WO2024135151A1 - 基板処理方法 - Google Patents

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WO2024135151A1
WO2024135151A1 PCT/JP2023/040526 JP2023040526W WO2024135151A1 WO 2024135151 A1 WO2024135151 A1 WO 2024135151A1 JP 2023040526 W JP2023040526 W JP 2023040526W WO 2024135151 A1 WO2024135151 A1 WO 2024135151A1
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WO
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substrate
liquid
main surface
chemical
nozzle
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PCT/JP2023/040526
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English (en)
French (fr)
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優大 西村
大智 西森
大輝 日野出
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Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
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    • H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P70/20—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H10P72/0411—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H10P72/0414—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Definitions

  • This disclosure relates to a substrate processing method.
  • the substrate processing apparatus includes a spin chuck, a first chemical liquid nozzle, a second chemical liquid nozzle, and a rinse liquid nozzle.
  • the spin chuck holds the substrate in a horizontal position and rotates the substrate around a vertical rotation axis that passes through the center of the substrate.
  • the first chemical liquid nozzle is a shower nozzle.
  • the first chemical liquid nozzle and the second chemical liquid nozzle eject chemical liquid in parallel toward the top surface of the rotating substrate.
  • the chemical liquid spreads over the top surface of the substrate, so that the chemical liquid acts on the entire top surface of the substrate.
  • the rinse liquid nozzle ejects rinse liquid toward the top surface of the rotating substrate.
  • the chemical liquid on the top surface of the substrate is washed away by the rinse liquid.
  • a substrate may be processed that includes a support substrate and a number of dies attached to the main surface of the support substrate. Because the thickness of the dies is greater than the thickness of the pattern, relatively deep irregularities are formed on the main surface of the substrate. For this reason, when a chemical solution is discharged toward the main surface of the substrate, the irregularities can cause the liquid to splash, and the flow of the chemical solution on the main surface of the substrate can become uneven due to the irregularities. These factors result in some positions on the main surface of the substrate where the chemical solution arrives relatively quickly and other positions where the chemical solution arrives relatively slowly. In other words, the chemical solution begins to act at different start times at each position on the main surface of the substrate. This leads to a decrease in the uniformity of the processing of the substrate.
  • the present disclosure therefore aims to provide a technology that can cause the chemical solution to act more uniformly on the main surface of the substrate.
  • the first aspect is a substrate processing method comprising a holding step of holding a substrate having a plurality of dies on a main surface thereof, a pre-wetting step of supplying the rinse liquid to the main surface of the substrate while rotating the substrate at a rotation speed at which the rinse liquid covers the plurality of dies, and a chemical processing step of supplying the chemical liquid from a first nozzle toward the main surface of the substrate after the pre-wetting step while rotating the substrate at a rotation speed at which the chemical liquid covers the plurality of dies.
  • the second aspect is a substrate processing method according to the first aspect, in which the holding step holds the substrate in a position in which the main surface faces upward, the pre-wetting step is a pre-puddle step that maintains a liquid film of the rinse liquid covering the multiple dies on the main surface of the substrate, and the chemical processing step is a chemical puddle step that maintains a liquid film of the chemical liquid covering the multiple dies on the main surface of the substrate.
  • the third aspect is a substrate processing method according to the second aspect, in which, in the chemical puddle step, the first nozzle having a plurality of outlets is moved back and forth in a direction along the main surface of the substrate, while the chemical liquid is discharged from the plurality of outlets toward the main surface of the substrate.
  • the fourth aspect is a substrate processing method according to the second or third aspect, in which, in the chemical liquid puddle step, even after the rinsing liquid on the main surface of the substrate is replaced with the chemical liquid, the chemical liquid continues to be ejected from the first nozzle for an actual processing time longer than a replacement time required to replace the rinsing liquid with the chemical liquid.
  • the fifth aspect is a substrate processing method according to any one of the second to fourth aspects, in which the difference between the chemical processing time during which the chemical is discharged from the first nozzle toward the main surface of the substrate and an integer multiple of the unit time required for one rotation of the substrate is equal to or less than one-fourth of the unit time.
  • the sixth aspect is a substrate processing method according to any one of the second to fifth aspects, in which, in the pre-puddle step, the rinse liquid is ejected from the first nozzle toward the main surface of the substrate.
  • the seventh aspect is a substrate processing method according to any one of the second to sixth aspects, further comprising a post-puddle step of ejecting the rinse liquid from the first nozzle toward the main surface of the substrate after the chemical puddle step, while rotating the substrate at a rotation speed at which the rinse liquid covers the multiple dies.
  • the eighth aspect is a substrate processing method according to the seventh aspect, in which the difference between the rotation speed of the substrate in the chemical puddle step and the rotation speed of the substrate in the post-puddle step is 50% or less of the rotation speed of the substrate in the chemical puddle step.
  • the ninth aspect is a substrate processing method according to the seventh or eighth aspect, further comprising, after the post-puddle step, a replacement promotion step of supplying the rinse liquid to the main surface of the substrate while rotating the substrate at a rotation speed higher than the rotation speed of the substrate in the post-puddle step.
  • the tenth aspect is a substrate processing method according to the ninth aspect, in which, in the replacement promotion step, the rinse liquid is ejected from a second nozzle toward the center of the main surface of the substrate.
  • An eleventh aspect is a substrate processing method according to the ninth or tenth aspect, further comprising, after the replacement promotion step, a drying step of drying the substrate by rotating the substrate at a rotation speed higher than the rotation speed of the substrate in the replacement promotion step.
  • the twelfth aspect is a substrate processing method according to any one of the ninth to eleventh aspects, in which a set of the pre-puddle step, the chemical puddle step, the post-puddle step, and the replacement promotion step is performed multiple times, and in the chemical puddle step, different chemicals are supplied to the main surface of the substrate.
  • the thirteenth aspect is a substrate processing method according to the first aspect, in which the substrate is held in the holding step with the main surface facing downward.
  • a fourteenth aspect is the substrate processing method described in the thirteenth aspect, in which, in the chemical processing step, the chemical is discharged from a plurality of outlets of a first nozzle toward the main surface of the substrate, and the first nozzle discharges the chemical toward a radially outer peripheral region of the main surface at a flow rate greater than the flow rate toward a radially inner central region of the main surface of the substrate.
  • the fifteenth aspect is a substrate processing method according to the first aspect, in which, in the pre-wet step, the rinsing liquid is filled into the space between the main surface of the substrate and an opposing surface of a blocking plate that faces the main surface, and, in the chemical processing step, the chemical liquid is filled into the space between the opposing surface and the main surface.
  • the chemical liquid adheres to the rinsing liquid covering the multiple dies.
  • the chemical liquid diffuses together with the rinsing liquid and is therefore likely to spread across the main surface of the substrate. This allows the chemical liquid to begin to act more uniformly on the main surface of the substrate. This allows the chemical treatment to be performed more uniformly on the main surface of the substrate.
  • the main surface of the substrate since multiple dies are present on the main surface of the substrate, the main surface of the substrate has an uneven shape.
  • the rinse liquid splashes at the corners of the dies.
  • the thickness of the rinse liquid film on the main surface of the substrate decreases, and as a result, at least a portion of the surfaces of the multiple dies may be exposed and not covered by the rinse liquid.
  • the substrate rotates at a rotation speed at which the rinse liquid covers the multiple dies. Therefore, the rotation speed is relatively low, and splashing of the rinse liquid can be suppressed.
  • the chemical liquid adheres to the rinsing liquid covering the multiple dies.
  • the chemical liquid diffuses together with the rinsing liquid, and so it is likely to spread over the main surface of the substrate.
  • the chemical liquid begins to act more uniformly on the main surface of the substrate. This allows the chemical treatment to be performed more uniformly on the main surface of the substrate.
  • the chemical solution can be supplied more uniformly to the main surface of the substrate.
  • the fourth aspect even after the rinse liquid on the main surface of the substrate has been replaced with the chemical liquid, new chemical liquid that has not yet reacted with the main surface of the substrate continues to be ejected from the first nozzle toward the main surface of the substrate.
  • the old chemical liquid that has reacted with the main surface of the substrate is pushed away by the new chemical liquid and flows down from the edge of the substrate, and the new chemical liquid acts on the main surface of the substrate. Therefore, the main surface of the substrate can be processed with a higher throughput.
  • the main surface of the substrate can be processed more uniformly.
  • the pre-puddle process uses the same first nozzle as the chemical puddle process, making the process simple.
  • the rinse liquid is ejected from the same first nozzle as in the chemical liquid puddle process. This reduces the variation in the effective processing time from when the chemical liquid starts to be supplied until the rinse liquid is supplied at each position on the main surface of the substrate. This allows the substrate to be processed more uniformly.
  • the variation in the actual processing time can be further reduced.
  • the chemical liquid remaining on the main surface of the substrate can be dispersed outward from the periphery of the substrate even by the post-puddle process.
  • the chemical liquid can be more reliably replaced with the rinse liquid.
  • the rinsing liquid flows from the center of the substrate toward the periphery, making it easier to push the chemical liquid toward the periphery and more reliably replacing the chemical liquid with the rinsing liquid.
  • the substrate is rotated at a higher rotation speed than the rotation speed in the replacement promotion step, so that the substrate can be dried more quickly.
  • the rotation speed of the substrate W in the replacement promotion step is lower than the rotation speed of the substrate W in the drying step, so that splashing of the rinse liquid can be suppressed in the replacement promotion step.
  • the rotation speed of the substrate is relatively high in the replacement promotion step, at least a portion of the surfaces of the multiple dies can be exposed and not covered by the rinsing liquid.
  • the pre-puddle step is performed again after the replacement promotion step, a film of the rinsing liquid covers the multiple dies at the time the chemical puddle step is started. Therefore, the chemical can start to act more uniformly on the main surface of the substrate in each chemical puddle step.
  • droplets of the processing liquid that are bounced off the die on the main surface of the substrate flow downward. This prevents the processing liquid from scattering around.
  • the chemical solution can be supplied more uniformly to the main surface of the substrate.
  • the chemical solution is supplied while the space between the blocking plate and the substrate is filled with the rinsing liquid. This makes it possible to avoid splashing of the chemical solution by the die on the main surface of the substrate W.
  • FIG. 1 is a plan view illustrating an example of a configuration of a substrate processing apparatus.
  • FIG. 2 is a plan view illustrating an example of a configuration of a substrate.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an example of a portion of a configuration of a substrate.
  • FIG. 2 is a block diagram illustrating an example of the configuration of a control unit.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a first example of a configuration of a processing unit according to the first embodiment. 4 is a flowchart showing a first example of substrate processing according to the first embodiment.
  • FIG. 5A to 5C are diagrams each showing an example of a processing section in each step; 5A to 5C are diagrams each showing an example of a processing section in each step; 1 is a graph showing an example of a change over time in the rotation speed of a substrate.
  • FIG. 11 is a plan view illustrating an example of a state in which a first nozzle reciprocates.
  • 11A and 11B are diagrams illustrating an example of a state in which a chemical liquid is applied to a liquid film of a rinsing liquid.
  • FIG. 4 is a plan view showing the positional relationship between a first nozzle and a substrate.
  • 1 is a graph showing the start timing, end timing, and substantial processing time at each position in the circumferential direction on a main surface of a substrate.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a second example of the configuration of a processing unit according to the first embodiment.
  • 10 is a flowchart showing a second example of the substrate processing according to the first embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a configuration of a processing unit according to a second embodiment.
  • 10 is a flowchart showing an example of a substrate processing method according to a second embodiment.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a configuration of a processing unit according to a third embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an example of a portion of a configuration of a substrate.
  • an expression indicating an equal state e.g., "same,” “equal,” “homogeneous,” etc.
  • the expression not only strictly indicates a state in which the quantitative relationship is equal, but also indicates a state in which a difference exists within a range in which a tolerance or similar function is obtained, unless otherwise specified.
  • an expression indicating a shape e.g., "square shape” or “cylindrical shape,” etc.
  • the expression not only strictly indicates the shape geometrically, but also indicates a shape having, for example, irregularities or chamfers within a range in which a similar effect is obtained, unless otherwise specified.
  • the expression is not an exclusive expression that excludes the presence of other components.
  • the expression includes only A, only B, only C, any two of A, B, and C, and all of A, B, and C.
  • ⁇ Overall configuration of substrate processing apparatus> 1 is a plan view illustrating an example of the configuration of a substrate processing apparatus 100.
  • the substrate processing apparatus 100 is a single-wafer processing apparatus that processes substrates W one by one.
  • FIG. 2 is a plan view that shows a schematic example of the configuration of the substrate W
  • FIG. 3 is a cross-sectional view that shows a schematic example of a portion of the configuration of the substrate W.
  • the substrate W has a plate-like shape. That is, the substrate W has a main surface Wa and a main surface Wb that face each other in the thickness direction.
  • the substrate W has a plurality of dies D0 on its main surface Wa.
  • the dies D0 are chips that include electronic circuits.
  • the dies D0 may also be called semiconductor chips.
  • the substrate W includes a support substrate W0 and a plurality of dies D0.
  • the support substrate W0 has a plate-like shape.
  • the support substrate W0 is not particularly limited, but is, for example, a semiconductor substrate or a glass substrate.
  • the support substrate W0 has a disk shape.
  • the diameter of the support substrate W0 is, for example, about 300 mm. Both main surfaces of the support substrate W0 are flat, and a plurality of dies D0 are provided on one of the main surfaces of the support substrate W0.
  • the multiple dies D0 are arranged two-dimensionally in a planar view.
  • Each die D0 has a plate-like shape and is provided on the support substrate W0 with one main surface facing the main surface of the support substrate W0.
  • each die D0 may be attached to the support substrate W0 by an adhesive or the like.
  • each die D0 has a rectangular shape in a planar view.
  • the die D0 has a rectangular shape of, for example, about 10 mm x 10 mm.
  • the multiple dies D0 are arranged in a matrix shape with a first direction along one side of the die D0 as the row direction and a second direction intersecting the first direction as the column direction.
  • each die D0 may be, for example, 0.1 mm or more, 0.2 mm or more, 0.5 mm or more, or 1 mm or more.
  • the minimum value of the spacing between the dies D0 i.e., the gap between the dies D0
  • the minimum value of the spacing between the dies D0 may be, for example, 0.1 ⁇ m or more, 1 ⁇ m or more, 10 ⁇ m or more, 100 ⁇ m or more, or 1 mm or more.
  • the maximum value of the spacing between the dies D0 may be 2 mm or less.
  • the main surface Wa of such a substrate W is composed of a portion of one of the main surfaces of the support substrate W0 that is not covered by the multiple dies D0, and portions of the surfaces of the multiple dies D0 that do not face the support substrate W0.
  • an uneven shape is formed on the main surface Wa of the substrate W due to the dies D0.
  • each die D0 corresponds to a convex portion. Since the thickness of each die D0 is greater than the thickness of the pattern included in the die D0, the depth of the unevenness formed on the main surface Wa of the substrate W is relatively large.
  • the substrate processing apparatus 100 includes an indexer block 110, a processing block 120, and a control unit 90.
  • the indexer block 110 is an interface unit for loading and unloading substrates W between the processing block 120 and the outside.
  • the processing block 120 is a section that mainly processes the substrates W received from the indexer block 110.
  • the control unit 90 is a section that provides overall control of the substrate processing apparatus 100.
  • the indexer block 110 includes a plurality of load ports 111 and an indexer robot 112.
  • Each load port 111 holds a substrate container (hereinafter, referred to as a carrier C) that is carried in from the outside.
  • a plurality of substrates W are stored in the carrier C in a vertically aligned state.
  • the indexer robot 112 is a transport unit that transports the substrates W between the carrier C and the processing block 120. The indexer robot 112 sequentially takes out unprocessed substrates W from the carrier C and transports the substrates W to the processing block 120.
  • the indexer robot 112 also sequentially receives processed substrates W from the processing block 120, which have been processed by the processing block 120, and stores the substrates W in the carrier C.
  • the carrier C that stores the processed substrates W is carried out to the outside from the load port 111.
  • the processing block 120 includes one or more processing sections 1 and a center robot 122.
  • the processing block 120 includes a plurality of processing sections 1.
  • the center robot 122 is a transport unit that transports a substrate W between the indexer robot 112 and the processing sections 1.
  • the center robot 122 transports an unprocessed substrate W from the indexer robot 112 into the processing section 1, and transports a processed substrate W that has been processed by the processing section 1 out of the processing section 1.
  • the center robot 122 transports the substrate W to another processing section 1 as necessary, and then passes the substrate W to the indexer robot 112.
  • Each processing section 1 is a single-wafer processing device that processes substrates W one by one. An example of the specific configuration of the processing section 1 will be described in detail later.
  • FIG. 4 is a block diagram showing an example of the configuration of the control unit 90.
  • the control unit 90 is an electronic circuit, and has, for example, a data processing unit 91 and a storage unit 92. In the specific example of FIG. 4, the data processing unit 91 and the storage unit 92 are connected to each other via a bus 93.
  • the data processing unit 91 may be, for example, an arithmetic processing device such as a CPU (Central Processor Unit).
  • the storage unit 92 may have a non-transient storage unit (for example, a ROM (Read Only Memory) or a hard disk) 921 and a temporary storage unit (for example, a RAM (Random Access Memory)) 922.
  • the non-transient storage unit 921 may store, for example, a program that specifies the processing to be executed by the control unit 90.
  • the data processing unit 91 executes this program, so that the control unit 90 can execute the processing specified in the program.
  • a part or all of the processing executed by the control unit 90 may be executed by hardware such as a dedicated logic circuit.
  • Fig. 5 is a diagram illustrating a first example of the configuration of the processing section 1 according to the first embodiment. It is not necessary that all processing sections 1 belonging to the substrate processing apparatus 100 have the configuration illustrated in Fig. 5. It is sufficient that at least one processing section 1 of the substrate processing apparatus 100 has the configuration illustrated in Fig. 5.
  • the processing unit 1 supplies various processing liquids to the main surface Wa of the substrate W and performs processing on the substrate W (e.g., die D0) according to the processing liquid.
  • the processing unit 1 includes a substrate holding unit 2 and a first nozzle 3.
  • the processing section 1 also includes a chamber 10.
  • the chamber 10 has a box-like shape.
  • the internal space of the chamber 10 corresponds to a processing space in which the substrate W is processed.
  • the chamber 10 is provided with an openable and closable loading/unloading entrance (not shown).
  • the center robot 122 loads an unprocessed substrate W into the chamber 10 through the loading/unloading entrance, and also unloads a processed substrate W from the chamber 10 through the loading/unloading entrance.
  • the substrate W is loaded into the chamber 10 with its main surface Wa facing vertically upward.
  • the substrate holding unit 2 is provided in the chamber 10.
  • the substrate holding unit 2 holds the substrate W in a horizontal position while rotating the substrate W around the rotation axis Q1.
  • the horizontal position here means that the thickness direction of the substrate W is along the vertical direction.
  • the substrate W is brought in with its main surface Wa facing vertically upward, so the main surface Wa of the substrate W held by the substrate holding unit 2 corresponds to the top surface.
  • the substrate holding unit 2 holds the substrate W in a position in which the main surface Wa faces vertically upward.
  • the rotation axis Q1 passes through the center of the substrate W and is an axis along the vertical direction.
  • Such a substrate holding unit 2 may also be called a spin chuck.
  • the substrate holding unit 2 includes a spin base 21, a chuck pin 22, and a rotation drive unit 23.
  • the spin base 21 has a plate-like shape (e.g., a disk shape) and is disposed with its thickness direction aligned vertically.
  • the chuck pins 22 are provided on the upper surface of the spin base 21.
  • the chuck pins 22 are provided, for example, at equal intervals along the circumferential direction about the rotation axis Q1.
  • the chuck pins 22 are provided so as to be displaceable between a holding position and a release position, which will be described below.
  • the holding position is a position where the chuck pins 22 abut against the periphery of the substrate W.
  • the chuck pins 22 hold the substrate W by stopping at their respective holding positions.
  • FIG. 2 shows the chuck pins 22 stopped at the holding position.
  • the release position is a position where each chuck pin 22 is separated from the substrate W.
  • the chuck pins 22 stop at their respective release positions, and thus the substrate W is released from the holding of the substrate W by the chuck pins 22.
  • the substrate holding unit 2 also includes a pin drive unit (not shown) that displaces the chuck pins 22.
  • the pin drive unit includes a drive source, such as a motor or an air cylinder, and is controlled by the control unit 90.
  • the rotation drive unit 23 includes a shaft 231 and a motor 232.
  • the upper end of the shaft 231 is connected to the underside of the spin base 21, and the shaft 231 extends from the underside of the spin base 21 along the rotation axis Q1.
  • the motor 232 is controlled by the control unit 90, and rotates the shaft 231 around the rotation axis Q1. This causes the spin base 21, chuck pins 22, and substrate W to rotate together around the rotation axis Q1.
  • the substrate holding unit 2 does not necessarily have to have a chuck pin 22.
  • the substrate holding unit 2 may hold the substrate W using a chuck method such as a vacuum chuck, an electrostatic chuck, or a Bernoulli chuck.
  • the first nozzle 3 is provided in the chamber 10 vertically above the substrate W held by the substrate holder 2.
  • the first nozzle 3 ejects the processing liquid toward the main surface Wa of the substrate W held by the substrate holder 2.
  • the first nozzle 3 can selectively eject the chemical liquid and the rinsing liquid as the processing liquid.
  • the first nozzle 3 is connected to the downstream end of the liquid supply pipe 31, the upstream end of the liquid supply pipe 31 is connected to the switching unit 4, and the switching unit 4 is also connected to the downstream end of the chemical liquid supply pipe 41 and the downstream end of the rinsing liquid supply pipe 42.
  • the upstream end of the chemical liquid supply pipe 41 is connected to a chemical liquid supply source (not shown), and the upstream end of the rinsing liquid supply pipe 42 is connected to a rinsing liquid supply source (not shown).
  • the switching unit 4 is controlled by the control unit 90 to switch the piping connected to the liquid supply pipe 31 between the chemical liquid supply pipe 41 and the rinsing liquid supply pipe 42.
  • the switching unit 4 may be, for example, a multiple valve. Specifically, the switching unit 4 may include a chemical valve 43 and a rinse valve 44. These valves are controlled by the control unit 90.
  • the chemical valve 43 When the chemical valve 43 is opened, the chemical supply pipe 41 is connected to the liquid supply pipe 31.
  • a valve 32 described below is opened in this state, the chemical liquid from the chemical supply source is supplied to the first nozzle 3 through the chemical supply pipe 41, the switching unit 4, and the liquid supply pipe 31, and is discharged from the first nozzle 3.
  • the rinse valve 44 is opened, the rinse liquid supply pipe 42 is connected to the liquid supply pipe 31.
  • a valve 32 described below is opened in this state, the rinse liquid from the rinse liquid supply source is supplied to the first nozzle 3 through the rinse liquid supply pipe 42, the switching unit 4, and the liquid supply pipe 31, and is discharged from the first nozzle 3.
  • the chemical liquid is, for example, a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide (SPM).
  • SPM sulfuric acid and hydrogen peroxide
  • the chemical liquid may be a liquid containing at least one of sulfuric acid, acetic acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, phosphoric acid, acetic acid, ammonia water, hydrogen peroxide, organic acid (for example, citric acid, oxalic acid), organic alkali (for example, TMAH: tetramethylammonium hydroxide), surfactant, and corrosion inhibitor.
  • the rinse liquid is, for example, pure water (i.e., deionized water) or carbon dioxide water.
  • the chemical supply pipe 41 may be provided with a heater (not shown).
  • the heater heats the chemical flowing through the chemical supply pipe 41 to raise the temperature of the chemical to a temperature suitable for processing. For example, when a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide is used as the chemical, the temperature of the chemical may be adjusted to a range higher than room temperature and lower than 80 degrees Celsius.
  • the heater is controlled by the control unit 90.
  • a valve 32 and a flow rate control valve 33 are inserted in the liquid supply pipe 31.
  • the flow rate control valve 33 adjusts the flow rate of the treatment liquid flowing through the liquid supply pipe 31.
  • the flow rate control valve 33 may be a mass flow controller. The valve 32 and the flow rate control valve 33 are controlled by the control unit 90.
  • the first nozzle 3 is a shower nozzle. That is, the first nozzle 3 has multiple outlets 3a.
  • the first nozzle 3 extends in a direction (e.g., horizontally) along the main surface Wa of the substrate W, and multiple outlets 3a are formed on its underside.
  • the multiple outlets 3a are arranged at intervals along the longitudinal direction of the first nozzle 3.
  • the multiple outlets 3a may be arranged in a row.
  • the number of outlets 3a is not particularly limited, but may be, for example, 10 or more, or 15 or more.
  • the outlets 3a may have a circular shape in a plan view, and the diameter may be set to, for example, about several mm.
  • the processing section 1 also includes a nozzle movement drive section 34.
  • the nozzle movement drive section 34 is controlled by the control section 90 to move the first nozzle 3 within the chamber 10. Specifically, the nozzle movement drive section 34 moves the first nozzle 3 between a first processing position and a first waiting position, which will be described next.
  • the first processing position is a position where the first nozzle 3 ejects processing liquid onto the main surface Wa of the substrate W held by the substrate holding section 2, and is a position vertically opposed to the main surface Wa of the substrate W.
  • the first nozzle 3 is shown stopped at the first processing position.
  • the first waiting position is a position where the first nozzle 3 does not eject processing liquid onto the main surface Wa of the substrate W held by the substrate holding section 2, and is, for example, a position radially outward from the substrate W.
  • the first processing position may be a position where the longitudinal direction of the first nozzle 3 is along the radial direction of the rotation axis Q1. In other words, the first processing position may be a position where the multiple outlets 3a of the first nozzle 3 are aligned along the radial direction.
  • the outlet 3a of the first nozzle 3 that is closest to the rotation axis Q1 faces the center of the main surface Wa of the substrate W in the vertical direction
  • the outlet 3a of the multiple outlets 3a that is farthest from the rotation axis Q1 faces the peripheral portion of the main surface Wa of the substrate W in the vertical direction.
  • the distance between the outlet 3a closest to the rotation axis Q1 and the outlet 3a farthest from the rotation axis Q1 may be half or more, two-thirds or more, three-quarters or more, or four-fifths or more of the radius of the substrate W.
  • the nozzle movement drive unit 34 includes an arm 35, a support column 36, and a rotation drive unit 37.
  • the support column 36 has a columnar shape extending along the vertical direction, and is provided radially outward from the substrate holder 2 in a plan view.
  • the arm 35 has a rod-like shape extending along the horizontal direction, and its base end is connected to the support column 36.
  • the tip of the arm 35 is provided with a pipe holder 351 through which the liquid supply pipe 31 passes.
  • the pipe holder 351 holds the liquid supply pipe 31.
  • the rotation drive unit 37 includes a motor (not shown) controlled by the control unit 90, and rotates the support column 36 in the forward and reverse directions within a predetermined angle range around its central axis Q2.
  • the first nozzle 3 reciprocates along the circumferential direction about the central axis Q2.
  • the nozzle movement drive unit 34 does not necessarily have to have the above configuration, and may include, for example, a linear drive unit such as a ball screw mechanism or a linear motor.
  • the processing section 1 also includes a second nozzle 5.
  • the second nozzle 5 is provided in the chamber 10, vertically above the substrate W held by the substrate holding section 2.
  • the second nozzle 5 ejects the rinsing liquid toward the main surface Wa of the substrate W held by the substrate holding section 2.
  • the second nozzle 5 has a shape that extends, for example, vertically, and has an ejection port 5a on its lower surface.
  • the second nozzle 5 has a single ejection port 5a.
  • the second nozzle 5 is connected to the downstream end of a rinse liquid pipe 51, and the upstream end of the rinse liquid pipe 51 is connected to a rinse liquid supply source (not shown).
  • a valve 52 and a flow rate control valve 53 are inserted in the rinse liquid pipe 51.
  • the flow rate control valve 53 adjusts the flow rate of the rinse liquid flowing through the rinse liquid pipe 51.
  • the flow rate control valve 53 may be a mass flow controller.
  • the valve 52 and the flow rate control valve 53 are controlled by the control unit 90.
  • the processing section 1 also includes a nozzle movement drive section 54.
  • the nozzle movement drive section 54 is controlled by the control section 90 to move the second nozzle 5 between a second processing position and a second waiting position, which will be described below.
  • the second processing position is a position where the second nozzle 5 ejects the processing liquid onto the main surface Wa of the substrate W held by the substrate holding section 2, and is, for example, a position vertically opposite the center of the main surface Wa of the substrate W.
