WO2024141475A1 - Procédé de transfert de couche semiconductrice - Google Patents

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WO2024141475A1
WO2024141475A1 PCT/EP2023/087625 EP2023087625W WO2024141475A1 WO 2024141475 A1 WO2024141475 A1 WO 2024141475A1 EP 2023087625 W EP2023087625 W EP 2023087625W WO 2024141475 A1 WO2024141475 A1 WO 2024141475A1
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layer
ions
semiconductor layer
donor substrate
implantation
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Application number
PCT/EP2023/087625
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Inventor
Shay Reboh
Frédéric Mazen
Jean-Michel Hartmann
Original Assignee
Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
    • H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond

Definitions

  • the technical field of the invention is that of semiconductor layer transfer processes.
  • the present invention relates more particularly to a process for transferring a semiconductor layer by ion implantation, assembly and fracturing in which the semiconductor layer is reduced to defects before the assembly step.
  • Electronic devices are typically transistors. Each layer or level of transistors is formed in a semiconductor layer called an active layer. The first level of transistors is formed on the surface of an initial substrate, also called a wafer. The second level of transistors is manufactured from a semiconductor layer formed on the first level of transistors, in other words above the surface of the initial substrate.
  • a semiconductor layer from another substrate, called the donor substrate.
  • a known transfer technique called Smart CutTM is based on the combination of an implantation of light ions in the donor substrate, an assembly by molecular adhesion of the donor and recipient substrates and a fracturing anneal of the donor substrate. .
  • a solution conventionally used consists of reducing the number of defects after the transfer step, by subjecting the recipient substrate (which includes the transferred semiconductor layer) to high temperatures, that is to say temperatures above 900°C or 1000°C, applied for long periods of time, for example several hours.
  • temperatures should be avoided when the semiconductor layer has been transferred to a receiving substrate. comprising a layer of previously formed electronic devices. In fact, they cause a degradation in performance, particularly electrical performance, of the electronic devices of this underlying layer. It is therefore impossible to reduce the defects created by the implantation of light ions in this way.
  • the method comprises the additional steps of: before the first implantation, a step of depositing a sacrificial layer on a free surface of the donor substrate, after the first implantation and before the step d epitaxy of the semiconductor layer to be transferred, a step of removing the sacrificial layer.
  • the combination of deposition and removal of the sacrificial layer aims to prepare the surface for the epitaxy of the semiconductor layer to be transferred.
  • the sacrificial layer is a dielectric layer.
  • the method according to one aspect of the invention may present one or more complementary characteristics among the following, compatible with all the previous embodiment variants and considered individually or according to all technically possible combinations.
  • FIGS 1A to 1 G schematically represent steps of the transfer process according to the invention
  • Figure 3 shows the final multilayer structure obtained with the transfer process of Figures 1 A to 1 G
  • Figure 10 represents the density of defects generated in a silicon substrate by an implantation of hydrogen ions, and by an implantation of a mixture of helium and hydrogen ions,
  • Figure 2 presents several alternative embodiments of this epitaxy step S130.
  • damaged free surface we mean the presence of blisters or exfoliations on the free surface 66. This damage corresponds to dark spots on the optical microscopy images and is easily detectable (see points P in the 'IMG1 image of Figure 7).
  • undamaged free surface 66 we mean the absence of blisters or exfoliation on the free surface 66. On the images acquired by optical microscopy, no dark spot is detected (see IMG2 of the figure 7).
  • the fragile plane 300 is then a plane in which the density of nano-cavities and the overall content of light ions, that is to say the cumulative content of first light ions 3a and second light ions 3b, allow , during the fracturing annealing step S160, to trigger the formation of gas complexes leading to the fracturing of the donor substrate 10.
  • the second implantation S140 is accomplished with ions 3b implanted at one or more doses such that, during fracturing annealing S160, the accumulation of the first ions 3a and the second ions 3b induces fracturing of the donor substrate 10 , following the fragile buried plan 300.
  • the second implantation S140 comprises hydrogen ions implanted at a second dose D2
  • this dose is preferably predetermined experimentally, based, similarly to the determination of the first threshold S1, on the presence/absence of surface exfoliations of a second test substrate such as the second test substrate 8 illustrated in Figure 8.
  • the second test substrate 8 can be divided into several test zones, for example four zones Q21, Q22, Q23 and Q24.
  • Steps S910 to S950 are carried out there. They consist of: the implantation S910 of the first ions 3a on a first zone Q21, at the implantation energy of the first ions.
  • Helium ions are implanted with an energy of 35 keV (so as to create a fragile plane at a depth of 300 nm relative to the surface) and a dose D1 of 2 e 16/cm 2 ), the S920 epitaxy of the second test substrate 8 at the epitaxy temperature Tep and during the epitaxy duration d ep , to create an epitaxy layer for example of 30 nm the implantation S930 of the second ions 3b with an implantation energy so that these ions reach the fragile buried plane.
  • the implanted ions are hydrogen, they will be implanted with 24 keV energy to reach the fragile plane located 330 nm from the surface. These ions will be implanted with a second low DT2i test dose, for example equal to 1 E16/cm 2 , heat treatment S940 of the second substrate 8 test at the fracturing annealing temperature TRF and for the duration of the fracturing annealing dRF, control S950 of the quality of the free surface 88 of the second test substrate 8, if the surface quality is deteriorated (output “D” of control step S950), the second dose D2 is equal to or greater than the second test dose DT21, if the surface quality is not deteriorated (output “ ND" of the control step S950), the test dose DT2i is increased and the test steps S910 to S930 are repeated on another test zone Q22, the implantation step S930 of the second ions 3b being accomplished with the second test dose increased DT22.
  • fracturing conditions we mean all of the parameters linked to S120 implantation of the first ions, S130 epitaxy, S140 implantation of the second ions, and S160 fracturing annealing.
  • the method then comprises a step S150 of assembling by bonding the recipient substrate 20 and the donor substrate 10 covered with the semiconductor layer 40 to be transferred.
  • the donor substrate 10 having been previously turned over, the semiconductor layer 40 to be transferred is placed between the recipient 20 and donor 10 substrates, in the assembly 1 formed.
  • the receiving substrate 20 is a substrate preferably comprising one or more layers of electronic devices 210.
  • This assembly step S150 is carried out using a conventional bonding process, preferably a bonding process by molecular adhesion, also called direct bonding.
  • the assembly step S150 is followed by a step S160 of fracturing by annealing, also called fracturing annealing step S160, of the donor substrate 10 along the buried fragile plane 300.
  • the temperature of the fracturing annealing is included in a range from 400°C to 600°C, and preferably less than or equal to 500°C.
  • the duration of the fracturing anneal is preferably between 30 minutes and 180 minutes.
  • Figures 4A to 4K schematically represent a first particular embodiment of the transfer process which has just been described generally.
  • Figures 5A to 5M schematically represent a second particular embodiment of the transfer method.
  • the epitaxy step S130 comprises two sub-steps S130A and S130B to form a semiconductor layer 40 comprising the active sub-layer 430 and the stopping sub-layer etching 420 illustrated in Figure 2, as well as two additional steps S170 (see Figure 4J and Figure 5L) and S180 (see Figure 4K and Figure 5M) carried out after the assembly steps S150 (see Figure 4H and Figure 5J ) and fracturing S160 (see Figure 4I and Figure 5K) and aimed at releasing the active sublayer 430.
  • step S130A consists of the growth by epitaxy of the so-called etching stop sublayer 420 to from the free surface 11 of the donor substrate 10.
  • the epitaxy temperature is for example 500°C.
  • step S130B consists of the growth by epitaxy of the so-called active sublayer 430 from the sublayer. -etch stop layer 420.
  • This S130B epitaxy is preferably carried out at the same epitaxy temperature as the S130A epitaxy of the etch stop sublayer, here 500°C.
  • the recipient substrate 20 has, after the fracturing step S160, a residual layer 10a from the donor substrate 10 on the surface of the etching stop sublayer 420.
  • Step S170 is then a step S170 of removing the residual layer 10a from the donor substrate 10, by etching said residual layer 10a selectively with respect to the second sublayer 10a.
  • -etch stop layer 420 This selective etching is preferably wet etching.
  • the preparation of the surface for epitaxy S130 comprises the additional steps S115 and S125 illustrated respectively in Figure 4B and Figure 4D.
  • Step S115 takes place before implantation S120 of the first ions 3a, and consists of the formation of a sacrificial layer 50 on the free surface 11 of the donor substrate 10.
  • the sacrificial layer 50 is a dielectric layer 500, for example a layer of silicon oxide (or SiCh).
  • step S115A is a step of forming the first etching stop layer 510 and step S115B is a step of forming the second dielectric sub-layer 520.
  • the etching selectivity that is to say the ratio between the etching speed of a layer of SiGe and that of Si, is of the order of 13 for a concentration of Ge in the etching stop layer 510 of 20%, of the order of 50 for a Ge concentration of 30% and of the order of 186 for a Ge concentration of 40%.

