WO2024252830A1 - 半導体装置および車両 - Google Patents

Abstract

半導体装置は、半導体素子と、第１リードと、封止樹脂とを備える。前記第１リードは、第１リード裏面を有するダイパッド部と、第１端子部とを含む。前記封止樹脂は、ｚ方向を向く第２樹脂面およびｘ方向を向く第３樹脂面を有する。前記第１リードは、金属層を含む。前記第１リード裏面は、前記第２樹脂面から露出する。前記第１端子部は、第１端子根元部および第１端子先端部を有する。前記第１端子根元部は、前記第３樹脂面を貫通し且つ前記ｚ方向において前記第１樹脂面から離れている。前記第１端子先端部は、前記第１端子根元部よりも下方に位置する。前記第１端子先端部は、前記金属層から露出する先端面と、前記金属層に覆われた凹面とを有する。

Description

半導体装置および車両

　本開示は、半導体装置および車両に関する。

　特許文献１には、半導体装置の一例が開示されている。特許文献１に記載の半導体装置は、パッド主面およびパッド裏面を有する第１パッドを含む第１リードと、第２リードと、第３リードと、パッド主面の上に搭載された半導体素子と、パッド主面に接し、かつ半導体素子を覆う封止樹脂とを備える。第１リード、第２リードおよび第３リードは、同一方向に延びる第１端子、第２端子および第３端子を有する。第１端子、第２端子および第３端子が、回路基板等の貫通孔に挿通されることにより、この半導体装置が回路基板に実装される。この半導体装置が、ヒートシンクに取り付けられる場合、パッド裏面とヒートシンクとの間に、たとえば絶縁シートが設けられる。

特開２０１７－１７４９５１号公報

　半導体装置は、回路基板に端子部を挿通させる実装形態の他に、たとえば回路基板に面実装される形態が求められる場合がある。

　本開示は、従来より改良が施された半導体装置を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記した事情に鑑み、面実装可能な半導体装置を提供することを一の課題とする。また、面実装可能な半導体装置を備えた車両を提供することを一の課題とする。

　本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、半導体素子と、厚さ方向の一方を向き且つ前記半導体素子が搭載された第１リード主面および前記厚さ方向の他方を向く第１リード裏面を有するダイパッド部と、第１端子部とを含む第１リードと、前記厚さ方向の前記一方を向く第１樹脂面、前記厚さ方向の他方を向く第２樹脂面および前記厚さ方向と直交する第１方向の一方を向く第３樹脂面を有し、前記半導体素子と前記ダイパッド部の一部とを覆う封止樹脂と、を備える。前記第１リードは、前記第１端子部の一部を覆う金属層を含む。前記第１リード裏面は、前記第２樹脂面から露出している。前記第１端子部は、第１端子根元部および少なくとも１つの第１端子先端部を有する。前記第１端子根元部は、前記第３樹脂面を貫通し且つ前記厚さ方向において前記第１樹脂面から離れている。前記少なくとも１つの第１端子先端部は、前記第１端子根元部よりも前記厚さ方向の前記一方に位置し且つ実装に用いられる。前記少なくとも１つの第１端子先端部は、第１先端面と、前記第１先端面に繋がる凹面とを有する。前記第１先端面は、前記金属層から露出し、前記凹面は、前記金属層に覆われている。

　本開示の第２の側面によって提供される車両は、駆動源と、前記駆動源に供給する電力を蓄積する蓄電池と、外部から入力される電力を変換して前記蓄電池に供給する車載充電器と、を備える。前記車載充電器は、前記第１の側面によって提供される半導体装置を備える。

　上記構成によれば、面実装可能な半導体装置および面実装可能な半導体装置を備える車両をそれぞれ提供することができる。

　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

図１は、第１実施形態にかかる半導体装置を示す斜視図である。 図２は、図１の斜視図において、封止樹脂を想像線で示し、複数の接続部材を省略した図である。 図３は、第１実施形態にかかる半導体装置を示す斜視図である。 図４は、図３の斜視図において、封止樹脂を想像線で示した図である。 図５は、第１実施形態にかかる半導体装置を示す斜視図である。 図６は、第１実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。 図７は、図６の平面図において、封止樹脂を想像線で示した図である。 図８は、第１実施形態にかかる半導体装置を示す底面図である。 図９は、図８の底面図において、封止樹脂を想像線で示した図である。 図１０は、第１実施形態にかかる半導体装置を示す正面図である。 図１１は、第１実施形態にかかる半導体装置を示す右側面図である。 図１２は、図９のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。 図１３は、図９のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１４は、図９のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面図である。 図１５は、図９のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図である。 図１６は、図５の一部（第１端子先端部）を拡大した要部斜視図である。 図１７は、図８の一部（第１端子先端部）を拡大した要部底面図である。 図１８は、図１０の一部（第１端子先端部）を拡大した要部正面図である。 図１９は、第１実施形態にかかる半導体装置の使用状態を示す断面図である。 図２０は、第１実施形態にかかる半導体装置を備える車両を示す概要図である。 図２１は、第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一工程を示す底面図である。 図２２は、第２実施形態にかかる半導体装置を示す斜視図であって、図３に対応する。 図２３は、図２２の一部（第１端子先端部）を拡大した要部斜視図であって、図１６に対応する。 図２４は、第２実施形態にかかる半導体装置を示す要部底面図であって、図１７に対応する。 図２５は、第２実施形態にかかる半導体装置を示す要部正面図であって、図１８に対応する。 図２６は、第３実施形態にかかる半導体装置を示す斜視図であって、図３に対応する。 図２７は、図２６の一部（第１端子先端部）を拡大した要部斜視図であって、図１６に対応する。 図２８は、第３実施形態にかかる半導体装置を示す要部底面図であって、図１７に対応する。 図２９は、第３実施形態にかかる半導体装置を示す要部正面図であって、図１８に対応する。 図３０は、第４実施形態にかかる半導体装置を示す斜視図であって、図３に対応する。 図３１は、図３０の一部（第１端子先端部）を拡大した要部斜視図であって、図１６に対応する。 図３２は、第４実施形態にかかる半導体装置を示す要部底面図であって、図１７に対応する。 図３３は、第４実施形態にかかる半導体装置を示す要部正面図であって、図１８に対応する。 図３４は、第５実施形態にかかる半導体装置を示す斜視図であって、図５に対応する。 図３５は、第５実施形態の変形例にかかる半導体装置を示す斜視図であって、図５に対応する。 図３６は、第１変形例にかかる半導体装置を示す平面図であって、封止樹脂を想像線で示している。 図３７は、第２変形例にかかる半導体装置を示す平面図であって、封止樹脂を想像線で示している。 図３８は、図３７に示す半導体装置の製造方法の一工程を示す底面図であって、図２１に対応する。 図３９は、第３変形例にかかる半導体装置を示す斜視図であって、図５に対応する。 図４０は、第３変形例にかかる半導体装置を示す斜視図であって、図３に対応する。 図４１は、第４変形例にかかる半導体装置を示す斜視図であって、図５に対応する。 図４２は、第５変形例にかかる半導体装置を示す右側面図であって、図１１に対応する。

　本開示の半導体装置の好ましい実施の形態について、図面を参照して、以下に説明する。以下では、同一あるいは類似の構成要素に、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。

　本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」を含む。「ある方向に見てある物Ａがある物Ｂに重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。「ある物Ａ（の材料）がある材料Ｃを含む」とは、「ある物Ａ（の材料）がある材料Ｃからなる場合」、および、「ある物Ａ（の材料）の主成分がある材料Ｃである場合」を含む。「ある面Ａがある方向Ｂ（の一方側または他方側）を向く」とは、特段の断りのない限り、面Ａの方向Ｂに対する角度が９０°である場合に限定されず、面Ａが方向Ｂに対して傾いている場合を含む。「ある面Ａがある面Ｂに直交する」とは、特段の断りのない限り、面Ａの面Ｂに対する角度が９０°である場合に限定されず、面Ａが面Ｂに対して傾いている場合を含む。

　第１実施形態：
　図１～図１８は、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０を示している。半導体装置Ａ１０は、導通部材１０、半導体素子２０、複数の接続部材３１，３２，３３および封止樹脂４０を備える。

　一例として、説明の便宜上、半導体装置Ａ１０の厚さ方向を「厚さ方向ｚ」という。以下の説明では、厚さ方向ｚの一方を下方といい、他方を上方ということがある。「上」、「下」、「上方」、「下方」、「上面」および「下面」などの記載は、厚さ方向ｚにおける各部品等の相対的位置関係を示すものであり、必ずしも重力方向との関係を規定する用語ではない。厚さ方向ｚに対して直交する１つの方向を「第１方向ｘ」という。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘに直交する方向を「第２方向ｙ」という。

　導通部材１０は、半導体素子２０への導通経路を構成する部材である。本実施形態の導通部材１０は、第１リード１１、第２リード１２、第３リード１３および第４リード１４を含む。第１リード１１、第２リード１２、第３リード１３および第４リード１４の材料は、何ら限定されず、たとえば銅（Ｃｕ）または銅合金を含む。第１リード１１、第２リード１２、第３リード１３および第４リード１４の適所には、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）等のめっきが施されている。当該めっきは、後に詳述する各金属層１１０，１２０，１３０，１４０に相当する。図１～図１１において、当該めっき（後述の各金属層１１０，１２０，１３０，１４０）の図示を省略する。

　図１～図１８に示すように、第１リード１１は、金属層１１０、ダイパッド部１１１および第１端子部１１２を含む。

　金属層１１０は、第１リード１１の一部を覆う。金属層１１０は、先述の通り、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）等のめっきである。金属層１１０の材料は、これらに限定されないが、第１リード１１の材料（例えばＣｕ）よりも、後述の接合層２９との接合強度が高いものがよい。

　ダイパッド部１１１は、第１リード主面１１１１および第１リード裏面１１１２を有する。第１リード主面１１１１は、厚さ方向ｚの一方（下方）を向く面である。第１リード裏面１１１２は、厚さ方向ｚの他方（上方）を向く面である。第１リード主面１１１１には、半導体素子２０が搭載されている。

