WO2025041272A1 - 可変アッテネータ、ステップアッテネータ、および試験装置 - Google Patents

可変アッテネータ、ステップアッテネータ、および試験装置 Download PDF

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variable attenuator
switch
attenuator
variable
output
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孝弘 対馬
峰也 阿部
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Advantest Corp
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Advantest Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00—Networks using active elements
    • H03H11/02—Multiple-port networks
    • H03H11/24—Frequency-independent attenuators

Definitions

  • the present invention relates to a variable attenuator, a step attenuator, and a test device.
  • Patent Document 1 states that "In the microwave circuit 1A, the line width step portion 32A is formed on one side of the transmission line 25A, i.e., biased in the width direction (Y direction), at the center of the transmission line 25A in the length direction (X direction)" (paragraph 44).
  • Patent Document 2 states that "The high-frequency device further includes terminals P1 and P2 for inputting and outputting high-frequency signals on the pattern conductor 1, and a ground terminal GND on the pattern conductor 5.
  • the pattern conductors 1, 4, and 5 and the via conductors 2 and 3 connect the terminals P1 and P2 and the ground terminal GND to form a signal line for transmitting a high-frequency signal. ...
  • Patent Document 3 states that "Many semiconductor RF switches today stack multiple low BVds transistors in series to improve the breakdown performance of the entire switch" (paragraph 6).
  • Patent Document 1 JP 2014-241482
  • Patent Document 2 WO 2014/030469
  • Patent Document 3 JP 2010-527179 A
  • variable attenuator comprising a transmission line having an open stub connected between an input and an output of the variable attenuator, a first switch connected between the input and a reference potential, and a second switch connected between the output and the reference potential.
  • the variable attenuator may include a first resistor connected in series with a first switch between the input and a reference potential, and a second resistor connected in series with a second switch between the output and the reference potential.
  • the first resistor may be connected to the end of the first switch on the reference potential side, and the second resistor may be connected to the end of the second switch on the reference potential side.
  • the open stub may be connected to a central position on the transmission line between the input and output of the variable attenuator.
  • the open stub may have a length less than the length of the transmission line between the input and output of the variable attenuator.
  • a step attenuator in a second aspect of the present invention, includes a plurality of cascaded variable attenuators of the first aspect.
  • a test apparatus in a third aspect of the present invention, includes a test signal generating circuit that generates a test signal for testing a device under test, a comparison circuit that compares a response signal output by the device under test in response to the test signal with an expected value, and a variable attenuator of the first aspect that attenuates the test signal or the response signal.
  • the test device may include a gain amplifier connected between the test signal generating circuit and the variable attenuator to amplify the test signal.
  • Any of the above test devices may include a mixer connected between the comparator circuit and the variable attenuator to convert the frequency of the response signal.
  • FIG. 1 shows a configuration of a variable attenuator 10 according to the present embodiment.
  • 1 shows the configuration of a modified example of the variable attenuator 10 according to the present embodiment.
  • 2 shows the configuration of a step attenuator according to the present embodiment.
  • 1 shows the configuration of a test apparatus 400 according to the present embodiment.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram for explaining output results of a Smith chart at each position of the variable attenuator 10 of the present embodiment.
  • 4 shows the output result of the variable attenuator 10 on a Smith chart.
  • 4 shows the output result of the variable attenuator 10 on a Smith chart.
  • 4 shows the output result of the variable attenuator 10 on a Smith chart.
  • 4 shows the output result of the variable attenuator 10 on a Smith chart.
  • 4 shows the output result of the variable attenuator 10 on a Smith chart.
  • FIG. 4 shows the output result of the variable attenuator 10 on a Smith chart.
  • 10A and 10B are explanatory diagrams for explaining each position of a variable attenuator 500 of a reference example.
  • 4 shows the output result of the variable attenuator 500 on a Smith chart.
  • 4 shows the output result of the variable attenuator 500 on a Smith chart.
  • 4 shows the output result of the variable attenuator 500 on a Smith chart.
  • the relationship between the impedance and length of an open stub as viewed from the connection position of the transmission line is shown.
  • 1 shows the results of a simulation of the state error of a variable attenuator with an attenuation of 8 dB.
  • 1 shows simulation results of the insertion loss of the step attenuators in Example 2, Reference Example 2, and Reference Example 3.
  • 13 shows simulation results of state errors of the step attenuators in the second embodiment, the second reference example, and the third reference example.
  • FIG. 1 shows the configuration of a variable attenuator 10 according to this embodiment.
  • the variable attenuator 10 has an input terminal P10 and an output terminal P11.
  • the variable attenuator 10 attenuates, for example, a high-frequency signal input to the input terminal P10 and outputs the attenuated signal from the output terminal P11.
  • the variable attenuator 10 can change the amount of signal attenuation by changing the internal resistance value.
  • the variable attenuator 10 includes a transmission line 100, a first switch 110, a first resistor 120, a second switch 130, and a second resistor 140.
  • the transmission line 100 is connected between an input terminal P10 and an output terminal P11.
  • the transmission line 100 outputs a signal input to the input terminal P10 from the output terminal P11.
  • the transmission line 100 can attenuate a high-frequency signal such as an RF signal by transmitting the high-frequency signal.
  • the transmission line 100 has a straight line connecting the input terminal P10 and the output terminal P11.
  • the length (electrical length) l series of the straight line may be in the range of ⁇ /8 ⁇ l series ⁇ /4, where ⁇ is the wavelength of the signal to be transmitted.
  • the transmission line 100 has an open stub 105 connected between the input terminal P10 and the output terminal P11 of the variable attenuator 10.
  • the open stub 105 branches off from the straight line of the transmission line 100 between the input terminal P10 and the output terminal P11, and has an open end.
  • the open stub 105 may be connected to any position of the straight line between the input terminal P10 and the output terminal P11 of the transmission line 100, for example, to a center position between the input terminal P10 and the output terminal P11 of the variable attenuator 10 in the transmission line 100.
  • the open stub 105 is provided for impedance conversion of the variable attenuator 10.
  • the open stub 105 may have a length (electrical length) l stub that is less than the length l series of the straight line of the transmission line 100 between the input terminal P10 and the output terminal P11 of the variable attenuator 10.
  • the open stub 105 may have a length l stub from the connection position (branch position) in the range of ⁇ /4>l stub (particularly ⁇ /8 ⁇ l stub ) where the impedance of the open stub 105 seen from the connection position shows capacitive properties, and may have a length l series >l stub where l series is greater than l stub , for a wavelength ⁇ of a signal to be transmitted.
  • the first switch 110 is connected between the input terminal P10 and the reference potential.
  • the first switch 110 switches whether or not the input terminal P10 and the reference potential are connected.
