と同様に、やすりによる研磨、フライスによる切削を用いてよい。

　［第２の実施の形態］
　次に、第２の実施の形態について、図１７及び図１８を用いて説明する。図１７は、第２の実施の形態の半導体装置の斜視図であり、図１８は、第２の実施の形態のキャパシタの斜視図である。なお、図１８（Ａ）は、キャパシタ４の斜視図であり、図１８（Ｂ）は、図１８（Ａ）とは反対方向からのキャパシタ４の斜視図である。なお、第２の実施の形態では、半導体装置１は第１の実施の形態の半導体モジュール２を含み、第１の実施の形態の半導体モジュール２とキャパシタ４とが接続されている。第２の実施の形態では、第１の実施の形態の半導体モジュール２と同様の構成については同様の符号を付して、それらの説明については、簡略化、または、省略する。

　また、ここでは、第１の実施の形態の図７に示した第１端子２２及び第２端子２３について、第１接合領域２２ａ８及び第２接合領域２３ａ８が露出されていない場合を例に挙げて説明する。

　第２の実施の形態の半導体装置１は、図１７に示されるように、半導体モジュール２とキャパシタ４とを含んでいる。この際、半導体モジュール２とキャパシタ４とはできる限り近接して、互いの側部が対向するように配置されている。連結部材４１ａ，４１ｂ，４１ｃが半導体モジュール２とキャパシタ４とを電気的に接続すると共に機械的に連結する。この際、連結部材４１ａ，４１ｂ，４１ｃは、キャパシタ４側及び半導体モジュール２側に線状のレーザ溶接痕４２ａ，４２ｂが生じている。なお、連結部材４１ａ，４１ｂ，４１ｃの個数及び幅は一例である。半導体モジュール２に含まれる端子積層部２４の個数及び幅に応じて、連結部材４１ａ，４１ｂ，４１ｃの個数及び幅が選択される。なお、以後、連結部材４１ａ，４１ｂ，４１ｃは、必要に応じて、特に区別しない場合には、連結部材４１として説明する。

　キャパシタ４は、図１８に示されるように、ケース４０と第１接続端子４３と絶縁シート４７と第２接続端子４４とを含んでいる。ケース４０は、キャパシタ本体である。ケース４０は、蓋部４０ａと収納ケース４０ｂからなり、蓋部４０ａに、第１接続端子４３と絶縁シート４７と第２接続端子４４とが配置されている。収納ケース４０ｂ内には、Ｎ極及びＰ極を有するキャパシタ素子が、複数収納されている。蓋部４０ａと収納ケース４０ｂの材質は、例えば、エポキシ樹脂である。第１接続端子４３は、その他端部はケース４０内で全てのキャパシタ素子のＮ極に電気的に接続されている。第１接続端子４３の一端部は、ケース４０の第１側面４０ｃ側へ外部に延伸されている。第１接続端子４３のケース４０から延伸している部分は、側面視で略Ｌ字状を成している（図１８を参照）。略Ｌ字状を成す第１接続端子４３は、図１８で後述するように、第１接続導通部４３１と第１接続配線部４３２とを含む。第１接続導通部４３１は、他端部がケース４０内でキャパシタ素子のＮ極と電気的に接続されて、ケース４０の蓋部４０ａのおもて面から鉛直に外部に延出している。第１接続配線部４３２は、第１接続導通部４３１に対して略直交して、ケース４０の蓋部４０ａのおもて面に略平行に第１側面４０ｃ側に延伸している。また、第１接続端子４３のケース４０の蓋部４０ａから延伸している部分（第１接続配線部４３２）は、平面視で、第１接続部分４３ａ、第２接続部分４３ｂ、第３接続部分４３ｃに分かれて櫛歯状を成している。なお、図１８（Ｂ）では、第１接続部分４３ａ、第２接続部分４３ｂ、第３接続部分４３ｃの符号の図示を省略している。この第１接続部分４３ａ、第２接続部分４３ｂ、第３接続部分４３ｃの幅は、半導体モジュール２の収納領域２１ｅ１，２１ｅ２，２１ｅ３（第１端子２２）の幅にそれぞれ対応している。第１接続端子４３は、導電性に優れた金属により構成されている。このような金属は、例えば、銅あるいは銅を主成分とする合金である。

　第２接続端子４４は、その他端部はケース４０内で全てキャパシタ素子のＰ極に電気的に接続されている。第２接続端子４４の一端部は、ケース４０の蓋部４０ａのおもて面の第１側面４０ｃから外部に延伸されている。第２接続端子４４は、第１接続端子４３に対して、第１側面４０ｃの反対側に離間して設けられている。第２接続端子４４のケース４０から延伸している部分は、側面視で略Ｌ字状を成している（図１８を参照）。略Ｌ字状を成す第２接続端子４４は、図１８で後述するように、第２接続導通部４４１と第２接続配線部４４２とを含む。第２接続導通部４４１は、他端部がケース４０内でキャパシタ素子のＰ極と電気的に接続されて、ケース４０のおもて面から鉛直に外部に延伸している。第２接続配線部４４２は、第２接続導通部４４１に対して略直交して、ケース４０のおもて面に略平行に第１側面４０ｃの反対側に延伸している。第２接続端子４４は、導電性に優れた金属により構成されている。このような金属は、例えば、銅あるいは銅を主成分とする合金である。

　絶縁シート４７は、第１接続端子４３よりも長く、ケース４０の第１接続端子４３と第２接続端子４４との間から外部に延伸している。したがって、ケース４０の外部にて、第１接続端子４３と第２接続端子４４とは絶縁シート４７により絶縁性が維持される。絶縁シート４７は、可撓性を備え、絶縁性を有する絶縁材により構成されている。このような絶縁材は、例えば、全芳香族ポリアミドポリマーによる絶縁紙、フッ素系、ポリイミド系の樹脂材料により形成されたシート状のものが適用される。

　また、絶縁シート４７の先端部は、平面視で、第１取付部分４７ａ、第２取付部分４７ｂ、第３取付部分４７ｃに分かれて櫛歯状を成している。なお、図１８（Ｂ）では、第１取付部分４７ａ、第２取付部分４７ｂ、第３取付部分４７ｃの符号の図示を省略している。この第１取付部分４７ａ、第２取付部分４７ｂ、第３取付部分４７ｃの幅は、半導体モジュール２の収納領域２１ｅ１，２１ｅ２，２１ｅ３の幅にそれぞれ対応している。

　次に、連結部材４１ａ，４１ｂ，４１ｃについて説明する（図１７を参照）。連結部材４１ａ，４１ｂ，４１ｃは、平面視で平板状を成している。連結部材４１ａ，４１ｂ，４１ｃの一端部の幅は、半導体モジュール２の収納領域２１ｅ１，２１ｅ２，２１ｅ３（第２端子２３）の幅に対応している。連結部材４１ａ，４１ｂ，４１ｃの厚さは、第２端子２３の厚さよりも薄く構成されている。連結部材４１ａ，４１ｂ，４１ｃの一端部は、半導体モジュール２の第２端子２３の第２おもて面２３ａ６に存在する第２接合領域２３ａ８にレーザ溶接により接合されている。連結部材４１ａ，４１ｂ，４１ｃの他端部は、キャパシタ４の第２接続端子４４にレーザ溶接により接合されている。レーザ溶接による接合は、連続的にレーザ光を発射するシームレーザ、パルス状のレーザ光を照射するスポットレーザのいずれでもよい。図１７では、シームレーザにより接合している場合を示している。このため、図１７の連結部材４１ａ，４１ｂ，４１ｃには、キャパシタ４側及び半導体モジュール２側にそれぞれ直線状のレーザ溶接痕４２ａ，４２ｂが表示されている。なお、連結部材４１ａ，４１ｂ，４１ｃのこれらの接合の詳細に関しては、後述する。

　連結部材４１ａ，４１ｂ，４１ｃは、導電性に優れた金属により構成されている。このような金属は、例えば、銅あるいは銅を主成分とする合金である。なお、第２の実施の形態では、３つの第２端子２３に対して３つの連結部材４１ａ，４１ｂ，４１ｃをそれぞれ接合させている。これに限らず、第１接続端子４３、絶縁シート４７のように、平板状の連結部材の半導体モジュール２側の端部は第２端子２３に対応するように櫛歯状に分かれた形状であってもよい。

　次に、半導体装置１の半導体モジュール２とキャパシタ４との接続機構について、図１９を用いて説明する。図１９は、第２の実施の形態の半導体装置に含まれるキャパシタと半導体モジュールの断面図である。なお、図１９は、図１７に示す一点鎖線Ｘ－Ｘにおける断面図である。なお、図１９は、図１７の半導体装置１の他の連結部材４１ｂ，４１ｃの断面でも同様の構成を成す。

　半導体装置１では、キャパシタ４の第１接続端子４３の第１接続配線部４３２が、半導体モジュール２の第１端子２２の第１おもて面２２ａ６の第１接合領域２２ａ８において、第１接合部２２１で接合されている。また、キャパシタ４の第２接続端子４４の第２接続配線部４４２に第３接合部４４３で接合された連結部材４１が、半導体モジュール２の第２端子２３の第２おもて面２３ａ６の第２接合領域２３ａ８において、第２接合部２３１で接合されている。なお、第２接合部２３１及び第３接合部４４３は、連結部材４１に形成されたレーザ溶接痕４２ｂ，４２ａを含む。同様に、第１接合部２２１は、第１接続端子４３の第１接続配線部４３２に形成されたレーザ溶接痕（図示を省略）を含む。