　本実施形態のダイパッド部１１１は、第１リード側面１１１３および第１中間面１１１４をさらに有する。第１リード側面１１１３は、厚さ方向ｚにおいて第１リード主面１１１１と第１リード裏面１１１２との間に位置しており、第１方向ｘの下方を向く面である。第１中間面１１１４は、厚さ方向ｚにおいて第１リード主面１１１１と第１リード裏面１１１２との間に位置しており、厚さ方向ｚの下方（第１リード主面１１１１と同じ側）を向く面である。

　ダイパッド部１１１の形状は、何ら限定されない。図示された例においては、ダイパッド部１１１は、厚さ方向ｚに見て矩形状である。第１リード主面１１１１および第１リード裏面１１１２の形状は、何ら限定されず、図示された例においては、厚さ方向ｚに見て矩形状である。

　本実施形態では、図１２に示すように、ダイパッド部１１１の全面が、金属層１１０で覆われている。当該金属層１１０は、半導体素子２０が接合される領域（後述の接合層２９に接する領域）には、形成されていなくてもよいし、他の領域と異なる材料であってもよい。

　第１端子部１１２は、ダイパッド部１１１に繋がる。第１端子部１１２の大部分は、封止樹脂４０から露出する。第１端子部１１２は、封止樹脂４０に対して第１方向ｘの一方側に突き出る。第１端子部１１２は、ガルウィング形に屈曲する。第１端子部１１２は、第１端子根元部１１２１、２つの第１端子先端部１１２２および２つの第１端子中間部１１２３を有する。

　第１端子根元部１１２１は、ダイパッド部１１１に繋がっており、ダイパッド部１１１から第１方向ｘの一方に延びており、図示された例においては厚さ方向ｚに直交する平面（ｘ－ｙ平面）に平行である。本実施形態においては、ダイパッド部１１１の厚さ（厚さ方向ｚに沿う寸法）は、第１端子根元部１１２１の厚さ（厚さ方向ｚに沿う寸法）よりも大きい。本実施形態の第１端子部１１２は、１つの第１端子根元部１１２１を有する。第１端子根元部１１２１の形状は、何ら限定されず、図示された例においては、厚さ方向ｚに見て矩形状である。第１端子根元部１１２１は、厚さ方向ｚにおいて第１リード裏面１１１２から離れており、図示された例においては、第１リード主面１１１１と接している。第１端子根元部１１２１の下面（厚さ方向ｚ下方を向く面）は、第１リード主面１１１１と面一である。

　第１端子根元部１１２１のうち、第１方向ｘの一方側を向く面の一部の領域は、金属層１１０から露出する。この一部の領域は、後に詳述するリードフレーム８０の枠体８１（図２１参照）に繋がる部分に相当する。

　図６および図７に示すように、第１端子根元部１１２１は、一対の根元側面１１２１ａを有する。一対の根元側面１１２１ａは、第２方向ｙに離間し、第２方向ｙにおいて互いに反対側を向く。一対の根元側面１１２１ａは、第２方向ｙに直交する平面（ｘ－ｚ平面）に平行である。一対の根元側面１１２１ａは、ｘ－ｚ平面に対して少し傾斜していてもよいし、湾曲していてもよい。一対の根元側面１１２１ａにはそれぞれ、窪み１１３が形成されている。つまり、第１リード１１は、一対の窪み１１３を有する。半導体装置Ａ１０では、一対の窪み１１３は、一対の根元側面１１２１ａから第２方向ｙにそれぞれ個別に窪んでいる。半導体装置Ａ１０と異なる構成において、第１端子部１１２に窪み１１３が形成されていなくてもよい。

　２つの第１端子先端部１１２２はそれぞれ、第１端子根元部１１２１に対して厚さ方向ｚの下方に位置している。２つの第１端子根元部１１２１はそれぞれ、半導体装置Ａ１０を回路基板等に面実装する際に用いられる。

　図１６～図１８に示すように、２つの第１端子先端部１１２２はそれぞれ、第１先端面１１２２ａおよび凹面１１２２ｄを有する。以下で説明する第１先端面１１２２ａおよび凹面１１２２ｄはそれぞれ、特段の断りがない限り、各第１端子先端部１１２２で共通する。理解の便宜上、図１６～図１８において、第１先端面１１２２ａをドットで描画する。

　第１先端面１１２２ａは、各第１端子先端部１１２２のうち、第１端子中間部１１２３に繋がる端部と反対側の端面、つまり、第１端子根元部１１２１から遠い端面である。第１先端面１１２２ａは、金属層１１０から露出する。第１先端面１１２２ａは、２つの露出領域１１２２ｂを含む。

　２つの露出領域１１２２ｂは、第１方向ｘに離間する。２つの露出領域１１２２ｂはそれぞれ、第１端子先端部１１２２の上面（厚さ方向ｚ上方を向く面）と第１端子先端部１１２２の下面（厚さ方向ｚ下方を向く面）とに繋がる。

　凹面１１２２ｄは、第１先端面１１２２ａに繋がる。凹面１１２２ｄは、２つの露出領域１１２２ｂに挟まれている。本実施形態では、凹面１１２２ｄは、第１端子先端部１１２２の上面（厚さ方向ｚ上方を向く面）と第１端子先端部１１２２の下面（厚さ方向ｚ下方を向く）とにそれぞれ繋がる。凹面１１２２ｄは、２つの露出領域１１２２ｂから第２方向ｙに窪む。凹面１１２２ｄは、２つの露出領域１１２２ｂの一方に繋がる側壁、２つの露出領域１１２２ｂの他方に繋がる側壁および当該２つの側壁に繋がる底部を有する。本実施形態では、底部は、平坦であるが、湾曲していてもよい。本実施形態では、各側壁は、平坦であるが、湾曲していてもよいし、第１方向ｘに直交する平面（ｙ－ｚ平面）に対して傾斜していてもよい。凹面１１２２ｄは、金属層１１０に覆われている。

　２つの第１端子中間部１１２３は、第１端子根元部１１２１と２つの第１端子先端部１１２２との間にそれぞれ個別に介在する。各第１端子中間部１１２３は、第１端子根元部１１２１から厚さ方向ｚ下方に延びている。図示された例においては、各第１端子中間部１１２３は、第１端子根元部１１２１から第２方向ｙの外側に延出するように厚さ方向ｚに対して傾いている。この例と異なり、各第１端子中間部１１２３は、厚さ方向ｚに対し平行であってもよく、この構成では、半導体装置Ａ１０の第１方向ｘの寸法を縮小することができる。一方、第１端子中間部１１２３が厚さ方向ｚに対して傾斜している構成では、半導体装置Ａ１０の製造（たとえば第１端子部１１２の屈曲）が容易となる。各第１端子中間部１１２３の形状は何ら限定されない。

　本実施形態においては、２つの第１端子先端部１１２２は、２つの第２端子中間部１２２３からそれぞれ個別に第２方向ｙの外側に延出している。２つの第１端子先端部１１２２はそれぞれ、第２方向ｙに対して平行である。図示された例においては、２つの第１端子先端部１１２２と２つの第１端子中間部１１２３とは、第１方向ｘにおける位置が同じである。図示された例では、図１１に示すように、２つの第１端子先端部１１２２はそれぞれ、ｘ－ｙ平面に対して傾斜する。この例と異なり、２つの第１端子先端部１１２２はそれぞれ、ｘ－ｙ平面に平行であってもよい。

　第１端子部１１２は、第１先端面１１２２ａの２つの露出領域１１２２ｂを除いて、金属層１１０に覆われている。つまり、第１端子部１１２において、２つの露出領域１１２２ｂは、金属層１１０から露出する。凹面１１２２ｄは、金属層１１０に覆われている。

　第２リード１２は、第１リード１１（ダイパッド部１１１）に対して第１方向ｘの他方側に離れて位置している。第２リード１２は、金属層１２０、パッド部１２１および複数の第２端子部１２２を含む。

　金属層１２０は、第２リード１２の一部を覆う。金属層１２０は、先述の通り、Ａｇ、Ｎｉ、Ｓｎ等のめっきである。金属層１１０の材料は、これらに限定されない。

　パッド部１２１は、第２リード主面１２１１および第２リード裏面１２１２を有する。第２リード主面１２１１は、厚さ方向ｚの下方（一方）を向く面である。第２リード裏面１２１２は、厚さ方向ｚの上方（他方）を向く面である。第２リード主面１２１１には、接続部材３１が接続されている。パッド部１２１の形状は何ら限定されず、図示された例においては、第２方向ｙを長手方向とする長矩形状である。厚さ方向ｚに見て、パッド部１２１は、ダイパッド部１１１よりも小さい。パッド部１２１の厚さ方向ｚの寸法は、ダイパッド部１１１の厚さ方向ｚの寸法よりもが小さく、第１端子部１１２の厚さ方向ｚの寸法と同じである。図示された例においては、第２リード主面１２１１は、厚さ方向ｚにおける位置がダイパッド部１１１の第１リード主面１１１１と同じである。

　複数の第２端子部１２２はそれぞれ、パッド部１２１に繋がる。各第２端子部１２２の大部分は、封止樹脂４０から露出する。各第２端子部１２２は、封止樹脂４０に対して第１方向ｘの他方側に突き出る。よって、複数の第２端子部１２２はそれぞれ、第１方向ｘにおいて、封止樹脂４０を挟んで、第１端子部１１２と反対側に配置される。複数の第２端子部１２２は、第２方向ｙに並んで配置されている。複数の第２端子部１２２はそれぞれ、ガルウィング形に屈曲する。図１２から理解されるように、複数の第２端子部１２２はそれぞれ、第２端子根元部１２２１、第２端子先端部１２２２および第２端子中間部１２２３を有する。以下で説明する第２端子根元部１２２１、第２端子先端部１２２２および第２端子中間部１２２３はそれぞれ、特段の断りがない限り、各第２端子部１２２で共通する。