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Abstract

Un aspect de l'invention concerne un procédé de transfert d'une couche semi-conductrice (40) d'un substrat donneur (10) à un substrat receveur (20), le procédé comprenant les étapes successives suivantes : - première implantation (S120) de premiers ions légers (3a) dans le substrat donneur (10) à une profondeur d'implantation (30) prédéterminée de sorte à y former un plan fragile enterré (300), - épitaxie (S130) sur le substrat donneur (10) de la couche semi-conductrice (40) à transférer, - deuxième implantation (S140) de deuxièmes ions légers (3b) dans le substrat donneur (10) à travers la couche semi-conductrice (40) à transférer au niveau du plan fragile (300), - assemblage (S150) par collage du substrat receveur (20) et du substrat donneur (10) recouvert de la couche semi-conductrice (40) à transférer, la couche semi-conductrice (40) à transférer étant disposée entre les substrats receveur (20) et donneur (10), et - fracturation (S160) par recuit, dit recuit de fracturation (S160), du substrat donneur (10) suivant le plan fragile enterré (300), les premiers ions (3a) étant choisis et implantés à une première dose (D1) de sorte que, lors de l'épitaxie (S130), il n'y a pas de fracturation à la profondeur d'implantation (30) prédéterminée, et les deuxièmes ions (3b) étant choisis et implantés à une deuxième dose (D2) de sorte que, lors du recuit de fracturation (S160), la fracturation du substrat donneur (10) s'opère.

Description

DESCRIPTION
TITRE : PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE COUCHE SEMICONDUCTRICE
DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION
[0001] Le domaine technique de l’invention est celui des procédés de transfert de couches semiconductrices.
[0002] La présente invention concerne plus particulièrement un procédé de transfert de couche semiconductrice par implantation ionique, assemblage et fracturation dans lequel la couche semiconductrice est réduite en défauts avant l’étape d’assemblage.
ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION
[0003] Pour augmenter la densité d’intégration des circuits intégrés, une nouvelle technique appelée intégration monolithique 3D consiste à empiler des couches de dispositifs électroniques les unes sur les autres.
[0004] Les dispositifs électroniques sont typiquement des transistors. Chaque couche ou niveau de transistors est formé dans une couche semiconductrice appelée couche active. Le premier niveau de transistors est formé à la surface d’un substrat initial, aussi appelé plaquette. Le deuxième niveau de transistors est fabriqué à partir d’une couche semiconductrice formée sur le premier niveau de transistors, autrement dit au-dessus de la surface du substrat initial.
[0005] Pour obtenir une telle couche semiconductrice, il est possible de transférer sur le substrat initial, dit substrat receveur, une couche semiconductrice d’un autre substrat, dit substrat donneur. Une technique connue de transfert appelée Smart Cut™ est fondée sur l’association d’une implantation d’ions légers dans le substrat donneur, d’un assemblage par adhésion moléculaire des substrats donneur et receveur et d’un recuit de fracturation du substrat donneur.
[0006] Ce procédé comprend 1 ) la fourniture d’un substrat donneur, généralement une plaquette de silicium, 2) l’implantation d’ions, le plus souvent d’ions légers comme l’hydrogène, à travers la surface du substrat donneur, pour créer des nano-cavités enterrées à l’intérieur du substrat donneur, à une profondeur déterminée par la profondeur d’implantation, et délimiter la couche semiconductrice à transférer, 3) l’assemblage du substrat donneur sur un substrat receveur, puis 4) un recuit (chauffage) final de l’assemblage qui active la formation de dihydrogène (H2). Ce gaz alimente les nano-cavités et les fait croître. Du fait de la contrainte mécanique créée par l’interface entre les substrats donneur et receveur assemblés, les nano-cavités s’élargissent et se regroupent latéralement à la profondeur déterminée par l’implantation, créant des microfissures et une fracture finale qui s’étend rapidement à toute la plaquette. La séparation de la couche semiconductrice du substrat donneur et son transfert sur le substrat receveur est alors effectuée.
[0007] Ce procédé offre de nombreux avantages et est bien maîtrisé. Cependant, il reste certains problèmes, dont un problème particulier inhérent à l’étape d’implantation des ions légers. En effet, l’implantation des ions légers induit des défauts dans la couche semiconductrice qui altèrent ses performances électriques, et donc sa qualité. Ces défauts sont liés au fait que les ions induisent des défauts de différentes natures (lacunes, intersticiels, complexes hydrogénés, nano-cavités) non pas seulement autour de la profondeur d’implantation déterminée, mais aussi le long de leur trajet dans le substrat donneur. Ainsi, des défauts sont présents dans la couche semiconductrice, du fait de l’implantation des ions légers, avec une densité proportionnelle à la dose à laquelle l’implantation est accomplie. Elles y affectent la mobilité des porteurs de charge, et donc les caractéristiques électriques de la couche semiconductrice. Il convient de noter que le chauffage qui a lieu lors du recuit de fracturation ne permet pas de guérir efficacement les défauts formés par l’implantation et peut même conduire à la croissance /formation de nouveaux défauts ou cavités.
[0008] Il est primordial de réduire ce nombre de défauts dans la couche semiconductrice afin de garantir des performances électriques satisfaisantes pour les composants électroniques qui y seront fabriqués, et cela, en maintenant une dose d’implantation adaptée au transfert de ladite couche semiconductrice.
[0009] Pour cela, une solution classiquement utilisée consiste à réduire le nombre de défauts après l’étape de transfert, en soumettant le substrat receveur (qui comprend la couche semiconductrice transférée) à des hautes températures, c’est-à- dire des températures supérieures à 900°C ou 1000°C, appliquées pendant des temps longs, par exemple de plusieurs heures. Or de telles températures sont à proscrire lorsque la couche semiconductrice a été transférée sur un substrat receveur comprenant une couche de dispositifs électroniques préalablement formés. En effet, elles occasionnent une dégradation des performances, notamment électriques, des dispositifs électroniques de cette couche sous-jacente. Il est donc exclu de réduire de cette façon les défauts créés par l’implantation des ions légers.
[0010] Dans le contexte d’un procédé de transfert de couche semiconductrice basé sur l’implantation d’ions légers, il existe donc un besoin de réduire le nombre de défauts dans la couche semiconductrice autrement que par un recuit réalisé à haute température après la fracturation.
RESUME DE L’INVENTION
[0011] L’invention offre une solution aux problèmes évoqués précédemment, en prévoyant de remplacer l’unique étape d’implantation par deux étapes d’implantation et en réalisant une étape d’épitaxie de la couche semiconductrice entre les deux étapes d’implantation. Par ailleurs, les conditions d’implantation de chacune des étapes d’implantation, notamment les ions implantés et la ou les dose(s) d’implantation choisie(s), sont adaptées en fonction de l’épitaxie et du recuit de fracturation pour induire une fracturation uniquement lors du recuit de fracturation.
[0012] Un aspect de l’invention concerne ainsi un procédé de transfert d’une couche semi-conductrice d’un substrat donneur à un substrat receveur, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : première implantation de premiers ions légers dans le substrat donneur à une profondeur d’implantation prédéterminée de sorte à former un plan fragile enterré à la profondeur d’implantation prédéterminée, épitaxie sur le substrat donneur de la couche semi-conductrice à transférer, deuxième implantation de deuxièmes ions légers dans le substrat donneur à travers la couche semi-conductrice à transférer au niveau du plan fragile, assemblage par collage du substrat receveur et du substrat donneur recouvert de la couche semi-conductrice à transférer, la couche semi- conductrice à transférer étant disposée entre les substrats receveur et donneur, et fracturation par recuit, dit recuit de fracturation, du substrat donneur suivant le plan fragile enterré, procédé dans lequel : les premiers ions sont choisis et implantés à une première dose de sorte que, lors de l’épitaxie, il n’y a pas de fracturation à la profondeur d’implantation prédéterminée, les deuxièmes ions sont choisis et implantés à une deuxième dose de sorte que, lors du recuit de fracturation, la fracturation du substrat donneur s’opère.
[0013] Ainsi, l’implantation des premiers ions légers, c’est-à-dire d’ions dont la masse atomique est inférieure ou égale à 11 , est réalisée avec une dose de sorte que les premiers ions n’induisent pas, lors de l’épitaxie de la couche semiconductrice à transférer, une fracturation à la profondeur d’implantation prédéterminée.
[0014] Dans ces conditions, le budget thermique (défini par la température et la durée d’application de cette température) employé lors de l’étape d’épitaxie n’entraine pas la croissance et le regroupement des nano-cavités du plan fragile enterré, c’est-à- dire des nano-cavités formées à la profondeur d’implantation prédéterminée par la première implantation. Il y a à cela plusieurs raisons, parmi elles le fait que la densité de nano-cavités ou/et que la quantité de gaz produit n’est pas suffisante.
