WO2024139648A1 - 发光器件及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 158
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 354
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 85
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 30
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 28
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 24
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 12
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 claims description 11
- -1 halogen anion Chemical group 0.000 claims description 11
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 7
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 6
- JAAGVIUFBAHDMA-UHFFFAOYSA-M rubidium bromide Chemical compound [Br-].[Rb+] JAAGVIUFBAHDMA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FAPCZAUMFXUDMS-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-3-(dibromomethyl)-2-hydroxy-2h-furan-5-one Chemical group OC1OC(=O)C(Br)=C1C(Br)Br FAPCZAUMFXUDMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005533 GaO Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 241000764773 Inna Species 0.000 claims description 3
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001417 caesium ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052956 cinnabar Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 3
- 229910000026 rubidium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WPFGFHJALYCVMO-UHFFFAOYSA-L rubidium carbonate Chemical compound [Rb+].[Rb+].[O-]C([O-])=O WPFGFHJALYCVMO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 239000011257 shell material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 22
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 22
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 21
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 15
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- QDWGRSGGOUPRJF-UHFFFAOYSA-N O.O.[O--].[Zn++] Chemical compound O.O.[O--].[Zn++] QDWGRSGGOUPRJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010335 hydrothermal treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Definitions
- the present application relates to the field of display technology, and in particular to a light-emitting device and a method for preparing the same, and a display device.
- Another object of the embodiments of the present application is to provide a display device comprising the light-emitting device, or a display device comprising a light-emitting device prepared by the method for preparing the light-emitting device.
- a method for preparing a light emitting device comprises the following steps:
- the quantum dot light-emitting layer is subjected to a first pretreatment; and/or the electron transport layer is subjected to a second pretreatment.
- the present application proposes a method for preparing a light-emitting device, comprising the following steps:
- the temperature of the pretreatment of the packaged light emitting device can be higher than that of the third pretreatment of the functional layer, because the packaging has been completed at this time, and the high temperature has little effect on the performance of the functional layer.
- the influence of humidity and treatment time will also be weaker than that of directly treating the functional layer, and will not be repeated.
- the material of the electron transport layer is selected from one or more of doped or undoped inorganic materials and organic materials; wherein the undoped inorganic material is selected from one or more of TiO2, SnO2, Al2O3 , GaO , Ga2O3 , ZrO2 , NiO, ZnS , ZnSe, CdS, InP, GaP, BaTiO3 , Cs2CO3 , Rb2CO3 , RbBr , LiF, LiF/Yb, MgP, MgF2 ; the doped inorganic material includes undoped inorganic materials and doping elements, and the doping elements are selected from one or more of Mg, Ca, Li, Ga, Al, Co, Mn, Zr, W, Ti, and Y; the organic material is selected from one or more of polymethyl methacrylate and polyvinyl butyral. One or two.
- the material of the anode layer includes a conductive oxide
- the conductive oxide includes one or more of ITO (indium tin oxide), FTO, and ZTO.
- the material of the cathode layer includes one or more of Ag, Al, Au, Cu, and Mo.
- an encapsulation layer is formed on the cathode layer to isolate the encapsulated light-emitting device from corrosion by water and oxygen.
- the encapsulation layer covers the cathode layer.
- the material of the encapsulation layer can be an encapsulation glue, for example, the encapsulation glue is a resin glue.
- an encapsulation layer is formed on the anode layer to isolate the encapsulated light-emitting device from corrosion by water and oxygen.
- the encapsulation layer covers the anode layer.
- the material of the encapsulation layer can be an encapsulation glue, for example, the encapsulation glue is a resin glue.
- Example 4 First pretreatment of the quantum dot light-emitting layer
- This embodiment provides a method for preparing a light emitting device, comprising the following steps:
- Example 5 First pretreatment of the quantum dot light-emitting layer
- This embodiment provides a method for preparing a light emitting device, comprising the following steps:
- Example 6 Performing a third pretreatment on the light-emitting device after encapsulation
- This embodiment provides a method for preparing a light emitting device, comprising the following steps:
- Example 7 First perform the second pretreatment of the electron transport layer, then perform the first pretreatment of the quantum dot light-emitting layer
- This embodiment provides a method for preparing a light-emitting device, including the steps of preparing an inverted structure QLED device:
- the device After the electron transport layer is prepared, the device is placed in a sealed box with a temperature of 50°C and a humidity of 95% for a treatment time of 3 minutes;
- the device After the electron transport layer is prepared, the device is placed in a sealed box with a temperature of 80°C and a humidity of 50% for 8 minutes. Then, the quantum dot light-emitting layer is prepared. After the preparation is completed, the device is placed in a sealed box with a temperature of 80°C and a humidity of 40% for 10 minutes.
- Example 12 First pre-treat the quantum dot light-emitting layer, then pre-treat the electron transport layer
- This embodiment provides a method for preparing a light-emitting device, including the steps of preparing a QLED device with a vertical structure:
- Example 13 First perform the first pretreatment of the quantum dot light-emitting layer, and then perform the second pretreatment of the electron transport layer
- Example 11 The materials and processes of other steps refer to Example 11 to prepare a positive structure QLED device.
- This embodiment provides a method for preparing a light emitting device, comprising the following steps:
- This embodiment provides a method for preparing a light-emitting device, including the steps of preparing an inverted structure QLED device:
- Comparative Example 4 Pretreatment of the quantum dot light-emitting layer first, and then pretreatment of the electron transport layer
- This embodiment provides a method for preparing a light-emitting device, including the steps of preparing a QLED device with a vertical structure:
- the light emitting devices obtained in Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 4 were tested for efficiency and lifespan, and the test results are shown in Table 1.
- the lifespan test was performed by measuring T95 at 2 mA.
- embodiments 1 to 6 are for directly processing the functional layer.
- the parameters of the embodiments of the present application are appropriately changed, and the purpose of the present invention can be achieved within the scope of the embodiments of the application.
- Example 1 the device efficiency and life of Examples 1 to 3 are better than the device performance of Comparative Example 1. This shows that the performance of the light-emitting device can be improved by performing a second pretreatment on the electron transport layer in the preparation method in the embodiments of the present application.
- the light emitting devices obtained in Examples 4 to 6 and Comparative Example 2 were tested for efficiency and lifespan, and the test results are shown in Table 2. It can be seen that the performance of the light emitting device can be improved by performing the first pretreatment on the quantum dot light emitting layer in the preparation method in the present application.