　すなわち、図示を省略するものの、キャパシタ４の第１接続端子４３の第１接続配線部４３２の第１接続部分４３ａと第２接続部分４３ｂと第３接続部分４３ｃとが、半導体モジュール２の第１端子２２に第１接合部２２１により接合されている。また、キャパシタ４の第２接続端子４４の第２接続配線部４４２が連結部材４１に第３接合部４４３により接合されている。半導体モジュール２の第２端子２３が連結部材４１に第２接合部２３１により接合されている。この接合は、図８に例示したように、第１端子２２の第１酸化膜２２ｂ及び第２端子２３の第２酸化膜２３ｂに予めレーザを照射すること等によって、第１導電板２２ａ及び第２導電板２３ａが第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂの開口部分から露出された第１接合領域２２ａ８及び第２接合領域２３ａ８において行ってもよい。この場合、第１接合部２２１及び第２接合部２３１が第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂの開口部分を通過している。

　しかしながら、第２の実施の形態では、第１端子２２及び第２端子２３は、図７に示したように、第１接合領域２２ａ８及び第２接合領域２３ａ８が露出されていない。この場合、例えば、キャパシタ４の第１接続端子４３の第１接続配線部４３２を、第１端子２２に接合する際にレーザを照射することによって形成されたレーザ溶接痕が、第１接続端子４３の第１接続配線部４３２及び第１酸化膜２２ｂを通過して、第１導電板２２ａまで到達する際には、必ずしも第１接合領域２２ａ８における第１酸化膜２２ｂを予め除去しておく必要はない。同様に、第２接合領域２３ａ８における第２酸化膜２３ｂも予め除去しておく必要がない。

　第１接合部２２１は、半導体モジュール２の第１端子２２とキャパシタ４の第１接続端子４３との間が既述のレーザ溶接によって接合された箇所である。第１端子２２にキャパシタ４の第１接続端子４３が配置されて、第１接続端子４３の上方から第１接続端子４３に向けてレーザ光が照射される。このレーザ光は、第１接続端子４３をそのおもて面から下方（－Ｚ方向）に向かって溶融し、さらに、第１端子２２の第１酸化膜２２ｂ及び第１導電板２２ａを溶融する。この際、第１接続端子４３の第１接続配線部４３２のおもて面の溶融箇所にレーザ溶接痕が形成される。但し、レーザ光は第１導電板２２ａを貫通しない範囲で溶融する。このように溶融した箇所が凝固することで生成された第１接合部２２１は、第１接続端子４３のおもて面から第１端子２２（第１導電板２２ａ）の途中まで及んでいる。このようにして、半導体モジュール２の第１端子２２とキャパシタ４の第１接続端子４３とが第１接合部２２１により接合される。

　キャパシタ４の絶縁シート４７は第１接続端子４３を上側から覆って、半導体モジュール２側に折れ曲がっている。この際、キャパシタ４から外部に延伸している部分は、絶縁シート４７の方が、第１接続端子４３よりも長い。絶縁シート４７の先端部は、第１接続端子４３の上部を超えると、半導体モジュール２の第１端子２２のうちで、積層された第２端子２３が重ならない部分であるテラス部２２２上に沿うように延びている。テラス部２２２は、平面視において第２接合部２３１から第１接合部２２１に向かう方向へ延伸する。また、絶縁シート４７の先端部は、第２端子２３の手前まで延伸している。すなわち、テラス部２２２と絶縁シート４７の間の±Ｚ方向の間隙と比較すると、絶縁シート４７の先端部と連結部材４１との間の±Ｚ方向の間隙の方が大きい。また、この際の第１接続端子４３の先端面から第２端子２３の先端面までの間隔は、６ｍｍ以上、１２．５ｍｍ以下である。また、図示を省略するものの、絶縁シート４７の先端部の第１取付部分４７ａと第２取付部分４７ｂと第３取付部分４７ｃとが、半導体モジュール２の第１端子２２上までそれぞれ及んでいる。

　第２接合部２３１では、半導体モジュール２の第２端子２３とキャパシタ４の連結部材４１との間が第１接合部２２１と同様にレーザ溶接によって接合された箇所である。この際、連結部材４１のおもて面の溶融箇所にレーザ溶接痕４２ｂが形成される。第２端子２３に連結部材４１が配置されて、連結部材４１の上方から連結部材４１に向けてレーザ光が照射される。このレーザ光は、連結部材４１をそのおもて面から下方（－Ｚ方向）に向かって溶融し、さらに、第２端子２３の第２酸化膜２３ｂ及び第２導電板２３ａを溶融する。この際、連結部材４１のおもて面の溶融箇所にレーザ溶接痕４２ｂが形成される。但し、レーザ光は第２導電板２３ａを貫通しない範囲で溶融する。このように溶融した箇所が凝固することで生成された第２接合部２３１は、連結部材４１のおもて面から第２端子２３（第２導電板２３ａ）の途中まで及んでいる。このようにして、半導体モジュール２の第２端子２３と連結部材４１とが第２接合部２３１により接合される。

　キャパシタ４の第２接続端子４４の第２接続配線部４４２のおもて面は、半導体モジュール２の第２端子２３のおもて面と同一平面を成している。そして、連結部材４１の一端部がキャパシタ４の第２接続端子４４の第２接続配線部４４２に第３接合部４４３で接合され、連結部材４１の他端部が半導体モジュール２の第２端子２３に第２接合部２３１で接合される。この際、第２接合部２３１及び第３接合部４４３が、第１接合部２２１に対して平行に配置されている。

　また、図示を省略するものの、連結部材４１ａ，４１ｂ，４１ｃの他端部は、半導体モジュール２の第２端子２３の第２接合部２３１に接合されている。これにより、連結部材４１は、キャパシタ４の第２接続端子４４と、半導体モジュール２の第２端子２３とを電気的に接続する。このような連結部材４１の裏面とキャパシタ４の第１接続端子４３の第１接続配線部４３２のおもて面との間には間隙が構成されている。絶縁シート４７はこの間隙に設けられる。このため、第１接続端子４３は、連結部材４１及び第２接続端子４４に対して絶縁性が維持される。また、絶縁シート４７は、図１９の状態に限らず、この間隙の中で、連結部材４１の裏面、第１接続端子４３のおもて面、第２端子２３の先端部に接触していてもよい。

　第２の実施の形態の半導体装置１に含まれる半導体モジュール２は、既述の通り、第１導電板２２ａの第１配線部２２ａ２と第２導電板２３ａの第２配線部２３ａ２との間の絶縁部材として、第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂが用いられている。それによって第１の実施の形態と同様の効果が得られる。また、半導体モジュール２の第１端子２２及び第２端子２３とキャパシタ４の第１接続端子４３及び連結部材４１とがレーザ溶接により接合される。この場合、レーザ光により、第１端子２２及び第２端子２３の第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂを溶融して、半導体モジュール２の第１端子２２の第１配線部２２ａ２及び第２端子２３の第２配線部２３ａ２とキャパシタ４の第１接続端子４３及び連結部材４１と接合することができる。このため、第１端子２２及び第２端子２３の第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂに開口を形成する工程を省略することができる。

　また、第２の実施の形態では、図７に示した第１の実施の形態の半導体モジュール２の第１端子２２及び第２端子２３とキャパシタ４の第１接続端子４３及び連結部材４１とがレーザ溶接により接合する場合を例示している。この場合に限らず、図１５に示した第１の実施の形態の変形例の半導体モジュール２の第１端子２２及び第２端子２３とキャパシタ４の第１接続端子４３及び連結部材４１とをレーザ溶接による同様に接合してよい。

　なお、図８の場合と同様に、図１６に示したように、第１の実施の形態の変形例の半導体モジュール２の第１端子２２及び第２端子２３のあらかじめ開口された第１接合領域及び第２接合領域とキャパシタ４の第１接続端子４３及び連結部材４１とをレーザ溶接により同様に接合してよい。

　［第３の実施の形態］
　第３の実施の形態の半導体モジュール２について図２０～図２２を用いて説明する。図２０は、第３の実施の形態の半導体モジュールの斜視図であり、図２１は、第３の実施の形態の半導体モジュールの断面図であり、図２２は、第３の実施の形態の半導体モジュールの平面図である。なお、図２１は、図２０の半導体装置１を＋Ｙ方向に見た側面視である。図２２は、図２０の半導体モジュール２を－Ｚ方向に見た平面図である。

　半導体モジュール２は、少なくとも、ケース２０と出力端子２８と制御端子２５と端子積層部２４とを含んでよい。ケース２０は、絶縁回路基板及び半導体チップ（いずれも図示を省略）を封止している。このようなケース２０は、例えば、熱硬化性樹脂を主成分として構成されてよい。熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、マレイミド樹脂、ポリエステル樹脂である。熱硬化性樹脂は、さらに、フィラーが添加されてよい。フィラーは、例えば、セラミックスであってよい。セラミックスは、絶縁性で高熱伝導を有する。ケース２０は、熱硬化性樹脂により、例えば、立方体状に成形されて、第１側部２１ａと第２側部２１ｂと第３側部２１ｃと第４側部２１ｄと天面２１ｆと底面２１ｇとを含んでいる。ケース２０は実質的に立方体状であってよい。角部がＲ面取り、Ｃ面取りされてよい。天面２１ｆ及び底面２１ｇは、平面視で矩形状を成している。第１側部２１ａ、第２側部２１ｂ、第３側部２１ｃ、第４側部２１ｄは、平面視で、天面２１ｆ及び底面２１ｇの四方を順に取り囲んでいる。第１側部２１ａ、第３側部２１ｃは、長手方向（±Ｙ方向）に平行であり（ケース２０の長辺に対応）、第２側部２１ｂ，第４側部２１ｄは、ケース２０の短手方向（±Ｘ方向）に平行である（同様に短辺に対応）。

