WO2024257630A1

WO2024257630A1 - ガラスセラミックス構造体及び電子部品

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Publication number: WO2024257630A1
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Inventors: 祥高越川
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Abstract

ガラスセラミックス構造体１００は、結晶１３を含む第１セラミックス層１１、及び、結晶１３を含み、第１セラミックス層１１と結晶１３の含有量が異なる第２セラミックス層１２を有するガラスセラミックス構造体１００であって、第２セラミックス層１２は、ガラスセラミックス構造体１００の表面に存在するか、又は、厚み方向で第１セラミックス層１１の間に存在し、ガラスセラミックス構造体１００の表面から第２セラミックス層１２までの厚み方向における最短距離Ｄ１と、第２セラミックス層１２の層厚ｔとの関係が、（表面からの最短距離）／（第２セラミックス層の層厚）≦１０であり、第１セラミックス層１１の組成がＳｉＯ_２：４５重量％以上、７７．５重量％以下、Ｂ_２Ｏ_３：５重量％以上、２０重量％以下、Ａｌ_２Ｏ_３：２．６重量％以上、２０重量％以下、ＺｎＯ：２．７重量％以上、２０重量％以下、ＣｕＯ：０重量％以上、３．４重量％以下、ＢａＯ：０重量％以上、１０重量％以下であり、結晶１３が、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＳｉ_２Ｏ_４、ＺｎＯ、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、ＺｎＴｉＯ_３、Ａｌ_２ＴｉＯ_５、ＴｉＯ_２、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４、ＭｇＳｉＯ_３及びＭｇＯからなる群から選択される少なくとも１種であり、第２セラミックス層１２に存在する結晶１３のセラミックス断面に占める断面積の割合が、第１セラミックス層１１に存在する結晶１３のセラミックス断面に占める断面積の割合より多く、その差が１０面積％以上、７５面積％以下である、ことを特徴とする。

Description

ガラスセラミックス構造体及び電子部品

本発明は、ガラスセラミックス構造体及び電子部品に関する。

低温焼結セラミック材料は、比抵抗の比較的小さな低融点金属材料と同時焼成できるので、高周波特性に優れた多層セラミック基板を形成することができ、情報通信端末における高周波モジュール用の基板材料等として多用されている。

低温焼結セラミック材料としては、Ａｌ_２Ｏ_３等のセラミック材料にＢ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２系ガラス材料を混合したガラスセラミック複合系材料が一般的であるが、焼成時に揮発しやすいホウ素が含まれているため、得られる基板の組成がばらつきやすい。この問題を解決するために、ホウ素を含まない非ガラス系の低温焼結セラミック材料が提案されているが、このような低温焼結セラミック材料を焼結してなるセラミック焼結体は、破壊靱性値が小さいため、望ましい強度特性が得られないことがある。

特許文献１では、クォーツ（Ｑｕａｒｔｚ）、アルミナ（Ａｌｕｍｉｎａ）、フレスノイト（Ｆｒｅｓｎｏｉｔｅ）、サンボルナイト（Ｓａｎｂｏｒｎｉｔｅ）及びセルシアン（Ｃｅｌｓｉａｎ）の各結晶相を含み、粉末Ｘ線回析法により回析ピーク角度２θ＝１０～４０°の範囲で測定した前記フレスノイトの（２０１）面における回折ピーク強度Ａと前記クォーツの（１１０）面における回折ピーク強度Ｂの関係が、Ａ／Ｂ≧２．５であることを特徴とするセラミック焼結体が開示されている。

国際公開第２０１１／０９９３９７号

特許文献１では、セラミックス層内にフレスノイトやセルシアン等の結晶を全体的に析出させることで、セラミック焼結体の強度が増加されている。しかしながら、構造全体に結晶が析出しているため、電気特性が一定程度に制限され、セラミック焼結体の特定の箇所に応力を付与することができない。また、特許文献１の焼結体は材料組成に特徴があるため、強度を付与するためには、ガラスセラミック材料の組成変更が必要である。

本発明は、上記課題を解決するものであり、局所的に破壊靭性が付与されたガラスセラミックス構造体及び電子部品を提供することを目的とする。

本発明の第一のガラスセラミックス構造体は、結晶を含む第１セラミックス層、及び、結晶を含み、上記第１セラミックス層と結晶の含有量が異なる第２セラミックス層を有するガラスセラミックス構造体であって、上記第２セラミックス層は、上記ガラスセラミックス構造体の表面に存在するか、又は、厚み方向で上記第１セラミックス層の間に存在し、上記ガラスセラミックス構造体の表面から上記第２セラミックス層までの厚み方向における最短距離と、上記第２セラミックス層の層厚との関係が、（表面からの最短距離）／（第２セラミックス層の層厚）≦１０であり、上記第１セラミックス層の組成がＳｉＯ_２：４５重量％以上、７７．５重量％以下、Ｂ_２Ｏ_３：５重量％以上、２０重量％以下、Ａｌ_２Ｏ_３：２．６重量％以上、２０重量％以下、ＺｎＯ：２．７重量％以上、２０重量％以下、ＣｕＯ：０重量％以上、３．４重量％以下、ＢａＯ：０重量％以上、１０重量％以下であり、上記結晶が、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＳｉ_２Ｏ_４、ＺｎＯ、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、ＺｎＴｉＯ_３、Ａｌ_２ＴｉＯ_５、ＴｉＯ_２、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４、ＭｇＳｉＯ_３及びＭｇＯからなる群から選択される少なくとも１種であり、上記第２セラミックス層に存在する結晶のセラミックス断面に占める断面積の割合が、上記第１セラミックス層に存在する結晶のセラミックス断面に占める断面積の割合より多く、その差が１０面積％以上、７５面積％以下である、ことを特徴とする。