  • the second waiting position is a position where the second nozzle 5 does not eject the processing liquid onto the main surface Wa of the substrate W held by the substrate holding section 2, and is, for example, a position radially outward from the substrate W.
  • FIG. 5 shows the second nozzle 5 stopped at the second waiting position.
  • An example of a specific configuration of the nozzle movement drive section 54 is similar to the configuration of the nozzle movement drive section 34.
  • the treatment liquid is ejected from the first nozzle 3 or the second nozzle 5 toward the main surface Wa of the rotating substrate W, so that the treatment liquid is supplied to the entire main surface Wa of the substrate W. This allows the substrate W to be treated in accordance with the treatment liquid.
  • the processing section 1 also includes a guard 61 and a guard lifting drive section 63.
  • the guard 61 has a cylindrical shape that surrounds the substrate W held by the substrate holder 2.
  • the guard lifting drive section 63 is controlled by the control section 90 and lifts and lowers the guard 61 between an upper position and a lower position, which will be described below.
  • the upper position is a position where the upper end of the guard 61 is vertically above the main surface Wa of the substrate W held by the substrate holder 2.
  • FIG. 5 shows the guard 61 stopped at the upper position. When the guard 61 is in the upper position, if the processing liquid splashes from the periphery of the substrate W radially outward, the guard 61 can receive the splashed processing liquid.
  • the lower position is a position where the upper end of the guard 61 is vertically lower than the upper position, for example, vertically lower than the upper surface of the spin base 21.
  • the guard lifting drive section 63 has, for example, a ball screw mechanism or an air cylinder.
  • the cup 62 receives the treatment liquid that has flowed down the inner surface of the guard 61.
  • the upstream end of the recovery pipe 64 is connected to the lower part of the cup 62, and the treatment liquid received by the cup 62 is recovered through the recovery pipe 64.
  • the cup 62 may be separate from the guard 61, or may be formed integrally with the guard 61.
  • Fig. 6 is a flow chart showing a first example of the substrate processing according to the first embodiment.
  • Figs. 7 and 8 are views each showing an example of the processing section 1 in each step.
  • the center robot 122 loads the substrate W into the chamber 10 of the processing section 1, and the substrate holding section 2 receives the substrate W and holds it (step S1: holding process).
  • the substrate holding section 2 displaces the multiple chuck pins 22 from their respective release positions to their holding positions. This causes the multiple chuck pins 22 to hold the substrate W.
  • the substrate holding section 2 continues to hold the substrate W until the processing of the substrate W is completed.
  • the main surface Wa of the substrate W is in a generally dry state when it is loaded into the chamber 10.
  • the substrate holder 2 starts rotating the substrate W around the rotation axis Q1 (step S2).
  • the substrate holder 2 may maintain the rotation of the substrate W until the processing of the substrate W is completed.
  • FIG. 9 is a graph showing an example of the change in the rotation speed (e.g., the target value) of the substrate W over time. The rotation speed of the substrate W at each step will be described later.
  • the guard lift drive 63 may raise the guard 61 to the upper position.
  • step S3 shows an example of the processing section 1 in step S3.
  • the substrate holding section 2 rotates the substrate W at a rotational speed such that the surface of the die D0 of the substrate W is covered with the rinsing liquid L1.
  • the substrate holding section 2 rotates the substrate W at a rotational speed of 20 rpm or less.
  • the rotational speed of the substrate W may be 15 rpm or less.
  • the target value of the rotational speed of the substrate W may be set constant throughout step S3 (see also FIG. 9).
  • the control section 9 controls the substrate holding section 2 (specifically, the motor 232) based on the target value so that the rotational speed of the substrate W approaches the target value.
  • the processing section 1 supplies the rinse liquid L1 to the main surface Wa of the substrate W while rotating the substrate W at the rotation speed.
  • the processing section 1 supplies the rinse liquid L1 to the main surface Wa of the substrate W using the first nozzle 3 or the second nozzle 5 to form a liquid film of the rinse liquid L1 covering the multiple dies D0.
  • the first nozzle 3 is used as an example. Specifically, first, the nozzle movement drive section 34 moves the first nozzle 3 to the first processing position. Then, the control section 90 opens the rinse valve 44 and the valve 32. As a result, the rinse liquid L1 is discharged in a continuous flow state from the multiple discharge ports 3a of the first nozzle 3 (see also FIG. 7(a)).
  • the flow rate adjustment valve 33 adjusts the flow rate of the rinse liquid L1 to be, for example, 0.1 L (liter)/min or more and 2.0 L/min or less. The flow rate of the rinse liquid L1 may be adjusted to 1.0 L/min or more.
  • step S3 the first nozzle 3 ejects the rinse liquid L1 toward the main surface Wa of the substrate W rotating at a low speed. If the rotation speed of the substrate W becomes high, the liquid film of the rinse liquid L1 on the main surface Wa of the substrate W becomes thin, so that at least a part of the surface of the die D0 may be exposed without being covered by the rinse liquid L1.
  • the substrate holder 2 rotates the substrate W at a rotation speed of, for example, 20 rpm or less (or 15 rpm) or less. Therefore, the thickness of the liquid film of the rinse liquid L1 is large, and the rinse liquid L1 can cover the surfaces of multiple dies D0.
  • the thickness of the liquid film of the rinse liquid L1 between the dies D0 may be greater than or equal to the thickness of the die D0 (see also FIG. 11 described later).
  • the liquid film is maintained on the main surface Wa of the substrate W at a low rotation speed, so step S3 can also be said to be a so-called paddle process.
  • the pre-wet process is also referred to as the pre-puddle process.
  • the nozzle movement drive unit 34 may reciprocate the first nozzle 3 within a predetermined movement range in a direction along the main surface Wa of the substrate W (e.g., horizontal direction). Such reciprocation may also be called swinging.
  • FIG. 10 is a plan view that shows an example of the reciprocating movement of the first nozzle 3.
  • the predetermined movement range is, for example, a range that includes a reference position in which the longitudinal direction of the first nozzle 3 is along the radial direction of the rotation axis Q1. In FIG. 10, the first nozzle 3 located at the reference position is shown by a solid line.
  • the nozzle movement drive unit 34 may move the first nozzle 3 so that the discharge port 3a closest to the rotation axis Q1 reciprocates within a movement range of about ⁇ several tens of mm (e.g., 40 mm) centered on the reference position.
  • each landing position moves not only in the circumferential direction about the rotation axis Q1 but also in the radial direction. This allows the processing unit 1 to more uniformly supply the rinsing liquid L1 to the main surface Wa of the substrate W. This allows the processing unit 1 to more quickly form a liquid film of the rinsing liquid L1 with good coverage.
  • the processing unit 1 stops the supply of the rinsing liquid L1.
  • the control unit 90 executes step S4, which will be described later.
  • the pre-time is set in advance and stored, for example, in the memory unit 921. The same applies to the other times, which will be described later.
  • the elapsed time is measured, for example, by a timer circuit (not shown) included in the control unit 90.
  • step S4 chemical processing step.
  • Figures 7(b) and 7(c) show an example of the state of the processing section 1 in step S4.
  • Figure 7(b) shows an example of the state of the processing section 1 at the beginning of step S4, and
  • Figure 7(c) shows an example of the state of the processing section 1 thereafter.
  • the substrate holder 2 rotates the substrate W at a rotational speed of 20 rpm or less.
  • the rotational speed of the substrate W may be set to 15 rpm or less.
  • the target value of the rotational speed of the substrate W may be set constant throughout step S4 (see also FIG. 9).
  • the rotational speed of the substrate W in step S4 is the same as the rotational speed of the substrate W in step S3. However, these rotational speeds may be different from each other.
  • the processing unit 1 supplies the chemical liquid L2 to the main surface Wa of the substrate W while it is rotating at a low speed using the first nozzle 3.
  • the control unit 90 closes the rinse valve 44 and opens the chemical liquid valve 43 and the valve 32. This causes the chemical liquid L2 to be discharged in a continuous flow from the multiple outlets 3a of the first nozzle 3 toward the main surface Wa of the substrate W (see FIG. 7(b)).
  • the flow rate control valve 33 adjusts the flow rate of the chemical liquid L2 to be, for example, not less than 0.1 L/min and not more than 2.0 L/min.
  • the flow rate of the chemical liquid L2 may be set to be not less than 1.0 L/min.
  • step S4 the first nozzle 3 ejects the chemical liquid L2 toward the main surface Wa of the substrate W that is rotating at a low speed.
  • the chemical liquid L2 lands on the liquid film of the rinsing liquid L1 on the main surface Wa of the substrate W.
  • FIG. 11 is a diagram showing an example of how the chemical liquid L2 lands on the liquid film of the rinsing liquid L1. As shown in FIG. 11, the chemical liquid L2 lands on the liquid film of the rinsing liquid L1, so it does not directly land on the corners of the die D0. This makes it possible to suppress splashing of the chemical liquid L2.
  • the chemical liquid L2 can flow together with the rinsing liquid L1 on the main surface Wa of the substrate W, the chemical liquid L2 is likely to flow along the main surface Wa of the substrate W. Therefore, even in the early stage of step S4, the chemical liquid L2 can spread more uniformly from each landing position.
  • the supply of chemical liquid L2 causes the processing liquid (rinse liquid L1 and chemical liquid L2) on the main surface Wa to overflow from the periphery of the substrate W.
  • step S4 because the rotation speed of the substrate W is low, the processing liquid flows down from the periphery of the substrate W without being splashed onto the inner circumferential surface of the guard 61 (see Figures 7(b) and 7(c)).
  • the substrate holder 2 rotates the substrate W at a rotation speed that causes the processing liquid from the periphery of the substrate W to flow down without reaching the guard 61.
  • the processing liquid that flows down from the periphery of the substrate W is received by the cup 62 and collected through the collection pipe 64.
  • the supply of chemical liquid L2 causes the processing liquid to overflow from the main surface Wa of the substrate W, and the processing liquid on the main surface Wa is replaced from the rinsing liquid L1 with the chemical liquid L2.
  • the chemical liquid L2 can spread more evenly over the main surface Wa from the beginning of step S4, so that the rinsing liquid L1 can be replaced more evenly with the chemical liquid L2.
  • the chemical liquid L2 begins to act on the main surface Wa of the substrate W more evenly.
  • the variation in the distribution on the main surface Wa of the start timing at which the chemical liquid L2 begins to act on each position on the main surface Wa of the substrate W can be reduced.
  • the first nozzle 3 ejects the chemical solution L2 from multiple outlets 3a arranged along the radial direction, it is possible to effectively reduce the variation in the start timing, particularly in the radial direction.
  • step S4 the rotation speed of the substrate W is also low, so that the liquid film of the chemical liquid L2 on the main surface Wa of the substrate W can be made thicker, and the liquid film of the chemical liquid L2 can cover the surfaces of the multiple dies D0 of the substrate W.
  • This allows the chemical liquid L2 to act more appropriately on the main surface Wa of the substrate W (particularly the die D0).
  • the chemical liquid treatment can be performed appropriately on the main surface Wa of the substrate W.
  • the thickness of the liquid film of the chemical liquid L2 between the dies D0 can be greater than or equal to the thickness of the die D0.
  • step S4 can also be said to be a so-called paddle treatment.
  • the chemical liquid treatment process is also referred to as the chemical liquid puddle process.
  • the chemical solution L2 on the main surface Wa of the substrate W reacts with the main surface Wa of the substrate W, and this reaction reduces the active components in the chemical solution L2.
  • the reduction in the active components leads to insufficient processing or reduced throughput.
  • this reaction also produces foreign matter such as by-products. It is undesirable for foreign matter to remain on the main surface Wa of the substrate W.
  • the processing unit 1 may continue to eject the chemical liquid L2 from the first nozzle 3 toward the main surface Wa of the substrate W even after replacing the rinsing liquid L1 with the chemical liquid L2. Since new chemical liquid L2 continues to be supplied to the main surface Wa of the substrate W from the first nozzle 3, the chemical liquid L2 containing sufficient active ingredients reacts with the main surface Wa of the substrate W. This makes it possible to suppress insufficient processing of the main surface Wa of the substrate W. Alternatively, the processing throughput can be improved. Furthermore, foreign matter generated by the reaction flows down from the periphery of the substrate W together with the old chemical liquid L2. This makes it possible to reduce the possibility of foreign matter remaining on the main surface Wa of the substrate W.
  • the actual processing time T2 during which the chemical liquid L2 continues to be ejected after the replacement time T1 has elapsed may be set to be longer than the replacement time T1 (see FIG. 9).
  • the actual processing time T2 may be 1.5 times or more, 2 times or more, 5 times or more, or 10 times or more of the replacement time T1. This allows the processing using the chemical liquid to be performed sufficiently on the main surface Wa of the substrate W (e.g., die D0).
  • the nozzle movement drive unit 34 may move the first nozzle 3 back and forth in the horizontal direction within a predetermined movement range (see FIG. 10).
  • the movement range may be the same as the movement range in step S3, for example. If the nozzle movement drive unit 34 moves the first nozzle 3 back and forth, the landing position of the chemical liquid L2 from each discharge port 3a can be moved. This allows the chemical liquid L2 to act more uniformly on the main surface Wa of the substrate W. In particular, depending on the type of chemical liquid L2, processing at the landing position may be promoted more than processing at positions other than the landing position. When such a chemical liquid L2 is used, the back and forth movement of the first nozzle 3 can effectively suppress unevenness in the chemical processing.
  • the processing unit 1 stops the supply of the chemical liquid L2.
  • a predetermined chemical treatment time T i.e., the sum of the replacement time T1 and the actual treatment time T2
  • the control unit 90 executes step S5 described below.
  • step S5 post-wet process.
  • Figure 8(a) shows an example of the processing section 1 in step S5.
  • the substrate holder 2 rotates the substrate W at a rotational speed of 20 rpm or less.
  • the rotational speed of the substrate W may be set to 15 rpm or less.
  • a target value of the rotational speed of the substrate W may be set constant throughout step S5 (see also FIG. 9).
  • the rotational speed of the substrate W in step S5 e.g., a target value
  • the rotational speed of the substrate W in step S4 may be the same as the rotational speed of the substrate W in step S4 (e.g., a target value).
  • the processing unit 1 supplies rinsing liquid L1 to the main surface Wa of the substrate W rotating at a low speed using the first nozzle 3.
  • the control unit 90 closes the chemical liquid valve 43 and opens the rinse valve 44 and valve 32. This causes the rinsing liquid L1 to be discharged in a continuous flow from the multiple outlets 3a of the first nozzle 3 (see FIG. 8(a)).
  • the flow rate control valve 33 adjusts the flow rate of the rinsing liquid L1 to be, for example, not less than 0.1 L/min and not more than 2.0 L/min.
  • the flow rate of the rinsing liquid L1 may be set to be not less than 1.0 L/min.
  • step S4 Since a liquid film of chemical liquid L2 has been formed on the main surface Wa of the substrate W by step S4 immediately before step S5, at the beginning of step S5, the rinsing liquid L1 lands on the liquid film of chemical liquid L2 on the main surface Wa of the substrate W. This makes it possible to suppress splashing of the rinsing liquid L1. Moreover, since the rinsing liquid L1 can flow together with the chemical liquid L2 on the main surface Wa of the substrate W, the rinsing liquid L1 can spread more uniformly from each landing position.
  • the supply of rinsing liquid L1 causes the processing liquid (rinsing liquid L1 and chemical liquid L2) on the main surface Wa to overflow from the periphery of the substrate W.
  • step S5 because the rotation speed of the substrate W is low, the processing liquid flows down without being splashed onto the inner circumferential surface of the guard 61.
  • the substrate holder 2 rotates the substrate W at a rotation speed that allows the processing liquid from the periphery of the substrate W to flow down without reaching the guard 61.
  • the processing liquid that flows down from the periphery of the substrate W is received by the cup 62 and collected through the collection pipe 64.
  • the supply of rinsing liquid L1 causes the processing liquid to overflow from the main surface Wa of the substrate W, and the processing liquid on the main surface Wa is replaced from the chemical liquid L2 to the rinsing liquid L1.
  • the rinsing liquid L1 can spread more evenly over the main surface Wa from the beginning of step S5, so the chemical liquid L2 can be replaced more evenly with the rinsing liquid L1.
  • This replacement essentially ends the action of the chemical liquid L2 on each position on the main surface Wa of the substrate W. This makes it possible to reduce the variation in the distribution on the main surface Wa of the stop timing at which the action of the chemical liquid L2 on each position on the main surface Wa of the substrate W ends.
  • step S5 Since the rotation speed of the substrate W is also low in step S5, the liquid film of the rinsing liquid L1 on the main surface Wa of the substrate W can be made thicker, and the liquid film of the rinsing liquid L1 can cover the surfaces of the multiple dies D0 of the substrate W.
  • the thickness of the liquid film of the rinsing liquid L1 between the dies D0 can be greater than or equal to the thickness of the die D0.
  • step S5 since the liquid film is maintained on the main surface Wa of the substrate W at a low rotation speed, step S5 can also be considered a so-called puddle process. For this reason, hereinafter, the post-wet process will also be referred to as the post-puddle process.
  • the nozzle movement drive unit 34 may also move the first nozzle 3 back and forth horizontally within a predetermined movement range in step S5 (post-puddle process) (see FIG. 10).
  • the movement range may be the same as the movement range in step S4, for example.
  • step S5 the processing liquid on the main surface Wa is mostly replaced from the chemical liquid L2 to the rinsing liquid L1.
  • the rotation speed of the substrate W is low, a small amount of the chemical liquid L2 may remain on the main surface Wa of the substrate W.
  • step S6 replacement promotion process, see also FIG. 9).
  • the processing section 1 switches the nozzle that ejects the rinsing liquid L1 from the first nozzle 3 to the second nozzle 5.
  • the processing section 1 uses the second nozzle 5 to supply the rinsing liquid L1 to the main surface Wa of the substrate W.
  • FIG. 8(b) is a diagram that shows an example of the state of the processing section 1 in step S6.
  • the control unit 90 closes the valve 32, causes the nozzle movement drive unit 34 to move the first nozzle 3 to the first standby position, causes the nozzle movement drive unit 54 to move the second nozzle 5 to the second processing position, opens the valve 52, and causes the substrate holder 2 to increase the rotation speed of the substrate W.
  • the rinsing liquid L1 is discharged in a continuous flow state from the single discharge port 5a of the second nozzle 5 toward the center of the main surface Wa of the substrate W, which is rotating at a relatively high rotation speed.
  • the center here may be, for example, a portion within a circular area having a diameter of one-fifth or less of the diameter of the substrate W.
  • the rotation speed of the substrate W may be set, for example, to about 100 rpm or more and 1200 rpm or less, 100 rpm or more and 500 rpm or less, or 200 rpm or more and 500 rpm or less.
  • the rinsing liquid L1 that splashes off from the periphery of the substrate W may be received by the inner surface of the guard 61.
  • the substrate holder 2 may be rotated at a rotational speed that allows the rinsing liquid L1 to reach the inner surface of the guard 61.
  • step S6 the rotation speed of the substrate W is relatively high. Therefore, the centrifugal force generated in the processing liquid on the main surface Wa of the substrate W is relatively large, and the processing liquid tends to flow radially outward. Therefore, the chemical liquid L2 remaining on the main surface Wa of the substrate W also tends to flow radially outward, and is likely to splash (or flow down) outward from the periphery of the substrate W. This improves the efficiency of replacement of the chemical liquid L2 with the rinsing liquid L1.
  • step S6 the second nozzle 5 ejects the rinsing liquid L1 toward the center of the main surface Wa of the substrate W.
  • the rinsing liquid L1 flows radially outward from the center of the main surface Wa of the substrate W. Therefore, the rinsing liquid L1 can push the processing liquid on the main surface Wa of the substrate W radially outward.
  • the chemical liquid L2 remaining on the main surface Wa is pushed radially outward by the rinsing liquid L1, and splashes (or flows down) from the periphery of the substrate W to the outside together with the rinsing liquid L1. This can further improve the efficiency of replacement of the chemical liquid L2 with the rinsing liquid L1.
  • the processing unit 1 stops the supply of the rinsing liquid L1. For example, when a predetermined replacement promotion time has elapsed since the rotation speed of the substrate W started to increase, the control unit 90 closes the valve 52. This stops the supply of the rinsing liquid L1 from the second nozzle 5.
  • the processing section 1 dries the substrate W (step S7: drying process).
  • the substrate holder 2 further increases the rotation speed of the substrate W (so-called spin drying, see also FIG. 9).
  • the rotation speed of the substrate W may be set to, for example, greater than 1200 rpm, greater than 1500 rpm, or greater than 2000 rpm. Since the rotation speed of the substrate W is higher than the rotation speed of the substrate W in step S6, the amount of processing liquid that splashes from the periphery of the substrate W can be increased. In addition, the airflow can also promote evaporation of the processing liquid on the substrate W. This allows the substrate W to be dried more quickly.
  • the rotation speed of the substrate W in step S6 is lower than the rotation speed of the substrate W in step S7, so splashing of the rinsing liquid L1 can be suppressed in step S6.
  • the processing unit 1 stops the rotation of the substrate W. For example, when a predetermined drying time has elapsed since the increase in rotation speed, the substrate holding unit 2 stops the rotation of the substrate W.
  • step S8 release step
  • the substrate holder 2 displaces the multiple chuck pins 22 from their respective holding positions to the release positions. This releases the substrate W from its hold.
  • the center robot 122 removes the substrate W from the processing section 1.
  • the processing section 1 can perform various processes on a substrate W whose main surface Wa has an uneven shape using multiple dies D0.
  • step S3 the processing section 1 supplies the rinse liquid L1 to the main surface Wa of the substrate W while rotating the substrate W at a rotational speed at which the surfaces of the multiple dies D0 are covered with the rinse liquid L1.
  • step S3 because the rotational speed of the substrate W is low, the liquid film of the rinse liquid L1 can be made large enough to cover the surfaces of the multiple dies D0.
  • step S4 chemical liquid puddle process
  • the processing unit 1 ejects the chemical liquid L2 from the first nozzle 3 toward the main surface Wa of the substrate W while rotating the substrate W at a rotational speed at which the surfaces of the multiple dies D0 are covered with the chemical liquid L2. That is, even in step S4, the chemical liquid L2 lands on the main surface Wa of the substrate W while the rotational speed of the substrate W is low.
  • the rotational speed of the substrate W is set, for example, to a value that prevents the chemical liquid L2 from being scattered onto the inner surface of the guard 61. In this way, the chemical liquid L2 lands on the main surface Wa of the substrate W during low-speed rotation, thereby suppressing splashing of the chemical liquid L2.
  • a liquid film of rinsing liquid L1 is formed on the main surface Wa of the substrate W in step S3 immediately before step S4. Therefore, at the start of step S4, the chemical liquid L2 from the first nozzle 3 lands on the liquid film of rinsing liquid L1. Therefore, the chemical liquid L2 does not directly land on the corners of the die D0, and splashing of the chemical liquid L2 can be further suppressed. In addition, since the chemical liquid L2 flows together with the rinsing liquid L1 on the main surface Wa of the substrate W, the chemical liquid L2 can spread with high fluidity from the beginning of step S4.
  • the chemical liquid L2 may land directly on the corners of the die D0, causing splashing.
  • the splashed droplets of the chemical liquid L2 may land at random positions on the main surface Wa of the substrate W.
  • the chemical liquid L2 begins to act on the main surface Wa at unintended positions.
  • the chemical liquid L2 flows unevenly on the main surface Wa due to the deep unevenness of the main surface Wa. Due to such splashing or uneven flow, positions where the chemical liquid L2 reaches quickly and positions where it is difficult to reach become locally evident.
  • the chemical liquid L2 begins to act on the main surface Wa at an earlier timing than other positions.
  • the chemical liquid L2 begins to act on the main surface Wa at a later timing than other positions.
  • the chemical liquid L2 lands on the liquid film of the rinsing liquid L1 on the main surface Wa of the substrate W while it is rotating at a low speed. This makes it difficult for the chemical liquid L2 to splash, and the chemical liquid L2 spreads more uniformly over the main surface Wa with high fluidity. This allows the chemical liquid L2 to replace the rinsing liquid L1 more uniformly. In other words, it is possible to reduce variation in the start timing. In other words, the processing unit 1 can start chemical processing on the main surface (e.g., die D0) of the substrate W more uniformly.
  • step S4 the chemical liquid L2 is discharged from the multiple discharge ports 3a of the first nozzle 3.
  • the chemical liquid L2 can be supplied more uniformly to the main surface Wa of the substrate W. This allows the processing section 1 to perform chemical processing on the substrate W more uniformly.
  • the multiple discharge ports 3a are aligned roughly along the radial direction, and the chemical liquid L2 is discharged from the multiple discharge ports 3a toward the main surface Wa of the substrate W. In this case, it is possible to more effectively reduce the variation in the start timing at each position on a straight line along the radial direction.
  • step S4 the first nozzle 3 moves back and forth within a predetermined range of movement. In this case, the landing position of the liquid from each discharge port 3a varies over time. This also enables the processing section 1 to more uniformly supply the chemical liquid L2 to the main surface Wa of the substrate W, and to perform more uniform chemical processing on the substrate W.
  • the processing section 1 can perform chemical processing on the substrate W with a higher throughput while suppressing insufficient processing.
  • step S5 post-puddle process
  • the processing unit 1 ejects the rinsing liquid L1 from the first nozzle 3 toward the main surface Wa of the substrate W while rotating the substrate W at a rotational speed at which the surfaces of the multiple dies D0 are covered with the rinsing liquid L1.
  • the rotational speed of the substrate W is set, for example, to a value that prevents the processing liquid from being splashed onto the inner circumferential surface of the guard 61. In this way, the rinsing liquid L1 lands on the main surface Wa of the substrate W during low-speed rotation, thereby suppressing splashing of the rinsing liquid L1.
  • the processing unit 1 can more uniformly replace the processing liquid on the main surface Wa of the substrate W from the chemical liquid L2 to the rinsing liquid L1.
  • step S6 replacement promotion process
  • the rotation speed of the substrate W in step S6 is set to be higher than the rotation speed of the substrate W in steps S3 to S5.
  • the rotation speed of the substrate W in step S6 may be set to a value that allows the processing liquid scattered from the periphery of the substrate W to reach the inner circumferential surface of the guard 61.
  • step S6 the second nozzle 5 ejects the rinsing liquid L1 toward the center of the main surface Wa of the substrate W. This causes the rinsing liquid L1 to push the chemical liquid L2 on the main surface Wa of the substrate W from the center radially outward, making it possible to more reliably disperse the chemical liquid L2 from the periphery of the substrate W.
  • FIG. 12 is a plan view showing the positional relationship between the first nozzle 3 and the substrate W.
  • the rotation direction of the substrate W is indicated by an arrow.
  • the substrate W rotates counterclockwise.
  • a virtual start line VL1 connecting the landing positions where the chemical liquid L2 first lands and a virtual end line VL2 connecting the landing positions where the chemical liquid L2 last lands are shown.
  • each landing position moves relatively toward the upstream side in the rotation direction on a ring-shaped trajectory CL1 centered on the rotation axis Q1 on the main surface Wa of the substrate W.
  • the first nozzle 3 stops discharging the chemical liquid L2 from the multiple discharge ports 3a. This causes the last of the chemical liquid L2 to land at each landing position on the end line VL2.
  • Region R1 is the region upstream of the start line VL1 in the rotational direction.
  • the downstream end of region R1 in the rotational direction is the start line VL1
  • the upstream end in the rotational direction is the end line VL2.
  • Region R2 is the region upstream of the end line VL2 in the rotational direction.
  • the circumferential position of the start line VL1 is determined by the rotational position of the substrate W when the first nozzle 3 starts to eject the chemical liquid L2
  • the circumferential position of the end line VL2 is determined by the rotational position of the substrate W when the first nozzle 3 stops ejecting the chemical liquid L2.
  • the relative positions of the start line VL1 and the end line VL2 depend on the chemical processing time T for ejecting the chemical liquid L2 and the rotational speed of the substrate W.
  • the chemical liquid processing time T may be set according to the rotation speed of the substrate W.
  • the chemical liquid processing time T may be set according to the unit time ⁇ T required for one rotation of the substrate W.
  • the chemical liquid processing time T may be set so as to satisfy the following formula (1).
  • n is an integer and indicates the number of rotations of the substrate W within the chemical processing time T (decimals are rounded down).
  • ⁇ is set to, for example, 0.25 or less.
  • ⁇ is zero, the chemical treatment time T is set to an integral multiple of the unit time ⁇ T.
