WO2024075735A1 - Rfidモジュール - Google Patents

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WO2024075735A1
WO2024075735A1 PCT/JP2023/036075 JP2023036075W WO2024075735A1 WO 2024075735 A1 WO2024075735 A1 WO 2024075735A1 JP 2023036075 W JP2023036075 W JP 2023036075W WO 2024075735 A1 WO2024075735 A1 WO 2024075735A1
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WO
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substrate
conductor
main surface
radiating element
rfid module
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PCT/JP2023/036075
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English (en)
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紀行 植木
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株式会社村田製作所
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    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q13/00Waveguide horns or mouths; Slot antennas; Leaky-waveguide antennas; Equivalent structures causing radiation along the transmission path of a guided wave
    • H01Q13/08Radiating ends of two-conductor microwave transmission lines, e.g. of coaxial lines, of microstrip lines
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/14Structural association of two or more printed circuits

Definitions

  • the present invention relates to an RFID module having a substrate on which an RFIC chip is mounted.
  • RFID Radio-Frequency Identification
  • RFIC Radio-Frequency Integrated Circuit
  • Patent Document 1 proposes an RFID module that has a flat electrode as an antenna element.
  • the difference in thermal expansion coefficient between the board in the RFID module and the flat electrodes may cause the board to warp during the heating process in the reflow process of the mounting board. If the board in the RFID module warps, communication performance will deteriorate.
  • the present invention aims to provide an RFID module that can suppress warping of the substrate.
  • An RFID module includes a first substrate having a first main surface and a second main surface facing each other, an RFIC chip arranged on the first main surface side of the first substrate, a first radiating element arranged on the first main surface side of the first substrate with at least a portion separated from the first main surface, and a second radiating element arranged on the second main surface side of the first substrate.
  • the second radiating element has a first end and a second end that face each other in the longitudinal direction of the first substrate. The first end is electrically connected to one terminal of the RFIC chip.
  • the first radiating element has a third end and a fourth end that face each other in the longitudinal direction of the first substrate. The third end is electrically connected to the other terminal of the RFIC chip.
  • the second end of the second radiating element and the fourth end of the first radiating element are electrically connected to each other.
  • the second radiating element has a first opening.
  • the present invention provides an RFID module that can suppress warping of the substrate.
  • FIG. 1 is a vertical cross-sectional view showing an outline of an RFID module according to a first embodiment
  • FIG. 1 is a plan view showing electrodes arranged on a substrate of an RFID module according to a first embodiment
  • FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating a positional relationship between a first substrate and a second radiating element in the first embodiment.
  • FIG. 13 is an explanatory diagram illustrating the positional relationship between a substrate and a radiating element in a comparative example.
  • FIG. 11 is a vertical cross-sectional view showing an outline of an RFID module according to a second embodiment.
  • FIG. 11 is a plan view showing electrodes arranged on a substrate of an RFID module according to a second embodiment;
  • FIG. 11 is a longitudinal sectional view showing an outline of an RFID module according to a third embodiment;
  • FIG. 11 is a plan view showing electrodes arranged on a substrate of an RFID module according to a third embodiment;
  • FIG. 13 is a vertical cross-sectional view showing an outline of an RFID module according to a fourth embodiment.
  • FIG. 13 is a plan view showing electrodes arranged on a substrate of an RFID module according to a fourth embodiment;
  • FIG. 13 is a longitudinal sectional view showing an outline of an RFID module according to a fifth embodiment.
  • FIG. 13 is a plan view showing electrodes arranged on a substrate of an RFID module according to a fifth embodiment;
  • FIG. 13 is a longitudinal sectional view showing an outline of an RFID module according to a sixth embodiment.
  • FIG. 11 is a longitudinal sectional view showing an outline of an RFID module according to a third embodiment;
  • FIG. 11 is a plan view showing electrodes arranged on a substrate of an RFID module according to a third embodiment;
  • FIG. 13 is a plan view of a first conductor and a second conductor of the RFID module according to the sixth embodiment; Process diagram for forming the first conductor and the second conductor Process diagram for forming the first conductor and the second conductor A side view of the first conductor and the second conductor.
  • FIG. 13 is a longitudinal sectional view showing an outline of an RFID module according to a seventh embodiment.
  • FIG. 13 is a plan view of a first conductor and a second conductor of the RFID module according to the seventh embodiment;
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an outline of the RFID module 1 of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view showing electrodes arranged on a substrate of the RFID module 1 of the first embodiment.
  • FIG. 2(a) is a plan view showing the third main surface 5a of the second substrate 5.
  • FIG. 2(b) is a perspective plan view seen through the third main surface 5a of the second substrate 5, showing the fourth main surface 5b side.
  • FIG. 2(c) is a plan view showing the first main surface 3a of the first substrate 3.
  • FIG. 2(d) is a perspective plan view seen through the first main surface 3a of the first substrate 3, showing the second main surface 3b side.
  • the X-Y-Z coordinate system is used to facilitate understanding of the invention, but does not limit the invention.
  • the X-axis direction indicates the longitudinal direction of the RFID module 1
  • the Y-axis direction indicates the depth (width) direction
  • the Z-axis direction indicates the thickness direction.
  • the X, Y, and Z directions are mutually perpendicular.
  • the positive direction of the Z axis is described as the upward direction
  • the negative direction of the Z axis is described as the downward direction.
  • the RFID module 1 of this embodiment includes a first substrate 3, a second substrate 5, an RFIC chip 7, and a resin layer 9.
  • the first substrate 3 has a first main surface 3a, which is the upper surface, and a second main surface 3b, which is the lower surface.
  • the first main surface 3a and the second main surface 3b face each other.
  • a first radiating element 13 is arranged on the first main surface 3a side of the first substrate 3, away from the first main surface 3a, and a second radiating element 11 is arranged on the second main surface 3b.
  • the second radiating element 11 is a metal conductor, and has a first opening 12 in the center of, for example, a rectangular pattern.
  • the second substrate 5 has a third main surface 5a which is the upper surface, and a fourth main surface 5b which is the lower surface.
  • the third main surface 5a and the fourth main surface 5b face each other.
  • the second substrate 5 is disposed on the first main surface 3a side of the first substrate 3, away from the first main surface 3a.
  • a first radiating element 13 is disposed on the third main surface 5a of the second substrate 5.
  • the first radiating element 13 is a metal conductor, and has, for example, a second opening 14 in the center of a rectangular pattern.
  • the first substrate 3 and the second substrate 5 are each insulating, and are, for example, a glass epoxy substrate or a ceramic substrate.
  • the first radiating element 13 and the second radiating element 11 function as an antenna.
  • the communication frequency band in the RFID module 1 of embodiment 1 is, for example, the UHF band from 860 MHz to 960 MHz.
  • the dimensions of the first radiating element 13 and the second radiating element 11 may be changed according to the communication characteristics.
  • the RFIC chip 7 has a first terminal 7a and a second terminal 7b, which are input/output terminals. Since it is matched to radio waves of the communication frequency within the RFID module 1, when the first radiating element 13 and the second radiating element 11 receive radio waves of the communication frequency, a current flows through the RFIC chip 7.
  • the resin layer 9 seals the RFIC chip 7 and the second substrate 5, and is laminated on the first main surface 3a of the first substrate 3.
  • the resin layer 9 is made of a general sealing resin such as an epoxy resin.
  • a first land 17 and a second land 19 are arranged on the first main surface 3a of the first substrate 3, which are connected to the first terminal 7a and the second terminal 7b of the RFIC chip 7 via solder 15, respectively, and two electrodes 21 are arranged on the opposite side of the first land 17 in the longitudinal direction, which are electrically connected to the first radiating element 13 of the second substrate 5.
  • the first substrate 3 has therein a first interlayer connection conductor 23 that connects the first land 17 to the second radiating element 11, and two second interlayer connection conductors 25 that connect each of the two electrodes 21 to the second radiating element 11.
  • the first interlayer connection conductor 23 and the second interlayer connection conductor 25 are, for example, conductive vias.
  • the dashed line indicates a solder connection
  • the dashed line indicates a connection by an interlayer connection conductor.
  • the second land 19 is U-shaped, and is connected to the second terminal 7b of the RFIC chip 7 on one side, and is electrically connected to the first radiating element 13 on the other side.
  • An electrode 22 that is electrically connected to the first radiating element 13 is disposed on the first main surface 3a of the first substrate 3.
  • Figure 3 is an explanatory diagram explaining the positional relationship between the first substrate 3 and the second radiating element 11.
  • Figure 3(a) shows a perspective plan view of the first substrate 3 and the second radiating element 11.
  • Figure 3(b) shows a side view of the first substrate 3 and the second radiating element 11.
  • Figure 4 is an explanatory diagram explaining the positional relationship between the first substrate 3 and the radiating element 101 in the comparative example.
  • Figure 4(a) shows a perspective plan view of the first substrate 3 and the radiating element 101.
  • Figure 4(b) shows a side view of the first substrate 3 and the radiating element 101.
  • the minimum value of the width Wa of the first opening 12 is larger than the line width Wb of the second radiating element 11.
  • the line width Wb of the second radiating element 11 is, for example, 200 ⁇ m or more.
  • the second radiating element 11 has a first end edge 11a and a second end edge 11b extending in the width direction of the first substrate 3, and a side edge 11c connecting the first end edge 11a and the second end edge 11b.