本発明の第二のガラスセラミックス構造体は、結晶を含む複数の第１セラミックス層、結晶を含み、上記第１セラミックス層と結晶の含有量が異なる第２セラミックス層、及び、内部電極を有するガラスセラミックス構造体であって、上記第２セラミックス層は、厚み方向で上記第１セラミックス層の間に存在するか、又は、前記ガラスセラミックス構造体の表面に存在し、上記第２セラミックス層と上記内部電極とは厚み方向で隣り合っているか、又は、厚み方向で上記第２セラミックス層と上記内部電極との間に上記第１セラミックス層が存在し、上記内部電極から上記第２セラミックス層までの厚み方向における最短距離と、上記第２セラミックス層の層厚との関係が、（内部電極からの最短距離）／（第２セラミックス層の層厚）≦１０であり、上記第１セラミックス層の組成がＳｉＯ_２：４５重量％以上、７７．５重量％以下、Ｂ_２Ｏ_３：５重量％以上、２０重量％以下、Ａｌ_２Ｏ_３：２．６重量％以上、２０重量％以下、ＺｎＯ：２．７重量％以上、２０重量％以下、ＣｕＯ：０重量％以上、３．４重量％以下、ＢａＯ：０重量％以上、１０重量％以下であり、上記結晶が、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＳｉ_２Ｏ_４、ＺｎＯ、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、ＺｎＴｉＯ_３、Ａｌ_２ＴｉＯ_５、ＴｉＯ_２、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４、ＭｇＳｉＯ_３及びＭｇＯからなる群から選択される少なくとも１種であり、上記第２セラミックス層に存在する結晶のセラミックス断面に占める断面積の割合が、上記第１セラミックス層に存在する結晶のセラミックス断面に占める断面積の割合より多く、その差が１０面積％以上、７５面積％以下である、ことを特徴とする。

本発明の電子部品は、上記のガラスセラミックス構造体を含む。

本発明によれば、局所的に破壊靭性が付与されたガラスセラミックス構造体及び電子部品を提供することができる。

図１は、第一のガラスセラミックス構造体の一例を示す模式断面図である。図２は、第一のガラスセラミックス構造体の別の一例を示す模式断面図である。図３Ａは、図１のガラスセラミックス構造体における結晶の分布の一例を示す模式断面図である。図３Ｂは、図１のガラスセラミックス構造体における結晶の分布の別の一例を示す模式断面図である。図３Ｃは、図１のガラスセラミックス構造体における結晶の分布の別の一例を示す模式断面図である。図４は、第二のガラスセラミックス構造体の一例を示す模式断面図である。図５は、電子部品の一例を示す模式断面図である。図６は、実施例で作製したガラスセラミックス構造体の抗折強度を測定する方法を示す斜視図である。図７は、実施例で作製したガラスセラミックス構造体の強度を評価する模式断面図である。図８は、実施例で作製したガラスセラミックス構造体の強度を評価する模式断面図である。

以下、本発明の第一のガラスセラミックス構造体、第二のガラスセラミックス構造体及び電子部品について説明する。なお、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更されてもよい。また、以下において記載する個々の好ましい構成を複数組み合わせたものもまた本発明である。

本発明の第一のガラスセラミックス構造体は、結晶を含む第１セラミックス層、及び、結晶を含み、上記第１セラミックス層と結晶の含有量が異なる第２セラミックス層を有し、上記第２セラミックス層は、厚み方向で上記第１セラミックス層の間に存在するか、又は、上記ガラスセラミックス構造体の表面に存在する。
第一のガラスセラミックス構造体において、第１セラミックス層が主素体である。

図１は、第一のガラスセラミックス構造体の一例を示す模式断面図である。図１に示すガラスセラミックス構造体１００は、３層の第１セラミックス層１１と、２層の第２セラミックス層１２とが積層されてなる。図１では、層厚ｔ（μｍ）の第２セラミックス層１２が、ガラスセラミックス構造体１００の一方主面１００ａから最短距離Ｄ１の位置に配置され、別の第２セラミックス層１２が、ガラスセラミックス構造体１００の他方主面１００ｂから最短距離Ｄ１の位置に配置されている。

第２セラミックス層は２層であってもよいし、１層であってもよいし、３層以上であってもよい。第一のガラスセラミックス構造体は、第２セラミックス層を２層有することが好ましい。

第一のガラスセラミックス構造体の表面から上記第２セラミックス層までの厚み方向における最短距離（以下では「表面からの最短距離」と記載することがある）と、上記第２セラミックス層の層厚との関係が、（表面からの最短距離）／（第２セラミックス層の層厚）≦１０である。上記式を満たすことにより、第一のガラスセラミックス構造体は、第２セラミックス層が形成された位置により高い破壊靭性が付与されている。

表面からの最短距離及び第２セラミックス層の層厚は、以下のようにして定める。
図１に示すように、まず、ガラスセラミックス構造体の長さ（Ｌ）方向の中心を通る、幅（Ｗ）方向及び積層（Ｔ）方向の断面（ＷＴ断面）を研磨により露出させる。必要に応じて、研磨面にエッチング処理を行う。そして、露出させた断面を走査型電子顕微鏡により観察する。

第１セラミックス層及び第２セラミックス層の積層方向Ｔに延びてかつガラスセラミックス構造体の中心を通る直線Ｌｃを引く。次に、直線Ｌｃと平行な複数の直線を等間隔に引く。隣り合う直線の間隔は、測定しようとする第２セラミックス層の層厚の５倍以上１０倍以下程度で決めればよい。また、直線Ｌｃの両側に同じ本数の直線を引く。すなわち、直線Ｌｃを合わせて奇数本の直線を引く。例えば、直線Ｌｃを合わせて３本の直線を引く。

次に、直線Ｌｃ等の各直線上において、表面からの最短距離及び第２セラミックス層の層厚をそれぞれ測定する。ただし、各直線上において、第２セラミックス層が欠損して、この第２セラミックス層を挟む第１セラミックス層同士が繋がっている場合、又は、測定位置の拡大像が不明瞭である場合は、更に直線Ｌｃから離れた直線上において、表面からの最短距離及び第２セラミックス層の層厚をそれぞれ測定する。それぞれの平均値を、表面からの最短距離、第２セラミックス層の層厚とする。

第一のガラスセラミックス構造体の表面から第２セラミックス層までの厚み方向における最短距離（表面からの最短距離）が０であるとき、第２セラミックス層は第一のガラスセラミックス構造体の表面に存在する（図２）。
図２は、第一のガラスセラミックス構造体の別の一例を示す模式断面図である。図２では、２層の第２セラミックス層１２がガラスセラミックス構造体１１０の２つの主面上に配置されている。

第一のガラスセラミックス構造体の表面から第２セラミックス層までの厚み方向における最短距離は、例えば０μｍ以上、１５０μｍ以下が好ましく、０μｍ以上、１２０μｍ以下がより好ましい。
第２セラミックス層の層厚は、例えば３μｍ以上、７５μｍ以下が好ましく、５μｍ以上、６０μｍ以下がより好ましい。
上記最短距離と第２セラミックス層の層厚は上記の範囲に限定されず、上記式を満たすように調整すればよい。なお、上記最短距離が０である、すなわち、第２セラミックス層が第一のガラスセラミックス構造体の表面に存在すると、（表面からの最短距離）／（第２セラミックス層の層厚）の値が第２セラミックス層の層厚に関係なく常に０になるが、その場合は、第２セラミックス層の層厚は、３μｍ以上、７５μｍ以下が好ましい。