- the device efficiency and life of Examples 7 to 9 are better than the device performance of Comparative Example 2. It can be seen that the embodiments of the present application first pre-treat the electron transport layer in the preparation method, and then treat the quantum dot The first pretreatment of the light-emitting layer can improve the performance of the light-emitting device. At the same time, the comparison of the device efficiency and life of Examples 7 to 9 with the data of Comparative Example 3 shows that the temperature of the device after encapsulation can be higher, the time can be longer, and the third pretreatment conditions of the light-emitting device after encapsulation and the pretreatment conditions of the functional layer (the first pretreatment and/or the second pretreatment) can be different.
- Example 10 The data of Example 10 can prove that the device temperature can be higher and the time can be longer after packaging, and the device efficiency and life span will also be improved, but during the pretreatment of the functional layer, too high a temperature will have side effects.
- the device efficiency and lifespan of Examples 11 to 13 are better than the device performance of Comparative Example 2. It can be seen that the embodiments of the present application can improve the performance of the light-emitting device by first pre-treating the quantum dot light-emitting layer and then pre-treating the electron transport layer in the preparation method. At the same time, comparing the device efficiency and lifespan of Examples 11 to 13 with the data of Comparative Example 4, it can be shown that the temperature of the device after encapsulation can be higher, the time can be longer, and the third pre-treatment conditions of the light-emitting device after encapsulation and the pre-treatment conditions of the functional layer can be different. The data of Example 14 can prove that the temperature of the device after encapsulation can be higher, the time can be longer, and the device efficiency and lifespan will also be improved, but during the pre-treatment of the functional layer, there will be side effects if the temperature is too high.
- the preparation method of the present application adjusts the mutual fusion between the layers of the device and promotes the transmission of carriers.
- the embodiments of the present application can obtain a device with excellent efficiency and lifespan.
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Abstract
发光器件及其制备方法、显示装置。基板设有量子点发光层，在第一气体氛围中对量子点发光层进行第一预处理；和/或，基板设有电子传输层，在第二气体氛围中对电子传输层进行第二预处理；和/或，在第三气体氛围中对封装得到的发光器件进行第三预处理；第一预处理、第二预处理、第三预处理的湿度均大于等于40％（S200）。
Description
本申请要求于2022年12月30日在中国专利局提交的、申请号为202211734142.1、申请名称为“发光器件的制备方法和发光器件、显示装置”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制备方法、显示装置。
QLED发光的原理是电子和空穴经由载流子传输层注入到发光层进行辐射复合发光。随着研究的不断深入，QLED器件的性能已经取得了较大的提高，但常规的发光器件的制备方法，在制备功能层的过程中需要对功能层进行其他处理，来改善功能层的性能。
本申请实施例目的之一是提供一种发光器件的制备方法，通过预处理来改善功能层和/或封装发光器件的性能，减少对功能层和/或封装发光器件原有制备工艺的改动。
本申请的实施例另一目的是提供采用所述发光器件的制备方法制备的发光器件。
本申请的实施例另一目的是提供包括所述发光器件的显示装置，或者采用所述发光器件的制备方法制备得到的发光器件的显示装置。
一种发光器件的制备方法，包括如下步骤：
提供基板；
所述基板设有量子点发光层，对所述量子点发光层进行第一预处理，所述第一预处理在第一气体氛围中进行；和/或，所述基板设有电子传输层，对所述电子传输层进行第二预处理，所述第二预处理在第二气体氛围中进行；和/
