WO2024150673A1 - 混合組成物及び有機電界発光素子 - Google Patents

混合組成物及び有機電界発光素子 Download PDF

Info

Publication number
WO2024150673A1
WO2024150673A1 PCT/JP2023/046770 JP2023046770W WO2024150673A1 WO 2024150673 A1 WO2024150673 A1 WO 2024150673A1 JP 2023046770 W JP2023046770 W JP 2023046770W WO 2024150673 A1 WO2024150673 A1 WO 2024150673A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
general formula
group
compound represented
substituted
mixed composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2023/046770
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
鉄郎 山下
皇遥 ▲高▼木
裕士 池永
淳也 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Original Assignee
Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd filed Critical Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Priority to CN202380084077.9A priority Critical patent/CN120323116A/zh
Priority to KR1020257026289A priority patent/KR20250133930A/ko
Priority to JP2024570146A priority patent/JPWO2024150673A1/ja
Publication of WO2024150673A1 publication Critical patent/WO2024150673A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/06—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07B—GENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
    • C07B2200/00—Indexing scheme relating to specific properties of organic compounds
    • C07B2200/05—Isotopically modified compounds, e.g. labelled

Definitions

  • the present invention relates to a mixed composition and an organic electroluminescent device (referred to as an organic EL device) using the same. More specifically, the present invention relates to a mixed composition consisting of an indolocarbazole compound and a biscarbazole compound, and an organic EL device using the same.
  • an organic electroluminescent device When a voltage is applied to an organic electroluminescent device (referred to as an organic EL device), holes are injected from the anode and electrons are injected from the cathode into the light-emitting layer. In the light-emitting layer, the injected holes and electrons recombine to generate excitons. At this time, singlet excitons and triplet excitons are generated in a ratio of 1:3 according to the statistical law of electron spin. It is said that the internal quantum efficiency of a fluorescent organic EL device that uses light emission from singlet excitons is limited to 25%.
  • Patent Document 1 discloses an organic EL element utilizing the TTF (Triplet-Triplet Fusion) mechanism, which is one of the mechanisms of delayed fluorescence.
  • TTF Triplet-Triplet Fusion
  • the TTF mechanism utilizes the phenomenon in which singlet excitons are generated by the collision of two triplet excitons, and it is believed that the internal quantum efficiency can be theoretically increased to 40%.
  • Patent Document 2 discloses an organic EL element that utilizes the TADF (Thermally Activated Delayed Fluorescence) mechanism.
  • TADF Thermally Activated Delayed Fluorescence
  • the TADF mechanism utilizes the phenomenon in which reverse intersystem crossing occurs from triplet excitons to singlet excitons in a material with a small energy difference between the singlet level and the triplet level, and is believed to theoretically increase the internal quantum efficiency to 100%.
  • phosphorescent elements further improvement in life characteristics is required.
  • Patent Documents 3 and 4 disclose the use of indolocarbazole compounds as host materials.
  • Patent Document 5 discloses the use of biscarbazole compounds as host materials.
  • Patent Documents 6 and 7 disclose the use of an indolocarbazole compound and a biscarbazole compound as a mixed host.
  • Patent Document 8 discloses the use of a deuterated carbazole compound as a host material.
  • Patent documents 9, 10, and 11 disclose the use of a mixture of multiple indolocarbazole compounds and biscarbazole compounds as a host material.
  • Patent Document 12 discloses the use of a mixture of multiple indolocarbazole compounds and deuterated biscarbazole compounds as a host material.
  • Patent Document 13 discloses the use of a mixed composition of a specific indolocarbazole compound and a deuterated biscarbazole compound as a host material.
  • the present invention aims to provide a practically useful organic EL element that has high efficiency and a long life while requiring a low driving voltage, and a compound suitable for the same.
  • the present invention is a mixed composition containing a compound represented by general formula (1) and a compound represented by the following general formula (2).
  • ring A is a heterocycle represented by formula (1a) which is fused with two adjacent rings at any position.
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, or a substituted or unsubstituted quaterphenyl group.
  • the total number of benzene rings contained in Ar 1 and Ar 2 is preferably 2 to 6, and more preferably 2 to 4.
  • R 1 's are each independently a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 3 to 12 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted linked aromatic group in which 2 to 5 of these aromatic groups are linked together, and when linked, the aromatic hydrocarbon groups or aromatic heterocyclic groups may be the same or different.
  • the letters a to c represent the number of substitutions, with a and c being integers from 0 to 4 and b being an integer from 0 to 2, and preferably, a and c being integers from 0 to 2 and b being an integer from 0 to 1.
  • the letter x represents the number of substitutions and is an integer from 0 to 5, preferably from 0 to 3, more preferably from 0 to 2, and even more preferably from 0 to 1. When x is from 2 to 5, it becomes a bulky substituent, suppressing interactions between molecules, and it is expected that a film with high amorphous stability can be formed.
  • Ar 3 and Ar 4 each independently represent a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted linked aromatic group formed by linking two of these aromatic hydrocarbon groups, and when linked, the aromatic hydrocarbon groups may be the same or different.
  • Ar 3 and Ar 4 are preferably a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, or a substituted or unsubstituted phenanthryl group, and more preferably an unsubstituted phenyl group.
  • L1 and L2 each independently represent a direct bond or a substituted or unsubstituted phenylene group.
  • L1 or L2 is not a direct bond, and the phenylene group is a trivalent phenylene group.
  • the mixed composition preferably contains 20 wt % or more and 70 wt % or less of the compound represented by general formula (1) relative to the total of the compound represented by general formula (1) and the compound represented by general formula (2).
  • At least one of the compound represented by the general formula (1) and the compound represented by the general formula (2) preferably has some or all of its hydrogen atoms substituted with deuterium atoms.
  • a part or all of hydrogen is replaced with deuterium, and the average deuteration rate is preferably 30% or more, and more preferably 40% or more.
  • the mixed composition is a material for producing at least one layer of an organic electroluminescent device by a vapor deposition method, and may be a premixture that is mixed in advance before vapor deposition. In this premixture, it is preferable that the difference in 50% weight loss temperature between the compound represented by the general formula (1) and the compound represented by the general formula (2) is within 20°C.
  • the present invention also provides an organic electroluminescent device having multiple organic layers between an anode and a cathode, characterized in that at least one of the organic layers contains the above-mentioned mixed composition.
  • the organic layer containing the mixed composition is at least one layer selected from the group consisting of a light-emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole blocking layer, and an electron blocking layer, and is more preferably a light-emitting layer.
  • the light-emitting layer preferably contains at least one light-emitting dopant, and more preferably contains a compound represented by the general formula (1) as a first host and a compound represented by the general formula (2) as a second host, and the light-emitting layer preferably contains at least one light-emitting dopant.
  • the present invention also provides a method for producing an organic electroluminescent device having a plurality of organic layers, including a light-emitting layer, between an anode and a cathode, the method comprising the steps of preparing the above-mentioned mixed composition, evaporating the mixed composition from one evaporation source, and depositing the mixture to form a light-emitting layer.
  • the materials used in the organic layers have high durability against electric charges, and it is particularly important to suppress the leakage of excitons and electric charges to the surrounding layers in the light-emitting layer.
  • the charge injection and transport properties of the material used in the organic layer are largely influenced by the energy level of the molecular orbital of the material and the magnitude of the intermolecular interaction.
  • the mixed composition of the present invention contains an indolocarbazole compound having a biphenyldiyl group linked at the ortho position represented by formula (1a), so that the electron injection and transport properties are particularly high, but the steric hindrance effect of the biphenyldiyl group can prevent the indolocarbazole molecules from approaching each other.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a structure of an organic EL element.
  • the mixed composition of the present invention contains a compound represented by the general formula (1) and a compound represented by the general formula (2).
  • ring A is a five-membered heterocycle represented by formula (1a), which is fused to two adjacent rings at any position, but is not fused to a side containing N. Therefore, the indolocarbazole ring has several isomeric structures, but the number is limited.
  • the compound represented by general formula (1) has an embodiment represented by any one of the following formulas (3) to (8), preferably the formulas (6) to (8), and more preferably the structure represented by formula (8).
  • formulas (3) to (8) symbols common to general formula (1) have the same meanings.
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, or a substituted or unsubstituted quaterphenyl group, and the sum of the numbers of benzene rings in Ar 1 and Ar 2 is preferably 5 or less, more preferably 4 or less.
  • the biphenyl group, terphenyl group, or quaterphenyl group has a structure in which 2, 3, or 4 benzene rings are linked together, and the bonding position of each benzene ring may be any of o-, m-, or p-positions. In addition, it may be linear or branched.
  • R 1 's are each independently a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 3 to 12 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted linked aromatic group in which 2 to 5 of these aromatic groups are linked together, and when linked, the aromatic hydrocarbon groups or aromatic heterocyclic groups may be the same or different.
  • a linking aromatic group refers to an aromatic group in which the aromatic rings of two or more aromatic groups are linked by single bonds. These linking aromatic groups may be linear or branched. The linking position when the benzene rings are linked together may be ortho, meta, or para, with para- or meta-linking being preferred.
  • the aromatic group may be an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group, and the multiple aromatic groups may be the same or different.
  • R 1 which is an unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms, an unsubstituted aromatic heterocyclic group having 3 to 12 carbon atoms, or an unsubstituted linked aromatic group in which 2 to 5 of these aromatic groups are linked together
  • the aromatic hydrocarbon group, aromatic heterocyclic group, or linking aromatic group may each have a substituent.
  • the substituent is preferably deuterium, halogen, a cyano group, a triarylsilyl group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, or a diarylamino group having 12 to 44 carbon atoms.
  • the substituent is an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, it may be linear, branched, or cyclic.
  • the triarylsilyl group or the diarylamino group is a substituent of the aromatic hydrocarbon group, aromatic heterocyclic group, or linking aromatic group, silicon and carbon, or nitrogen and carbon, are bonded by a single bond, respectively.
  • the number of the above-mentioned substituents is preferably 0 to 5, and more preferably 0 to 2.
  • the aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group have a substituent, the number of carbon atoms is calculated not including the number of carbon atoms of the substituent. However, it is preferable that the total number of carbon atoms including the number of carbon atoms of the substituent falls within the above range.
  • substituents include deuterium, cyano, methyl, ethyl, propyl, i-propyl, butyl, t-butyl, pentyl, neopentyl, cyclopentyl, hexyl, cyclohexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, vinyl, propenyl, butenyl, pentenyl, methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy, pentoxy, diphenylamino, naphthylphenylamino, dinaphthylamino, dianthranylamino, diphenanthrenylamino, dipyrenylamino, etc.