　絶縁回路基板は、絶縁板と、絶縁板の裏面に形成された金属板と、絶縁板のおもて面に形成された複数の配線板とを有している。絶縁板、複数の配線板及び金属板は、第１の実施の形態の絶縁板３１、配線板３２ａ～３２ｉ及び金属板３３と同様の材質で構成される。複数の配線板は、第３の実施の形態の半導体モジュール２の機能が実現可能である配線板を含んでよい。後述する出力端子２８及び制御端子２５は、複数の配線板のうち所定の配線板に接続される。

　半導体チップは、第１の実施の形態の半導体チップ３４ａ～３４ｄと同様である。半導体チップは、絶縁回路基板における配線板に接合部材を介して配置されている。出力端子２８は、ケース２０内で絶縁回路基板の所定の導電パターンに電気的に接続されて、ケース２０の第２側部２１ｂから外部に延伸している。この際、出力端子２８は第２側部２１ｂに対して垂直（－Ｘ方向）に外部に延伸している。なお、当該所定の導電パターンは、半導体チップの出力電極に電気的に接続されている。出力端子２８は、少なくとも、ケース２０の第２側部２１ｂから外部に延伸している部分は平板状を成している。出力端子２８の外部に延伸している部分には貫通孔が形成されてよい。このような出力端子２８は、導電性に優れた金属により構成されている。このような金属は、例えば、銅、アルミニウム、または、少なくともこれらの一種を主成分とする合金である。出力端子２８の表面に対して、耐食性を向上させるために、めっき処理を行ってもよい。この際、用いられるめっき材は、例えば、ニッケル、ニッケル－リン合金、ニッケル－ボロン合金である。

　制御端子２５は、ケース２０内で絶縁回路基板の所定の導電パターンに電気的に接続されて、ケース２０の天面２１ｆから天面２１ｆに対して垂直（＋Ｚ方向）に外部に延伸している。当該所定の導電パターンは、半導体チップの制御電極に電気的に接続されている。また、当該所定の導電パターンは、半導体チップの出力電極に電気的に接続されてよい。この場合の当該所定の導電パターンに電気的に接続されている制御端子２５は、半導体チップに流れるセンス電流が流れる。

　また、制御端子２５は、天面２１ｆの第３側部２１ｃ側に、第３側部２１ｃに沿って複数設けられてよい。制御端子２５の天面２１ｆ側が保護部により保護されてよい。この場合の保護部は、ケース２０と同じ材質により構成されてよい。

　端子積層部２４は、ケース２０内で絶縁回路基板の所定の導電パターンに電気的に接続されて、ケース２０の第４側部２１ｄから外部に延伸している。この際、端子積層部２４は第４側部２１ｄに対して垂直（＋Ｘ方向）に外部に延伸している。端子積層部２４は、外部から正極及び負極がそれぞれ接続される。当該所定の導電パターンは、半導体チップの出力電極、入力電極に電気的に接続されている。

　このような端子積層部２４の詳細について、図２３～図２５を用いて説明する。図２３は、第３の実施の形態の第１端子及び第２端子の平面図であり、図２４は、第３の実施の形態の第１端子及び第２端子の断面図であり、図２５は、第３の実施の形態の第１端子及び第２端子の断面図である。なお、図２３～図２５では、ケース２０の端子積層部２４を覆う部分は破線で示している。図２４及び図２５は、図２３の一点鎖線Ｙ１－Ｙ１，Ｙ２－Ｙ２における断面図をそれぞれ示している。第３の実施の形態の端子積層部２４は、第１接続部２２ａ１及び第２接続部２３ａ１を除いて、第１の実施の形態の端子積層部２４と同様の構成を成している。第３の実施の形態では、第１の実施の形態の端子積層部２４と同様の構成については同様の符号を付して、それらの説明については、簡略化、または、省略する。

　端子積層部２４は、第１端子２２と第２端子２３とを含み、第１端子２２は第２端子２３上に積層している。端子積層部２４は、図２４及び図２５に示されるように、第１端子２２に含まれる第１配線部２２ａ２に対応する部分と第２端子２３に含まれる第２配線部２３ａ２に対応する部分とがケース２０に封止されて固定されている。

　第１端子２２は、第１導電板２２ａと第１酸化膜２２ｂとを含んでいる。さらに、第１導電板２２ａは、第１接続部２２ａ１と第１配線部２２ａ２とを含んでいる。第１配線部２２ａ２は、第１の実施の形態と同様である。第１酸化膜２２ｂの材質並びに第１配線部２２ａ２に対する被覆する範囲並びに被覆方法は、第１の実施の形態と同様である。

　第１接続部２２ａ１は、第１配線部２２ａ２の先端面２２ａ３の反対側の後端面（図示を省略）に一体的に接続されて、－Ｘ方向に延伸している。第１接続部２２ａ１及び第１配線部２２ａ２の厚さは同一かつ均一であってよい。第１接続部２２ａ１は、当該後端面の第１側面２２ａ４側の一か所に形成されている。第１接続部２２ａ１の－Ｙ方向の側部は、図１８に示されるように、平面視で、第１側面２２ａ４に同一平面を成してよい。第１接続部２２ａ１の±Ｙ方向の幅は、第１配線部２２ａ２の同方向の幅の３０％以上、５０％以下であってよい。

　第１接続部２２ａ１は、図２５に示されるように、－Ｘ方向に延伸する途中で－Ｚ方向に屈曲している。このような第１接続部２２ａ１の先端部の裏面は、第１配線部２２ａ２の裏面と同一平面を成してよい。第１接続部２２ａ１は、図示を省略する絶縁回路基板の所定の導電パターンに接合される。なお、この際の接合は、既述の接合部材、または、超音波接合であってよい。

　第２端子２３は、第１の実施の形態と同様に、第１端子２２に積層して配置されている。第２端子２３は、第２導電板２３ａと第２酸化膜２３ｂとを含んでいる。さらに、第２導電板２３ａは、第２接続部２３ａ１と第２配線部２３ａ２とを含んでいる。第２配線部２３ａ２は、第１の実施の形態と同様である。第２酸化膜２３ｂの材質並びに第２配線部２３ａ２に対する被覆する範囲並びに被覆方法は、第１の実施の形態と同様である。

　第２接続部２３ａ１は、第２配線部２３ａ２の先端面２３ａ３の反対側の後端面（図示を省略）に一体的に接続されて、－Ｘ方向に延伸している。第２接続部２３ａ１及び第２配線部２３ａ２の厚さは同一かつ均一であってよい。第２接続部２３ａ１は、当該後端面の第２側面２３ａ５側の一か所に形成されている。第２接続部２３ａ１の＋Ｙ方向の側部は、図２３に示されるように、平面視で、第２側面２３ａ５に同一平面を成してよい。第２接続部２３ａ１の±Ｙ方向の幅は、第１配線部２２ａ２の同方向の幅の３０％以上、５０％以下であってよい。したがって、第１端子２２に第２端子２３を積層すると、第２接続部２３ａ１は第１接続部２２ａ１に重なることはない（図２３を参照）。

　第２接続部２３ａ１は、図２５に示されるように、－Ｘ方向に延伸する途中で－Ｚ方向に屈曲している。このような第２接続部２３ａ１の先端部の裏面は、第１配線部２２ａ２の裏面及び第１接続部２２ａ１の裏面と同一平面を成してよい。第２接続部２３ａ１は、図示を省略する絶縁回路基板の所定の導電パターンに接合される。なお、この際の接合は、既述の接合部材、または、超音波接合であってよい。

　第３の実施の形態の半導体モジュール２でもまた、既述の通り、第１導電板２２ａの第１配線部２２ａ２と第２導電板２３ａの第２配線部２３ａ２との間の絶縁部材として、第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂが用いられている。それによって第１の実施の形態と同様の効果が得られる。また、このような半導体モジュール２の端子積層部２４の第１端子２２及び第２端子２３に対して外部端子を接合する場合には、第２の実施の形態と同様に、第１端子２２の第１接合領域２２ａ８及び第２端子２３の第２接合領域２３ａ８に対して外部端子をそれぞれ配置して、第２の実施の形態と同様に、レーザ照射を行うことで、第１端子２２及び第２端子２３に対して外部端子をそれぞれ接合できる。

　次に、第３の実施の形態の変形例３－１について説明する。変形例３－１の積層端子部２４に含まれる第１端子２２及び第２端子２３は、変形例１－１と同様にクラッド材が用いられている。変形例３－１の半導体モジュール２は、積層端子部２４は、第１の実施の形態と同様の構成を成している。この場合の積層端子部２４について、図２６を用いて説明する。図２６は、第３の実施の形態の変形例３－１の第１端子及び第２端子の断面図である。なお、図２６は、図２５に対応している。

　端子積層部２４は、第１端子２２と第２端子２３とを含み、第１端子２２は第２端子２３上に積層している。端子積層部２４は、図２６に示されるように、第１端子２２に含まれる第１配線部２２ａ２に対応する部分と第２端子２３に含まれる第２配線部２３ａ２に対応する部分とがケース２０に封止されて固定されている。