[0015] Il convient de noter que si une seule implantation était réalisée avant l’épitaxie, alors les ions implantés seraient nécessairement choisis pour qu’à la dose implantée il y ait une fracturation après assemblage des substrats donneur et receveur. La dose implantée serait donc suffisamment élevée pour que le traitement thermique inhérent à l’épitaxie conduise à une fracturation du substrat donneur. Pour l’éviter, il faudrait limiter la température de l’épitaxie à 400°C au maximum. Or, il n’est actuellement pas possible de former une couche semiconductrice à une telle température.
[0016] La première implantation permet donc de réaliser l’épitaxie sans fracturation du substrat donneur ou sans créer de défauts dans la couche semiconductrice.
[0017] Par ailleurs, l’épitaxie de la couche semiconductrice est suivie de la deuxième implantation. Cette deuxième implantation est réalisée sensiblement à la même profondeur que la première implantation (en tenant compte de l’épaisseur épitaxiée) de sorte que, lors du recuit de fracturation, la fracturation du substrat donneur est obtenue du fait du cumul des ions implantés lors de la première et de la deuxième implantation. La profondeur d’implantation est principalement fonction de l’énergie d’implantation des ions. Des logiciels (de type SRIM pour « Stopping and Range of Ions in Matter ») permettent de simuler les énergies d’implantation requises. Les deux implantations ont lieu sensiblement dans le même plan. Un écart de quelques nanomètres est possible, les ions implantés pouvant rejoindre les nano-cavités du plan fragile lors du recuit de fracturation.
[0018] La couche semiconductrice formée est ainsi avantageusement traversée uniquement par les ions implantés durant la deuxième implantation en quantité bien moins importante que les ions légers nécessaires lorsqu’une seule implantation est classiquement réalisée.
[0019] Le nombre de défauts dans la couche semiconductrice est ainsi réduit avant le transfert et sans recourir à une étape de recuit à haute température.
[0020] Selon une première variante de réalisation, le procédé comprend, entre la première implantation d’ions légers et l’étape d’épitaxie de la couche semi-conductrice à transférer, une étape supplémentaire de préparation de surface comprenant les sous-étapes successives suivantes : désoxydation d’une surface libre du substrat donneur, recuit du substrat donneur sous une atmosphère comprenant de l’hydrogène à une température supérieure ou égale à 400°C (et avantageusement supérieure ou égale à 500°C) pendant une durée comprise entre 5 secondes et 10 minutes.
[0021] Plus le budget thermique de ce recuit comprenant de l’hydrogène, dit recuit H2, sera élevé, moins la contamination résiduelle en atomes d’oxygène à l’interface entre le substrat et la couche semiconductrice épitaxiée sera importante, et meilleure sera la qualité de la couche semiconductrice transférée. On appréhendera mieux l’impact des conditions de recuit H2 sur la qualité de films déposés en se référant à Hartmann et al., « A benchmark of 300mm RP-CVD chambers for the low temperature epitaxy of Si and SiGe », ECS Transactions, 86 (7) 219-231 (2018). [0022] Ainsi, la surface du substrat donneur est préparée en vue de l’épitaxie de la couche semiconductrice à transférer. Cela contribue à la formation d’une couche semiconductrice ayant un nombre de défauts réduit.
[0023] Selon une deuxième variante de réalisation, le procédé comprend les étapes supplémentaires de : avant la première implantation, une étape de dépôt d’une couche sacrificielle sur une surface libre du substrat donneur, après la première implantation et avant l’étape d’épitaxie de la couche semi- conductrice à transférer, une étape de retrait de la couche sacrificielle.
[0024] L’association du dépôt et du retrait de la couche sacrificielle vise à préparer la surface en vue de l’épitaxie de la couche semiconductrice à transférer.
[0025] Selon un premier développement de cette deuxième variante de réalisation, la couche sacrificielle est une couche diélectrique.
[0026] La couche diélectrique est par exemple une couche d’oxyde de silicium. Elle agit comme une couche protectrice préservant la surface du substrat donneur de contaminations ou d’impuretés. Comme c’est sur cette surface qu’est réalisée l’épitaxie, la couche semiconductrice à transférer sera formée dans de meilleures conditions, et sa qualité sera améliorée.
[0027] Selon un deuxième développement de cette deuxième variante de réalisation, la couche sacrificielle comprend un empilement d’une première sous- couche d’alliage de silicium et germanium, dite première couche d’arrêt de gravure, et d’une deuxième sous-couche de matériau diélectrique disposée sur la première sous- couche, et l’étape de retrait de la couche sacrificielle comprend le retrait de la deuxième sous-couche diélectrique sélectivement par rapport à la première couche d’arrêt de gravure puis le retrait de la première couche d’arrêt de gravure.
[0028] La première couche d’arrêt de gravure permet, comme la couche diélectrique, de préserver la surface sur laquelle sera réalisée l’épitaxie d’impuretés susceptibles de dégrader la couche semiconductrice.
[0029] Le retrait de la première couche d’arrêt de gravure permet d’améliorer la préparation de la surface en obtenant une rugosité de surface plus faible. [0030] Selon une alternative de réalisation du deuxième développement précédent, l’étape d’épitaxie de la couche semiconductrice à transférer est réalisée moins de 30 minutes après l’étape de retrait de la première couche d’arrêt.
[0031] De préférence, l’étape d’épitaxie de la couche semiconductrice à transférer est réalisée moins de 10 minutes après l’étape de retrait de la première couche d’arrêt.
[0032] Ce court délai permet de limiter le risque de contamination de la surface sur laquelle sera réalisée l’épitaxie de la couche semiconductrice à transférer.
[0033] Selon une autre alternative de réalisation du deuxième développement, l’étape de retrait de la première couche d’arrêt de gravure et l’étape d’épitaxie de la couche semiconductrice à transférer sont réalisées dans un même équipement.
[0034] Ainsi, le risque de contamination de surface est réduit et le procédé est simplifié.
[0035] Avantageusement, le procédé comprend, après l’étape de retrait de la première couche d’arrêt de gravure et avant l’étape d’épitaxie de la couche semiconductrice à transférer, une étape supplémentaire de recuit du substrat donneur réalisée dans le même équipement que l’étape de retrait de la première couche d’arrêt et l’étape d’épitaxie de la couche semiconductrice à transférer.
[0036] Cette étape de recuit du substrat donneur effectué in-situ dans l’équipement d’épitaxie permet de compléter l’étape de retrait de la première couche d’arrêt de gravure et d’améliorer la qualité de la surface sur laquelle la couche semiconductrice à transférer sera formée.
[0037] Avantageusement, l’étape supplémentaire de recuit du substrat donneur est réalisée aux conditions de température, de pression et de durée suivantes : 500°C, 2666 Pa (ou 20 Torr), 2 minutes.
[0038] Avec un tel budget thermique, les propriétés de la couche (ou plan fragile) endommagée par la première l’implantation sont toujours compatibles avec un transfert de couche après la deuxième implantation.
[0039] Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans les paragraphes précédents, le procédé selon un aspect de l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, compatibles avec toutes les variantes de réalisation précédentes et considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles.
[0040] Les premiers ions légers sont des ions hélium, des ions hydrogène, des ions Bore, un mélange d’ions hélium et d’ions hydrogène ou un mélange d’ions hydrogène et d’ions bore.
[0041] Les deuxièmes ions légers sont des ions hélium, des ions hydrogène ou un mélange d’ions hélium et d’ions hydrogène.
[0042] Il convient de noter qu’il est particulièrement avantageux d’utiliser des ions hydrogène pour la deuxième implantation, plutôt que des ions hélium, car ceux-ci induisent moins de défauts, cela même si la dose d’implantation est supérieure.
[0043] La couche semiconductrice à transférer est une couche de silicium (ou Si), de germanium (ou Ge), d’un alliage de silicium et germanium (ou SiGe), d’un alliage de silicium, de germanium et de carbone (ou SiGeC), d’un alliage de germanium et d’étain (ou GeSn) ou d’un alliage de silicium, de germanium et d’étain (SiGeSn), ou un empilement d’une sous-couche de silicium et d’une sous-couche d’un alliage de silicium et de germanium (Si/SiGe).
[0044] Alternativement, la couche semiconductrice à transférer comprend une première sous-couche dite active de silicium (ou Si), de germanium (ou Ge), d’un alliage de silicium et germanium (ou SiGe), d’un alliage de silicium, de germanium et de carbone (ou SiGeC), d’un alliage de germanium et d’étain (ou GeSn) ou d’un alliage de silicium, de germanium et d’étain (SiGeSn), et une deuxième sous-couche dite d’arrêt de gravure telle qu’une sous-couche d’arrêt de gravure en alliage de silicium et germanium, disposée sous la première sous-couche active, et le substrat receveur présente, après l’étape de fracturation, une couche résiduelle issue du substrat donneur, le procédé comprenant alors les étapes successives suivantes :
Retrait de la couche résiduelle issue du substrat donneur par gravure sélective de ladite couche résiduelle par rapport à la deuxième sous-couche d’arrêt de gravure,
Retrait de la deuxième sous-couche d’arrêt de gravure.