  • the number of substitutions of n of the substituted deuterium (D) means the average number, and changes depending on the average deuteration rate.
  • Ar 3 and Ar 4 each independently represent a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted linked aromatic group formed by linking two of these aromatic hydrocarbon groups.
  • it is a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted linked aromatic group formed by linking two of these aromatic hydrocarbon groups.
  • the biphenyl group has a structure in which two benzene rings are linked, and the bonding position of each benzene ring may be any of the o-, m-, and p-positions.
  • specific examples of the unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms or the unsubstituted linked aromatic group formed by linking two of these aromatic groups include groups derived from benzene, naphthalene, phenanthrene, and compounds formed by linking two of these.
  • L1 and L2 each represent a direct bond or a substituted or unsubstituted phenylene group, which may be ortho-, meta-, or para-bonded.
  • Each of y and z represents the number of substitutions, and independently represents 1 or 2, preferably 1.
  • L1 or L2 is a trivalent phenylene group.
  • the hydrogen in the compound contained in the mixed composition of the present invention may be deuterium. That is, in general formula (1), the hydrogen of the fused ring (indolocarbazole ring) containing ring A, the hydrogen of the biphenyl group or terphenyl group substituted on the indolocarbazole ring, the hydrogen of the aromatic rings of Ar 1 , Ar 2 , and R 1 , and the hydrogen of the substituents substituted on these aromatic rings may be part or all deuterium.
  • the hydrogen of the two carbazole rings in the compound represented by general formula (2), the hydrogen of the aromatic rings of Ar 3 , Ar 4 , L 1 , and L 2 , and the hydrogen of the substituents of Ar 3 , Ar 4 , L 1 , and L 2 may be part or all deuterium.
  • the compounds represented by general formula (1) or general formula (2) include both a single compound and a mixture of two or more compounds. That is, the compounds represented by general formula (1) or general formula (2) may be two or more compounds included in these formulas, or may be a mixture of compounds with different deuteration numbers or deuteration positions. All of the compounds contained in the mixed composition may be deuterated, or only a portion of the compounds may be deuterated.
  • the compound represented by formula (1) or (2) preferably has an average deuteration rate of 30% or more, more preferably 40% or more.
  • an average deuteration rate of 50% means that on average half of all hydrogen atoms are replaced with deuterium atoms.
  • the average deuteration ratio can be determined by mass spectrometry or proton nuclear magnetic resonance spectroscopy. For example, when determining by proton nuclear magnetic resonance spectroscopy, a measurement sample is first prepared by adding and dissolving the compound and an internal standard in a heavy solvent, and the proton concentration [mol/g] of the compound contained in the measurement sample is calculated from the integrated intensity ratio from the internal standard and the compound. Next, the ratio of the proton concentration of the deuterated compound to the proton concentration of the corresponding non-deuterated compound is calculated, and the average deuteration ratio of the deuterated compounds can be calculated by subtracting it from 1.
  • the mixed composition of the present invention contains a compound represented by the general formula (1) and a compound represented by the general formula (2), and the mixing ratio (weight ratio) is preferably such that the compound represented by the general formula (1) accounts for 20 to 70 wt %, and more preferably 20 to 60 wt %, of the total of the two.
  • the mixed composition may contain other compounds in addition to the compound represented by general formula (1) and the compound represented by general formula (2).
  • the other compounds may include known host materials and luminescent dopants.
  • the compound represented by general formula (1) and the compound represented by general formula (2) should be 50 wt% or more of the total, and more preferably 75 wt% or more.
  • the mixed composition of the present invention is suitable as a material or component of an organic EL device.
  • the mixed composition is used as a component of an organic EL device, it is contained in an organic layer of the organic EL device, and this organic layer is preferably selected from the group consisting of a light-emitting layer, a hole-injection layer, a hole-transport layer, an electron-transport layer, an electron-injection layer, a hole-blocking layer, and an electron-blocking layer, and is preferably a light-emitting layer, and the light-emitting layer preferably contains at least one light-emitting dopant.
  • the light-emitting layer contains the mixed composition of the present invention
  • the light-emitting layer contains the mixed composition as a host.
  • the compound represented by the general formula (1) is used as the first host
  • the compound represented by the general formula (2) is used as the second host.
  • the mixed composition of the present invention When the mixed composition of the present invention is used as a component of an organic EL device, a method of vapor-depositing a plurality of compounds such as the compound represented by the general formula (1) and the compound represented by the general formula (2) individually from different vapor deposition sources can be adopted. However, it is preferable to premix the compounds before vapor deposition to prepare a premixture, and then simultaneously evaporate and vapor-deposit the premixture from one vapor deposition source to form an organic layer, preferably a light-emitting layer. When the above premix is used as the mixed composition of the present invention to form a light-emitting layer, a necessary light-emitting dopant material or other hosts to be used as necessary may be mixed therein. However, when there is a large difference in the temperature at which the desired vapor pressure is obtained, it is preferable to deposit the light-emitting dopant material and other hosts from different deposition sources.
  • the mixed composition of the present invention is the above-mentioned preliminary mixture, in order to perform stable deposition, it is desirable that the compound represented by the general formula (1) and the compound represented by the general formula (2) have a 50% weight loss temperature within 20°C. More preferably, it is within 15°C.
  • the organic EL element of the present invention has a plurality of organic layers between opposing electrodes, and at least one of the organic layers is an emitting layer. At least one of the emitting layers preferably contains the mixed composition as a host. When the emitting layer contains the mixed composition, it preferably contains at least one luminescent dopant.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the structure of a general organic EL element used in the present invention, in which 1 is a substrate, 2 is an anode, 3 is a hole injection layer, 4 is a hole transport layer, 5 is a light-emitting layer, 6 is an electron transport layer, and 7 is a cathode.
  • the organic EL element of the present invention may have an exciton blocking layer adjacent to the light-emitting layer, or an electron blocking layer between the light-emitting layer and the hole injection layer.
  • the exciton blocking layer can be inserted on either the anode side or the cathode side of the light-emitting layer, or both can be inserted at the same time.
  • the organic EL element of the present invention has an anode, a light-emitting layer, and a cathode as essential layers, but may have a hole injection transport layer and an electron injection transport layer in addition to the essential layers, and may further have a hole blocking layer between the light-emitting layer and the electron injection transport layer.
  • the hole injection transport layer means either the hole injection layer or the hole transport layer, or both
  • the electron injection transport layer means either the electron injection layer or the electron transport layer, or both.
  • the organic EL element of the present invention is preferably supported by a substrate.
  • a substrate There are no particular limitations on the substrate, and any substrate that has been conventionally used in organic EL elements, such as glass, transparent plastic, quartz, etc., can be used.
  • anode material in the organic EL element a material consisting of a metal, alloy, electrically conductive compound, or a mixture thereof having a large work function (4 eV or more) is preferably used.
  • electrode materials include metals such as Au, CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , ZnO, and other conductive transparent materials.
  • amorphous materials such as IDIXO (In2O3-ZnO) that can form a transparent conductive film may be used.
  • the anode may be formed by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering, and forming a pattern of a desired shape by a photolithography method, or when pattern accuracy is not required very much (about 100 ⁇ m or more), a pattern may be formed through a mask of a desired shape during vapor deposition or sputtering of the electrode material.
  • a coatable material such as an organic conductive compound
  • a wet film formation method such as a printing method or a coating method may be used.
  • the sheet resistance of the anode is preferably several hundred ⁇ / ⁇ or less.
  • the film thickness depends on the material, but is usually selected from the range of 10 to 1000 nm, preferably 10 to 200 nm.
  • the cathode material a material consisting of a metal (electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a small work function (4 eV or less) is used.
  • electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, a magnesium/copper mixture, a magnesium/silver mixture, a magnesium/aluminum mixture, a magnesium/indium mixture, an aluminum/aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixture, indium, a lithium/aluminum mixture, and a rare earth metal.
  • a mixture of an electron injecting metal and a second metal having a larger and more stable work function than the electron injecting metal such as a magnesium/silver mixture, a magnesium/aluminum mixture, a magnesium/indium mixture, an aluminum/aluminum oxide mixture, a lithium/aluminum mixture, and aluminum, is preferred.
  • the cathode can be produced by forming a thin film of these cathode materials by a method such as deposition or sputtering.
  • the sheet resistance of the cathode is preferably several hundred ⁇ / ⁇ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 ⁇ m, preferably 50 to 200 nm.
  • the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or semi-transparent in order to transmit the emitted light, the luminance of the emitted light is improved, which is advantageous.
  • a transparent or translucent cathode can be made by forming the conductive transparent material mentioned in the explanation of the anode on top of it. By applying this, it is possible to make an element in which both the anode and cathode are optically transparent.
  • the light-emitting layer is a layer that emits light after excitons are generated by recombination of holes and electrons injected from the anode and cathode, respectively, and contains a light-emitting dopant material and a host.
  • the mixed composition of the present invention can be suitably used as a material for organic electroluminescent devices, and can preferably be used as a host. It is preferable to use a compound represented by general formula (1) as the first host and a compound represented by general formula (2) as the second host. One type of the first host or second host may be used, or two or more different compounds may be used. If necessary, one or more other known host materials may be used in combination, but the amount used should be 50 wt % or less, preferably 25 wt % or less, based on the total host materials.
  • the method for manufacturing an organic electroluminescent device of the present invention includes the steps of preparing the above premixture, and evaporating and depositing the premixture from a single evaporation source to form a light-emitting layer.
  • the method of vaporizing and depositing the premixture from a single evaporation source is more preferable.
  • the 50% weight loss temperature is the temperature at which the weight is reduced by 50% when the temperature is raised from room temperature to 550°C at a rate of 10°C per minute in TG-DTA measurement under reduced pressure (1 Pa) of nitrogen gas flow. It is believed that vaporization by evaporation or sublimation occurs most actively around this temperature.
  • the difference in the 50% weight loss temperature is preferably within 20°C, because a uniform deposition film can be obtained when this premix is vaporized from a single evaporation source and deposited.
  • the premix may be mixed with a luminescent dopant material required to form a light-emitting layer or other hosts to be used as necessary.
  • a method capable of mixing as uniformly as possible is preferable.
  • the method include pulverization and mixing, a method of heating and melting the materials under reduced pressure or in an inert gas atmosphere such as nitrogen, and sublimation, but the method is not limited to these.