  • the first switch 110 may be a shunt switch such as a HEMT (high electron mobility transistor).
  • the first resistor 120 is connected in series with the first switch 110 between the input terminal P10 and the reference potential.
  • the first resistor 120 may be connected to the end of the first switch 110 on the reference potential side.
  • the reference potential may be a fixed potential such as ground potential (0V), and so on.
  • the second switch 130 is connected between the output terminal P11 and the reference potential.
  • the second switch 130 switches between connecting or not connecting the output terminal P11 and the reference potential.
  • the second switch 130 may be a shunt switch such as a HEMT.
  • the second resistor 140 is connected in series with the second switch 130 between the output terminal P11 and the reference potential.
  • the second resistor 140 may be connected to the end of the second switch 130 on the reference potential side.
  • the first switch 110 and the second switch 130 are connected to a control circuit or the like that controls switching.
  • the variable attenuator 10 can increase the amount of attenuation by turning on at least one of the first switch 110 and the second switch 130 using the control circuit.
  • the variable attenuator 10 shown in FIG. 2 has the same configuration and function as the variable attenuator 10 shown in FIG. 1, but further includes a third switch 200 and a fourth switch 210.
  • the third switch 200 is connected to the end of the first switch 110 on the reference potential side.
  • the third switch 200 may be turned on at the same timing as the first switch 110 is turned on.
  • the fourth switch 210 is connected to the end of the second switch 130 on the reference potential side.
  • the fourth switch 210 may be turned on at the same timing as the second switch 130 is turned on.
  • the first switch 110, the second switch 130, the third switch 200, and the fourth switch 210 may each be a HEMT.
  • the modified variable attenuator 10 has shunt switches stacked in multiple stages, which can further reduce the off capacitance and further improve the withstand voltage.
  • variable attenuator 10 is not limited to two switches connected as shown in FIG. 2, but may have three or more switches connected.
  • FIG. 3 shows the configuration of the step attenuator according to this embodiment.
  • the step attenuator 300 includes multiple variable attenuators 310-370 connected in cascade.
  • the step attenuator 300 includes seven variable attenuators 310-370.
  • Each of the variable attenuators 310-370 may have the same configuration as the variable attenuator 10 according to this embodiment shown in FIG. 1 or FIG. 2.
  • the input terminal P10 of the first-stage variable attenuator 310 is connected to the input terminal P30 of the step attenuator 300, and the output terminal P11 is connected to the input terminal P10 of the second-stage variable attenuator 320.
  • One of the input terminal P10 and the output terminal P11 of the second- to sixth-stage variable attenuators 320 to 360 is connected to the other of the input terminal P10 and the output terminal P11 of the adjacent variable attenuators 320 to 360.
  • the output terminal P11 of the seventh-stage variable attenuator 370 is connected to the output terminal P31 of the step attenuator 300.
  • the step attenuator 300 may include variable attenuators 310-370 all of the same configuration, or may include one or more variable attenuators 310-370 with different attenuation amounts.
  • FIG. 4 shows the configuration of a test apparatus 400 according to this embodiment.
  • the test apparatus 400 may be ATE (Automated Test Equipment) that tests a DUT 470 (Device Under Test).
  • the test apparatus 400 may determine that the DUT 470 is a good product if a response signal output by the DUT 470 in response to a test signal supplied to the DUT 470 during testing matches an expected value for the response signal.
  • the test apparatus 400 may determine that the DUT 470 is a defective product if a response signal output by the DUT 470 in response to any of the test signals supplied to the DUT 470 during testing does not match the corresponding expected value.
  • the test device 400 includes a test signal generating circuit 410, a comparison circuit 420, and a connection device 430.
  • the test signal generating circuit 410 generates a test signal for testing the DUT 470.
  • the comparison circuit 420 compares the response signal output by the DUT 470 in response to the test signal with an expected value.
  • the connection device 430 is connected to the test signal generating circuit 410 and the comparison circuit 420.
  • the connection device 430 functions as a switch device that switches the input/output paths of signals such as analog radio frequency signals (RF signals).
  • RF signals radio frequency signals
  • the connection device 430 may be an RF test front end that switches between a transmission system circuit that outputs a transmission signal and a reception system circuit that inputs a reception signal.
  • the connection device 430 supplies the test signal from the test signal generating circuit 410 to the DUT 470, and supplies the response signal output by the DUT 470 to the comparison circuit 420.
  • the connection device 430 has a first mixer 442, a gain amplifier 444, a first variable attenuator 446, a first power amplifier 448, a connection section 450, a second variable attenuator 460, a second mixer 462, and a second power amplifier 464.
  • the first mixer 442 is connected to the test signal generating circuit 410.
  • the first mixer 442 converts the frequency of the test signal from an intermediate frequency (IF) to a high frequency (RF) by mixing the test signal generated by the test signal generating circuit 410 with a carrier wave.
  • the gain amplifier 444 is connected between the test signal generating circuit 410 and the first variable attenuator 446, and is connected to the first mixer 442.
  • the gain amplifier 444 amplifies and transmits the test signal frequency-converted by the first mixer 442.
  • the first variable attenuator 446 is connected to the gain amplifier 444, and attenuates and transmits the test signal amplified by the gain amplifier 444.
  • the first variable attenuator 446 may have a configuration similar to that of the variable attenuator 10 shown in FIG. 1 or FIG. 2, or may have a configuration similar to that of the step attenuator 300 shown in FIG. 3.
  • the first power amplifier 448 is connected to the first variable attenuator 446 and amplifies and transmits the test signal attenuated by the first variable attenuator 446.
  • the connection unit 450 is connected to the first power amplifier 448.
  • the connection unit 450 is a switch that switches whether or not to connect between the terminal P41 or the terminal P42 and the terminal P43.
  • the terminal P41 is connected to the test signal generating circuit 410
  • the terminal P42 is connected to the comparison circuit 420
  • the terminal P43 is connected to the DUT 470.
  • the second variable attenuator 460 is connected to the terminal P42, and attenuates and transmits the response signal received from the DUT 470.
  • the second variable attenuator 460 may have a configuration similar to that of the variable attenuator 10 shown in FIG. 1 or FIG. 2, or may have a configuration similar to that of the step attenuator 300 shown in FIG. 3.
  • the second mixer 462 is connected between the comparison circuit 420 and the second variable attenuator 460.
  • the second mixer 462 converts the frequency of the response signal from RF to IF by mixing the response signal received from the DUT 470 with a carrier wave.
  • the second power amplifier 464 is connected between the second mixer 462 and the comparison circuit 420, and amplifies and transmits the response signal frequency-converted by the second mixer 462.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining the output results of the Smith chart at each position of the variable attenuator 10 of this embodiment.