　第２端子根元部１２２１は、パッド部１２１に繋がっており、パッド部１２１から第１方向ｘの他方側に延びており、図示された例においてはｘ－ｙ平面に平行である。第２端子根元部１２２１の形状は、何ら限定されず、図示された例においては、厚さ方向ｚに見て矩形状である。

　第２端子先端部１２２２は、第２端子根元部１２２１に対して厚さ方向ｚの下方側に位置している。第２端子先端部１２２２は、半導体装置Ａ１０を回路基板等に面実装する際に用いられる。第２端子先端部１２２２は、第１方向ｘに沿って延びる形状である。図示された例では、図１２に示すように、第２端子先端部１２２２は、ｘ－ｙ平面に対して傾斜する。この例と異なり、第２端子先端部１２２２は、ｘ－ｙ平面に平行であってもよい。

　第２端子中間部１２２３は、第２端子根元部１２２１と第２端子先端部１２２２との間に介在している。第２端子中間部１２２３は、第２端子根元部１２２１から厚さ方向ｚの下方に延びている。図示された例においては、第２端子中間部１２２３は、厚さ方向ｚ（ｙ－ｚ平面）に対して傾いている。この例と異なり、第２端子中間部１２２３は、厚さ方向ｚに対し平行であってもよく、この構成では、半導体装置Ａ１０の第１方向ｘの寸法を縮小することができる。一方、第２端子中間部１２２３が厚さ方向ｚに対して傾斜している構成では、半導体装置Ａ１０の製造（たとえば第２端子部１２２の屈曲）が容易となる。第２端子中間部１２２３の形状は何ら限定されない。

　各第２端子部１２２は、第２端子先端部１２２２の先端面を除いて、金属層１２０に覆われている。つまり、各第２端子部１２２において、第２端子先端部１２２２の先端面は、金属層１２０から露出する。当該先端面は、第２端子先端部１２２２のうち、第２端子中間部１２２３に繋がる端部と反対側の端面のことである。

　第３リード１３は、第１リード１１（ダイパッド部１１１）に対して第１方向ｘの他方側に離れて位置している。第３リード１３は、第２方向ｙにおいて第２リード１２と並んでいる。第３リード１３は、金属層１３０、パッド部１３１および第３端子部１３２を含む。

　パッド部１３１は、第３リード主面１３１１および第３リード裏面１３１２を有する。第３リード主面１３１１は、厚さ方向ｚ下方を向く面である。第３リード裏面１３１２は、厚さ方向ｚ上方を向く面である。第３リード主面１３１１には、接続部材３２が接続されている。パッド部１３１の形状は何ら限定されず、図示された例においては、厚さ方向ｚに見て矩形状である。厚さ方向ｚに見て、パッド部１３１は、パッド部１２１よりも小さい。パッド部１３１の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）は、ダイパッド部１１１の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）よりも小さく、パッド部１２１の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）と同じである。図示された例においては、第３リード主面１３１１は、厚さ方向ｚにおける位置がダイパッド部１１１の第１リード主面１１１１と同じである。

　第３端子部１３２は、パッド部１３１に繋がる。第３端子部１３２の大部分は、封止樹脂４０から露出する。第３端子部１３２は、封止樹脂４０に対して第１方向ｘの他方側に突き出る。よって、第３端子部１３２は、第１方向ｘにおいて、封止樹脂４０を挟んで、第１端子部１１２と反対側に配置される。第３端子部１３２は、複数の第２端子部１２２の第２方向ｙの他方側に配置される。第３端子部１３２は、ガルウィング形に屈曲する。図１４に示すように、第３端子部１３２は、根元部１３２１、先端部１３２２および中間部１３２３を含む。

　根元部１３２１は、パッド部１３１に繋がり、パッド部１３１から第１方向ｘの他方側に延びる。図示された例において、根元部１３２１は、ｘ－ｙ平面に平行である。根元部１３２１の形状は、何ら限定されず、図示された例においては、厚さ方向ｚに見て矩形状である。根元部１３２１は、封止樹脂４０に覆われた部分と封止樹脂４０から露出する部分とを含む。

　先端部１３２２は、根元部１３２１に対して厚さ方向ｚの下方側に位置している。先端部１３２２は、半導体装置Ａ１０を回路基板等に面実装する際に用いられる。先端部１３２２は、厚さ方向ｚに見て、第１方向ｘに沿って延びる。図示された例では、図１４に示すように、先端部１３２２は、ｘ－ｙ平面に対して傾斜する。この例と異なり、先端部１３２２は、ｘ－ｙ平面に平行であってもよい。

　中間部１３２３は、根元部１３２１と先端部１３２２との間に介在する。中間部１３２３は、根元部１３２１から厚さ方向ｚの下方に延びている。図示された例においては、中間部１３２３は、厚さ方向ｚ（ｙ－ｚ平面）に対して傾いている。この例と異なり、中間部１３２３は、厚さ方向ｚに対し平行であってもよく、この構成では、半導体装置Ａ１０の第１方向ｘの寸法を縮小することができる。一方、中間部１３２３が厚さ方向ｚに対して傾斜している構成では、半導体装置Ａ１０の製造（たとえば第３端子部１３２の屈曲）が容易となる。中間部１３２３の形状は何ら限定されない。

　第３端子部１３２は、先端部１３２２の先端面を除いて、金属層１３０に覆われている。つまり、先端部１３２２の先端面は、金属層１３０から露出する。当該先端面は、先端部１３２２のうち、中間部１３２３に繋がる端部と反対側の端面のことである。

　第４リード１４は、第１リード１１（ダイパッド部１１１）に対して第１方向ｘの他方側に離れて位置している。第４リード１４は、第２方向ｙにおいて第２リード１２と第３リード１３との間に位置している。第４リード１４は、金属層１４０、パッド部１４１および第４端子部１４２を含む。

　パッド部１４１は、第４リード主面１４１１および第４リード裏面１４１２を有する。第４リード主面１４１１は、厚さ方向ｚ下方を向く。第４リード裏面１４１２は、厚さ方向ｚ上方を向く。第４リード主面１４１１には、接続部材３３が接続されている。パッド部１４１の形状は何ら限定されず、図示された例においては、厚さ方向ｚに見て矩形状である。厚さ方向ｚに見て、パッド部１４１は、パッド部１２１よりも小さく、パッド部１３１と同程度の大きさである。パッド部１４１の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）は、ダイパッド部１１１の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）よりも小さく、パッド部１２１およびパッド部１３１の各厚さ（厚さ方向ｚの寸法）と同じである。図示された例においては、第４リード主面１４１１は、厚さ方向ｚにおける位置がダイパッド部１１１の第１リード主面１１１１と同じである。

　第４端子部１４２は、パッド部１４１に繋がる。第４端子部１４２の大部分は、封止樹脂４０から露出する。第４端子部１４２は、封止樹脂４０に対して第１方向ｘの他方側に突き出る。よって、第４端子部１４２は、第１方向ｘにおいて、封止樹脂４０を挟んで、第１端子部１１２と反対側に配置される。第４端子部１４２は、複数の第２端子部１２２の第２方向ｙの他方側に配置され、第２方向ｙにおいて、複数の第２端子部１２２と第３端子部１３２との間に位置する。第４端子部１４２は、ガルウィング形に屈曲する。図１３に示すように、第４端子部１４２は、根元部１４２１、先端部１４２２および中間部１４２３を含む。

　根元部１４２１は、パッド部１４１に繋がり、パッド部１４１から第１方向ｘの他方側に延びる。図示された例においては、根元部１４２１は、ｘ－ｙ平面に平行である。根元部１４２１の形状は、何ら限定されず、図示された例においては、厚さ方向ｚに見て矩形状である。根元部１４２１は、封止樹脂４０に覆われた部分と封止樹脂４０から露出する部分とを含む。

　先端部１４２２は、根元部１４２１に対して厚さ方向ｚの下方側に位置している。先端部１４２２は、半導体装置Ａ１０を回路基板等に面実装する際に用いられる。先端部１４２２は、厚さ方向ｚに見て、第１方向ｘに沿って延びる。図示された例では、図１３に示すように、先端部１４２２は、ｘ－ｙ平面に対して傾斜する。この例と異なり、先端部１４２２は、ｘ－ｙ平面に平行であってもよい。

　中間部１４２３は、根元部１４２１と先端部１４２２との間に介在する。中間部１４２３は、根元部１４２１から厚さ方向ｚの下方に延びている。図示された例においては、中間部１４２３は、厚さ方向ｚ（ｙ－ｚ平面）に対して傾いている。この例と異なり、中間部１４２３は、厚さ方向ｚに対し平行であってもよく、この構成では、半導体装置Ａ１０の第１方向ｘの寸法を縮小することができる。一方、中間部１４２３が厚さ方向ｚに対して傾斜している構成では、半導体装置Ａ１０の製造（たとえば第４端子部１４２の屈曲）が容易となる。中間部１４２３の形状は何ら限定されない。

　第４端子部１４２は、先端部１４２２の先端面を除いて、金属層１４０に覆われている。つまり、先端部１４２２の先端面は、金属層１４０から露出する。当該先端面は、先端部１４２２のうち、中間部１４２３に繋がる端部と反対側の端面のことである。

　半導体装置Ａ１０では、図６に示すように、第１リード１１の各第１端子中間部１１２３の幅Ｗ１１２３は、たとえば第２リード１２の各第２端子中間部１２２３の幅Ｗ１２２３の０．５倍以上２倍以下である。第１端子中間部１１２３の幅Ｗ１１２３は、次の方向に沿う寸法であり、特許請求の範囲に記載の「第１寸法」の一例である。当該方向は、厚さ方向ｚと、厚さ方向ｚに見た第１端子中間部１１２３の延出方向と、に直交する方向であり、本実施形態では、第１方向ｘである。つまり、本実施形態では、第１端子中間部１１２３の幅Ｗ１１２３は、第１端子中間部１１２３の第１方向ｘに沿う寸法である。第２端子中間部１２２３の幅Ｗ１２２３は、次の方向に沿う寸法であり、特許請求の範囲に記載の「第２寸法」の一例である。当該方向は、厚さ方向ｚと、厚さ方向ｚに見た第２端子中間部１２２３の延出方向と、に直交する方向であり、本実施形態では、第２方向ｙである。つまり、本実施形態では、第２端子中間部１２２３の幅Ｗ１２２３は、第２端子中間部１２２３の第２方向ｙに沿う寸法である。第１端子中間部１１２３の幅Ｗ１１２３と、各第２端子中間部１２２３の幅Ｗ１２２３との関係は、上記したものに限定されない。