  • the premix may be in the form of a powder, stick, or granules.
  • known methods include a method of producing the compound using a fully or partially deuterated starting material, and a method of producing the compound by a hydrogen/deuterium exchange reaction.
  • the fully or partially deuterated starting material can be purchased from a commercial source or produced by a known hydrogen/deuterium exchange reaction.
  • Known hydrogen/deuterium exchange reactions include a method in which a non-deuterated product is subjected to deuterium gas or its equivalent in the presence of a transition metal catalyst, and a method in which a non-deuterated product is treated with a deuterated solvent (such as deuterated benzene) in the presence of an acid catalyst.
  • the phosphorescent dopant when used as the luminescent dopant material, the phosphorescent dopant preferably contains an organometallic complex containing at least one metal selected from ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold.
  • the iridium complexes described in J.Am.Chem.Soc.2001,123,4304, JP2013-530515A, US2016/0049599A, US2017/0069848A, US2018/0282356A, or US2019/0036043A, or the platinum complexes described in US2018/0013078A or KR2018-094482A, are preferably used, but are not limited to these.
  • the light-emitting layer may contain only one type of phosphorescent dopant material, or may contain two or more types.
  • the content of the phosphorescent dopant material is preferably 0.1 to 30 wt % relative to the host material, and more preferably 1 to 20 wt %.
  • Phosphorescent dopant materials are not particularly limited, but specific examples include the following compounds:
  • fluorescent dopant examples include, but are not limited to, benzoxazole derivatives, benzothiazole derivatives, benzimidazole derivatives, styrylbenzene derivatives, polyphenyl derivatives, diphenylbutadiene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, naphthalimide derivatives, coumarin derivatives, condensed aromatic compounds, perinone derivatives, oxadiazole derivatives, oxazine derivatives, aldazine derivatives, pyrrolidine derivatives, cyclopentadiene derivatives, bisstyrylanthracene derivatives, quinacridone derivatives, pyrrolopyridine derivatives, thiadiazolopyridine derivatives, styrylamine derivatives, diketopyrrolopyrrole derivatives, aromatic dimethylidine compounds, various metal complexes such as metal complexes of 8-quinol
  • thermally activated delayed fluorescent dopant When a thermally activated delayed fluorescent dopant is used as the luminescent dopant material, examples of the thermally activated delayed fluorescent dopant include, but are not limited to, metal complexes such as tin complexes and copper complexes, indolocarbazole derivatives described in WO2011/070963A, cyanobenzene derivatives and carbazole derivatives described in Nature 2012,492,234, phenazine derivatives, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, sulfone derivatives, phenoxazine derivatives and acridine derivatives described in Nature Photonics 2014,8,326, etc.
  • metal complexes such as tin complexes and copper complexes
  • indolocarbazole derivatives described in WO2011/070963A cyanobenzene derivatives and carbazole derivatives described in Nature 2012,492,234, phenazine derivatives, oxadiazole derivatives
  • the thermally activated delayed fluorescent dopant material is not particularly limited, but specific examples thereof include the following compounds.
  • the light-emitting layer may contain only one type of thermally activated delayed fluorescent dopant material, or may contain two or more types.
  • the thermally activated delayed fluorescent dopant may be mixed with a phosphorescent dopant or a fluorescent dopant.
  • the content of the thermally activated delayed fluorescent dopant material is preferably 0.1 to 50 wt %, and more preferably 1 to 30 wt %, relative to the host material.
  • the injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer to reduce the driving voltage and improve the luminance of light emitted, and includes a hole injection layer and an electron injection layer, and may be provided between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer, and between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer.
  • the injection layer can be provided as necessary.
  • a hole blocking layer in a broad sense, has the function of an electron transport layer and is made of a hole blocking material that has the function of transporting electrons but has an extremely low ability to transport holes, and by transporting electrons while blocking holes, it is possible to improve the probability of recombination of electrons and holes in the light-emitting layer.
  • the electron blocking layer functions as a hole transport layer, and can increase the probability of recombination of electrons and holes in the light emitting layer by blocking electrons while transporting holes.
  • the electron blocking layer may be made of a known material, or may be made of a material for the hole transport layer, as described below, if necessary.
  • the thickness of the electron blocking layer is preferably 3 to 100 nm, and more preferably 5 to 30 nm.
  • the exciton blocking layer is a layer for preventing excitons generated by the recombination of holes and electrons in the light-emitting layer from diffusing into the charge transport layer, and the insertion of this layer makes it possible to efficiently confine excitons in the light-emitting layer, thereby improving the luminous efficiency of the device.
  • the exciton blocking layer can be inserted between two adjacent light-emitting layers.
  • the material for the exciton blocking layer can be any known exciton blocking layer material. Examples include 1,3-dicarbazolylbenzene (mCP) and bis(8-hydroxy-2-methylquinoline)-(4-phenylphenoxy)aluminum(III) (BAlq).
  • mCP 1,3-dicarbazolylbenzene
  • BAlq bis(8-hydroxy-2-methylquinoline)-(4-phenylphenoxy)aluminum(III)
  • the hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and the hole transport layer may be provided as a single layer or multiple layers.
  • the hole transport material is one that has either hole injection or transport properties or electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. Any of the conventionally known compounds may be selected and used for the hole transport layer. Examples of such hole transport materials include porphyrin derivatives, arylamine derivatives, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline-based copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers, etc., but it is preferable to use porphyrin derivatives, arylamine derivatives, and styrylamine derivative
  • the electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and the electron transport layer may be provided as a single layer or as a multi-layer.
  • the electron transport material (which may also serve as a hole blocking material) may have the function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer.
  • any of the conventionally known compounds may be selected and used, such as polycyclic aromatic derivatives such as naphthalene, anthracene, and phenanthroline, tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(III) derivatives, phosphine oxide derivatives, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, bipyridine derivatives, quinoline derivatives, oxadiazole derivatives, benzimidazole derivatives, benzothiazole derivatives, and indolocarbazole derivatives.
  • polymeric materials in which these materials are introduced into the polymer chain or in which
  • the average deuteration rate of compound 705 was determined by proton nuclear magnetic resonance spectroscopy.
  • a measurement sample was prepared by dissolving compound 405 (5.0 mg) and dimethyl sulfone (2.0 mg) as an internal standard in deuterated tetrahydrofuran (1.0 ml).
  • the average proton concentration [mol/g] of compound 705 contained in the measurement sample was calculated from the integrated intensity ratio from the internal standard and compound 705.
  • the average proton concentration [mol/g] of the non-deuterated form of compound 705 (compound 608) was also calculated in the same manner. Next, the ratio of the proton concentration of compound 705 to the proton concentration of compound 608 was calculated, and the average deuteration rate of compound 705 was calculated to be 68.8% by subtracting it from 1.
  • the average deuteration rate of compound 306 was determined by proton nuclear magnetic resonance spectroscopy.
  • a measurement sample was prepared by dissolving compound 218 (5.0 mg) and dimethyl sulfone (2.0 mg) as an internal standard in deuterated tetrahydrofuran (1.0 ml).
  • the average proton concentration [mol/g] of compound 306 contained in the measurement sample was calculated from the integrated intensity ratio of the internal standard and compound 306.
  • the average proton concentration [mol/g] of the non-deuterated form of compound 306 (compound 114) was also calculated in the same manner.
  • the ratio of the proton concentration of compound 306 to the proton concentration of compound 114 was calculated, and the average deuteration rate of compound 306 was calculated to be 53.4% by subtracting it from 1.
  • Synthesis Example 4 Deuterated compounds 701, 707, 301, 309, 310, 331, and 340 were synthesized by carrying out reactions similar to those in Synthesis Examples 2 and 3. The average deuteration rates of these compounds were calculated in the same manner as for 705 and 306, and the results are shown in Table 1.
  • Example 1 Each thin film was laminated by vacuum deposition at a vacuum degree of 4.0 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa on a glass substrate on which an anode made of ITO with a thickness of 110 nm had been formed.
  • compound A and compound B were co-deposited from different deposition sources on ITO to form a hole injection layer with a thickness of 10 nm. At this time, the co-deposition was performed under deposition conditions such that the concentration of compound B was 3 wt %.
  • compound A was formed as a first hole transport layer to a thickness of 110 nm.
  • compound C was formed as a second hole transport layer to a thickness of 10 nm.
  • compound D was formed to a thickness of 5 nm as an electron blocking layer.
  • a preliminary mixture of Compound 114 (first host) and Compound 608 (second host) was evaporated from a single evaporation source as a host, and Compound E was evaporated from a different evaporation source as a light-emitting dopant, and co-evaporated to form a light-emitting layer with a thickness of 40 nm.
  • co-evaporation was performed under the evaporation conditions of a concentration of Compound E of 15 wt % and a weight ratio of the first host to the second host of 50:50.
  • compound F was formed to a thickness of 5 nm as a hole blocking layer.
  • compound G was formed as an electron transport layer to a thickness of 30 nm.
  • LiF was formed as an electron injection layer to a thickness of 1 nm on the electron transport layer.
  • an Al film was formed as a cathode with a thickness of 70 nm on the electron injection layer to complete an organic EL device.
  • Examples 2 to 30, Comparative Examples 1 to 8 An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 1, except that the compounds shown in Table 2 were used as the first host and the second host in the weight ratio shown in Table 2.
  • the evaluation results of the prepared organic EL device are shown in Table 2.
  • the luminance, voltage, and current efficiency are values at a driving current of 10 mA/ cm2 , which are initial characteristics.
  • LT70 is the time required for the luminance to decay to 70% when driven at an initial luminance of 9000 nits, and represents the life characteristics.
  • the numbers of the first host and the second host are the numbers given to the above exemplary compounds, and the weight ratio is first host:second host. All characteristics are expressed as relative values with the characteristics of Comparative Example 1 taken as 100%.
  • Examples 31 to 50, Comparative Examples 9 to 14 An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 1, except that the compounds shown in Table 3 were used as the first host and the second host and were co-deposited from different deposition sources in the weight ratio shown in Table 3.
  • Examples 1 to 50 show improved efficiency and good characteristics while maintaining the same life characteristics as the comparative examples.
  • efficiency and life may be in a trade-off relationship, and it is difficult to improve both current efficiency and life characteristics.
  • improving current efficiency leads to lower power consumption and improved luminance, so if current efficiency can be improved while maintaining a certain level of life characteristics, a more practical element can be obtained.
  • Examples 1 to 50 which use the mixed composition of the present invention, can achieve a current efficiency of 110% or more while maintaining a life characteristic of about 90% or exhibiting a life characteristic of 100% or more compared to Comparative Examples 1 and 9, in which a conventional compound was used as part of the mixed host material, and an organic EL element that is advantageous for practical use can be obtained.
  • Table 4 lists the 50% weight loss temperatures (T50) for compounds 104, 114, 121, 123, 301, 309, 310, 318, 602, 608, 701, 705, 707, 192, 331, 201, 340, 208, 220, H, I, J, and K.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