  • FIG. 5 shows the variable attenuator 10 of this embodiment shown in FIG. 1 in a state where the first switch 110 and the second switch 130 are turned on.
  • an open stub 105 is connected to the center of the transmission line 100 between the input terminal P10 and the output terminal P11 of the variable attenuator 10.
  • the output results of the Smith chart at multiple positions of the variable attenuator 10 are shown in FIG. 6 to FIG. 10, respectively.
  • FIG. 6 shows the output result of the Smith chart at position a of the variable attenuator 10 shown in FIG. 5.
  • FIG. 7 shows the output result of the Smith chart at position b of the variable attenuator 10 shown in FIG. 5.
  • FIG. 8 shows the output result of the Smith chart at position c of the variable attenuator 10 shown in FIG. 5.
  • FIG. 9 shows the output result of the Smith chart at position d of the variable attenuator 10 shown in FIG. 5.
  • FIG. 10 shows the output result of the Smith chart at position e of the variable attenuator 10 shown in FIG. 5.
  • the Smith charts in FIG. 6 to FIG. 10 show the impedance distribution in the frequency range of 0 GHz (DC) to 90 GHz of the signal transmitted to the variable attenuator 10 with thick lines.
  • the open stub 105 behaves as a shunt capacitor, so that the open stub 105 and the ⁇ /8 transmission line 100 arranged between the positions b and c can be combined to compensate for the reactance component at high frequencies (around 90 GHz in this case).
  • the distribution near high frequencies in FIGS. 6 to 8 approaches the horizontal axis representing the resistance component.
  • the open stub 105 moves the impedance of the circuit counterclockwise on the Smith chart, and the variable attenuator 10 of this embodiment can shorten the electrical length l series of the transmission line 100 between the input terminal P10 and the output terminal P11 to less than ⁇ /4, and then perform impedance conversion to the target impedance. Therefore, the electrical length of the transmission line 100 between the input terminal P10 and the output terminal P11 can be shortened, and the chip size can be reduced.
  • the variable attenuator 500 of the reference example includes a transmission line 510, a fifth resistor 520, and a sixth resistor 530.
  • the transmission line 510 has the same configuration as the transmission line 100 (particularly the straight line of the transmission line 100) between the input terminal P10 and the output terminal P11 of the variable attenuator 10 of FIG. 5, but does not have an open stub.
  • the fifth resistor 520 is connected between the input terminal IN and the reference potential, and has the same configuration as the first resistor 120 of the variable attenuator 10 of FIG. 5.
  • the sixth resistor 530 is connected between the output terminal OUT and the reference potential, and has the same configuration as the second resistor 140 of the variable attenuator 10 of FIG. 5.
  • the output results of the Smith chart at multiple positions of the variable attenuator 500 of the reference example are shown in FIG. 12 to FIG. 14, respectively.
  • FIG. 12 shows the output result of the Smith chart at position a of the variable attenuator 500 shown in FIG. 11.
  • FIG. 13 shows the output result of the Smith chart at position b of the variable attenuator 500 shown in FIG. 11.
  • FIG. 14 shows the output result of the Smith chart at position c of the variable attenuator 500 shown in FIG. 11.
  • the Smith charts in FIG. 12 to FIG. 14 show the impedance distribution in the frequency range of the transmitted signal from 0 GHz (DC) to 90 GHz with thick lines.
  • the impedance near high frequencies is distributed away from the horizontal axis on the Smith chart shown in FIG. 12 due to the transmission line 510. Therefore, the impedance near high frequencies cannot be brought close enough to the horizontal axis by the transmission line 510 alone, and impedance conversion to the target impedance is not possible.
  • Fig. 15 shows the relationship between the impedance and the length I stub of the open stub 105 as viewed from the connection position of the transmission line 100.
  • the horizontal axis shows the length I stub of the open stub 105 from the connection position of the transmission line 100 between the input terminal P10 and the output terminal P11 in Fig. 1
  • the vertical axis shows the impedance of the open stub 105 as viewed from the connection position of the transmission line 100.
  • the open stub 105 in the range of the length of the open stub 105 being 0 ⁇ I stub ⁇ ⁇ /4 (particularly, ⁇ /8 ⁇ l stub ), the open stub 105 exhibits capacitive properties and operates as a shunt capacitor. Therefore, the electrical length of the open stub 105 in the variable attenuator 10 of this embodiment is preferably in the range of 0 ⁇ I stub ⁇ ⁇ /4, particularly ⁇ /8 ⁇ l stub .
  • FIG. 16 shows the results of simulating the state error of a variable attenuator 10 with an attenuation of 8 dB.
  • the horizontal axis indicates the frequency of the transmitted signal, and the vertical axis indicates the state error (variation from the nominal value of the attenuation amount).
  • Example 1 shows the results of simulating the state error of the variable attenuator 10 of the present embodiment in FIG. 2, and Reference Example 1 shows the results of simulating the state error of a variable attenuator that has the same configuration as the variable attenuator 10 of the present embodiment in FIG. 2 but does not have an open stub.
  • the maximum state error in Example 1 is 0.5 dB, and the maximum state error in Reference Example 1 is 0.9 dB. It can be seen that by using the variable attenuator 10 of this embodiment, the state error is improved by 0.4 dB compared to Reference Example 1.
  • a variable attenuator with an attenuation of 8 dB has a larger attenuation amount, so in Reference Example 1, it is necessary to widen the gate width of the shunt HEMT used as a switch from the viewpoint of allowable current and distortion characteristics.
  • widening the gate width of the shunt HEMT increases the capacitance of the circuit, and impedance conversion (impedance matching) cannot be performed well for large capacitance, and the state error of the variable attenuator increases.
  • the state error of the variable attenuator with an attenuation amount of 4 dB was a maximum of 0.4 dB
  • the state error of the variable attenuator with an attenuation amount of 8 dB was a maximum of 0.9 dB.
  • variable attenuator 10 of this embodiment impedance conversion is performed using the open stub 105, making it possible to reduce the state error even with a large attenuation amount.
  • FIG. 17 shows the results of a simulation of the insertion loss during thru (attenuation of 0 dB) of the step attenuators in Example 2, Reference Example 2, and Reference Example 3.
  • the horizontal axis indicates the frequency of the signal to be transmitted, and the vertical axis indicates the insertion loss (dB).
  • the step attenuator 300 of Example 2 is configured by cascading five variable attenuators 10 of the present embodiment shown in FIG. 2.
  • the step attenuator 300 of Example 2 has an operating frequency of 50-90 GHz, includes one variable attenuator 10 with an attenuation of 4 dB, and three variable attenuators 10 with an attenuation of 8 dB, for a total attenuation of 28 dB.