  • This chemical treatment time T is a preset value.
  • the information may be stored in the storage unit 921.
  • step S4 chemical puddle step
  • step S5 post-puddle step
  • the rinsing liquid L1 is also discharged from the first nozzle 3. That is, the nozzles used in steps S4 and S5 are both the first nozzle 3. This allows the processing unit 1 to perform chemical processing on the main surface Wa of the substrate W more uniformly, as will be described below.
  • the first nozzle 3 ejects the chemical liquid L2 from multiple outlets 3a arranged along the radial direction.
  • the chemical liquid L2 ejected from the multiple outlets 3a lands on the liquid film of the rinsing liquid L1 (see also Figure 11). This allows the chemical liquid L2 to spread quickly from each landing position. Therefore, the chemical liquid L2 is supplied with a very small time difference to each position on a straight line along the radial direction of the main surface Wa of the substrate W. Therefore, for simplicity of explanation, it is assumed here that the chemical liquid L2 is supplied simultaneously on the straight line.
  • FIG. 13 is a graph showing the start time t1, end time t2, and effective processing time at each circumferential position on the main surface Wa of the substrate W. The end time t2 and processing time will be described in detail later.
  • each circumferential position on the main surface Wa of the substrate W is shown by an angle ⁇ (see also Figure 12), with the start line VL1 being 0 degrees and the direction toward the upstream in the rotational direction being positive.
  • the start timing t1 is later the further upstream in the rotational direction from the start line VL1.
  • the start timing t1 is proportional to the circumferential position with a proportionality coefficient according to the rotational speed of the substrate W.
  • the proportionality coefficient is larger the lower the rotational speed of the substrate W. In other words, when the rotational speed of the substrate W is low, as in this embodiment, the difference between the start timing t1 at the start line VL1 and the start timing t1 at a position immediately downstream in the rotational direction from the start line VL1 becomes larger.
  • step S5 post-puddle process
  • the timing at which the rinsing liquid L1 begins to land can be understood as the end timing t2.
  • the first nozzle 3 ejects the rinsing liquid L1 from multiple outlets 3a aligned along the radial direction. Therefore, for simplicity of explanation, it is assumed here that the rinsing liquid L1 is simultaneously supplied to each position on a straight line along the radial direction of the main surface Wa of the substrate W.
  • the end line VL2 is set to 0 degrees. That is, the start line VL1 and the end line VL2 are the same.
  • the rinsing liquid L1 gradually lands on the portion that is further away from the end line VL2 on the upstream side of the rotation direction, so the rinsing liquid L1 lands at a later timing the further away the position is from the end line VL2 on the upstream side of the rotation direction. Therefore, as shown in FIG.
  • the end timing t2 is later the further away the position is from the end line VL2 on the upstream side of the rotation direction.
  • the end timing t2 is proportional to the circumferential position with a proportionality coefficient according to the rotation speed of the substrate W.
  • the proportionality coefficient is larger as the rotation speed of the substrate W is lower.
  • steps S4 and S5 the processing section 1 ejects the chemical liquid L2 and the rinsing liquid L1 from the same first nozzle 3, respectively. This reduces the variation in the distribution of the effective processing time on the main surface Wa. This allows the processing section 1 to perform chemical processing on the substrate W more uniformly.
  • the rotation speed (e.g., a target value) of the substrate W in step S4 and step S5 is the same, ideally, the variation in the effective processing time can be eliminated.
  • the effective processing time is shown to be constant regardless of the position on the main surface Wa of the substrate W.
  • the two rotation speeds do not have to be completely the same, and may be different.
  • the difference between the rotation speed (e.g., a target value) of the substrate W in step S4 and the rotation speed (e.g., a target value) of the substrate W in step S5 may be 50% or less of the rotation speed of the substrate W in step S4, 20% or less, 10% or less, or 5% or less. This makes it possible to more effectively reduce the variation in the effective processing time.
  • the control unit 90 may switch the open/closed states of the chemical liquid valve 43 and the rinse valve 44 while continuing to open the valve 32. This allows the first nozzle 3 to eject the rinse liquid L1 continuously in time following the chemical liquid L2.
  • the open/closed states of the chemical liquid valve 43 and the rinse valve 44 may be switched within a time difference that allows the first nozzle 3 to eject the rinse liquid L1 continuously into the chemical liquid L2.
  • the rinse liquid L1 can be landed with higher positional accuracy with respect to the end line VL2 where the chemical liquid L2 finally lands.
  • the flow rate of the chemical liquid L2 in step S4 may be set to be greater than the flow rate of the rinsing liquid L1 in step S3 (pre-puddle step).
  • the rotation speed of the substrate W in step S4 may be set to be greater than the rotation speed of the substrate W in step S3. That is, the rotation speed of the substrate W in step S4 may be set to be greater than the rotation speed of the substrate W in step S3 and less than the rotation speed of the substrate W in step S7 (replacement promotion step).
  • the flow rate of the chemical liquid L2 is greater and the rotation speed of the substrate W is higher, the old chemical liquid L2 on the main surface Wa of the substrate W is quickly replaced with new chemical liquid L2. Furthermore, by supplying new chemical liquid L2, the concentration distribution of the chemical liquid L2 on the main surface Wa of the substrate W can be made uniform. This makes it possible to improve the uniformity of the chemical processing.
  • the processing may be uneven.
  • the flow rate of the chemical solution L2 is larger and the rotation speed of the substrate W is higher, the foreign matter can be quickly removed from the main surface Wa of the substrate W. This further improves the uniformity of the chemical processing.
  • Fig. 14 is a diagram showing a second example of the configuration of the processing unit 1 according to the first embodiment.
  • the processing unit 1 is configured to selectively supply a first chemical liquid (e.g., hydrofluoric acid), a second chemical liquid (e.g., a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution), and a rinsing liquid to the substrate W.
  • a first chemical liquid e.g., hydrofluoric acid
  • a second chemical liquid e.g., a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution
  • the switching unit 4 is connected not only to the upstream end of the liquid supply pipe 31, the downstream end of the liquid supply pipe 41, and the downstream end of the rinsing liquid supply pipe 42, but also to the downstream end of the liquid supply pipe 45.
  • the switching unit 4 switches the pipes to be connected to the liquid supply pipe 31 among the liquid supply pipe 41, the liquid supply pipe 45, and the rinsing liquid supply pipe 42.
  • the upstream end of the liquid supply pipe 41 is connected to a first chemical supply source (not shown), and the upstream end of the liquid supply pipe 45 is connected to a second chemical supply source (not shown).
  • the first chemical liquid and the second chemical liquid are different types of chemical liquids.
  • the switching unit 4 may be, for example, a multiple valve. Specifically, the switching unit 4 may include not only the chemical liquid valve 43 and the rinse valve 44, but also the chemical liquid valve 46.
  • the chemical liquid valve 43 When the chemical liquid valve 43 is opened, the chemical liquid supply pipe 41 is connected to the liquid supply pipe 31, when the rinse valve 44 is opened, the rinse liquid supply pipe 42 is connected to the liquid supply pipe 31, and when the chemical liquid valve 46 is opened, the chemical liquid supply pipe 45 is connected to the liquid supply pipe 31.
  • These valves are controlled by the control unit 90.
  • FIG. 15 is a flow chart showing a second example of substrate processing according to the first embodiment.
  • the substrate W is loaded into the processing section 1, and the substrate holder 2 holds the substrate W (step S11: holding step).
  • step S2 the substrate holder 2 starts rotating the substrate W (step S12: rotation start step).
  • step S3 the processing unit 1 supplies a rinse liquid to the main surface Wa of the substrate W rotating at a low speed to form a liquid film of the rinse liquid on the main surface Wa of the substrate W (step S13: pre-wet process (pre-puddle process)).
  • step S4 the processing unit 1 ejects the first chemical liquid from the first nozzle 3 toward the main surface Wa of the substrate W rotating at a low speed (step S14: chemical liquid processing process (chemical liquid puddle process)).
  • step S14 chemical liquid processing process (chemical liquid puddle process)
  • step S5 a process according to the first chemical liquid is performed on the substrate W (e.g., die D0).
  • the processing unit 1 supplies a rinse liquid to the main surface Wa of the substrate W rotating at a low speed (step S15: post-wet process (post-puddle process)).
  • step S15 post-wet process (post-puddle process)
  • the first chemical liquid on the main surface Wa of the substrate W is replaced with the rinse liquid.
  • the rotation speed of the substrate W is low in step S15, a small amount of the first chemical liquid may remain on the main surface Wa of the substrate W.
  • step S16 replacement promotion step
  • step S16 the rotation speed of the substrate W is higher than the rotation speed of the substrate W in steps S13 to S15, so that the liquid film of the rinsing liquid on the main surface Wa of the substrate W becomes thinner, and at least a portion of the upper surface of the die D0 of the substrate W may be exposed.
  • the rotation speed of the substrate W in the replacement promotion process may be set to a value such that at least a portion of the upper surface of the die D0 on the main surface Wa of the substrate W is ejected.
  • step S17 pre-puddle process
  • step S18 chemical liquid puddle process
  • step S5 the processing section 1 supplies the rinse liquid to the main surface Wa of the substrate W during low-speed rotation (step S19: post-puddle process). This replaces the second chemical liquid on the main surface Wa of the substrate W with the rinsing liquid.
  • step S19 post-puddle process
  • step S6 the processing unit 1 then ejects the rinsing liquid from the second nozzle 5 toward the center of the main surface Wa of the substrate W while increasing the rotation speed of the substrate W (step S20: replacement promotion step). This allows the second chemical liquid remaining on the main surface Wa of the substrate W to be more reliably replaced with the rinsing liquid.
  • step S7 the processing section 1 increases the rotation speed of the substrate W to dry the substrate W (step S21: drying process).
  • step S8 the processing section 1 releases the substrate W from its hold (hold release process), and the center robot 122 removes the substrate W.
  • the processing unit 1 can perform a first chemical liquid treatment corresponding to the first chemical liquid and a second chemical liquid treatment corresponding to the second chemical liquid on the substrate W in that order.
  • the processing unit 1 performs a set of processes consisting of step S3 (pre-puddle process), step S4 (chemical liquid puddle process), step S5 (post-puddle process), and step S6 (replacement promotion process) multiple times.
  • the processing unit 1 supplies different types of chemical liquid to the main surface Wa of the substrate W in each step S4.
  • the processing unit 1 repeats the set of processes three or more times.
  • Second Embodiment Fig. 16 is a diagram showing a schematic configuration example of a processing section 1 according to the second embodiment.
  • the processing section 1 according to the second embodiment will also be referred to as processing section 1A.
  • the processing section 1A differs from the processing section 1, for example, in the attitude of the substrate W and the position of the first nozzle 3. Furthermore, in the example of Fig. 16, the processing section 1A is not provided with a second nozzle 5.
  • the substrate holding section 2 holds the substrate W in a position in which the main surface Wa faces vertically downward. That is, in the second embodiment, the substrate W is carried into the processing section 1A by the center robot 122 in a position in which the main surface Wa faces vertically downward, and the substrate holding section 2 receives and holds the substrate W in that position.
  • the first nozzle 3 is located vertically below the substrate W held by the substrate holding section 2.
  • the first nozzle 3 is provided between the main surface Wa of the substrate W and the spin base 21.
  • the first nozzle 3 ejects the processing liquid toward the main surface Wa of the substrate W held by the substrate holding section 2.
  • the first nozzle 3 extends in a direction along the main surface Wa of the substrate W, and a plurality of ejection ports 3a are formed at the upper portion thereof.
  • the first nozzle 3 extends along the radial direction about the rotation axis Q1.
  • the plurality of ejection ports 3a are arranged at intervals along the longitudinal direction (i.e., the radial direction) of the first nozzle 3.
  • the plurality of ejection ports 3a may be arranged in a row.
  • the number of ejection ports 3a is not particularly limited, but may be, for example, 10 or more, or 15 or more.
  • the outlet 3a may have, for example, a circular shape in a plan view, and its diameter may be set to, for example, about several mm.
  • the first nozzle 3 can selectively discharge the chemical liquid and the rinsing liquid as the processing liquid.
  • the first nozzle 3 is connected to the downstream end of the liquid supply pipe 31.
  • the shaft 231 is a hollow shaft, and a through hole that penetrates the spin base 21 in the vertical direction is formed in the center of the spin base 21.
  • the through hole is connected to the hollow part of the shaft 231.
  • the liquid supply pipe 31 penetrates the hollow part of the shaft 231 and the spin base 21, and its upper end (downstream end) protrudes vertically upward from the spin base 21.
  • the upper end of the liquid supply pipe 31 is connected to the first nozzle 3.
  • the first nozzle 3 extends radially outward from the upper end of the liquid supply pipe 31.
  • the lower end (upstream end) of the liquid supply pipe 31 is connected to the switching unit 4, and the switching unit 4 is also connected to the downstream end of the chemical liquid supply pipe 41 and the downstream end of the rinsing liquid supply pipe 42.
  • the upstream end of the chemical supply pipe 41 is connected to a chemical supply source, and the upstream end of the rinsing liquid supply pipe 42 is connected to a rinsing liquid supply source.
  • the switching unit 4 is controlled by the control unit 90, and switches the piping that is connected to the liquid supply pipe 31 between the chemical supply pipe 41 and the rinsing liquid supply pipe 42.
  • the first nozzle 3 may discharge the treatment liquid to the radially outer peripheral region of the main surface Wa of the substrate W at a flow rate greater than the flow rate to the radially inner central region of the main surface Wa of the substrate W.
  • the opening area of the outlet 3a located on the radially outer side is greater than the opening area of the outlet 3a located on the radially inner side.
  • the opening areas of the multiple outlets 3a may increase monotonically and non-decreasingly toward the radially outer side.
  • the opening area of a certain outlet 3a may be equal to or greater than the opening area located radially inner than the outlet 3a.
  • the first nozzle 3 can discharge the treatment liquid to the peripheral region, which has a higher movement speed, at a flow rate greater than the central region, so that the treatment liquid can be supplied more uniformly to the main surface Wa of the substrate W.
  • the pitch between adjacent outlets 3a of the first nozzle 3 may increase monotonically and non-decreasingly toward the radially outward direction.
  • the pitch between two outlets 3a may be equal to or greater than the pitch between two outlets 3a located radially inward of the two outlets 3a.
  • FIG. 17 is a flow chart showing an example of substrate processing according to the second embodiment.
  • the center robot 122 loads the substrate W into the chamber 10 of the processing section 1A, and the substrate holding section 2 receives and holds the substrate W (step S31: holding process).
  • the center robot 122 loads the substrate W into the chamber 10 with the main surface Wa of the substrate W facing vertically downward.
  • the substrate holding section 2 holds the substrate W with the main surface Wa facing vertically downward.
  • the substrate holding section 2 continues to hold the substrate W until processing of the substrate W is completed.
  • the main surface Wa of the substrate W is in a generally dry state when it is loaded into the chamber 10.
  • the substrate holder 2 starts rotating the substrate W around the rotation axis Q1 (step S32).
  • the substrate holder 2 may maintain the rotation of the substrate W until the processing of the substrate W is completed.
  • the guard lift driver 63 may raise the guard 61 to the upper position.
  • the processing unit 1A supplies a rinse liquid to the main surface Wa of the substrate W (step S33: pre-wet process).
  • the control unit 90 opens the rinse valve 44 and the valve 32. This causes the rinse liquid to be discharged in a continuous flow from the multiple outlets 3a of the first nozzle 3.
  • the flow rate of the rinse liquid and the rotation speed of the substrate W are set so that the surface of the die D0 of the substrate W is covered with the rinse liquid.
  • the thickness of the parts of the liquid film of the rinse liquid between the dies D0 can be less than the thickness of the die D0.
  • step S34 When a predetermined pre-time has elapsed since the start of supplying the rinsing liquid, the control unit 90 executes step S34, which will be described later.
  • the processing unit 1A then supplies the chemical liquid to the main surface Wa of the substrate W (step S34: chemical liquid processing process).
  • the control unit 90 closes the rinse valve 44 and opens the chemical liquid valve 43 and valve 32. This causes the chemical liquid to be discharged in a continuous flow from the multiple outlets 3a of the first nozzle 3 toward the main surface Wa of the substrate W.
  • the flow rate of the chemical liquid and the rotation speed of the substrate W are set so that the surface of the die D0 of the substrate W is covered with the chemical liquid.
  • the thickness of the portion of the chemical liquid film between the dies D0 can be less than the thickness of the die D0.
  • the processing liquid adhering to the main surface Wa is replaced from the rinsing liquid to the chemical liquid.
  • the chemical liquid initially adheres to the liquid film of rinsing liquid adhering to the main surface Wa of the substrate W. This allows the chemical liquid to spread more uniformly over the main surface Wa from the beginning of step S34. Therefore, the processing unit 1A can more uniformly replace the rinsing liquid with the chemical liquid, and the chemical liquid begins to act on the main surface Wa of the substrate W more uniformly. In other words, it is possible to reduce the variation in the distribution on the main surface Wa of the start timing at which the chemical liquid begins to act on each position on the main surface Wa of the substrate W.
  • the first nozzle 3 ejects the chemical solution from multiple outlets 3a arranged along the radial direction, it is possible to effectively reduce the variation in start timing, particularly in the radial direction.
  • the processing unit 1A stops supplying the chemical.
  • the control unit 90 executes step S35, which will be described later.
  • the processing unit 1A supplies a rinse liquid to the main surface Wa of the substrate W (step S35: post-wet process).
  • the control unit 90 closes the chemical liquid valve 43 and opens the rinse valve 44 and the valve 32. This causes the rinse liquid to be discharged in a continuous flow from the multiple outlets 3a of the first nozzle 3 toward the main surface Wa of the substrate W.
  • the flow rate of the rinse liquid and the rotation speed of the substrate W are set so that the surface of the die D0 of the substrate W is covered with the rinse liquid.
  • the thickness of the portion of the rinse liquid film between the dies D0 can be less than the thickness of the die D0.
  • the processing liquid adhering to the main surface Wa of the substrate W is replaced from the chemical liquid to the rinsing liquid.
  • the rinsing liquid can spread more evenly over the main surface Wa from the beginning of step S35, so that the chemical liquid can be replaced more evenly with the rinsing liquid.
  • This replacement essentially ends the action of the chemical liquid on each position on the main surface Wa of the substrate W. This makes it possible to reduce the variation in the distribution on the main surface Wa of the stop timing at which the action of the chemical liquid on each position on the main surface Wa of the substrate W ends.
  • step S35 the processing liquid adhering to the main surface Wa is replaced from the chemical liquid to the rinsing liquid.
  • the processing unit 1A stops the supply of the rinse liquid. For example, when a predetermined post time has elapsed since the start of the supply of the rinse liquid, the control unit 90 closes the rinse valve 44 and the valve 32. This stops the supply of the rinse liquid from the first nozzle 3.
  • the processing unit 1A dries the substrate W (step S36: drying step).
  • the substrate holder 2 further increases the rotation speed of the substrate W (so-called spin drying).
  • the rotation speed of the substrate W may be set to, for example, greater than 1200 rpm, greater than or equal to 1500 rpm, or greater than or equal to 2000 rpm. Since the rotation speed of the substrate W is higher than the rotation speed of the substrate W in steps S33 to S35, the amount of processing liquid that splashes from the periphery of the substrate W can be increased. In addition, the airflow can also promote evaporation of the processing liquid on the substrate W. This allows the substrate W to be dried more quickly.
  • the processing unit 1 stops the rotation of the substrate W. For example, when a predetermined drying time has elapsed since the increase in rotation speed, the substrate holding unit 2 stops the rotation of the substrate W.
  • step S37 release step
  • the substrate holder 2 displaces the multiple chuck pins 22 from their respective holding positions to the release positions. This releases the substrate W from its hold.
  • the center robot 122 transports the substrate W out of the processing section 1A.
  • the processing section 1A can perform various processes on a substrate W whose main surface Wa has an uneven shape using multiple dies D0.
  • the main surface Wa of the substrate W faces vertically downward, and the first nozzle 3 ejects the processing liquid vertically upward from multiple ejection ports 3a to supply the processing liquid to the main surface Wa of the substrate W. Therefore, even if the processing liquid bounces off the unevenness of the main surface Wa of the substrate W, droplets of the rebounded processing liquid head toward the spin base 21. Therefore, the droplets hardly scatter outside the guard 61.
  • a liquid film of the rinsing liquid is formed on the main surface Wa of the substrate W in step S33 immediately before step S34. Therefore, at the start of step S34, the chemical liquid from the first nozzle 3 lands on the liquid film of the rinsing liquid. Therefore, the chemical liquid does not land directly on the corners of the die D0, but flows together with the rinsing liquid on the main surface Wa of the substrate W. Therefore, the chemical liquid can spread with high fluidity from the beginning of step S34. Therefore, the chemical liquid is replaced from the rinsing liquid more uniformly. In other words, the variation in the start timing can be reduced. In other words, the processing unit 1A can start the chemical liquid processing on the main surface Wa of the substrate W (e.g., die D0) more uniformly.
  • the chemical liquid is discharged from the multiple discharge ports 3a of the first nozzle 3 in step S34.
  • the chemical liquid can be supplied more uniformly to the main surface Wa of the substrate W. This allows the processing unit 1A to perform chemical processing on the substrate W more uniformly.
  • Third Embodiment 18 is a diagram showing an example of the configuration of the processing section 1 according to the third embodiment.
  • the processing section 1 according to the third embodiment will also be referred to as processing section 1B.
  • Processing section 1B differs from processing section 1 in terms of a configuration for discharging a processing liquid and the presence or absence of a blocking plate 71.
  • the processing section 1B is provided with nozzles 3A and 3B, both of which are examples of the first nozzle 3.
  • Nozzle 3B is provided vertically below the substrate W held by the substrate holding section 2.
  • the substrate holding section 2 holds the substrate W, for example, with its main surface Wa facing vertically upward.
  • the nozzle 3B is provided at a position vertically opposite the center of the substrate W. Specifically, the nozzle 3B protrudes vertically upward from a through hole provided in the center of the spin base 21.
  • the nozzle 3B has an outlet 3a at its upper end, and ejects the processing liquid vertically upward from the outlet 3a, that is, toward the center of the main surface Wb of the substrate W.
  • Nozzle 3B is connected to the downstream end of liquid supply pipe 31B.
  • shaft 231 is a hollow shaft, and liquid supply pipe 31B, like liquid supply pipe 31 of processing unit 1A, passes through spin base 21 and shaft 231 in the vertical direction.
  • the lower end (upstream end) of liquid supply pipe 31B is connected to switching unit 4B, which is also connected to the downstream end of chemical liquid supply pipe 41B and the downstream end of rinse liquid supply pipe 42B.
  • the upstream end of chemical liquid supply pipe 41B is connected to a chemical liquid supply source, and the upstream end of rinse liquid supply pipe 42B is connected to a rinse liquid supply source.
  • Switching unit 4B is controlled by control unit 90 to switch the piping connected to liquid supply pipe 31B between chemical liquid supply pipe 41B and rinse liquid supply pipe 42B.
  • the switching unit 4B may be, for example, a multiple valve. Specifically, the switching unit 4B may include a chemical valve 43B and a rinse valve 44B. These valves are controlled by the control unit 90.
  • the chemical valve 43B When the chemical valve 43B is opened, the chemical supply pipe 41B communicates with the liquid supply pipe 31B.
  • the valve 32B described below When the valve 32B described below is opened in this state, the chemical liquid from the chemical supply source is supplied to the nozzle 3B through the chemical supply pipe 41B, the switching unit 4B, and the liquid supply pipe 31B, and is discharged from the nozzle 3B.
  • the rinse valve 44B is opened, the rinse liquid supply pipe 42B communicates with the liquid supply pipe 31B.
  • the rinse liquid from the rinse liquid supply source is supplied to the nozzle 3B through the rinse liquid supply pipe 42B, the switching unit 4B, and the liquid supply pipe 31B, and is discharged from the nozzle 3B.
  • a valve 32B and a flow rate control valve 33B are inserted in the liquid supply pipe 31B.
  • the flow rate control valve 33B adjusts the flow rate of the treatment liquid flowing through the liquid supply pipe 31B.
  • the flow rate control valve 33B may be a mass flow controller. The valve 32B and the flow rate control valve 33B are controlled by the control unit 90.
  • the blocking plate 71 is also called the opposing plate.
  • the blocking plate 71 is provided vertically above the substrate holding part 2 and faces the substrate holding part 2 in the vertical direction.
  • the blocking plate 71 has, for example, a circular plate shape, and its lower surface, the opposing surface 71a, faces the substrate holding part 2 in the vertical direction.
  • the opposing surface 71a of the blocking plate 71 may be a flat surface, for example, parallel to the horizontal plane.
  • the opposing surface 71a has, for example, a circular shape in a plan view.
  • the opposing surface 71a may be equal to or larger than the diameter of the substrate W.
  • the blocking plate 71 also has the function of holding the substrate W.
  • a plurality of chuck pins 72 are provided on the opposing surface 71a of the blocking plate 71.
  • the plurality of chuck pins 72 protrude vertically downward from the opposing surface 71a.
  • the plurality of chuck pins 72 are provided, for example, at equal intervals along the circumferential direction about the rotation axis Q1.
  • the plurality of chuck pins 72 are provided so as to be displaceable between a holding position and a release position, which will be described next.
  • the holding position is a position where the chuck pin 72 abuts against the periphery of the substrate W.
  • the plurality of chuck pins 72 hold the substrate W by stopping at their respective holding positions. For this reason, the holding position of each chuck pin 72 is located on a circumference that is the same as the diameter of the substrate W.
  • the release position is a position where each chuck pin 72 is separated from the substrate W. In other words, the release position of each chuck pin 72 is located on a circumference that is larger than the diameter of the substrate W.
  • the multiple chuck pins 72 stop at their respective release positions, thereby releasing the holding of the substrate W by the chuck pins 72. In the example of FIG. 18, the chuck pins 72 are shown positioned at the release positions.
  • the processing section 1B is provided with a pin drive unit (not shown) that displaces the chuck pins 72.
  • the pin drive unit includes a drive source such as a motor or an air cylinder, and is controlled by the control unit 90.
  • a support shaft 73 is provided on the upper surface of the blocking plate 71.
  • the support shaft 73 is provided, for example, on the rotation axis Q1.
  • a through hole extending along the rotation axis Q1 is formed in the support shaft 73 and the blocking plate 71, and a liquid supply pipe 31A is arranged in the through hole.
  • a nozzle 3A is connected to the lower end of the liquid supply pipe 31A.
  • the nozzle 3A is provided at a position facing the center of the substrate W.
  • the nozzle 3A has an outlet 3Aa at its lower end, and the processing liquid is discharged from the outlet 3Aa.
  • the upstream end of the liquid supply pipe 31A is connected to the switching unit 4A, which is also connected to the downstream end of the chemical liquid supply pipe 41A and the downstream end of the rinsing liquid supply pipe 42A.
  • the upstream end of the chemical liquid supply pipe 41A is connected to a chemical liquid supply source, and the upstream end of the rinsing liquid supply pipe 42A is connected to a rinsing liquid supply source.
  • the switching unit 4A is controlled by the control unit 90, and switches the piping that is connected to the liquid supply pipe 31A between the chemical liquid supply pipe 41A and the rinsing liquid supply pipe 42A.
  • the switching unit 4A may be, for example, a multiple valve. Specifically, the switching unit 4A may include a chemical valve 43A and a rinse valve 44A. These valves are controlled by the control unit 90.
  • the chemical valve 43A When the chemical valve 43A is opened, the chemical supply pipe 41A is connected to the liquid supply pipe 31A.
  • the valve 32A described below When the valve 32A described below is opened in this state, the chemical liquid from the chemical supply source is supplied to the nozzle 3A through the chemical supply pipe 41A, the switching unit 4A, and the liquid supply pipe 31A, and is discharged from the nozzle 3A.
  • the rinse valve 44A is opened, the rinse liquid supply pipe 42A is connected to the liquid supply pipe 31A.
  • the rinse liquid from the rinse liquid supply source is supplied to the nozzle 3A through the rinse liquid supply pipe 42A, the switching unit 4A, and the liquid supply pipe 31A, and is discharged from the nozzle 3A.
  • a valve 32A and a flow rate control valve 33A are inserted in the liquid supply pipe 31A.
  • the flow rate control valve 33A adjusts the flow rate of the treatment liquid flowing through the liquid supply pipe 31A.
  • the flow rate control valve 33A may be a mass flow controller.