上記第１セラミックス層の組成は、ＳｉＯ_２：４５重量％以上、７７．５重量％以下、Ｂ_２Ｏ_３：５重量％以上、２０重量％以下、Ａｌ_２Ｏ_３：２．６重量％以上、２０重量％以下、ＺｎＯ：２．７重量％以上、２０重量％以下、ＣｕＯ：０重量％以上、３．４重量％以下、ＢａＯ：０重量％以上、１０重量％以下である。上記組成は、酸化物換算である。

第２セラミックス層（結晶層ともいう）は、非結晶部分が上述した第１セラミックス層の組成と同じ範囲の組成であるが、第１セラミックス層と結晶の含有量が異なっており、第２セラミックス層により多くの結晶が含まれている。含有量が異なっている結晶の種類は特に限定されず、第１セラミックス層に含まれる結晶であってもよいし、第１セラミックス層に含まれず第２セラミックス層のみに含まれる結晶であってもよいし、両方であってもよい。

第１セラミックス層に含まれる結晶としては、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ等が挙げられる。
第２セラミックス層にのみ含まれる結晶としては、例えば、ＺｎＳｉ_２Ｏ_４、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、ＺｎＴｉＯ_３、Ａｌ_２ＴｉＯ_５、ＴｉＯ_２、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４、ＭｇＳｉＯ_３、ＭｇＯ等が挙げられる。

第１セラミックス層と第２セラミックス層とで含有量が異なっている結晶は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＳｉ_２Ｏ_４、ＺｎＯ、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、ＺｎＴｉＯ_３、Ａｌ_２ＴｉＯ_５、ＴｉＯ_２、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４、ＭｇＳｉＯ_３及びＭｇＯからなる群から選択される少なくとも１種である。含有量が異なっている結晶は、１種でもよいし、２種以上でもよいが、２種以上であることが好ましい。

第２セラミックス層に存在する結晶のセラミックス断面に占める断面積の割合は、第１セラミックス層に存在する結晶のセラミックス断面に占める断面積の割合より多く、その差（以下では差（ｄ１）と記載することがある）が１０面積％以上、７５面積％以下である。ここで、結晶の断面積とは、特定の種類の結晶の断面積ではなく、全ての種類の結晶の断面積の合計である。上記差（ｄ１）は、全ての種類の結晶の断面積の比較であるので、第２セラミックス層における特定の種類の結晶の割合が、第１セラミックス層における特定の同じ種類の結晶の割合より少なくなっていてもよい。

セラミックス断面に占める結晶の断面積の割合は、例えば、以下のようにして算出することができる。まず、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）及びＸ線回折分析装置（ＸＲＤ）によって試料断面を観察し、結晶部位と非晶部位とを特定の色でマーキングする。画像解析ソフト又は画像編集ソフト（Ｐｈｏｔｏｓｈｏｐ（登録商標）、ＩｍａｇｅＪ等）を用いてマーキングを行った結晶部位を抽出し、白黒二値化処理を施したのち、結晶部位の断面積及び非晶部位の断面積を求める。結晶部位の断面積を、結晶部位の断面積及び非晶部位の断面積の合計で除すると、セラミックス断面に占める結晶の断面積の割合が算出される。

上記差（ｄ１）が１０面積％以上、７５面積％以下であると、上記差（ｄ１）が上記範囲外であるときと比較して、ガラスセラミックス構造体の抗折強度が向上する。

図３Ａは、図１のガラスセラミックス構造体における結晶の分布の一例を示す模式断面図である。図３Ｂは、図１のガラスセラミックス構造体における結晶の分布の別の一例を示す模式断面図である。図３Ｃは、図１のガラスセラミックス構造体における結晶の分布の別の一例を示す模式断面図である。
図３Ａのガラスセラミックス構造体１００Ａにおいて、第２セラミックス層１２に存在する結晶１３ａは第１セラミックス層１１にも存在し、第２セラミックス層１２により多くの結晶が含まれている。

図３Ｂのガラスセラミックス構造体１００Ｂにおいて、第２セラミックス層１２に存在する結晶１３ａ、結晶１３ｂのうち、結晶１３ａが第１セラミックス層１１にも存在し、第２セラミックス層１２により多くの結晶が含まれている。結晶１３ｂは第１セラミックス層１１には存在せず、第２セラミックス層１２にのみ存在する。上記差（ｄ１）が上記範囲であれば、結晶１３ａは、第２セラミックス層１２より第１セラミックス層１１により多く含まれていてもよいし、結晶１３ａは、第２セラミックス層１２に含まれていなくてもよい。

図３Ｃのガラスセラミックス構造体１００Ｃにおいて、第２セラミックス層１２に存在する結晶１３ａ、結晶１３ｂ、結晶１３ｃ及び結晶１３ｄのうち、結晶１３ａが第１セラミックス層１１にも存在し、第２セラミックス層１２により多くの結晶が含まれている。結晶１３ｂ、結晶１３ｃ及び結晶１３ｄは第１セラミックス層１１には存在せず、第２セラミックス層１２にのみ存在する。上記差（ｄ１）が上記範囲であれば、結晶１３ａは、第２セラミックス層１２より第１セラミックス層１１により多く含まれていてもよいし、結晶１３ａは、第２セラミックス層１２に含まれていなくてもよい。

図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃでは、第１セラミックス層１１に存在する結晶が結晶１３ａのみであるが、第１セラミックス層１１に２種以上の結晶が存在していてもよい。また、第２セラミックス層１２には、４種以上の結晶が存在していてもよい。

第一のガラスセラミックス構造体は、例えば以下の方法により作製することができる。
（１）グリーンシートＡの作製
第一のガラスセラミックス構造体の第１セラミックス層となるガラスセラミックス材料を、バインダ、可塑剤等と混合し、セラミックスラリーＡを調製する。そして、セラミックスラリーＡを基材フィルム（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム）上に成形した後、乾燥させることによって、グリーンシートＡを作製する。

（２）グリーンシートＢの作製
グリーンシートＡの作製に用いたガラスセラミックス材料と、Ａｌ_２Ｏ_３、ＢａＴｉＯ_３、ＺｎＯ及びＭｇ_２ＳｉＯ_４からなる群から選択される少なくとも１つのフィラー成分とを混合して混合原料を作製する。混合原料中のフィラー成分の割合が高くなるほど、第２セラミックス層に析出する結晶が多くなるので、所望する結晶の割合に応じてフィラー成分の配合量を調整する。
混合原料をバインダ、可塑剤等と混合し、セラミックスラリーＢを調製する。そして、セラミックスラリーＢを基材フィルム上に成形した後、乾燥させることによって、グリーンシートＢを作製する。