  • Each of the five variable attenuators 10 has an electrical length of ⁇ /4 between the input terminal P10 and the output terminal P11, and the first switch 110 and the second switch 130 are HEMTs.
  • Reference Example 2 uses a step attenuator with the same configuration as step attenuator 300 of Example 2, except that each variable attenuator of the step attenuator of Reference Example 2 does not have an open stub.
  • the step attenuator of Reference Example 3 is configured by cascading seven variable attenuators 10 of this embodiment shown in FIG. 2, except that each variable attenuator of the step attenuator of Reference Example 2 does not have an open stub.
  • the step attenuator of Reference Example 3 has an operating frequency of 50-90 GHz, and includes seven variable attenuators with an attenuation of 4 dB, for a total attenuation of 28 dB.
  • Each switch in the variable attenuators of Reference Examples 2 and 3 is a HEMT.
  • each variable attenuator in Reference Example 3 the gate width of the shunt HEMT used in each variable attenuator is smaller, so the capacitive effect of the switches is smaller, but the number of cascaded variable attenuators required to achieve the desired attenuation of 28 dB is greater than in Reference Example 2. If the insertion loss of each variable attenuator in Reference Example 3 during thru (attenuation of 0 dB) is just over 0.5 dB, cascading seven stages will result in the insertion loss of the entire step attenuator being just over 3.5 dB. In Example 2, the insertion loss during thru (attenuation of 0 dB) is significantly improved by 1.4 dB compared to Reference Example 3, which has a larger number of cascaded connections.
  • FIG. 18 shows the results of simulating the state error of the step attenuator in Example 2, Reference Example 2, and Reference Example 3.
  • the horizontal axis indicates the frequency of the transmitted signal, and the vertical axis indicates the state error (dB).
  • Example 2, Reference Example 2, and Reference Example 3 in FIG. 18 are step attenuators with the same configuration as the simulation in FIG. 17.
  • Example 2 a variable attenuator with an attenuation of 8 dB is used, so the state error is larger than in Reference Example 3, and the state error shown in Figure 16 is further increased by the cascade connection. In Example 2, the state error is improved compared to Reference Examples 2 and 3.
  • the length of the transmission line between the input terminal and output terminal of the variable attenuator is 300 um for the variable attenuator with an attenuation of 4 dB in Reference Example 2 and 320 um for the variable attenuator with an attenuation of 8 dB in Example 2, whereas it is 255 um for the variable attenuator 10 with an attenuation of 4 dB and 270 um for the variable attenuator 10 with an attenuation of 8 dB in Example 2. Therefore, by using the step attenuator in Example 2, the chip size is approximately 15% smaller than the step attenuator in Reference Example 2. Note that the open stub 105 in Example 2 is sufficiently shorter in length than the shunt HEMT and resistor, and does not contribute to an increase in chip size.