低駆動電圧でありながら、高効率かつ長寿命を有した実用上有用な有機ＥＬ素子及びそれに適する材料を提供する。一般式（１）で表される化合物と、一般式（２）で表される化合物を含む混合組成物であり、一般式（１）で表される化合物はインドロカルバゾール環の一方のＮには置換トリアジン環が結合し、他方のＮにはフェニル基置換のo-フェニレンが結合した構造を有するインドロカルバゾール化合物であり、一般式（２）で表される化合物はカルバゾール環のＮに芳香族炭化水素基が置換した構造を有するビスカルバゾール化合物である。

Description

混合組成物及び有機電界発光素子
　本発明は混合組成物、及びそれを用いた有機電界発光素子（有機EL素子という）に関するものである。詳しくはインドロカルバゾール化合物、及びビスカルバゾール化合物からなる混合組成物とそれを使用した有機EL素子に関する。
　有機電界発光素子（有機EL素子という。）に電圧を印加することで、陽極から正孔が、陰極からは電子がそれぞれ発光層に注入される。そして発光層において、注入された正孔と電子が再結合し、励起子が生成される。この際、電子スピンの統計則により、一重項励起子及び三重項励起子が１：３の割合で生成する。一重項励起子による発光を用いる蛍光発光型の有機EL素子は、内部量子効率は２５％が限界であるといわれている。一方で三重項励起子による発光を用いる燐光発光型の有機EL素子は、一重項励起子から項間交差が効率的に行われた場合には、内部量子効率が１００％まで高められることが知られている。
　しかしながら、燐光発光型の有機EL素子に関しては、長寿命化が技術的な課題となっている。
　さらに最近では、遅延蛍光を利用した高効率の有機EL素子の開発がなされている。例えば特許文献１には、遅延蛍光のメカニズムの一つであるTTF（Triplet-Triplet Fusion）機構を利用した有機EL素子が開示されている。TTF機構は２つの三重項励起子の衝突によって一重項励起子が生成する現象を利用するものであり、理論上内部量子効率を４０％まで高められると考えられている。しかしながら、燐光発光型の有機EL素子と比較すると効率が低いため、更なる効率の改良が求められている。
　一方で特許文献２では、TADF（Thermally Activated Delayed Fluorescence）機構を利用した有機EL素子が開示されている。TADF機構は一重項準位と三重項準位のエネルギー差が小さい材料において三重項励起子から一重項励起子への逆項間交差が生じる現象を利用するものであり、理論上内部量子効率を１００％まで高められると考えられている。しかしながら燐光発光型素子と同様に寿命特性の更なる改善が求められている。
WO2010/134350号 WO2011/070963号 WO2008/056746号 KR特許公開2013/132226号公報 特開2003-133075号公報 US特許公開2014/0197386号 US特許公開2015/0001488号 US特許公開2008/0286605号 WO2016/194604号 WO2018/198844号 WO2018/061446号 WO2022/255243号 WO2023/008501号
　特許文献３、４ではインドロカルバゾール化合物について、ホスト材料としての使用を開示している。特許文献５ではビスカルバゾール化合物について、ホスト材料としての使用を開示している。
　特許文献６、７ではインドロカルバゾール化合物とビスカルバゾール化合物を混合ホストとして使用することを開示している。また、特許文献８では重水素化したカルバゾール化合物について、ホスト材料としての使用を開示している。
　特許文献９、１０、１１では複数のインドロカルバゾール化合物とビスカルバゾール化合物の混合組成物を、ホスト材料として使用することを開示している。
　特許文献１２では複数のインドロカルバゾール化合物と重水素化したビスカルバゾール化合物の混合組成物を、ホスト材料として使用することを開示している。
　特許文献１３では、所定のインドロカルバゾール化合物と重水素化したビスカルバゾール化合物の混合組成物を、ホスト材料として使用することを開示している。
　しかしながら、素子の駆動電圧低減、発光効率の向上、長寿命化を図る上で、いずれも十分なものとは言えず、更なる改良が望まれている。
　有機ＥＬ素子をフラットパネルディスプレイ等の表示素子に応用するためには、素子の発光効率を改善すると同時に、素子の長寿命特性を十分に確保する必要がある。本発明は、上記現状に鑑み、低駆動電圧でありながら、高効率かつ長寿命を有した実用上有用な有機ＥＬ素子及びそれに適する化合物を提供することを目的とする。
　本発明者らは、鋭意検討した結果、特定のインドロカルバゾール化合物とビスカルバゾール化合物の混合組成物を有機ＥＬ素子に用いることで優れた特性を示すことを見出し、本発明を完成するに至った。
　本発明は、一般式（１）で表される化合物と、下記一般式（２）で表される化合物とを含む混合組成物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
　ここで環Ａは、２つの隣接環と任意の位置で縮合する式（１ａ）で表される複素環である。Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立に、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換のビフェニル基、置換若しくは未置換のターフェニル基、置換若しくは未置換のクアテルフェニル基である。Ａｒ１及びＡｒ２に含まれるベンゼン環の数の合計は、２～６が好ましく、より好ましくは、２～４である。
　Ｒ１はそれぞれ独立に、置換若しくは未置換の炭素数６～１０の芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数３～１２の芳香族複素環基、又はこれらの芳香族基が２～５個連結した置換若しくは未置換の連結芳香族基であり、連結する場合の芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基は互いに同じであっても異なっていてもよい。
　ａ～ｃは置換数を表し、ａ、ｃは０～４の整数、ｂは０～２の整数であり、好ましくは、ａ、ｃは０～２の整数、ｂは０～１の整数である。ｘは置換数であり、０～５の整数であり、好ましくは０～３であり、さらに好ましくは０～２であり、より好ましくは０～１である。またｘが２～５の場合は、かさ高い置換基となるため分子間の相互作用が抑制され、アモルファス安定性の高い膜を形成することができるという効果が期待できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
　ここで、Ａｒ３及びＡｒ４はそれぞれ独立に、置換若しくは未置換の炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、又はこれらの芳香族炭化水素基が２個連結してなる置換若しくは未置換の連結芳香族基を示し、連結する場合の芳香族炭化水素基は同一であっても異なっていてもよい。Ａｒ３及びＡｒ４は、好ましくは置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換のビフェニル基、置換若しくは未置換のナフチル基、又は置換若しくは未置換のフェナントリル基であり、より好ましくは未置換のフェニル基である。
　また、Ｌ１及びＬ２はそれぞれ独立に、直接結合、又は置換若しくは未置換のフェニレン基を表す。ｙ及びｚはそれぞれ独立に１～２の整数を表し、好ましくはｙ＝ｚ＝１である。ｙ又はｚが２である場合は、Ｌ１又はＬ２は直接結合であることはなく、フェニレン基は３価のフェニレン基となる。
　前記混合組成物は、前記一般式（１）で示される化合物と、前記一般式（２）で表される化合物との合計に対して、一般式（１）で表される化合物が２０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下であることが好ましい。
　前記一般式（１）で示される化合物又は一般式（２）で表される化合物の少なくとも一方は、水素の一部若しくは全部が重水素で置換されていることが好ましい。
　また、前記一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物において、水素の一部若しくは全部が重水素で置換されており、その平均重水素化率が３０％以上であることが好ましい、４０％以上がより好ましい。
　混合組成物は、有機電界発光素子の少なくとも１層を蒸着法によって製造するための材料であって、蒸着前に事前に混合された予備混合物であることできる。
　この予備混合物にあっては、前記一般式（１）で表される化合物と、一般式（２）で表される化合物との５０％重量減少温度の差が２０℃以内であるのがよい。
　また、本発明は、陽極と陰極との間に複数の有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層の少なくとも１層に、前記の混合組成物を含むことを特徴とする有機電界発光素子である。
　好ましくは、前記の混合組成物を含む有機層が、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層及び電子阻止層からなる群から選ばれる少なくとも一つの層であり、より好ましくは、発光層である。また、混合組成物を含む有機層が発光層である場合、当該発光層は少なくとも１種の発光性ドーパントを含有するのがよく、更に好ましくは、第１ホストとして前記一般式（１）で表される化合物、及び第２ホストとして前記一般式（２）で表される化合物を含み、かつ該発光層が少なくとも１種の発光性ドーパントを含有するのがよい。
　また、本発明は、陽極と陰極との間に発光層を含む複数の有機層を有する有機電界発光素子を製造する方法であって、前記の混合組成物を用意し、この混合組成物を使用して一つの蒸発源から蒸発させ、蒸着することで発光層を形成する工程を有することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法である。
　有機ＥＬ素子の特性向上のためには、有機層に使用する材料の電荷に対する耐久性が高いことが必要であり、特に発光層においては周辺層への励起子および電荷の漏れを抑えることが重要である。この電荷/励起子の漏れ抑制には、発光層中における発光領域の偏りの改善が有効で、そのためには発光層への両電荷（電子/正孔）の注入量若しくは発光層中における両電荷の輸送性を好ましい範囲に制御することが必要である。
　有機層に使用する材料の両電荷注入輸送性は、材料の分子軌道のエネルギー準位および分子間の相互作用の大きさにより大きく左右される。本発明の混合組成物を有機ＥＬ素子用材料として使用した場合は、式（１ａ）で表されるオルト位連結のビフェニルジイル基を有するインドロカルバゾール化合物を含むため、特に電子注入輸送能が高いが、ビフェニルジイル基の立体障害効果からインドロカルバゾール分子同士の近接を抑えることができる。
　そして、ビフェニルジイル基の置換基種や結合位置を変えることで発光層への電子注入輸送への寄与の大きな分子軌道の分子間相互作用を高いレベルで制御でき、優れた有機ＥＬ素子を与えると考えられる。
有機ＥＬ素子の一構造例を示す断面図である。
　本発明の混合組成物は、前記一般式（１）で表される化合物と、一般式（２）で表される化合物とを含む。
　一般式（１）において、環Ａは式（１ａ）で表される五員環の複素環であり、該複素環は２つの隣接環と任意の位置で縮合するが、Ｎを含む辺で縮合することはない。したがって、インドロカルバゾール環はいくつかの異性体構造を有するが、その数は限られる。
　具体的には、一般式（１）で表される化合物としては、下記式（３）～（８）のいずれかで表される態様があり、好ましくは式（６）～（８）であり、より好ましくは式（８）で表される構造である。なお、式（３）～（８）において、一般式（１）と共通する記号は同じ意味を有する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
　一般式（１）において、Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立に、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換のビフェニル基、置換若しくは未置換のターフェニル基、又は置換若しくは未置換のクアテルフェニル基であり、好ましくはＡｒ１とＡｒ２のベンゼン環の数の和が５以下、より好ましくは４以下である。ビフェニル基、ターフェニル基、又はクアテルフェニル基は、ベンゼン環が２、３又は４個連結した構造を有するが、各ベンゼン環の結合位は、ｏ－、ｍ－、ｐ－位のいずれでもよい。また、直鎖状でも分岐状でもよい。
　Ｒ１はそれぞれ独立に、置換若しくは未置換の炭素数６～１０の芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数３～１２の芳香族複素環基、又はこれらの芳香族基が２～５個連結した置換若しくは未置換の連結芳香族基であり、連結する場合の芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基は互いに同じであっても異なっていてもよい。
　本明細書において、連結芳香族基は、２以上の芳香族基の芳香族環が単結合で結合して連結した芳香族基をいう。これらの連結芳香族基は直鎖状であっても、分岐してもよい。ベンゼン環同士が連結する際の連結位置はオルト、メタ、パラ、いずれでもよいが、パラ連結、又はメタ連結が好ましい。芳香族基は芳香族炭化水素基であっても、芳香族複素環基であってもよく、複数の芳香族基は同一であっても、異なってもよい。
　Ｒ１が未置換の炭素数６～１０の芳香族炭化水素基、未置換の炭素数３～１２の芳香族複素環基、又はこれらの芳香族基が２～５個連結した未置換の連結芳香族基の具体例としては、ベンゼン、ナフタレン、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、チオフェン、イソチアゾール、チアゾール、ピリダジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、ピラジン、フラン、イソキサゾール、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、キナゾリン、チアジアゾール、フタラジン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾセレノフェン、カルバゾール又はこれらが２～５連結して構成される化合物から生じる基が挙げられる。
　本明細書において、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、又は連結芳香族基は、それぞれ置換基を有してもよい。置換基を有する場合の置換基は、重水素、ハロゲン、シアノ基、トリアリールシリル基、炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基、炭素数２～５のアルケニル基、炭素数１～５のアルコキシ基又は炭素数１２～４４のジアリールアミノ基が好ましい。ここで、置換基が炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基である場合、直鎖状、分岐状、環状であってもよい。上記トリアリールシリル基、又は上記ジアリールアミノ基が、前記芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、又は連結芳香族基の置換基となる場合、それぞれケイ素と炭素、又は窒素と炭素が単結合で結合する。
　なお、上記置換基の数は０～５であるのがよく、好ましくは０～２がよい。また、芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が置換基を有する場合の炭素数の計算には、置換基の炭素数を含まない。しかし、置換基の炭素数を含んだ合計の炭素数が上記範囲を満足することが好ましい。
　上記置換基の具体例としては、重水素、シアノ、メチル、エチル、プロピル、i-プロピル、ブチル、t-ブチル、ペンチル、ネオペンチル、シクロペンチル、へキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ビニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ジフェニルアミノ、ナフチルフェニルアミノ、ジナフチルアミノ、ジアントラニルアミノ、ジフェナンスレニルアミノ、ジピレニルアミノ等が挙げられる。好ましくは、重水素、シアノ、メチル、エチル、t-ブチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ネオペンチル、へキシル、ヘプチル、又はオクチルジフェニルアミノ、ナフチルフェニルアミノ、又はジナフチルアミノが挙げられる。