[0045] Grâce à la sous-couche d’arrêt de gravure et l’étape de gravure sélective de la couche résiduelle après le transfert, aucun polissage mécano-chimique n’est nécessaire pour retirer la couche résiduelle issue du substrat donneur. De plus, la rugosité de la surface de la couche transférée est réduite et son épaisseur contrôlée pour atteindre des épaisseurs plus fines. La qualité de la couche transférée est ainsi encore améliorée.
[0046] L’invention et ses différentes applications seront mieux comprises à la lecture de la description qui suit et à l’examen des figures qui l’accompagnent.
BREVE DESCRIPTION DES FIGURES
[0047] Les figures sont présentées à titre indicatif et nullement limitatif de l’invention.
Les figures 1A à 1 G représentent schématiquement des étapes du procédé de transfert selon l’invention,
La figure 2 représente plusieurs variantes de réalisation de l’étape d’épitaxie du procédé de transfert des figure 1 A à 1 G,
La figure 3 présente la structure multicouche finale obtenue avec le procédé de transfert des figures 1 A à 1 G,
Les figures 4A à 4K représentent schématiquement un premier mode de réalisation particulier du procédé des figures 1A à 1 G, permettant d’améliorer la qualité de la couche semiconductrice,
Les figures 5A à 5M représentent schématiquement un deuxième mode de réalisation particulier du procédé des figures 1A à 1 G, permettant également d’améliorer la qualité de la couche semiconductrice,
La figure 6 représente schématiquement un premier substrat test permettant de déterminer la première dose d’implantation,
La figure 7 est un schéma synoptique représentant l’enchainement des étapes permettant de déterminer la première dose maximale de la première étape d’implantation de la figure 1 B,
La figure 8 représente schématiquement un deuxième substrat test permettant déterminer la deuxième dose d’implantation, La figure 9 est un schéma synoptique représentant l’enchainement des étapes permettant déterminer la deuxième dose minimale de la deuxième étape d’implantation de la figure 1 D,
La figure 10 représente la densité de défauts générés dans un substrat en silicium par une implantation d’ions hydrogène, et par une implantation d’un mélange d’ions d’hélium et d’hydrogène,
La figure 11 représente la vitesse de gravure d’une couche de SiGe, en fonction de la pression partielle de gravure et en fonction du pourcentage de Ge dans l’alliage SiGe,
La figure 12 est un schéma synoptique représentant l’enchainement des étapes permettant de mettre en œuvre une étape supplémentaire de préparation de surface, cette étape étant comprise entre la deuxième étape et la troisième étape du procédé représenté sur les figures 1A à 1 G.
[0048] Sauf précision contraire, un même élément apparaissant sur des figures différentes présente une référence unique.
DESCRIPTION DETAILLEE
[0049] Les figures 1A à 1 G représentent une vue de coupe schématique des étapes S110 à S160 d’un procédé de transfert d’une couche semiconductrice 40 d’un substrat donneur 10 vers un substrat receveur 20, qui permet d’obtenir une couche semiconductrice 40 réduite en défauts.
[0050] On entend par « défauts », des nano-cavités, lacunes, interstitiels, complexes hydrogénés, bulles, exfoliations présentes dans la couche semiconductrice ou à sa surface, et engendrant une dégradation de ses performances électriques.
[0051] Ce procédé de transfert comprend, comme le procédé Smart Cut™ de l’art antérieur, l’implantation d’ions légers, l’assemblage de deux substrats par collage et un recuit de fracturation.
[0052] Le procédé de transfert selon l’invention est remarquable en ce qu’il comprend, avant le transfert proprement dit réalisé par les étapes de collage S150 et de fracturation S160 (figure 1 E et figure 1 F), deux étapes d’implantation S120 et S140 (figure 1 B et figure 1 D) d’ions légers et une étape d’épitaxie S130 (figure 1 C) intercalée entre ces deux étapes d’implantation S120 et S140.
[0053] En référence à la figure 1A, le procédé de transfert débute à la première étape S110 avec la fourniture d’un substrat donneur 10. Le substrat donneur 10 désigne un substrat support, de préférence un substrat semiconducteur par exemple en silicium. De façon générale, on désigne par « substrat » une plaquette ou tranche.
[0054] Le substrat donneur 10 présente une face supérieure 11 , dite surface libre, qui est sensiblement plane.
[0055] En référence à la figure 1 B, la première étape S110 est suivie d’une étape S120 d’implantation de premiers ions légers 3a dans le substrat donneur 10, à travers la surface libre 11 , à une profondeur 30 prédéterminée, dite profondeur d’implantation. Cette première implantation S 120 permet de créer des défauts dans le substrat donneur 10 dans un plan dit fragile 300 situé à la profondeur 30 d’implantation. Le plan 300 est dit fragile car les défauts créés fragilisent le substrat donneur 10.
[0056] La profondeur d’implantation 30 est par exemple comprise entrel 00 nm et 1000 nm. Elle est mesurée à partir de la surface libre 11 et perpendiculairement à cette même surface. Par exemple, l’implantation S120 des premiers ions est accomplie à une énergie telle que le maximum du profil des ions implantés se retrouve à environ 300 nm de profondeur.
[0057] Cette énergie d’implantation dépend de l’espèce d’ion ou des espèces d’ions choisie(s). Si la première espèce implantée est de l’hélium, elle est de l’ordre de 35 keV pour obtenir une profondeur d’implantation de 300 nm.
[0058] Les ions légers sont des espèces définies par une masse atomique inférieure ou égale à 11. Les premiers ions 3a sont préférentiellement choisis parmi l’hydrogène (ou H), l’hélium (ou He), le bore (ou B), un mélange d’hélium et d’hydrogène (ou « He+H ») ou un mélange d’hydrogène et de bore (ou « H+B »). Il est en effet connu que ces espèces permettent de créer un plan fragile enterré susceptible de conduira à un transfert par Smart Cut™.
[0059] Dans le procédé Smart Cut™, l’étape d’implantation des ions légers est classiquement associée à une étape de recuit effectuée à une température de recuit généralement comprise entra 350°C et 600°C pour fracturer le substrat donneur et transférer la couche semiconductrice. [0060] Dans le procédé selon l’invention, l’étape S120 d’implantation des premiers ions 3a n’est pas suivie par une étape « classique » de recuit, mais est suivie d’une étape S130 d’épitaxie, illustrée figure 1 C, visant à former la couche semiconductrice 40.
[0061] La figure 2 présente plusieurs variantes de réalisation de cette étape S130 d’épitaxie.
[0062] A l’issue de cette étape S130, la couche semiconductrice 40 peut être une couche semiconductrice 410, de préférence mince, c’est-à-dire d’épaisseur comprise entre 5 nm et 30 nm, et formée d’un matériau parmi les suivants : silicium (ou Si), germanium (ou Ge), alliage de silicium et germanium (ou SiGe), alliage de silicium, de germanium et de carbone (ou SiGeC), alliage de germanium et d’étain (ou GeSn) ou alliage de silicium, de germanium et d’étain (SiGeSn).
[0063] La couche semiconductrice 40 peut, alternativement, être un empilement de sous-couches semiconductrices, par exemple un empilement d’une sous-couche de silicium et d’une sous-couche en alliage de silicium et de germanium (Si/SiGe) ou, de préférence, un empilement d’une première sous-couche dite active 430 et d’une deuxième sous-couche dite d’arrêt de gravure 420 telle qu’une sous-couche d’arrêt de gravure en alliage de silicium et germanium (SiGe). La sous-couche d’arrêt de gravure 420 est disposée sous la sous-couche active 430.
[0064] La sous-couche active 430 est alors similaire à la couche semiconductrice 410, c’est-à-dire qu’elle formée d’un matériau parmi les suivants : silicium (ou Si), alliage de silicium et germanium (ou SiGe), alliage de silicium, de germanium et de carbone (SiGeC), alliage de germanium et d’étain (ou GeSn) ou alliage de silicium, de germanium et d’étain (SiGeSn) et son épaisseur est comprise entre 2 nm et 30 nm. La sous-couche d’arrêt de gravure 420 est de préférence en un alliage SiGe avec une concentration en germanium comprise entre 20% et 50%. La sous-couche d’arrêt de gravure 420 peut présenter par ailleurs une épaisseur comprise entre 5 nm et 150 nm.