　半導体装置Ａ１０では、図６に示すように、第２リード１２の各第２端子中間部１２２３の幅Ｗ１２２３と、第３リード１３の中間部１３２３の幅Ｗ１３２３と、第４リード１４の中間部１４２３の幅Ｗ１４２３とは、同じである。中間部１３２３の幅Ｗ１３２３は、次の方向に沿う寸法である。当該方向は、厚さ方向ｚと、厚さ方向ｚに見た中間部１３２３の延出方向と、に直交する方向であり、本実施形態では、第２方向ｙである。つまり、本実施形態では、中間部１３２３の幅Ｗ１３２３は、中間部１３２３の第２方向ｙに沿う寸法である。中間部１４２３の幅Ｗ１４２３は、次の方向に沿う寸法である。当該方向は、厚さ方向ｚと、厚さ方向ｚに見た中間部１４２３の延出方向と、に直交する方向であり、本実施形態では、第２方向ｙである。つまり、本実施形態では、中間部１４２３の幅Ｗ１４２３は、中間部１４２３の第２方向ｙに沿う寸法である。各第２端子中間部１２２３の幅Ｗ１２２３と、中間部１３２３の幅Ｗ１３２３と、中間部１４２３の幅Ｗ１４２３との関係は、上記したものに限定されない。

　半導体素子２０は、図４、図９および図１２～図１５に示すように、ダイパッド部１１１の第１リード主面１１１１に搭載されている。半導体装置Ａ１０においては、半導体素子２０は、ｎチャネル型であり、かつ縦型構造のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。半導体素子２０は、ＭＯＳＦＥＴに限定されない。半導体素子２０は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などの他のトランジスタでもよい。さらに半導体素子２０は、ダイオードでもよい。半導体素子２０は、半導体層２０５、第１電極２０１、第２電極２０２および第３電極２０３を有する。

　半導体層２０５は、化合物半導体基板を含む。化合物半導体基板の主材料は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）である。この他、化合物半導体基板の主材料として、ケイ素（Ｓｉ）を用いてもよい。

　第１電極２０１は、半導体層２０５のうち、厚さ方向ｚにおいて第１リード１１のダイパッド部１１１の第１リード主面１１１１が向く側（下方側）の部分に設けられている。第１電極２０１は、半導体素子２０のソース電極に相当する。

　第２電極２０２は、半導体層２０５のうち厚さ方向ｚにおいて第１電極２０１とは反対側の部分に設けられている。第２電極２０２は、第１リード１１のダイパッド部１１１の第１リード主面１１１１に対向している。第２電極２０２は、半導体素子２０のドレイン電極に相当する。本実施形態においては、第２電極２０２は、接合層２９を介して第１リード主面１１１１に接合されている。接合層２９は、たとえば、はんだ、銀（Ａｇ）ペースト、焼成銀等である。

　第３電極２０３は、半導体層２０５のうち厚さ方向ｚにおいて第１電極２０１と同じ側の部分に設けられ、かつ第１電極２０１から離れて位置する。第３電極２０３は、半導体素子２０のゲート電極に相当する。厚さ方向ｚに見て、第３電極２０３の面積は、第１電極２０１の面積よりも小である。

　接続部材３１は、図９および図１２に示すように、半導体素子２０の第１電極２０１と第２リード１２のパッド部１２１の第２リード主面１２１１とに接合されている。接続部材３１の材質は何ら限定されず、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の金属を含む。接続部材３１の本数は何ら限定されず、複数の接続部材３１を備えていてもよい。図示された例においては、接続部材３１は、アルミニウム（Ａｌ）を含み、扁平な帯状の部材である。

　接続部材３２は、図９および図１４に示すように、半導体素子２０の第３電極２０３と第３リード１３のパッド部１３１の第３リード主面１３１１とに接続されている。図示された例においては、接続部材３２は、金（Ａｕ）を含み、接続部材３１よりも細い線状部材である。

　接続部材３３は、図９および図１３に示すように、半導体素子２０の第１電極２０１と第４リード１４のパッド部１４１の第４リード主面１４１１とに接続されている。図示された例においては、接続部材３３は、金（Ａｕ）を含み、接続部材３１よりも細い線状部材である。

　本実施形態においては、第１リード１１の第１端子部１１２は、ドレイン端子であり、第２リード１２の複数の第２端子部１２２は、ソース端子であり、第３リード１３の第３端子部１３２は、ゲート端子であり、第４リード１４の第４端子部１４２は、ソースセンス端子である。

　封止樹脂４０は、図１～図１８に示すように、半導体素子２０と、複数の接続部材３１，３２，３３と、第１リード１１、第２リード１２、第３リード１３および第４リード１４の一部ずつとを覆っている。封止樹脂４０は、電気絶縁性を有する。封止樹脂４０は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を含む材料からなる。封止樹脂４０は、第１樹脂面４１、第２樹脂面４２、第３樹脂面４３、第４樹脂面４４、第５樹脂面４５および第６樹脂面４６を有する。

　第１樹脂面４１は、厚さ方向ｚにおいて第１リード１１のダイパッド部１１１の第１リード主面１１１１と同じ側（下方側）を向く。第２樹脂面４２は、厚さ方向ｚにおいて第１樹脂面４１とは反対側（上方側）を向く。第２樹脂面４２から、第１リード１１のダイパッド部１１１の第１リード裏面１１１２が露出している。第２樹脂面４２と第１リード裏面１１１２とは、互いに面一である。第１リード裏面１１１２は、第１方向ｘにおいて第３樹脂面４３から離れている。

　第３樹脂面４３は、第１方向ｘの一方を向いている。第１リード１１の第１端子部１１２の第１端子根元部１１２１は、第３樹脂面４３を貫通している。本実施形態においては、１つの第１端子根元部１１２１が、第３樹脂面４３を貫通している。第１端子根元部１１２１は、厚さ方向ｚにおいて第２樹脂面４２から離れている。

　第４樹脂面４４は、第１方向ｘにおいて第３樹脂面４３とは反対側（他方側）を向いている。本実施形態においては、第２リード１２の複数の第２端子部１２２の第２端子根元部１２２１、第３リード１３の第３端子部１３２の根元部１３２１および第４リード１４の第４端子部１４２の根元部１４２１が、第４樹脂面４４を貫通している。

　第５樹脂面４５および第６樹脂面４６は、第２方向ｙにおいて互いに反対側を向く。第６樹脂面４６は、第２方向ｙの一方を向き、第５樹脂面４５は、第２方向ｙの他方を向く。

　図８に示すように、第１リード１１の第１端子部１１２の２つの第１端子先端部１１２２の第２方向ｙにおける端部は、第２方向ｙにおいて封止樹脂４０の第５樹脂面４５および第６樹脂面４６とほぼ同じ位置にある。当該２つの第１端子先端部１１２２の第２方向ｙの端部は、第５樹脂面４５および第６樹脂面４６からそれぞれ第２方向ｙの外側にはみ出ていてもよいし、はみ出ていなくてもよい。

　図１９は、半導体装置Ａ１０の使用状態を示している。本使用例においては、半導体装置Ａ１０は、回路基板９２に面実装されている。すなわち、第１端子部１１２の各第１端子先端部１１２２、各第２端子部１２２の第２端子先端部１２２２、第３端子部１３２の先端部１３２２および第４端子部１４２の先端部１４２２が、たとえばはんだ９２１によって、回路基板９２の配線パターン（図示略）に導通接合されている。ダイパッド部１１１の第１リード裏面１１１２には、ヒートシンク９１が対向配置されている。図示された例においては、第１リード裏面１１１２とヒートシンク９１との間に、シート材９１９が配置されている。シート材９１９は、たとえば絶縁シートである。図示された例においては、封止樹脂４０（第１樹脂面４１）と回路基板９２との間に少し隙間があるが、第１樹脂面４１が回路基板９２に接していてもよい。

　図２０は、半導体装置Ａ１０を備える車両Ｖを示している。車両Ｖは、車両Ｖは、たとえば電気自動車（ＥＶ：Electric Vehicle）である。

　図２０に示すように、車両Ｖは、車載充電器９５、蓄電池９６および駆動系統９７を備える。車載充電器９５には、屋外に設置された給電施設（図示略）から無線により電力が供給される。この他、給電施設から車載充電器９５への電力の供給手段は、有線でもよい。車載充電器９５には、昇圧型のＤＣ－ＤＣコンバータが構成されている。図２０に示すように、半導体装置Ａ１０は、車載充電器９５の一部であり、たとえば先述のＤＣ－ＤＣコンバータに用いられる。車載充電器９５に供給された電力の電圧は、当該コンバータにより昇圧された後、蓄電池９６に給電される。昇圧された電圧は、たとえば６００Ｖである。

　駆動系統９７は、車両Ｖを駆動する。駆動系統９７は、インバータ９７１および駆動源９７２を有する。蓄電池９６に蓄えられた電力は、インバータ９７１に給電される。蓄電池９６からインバータ９７１に給電される電力は、直流電力である。この他、図２０に示す電力系統とは異なり、蓄電池９６とインバータ９７１との間に昇圧型のＤＣ－ＤＣコンバータをさらに設けてもよい。インバータ９７１は、直流電力を交流電力に変換する。インバータ９７１は、駆動源９７２に導通している。駆動源９７２は、交流モータおよび変速機を有する。インバータ９７１によって変換された交流電力が駆動源９７２に供給されると、交流モータが回転するとともに、その回転が変速機に伝達される。変速機は、交流モータから伝達された回転数を適宜減じた上で、車両Ｖの駆動軸を回転させる。これにより、車両Ｖが駆動する。車両Ｖの駆動にあたっては、アクセルペダルの変動量などの情報に基づき交流モータの回転数を自在に操作する必要がある。そこで、インバータ９７１は、要求される交流モータの回転数に対応させるべく、周波数が適宜変化された交流電力を出力するために必要である。