  • the valve 32A and the flow rate control valve 33A are controlled by the control unit 90.
  • processing section 1B is provided with a barrier plate lifting drive section 75 and a barrier plate rotation drive section 74.
  • the barrier plate lifting drive section 75 raises and lowers the barrier plate 71, nozzle 3A, liquid supply pipe 31A and support shaft 73 together between the processing position and the standby position.
  • the processing position is a position close to the substrate holder 2, and the standby position is a position vertically above the processing position.
  • the barrier plate lifting drive section 75 includes, for example, a drive source such as a motor and a power transmission section such as a ball screw mechanism.
  • the barrier plate lifting drive section 75 is controlled by the control section 90.
  • the barrier plate rotation drive unit 74 rotates the barrier plate 71 around the rotation axis Q1.
  • the barrier plate rotation drive unit 74 may rotate the support shaft 73 and the barrier plate 71 around the rotation axis Q1.
  • the barrier plate rotation drive unit 74 includes a drive source such as a motor.
  • the barrier plate rotation drive unit 74 is controlled by the control unit 90.
  • step S31 to step S34 differ from the operation of the processing unit 1A in the second embodiment.
  • the shield plate 71 receives and holds the substrate W from the center robot 122.
  • the center robot 122 moves the hand to a position where the center of the substrate W placed on the hand coincides with the rotation axis Q1.
  • the shield plate lifting drive unit 75 lowers the shield plate 71 to a receiving position where the multiple chuck pins 72 are horizontally adjacent to the substrate W on the hand.
  • the processing unit 1B moves the multiple chuck pins 72 to a holding position.
  • the multiple chuck pins 72 hold the substrate W.
  • the center robot 122 retracts the hand from the chamber 10.
  • the shield plate lifting drive unit 75 lowers the shield plate 71 to the processing position.
  • the processing position is a position where the chuck pins 22 of the substrate holder 2 move to the holding position, allowing the substrate holder 2 to hold the substrate W.
  • step S32 rotation start process
  • the rotation drive unit 23 and the barrier plate rotation drive unit 74 start rotating the spin base 21 and the barrier plate 71 around the rotation axis Q1, respectively.
  • the rotation directions of the spin base 21 and the barrier plate 71 are, for example, the same, and the rotation drive unit 23 and the barrier plate rotation drive unit 74 rotate the spin base 21 and the barrier plate 71 synchronously, for example.
  • the chuck pins 22 located in the release position are radially outward of the chuck pins 72 located in the holding position. Therefore, even if the rotation speeds or directions of the spin base 21 and the barrier plate 71 are different, the processing unit 1B can rotate the barrier plate 71 and the spin base 21 while avoiding collisions between the chuck pins 22 and chuck pins 72.
  • processing unit 1B supplies rinsing liquid to substrate W, filling the first space between opposing surface 71a of blocking plate 71 and main surface Wa of substrate W with the rinsing liquid.
  • control unit 90 opens valve 32A, rinse valve 44A, valve 32B, and rinse valve 44B.
  • rinsing liquid is ejected in a continuous flow state from nozzle 3A toward main surface Wa of substrate W
  • rinsing liquid is ejected in a continuous flow state from nozzle 3B toward main surface Wb of substrate W.
  • the rinse liquid discharged from the nozzle 3A lands on the center of the main surface Wa of the substrate W, flows radially outward due to the centrifugal force generated by the rotation of the substrate W, and splashes (or flows down) outward from the periphery of the substrate W.
  • the rinse liquid fills the first space between the opposing surface 71a and the main surface Wa. In other words, the first space between the opposing surface 71a and the main surface Wa becomes liquid-tight due to the rinse liquid.
  • the gap between the opposing surface 71a and the main surface Wa and the flow rate of the rinse liquid from the nozzle 3A are set to a level that can realize a liquid-tight state of the first space. Since the gap between the opposing surface 71a and the main surface Wa is narrow, the rinse liquid filling the first space can be said to form a liquid film.
  • the rinse liquid discharged from nozzle 3B lands on the center of the main surface Wb of the substrate W, flows radially outward due to the centrifugal force generated by the rotation of the substrate W, and splashes (or flows down) outward from the periphery of the substrate W.
  • the rinse liquid fills the second space between the substrate W and the spin base 21.
  • the second space between the substrate W and the spin base 21 is liquid-tight due to the rinse liquid.
  • the gap between the substrate W and the spin base 21 and the flow rate of the rinse liquid from nozzle 3B are set to a level that can realize a liquid-tight state of the second space. Note that since the gap between the main surface Wa of the substrate W and the upper surface of the spin base 21 is narrow, the rinse liquid filling the second space can also be said to form a liquid film.
  • step S33 the rotation speeds of the blocking plate 71 and the spin base 21 may be different from each other, and the rotation directions of the blocking plate 71 and the spin base 21 may be opposite to each other. This makes it possible to agitate the liquid film of the rinsing liquid. Therefore, even if air bubbles are present in the liquid film of the rinsing liquid, the air bubbles can be efficiently crushed.
  • the processing unit 1B stops supplying the rinsing liquid.
  • the control unit 90 executes step S34 when a predetermined pre-time has elapsed since the start of supplying the rinsing liquid.
  • step S34 the processing unit 1B supplies the chemical liquid to the substrate W to fill the first space between the opposing surface 71a of the blocking plate 71 and the main surface Wa of the substrate W.
  • the control unit 90 closes the rinse valve 44A and the rinse valve 44B, and opens the valve 32A, the chemical liquid valve 43A, the valve 32B, and the chemical liquid valve 43B.
  • the chemical liquid is discharged from the nozzle 3A toward the main surface Wa of the substrate W, and the chemical liquid is discharged from the nozzle 3B toward the main surface Wb of the substrate W. Therefore, the chemical liquid is filled in the first space between the blocking plate 71 and the substrate W, while filling the second space between the substrate W and the spin base 21.
  • a liquid film of the chemical liquid is formed in the first space, while a liquid film of the chemical liquid is also formed in the second space.
  • the processing liquid in the first space and the second space is replaced from the rinsing liquid to the chemical liquid.
  • the chemical liquid can spread more evenly over the main surface Wa from the beginning of step S34, so that the rinsing liquid can be replaced more evenly with the chemical liquid.
  • the chemical liquid begins to act on the main surface Wa of the substrate W more evenly. In other words, it is possible to reduce the variation in the distribution on the main surface Wa of the start timing at which the chemical liquid begins to act on each position on the main surface Wa of the substrate W.
  • the rotation speeds of the blocking plate 71 and the spin base 21 may be changed over time to be different from each other, or the rotation directions of the blocking plate 71 and the spin base 21 may be switched alternately. This causes the relative rotation state between the blocking plate 71 and the spin base 21 to change over time. This makes it possible to effectively agitate the liquid film of the chemical liquid in the second space between the main surface Wb of the substrate W held by the blocking plate 71 and the spin base 21. Therefore, even if air bubbles are present in the liquid film of the chemical liquid in the second space, the air bubbles can be efficiently crushed.
  • the processing section 1B transfers the substrate W from the blocking plate 71 to the substrate holding section 2. Specifically, first, the control section 90 closes the chemical valve 43B. This releases the liquid-tight state of the second space between the main surface Wb of the substrate W and the spin base 21. Then, the control section 90 stops the rotation of the blocking plate 71 and the substrate holding section 2. At this time, the control section 90 stops the multiple chuck pins 72 of the blocking plate 71 and the multiple chuck pins 22 of the substrate holding section 2 so that they are different in the circumferential direction. Next, the processing section 1B moves the multiple chuck pins 22 of the substrate holding section 2 to their respective holding positions, and then moves the multiple chuck pins 72 of the blocking plate 71 to their respective release positions. This allows the substrate W to be transferred from the blocking plate 71 to the substrate holding section 2.
  • the processing section 1B rotates the blocking plate 71 and the spin base 21 of the substrate holder 2 again, and the control section 90 opens the chemical valve 43B. This makes the second space liquid-tight again.
  • the rotational speeds of the blocking plate 71 and the spin base 21 may be changed over time to be different from each other, and the rotational directions of the blocking plate 71 and the spin base 21 may be switched alternately.
  • This causes the relative rotational state between the blocking plate 71 and the spin base 21 to change over time, so that the liquid film of the chemical liquid in the first space between the opposing surface 71a of the blocking plate 71 and the main surface Wa of the substrate W held by the substrate holding part 2 can be effectively agitated. Therefore, even if air bubbles are present in the liquid film of the chemical liquid in the first space, the air bubbles can be efficiently crushed.
  • the processing unit 1B stops the supply of the chemical.
  • the control unit 90 executes step S35.
  • step S35 the processing unit 1B supplies the rinse liquid to the substrate W to fill the first space between the opposing surface 71a of the blocking plate 71 and the main surface Wa of the substrate W with the rinse liquid.
  • the control unit 90 closes the chemical liquid valve 43A and the chemical liquid valve 43B, and opens the valve 32A, the rinse valve 44A, the valve 32B, and the rinse valve 44B.
  • the rinse liquid is discharged from the nozzle 3A toward the main surface Wa of the substrate W
  • the rinse liquid is discharged from the nozzle 3B toward the main surface Wb of the substrate W.
  • the rinse liquid pushes the chemical liquid in the first space between the blocking plate 71 and the substrate W radially outward, while pushing the chemical liquid in the second space between the substrate W and the spin base 21 radially outward.
  • a liquid film of the rinse liquid is formed in the first space, and a liquid film of the rinse liquid is also formed in the second space.
  • the rinsing liquid in the first space can be agitated by the relative rotation of the blocking plate 71 and the substrate W.
  • the rinsing liquid in the first space can be agitated more effectively. This makes it possible to more effectively replace the liquid in the first space from the chemical liquid to the rinsing liquid.
  • the processing section 1B transfers the substrate W from the substrate holder 2 to the shield plate 71. This transfer is performed, for example, by displacing the chuck pins 22 and 72 with the rinse valve 44B closed.
  • the control section 90 then opens the rinse valve 44B, causing the nozzle 3B to eject the rinse liquid again. This causes the second space to become liquid-tight again.
  • the rinsing liquid in the second space can be agitated by the relative rotation of the substrate W and the spin base 21.
  • the rinsing liquid in the second space can be agitated more effectively. This makes it possible to more effectively replace the liquid in the second space from the chemical liquid to the rinsing liquid.
  • processing unit 1B stops the supply of rinse liquid.
  • control unit 90 closes valve 32A, rinse valve 44A, valve 32B, and rinse valve 44B.
  • step S36 drying step
  • the processing unit 1B dries the substrate W.
  • the substrate holder 2 further increases the rotation speed of the substrate W (so-called spin drying).
  • the rotation speed of the substrate W may be set to, for example, greater than 1200 rpm, greater than 1500 rpm, or greater than 2000 rpm. Since the rotation speed of the substrate W is higher than the rotation speed of the substrate W in steps S33 to S35, the amount of processing liquid that splashes from the periphery of the substrate W can be increased.
  • the airflow can also promote evaporation of the processing liquid on the substrate W. This allows the substrate W to be dried more quickly.
  • the processing section 1B may include a first gas supply section (not shown) that ejects an inert gas from a first gas ejection port (not shown) formed on the opposing surface 71a of the blocking plate 71 toward the main surface Wa of the substrate W, and a second gas supply section (not shown) that ejects an inert gas from a second gas ejection port (not shown) formed on the upper surface of the spin base 21 toward the main surface Wb of the substrate W.
  • the first gas supply section and the second gas supply section may eject an inert gas in step S36. This can promote drying of the substrate W.
  • the processing unit 1 stops the rotation of the substrate W. For example, when a predetermined drying time has elapsed since the increase in rotation speed, the substrate holding unit 2 stops the rotation of the substrate W.
  • processing section 1B releases its hold on the substrate W. Specifically, first, shield plate lifting drive section 75 raises shield plate 71 to the transfer position, and center robot 122 moves its hand to the transfer position. Processing section 1B then displaces multiple chuck pins 72 from their respective holding positions to the release position, and transfers the substrate W to the hand of center robot 122. Then, center robot 122 retracts its hand from chamber 10, thereby removing the substrate W from processing section 1B.