或，在封装得到所述发光器件后，对所述发光器件进行第三预处理，所述第三预处理在第三气体氛围中进行；
其中，所述第一预处理、第二预处理、第三预处理的湿度均大于等于40％。需要说明的是，第一预处理、第二预处理、第三预处理均是在气体氛围中进行，本申请的实施例采用气体氛围处理，减少对器件和/或功能层的侵入，同时减少对原有制备工艺的扰动。
在一些实施例中，所述第一预处理的温度高于室温；
和/或，所述第二预处理的温度高于室温；
和/或，所述第三预处理的温度高于室温；
其中，室温范围是25℃±5℃。
在一些实施例中，所述第一预处理条件为恒温恒湿；
和/或，所述第二预处理条件为恒温恒湿；
和/或，所述第三预处理条件为恒温恒湿。
在一些实施例中，所述第一预处理温度为50-90℃；
和/或，所述第一预处理时长为3min-10min；
和/或，所述第一预处理湿度为40％-90％。
在一些实施例中，所述第二预处理温度为50-90℃；
和/或，所述第二预处理湿度为50％-95％；
和/或，所述第二预处理时长为3min-10min。
在一些实施例中，所述第三预处理温度为50-130℃。
在一些实施例中，所述第三预处理湿度为40％-90％；和/或，所述第三预处理时长为3min-50min；
或者，所述第三预处理湿度为50％-95％；和/或，所述第三预处理时长为3min-5h。
在一些实施例中，所述第一预处理的步骤包括：对所述量子点发光层进行第一预处理之后，在所述量子点发光层上制备电子传输层；或者，所述基板还设有电子传输层，在所述电子传输层上设有量子点发光层，对所述量子点发光层进行第一预处理。
在一些实施例中，所述第二预处理的步骤包括：对所述电子传输层进行第
二预处理之后，在所述电子传输层上制备量子点发光层；或者，所述基板还设有量子点发光层，在所述量子点发光层上设有电子传输层，对所述电子传输层进行第二预处理。
在一些实施例中，所述第一预处理的步骤包括：对所述量子点发光层进行第一预处理之后，然后在所述量子点发光层上制备电子传输层，对所述电子传输层进行第二预处理。
在一些实施例中，所述第二预处理的步骤包括：对所述电子传输层进行第二预处理，然后在所述电子传输层上制备量子点发光层，对所述量子点发光层进行第一预处理。
在一些实施例中，在封装得到所述发光器件后，对所述发光器件进行预处理的步骤包括：在封装得到所述发光器件之前，先进行正置发光器件的制备步骤；或者，在封装得到所述发光器件之前，先进行倒置发光器件制备步骤。
在一些实施例中，所述先进行正置发光器件的制备步骤中，对所述量子点发光层进行第一预处理；和/或，对所述电子传输层进行第二预处理。
在一些实施例中，所述先进行倒置发光器件制备步骤中，对所述电子传输层进行第二预处理；和/或，对所述量子点发光层进行第一预处理。
在一些实施例中，所述电子传输层的材料包括氧化锌。
在一些实施例中，所述量子点发光层的材料选自单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的一种或多种，所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的一种或多种，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的一种或多种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe中的一种或多种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、
GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs及InAlPSb中的一种或多种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的一种或多种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的一种或多种；所述钙钛矿型半导体材料选自掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、有机钙钛矿半导体或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的一种或多种，X为卤素阴离子，选自Cl-、Br-、I-中的一种或多种；所述有机钙钛矿半导体的结构通式为CMX3，其中，C为甲脒基，M为二价金属阳离子，M选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+或Eu2+中的一种或多种，X为卤素阴离子，选自Cl-、Br-或I-中的一种或多种；所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，选自CH3(CH2)n-2NH3
+或[NH3(CH2)nNH3]2+，其中n≥2，M为二价金属阳离子，选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的一种或多种，X为卤素阴离子，选自Cl-、Br-、I-中的一种或多种。
在一些实施例中，所述电子传输层的材料选自掺杂或非掺杂无机材料、有机材料中的一种或多种；其中，所述非掺杂无机材料选自TiO2、SnO2、Al2O3、GaO、Ga2O3、ZrO2、NiO、ZnS、ZnSe、CdS、InP、GaP、BaTiO3、Cs2CO3、Rb2CO3、RbBr、LiF，LiF/Yb、MgP，MgF2中的一种或多种；所述掺杂无机材料中包括所述非掺杂无机材料和掺杂元素，所述掺杂元素选自于Mg、Ca、Li、Ga、Al、Co、Mn、Zr、W、Ti、Y中的一种或多种；所述有机材料选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇缩丁醛中的一种或两种。
在一些实施例中，一种发光器件，采用所述的制备方法制得。
在一些实施例中，所述发光器件为正置量子点发光器件，所述正置量子点发光器件包括依次层叠设置在所述基板上的阳极层、空穴功能层、量子点发光
层、电子传输层和阴极层；或者，所述发光器件为倒置量子点发光器件，所述倒置量子点发光器件包括依次层叠设置在所述基板上的阴极层、电子传输层、量子点发光层、空穴功能层和阳极层。
在一些实施例中，一种显示装置，包括所述发光器件的制备方法制备的发光器件，或者，包括所述的发光器件。
本申请的有益效果：
本申请提供一种发光器件制备方法提供基板；基板设有量子点发光层，对量子点发光层进行第一预处理，第一预处理在气体氛围中进行；和/或，基板设有电子传输层，对电子传输层进行第二预处理，第二预处理在气体氛围中进行；和/或，在封装得到发光器件后，对发光器件进行第三预处理，第三预处理在气体氛围中进行；其中，气体氛围的湿度大于等于40％；本申请的实施例在不改变原有的功能层和/或发光器件的制备工艺，减少对原有工艺的改动；本申请通过将预处理(包括第一预处理、第二预处理、第三预处理)在气体氛围中进行，不必要浸入液体中，实现功能层和/或器件的预处理；通过控制气体氛围的湿度大于等于40％，实现本申请实施例的目的，最终改善器件的性能。
本申请的一种发光器件，采用上述的制备方法制得，具备上述方法的优势，不再赘述。
本申请的一种显示装置，包括发光器件的制备方法制备的发光器件，或者，包括发光器件，具备上述制备方法，或者发光器件的优势，不再赘述。