　図２１は、半導体装置Ａ１０の製造方法の一工程を示している。図２１に示す工程では、導通部材１０が、第１リード１１、第２リード１２、第３リード１３および第４リード１４に分離される前のリードフレーム８０である状態を示している。

　図２１に示すように、リードフレーム８０は、枠体８１を含んでいる。枠体８１によって、第１リード１１、第２リード１２、第３リード１３および第４リード１４は、互いに繋がっている。第１リード１１と枠体８１との連結部分には、貫通孔１１２０が形成されている。貫通孔１１２０の厚さ方向ｚに見た形状は、何ら限定されないが、図示された例では、矩形である。このようなリードフレーム８０に状態において、めっきが施される。これにより、リードフレーム８０の表面が、当該めっきにより金属薄膜で覆われるので、貫通孔１１２０の孔内は、当該めっきによる金属薄膜で覆われる。この金属薄膜が、各金属層１１０，１２０，１３０，１４０となる。

　このめっき後に、半導体素子２０の搭載、複数の接続部材３１，３２，３３の接合および封止樹脂４０の形成を行う。その後、切断線ＣＬで切断して、第１リード１１、第２リード１２、第３リード１３および第４リード１４を枠体８１から切り離し、第１リード１１の第１端子部１１２、第２リード１２の第２端子部１２２、第３リード１３の第３端子部１３２および第４リード１４の第４端子部１４２をそれぞれ折り曲げる。切断線ＣＬでの切断および第１リード１１の第１端子部１１２、第２リード１２の第２端子部１２２、第３リード１３の第３端子部１３２および第４リード１４の第４端子部１４２の各折り曲げの順序は、反対であってもよいし、同時であってもよい。これにより、各半導体装置Ａ１０が形成される。

　半導体装置Ａ１０の作用および効果は、次の通りである。

　図１９に示すように、第１リード裏面１１１２は、第２樹脂面４２から露出している。これにより、第１リード裏面１１１２には、たとえばヒートシンク９１を対向配置させることが可能である。第１端子先端部１１２２は、第１端子根元部１１２１よりも厚さ方向ｚ下方に位置している。これにより、第１端子先端部１１２２を用いて半導体装置Ａ１０を回路基板９２等に面実装することが可能である。第１リード裏面１１１２は、第１方向ｘにおいて第３樹脂面４３から離れている。第１端子根元部１１２１は、厚さ方向ｚにおいて第２樹脂面４２から離れている。このため、第１リード裏面１１１２と第１端子根元部１１２１との間には、封止樹脂４０の一部が存在する。これにより、封止樹脂４０によって第１リード１１をより強固に保持することができる。

　第１端子部１１２は、第１端子先端部１１２２を有し、第１端子先端部１１２２は、第１先端面１１２２ａおよび凹面１１２２ｄを有する。第１先端面１１２２ａは、金属層１１０から露出し、凹面１１２２ｄは、金属層１１０に覆われている。この構成では、第１端子先端部１１２２において、金属層１１０に覆われた領域が拡大される。これにより、半導体装置Ａ１０の実装強度を高めることができる。

　第１先端面１１２２ａは、２つの露出領域１１２２ｂを含み、２つの露出領域１１２２ｂは、第１方向ｘに離間する。この構成によれば、凹面１１２２ｄは、厚さ方向ｚにおいて、第１端子先端部１１２２の上面（厚さ方向ｚ下方を向く面）および第１端子先端部１１２２の下面（厚さ方向ｚ上方を向く面）に繋がるので、凹面１１２２ｄの面積を適度に確保できる。したがって、第１端子部１１２において金属層１１０に覆われた領域を適度に確保できるので、半導体装置Ａ１０の実装強度が不足することを抑制できる。

　第１端子部１１２は、第１端子中間部１１２３を有する。これにより、第１端子先端部１１２２をより確実に支持することができる。

　第１端子部１１２は、２つの第１端子先端部１１２２を有する。これにより、半導体装置Ａ１０の実装強度を高めることができる。

　２つの第１端子先端部１１２２は、第１端子中間部１１２３から第２方向ｙの外側に延出している。これにより、半導体装置Ａ１０の実装強度をさらに高めることができる。

　第１端子根元部１１２１の第２方向ｙの大きさは、ダイパッド部１１１の第２方向ｙの大きさよりも小さい。これにより、封止樹脂４０による第１リード１１の保持力をさらに高めることができる。

　第１端子先端部１１２２は、第１方向ｘにおいて第１端子中間部１１２３からはみ出さない。これにより、半導体装置Ａ１０の第１方向ｘの寸法を縮小することができる。

　ダイパッド部１１１の厚さ方向ｚの大きさは、第１端子根元部１１２１の厚さ方向ｚの大きさよりも大きい。これにより、半導体素子２０から第１リード裏面１１１２へと熱が伝わる過程で、第１方向ｘおよび第２方向ｙにおいて、熱をより広い範囲に伝えることが可能である。したがって、第１端子根元部１１２１より広い領域によって、半導体素子２０からの熱をヒートシンク９１等に放熱することが可能であり、放熱効率を高めることができる。

　第１端子根元部１１２１の下面（厚さ方向ｚ下方を向く面）は、第１リード主面１１１１と面一である。これにより、厚さ方向ｚにおける第１端子根元部１１２１から第３樹脂面４３までの距離を大きくすることが可能であり、封止樹脂４０による第１リード１１の保持力をさらに高めることができる。

　第１端子部１１２には、窪み１１３が形成されている。この構成によれば、封止樹脂４０の形成時において、仮に、根元側面１１２１ａに沿って封止樹脂４０が延出しても、窪み１１３よりも先に形成されることを抑制できる。したがって、半導体装置Ａ１０は、樹脂バリを抑制できる。特に、半導体装置Ａ１０では、窪み１１３は、厚さ方向ｚに見て、第１端子部１１２のうち、第１端子根元部１１２１の根元側面１１２１ａに形成されている。この構成によれば、第１端子先端部１１２２に樹脂バリが形成されることを抑制できるので、半導体装置Ａ１０を回路基板９２等に面実装する際に、第１端子先端部１１２２と回路基板９２等との間に樹脂バリが介在することを抑制できる。したがって、半導体装置Ａ１０の実装不良を抑制できる。第１端子中間部１１２３に樹脂バリが形成されることを抑制できるので、第１端子中間部１１２３の曲げ加工時において、当該樹脂バリによって生じ得る加工不良を抑制できる。

　以下に、本開示の半導体装置の他の実施形態および変形例について、説明する。各実施形態および各変形例における各部の構成は、技術的な矛盾が生じない範囲において相互に組み合わせ可能である。

　第２実施形態：
　図２２～図２５は、第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０を示している。半導体装置Ａ２０は、半導体装置Ａ１０と比較して、各第１端子先端部１１２２の第１先端面１１２２ａが連結領域１１２２ｃを有する点で異なる。以下で説明する連結領域１１２２ｃは、特段の断りがない限り、各第１端子先端部１１２２の第１先端面１１２２ａで共通する。

　図２３および図２５に示すように、連結領域１１２２ｃは、２つの露出領域１１２２ｂに繋がる。図示された例では、連結領域１１２２ｃは、厚さ方向ｚ上方側に配置されている。よって、連結領域１１２２ｃは、第１端子先端部１１２２の上面（厚さ方向ｚ上方を向く面）に繋がり、凹面１１２２ｄは、第１端子先端部１１２２の下面（厚さ方向ｚ下方を向く面）に繋がる。図示された例とは異なり、連結領域１１２２ｃは、厚さ方向ｚ下方側に配置されてもよい。よって、連結領域１１２２ｃは、第１端子先端部１１２２の下面（厚さ方向ｚ下方を向く面）に繋がり、凹面１１２２ｄは、第１端子先端部１１２２の上面（厚さ方向ｚ上方を向く面）に繋がってもよい。

　このような各第１端子先端部１１２２の形状は、たとえば次のようにして形成される。すなわち、図２１に示すリードフレーム８０の状態において、貫通孔１１２０の代わりに、厚さ方向ｚ下方側（底面側）から窪む溝を形成しておくことで、後に切断線ＣＬでの切断によって、第１先端面１１２２ａに連結領域１１２２ｃが形成される。

　本実施形態によっても、第１端子先端部１１２２を用いて半導体装置Ａ２０を面実装可能である。半導体装置Ａ２０では、半導体装置Ａ１０と同様に、第１先端面１１２２ａは、金属層１１０から露出し、凹面１１２２ｄは、金属層１１０に覆われている。したがって、本実施形態によっても、第１端子先端部１１２２において、金属層１１０に覆われた領域が拡大されるので、半導体装置Ａ２０の実装強度を高めることができる。ただし、半導体装置Ａ１０の凹面１１２２ｄの面積と半導体装置Ａ２０の凹面１１２２ｄの面積とを比較すると、半導体装置Ａ１０の凹面１１２２ｄの面積の方が大きい。つまり、本開示の半導体装置の実装強度を高める上では、半導体装置Ａ１０の方が好ましい。さらに、半導体装置Ａ２０は、半導体装置Ａ１０と同様に、第１端子部１１２に窪み１１３が形成されている。したがって、本実施形態によっても、樹脂バリを抑制できるので、樹脂バリに起因する半導体装置Ａ２０の不良（たとえば上記実装不良および加工不良）を抑制できる。その他、半導体装置Ａ２０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同様の効果を奏する。