  • the processing section 1B can perform various processes on a substrate W whose main surface Wa has an uneven shape using multiple dies D0.
  • a liquid film of the rinsing liquid is also formed on the main surface Wa of the substrate W (i.e., the first space) in step S33 immediately before step S34. Therefore, at the start of step S34, the chemical liquid from the first nozzle 3 is supplied to the liquid film of the rinsing liquid. Therefore, the chemical liquid does not land directly on the corner of the die D0, but flows together with the rinsing liquid on the main surface Wa of the substrate W. Therefore, the chemical liquid can spread with high fluidity from the beginning of step S34. Therefore, the chemical liquid is replaced from the rinsing liquid more uniformly. In other words, the variation in the start timing can be reduced. In other words, the processing unit 1B can start the chemical liquid processing on the main surface Wa of the substrate W (e.g., die D0) more uniformly.
  • the processing section 1B supplies the chemical liquid while the first space between the blocking plate 71 and the substrate W is filled with the rinsing liquid. That is, while the outlet 3Aa of the nozzle 3A is in contact with the film of the rinsing liquid, the chemical liquid is discharged from the outlet 3Aa into the film of the rinsing liquid. As a result, the chemical liquid spreads through the film of the rinsing liquid, and it is possible to prevent the chemical liquid from splashing due to unevenness on the main surface Wa of the substrate W. Therefore, droplets hardly scatter outside the guard 61.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view that shows an example of a part of the configuration of the substrate W.
  • a recess Wr is formed on the surface of the support substrate W0 of the substrate W on which the die D0 is provided.
  • a part of the die D0 is inserted into the recess Wr.
  • the recess Wr has a rectangular shape similar to that of the die D0 in a plan view.
  • the depth of the die D0 may be set to, for example, one-fifth or less of the thickness of the die D0, or may be set to one-tenth or less.
  • the depth of the recess Wr may be set to about 15 ⁇ m.
  • a plurality of recesses Wr are formed in the support substrate W0 corresponding to the plurality of dies D0.
  • the plurality of recesses Wr are arranged in a matrix, for example.
  • the recesses Wr are arranged in the same manner as the die D0 in FIG. 2.
  • the substrate processing apparatus 100 and substrate processing method according to the first to third embodiments can also be applied to the substrate W illustrated in FIG. 19.
  • the substrate processing apparatus 100 and substrate processing method according to the first to third embodiments may also be applied to the support substrate W0.
  • the substrate processing apparatus 100 and substrate processing method according to any of the first to third embodiments may be applied to the support substrate W0 before the die D0 is placed on it.
  • the chemical liquid and the rinsing liquid are ejected from a common first nozzle 3, but the processing section 1 may include a first nozzle 3 for the chemical liquid and a first nozzle 3 for the rinsing liquid separately.
  • the shapes of the first nozzle 3 for the chemical liquid and the first nozzle 3 for the rinsing liquid may be the same. More specifically, the shape, size, number and pitch of the multiple ejection ports 3a may be common between the first nozzle 3 for the chemical liquid and the first nozzle 3 for the rinsing liquid.
  • the processing unit 1 may include a first nozzle 3 for the first chemical liquid and the rinsing liquid, and a first nozzle 3 for the second chemical liquid and the rinsing liquid separately. Furthermore, the processing unit 1 may include a first nozzle 3 for the first chemical liquid, a first nozzle 3 for the second chemical liquid, and a first nozzle 3 for the rinsing liquid separately. The shapes of these first nozzles 3 may be the same.
  • the first nozzle 3 is a nozzle having a plurality of outlets 3a arranged in a line, but it may also be a flat nozzle in which the plurality of outlets 3a are two-dimensionally distributed in a plan view.
  • This first nozzle 3 can supply the processing liquid over a wider range to the main surface Wa of the substrate W.
  • This first nozzle 3 may also be called a full-surface nozzle.
  • the rinse liquid used in step S3 may be a different type of rinse liquid from the rinse liquid used in step S5 (post-wet process).
  • the second space between the substrate W and the spin base 21 is also liquid-tight with the processing liquid, but this is not necessarily limited to this.
  • the nozzle 3B does not have to eject the processing liquid.
  • the nozzle 3B does not have to be provided.
  • the blocking plate 71 does not have to have the function of holding the substrate W.
  • the multiple chuck pins 72 do not have to be provided. In this case, the substrate holding unit 2 continues to hold the substrate W in steps S33 to S35.
  • Blocking plate 71a Opposing surface D0 Die L1 Rinse liquid L2 Chemical liquid S1, S11 Holding step (step) S3, S13, S17 Pre-wet process, pre-puddle process (steps) S33 Pre-wet process S34 Chemical solution treatment process S35 Post-wet process S4, S14, S18 Chemical solution treatment process, chemical solution puddle process (step) S5, S15, S19 Post-wet process, post-puddle process (step) S6, S16, S20 Replacement promotion step (step) S7, S21 Drying process (step) T Chemical solution processing time T1 Replacement time T2 Actual processing time W Substrate Wa Main surface ⁇ T Unit time

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

基板の主面上でより均一に薬液を作用させ始めることができる技術を提供する。基板処理方法はステップ（Ｓ１）（保持工程）とステップ（Ｓ３）（プリウェット工程）とステップ（Ｓ４）（薬液処理工程）とを備える。ステップ（Ｓ１）において、複数のダイを主面に有する基板を保持する。ステップ（Ｓ３）において、複数のダイをリンス液が覆う回転速度で基板を回転させつつ、基板の主面にリンス液を供給する。ステップ（Ｓ４）において、ステップ（Ｓ３）の後に、複数のダイを薬液が覆う回転速度で基板を回転させつつ、第１ノズルから基板の主面に向かって薬液を供給する。

Description

基板処理方法
　本開示は、基板処理方法に関する。
　従来から、基板に処理液を供給して基板を処理する基板処理装置が提案されている（例えば特許文献１）。特許文献１では、基板処理装置は、スピンチャックと、第１薬液ノズルと、第２薬液ノズルと、リンス液ノズルとを含んでいる。スピンチャックは基板を水平姿勢で保持しつつ、基板の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで基板を回転させる。第１薬液ノズルはシャワーノズルである。第１薬液ノズルおよび第２薬液ノズルは、回転中の基板の上面に向かって薬液を並行して吐出する。薬液は基板の上面を広がるので、薬液が基板の上面の全面に作用する。次に、リンス液ノズルが回転中の基板の上面に向かってリンス液を吐出する。これにより、基板の上面の薬液がリンス液によって洗い流される。
特開２０１８－１９５７３８号公報
　支持基板と、支持基板の主面に張り付けられた複数のダイとを含む基板を処理する場合がある。ダイの厚みはパターンの厚みに比べて大きいので、基板の主面には比較的に深い凹凸が形成される。このため、薬液を基板の主面を向かって吐出すると、凹凸によって液はねが生じたり、基板の主面上の薬液の流れが凹凸によって不均一となったりする。これらの要因により、基板の主面において、薬液が比較的速やかに到達する位置と、薬液が比較的遅くに到達する位置とが顕在化する。つまり、薬液は、基板の主面上の各位置において互いに異なる開始タイミングで作用し始める。これにより、基板に対する処理の均一性の低下を招いてしまう。
　そこで、本開示は、基板の主面上でより均一に薬液を作用させ始めることができる技術を提供することを目的とする。
　第１の態様は、基板処理方法であって、複数のダイを主面に有する基板を保持する保持工程と、前記複数のダイをリンス液が覆う回転速度で前記基板を回転させつつ、前記基板の前記主面に前記リンス液を供給するプリウェット工程と、前記プリウェット工程の後に、前記複数のダイを薬液が覆う回転速度で前記基板を回転させつつ、第１ノズルから前記基板の前記主面に向かって前記薬液を供給する薬液処理工程とを備える。
　第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理方法であって、前記保持工程において、前記主面を上方に向けた姿勢で前記基板を保持し、前記プリウェット工程は、前記基板の前記主面上に、前記複数のダイを覆う前記リンス液の液膜を維持するプリパドル工程であり、前記薬液処理工程は、前記基板の前記主面上に、前記複数のダイを覆う前記薬液の液膜を維持する薬液パドル工程である。
　第３の態様は、第２の態様にかかる基板処理方法であって、前記薬液パドル工程において、複数の吐出口を有する前記第１ノズルを、前記基板の前記主面に沿う方向に往復移動させながら、前記複数の吐出口から前記基板の前記主面に向かって前記薬液を吐出させる。
　第４の態様は、第２または第３の態様にかかる基板処理方法であって、前記薬液パドル工程において、前記基板の前記主面上の前記リンス液を前記薬液に置換した後にも、前記リンス液から前記薬液への置換に要する置換時間よりも長い実処理時間にわたって、前記第１ノズルから前記薬液を吐出させ続ける。
　第５の態様は、第２から第４のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記第１ノズルから前記基板の前記主面に向かって前記薬液を吐出する薬液処理時間と、前記基板の１回転に要する単位時間の整数倍との差は、前記単位時間の４分の１以下である。
　第６の態様は、第２から第５のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記プリパドル工程において、前記第１ノズルから前記基板の前記主面に向かって前記リンス液を吐出させる。
　第７の態様は、第２から第６のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記薬液パドル工程の後に、前記複数のダイを前記リンス液が覆う回転速度で前記基板を回転させつつ、前記第１ノズルから前記基板の前記主面に向かって前記リンス液を吐出させるポストパドル工程をさらに備える。
　第８の態様は、第７の態様にかかる基板処理方法であって、前記薬液パドル工程における前記基板の回転速度と、前記ポストパドル工程における前記基板の回転速度との差は、前記薬液パドル工程における前記基板の回転速度の５０％以下である。
　第９の態様は、第７または第８の態様にかかる基板処理方法であって、前記ポストパドル工程の後に、前記ポストパドル工程における前記基板の回転速度よりも高い回転速度で前記基板を回転させつつ、前記基板の前記主面に前記リンス液を供給する置換促進工程をさらに備える。
　第１０の態様は、第９の態様にかかる基板処理方法であって、前記置換促進工程において、第２ノズルから前記基板の前記主面の中央部に向かって前記リンス液を吐出させる。
　第１１の態様は、第９または第１０の態様にかかる基板処理方法であって、前記置換促進工程の後に、前記置換促進工程における前記基板の回転速度よりも高い回転速度で前記基板を回転させて、前記基板を乾燥させる乾燥工程をさらに備える。
　第１２の態様は、第９から第１１のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記プリパドル工程、前記薬液パドル工程、前記ポストパドル工程および前記置換促進工程の一組を複数回行い、前記薬液パドル工程では、互いに異なる薬液を前記基板の前記主面に供給する。
　第１３の態様は、第１の態様にかかる基板処理方法であって、前記保持工程において、前記主面を下方に向けた姿勢で前記基板を保持する。
　第１４の態様は、第１３に記載の基板処理方法であって、前記薬液処理工程において、第１ノズルの複数の吐出口から前記基板の前記主面に向かって前記薬液を吐出させ、前記第１ノズルは、前記基板の前記主面のうちの径方向内側の中央領域への流量よりも大きな流量で前記主面のうちの径方向外側の周辺領域に向かって前記薬液を吐出させる。
　第１５の態様は、第１の態様にかかる基板処理方法であって、前記プリウェット工程において、前記基板の前記主面と向かい合う遮断板の対向面と、前記主面との間の空間に前記リンス液を充填させ、前記薬液処理工程において、前記対向面と前記主面との間の前記空間に前記薬液を充填させる。
　第１の態様によれば、薬液処理工程の初期では、複数のダイを覆ったリンス液に薬液が着液する。薬液はリンス液とともに拡散するので、基板の主面を広がりやすい。このため、薬液は基板の主面に対してより均一に作用し始める。したがって、基板の主面に対してより均一に薬液処理を行うことができる。
　第２の態様によれば、基板の主面には複数のダイが存在しているので、基板の主面は凹凸形状を有する。このような基板の回転速度が高くなると、リンス液がダイの角部ではねる。しかも、回転速度が高くなると、基板の主面上のリンス液の液膜の厚みが薄くなり、その結果、複数のダイの表面の少なくとも一部がリンス液に覆われずに露出し得る。しかるに、第２態様によれば、リンス液が複数のダイを覆う回転速度で基板が回転する。このため、回転速度は比較的に低く、リンス液の液はねを抑制することができる。
　また、第２の態様でも、薬液パドル工程の初期では、複数のダイを覆ったリンス液に薬液が着液する。薬液はリンス液とともに拡散するので、基板の主面を広がりやすい。このため、薬液は基板の主面に対してより均一に作用し始める。したがって、基板の主面に対してより均一に薬液処理を行うことができる。
　第３の態様によれば、薬液を基板の主面により均一に供給することができる。
　第４の態様によれば、基板の主面上のリンス液が薬液に置換された後にも、未だ基板の主面と反応していない新しい薬液が第１ノズルから基板の主面に向かって吐出され続ける。このため、基板の主面と反応した古い薬液は新しい薬液によって押しが流されて基板の周縁から流下し、新しい薬液が基板の主面に作用する。したがって、より高いスループットで基板の主面を処理することができる。
　第５の態様によれば、さらに均一に基板の主面を処理することができる。
　第６の態様によれば、プリパドル工程でも薬液パドル工程と同じ第１ノズルを用いているので、処理が簡易である。
　第７の態様によれば、薬液パドル工程と同じ第１ノズルからリンス液を吐出させる。このため、基板の主面上の各位置において、薬液が供給され始めてからリンス液が供給されるまでの実質的な処理時間のばらつきを低減させることができる。したがって、より均一に基板を処理することができる。
　第８の態様によれば、実質的な処理時間のばらつきをさらに低減させることができる。
　第９の態様によれば、ポストパドル工程によっても基板の主面上に残留した薬液を、基板の周縁から外側に飛散させることができる。つまり、より確実に薬液をリンス液に置換することができる。
　第１０の態様によれば、リンス液が基板の中央部から周縁部に向かって流れるので、薬液を周縁部へ押し流しやすく、さらに確実に薬液をリンス液に置換することができる。
　第１１の態様によれば、置換促進工程における回転速度よりも高い回転速度で基板が回転するので、より速やかに基板を乾燥させることができる。逆に言えば、置換促進工程における基板Ｗの回転速度は、乾燥工程における基板Ｗの回転速度よりも低いので、置換促進工程において、リンス液の液はねを抑制することができる。
　第１２の態様によれば、置換促進工程では基板の回転速度が比較的に高いので、複数のダイの表面の少なくとも一部がリンス液によって覆われずに露出し得る。しかしながら、置換促進工程の後に、プリパドル工程が再び行われるので、薬液パドル工程を開始する時点で、リンス液の液膜が複数のダイを覆う。このため、各薬液パドル工程において、基板の主面に対してより均一に薬液を作用させ始めることができる。
　第１３の態様によれば、基板の主面のダイによって跳ね返った処理液の液滴群は下方に向かう。したがって、処理液が周囲に飛散することを抑制できる。
　第１４の態様によれば、基板の主面により均一に薬液を供給することができる。
　第１５の態様によれば、遮断板と基板との間の空間をリンス液で充填した状態で、薬液を供給する。このため、基板Ｗの主面のダイによる薬液の液はねを回避することができる。
基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。 基板の構成の一例を概略的に示す平面図である。 基板の構成の一部の一例を概略的に示す断面図である。 制御部の構成の一例を概略的に示すブロック図である。 第１実施形態にかかる処理部の構成の第１例を概略的に示す図である。 第１実施形態にかかる基板処理の第１例を示すフローチャートである。 各ステップにおける処理部の様子の一例を概略的に示す図である。 各ステップにおける処理部の様子の一例を概略的に示す図である。 基板の回転速度の時間変化の一例を示すグラフである。 第１ノズルが往復移動する様子の一例を概略的に示す平面図である。 薬液がリンス液の液膜に着液する様子の一例を示す図である。 第１ノズルと基板との位置関係を示す平面図である。 基板の主面上の周方向の各位置における開始タイミング、終了タイミングおよび実質的な処理時間を示すグラフである。 第１実施形態にかかる処理部の構成の第２例を概略的に示す図である。 第１実施形態にかかる基板処理の第２例を示すフローチャートである。 第２実施形態にかかる処理部の構成の一例を概略的に示す図である。 第２実施形態にかかる基板処理の一例を示すフローチャートである。 第３実施形態にかかる処理部の構成の一例を概略的に示す図である。 基板の構成の一部の一例を概略的に示す断面図である。
　以下、図面を参照しつつ実施の形態について詳細に説明する。なお図面においては、理解容易の目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。また同様な構成及び機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。
　また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。
　また、以下に記載される説明において、「第１」または「第２」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序に限定されるものではない。
　相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現が用いられる場合、該表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現が用いられる場合、該表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣのうち任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣの全てを含む。
　＜基板処理装置の全体構成＞
　図１は、基板処理装置１００の構成の一例を概略的に示す平面図である。基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。
　図２は、基板Ｗの構成の一例を概略的に示す平面図であり、図３は、基板Ｗの構成の一部の一例を概略的に示す断面図である。基板Ｗは板状の形状を有している。つまり、基板Ｗは、その厚み方向において互いに対向する主面Ｗａおよび主面Ｗｂを有している。図２および図３に示されるように、基板Ｗはその主面Ｗａにおいて、複数のダイＤ０を有している。ダイＤ０は、電子回路を含んだチップである。ダイＤ０は半導体チップとも呼ばれ得る。
　図２および図３の例では、基板Ｗは、支持基板Ｗ０と、複数のダイＤ０とを含む。支持基板Ｗ０は板状の形状を有している。支持基板Ｗ０は特に制限されないものの、例えば半導体基板もしくはガラス基板である。図２の例では、支持基板Ｗ０は円板形状を有している。支持基板Ｗ０の直径は例えば３００ｍｍ程度である。支持基板Ｗ０の両主面は平坦であり、その支持基板Ｗ０の一方の主面に複数のダイＤ０が設けられている。
　複数のダイＤ０は平面視において二次元的に配列される。各ダイＤ０は板状の形状を有しており、その一主面が支持基板Ｗ０の主面と対面する状態で、支持基板Ｗ０に設けられる。例えば、各ダイＤ０は接着剤等によって支持基板Ｗ０に貼り合わせられてもよい。図２の例では、各ダイＤ０は平面視において矩形状の形状を有している。具体的には、ダイＤ０は例えば１０ｍｍ×１０ｍｍ程度の矩形状の形状を有する。図２の例では、複数のダイＤ０は、その一辺に沿う第１方向を行方向とし、第１方向に交差する第２方向を列方向としたマトリックス状に配列されている。各ダイＤ０の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上であってもよく、０．２ｍｍ以上であってもよく、０．５ｍｍ以上であってもよく、１ｍｍ以上であってもよい。ダイＤ０の間隔（つまり、ダイＤ０どうしの隙間）の最小値は例えば０．１μｍ以上であってもよく、１μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよく、１００μｍ以上であってもよく、１ｍｍ以上であってもよい。また、ダイＤ０の間隔の最大値は、２ｍｍ以下であってもよい。
　このような基板Ｗの主面Ｗａは、支持基板Ｗ０の一方の主面のうちの複数のダイＤ０によって覆われていない部分と、複数のダイＤ０の表面のうちの支持基板Ｗ０と対面しない部分とによって構成される。このため、基板Ｗの主面Ｗａには、ダイＤ０による凹凸形状が形成される。当該凹凸形状において、各ダイＤ０は凸部に相当する。各ダイＤ０の厚みは、ダイＤ０に含まれるパターンの厚みに比べて大きいので、基板Ｗの主面Ｗａに形成される凹凸の深さは比較的に大きい。
　図１の例では、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１０と、処理ブロック１２０と、制御部９０とを含む。インデクサブロック１１０は、処理ブロック１２０と外部との間で基板Ｗを搬出入するためのインターフェース部である。処理ブロック１２０は、主として、インデクサブロック１１０から受け取った基板Ｗを処理する部分である。制御部９０は、基板処理装置１００を統括的に制御する部分である。
　＜インデクサブロック１１０＞
　図１の例では、インデクサブロック１１０は、複数のロードポート１１１と、インデクサロボット１１２とを含む。各ロードポート１１１は、外部から搬入された基板収容器（以下、キャリアＣと呼ぶ）を保持する。キャリアＣには、複数の基板Ｗが鉛直方向に並んだ状態で収容される。インデクサロボット１１２は、キャリアＣと処理ブロック１２０との間で基板Ｗを搬送する搬送ユニットである。インデクサロボット１１２はキャリアＣから未処理の基板Ｗを順次に取り出し、該基板Ｗを処理ブロック１２０に搬送する。また、インデクサロボット１１２は、処理ブロック１２０によって処理された処理済みの基板Ｗを処理ブロック１２０から順次に受け取り、該基板ＷをキャリアＣに収容する。処理済みの複数の基板Ｗを収容したキャリアＣはロードポート１１１から外部に搬出される。
　＜処理ブロック１２０＞
　図１の例では、処理ブロック１２０は、１つ以上の処理部１と、センターロボット１２２とを含んでいる。図１の例では、処理ブロック１２０は複数の処理部１を含む。センターロボット１２２は、インデクサロボット１１２および処理部１の間で基板Ｗを搬送する搬送ユニットである。センターロボット１２２はインデクサロボット１１２からの未処理の基板Ｗを処理部１に搬入し、処理部１によって処理された処理済みの基板Ｗを処理部１から搬出する。センターロボット１２２は、必要に応じて基板Ｗを他の処理部１に搬送した後に、基板Ｗをインデクサロボット１１２に渡す。
　各処理部１は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。処理部１の具体的な構成の一例については後に詳述する。
　＜制御部９０＞
　制御部９０は、基板処理装置１００を統括的に制御する。具体的には、制御部９０はインデクサロボット１１２、センターロボット１２２および処理部１を制御する。図４は、制御部９０の構成の一例を概略的に示すブロック図である。制御部９０は電子回路であって、例えばデータ処理部９１および記憶部９２を有している。図４の具体例では、データ処理部９１と記憶部９２とはバス９３を介して相互に接続されている。データ処理部９１は例えばＣＰＵ（Central Processor Unit）などの演算処理装置であってもよい。記憶部９２は非一時的な記憶部（例えばＲＯＭ（Read Only Memory）またはハードディスク）９２１および一時的な記憶部（例えばＲＡＭ（Random Access Memory））９２２を有していてもよい。非一時的な記憶部９２１には、例えば制御部９０が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。データ処理部９１がこのプログラムを実行することにより、制御部９０が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部９０が実行する処理の一部または全部が専用の論理回路などのハードウェアによって実行されてもよい。
　＜処理部＞