　一般式（１）の具体的な例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。なお、下記構造式において、置換された重水素（Ｄ）のｎの置換数は平均の数を意味し、平均重水素化率に応じて変化する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000050
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000051
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000052
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000053
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000054
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000055
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000056
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000057
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000058
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000059
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000060
　これら具体的に例示した例示化合物のなかでも、好ましくは、化合物104、106、108、110、111、112、114、116、117、118、119、120、121、123、125、126、127、128、129、192、201、208、220、301、302、303、304、305、306、307、308、309、310、311、312、313、314、331、340、341、342、343、348、349、350、354、355、356、360、361及び362が挙げられる。
　前記一般式（２）において、Ａｒ３及びＡｒ４はそれぞれ独立に、置換若しくは未置換の炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、又はこれらの芳香族炭化水素基が２個連結してなる置換若しくは未置換の連結芳香族基を示す。好ましくは、置換若しくは未置換の炭素数６～１０の芳香族炭化水素基、又はこれらの芳香族炭化水素基が２個連結してなる置換若しくは未置換の連結芳香族基である。より好ましくは、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換のビフェニル基、置換若しくは未置換のナフチル基、又は置換若しくは未置換のフェナントリル基であり、より好ましくは未置換のフェニル基である。ビフェニル基は、ベンゼン環が２個連結した構造を有するが、各ベンゼン環の結合位は、ｏ－、ｍ－、ｐ－位のいずれでもよい。
　Ａｒ３及びＡｒ４において、未置換の炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、又はこれら芳香族基が２個連結して成る未置換の連結芳香族基の具体例としては、ベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、又はこれらが２個連結して構成される化合物から生じる基が挙げられる。
　Ｌ１及びＬ２は直接結合又は置換若しくは未置換のフェニレン基を表す。フェニレン基はオルト、メタ、及びパラ結合のいずれでもよい。
　ｙ及びｚは、置換数を示し、独立に１又は２を示すが、好ましくは１である。２である場合はＬ１又はＬ２は、３価のフェニレン基である。
　一般式（２）の具体的な例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。なお、下記構造式において、Ｄ及びｍの意味は、前記ｎと同様である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000061
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000062
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000063
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000064
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000065
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000066
　これら具体的に例示した例示化合物のなかでも、好ましくは、化合物602、603、605、606、607、608、609、610、611、613、615、616、617、618、619、620、701、702、703、704、705、706、707、708、709、710、711、712、713、及び714が挙げられる。
　本発明の混合組成物に含まれる化合物中の水素は重水素であってもよい。すなわち、一般式（１）において、環Ａを含む縮合環（インドロカルバゾール環）が有する水素、インドロカルバゾール環に置換するビフェニル基又はターフェニル基が有する水素、並びにＡｒ１、Ａｒ２、及びＲ１の芳香族環が有する水素、及びこれらの芳香族環に置換する置換基の水素の一部又は全部が重水素であってもよい。また、一般式（２）で表される化合物における２つのカルバゾール環が有する水素や、Ａｒ３、Ａｒ４、Ｌ１及びＬ２の芳香族環が有する水素、及びＡｒ３、Ａｒ４、Ｌ１及びＬ２が有する置換基の水素の一部又は全部が重水素であってもよい。
　また、これらの化合物の水素の一部又は全部が重水素化された重水素化物である場合、一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物は、単一化合物からなる場合と、２以上の化合物の混合物からなる場合との両方を含む。すなわち、一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物は、これらの式に含まれる化合物の２種類以上であってもよく、重水素化数や重水素化位置が異なる化合物の混合物であってもよい。
　また、混合組成物中に含まれる化合物の全部が重水素化されてもよく、一部の化合物だけが重水素化されてもよい。
　一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物について、平均重水素化率が３０％以上であることが好ましく、４０％以上がより好ましい。
　ここで、平均重水素化率を具体的に説明すると、平均重水素化率が５０％の場合、全水素のうち平均で半数が重水素に置換されたものを意味する。
　平均重水素化率は質量分析やプロトン核磁気共鳴分光法によって求めることができる。例えばプロトン核磁気共鳴分光法によって求める場合は、まず重溶媒に化合物、及び内部標準物質を添加し溶解することで測定試料を調製し、内部標準物質と化合物由来の積分強度比から、測定試料中に含まれる化合物のプロトン濃度［ｍｏｌ／ｇ］を計算する。次に、重水素化された化合物のプロトン濃度と、それに対応する重水素化されていない化合物のプロトン濃度の比を計算し、１から減じることで重水素化された化合物の平均重水素化率を算出することができる。
　本発明の混合組成物は、前記一般式（１）で表される化合物と、一般式（２）で表される化合物を含むが、その混合比（重量比）は、両者の合計に対し、一般式（１）で表される化合物が２０～７０ｗｔ％であることがよく、好ましくは２０～６０ｗｔ％である。
　混合組成物には、一般式（１）で表される化合物と、一般式（２）で表される化合物の他に、他の化合物を含むことができる。他の化合物としては、公知のホスト材料や、発光性ドーパント等がある。しかしながら、一般式（１）で表される化合物と、一般式（２）で表される化合物は、全体の５０wt％以上であることがよく、７５wt％以上であることがより好ましい。
　本発明の混合組成物は、有機ＥＬ素子の材料又は成分として適する。
　有機ＥＬ素子の成分となる場合は、混合組成物は、有機ＥＬ素子の有機層に含まれるが、この有機層としては、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層及び電子阻止層からなる群から選ばれることがよい。好ましくは、発光層であり、発光層は少なくとも１種の発光性ドーパントを含有することがよい。
　発光層に本発明の前記混合組成物を含む場合は、発光層のホストとして含まれることが望ましい。有利には、前記一般式（１）で表される化合物を第１ホストとし、一般式（２）で表される化合物を第２ホストとして含むのがよい。
　本発明の混合組成物を有機ＥＬ素子の成分とする場合は、一般式（１）で表される化合物と前記一般式（２）で表される化合物などの複数の化合物を個々に異なる蒸着源から蒸発させて、蒸着するなどの方法を採用することもできるが、蒸着前に事前混合して予備混合物としてから、その予備混合物を１つの蒸発源から同時に蒸発、蒸着して有機層、好ましくは発光層を形成することがよい。
　本発明の混合組成物として、上記予備混合物を使用して発光層を形成する場合は、必要な発光性ドーパント材料又は必要により使用される他のホストを混合させてもよいが、所望の蒸気圧となる温度に大きな差がある場合は、発光性ドーパント材料や他のホストは別の蒸着源から蒸着させることがよい。
　本発明の混合組成物が上記予備混合物である場合は、蒸着を安定的に行うために前記一般式（１）で表される化合物と、前記一般式（２）で表される化合物とは、５０％重量減少温度が２０℃以内であることが望ましい。より好ましくは、１５℃以内である。
　本発明の有機ＥＬ素子は、対向する電極間に複数の有機層を有し、有機層の少なくとも一つは発光層である。少なくとも一つの発光層はホストとして前記混合組成物を含むことがよい。発光層に混合組成物を含む場合には、少なくとも１種の発光性ドーパントを含有することがよい。
　次に、本発明の有機ＥＬ素子の構造について、図面を参照しながら説明するが、本発明の有機ＥＬ素子の構造はこれに限定されない。
　図１は本発明に用いられる一般的な有機ＥＬ素子の構造例を示す断面図であり、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は電子輸送層、７は陰極を表す。本発明の有機ＥＬ素子は発光層と隣接して励起子阻止層を有してもよく、また発光層と正孔注入層との間に電子阻止層を有してもよい。励起子阻止層は発光層の陽極側及び陰極側のいずれにも挿入することができ、両方同時に挿入することも可能である。本発明の有機ＥＬ素子では、陽極、発光層、そして陰極を必須の層として有するが、必須の層以外に正孔注入輸送層、電子注入輸送層を有することがよく、更に発光層と電子注入輸送層の間に正孔阻止層を有することがよい。なお、正孔注入輸送層は、正孔注入層と正孔輸送層のいずれか、又は両者を意味し、電子注入輸送層は、電子注入層と電子輸送層のいずれか又は両者を意味する。
　図１とは逆の構造、すなわち基板１上に陰極７、電子輸送層６、発光層５、正孔輸送層４、正孔注入層３、陽極２の順に積層することも可能であり、この場合も必要により層を追加、省略することが可能である。
－基板－
　本発明の有機ＥＬ素子は、基板に支持されていることが好ましい。この基板については特に制限はなく、従来から有機ＥＬ素子に用いられているものであればよく、例えばガラス、透明プラスチック、石英等からなるものを用いることができる。
－陽極－
　有機ＥＬ素子における陽極材料としては、仕事関数の大きい（４eV以上）金属、合金、電気伝導性化合物又はこれらの混合物からなる材料が好ましく用いられる。このような電極材料の具体例としてはＡｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ITO）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（In2O3-ZnO）等の非晶質で、透明導電膜を作成可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極材料を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合（100μm以上程度）は、上記電極材料の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは有機導電性化合物のような塗布可能な物質を用いる場合には印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。膜厚は材料にもよるが、通常１０～１０００ｎｍ、好ましくは１０～２００ｎｍの範囲で選ばれる。
－陰極－
　陰極材料としては、仕事関数の小さい（４eV以下）金属（電子注入性金属）、合金、電気伝導性化合物又はこれらの混合物からなる材料が用いられる。このような電極材料の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム―カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Al２O３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの陰極材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ～５μｍ、好ましくは５０～２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明であれば発光輝度は向上し、好都合である。
　また、陰極に上記金属を１～２０ｎｍの膜厚で形成した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に形成することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が光透過性を有する素子を作製することができる。
－発光層－
　発光層は陽極及び陰極のそれぞれから注入された正孔及び電子が再結合することにより励起子が生成した後、発光する層であり発光層には発光性ドーパント材料とホストを含む。
　本発明の混合組成物は、有機電界発光素子用材料として好適に使用でき、好ましくはホストとして使用できる。ホストには、一般式（１）で表される化合物を第１ホストとし、一般式（２）で表される化合物を第２ホストとして使用することが好ましい。第１ホスト又は第２ホストは１種を使用してもよく、２種以上の異なる化合物を使用してもよく、必要により、他の公知のホスト材料を１種以上併用してもよいが、その使用量はホスト材料の合計に対し、５０ｗｔ％以下、好ましくは２５ｗｔ％以下とすることがよい。
　本発明の有機電界発光素子の製造方法は、上記の予備混合物を用意すること、この予備混合物を一つの蒸発源から蒸発させ、蒸着させて発光層を形成することからなる工程を有する。そして、予備混合物を単一の蒸発源から気化させて蒸着させる方法がより好ましい。ここで、予備混合物は均一な組成物であることが適する。
　第１ホストと第２ホストを予備混合して使用する場合は、良好な特性を有する有機ＥＬ素子を再現性良く作製するために、５０％重量減少温度（T50）の差が小さいことが望ましい。５０％重量減少温度は、窒素気流減圧（１Pa）下でのＴＧ－ＤＴＡ測定において、室温から毎分１０℃の速度で５５０℃まで昇温したとき、重量が５０％減少した際の温度をいう。この温度付近では、蒸発又は昇華による気化が最も盛んに起こると考えられる。
　上記５０％重量減少温度の差は、２０℃以内であることが、この予備混合物を単一の蒸発源から気化させて蒸着すると、均一な蒸着膜を得ることできるため好ましい。この際、予備混合物には、発光層を形成するために必要な発光性ドーパント材料又は必要により使用される他のホストを混合させてもよい。