[0065] Plus généralement, l’empilement de sous-couches semiconductrices peut comprendre plusieurs sous-couches actives et sous-couches d’arrêt de gravure disposées en alternance (non représentées sur la figure 2). L’épaisseur des sous- couches actives et d’arrêt de gravure peut varier selon leur position dans l’empilement, de même que le ratio Si/Ge formant la sous-couche d’arrêt de gravure. [0066] Cette étape d’épitaxie S130 est réalisée dans un équipement d’épitaxie, et consiste à faire croître de façon orientée, à partir de la surface libre 11 du substrat donneur 10 implanté avec les premiers ions, un cristal correspondant au cristal souhaité pour la couche monocristalline semiconductrice 40. L’étape d’épitaxie peut comprendre la formation d’une sous-couche cristalline, dite de germination (non représentée), sur la surface libre 11 . La couche semiconductrice 40 est alors épitaxiée à la suite de cette sous-couche. La couche semiconductrice 40 peut être formée par des techniques de dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD, acronyme anglais pour Chemical Vapor Deposition), telles que le dépôt chimique à pression réduite (RP-CVD, pour Reduced Pressure - Chemical Vapor Deposition) ou le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, pour Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition). Des techniques telles que l’épitaxie par jets moléculaires (MBE, pour Molecular-Beam Epitaxy) peuvent également être utilisées. En RP-CVD, on peut, pour déposer des couches Si ou SiGe à basse température (500°C et moins), faire appel aux points de fonctionnement décrits dans Hartmann et al., “Potentialities of disilane for the low temperature epitaxy of intrinsic and boron-doped SiGe”, Thin Solid Films 557, 19 (2014), Aubin et al., « Epitaxial growth of Si and SiGe at temperatures lower than 500 °C with disilane and germane », Thin Solid Films 602, 36 (2016) ou Hartmann et al., « A benchmark of germane and digermane for the low temperature growth of intrinsic and heavily in-situ boron-doped SiGe », ECS Transactions 75 (8), 281 (2016).
[0067] Pour déposer des couches de Ge pur à des températures inférieures ou égales à 500°C, on pourrait utiliser des conditions d’épitaxie similaires à celles décrites dans Aubin et al., « Very low temperature epitaxy of Ge and Ge rich SiGe alloys with Ge2Hô in a Reduced Pressure - Chemical Vapour Deposition tool », Journal of Crystal Growth 445, 65 (2016).
[0068] Enfin, des conditions de croissance permettant d’épitaxier à des températures inférieures ou égales à 350°C des couches GeSn ou SiGeSn peuvent être trouvées dans Aubin and Hartmann, « GeSn growth kinetics in reduced pressure chemical vapor deposition from Ge2H6 and SnCI4 », Journal of Crystal Growth 482, 30 (2018) et Khazaka et al., « Growth and characterization of SiGeSn pseudomorphic layers on 200mm Ge virtual substrates », Semiconductor Science and Technology 33, 124011 (2018). [0069] Ces techniques nécessitent d’appliquer une température Tep, dite température d’épitaxie Tep, pouvant varier entre 300°C et 600°C pendant une durée dep, dite durée d’épitaxie dep pouvant aller de 1 min à 120 min. La température d’épitaxie Tep est par exemple de 500°C et la durée d’épitaxie dep de 10 minutes.
[0070] Il convient de noter que les températures en jeu dans cette étape d’épitaxie S130 peuvent produire les mêmes effets qu’un recuit de fracturation sur les premiers ions 3a implantés. Pour cette raison, la première implantation (et notamment les premiers ions 3a implantés et la ou les première(s) dose(s) d’implantation choisie(s)) est déterminée en fonction des conditions de température et de durée de l’étape d’épitaxie S130, pour éviter (et non obtenir) une fracturation du substrat donneur 10 lors de l’étape d’épitaxie S130. En effet, dans le cas contraire, en l’absence de contrainte mécanique particulière (ou raidisseur) dans le substrat donneur 10 (celui-ci n’étant pas encore assemblé au substrat receveur 20), les nano-cavités alimentées en gaz sont libres de s’étendre à la fois latéralement et verticalement, ce qui provoque l’apparition de bulles, cloques, exfoliations en surface et dans la couche semiconductrice 40 en train d’être formée qui sera donc défectueuse.
[0071] Pour cela, on peut choisir comme premiers ions 3a des ions légers qui ne génèrent pas de bullage avec le budget thermique de l’épitaxie S130. Ce sera le cas par exemple si on implante du bore ou de l’hélium. Plus l’atome implanté est lourd (He, B), plus on a intérêt à l’implanter avant l’épitaxie S130 pour limiter l’endommagement de la couche semiconductrice 40 transférée.
[0072] De préférence, les premiers ions légers 3a sont des ions d’hélium.
[0073] Si la première implantation S120 est réalisée avec de l’hydrogène, on utilisera une première dose D1 inférieure à un premier seuil S1 à partir duquel les premiers ions légers 3a induisent, lors de l’épitaxie S130, une fracturation à la profondeur d’implantation 30 prédéterminée.
[0074] Le premier seuil S1 peut être prédéterminé expérimentalement en utilisant un premier substrat test 6 tel que représenté par la figure 6. Le premier substrat test 6 comprend plusieurs zones de test, par exemple quatre zones de tests Q11 , Q12, Q13 et Q14. Chaque zone de test est soumise à une implantation des premiers ions avec une dose de test, et à un traitement thermique à la température Tep de l’épitaxie S130, pendant la durée dep de l’épitaxie. [0075] Le premier seuil S1 est alors déterminé par contrôle visuel et recherche de la présence d’exfoliations en surface qui indique qu’une fracturation et donc un transfert de couche aurait lieu si une interface contraignante mécaniquement (telle l’interface entre les substrats donneur 10 et receveur 20 lorsque ceux-ci sont assemblés) était présente.
[0076] Préférentiellement, le premier seuil S1 est déterminé en suivant l’enchainement des étapes S710 à S730 de la figure 7.
[0077] Ces étapes sont les suivantes : implantation S710 des premiers ions légers 3a sur une première zone de test Q11 du substrat test 6, à l’énergie d’implantation des premiers ions légers 3a, et avec une première dose de test DT1 i basse, par exemple de 1 e16/cm2. traitement thermique S720 du substrat test 6 à la température de l’épitaxie Tep pendant la durée d’épitaxie dep, contrôle S730 de la surface libre 66 du substrat test 6, de préférence contrôle visuel sur des images de la zone de test acquise par microscopie optique,
Si la surface libre 66 est détériorée (sortie « D » de l’étape S730), le premier seuil S1 est égal à la première dose de test DT1 i,
Si la surface libre n’est pas détériorée (sortie « ND » de l’étape S730), la première dose DTI2 de test est augmentée (DTI2 > DT1 i) et les étapes d’implantation S710, de traitement thermique S720 et de contrôle S730 sont répétées sur la zone de test suivante QI2, cela en appliquant à l’étape d’implantation S710 la dose de test DI 2 augmentée.
[0078] Par « surface libre détériorée », on entend la présence de cloques ou d’exfoliations sur la surface libre 66. Ces dommages correspondent à des points sombres sur les images en microscopie optiques et sont aisément détectables (cf. points P dans l’image IMG1 de la figure 7). [0079] Par « surface libre 66 non détériorée », on entend l’absence de cloques ou d’exfoliation sur la surface libre 66. Sur les images acquises en microscopie optique, aucun point sombre n’est détecté (cf. IMG2 de la figure 7).
[0080] On pourra également pour cette première implantation S120 combiner plusieurs ions 3a et notamment de l’hélium et/ou du Bore avec de l’hydrogène. Plus les espèces implantées seront nombreuses lors de cette première implantation, moins il en sera nécessaire lors de la deuxième implantation et donc moins la couche épitaxiée sera endommagée.
[0081] Après l’étape d’épitaxie S130 décrite précédemment, une deuxième étape d’implantation d’ions légers, dite étape d’implantation S140 de deuxièmes ions légers 3b est effectuée. Cette étape S140 est illustrée figure 1 D et est associée à l’étape ultérieure S160, illustrée figure 1 E, consistant en une étape de recuit de fracturation S150 effectuée à une température de recuit de fracturation TRF et pendant une durée de recuit de fracturation dRF.
[0082] Les deuxièmes ions 3b sont des espèces légères telles que l’hélium He, l’hydrogène H ou un mélange d’hélium et d’hydrogène (« H+He »). Les deuxièmes ions 3b peuvent être les mêmes que les premiers ions 3a.
[0083] De préférence, les deuxièmes ions 3b légers comprennent ou sont des ions d’hydrogène.
[0084] La profondeur de cette deuxième implantation S140 est la profondeur d’implantation 30 déterminée lors de la première implantation S120 des premiers ions 3a à laquelle s’ajoute l’épaisseur de la couche semiconductrice 40 épitaxiée. L’énergie à laquelle est accomplie la deuxième implantation S140 est telle que le maximum du profil d’implantation est superposé à celui de la première implantation S120.
[0085] En référence à la figure 1 D, la deuxième implantation S140 est effectuée dans le substrat donneur 10, à travers la couche semi-conductrice 40 à transférer, de sorte que les deuxièmes ions 3b atteignent le plan fragile enterré 300.
[0086] Le plan fragile 300 est alors un plan dans lequel la densité de nano-cavités et la teneur globale en ions légers, c’est-à-dire la teneur cumulée en premiers ions 3a légers et en deuxième ions 3b légers, permettent, lors de l’étape S160 de recuit de fracturation, d’y déclencher la formation de complexes gazeux entraînant la fracturation du substrat donneur 10. [0087] Pour cela, la deuxième implantation S140 est accomplie avec des ions 3b implantés à une ou plusieurs doses telles que, lors du recuit de fracturation S160, le cumul des premiers ions 3a et les deuxièmes ions 3b induit une fracturation du substrat donneur 10, suivant le plan fragile enterré 300.