（３）積層グリーンシートの作製及び焼成
グリーンシートＡを積層し、積層体の表面にグリーンシートＢを配置するか、又は、グリーンシートＡでグリーンシートＢを挟んで積層グリーンシートを作製し、焼成してグリーンシートＡとグリーンシートＢとを反応させ、結晶をグリーンシートＢの積層面全体又は一部に生成させる。その結果、グリーンシートＢの位置に第２セラミックス層が形成され、図１又は図２に示すようなガラスセラミックス構造体（多層セラミック基板）が得られる。

フィラー成分としてＡｌ_２Ｏ_３を用いた場合、第２セラミックス層ではＡｌ_２Ｏ_３、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８及びＺｎＡｌ_２Ｏ_４の結晶が増加する。
フィラー成分としてＺｎＯを用いた場合、第２セラミックス層ではＺｎＡｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ及びＺｎＳｉ_２Ｏ_４の結晶が増加する。
フィラー成分としてＭｇ_２ＳｉＯ_４を用いた場合、第２セラミックス層ではＭｇ_２ＳｉＯ_４、ＭｇＳｉＯ_３及びＭｇＯの結晶が増加する。
フィラー成分としてＢａＴｉＯ_３を用いた場合、第２セラミックス層ではＺｎＴｉＯ_３、Ａｌ_２ＴｉＯ_５、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８及びＴｉＯ_２の結晶が増加する。

フィラー成分であるＢａＴｉＯ_３のＢａを他のアルカリ土類金属に置き換えた化合物も、基本構造が同系の結晶が析出するため、代用可能である。

また、グリーンシートＢを使用する以外に、グリーンシートＡ上にグリーンシートＢの原料であるセラミックスラリーＢでパターンを形成し、パターンが形成されたグリーンシートＡを積層して得られた積層体を焼成することで、ガラスセラミックス構造体の表面又は内部に第２セラミックス層を生成させることも可能である。パターンの形成の方法としては、メタルマスク印刷、薬品を用いた化学エッチング、レーザー加工等の物理エッチング、インクジェット印刷、スプレー塗布等が挙げられる。

積層グリーンシートの焼成温度は、グリーンシートＡ及びグリーンシートＢを構成するガラスセラミックス材料が焼成可能な温度であれば特に限定されず、例えば、１０００℃以下である。本発明で用いるガラスセラミックス材料は、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）材料である。

なお、積層グリーンシートは、拘束用グリーンシートで挟まれた状態で焼成されてもよい。拘束用グリーンシートは、グリーンシートＡ及びグリーンシートＢを構成するガラスセラミックス材料の焼成温度では実質的に焼成しない無機材料（例えば、Ａｌ_２Ｏ_３）を主成分として含有するものである。そのため、拘束用グリーンシートは、積層グリーンシートの焼成時に収縮せず、積層グリーンシートに対して主面方向での収縮を抑制するように作用する。その結果、得られる構造体の寸法精度が高まる。

第一のガラスセラミックス構造体は、上記の構造を有していることにより、第２セラミックス層が形成された位置により高い破壊靭性が付与されている。ガラスセラミックス構造体の厚み方向の表面又は厚み方向の表面に近い箇所の少なくとも一部に集中して結晶を析出させることで、圧縮応力と引張応力とを第２セラミックス層内各所に発生させることができる。これにより、局所的な負荷に対して応力が分散され、破壊靭性を強くすることが可能となる。

次に、第二のガラスセラミックス構造体について説明する。
本発明の第二のガラスセラミックス構造体は、結晶を含む複数の第１セラミックス層、結晶を含み、上記第１セラミックス層と結晶の含有量が異なる第２セラミックス層、及び、内部電極を有するガラスセラミックス構造体であって、上記第２セラミックス層は、厚み方向で上記第１セラミックス層の間に存在するか、又は、前記ガラスセラミックス構造体の表面に存在し、上記第２セラミックス層と上記内部電極とは厚み方向で隣り合っているか、又は、厚み方向で上記第２セラミックス層と上記内部電極との間に上記第１セラミックス層が存在する。
第二のガラスセラミックス構造体において、第１セラミックス層が主素体である。

図４は、第二のガラスセラミックス構造体の一例を示す模式断面図である。図４に示すガラスセラミックス構造体２００は、第１セラミックス層１１及び第２セラミックス層１２が複数（図４では第１セラミックス層が４層、第２セラミックス層が２層）積層されてなる。第２セラミックス層１２は、厚み方向でガラスセラミックス構造体２００の表面に存在している。

第２セラミックス層は２層であってもよいし、１層であってもよいし、３層以上であってもよい。第二のガラスセラミックス構造体は、第２セラミックス層を２層有することが好ましい。

ガラスセラミックス構造体２００には、内部電極２１が複数層に配置されている。内部電極２１は、厚み方向に隣接する２つの第１セラミックス層１１の間に配置されているか、厚み方向に隣接する第１セラミックス層１１と第２セラミックス層１２との間に配置されている。図４では、層厚ｔ（μｍ）の第２セラミックス層１２が、内部電極２１から厚み方向における最短距離Ｄ２の位置に配置され、第２セラミックス層１２と内部電極２１との間には、第１セラミックス層１１が存在している。別の第２セラミックス層１２は、一部が内部電極２１と厚み方向で隣り合って配置されている。

ガラスセラミックス構造体２００には、ビア導体２２及び外部電極２３、２４が形成されている。これらは、例えば、コンデンサ、インダクタ等の受動素子を構成したり、素子間の電気的接続を担う接続配線を構成したりする。

外部電極２３は、ガラスセラミックス構造体２００の一方主面上に配置されている。
外部電極２４は、ガラスセラミックス構造体２００の他方主面上に配置されている。

ビア導体２２は、第１セラミックス層１１及び第２セラミックス層１２を貫通するように配置されており、内部電極２１と外部電極２３、２４を電気的に接続する役割を担っている。ビア導体２２は、２つの内部電極２１を電気的に接続するように配置されていてもよい。

第二のガラスセラミックス構造体において、上記内部電極から上記第２セラミックス層までの厚み方向における最短距離と、上記第２セラミックス層の層厚との関係が、（内部電極からの最短距離）／（第２セラミックス層の層厚）≦１０である。上記式を満たすことにより、第二のガラスセラミックス構造体は、第２セラミックス層が形成された位置により高い破壊靭性が付与されている。