  • variable attenuator 10 of this embodiment allows impedance adjustment using the transmission line 100 with the open stub 105, so insertion loss during thru (attenuation amount 0 dB) can be reduced, and state errors can also be reduced. Furthermore, the variable attenuator 10 of this embodiment allows a design that shortens the transmission line 100 between the input terminal P10 and the output terminal P11, reducing the chip size and contributing to high-density implementation of the RF test front end.

Landscapes

  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
  • Attenuators (AREA)
  • Transmitters (AREA)

Abstract

可変アッテネータであって、可変アッテネータの入力および出力の間に接続されたオープンスタブを有する伝送線路と、入力および基準電位の間に接続された第１スイッチと、出力および基準電位の間に接続された第２スイッチと、を備える可変アッテネータを提供する。

Description

可変アッテネータ、ステップアッテネータ、および試験装置
　本発明は、可変アッテネータ、ステップアッテネータ、および試験装置に関する。
　特許文献１には、「マイクロ波回路１Ａでは、線路幅ステップ部３２Ａが、伝送線路２５Ａの長さ方向（Ｘ方向）の中央部において、線路幅ステップ部３２Ａが伝送線路２５Ａの片側に、つまり幅方向（Ｙ方向）に偏って形成される」と記載されている（段落４４）。特許文献２には、「高周波デバイスはさらに、高周波信号の入出力のための端子Ｐ１，Ｐ２をパターン導体１に備え、接地端子ＧＮＤをパターン導体５に備える。パターン導体１，４，５及びビア導体２，３は、端子Ｐ１，Ｐ２及び接地端子ＧＮＤを接続して高周波信号を伝送する信号線を形成する。・・・信号線の一部が高周波信号に対して抵抗Ｒ１，Ｒ２を有することにより、高周波デバイスはアッテネータとして機能する」と記載されている（段落２７，３０）。特許文献３には、「多くの半導体ＲＦスイッチは、今日、スイッチ全体のブレイクダウン性能を改善するよう直列に多数の低ＢＶｄｓトランジスタをスタックする」と記載されている（段落６）。
［先行技術文献］
［特許文献］
　特許文献１　特開２０１４－２４１４８２号公報
　特許文献２　国際公開第２０１４／０３０４６９号公報
　特許文献３　特表２０１０－５２７１７９号公報
　本発明の第１の態様においては、可変アッテネータであって、可変アッテネータの入力および出力の間に接続されたオープンスタブを有する伝送線路と、入力および基準電位の間に接続された第１スイッチと、出力および基準電位の間に接続された第２スイッチと、を備える可変アッテネータを提供する。
　上記可変アッテネータは、入力および基準電位の間に第１スイッチと直列に接続された第１抵抗と、出力および基準電位の間に第２スイッチと直列に接続された第２抵抗と、を備えてよい。
　上記可変アッテネータにおいて、第１抵抗は、第１スイッチの基準電位側の端部に接続され、第２抵抗は、第２スイッチの基準電位側の端部に接続されてよい。
　上記のいずれかの可変アッテネータにおいて、オープンスタブは、伝送線路における可変アッテネータの入力と出力の間の中心位置に接続されてよい。
　上記のいずれかの可変アッテネータにおいて、オープンスタブは、可変アッテネータの入力および出力の間の伝送線路の長さ未満の長さを有してよい。
　本発明の第２の態様においては、縦続接続された複数の第１の態様の可変アッテネータを備えるステップアッテネータを提供する。
　本発明の第３の態様においては、被試験デバイスを試験するための試験信号を発生する試験信号発生回路と、試験信号に応じて被試験デバイスが出力する応答信号を期待値と比較する比較回路と、試験信号または応答信号を減衰する第１の態様の可変アッテネータとを備える試験装置を提供する。
　上記試験装置は、試験信号発生回路および可変アッテネータの間に接続され、試験信号を増幅するゲインアンプを備えてよい。
　上記のいずれかの試験装置は、比較回路および可変アッテネータの間に接続され、応答信号の周波数を変換するミキサを備えてよい。
　なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
本実施形態に係る可変アッテネータ１０の構成を示す。 本実施形態に係る可変アッテネータ１０の変形例の構成を示す。 本実施形態に係るステップアッテネータの構成を示す。 本実施形態に係る試験装置４００の構成を示す。 本実施形態の可変アッテネータ１０の各位置におけるスミスチャートの出力結果を説明するための説明図である 可変アッテネータ１０のスミスチャートの出力結果を示す。 可変アッテネータ１０のスミスチャートの出力結果を示す。 可変アッテネータ１０のスミスチャートの出力結果を示す。 可変アッテネータ１０のスミスチャートの出力結果を示す。 可変アッテネータ１０のスミスチャートの出力結果を示す。 参考例の可変アッテネータ５００の各位置を説明するための説明図である。 可変アッテネータ５００のスミスチャートの出力結果を示す。 可変アッテネータ５００のスミスチャートの出力結果を示す。 可変アッテネータ５００のスミスチャートの出力結果を示す。 伝送線路の接続位置からみたオープンスタブのインピーダンスと長さの関係を示す。 アッテネーション量８ｄＢの可変アッテネータの状態誤差のシミュレーション結果を示す。 実施例２、参考例２、および参考例３におけるステップアッテネータの挿入損失のシミュレーション結果を示す。 実施例２、参考例２、および参考例３におけるステップアッテネータの状態誤差のシミュレーション結果を示す。
　以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
　図１は、本実施形態に係る可変アッテネータ１０の構成を示す。可変アッテネータ１０は、入力端子Ｐ１０と、出力端子Ｐ１１とを備える。可変アッテネータ１０は、例えば、入力端子Ｐ１０に入力された高周波の信号を減衰して、減衰した信号を出力端子Ｐ１１から出力する。可変アッテネータ１０は、内部の抵抗値を変えて、信号のアッテネーション量を変更可能である。
　可変アッテネータ１０は、伝送線路１００と、第１スイッチ１１０と、第１抵抗１２０と、第２スイッチ１３０と、第２抵抗１４０とを備える。伝送線路１００は、入力端子Ｐ１０および出力端子Ｐ１１の間に接続される。伝送線路１００は、入力端子Ｐ１０に入力された信号を出力端子Ｐ１１から出力する。伝送線路１００は、ＲＦ信号等の高周波信号を伝送することで、減衰させることができる。伝送線路１００は、入力端子Ｐ１０および出力端子Ｐ１１の間を接続する直線状の線路を有する。直線状の線路の長さ（電気長）ｌｓｅｒｉｅｓは、伝送する信号の波長λに対して、λ／８＜ｌｓｅｒｉｅｓ＜λ／４の範囲であってよい。