  • the first end edge 11a is disposed on the RFIC 7 side, and the second end edge 11b is disposed on the side farther from the RFIC 7 ( Figure 2).
  • the line width of the first end edge 11a and the second end edge 11b is greater than the side edge 11c.
  • the current flowing through the first end edge 11a and the second end edge 11b is greater than the current flowing through the side edge 11c, so this configuration can reduce the resistance value.
  • the first interlayer connection conductor 23 is connected to the first end edge 11a
  • the second interlayer connection conductor 25 is connected to the second end edge 11b.
  • the diameter of each interlayer connection conductor is shown large to make it easier to understand, but the line width of the second radiating element 11 is more than twice the diameter of the first interlayer connection conductor 23 and the second interlayer connection conductor 25.
  • the area of the first opening 12 is more than half the size of the area surrounded by the outline 11d of the second radiating element 11.
  • the first radiating element 13 has a third end edge 13a and a fourth end edge 13b extending in the width direction of the second substrate 5, and a side edge 13c connecting the third end edge 13a and the fourth end edge 13b.
  • the third end edge 13a is disposed on the RFIC 7 side
  • the fourth end edge 13b is disposed on the side farther from the RFIC 7.
  • the line width of the third end edge 13a and the fourth end edge 13b is greater than the side edge 13c.
  • the current flowing through the third end edge 13a and the fourth end edge 13b is greater than the current flowing through the side edge 13c, so this configuration can reduce the resistance value.
  • the third interlayer connection conductor 27 is connected to the third end edge 13a, and the fourth interlayer connection conductor 29 is connected to the fourth end edge 13b.
  • the third interlayer connection conductor 27 and the fourth interlayer connection conductor 29 are, for example, conductive vias.
  • the line width of the first radiating element 13 is at least twice the diameter of the third interlayer connection conductor 27 and the fourth interlayer connection conductor 29.
  • the area of the second opening 14 is at least 50% of the area surrounded by the outline 13d of the first radiating element 13. As with the second radiating element 11, even if the second opening 14 is provided in the center of the first radiating element 13, the high-frequency current flows in a concentrated manner along the first radiating element 13, so there is little effect on the communication characteristics.
  • the second substrate 5 has an electrode 31 connected to the third end edge 13a of the first radiating element 13 via a third interlayer connecting conductor 27, and an electrode 33 connected to the fourth end edge 13b via a fourth interlayer connecting conductor 29.
  • the second substrate 5 has two third interlayer connecting conductors 27 and two fourth interlayer connecting conductors 29 inside.
  • One electrode 31 is connected to the electrode 22 of the first substrate 3 via solder 15, and the other electrode 31 is connected to the second land 19 of the first substrate 3 via solder 15.
  • the two electrodes 33 are each connected to the two electrodes 21 of the first substrate 3 via solder 15.
  • the second radiating element 11 and the first radiating element 13 can be arranged to overlap in a planar view. This makes it possible to prevent deterioration of communication characteristics.
  • the first to fourth interlayer connection conductors 23, 25, 27, and 29 are, for example, conductors formed by filling holes in the insulating first substrate 3 or second substrate 5 with a conductive paste that has been solidified (metallized), but may also be plated through holes.
  • the second radiating element 11, the first radiating element 13, the first land 17, the second land 19, and the electrodes 21, 22, 31, and 33 are each a conductor, for example, copper foil patterned by photolithography.
  • the RFID module 1 of the first embodiment includes the first substrate 3 having the first and second main surfaces 3a and 3b facing each other, the RFIC chip 7 arranged on the first main surface 3a side of the first substrate 3, the first radiating element 13 arranged on the first main surface 3a side of the first substrate 3 and away from the first main surface 3a, and the second radiating element 11 arranged on the second main surface 3b side of the first substrate 3.
  • the second radiating element 11 has a first end edge 11a and a second end edge 11b that face each other in the longitudinal direction of the first substrate 3.
  • the first end edge 11a is electrically connected to one of the first terminals 7a of the RFIC chip 7.
  • the first radiating element 13 has a third end edge 13a and a fourth end edge 13b that face each other in the longitudinal direction of the first substrate 3.
  • the third end edge 13a is electrically connected to the other of the second terminals 7b of the RFIC chip 7.
  • the second end edge 11b of the second radiating element 11 and the fourth end edge 13b of the first radiating element 13 are electrically connected to each other, and the second radiating element 11 has a first opening 12.
  • the second radiating element 11 arranged on the second main surface 3b side of the first substrate 3 has a first opening 12, and the minimum value of the width Wa of the first opening 12 is greater than the line width Wb of the second radiating element 11. Because the ground contact area of the second radiating element 11 is reduced, the force applied to the interface between the second radiating element 11 and the first substrate 3 when heated is reduced. This makes it possible to prevent warping of the first substrate 3 even if the second radiating element 11 thermally expands.
  • the RFID module 1 also includes a second substrate 5 having a third main surface 5a and a fourth main surface 5b that face each other, and arranged so that the first main surface 3a and the fourth main surface 5b of the first substrate 3 face each other.
  • the RFIC chip 7 is arranged adjacent to the second substrate 5, and the first radiating element 13 is arranged on the third main surface 5a side of the second substrate 5, and the first radiating element 13 has a second opening 14.
  • the minimum width Wd of the second opening 14 is greater than the line width We of the first radiating element 13.
  • the first radiating element 13 arranged on the third main surface 5a side of the second substrate 5 has a second opening 14, and the minimum width Wd of the second opening 14 is larger than the line width We of the first radiating element 13. Therefore, even if the second substrate 5 thermally expands, the ground contact area of the first radiating element 13 is reduced, and it is possible to prevent warping of the second substrate 5.
  • the RFIC chip 7 and the second substrate 5 are mounted on the same side of the first substrate 3, it is possible to reduce the height of the RFIC chip 7 compared to when they are arranged on both sides.
  • FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing an outline of the RFID module 1A in the second embodiment, and is a sectional view taken along the line A-A in FIG. 6.
  • FIG. 6 is a plan view showing electrodes arranged on the substrate of the RFID module 1A in the second embodiment.
  • FIG. 6(a) is a plan view showing the third main surface 5a of the second substrate 5 and the fifth main surface 41a of the third substrate 41.
  • FIG. 6(b) is a perspective plan view seen through the third main surface 5a of the second substrate 5, showing the fourth main surface 5b side.
  • FIG. 6(c) is a plan view showing the first main surface 3a of the first substrate 3.
  • FIG. 6(d) is a perspective plan view seen through the first main surface 3a of the first substrate 3, showing the second main surface 3b side.
  • the first radiating element 13A in the second embodiment is divided and arranged on the second substrate 5A and the third substrate 41, and the second substrate 5 in the first embodiment is divided into two substrates.
  • the configuration of the RFID module 1A in the second embodiment is the same as that of the RFID module 1 in the first embodiment, and a description of the common configuration will be omitted.
  • the third substrate 41 has a fifth main surface 41a which is the upper surface, and a sixth main surface 41b which is the lower surface.
  • the third substrate 41 is disposed so that the sixth main surface 41b faces the first main surface 3a of the first substrate 3, and is disposed on the opposite side of the RFIC chip 7 with respect to the second substrate 5A.
  • the first radiating element 13A has a first conductor 13Aa arranged on the third principal surface 5a of the second substrate 5A, a second conductor 13Ab arranged on the fifth principal surface 41a side of the third substrate 41, and a third conductor 13Ac arranged on the first principal surface 3a side of the first substrate 3.
  • the first conductor 13Aa and the second conductor 13Ab each have a concave or U-shape, and the third end edge 13a of the first conductor 13Aa and the fourth end edge 13b of the second conductor 13Ab each correspond to the bottom of the concave shape.
  • the first conductor 13Aa and the second conductor 13Ab have a second opening 14 that is a recess, and the first conductor 13Aa and the second conductor 13Ab are arranged so that their second openings 14 face each other.
  • Two electrodes 31 and two electrodes 35 are arranged on the fourth main surface 5b of the second substrate 5A.
  • the two electrodes 31 and the first conductor 13Aa are connected by a third interlayer connection conductor 27.
  • the two tip portions of the first conductor 13Aa and the two electrodes 35 are respectively connected via two fifth interlayer connection conductors 36.
  • Two electrodes 33 and two electrodes 37 are arranged on the sixth main surface 41b of the third substrate 41.
  • the two electrodes 33 and the second conductor 13Ab are connected by a fourth interlayer connecting conductor 29.
  • the two tip portions of the second conductor 13Ab and the two electrodes 37 are respectively connected via two sixth interlayer connecting conductors 38.
  • Two third conductors 13Ac extending in the longitudinal direction are arranged in the center of the first main surface 3a of the first substrate 3.
  • One of the third conductors 13Ac is connected to the electrode 35 by solder 15.
  • the other of the third conductors 13Ac is connected to the electrode 37 by solder 15. In this way, the first radiating element 13A is formed across the three substrates.
  • the second radiating element 11 also has a third opening 11e at a location where it overlaps with the third conductor 13Ac across the first substrate 3. Since the second radiating element 11 and the third conductor 13Ac are at different potentials, a capacitance is generated at the location where the second radiating element 11 and the third conductor 13Ac overlap in a planar view. Therefore, by forming a third opening 11e at the location where the second radiating element 11 overlaps with the third conductor 13Ac in a planar view, the generation of capacitance is suppressed, and the deterioration of communication characteristics is suppressed.