　第１端子２２は、第３の実施の形態の図２５の場合と同様に、第１導電板２２ａと第１酸化膜２２ｂとを含む。第１端子２２は、変形例１－１と同様にクラッド材２２ｃから得られるものである。このため、第１酸化膜２２ｂは、第１導電板２２ａの第１配線部２２ａ２のおもて面２２ａ６及び裏面２２ａ７のみに形成されている。第１酸化膜２２ｂは、第１導電板２２ａの第１配線部２２ａ２の先端面２２ａ３、後端面（符号を省略）及び第１側面２２ａ４，２２ａ５には形成されていない。

　第２端子２３もまた、第３の実施の形態の図２５の場合と同様に、第２導電板２３ａと第２酸化膜２３ｂとを含む。第２端子２３もまた、変形例１－１と同様にクラッド材２２ｃから得られるものである。このため、第２酸化膜２３ｂは、第２導電板２３ａの第２配線部２３ａ２のおもて面２３ａ６及び裏面２３ａ７のみに形成されている。第２酸化膜２３ｂは、第２導電板２３ａの第２配線部２３ａ２の先端面２３ａ３、後端面（符号を省略）及び第２側面２３ａ４，２３ａ５には形成されていない。

　このように第１端子２２及び第２端子２３は、共に、第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂが第１導電板２２ａ及び第２導電板２３ａの先端面２２ａ３，２３ａ３、第１側面２２ａ４，２２ａ５及び第２側面２３ａ４，２３ａ５並びに後端面に形成されていない。このため、変形例３－１の第１端子２２及び第２端子もまた、絶縁性を維持するために、先端面２２ａ３，２３ａ３間、第１側面２２ａ４，２２ａ５及び第２側面２３ａ４，２３ａ５間、後端面間の沿面距離を第１の実施の形態の図７の場合よりも長く取ることが望ましい。例えば、第１端子２２の先端面２２ａ３は、第１の実施の形態の図７の場合よりも、第２端子２３の先端面２３ａ３から－Ｘ方向に延伸してよい。また、第１側面２２ａ４，２２ａ５は、第１の実施の形態の場合よりも、第２側面２３ａ４，２３ａ５から±Ｙ方向にそれぞれ延伸してよい。

　次に、第３の実施の形態の変形例３－２について説明する。変形例３－２の端子積層部２４は、図２３～図２５に示した端子積層部２４に対してさらにもう一層、端子を増やして３層である場合である。この場合の端子積層部２４について、図２７を用いて説明する。図２７は、第３の実施の形態の変形例３－２の第１端子、第２端子及び第３端子の断面図である。なお、図２７は、変形例の端子積層部２４において、図２４及び図２５の断面図に対応している。

　変形例の端子積層部２４は、三相出力端子（Ｕ端子、Ｖ端子、Ｗ端子）を含んでいる。この端子積層部２４は、図２７に示されるように、図２４及び図２５の端子積層部２４の第２端子２３上に、さらに、第３端子２９が設けられている。端子積層部２４に含まれる第３端子２９は、Ｕ端子、第１端子２２はＶ端子、第２端子２３はＷ端子として機能する。なお、第１端子２２の第１接続部２２ａ１及び第２端子２３の第２接続部２３ａ１の記載は省略している。

　第３端子２９は、第２端子２３の第２接合領域２３ａ８に対応する範囲が表出するように、第２端子２３に－Ｘ方向に位置ずれして配置されている。このような第３端子２９もまた、第３導電板２９ａと第３酸化膜２９ｂとを含んでいる。さらに、第３導電板２９ａは、第３接続部（図示を省略）と第３配線部２９ａ２とを含んでいる。

　第３配線部２９ａ２は、第１の実施の形態の第１配線部２２ａ２及び第２配線部２３ａ２と同様の材質及び形状である。第３配線部２９ａ２の±Ｙ方向の幅は、第１端子２２の第１配線部２２ａ２及び第２端子２３の第２配線部２３ａ２の同方向の幅と等しい。第３酸化膜２９ｂの材質並びに第３配線部２９ａ２に対する被覆する範囲並びに被覆方法は、第１の実施の形態の第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂと同様である。

　第３接続部は、第３配線部２９ａ２の先端面２９ａ３の反対側の後端面（図示を省略）に一体的に接続されて、－Ｘ方向に延伸している。第３接続部及び第３配線部２９ａ２の厚さは同一かつ均一であってよい。第３接続部は、平面視で、第１端子２２の第１接続部２２ａ１及び第２端子２３の第２接続部２３ａ１に重ならないように第３配線部２９ａ２に形成されてよい。

　また、第３接続部は、側面視で（±Ｙ方向に見て）、－Ｘ方向に延伸する途中で－Ｚ方向に屈曲している。このような第３接続部の先端部の裏面は、第１配線部２２ａ２の裏面及び第１接続部２２ａ１の裏面と同一平面を成してよい。第３接続部は、第１接続部２２ａ１及び第２接続部２３ａ１と共に、図示を省略する絶縁回路基板の所定の導電パターンに接合される。なお、この際の接合は、既述の接合部材、または、超音波接合であってよい。

　このような構成の変形例３－２の端子積層部２４は、図２７に示されるように、第１端子２２に含まれる第１配線部２２ａ２に対応する部分と第２端子２３に含まれる第２配線部２３ａ２に対応する部分と第３端子２９に含まれる第３配線部２９ａ２に対応する部分がケース２０に封止されて固定されている。

　第３の実施の形態の変形例３－２の半導体モジュール２でもまた、既述の通り、第１導電板２２ａの第１配線部２２ａ２と第２導電板２３ａの第２配線部２３ａ２と第３導電板２９ａの第３配線部２９ａ２の間の絶縁部材として、第１酸化膜２２ｂと第２酸化膜２３ｂと第３酸化膜２９ｂとが用いられている。それによって第１の実施の形態と同様の効果が得られる。

　また、このような半導体モジュール２の端子積層部２４の第１端子２２、第２端子２３及び第３端子２９に対して外部端子を接合する場合には、第２の実施の形態と同様に、第１端子２２の第１接合領域２２ａ８、第２端子２３の第２接合領域２３ａ８及び第３端子２９の第３接合領域２９ａ８に対して外部端子をそれぞれ配置して、第２の実施の形態と同様に、レーザ照射を行うことで、第１端子２２、第２端子２３及び第３端子２９に対して外部端子をそれぞれ接合できる。

　次に、第３の実施の形態の変形例３－３について説明する。変形例３－２の積層端子部２４に含まれる第１端子２２、第２端子２３及び第３端子２９に、変形例１－１と同様にクラッド材が用いられている。変形例３－３の半導体モジュール２は、積層端子部２４は、変形例３－２と同様の構成を成している。この場合の積層端子部２４について、図２８を用いて説明する。図２８は、第３の実施の形態の変形例３－３の第１端子、第２端子及び第３端子の断面図である。なお、図２８は、図２７に対応している。

　端子積層部２４は、第１端子２２と第２端子２３と第３端子２９とを含み、第２端子２３は第１端子２２上に、第３端子２９は第２端子２３上にそれぞれ積層している。端子積層部２４は、図２８に示されるように、第１端子２２に含まれる第１配線部２２ａ２に対応する部分と第２端子２３に含まれる第２配線部２３ａ２に対応する部分と第３端子２９に含まれる第３配線部２９ａ２に対応する部分がケース２０に封止されて固定されている。

　第１端子２２及び第２端子２３は、図２６に示した変形例３－１と同様である。第３端子２９は、変形例３－２の図２７の場合と同様に、第３導電板２９ａと第３酸化膜２９ｂとを含む。第３端子２９は、変形例１－１と同様にクラッド材２２ｃから得られたものである。このため、第３酸化膜２９ｂは、第３導電板２９ａの第３配線部２９ａ２のおもて面２９ａ６及び裏面２９ａ７のみに形成されている。第３酸化膜２９ｂは、第３導電板２９ａの第３配線部２９ａ２の先端面２９ａ３、後端面（符号を省略）及び第３側面（図示を省略）には形成されていない。なお、第３側面は、第１導電板２２ａの第１側面２２ａ４，２２ａ５に対応する。

　変形例３－３でも、第１端子２２及び第２端子２３もまた、変形例３－１と同様に、絶縁性を維持するために、先端面２２ａ３，２３ａ３間、第１側面２２ａ４，２２ａ５及び第２側面２３ａ４，２３ａ５間、後端面間の沿面距離を第１の実施の形態の図７の場合よりも長く取ることが望ましい。

　また、第２端子２３及び第３端子２９は、共に、第２酸化膜２３ｂ及び第３酸化膜２９ｂが第２導電板２３ａ及び第３導電板２９ａの先端面２３ａ３，２９ａ３、第２側面２３ａ４，２３ａ５及び第３側面並びに後端面に形成されていない。このため、変形例３－３の第２端子２３及び第３端子２９もまた、絶縁性を維持するために、先端面２３ａ３，２９ａ３間、第２側面２３ａ４，２３ａ５及び第３側面間、後端面間の沿面距離を変形例３－２の図２７の場合よりも長く取ることが望ましい。例えば、第２端子２３の先端面２３ａ３は、変形例３－２の図２７の場合よりも、第３端子２９の先端面２９ａ３から－Ｘ方向に延伸してよい。また、第２側面２３ａ４，２３ａ５は、変形例３－２の場合よりも、第３側面から±Ｙ方向にそれぞれ延伸してよい。