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是本申请实施例提供的一种发光器件的制备方法流程图。
本申请的实施方式
下面将结合本申请实施例，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整
地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。用语第一、第二、第三等仅仅作为标示使用，并没有强加数字要求或建立顺序。本申请的各种实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本申请范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。
在对QLED技术的研究和实践过程中，申请人发现，传统的QLED制备工艺在改善功能层性能的过程中，会对相关功能层的制备工艺进行改动，即功能层的制备过程需要改变，这会导致对制备工艺整体的改动较大。
进一步的，氧化锌是目前QLED器件电子传输层的主要材料，氧化锌作为电子传输层使得QLED器件的发光亮度、外量子效率及器件稳定性都得到提升，申请人发现，氧化锌表面缺陷态较多，又与量子点发光层直接接触，在通电过程中随着界面电荷聚集，电子传输层表面缺陷态抑制或电荷迁移率改变，造成电老化稳定性不佳进而导致激子淬灭。
进一步的，申请人发现，量子点发光层表面缺陷态较多，量子点发光层与电子传输层直接接触，将造成量子点的荧光淬灭，也会影响器件性能。
本申请实施例提供一种发光器件的制备方法和发光器件、显示装置。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
本申请针对上述技术问题提出一种发光器件的制备方法，包括如下步骤：
S100、提供基板；
S200、基板设有量子点发光层，对量子点发光层进行第一预处理，第一预处理在第一气体氛围中进行；和/或，基板设有电子传输层，对电子传输层进行第二预处理，第二预处理在第二气体氛围中进行；和/或，在封装得到发光器件后，对发光器件进行第三预处理，第三预处理在第三气体氛围中进行；
其中，第一气体氛围、第二气体氛围、第三气体氛围的湿度均大于等于40％。
在一些实施例中，气体氛围(第一气体氛围、第二气体氛围、第三气体氛围)是具有一定湿度的气体氛围，该气体氛围可以是空气气氛或者惰性气体气氛，只要具备一定的湿度即可。其中，湿度大于等于40％，例如可以是40％、50％、60％、70％、80％等。
在一些实施例中，在制备完毕量子点发光层后，对量子点发光层进行第一预处理，然后再制备完毕电子传输层后，对电子传输层进行第二预处理；其中，电子传输层包括氧化锌；可以理解的是，这是制备正置发光器件的方法。可以理解的是，制备量子点发光层的步骤可以省略，提供带有量子点发光层的基板，对量子点发光层可以直接进行第一预处理，下同，不再赘述。
在一些实施例中，在制备完毕电子传输层后，对电子传输层进行第二预处理；其中，电子传输层包括氧化锌，然后再制备完毕量子点发光层后，对量子点发光层进行第一预处理；可以理解的是，这是制备倒置发光器件的方法。可以理解的是，制备电子传输层的步骤可以省略，提供带有电子传输层的基板，对电子传输层可以直接进行第二预处理，下同，不再赘述。
在一些实施例中，在制备完毕量子点发光层后，对量子点发光层进行第一预处理，然后再制备电子传输层；其中，电子传输层包括氧化锌；可以理解的是，这是制备正置发光器件的方法。
在一些实施例中，在制备完毕电子传输层后，对电子传输层进行第二预处理；其中，电子传输层包括氧化锌，然后再制备量子点发光层；可以理解的是，这是制备倒置发光器件的方法。
在一些实施例中，在封装得到发光器件后，对发光器件进行预处理。在封装之前，不限定是否预处理，在此不再赘述。
可以理解的是，本申请实施例的一种发光器件的制备方法适用于正置发光器件和倒置发光器件，满足在制备完毕量子点发光层后，对量子点发光层进行第一预处理；和/或，在制备完毕电子传输层后，对电子传输层进行第二预处理；其中，电子传输层包括氧化锌。本申请实施例的一种发光器件的制备方法，不限定制备量子点发光层和电子传输层的顺序，只需要对制备完成后的量子点发光层和/或电子传输层进行预处理即可。进一步地，本申请的实施例仅在量子点发光层和/或电子传输层制备完成后进行预处理，不必要对原有的量子点
发光层和/或电子传输层的制备工艺进行改进，减少对现有工艺的改动，利于在产业上实现。
可以理解的是，在封装得到发光器件后，增加预处理的步骤，对发光器件进行预处理。封装步骤是为了减少预处理器件的侵蚀。在一些实施例中，封装采用封装胶处理，例如可以是树脂胶类。
在一些实施例中，本申请实施例的一种发光器件的制备方法中，预处理是在密闭环境中预处理，控制密闭环境的湿度。
在一些实施例中，密闭环境的大气压压强是常压环境，常压环境是密闭环境的气压为1.013×105Pa。
可以理解的是，本申请实施例通过在密闭环境中对量子点发光层和/或电子传输层预处理，采用密闭环境是为了控制密闭环境的湿度，实现密闭环境的环境湿度控制，来对量子点发光层和/或电子传输层预处理。可以理解的是，密闭环境中，将待处理的发光器件半成品放入即可实现对相关量子点发光层和/或电子传输层的预处理，不必要将量子点发光层和/或电子传输层浸入液体环境中，也不需要喷洒额外的反应物，该预处理过程易操作。
可以理解的是，本申请实施例通过在封装得到发光器件后，在密闭环境中增加预处理的步骤，对发光器件进行预处理，实现密闭环境的环境湿度控制，来对封装得到发光器件进行直接处理。
可以理解的是，本申请的实施例通过在一定密闭环境，控制密闭环境的湿度，相当于对器件进行水热处理，本申请的实施例可能包括对量子点发光层和/或电子传输层进行预处理的情形，也可能包括对封装后发光器件进行预处理的情形。反应原理是，量子点发光层和/或电子传输层对水敏感，水侵蚀量子点发光层和/或电子传输层，产生类似于钝化的反应，量子点发光层的表面缺陷态和/或电子传输层的表面缺陷态改善。需要明确的是，当对电子传输层进行预处理，本申请实施例强调的是针对包括氧化锌的电子传输层进行。
进一步可以理解的是，针对量子点发光层，首先量子点发光层和电子传输层会接触，量子点发光层的缺陷形貌也会影响到电子传输层。通过在一定湿度环境下，对量子点发光层进行预处理，水侵蚀量子点发光层，产生类似钝化的反应，使得量子点发光层的表面缺陷态发生改变，即量子点由于水分的作用产
生了硫酸盐等化合物，减少由缺陷态引起的带边发光减少因缺陷态导致的激子淬灭，使电子空穴对其更好的辐射复合及发光进而使器件的整体性能提升。进一步可以理解的是，通过改变密闭环境的温度，水分子和量子点分子的反应活跃度会提升，增加反应速率。
进一步可以理解的是，针对包括氧化锌的电子传输层，氧化锌与量子点发光层导带接近，通过本申请实施例的方法可以促进电子传输层与量子点发光层的载流子的传输。通过在一定密封环境对器件进行水热处理，水侵蚀钝化氧化锌缺陷提高形貌均匀性，即水的侵蚀影响前体驱体系中Zn2+的存在形式，导致体系均匀性发生变化。氧化锌形貌的改善使分子之间接触改善介电损耗能力增强更有利用电子迁移，进而提高器件整体性能。进一步可以理解的是，通过改变密闭环境的温度，通过加热提高水分子和电子传输层氧化锌分子活跃度提升二者发生反应速率。
在一些实施例中，本申请实施例的一种发光器件的制备方法中，预处理还要控制密闭环境的温度，该温度高于室温。一般情况下，室温是指25℃±5℃。可以理解的是，温度会影响量子点发光层和/或电子传输层预处理过程中发生反应的速率。可以理解的是，温度会影响封装得到发光器件预处理过程中发生反应的速率。