  • the RFID module 1A of the second embodiment includes the second substrate 5A having the third and fourth principal surfaces 5a and 5b facing each other and arranged so that the first and fourth principal surfaces 3a and 5b of the first substrate 3 face each other, and the third substrate 41 having the fifth and sixth principal surfaces 41a and 41b facing each other and arranged so that the first and sixth principal surfaces 3a and 41b of the first substrate 3 face each other.
  • the RFIC chip 7 is arranged adjacent to the second substrate 5A, and the third substrate 41 is arranged on the opposite side of the RFIC chip 7 with respect to the second substrate 5A.
  • the first radiating element 13A includes the first conductor 13Aa arranged on the third principal surface 5a of the second substrate 5A, the second conductor 13Ab arranged on the fifth principal surface 41a side of the third substrate 41, and the third conductor 13Ac arranged on the first principal surface 3a side of the first substrate 3.
  • the first conductor 13Aa, the second conductor 13Ab, and the third conductor 13Ac are electrically connected, and the first radiating element 13A has a second opening 14.
  • the minimum width of the second opening 14 is greater than the line width of the first radiating element 13A.
  • the substrate facing the first substrate 3 is divided into two, the second substrate 5A and the third substrate 41, so that the longitudinal length of the substrate facing the first substrate 3 can be shortened, and the occurrence of warping can be further suppressed.
  • Fig. 7 is a longitudinal sectional view showing an outline of the RFID module 1B in the third embodiment, and is a sectional view taken along the line B-B in Fig. 8.
  • Fig. 8 is a plan view showing electrodes arranged on the substrate of the RFID module 1B in the third embodiment.
  • Fig. 8(a) is a plan view showing the third main surface 5a of the second substrate 5 and the fifth main surface 41a of the third substrate 41.
  • Fig. 8(b) is a perspective plan view seen through the third main surface 5a of the second substrate 5, showing the fourth main surface 5b side.
  • Fig. 8(c) is a plan view showing the first main surface 3a of the first substrate 3.
  • Fig. 8(d) is a perspective plan view seen through the first main surface 3a of the first substrate 3, showing the second main surface 3b side.
  • the second wiring pattern 13ba extends from the fourth end edge 43b of the second conductor 13Aba arranged on the fifth main surface 41a of the third substrate 41 in the second embodiment in a direction away from the RFIC 9.
  • the configuration of the RFID module 1B in the third embodiment is the same as that of the RFID module 1A in the second embodiment, and a description of the common configuration will be omitted.
  • the second conductor 13Aba has a concave first wiring pattern 13f, and the second wiring pattern 13ba extends from the bottom of the first wiring pattern 13f in a direction away from the RFIC 9.
  • the second wiring pattern 13ba has, for example, an L-shape. Only one fourth interlayer connection conductor 29 is arranged at the tip of the second wiring pattern 13ba. The current is largest at the short point between the first radiating element 13B and the electrode 21 and second interlayer connection conductor 25 of the first substrate 3, but the second wiring pattern 13ba can increase the L component and efficiently lower the resonant frequency.
  • the second conductor 13Aba has a concave first wiring pattern 13f and a second wiring pattern 13ba extending from the first wiring pattern 13f in a direction away from the RFIC chip 7, and the fourth end is an end of the second wiring pattern 13ba.
  • FIG. 9 is a longitudinal sectional view showing an outline of the RFID module 1C in the fourth embodiment, and is a sectional view taken along the line CC in FIG. 10.
  • FIG. 10 is a plan view showing electrodes arranged on the substrate of the RFID module 1C in the fourth embodiment.
  • FIG. 10(a) is a plan view showing the third main surface 5a of the second substrate 5 and the fifth main surface 41a of the third substrate 41.
  • FIG. 10(b) is a perspective plan view seen through the third main surface 5a of the second substrate 5, showing the fourth main surface 5b side.
  • FIG. 10(c) is a plan view showing the first main surface 3a of the first substrate 3.
  • FIG. 10(d) is a perspective plan view seen through the first main surface 3a of the first substrate 3, showing the second main surface 3b side.
  • the first radiating element 13C in the fourth embodiment is configured such that the second wiring pattern 13ba arranged on the fifth main surface 41a of the third substrate 41 in the third embodiment is arranged on the first main surface 3a side of the first substrate 3.
  • the configuration of the RFID module 1C in the fourth embodiment is the same as that of the RFID module 1A in the second embodiment, and a description of the common configuration will be omitted.
  • One of the two electrodes 21 of the first substrate 3 has a third wiring pattern 13bb extending from the electrode 21 in a direction away from the RFIC chip 7.
  • the third wiring pattern 13bb can increase the L component, and the resonant frequency can be efficiently lowered.
  • the third wiring pattern 13bb may be, for example, meandering shaped or L shaped.
  • the third wiring pattern 13bb which is electrically connected to the fourth end edge 13b of the second conductor 13Ab on the side farther from the RFIC chip 7, is disposed on the first main surface 3a side of the first substrate 3.
  • the third wiring pattern 13bb extends in a direction away from the RFIC chip 7, and an end of the third wiring pattern 13bb is electrically connected to the second end edge 11b of the second radiating element 11.
  • Fig. 11 is a longitudinal cross-sectional view showing an outline of the RFID module 1D according to the fifth embodiment, and a cross-sectional view taken along the line D-D in Fig. 12.
  • Fig. 11 is a plan view showing electrodes arranged on the substrate of the RFID module 1D according to the fifth embodiment.
  • Fig. 12(a) is a plan view showing the third main surface 5a of the second substrate 5 and the fifth main surface 41a of the third substrate 41.
  • Fig. 12(b) is a perspective plan view seen through the third main surface 5a of the second substrate 5, showing the fourth main surface 5b side.
  • Fig. 12(c) is a plan view showing the first main surface 3a of the first substrate 3.
  • Fig. 12(d) is a perspective plan view seen through the first main surface 3a of the first substrate 3, showing the second main surface 3b side.
  • the first radiating element 13D in the fifth embodiment is configured such that the third wiring pattern 13bb arranged on the first main surface 3a of the first substrate 3 in the fourth embodiment is arranged inside the second conductor 13Aba formed on the fifth main surface 41a of the third substrate 41 in a plan view.
  • the configuration of the RFID module 1D in the fifth embodiment is the same as that of the RFID module 1C in the fourth embodiment, and a description of the common configuration will be omitted.
  • the third conductor 13Ac has an electrode pattern 51 that electrically connects the first conductor 13Aa and the second conductor 13Aba, and a third wiring pattern 13bb that is electrically connected to the side of the second conductor 13Aba that is farther from the RFIC chip 7 and extends in a direction away from the RFIC chip 7. At least a part of the third wiring pattern 13bb is arranged to overlap with the second opening 14 in a plan view.
  • An electrode 39 provided at an end on the sixth main surface 41b of the third substrate 41 that is farther from the RFIC chip 7 is connected via solder 15 to an electrode 30 provided at an end on the first main surface 3a of the first substrate 3 that is farther from the RFIC chip 7.
  • the second opening 14 and the third wiring pattern 13bb overlap in a plan view, it is possible to extend the wiring pattern to the end of the first substrate while preventing a decrease in the inductance value, thereby improving the antenna characteristics of the RFID module 1D.
  • Fig. 13 is a vertical cross-sectional view showing an outline of an RFID module 1E according to the sixth embodiment.
  • Fig. 14 is a plan view of a first conductor 13Ea and a second conductor Eb of the RFID module 1E according to the sixth embodiment.
  • the first conductor 13Ea and the second conductor Eb of the RFID module 1E in the sixth embodiment are made of sheet metal, and the RFID module 1E does not include a second substrate or a third substrate.
  • the configuration of the RFID module 1E in the sixth embodiment is the same as that of the RFID module 1A in the second embodiment, and a description of the common configuration will be omitted.
  • the first conductor 13Ea and the second conductor 13Eb have the same structure, and each has a rectangular first frame 61, a second frame 63 connected to divide the first frame 61 into two, an opening 64 surrounded by the first frame 61 and the second frame 63, and legs 65 extending from the four corners of the first frame toward the first substrate 3.
  • the second frame 63 Since the second frame 63 is disposed near the center of the first frame 61 in the longitudinal direction, the second frame 63 can function as a mounting machine suction portion when mounting the first conductor 13Ea and the second conductor 13Eb. In addition, when the first conductor 13Ea and the second conductor 13Eb are thin, the second frame 63 can suppress warping during sheet metal formation.
  • the legs 65 are formed from the first conductor 13Ea and the second conductor 13Eb, which are made of sheet metal, by crushing, harp punching, or bending.
  • the manufacturing method for the first conductor 13Ea and the second conductor 13Eb will be described with reference to Figs. 15 to 17. Here, the manufacturing method using bending will be described.
  • Figs. 15 and 16 are process diagrams for forming the first conductor 13Ea and the second conductor 13Eb
  • Fig. 17 is a side view taken along line E-E in Fig. 16.
  • the plate-like first frame 61 and legs 65 can be formed by punching out a single sheet of metal.
  • the legs 65 are bent 90 degrees relative to the first frame 61 to form the first conductor 13Ea and the second conductor 13Eb.
  • the first radiating element 13E has the first conductor 13Ea and the second conductor 13Eb which are metal sheets, and the third conductor 13Ac which is arranged on the first main surface 3a side of the first substrate 3.