[0088] Si la deuxième implantation S140 comprend des ions hydrogène implantés à une deuxième doseD2, cette dose est préférentiellement prédéterminée expérimentalement, en se basant, de façon similaire à la détermination du premier seuil S1 , sur la présence/absence d’exfoliations en surface d’un deuxième substrat test tel que le deuxième substrat test 8 illustré figure 8.
[0089] De façon analogue au premier substrat 6 test, le deuxième substrat 8 test peut être divisé en plusieurs zones de tests, par exemple quatre zones Q21 , Q22, Q23 et Q24.
[0090] Les étapes S910 à S950 (cf. figure 9) y sont réalisées. Elles consistent en : l’implantation S910 des premiers ions 3a sur une première zone Q21 , à l’énergie d’implantation des premiers ions. On implante par exemple des ions Hélium avec une énergie de 35 keV (de sorte à créer un plan fragile à une profondeur de 300 nm par rapport à la surface) et une dose D1 de 2e16/cm2), l’épitaxie S920 du deuxième substrat 8 de test à la température d’épitaxie Tep et pendant la durée d’épitaxie dep, pour créer une couche épitaxiée par exemple de 30 nm l’implantation S930 des deuxièmes ions 3b avec une énergie d’implantation de sorte que ces ions atteignent le plan fragile enterré . Si les ions implantés sont de l’hydrogène, ils seront pour cela implantés avec une énergie 24 keV pour atteindre le plan fragile situé à 330 nm de la surface. Ces ions seront implantés avec une deuxième dose de test DT2i basse, par exemple égale à 1 E16/cm2, traitement thermique S940 du deuxième substrat 8 test à la température de recuit de fracturation TRF et pendant la durée du recuit de fracturation dRF, contrôle S950 de la qualité de la surface libre 88 du deuxième substrat 8 de test, si la qualité de surface est détériorée (sortie « D » de l’étape de contrôle S950), la deuxième dose D2 est égale ou supérieure à la deuxième dose de test DT21 , si la qualité de surface n’est pas détériorée (sortie « ND » de l’étape de contrôle S950), la dose de test DT2i est augmentée et les étapes S910 à S930 de test sont répétées sur une autre zone de test Q22, l’étape d’implantation S930 des deuxièmes ions 3b étant accomplie avec la deuxième dose de test augmentée DT22.
[0091] En appliquant ces étapes, on obtient, par exemple, les conditions de fracturation données dans le tableau 1 ou les conditions de fracturation données dans le tableau 2. Par « conditions de fracturation », on entend l’ensemble des paramètres liés à l’implantation S120 des premiers ions, à l’épitaxie S130, à l’implantation S140 des deuxièmes ions, et au recuit S160 de fracturation.
[0092] [tableau 1]
Figure imgf000020_0001
[0093] [tableau 2]
Figure imgf000020_0002
Figure imgf000021_0001
[0094] Il convient de noter que le fait d’utiliser une température d’épitaxie Tep plus élevée (500°C, cf. tableau 2 par rapport à 400°C, cf. tableau 1 ) conduit à une première dose D1 plus importante (2e16/cm2 par rapport à 1 ,3e16/cm2) et à une deuxième dose D2 plus importante (2e16/cm2 par rapport à 9e15/cm2).
[0095] Il convient aussi de noter qu’alors, la dose globale (He 36keV 2e16/cm2 et H 24 keV 2e16/cm2) est supérieure à la dose appliquée de façon standard en cas d’une seule implantation d’ions légers. Pourtant, les défauts créés sont moins nombreux, notamment du fait que les ions hélium ne traversent pas la couche semiconductrice 40 transférée. Comme illustré sur la figure 10, la densité d’atomes déplacés est en effet moins importante lorsque ce sont des ions hydrogène qui sont implantés, par rapport à des ions hélium, cela même pour une dose d’implantation des ions hydrogène supérieure au double de la dose d’implantation des ions hélium.
[0096] En référence à la figure 1 E, le procédé comprend ensuite une étape S150 d’assemblage par collage du substrat receveur 20 et du substrat donneur 10 recouvert de la couche semi-conductrice 40 à transférer. Le substrat donneur 10 ayant été préalablement retourné, la couche semi-conductrice 40 à transférer est disposée entre les substrats receveur 20 et donneur 10, dans l’assemblage 1 formé.
[0097] Le substrat receveur 20 est un substrat comprenant de préférence une ou plusieurs couches de dispositifs électroniques 210.
[0098] Cette étape S150 d’assemblage, est effectuée en utilisant un procédé de collage classique, de préférence un procédé de collage par adhésion moléculaire, aussi appelé collage direct. [0099] L’étape S150 d’assemblage est suivie d’une étape S160 de fracturation par recuit, dite aussi étape de recuit S160 de fracturation, du substrat donneur 10 suivant le plan fragile enterré 300. La température du recuit de fracturation est comprise dans une plage allant de 400°C à 600°C, et de préférence inférieure ou égale à 500°C. La durée du recuit de fracturation est de préférence comprise entre 30 minutes et 180 minutes.
[00100] A l’issue de cette étape S160 de fracturation par recuit, une portion 10b du substrat donneur 10 est séparée du substrat receveur 20 sur lequel est disposée la couche semiconductrice 40 transférée, ainsi qu’une couche résiduelle 10a issue du substrat donneur 10. Le transfert de la couche semiconductrice 40 est ainsi réalisé.
[00101] En référence à la figure 1 G, l’étape de fracturation S160 peut être suivie par une étape optionnelle de retrait S170 de la couche résiduelle 10a issue du substrat donneur 10 jusqu’à atteindre la couche semiconductrice 40. A l’issue de cette étape S170 de retrait de la couche résiduelle 10a, la structure semiconductrice finale 3, illustrée figure 3, est obtenue.
[00102] Les figures 4A à 4K représentent schématiquement un premier mode de réalisation particulier du procédé de transfert qui vient d’être décrit de façon générale.
[00103] Les figures 5A à 5M représentent schématiquement un deuxième mode de réalisation particulier du procédé de transfert.
[00104] Les étapes de fourniture S110 du substrat donneur 10, de première implantation S120, et de deuxième implantation S140, illustrées respectivement en figure 4A et en figure 5A, en figure 4C et figure 5D, et en figure 4G et figure 5I, sont telles que décrites précédemment, respectivement en relation avec la figure 1A, la figure 1 B, et la figure 1 D.
[00105]
[00106] De façon commune à ces deux modes de réalisation particuliers, l’étape d’épitaxie S130 comprend deux sous-étapes S130A et S130B pour former une couche semiconductrice 40 comprenant la sous-couche active 430 et la sous-couche d’arrêt de gravure 420 illustrées figure 2, ainsi que, deux étapes supplémentaires S170 (cf. figure 4J et figure 5L) et S180 (cf. figure 4K et figure 5M) réalisées après les étapes d’assemblage S150 (cf. figure 4H et figure 5J) et de fracturation S160 (cf. figure 4I et figure 5K) et visant à libérer la sous-couche active 430. [00107] En référence à la figure 4E (premier mode de réalisation) et à la figure 5G (deuxième mode de réalisation), l’étape S130A consiste en la croissance par épitaxie de la sous-couche dite d’arrêt de gravure 420 à partir de la surface libre 11 du substrat donneur 10. La température d’épitaxie est par exemple de 500°C.
[00108] En référence à la figure 4F (premier mode de réalisation) et à la figure 5H (deuxième mode de réalisation), l’étape S130B consiste en la croissance par épitaxie de la sous-couche dite active 430 à partir de la sous-couche d’arrêt de gravure 420. Cette épitaxie S130B est de préférence effectuée à la même température d’épitaxie que l’épitaxie S130A de la sous-couche d’arrêt de gravure, soit ici 500°C.
[00109] En référence à la figure 4J (premier mode de réalisation) et à la figure 5L (deuxième mode de réalisation), le substrat receveur 20 présente, après l’étape de fracturation S160, une couche résiduelle 10a issue du substrat donneur 10 en surface de la sous-couche d’arrêt de gravure 420. L’étape S170 est alors une étape de retrait S170 de la couche résiduelle 10a issue du substrat donneur 10, par gravure de ladite couche résiduelle 10a sélectivement par rapport à la deuxième sous-couche d’arrêt de gravure 420. Cette gravure sélective est de préférence une gravure humide.
[00110] L’étape S180, qui suit l’étape S170, est une étape de retrait par gravure sélective (de préférence humide) de la sous-couche d’arrêt de gravure 420 vis-à-vis de la sous-couche active 430.
[00111] A l’issue de l’étape S180 de retrait de la sous-couche d’arrêt de gravure 430, la sous-couche active 430 est libérée et présente avantageusement une surface lisse et une épaisseur réduite.