　伝送線路１００は、可変アッテネータ１０の入力端子Ｐ１０および出力端子Ｐ１１の間に接続されたオープンスタブ１０５を有する。オープンスタブ１０５は、入力端子Ｐ１０および出力端子Ｐ１１の間の伝送線路１００の直線状の線路から分岐し、端部が開放されている。オープンスタブ１０５は、伝送線路１００の入力端子Ｐ１０と出力端子Ｐ１１の間の直線状の線路のいずれかの位置に接続されてよく、例えば、伝送線路１００における可変アッテネータ１０の入力端子Ｐ１０と出力端子Ｐ１１の間の中心位置に接続されてよい。オープンスタブ１０５は、可変アッテネータ１０のインピーダンス変換のために設けられる。オープンスタブ１０５は、可変アッテネータ１０の入力端子Ｐ１０および出力端子Ｐ１１の間の伝送線路１００の直線状の線路の長さｌｓｅｒｉｅｓ未満の長さ（電気長）ｌｓｔｕｂを有してよい。例えば、オープンスタブ１０５は、伝送する信号の波長λに対して、接続位置（分岐位置）からの長さｌｓｔｕｂが、接続位置からみたオープンスタブ１０５のインピーダンスが容量性を示すλ／４＞ｌｓｔｕｂ（特にはλ／８≧ｌｓｔｕｂ）の範囲で、かつｌｓｅｒｉｅｓ＞ｌｓｔｕｂの範囲であってよい。
　第１スイッチ１１０は、入力端子Ｐ１０および基準電位の間に接続される。第１スイッチ１１０は、入力端子Ｐ１０および基準電位の間を接続するか否かを切り替える。第１スイッチ１１０は、ＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）等のシャントスイッチであってよい。第１抵抗１２０は、入力端子Ｐ１０および基準電位の間に第１スイッチ１１０と直列に接続される。第１抵抗１２０は、第１スイッチ１１０の基準電位側の端部に接続されてよい。ここで、基準電位は、接地電位（０Ｖ）等の固定電位であってよく、以下同様である。
　第２スイッチ１３０は、出力端子Ｐ１１および基準電位の間に接続される。第２スイッチ１３０は、出力端子Ｐ１１および基準電位の間を接続するか否かを切り替える。第２スイッチ１３０は、ＨＥＭＴ等のシャントスイッチであってよい。第２抵抗１４０は、出力端子Ｐ１１および基準電位の間に第２スイッチ１３０と直列に接続される。第２抵抗１４０は、第２スイッチ１３０の基準電位側の端部に接続されてよい。
　第１スイッチ１１０および第２スイッチ１３０は、スイッチングを制御する制御回路等に接続される。可変アッテネータ１０は、制御回路により第１スイッチ１１０および第２スイッチ１３０の少なくとも１つをオンすることで、アッテネーション量を増加させることができる。
　図２は、本実施形態に係る可変アッテネータ１０の変形例の構成を示す。図２に示す可変アッテネータ１０は、図１の可変アッテネータ１０と同様の構成および機能を有し、ただし、第３スイッチ２００および第４スイッチ２１０をさらに備える。第３スイッチ２００は、第１スイッチ１１０の基準電位側の端部に接続される。第３スイッチ２００は、第１スイッチ１１０がオンされると、同じタイミングでオンされてよい。第４スイッチ２１０は、第２スイッチ１３０の基準電位側の端部に接続される。第４スイッチ２１０は、第２スイッチ１３０がオンされると、同じタイミングでオンされてよい。図２において、第１スイッチ１１０、第２スイッチ１３０、第３スイッチ２００、および第４スイッチ２１０は、それぞれＨＥＭＴであってよい。変形例の可変アッテネータ１０は、複数段にスタックしたシャントスイッチを有することで、オフキャパシタンスをより低減でき、耐圧をより向上できる。
　なお、可変アッテネータ１０は、図２のように２個のスイッチが接続したものに限定されず、３個以上のスイッチを接続したものであってもよい。
　図３は、本実施形態に係るステップアッテネータの構成を示す。ステップアッテネータ３００は、縦続接続された複数の可変アッテネータ３１０～３７０を備える。図３の実施形態においてステップアッテネータ３００は、７個の可変アッテネータ３１０～３７０を備える。可変アッテネータ３１０～３７０は、それぞれ、図１または図２に示す本実施形態の可変アッテネータ１０と同じ構成であってよい。
　１段目の可変アッテネータ３１０は、入力端子Ｐ１０がステップアッテネータ３００の入力端子Ｐ３０に接続され、出力端子Ｐ１１が２段目の可変アッテネータ３２０の入力端子Ｐ１０に接続される。２～６段目の可変アッテネータ３２０～３６０は、入力端子Ｐ１０及び出力端子Ｐ１１の一方が、隣接する可変アッテネータ３２０～３６０の入力端子Ｐ１０及び出力端子Ｐ１１の他方に接続される。７段目の可変アッテネータ３７０の出力端子Ｐ１１は、ステップアッテネータ３００の出力端子Ｐ３１に接続される。
　ステップアッテネータ３００は、全て同じ構成の可変アッテネータ３１０～３７０を備えてよく、また、異なるアッテネーション量を有する１または複数の可変アッテネータ３１０～３７０を備えてよい。
　図４は、本実施形態に係る試験装置４００の構成を示す。試験装置４００は、ＤＵＴ４７０（Ｄｅｖｉｃｅ　Ｕｎｄｅｒ　Ｔｅｓｔ：被試験デバイス）の試験を行うＡＴＥ（Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｔｅｓｔ　Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）であってよい。試験装置４００は、試験中にＤＵＴ４７０に供給する試験信号に対してＤＵＴ４７０が出力する応答信号が、応答信号に対する期待値と一致する場合には、ＤＵＴ４７０が良品であると判定してよい。試験装置４００は、試験中にＤＵＴ４７０に供給するいずれかの試験信号に対してＤＵＴ４７０が出力する応答信号が、対応する期待値と一致しない場合には、ＤＵＴ４７０が不良品であると判定してよい。
　試験装置４００は、試験信号発生回路４１０と、比較回路４２０と、接続装置４３０とを備える。試験信号発生回路４１０は、ＤＵＴ４７０を試験するための試験信号を発生する。比較回路４２０は、試験信号に応じてＤＵＴ４７０が出力する応答信号を期待値と比較する。
　接続装置４３０は、試験信号発生回路４１０および比較回路４２０に接続される。接続装置４３０は、例えばアナログの高周波信号（ＲＦ信号）等の信号の入出力経路を切り替えるスイッチ装置として機能する。接続装置４３０は、一例として、送信信号を出力する送信系回路および受信信号を入力する受信系回路を切り替えるＲＦテストフロントエンドであってよい。接続装置４３０は、試験信号発生回路４１０からの試験信号をＤＵＴ４７０に供給し、ＤＵＴ４７０が出力する応答信号を比較回路４２０に供給する。
　接続装置４３０は、第１ミキサ４４２と、ゲインアンプ４４４と、第１可変アッテネータ４４６と、第１パワーアンプ４４８と、接続部４５０と、第２可変アッテネータ４６０と、第２ミキサ４６２と、第２パワーアンプ４６４とを有する。
　第１ミキサ４４２は、試験信号発生回路４１０に接続される。第１ミキサ４４２は、試験信号発生回路４１０により生成された試験信号をキャリア波と混合することにより、試験信号の周波数を中間周波数（ＩＦ）から高周波数（ＲＦ）に変換する。ゲインアンプ４４４は、試験信号発生回路４１０および第１可変アッテネータ４４６の間に接続され、第１ミキサ４４２に接続される。ゲインアンプ４４４は、第１ミキサ４４２により周波数変換された試験信号を増幅して伝送する。第１可変アッテネータ４４６は、ゲインアンプ４４４に接続され、ゲインアンプ４４４により増幅された試験信号を減衰して伝送する。第１可変アッテネータ４４６は、図１または図２に示す可変アッテネータ１０と同様の構成であってよく、また、図３に示すステップアッテネータ３００と同様の構成であってもよい。第１パワーアンプ４４８は、第１可変アッテネータ４４６に接続され、第１可変アッテネータ４４６により減衰された試験信号を増幅して伝送する。