第２セラミックス層の層厚は、第一のガラスセラミックス構造体と同様に定めることができる。

内部電極から第２セラミックス層までの厚み方向における最短距離（内部電極からの最短距離）が０であるとき、第２セラミックス層は厚み方向に内部電極と接している。

内部電極から第２セラミックス層までの厚み方向における最短距離は、例えば０μｍ以上、１５０μｍ以下が好ましく、０μｍ以上、１２０μｍ以下がより好ましい。
第２セラミックス層の層厚は、例えば３μｍ以上、７５μｍ以下が好ましく、５μｍ以上、６０μｍ以下がより好ましい。
内部電極からの最短距離と第２セラミックス層の層厚は上記の範囲に限定されず、上記式を満たすように調整すればよい。なお、上記最短距離が０である、すなわち、第２セラミックス層が内部電極に接していると、（内部電極からの最短距離）／（第２セラミックス層の層厚）の値が第２セラミックス層の層厚に関係なく常に０になるが、その場合は、第２セラミックス層の層厚は３μｍ以上、７５μｍ以下が好ましい。

上記第１セラミックス層及び第２セラミックス層の非結晶部分の組成、結晶の組成及び結晶の含有割合は、第一のガラスセラミックス構造体と同様とすることができる。

第二のガラスセラミックス構造体において、第２セラミックス層に存在する結晶のセラミックス断面に占める断面積の割合は、第１セラミックス層に存在する結晶のセラミックス断面に占める断面積の割合より多く、その差（ｄ２）が１０面積％以上、７５面積％以下である。
上記差（ｄ２）が１０面積％以上、７５面積％以下であると、上記差（ｄ２）が上記範囲外であるときと比較して、内部電極の周囲で発生する構造欠陥とその悪化を抑制することができる。

内部電極、ビア導体及び外部電極は、Ａｇ又はＣｕを含む導電性ペーストを用いて形成することができる。第二のガラスセラミックス構造体において、内部電極、ビア導体及び外部電極は、主成分がＣｕであることが好ましい。内部電極、ビア導体及び外部電極は、メタルマスク等を用いた印刷や、Ｃｕパターンを転写積層することで形成可能である。

第二のガラスセラミックス構造体は、例えば以下の方法により作製することができる。
グリーンシートＡの作製及びグリーンシートＢの作製は、第一のガラスセラミックス構造体の作製と同様に行うことができる。内部電極、ビア導体及び外部電極は、一部のグリーンシートＡにＡｇ又はＣｕを含む導電性ペースト等を用いて形成する。
グリーンシートＡを積層し、積層体の表面にグリーンシートＢを配置して積層グリーンシートを作製し、焼成してグリーンシートＡとグリーンシートＢとを反応させ、結晶をグリーンシートＢの積層面全体又は一部に生成させる。その結果、図４に示すようなガラスセラミックス構造体が得られる。

積層グリーンシートの焼成は、第一のガラスセラミックス構造体の作製と同様に、１０００℃以下で行う。積層グリーンシートの焼成雰囲気は、特に限定されないが、内部電極等として、Ａｇ等の酸化しにくい材料を用いる場合には空気雰囲気が好ましく、Ｃｕ等の酸化しやすい材料を用いる場合には窒素雰囲気等の低酸素雰囲気が好ましい。また、積層グリーンシートの焼成雰囲気は、還元雰囲気であってもよい。

第二のガラスセラミックス構造体は、上記の構造を有していることにより、第２セラミックス層が形成された位置により高い破壊靭性が付与されている。内部電極付近又は内部電極に隣接して第２セラミックス層を配置することで、第１セラミックス層に内部破断などの構造欠陥が発生した際に、クラックが内部電極へ延伸することを阻止し、回路短絡や断線などの信頼性の低下を抑制することができる。

次に、本発明の電子部品について説明する。
本発明の電子部品は、本発明の第一のガラスセラミックス構造体及び／又は本発明の第二のガラスセラミックス構造体を含む。

本発明の電子部品は、例えば、第一のガラスセラミックス構造体及び第二のガラスセラミックス構造体の一例である多層セラミック基板と、上記多層セラミック基板に搭載されたチップ部品と、を備える。チップ部品としては、例えば、ＬＣフィルタ、コンデンサ、インダクタ、パッチアンテナ、カプラ、積層バラン等が挙げられる。

図５は電子部品の一例を示す模式断面図である。図５に示すように、ガラスセラミックス構造体（多層セラミック基板）２００には、外部電極２３と電気的に接続された状態で、チップ部品３０が搭載されていてもよい。これにより、ガラスセラミックス構造体２００を備える電子部品３００が構成される。

電子部品３００は、外部電極２４を介して電気的に接続されるように、実装基板（例えば、マザーボード）に実装されてもよい。

以上では、第二のガラスセラミックス構造体が多層セラミック基板に適用される例を示したが、第一のガラスセラミックス構造体及び第二のガラスセラミックス構造体は、多層セラミック基板に搭載されるチップ部品に適用されてもよい。すなわち、第一のガラスセラミックス構造体及び第二のガラスセラミックス構造体は、ＬＣフィルタ、コンデンサ、インダクタ、パッチアンテナ、カプラ、積層バラン等に適用されてもよい。

第一のガラスセラミックス構造体及び第二のガラスセラミックス構造体は、多層セラミック基板及びチップ部品以外に適用されてもよい。

本明細書には、以下の内容が開示されている。

＜１＞
結晶を含む第１セラミックス層、及び、結晶を含み、上記第１セラミックス層と結晶の含有量が異なる第２セラミックス層を有するガラスセラミックス構造体であって、
上記第２セラミックス層は、厚み方向で上記第１セラミックス層の間に存在するか、又は、上記ガラスセラミックス構造体の表面に存在し、
上記ガラスセラミックス構造体の表面から上記第２セラミックス層までの厚み方向における最短距離と、上記第２セラミックス層の層厚との関係が、（表面からの最短距離）／（第２セラミックス層の層厚）≦１０であり、
上記第１セラミックス層の組成がＳｉＯ_２：４５重量％以上、７７．５重量％以下、Ｂ_２Ｏ_３：５重量％以上、２０重量％以下、Ａｌ_２Ｏ_３：２．６重量％以上、２０重量％以下、ＺｎＯ：２．７重量％以上、２０重量％以下、ＣｕＯ：０重量％以上、３．４重量％以下、ＢａＯ：０重量％以上、１０重量％以下であり、
上記結晶が、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＳｉ_２Ｏ_４、ＺｎＯ、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、ＺｎＴｉＯ_３、Ａｌ_２ＴｉＯ_５、ＴｉＯ_２、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４、ＭｇＳｉＯ_３及びＭｇＯからなる群から選択される少なくとも１種であり、
上記第２セラミックス層に存在する結晶のセラミックス断面に占める断面積の割合が、上記第１セラミックス層に存在する結晶のセラミックス断面に占める断面積の割合より多く、その差が１０面積％以上、７５面積％以下である、ことを特徴とするガラスセラミックス構造体。