在一些实施例中，本申请实施例的一种发光器件的制备方法中，对量子点发光层进行第一预处理，第一预处理是在密闭环境中预处理，控制密闭环境的湿度和湿度。进一步地，第一预处理是恒温恒湿预处理。恒温恒湿是指温度和湿度保持不变的环境；此外，在一定范围内，温度和湿度相对稳定也是本申请实施例之一。
进一步地，在一些实施例中，对量子点发光层进行第一预处理，将器件放置于密闭箱体，密闭箱体内部处于恒温恒湿状态，温度和湿度根据实验要求进行调整。第一预处理温度在50-90℃，第一预处理湿度为40％-90％，第一预处理时长为3min-10min。可以理解的是，第一预处理温度和湿度可以根据实际要求进行调整。例如，第一预处理温度可以为50℃、60℃、70℃、80℃或90℃。例如，第一预处理湿度可以为40％、50％、60％、70％、80％或90％。例如，第一预处理时间为3分钟、4分钟、5分钟、6分钟、7分钟、8分钟、9分钟
或10分钟。
在一些实施例中，本申请实施例的一种发光器件的制备方法中，对电子传输层进行第二预处理；其中，电子传输层包括氧化锌，第二预处理是在密闭环境中预处理，控制密闭环境的湿度和湿度。进一步地，第二预处理是恒温恒湿预处理。
进一步地，在一些实施例中，本申请实施例的一种发光器件的制备方法中，对电子传输层进行第二预处理；将器件放置于密封箱体，密封箱体内部处于恒温恒湿状态，温度和湿度根据实验要求进行调整。第二预处理温度在50-90℃，预处理湿度为50％-95％，预处理时长为3min-10min。可以理解的是，第二预处理温度和湿度可以根据实际要求进行调整，第二预处理温度可以为50℃、60℃、70℃、80℃或90℃。例如，第二预处理湿度可以为50％、55％、60％、70％、80％、90％或95％。例如，第二预处理时间为3分钟、4分钟、5分钟、6分钟、7分钟、8分钟、9分钟或10分钟。
在一些实施例中，本申请实施例的一种发光器件的制备方法中，在封装得到发光器件后，在密闭环境中增加第三预处理的步骤，第三预处理是在密闭环境中预处理，控制密闭环境的湿度和湿度。进一步地，第三预处理是恒温恒湿预处理。
进一步地，在一些实施例中，本申请实施例的一种发光器件的制备方法中，第三预处理是在密闭环境中预处理，控制密闭环境的湿度和湿度，将封装得到发光器件放置于密封箱体，密封箱体内部处于恒温恒湿状态，温度和湿度根据实验要求进行调整。
在一些实施例中，对正置发光器件，第三预处理温度在50-130℃，预处理湿度为50％-95％，第三预处理时长为3min-5h。可以理解的是，第三预处理温度和湿度可以根据实际要求进行调整，第三预处理温度可以为50℃、60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃或130℃。例如，第三预处理湿度可以为50％、55％、60％、70％、80％、90％或95％。例如，第三预处理时间为3分钟、10分钟、20分钟、30分钟、50分钟、1小时、2小时、3小时、4小时或5小时。
在一些实施例中，对倒置发光器件，第三预处理温度在50-130℃，第三
预处理湿度为40％-90％，预处理时长为3min-50min。可以理解的是，第三预处理温度和湿度可以根据实际要求进行调整，第三预处理温度可以为50℃、60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃或130℃。例如，第三预处理湿度可以为40％、50％、55％、60％、70％、80％或90％。例如，第三预处理时间为3分钟、10分钟、20分钟、30分钟、40分钟或50分钟。
可以理解的是，对封装得到发光器件预处理可以较高，高于功能层进行第三预处理的温度，因为此时已经封装完毕，高温对功能层性能的影响较小。湿度和处理时间的影响，也会弱于直接对功能层进行处理，不再赘述。
本申请实施例还提供一种发光器件，采用如上的制备方法制得。本申请制得的器件可以是倒置量子点发光器件也可以是正置量子点发光器件。
在一些实施例中，对正置发光器件，量子点发光器件包括依次层叠设置在衬底基板上的阳极层、空穴功能层、量子点发光层、电子传输层、阴极层。
在一些实施例中，对倒置发光器件，量子点发光器件包括依次层叠设置在衬底基板上的阴极层、电子传输层、量子点发光层、空穴功能层、阳极层。
在一些实施例中，对正置发光器件，本申请实施例还提供一种发光器件的制备方法，包括：依次在在衬底基板上形成阳极层、空穴功能层、量子点发光层、电子传输层、阴极层。
在一些实施例中，对倒置发光器件，本申请实施例还提供一种发光器件的制备方法，包括：依次在在衬底基板上形成阴极层、电子传输层、量子点发光层、空穴功能层、阳极层。
在一些实施例中，量子点发光层的材料选自单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的一种或多种，单一结构量子点选自II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的一种或多种，II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的一种或多种，IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、
PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe中的一种或多种，III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs及InAlPSb中的一种或多种，I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的一种或多种；核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的一种或多种；钙钛矿型半导体材料选自掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、有机钙钛矿半导体或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的一种或多种，X为卤素阴离子，选自Cl-、Br-、I-中的一种或多种；有机钙钛矿半导体的结构通式为CMX3，其中，C为甲脒基，M为二价金属阳离子，M选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+或Eu2+中的一种或多种，X为卤素阴离子，选自Cl-、Br-或I-中的一种或多种；有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，选自CH3(CH2)n-2NH3
+或[NH3(CH2)nNH3]2+，其中n≥2，M为二价金属阳离子，选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的一种或多种，X为卤素阴离子，选自Cl-、Br-、I-中的一种或多种；
和/或，
所述电子传输层的材料选自掺杂或非掺杂无机材料、有机材料中的一种或多种；其中，非掺杂无机材料选自TiO2、SnO2、Al2O3、GaO、Ga2O3、ZrO2、NiO、ZnS、ZnSe、CdS、InP、GaP、BaTiO3、Cs2CO3、Rb2CO3、RbBr、LiF，LiF/Yb、MgP，MgF2中的一种或多种；掺杂无机材料中包括非掺杂无机材料和掺杂元素，掺杂元素选自于Mg、Ca、Li、Ga、Al、Co、Mn、Zr、W、Ti、Y中的一种或多种；有机材料选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇缩丁醛中的一