　図５は、第１実施形態にかかる処理部１の構成の第１例を概略的に示す図である。なお、基板処理装置１００に属する全ての処理部１が、図５に例示された構成を有している必要はない。基板処理装置１００の少なくとも一つの処理部１が、図５に例示された構成を有していればよい。
　処理部１は、基板Ｗの主面Ｗａに種々の処理液を供給して、該処理液に応じた処理を基板Ｗ（例えばダイＤ０）に対して行う。図５に示されるように、処理部１は、基板保持部２と、第１ノズル３とを含んでいる。
　図５の例では、処理部１はチャンバ１０も含んでいる。チャンバ１０は箱形の形状を有している。チャンバ１０の内部空間は、基板Ｗを処理する処理空間に相当する。チャンバ１０には、開閉可能な搬出入口（不図示）が設けられる。センターロボット１２２は搬出入口を通じて未処理の基板Ｗをチャンバ１０内に搬入し、また、搬出入口を通じて処理済みの基板Ｗをチャンバ１０から搬出する。基板Ｗはその主面Ｗａが鉛直上方を向く姿勢でチャンバ１０内に搬入される。
　基板保持部２はチャンバ１０内に設けられている。基板保持部２は基板Ｗを水平姿勢で保持しつつ、基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。ここでいう水平姿勢とは、基板Ｗの厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢である。基板Ｗは、その主面Ｗａが鉛直上方を向いた状態で搬入されるので、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面Ｗａが上面に相当する。つまり、基板保持部２は、主面Ｗａが鉛直上方に向く姿勢で基板Ｗを保持する。回転軸線Ｑ１は、基板Ｗの中心を通り、かつ、鉛直方向に沿う軸線である。このような基板保持部２はスピンチャックとも呼ばれ得る。
　図５の例では、基板保持部２は、スピンベース２１と、チャックピン２２と、回転駆動部２３とを含んでいる。スピンベース２１は板状の形状（例えば円板形状）を有し、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。
　複数のチャックピン２２はスピンベース２１の上面に設けられている。複数のチャックピン２２は回転軸線Ｑ１についての周方向に沿って例えば等間隔に設けられる。複数のチャックピン２２は、次に説明する保持位置と解除位置との間で変位可能に設けられる。保持位置とは、チャックピン２２が基板Ｗの周縁に当接する位置である。複数のチャックピン２２がそれぞれの保持位置で停止することにより、複数のチャックピン２２が基板Ｗを保持する。図２では、保持位置で停止したチャックピン２２が示されている。解除位置とは、各チャックピン２２が基板Ｗから離れた位置である。複数のチャックピン２２がそれぞれの解除位置で停止することにより、チャックピン２２による基板Ｗの保持が解除される。基板保持部２は、チャックピン２２を変位させるピン駆動部（不図示）も含む。ピン駆動部は、例えばモータまたはエアシリンダ等の駆動源を含み、制御部９０によって制御される。
　回転駆動部２３はシャフト２３１とモータ２３２とを含んでいる。シャフト２３１の上端はスピンベース２１の下面に接続されており、シャフト２３１はスピンベース２１の下面から回転軸線Ｑ１に沿って延びている。モータ２３２は制御部９０によって制御され、シャフト２３１を回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。これにより、スピンベース２１、チャックピン２２および基板Ｗが回転軸線Ｑ１のまわりで一体に回転する。
　なお、基板保持部２は必ずしもチャックピン２２を有している必要はない。例えば、基板保持部２は、真空チャック、静電チャックおよびベルヌーイチャック等のチャック方式により、基板Ｗを保持してもよい。
　第１ノズル３はチャンバ１０内において、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも鉛直上方に設けられている。第１ノズル３は、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面Ｗａに向かって、処理液を吐出する。図５の例では、第１ノズル３は、処理液として薬液およびリンス液を選択的に吐出可能である。図５の例では、第１ノズル３は給液管３１の下流端に接続され、給液管３１の上流端は切換部４に接続され、切換部４は薬液供給管４１の下流端およびリンス液供給管４２の下流端にも接続される。薬液供給管４１の上流端は薬液供給源（不図示）に接続され、リンス液供給管４２の上流端はリンス液供給源（不図示）に接続される。切換部４は制御部９０によって制御され、給液管３１に連通させる配管を、薬液供給管４１およびリンス液供給管４２の間で切り替える。
　切換部４は例えば多連弁であってもよい。具体的には、切換部４は薬液バルブ４３およびリンスバルブ４４を含んでもよい。これらのバルブは制御部９０によって制御される。薬液バルブ４３が開くことにより、薬液供給管４１が給液管３１に連通する。この状態で後述のバルブ３２が開くと、薬液供給源からの薬液は薬液供給管４１、切換部４および給液管３１を通じて第１ノズル３に供給され、第１ノズル３から吐出される。また、リンスバルブ４４が開くことにより、リンス液供給管４２が給液管３１に連通する。この状態で後述のバルブ３２が開くと、リンス液供給源からのリンス液はリンス液供給管４２、切換部４および給液管３１を通じて第１ノズル３に供給され、第１ノズル３から吐出される。
　薬液は例えば硫酸および過酸化水素水の混合液（ＳＰＭ）である。薬液は、ＳＰＭのほか、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、リン酸、酢酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（例えばクエン酸、蓚酸）、有機アルカリ（例えば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）、界面活性剤、および腐食防止剤の少なくとも１つを含む液であってもよい。リンス液は、例えば純水（つまり、脱イオン水）または二酸化炭素水である。
　薬液供給管４１にはヒータ（不図示）が設けられてもよい。ヒータは、薬液供給管４１を流れる薬液を加熱して、薬液の温度を処理に適した温度まで上昇させる。例えば、薬液として硫酸と過酸化水素水との混合液を適用する場合、薬液の温度を例えば常温よりも高く、かつ、摂氏８０度以下の範囲に調整してもよい。当該ヒータは制御部９０によって制御される。
　図５の例では、給液管３１には、バルブ３２および流量調整バルブ３３が介挿されている。バルブ３２が開くことにより、第１ノズル３から処理液が吐出され、バルブ３２が閉じることにより、第１ノズル３からの処理液の吐出が停止する。流量調整バルブ３３は、給液管３１を流れる処理液の流量を調整する。流量調整バルブ３３はマスフローコントローラであってもよい。バルブ３２および流量調整バルブ３３は制御部９０によって制御される。
　図５の例では、第１ノズル３はシャワーノズルである。つまり、第１ノズル３は複数の吐出口３ａを有している。図５の例では、第１ノズル３は、基板Ｗの主面Ｗａに沿う方向（例えば水平方向）に延びており、その下面に複数の吐出口３ａが形成されている。複数の吐出口３ａは第１ノズル３の長手方向に沿って間隔をあけて配列される。複数の吐出口３ａは１列に配列されてもよい。吐出口３ａの個数は特に制限されないものの、例えば、１０個以上であってもよく、１５個以上であってもよい。吐出口３ａは例えば平面視で円状の形状を有していてもよく、その直径は例えば数ｍｍ程度に設定されていてもよい。
　図５の例では、処理部１はノズル移動駆動部３４も含んでいる。ノズル移動駆動部３４は制御部９０によって制御され、第１ノズル３をチャンバ１０内で移動させる。具体的には、ノズル移動駆動部３４は第１ノズル３を、次に説明する第１処理位置と第１待機位置との間で移動させる。第１処理位置は、第１ノズル３が、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面Ｗａに処理液を吐出する位置であり、基板Ｗの主面Ｗａと鉛直方向において対向する位置である。図５の例では、第１処理位置で停止した第１ノズル３が示されている。第１待機位置は、第１ノズル３が、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面Ｗａに処理液を吐出しない位置であり、例えば、基板Ｗよりも径方向外側の位置である。
　第１処理位置は、第１ノズル３の長手方向が回転軸線Ｑ１についての径方向に沿う位置であってもよい。言い換えれば、第１処理位置は、第１ノズル３の複数の吐出口３ａが径方向に沿って並ぶ位置であってもよい。第１処理位置において、第１ノズル３の複数の吐出口３ａのうち最も回転軸線Ｑ１に近い吐出口３ａは、基板Ｗの主面Ｗａの中央部と鉛直方向において対向し、複数の吐出口３ａのうち最も回転軸線Ｑ１から遠い吐出口３ａは、基板Ｗの主面Ｗａのうちの周縁部と鉛直方向において対向する。回転軸線Ｑ１に最も近い吐出口３ａと、回転軸線Ｑ１から最も遠い吐出口３ａとの間隔（例えば吐出口３ａの中心どうしの間隔）は、基板Ｗの半径の２分の１以上であってもよく、３分の２以上であってもよく、４分の３以上であってもよく、５分の４以上であってもよい。
　図５の例では、ノズル移動駆動部３４は、アーム３５と、支持柱３６と、回転駆動部３７とを含んでいる。支持柱３６は、鉛直方向に沿って延びる柱状の形状を有し、平面視において、基板保持部２よりも径方向外側に設けられている。アーム３５は、水平方向に沿って延びる棒状の形状を有しており、その基端部が支持柱３６に接続されている。アーム３５の先端部には、給液管３１によって貫通される配管保持部３５１が設けられている。配管保持部３５１は給液管３１を保持する。回転駆動部３７は、制御部９０によって制御されるモータ（不図示）を含んでおり、支持柱３６をその中心軸線Ｑ２のまわりで所定の角度範囲で正逆方向に回転させる。これにより、第１ノズル３は、中心軸線Ｑ２についての周方向に沿って往復移動する。なお、ノズル移動駆動部３４は必ずしも上記構成を有している必要はなく、例えば、ボールねじ機構またはリニアモータ等の直動駆動部を含んでいてもよい。
　図５の例では、処理部１は第２ノズル５も含んでいる。第２ノズル５はチャンバ１０内において、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも鉛直上方に設けられている。第２ノズル５は、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面Ｗａに向かってリンス液を吐出する。第２ノズル５は例えば鉛直方向に沿って延びる形状を有しており、その下面に吐出口５ａを有している。図５の例では、第２ノズル５は単一の吐出口５ａを有する。
　第２ノズル５はリンス液管５１の下流端に接続されており、リンス液管５１の上流端はリンス液供給源（不図示）に接続されている。リンス液管５１にはバルブ５２および流量調整バルブ５３が介挿されている。バルブ５２が開くことにより、第２ノズル５からリンス液が吐出され、バルブ５２が閉じることにより、第２ノズル５からのリンス液の吐出が停止する。流量調整バルブ５３は、リンス液管５１を流れるリンス液の流量を調整する。流量調整バルブ５３はマスフローコントローラであってもよい。バルブ５２および流量調整バルブ５３は制御部９０によって制御される。
　図５の例では、処理部１はノズル移動駆動部５４も含んでいる。ノズル移動駆動部５４は制御部９０によって制御され、第２ノズル５を、次に説明する第２処理位置と第２待機位置との間で移動させる。第２処理位置は、第２ノズル５が、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面Ｗａに処理液を吐出する位置であり、例えば、基板Ｗの主面Ｗａの中央部と鉛直方向において対向する位置である。第２待機位置は、第２ノズル５が、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面Ｗａに処理液を吐出しない位置であり、例えば、基板Ｗよりも径方向外側の位置である。図５では、第２待機位置で停止した第２ノズル５が示されている。ノズル移動駆動部５４の具体的な構成の一例は、ノズル移動駆動部３４の構成と同様である。
　第１ノズル３または第２ノズル５から回転中の基板Ｗの主面Ｗａに向かって処理液が吐出されることにより、処理液が基板Ｗの主面Ｗａの全面に供給される。これにより、処理液に応じた処理が基板Ｗに対して行われる。
　図５の例では、処理部１はガード６１およびガード昇降駆動部６３も含んでいる。ガード６１は、基板保持部２によって保持された基板Ｗを取り囲む筒状の形状を有している。ガード昇降駆動部６３は制御部９０によって制御され、ガード６１を、次に説明する上位置と下位置との間で昇降させる。上位置は、ガード６１の上端が、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面Ｗａよりも鉛直上方となる位置である。図５では、上位置で停止したガード６１が示されている。ガード６１が上位置で位置する状態では、処理液が基板Ｗの周縁から径方向外側に飛散すると、ガード６１は、飛散した処理液を受け止めることができる。下位置は、ガード６１の上端が、上位置よりも鉛直下方となる位置であり、例えばスピンベース２１の上面よりも鉛直下方となる位置である。ガード昇降駆動部６３は例えばボールねじ機構またはエアシリンダを有する。
　カップ６２は、ガード６１の内周面を流下した処理液を受け止める。カップ６２の下部には、回収管６４の上流端が接続されており、カップ６２によって受け止められた処理液は回収管６４を通じて回収される。カップ６２はガード６１と別体であってもよく、ガード６１と一体に形成されてもよい。
　＜基板処理の第１例＞
　図６は、第１実施形態にかかる基板処理の第１例を示すフローチャートである。図７および図８は、各ステップにおける処理部１の様子の一例を概略的に示す図である。
　まず、センターロボット１２２が基板Ｗを処理部１のチャンバ１０内に搬入し、基板保持部２が基板Ｗを受け取って、基板Ｗを保持する（ステップＳ１：保持工程）。具体的な一例として、基板保持部２は複数のチャックピン２２をそれぞれの解除位置から保持位置に変位させる。これにより、複数のチャックピン２２が基板Ｗを保持する。基板保持部２は、基板Ｗに対する処理の終了まで基板Ｗを保持し続ける。またここでは、チャンバ１０内への搬入時において、基板Ｗの主面Ｗａはおおむね乾燥状態にある。
　次に、基板保持部２は基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させ始める（ステップＳ２）。基板保持部２は、基板Ｗに対する処理の終了まで基板Ｗの回転を維持してもよい。図９は、基板Ｗの回転速度（例えば目標値）の時間変化の一例を示すグラフである。各ステップにおける基板Ｗの回転速度については、後に述べる。ステップＳ１の後に、ガード昇降駆動部６３はガード６１を上位置に上昇させてもよい。
　次に、処理部１は基板Ｗの主面Ｗａにリンス液Ｌ１を供給する（ステップＳ３：プリウェット工程）。図７（ａ）は、ステップＳ３における処理部１の様子の一例を示している。ステップＳ３において、基板保持部２は、基板ＷのダイＤ０の表面がリンス液Ｌ１で覆われる程度の回転速度で基板Ｗを回転させる。具体的な一例として、基板保持部２は、２０ｒｐｍ以下の回転速度で基板Ｗを回転させる。基板Ｗの回転速度は、１５ｒｐｍ以下であってもよい。なお、基板Ｗの回転速度の目標値はステップＳ３にわたって一定に設定されてもよい（図９も参照）。制御部９は当該目標値に基づいて、基板Ｗの回転速度が目標値に近づくように、基板保持部２（具体的にはモータ２３２）を制御する。
　処理部１は当該回転速度で基板Ｗを回転させつつ、リンス液Ｌ１を基板Ｗの主面Ｗａに供給する。処理部１は第１ノズル３または第２ノズル５を用いて、リンス液Ｌ１を基板Ｗの主面Ｗａに供給して、複数のダイＤ０を覆うリンス液Ｌ１の液膜を形成する。ここでは一例として、第１ノズル３が用いられる。具体的には、まず、ノズル移動駆動部３４が第１ノズル３を第１処理位置に移動させる。そして、制御部９０はリンスバルブ４４およびバルブ３２を開く。これにより、第１ノズル３の複数の吐出口３ａから連続流の状態でリンス液Ｌ１が吐出される（図７（ａ）も参照）。流量調整バルブ３３はリンス液Ｌ１の流量を例えば０．１Ｌ（リットル）／ｍｉｎ以上かつ２．０Ｌ／ｍｉｎ以下となるように調整する。リンス液Ｌ１の流量は１．０Ｌ／ｍｉｎ以上に調整されてもよい。
　以上のように、ステップＳ３では、第１ノズル３は、低速回転中の基板Ｗの主面Ｗａに向かってリンス液Ｌ１を吐出する。もし仮に、基板Ｗの回転速度が高くなると、基板Ｗの主面Ｗａ上のリンス液Ｌ１の液膜は薄くなるので、ダイＤ０の表面の少なくとも一部がリンス液Ｌ１によって覆われずに、露出し得る。これに対して、ステップＳ３では、基板保持部２は例えば２０ｒｐｍ以下（あるいは１５ｒｐｍ）以下の回転速度で基板Ｗを回転させる。このため、リンス液Ｌ１の液膜の厚みは大きく、リンス液Ｌ１が複数のダイＤ０の表面を覆うことができる。ここで、リンス液Ｌ１の液膜のうちダイＤ０どうしの間の部分の厚みは、ダイＤ０の厚み以上になり得る（後述の図１１も参照）。また、この例では、低回転速度で基板Ｗの主面Ｗａの上に上記液膜を維持するので、ステップＳ３はいわゆるパドル処理であるともいえる。このため、以下では、プリウェット工程をプリパドル工程とも呼ぶ。
　ステップＳ３（プリパドル工程）において、ノズル移動駆動部３４は第１ノズル３を、基板Ｗの主面Ｗａに沿う方向（例えば水平方向）に所定の移動範囲内で往復移動させてもよい。このような往復移動は揺動とも呼ばれ得る。図１０は、第１ノズル３が往復移動する様子の一例を概略的に示す平面図である。所定の移動範囲は、例えば、第１ノズル３の長手方向が回転軸線Ｑ１についての径方向に沿う基準位置を中心に含む範囲である。図１０では、基準位置に位置する第１ノズル３が実線で示されている。例えば、ノズル移動駆動部３４は、回転軸線Ｑ１に最も近い吐出口３ａが、基準位置を中心とした±数十ｍｍ程度（例えば４０ｍｍ）となる移動範囲内で往復移動するように、第１ノズル３を移動させてもよい。
　このようにノズル移動駆動部３４が第１ノズル３を往復移動させれば、各吐出口３ａからのリンス液Ｌ１の着液位置を移動させることができる。具体的には、各着液位置は回転軸線Ｑ１についての周方向のみならず径方向にも移動する。このため、処理部１はリンス液Ｌ１を基板Ｗの主面Ｗａに対してより均一に供給することができる。したがって、処理部１はカバレッジの良好なリンス液Ｌ１の液膜を、より速やかに形成することができる。
　複数のダイＤ０の表面を十分に覆う程度にリンス液Ｌ１の液膜が形成されると、処理部１はリンス液Ｌ１の供給を停止する。具体的な一例として、リンス液Ｌ１の供給開始から所定のプリ時間が経過したときに、制御部９０は後述のステップＳ４を実行する。なお、プリ時間は予め設定されて、例えば記憶部９２１に記憶される。後述の他の時間も同様である。経過時間の測定は、例えば制御部９０に含まれた不図示のタイマ回路によって行われる。
　次に、処理部１は、複数のダイＤ０の表面が薬液Ｌ２で覆われる程度の回転速度で基板Ｗを回転させつつ、第１ノズル３から基板Ｗの主面Ｗａに向かって薬液Ｌ２を吐出させる（ステップＳ４：薬液処理工程）。図７（ｂ）および図７（ｃ）は、ステップＳ４における処理部１の様子の一例を示している。図７（ｂ）は、ステップＳ４の初期における処理部１の様子の一例を示しており、図７（ｃ）は、その後の処理部１の様子の一例を示している。
　例えば、基板保持部２は２０ｒｐｍ以下の回転速度で基板Ｗを回転させる。基板Ｗの回転速度は１５ｒｐｍ以下に設定されてもよい。また、基板Ｗの回転速度の目標値はステップＳ４にわたって一定に設定されてもよい（図９も参照）。図９の例では、ステップＳ４における基板Ｗの回転速度はステップＳ３における基板Ｗの回転速度と同じである。ただし、これらの回転速度が互いに異なっていてもよい。
　処理部１は低速回転中の基板Ｗの主面Ｗａに対して、第１ノズル３を用いて薬液Ｌ２を供給する。具体的には、制御部９０はリンスバルブ４４を閉じ、薬液バルブ４３およびバルブ３２を開く。これにより、第１ノズル３の複数の吐出口３ａから連続流の状態で薬液Ｌ２が基板Ｗの主面Ｗａに向かって吐出される（図７（ｂ）参照）。流量調整バルブ３３は薬液Ｌ２の流量を例えば０．１Ｌ／ｍｉｎ以上かつ２．０Ｌ／ｍｉｎ以下となるように調整する。薬液Ｌ２の流量は１．０Ｌ／ｍｉｎ以上に設定されてもよい。
　このように、ステップＳ４では、第１ノズル３は、低速回転中の基板Ｗの主面Ｗａに向かって薬液Ｌ２を吐出する。ステップＳ４の初期では、薬液Ｌ２は基板Ｗの主面Ｗａ上のリンス液Ｌ１の液膜に着液する。図１１は、薬液Ｌ２がリンス液Ｌ１の液膜に着液する様子の一例を示す図である。図１１に示されるように、薬液Ｌ２はリンス液Ｌ１の液膜に着液するので、ダイＤ０の角部には直接に着液しない。このため、薬液Ｌ２の液はねを抑制することができる。しかも、薬液Ｌ２は基板Ｗの主面Ｗａ上においてリンス液Ｌ１とともに流動することができるので、薬液Ｌ２は基板Ｗの主面Ｗａに沿って流動しやすい。このため、ステップＳ４の初期においても、薬液Ｌ２は各着液位置からより均一に広がることができる。
　薬液Ｌ２の供給により、主面Ｗａ上の処理液（リンス液Ｌ１および薬液Ｌ２）は基板Ｗの周縁から溢れ出る。ステップＳ４では、基板Ｗの回転速度が低いので、処理液はガード６１の内周面まで飛散されることなく、基板Ｗの周縁から流下する（図７（ｂ）および図７（ｃ）参照）。言い換えれば、基板保持部２は、基板Ｗの周縁からの処理液がガード６１に到達することなく流下する程度の回転速度で、基板Ｗを回転させている。基板Ｗの周縁から流下した処理液はカップ６２によって受け止められ、回収管６４を通じて回収される。
　薬液Ｌ２の供給により、処理液が基板Ｗの主面Ｗａ上から溢れ出るので、主面Ｗａ上の処理液はリンス液Ｌ１から薬液Ｌ２に置換される。上述のように、ステップＳ４の初期から薬液Ｌ２はより均一に主面Ｗａ上を広がることができるので、より均一にリンス液Ｌ１を薬液Ｌ２に置換することができる。このため、薬液Ｌ２はより均一に基板Ｗの主面Ｗａに作用し始める。言い換えれば、基板Ｗの主面Ｗａ上の各位置に薬液Ｌ２が作用し始める開始タイミングの主面Ｗａ上の分布のばらつきを低減させることができる。
　また、上述のように、第１ノズル３が、径方向に沿って並ぶ複数の吐出口３ａから薬液Ｌ２を吐出すれば、特に径方向における開始タイミングのばらつきを効果的に低減させることができる。
　ステップＳ４でも、基板Ｗの回転速度は低いので、基板Ｗの主面Ｗａ上の薬液Ｌ２の液膜を厚くすることができ、薬液Ｌ２の液膜が基板Ｗの複数のダイＤ０の表面を覆うことができる。このため、薬液Ｌ２が基板Ｗの主面Ｗａ（特にダイＤ０）に対してより適切に作用することができる。つまり、基板Ｗの主面Ｗａに対して適切に薬液処理を行うことができる。ここで、薬液Ｌ２の液膜のうちダイＤ０どうしの間の部分の厚みは、ダイＤ０の厚み以上になり得る。この例では、低回転速度で基板Ｗの主面Ｗａの上に上記液膜を維持するので、ステップＳ４もいわゆるパドル処理であるといえる。このため、以下では、薬液処理工程を薬液パドル工程とも呼ぶ。
　ところで、基板Ｗの主面Ｗａ上の薬液Ｌ２は基板Ｗの主面Ｗａと反応するので、当該反応により、薬液Ｌ２中の有効成分が減少する。有効成分の減少は処理の不足またはスループットの低下を招いてしまう。また、当該反応によって副生成物などの異物も生じる。異物が基板Ｗの主面Ｗａ上に残留することは望ましくない。
　そこで、処理部１は、リンス液Ｌ１から薬液Ｌ２の置換後にも、第１ノズル３から薬液Ｌ２を基板Ｗの主面Ｗａに向かって吐出させ続けてもよい。第１ノズル３から新たな薬液Ｌ２が基板Ｗの主面Ｗａに供給され続けるので、十分な有効成分を含んだ薬液Ｌ２が基板Ｗの主面Ｗａと反応する。このため、基板Ｗの主面Ｗａに対する処理の不足を抑制することができる。あるいは、処理のスループットを向上させることができる。また、反応によって生じた異物は古い薬液Ｌ２とともに、基板Ｗの周縁から流下する。このため、異物が基板Ｗの主面Ｗａに残留する可能性を低減させることもできる。
　ここで、基板Ｗの主面Ｗａ上でのリンス液Ｌ１から薬液Ｌ２への置換に要する実質的な時間を置換時間Ｔ１とすると、置換時間Ｔ１の経過後に薬液Ｌ２を吐出し続ける実処理時間Ｔ２は、置換時間Ｔ１よりも長く設定されてもよい（図９参照）。例えば、実処理時間Ｔ２は置換時間Ｔ１の１．５倍以上であってもよく、２倍以上であってもよく、５倍以上であってもよく、１０倍以上であってもよい。これによれば、薬液を用いた処理を基板Ｗの主面Ｗａ（例えばダイＤ０）に対して十分に行うことができる。
　ノズル移動駆動部３４は、ステップＳ４（薬液パドル工程）において第１ノズル３を所定の移動範囲内で水平方向に沿って往復移動させてもよい（図１０参照）。移動範囲は、例えば、ステップＳ３における移動範囲と同じであってもよい。ノズル移動駆動部３４が第１ノズル３を往復移動させれば、各吐出口３ａからの薬液Ｌ２の着液位置を移動させることができる。これにより、さらに均一に薬液Ｌ２を基板Ｗの主面Ｗａに作用させることができる。特に薬液Ｌ２の種類によっては、着液位置での処理が、着液位置以外の位置での処理よりも促進される場合がある。このような薬液Ｌ２を用いた場合には、第１ノズル３の往復移動により、薬液処理の不均一を効果的に抑制することができる。
　薬液Ｌ２による処理が十分に行われると、処理部１は薬液Ｌ２の供給を停止する。具体的な一例として、薬液Ｌ２の供給開始から所定の薬液処理時間Ｔ（つまり、置換時間Ｔ１と実処理時間Ｔ２との和）が経過したときに、制御部９０は、後述のステップＳ５を実行する。
　次に、処理部１は、複数のダイＤ０の表面がリンス液Ｌ１で覆われる回転速度で基板Ｗを回転させつつ、第１ノズル３から基板Ｗの主面Ｗａに向かってリンス液Ｌ１を吐出させる（ステップＳ５：ポストウェット工程）。図８（ａ）は、ステップＳ５における処理部１の様子の一例を示している。
　例えば、基板保持部２は２０ｒｐｍ以下の回転速度で基板Ｗを回転させる。基板Ｗの回転速度は１５ｒｐｍ以下に設定されてもよい。また、基板Ｗの回転速度の目標値はステップＳ５にわたって一定に設定されてもよい（図９も参照）。図９に示されるように、ステップＳ５における基板Ｗの回転速度（例えば目標値）はステップＳ４における基板Ｗの回転速度（例えば目標値）と同じであってもよい。
　処理部１は低速回転中の基板Ｗの主面Ｗａに対して、第１ノズル３を用いてリンス液Ｌ１を供給する。具体的には、制御部９０は薬液バルブ４３を閉じ、リンスバルブ４４およびバルブ３２を開く。これにより、第１ノズル３の複数の吐出口３ａから連続流の状態でリンス液Ｌ１が吐出される（図８（ａ）参照）。流量調整バルブ３３はリンス液Ｌ１の流量を例えば０．１Ｌ／ｍｉｎ以上かつ２．０Ｌ／ｍｉｎ以下となるように調整する。リンス液Ｌ１の流量は１．０Ｌ／ｍｉｎ以上に設定されてもよい。
　基板Ｗの主面Ｗａ上には、ステップＳ５の直前のステップＳ４によって薬液Ｌ２の液膜が形成されているので、ステップＳ５の初期では、リンス液Ｌ１は基板Ｗの主面Ｗａ上の薬液Ｌ２の液膜に着液する。このため、リンス液Ｌ１の液はねを抑制することができる。しかも、リンス液Ｌ１は基板Ｗの主面Ｗａ上において薬液Ｌ２とともに流動することができるので、リンス液Ｌ１は各着液位置からより均一に広がることができる。
　リンス液Ｌ１の供給により、主面Ｗａ上の処理液（リンス液Ｌ１および薬液Ｌ２）は基板Ｗの周縁から溢れ出る。ステップＳ５では、基板Ｗの回転速度が低いので、処理液はガード６１の内周面まで飛散されることなく、流下する。言い換えれば、基板保持部２は、基板Ｗの周縁からの処理液がガード６１に到達することなく流下する程度の回転速度で、基板Ｗを回転させている。基板Ｗの周縁から流下した処理液はカップ６２によって受け止められ、回収管６４を通じて回収される。
　リンス液Ｌ１の供給により、処理液が基板Ｗの主面Ｗａ上から溢れ出るので、主面Ｗａ上の処理液は薬液Ｌ２からリンス液Ｌ１に置換される。上述のように、ステップＳ５の初期からリンス液Ｌ１はより均一に主面Ｗａ上を広がることができるので、より均一に薬液Ｌ２をリンス液Ｌ１に置換することができる。この置換により、基板Ｗの主面Ｗａ上の各位置への薬液Ｌ２の作用が実質的に終了する。このため、基板Ｗの主面Ｗａ上の各位置への薬液Ｌ２が作用し終わる停止タイミングの主面Ｗａ上の分布のばらつきを低減させることができる。
　ステップＳ５でも基板Ｗの回転速度は低いので、基板Ｗの主面Ｗａ上のリンス液Ｌ１の液膜を厚くすることができ、リンス液Ｌ１の液膜が基板Ｗの複数のダイＤ０の表面を覆うことができる。ここで、リンス液Ｌ１の液膜のうちダイＤ０どうしの間の部分の厚みは、ダイＤ０の厚み以上になり得る。この例では、低回転速度で基板Ｗの主面Ｗａの上に上記液膜を維持するので、ステップＳ５もいわゆるパドル処理であるといえる。このため、以下では、ポストウェット工程をポストパドル工程とも呼ぶ。
　ノズル移動駆動部３４は、ステップＳ５（ポストパドル工程）においても、第１ノズル３を所定の移動範囲内で水平方向に沿って往復移動させてもよい（図１０参照）。移動範囲は、例えば、ステップＳ４における移動範囲と同じであってもよい。このようにノズル移動駆動部３４が第１ノズル３を往復移動させれば、各吐出口３ａからのリンス液Ｌ１の着液位置を移動させることができる。これにより、さらに均一にリンス液Ｌ１を基板Ｗの主面Ｗａに供給することができる。このため、処理部１はより均一に薬液Ｌ２からリンス液Ｌ１への置換を行うことができる。
　以上のように、ステップＳ５により、主面Ｗａ上の処理液はおおむね薬液Ｌ２からリンス液Ｌ１に置換される。ただし、基板Ｗの回転速度は低いので、わずかに薬液Ｌ２が基板Ｗの主面Ｗａ上に残留し得る。
　薬液Ｌ２からリンス液Ｌ１への置換がある程度進行すると、処理部１は、後述のステップＳ６を実行する。例えば、リンス液Ｌ１の供給から所定のポスト時間が経過すると、処理部１は基板Ｗの回転速度を増加させつつ、基板Ｗの主面Ｗａにリンス液Ｌ１を供給する（ステップＳ６：置換促進工程、図９も参照）。
　また、ここでは一例として、処理部１はリンス液Ｌ１を吐出するノズルを第１ノズル３から第２ノズル５へ切り替える。つまり、処理部１は第２ノズル５を用いてリンス液Ｌ１を基板Ｗの主面Ｗａに供給する。図８（ｂ）は、ステップＳ６における処理部１の様子の一例を概略的に示す図である。
　具体的には、制御部９０はバルブ３２を閉じ、ノズル移動駆動部３４に第１ノズル３を第１待機位置へ移動させ、ノズル移動駆動部５４に第２ノズル５を第２処理位置に移動させ、バルブ５２を開き、基板保持部２に基板Ｗの回転速度を増加させる。これにより、リンス液Ｌ１は、第２ノズル５の単一の吐出口５ａから、比較的に高い回転速度で回転している基板Ｗの主面Ｗａの中央部に向かって、連続流の状態で吐出される。ここでいう中央部とは、例えば、基板Ｗの直径の５分の１以下の直径を有する円領域内の部分であってもよい。基板Ｗの回転速度は、例えば、１００ｒｐｍ以上かつ１２００ｒｐｍ以下程度に設定されてもよく、１００ｒｐｍ以上かつ５００ｒｐｍ以下に設定されてもよく、２００ｒｐｍ以上かつ５００ｒｐｍ以下に設定されてもよい。
　基板Ｗの主面Ｗａの中央部に着液したリンス液Ｌ１は主面Ｗａを径方向外側に流れて、基板Ｗの周縁から飛散する（図８（ｂ）参照）。基板Ｗの周縁から飛散したリンス液Ｌ１はガード６１の内周面で受け止められてもよい。言い換えれば、基板保持部２は、リンス液Ｌ１がガード６１の内周面まで到達する程度の回転速度で回転させてもよい。
　以上のように、ステップＳ６では、基板Ｗの回転速度が比較的に高い。このため、基板Ｗの主面Ｗａ上の処理液に生じる遠心力は比較的に大きく、処理液が径方向外側に流れやすい。したがって、基板Ｗの主面Ｗａ上に残留した薬液Ｌ２も径方向外側に流れやすく、基板Ｗの周縁から外側に飛散（若しくは流下）しやすい。よって、薬液Ｌ２からリンス液Ｌ１への置換効率を向上させることができる。
　しかも、上述の例では、ステップＳ６において、第２ノズル５が基板Ｗの主面Ｗａの中央部に向かってリンス液Ｌ１を吐出する。このため、リンス液Ｌ１は基板Ｗの主面Ｗａをその中央部から径方向外側に流れる。したがって、リンス液Ｌ１が基板Ｗの主面Ｗａ上の処理液を径方向外側に押し流すことができる。つまり、主面Ｗａ上に残留した薬液Ｌ２がリンス液Ｌ１によって径方向外側に押し流され、リンス液Ｌ１とともに基板Ｗの周縁から外側に飛散（若しくは流下）する。これにより、薬液Ｌ２からリンス液Ｌ１への置換効率をさらに向上させることができる。
　薬液Ｌ２からリンス液Ｌ１への置換が十分に行われると、処理部１はリンス液Ｌ１の供給を停止する。例えば、基板Ｗの回転速度の増加開始から所定の置換促進時間が経過すると、制御部９０はバルブ５２を閉じる。これにより、第２ノズル５からのリンス液Ｌ１の供給が停止する。