　事前混合して予備混合物とする場合の方法としては、可及的に均一に混合できる方法が望ましく、粉砕混合や、減圧下又は窒素のような不活性ガス雰囲気下で加熱溶融させる方法や、昇華等が挙げられるが、これらの方法に限定されるものではない。
　予備混合物の形態は粉体、スティック状、又は顆粒状であってもよい。
　一般式（１）で表される化合物や、一般式（２）で表される化合物が重水素化物の場合、全部又は一部が重水素化された出発原料を用いて製造する方法と、水素／重水素交換反応により製造する方法が知られている。全部又は一部が重水素化された原料は、市販品供給元から購入するか、既知の水素／重水素交換反応により製造することができる。既知の水素／重水素交換反応としては、遷移金属触媒存在下、非重水素化体に重水素ガス又はその等価体を作用させる方法や、酸触媒存在下、非重水素化体を重水素化溶媒（重ベンゼンなど）で処理する方法などがある。
　発光性ドーパント材料として燐光発光ドーパントを使用する場合、燐光発光ドーパントとしては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金及び金から選ばれる少なくとも１つの金属を含む有機金属錯体を含有するものがよい。具体的には、J.Am.Chem.Soc.2001,123,4304、JP2013-530515A、US2016/0049599A、US2017/0069848A、US2018/0282356A、又はUS2019/0036043A等に記載されているイリジウム錯体や、US2018/0013078A、又はKR2018-094482A等に記載されている白金錯体が好適に用いられるが、これらに限定されない。
　燐光発光ドーパント材料は、発光層中に１種類のみが含有されても良いし、２種類以上を含有してもよい。燐光発光ドーパント材料の含有量はホスト材料に対して０．１～３０wt％であることが好ましく、１～２０wt％であることがより好ましい。
　燐光発光ドーパント材料は、特に限定されるものではないが、具体的には以下のような化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000067
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000068
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000069
　発光性ドーパント材料として蛍光発光ドーパントを使用する場合、蛍光発光ドーパントとしては、特に限定されないが例えばベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピロリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリジン化合物、８－キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体、希土類錯体、遷移金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体等が挙げられる。好ましくは縮合芳香族誘導体、スチリル誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、オキサジン誘導体、ピロメテン金属錯体、遷移金属錯体、又はランタノイド錯体が挙げられ、より好ましくはナフタレン、ピレン、クリセン、トリフェニレン、ベンゾ[ｃ]フェナントレン、ベンゾ[a]アントラセン、ペンタセン、ペリレン、フルオランテン、アセナフソフルオランテン、ジベンゾ[a,j]アントラセン、ジベンゾ[a,h]アントラセン、ベンゾ[a]ナフタレン、ヘキサセン、ナフト[2,1-f]イソキノリン、α‐ナフタフェナントリジン、フェナントロオキサゾール、キノリノ[6,5-f]キノリン、ベンゾチオファントレン等が挙げられる。これらは置換基としてアルキル基、アリール基、芳香族複素環基、又はジアリールアミノ基を有してもよい。
　発光性ドーパント材料として熱活性化遅延蛍光発光ドーパントを使用する場合、熱活性化遅延蛍光発光ドーパントとしては、特に限定されないがスズ錯体や銅錯体等の金属錯体や、WO2011/070963Aに記載のインドロカルバゾール誘導体、Nature 2012,492,234に記載のシアノベンゼン誘導体、カルバゾール誘導体、Nature Photonics 2014,8,326に記載のフェナジン誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、スルホン誘導体、フェノキサジン誘導体、アクリジン誘導体等が挙げられる。
　熱活性化遅延蛍光発光ドーパント材料は、特に限定されるものではないが、具体的には以下のような化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000070
　熱活性化遅延蛍光発光ドーパント材料は、発光層中に１種類のみが含有されてもよいし、２種類以上を含有してもよい。また、熱活性化遅延蛍光発光ドーパントは燐光発光ドーパントや蛍光発光ドーパントと混合して用いてもよい。熱活性化遅延蛍光発光ドーパント材料の含有量は、ホスト材料に対して０．１～５０ｗｔ％であることが好ましく、１～３０ｗｔ％であることがより好ましい。
－注入層－
　注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、正孔注入層と電子注入層があり、陽極と発光層又は正孔輸送層の間、及び陰極と発光層又は電子輸送層との間に存在させてもよい。注入層は必要に応じて設けることができる。
－正孔阻止層－
　正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで発光層中での電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
－電子阻止層－
　電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで発光層中での電子と正孔が再結合する確率を向上させることができる。
　電子阻止層の材料としては、公知の電子阻止層材料を用いることができ、また後述する正孔輸送層の材料を必要に応じて用いることができる。電子阻止層の膜厚は好ましくは３～１００ｎｍであり、より好ましくは５～３０ｎｍである。
－励起子阻止層－
　励起子阻止層とは、発光層内で正孔と電子が再結合することにより生じた励起子が電荷輸送層に拡散することを阻止するための層であり、本層の挿入により励起子を効率的に発光層内に閉じ込めることが可能となり、素子の発光効率を向上させることができる。励起子阻止層は２つ以上の発光層が隣接する素子において、隣接する２つの発光層の間に挿入することができる。
　励起子阻止層の材料としては、公知の励起子阻止層材料を用いることができる。例えば、１，３－ジカルバゾリルベンゼン（ｍＣＰ）や、ビス（８－ヒドロキシ－２－メチルキノリン）－（４－フェニルフェノキシ）アルミニウム（III）（ＢＡｌｑ）等が挙げられる。
－正孔輸送層－
　正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、正孔輸送層は単層又は複数層設けることができる。
　正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。正孔輸送層には従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。かかる正孔輸送材料としては例えば、ポルフィリン誘導体、アリールアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられるが、ポルフィリン誘導体、アリールアミン誘導体及びスチリルアミン誘導体を用いることが好ましく、アリールアミン誘導体化合物を用いることがより好ましい。
－電子輸送層－
　電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、電子輸送層は単層又は複数層設けることができる。
　電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる場合もある）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。電子輸送層には、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントロリン等の多環芳香族誘導体、トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム（III）誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、ビピリジン誘導体、キノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体等が挙げられ、更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
　以下、本発明を実施例によって更に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、その要旨を超えない限りにおいて、種々の形態で実施することが可能である。
合成例１
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000071
 　化合物(a) 5gに、化合物(b)を5.6g、りん酸三カリウムを8.6g、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノンを60ml加え、窒素雰囲気下で200℃にて48時間撹拌した。室温まで冷却後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製、晶析精製を行い、白色固体として中間体（1-1）を6.6g（収率70％）得た。
　窒素雰囲気下、N,N’-ジメチルアセトアミド30mlに60重量％水素化ナトリウム1.3gを加え、懸濁液を調製した。そこにN,N’-ジメチルアセトアミド170mLに溶解した中間体（1-1）を6g加え、30分撹拌した。そこに化合物（c）を5.1g加えた後、6時間撹拌した。反応溶液をメタノール (300 ml)、蒸留水(100 ml)の混合溶液に撹拌しながら加え、得られた析出した固体をろ取した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製、晶析精製を行い、黄色固体として化合物114を6.5g (収率66％)得た（APCI-TOFMS、m/z 792[M+H]+）。
合成例２
　次の反応に従い、化合物405を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000072
 　化合物608 8.3gに、重ベンゼン（C6D6）を160ml、重トリフルオロメタンスルホン酸（TfOD）を10.0g加え、窒素雰囲気下、50℃で6.5時間加熱撹拌した。反応液を炭酸ナトリウム（7.4g）の重水溶液（200ml）に加えて急冷し、分離、精製して重水素化物である白色固体の化合物705を2.5g得た。
　化合物705について、プロトン核磁気共鳴分光法によって平均重水素化率を求めた。重水素化テトラヒドロフラン（1.0ml）に化合物405（5.0mg）及び内部標準物質としてジメチルスルホン（2.0mg）を溶解することで、測定試料を調製した。内部標準物質と化合物705由来の積分強度比から、測定試料中に含まれる化合物705の平均のプロトン濃度［ｍｏｌ／ｇ］を計算した。また、化合物705の非重水素化体（化合物608）についても同様に平均のプロトン濃度［ｍｏｌ／ｇ］を計算した。次に、化合物705のプロトン濃度と化合物608のプロトン濃度の比を計算し、１から減じることで化合物705の平均重水素化率を68.8%と算出した。
合成例３
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000073
 　化合物(1-1) 8.4gに、重ベンゼン（C6D6）を200ml、重トリフルオロメタンスルホン酸（TfOD）を12.7g加え、窒素雰囲気下、50℃で４時間加熱撹拌した。反応液を炭酸ナトリウム（10.2g）の重水溶液（130ml）に加えて急冷し、分離、精製して重水素化物である化合物(1-1-D)を6.8g得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000074
 　窒素雰囲気下、N,N’-ジメチルアセトアミド45mlに60重量％水素化ナトリウム1.8gを加え、懸濁液を調製した。そこにN,N’-ジメチルアセトアミド240mLに溶解した中間体（1-1-D）を6.9g加え、30分撹拌した。そこに化合物（c）を6.0g加えた後、6時間撹拌した。反応溶液をメタノール (400 ml)、蒸留水(150 ml)の混合溶液に撹拌しながら加え、得られた析出した固体をろ取した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製、晶析精製を行い、黄色固体として化合物306を7.8g (収率69％)得た。
　化合物306について、プロトン核磁気共鳴分光法によって平均重水素化率を求めた。重水素化テトラヒドロフラン（１．０ｍｌ）に化合物218（５．０ｍｇ）及び内部標準物質としてジメチルスルホン（２．０ｍｇ）を溶解することで、測定試料を調製した。内部標準物質と化合物306由来の積分強度比から、測定試料中に含まれる化合物306の平均のプロトン濃度［ｍｏｌ／ｇ］を計算した。また、化合物306の非重水素化体（化合物114）についても同様に平均のプロトン濃度［ｍｏｌ／ｇ］を計算した。次に、化合物306のプロトン濃度と化合物114のプロトン濃度の比を計算し、１から減じることで化合物306の平均重水素化率を53.4%と算出した。
合成例４
　合成例２～３と同様にして反応を行い、重水素化物である化合物701、707、301、309、310、331、340を合成した。また、705及び306と同様にこれらの平均重水素化率を計算した結果を、表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000075
　以下に、実施例及び比較例で使用する化合物を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000076
実施例１
　膜厚110nmのITOからなる陽極が形成されたガラス基板上に、各薄膜を真空蒸着法にて、真空度4.0×10-5Paで積層した。
　先ず、ITO上に正孔注入層として化合物Ａと化合物Ｂをそれぞれ異なる蒸着源から共蒸着し、10nmの厚さに形成した。この時化合物Ｂの濃度が3wt%となる蒸着条件で共蒸着した。
　次に、第１正孔輸送層として化合物Ａを110nmの厚さに形成した。
　次に、第２正孔輸送層として化合物Ｃを10nmの厚さに形成した。
　次に、電子阻止層として化合物Ｄを5nmの厚さに形成した。
　次に、ホストとして化合物１１４（第１ホスト）と化合物６０８（第２ホスト）の予備混合物を単一の蒸発源から蒸発させ、発光ドーパントとして化合物Ｅを異なる蒸着源から蒸発させ、共蒸着し、40nmの厚さに発光層を形成した。この時、化合物Ｅの濃度が15wt%、第１ホストと第２ホストの重量比が50:50となる蒸着条件で共蒸着した。
　次に、正孔阻止層として化合物Ｆを5nmの厚さに形成した。
　次に、電子輸送層として化合物Ｇを30nmの厚さに形成した。
　更に、電子輸送層上に電子注入層としてLiFを1nmの厚さに形成した。
　最後に、電子注入層上に、陰極としてAlを70nmの厚さに形成し、有機EL素子を作製した。
実施例２～３０、比較例１～８
　第１ホスト及び第２ホストとして、表２示す化合物を使用し、表２に示す重量比とした以外は実施例１と同様にして有機EL素子を作製した。
　作製した有機EL素子の評価結果を表２に示す。表中で輝度、電圧、電流効率は駆動電流10mA/cm2時の値であり、初期特性である。LT70は、初期輝度9000nitsで駆動し、輝度が70%に減衰するまでにかかる時間であり、寿命特性を表す。第１ホスト、第２ホストの番号は、上記例示化合物に付した番号であり、重量比は、第１ホスト：第２ホストである。なお、いずれの特性も、比較例１の特性を100%とした相対値で表記してある。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000077
実施例３１～５０、比較例９～１４
　第１ホスト及び第２ホストとして、表３示す化合物を使用し、表３に示す重量比でそれぞれ異なる蒸着源から共蒸着した以外は、実施例１と同様にして有機EL素子を作製した。