　接続部４５０は、第１パワーアンプ４４８に接続される。接続部４５０は、端子Ｐ４１または端子Ｐ４２と端子Ｐ４３との間を接続するか否かを切り替えるスイッチである。端子Ｐ４１は、試験信号発生回路４１０に接続され、端子Ｐ４２は、比較回路４２０に接続され、端子Ｐ４３は、ＤＵＴ４７０に接続される。
　第２可変アッテネータ４６０は、端子Ｐ４２に接続され、ＤＵＴ４７０から受信した応答信号を減衰して伝送する。第２可変アッテネータ４６０は、図１または図２に示す可変アッテネータ１０と同様の構成であってよく、また、図３に示すステップアッテネータ３００と同様の構成であってもよい。第２ミキサ４６２は、比較回路４２０および第２可変アッテネータ４６０の間に接続される。第２ミキサ４６２は、ＤＵＴ４７０から受信した応答信号をキャリア波と混合することにより、応答信号の周波数をＲＦからＩＦに変換する。第２パワーアンプ４６４は、第２ミキサ４６２および比較回路４２０の間に接続され、第２ミキサ４６２により周波数変換された応答信号を増幅して伝送する。
　図５は、本実施形態の可変アッテネータ１０の各位置におけるスミスチャートの出力結果を説明するための説明図である。図５は、図１に示す本実施形態の可変アッテネータ１０について、第１スイッチ１１０および第２スイッチ１３０をオンにした状態を示す。図５において、可変アッテネータ１０の入力端子Ｐ１０および出力端子Ｐ１１の間の伝送線路１００の中心にオープンスタブ１０５を接続した。可変アッテネータ１０の複数の位置におけるスミスチャートの出力結果を、それぞれ図６から図１０に示す。
　図６は、図５に示す可変アッテネータ１０の位置ａにおけるスミスチャートの出力結果を示す。図７は、図５に示す可変アッテネータ１０の位置ｂにおけるスミスチャートの出力結果を示す。図８は、図５に示す可変アッテネータ１０の位置ｃにおけるスミスチャートの出力結果を示す。図９は、図５に示す可変アッテネータ１０の位置ｄにおけるスミスチャートの出力結果を示す。図１０は、図５に示す可変アッテネータ１０の位置ｅにおけるスミスチャートの出力結果を示す。図６から図１０におけるスミスチャートは、可変アッテネータ１０に伝送する信号の周波数０ＧＨｚ（ＤＣ）から９０ＧＨｚの範囲のインピーダンスの分布を太線で示す。
　可変アッテネータ１０においてオープンスタブ１０５はシャントキャパシタとしてふるまうため、オープンスタブ１０５と、位置ｂおよび位置ｃの間に配置されているλ／８の伝送線路１００を組み合わすことで高い周波数（ここでは９０ＧＨｚ付近）におけるリアクタンス成分を補償することができる。スミスチャート上では、図６～図８において高周波付近の分布が、抵抗成分を表す水平軸に近づいている。図７および図８に示すように、オープンスタブ１０５が回路のインピーダンスをスミスチャート上で反時計回りに移動させることを利用し、本実施形態の可変アッテネータ１０は、入力端子Ｐ１０および出力端子Ｐ１１の間の伝送線路１００の電気長ｌｓｅｒｉｅｓをλ／４未満に短縮したうえで、狙いのインピーダンスへインピーダンス変換することができる。従って、入力端子Ｐ１０および出力端子Ｐ１１の間の伝送線路１００の電気長を短縮し、チップサイズを縮小することができる。
　図１１は、参考例の可変アッテネータ５００の各位置におけるスミスチャートの出力結果を説明するための説明図である。参考例の可変アッテネータ５００は、伝送線路５１０と、第５抵抗５２０と、第６抵抗５３０とを備える。伝送線路５１０は、図５の可変アッテネータ１０の入力端子Ｐ１０および出力端子Ｐ１１の間の伝送線路１００（特に伝送線路１００の直線状の線路）と同じ構成であり、ただし、オープンスタブを有さない。第５抵抗５２０は、入力端子ＩＮおよび基準電位の間に接続され、図５の可変アッテネータ１０の第１抵抗１２０と同じ構成である。第６抵抗５３０は、出力端子ＯＵＴおよび基準電位の間に接続され、図５の可変アッテネータ１０の第２抵抗１４０と同じ構成である。参考例の可変アッテネータ５００の複数の位置におけるスミスチャートの出力結果を、それぞれ図１２から図１４に示す。
　図１２は、図１１に示す可変アッテネータ５００の位置ａにおけるスミスチャートの出力結果を示す。図１３は、図１１に示す可変アッテネータ５００の位置ｂにおけるスミスチャートの出力結果を示す。図１４は、図１１に示す可変アッテネータ５００の位置ｃにおけるスミスチャートの出力結果を示す。図１２から図１４におけるスミスチャートは、伝送する信号の周波数０ＧＨｚ（ＤＣ）から９０ＧＨｚの範囲のインピーダンスの分布を太線で示す。
　位置ｂから位置ｃの間に、伝送線路５１０によって、図１２に示すスミスチャート上では、高周波付近のインピーダンスが水平軸から離れて分布している。従って、伝送線路５１０のみでは、高周波付近のインピーダンスを水平軸に十分に近づけることができず、狙いのインピーダンスへインピーダンス変換することができない。
　図１５は、伝送線路１００の接続位置からみたオープンスタブ１０５のインピーダンスと長さＩｓｔａｂの関係を示す。図１５において、横軸は、図１の入力端子Ｐ１０および出力端子Ｐ１１の間の伝送線路１００の接続位置からのオープンスタブ１０５の長さＩｓｔａｂを示し、縦軸は、伝送線路１００の接続位置からみたオープンスタブ１０５のインピーダンスを示す。図１５に示すように、オープンスタブ１０５の長さが０＜Ｉｓｔａｂ＜λ／４（特にはλ／８≧ｌｓｔｕｂ）である範囲において、オープンスタブ１０５は、容量性を示し、シャントキャパシタとして動作する。従って、本実施形態の可変アッテネータ１０におけるオープンスタブ１０５の電気長は、０＜Ｉｓｔａｂ＜λ／４、特にはλ／８≧ｌｓｔｕｂの範囲が好ましい。
　図１６は、アッテネーション量８ｄＢの可変アッテネータ１０の状態誤差のシミュレーション結果を示す。図１６は、横軸が伝送する信号の周波数を示し、縦軸が状態誤差（アッテネーション量の公称値に対するばらつき）を示す。図１６において、実施例１として、図２の本実施形態の可変アッテネータ１０の状態誤差のシミュレーション結果を示し、参考例１として、図２の本実施形態の可変アッテネータ１０と同じ構成を有し、ただし、オープンスタブを有さない可変アッテネータの状態誤差のシミュレーション結果を示す。
　実施例１における状態誤差は最大で０．５ｄＢであり、参考例１における状態誤差は最大で０．９ｄＢである。本実施形態の可変アッテネータ１０を用いることで、状態誤差が参考例１より０．４ｄＢ改善することがわかる。
　アッテネーション量４ｄＢの可変アッテネータに比べて、アッテネーション量８ｄＢの可変アッテネータはアッテネーション量が多い分、許容電流やひずみ特性の観点から、参考例１では、スイッチとして用いるシャントＨＥＭＴのゲート幅を広げる必要がある。ただし、シャントＨＥＭＴのゲート幅を広げると回路の容量性が増加してしまい、大きな容量性に対してうまくインピーダンス変換（インピーダンスマッチング）ができず、可変アッテネータの状態誤差が増加してしまう。例えば、オープンスタブを有さない可変アッテネータについて、アッテネーション量４ｄＢの構成とアッテネーション量８ｄＢの構成の状態誤差をシミュレーションすると、アッテネーション量４ｄＢの可変アッテネータ（ゲート幅２５ｕｍで設計）の状態誤差が最大０．４ｄＢに対して、アッテネーション量８ｄＢの可変アッテネータ（ゲート幅５０ｕｍで設計）の状態誤差は最大０．９ｄＢであった。このように、可変アッテネータのアッテネーション量と状態誤差との間にはトレードオフが存在するが、本実施形態の可変アッテネータ１０では、オープンスタブ１０５を用いてインピーダンス変換を行い、大きなアッテネーション量でも状態誤差を小さくできる。