　第３実施形態：
　図２６～図２９は、第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３０を示している。半導体装置Ａ３０は、半導体装置Ａ１０と比較して、各第１端子先端部１１２２の形状が異なる。

　図２６～図２９に示すように、半導体装置Ａ３０では、２つの第１端子先端部１１２２の第２方向ｙの各先端部分は、二股に分かれている。当該２つの第１端子先端部１１２２では、図２８および図２９に示すように、二股に分かれた各先端部分が、第１端子中間部１１２３に繋がる部分よりも第１方向ｘの両側にそれぞれ突き出ている。このため、２つの露出領域１１２２ｂは、第１先端面１１２２ａから、対応する第１端子中間部１１２３に繋がる方向に見て、第１端子中間部１１２３よりも外方に位置する。

　本実施形態によっても、第１端子先端部１１２２を用いて半導体装置Ａ３０を面実装可能である。半導体装置Ａ３０では、半導体装置Ａ１０と同様に、第１先端面１１２２ａは、金属層１１０から露出し、凹面１１２２ｄは、金属層１１０に覆われている。したがって、本実施形態によっても、第１端子先端部１１２２において、金属層１１０に覆われた領域が拡大されるので、半導体装置Ａ３０の実装強度を高めることができる。特に、半導体装置Ａ３０の凹面１１２２ｄの面積は、半導体装置Ａ１０の凹面１１２２ｄの面積よりも拡大されるので、本開示の半導体装置の実装強度を高める上では、半導体装置Ａ３０の方が好ましい。さらに、半導体装置Ａ３０は、半導体装置Ａ１０と同様に、第１端子部１１２に窪み１１３が形成されている。したがって、本実施形態によっても、樹脂バリを抑制できるので、樹脂バリに起因する半導体装置Ａ３０の不良（たとえば上記実装不良および加工不良）を抑制できる。その他、半導体装置Ａ３０は、各半導体装置Ａ１０，Ａ２０と共通する構成により、当該半導体装置Ａ１０，Ａ２０と同様の効果を奏する。

　半導体装置Ａ３０の凹面１１２２ｄの面積は、半導体装置Ａ１０の凹面１１２２ｄの面積よりも大である。この構成によれば、第１端子先端部１１２２において、金属層１１０に覆われた領域がさらに拡大されるので、半導体装置Ａ３０の実装強度をさらに高めることができる。

　第４実施形態：
　図３０～図３３は、第４実施形態にかかる半導体装置Ａ４０を示している。半導体装置Ａ４０は、半導体装置Ａ１０と比較して、各第１端子先端部１１２２の第１先端面１１２２ａの配置が異なる。

　半導体装置Ａ４０の第１端子先端部１１２２では、第１先端面１１２２ａが２つの凹面１１２２ｄに第１方向ｘにおいて挟まれている。換言すると、２つの凹面１１２２ｄは、第１先端面１１２２ａの第１方向ｘの両側にそれぞれ配置されている。

　本実施形態によっても、第１端子先端部１１２２を用いて半導体装置Ａ４０を面実装可能である。半導体装置Ａ４０では、半導体装置Ａ１０と同様に、第１先端面１１２２ａは、金属層１１０から露出し、凹面１１２２ｄは、金属層１１０に覆われている。したがって、本実施形態によっても、第１端子先端部１１２２において、金属層１１０に覆われた領域が拡大されるので、半導体装置Ａ４０の実装強度を高めることができる。さらに、半導体装置Ａ４０は、半導体装置Ａ１０と同様に、第１端子部１１２に窪み１１３が形成されている。したがって、本実施形態によっても、樹脂バリを抑制できるので、樹脂バリに起因する半導体装置Ａ４０の不良（たとえば上記実装不良および加工不良）を抑制できる。その他、半導体装置Ａ４０は、各半導体装置Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０と共通する構成により、当該半導体装置Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０と同様の効果を奏する。

　半導体装置Ａ４０では、第１端子先端部１１２２は、２つの凹面１１２２ｄを有する。この構成によれば、半導体装置Ａ１０と比較して、第１端子先端部１１２２において、金属層１１０に覆われた領域がさらに拡大されるので、半導体装置Ａ４０の実装強度をさらに高めることができる。

　第５実施形態：
　図３４は、第５実施形態にかかる半導体装置Ａ５０を示している。半導体装置Ａ５０は、半導体装置Ａ１０と比較して、第１端子部１１２の構成が異なる。

　半導体装置Ａ５０では、第１端子部１１２は、第１端子根元部１１２１、１つの第１端子先端部１１２２および１つの第１端子中間部１１２３を含む。第１端子中間部１１２３は、第１端子根元部１１２１から厚さ方向ｚの下方に延びており、第１方向ｘに見て矩形状である。第１端子中間部１１２３の第２方向ｙの大きさは、第１端子根元部１１２１の第２方向ｙの大きさと同じである。

　第１端子先端部１１２２は、第１端子中間部１１２３から第１方向ｘの一方側（外側）に延出している。第１端子先端部１１２２は、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙを長手方向とする矩形状である。第１端子先端部１１２２の第２方向ｙの両端は、第１端子中間部１１２３から第２方向ｙの外側に突出している。第１端子先端部１１２２の第２方向ｙの両端位置はそれぞれ、封止樹脂４０の第５樹脂面４５および第６樹脂面４６と同じ（あるいは略同じ）である。当該両端位置はそれぞれ、第５樹脂面４５および第６樹脂面４６から第２方向ｙの外側にはみ出ていてもよいし、はみ出ていなくてもよい。本実施形態では、第１端子先端部１１２２の第２方向ｙの両端に、第１先端面１１２２ａおよび凹面１１２２ｄがそれぞれ配置されている。

　本実施形態によっても、第１端子先端部１１２２を用いて半導体装置Ａ５０を面実装可能である。半導体装置Ａ５０では、半導体装置Ａ１０と同様に、第１先端面１１２２ａは、金属層１１０から露出し、凹面１１２２ｄは、金属層１１０に覆われている。したがって、本実施形態によっても、第１端子先端部１１２２において、金属層１１０に覆われた領域が拡大されるので、半導体装置Ａ５０の実装強度を高めることができる。さらに、半導体装置Ａ５０は、半導体装置Ａ１０と同様に、第１端子部１１２に窪み１１３が形成されている。したがって、本実施形態によっても、樹脂バリを抑制できるので、樹脂バリに起因する半導体装置Ａ５０の不良（たとえば上記実装不良および加工不良）を抑制できる。その他、半導体装置Ａ５０は、各半導体装置Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０と共通する構成により、当該半導体装置Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０と同様の効果を奏する。本実施形態から理解されるように、本開示の半導体装置において、第１端子先端部１１２２および第１端子中間部１１２３の具体的な構成は何ら限定されない。

　図３５は、第５実施形態の変形例にかかる半導体装置Ａ５１を示している。半導体装置Ａ５１は、半導体装置Ａ５０と比較して、第１先端面１１２２ａおよび凹面１１２２ｄの配置が異なる。

　半導体装置Ａ５１においては、第１端子先端部１１２２の第１方向ｘの外側の端部に、第１先端面１１２２ａおよび複数の凹面１１２２ｄが配置されている。第１先端面１１２２ａは、第１方向ｘの一方を向く。半導体装置Ａ５１の第１端子先端部１１２２において、凹面１１２２ｄの個数は、何ら限定されず、例えば１つでもよい。

　上記半導体装置Ａ５０では、第１端子先端部１１２２の第２方向ｙの両端が、リードフレーム８０の枠体８１に繋がっていたことで、第１端子先端部１１２２の第２方向ｙの両側の端面がそれぞれ、第１先端面１１２２ａであった。一方、半導体装置Ａ５１では、第１端子先端部１１２２の第１方向ｘの一方側の端部が、リードフレーム８０の枠体８１に繋がっていたため、第１端子先端部１１２２の第１方向ｘの一方側の端面が第１先端面１１２２ａである。このように、第１端子先端部１１２２とリードフレーム８０の枠体８１との連結部分により、凹面１１２２ｄの配置が異なる。

　本実施形態によっても、第１端子先端部１１２２を用いて半導体装置Ａ５１を面実装可能である。半導体装置Ａ５１では、半導体装置Ａ５０と同様に、第１先端面１１２２ａは、金属層１１０から露出し、凹面１１２２ｄは、金属層１１０に覆われている。したがって、本実施形態によっても、第１端子先端部１１２２において、金属層１１０に覆われた領域が拡大されるので、半導体装置Ａ５１の実装強度を高めることができる。さらに、半導体装置Ａ５１は、半導体装置Ａ５０と同様に、第１端子部１１２に窪み１１３が形成されている。したがって、本実施形態によっても、樹脂バリを抑制できるので、樹脂バリに起因する半導体装置Ａ５１の不良（たとえば上記実装不良および加工不良）を抑制できる。その他、半導体装置Ａ５１は、半導体装置Ａ５０と共通する構成により、半導体装置Ａ５０と同様の効果を奏する。

　図３６～図４２は、本開示の変形例にかかる各半導体装置を示している。図３６～図４２では、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０に適用した例を示すが、他の実施形態（第２ないし第５実施形態）にかかる半導体装置Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０，Ａ５０にも適用可能である。以下で説明する各変形例にかかる半導体装置では、第１端子部１１２が第１端子先端部１１２２を含む点で半導体装置Ａ１０と共通する。したがって、半導体装置Ａ１０と同様に、第１端子先端部１１２２を用いて半導体装置を面実装可能である。以下で説明する各変形例にかかる半導体装置では、第１先端面１１２２ａが、金属層１１０から露出し、凹面１１２２ｄが、金属層１１０に覆われている点で共通する。したがって、半導体装置Ａ１０と同様に、第１端子先端部１１２２において、金属層１１０に覆われた領域が拡大されるので、半導体装置の実装強度を高めることができる。さらに、以下で説明する各変形例にかかる半導体装置では、第１端子部１１２に窪み１１３が形成されている点で共通する。したがって、半導体装置Ａ１０と同様に、樹脂バリを抑制できるので、樹脂バリに起因する半導体装置の不良（たとえば上述の実装不良および加工不良）を抑制できる。