种或两种。
在一些实施例中，空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层。在一些实施例中，对正置发光器件，空穴功能层的制备包括：在阳极层上形成空穴注入层和/或空穴传输层；或者，在阳极层上形成空穴注入层，在空穴注入层上形成空穴传输层。在一些实施例中，对倒置发光器件，空穴功能层的制备包括：在量子点发光层上形成空穴功能层，不再赘述。
进一步地，空穴注入层的材料选择透明度高、热稳定好、表面粗糙度低、易沉积的特点。例如，空穴注入层的材料包括PEDOT:PSS。进一步地，空穴传输层的材料可以选择具有合格的最高被占据分子轨道能级(HOMO)和/或具有较高的空穴迁移率。更进一步地，空穴传输层的材料包括TFB、PVK、poly-TPD、TCTA和CBP中的一种或多种。
在一些实施例中，阳极层的材料包括导电氧化物，导电氧化物包括ITO(锡铟氧化物)、FTO、ZTO中的一种或多种。在一些实施例中，阴极层的材料包括Ag、Al、Au、Cu、Mo中的一种或多种。
在本申请的一些实施例中，本申请的发光器件在完成阴极层的制备后，在阴极层上形成封装层，用以隔绝水氧对封装后发光器件的侵蚀。封装层覆盖在阴极层上。进一步地，封装层的材料可以为封装胶，例如封装胶为树脂类胶。
在本申请的一些实施例中，本申请的发光器件在完成阳极层的制备后，在阳极层上形成封装层，用以隔绝水氧对封装后发光器件的侵蚀。封装层覆盖在阳极层上。进一步地，封装层的材料可以为封装胶，例如封装胶为树脂类胶。
本申请先后进行过多次试验，现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述，下面结合具体实施例进行详细说明。
实施例1 针对电子传输层进行第二预处理
本实施例提供一种发光器件的制备方法，包括如下步骤：
S1、在ITO衬底上制备一层表面PEDOT:PSS空穴注入层；
S2、在空穴注入层上制备一层TFB作为空穴传输层；
S3、然后，在空穴传输层上旋涂一层量子点发光层，采用CdSe@ZnS核壳量子点；
S4、接着，在量子点发光层上旋涂一层电子传输层，该电子传输层包括氧
化锌；
S5、将器件放置于密封箱内，箱内温度为80℃、湿度为90％，处理时间为10min；
S6、然后在电子传输层上蒸镀Al电极；
S7、最后在蒸镀后电极上覆盖一层树脂胶封装后得到正置结构QLED器件。
实施例2 针对电子传输层进行第二预处理
本实施例提供一种发光器件的制备方法，包括如下步骤：
S1、在ITO衬底上制备一层表面PEDOT:PSS空穴注入层；
S2、在空穴注入层上制备一层TFB作为空穴传输层；
S3、然后，在空穴传输层上旋涂一层CdSe@ZnS量子点发光层；
S4、接着，在量子点发光层上旋涂一层电子传输层，该电子传输层包括氧化锌；
S5、将器件放置于密封箱内，箱内温度为90℃、湿度为95％，处理时间为10min；
S6、然后在电子传输层上蒸镀Al电极；
S7、最后在蒸镀后电极上覆盖一层树脂胶封装后得到正置结构QLED器件。
实施例3 针对封装后发光器件进行第三预处理
本实施例提供一种发光器件的制备方法，包括如下步骤：
S1、在ITO衬底上制备一层表面PEDOT:PSS空穴注入层；
S2、在空穴注入层上制备一层TFB作为空穴传输层；
S3、然后，在空穴传输层上旋涂一层CdSe@ZnS量子点发光层；
S4、接着，在量子点发光层上旋涂一层电子传输层，该电子传输层包括氧化锌；
S5、然后在电子传输层上蒸镀Al电极；
S6、在蒸镀后电极上覆盖一层树脂胶封装后得到正置结构QLED器件；
S7、将封装后的正置结构QLED器件放置于密封箱内，箱内温度为90℃、湿度为90％，处理时间为3h。
实施例4 针对量子点发光层进行第一预处理
本实施例提供一种发光器件的制备方法，包括如下步骤：
S1、在ITO衬底上制备一层表面PEDOT:PSS空穴注入层；
S2、在空穴注入层上制备一层TFB作为空穴传输层；
S3、然后，在空穴传输层上旋涂一层CdSe@ZnS量子点发光层；
S4、将器件放置于密封箱内，箱内温度为80℃、湿度为90％，处理时间为10min；
S5、接着，在量子点发光层上旋涂电子传输层，电子传输层包括氧化锌；
S6、然后在电子传输层上蒸镀Al电极；
S7、最后在蒸镀后电极上覆盖一层树脂胶封装后得到正置结构QLED器件。
实施例5 针对量子点发光层进行第一预处理
本实施例提供一种发光器件的制备方法，包括如下步骤：
S1、在ITO衬底上制备一层表面PEDOT:PSS空穴注入层；
S2、在空穴注入层上制备一层TFB作为空穴传输层；
S3、然后，在空穴传输层上旋涂一层CdSe@ZnS量子点发光层；
S4、将器件放置于密封箱内，箱内温度为95℃、湿度为95％，处理时间为10min；
S5、接着，在量子点发光层上旋涂电子传输层；
S6、然后在电子传输层上蒸镀Al电极；
S7、最后在蒸镀后电极上覆盖一层树脂胶封装后得到正置结构QLED器件。
实施例6 针对封装后发光器件进行第三预处理
本实施例提供一种发光器件的制备方法，包括如下步骤：
S1、在ITO衬底上制备一层表面PEDOT:PSS空穴注入层；
S2、在空穴注入层上制备一层TFB作为空穴传输层；
S3、然后，在空穴传输层上旋涂一层CdSe@ZnS量子点发光层；
S4、接着，在量子点发光层上旋涂一层电子传输层，电子传输层包括氧化锌；
S5、然后在电子传输层上蒸镀Al电极；
S6、最后在蒸镀后电极上覆盖一层树脂胶封装后得到正置结构QLED器件；
S7、将封装后的正置结构QLED器件放置于密封箱内，箱内温度为95℃、湿度为95％，处理时间为50分钟。
实施例7 先进行电子传输层第二预处理，再进行量子点发光层第一预处理
本实施例提供一种发光器件的制备方法，包括制备倒置结构QLED器件的步骤：
S1、在ITO衬底上旋涂一层电子传输层，电子传输层包括氧化锌；
S2、在制备完毕电子传输层后，将器件放置于密封箱内，箱内温度为50℃、湿度为95％，处理时间为3min；
S3、在电子传输层上旋涂一层CdSe@ZnS量子点发光层；
S4、将器件放置于密封箱内，箱内温度为50℃、湿度为90％，处理时间为3min；
S5、量子点发光层上制备一层表面PEDOT:PSS空穴注入层；
S6、在空穴注入层上制备一层TFB作为空穴传输层；
S7、然后在空穴传输层上蒸镀Al电极；
S8、最后在蒸镀后电极上覆盖一层树脂胶封装后得到倒置结构QLED器件。
实施例8 先进行电子传输层第二预处理，再进行量子点发光层第一预处理
本实施例提供一种发光器件的制备方法，包括制备倒置结构QLED器件的步骤：
在制备完毕电子传输层后，将器件放置于密封箱内，箱内温度为90℃、湿度为75％，处理时间为5min；然后进行量子点发光层的制备，制备完成后，将器件放置于密封箱内，箱内温度为90℃、湿度为75％，处理时间为5min；
其他步骤的材质和工艺参考实施例7，制备得到倒置结构QLED器件。
实施例9 先进行电子传输层第二预处理，再进行量子点发光层第一预处
理
本实施例提供一种发光器件的制备方法，包括制备倒置结构QLED器件的步骤：
在制备完毕电子传输层后，将器件放置于密封箱内，箱内温度为80℃、湿度为50％，处理时间为8min；然后进行量子点发光层的制备，制备完成后，将器件放置于密封箱内，箱内温度为80℃、湿度为40％，处理时间为10min；