＜２＞
上記結晶が２種以上である、＜１＞に記載のガラスセラミックス構造体。

＜３＞
上記第２セラミックス層を２層有する、＜１＞又は＜２＞に記載のガラスセラミックス構造体。

＜４＞
結晶を含む複数の第１セラミックス層、結晶を含み、上記第１セラミックス層と結晶の含有量が異なる第２セラミックス層、及び、内部電極を有するガラスセラミックス構造体であって、
上記第２セラミックス層は、厚み方向で上記第１セラミックス層の間に存在するか、又は、前記ガラスセラミックス構造体の表面に存在し、
上記第２セラミックス層と上記内部電極とは厚み方向で隣り合っているか、又は、厚み方向で上記第２セラミックス層と上記内部電極との間に上記第１セラミックス層が存在し、
上記内部電極から上記第２セラミックス層までの厚み方向における最短距離と、上記第２セラミックス層の層厚との関係が、（内部電極からの最短距離）／（第２セラミックス層の層厚）≦１０であり、
上記第１セラミックス層の組成がＳｉＯ_２：４５重量％以上、７７．５重量％以下、Ｂ_２Ｏ_３：５重量％以上、２０重量％以下、Ａｌ_２Ｏ_３：２．６重量％以上、２０重量％以下、ＺｎＯ：２．７重量％以上、２０重量％以下、ＣｕＯ：０重量％以上、３．４重量％以下、ＢａＯ：０重量％以上、１０重量％以下であり、
上記結晶が、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＳｉ_２Ｏ_４、ＺｎＯ、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、ＺｎＴｉＯ_３、Ａｌ_２ＴｉＯ_５、ＴｉＯ_２、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４、ＭｇＳｉＯ_３及びＭｇＯからなる群から選択される少なくとも１種であり、
上記第２セラミックス層に存在する結晶のセラミックス断面に占める断面積の割合が、上記第１セラミックス層に存在する結晶のセラミックス断面に占める断面積の割合より多く、その差が１０面積％以上、７５面積％以下である、ことを特徴とする、ガラスセラミックス構造体。

＜５＞
上記結晶が２種以上である、＜４＞に記載のガラスセラミックス構造体。

＜６＞
上記第２セラミックス層を２層有し、上記内部電極が厚み方向で上記第２セラミックス層の間に存在する、＜４＞又は＜５＞に記載のガラスセラミックス構造体。

＜７＞
＜１＞～＜６＞のいずれかに記載のガラスセラミックス構造体を含む電子部品。

以下、本発明のガラスセラミックス構造体をより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。

（ガラスセラミックス構造体の作製）
（Ａ）グリーンシートＡの作製
Ｂ_２Ｏ_３／ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３／ＺｎＯ／ＣｕＯを組成とするガラスフリットにＳｉＯ_２クォーツ粉末を混合し、焼成後組成として酸化物換算でＳｉＯ_２が７４．２１重量％、Ｂ_２Ｏ_３が１０．７６重量％、Ａｌ_２Ｏ_３が６．０３重量％、ＺｎＯが６．０２重量％、ＣｕＯが０．４７重量％、ＢａＯが２．５０重量％となる混合粉末原料を調製した（表５の組成１）。
調製した混合粉末原料をトルエン／エタノール混合溶媒及び分散剤と混合させ、ＰＳＺボール（直径：５ｍｍ）とともにボールミルで混合し、更にトルエン／エタノール混合溶媒で溶解したブチラール系バインダ溶液及び可塑剤を添加して、更に混合することで、目的とするスラリーを得た。得られたスラリーをドクターブレードでキャリアフィルム上に成形し、乾燥することで、焼成後の厚みが２０μｍとなるグリーンシートＡを得た。

（Ｂ）グリーンシートＢ１～Ｂ４の作製
グリーンシートＡで用いたガラスフリットを１０重量％以上、９５重量％以下、フィラー成分としてＡｌ_２Ｏ_３（グリーンシートＢ１）、ＺｎＯ（グリーンシートＢ２）、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４（グリーンシートＢ３）又はＢａＴｉＯ_３（グリーンシートＢ４）のいずれか１種を５重量％以上、９０重量％以下混合した粉末混合物を調製した。
調製した粉末混合物をＰＳＺボール（直径：５ｍｍ）とともにボールミルで混合し、更にトルエン／エタノール混合溶媒で溶解したブチラール系バインダ溶液及び可塑剤を添加して、更に混合することで、目的とするスラリーを得た。得られたスラリーをドクターブレードでキャリアフィルム上に成形し、乾燥することで、グリーンシートＢ１～Ｂ４のそれぞれについて、焼成後厚みが５、１０、５０μｍとなるグリーンシートを得た。

（Ｃ）ガラスセラミックス構造体の作製
ガラスセラミックス構造体は以下の手順で作製した。７８ｍｍ×５８ｍｍにカットしたグリーンシートＡを５０枚積層し、同じ寸法にカットした２枚のグリーンシートＢ１をグリーンシートＡの積層体の表面に積層するか、又は、グリーンシートＡの積層体の表面から厚み方向５０μｍ又は１００μｍの位置に積層した。
上記積層体について１６０ＭＰａで静水圧プレスを行い、圧着体を作製した。圧着体を３５ｍｍ×６ｍｍの個片にカットした後に、還元雰囲気中にて９００℃以上、１０００℃以下で６０分間以上焼成を行うことで、目的とするガラスセラミックス構造体（以下、試料とも記載する）を得た。グリーンシートＢ２～Ｂ４を用いた場合についても同様に、試料を作製した。

（Ｄ）ガラスセラミックス構造体の断面観察
ブレードダイシングを用いて、上記で作製した試料の断面を露出させた。エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）及びＸ線回折（ＸＲＤ）を用い、グリーンシートＢ１～Ｂ４のいずれかを積層した箇所近傍において、層状に結晶含有量が異なる層が観察された。結晶含有量が異なる層において、グリーンシートＡを積層した箇所に対して含有量が変化している結晶、及び／又は、グリーンシートＡを積層した箇所には存在せず、結晶含有量が異なる層にのみ析出している結晶が観察された。