[00112] Également de façon commune au premier mode de réalisation et au deuxième mode de réalisation, le procédé de transfert comprend en outre une ou plusieurs étapes visant à préparer la surface libre 11 du substrat donneur 10 en vue de l’épitaxie S130 de la couche semiconductrice 40.
[00113] Dans le premier mode de réalisation, la préparation de la surface en vue de l’épitaxie S130 comprend les étapes supplémentaires S115 et S125 illustrées respectivement figure 4B et figure 4D.
[00114] Dans le deuxième mode de réalisation, la préparation de la surface en vue de l’épitaxie S130 comprend les étapes supplémentaires S115A, S115B et S125A et S125B, illustrées respectivement figure 5B, figure 5C et figure 5E et figure 5F. [00115] La préparation de surface telle que réalisée dans le premier mode de réalisation est décrite en premier ci-après.
[00116] L’étape S115 (figure 4B) a lieu avant l’implantation S120 des premiers ions 3a, et consiste en la formation d’une couche sacrificielle 50 sur la surface libre 11 du substrat donneur 10. De préférence, la couche sacrificielle 50 est une couche diélectrique 500, par exemple une couche d’oxyde de silicium (ou SiCh).
[00117] La couche diélectrique 500 est obtenue par croissance d’oxyde ou par dépôt du diélectrique à partir de la surface libre 11 du substrat donneur 10.
[00118] A l’issue de l’étape S115, le substrat donneur 10 comprend donc une couche diélectrique dite sacrificielle qui protège avantageusement la surface libre de défauts et d’impuretés (par exemple d’atomes de carbone ou d’oxygène). A l’étape d’implantation S120 des premiers ions 3a, les premiers ions 3a seront implantés à travers la couche sacrificielle en diélectrique 50,520.
[00119] L’étape S125 (figure 4D) a lieu après l’implantation S120 des premiers ions et avant l’étape S130 d’épitaxie de la couche semi-conductrice 40 à transférer. L’étape S125 consiste en le retrait de la couche sacrificielle 50,510 formée à l’étape S115.
[00120] Ce retrait est par exemple réalisé par gravure humide en utilisant une solution à base d’acide fluorhydrique.
[00121] A l’issue de l’étape S125, la surface libre 11 du substrat donneur 10 présente avantageusement une surface propre, c’est-à dire dépourvue d’impuretés ou contaminants.
[00122] Dans le deuxième mode de réalisation (cf. figure 4C), la couche sacrificielle 50 comprend un empilement d’une première sous-couche 510, dite première couche d’arrêt de gravure 510, et d’une deuxième sous-couche 520 diélectrique disposée sur la première sous-couche 510.
[00123] Ainsi, l’étape S115A est une étape de formation de la première couche d’arrêt de gravure 510 et de l’étape S115B est une étape de formation de la deuxième sous-couche de diélectrique 520.
[00124] Le diélectrique est préférentiellement de l’oxyde de silicium. [00125] La première couche d’arrêt de gravure 510 est par exemple une couche d’alliage de silicium et germanium (SiGe) avec les proportions suivantes 25% (Si) et 50% (Ge).
[00126] A l’étape S115A, la formation de la première couche d’arrêt de gravure 510 est réalisée de préférence par croissance épitaxiale à partir de la surface libre 11 du substrat donneur 10. L’épaisseur de la première couche d’arrêt de gravure 510 ainsi obtenue est comprise entre 10 et 50 nm. L’épitaxie de la première couche d’arrêt de gravure 510 peut en outre être précédée d’une étape de préparation de surface réalisée selon des procédés de l’état de l’art, de préférence sous des températures supérieures à 650°C, de préférence encore sous des températures supérieures à 850°C.
[00127] A l’étape S115B, la deuxième sous-couche 520 diélectrique est obtenue par croissance d’oxyde à partir de la surface de la première couche d’arrêt de gravure 510, ou par dépôt du diélectrique sur la surface de la première couche d’arrêt de gravure 510, cela pour obtenir une deuxième sous-couche 520 diélectrique d’épaisseur comprise entre 5 et 50 nm.
[00128] L’étape de retrait S125A (figure 5E) est une étape de retrait S125A de la deuxième sous-couche diélectrique 520.
[00129] Le retrait de la deuxième sous-couche diélectrique 520 est par exemple réalisé en utilisant une gravure humide à base d’une solution comprenant du fluorure d’hydrogène.
[00130] L’étape de retrait S125B (figure 5F) de la première couche d’arrêt de gravure 510 peut être réalisée en dehors de l’équipement d’épitaxie ou dans l’équipement d’épitaxie (on parle alors de retrait in-situ).
[00131] Dans le premier cas (en dehors de l’équipement d’épitaxie), l’étape S125B consiste à réaliser une gravure humide sélective vis-à-vis du SiGe, par exemple en utilisant une gravure humide à base d’une solution comprenant de l’acide acétique, du fluorure d’hydrogène, et du péroxyde d’hydrogène (ou H2O2), puis à réaliser l’étape d’épitaxie S130 dans un intervalle de temps de préférence, compris entre 10 minutes et 30 minutes.
[00132] Dit autrement, l’intervalle de temps entre l’étape de retrait S125B par gravure humide de la première couche d’arrêt de gravure 510 et l’étape d’épitaxie S130 de la couche semiconductrice 40 à transférer est alors, de préférence, compris entre 10 minutes et 30 minutes.
[00133] Dans le deuxième cas, l’étape de retrait S125B de la première d’arrêt de gravure 510 est réalisée dans l’équipement d’épitaxie. Dit autrement, l’étape de retrait S125B de la première couche d’arrêt de gravure 510 et l’étape d’épitaxie S130 sont réalisées dans le même équipement d’épitaxie.
[00134] Le retrait S125B est alors effectué par gravure humide à base d’une solution comprenant de l’acide chlororydrique (ou HCl) et sous une température de préférence inférieure à 500°C. Avantageusement, la gravure est sélective vis-à-vis du silicium du substrat donneur 10. En référence à la figure 1 1 , une pression partielle en HCl de 23998 Pa à 47996 Pa (c’est-à-dire de 180 ou 360 Torr) peut être utilisée. A une température de 500°C, les vitesses de gravures (ou ER pour Ecthing Rate en anglais), représentées sur l’axe des ordonnées, sont telles que la gravure du SiGe est sélective par rapport au silicium du substrat donneur 10. Avantageusement, la sélectivité de gravure, c’est-à-dire le rapport entre la vitesse de gravure d’une couche de SiGe et celle du Si, est de l’ordre de 13 pour une concentration en Ge dans la couche d’arrêt de gravure 510 de 20%, de l’ordre de 50 pour une concentration en Ge de 30% et de l’ordre de 186 pour une concentration en Ge de 40%.
[00135] Le retrait S125B est ensuite suivi de l’étape S130 d’épitaxie décrite précédemment, celle-ci pouvant alors, en outre, être suivie d’une étape supplémentaire S132 (non représentée) de recuit après épitaxie du substrat donneur 10, réalisée dans le même équipement d’épitaxie que l’étape de retrait S125B de la première couche d’arrêt 510 et l’étape d’épitaxie S130 de la couche semiconductrice 40 à transférer.
[00136] Le premier et le deuxième mode de réalisation représentent deux manières de préparer la surface libre 11 du substrat donneur 10 en vue de l’épitaxie S 130.
[00137] Une troisième manière de préparer la surface libre 11 est représentée figure 12 avec l’étape S122. Cette étape S122 consiste à réaliser, entre l’implantation S120 des premiers ions légers et l’étape d’épitaxie S130 de la couche semi-conductrice 40 à transférer, les sous-étapes successives suivantes : désoxydation S122A de la surface libre 11 du substrat donneur 10, recuit S122B du substrat donneur 10, sous une atmosphère comprenant de l’hydrogène à une température supérieure à 400°C, pendant une durée comprise entre 5 secondes et 10 minutes, typiquement.
[00138] L’étape de désoxydation S122A est par exemple réalisée chimiquement, sous fluorure d’hydrogène (ou H F), et est suivie d’un nettoyage de surface par un procédé SC1 ™ (c’est à dire une exposition de la surface à une solution chimique NH4OH:H2O2 :H2O, conduisant à la formation d’un oxyde de silicium) puis un procédé SICONI™ (c’est-à-dire (i) une conversion, grâce à un plasma déporté à base de NH3 et de NF3, de l’oxyde de silicium formé grâce au procédé SC1 ™ en sel d’oxyde, suivie d’un sublimation de ce sel sous gaz neutre à une température inférieure à 200°C). Les températures utilisées sont alors, de préférence, inférieures ou égales à 500°C.
[00139] L’étape de recuit S122B qui suit l’étape de désoxydation S122A- est de préférence réalisée dans l’équipement d’épitaxie. La température de recuit peut être inférieure à 500°C. Pour obtenir une préparation de surface optimale, la température peut être plus élevée, par exemple la température peut être supérieure à 500°C, à 650 °C, ou encore supérieure à 800°C. Dans ce cas, la durée du recuit est de préférence le plus court possible, dans une gamme de 5 secondes à 10 minutes.