　また、図２８では、このような半導体モジュール２の端子積層部２４の第１端子２２の第１接合領域２２ａ８、第２端子２３の第２接合領域２３ａ８及び第３端子２９の第３接合領域２９ａ８が、図２７と同様に開口されている場合を示している。

　第１端子２２及び第２端子２３は、変形例１－１と同様に、レーザ照射により、第１接合領域２２ａ８及び第２接合領域２３ａ８に対応する第１酸化膜２２ｂ及び第２酸化膜２３ｂが除去されている。第３端子２９も同様に、レーザ照射により、第３接合領域２９ａ８に対応する第３酸化膜２９ｂが除去されている。第３端子２９もまた、例えば、第３導電板２９ａ２の第３酸化膜２９ｂにおいて、平面視で、先端面２９ａ３から－Ｘ方向に所定の長さであって、第３側面を横切る範囲がレーザ照射により除去されてよい。また、変形例３－３でも、第１酸化膜２２ｂと第２酸化膜２３ｂと第３酸化膜２９ｂを除去するためには、レーザ照射以外に、第１の実施の形態と同様に、やすりによる研磨、フライスによる切削を用いてよい。

　［第４の実施の形態］
　第４の実施の形態の半導体装置について、図２９及び図３０を用いて説明する。図２９は、第４の実施の形態の半導体装置の側面図であり、図３０は、第４の実施の形態の半導体装置の平面図である。なお、図２９は、図３０の半導体装置１を＋Ｙ方向に見た側面図である。

　半導体装置１は、図２９に示されるように、半導体モジュール２とバスバー６０とを含んでいる。半導体モジュール２は、外部接続端子２７と制御端子２５とセンス端子２５ｅと本体部４５とを含んでいる。外部接続端子２７と制御端子２５とセンス端子２５ｅとは、本体部４５のおもて面に垂直に配置されている。また、外部接続端子２７と制御端子２５とセンス端子２５ｅとは、本体部４５の内部で、半導体チップに電気的に接続されている。なお、半導体モジュール２の詳細については後述する。このような半導体モジュール２が、図３０に示されるように、互いの長辺が平行を成して３つ配列されている。

　バスバー６０は、Ｐ型導電板とＮ型導電板とが封止部６３により封止されている。Ｐ型導電板及びＮ型導電板は、第１主端子接続部６１ｃ及び第２主端子接続部６２ｃをそれぞれ含んでいる。第１外部接続部６１ａ１及び第２外部接続部６２ａ１は封止部６３の側部から封止部６３の外部に延伸している。また、バスバー６０は、配列された３つの半導体モジュール２上に配置されている。バスバー６０は、半導体モジュール２の外部接続端子２７がそれぞれ挿通されている。外部接続端子２７はそれぞれ、バスバー６０内でＮ型導電板及びＰ型導電板に直接接続されている。なお、バスバー６０の詳細については後述する。

　次に、半導体モジュール２について図３１を用いて説明する。図３１は、第４の実施の形態の半導体モジュールの断面図である。なお、図３１は、図３０の一点鎖線Ｙ－Ｙにおける断面図である。

　半導体モジュール２は、図３１に示されるように、絶縁回路基板３０と半導体チップ３４ｅ，３４ｆとプリント回路基板４６と外部接続端子２７と制御端子２５とセンス端子２５ｅと導電ポスト３９ａ，３９ｂとを備える。半導体モジュール２は、これらの部品が本体部４５により封止されている。半導体モジュール２では、絶縁回路基板３０の裏面が表出されるように本体部４５により封止されている。半導体モジュール２は、略立方体状（平面視で矩形状）を成すように本体部４５により成形されている。但し、短辺の上面側はテーパ状に加工されている。

　絶縁回路基板３０は、絶縁板３１と絶縁板３１の裏面に設けられた金属板３３と絶縁板３１のおもて面に設けられた配線板３２ｊ，３２ｋとを含んでいる。絶縁板３１及び金属板３３は、平面視で矩形状である。また、絶縁板３１及び金属板３３は、角部がＲ面取り、Ｃ面取りされていてもよい。金属板３３の面積は、平面視で、絶縁板３１の面積より小さく、絶縁板３１の内側に形成されている。

　絶縁板３１、金属板３３、配線板３２ｊ，３２ｋについては、第１の実施の形態における絶縁板３１、金属板３３、配線板３２ａ～３２ｈと同様の材質によって構成されている。配線板３２ｉ，３２ｋは、第４の実施の形態の半導体モジュール２で必要とされる機能を実現することが可能な配線板を含んでもよい。

　半導体チップ３４ｅは、スイッチング素子を含んでいる。スイッチング素子は、例えば、ＩＧＢＴ、パワーＭＯＳＦＥＴである。半導体チップ３４ｅがＩＧＢＴである場合には、裏面に主電極として入力電極（コレクタ電極）を、おもて面に、制御電極（ゲート電極）及び主電極として出力電極（エミッタ電極）をそれぞれ備えている。半導体チップ３４ｅがパワーＭＯＳＦＥＴである場合には、裏面に主電極として入力電極（ドレイン電極）を、おもて面に、制御電極（ゲート電極）及び主電極として出力電極（ソース電極）をそれぞれ備えている。上記の半導体チップ３４ｅは、その裏面が配線板３２ｊ上に、接合部材（図示を省略）により接合されている。半導体チップ３４ｅのおもて面の主電極に対しては、導電ポスト３９ａが電気的、機械的に接合部材により接続される。また、半導体チップ３４ｅのおもて面の制御電極に対しても同様に図示を省略する導電ポストが接続される。

　また、半導体チップ３４ｆは、ダイオード素子を含む。ダイオード素子は、例えば、ＳＢＤ（Schottky Barrier Diode）、ＰｉＮ（P-intrinsic-N）ダイオード等のＦＷＤである。このような半導体チップ３４ｆは、裏面に主電極として出力電極（カソード電極）を、おもて面に主電極として入力電極（アノード電極）をそれぞれ備えている。上記の半導体チップ３４ｆは、その裏面が配線板３２ｊ上に、接合部材（図示を省略）により接合されている。半導体チップ３４ｆのおもて面の主電極に対しても、導電ポスト３９ｂが電気的、機械的に接合部材により適宜接続される。

　プリント回路基板４６は、水平に配置されている絶縁回路基板３０に対向して設けられている。このようなプリント回路基板４６は、絶縁板と絶縁板のおもて面に形成された複数の上部回路パターンを備えている。また、プリント回路基板４６は、絶縁板の裏面に複数の下部回路パターンを備えている。さらに、プリント回路基板４６は、おもて面から裏面に貫通する複数の貫通孔が所定の位置に形成されている。このようなプリント回路基板４６に外部接続端子２７と導電ポスト３９ａ，３９ｂとが適宜、上部回路パターン並びに下部回路パターンに電気的に接続されている。さらにプリント回路基板４６は、制御端子２５とセンス端子２５ｅとが電気的に接続されている。制御端子２５は、上部回路パターン並びに下部回路パターンを通じて導電ポスト３９ａ，３９ｂに電気的に接続されている。センス端子２５ｅは、上部回路パターン及び下部回路パターンを通じて、半導体チップ３４ｅのエミッタ電極と半導体チップ３４ｆのアノード電極と電気的に接続されている。

　外部接続端子２７は、プリント回路基板４６の貫通孔に圧入されて挿通されている。この際、圧入箇所がはんだにより覆われている。外部接続端子２７は、プリント回路基板４６の上部回路パターン及び下部回路パターンに電気的に接続されている。外部接続端子２７は、一端部が絶縁回路基板３０の配線板３２ｊ，３２ｋにはんだを介して接合されている。このような外部接続端子２７は、柱状であって、その断面は、円形または矩形状を成している。外部接続端子２７は、導電性に優れた材質を主成分として構成されている。このような材質として、例えば、銀、銅、ニッケル、または、少なくともこれらの一種を含む合金等により構成されている。外部接続端子２７の表面に対して、耐食性を向上させるために、めっき処理を行ってもよい。このめっき処理の材料は、ニッケル、ニッケル－リン合金、ニッケル－ボロン合金等がある。

　制御端子２５及びセンス端子２５ｅは、プリント回路基板４６の貫通孔に圧入されて挿通されている。この際、圧入箇所がはんだにより覆われている。制御端子２５及びセンス端子２５ｅは、プリント回路基板４６の上部回路パターン及び下部回路パターンに電気的に接続されている。このような制御端子２５及びセンス端子２５ｅは、ピン状であって、その断面は、円形または矩形状を成している。また、制御端子２５及びセンス端子２５ｅの長さは、導電ポスト３９ａ，３９ｂの長さよりも十分長い。制御端子２５ａ及びセンス端子２５ｅは、導電性に優れた材質を主成分として構成されている。このような材質として、例えば、銀、銅、ニッケル、または、少なくともこれらの一種を含む合金等により構成されている。制御端子２５及びセンス端子２５ｅの表面に対して、耐食性を向上させるために、めっき処理を行ってもよい。このめっき処理の材料は、ニッケル、ニッケル－リン合金、ニッケル－ボロン合金等がある。