グリーンシートＢ１を用いた試料においては、Ａｌ_２Ｏ_３、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８及びＺｎＡｌ_２Ｏ_４の結晶が増加していた。
グリーンシートＢ２を用いた試料においては、ＺｎＡｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ及びＺｎＳｉ_２Ｏ_４の結晶が増加していた。
グリーンシートＢ３を用いた試料においては、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４、ＭｇＳｉＯ_３及びＭｇＯの結晶が増加していた。
グリーンシートＢ４を用いた試料においては、ＺｎＴｉＯ_３、Ａｌ_２ＴｉＯ_５、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８及びＴｉＯ_２の結晶が増加していた。

セラミックス断面に占める結晶の断面積の割合が、周囲の層に比べ５面積％、１０面積％、４０面積％、７５面積％多くなっている試料について、抗折強度を測定して評価した。
結晶の断面積の割合は、以下のようにして算出した。まず走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって試料断面を観察し、結晶部位と非晶部位を特定の色でマーキングした。画像解析ソフト（ＩｍａｇｅＪ）を用いてマーキングを行った結晶部位を抽出し、白黒二値化処理を施したのち、結晶部位の断面積及び非晶部位の断面積を求めた。結晶部位の断面積を、結晶部位の断面積及び非晶部位の断面積の合計で除することにより、結晶の試料断面に占める断面積の割合を求めた。

（Ｅ）抗折強度の測定
上記と同様の手順で長さ３５ｍｍ×幅６ｍｍ×厚み０．６ｍｍの抗折強度測定用の試料を作製し、抗折強度を測定した。具体的には、図６に示すように２点の支点Ｆ_２、Ｆ_３で試料（ガラスセラミックス構造体１００）を下側から支えつつ、試料の中心部にプローブＰｂを降下させ、破断したときの押下圧力を抗折強度とした。支点Ｆ_１とＦ_２の距離、支点Ｆ_１とＦ_３の距離は、いずれも２０ｍｍとし、押下速度は１ｍｍ／ｍｉｎであった。測定はオートグラフＡＧＸ－５ｋＮＸ（島津製作所社製）を用いて行った。図６は、実施例で作製したガラスセラミックス構造体の抗折強度を測定する方法を示す斜視図である。
グリーンシートＡのみを積層、焼成して作製された参考試料の抗折強度を１００％とした場合の抗折強度比が１２０％を超えた試料に関して、グリーンシートＢの効果ありと判断した。結果を表１～４に示す。
表１にグリーンシートＢ１を用いた試料の、第１セラミックス層と比較した第２セラミックス層における結晶の断面積の増加割合、第２セラミックス層の層厚（ｔ）、第２セラミックス層の試料表面からの距離（Ｄ１）、試料の抗折強度の比、（Ｄ１）／（ｔ）を示す。
表１と同様に、表２～４にグリーンシートＢ２～Ｂ４を用いた場合の結果を示す。

表１～４に示すように、結晶の増加割合が１０面積％以上、７５面積％以下で、かつ、（表面からの最短距離）／（第２セラミックス層の層厚）≦１０である試料は、第２セラミックス層のない参照試料に対し、２０％以上の抗折強度の向上が確認された。これは、ガラス等の非晶質に対し強度の強い結晶が局所的に存在することで、局所的に破壊靭性が付与されて強度が上がり、膨張係数の異なる物質が混ざりあうことで外部からかかる応力が分散されるためと考えられる。セラミックス構造体の表面からの距離が延びると強度が落ちる理由に関しては、応力の印加点と第２セラミックス層との間に、何も強化していない領域が増えていくためと考えられる。

グリーンシートＡが表５に示す組成２～７のセラミックス組成である場合も、第２セラミックス層の結晶の含有量が周囲と比べ１０面積％以上、７５面積％以下である場合、同様に試料の抗折強度の向上が確認された。

（内部電極を有するセラミックス構造体の作製）
（Ａ）グリーンシートＡの作製
焼成後の厚みが５～５０μｍとなるように厚みを変更する以外は、上記と同様にグリーンシートＡを得た。

（Ｂ）グリーンシートＢ１～Ｂ４の作製
上記と同様にグリーンシートＢ１～Ｂ４を得た。

（Ｃ）強度確認用試料の作製
焼成後の厚みが２０μｍとなるグリーンシートＡを２５層積層し、その上に焼成後の厚みが５μｍ、１０μｍ又は５０μｍとなるグリーンシートＢ１を積層した。その後、グリーンシートＡを０～５０μｍの間で任意の厚みで積層し、その上に、焼成後の厚さ５０μｍとなる内部電極（Ｃｕ）を形成した。内部電極の形成には、スクリーン版を用いたスクリーン印刷を行った。具体的には、マスク上にＣｕペーストを適量配置し、マスクとグリーンシートを接触させた。その後Ｃｕペーストをスキージングにより伸ばし、マスク開口よりグリーンシート上にＣｕペーストを印刷した。
更に内部電極の上にグリーンシートＡを０～５０μｍの厚さで積層した後、焼成後の厚みが５μｍ、１０μｍ又は５０μｍとなるグリーンシートＢ１を積層し、最後に再び焼成後の厚みが２０μｍとなるグリーンシートＡを２５層積層し、積層体を作製した。
上記積層体について１６０ＭＰａで静水圧プレスを行い、圧着体を作製した。圧着体を５ｍｍ×５ｍｍの個片にカットした後に、還元雰囲気中にて９００～１０００℃で６０分間以上焼成を行うことで、内部電極を有するセラミックス構造体を得、これを強度確認用試料とした。グリーンシートＢ２～Ｂ４を用いた場合についても同様に、強度確認用試料を作製した。

（Ｄ）強度確認試験
ブレードダイシングを用いて、上記で作製した強度確認用試料の断面を露出させた。Ｄ２＝１００の場合、図７に示すように、断面に観察される内部電極２１から厚み方向に約２０μｍの位置（打点Ｐ）に、ビッカース硬度計（マツザワ製）を用いて５０ｇｆにて打刻した。図７は、実施例で作製したガラスセラミックス構造体の強度を評価する模式断面図である。Ｄ２＝０の場合、図８に示すように、断面に観察される内部電極２１から幅方向に約２０μｍの位置（打点Ｐ）に、Ｄ２＝１００の場合と同様に打刻した。図８は、実施例で作製したガラスセラミックス構造体の強度を評価する模式断面図である。
打刻によりセラミックス内部にクラックが発生するが、このクラックを破断線ＢＬと定義した。打刻がセラミックスの強度を超える負荷の場合、打刻箇所から内部電極２１や第２セラミックス層１２に向けて破断線ＢＬが延びるが、各試料（ガラスセラミックス構造体２００）について、破断線ＢＬが内部電極２１に到達するか否かを観察した。
なお、グリーンシートＢ１～Ｂ４を使用しないでグリーンシートＡのみで形成されたセラミックスと内部電極の構造体（比較例１９）に関しても、同様の実験をした。結果を表６に示す。