[00140] A l’issue de cette étape supplémentaire S122, la surface libre 11 du substrat donneur 10 est, avant l’épitaxie S130, avantageusement réduite en contaminants (carbone, fluor, oxygène, etc.).
[00141] Le procédé peut en outre comprendre, après l’épitaxie S130 et avant l’implantation S140 des deuxièmes ions 3b, une étape supplémentaire S135 (non représentée) de formation d’une couche d’oxyde réalisée par croissance épitaxiale à partir de la couche semiconductrice 40 formée à l’issue de l’étape S130 (ou S130B). Cette étape S135 est préférentiellement réalisée sous plasma d’oxydation à une température inférieure à 500°C ou inférieure à 400°C. Elle peut aussi être réalisée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma.
[00142] En utilisant deux étapes d’implantation (première implantation S120 et deuxième implantation S140) accomplies respectivement avec les premiers ions 3a et la ou les première(s) dose(s) et avec les deuxièmes ions 3b et la ou les deuxième(s) dose(s), et en intercalant l’épitaxie de la couche semiconductrice 40 entre ces deux étapes d’implantation, le procédé de transfert permet de limiter l’impact négatif de l’implantation, c’est-à-dire de limiter les dommages ou défauts induits par les espèces implantées, le long de leur trajet dans le substrat donneur 10. Le procédé permet donc d’obtenir une couche semiconductrice 40 réduite en défauts, cela avant l’étape de transfert S150-S160. [00143] Il y a plusieurs explications à cela : d’abord, les premiers ions 3a et la ou les première(s) dose(s) sont adaptées pour que, lors de l’épitaxie, les premiers ions 3a n’induisent pas la croissance des nano-cavités vers la surface libre 11 et dans la couche semiconductrice 40 en train d’être formée ; ensuite, la couche semiconductrice 40 n’est traversée que par les deuxièmes ions 3b, à une deuxième dose réduite par rapport à une dose correspondant à une seule implantation.
[00144] Des températures de recuit de fracturation inférieures ou égales à 500°C peuvent être employées, ainsi que décrit précédemment, ce qui rend le procédé transfert compatible avec une intégration monolithique 3D.

Claims

Tl REVENDICATIONS
[Revendication 1 ] Procédé de transfert d’une couche semi-conductrice (40) d’un substrat donneur (10) à un substrat receveur (20), le procédé comprenant les étapes successives suivantes :
- première implantation (S120) de premiers ions légers (3a) dans le substrat donneur (10) à une profondeur d’implantation (30) prédéterminée de sorte à former un plan fragile enterré (300) à la profondeur d’implantation (30) prédéterminée,
- épitaxie (S130) sur le substrat donneur (10) de la couche semi- conductrice (40) à transférer,
- deuxième implantation (S140) de deuxièmes ions légers (3b) dans le substrat donneur (10) à travers la couche semi-conductrice (40) à transférer au niveau du plan fragile (300),
- assemblage (S150) par collage du substrat receveur (20) et du substrat donneur (10) recouvert de la couche semi-conductrice (40) à transférer, la couche semi-conductrice (40) à transférer étant disposée entre les substrats receveur (20) et donneur (10), et
- fracturation (S160) par recuit, dit recuit de fracturation (S160), du substrat donneur (10) suivant le plan fragile enterré (300), procédé dans lequel :
- les premiers ions (3a) sont choisis et implantés à une première dose (D1 ) de sorte que, lors de l’épitaxie (S130), il n’y a pas de fracturation à la profondeur d’implantation (30) prédéterminée,
- les deuxièmes ions (3b) sont choisis et implantés à une deuxième dose (D2) de sorte que, lors du recuit de fracturation (S 160), la fracturation du substrat donneur (10) s’opère.
[Revendication 2] Procédé selon la revendication 1 dans lequel :
- les premiers ions légers (3a) sont des ions hélium, des ions hydrogène, des ions Bore, un mélange d’ions hélium et d’ions hydrogène ou un mélange d’ions hydrogène et d’ions bore, et les deuxièmes ions légers (3b) sont des ions hélium, des ions hydrogène ou un mélange d’ions hélium et d’ions hydrogène.
[Revendication 3] Procédé selon l’une des revendications 1 à 2 comprenant, entre la première implantation (S120) et l’étape d’épitaxie (S130) de la couche semi- conductrice (40) à transférer, une étape supplémentaire de préparation (S122) de surface comprenant les sous-étapes successives suivantes :
- désoxydation (S122A) d’une surface libre (11 ) du substrat donneur (10),
- recuit (S122B) du substrat donneur (10) sous une atmosphère comprenant de l’hydrogène à une température supérieure ou égale à 400°C, pendant une durée comprise entre 5 secondes et 10 minutes. .
[Revendication 4] Procédé selon l’une des revendications 1 à 2, comprenant les étapes supplémentaires de :
- avant la première implantation (S120), une étape de dépôt (S115) d’une couche sacrificielle (50) sur une surface libre (11 ) du substrat donneur (10),
- après la première implantation (S120) et avant l’étape d’épitaxie (S130) de la couche semi-conductrice (40) à transférer, une étape de retrait (S125) de la couche sacrificielle (50).
[Revendication 5] Procédé selon la revendication 4 dans lequel la couche sacrificielle (50) est une couche (500) diélectrique.
[Revendication 6] Procédé selon la revendication 4 dans lequel la couche sacrificielle (50) comprend un empilement d’une première sous-couche d’alliage de silicium et germanium (510), dite première couche d’arrêt de gravure (510), et d’une deuxième sous-couche (520) de matériau diélectrique disposée sur la première sous- couche (510), et l’étape de retrait (S125) de la couche sacrificielle (50) comprend le retrait (S125A) de la deuxième sous-couche (520) de matériau diélectrique puis le retrait (S125B) de la première couche d’arrêt de gravure (510).
[Revendication 7] Procédé selon la revendication 6 dans lequel l’étape d’épitaxie (S130) de la couche semiconductrice (40) à transférer est réalisée moins de 30 minutes après l’étape de retrait (S125B) de la première couche d’arrêt.
[Revendication 8] Procédé selon la revendication 6, dans lequel l’étape de retrait (S125B) de la première couche d’arrêt de gravure (510) et l’étape d’épitaxie (S130) de la couche semiconductrice (40) à transférer sont réalisées dans un même équipement.
[Revendication 9] Procédé selon la revendication 8 comprenant, après l’étape de retrait (S125B) de la première couche d’arrêt et avant l’étape d’épitaxie (S130) de la couche semiconductrice (40) à transférer, une étape supplémentaire (S132) de recuit du substrat donneur (10) réalisée dans le même équipement que l’étape de retrait (S1225B) de la première couche d’arrêt de gravure (510) et l’étape d’épitaxie (S130) de la couche semiconductrice (40) à transférer.
[Revendication 10] Procédé selon la revendication 9 dans lequel le recuit (S132) du substrat donneur (10) est réalisé aux conditions de température, de pression et de durée suivantes : 500°C, 2666 Pa, 2 minutes.
[Revendication 11 ] Procédé selon l’une des revendications 1 à 10 dans lequel la couche semiconductrice (40) à transférer est une couche (410) de silicium (ou Si), de germanium (ou Ge), d’un alliage de silicium et germanium (ou SiGe), d’un alliage de silicium, de germanium et de carbone (ou SiGeC), d’un alliage de germanium et d’étain (ou GeSn) ou d’un alliage de silicium, de germanium et d’étain (SiGeSn), ou un empilement d’une sous-couche de silicium et d’une sous-couche d’un alliage de silicium et de germanium (Si/SiGe).
[Revendication 12] Procédé selon l’une des revendications 1 à 11 dans lequel la couche semiconductrice (40) à transférer comprend une première sous-couche dite active (430) de silicium (ou Si), de germanium (ou Ge), d’un alliage de silicium et germanium (ou SiGe), d’un alliage de silicium, de germanium et de carbone (ou SiGeC), d’un alliage de germanium et d’étain (ou GeSn) ou d’un alliage de silicium, de germanium et d’étain (SiGeSn), et une deuxième sous-couche dite d’arrêt de gravure (420) telle qu’une sous-couche d’arrêt de gravure en alliage de silicium et germanium, disposée sous la première sous-couche active (430), et le substrat receveur (20) présente, après l’étape de fracturation (S160), une couche résiduelle (10a) issue du substrat donneur (10), le procédé comprenant alors les étapes successives suivantes :
- Retrait (S170) de la couche résiduelle (10a) issue du substrat donneur (10) par gravure sélective de ladite couche résiduelle (10a) par rapport à la deuxième sous-couche d’arrêt de gravure (420), avec une sélectivité supérieure à 10,
- Retrait (S180) de la deuxième sous-couche d’arrêt de gravure (420).
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