其他步骤的材质和工艺参考实施例7，制备得到倒置结构QLED器件。
实施例10 针对封装后倒置结构QLED器件进行第三预处理
本实施例提供一种发光器件的制备方法，包括制备倒置结构QLED器件的步骤：
在制备完毕电子传输层后，然后进行量子点发光层的制备，制备完成后，进行封装步骤，封装倒置结构QLED器件放置于密封箱内，箱内温度为130℃、湿度为40％，处理时间为50min；
其他步骤的材质和工艺参考实施例7，制备得到倒置结构QLED器件。
实施例11 先进行量子点发光层第一预处理，再进行电子传输层第二预处理
本实施例提供一种发光器件的制备方法，包括制备正置结构QLED器件的步骤：
先进行量子点发光层的制备，制备完成后，将器件放置于密封箱内，箱内温度为50℃、湿度为90％，处理时间为3min；再制备完毕电子传输层后，将器件放置于密封箱内，箱内温度为50℃、湿度为95％，处理时间为3min；
其他步骤的材质和工艺参考实施例1-6，制备得到正置结构QLED器件。
实施例12 先进行量子点发光层第一预处理，再进行电子传输层第二预处理
本实施例提供一种发光器件的制备方法，包括制备正置结构QLED器件的步骤：
先进行量子点发光层的制备，制备完成后，将器件放置于密封箱内，箱内温度为90℃、湿度为65％，处理时间为5min；再制备完毕电子传输层后，将器件放置于密封箱内，箱内温度为90℃、湿度为80％，处理时间为5min；
其他步骤的材质和工艺参考实施例11，制备得到正置结构QLED器件。
实施例13 先进行量子点发光层第一预处理，再进行电子传输层第二预处理
本实施例提供一种发光器件的制备方法，包括制备正置结构QLED器件的步骤：
先进行量子点发光层的制备，制备完成后，将器件放置于密封箱内，箱内温度为75℃、湿度为40％，处理时间为10min；再制备完毕电子传输层后，将器件放置于密封箱内，箱内温度为75℃、湿度为50％，处理时间为8min；
其他步骤的材质和工艺参考实施例11，制备得到正置结构QLED器件。
实施例14 针对封装后正置结构QLED器件进行第三预处理
本实施例提供一种发光器件的制备方法，包括制备正置结构QLED器件的步骤：
先进行量子点发光层的制备，制备完成后，制备电子传输层，然后进行封装步骤，封装正置结构QLED器件放置于密封箱内，箱内温度为130℃、湿度为40％，处理时间为5h；
其他步骤的材质和工艺参考实施例11，制备得到正置结构QLED器件。
对比例1
本实施例提供一种发光器件的制备方法，包括如下步骤：
S1、在ITO衬底上制备一层表面PEDOT:PSS空穴注入层；
S2、在空穴注入层上制备一层TFB作为空穴传输层；
S3、然后，在空穴传输层上旋涂一层量子点发光层，采用CdSe@ZnS核壳量子点；
S4、接着，在量子点发光层上旋涂一层电子传输层，电子传输层包括氧化锌；
S5、然后在电子传输层上蒸镀Al电极；
S6、最后在蒸镀后电极上覆盖一层树脂胶封装后得到倒置结构QLED器件。
对比例2
采用和对比例1类似的步骤，增加一组对比例2。
对比例3先进行电子传输层预处理，再进行量子点发光层预处理
本实施例提供一种发光器件的制备方法，包括制备倒置结构QLED器件的步骤：
在制备完毕电子传输层后，将器件放置于密封箱内，箱内温度为130℃、湿度为50％，处理时间为5h；然后进行量子点发光层的制备，制备完成后，将器件放置于密封箱内，箱内温度为130℃、湿度为40％，处理时间为50min；
其他步骤的材质和工艺参考实施例1-6，制备得到倒置结构QLED器件。
对比例4先进行量子点发光层预处理，再进行电子传输层预处理
本实施例提供一种发光器件的制备方法，包括制备正置结构QLED器件的步骤：
先进行量子点发光层的制备，制备完成后，将器件放置于密封箱内，箱内温度为130℃、湿度为40％，处理时间为50min；再制备完毕电子传输层后，将器件放置于密封箱内，箱内温度为130℃、湿度为50％，处理时间为5h；
其他步骤的材质和工艺参考实施例1-6，制备得到正置结构QLED器件。
试验例
对实施例1～14及对比例1-4得到的发光器件进行效率和寿命的性能检测，检测结果详见表1所示。其中的寿命检测为在2mA下实测T95。
表1试验例数据
需要说明的是实施例1～6是对功能层直接进行处理，本申请实施例适当改变参数，在申请实施例范围内均可实现本发明目的。
根据表1可知，实施例1～3的器件效率和寿命均要优于对比例1的器件性能，由此可见，本申请实施例通过在制备方法中对电子传输层进行第二预处理可以提升发光器件的性能。
对实施例4～6及对比例2得到的发光器件进行效率和寿命的性能检测，检测结果详见表2所示。由此可见，本申请实施例通过在制备方法中对量子点发光层进行第一预处理可以提升发光器件的性能。
实施例7～9的器件效率和寿命均要优于对比例2的器件性能，由此可见，本申请实施例通过在制备方法中，先对电子传输层进行第二预处理，再对量子点
发光层进行第一预处理可以提升发光器件的性能。同时，对比实施例7～9的器件效率和寿命与对比例3的数据可以说明，封装后器件的温度可以更高，时间可以更长，封装后发光器件进行第三预处理条件和对功能层的预处理(第一预处理和/或第二预处理)条件可以不同。
实施例10的数据可以证明，封装后器件温度可以更高，时间可以更长，器件效率和寿命也会提高，但对功能层预处理过程中，温度过高会有副作用。
实施例11～13的器件效率和寿命均要优于对比例2的器件性能，由此可见，本申请实施例通过在制备方法中，先对量子点发光层进行第一预处理，再对电子传输层进行第二预处理可以提升发光器件的性能。同时，对比实施例11～13的器件效率和寿命与对比例4的数据可以说明，封装后器件的温度可以更高，时间可以更长，封装后发光器件进行第三预处理条件和对功能层的预处理条件可以不同。实施例14的数据可以证明，封装后器件温度可以更高，时间可以更长，器件效率和寿命也会提高，但对功能层预处理过程中，温度过高会有副作用。
综上，本申请的制备方法调整了器件各层之间的互融，促进了载流子的传输。本申请实施例能够获得具有优异的效率及寿命的器件。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种发光器件的制备方法和发光器件、显示装置进行了详细介绍，本申请实施例中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (20)
- 一种发光器件的制备方法，其中，包括如下步骤：提供基板；所述基板设有量子点发光层，对所述量子点发光层进行第一预处理，所述第一预处理在第一气体氛围中进行；和/或，所述基板设有电子传输层，对所述电子传输层进行第二预处理，所述第二预处理在第二气体氛围中进行；和/或，在封装得到所述发光器件后，对所述发光器件进行第三预处理，所述第三预处理在第三气体氛围中进行；其中，所述第一预处理、第二预处理、第三预处理的湿度均大于等于40％。
- 根据权利要求1所述的一种发光器件的制备方法，其中，所述第一预处理的温度高于室温；和/或，所述第二预处理的温度高于室温；和/或，所述第三预处理的温度高于室温；其中，室温范围是25℃±5℃。
- 根据权利要求1所述的一种发光器件的制备方法，其中，所述第一预处理条件为恒温恒湿；和/或，所述第二预处理条件为恒温恒湿；和/或，所述第三预处理条件为恒温恒湿。
- 根据权利要求1所述的一种发光器件的制备方法，其中，所述第一预处理温度为50-90℃；和/或，所述第一预处理时长为3min-10min；和/或，所述第一预处理湿度为40％-90％。