　次に、処理部１は基板Ｗを乾燥させる（ステップＳ７：乾燥工程）。具体的な一例として、基板保持部２は基板Ｗの回転速度をさらに増加させる（いわゆるスピン乾燥、図９も参照）。基板Ｗの回転速度は、例えば、１２００ｒｐｍよりも大きく設定されてもよく、１５００ｒｍｐ以上に設定されてもよく、２０００ｒｐｍ以上に設定されてもよい。基板Ｗの回転速度がステップＳ６における基板Ｗの回転速度よりも高いので、基板Ｗの周縁から飛散する処理液の量を増加させることができる。また、気流によって、基板Ｗの処理液の蒸発を促進させることもできる。このため、基板Ｗをより速やかに乾燥させることができる。
　逆に言えば、ステップＳ６における基板Ｗの回転速度は、ステップＳ７における基板Ｗの回転速度よりも低いので、ステップＳ６において、リンス液Ｌ１の液はねを抑制することができる。
　基板Ｗが十分に乾燥すると、処理部１は基板Ｗの回転を停止する。例えば、回転速度の増加から所定の乾燥時間が経過すると、基板保持部２は基板Ｗの回転を停止する。
　次に、基板保持部２は基板Ｗの保持を解除する（ステップＳ８：保持解除工程）。具体的には、基板保持部２は、複数のチャックピン２２をそれぞれの保持位置から解除位置に変位させる。これにより、基板Ｗの保持が解除される。次に、センターロボット１２２が基板Ｗを処理部１から搬出する。
　以上のように、処理部１は、複数のダイＤ０によって主面Ｗａが凹凸形状を有する基板Ｗに対して、種々の処理を行うことができる。
　本基板処理方法によれば、処理部１は、ステップＳ３（プリパドル工程）において、複数のダイＤ０の表面がリンス液Ｌ１に覆われる回転速度で基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの主面Ｗａにリンス液Ｌ１を供給する。ステップＳ３では、基板Ｗの回転速度が低いからこそ、リンス液Ｌ１が複数のダイＤ０の表面を覆う程度に、リンス液Ｌ１の液膜を大きくすることができる。
　次のステップＳ４（薬液パドル工程）では、処理部１は、複数のダイＤ０の表面が薬液Ｌ２に覆われる回転速度で基板Ｗを回転させながら、第１ノズル３から基板Ｗの主面Ｗａに向かって薬液Ｌ２を吐出させる。つまり、ステップＳ４でも、基板Ｗの回転速度が低い状態で、薬液Ｌ２が基板Ｗの主面Ｗａに着液する。基板Ｗの回転速度は、例えば、薬液Ｌ２がガード６１の内周面まで飛散されない程度の値に設定される。このように、薬液Ｌ２は低速回転中の基板Ｗの主面Ｗａに着液するので、薬液Ｌ２の液はねを抑制することができる。
　しかも、本実施の形態では、ステップＳ４の直前のステップＳ３にて、基板Ｗの主面Ｗａ上にはリンス液Ｌ１の液膜が形成される。このため、ステップＳ４の開始時では、第１ノズル３からの薬液Ｌ２はリンス液Ｌ１の液膜に着液する。したがって、薬液Ｌ２は、ダイＤ０の角部に直接に着液せず、薬液Ｌ２の液はねをさら抑制することができる。また、薬液Ｌ２は基板Ｗの主面Ｗａ上でリンス液Ｌ１とともに流動するので、薬液Ｌ２はステップＳ４の初期から高い流動性で広がることができる。
　比較のために、乾燥状態の基板Ｗの主面Ｗａに薬液Ｌ２を供給する場合について説明する。この場合、薬液Ｌ２はダイＤ０の角部に直接に着液し得るので、液はねが生じる。液はねした薬液Ｌ２の液滴は基板Ｗの主面Ｗａ上のランダムな位置に着液し得る。このため、意図しない位置で薬液Ｌ２が主面Ｗａに作用し始める。また、薬液Ｌ２は主面Ｗａの深い凹凸によって主面Ｗａ上を不均一に流れる。このような液はね若しくは不均一な流れによって、薬液Ｌ２が速やかに到達する位置と、到達しにくい位置とが局所的に顕在化する。薬液Ｌ２が速やかに到達する位置では、他の位置に比べて、薬液Ｌ２がより速いタイミングで主面Ｗａに作用し始める。一方で、薬液Ｌ２が到達しにくい位置では、他の位置に比べて、薬液Ｌ２がより遅いタイミングで主面Ｗａに作用し始める。つまり、基板Ｗの主面Ｗａについての開始タイミングの分布に大きなばらつきが生じる。これによって、実質的な薬液処理が基板Ｗの主面Ｗａに対して不均一に始まってしまう。
　これに対して、本実施の形態では、薬液Ｌ２は、低速回転中の基板Ｗの主面Ｗａ上のリンス液Ｌ１の液膜に着液する。このため、薬液Ｌ２の液はねは生じにくく、しかも、薬液Ｌ２は高い流動性でより均一に主面Ｗａ上を広がる。したがって、より均一にリンス液Ｌ１から薬液Ｌ２の置換が行われる。つまり、開始タイミングのばらつきを低減させることができる。言い換えれば、処理部１はより均一に薬液処理を基板Ｗの主面（例えばダイＤ０）に対して開始することができる。
　また、上述の具体例では、ステップＳ４において第１ノズル３の複数の吐出口３ａから薬液Ｌ２が吐出される。この場合、基板Ｗの主面Ｗａに対してより均一に薬液Ｌ２を供給することができる。このため、処理部１はさらに均一に薬液処理を基板Ｗに対して行うことができる。
　また、上述の具体例では、複数の吐出口３ａがおおむね径方向に沿って並んだ状態で、複数の吐出口３ａから薬液Ｌ２が基板Ｗの主面Ｗａに向かって吐出される。この場合、径方向に沿った直線上の各位置における開始タイミングのばらつきをより効果的に低減させることができる。
　また、上述の具体例では、ステップＳ４において第１ノズル３が所定の移動範囲で往復移動する。この場合、各吐出口３ａからの着液位置が時間とともに変動する。これによっても、処理部１は基板Ｗの主面Ｗａに対してより均一に薬液Ｌ２を供給することができ、さらに均一に薬液処理を基板Ｗに対して行うことができる。
　また、上述の具体例では、ステップＳ４において基板Ｗの主面Ｗａ上のリンス液Ｌ１が薬液Ｌ２に置換された後にも、第１ノズル３は薬液Ｌ２を吐出し続ける。このため、処理部１は処理の不足を抑制しつつ、より高いスループットで薬液処理を基板Ｗに対して行うことができる。
　また、上述の具体例では、ステップＳ３およびステップＳ４において同じ第１ノズル３が用いられている。このため、ノズルの切換が必要なく、処理が簡易である。
　また、上述の具体例では、処理部１は、ステップＳ５（ポストパドル工程）において、複数のダイＤ０の表面がリンス液Ｌ１に覆われる回転速度で基板Ｗを回転させつつ、第１ノズル３から基板Ｗの主面Ｗａに向かってリンス液Ｌ１を吐出させる。基板Ｗの回転速度は、例えば、処理液がガード６１の内周面まで飛散されない程度の値に設定される。このように、リンス液Ｌ１は低速回転中の基板Ｗの主面Ｗａに着液するので、リンス液Ｌ１の液はねを抑制することができる。
　もし仮にリンス液Ｌ１が薬液Ｌ２の液膜に着液して跳ね返ると、薬液Ｌ２がリンス液Ｌ１に巻き込まれて跳ね上がる。これにより、基板Ｗの主面Ｗａに対して薬液Ｌ２が不均一に作用するおそれがある。これに対して、上述の具体例では、ステップＳ５においてリンス液Ｌ１の液はねを抑制することができる。したがって、処理部１はより均一に基板Ｗの主面Ｗａ上の処理液を薬液Ｌ２からリンス液Ｌ１への置換することができる。
　また、上述の具体例では、ステップＳ６（置換促進工程）が行われる。ステップＳ６における基板Ｗの回転速度は、ステップＳ３からステップＳ５における基板Ｗの回転速度よりも高く設定される。具体的な一例として、ステップＳ６における基板Ｗの回転速度は、基板Ｗの周縁から飛散した処理液がガード６１の内周面に到達する程度の値に設定されてもよい。この基板Ｗの回転速度の増加によれば、たとえステップＳ５によって基板Ｗの主面Ｗａ上に薬液Ｌ２が残留したとしても、ステップＳ６において、薬液Ｌ２をより確実に基板Ｗの周縁から飛散させることができる。
　また、上述の具体例では、ステップＳ６において第２ノズル５が基板Ｗの主面Ｗａの中央部に向かってリンス液Ｌ１を吐出する。これにより、リンス液Ｌ１が基板Ｗの主面Ｗａ上の薬液Ｌ２を中央部から径方向外側に押し流すので、薬液Ｌ２をさらに確実に基板Ｗの周縁から飛散させることができる。
　＜薬液処理時間＞
　ステップＳ４（薬液パドル工程）における基板Ｗの回転速度は低いので、第１ノズル３が薬液Ｌ２の吐出を開始する時点での基板Ｗの回転位置と、第１ノズル３が薬液Ｌ２の吐出を停止する時点での基板Ｗの回転位置との間のずれが、薬液処理の均一性に大きく影響する。以下に、具体的に説明する。なお以下では、説明の簡単のために、ステップＳ４において、第１ノズル３を往復移動させないものとする。
　図１２は、第１ノズル３と基板Ｗとの位置関係を示す平面図である。図１２には、基板Ｗの回転方向が矢印で示されている。図１２の例では、基板Ｗは反時計回りに回転する。図１２には、薬液Ｌ２が最初に着液する着液位置を結んだ仮想的な開始線ＶＬ１と、薬液Ｌ２が最後に着液する着液位置を結んだ仮想的な終了線ＶＬ２とが示されている。第１ノズル３が複数の吐出口３ａから薬液Ｌ２を吐出し始めると、薬液Ｌ２はまず開始線ＶＬ１上の各着液位置に着液し、続けて、基板Ｗの回転に伴って、回転方向上流側の各位置に着液する。つまり、各着液位置は、基板Ｗの主面Ｗａ上において、回転軸線Ｑ１を中心としたリング状の軌跡ＣＬ１を回転方向上流側に向かって相対的に移動する。薬液処理時間Ｔが経過すると、第１ノズル３が複数の吐出口３ａからの薬液Ｌ２の吐出を停止する。これにより、最後の薬液Ｌ２が終了線ＶＬ２上の各着液位置に着液する。
　基板Ｗの主面Ｗａは、開始線ＶＬ１および終了線ＶＬ２によって領域Ｒ１と領域Ｒ２とに二分される。領域Ｒ１は、開始線ＶＬ１よりも回転方向上流側の領域である。言い換えれば、領域Ｒ１の回転方向下流側の端が開始線ＶＬ１であり、回転方向上流側の端が終了線ＶＬ２である。領域Ｒ２は、終了線ＶＬ２よりも回転方向上流側の領域である。
　領域Ｒ１上の各位置は領域Ｒ２よりも１回多く第１ノズル３の直下を通過するので、領域Ｒ１には、領域Ｒ２よりも多くの薬液Ｌ２が供給される。このため、領域Ｒ１と領域Ｒ２との間には、薬液Ｌ２による処理の程度の差が生じ得る。特に本実施の形態では、ステップＳ４における基板Ｗの回転速度は低いので、当該差は比較的に大きい。開始線ＶＬ１および終了線ＶＬ２が同じであれば、基板Ｗの主面Ｗａの全体が領域Ｒ１に相当するので、薬液処理の均一性を最も高めることができる。逆に言えば、開始線ＶＬ１および終了線ＶＬ２が一直線上に並ぶ場合には、領域Ｒ１および領域Ｒ２の面積が同じとなり、薬液処理の均一性が最も低下する。
　開始線ＶＬ１の周方向の位置は、第１ノズル３が薬液Ｌ２を吐出し始めるタイミングでの基板Ｗの回転位置によって規定され、終了線ＶＬ２の周方向の位置は、第１ノズル３が薬液Ｌ２の吐出を停止するタイミングでの基板Ｗの回転位置によって規定される。つまり、開始線ＶＬ１および終了線ＶＬ２の相対位置は、薬液Ｌ２を吐出する薬液処理時間Ｔおよび基板Ｗの回転速度に依存する。
　そこで、薬液処理時間Ｔを基板Ｗの回転速度に応じて設定してもよい。言い換えれば、薬液処理時間Ｔを、基板Ｗの１回転に要する単位時間ΔＴに応じて設定してもよい。具体的には、以下の式（１）を満たすように、薬液処理時間Ｔが設定されてもよい。
　｜Ｔ－ｎ・ΔＴ｜／ΔＴ≦α　　　　・・・（１）
　ここで、ｎは整数であり、薬液処理時間Ｔ内において基板Ｗが回転する回数（小数点は切り下げ）を示す。αは例えば０，２５以下に設定される。式（１）によれば、薬液処理時間Ｔと単位時間ΔＴの整数倍（＝ｎ・ΔＴ）との差が、単位時間ΔＴの４分の１以下となるように、薬液処理時間Ｔが設定される。αは例えば０．２に設定されてもよく、０．１に設定されてもよい。αが小さく設定されるほど、開始線ＶＬ１と終了線ＶＬ２との差（角度）を小さくすることができる。つまり、αを小さく設定するほど、薬液処理の均一性を向上させることができる。αがゼロである場合には、薬液処理時間Ｔは単位時間ΔＴの整数倍に設定される。この薬液処理時間Ｔは予め設定されて、例えば記憶部９２１に記憶されてもよい。
　＜ポストパドル工程のノズル＞
　上述の具体例では、ステップＳ４（薬液パドル工程）では、第１ノズル３から薬液Ｌ２が吐出され、ステップＳ５（ポストパドル工程）では、同じく第１ノズル３からリンス液Ｌ１が吐出される。つまり、ステップＳ４およびステップＳ５で用いられるノズルはいずれも第１ノズル３である。これによれば、以下に説明するように、処理部１はさらに均一に基板Ｗの主面Ｗａに対して薬液処理を行うことができる。
　まず、ステップＳ４の初期において、薬液Ｌ２が基板Ｗの主面Ｗａに着液し始める様子について説明する。上述の具体例では、第１ノズル３は、径方向に沿って並ぶ複数の吐出口３ａから薬液Ｌ２を吐出する。しかも、本実施の形態では、複数の吐出口３ａから吐出された薬液Ｌ２はリンス液Ｌ１の液膜に着液する（図１１も参照）。このため、薬液Ｌ２は各着液位置から速やかに広がることができる。したがって、基板Ｗの主面Ｗａのうち径方向に沿う直線上の各位置には、非常に小さい時間差で薬液Ｌ２が供給される。そこで、ここでは説明の簡単のために、該直線上では同時に薬液Ｌ２が供給されるものとする。
　基板Ｗの主面Ｗａ上の位置が第１ノズル３の直下を通過する際に、薬液Ｌ２が当該位置に着液する。このため、薬液Ｌ２が各位置に供給され始める開始タイミングｔ１は、開始線ＶＬ１から回転方向上流側の位置ほど遅くなる。図１３は、基板Ｗの主面Ｗａ上の周方向の各位置における開始タイミングｔ１、終了タイミングｔ２および実質的な処理時間を示すグラフである。終了タイミングｔ２および処理時間については後に詳述する。図１３の例では、基板Ｗの主面Ｗａ上の周方向における各位置を角度θ（図１２も参照）で示しており、開始線ＶＬ１を０度とし、回転方向上流側に向かう方向を正としている。
　図１３に示されるように、開始タイミングｔ１は、開始線ＶＬ１から回転方向上流側に離れる位置ほど、遅い。開始タイミングｔ１は、基板Ｗの回転速度に応じた比例係数で、周方向の位置に比例する。当該比例係数は、基板Ｗの回転速度が低いほど大きい。つまり、本実施の形態のように、基板Ｗの回転速度が低い場合には、開始線ＶＬ１における開始タイミングｔ１と、開始線ＶＬ１よりも回転方向下流側の直後の位置における開始タイミングｔ１との差は大きくなる。
　基板Ｗの主面Ｗａ上の各位置に対する薬液Ｌ２の作用は、実質的には、ステップＳ５（ポストパドル工程）のリンス液Ｌ１の供給によって終了する。このため、簡単には、リンス液Ｌ１が着液し始めるタイミングを、終了タイミングｔ２と把握することができる。上述の具体例では、ステップＳ５において、第１ノズル３は、径方向に沿って並ぶ複数の吐出口３ａからリンス液Ｌ１を吐出する。そこで、ここでは説明の簡単のために、基板Ｗの主面Ｗａのうち径方向に沿う直線上の各位置には、同時にリンス液Ｌ１が供給されるものとする。
　図１３の例では、終了線ＶＬ２を０度としている。つまり、開始線ＶＬ１および終了線ＶＬ２が同じである。第１ノズル３からのリンス液Ｌ１は最初に終了線ＶＬ２（＝開始線ＶＬ１）に着液する。基板Ｗの回転に伴って、終了線ＶＬ２から回転方向上流側に離れた部分にも徐々にリンス液Ｌ１が着液するので、終了線ＶＬ２から回転方向上流側に離れた位置ほど、より遅いタイミングでリンス液Ｌ１が着液する。したがって、図１３に示されるように、終了タイミングｔ２は、終了線ＶＬ２から回転方向上流側で離れた位置ほど、遅い。終了タイミングｔ２は、基板Ｗの回転速度に応じた比例係数で、周方向の位置に比例する。当該比例係数は、基板Ｗの回転速度が低いほど大きい。
　基板Ｗの主面Ｗａ上の各位置における実質的な処理時間は、同じ位置における終了タイミングｔ２と開始タイミングｔ１との間の時間（＝ｔ２－ｔ１）である。上述のように、開始タイミングｔ１は、より回転方向上流側の位置ほど遅くなり、終了タイミングｔ２も、より回転方向上流側の位置ほど遅くなるので、各位置における実質的な処理時間（＝ｔ２－ｔ１）のばらつきを低減させることができる。
　以上のように、ステップＳ４およびステップＳ５において、処理部１は同じ第１ノズル３からそれぞれ薬液Ｌ２およびリンス液Ｌ１を吐出させる。このため、実質的な処理時間の主面Ｗａ上の分布のばらつきを低減させることができる。したがって、処理部１はさらに均一に基板Ｗに対して薬液処理を行うことができる。
　ステップＳ４およびステップＳ５における基板Ｗの回転速度（例えば目標値）が同じであれば、理想的には、実質的な処理時間のばらつきを解消することができる。図１３の例では、実質的な処理時間が基板Ｗの主面Ｗａ上の位置によらず、一定で示されている。なお、両回転速度は完全に同じでなくてもよく、異なっていてもよい。例えば、ステップＳ４における基板Ｗの回転速度（例えば目標値）と、ステップＳ５における基板Ｗの回転速度（例えば目標値）との差は、ステップＳ４における基板Ｗの回転速度の５０％以下であってもよく、２０％以下であってもよく、１０％以下であってもよく、５％以下であってもよい。これによれば、実質的な処理時間のばらつきをより効果的に低減させることができる。
　なお、ステップＳ４からステップＳ５への遷移において、制御部９０はバルブ３２を開き続けつつ、薬液バルブ４３およびリンスバルブ４４の開閉状態を切り替えてもよい。これによれば、第１ノズル３は薬液Ｌ２に続いて時間的に連続的にリンス液Ｌ１を吐出することができる。言い換えれば、第１ノズル３が薬液Ｌ２に連続的にリンス液Ｌ１を吐出できる程度の時間差内で、薬液バルブ４３およびリンスバルブ４４の開閉状態を切り替えてもよい。第１ノズル３がリンス液Ｌ１を薬液Ｌ２に連続して吐出することにより、リンス液Ｌ１を、薬液Ｌ２が最後に着液する終了線ＶＬ２に対してより高い位置精度で着液させることができる。
　＜薬液の流量および基板の回転速度＞
　ステップＳ４（薬液パドル工程）における薬液Ｌ２の流量を、ステップＳ３（プリパドル工程）におけるリンス液Ｌ１の流量よりも大きく設定してもよい。さらに、ステップＳ４における基板Ｗの回転速度を、ステップＳ３における基板Ｗの回転速度よりも高く設定してもよい。つまり、ステップＳ４における基板Ｗの回転速度を、ステップＳ３における基板Ｗの回転速度よりも高く、かつ、ステップＳ７（置換促進工程）における基板Ｗの回転速度よりも低く設定してもよい。
　薬液Ｌ２の流量がより大きく、かつ、基板Ｗの回転速度がより高いので、基板Ｗの主面Ｗａ上において古い薬液Ｌ２が新しい薬液Ｌ２へ速やかに置換される。しかも、新しい薬液Ｌ２が供給されることにより、基板Ｗの主面Ｗａ上の薬液Ｌ２の濃度分布を均一化させることができる。このため、薬液処理の均一性を向上させることができる。
　また、異物が基板Ｗの主面Ｗａ上で分散していると、処理が不均一に行われ得る。これに対して、薬液Ｌ２の流量がより大きく、かつ、基板Ｗの回転速度がより高ければ、異物を速やかに基板Ｗの主面Ｗａから除去することができる。このため、薬液処理の均一性をさらに向上させることができる。
　＜複数の薬液処理＞
　上述の具体例では、処理部１は１種類の薬液を用いた薬液処理を行うものの、複数種類の薬液を用いた薬液処理を基板Ｗに対して順次に行ってもよい。図１４は、第１実施形態にかかる処理部１の構成の第２例を概略的に示す図である。図１４の例では、処理部１は、第１薬液（例えばフッ酸）、第２薬液（例えば硫酸と過酸化水素水の混合液）およびリンス液を選択的に基板Ｗに供給可能に構成されている。具体的には、切換部４は、給液管３１の上流端、薬液供給管４１の下流端およびリンス液供給管４２の下流端のみならず、薬液供給管４５の下流端にも接続されている。切換部４は、給液管３１に連通させる配管を、薬液供給管４１、薬液供給管４５およびリンス液供給管４２の間で切り替える。薬液供給管４１の上流端は第１薬液供給源（不図示）に接続され、薬液供給管４５の上流端は第２薬液供給源（不図示）に接続される。第１薬液および第２薬液は互いに異なる種類の薬液である。
　切換部４は例えば多連弁であってもよい。具体的には、切換部４は薬液バルブ４３およびリンスバルブ４４のみならず、薬液バルブ４６も含んでもよい。薬液バルブ４３が開くことにより、薬液供給管４１が給液管３１に連通し、リンスバルブ４４が開くことにより、リンス液供給管４２が給液管３１に連通し、薬液バルブ４６が開くことにより、薬液供給管４５が給液管３１に連通する。これらのバルブは制御部９０によって制御される。
　図１５は、第１実施形態にかかる基板処理の第２例を示すフローチャートである。まず、ステップＳ１と同様に、基板Ｗが処理部１に搬入され、基板保持部２が基板Ｗを保持する（ステップＳ１１：保持工程）。次に、ステップＳ２と同様に、基板保持部２が基板Ｗの回転を開始する（ステップＳ１２：回転開始工程）。
　次に、ステップＳ３と同様に、処理部１は低速回転中の基板Ｗの主面Ｗａにリンス液を供給して、基板Ｗの主面Ｗａにリンス液の液膜を形成する（ステップＳ１３：プリウェット工程（プリパドル工程））。次に、ステップＳ４と同様に、処理部１は第１ノズル３から低速回転中の基板Ｗの主面Ｗａに向かって第１薬液を吐出させる（ステップＳ１４：薬液処理工程（薬液パドル工程））。これにより、基板Ｗの主面Ｗａ上に第１薬液の液膜が形成され、第１薬液が基板Ｗの主面に作用する。つまり、第１薬液に応じた処理が基板Ｗ（例えばダイＤ０）に対して行われる。次に、ステップＳ５と同様に、処理部１は低速回転中の基板Ｗの主面Ｗａにリンス液を供給する（ステップＳ１５：ポストウェット工程（ポストパドル工程））。これにより、基板Ｗの主面Ｗａ上の第１薬液がリンス液に置換される。ただし、ステップＳ１５では基板Ｗの回転速度が低いので、基板Ｗの主面Ｗａ上に第１薬液がわずかに残留し得る。そこで、次に、ステップＳ６と同様に、処理部１は、基板Ｗの回転速度を増加させつつ、第２ノズル５から基板Ｗの主面Ｗａの中央部に向かってリンス液を吐出させる（ステップＳ１６：置換促進工程）。これにより、基板Ｗの主面Ｗａ上に残留した第１薬液をより確実にリンス液に置換することができる。
　ステップＳ１６では、基板Ｗの回転速度がステップＳ１３からステップＳ１５における基板Ｗの回転速度よりも高いので、基板Ｗの主面Ｗａ上のリンス液の液膜は薄くなり、基板ＷのダイＤ０の上面の少なくとも一部が露出し得る。言い換えれば、置換促進工程における基板Ｗの回転速度は、基板Ｗの主面Ｗａ上のダイＤ０の上面の少なくとも一部が吐出する程度の値に設定されてもよい。
　そこで、図１５の例では、ステップＳ３と同様に、処理部１は基板Ｗの回転速度を低減させ、再び、低速回転中の基板Ｗの主面Ｗａにリンス液を供給して、基板Ｗの主面Ｗａにリンス液の液膜を形成する（ステップＳ１７：プリパドル工程）。これにより、処理部１は、複数のダイＤ０の表面を覆うリンス液の液膜を基板Ｗの主面Ｗａ上に再び形成することができる。次に、ステップＳ４と同様に、処理部１は第１ノズル３から低速回転中の基板Ｗの主面Ｗａに向かって第２薬液を吐出させる（ステップＳ１８：薬液パドル工程）。これにより、基板Ｗの主面Ｗａ上に第２薬液の液膜が形成され、第２薬液が基板Ｗの主面Ｗａに作用する。つまり、第２薬液に応じた処理が基板Ｗの主面Ｗａ（例えばダイＤ０）に対して行われる。次に、ステップＳ５と同様に、処理部１は低速回転中の基板Ｗの主面Ｗａにリンス液を供給する（ステップＳ１９：ポストパドル工程）。これにより、基板Ｗの主面Ｗａ上の第２薬液がリンス液に置換される。ただし、ステップＳ１９では基板Ｗの回転速度が低いので、基板Ｗの主面Ｗａ上に第２薬液がわずかに残留し得る。そこで、次に、ステップＳ６と同様に、処理部１は、基板Ｗの回転速度を増加させつつ、第２ノズル５から基板Ｗの主面Ｗａの中央部に向かってリンス液を吐出させる（ステップＳ２０：置換促進工程）。これにより、基板Ｗの主面Ｗａ上に残留した第２薬液をより確実にリンス液に置換することができる。
　次に、ステップＳ７と同様に、処理部１は基板Ｗの回転速度を増加させ、基板Ｗを乾燥させる（ステップＳ２１：乾燥工程）。次に、ステップＳ８と同様に、処理部１は基板Ｗの保持を解除し（保持解除工程）、センターロボット１２２が基板Ｗを搬出する。
　以上のように、処理部１は、基板Ｗに対して第１薬液に応じた第１薬液処理および第２薬液に応じた第２薬液処理をこの順で行うことができる。つまり、処理部１は、ステップＳ３（プリパドル工程）、ステップＳ４（薬液パドル工程）、ステップＳ５（ポストパドル工程）およびステップＳ６（置換促進工程）を一組とした処理を、複数回行っている。ただし、処理部１は、各ステップＳ４において、互いに異なる種類の薬液を基板Ｗの主面Ｗａに供給する。３種以上の薬液処理を行う場合には、処理部１は当該一組の処理を繰り返し３回以上行う。
　＜第２実施形態＞
　図１６は、第２実施形態にかかる処理部１の構成の一例を概略的に示す図である。以下では、第２実施形態にかかる処理部１を処理部１Ａとも呼ぶ。処理部１Ａは、例えば、基板Ｗの姿勢および第１ノズル３の位置という点で処理部１と相違する。また、図１６の例では、処理部１Ａには第２ノズル５が設けられていない。
　図１６に示されるように、処理部１Ａでは、基板保持部２は、主面Ｗａが鉛直下方に向く姿勢で基板Ｗを保持する。つまり、第２実施形態では、基板Ｗは、センターロボット１２２によって、その主面Ｗａが鉛直下方を向いた姿勢で処理部１Ａに搬入され、基板保持部２が当該姿勢で基板Ｗを受け取って基板Ｗを保持する。
　また、処理部１Ａでは、第１ノズル３は、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも鉛直下方に位置している。図１６の例では、第１ノズル３は基板Ｗの主面Ｗａとスピンベース２１との間に設けられている。第１ノズル３は、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面Ｗａに向かって、処理液を吐出する。図１６の例では、第１ノズル３は、基板Ｗの主面Ｗａに沿う方向に延びており、その上部に複数の吐出口３ａが形成されている。図１６の例では、第１ノズル３は回転軸線Ｑ１についての径方向に沿って延びている。複数の吐出口３ａは第１ノズル３の長手方向（つまり、径方向）に沿って間隔をあけて配列される。複数の吐出口３ａは１列に配列されてもよい。吐出口３ａの個数は特に制限されないものの、例えば、１０個以上であってもよく、１５個以上であってもよい。吐出口３ａは例えば平面視で円状の形状を有していてもよく、その直径は例えば数ｍｍ程度に設定されていてもよい。
　第１ノズル３は、処理液として薬液およびリンス液を選択的に吐出可能である。図１６の例では、第１ノズル３は給液管３１の下流端に接続される。図１６の例では、シャフト２３１は中空シャフトであり、スピンベース２１の中央部には、鉛直方向においてスピンベース２１を貫通する貫通穴が形成されている。貫通穴はシャフト２３１の中空部に連通している。給液管３１はシャフト２３１の中空部およびスピンベース２１を貫通しており、その上端（下流端）がスピンベース２１から鉛直上方に突出する。給液管３１の上端は第１ノズル３に接続される。第１ノズル３は給液管３１の上端から径方向外側に向かって延びている。給液管３１の下端（上流端）は切換部４に接続され、切換部４は薬液供給管４１の下流端およびリンス液供給管４２の下流端にも接続される。薬液供給管４１の上流端は薬液供給源に接続され、リンス液供給管４２の上流端はリンス液供給源に接続される。切換部４は制御部９０によって制御され、給液管３１に連通させる配管を、薬液供給管４１およびリンス液供給管４２の間で切り替える。
　ところで、基板Ｗの回転時の主面Ｗａの各位置の周方向の移動速度は径方向外側に向かうほど高くなる。そこで、第１ノズル３は、基板Ｗの主面Ｗａのうち径方向内側の中央領域への流量よりも大きな流量で、主面Ｗａのうち径方向外側の周辺領域に処理液を吐出してもよい。図１７の例では、径方向外側に位置する吐出口３ａの開口面積が径方向内側に位置する吐出口３ａの開口面積よりも大きい。複数の吐出口３ａの開口面積は、径方向外側に向かうにしたがって単調非減少で大きくなっていてもよい。つまり、ある吐出口３ａの開口面積は、当該吐出口３ａよりも径方向内側に位置する開口面積以上であってもよい。これによれば、第１ノズル３は移動速度の高い周辺領域に対して中央領域よりも大きな流量で処理液を吐出することができるので、基板Ｗの主面Ｗａに対してより均一に処理液を供給することができる。
　あるいは、第１ノズル３の隣り合う吐出口３ａどうしのピッチが、径方向外側に向かうにつれて、単調非減少で大きくなっていてもよい。つまり、ある２つの吐出口３ａ間のピッチが、当該２つの吐出口３ａよりも径方向内側に位置する２つの吐出口３ａのピッチ以上であってもよい。これによれば、第１ノズル３は移動速度の高い周辺領域に大きな流量で処理液を吐出することができるので、基板Ｗの主面Ｗａに対してより均一に処理液を供給することができる。これによっても、第１ノズル３は移動速度の高い周辺領域に対して中央領域よりも大きな流量で処理液を吐出することができるので、基板Ｗの主面Ｗａに対してより均一に処理液を供給することができる。
　図１７は、第２実施形態にかかる基板処理の一例を示すフローチャートである。まず、センターロボット１２２が基板Ｗを処理部１Ａのチャンバ１０内に搬入し、基板保持部２が基板Ｗを受け取って、基板Ｗを保持する（ステップＳ３１：保持工程）。ここでは、センターロボット１２２は、基板Ｗの主面Ｗａが鉛直下方を向く姿勢で基板Ｗをチャンバ１０内に搬入する。基板保持部２は、主面Ｗａが鉛直下方を向く姿勢で基板Ｗを保持する。基板保持部２は、基板Ｗに対する処理の終了まで基板Ｗを保持し続ける。またここでは、チャンバ１０内への搬入時において、基板Ｗの主面Ｗａはおおむね乾燥状態にある。
　次に、基板保持部２は基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させ始める（ステップＳ３２）。基板保持部２は、基板Ｗに対する処理の終了まで基板Ｗの回転を維持してもよい。また、ステップＳ３１の後に、ガード昇降駆動部６３はガード６１を上位置に上昇させてもよい。
　次に、処理部１Ａは基板Ｗの主面Ｗａにリンス液を供給する（ステップＳ３３：プリウェット工程）。具体的には、制御部９０はリンスバルブ４４およびバルブ３２を開く。これにより、第１ノズル３の複数の吐出口３ａから連続流の状態でリンス液が吐出される。リンス液の流量および基板Ｗの回転速度は、基板ＷのダイＤ０の表面がリンス液で覆われるように設定される。第２実施形態では、基板Ｗの主面Ｗａが鉛直下方を向くので、リンス液の液膜のうち厚みの大きい部分は落下しやすい。このため、リンス液の液膜のうちのダイＤ０どうしの間の部分の厚みは、ダイＤ０の厚み未満になり得る。
　リンス液の供給開始から所定のプリ時間が経過したときに、制御部９０は後述のステップＳ３４を実行する。
　次に、処理部１Ａは基板Ｗの主面Ｗａに薬液を供給する（ステップＳ３４：薬液処理工程）。制御部９０はリンスバルブ４４を閉じ、薬液バルブ４３およびバルブ３２を開く。これにより、第１ノズル３の複数の吐出口３ａから連続流の状態で薬液が基板Ｗの主面Ｗａに向かって吐出される。薬液の流量および基板Ｗの回転速度は、基板ＷのダイＤ０の表面が薬液で覆われるように設定される。薬液の液膜のうちのダイＤ０の間の部分の厚みは、ダイＤ０の厚み未満になり得る。
　薬液の供給により、主面Ｗａに付着する処理液はリンス液から薬液に置換される。薬液は、第１実施形態と同様に、初期的には基板Ｗの主面Ｗａに付着したリンス液の液膜に着液する。このため、薬液はステップＳ３４の初期からより均一に主面Ｗａ上を広がることができる。したがって、処理部１Ａはより均一にリンス液を薬液に置換することができ、薬液はより均一に基板Ｗの主面Ｗａに作用し始める。言い換えれば、基板Ｗの主面Ｗａ上の各位置に薬液が作用し始める開始タイミングの主面Ｗａ上の分布のばらつきを低減させることができる。
　また、上述のように、第１ノズル３が、径方向に沿って並ぶ複数の吐出口３ａから薬液を吐出すれば、特に径方向における開始タイミングのばらつきを効果的に低減させることができる。
　薬液による処理が十分に行われると、処理部１Ａは薬液の供給を停止する。具体的な一例として、薬液の供給開始から所定の薬液処理時間が経過したときに、制御部９０は、後述のステップＳ３５を実行する。
　次に、処理部１Ａは基板Ｗの主面Ｗａにリンス液を供給する（ステップＳ３５：ポストウェット工程）。具体的には、制御部９０は薬液バルブ４３を閉じ、リンスバルブ４４およびバルブ３２を開く。これにより、第１ノズル３の複数の吐出口３ａから連続流の状態でリンス液が基板Ｗの主面Ｗａに向かって吐出される。リンス液の流量および基板Ｗの回転速度は、基板ＷのダイＤ０の表面がリンス液で覆われるように設定される。リンス液の液膜のうちのダイＤ０どうしの部分の厚みは、ダイＤ０の厚み未満になり得る。
　リンス液の供給により、基板Ｗの主面Ｗａに付着した処理液は薬液からリンス液に置換される。第１実施形態と同様に、リンス液はステップＳ３５の初期からより均一に主面Ｗａ上を広がることができるので、より均一に薬液をリンス液に置換することができる。この置換により、基板Ｗの主面Ｗａ上の各位置への薬液の作用が実質的に終了する。このため、基板Ｗの主面Ｗａ上の各位置への薬液が作用し終わる停止タイミングの主面Ｗａ上の分布のばらつきを低減させることができる。
　以上のように、ステップＳ３５により、主面Ｗａに付着した処理液は薬液からリンス液に置換される。
　薬液からリンス液への置換が十分に行われると、処理部１Ａはリンス液の供給を停止する。例えば、リンス液の供給開始から所定のポスト時間が経過すると、制御部９０はリンスバルブ４４およびバルブ３２を閉じる。これにより、第１ノズル３からのリンス液の供給が停止する。
　次に、処理部１Ａは基板Ｗを乾燥させる（ステップＳ３６：乾燥工程）。具体的な一例として、基板保持部２は基板Ｗの回転速度をさらに増加させる（いわゆるスピン乾燥）。基板Ｗの回転速度は、例えば、１２００ｒｐｍよりも大きく設定されてもよく、１５００ｒｍｐ以上に設定されてもよく、２０００ｒｐｍ以上に設定されてもよい。基板Ｗの回転速度がステップＳ３３からステップＳ３５における基板Ｗの回転速度よりも高いので、基板Ｗの周縁から飛散する処理液の量を増加させることができる。また、気流によって、基板Ｗの処理液の蒸発を促進させることもできる。このため、基板Ｗをより速やかに乾燥させることができる。