  • the first conductor 13Ea is arranged adjacent to the RFIC chip 7, and the second conductor 13Eb is arranged on the opposite side of the RFIC chip 7 with respect to the first conductor 13Ea.
  • the first conductor 13Ea, the second conductor 13Eb, and the third conductor 13Ac are electrically connected.
  • the first conductor 13Ea and the second conductor 13Eb on the RFIC chip 7 side from the first substrate 3 are made only of sheet metal, and since there is no substrate, warping can be eliminated.
  • Fig. 18 is a vertical cross-sectional view showing an outline of an RFID module 1F according to the seventh embodiment.
  • Fig. 19 is a plan view of a first conductor 13Fa and a second conductor Fb of the RFID module 1F according to the seventh embodiment.
  • the first conductor 13Fa and the second conductor Fb of the RFID module 1F in the seventh embodiment have a concave shape rather than a rectangular shape.
  • the configuration of the RFID module 1F in the seventh embodiment is the same as that of the RFID module 1E in the sixth embodiment, and a description of the common configuration will be omitted.
  • the first conductor 13Fa and the second conductor 13Fb have the same structure, and each has a concave third frame 71.
  • the third frame 71 has two side edges 71a and one bottom edge 71b.
  • the first conductor 13Fa and the second conductor 13Fb further have a fourth frame 73 that connects each of them at the center of the two side edges 71a, openings 74 and 75 surrounded by the third frame 71 and the fourth frame 73, and legs 65 that extend from the four corners of the third frame 71 toward the first substrate 3.
  • the opening 75 is a recess formed by the third frame 71 and the fourth frame 73.
  • the fourth frame 73 Since the fourth frame 73 is disposed near the center of the third frame 71 in the longitudinal direction, the fourth frame 73 can function as a mounting machine suction portion when mounting the first conductor 13Fa and the second conductor 13Fb. In addition, when the first conductor 13Fa and the second conductor 13Fb are thin, the fourth frame 73 can suppress warping during sheet metal formation.
  • the first conductor 13Fa and the second conductor 13Fb have a concave third frame 71 having two side edges 71a and one bottom edge 71b, and a fourth frame 73 that connects the two side edges 71a at the center.
  • the fourth frames 73 of the first conductor 13Fa and the second conductor 13Fb are arranged to face each other.
  • these configurations remove the opposing edges of the metal plate leaving only the legs 65, improving the resin fluidity of the resin layer 9 during resin molding.
  • the first conductor and the second conductor are arranged on the second board and the third board, respectively, but this is not limited to this.
  • the first conductor and the second conductor may be made of sheet metal without using the second board and the third board.
  • the RFID module includes a first substrate having a first main surface and a second main surface facing each other, an RFIC chip arranged on the first main surface side of the first substrate, a first radiating element arranged on the first main surface side of the first substrate with at least a portion separated from the first main surface, and a second radiating element arranged on the second main surface side of the first substrate.
  • the second radiating element has a first end and a second end facing each other in the longitudinal direction of the first substrate. The first end is electrically connected to one terminal of the RFIC chip.
  • the first radiating element has a third end and a fourth end facing each other in the longitudinal direction of the first substrate. The third end is electrically connected to the other terminal of the RFIC chip.
  • the second end of the second radiating element and the fourth end of the first radiating element are electrically connected to each other.
  • the second radiating element has a first opening.
  • the second radiating element arranged on the second main surface side of the first substrate has a first opening, and therefore the contact area of the second radiating element with the first substrate is reduced, so that the force applied to the interface between the second radiating element and the first substrate when heated is reduced. This makes it possible to prevent warping of the first substrate even if the second radiating element thermally expands.
  • the minimum width of the first opening is greater than the line width of the second radiating element.
  • the area of the first opening is equal to or greater than half the area of the region enclosed by the outline of the second radiating element.
  • the first substrate has an interlayer connection conductor that electrically connects one terminal of the RFIC chip to the first end, and the line width of the second radiating element is at least twice the diameter of the interlayer connection conductor.
  • the RFID module according to any one of the first to fourth aspects includes a second substrate having a third main surface and a fourth main surface opposed to each other and arranged so that the first main surface and the fourth main surface of the first substrate are opposed to each other, the RFIC chip is arranged adjacent to the second substrate, the first radiating element is arranged on the third main surface side of the second substrate, the first radiating element has a second opening, and the minimum width of the second opening is greater than the line width of the first radiating element.
  • the line width of one of the first and second radiating elements is greater than the line width of the other.
  • the RFID module according to any one of the first to fourth aspects includes a second substrate having a third main surface and a fourth main surface opposed to each other and disposed so that the first main surface and the fourth main surface of the first substrate are opposed to each other, and a third substrate having a fifth main surface and a sixth main surface opposed to each other and disposed so that the first main surface and the sixth main surface of the first substrate are opposed to each other.
  • the RFIC chip is disposed adjacent to the second substrate, and the third substrate is disposed on the opposite side of the RFIC chip with respect to the second substrate.
  • the second radiating element has a first conductor disposed on the third main surface of the second substrate, a second conductor disposed on the fifth main surface side of the third substrate, and a third conductor disposed on the first main surface side of the first substrate.
  • the first conductor, the second conductor, and the third conductor are electrically connected.
  • the first radiating element has a second opening, and the minimum width of the second opening is greater than the line width of the first radiating element.
  • the second radiating element has a third opening at a location where it overlaps with the third conductor across the first substrate.
  • the second conductor has a first wiring pattern having a concave shape and a second wiring pattern extending from the first wiring pattern in a direction away from the RFIC chip, The fourth end is an end of the second wiring pattern.
  • a third wiring pattern electrically connected to the side of the second conductor farther from the RFIC chip is disposed on the first main surface side of the first substrate.
  • the third wiring pattern extends in a direction away from the RFIC chip, and an end of the third wiring pattern is electrically connected to the second end of the second radiating element.
  • the third conductor has a third wiring pattern that electrically connects the first conductor and the second conductor, and a fourth wiring pattern that is electrically connected to the side of the second conductor farther from the RFIC chip and extends in a direction away from the RFIC chip. At least a portion of the third wiring pattern is arranged to overlap the second opening in a plan view.
  • the first radiating element has a first conductor and a second conductor which are metal sheets, and a third conductor arranged on the first main surface side of the first substrate.
  • the first conductor is arranged adjacent to the RFIC chip, and the second conductor is arranged on the opposite side of the RFIC chip with respect to the first conductor.
  • the first conductor, the second conductor, and the third conductor are electrically connected.
  • the first conductor and the second conductor have a rectangular first frame and a second frame connected to divide the first frame into two.
  • the first conductor and the second conductor have two sides and one bottom side, a concave third frame, and a fourth frame that connects the two sides at the center.
  • the fourth frames of the first conductor and the second conductor are arranged to face each other.