　導電ポスト３９ａ，３９ｂは、プリント回路基板４６の貫通孔に圧入されて挿通されている。この際、圧入箇所がはんだにより覆われている。導電ポスト３９ａ，３９ｂは、プリント回路基板４６の上部回路パターン及び下部回路パターンに電気的に接続されている。導電ポスト３９ａ，３９ｂは、一端部が半導体チップ３４ｅ，３４ｆの主電極または制御電極にはんだを介してそれぞれ接合されている。このような導電ポスト３９ａ，３９ｂは、柱状であって、その断面は、円形または矩形状を成している。また、導電ポスト３９ａ，３９ｂの長さは、外部接続端子２７の長さよりも十分短い。導電ポスト３９ａ，３９ｂは、導電性に優れた材質を主成分として構成されている。このような材質として、例えば、銀、銅、ニッケル、または、少なくともこれらの一種を含む合金等により構成されている。導電ポスト３９ａ，３９ｂの表面に対して、耐食性を向上させるために、めっき処理を行ってもよい。このめっき処理の材料は、ニッケル、ニッケル－リン合金、ニッケル－ボロン合金等がある。導電ポスト３９ａ，３９ｂを接合する接合部材は、はんだ、または、金属焼結体である。はんだは、鉛フリーはんだが用いられる。鉛フリーはんだは、例えば、錫、銀、銅、亜鉛、アンチモン、インジウム、ビスマスの少なくとも２つを含む合金を主成分とする。はんだには、添加物が含まれてもよい。添加物は、例えば、ニッケル、ゲルマニウム、コバルトまたはシリコンである。はんだは、添加物が含まれることで、濡れ性、光沢、結合強度が向上し、信頼性の向上を図ることができる。金属焼結体で用いられる金属は、例えば、銀及び銀合金である。

　このような外部接続端子２７、制御端子２５、センス端子２５ｅは、下端部側が本体部４５により封止されている。外部接続端子２７、制御端子２５、センス端子２５ｅは、平面視で、半導体モジュール２のおもて面に長手方向に沿って、中心を通るように一直線上に配列されている。また、導電ポスト３９ａ，３９ｂは本体部４５により封止されている。

　本体部４５は、封止部材に構成されている。封止部材は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、マレイミド樹脂等の熱硬化性樹脂と熱硬化性樹脂に含有される充填剤とを含んでいる。本体部４５の封止部材の一例として、充填剤が含有されたエポキシ樹脂がある。充填剤は、無機物フィラーが用いられる。無機物フィラーの例として、酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化ホウ素または窒化アルミニウムがある。また、封止部材には、必要に応じた量の離型剤が含有されている。離型剤は、例えば、ワックス系、シリコーン系、フッ素系が用いられる。なお、このような本体部４５により封止された半導体モジュール２では、その裏面で絶縁回路基板３０の金属板３３が表出されている。この際の金属板３３は、本体部４５の裏面と同一平面を成し、または、当該裏面から外部に突出していてもよい。

　このような半導体モジュール２の裏面に冷却モジュール（図示を省略）をはんだまたは銀ろう等を介して取り付けてもよい。この際、半導体モジュール２の取付孔（図示を省略）と冷却モジュールとがネジ止めされる。これにより、半導体モジュール２の放熱性を向上させることができる。この場合の冷却モジュールは、例えば、熱伝導性に優れた金属で構成されている。このような金属は、例えば、アルミニウム、鉄、銀、銅、または、少なくともこれらの一種を含む合金である。また、冷却モジュールとして、１または複数のフィンを含むヒートシンク、水冷による冷却装置等を適用することができる。このような冷却モジュールの表面に対しても、耐食性を向上させるために、めっき処理を行ってもよい。この際、用いられるめっき材は、例えば、ニッケル、ニッケル－リン合金、ニッケル－ボロン合金である。

　なお、半導体モジュール２は、絶縁回路基板３０、半導体チップ３４ｅ，３４ｆ、プリント回路基板４６等を封止部材で封止した本体部４５を含んでいるに過ぎない。半導体モジュール２は、例えば、ケース内に、絶縁回路基板３０、半導体チップ３４ｅ，３４ｆ、プリント回路基板４６等を収納して、ケース内を封止部材で封止して、外部接続端子２７、制御端子２５、センス端子２５ｅ、導電ポスト３９ａ，３９ｂを上方に延伸させてもよい。

　次に、バスバー６０について、図３２～図３４を用いて説明する。図３２は、第４の実施の形態のバスバーの平面図であり、図３３は、第４の実施の形態のバスバーの第１断面図であり、図３４は、第４の実施の形態のバスバーの第２断面図である。なお、図３３は、図３２の一点鎖線Ｙ－Ｙの断面図である。図３４（Ａ），（Ｂ）は、図３２の一点鎖線Ｘ１－Ｘ１，Ｘ２－Ｘ２のそれぞれの断面図である。

　バスバー６０は、図３３に示されるように、積層体６０ａを封止する封止部６３を備えている。積層体６０ａは、Ｐ型導通部６１、Ｎ型導通部６２が下から順に積層されて構成されている。

　また、バスバー６０は、封止部６３のおもて面６３ａ及び裏面６３ｂを貫通する第１主端子接続部６１ｃ及び第２主端子接続部６２ｃを含んでいる。第１主端子接続部６１ｃ及び第２主端子接続部６２ｃは、封止部６３の長手方向に沿ってそれぞれ（合わせて２列で）配列されている（図３２を参照）。

　Ｐ型導通部６１及びＮ型導通部６２は、いずれもシート状（平板状）を成している。Ｐ型導通部６１は、第１導電板６１ａと第１酸化膜６１ｂと第１主端子接続部６１ｃとを含んでいる。第１導電板６１ａは、第１外部接続部６１ａ１及び第１配線部６１ａ２を一体的に含んでいる。第１導電板６１ａの厚さは全体的に略均一である。すなわち、第１外部接続部６１ａ１と第１配線部６１ａ２との厚さも略等しい。第１導電板６１ａは、導電性に優れた材質を主成分として構成されている。このような材質として、例えば、銅または銅合金が挙げられる。

　第１配線部６１ａ２は、平面視で矩形状であって平板状を成している。第１配線部６１ａ２は、おもて面、裏面及び４つの側面を備える。おもて面及び裏面は平面視で矩形状を成し、それぞれ同様のサイズである。第１配線部６１ａ２は、少なくとも、図３２に示される全ての第１主端子接続部６１ｃ及び第２主端子接続部６２ｃが配置されている領域を含んでいる。

　第１配線部６１ａ２は、第１主端子接続部６１ｃが取り付けられて第１主端子接続部６１ｃに電気的に接続されている。また、第１配線部６１ａ２は、第２主端子接続部６２ｃが接触することなく貫通する第１貫通孔６１ａ３が形成されている。このような第１貫通孔６１ａ３は、平面視で、第１配線部６１ａ２の－Ｘ方向側の辺に沿って３つ設けられている。

　第１配線部６１ａ２の４つの側面は、おもて面及び裏面の四方を順に取り囲んで設けられている。これらの側面は、平面視で、図３２に示す封止部６３の一対の長辺（長手方向に平行）及び一対の短辺（短手方向に平行）にそれぞれ対応する。４つの側面のうち、－Ｙ方向の側面（短手方向に平行）には、第１外部接続部６１ａ１が接合される。第１外部接続部６１ａ１はこの側面に対して垂直（－Ｙ方向）に延伸している。

　第１外部接続部６１ａ１は、平面視で矩形状であって平板状を成している。第１外部接続部６１ａ１の±Ｘ方向の幅は、第１配線部６１ａ２の±Ｘ方向の幅よりも小さい。第１外部接続部６１ａ１の－Ｙ方向の側面は、Ｐ型導通部６１において－Ｙ方向の最端部である。第１外部接続部６１ａ１の＋Ｙ方向の側面は、第１配線部６１ａ２の－Ｙ方向の側面に一体的に接合されている。

　第１酸化膜６１ｂは、第１導電板６１ａの表面に設けられている。第１酸化膜６１ｂは、第１配線部６１ａ２のおもて面及び裏面並びにこれらを順に取り囲む側面にそれぞれ設けられている。第１酸化膜６１ｂは、第１外部接続部６１ａ１のおもて面及び裏面並びにこれらを順に取り囲む側面にそれぞれ設けられている。なお、第１酸化膜６１ｂは、第１配線部６１ａ２のうち第１貫通孔６１ａ３の内側には設けられていない。また、第１酸化膜６１ｂは、少なくとも、第１導電板６１ａの第１配線部６１ａ２の表面に設けられればよい。

　第１主端子接続部６１ｃは、筒状を成して、外部接続端子２７が差し込まれる差し込み孔を含んでいる。第１主端子接続部６１ｃは、導電性に優れた金属により構成されている。このような金属は、例えば、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金である。第１主端子接続部６１ｃの径は、外部接続端子２７の径よりも小さくてもよい。この場合、外部接続端子２７を第１主端子接続部６１ｃに圧入することができる。第１主端子接続部６１ｃは、第１配線部６１ａ２に電気的、かつ、機械的に取り付けられている。第１主端子接続部６１ｃは、例えば、図３３に示されるように、第１配線部６１ａ２のおもて面に対して鉛直に取り付けられている。第１主端子接続部６１ｃは、図３２に示されるように、第１配線部６１ａ２に対して長手方向に沿って、直線状にそれぞれ３つ取り付けられている。第１主端子接続部６１ｃは積層体６０ａを貫通して第１配線部６１ａ２に取り付けられている。