　得られた有機EL素子について、先の実施例１等と同様にして評価した。結果を表３に示す。なお、いずれの特性も、比較例９の特性を100%とした相対値で表記してある。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000078
　この結果から実施例１～５０は、比較例に対して同等の寿命特性を維持しつつ、効率が向上し、良好な特性を示すことが分かる。一般に、効率と寿命はトレードオフの関係となる場合もあり、電流効率と寿命特性の両方を向上させるのは困難である。なかでも、電流効率を向上させることは、低消費電力化や輝度の向上などにつながるため、ある程度の寿命特性を得ながら、電流効率を向上させることができれば、より実用的な素子にすることができる。このような観点から、本発明に係る混合組成物を使用した実施例１～５０では、従来の化合物を混合ホスト材料の一部に使用した比較例１、９の場合に比べて９０％程度の寿命特性を維持しながら、或いは１００％以上の寿命特性を発揮しながら、いずれも１１０％以上の電流効率を達成することができており、実用上で有利な有機ＥＬ素子を得ることができる。
　なお、表４には、化合物104、114、121、123、301、309、310、318、602、608、701、705、707、192、331、201、340、208、220、H、I、J、Kの50%重量減少温度（T50）を記す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000079
　１：基板、２：陽極、３：正孔注入層、４：正孔輸送層、５：発光層、６：電子輸送層、７：陰極。