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Abstract

RFIDモジュールは、互いに対向する第1主面と第2主面とを有する第1基板と、第1基板の第1主面側に配置されるRFICチップと、第1基板の第1主面側に、少なくとも一部が第1主面と離れて配置される第1放射素子と、第1基板の第2主面側に配置される第2放射素子と、を備える。第2放射素子は、第1基板の長手方向において対向する第1端部および第2端部を有する。第1端部は、RFICチップの一方の端子と電気的に接続される。第1放射素子は、第1基板の長手方向において対向する第3端部および第4端部を有する。第3端部は、RFICチップの他方の端子と電気的に接続される。第2放射素子の第2端部と第1放射素子の第4端部とが互いに電気的に接続される。第2放射素子は第1開口を有する。

Description

RFIDモジュール
 本発明は、RFICチップが実装された基板を有するRFIDモジュールに関する。
 従来、無線通信デバイスであるRFID(Radio-Frequency Identification)モジュールを基板に付して、実装基板の製作工程管理が行われている。RFIDモジュールの一つの形態として、RFICチップ(Radio-Frequency Integrated Circuit)と共に、アンテナとして機能する電極が絶縁基板上に配置されているものがある。
 例えば、特許文献1には、平板状の電極をアンテナ素子として備えるRFIDモジュールが提案されている。
国際公開第2009-011154号
 しかしながら、平板状の電極を備えるRFIDモジュールを実装基板の製作工程管理として用いると、例えば、実装基板のリフロー工程における加熱工程においてRFIDモジュール内の基板と平板状の電極との熱膨張率の差により基板に反りが発生することがある。RFIDモジュール内の基板に反りが発生すると、通信性能が劣化してしまう。
 本発明は、基板の反りを抑制することが可能なRFIDモジュールの提供を目的とする。
 本発明の一態様のRFIDモジュールは、互いに対向する第1主面と第2主面とを有する第1基板と、第1基板の第1主面側に配置されるRFICチップと、第1基板の第1主面側に、少なくとも一部が第1主面と離れて配置される第1放射素子と、第1基板の第2主面側に配置される第2放射素子と、を備える。第2放射素子は、第1基板の長手方向において対向する第1端部および第2端部を有する。第1端部は、RFICチップの一方の端子と電気的に接続される。第1放射素子は、第1基板の長手方向において対向する第3端部および第4端部を有する。第3端部は、RFICチップの他方の端子と電気的に接続される。第2放射素子の第2端部と第1放射素子の第4端部とが互いに電気的に接続される。第2放射素子は第1開口を有する。
 本発明によれば、基板の反りを抑制することが可能なRFIDモジュールを提供することができる。
実施形態1のRFIDモジュールの概略を示す縦断面図 実施形態1のRFIDモジュールの基板に配置された電極を示す平面図 実施形態1における第1基板と第2放射素子との位置関係を説明する説明図 比較例における基板と放射素子との位置関係を説明する説明図 実施形態2のRFIDモジュールの概略を示す縦断面図 実施形態2のRFIDモジュールの基板に配置された電極を示す平面図 実施形態3のRFIDモジュールの概略を示す縦断面図 実施形態3のRFIDモジュールの基板に配置された電極を示す平面図 実施形態4のRFIDモジュールの概略を示す縦断面図 実施形態4のRFIDモジュールの基板に配置された電極を示す平面図 実施形態5のRFIDモジュールの概略を示す縦断面図 実施形態5のRFIDモジュールの基板に配置された電極を示す平面図 実施形態6のRFIDモジュールの概略を示す縦断面図 実施形態6のRFIDモジュールの第1導体及び第2導体の平面図 第1導体及び第2導体を形成する工程図 第1導体及び第2導体を形成する工程図 第1導体及び第2導体の側面図 実施形態7のRFIDモジュールの概略を示す縦断面図 実施形態7のRFIDモジュールの第1導体及び第2導体の平面図
 以下で説明する実施形態は、いずれも本発明の一具体例を示すものであり、本発明がこの構成に限定されるものではない。また、以下の実施形態において具体的に示される数値、形状、構成、ステップ、ステップの順序などは、一例を示すものであり、本発明を限定するものではない。以下の実施形態における構成要素のうち、最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、全ての実施形態において、各変形例における構成も同様であり、各変形例に記載した構成をそれぞれ組み合わせてもよい。
(実施形態1)
 次に、本発明の実施形態1に係るRFIDモジュール1について説明する。図1は、実施形態1のRFIDモジュール1の概略を示す縦断面図である。図2は、実施形態1のRFIDモジュール1の基板に配置された電極を示す平面図である。図2(a)は、第2基板5の第3主面5aを示す平面図である。図2(b)は、第2基板5の第3主面5aを透視した透視平面図であり、第4主面5b側を示している。図2(c)は、第1基板3の第1主面3aを示す平面図である。図2(d)は、第1基板3の第1主面3aを透視した透視平面図であり、第2主面3b側を示している。
 図中において、X-Y-Z座標系は、発明の理解を容易にするものであって、発明を限定するものではない。X軸方向はRFIDモジュール1の長手方向を示し、Y軸方向は奥行き(幅)方向を示し、Z軸方向は厚さ方向を示している。X、Y、Z方向は互いに直交する。また、実施形態において、Z軸のプラス方向を上方向、Z軸のマイナス方向を下方向として説明する。
 実施形態のRFIDモジュール1は、第1基板3と、第2基板5と、RFICチップ7と、樹脂層9とを備える。
 第1基板3は、上面である第1主面3aと、下面である第2主面3bとを有する。第1主面3aと第2主面3bとは互いに対向している。第1基板3の第1主面3a側に、第1主面3aと離れて第1放射素子13が配置され、第2主面3bに第2放射素子11が配置されている。第2放射素子11は金属導体であり、例えば、矩形形状のパターンの中央部に第1開口12を有する。
 第2基板5は、上面である第3主面5aと、下面である第4主面5bとを有する。第3主面5aと第4主面5bとは互いに対向している。第2基板5は、第1基板3の第1主面3a側に第1主面3aと離れて配置されている。第2基板5の第3主面5aに第1放射素子13が配置されている。第1放射素子13は金属導体であり、例えば、矩形形状のパターンの中央部に第2開口14を有する。第1基板3及び第2基板5は、それぞれ絶縁性であり、例えば、ガラスエポキシ基材やセラミック基材などである。
 第1放射素子13及び第2放射素子11がアンテナとして機能する。実施形態1のRFIDモジュール1における通信周波数帯域は、例えば、860MHzから960MHzのUHF帯である。第1放射素子13及び第2放射素子11の寸法は通信特性に合わせて変更してもよい。
 RFICチップ7は、入出力端子である第1端子7a及び第2端子7bを有する。RFIDモジュール1内において通信周波数の電波に対してマッチングしているので、通信周波数の電波を第1放射素子13及び第2放射素子11が受信するとRFICチップ7に電流が流れる。
 樹脂層9は、RFICチップ7と第2基板5とを封止するものであり、第1基板3の第1主面3aに積層される。樹脂層9は、例えば、エポキシ樹脂などの一般的な封止用樹脂で形成されている。
 第1基板3の第1主面3aには、RFICチップ7の第1端子7a及び第2端子7bとハンダ15を介してそれぞれ接続される第1ランド17及び第2ランド19が配置され、第1ランド17と長手方向において反対側に第2基板5の第1放射素子13と電気的に接続される2つの電極21が配置される。第1基板3は、第1ランド17と第2放射素子11とを接続する第1層間接続導体23と、2つの電極21それぞれと第2放射素子11とを接続する2つの第2層間接続導体25とを、内部に有する。第1層間接続導体23及び第2層間接続導体25は、例えば、導電ビアである。なお、図2において一点鎖線はハンダ接続を示し、二点鎖線は層間接続導体による接続を示す。
 第2ランド19はU字形状であり、一方でRFICチップ7の第2端子7bと接続し、他方で第1放射素子13と電気的に接続する。第1基板3の第1主面3aには、第1放射素子13と電気的に接続する電極22が配置されている。
 図3及び図4を参照して、第2放射素子11の線幅と第1開口12の幅との関係を説明する。図3は第1基板3と第2放射素子11との位置関係を説明する説明図である。図3(a)は第1基板3及び第2放射素子11の透視平面図を示し。図3(b)は第1基板3及び第2放射素子11の側面図を示す。図4は比較例における第1基板3と放射素子101との位置関係を説明する説明図である。図4(a)は第1基板3及び放射素子101の透視平面図を示し。図4(b)は第1基板3及び放射素子101の側面図を示す。
 図3に示すように、第1開口12の幅Waの最小値は、第2放射素子11の線幅Wbよりも大きい。このような第1開口12が第2放射素子11に形成されていることで、第1基板3の熱膨張と第2放射素子11の熱膨張の差によって第1基板3に反りが発生するのを抑制することができる。第2放射素子11の線幅Wbは、例えば、200μm以上である。
 第2放射素子11は、第1基板3の幅方向に延びる第1端辺11a及び第2端辺11bと、第1端辺11a及び第2端辺11bとをそれぞれ接続する側辺11cとを有する。第1端部としての第1端辺11aはRFIC7側に配置され、第2端部としての第2端辺11bはRFIC7から遠い側に配置されている(図2)。第1端辺11a及び第2端辺11bの線幅は側辺11cよりも大きい。第1端辺11a及び第2端辺11bに流れる電流は側辺11cに流れる電流よりも大きいので、このような構成により抵抗値を低減することができる。
 第1端辺11aには第1層間接続導体23が接続され、第2端辺11bには第2層間接続導体25が接続されている。各図面において、各層間接続導体をわかりやすくするために直径を大きく示しているが、第2放射素子11の線幅は第1層間接続導体23及び第2層間接続導体25の直径の2倍以上である。また、第1開口12の面積は、第2放射素子11の外形線11dで囲まれる面積の半分以上の大きさである。