- 根据权利要求1所述的一种发光器件的制备方法，其中，所述第二预处理温度为50-90℃；和/或，所述第二预处理湿度为50％-95％；和/或，所述第二预处理时长为3min-10min。
- 根据权利要求1所述的一种发光器件的制备方法，其中，所述第三预处理温度为50-130℃。
- 根据权利要求1所述的一种发光器件的制备方法，其中，所述第三预 处理湿度为40％-90％；和/或，所述第三预处理时长为3min-50min；或者，所述第三预处理湿度为50％-95％；和/或，所述第三预处理时长为3min-5h。
- 根据权利要求1所述的一种发光器件的制备方法，其中，所述第一预处理的步骤包括：对所述量子点发光层进行第一预处理之后，在所述量子点发光层上制备电子传输层；或者，所述基板还设有电子传输层，在所述电子传输层上设有量子点发光层，对所述量子点发光层进行第一预处理。
- 根据权利要求1所述的一种发光器件的制备方法，其中，所述第二预处理的步骤包括：对所述电子传输层进行第二预处理之后，在所述电子传输层上制备量子点发光层；或者，所述基板还设有量子点发光层，在所述量子点发光层上设有电子传输层，对所述电子传输层进行第二预处理。
- 根据权利要求1所述的一种发光器件的制备方法，其中，所述第一预处理的步骤包括：对所述量子点发光层进行第一预处理之后，然后在所述量子点发光层上制备电子传输层，对所述电子传输层进行第二预处理。
- 根据权利要求1所述的一种发光器件的制备方法，其中，所述第二预处理的步骤包括：对所述电子传输层进行第二预处理，然后在所述电子传输层上制备量子点发光层，对所述量子点发光层进行第一预处理。
- 根据权利要求1所述的一种发光器件的制备方法，其中，在封装得到所述发光器件后，对所述发光器件进行第三预处理的步骤包括，在封装得到所述发光器件之前，先进行正置发光器件的制备步骤；或者，在封装得到所述发光器件之前，先进行倒置发光器件制备步骤。
- 根据权利要求12所述的一种发光器件的制备方法，其中，所述先进行正置发光器件的制备步骤中，对所述量子点发光层进行第一预处理；和/或，对所述电子传输层进行第二预处理。
- 根据权利要求12所述的一种发光器件的制备方法，其中，所述先进行倒置发光器件制备步骤中，对所述电子传输层进行第二预处理；和/或，对所述量子点发光层进行第一预处理。
- 根据权利要求1所述的一种发光器件的制备方法，其中，所述电子传输层的材料包括氧化锌。
- 根据权利要求1所述的一种发光器件的制备方法，其中，所述量子点发光层的材料选自单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的一种或多种，所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的一种或多种，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的一种或多种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe中的一种或多种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs及InAlPSb中的一种或多种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的一种或多种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的一种或多种；所述钙钛矿型半导体材料选自掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、有机钙钛矿半导体或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的一种或多种，X为卤素阴离子，选自Cl-、Br-、I-中的一种或多种；所述有机钙钛矿半导体的结构通式为CMX3，其中，C为甲脒基，M为二价金属阳离子，M选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+或Eu2+中的一种或多种，X为卤素阴离子，选 自Cl-、Br-或I-中的一种或多种；所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，选自CH3(CH2)n-2NH3 +或[NH3(CH2)nNH3]2+，其中n≥2，M为二价金属阳离子，选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的一种或多种，X为卤素阴离子，选自Cl-、Br-、I-中的一种或多种。
- 根据权利要求1所述的一种发光器件的制备方法，其中，所述电子传输层的材料选自掺杂或非掺杂无机材料、有机材料中的一种或多种；其中，所述非掺杂无机材料选自TiO2、SnO2、Al2O3、GaO、Ga2O3、ZrO2、NiO、ZnS、ZnSe、CdS、InP、GaP、BaTiO3、Cs2CO3、Rb2CO3、RbBr、LiF，LiF/Yb、MgP，MgF2中的一种或多种；所述掺杂无机材料中包括所述非掺杂无机材料和掺杂元素，所述掺杂元素选自于Mg、Ca、Li、Ga、Al、Co、Mn、Zr、W、Ti、Y中的一种或多种；所述有机材料选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇缩丁醛中的一种或两种。
- 一种发光器件，其中，采用如权利要求1～17中任一项所述的制备方法制得。
- 根据权利要求18所述的发光器件，其中，所述发光器件为正置量子点发光器件，所述正置量子点发光器件包括依次层叠设置在所述基板上的阳极层、空穴功能层、量子点发光层、电子传输层和阴极层；或者，所述发光器件为倒置量子点发光器件，所述倒置量子点发光器件包括依次层叠设置在所述基板上的阴极层、电子传输层、量子点发光层、空穴功能层和阳极层。
- 一种显示装置，其中，包括权利要求1～17中任意一项所述发光器件的制备方法制备的发光器件，或者，包括如权利要求18～19中任意一项所述的发光器件。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211734142.1 | 2022-12-30 | ||
| CN202211734142.1A CN118284250A (zh) | 2022-12-30 | 2022-12-30 | 发光器件的制备方法和发光器件、显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2024139648A1 true WO2024139648A1 (zh) | 2024-07-04 |
Family
ID=91642928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2023/128094 WO2024139648A1 (zh) | 2022-12-30 | 2023-10-31 | 发光器件及其制备方法、显示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| WO (1) | WO2024139648A1 (zh) |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN118284250A (zh) | 2024-07-02 |
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