Claims (14)

  1. 　下記一般式（１）で表される化合物と、下記一般式（２）で表される化合物とを含む混合組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （ここで、環Ａは、２つの隣接環と任意の位置で縮合する式（１ａ）で表される複素環である。Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立に、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換のビフェニル基、置換若しくは未置換のターフェニル基、又は置換若しくは未置換のクアテルフェニル基である。Ｒ１はそれぞれ独立に、置換若しくは未置換の炭素数６～１０の芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数３～１２の芳香族複素環基、又はこれらの芳香族基が２～５個連結した置換若しくは未置換の連結芳香族基であり、連結する場合の芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基は互いに同じであっても異なっていてもよい。ａ～ｃは置換数であり、ａ、及びｃはそれぞれ独立に０～４の整数、ｂは０～２の整数である。ｘは置換数であり、０～５の整数である。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （ここで、Ａｒ３及びＡｒ４はそれぞれ独立に、置換若しくは未置換の炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、又はこれらの芳香族炭化水素基が２個連結してなる置換若しくは未置換の連結芳香族基を示し、連結する場合の芳香族炭化水素基は同一であっても異なっていてもよい。Ｌ１及びＬ２はそれぞれ独立に、直接結合、又は置換若しくは未置換のフェニレン基を表す。ｙ及びｚは置換数を表し、それぞれ独立に１～２の整数を表す。）
  2. 　前記一般式（１）で示される化合物と、前記一般式（２）で表される化合物との合計に対して、一般式（１）で表される化合物が２０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１に記載の混合組成物。
  3. 　前記一般式（１）及び一般式（２）で表される化合物の少なくとも一方の化合物が、水素の一部若しくは全部が重水素で置換されている請求項１に記載の混合組成物。
  4. 　前記一般式（２）で表される化合物において、水素の一部若しくは全部が重水素で置換されており、その平均重水素化率が３０％以上である請求項１に記載の混合組成物。

  5. 　混合組成物が、有機電界発光素子の少なくとも１層を蒸着法によって製造するための材料であって、蒸着前に事前に混合された予備混合物であることを特徴とする請求項１に記載の混合組成物。
  6. 前記一般式（１）で表される化合物と、前記一般式（２）で表される化合物との５０％重量減少温度の差が２０℃以内であることを特徴とする請求項５に記載の混合組成物。
  7. 　陽極と陰極との間に複数の有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層の少なくとも１層に、請求項１～６のいずれかに記載の混合組成物を含むことを特徴とする有機電界発光素子。
  8. 　前記混合組成物を含む有機層が、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層及び電子阻止層からなる群から選ばれる少なくとも一つの層である請求項７に記載の有機電界発光素子。
  9. 　前記混合組成物を含む有機層が発光層であり、第１ホストとして前記一般式（１）で表される化合物、及び第２ホストとして前記一般式（２）で表される化合物を含み、かつ該発光層が少なくとも１種の発光性ドーパントを含有する請求項７に記載の有機電界発光素子。
  10. 　陽極と陰極との間に発光層を含む複数の有機層を有する有機電界発光素子を製造する方法であって、請求項５に記載の混合組成物を用意すること、この混合組成物を一つの蒸発源から蒸発させ、蒸着させて発光層を形成することからなる工程を有することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
  11. 　前記一般式（１）で表される化合物において、置換数ｘが０～２の整数である、請求項１に記載の混合組成物。
  12. 　前記一般式（１）で表される化合物は、下記からなる群から選択されるいずれか一つである、請求項１に記載の混合組成物。但し、ｎは置換された重水素（Ｄ）の平均の数を表し、平均重水素化率に応じて変化する。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
  13. 　前記一般式（１）で表される化合物は、下記からなる群から選択されるいずれか一つである、請求項１記載の混合組成物。但し、ｎは置換された重水素（Ｄ）の平均の数を表し、平均重水素化率に応じて変化する。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
  14. 　前記一般式（２）で表される化合物は、下記からなる群から選択されるいずれか一つである、請求項１記載の混合組成物。但し、ｍは置換された重水素（Ｄ）の平均の数を表し、平均重水素化率に応じて変化する。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
      
PCT/JP2023/046770 2023-01-11 2023-12-26 混合組成物及び有機電界発光素子 Ceased WO2024150673A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202380084077.9A CN120323116A (zh) 2023-01-11 2023-12-26 混合组合物及有机电场发光元件
KR1020257026289A KR20250133930A (ko) 2023-01-11 2023-12-26 혼합 조성물 및 유기 전계 발광 소자
JP2024570146A JPWO2024150673A1 (ja) 2023-01-11 2023-12-26

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023002255 2023-01-11
JP2023-002255 2023-01-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2024150673A1 true WO2024150673A1 (ja) 2024-07-18

Family

ID=91896973

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2023/046770 Ceased WO2024150673A1 (ja) 2023-01-11 2023-12-26 混合組成物及び有機電界発光素子

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPWO2024150673A1 (ja)
KR (1) KR20250133930A (ja)
CN (1) CN120323116A (ja)
WO (1) WO2024150673A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025164666A1 (ja) * 2024-01-31 2025-08-07 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 有機電界発光素子

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210112885A (ko) * 2020-03-06 2021-09-15 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20220015980A (ko) * 2020-07-31 2022-02-08 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
WO2022131123A1 (ja) * 2020-12-18 2022-06-23 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 有機電界発光素子及びその製造方法
WO2022149493A1 (ja) * 2021-01-08 2022-07-14 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 有機電界発光素子及びその製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133075A (ja) 2001-07-25 2003-05-09 Toray Ind Inc 発光素子
US8062769B2 (en) 2006-11-09 2011-11-22 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Indolocarbazole compound for use in organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
JP5484690B2 (ja) 2007-05-18 2014-05-07 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
US20100295444A1 (en) 2009-05-22 2010-11-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP5124785B2 (ja) 2009-12-07 2013-01-23 新日鉄住金化学株式会社 有機発光材料及び有機発光素子
KR101447959B1 (ko) 2012-05-25 2014-10-13 (주)피엔에이치테크 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자
KR101820865B1 (ko) 2013-01-17 2018-01-22 삼성전자주식회사 유기광전자소자용 재료, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치
EP2821459B1 (en) 2013-07-01 2017-10-04 Cheil Industries Inc. Composition and organic optoelectric device and display device
JP6663427B2 (ja) 2015-05-29 2020-03-11 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 有機電界発光素子
JP6894913B2 (ja) 2016-09-30 2021-06-30 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 有機電界発光素子
CN110574180B (zh) 2017-04-27 2022-11-15 日铁化学材料株式会社 有机电场发光元件与其制造方法
KR20240016255A (ko) 2021-05-31 2024-02-06 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 중수소화물 및 유기 전계 발광 소자
JPWO2023008501A1 (ja) 2021-07-30 2023-02-02

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210112885A (ko) * 2020-03-06 2021-09-15 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20220015980A (ko) * 2020-07-31 2022-02-08 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
WO2022131123A1 (ja) * 2020-12-18 2022-06-23 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 有機電界発光素子及びその製造方法
WO2022149493A1 (ja) * 2021-01-08 2022-07-14 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 有機電界発光素子及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025164666A1 (ja) * 2024-01-31 2025-08-07 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 有機電界発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
CN120323116A (zh) 2025-07-15
KR20250133930A (ko) 2025-09-09
JPWO2024150673A1 (ja) 2024-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2022255243A1 (ja) 重水素化物及び有機電界発光素子
WO2022255241A1 (ja) 重水素化物及び有機電界発光素子
CN113710770B (zh) 有机电场发光元件以及有机电场发光元件的制造方法
KR102924924B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
WO2024150673A1 (ja) 混合組成物及び有機電界発光素子
JP7821114B2 (ja) 有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子
WO2023008501A1 (ja) 有機電界発光素子
WO2025047570A1 (ja) 有機電界発光素子用混合材料及び有機電界発光素子
WO2024171944A1 (ja) 混合組成物及び有機電界発光素子
JP7819116B2 (ja) 有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子
KR20260060362A (ko) 유기 전계 발광 소자용 혼합 재료 및 유기 전계 발광 소자
WO2025164667A1 (ja) 有機電界発光素子
WO2024019072A1 (ja) 有機電界発光素子
WO2025164666A1 (ja) 有機電界発光素子
WO2024147320A1 (ja) 有機電界発光素子
WO2022255242A1 (ja) 重水素化物及び有機電界発光素子
WO2024048536A1 (ja) 有機電界発光素子
WO2025105314A1 (ja) 有機電界発光素子用混合材料及び有機電界発光素子
WO2024048537A1 (ja) 有機電界発光素子
WO2024048535A1 (ja) 有機電界発光素子用ホスト材料及び予備混合物並びに有機電界発光素子
WO2025169870A1 (ja) 有機電界発光素子用混合材料及び有機電界発光素子
WO2025182720A1 (ja) 有機電界発光素子用混合材料及び有機電界発光素子
WO2026014373A1 (ja) 有機電界発光素子用ホスト材料及びこれを用いた有機電界発光素子
TW202200754A (zh) 有機電場發光元件用材料、有機電場發光元件及製造方法、混合組成物

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 23916286

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2024570146

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 202380084077.9

Country of ref document: CN

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 202380084077.9

Country of ref document: CN

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 1020257026289

Country of ref document: KR

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-0-1-A10-A15-NAP-PA0105 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020257026289

Country of ref document: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 23916286

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1