 図4に示すように、第1基板3の第2主面3bに平板状の放射素子101を配置すると、熱膨張率の差から第1基板3に反りが発生する場合がある。この放射素子101に流れる高周波電流は放射素子101の外縁部に沿って集中して流れる。放射素子101の中心付近の電流密度は低い。したがって、図3に示すように、第2放射素子11の中心部に第1開口12を設けても、高周波電流は第2放射素子11に沿って集中して流れるので通信特性への影響は少ない。
 図2に示すように、第1放射素子13は、第2基板5の幅方向に延びる第3端辺13a及び第4端辺13bと、第3端辺13a及び第4端辺13bとをそれぞれ接続する側辺13cとを有する。第3端部としての第3端辺13aはRFIC7側に配置され、第4端部としての第4端辺13bはRFIC7から遠い側に配置されている。第3端辺13a及び第4端辺13bの線幅は側辺13cよりも大きい。第3端辺13a及び第4端辺13bに流れる電流は側辺13cに流れる電流よりも大きいので、このような構成により抵抗値を低減することができる。
 第3端辺13aには第3層間接続導体27が接続され、第4端辺13bには第4層間接続導体29が接続されている。第3層間接続導体27及び第4層間接続導体29は、例えば、導電ビアである。第1放射素子13の線幅は第3層間接続導体27及び第4層間接続導体29の直径の2倍以上である。また、第2開口14の面積は、第1放射素子13の外形線13dで囲まれる面積の50%以上の大きさである。第2放射素子11と同様に、第1放射素子13の中心部に第2開口14を設けても、高周波電流は第1放射素子13に沿って集中して流れるので通信特性への影響は少ない。
 第2基板5は、第1放射素子13の第3端辺13aと第3層間接続導体27を介して接続される電極31と、第4端辺13bと第4層間接続導体29を介して接続される電極33とが配置されている。第2基板5は、2つの第3層間接続導体27と2つの第4層間接続導体29とを内部に有する。一方の電極31は第1基板3の電極22とハンダ15を介して接続され、他方の電極31は第1基板3の第2ランド19とハンダ15を介して接続される。2つの電極33はそれぞれ第1基板3の2つの電極21とハンダ15を介して接続される。
 また、第2放射素子11の線幅は第1放射素子13の線幅よりも大きい、または、第1放射素子13の線幅は第2放射素子11の線幅よりも大きい構成にすることで、第2放射素子11と第1放射素子13とが平面視で重なるように配置することができる。これにより、通信特性が劣化するのを抑制することができる。
 第1~第4層間接続導体23、25、27、29は、例えば、絶縁性の第1基板3または第2基板5に設けられた孔に充填された導電性ペーストが固化(金属化)した導体であるが、メッキスルーホールでもよい。
 第2放射素子11、第1放射素子13、第1ランド17、第2ランド19、電極21、22、31、33は、それぞれ導体であり、例えば、銅箔をフォトリソグラフィによってパターニングしたものである。
 このような構成により、高周波電流がRFICチップの第2端子7bから第1放射素子13、第2放射素子11を介して第1端子7aに流れる。
 以上のように、実施形態1のRFIDモジュール1は、互いに対向する第1主面3aと第2主面3bとを有する第1基板3と、第1基板3の第1主面3a側に配置されるRFICチップ7と、第1基板3の第1主面3a側に、第1主面3aと離れて配置される第1放射素子13と、第1基板3の第2主面3b側に配置される第2放射素子11と、を備える。第2放射素子11は、第1基板3の長手方向において対向する第1端辺11a及び第2端辺11bと、を有する。第1端辺11aは、RFICチップ7の一方の第1端子7aと電気的に接続される。第1放射素子13は、第1基板3の長手方向において対向する第3端辺13aおよび第4端辺13bを有する。第3端辺13aは、RFICチップ7の他方の第2端子7bと電気的に接続される。第2放射素子11の第2端辺11bと第1放射素子13の第4端辺13bとが互いに電気的に接続され、第2放射素子11は第1開口12を有する。
 この構成のRFIDモジュール1によれば、第1基板3の第2主面3b側に配置された第2放射素子11が第1開口12を有し、第1開口12の幅Waの最小値は、第2放射素子11の線幅Wbよりも大きい。第2放射素子11の接地面積が抑えられているので、加熱された際に、第2放射素子11と第1基板3との界面に負荷される力低減される。これにより、第2放射素子11が熱膨張しても第1基板3に反りが発生するのを抑制することができる。
 また、RFIDモジュール1は、互いに対向する第3主面5aと第4主面5bとを有し、第1基板3の第1主面3aと第4主面5bとが対向するように配置される第2基板5を備える。RFICチップ7は第2基板5と隣り合って配置され、第1放射素子13は第2基板5の第3主面5a側に配置され、第1放射素子13は第2開口14を有する。第2開口14の最小幅Wdは、第1放射素子13の線幅Weよりも大きい。
 この構成によれば、第2基板5の第3主面5a側に配置された第1放射素子13が第2開口14を有し、第2開口14の最小幅Wdは、第1放射素子13の線幅Weよりも大きいので、第2基板5が熱膨張しても第1放射素子13の接地面積が抑えられているので、第2基板5に反りが発生するのを抑制することができる。また、第1基板3の同じ側にRFICチップ7及び第2基板5を実装することで、両側に配置する場合に比べてRFICチップ7分の高さを抑えることができる。
(実施形態2)
 次に、図5及び図6を参照して、実施形態2におけるRFIDモジュール1Aについて説明する。図5は、実施形態2のRFIDモジュール1Aの概略を示す縦断面図であり、図6のA-A線断面図である。図6は、実施形態2のRFIDモジュール1Aの基板に配置された電極を示す平面図である。図6(a)は、第2基板5の第3主面5a及び第3基板41の第5主面41aを示す平面図である。図6(b)は、第2基板5の第3主面5aを透視した透視平面図であり、第4主面5b側を示している。また、第3基板41の第5主面41aを透視した透視平面図であり、第6主面41b側を示している。図6(c)は、第1基板3の第1主面3aを示す平面図である。図6(d)は、第1基板3の第1主面3aを透視した透視平面図であり、第2主面3b側を示している。
 実施形態2における第1放射素子13Aは、第2基板5Aと第3基板41とにそれぞれ分割して配置されており、実施形態1の第2基板5が2つの基板に分割された構成である。この点及び以下に説明する点以外の構成については、実施形態2のRFIDモジュール1Aと実施形態1のRFIDモジュール1とは同じであり、共通の構成についての説明は省略する。
 第3基板41は、上面である第5主面41aと、下面である第6主面41bとを有する。第3基板41は、第6主面41bと第1基板3の第1主面3aとが対向するように配置され、第2基板5Aに対してRFICチップ7の反対側に配置される。
 第1放射素子13Aは、第2基板5Aの第3主面5aに配置された第1導体13Aaと、第3基板41の第5主面41a側に配置された第2導体13Abと、第1基板3の第1主面3a側に配置された第3導体13Acと、を有する。第1導体13Aa及び第2導体13Abは、それぞれ凹形状またはU字形状を有し、第1導体13Aaの第3端辺13a及び第2導体13Abの第4端辺13bはそれぞれ凹形状の底部に相当する。第1導体13Aa及び第2導体13Abは凹部となる第2開口14を有し、互いの第2開口14を向き合うように第1導体13Aa及び第2導体13Abがそれぞれ配置されている。
 第2基板5Aの第4主面5bには、2つの電極31及び2つの電極35が配置されている。2つの電極31と第1導体13Aaとは第3層間接続導体27で接続されている。第1導体13Aaの2つの先端部分と、2つの電極35とがそれぞれ2つの第5層間接続導体36を介して接続される。
 第3基板41の第6主面41bには、2つの電極33及び2つの電極37が配置されている。2つの電極33と第2導体13Abとは第4層間接続導体29で接続されている。第2導体13Abの2つの先端部分と、2つの電極37とがそれぞれ2つの第6層間接続導体38を介して接続される。
 第1基板3の第1主面3aの中央部に長手方向に延びる2つの第3導体13Acが配置されている。第3導体13Acの一方と電極35とがそれぞれハンダ15により接続される。第3導体13Acの他方と電極37とがそれぞれハンダ15により接続される。このようにして、第1放射素子13Aが3つの基板にわたって構成される。
 また、第2放射素子11は、第1基板3を挟んで第3導体13Acと重なる箇所に第3開口11eを有する。第2放射素子11と第3導体13Acとは異電位となるので、第2放射素子11と第3導体13Acとが平面視で重なる箇所には容量が発生する。そこで、平面視で第2放射素子11が第3導体13Acと重なる箇所を第3開口11eを形成することで、容量の発生を抑制し、通信特性の劣化を抑制する。
 以上のように、実施形態2のRFIDモジュール1Aは、互いに対向する第3主面5aと第4主面5bとを有し、第1基板3の第1主面3aと第4主面5bとが対向するように配置される第2基板5Aと、互いに対向する第5主面41aと第6主面41bとを有し、第1基板3の第1主面3aと第6主面41bとが対向するように配置される第3基板41と、を備える。RFICチップ7は第2基板5Aと隣り合って配置され、第3基板41は、第2基板5Aに対してRFICチップ7の反対側に配置される。第1放射素子13Aは、第2基板5Aの第3主面5aに配置された第1導体13Aaと、第3基板41の第5主面41a側に配置された第2導体13Abと、第1基板3の第1主面3a側に配置された第3導体13Acと、を有する。第1導体13Aa、第2導体13Ab、及び、第3導体13Acは電気的に接続され、第1放射素子13Aは第2開口14を有する。第2開口14の最小幅は、第1放射素子13Aの線幅よりも大きい。
 第1基板3と対向する基板が第2基板5A及び第3基板41と2つに分割されているので、第1基板3と対向する基板の長手方向の長さを短くすることができ反りの発生をより抑制することができる。
(実施形態3)