　図１７は、実施例２、参考例２、および参考例３におけるステップアッテネータのＴｈｒｕ時（アッテネーション量０ｄＢ時）の挿入損失のシミュレーション結果を示す。図１７において、横軸は伝送する信号の周波数を示し、縦軸は挿入損失（ｄＢ）を示す。実施例２のステップアッテネータ３００は、図２に示す本実施形態の可変アッテネータ１０を５個縦続接続して構成される。実施例２のステップアッテネータ３００は、動作周波数５０－９０ＧＨｚで、アッテネーション量４ｄＢの可変アッテネータ１０を１個、アッテネーション量８ｄＢの可変アッテネータ１０を３個備え、総アッテネーション量が２８ｄＢである。５個の可変アッテネータ１０は、それぞれ、入力端子Ｐ１０および出力端子Ｐ１１の間の電気長がλ／４であり、第１スイッチ１１０および第２スイッチ１３０は、ＨＥＭＴである。
　参考例２は、実施例２のステップアッテネータ３００と同様の構成のステップアッテネータを用い、ただし、参考例２のステップアッテネータの各可変アッテネータはオープンスタブを有さない。参考例３のステップアッテネータは、図２に示す本実施形態の可変アッテネータ１０を７個縦続接続して構成され、ただし、参考例２のステップアッテネータの各可変アッテネータはオープンスタブを有さない。参考例３のステップアッテネータは、動作周波数５０－９０ＧＨｚで、アッテネーション量４ｄＢの可変アッテネータを７個備え、総アッテネーション量が２８ｄＢである。参考例２および３の可変アッテネータにおける各スイッチは、ＨＥＭＴである。
　参考例３では、各可変アッテネータで使用するシャントＨＥＭＴのゲート幅が小さくなるため、スイッチによる容量性の影響は小さくなるが、所望のアッテネーション量２８ｄＢを実現するために可変アッテネータの縦続接続数が参考例２より多くなってしまう。参考例３における各可変アッテネータのＴｈｒｕ時（アッテネーション量０ｄＢ時）の挿入損失が０．５ｄＢ強の場合、７段縦続接続することでステップアッテネータ全体の挿入損失は３．５ｄＢ強となってしまう。実施例２は、Ｔｈｒｕ時（アッテネーション量０ｄＢ時）の挿入損失は、縦続接続数が多い参考例３に対して１．４ｄＢと大きく改善する。
　図１８は、実施例２、参考例２、および参考例３におけるステップアッテネータの状態誤差のシミュレーション結果を示す。図１８において、横軸は伝送する信号の周波数を示し、縦軸は状態誤差（ｄＢ）を示す。図１８における実施例２、参考例２、および参考例３は、図１７におけるシミュレーションと同じ構成のステップアッテネータである。
　参考例２では、アッテネーション量８ｄＢの可変アッテネータを用いているため、参考例３よりも状態誤差が大きくなり、図１６に示すような状態誤差が縦続接続によってさらに大きくなっている。実施例２では、状態誤差は参考例２および３と比較して改善している。
　また、可変アッテネータの入力端子および出力端子の間の伝送線路の長さは、参考例２において、アッテネーション量４ｄＢの可変アッテネータで３００ｕｍ、アッテネーション量８ｄＢの可変アッテネータで３２０ｕｍに対して、実施例２において、アッテネーション量４ｄＢの可変アッテネータ１０で２５５ｕｍ、アッテネーション量８ｄＢの可変アッテネータ１０で２７０ｕｍであった。よって、実施例２におけるステップアッテネータを用いることにより、チップサイズは、参考例２のステップアッテネータより約１５％小さくなる。なお、実施例２におけるオープンスタブ１０５は、シャントＨＥＭＴや抵抗体より長さが十分短いため、チップサイズの増加に寄与しない。
　以上のような本実施形態の可変アッテネータ１０であれば、オープンスタブ１０５を有する伝送線路１００によりインピーダンス調整ができるため、Ｔｈｒｕ時（アッテネーション量０ｄＢ時）の挿入損失を低減でき、さらには状態誤差も低減できる。また、本実施形態の可変アッテネータ１０であれば、入力端子Ｐ１０及び出力端子Ｐ１１の間の伝送線路１００を短縮した設計が可能になり、チップサイズが縮小され、ＲＦテストフロントエンドの高密度実装に寄与する。
　以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、請求の範囲の記載から明らかである。
　請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
　１０　可変アッテネータ
　１００　伝送線路
　１０５　オープンスタブ
　１１０　第１スイッチ
　１２０　第１抵抗
　１３０　第２スイッチ
　１４０　第２抵抗
　２００　第３スイッチ
　２１０　第４スイッチ
　３００　ステップアッテネータ
　３１０　可変アッテネータ
　３２０　可変アッテネータ
　３３０　可変アッテネータ
　３４０　可変アッテネータ
　３５０　可変アッテネータ
　３６０　可変アッテネータ
　３７０　可変アッテネータ
　４００　試験装置
　４１０　試験信号発生回路
　４２０　比較回路
　４３０　接続装置
　４４２　第１ミキサ
　４４４　ゲインアンプ
　４４６　第１可変アッテネータ
　４４８　第１パワーアンプ
　４５０　接続部
　４６０　第２可変アッテネータ
　４６２　第２ミキサ
　４６４　第２パワーアンプ
　４７０　ＤＵＴ
　５００　可変アッテネータ
　５１０　伝送線路
　５２０　第５抵抗
　５３０　第６抵抗

Claims (9)

  1. 　可変アッテネータであって、
    　前記可変アッテネータの入力および出力の間に接続されたオープンスタブを有する伝送線路と、
    　前記入力および基準電位の間に接続された第１スイッチと、
    　前記出力および基準電位の間に接続された第２スイッチと、を備える
    　可変アッテネータ。
  2. 　前記入力および前記基準電位の間に前記第１スイッチと直列に接続された第１抵抗と、
    　前記出力および前記基準電位の間に前記第２スイッチと直列に接続された第２抵抗と、を備える
    　請求項１に記載の可変アッテネータ。
  3. 　前記第１抵抗は、前記第１スイッチの前記基準電位側の端部に接続され、
    　前記第２抵抗は、前記第２スイッチの前記基準電位側の端部に接続される
    　請求項２に記載の可変アッテネータ。
  4. 　前記オープンスタブは、前記伝送線路における前記可変アッテネータの入力と出力の間の中心位置に接続される
    　請求項１に記載の可変アッテネータ。
  5. 　前記オープンスタブは、前記可変アッテネータの入力および出力の間の前記伝送線路の長さ未満の長さを有する
    　請求項１に記載の可変アッテネータ。
  6. 　縦続接続された複数の請求項１に記載の可変アッテネータを備える
    　ステップアッテネータ。
  7. 　被試験デバイスを試験するための試験信号を発生する試験信号発生回路と、
    　前記試験信号に応じて前記被試験デバイスが出力する応答信号を期待値と比較する比較回路と、
    　前記試験信号または前記応答信号を減衰する請求項１に記載の可変アッテネータとを備える
    　試験装置。
  8. 　前記試験信号発生回路および前記可変アッテネータの間に接続され、前記試験信号を増幅するゲインアンプを備える
    　請求項７に記載の試験装置。
  9. 　前記比較回路および前記可変アッテネータの間に接続され、前記応答信号の周波数を変換するミキサを備える
    　請求項７に記載の試験装置。
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