　図３６は、第１変形例にかかる半導体装置を示している。図３６に示す半導体装置は、半導体装置Ａ１０と比較して、各窪み１１３の配置が異なる。図３６に示す半導体装置は、第１端子部１１２の２つの第１端子中間部１１２３はそれぞれ、延出面１１２３ａを有する。一対の延出面１１２３ａはそれぞれ、封止樹脂４０の第３樹脂面４３に対向する。一対の延出面１１２３ａは、一対の根元側面１１２１ａにそれぞれ個別に繋がる。そして、本実施形態では、２つの窪み１１３はそれぞれ、一対の延出面１１２３ａに個別に形成されている。特に、図３６に示す例では、各窪み１１３は、対応する延出面１１２３ａのうち、根元側面１１２１ａに繋がる側に配置されている。各窪み１１３は、延出面１１２３ａに形成されていれば、その配置は、何ら限定されない。

　本変形例から理解されるように、本開示の半導体装置において、窪み１１３の配置は、各根元側面１１２１ａに形成されている構成に限定されず、各延出面１１２３ａに形成されていてもよい。その他、窪み１１３の配置は、第１端子部１１２のうち、第１端子根元部１１２１の上面（厚さ方向ｚ上方を向く面）あるいは第１端子根元部１１２１の下面（厚さ方向ｚ下方を向く面）などに配置されていてもよい。

　図３７は、第２変形例にかかる半導体装置を示している。図３７に示す半導体装置は、半導体装置Ａ１０と比較して、第１端子部１１２が凹部１１４を含む点で異なる。凹部１１４は、第１端子根元部１１２１に形成されている。凹部１１４は、厚さ方向ｚに見て、第１端子根元部１１２１の第１方向ｘの一方を向く面から窪む。

　図３８は、図３７に示す半導体装置の製造方法の一工程を示している。図３８に示すように、第１端子根元部１１２１は、リードフレーム８０の枠体８１に繋がっている。リードフレーム８０は、この繋がった部分の第２方向ｙの両側にそれぞれ切り欠き８２を有する。切り欠き８２は、厚さ方向ｚに見て窪んでいる。図３７に示す半導体装置の製造時において、第１端子根元部１１２１を枠体８１から切断する際、この切り欠き８２を利用して切断される。これにより、図３７に示す凹部１１４が形成される。このように、切り欠き８２を利用して切断することで、第１端子根元部１１２１の第１方向ｘの一方を向く面が、各第１端子先端部１１２２および各第１端子中間部１１２３の第１方向ｘの一方を向く面よりも突き出ることを抑制できる。

　図３９および図４０は、第３変形例にかかる半導体装置を示している。図３９および図４０に示す半導体装置は、半導体装置Ａ１０と比較して、次の点で異なる。第１に、本変形例にかかる半導体装置の封止樹脂４０は、一対の凹部４７を含む。第２に、本変形例にかかる半導体装置の封止樹脂４０は、溝４９を含む。

　一方の凹部４７は、第１樹脂面４１および第５樹脂面４５から凹んでいる。他方の凹部４７は、第１樹脂面４１および第６樹脂面４６から凹んでいる。各凹部４７からは、第１リード主面１１１１の一部が露出している。一対の凹部４７は、本変形例にかかる半導体装置の製造時にダイパッド部１１１を治具で固定していたことで、形成される。つまり、一対の凹部４７は、当該治具が配置されていた痕跡である。このように、本変形例にかかる半導体装置の製造時においては、ダイパッド部１１１が治具で固定されるので、ダイパッド部１１１の振動および傾きが抑制できる。これにより、ダイパッド部１１１と半導体素子２０との接合不良を抑制することができる。

　溝４９は、第２樹脂面４２から厚さ方向ｚに凹んでおり、第２方向ｙに沿って延びている。溝４９は、第５樹脂面４５から第６樹脂面４６に至る。溝４９は、第１リード裏面１１１２と第４樹脂面４４との間に位置する。封止樹脂４０が溝４９を含むことで、第１リード裏面１１１２（第１リード１１）と、各第２端子部１２２（第２リード１２）、第３端子部１３２（第３リード１３）および第４端子部１４２（第４リード１４）との、封止樹脂４０の表面に沿った距離（沿面距離）を延長することができる。これにより、第１リード１１と、第２リード１２、第３リード１３および第４リード１４との絶縁耐圧を向上することができる。図示された例では、封止樹脂４０に、１つ溝４９が形成されているが、複数の溝４９が形成されていてもよい。たとえば、複数の溝４９は、互いに第１方向ｘに平行に配置される。

　図４１は、第４変形例にかかる半導体装置を示している。図４１に示す半導体装置は、図３９および図４０に示す半導体装置と比較して、封止樹脂４０が溝４９の代わりに凸部４８を含む点で異なる。

　凸部４８は、第２樹脂面４２から厚さ方向ｚの上方に突出している。凸部４８は、第２方向ｙに沿って延びており、第５樹脂面４５から第６樹脂面４６に至る。図示された例においては、凸部４８は、封止樹脂４０の第１方向ｘの他方側端に配置されており、第４樹脂面４４に接している。封止樹脂４０が凸部４８と有することで、第１リード裏面１１１２（第１リード１１）と、各第２端子部１２２（第２リード１２）、第３端子部１３２（第３リード１３）および第４端子部１４２（第４リード１４）との、沿面距離を延長することができる。これにより、第１リード１１と、第２リード１２、第３リード１３および第４リード１４との絶縁耐圧を向上することができる。

　図４２は、第５変形例にかかる半導体装置を示している。図４２に示す半導体装置は、半導体装置Ａ１０と比較して、次の点で異なる。それは、２つの第１端子先端部１１２２が２つの第１端子中間部１１２３に対してそれぞれ内側に屈曲している点である。

　図４２に示す半導体装置では、２つの第１端子先端部１１２２は、２つの第１端子中間部１１２３から第２方向ｙの内側にそれぞれ個別に延出している。このため、２つの第１端子先端部１１２２は、互いに近づくように延出している。２つの第１端子先端部１１２２の各第１先端面１１２２ａは、互いに対向している。

　本変形例から理解されるように、本開示の半導体装置において、第１端子中間部１１２３に対する第１端子先端部１１２２の延出方向は、何ら限定されない。

　上記第１実施形態ないし第５実施形態および各変形例では、第１端子先端部１１２２に凹面１１２２ｄが形成されている例を示したが、これに追加あるいは変えて、各第２端子先端部１２２２、先端部１３２２あるいは先端部１４２２の少なくとも１つに、凹面を形成してもよい。つまり、各第２端子先端部１２２２、先端部１３２２あるいは先端部１４２２の少なくとも１つの形状が、第１端子先端部１１２２の形状と同様に構成されていてもよい。

　本開示にかかる半導体装置は、上記した実施形態に限定されるものではない。本開示の半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。たとえば、本開示は、以下の付記に記載された実施形態を含む。
　付記１．
　半導体素子と、
　厚さ方向の一方を向き且つ前記半導体素子が搭載された第１リード主面および前記厚さ方向の他方を向く第１リード裏面を有するダイパッド部と、第１端子部とを含む第１リードと、
　前記厚さ方向の前記一方を向く第１樹脂面、前記厚さ方向の他方を向く第２樹脂面および前記厚さ方向と直交する第１方向の一方を向く第３樹脂面を有し、前記半導体素子と前記ダイパッド部の一部とを覆う封止樹脂と、
を備え、
　前記第１リードは、前記第１端子部の一部を覆う金属層を含み、
　前記第１リード裏面は、前記第２樹脂面から露出しており、
　前記第１端子部は、第１端子根元部および少なくとも１つの第１端子先端部を有し、
　前記第１端子根元部は、前記第３樹脂面を貫通し且つ前記厚さ方向において前記第１樹脂面から離れており、
　前記少なくとも１つの第１端子先端部は、前記第１端子根元部よりも前記厚さ方向の前記一方に位置し且つ実装に用いられ、
　前記少なくとも１つの第１端子先端部は、第１先端面と、前記第１先端面に繋がる凹面とを有し、
　前記第１先端面は、前記金属層から露出し、
　前記凹面は、前記金属層に覆われている、半導体装置。
　付記２．
　前記第１先端面は、互いに離間する２つの露出領域を含み、
　前記凹面は、２つの露出領域に挟まれている、付記１に記載の半導体装置。
　付記３．
　前記２つの露出領域は、前記第１方向に離れている、付記２に記載の半導体装置。
　付記４．
　前記第１先端面は、前記２つの露出領域を繋ぎ、前記２つの露出領域と面一である連結領域を有し、
　前記連結領域は、前記金属層から露出する、付記３に記載の半導体装置。
　付記５．
　前記少なくとも１つの第１端子先端部は、前記厚さ方向の前記一方を向き且つ前記第１先端面に繋がる第１実装面を有し、
　前記凹面は、前記第１実装面に繋がっている、付記４に記載の半導体装置。
　付記６．
　前記第１端子部は、前記第１端子根元部と前記少なくとも１つの第１端子先端部との間にそれぞれ個別に介在する少なくとも１つの第１端子中間部を有する、請求項３ないし付記５のいずれかに記載の半導体装置。
　付記７．
　前記２つの露出領域は、前記第１先端面から対応する第１端子中間部に繋がる方向に見て、当該第１端子中間部よりも外方に位置する、付記６に記載の半導体装置。
　付記８．
　前記封止樹脂に覆われた第１パッド部および前記封止樹脂から露出する少なくとも１つの第２端子部を含む第２リードをさらに備え、
　前記封止樹脂は、前記第１方向の他方を向く第４樹脂面を有し、
　前記少なくとも１つの第２端子部は、前記第４樹脂面を貫通する、付記６または付記７に記載の半導体装置。
　付記９．
　前記少なくとも１つの第２端子部は、第２端子根元部と第２端子先端部と第２端子中間部とを有する、付記８に記載の半導体装置。
　付記１０．
　前記第１端子中間部は、第１寸法を有し、
　前記第２端子中間部は、第２寸法を有し、
　前記第１寸法は、前記厚さ方向と前記厚さ方向に見た前記第１端子中間部が延びる方向とに直交する方向に沿う寸法であり、
　前記第２寸法は、前記厚さ方向と前記厚さ方向に見た前記第２端子中間部が延びる方向とに直交する方向に沿う寸法であり、
　前記第１寸法は、前記第２寸法の０．５倍以上２倍以下である、付記９に記載の半導体装置。
　付記１１．
　前記少なくとも１つの第２端子部は、複数の第２端子部を含み、
　前記複数の第２端子部の各々は、前記第１パッド部に繋がる、付記８ないし付記１０のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１２．
　前記封止樹脂に覆われた第２パッド部および前記封止樹脂から露出する第３端子部を含む第３リードをさらに備え、
　前記第３端子部は、前記第４樹脂面を貫通する、付記８ないし付記１１のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１３．
　前記少なくとも１つの第１端子先端部は、２つの第１端子先端部を含み、
　前記２つの第１端子先端部は、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向において、前記第１端子根元部に対して互いに反対側に延びる、付記１ないし付記１２のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１４．
　前記第１端子部には、窪みが形成されており、
　前記第１端子根元部は、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向において互いに反対側を向く一対の根元側面を有し、
　前記窪みは、前記厚さ方向に見て、前記第１端子部のうち、前記一対の根元側面の各々あるいは当該一対の根元側面の各々にそれぞれ個別に繋がる一対の延出面から窪む、付記１ないし付記１３のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１５．
　前記窪みは、前記一対の根元側面に配置されている、付記１４に記載の半導体装置。
　付記１６．
　前記窪みは、前記厚さ方向に見て、前記一対の根元側面の各々のうち、前記第１方向において前記一対の延出面にそれぞれ繋がる側に位置する、付記１５に記載の半導体装置。
　付記１７．
　駆動源と、
　前記駆動源に供給する電力を蓄積する蓄電池と、
　外部から入力される電力を変換して前記蓄電池に供給する車載充電器と、
を備え、
　前記車載充電器は、付記１ないし付記１６のいずれかに記載の半導体装置を備える、車両。

Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０，Ａ５０，Ａ５１：半導体装置
１０：導通部材　　　　１１：第１リード
１２：第２リード　　　　１３：第３リード
１４：第４リード　　　　２０：半導体素子
２９：接合層　　　　３１，３２，３３：接続部材
４０：封止樹脂　　　　４１：第１樹脂面
４２：第２樹脂面　　　　４３：第３樹脂面
４４：第４樹脂面　　　　４５：第５樹脂面
４６：第６樹脂面　　　　４７：凹部
４８：凸部　　　　４９：溝
８０：リードフレーム　　　　８１：枠体
８２：切り欠き　　　　９１：ヒートシンク
９２：回路基板　　　　９５：車載充電器
９６：蓄電池　　　　９７：駆動系統
１１０：金属層　　　　１１１：ダイパッド部
１１２：第１端子部　　　　１１３：窪み
１１４：凹部　　　　１２０：金属層
１２１：パッド部　　　　１２２：第２端子部
１３０：金属層　　　　１３１：パッド部
１３２：第３端子部　　　　１４０：金属層
１４１：パッド部　　　　１４２：第４端子部
２０１：第１電極　　　　２０２：第２電極
２０３：第３電極　　　　２０５：半導体層
９１９：シート材　　　　９２１：はんだ
９７１：インバータ　　　　９７２：駆動源
１１１１：第１リード主面　　　　１１１２：第１リード裏面
１１１３：第１リード側面　　　　１１１４：第１中間面
１１２０：貫通孔　　　　１１２１：第１端子根元部
１１２１ａ：根元側面　　　　１１２２：第１端子先端部
１１２２ａ：第１先端面　　　　１１２２ｂ：露出領域
１１２２ｃ：連結領域　　　　１１２２ｄ：凹面
１１２３：第１端子中間部　　　　１１２３ａ：延出面
１２１１：第２リード主面　　　　１２１２：第２リード裏面
１２２１：第２端子根元部　　　　１２２２：第２端子先端部
１２２３：第２端子中間部　　　　１３１１：第３リード主面
１３１２：第３リード裏面　　　　１３２１：根元部
１３２２：先端部　　　　１３２３：中間部
１４１１：第４リード主面　　　　１４１２：第４リード裏面
１４２１：根元部　　　　１４２２：先端部
１４２３：中間部　　　　ＣＬ：切断線
Ｖ：車両

Claims (17)

1. 　半導体素子と、
   　厚さ方向の一方を向き且つ前記半導体素子が搭載された第１リード主面および前記厚さ方向の他方を向く第１リード裏面を有するダイパッド部と、第１端子部とを含む第１リードと、
   　前記厚さ方向の前記一方を向く第１樹脂面、前記厚さ方向の他方を向く第２樹脂面および前記厚さ方向と直交する第１方向の一方を向く第３樹脂面を有し、前記半導体素子と前記ダイパッド部の一部とを覆う封止樹脂と、
   を備え、
   　前記第１リードは、前記第１端子部の一部を覆う金属層を含み、
   　前記第１リード裏面は、前記第２樹脂面から露出しており、
   　前記第１端子部は、第１端子根元部および少なくとも１つの第１端子先端部を有し、
   　前記第１端子根元部は、前記第３樹脂面を貫通し且つ前記厚さ方向において前記第１樹脂面から離れており、
   　前記少なくとも１つの第１端子先端部は、前記第１端子根元部よりも前記厚さ方向の前記一方に位置し且つ実装に用いられ、
   　前記少なくとも１つの第１端子先端部は、第１先端面と、前記第１先端面に繋がる凹面とを有し、
   　前記第１先端面は、前記金属層から露出し、
   　前記凹面は、前記金属層に覆われている、半導体装置。
2. 　前記第１先端面は、互いに離間する２つの露出領域を含み、
   　前記凹面は、２つの露出領域に挟まれている、請求項１に記載の半導体装置。
3. 　前記２つの露出領域は、前記第１方向に離れている、請求項２に記載の半導体装置。
4. 　前記第１先端面は、前記２つの露出領域を繋ぎ、前記２つの露出領域と面一である連結領域を有し、
   　前記連結領域は、前記金属層から露出する、請求項３に記載の半導体装置。
5. 　前記少なくとも１つの第１端子先端部は、前記厚さ方向の前記一方を向き且つ前記第１先端面に繋がる第１実装面を有し、
   　前記凹面は、前記第１実装面に繋がっている、請求項４に記載の半導体装置。
6. 　前記第１端子部は、前記第１端子根元部と前記少なくとも１つの第１端子先端部との間にそれぞれ個別に介在する少なくとも１つの第１端子中間部を有する、請求項３ないし請求項５のいずれかに記載の半導体装置。
7. 　前記２つの露出領域は、前記第１先端面から対応する第１端子中間部に繋がる方向に見て、当該第１端子中間部よりも外方に位置する、請求項６に記載の半導体装置。
8. 　前記封止樹脂に覆われた第１パッド部および前記封止樹脂から露出する少なくとも１つの第２端子部を含む第２リードをさらに備え、
   　前記封止樹脂は、前記第１方向の他方を向く第４樹脂面を有し、
   　前記少なくとも１つの第２端子部は、前記第４樹脂面を貫通する、請求項６または請求項７に記載の半導体装置。
9. 　前記少なくとも１つの第２端子部は、第２端子根元部と第２端子先端部と第２端子中間部とを有する、請求項８に記載の半導体装置。
10. 　前記第１端子中間部は、第１寸法を有し、
    　前記第２端子中間部は、第２寸法を有し、
    　前記第１寸法は、前記厚さ方向と前記厚さ方向に見た前記第１端子中間部が延びる方向とに直交する方向に沿う寸法であり、
    　前記第２寸法は、前記厚さ方向と前記厚さ方向に見た前記第２端子中間部が延びる方向とに直交する方向に沿う寸法であり、
    　前記第１寸法は、前記第２寸法の０．５倍以上２倍以下である、請求項９に記載の半導体装置。
11. 　前記少なくとも１つの第２端子部は、複数の第２端子部を含み、
    　前記複数の第２端子部の各々は、前記第１パッド部に繋がる、請求項８ないし請求項１０のいずれかに記載の半導体装置。
12. 　前記封止樹脂に覆われた第２パッド部および前記封止樹脂から露出する第３端子部を含む第３リードをさらに備え、
    　前記第３端子部は、前記第４樹脂面を貫通する、請求項８ないし請求項１１のいずれかに記載の半導体装置。
13. 　前記少なくとも１つの第１端子先端部は、２つの第１端子先端部を含み、
    　前記２つの第１端子先端部は、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向において、前記第１端子根元部に対して互いに反対側に延びる、請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の半導体装置。
14. 　前記第１端子部には、窪みが形成されており、
    　前記第１端子根元部は、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向において互いに反対側を向く一対の根元側面を有し、
    　前記窪みは、前記厚さ方向に見て、前記第１端子部のうち、前記一対の根元側面の各々あるいは当該一対の根元側面の各々にそれぞれ個別に繋がる一対の延出面から窪む、請求項１ないし請求項１３のいずれかに記載の半導体装置。
15. 　前記窪みは、前記一対の根元側面に配置されている、請求項１４に記載の半導体装置。
16. 　前記窪みは、前記厚さ方向に見て、前記一対の根元側面の各々のうち、前記第１方向において前記一対の延出面にそれぞれ繋がる側に位置する、請求項１５に記載の半導体装置。
17. 　駆動源と、
    　前記駆動源に供給する電力を蓄積する蓄電池と、
    　外部から入力される電力を変換して前記蓄電池に供給する車載充電器と、
    を備え、
    　前記車載充電器は、請求項１ないし請求項１６のいずれかに記載の半導体装置を備える、車両。

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