　基板Ｗが十分に乾燥すると、処理部１は基板Ｗの回転を停止する。例えば、回転速度の増加から所定の乾燥時間が経過すると、基板保持部２は基板Ｗの回転を停止する。
　次に、基板保持部２は基板Ｗの保持を解除する（ステップＳ３７：保持解除工程）。具体的には、基板保持部２は、複数のチャックピン２２をそれぞれの保持位置から解除位置に変位させる。これにより、基板Ｗの保持が解除される。次に、センターロボット１２２が基板Ｗを処理部１Ａから搬出する。
　以上のように、処理部１Ａは、複数のダイＤ０によって主面Ｗａが凹凸形状を有する基板Ｗに対して、種々の処理を行うことができる。
　しかも、処理部１Ａでは、基板Ｗの主面Ｗａは鉛直下方を向いており、第１ノズル３は複数の吐出口３ａから鉛直上方に処理液を吐出して、基板Ｗの主面Ｗａに処理液を供給する。このため、処理液が基板Ｗの主面Ｗａの凹凸において跳ね返っても、跳ね返った処理液の液滴群は、スピンベース２１に向かう。したがって、液滴群がガード６１の外側にはほとんど飛散しない。
　また、第２実施形態でも、ステップＳ３４の直前のステップＳ３３にて、基板Ｗの主面Ｗａ上にはリンス液の液膜が形成される。このため、ステップＳ３４の開始時では、第１ノズル３からの薬液はリンス液の液膜に着液する。したがって、薬液は、ダイＤ０の角部に直接に着液せず、基板Ｗの主面Ｗａ上でリンス液とともに流動する。このため、薬液はステップＳ３４の初期から高い流動性で広がることができる。したがって、より均一にリンス液から薬液の置換が行われる。つまり、開始タイミングのばらつきを低減させることができる。言い換えれば、処理部１Ａはより均一に薬液処理を基板Ｗの主面Ｗａ（例えばダイＤ０）に対して開始することができる。
　また、上述の具体例では、ステップＳ３４において第１ノズル３の複数の吐出口３ａから薬液が吐出される。この場合、基板Ｗの主面Ｗａに対してより均一に薬液を供給することができる。このため、処理部１Ａはさらに均一に薬液処理を基板Ｗに対して行うことができる。
　＜第３実施形態＞
　図１８は、第３実施形態にかかる処理部１の構成の一例を概略的に示す図である。以下では、第３実施形態にかかる処理部１を処理部１Ｂとも呼ぶ。処理部１Ｂは、処理液を吐出する構成および遮断板７１の有無という点で処理部１と相違している。
　処理部１Ｂには、いずれも第１ノズル３の一例であるノズル３Ａおよびノズル３Ｂが設けられている。ノズル３Ｂは、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも鉛直下方に設けられている。第３実施形態では、基板保持部２は、例えば、主面Ｗａが鉛直上方を向く状態で、基板Ｗを保持する。図１８の例では、ノズル３Ｂは、基板Ｗの中央部と鉛直方向において対向する位置に設けられる。具体的には、ノズル３Ｂは、スピンベース２１の中央部に設けられた貫通穴から鉛直上方に突出している。ノズル３Ｂはその上端に吐出口３ａを有しており、吐出口３ａから鉛直上方に向かって、つまり、基板Ｗの主面Ｗｂの中央部に向かって処理液を吐出する。
　ノズル３Ｂは給液管３１Ｂの下流端に接続されている。図１８の例では、シャフト２３１は中空シャフトであり、給液管３１Ｂは、処理部１Ａの給液管３１と同様に、スピンベース２１およびシャフト２３１を鉛直方向において貫通している。給液管３１Ｂの下端（上流端）は切換部４Ｂに接続され、切換部４Ｂは薬液供給管４１Ｂの下流端およびリンス液供給管４２Ｂの下流端にも接続される。薬液供給管４１Ｂの上流端は薬液供給源に接続され、リンス液供給管４２Ｂの上流端はリンス液供給源に接続される。切換部４Ｂは制御部９０によって制御され、給液管３１Ｂに連通させる配管を、薬液供給管４１Ｂおよびリンス液供給管４２Ｂの間で切り替える。
　切換部４Ｂは例えば多連弁であってもよい。具体的には、切換部４Ｂは薬液バルブ４３Ｂおよびリンスバルブ４４Ｂを含んでもよい。これらのバルブは制御部９０によって制御される。薬液バルブ４３Ｂが開くことにより、薬液供給管４１Ｂが給液管３１Ｂに連通する。この状態で後述のバルブ３２Ｂが開くと、薬液供給源からの薬液は薬液供給管４１Ｂ、切換部４Ｂおよび給液管３１Ｂを通じてノズル３Ｂに供給され、ノズル３Ｂから吐出される。また、リンスバルブ４４Ｂが開くことにより、リンス液供給管４２Ｂが給液管３１Ｂに連通する。この状態で後述のバルブ３２Ｂが開くと、リンス液供給源からのリンス液はリンス液供給管４２Ｂ、切換部４Ｂおよび給液管３１Ｂを通じてノズル３Ｂに供給され、ノズル３Ｂから吐出される。
　給液管３１Ｂには、バルブ３２Ｂおよび流量調整バルブ３３Ｂが介挿されている。バルブ３２Ｂが開くことにより、ノズル３Ｂから処理液が吐出され、バルブ３２Ｂが閉じることにより、ノズル３Ｂからの処理液の吐出が停止する。流量調整バルブ３３Ｂは、給液管３１Ｂを流れる処理液の流量を調整する。流量調整バルブ３３Ｂはマスフローコントローラであってもよい。バルブ３２Ｂおよび流量調整バルブ３３Ｂは制御部９０によって制御される。
　遮断板７１は対向板とも呼ばれる。遮断板７１は、基板保持部２よりも鉛直上方に設けられており、鉛直方向において基板保持部２と対向する。遮断板７１は例えば円板形状を有しており、その下面たる対向面７１ａが基板保持部２と鉛直方向において対向する。遮断板７１の対向面７１ａは平坦面であってもよく、例えば水平面に平行である。対向面７１ａは例えば平面視において円形状を有する。対向面７１ａは基板Ｗの直径以上であってもよい。
　図１８の例では、遮断板７１は、基板Ｗを保持する機能も有している。具体的には、遮断板７１の対向面７１ａには複数のチャックピン７２が設けられている。複数のチャックピン７２は対向面７１ａから鉛直下方に突出する。複数のチャックピン７２は回転軸線Ｑ１についての周方向に沿って例えば等間隔に設けられる。複数のチャックピン７２は、次に説明する保持位置と解除位置との間で変位可能に設けられる。保持位置とは、チャックピン７２が基板Ｗの周縁に当接する位置である。複数のチャックピン７２がそれぞれの保持位置で停止することにより、複数のチャックピン７２が基板Ｗを保持する。このため、各チャックピン７２の保持位置は、基板Ｗの直径と同じ円周上に位置する。解除位置とは、各チャックピン７２が基板Ｗから離れた位置である。つまり、各チャックピン７２の解除位置は、基板Ｗの直径よりも大きな円周上に位置する。複数のチャックピン７２がそれぞれの解除位置で停止することにより、チャックピン７２による基板Ｗの保持が解除される。図１８の例では、解除位置に位置するチャックピン７２が示されている。解除位置に位置するチャックピン７２の径方向の位置は、保持位置に位置するチャックピン２２よりも径方向外側である。また、保持位置に位置するチャックピン７２の径方向の位置は、解除位置に位置するチャックピン２２よりも径方向内側である。処理部１Ｂにはチャックピン７２を変位させるピン駆動部（不図示）が設けられる。ピン駆動部は、例えばモータまたはエアシリンダ等の駆動源を含み、制御部９０によって制御される。
　図１８の例では、遮断板７１の上面には支軸７３が設けられている。支軸７３は例えば回転軸線Ｑ１上に設けられる。支軸７３および遮断板７１には、回転軸線Ｑ１に沿って延びる貫通穴が形成されており、当該貫通穴には給液管３１Ａが配置されている。給液管３１Ａの下端にはノズル３Ａが接続される。ノズル３Ａは、基板Ｗの中央部と対向する位置に設けられている。ノズル３Ａはその下端に吐出口３Ａａを有しており、吐出口３Ａａから処理液を吐出する。
　給液管３１Ａの上流端は切換部４Ａに接続され、切換部４Ａは薬液供給管４１Ａの下流端およびリンス液供給管４２Ａの下流端にも接続される。薬液供給管４１Ａの上流端は薬液供給源に接続され、リンス液供給管４２Ａの上流端はリンス液供給源に接続される。切換部４Ａは制御部９０によって制御され、給液管３１Ａに連通させる配管を、薬液供給管４１Ａおよびリンス液供給管４２Ａの間で切り替える。
　切換部４Ａは例えば多連弁であってもよい。具体的には、切換部４Ａは薬液バルブ４３Ａおよびリンスバルブ４４Ａを含んでもよい。これらのバルブは制御部９０によって制御される。薬液バルブ４３Ａが開くことにより、薬液供給管４１Ａが給液管３１Ａに連通する。この状態で後述のバルブ３２Ａが開くと、薬液供給源からの薬液は薬液供給管４１Ａ、切換部４Ａおよび給液管３１Ａを通じてノズル３Ａに供給され、ノズル３Ａから吐出される。また、リンスバルブ４４Ａが開くことにより、リンス液供給管４２Ａが給液管３１Ａに連通する。この状態で後述のバルブ３２Ａが開くと、リンス液供給源からのリンス液はリンス液供給管４２Ａ、切換部４Ａおよび給液管３１Ａを通じてノズル３Ａに供給され、ノズル３Ａから吐出される。
　給液管３１Ａには、バルブ３２Ａおよび流量調整バルブ３３Ａが介挿されている。バルブ３２Ａが開くことにより、ノズル３Ａから処理液が吐出され、バルブ３２Ａが閉じることにより、ノズル３Ａからの処理液の吐出が停止する。流量調整バルブ３３Ａは、給液管３１Ａを流れる処理液の流量を調整する。流量調整バルブ３３Ａはマスフローコントローラであってもよい。バルブ３２Ａおよび流量調整バルブ３３Ａは制御部９０によって制御される。
　図１８の例では、処理部１Ｂには、遮断板昇降駆動部７５および遮断板回転駆動部７４が設けられている。遮断板昇降駆動部７５は、遮断板７１、ノズル３Ａ、給液管３１Ａおよび支軸７３を、処理位置と待機位置との間で一体に昇降させる。処理位置は、基板保持部２に近い位置であり、待機位置は、処理位置よりも鉛直上方の位置である。遮断板昇降駆動部７５は、例えば、モータ等の駆動源と、ボールねじ機構等の動力伝達部とを含む。遮断板昇降駆動部７５は制御部９０によって制御される。
　遮断板回転駆動部７４は遮断板７１を回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。遮断板回転駆動部７４は、支軸７３および遮断板７１を回転軸線Ｑ１のまわりで回転させてもよい。遮断板回転駆動部７４は、例えば、モータ等の駆動源を含む。遮断板回転駆動部７４は制御部９０によって制御される。
　処理部１Ｂの動作の一例は図１７と同様である。ただし、ステップＳ３１からステップＳ３４の具体的な動作が第２実施形態にかかる処理部１Ａの動作と相違する。
　例えばステップＳ３１（保持工程）では、遮断板７１がセンターロボット１２２から基板Ｗを受け取って保持する。具体的には、センターロボット１２２は、ハンド上に載置された基板Ｗの中心が回転軸線Ｑ１と一致する位置にハンドを移動させる。そして、遮断板昇降駆動部７５は、複数のチャックピン７２がハンド上の基板Ｗと水平方向において隣り合う受取位置まで遮断板７１を下降させる。この状態で、処理部１Ｂが複数のチャックピン７２を保持位置に移動させる。これにより、複数のチャックピン７２が基板Ｗを保持する。そして、センターロボット１２２がハンドをチャンバ１０から後退させる。次に、遮断板昇降駆動部７５は遮断板７１を処理位置に下降させる。これにより、遮断板７１によって保持された基板Ｗがスピンベース２１に近接した状態となる。つまり、基板Ｗとスピンベース２１との間隔が狭くなる。処理位置は、基板保持部２のチャックピン２２が保持位置に移動することにより、基板保持部２が基板Ｗを保持することが可能な位置である。
　次に、ステップＳ３２（回転開始工程）では、回転駆動部２３および遮断板回転駆動部７４がそれぞれスピンベース２１および遮断板７１を回転軸線Ｑ１のまわりで回転させ始める。スピンベース２１および遮断板７１の回転方向は例えば同一であり、回転駆動部２３および遮断板回転駆動部７４はスピンベース２１および遮断板７１を例えば同期回転させる。なお、解除位置に位置するチャックピン２２は、保持位置に位置するチャックピン７２よりも径方向外側にあるので、たとえスピンベース２１と遮断板７１の回転速度または回転方向が異なっていても、処理部１Ｂはチャックピン２２およびチャックピン７２の衝突を避けて、遮断板７１およびスピンベース２１を回転させることができる。
　次に、ステップＳ３３（プリウェット工程）では、処理部１Ｂは基板Ｗにリンス液を供給して、リンス液を遮断板７１の対向面７１ａと基板Ｗの主面Ｗａとの間の第１空間に充填させる。ここでは、制御部９０は、バルブ３２Ａ、リンスバルブ４４Ａ、バルブ３２Ｂおよびリンスバルブ４４Ｂを開く。これにより、ノズル３Ａから基板Ｗの主面Ｗａに向かって連続流の状態でリンス液が吐出されるとともに、ノズル３Ｂから基板Ｗの主面Ｗｂに向かって連続流の状態でリンス液が吐出される。
　ノズル３Ａから吐出されたリンス液は基板Ｗの主面Ｗａの中央部に着液し、基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて径方向外側に流れ、基板Ｗの周縁から外側に飛散（もしくは流下）する。ここでは、遮断板７１の対向面７１ａと基板Ｗの主面Ｗａとの間隔は狭いので、リンス液は対向面７１ａと主面Ｗａとの間の第１空間に充填される。つまり、対向面７１ａと主面Ｗａとの間の第１空間は、リンス液による液密状態となる。言い換えれば、対向面７１ａと主面Ｗａとの間隔およびノズル３Ａからのリンス液の流量は、第１空間の液密状態を実現可能な程度に設定される。なお、対向面７１ａと主面Ｗａとの間隔は狭いので、第１空間に充填されたリンス液は液膜を形成しているといえる。
　ノズル３Ｂから吐出されたリンス液は基板Ｗの主面Ｗｂの中央部に着液し、基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて径方向外側に流れ、基板Ｗの周縁から外側に飛散（もしくは流下）する。ここでは、基板Ｗの主面Ｗｂとスピンベース２１との間隔は狭いので、リンス液は基板Ｗとスピンベース２１との間の第２空間に充填される。つまり、基板Ｗとスピンベース２１との間の第２空間は、リンス液による液密状態となる。言い換えれば、基板Ｗとスピンベース２１との間隔およびノズル３Ｂからのリンス液の流量は、第２空間の液密状態を実現可能な程度に設定される。なお、基板Ｗの主面Ｗａとスピンベース２１の上面との間隔は狭いので、第２空間に充填されたリンス液も液膜を形成しているといえる。
　なお、ステップＳ３３において、遮断板７１およびスピンベース２１の回転速度は互いに異なっていてもよく、遮断板７１およびスピンベース２１の回転方向は互いに逆であってもよい。これにより、リンス液の液膜を攪拌させることができる。このため、リンス液の液膜中に気泡が存在していても、当該気泡を効率的につぶすことができる。
　リンス液が第１空間および第２空間に十分に充填されると、処理部１Ｂはリンス液の供給を停止する。具体的な一例として、リンス液の供給開始から所定のプリ時間が経過したときに、制御部９０はステップＳ３４を実行する。
　ステップＳ３４（薬液処理工程）において、処理部１Ｂは基板Ｗに薬液を供給して、薬液を遮断板７１の対向面７１ａと基板Ｗの主面Ｗａとの間の第１空間に充填させる。ここでは、制御部９０は、リンスバルブ４４Ａおよびリンスバルブ４４Ｂを閉じ、バルブ３２Ａ、薬液バルブ４３Ａ、バルブ３２Ｂおよび薬液バルブ４３Ｂを開く。これにより、ノズル３Ａから基板Ｗの主面Ｗａに向かって薬液が吐出されるとともに、ノズル３Ｂから基板Ｗの主面Ｗｂに向かって薬液が吐出される。このため、薬液は遮断板７１と基板Ｗとの間の第１空間に充填されつつ、基板Ｗとスピンベース２１との間の第２空間に充填される。つまり、第１空間に薬液の液膜が形成されつつ、第２空間にも薬液の液膜が形成される。
　薬液の供給により、第１空間および第２空間内の処理液はリンス液から薬液に置換される。第１実施形態と同様に、薬液はステップＳ３４の初期からより均一に主面Ｗａ上を広がることができるので、より均一にリンス液を薬液に置換することができる。このため、薬液はより均一に基板Ｗの主面Ｗａに作用し始める。言い換えれば、基板Ｗの主面Ｗａ上の各位置に薬液が作用し始める開始タイミングの主面Ｗａ上の分布のばらつきを低減させることができる。
　ここで、遮断板７１およびスピンベース２１の回転速度を互いに異なるように時間的に変化させてもよく、あるいは、遮断板７１およびスピンベース２１の回転方向を交互に切り換えてもよい。これにより、遮断板７１とスピンベース２１との相対的な回転状態が時間とともに変化する。このため、遮断板７１によって保持された基板Ｗの主面Ｗｂと、スピンベース２１との間の第２空間内の薬液の液膜を効果的に攪拌させることができる。したがって、第２空間内の薬液の液膜中に気泡が存在していても、当該気泡を効率的につぶすことができる。
　次に、処理部１Ｂは基板Ｗを遮断板７１から基板保持部２に持ち替えさせる。具体的には、まず、制御部９０は、薬液バルブ４３Ｂを閉じる。これにより、基板Ｗの主面Ｗｂとスピンベース２１との間の第２空間の液密状態が解除される。そして、制御部９０は遮断板７１および基板保持部２の回転を停止させる。このとき、制御部９０は遮断板７１の複数のチャックピン７２と基板保持部２の複数のチャックピン２２とが周方向で異なるように、停止させる。次に、処理部１Ｂは基板保持部２の複数のチャックピン２２をそれぞれの保持位置に移動させた上で、遮断板７１の複数のチャックピン７２をそれぞれの解除位置に移動させる。これにより、基板Ｗが遮断板７１から基板保持部２に持ち替えられる。
　次に、処理部１Ｂは遮断板７１および基板保持部２のスピンベース２１を再び回転させるとともに、制御部９０は薬液バルブ４３Ｂを開く。これにより、再び第２空間が液密状態となる。
　ここで、遮断板７１およびスピンベース２１の回転速度を互いに異なるように時間的に変化させてもよく、遮断板７１およびスピンベース２１の回転方向を交互に切り換えてもよい。これにより、遮断板７１とスピンベース２１との相対的な回転状態が時間とともに変化するので、遮断板７１の対向面７１ａと、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面Ｗａとの間の第１空間内の薬液の液膜を効果的に攪拌させることができる。このため、第１空間内の薬液の液膜中に気泡が存在していても、当該気泡を効率的につぶすことができる。
　基板Ｗに対する薬液の処理が十分に行われると、処理部１Ｂは薬液の供給を停止する。具体的な一例として、薬液の供給開始から所定の薬液処理時間が経過したときに、制御部９０はステップＳ３５を実行する。
　ステップＳ３５（ポストウェット工程）において、処理部１Ｂはリンス液を基板Ｗに供給して、リンス液を遮断板７１の対向面７１ａと基板Ｗの主面Ｗａとの間の第１空間に充填させる。ここでは、制御部９０は、薬液バルブ４３Ａおよび薬液バルブ４３Ｂを閉じ、バルブ３２Ａ、リンスバルブ４４Ａ、バルブ３２Ｂおよびリンスバルブ４４Ｂを開く。これにより、ノズル３Ａから基板Ｗの主面Ｗａに向かってリンス液が吐出されるとともに、ノズル３Ｂから基板Ｗの主面Ｗｂに向かってリンス液が吐出される。リンス液は遮断板７１と基板Ｗとの間の第１空間の薬液を径方向外側に押し流しつつ、基板Ｗとスピンベース２１との間の第２空間の薬液を径方向外側に押し流す。これにより、第１空間にリンス液の液膜が形成されつつ、第２空間にもリンス液の液膜が形成される。
　基板Ｗは基板保持部２によって保持されているので、遮断板７１と基板Ｗとの相対的な回転により、第１空間内のリンス液を攪拌させることができる。遮断板７１と基板Ｗとの回転状態を時間的に変化させれば、第１空間内のリンス液をより効果的に攪拌させることができる。これにより、より効果的に第１空間の液体を薬液からリンス液に置換することができる。
　次に、処理部１Ｂは基板Ｗを基板保持部２から遮断板７１に持ち替えさせる。この持ち替えは、例えば、リンスバルブ４４Ｂを閉じた状態で、チャックピン２２およびチャックピン７２を変位させることにより行われる。そして、制御部９０がリンスバルブ４４Ｂを開くことで、ノズル３Ｂからリンス液を再び吐出させる。これにより、第２空間が再び液密状態となる。
　基板Ｗは遮断板７１によって保持されているので、基板Ｗとスピンベース２１との相対的な回転により、第２空間内のリンス液を攪拌させることができる。基板Ｗとスピンベース２１との回転状態を時間的に変化させれば、第２空間内のリンス液をより効果的に攪拌させることができる。これにより、より効果的に第２空間の液体を薬液からリンス液に置換することができる。
　薬液からリンス液への置換が十分に行われると、処理部１Ｂはリンス液の供給を停止する。具体的な一例として、リンスの供給開始から所定のポスト時間が経過したときに、制御部９０はバルブ３２Ａ、リンスバルブ４４Ａ、バルブ３２Ｂおよびリンスバルブ４４Ｂを閉じる。
　次に、ステップＳ３６（乾燥工程）において、処理部１Ｂは基板Ｗを乾燥させる。具体的な一例として、基板保持部２は基板Ｗの回転速度をさらに増加させる（いわゆるスピン乾燥）。基板Ｗの回転速度は、例えば、１２００ｒｐｍよりも大きく設定されてもよく、１５００ｒｍｐ以上に設定されてもよく、２０００ｒｐｍ以上に設定されてもよい。基板Ｗの回転速度がステップＳ３３からステップＳ３５における基板Ｗの回転速度よりも高いので、基板Ｗの周縁から飛散する処理液の量を増加させることができる。また、気流によって、基板Ｗの処理液の蒸発を促進させることもできる。このため、基板Ｗをより速やかに乾燥させることができる。
　なお、処理部１Ｂは、遮断板７１の対向面７１ａに形成された第１ガス吐出口（不図示）から基板Ｗの主面Ｗａに向かって不活性ガスを吐出する第１ガス供給部（不図示）と、スピンベース２１の上面に形成された第２ガス吐出口（不図示）から基板Ｗの主面Ｗｂに向かって不活性ガスを吐出する第２ガス供給部（不図示）とを含んでいてもよい。この場合には、ステップＳ３６において第１ガス供給部および第２ガス供給部が不活性ガスを吐出してもよい。これによれば、基板Ｗの乾燥を促進させることができる。
　基板Ｗが十分に乾燥すると、処理部１は基板Ｗの回転を停止する。例えば、回転速度の増加から所定の乾燥時間が経過すると、基板保持部２は基板Ｗの回転を停止する。
　次に、ステップＳ３７（保持解除工程）において、処理部１Ｂは基板Ｗの保持を解除する。具体的には、まず、遮断板昇降駆動部７５が遮断板７１を受渡位置に上昇させ、センターロボット１２２がハンドを受渡位置に移動させる。そして、処理部１Ｂは、複数のチャックピン７２をそれぞれの保持位置から解除位置に変位させて、センターロボット１２２のハンドに基板Ｗを受け渡す。そして、センターロボット１２２がハンドをチャンバ１０から退避させることにより、基板Ｗを処理部１Ｂから搬出する。
　以上のように、処理部１Ｂは、複数のダイＤ０によって主面Ｗａが凹凸形状を有する基板Ｗに対して、種々の処理を行うことができる。
　第３実施形態でも、ステップＳ３４の直前のステップＳ３３にて、基板Ｗの主面Ｗａ上（つまり、第１空間）にはリンス液の液膜が形成される。このため、ステップＳ３４の開始時では、第１ノズル３からの薬液はリンス液の液膜に供給される。したがって、薬液は、ダイＤ０の角部に直接に着液せず、基板Ｗの主面Ｗａ上でリンス液とともに流動する。このため、薬液はステップＳ３４の初期から高い流動性で広がることができる。したがって、より均一にリンス液から薬液の置換が行われる。つまり、開始タイミングのばらつきを低減させることができる。言い換えれば、処理部１Ｂはより均一に薬液処理を基板Ｗの主面Ｗａ（例えばダイＤ０）に対して開始することができる。
　しかも、処理部１Ｂは、遮断板７１と基板Ｗとの間の第１空間をリンス液で充填した状態で、薬液を供給する。つまり、ノズル３Ａの吐出口３Ａａがリンス液の液膜に接触した状態で、吐出口３Ａａから薬液がリンス液の液膜中に吐出される。このため、薬液はリンス液の液膜を広がるので、基板Ｗの主面Ｗａの凹凸による薬液の液はねを回避することができる。したがって、液滴群がガード６１の外側にはほとんど飛散しない。
　＜第４実施形態＞
　第４実施形態では、基板Ｗの別の種類の一例について説明する。図１９は、基板Ｗの構成の一部の一例を概略的に示す断面図である。図１９の例では、基板Ｗの支持基板Ｗ０のうちのダイＤ０が設けられる面には、凹部Ｗｒが形成されている。凹部ＷｒにはダイＤ０の一部が挿入される。凹部Ｗｒは平面視においてダイＤ０と同様の矩形形状を有する。ダイＤ０の深さは、例えば、ダイＤ０の厚みの５分の１以下に設定されてもよく、１０分の１以下に設定されてもよい。具体的な一例として、凹部Ｗｒの深さは１５μｍ程度に設定され得る。支持基板Ｗ０には、複数のダイＤ０に対応して複数の凹部Ｗｒが形成される。複数の凹部Ｗｒは例えばマトリックス状に配列される。例えば図２のダイＤ０と同様に凹部Ｗｒが配列される。
　第１実施形態から第３実施形態にかかる基板処理装置１００および基板処理方法は、図１９に例示された基板Ｗに対しても適用可能である。また、第１実施形態から第３実施形態にかかる基板処理装置１００および基板処理方法は、支持基板Ｗ０に対して適用されてもよい。つまり、ダイＤ０が配置される前の支持基板Ｗ０に対して、第１実施形態から第３実施形態のいずれかにかかる基板処理装置１００および基板処理方法が適用されてもよい。
　以上のように、基板処理方法は詳細に説明されたが、上記した説明は、全ての局面において例示であって、この開示がそれに限定されるものではない。また、上述した各種変形例は、相互に矛盾しない限り組み合わせて適用可能である。そして、例示されていない多数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
　例えば、図５、図１６および図１８では、薬液およびリンス液が共通の第１ノズル３から吐出されるものの、処理部１は、薬液用の第１ノズル３およびリンス液用の第１ノズル３を個別に含んでいてもよい。この場合、薬液用の第１ノズル３およびリンス液用の第１ノズル３の形状は互いに同じであってもよい。より具体的には、複数の吐出口３ａの形状、大きさ、個数およびピッチは、薬液用の第１ノズル３およびリンス液用の第１ノズル３の間で共通であってもよい。
　また、図１４の例では、第１薬液、第２薬液およびリンス液が共通の第１ノズル３から吐出されるものの、処理部１は、第１薬液およびリンス液用の第１ノズル３と、第２薬液およびリンス液用の第１ノズル３を個別に含んでいてもよい。さらに、処理部１は、第１薬液用の第１ノズル３、第２薬液用の第１ノズル３およびリンス液用の第１ノズル３を個別に含んでいてもよい。これらの第１ノズル３の形状は互いに同じであってもよい。
　また、第１実施形態および第２実施形態の上述の具体例では、第１ノズル３は、一列に配列された複数の吐出口３ａを有するノズルであるものの、複数の吐出口３ａが平面視において二次元的に分散配置された平型のノズルであってもよい。この第１ノズル３は基板Ｗの主面Ｗａに対してより広い範囲で処理液を供給することができる。この第１ノズル３は全面ノズルとも呼ばれ得る。
　また、ステップＳ３（プリウェット工程）におけるリンス液は、ステップＳ５（ポストウェット工程）におけるリンス液と異なる種類のリンス液であってもよい。
　また、第３実施形態では、基板Ｗとスピンベース２１との間の第２空間も処理液の液密状態としたが、必ずしもこれに限らない。ステップＳ３３からステップＳ３５において、ノズル３Ｂは処理液を吐出しなくてもよい。この場合、ノズル３Ｂは設けられなくてもよい。また、第３実施形態において、遮断板７１は基板Ｗを保持する機能を有していなくてもよい。つまり、複数のチャックピン７２が設けられなくてもよい。この場合、基板保持部２がステップＳ３３からステップＳ３５において基板Ｗを保持し続ける。
　３，３Ａ，３Ｂ　第１ノズル
　３ａ，３Ａａ　吐出口
　７１　遮断板
　７１ａ　対向面
　Ｄ０　ダイ
　Ｌ１　リンス液
　Ｌ２　薬液
　Ｓ１，Ｓ１１　保持工程（ステップ）
　Ｓ３，Ｓ１３，Ｓ１７　プリウェット工程、プリパドル工程（ステップ）
　Ｓ３３　プリウェット工程
　Ｓ３４　薬液処理工程
　Ｓ３５　ポストウェット工程
　Ｓ４，Ｓ１４，Ｓ１８　薬液処理工程、薬液パドル工程（ステップ）
　Ｓ５，Ｓ１５，Ｓ１９　ポストウェット工程、ポストパドル工程（ステップ）
　Ｓ６，Ｓ１６，Ｓ２０　置換促進工程（ステップ）
　Ｓ７，Ｓ２１　乾燥工程（ステップ）
　Ｔ　薬液処理時間
　Ｔ１　置換時間
　Ｔ２　実処理時間
　Ｗ　基板
　Ｗａ　主面
　ΔＴ　単位時間

Claims (15)

  1. 　複数のダイを主面に有する基板を保持する保持工程と、
    　前記複数のダイをリンス液が覆う回転速度で前記基板を回転させつつ、前記基板の前記主面に前記リンス液を供給するプリウェット工程と、
    　前記プリウェット工程の後に、前記複数のダイを薬液が覆う回転速度で前記基板を回転させつつ、第１ノズルから前記基板の前記主面に向かって前記薬液を供給する薬液処理工程と
    を備える、基板処理方法。
  2. 　請求項１に記載の基板処理方法であって、
    　前記保持工程において、前記主面を上方に向けた姿勢で前記基板を保持し、
    　前記プリウェット工程は、前記基板の前記主面上に、前記複数のダイを覆う前記リンス液の液膜を維持するプリパドル工程であり、
    　前記薬液処理工程は、前記基板の前記主面上に、前記複数のダイを覆う前記薬液の液膜を維持する薬液パドル工程である、基板処理方法。
  3. 　請求項２に記載の基板処理方法であって、
    　前記薬液パドル工程において、複数の吐出口を有する前記第１ノズルを、前記基板の前記主面に沿う方向に往復移動させながら、前記複数の吐出口から前記基板の前記主面に向かって前記薬液を吐出させる、基板処理方法。
  4. 　請求項２または請求項３に記載の基板処理方法であって、
    　前記薬液パドル工程において、前記基板の前記主面上の前記リンス液を前記薬液に置換した後にも、前記リンス液から前記薬液への置換に要する置換時間よりも長い実処理時間にわたって、前記第１ノズルから前記薬液を吐出させ続ける、基板処理方法。
  5. 　請求項２または請求項３に記載の基板処理方法であって、
    　前記第１ノズルから前記基板の前記主面に向かって前記薬液を吐出する薬液処理時間と、前記基板の１回転に要する単位時間の整数倍との差は、前記単位時間の４分の１以下である、基板処理方法。
  6. 　請求項２または請求項３に記載の基板処理方法であって、
    　前記プリパドル工程において、前記第１ノズルから前記基板の前記主面に向かって前記リンス液を吐出させる、基板処理方法。
  7. 　請求項２または請求項３に記載の基板処理方法であって、
    　前記薬液パドル工程の後に、前記複数のダイを前記リンス液が覆う回転速度で前記基板を回転させつつ、前記第１ノズルから前記基板の前記主面に向かって前記リンス液を吐出させるポストパドル工程をさらに備える、基板処理方法。
  8. 　請求項７に記載の基板処理方法であって、
    　前記薬液パドル工程における前記基板の回転速度と、前記ポストパドル工程における前記基板の回転速度との差は、前記薬液パドル工程における前記基板の回転速度の５０％以下である、基板処理方法。
  9. 　請求項７に記載の基板処理方法であって、
    　前記ポストパドル工程の後に、前記ポストパドル工程における前記基板の回転速度よりも高い回転速度で前記基板を回転させつつ、前記基板の前記主面に前記リンス液を供給する置換促進工程をさらに備える、基板処理方法。
  10. 　請求項９に記載の基板処理方法であって、
    　前記置換促進工程において、第２ノズルから前記基板の前記主面の中央部に向かって前記リンス液を吐出させる、基板処理方法。
  11. 　請求項９に記載の基板処理方法であって、
    　前記置換促進工程の後に、前記置換促進工程における前記基板の回転速度よりも高い回転速度で前記基板を回転させて、前記基板を乾燥させる乾燥工程をさらに備える、基板処理方法。
  12. 　請求項９に記載の基板処理方法であって、
    　前記プリパドル工程、前記薬液パドル工程、前記ポストパドル工程および前記置換促進工程の一組を複数回行い、
    　前記薬液パドル工程では、互いに異なる薬液を前記基板の前記主面に供給する、基板処理方法。
  13. 　請求項１に記載の基板処理方法であって、
    　前記保持工程において、前記主面を下方に向けた姿勢で前記基板を保持する、基板処理方法。
  14. 　請求項１３に記載の基板処理方法であって、
    　前記薬液処理工程において、第１ノズルの複数の吐出口から前記基板の前記主面に向かって前記薬液を吐出させ、
    　前記第１ノズルは、前記基板の前記主面のうちの径方向内側の中央領域への流量よりも大きな流量で前記主面のうちの径方向外側の周辺領域に向かって前記薬液を吐出させる、基板処理方法。
  15. 　請求項１に記載の基板処理方法であって、
    　前記プリウェット工程において、前記基板の前記主面と向かい合う遮断板の対向面と、前記主面との間の空間に前記リンス液を充填させ、
    　前記薬液処理工程において、前記対向面と前記主面との間の前記空間に前記薬液を充填させる、基板処理方法。
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