表６に示すように、第２セラミックス層を有していない比較例１９、及び、（内部電極からの最短距離）／（第２セラミックス層の層厚）が２０である比較例２０～２７では、破断線が内部電極まで到達していたが、（内部電極からの最短距離）／（第２セラミックス層の層厚）≦１０を満たす実施例６１～９２では、破断線が内部電極まで到達しなかった。実施例６１～９２のセラミックス構造体は、実施例１～６０のセラミックス構造体と同様に、ガラス等の非晶質に対し強度の強い結晶が局所的に存在することで局所的に破壊靭性が付与されて強度が上がり、膨張係数の異なる物質が混ざりあうことで外部からかかる応力が分散されると考えられる。上記のことから、構造欠陥が起きた場合、ヒートサイクル試験等を通しても内部電極へのクラック延伸を阻止することができ、回路短絡や断線等の信頼性の低下を防止することができる。

実施例６１～９２及び比較例１９～２７で使用したグリーンシートＡのセラミックス組成は表５における組成１である。グリーンシートＡが表５に示す組成２～７のセラミックス組成である場合も、第２セラミックス層の結晶の含有量が第１セラミックス層と比べ１０面積％以上、７５面積％以下であると、実施例６１～９２と同様に破断線が内部電極まで到達しなかった。

１１　第１セラミックス層
１２　第２セラミックス層
１３、１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ　結晶
２１　内部電極
２２　ビア導体
２３、２４　外部電極
３０　チップ部品
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１１０　第一のガラスセラミックス構造体
１００ａ　第一のガラスセラミックス構造体の一方主面
１００ｂ　第一のガラスセラミックス構造体の他方主面
２００　第二のガラスセラミックス構造体
３００　電子部品
ｔ　第２セラミックス層の層厚
Ｄ１　表面からの最短距離
Ｄ２　内部電極からの最短距離
ＢＬ　破断線
Ｆ_１、Ｆ_２、Ｆ_３　支点
Ｐ　打点
Ｐｂ　プローブ

Claims

結晶を含む第１セラミックス層、及び、結晶を含み、前記第１セラミックス層と結晶の含有量が異なる第２セラミックス層を有するガラスセラミックス構造体であって、
前記第２セラミックス層は、厚み方向で前記第１セラミックス層の間に存在するか、又は、前記ガラスセラミックス構造体の表面に存在し、
前記ガラスセラミックス構造体の表面から前記第２セラミックス層までの厚み方向における最短距離と、前記第２セラミックス層の層厚との関係が、（表面からの最短距離）／（第２セラミックス層の層厚）≦１０であり、
前記第１セラミックス層の組成がＳｉＯ_２：４５重量％以上、７７．５重量％以下、Ｂ_２Ｏ_３：５重量％以上、２０重量％以下、Ａｌ_２Ｏ_３：２．６重量％以上、２０重量％以下、ＺｎＯ：２．７重量％以上、２０重量％以下、ＣｕＯ：０重量％以上、３．４重量％以下、ＢａＯ：０重量％以上、１０重量％以下であり、
前記結晶が、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＳｉ_２Ｏ_４、ＺｎＯ、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、ＺｎＴｉＯ_３、Ａｌ_２ＴｉＯ_５、ＴｉＯ_２、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４、ＭｇＳｉＯ_３及びＭｇＯからなる群から選択される少なくとも１種であり、
前記第２セラミックス層に存在する結晶のセラミックス断面に占める断面積の割合が、前記第１セラミックス層に存在する結晶のセラミックス断面に占める断面積の割合より多く、その差が１０面積％以上、７５面積％以下である、ことを特徴とするガラスセラミックス構造体。
前記結晶が２種以上である、請求項１に記載のガラスセラミックス構造体。
前記第２セラミックス層を２層有する、請求項１又は２に記載のガラスセラミックス構造体。
結晶を含む複数の第１セラミックス層、結晶を含み、前記第１セラミックス層と結晶の含有量が異なる第２セラミックス層、及び、内部電極を有するガラスセラミックス構造体であって、
前記第２セラミックス層は、厚み方向で前記第１セラミックス層の間に存在するか、又は、前記ガラスセラミックス構造体の表面に存在し、
前記第２セラミックス層と前記内部電極とは厚み方向で隣り合っているか、又は、厚み方向で前記第２セラミックス層と前記内部電極との間に前記第１セラミックス層が存在し、
前記内部電極から前記第２セラミックス層までの厚み方向における最短距離と、前記第２セラミックス層の層厚との関係が、（内部電極からの最短距離）／（第２セラミックス層の層厚）≦１０であり、
前記第１セラミックス層の組成がＳｉＯ_２：４５重量％以上、７７．５重量％以下、Ｂ_２Ｏ_３：５重量％以上、２０重量％以下、Ａｌ_２Ｏ_３：２．６重量％以上、２０重量％以下、ＺｎＯ：２．７重量％以上、２０重量％以下、ＣｕＯ：０重量％以上、３．４重量％以下、ＢａＯ：０重量％以上、１０重量％以下であり、
前記結晶が、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＳｉ_２Ｏ_４、ＺｎＯ、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、ＺｎＴｉＯ_３、Ａｌ_２ＴｉＯ_５、ＴｉＯ_２、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４、ＭｇＳｉＯ_３及びＭｇＯからなる群から選択される少なくとも１種であり、
前記第２セラミックス層に存在する結晶のセラミックス断面に占める断面積の割合が、前記第１セラミックス層に存在する結晶のセラミックス断面に占める断面積の割合より多く、その差が１０面積％以上、７５面積％以下である、ことを特徴とする、ガラスセラミックス構造体。
前記結晶が２種以上である、請求項４に記載のガラスセラミックス構造体。
前記第２セラミックス層を２層有し、前記内部電極が厚み方向で前記第２セラミックス層の間に存在する、請求項４又は５に記載のガラスセラミックス構造体。
請求項１～６のいずれか一項に記載のガラスセラミックス構造体を含む電子部品。