 次に、図7及び図8を参照して、実施形態3におけるRFIDモジュール1Bについて説明する。図7は、実施形態3のRFIDモジュール1Bの概略を示す縦断面図であり、図8のB-B線断面図である。図8は、実施形態3のRFIDモジュール1Bの基板に配置された電極を示す平面図である。図8(a)は、第2基板5の第3主面5a及び第3基板41の第5主面41aを示す平面図である。図8(b)は、第2基板5の第3主面5aを透視した透視平面図であり、第4主面5b側を示している。また、第3基板41の第5主面41aを透視した透視平面図であり、第6主面41b側を示している。図8(c)は、第1基板3の第1主面3aを示す平面図である。図8(d)は、第1基板3の第1主面3aを透視した透視平面図であり、第2主面3b側を示している。
 実施形態3における第1放射素子13Bは、実施形態2における第3基板41の第5主面41aに配置された第2導体13Abaの第4端辺43bからさらに第2配線パターン13baがRFIC9から離れる方向に延びている。この点及び以下に説明する点以外の構成については、実施形態3のRFIDモジュール1Bと実施形態2のRFIDモジュール1Aとは同じであり、共通の構成についての説明は省略する。
 第2導体13Abaは、凹形状の第1配線パターン13fを有し、第1配線パターン13fの底部からさらに第2配線パターン13baがRFIC9から離れる方向に延びている。第2配線パターン13baは、例えばL字形状を有する。第2配線パターン13baの先端部に、第4層間接続導体29が1つだけ配置されている。第1放射素子13Bと、第1基板3の電極21及び第2層間接続導体25とのショート点において電流が一番大きくなるが、第2配線パターン13baによりL成分を増加させることができ、共振周波数を効率よく低下させることができる。
 以上のように、実施形態3のRFIDモジュール1Bにおいて、第2導体13Abaは、凹形状の第1配線パターン13fと、RFICチップ7から離れる方向に第1配線パターン13fから延びる第2配線パターン13baとを有し、第4端部は、第2配線パターン13baの端部である。
 これにより、電流が最も流れる箇所にL成分を増加させる第2配線パターン13baを配置することで、共振周波数を効率良く下げることができる。
(実施形態4)
 次に、図9及び図10を参照して、実施形態4におけるRFIDモジュール1Cについて説明する。図9は、実施形態4のRFIDモジュール1Cの概略を示す縦断面図であり、図10のC-C線断面図である。図10は、実施形態4のRFIDモジュール1Cの基板に配置された電極を示す平面図である。図10(a)は、第2基板5の第3主面5a及び第3基板41の第5主面41aを示す平面図である。図10(b)は、第2基板5の第3主面5aを透視した透視平面図であり、第4主面5b側を示している。また、第3基板41の第5主面41aを透視した透視平面図であり、第6主面41b側を示している。図10(c)は、第1基板3の第1主面3aを示す平面図である。図10(d)は、第1基板3の第1主面3aを透視した透視平面図であり、第2主面3b側を示している。
 実施形態4における第1放射素子13Cは、実施形態3における第3基板41の第5主面41aに配置された第2配線パターン13baを第1基板3の第1主面3a側に配置した構成である。この点及び以下に説明する点以外の構成については、実施形態4のRFIDモジュール1Cと実施形態2のRFIDモジュール1Aとは同じであり、共通の構成についての説明は省略する。
 第1基板3の2つの電極21の一方がRFICチップ7から離れる方向に電極21から延びる第3配線パターン13bbを有する。これにより、第1放射素子13Cと、第1基板3の電極21及び第2層間接続導体25とのショート点において電流が一番大きくなるが、第3配線パターン13bbによりL成分を増加させることができ、共振周波数を効率よく低下させることができる。第3配線パターン13bbは、例えば、ミアンダ形状でもよいし、L字形状でもよい。
 以上のように、実施形態4のRFIDモジュール1Cにおいて、第2導体13AbのRFICチップ7から遠い側の第4端辺13bと電気的に接続される第3配線パターン13bbが第1基板3の第1主面3a側に配置される。第3配線パターン13bbはRFICチップ7から離れる方向に延び、第3配線パターン13bbの端部と第2放射素子11の第2端辺11bとが電気的に接続される。
 これにより、電流が最も流れる箇所にL成分を増加させる第2配線パターン13baを配置することで、共振周波数を効率良く下げることができる。
(実施形態5)
 次に、図11及び図12を参照して、実施形態5におけるRFIDモジュール1Dについて説明する。図11は、実施形態5のRFIDモジュール1Dの概略を示す縦断面図であり、図12のD-D線断面図である。図11は、実施形態5のRFIDモジュール1Dの基板に配置された電極を示す平面図である。図12(a)は、第2基板5の第3主面5a及び第3基板41の第5主面41aを示す平面図である。図12(b)は、第2基板5の第3主面5aを透視した透視平面図であり、第4主面5b側を示している。また、第3基板41の第5主面41aを透視した透視平面図であり、第6主面41b側を示している。図12(c)は、第1基板3の第1主面3aを示す平面図である。図12(d)は、第1基板3の第1主面3aを透視した透視平面図であり、第2主面3b側を示している。
 実施形態5における第1放射素子13Dは、実施形態4における第1基板3の第1主面3a側に配置された第3配線パターン13bbが、平面視で第3基板41の第5主面41a側に形成された第2導体13Abaの内側に配置された構成である。この点及び以下に説明する点以外の構成については、実施形態5のRFIDモジュール1Dと実施形態4のRFIDモジュール1Cとは同じであり、共通の構成についての説明は省略する。
 実施形態5のRFIDモジュール1Dにおいて、第3導体13Acは、第1導体13Aaと第2導体13Abaとを電気的に接続する電極パターン51と、第2導体13AbaのRFICチップ7から遠い側と電気的に接続され、RFICチップ7から離れる方向に延びる第3配線パターン13bbとを有する。第3配線パターン13bbの少なくとも一部が平面視で第2開口14と重なるように配置されている。第3基板41の第6主面41bにおいてRFICチップ7から離れた側の端部に設けられた電極39は、ハンダ15を介して第1基板3の第1主面3aにおいてRFICチップ7から離れた側の端部に設けられた電極30と接続される。
 平面視で第2開口14と第3配線パターン13bbとが重なっているので、インダクタンスの値が低下するのを抑えながら配線パターンを第1基板の端部まで延ばすことが可能となり、RFIDモジュール1Dのアンテナ特性を向上することができる。
(実施形態6)
 次に、図13及び図14を参照して、実施形態6におけるRFIDモジュール1Eについて説明する。図13は、実施形態6のRFIDモジュール1Eの概略を示す縦断面図である。図14は、実施形態6のRFIDモジュール1Eの第1導体13Ea及び第2導体Ebの平面図である。
 実施形態6におけるRFIDモジュール1Eの第1導体13Ea及び第2導体Ebは板金であり、RFIDモジュール1Eは第2基板及び第3基板を備えていない。この点及び以下に説明する点以外の構成については、実施形態6のRFIDモジュール1Eと実施形態2のRFIDモジュール1Aとは同じであり、共通の構成についての説明は省略する。
 第1導体13Ea及び第2導体13Ebは、同じ構造であり、それぞれ矩形状の第1フレーム61と、第1フレーム61を2分割するように接続される第2フレーム63と、第1フレーム61及び第2フレーム63とに囲まれた開口64と、第1フレームの四隅からそれぞれ第1基板3側へ延びる脚部65とを有する。
 第1フレーム61の長手方向の中心付近で第2フレーム63が配置されているので、第2フレーム63が第1導体13Ea及び第2導体13Ebを実装する際の実装機吸着部として機能することができる。また、第1導体13Ea及び第2導体13Ebの厚みが薄いとき、第2フレーム63により板金形成での反りを抑えることができる。
 板金である第1導体13Ea及び第2導体13Ebは、潰し加工、ハープパンチ加工、または、折り曲げ加工により脚部65が形成される。図15から図17を参照して第1導体13Ea及び第2導体13Ebの製造方法を説明する。ここでは折り曲げ加工による製法を説明する。図15及び図16は第1導体13Ea及び第2導体13Ebを形成する工程図であり、図17は図16のE-E線に沿った側面図である。
 図15に示すように、1枚の板金から型抜きすることでプレート状の第1フレーム61及び脚部65を形成することができる。次に図16及び図17に示すように、脚部65を第1フレーム61に対して90度折り曲げることで第1導体13Ea及び第2導体13Ebを形成する。
 以上のように、実施形態6のRFIDモジュール1Eにおいて、第1放射素子13Eは、板金である第1導体13Ea及び第2導体13Ebと、第1基板3の第1主面3a側に配置された第3導体13Acと、を有する。第1導体13EaはRFICチップ7に隣り合って配置され、第2導体13Ebは、第1導体13Eaに対してRFICチップ7の反対側に配置される。第1導体13Ea、第2導体13Eb、及び、第3導体13Acは電気的に接続される。
 これらの構成により、第1基板3からRFICチップ7側の第1導体13Ea及び第2導体13Ebが板金のみで構成されており、基板がないので反りの発生をなくすことができる。
(実施形態7)
 次に、図18及び図19を参照して、実施形態7におけるRFIDモジュール1Fについて説明する。図18は、実施形態7のRFIDモジュール1Fの概略を示す縦断面図である。図19は、実施形態7のRFIDモジュール1Fの第1導体13Fa及び第2導体Fbの平面図である。
 実施形態7におけるRFIDモジュール1Fの第1導体13Fa及び第2導体Fbは、矩形形状ではなく凹形状を有している。この点及び以下に説明する点以外の構成については、実施形態7のRFIDモジュール1Fと実施形態6のRFIDモジュール1Eとは同じであり、共通の構成についての説明は省略する。
 第1導体13Fa及び第2導体13Fbは、同じ構造であり、それぞれ凹形状の第3フレーム71を有する。第3フレーム71は、2つの側辺71aと1つの底辺71bとを有する。第1導体13Fa及び第2導体13Fbは、さらに、2つの側辺71aの中央部でそれぞれを接続する第4フレーム73と、第3フレーム71及び第4フレーム73とに囲まれた開口74、75と、第3フレーム71の四隅からそれぞれ第1基板3側へ延びる脚部65とを有する。開口75は、第3フレーム71及び第4フレーム73とで形成される凹部である。