　Ｎ型導通部６２は、Ｐ型導通部６１上に積層されている。このようなＮ型導通部６２は、第２導電板６２ａと第２酸化膜６２ｂと第２主端子接続部６２ｃとを含んでいる。第２導電板６２ａは、第２外部接続部６２ａ１及び第２配線部６２ａ２を一体的に含んでいる。第２導電板６２ａの厚さは全体的に略均一である。すなわち、第２外部接続部６２ａ１と第２配線部６２ａ２との厚さも略等しい。第２導電板６２ａは、導電性に優れた材質を主成分として構成されている。このような材質として、例えば、銅または銅合金が挙げられる。

　第２配線部６２ａ２は、平面視で矩形状であって平板状を成している。第２配線部６２ａ２は、第１配線部６１ａ２に、平面視で、同じ形状を成していている。第２配線部６２ａ２は、Ｎ型導通部６２がＰ型導通部６１上に積層されると、第１配線部６１ａ２上に重なる。第２配線部６２ａ２は、おもて面、裏面及び４つの側面を備える。おもて面及び裏面は平面視で矩形状を成し、それぞれ同様のサイズである。第２配線部６２ａ２は、少なくとも、図３２に示される全ての第１主端子接続部６１ｃ、第２主端子接続部６２ｃが配置されている領域を含んでいる。

　第２配線部６２ａ２は、第２主端子接続部６２ｃが取り付けられて第２主端子接続部６２ｃに電気的に接続されている。また、第２配線部６２ａ２は、第１主端子接続部６１ｃが接触することなく貫通する第２貫通孔６２ａ３が形成されている。このような第２貫通孔６２ａ３は、平面視で、第２配線部６２ａ２の＋Ｘ方向側の辺に沿って３つ設けられている。

　したがって、Ｎ型導通部６２がＰ型導通部６１上に積層されると、Ｐ型導通部６１の第１主端子接続部６１ｃは、第２配線部６２ａ２の第２貫通孔６２ａ３をそれぞれ貫通する。また、Ｎ型導通部６２の第２主端子接続部６２ｃは、第１配線部６１ａ２の第１貫通孔６１ａ３をそれぞれ貫通する。したがって、第１主端子接続部６１ｃは第１導電板６１ａと、第２主端子接続部６２ｃは第２導電板６２ａとそれぞれ同電位であって、第１主端子接続部６１ｃ及び第２主端子接続部６２ｃ間は異電位が維持される。

　第２配線部６２ａ２の４つの側面は、おもて面及び裏面の四方を順に取り囲んで設けられている。これらの側面は、平面視で、図３２に示す封止部６３の一対の長辺（長手方向に平行）及び一対の短辺（短手方向に平行）にそれぞれ対応する。４つの側面のうち、－Ｙ方向の側面（短手方向に平行）には、第２外部接続部６２ａ１が接合される。第２外部接続部６２ａ１はこの側面に対して垂直（－Ｙ方向）に延伸している。

　第２外部接続部６２ａ１は、平面視で矩形状であって平板状を成している。第２外部接続部６２ａ１は、第１外部接続部６１ａ１と同様の形状、サイズであってよい。第２外部接続部６２ａ１の±Ｘ方向の幅は、第２配線部６２ａ２の±Ｘ方向の幅よりも小さい。第２外部接続部６２ａ１の－Ｙ方向の側面は、Ｎ型導通部６２において－Ｙ方向の最端部である。第２外部接続部６２ａ１の－Ｙ方向の側面は、第２配線部６２ａ２の－Ｙ方向の側面に一体的に接合されている。したがって、Ｎ型導通部６２がＰ型導通部６１上に積層されると、第２外部接続部６２ａ１は第１外部接続部６１ａ１に、平面視で重なることがない。

　第２酸化膜６２ｂは、第２導電板６２ａの表面に設けられている。第２酸化膜６２ｂは、第２配線部６２ａ２のおもて面及び裏面並びにこれらを順に取り囲む側面にそれぞれ設けられている。第２酸化膜６２ｂは、第２外部接続部６２ａ１のおもて面及び裏面並びにこれらを順に取り囲む側面にそれぞれ設けられている。なお、第２酸化膜６２ｂは、第２配線部６２ａ２のうち第２貫通孔６２ａ３の内側には設けられていない。また、第１酸化膜６１ｂは、少なくとも、第１導電板６１ａの第１配線部６１ａ２の表面に設けられればよい。

　第２主端子接続部６２ｃは、筒状を成して、外部接続端子２７が差し込まれる差し込み孔を含んでいる。第２主端子接続部６２ｃは、導電性に優れた金属により構成されている。このような金属は、例えば、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金である。第２主端子接続部６２ｃの径は、外部接続端子２７の径よりも小さくてもよい。この場合、外部接続端子２７を第２主端子接続部６２ｃに圧入することができる。第２主端子接続部６２ｃは、第２配線部６２ａ２に電気的、かつ、機械的に取り付けられている。第２主端子接続部６２ｃは、例えば、図３３に示されるように、第２配線部６２ａ２のおもて面に対して鉛直に取り付けられている。第２主端子接続部６２ｃは、図３２に示されるように、長手方向に沿って、直線状にそれぞれ３つ取り付けられている。第２主端子接続部６２ｃは積層体６０ａを貫通して第２配線部６２ａ２に取り付けられている。

　封止部６３は、このような積層体６０ａを封止している。封止部６３は、略立方体状を成している。封止部６３の角部並びに辺はＲ面取り、Ｃ面取りされていてもよい。封止部６３は、積層体６０ａを、外部接続端子２７がそれぞれ差し込まれる複数の差し込み孔である第１主端子接続部６１ｃ及び第２主端子接続部６２ｃと、Ｐ型導通部６１の第１外部接続部６１ａ１及びＮ型導通部６２の第２外部接続部６２ａ１とを除いて封止している。すなわち、第１主端子接続部６１ｃ及び第２主端子接続部６２ｃが封止部６３のおもて面６３ａ及び裏面６３ｂを貫通している。なお、封止部６３は、第１導電板６１ａの第１貫通孔６１ａ３を貫通する第２主端子接続部６２ｃの周囲を封止している。また、封止部６３は、第２導電板６２ａの第２貫通孔６２ａ３を貫通する第１主端子接続部６１ｃの周囲を封止している。

　封止部６３のおもて面６３ａ及び裏面６３ｂは、第１主端子接続部６１ｃ及び第２主端子接続部６２ｃの貫通箇所に台座部６０ｂがそれぞれ形成されている。台座部６０ｂは、おもて面６３ａ及び裏面６３ｂよりも鉛直方向に突出しており、おもて面６３ａと裏面６３ｂとの間の厚さよりも厚く構成されている。封止部６３は、本体部４５と同様の封止部材に構成されている。

　このようなバスバー６０でもまた、既述の通り、Ｐ型導通部６１の第１配線部６１ａ２とＮ型導通部６２の第２配線部６２ａ２との間の絶縁部材として、第１酸化膜６１ｂ及び第２酸化膜６２ｂが用いられている。それによって第１の実施の形態と同様の効果が得られる。また、このようなバスバー６０の積層体６０ａのＰ型導通部６１及びＮ型導通部６２に対して外部端子を接合する場合には、第２の実施の形態と同様に、Ｐ型導通部６１の第１外部接続部６１ａ１及びＮ型導通部６２の第２外部接続部６２ａ１対して外部端子をそれぞれ配置して、第２の実施の形態と同様に、レーザ照射を行うことで、Ｐ型導通部６１及びＮ型導通部６２に対して外部端子をそれぞれ接合できる。

　上記については単に本発明の原理を示すものである。さらに、多数の変形、変更が当業者にとって可能であり、本発明は上記に示し、説明した正確な構成及び応用例に限定されるものではなく、対応するすべての変形例及び均等物は、添付の請求項及びその均等物による本発明の範囲とみなされる。

　１　半導体装置
　２　半導体モジュール
　３　半導体ユニット
　４　キャパシタ
　２０　ケース
　２１　枠部
　２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ　第１～第４側部
　２１ｅ１，２１ｅ２，２１ｅ３　収納領域
　２１ｆ　天面
　２１ｇ　底面
　２２　第１端子（Ｐ端子）
　２２ａ　第１導電板
　２２ａ１　第１接続部
　２２ａ２　第１配線部
　２２ａ３　先端面
　２２ａ４，２２ａ５　第１側面
　２２ａ６　第１おもて面
　２２ａ７　第１裏面
　２２ａ８　第１接合領域
　２２ｂ　第１酸化膜
　２２ｂ１　被覆層
　２２１　第１接合部
　２２２　テラス部
　２２ｃ　クラッド材
　２２ｃ１　クラッド膜
　２２ｃ２　導電板
　２３　第２端子（Ｎ端子）
　２３ａ　第２導電板
　２３ａ１　第２接続部
　２３ａ２　第２配線部
　２３ａ３　先端面
　２３ａ４，２３ａ５　第２側面
　２３ａ６　第２おもて面
　２３ａ７　第２裏面
　２３ａ８　第２接合領域
　２３ｂ　第２酸化膜
　２３１　第２接合部
　２４　端子積層部
　２５，２５ａ，２５ｂ，２５ｃ　制御端子
　２５ｅ　センス端子
　２６　出力端子
　２６ａ　Ｕ端子
　２６ｂ　Ｖ端子
　２６ｃ　Ｗ端子
　２７，２７ａ，２７ｂ　外部接続端子
　２８　出力端子
　２９　第３端子
　２９ａ　第３導電板
　２９ａ２　第３配線部
　２９ａ３　先端面
　２９ａ６　第３おもて面
　２９ａ７　第３裏面
　２９ａ８　第３接合領域
　２９ｂ　第３酸化膜
　３０　絶縁回路基板
　３１　絶縁板
　３１ａ，３１ｃ　長辺
　３１ｂ，３１ｄ　短辺
　３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ，３２ｅ，３２ｆ，３２ｇ，３２ｈ，３２ｉ，３２ｊ，３２ｋ　配線板
　３３　金属板
　３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄ，３４ｅ，３４ｆ　半導体チップ
　３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ　リードフレーム
　３６　封止部材
　３７　放熱板
　３９ａ，３９ｂ　導電ポスト
　４０　ケース
　４０ａ　蓋部
　４０ｂ　収納ケース
　４０ｃ　第１側面
　４１，４１ａ，４１ｂ，４１ｃ　連結部材
　４２ａ，４２ｂ　レーザ溶接痕
　４３　第１接続端子
　４３ａ　第１接続部分
　４３ｂ　第２接続部分
　４３ｃ　第３接続部分
　４４　第２接続端子
　４５　本体部
　４６　プリント回路基板
　４７　絶縁シート
　４７ａ　第１取付部分
　４７ｂ　第２取付部分
　４７ｃ　第３取付部分
　４３１　第１接続導通部
　４３２　第１接続配線部
　４４１　第２接続導通部
　４４２　第２接続配線部
　４４３　第３接合部
　５０　被膜容器
　５１　溶液
　６０　バスバー
　６０ａ　積層体
　６０ｂ　台座部
　６１　Ｐ型導通部
　６１ａ　第１導電板
　６１ａ１　第１外部接続部
　６１ａ２　第１配線部
　６１ａ３　第１貫通孔
　６１ｂ　第１酸化膜
　６１ｃ　第１主端子接続部
　６２　Ｎ型導通部
　６２ａ　第２導電板
　６２ａ１　第２外部接続部
　６２ａ２　第２配線部
　６２ａ３　第２貫通孔
　６２ｂ　第２酸化膜
　６２ｃ　第２主端子接続部
　６３　封止部
　６３ａ　おもて面
　６３ｂ　裏面

Claims

　銅または銅合金を主成分とする第１導電板と、
　前記第１導電板と対向する主面及び前記主面から連続する側面を有し、銅または銅合金を主成分とする第２導電板と、
　前記第２導電板の前記主面及び前記側面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第２導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層と、
　を備える電子モジュール。
　前記第１導電板は、前記第２導電板と対向する主面及び前記主面から連続する側面を有し、前記第１導電板の前記主面及び前記側面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第１導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層を備える、
　請求項１に記載の電子モジュール。
　前記第２導電板と対向する主面及び前記主面から連続する側面を有し、銅または銅合金を主成分とする第３導電板と、
　前記第３導電板の前記主面及び前記側面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第３導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層と、
　を備える請求項２に記載の電子モジュール。
　前記第１導電板、前記第２導電板または前記第３導電板の前記主面及び前記側面に各々設けられた前記金属酸化物層は、酸化アルミニウムを含む、
　請求項３に記載の電子モジュール。
　前記第１導電板、前記第２導電板または前記第３導電板の前記主面及び前記側面に各々設けられた前記金属酸化物層の厚さは、２０μｍ以上である、
　請求項３に記載の電子モジュール。
　前記第１導電板の一部の端部は、前記第２導電板よりも外側に延伸し、前記端部に前記第１導電板の表面が露出した第１接合領域を備える、
　請求項１または２に記載の電子モジュール。
　前記第２導電板の前記主面は、反対側の他の主面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第２導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層を備え、前記第２導電板の表面が露出した第２接合領域を備える、
　請求項１または２に記載の電子モジュール。
　前記第３導電板の前記主面とは反対側の他の主面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第３導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層を備え、前記第３導電板の表面が露出した第３接合領域を備える、
　請求項３に記載の電子モジュール。
　端部に第１外部接続部を有する前記第１導電板と、
　端部に第２外部接続部を有する前記第２導電板と、
　を含み、
　積層された前記第１導電板及び前記第２導電板に、複数の外部接続端子が差し込まれる複数の差し込み孔を有し、
　前記複数の差し込み孔、前記第１外部接続部及び前記第２外部接続部を除いて、前記第１導電板及び前記第２導電板を封止する封止部材、
　を具備するバスバー、
　をさらに有する請求項１に記載の電子モジュール。
　銅または銅合金を主成分とする第１導電板と、
　前記第１導電板と対向する主面を有し、銅または銅合金を主成分とする第２導電板と、
　前記第２導電板の前記主面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第２導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層と、
　を備える電子モジュール。
　銅または銅合金を主成分とする第１導電板と、前記第１導電板と対向する主面、前記主面から連続する側面、及び前記主面とは反対側の他の主面を有し、銅または銅合金を主成分とする第２導電板と、前記第２導電板の前記主面、前記側面、及び前記他の主面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第２導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層を備える第１電子モジュールと、
　前記第２導電板に接合され、銅または銅合金を主成分とする第４導電板と、
　を備え、
　前記第２導電板と前記第４導電板との接合部は、前記金属酸化物層を貫通する溶接痕を含んでいる電子装置。
　前記第１導電板は、前記第２導電板と対向する主面、前記主面から連続する側面、及び前記主面とは反対側の他の主面を有し、前記第１導電板の前記主面、前記側面、及び前記他の主面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第１導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層を備え、
　前記第１導電板に接合され、銅または銅合金を主成分とする第５導電板を更に備え、
　前記第１導電板と前記第５導電板との接合部は、前記金属酸化物層を貫通する溶接痕を含んでいる、
　請求項１１に記載の電子装置。
　銅または銅合金を主成分とする第１導電板と、前記第１導電板と対向する主面、前記主面から連続する側面、及び前記主面とは反対側の他の主面を有し、銅または銅合金を主成分とする第２導電板と、前記第２導電板の前記主面、前記側面、及び前記他の主面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第２導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層を備える第１電子モジュールと、
　前記第２導電板に接合され、銅または銅合金を主成分とする第４導電板と、
　を備え、
　前記第２導電板と前記第４導電板との接合部は、前記第２導電板の前記他の主面に設けられた前記金属酸化物層の開口領域を通過する溶接痕を含んでいる電子装置。
　前記第１導電板は、前記第２導電板と対向する主面、前記主面から連続する側面、及び前記主面とは反対側の他の主面を有し、前記第１導電板の前記主面、前記側面、及び前記他の主面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第１導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層を備え、
　前記第１導電板に接合され、銅または銅合金を主成分とする第５導電板を更に備え、
　前記第１導電板と前記第５導電板との接合部は、前記第１導電板の前記主面に設けられた前記金属酸化物層の開口領域を通過する溶接痕を含んでいる、
　請求項１３に記載の電子装置。
　前記溶接痕はレーザ溶接痕である、
　請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載の電子装置。
　銅または銅合金を主成分とする第１導電板と、前記第１導電板と対向する主面及び前記主面とは反対側の他の主面を有し、銅または銅合金を主成分とする第２導電板と、前記第２導電板の前記主面及び前記他の主面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第２導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層を備える第２電子モジュールと、
　前記第２導電板に接合され、銅または銅合金を主成分とする第４導電板と、
　を備え、
　前記第２導電板と前記第４導電板との接合部は、前記金属酸化物層を貫通する溶接痕を含んでいる電子装置。
　銅または銅合金を主成分とする第１導電板と、前記第１導電板と対向する主面及び前記主面とは反対側の他の主面を有し、銅または銅合金を主成分とする第２導電板と、前記第２導電板の前記主面及び前記他の主面に設けられ、電気絶縁性であって、前記第２導電板の金属とは異なる元素の金属酸化物を含有する金属酸化物層を備える第２電子モジュールと、
　前記第２導電板に接合され、銅または銅合金を主成分とする第４導電板と、
　を備え、
　前記第２導電板と前記第４導電板との接合部は、前記第２導電板の前記他の主面に設けられた前記金属酸化物層の開口領域を通過する溶接痕を含んでいる電子装置。
　銅または銅合金を主成分とする第１導電板と、前記第１導電板と対向する主面と前記主面から連続する側面とを有し、銅または銅合金を主成分とする第２導電板と、を準備する用意工程と、
　前記第２導電板の前記主面及び前記側面に設けられ、前記第１導電板の金属とは異なる元素を含有する被覆層を形成する被覆工程と、
　前記被覆層を酸化して電気絶縁性の金属酸化物層を形成する酸化工程と、
　を含む電子モジュールの製造方法。
　前記酸化工程は、陽極酸化で行われる、
　請求項１８に記載の電子モジュールの製造方法。
　前記第２導電板の金属とは異なる元素は、アルミニウムである、
　請求項１９に記載の電子モジュールの製造方法。
　銅または銅合金を主成分とする第１導電板の上面及び下面を、電気絶縁性であって前記第１導電板の金属とは異なる元素を含有する被覆層で覆った第１端子を準備する第１用意工程と、
　銅または銅合金を主成分とする第２導電板の上面及び下面を、電気絶縁性であって前記第１導電板の金属とは異なる元素を含有する被覆層で覆った第２端子を準備する第２用意工程と、
　前記第１端子と前記第２端子を重ねる工程と、
　前記第１端子及び前記第２端子を樹脂製のケースで固定する工程と、
　を含む電子モジュールの製造方法。