 第3フレーム71の長手方向の中心付近で第4フレーム73が配置されているので、第4フレーム73が第1導体13Fa及び第2導体13Fbを実装する際の実装機吸着部として機能することができる。また、第1導体13Fa及び第2導体13Fbの厚みが薄いとき、第4フレーム73により板金形成での反りを抑えることができる。
 以上のように、実施形態7のRFIDモジュール1Fにおいて、第1導体13Fa及び第2導体13Fbは、2つの側辺71aと1つの底辺71bとを有する凹形状の第3フレーム71と、2つの側辺71aの中央部でそれぞれを接続する第4フレーム73とを有する。第1導体13Fa及び第2導体Fbのそれぞれの第4フレーム73が対向するように配置されている。
 これらの構成により、実施形態6の第1導体13Ea及び第2導体13Ebに比べて、板金の対向する辺を脚部65を残して取り除いているので、樹脂層9の樹脂モールド時の樹脂流動性を向上することができる。
 本発明は、上記各実施形態のものに限らず、次のように変形実施することができる。
 上記実施形態4及び5において、第1導体及び第2導体はそれぞれ第2基板及び第3基板に配置されていたがこれらに限らない。実施形態6及び7のように、第2基板及び第3基板を用いずに、板金で構成してもよい。
 本発明をある程度の詳細さをもって各実施形態において説明したが、これらの実施形態の開示内容は構成の細部において変化してしかるべきものであり、各実施形態における要素の組合せや順序の変化は請求された本発明の範囲および思想を逸脱することなく実現し得るものである。
(実施形態の概要)
 本発明に係る第1の態様のRFIDモジュールは、互いに対向する第1主面と第2主面とを有する第1基板と、第1基板の第1主面側に配置されるRFICチップと、第1基板の第1主面側に、少なくとも一部が第1主面と離れて配置される第1放射素子と、第1基板の第2主面側に配置される第2放射素子と、を備える。第2放射素子は、第1基板の長手方向において対向する第1端部および第2端部を有する。第1端部は、RFICチップの一方の端子と電気的に接続される。第1放射素子は、第1基板の長手方向において対向する第3端部および第4端部を有する。第3端部は、RFICチップの他方の端子と電気的に接続される。第2放射素子の第2端部と第1放射素子の第4端部とが互いに電気的に接続される。第2放射素子は第1開口を有する。
 この態様のRFIDモジュールは、第1基板の第2主面側に配置された第2放射素子が第1開口を有するので、第2放射素子による第1基板への接地面積が抑えられているので、加熱された際に、第2放射素子と第1基板との界面に負荷される力が低減される。これにより、第2放射素子が熱膨張しても第1基板に反りが発生するのを抑制することができる。
 第2の態様によれば、第1の態様のRFIDモジュールにおいて、第1開口の最小幅は、前記第2放射素子の線幅よりも大きい。
 第3の態様によれば、第1の態様または第2の態様のRFIDモジュールにおいて、第1開口の面積は、第2放射素子の外形線で囲まれる領域の面積の半分以上の大きさである。
 第4の態様によれば、第1の態様から第3の態様のいずれか1つのRFIDモジュールにおいて、第1基板は、RFICチップの一方の端子と第1端部とを電気的に接続する層間接続導体を備え、第2放射素子の線幅は、層間接続導体の直径の2倍以上の大きさである。
 第5の態様によれば、第1の態様から第4の態様のいずれか1つのRFIDモジュールにおいて、互いに対向する第3主面と第4主面とを有し、第1基板の第1主面と第4主面とが対向するように配置される第2基板を備え、RFICチップは第2基板と隣り合って配置され、第1放射素子は第2基板の第3主面側に配置され、第1放射素子は第2開口を有し、第2開口の最小幅は、第1放射素子の線幅よりも大きい。
 第6の態様によれば、第1の態様から第5の態様のいずれか1つのRFIDモジュールにおいて、第1放射素子及び第2放射素子の一方の線幅は、他方の線幅よりも大きい。
 第7の態様によれば、第1の態様から第4の態様のいずれか1つのRFIDモジュールにおいて、互いに対向する第3主面と第4主面とを有し、第1基板の第1主面と第4主面とが対向するように配置される第2基板と、互いに対向する第5主面と第6主面とを有し、第1基板の第1主面と第6主面とが対向するように配置される第3基板と、を備える。RFICチップは第2基板と隣り合って配置され、第3基板は、第2基板に対してRFICチップの反対側に配置される。第2放射素子は、第2基板の第3主面に配置された第1導体と、第3基板の第5主面側に配置された第2導体と、第1基板の第1主面側に配置されて第3導体と、を有する。第1導体、第2導体、及び、第3導体は電気的に接続される。第1放射素子は第2開口を有し、第2開口の最小幅は、第1放射素子の線幅よりも大きい。
 第8の態様によれば、第7の態様のRFIDモジュールにおいて、第2放射素子は、第1基板を挟んで第3導体と重なる箇所に第3開口を有する。
 第9の態様によれば、第7の態様または第8の態様のRFIDモジュールにおいて、第2導体は、凹形状の第1配線パターンと、RFICチップから離れる方向に第1配線パターンから延びる第2配線パターンとを有し、
 第4端部は、第2配線パターンの端部である。
 第10の態様によれば、第7の態様または第8の態様のRFIDモジュールにおいて、第2導体のRFICチップから遠い側と電気的に接続される第3配線パターンが第1基板の第1主面側に配置される。第3配線パターンはRFICチップから離れる方向に延び、第3配線パターンの端部と第2放射素子の第2端部とが電気的に接続される。
 第11の態様によれば、第7の態様または第8の態様のRFIDモジュールにおいて、第3導体は、第1導体と第2導体とを電気的に接続する第3配線パターンと、第2導体のRFICチップから遠い側と電気的に接続され、RFICチップから離れる方向に延びる第4配線パターンとを有する。第3配線パターンの少なくとも一部が平面視で第2開口と重なるように配置される。
 第12の態様によれば、第1の態様から第4の態様のいずれか1つのRFIDモジュールにおいて、第1放射素子は、板金である第1導体及び第2導体と、第1基板の第1主面側に配置された第3導体と、を有する。第1導体はRFICチップに隣り合って配置され、第2導体は、第1導体に対してRFICチップの反対側に配置される。第1導体、第2導体、及び、第3導体は電気的に接続される。
 第13の態様によれば、第12の態様のRFIDモジュールにおいて、第1導体及び第2導体は、矩形状の第1フレームと、第1フレームを2分割するように接続される第2フレームと、を有する。
 第14の態様によれば、第12の態様または第13の態様のRFIDモジュールにおいて、第1導体及び第2導体は、2つの側辺と1つの底辺とを有し、凹形状の第3フレームと、2つの側辺の中央部でそれぞれを接続する第4フレームとを有する。第1導体及び第2導体のそれぞれの第4フレームが対向するように配置されている。
  1、1A、1B、1C、1D、1F RFIDモジュール
  3  第1基板
  3a 第1主面
  3b 第2主面
  5、5A 第2基板
  5a 第3主面
  5b 第4主面
  7  RFICチップ
  7a 第1端子
  7b 第2端子
  9  樹脂層
 11  第2放射素子
 11a  第1端辺
 11b  第2端辺
 11c  側辺
 11d  外形線
 11e  第3開口
 12  第1開口
 13、13A 第1放射素子
 13a 第3端辺
 13b 第4端辺
 13ba 第2配線パターン
 13bb 第3配線パターン
 13c 側辺
 13d 外形線
 13f 第1配線パターン
 13Aa、13Ea 第1導体
 13Ab、13Aba、13Eb 第2導体
 13Ac 第3導体
 14  第2開口
 15  ハンダ
 17  第1ランド
 19  第2ランド
 21、22 電極
 23  第1層間接続導体
 25  第2層間接続導体
 27  第3層間接続導体
 29  第4層間接続導体
 30、31、33、35 電極
 36  第5層間接続導体
 37  電極
 38  第6層間接続導体
 39  電極
 41  第3基板
 41a 第5主面
 41b 第6主面
 61  第1フレーム
 63  第2フレーム
 64  開口
 65  脚部
 71  第3フレーム
 71a 側辺
 71b 底辺
 73  第4フレーム
  Wa 幅
  Wb 線幅

Claims (14)

  1.  互いに対向する第1主面と第2主面とを有する第1基板と、
     前記第1基板の前記第1主面側に配置されるRFICチップと、
     前記第1基板の第1主面側に、少なくとも一部が前記第1主面と離れて配置される第1放射素子と、
     前記第1基板の第2主面側に配置される第2放射素子と、を備え、
     前記第2放射素子は、前記第1基板の長手方向において対向する第1端部および第2端部を有し、
     前記第1端部は、前記RFICチップの一方の端子と電気的に接続され、
     前記第1放射素子は、前記第1基板の長手方向において対向する第3端部および第4端部を有し、
     前記第3端部は、前記RFICチップの他方の端子と電気的に接続され、
     前記第2放射素子の前記第2端部と前記第1放射素子の前記第4端部とが互いに電気的に接続され、
     前記第2放射素子は第1開口を有する、
     RFIDモジュール。
  2.  前記第1開口の最小幅は、前記第2放射素子の線幅よりも大きい、
     請求項1に記載のRFIDモジュール。
  3.  前記第1開口の面積は、前記第2放射素子の外形線で囲まれる領域の面積の半分以上の大きさである、
     請求項1または2に記載のRFIDモジュール。
  4.  前記第1基板は、前記RFICチップの一方の端子と前記第1端部とを電気的に接続する層間接続導体を備え、
     前記第2放射素子の線幅は、前記層間接続導体の直径の2倍以上の大きさである、
     請求項1から3のいずれか1つに記載のRFIDモジュール。
  5.  互いに対向する第3主面と第4主面とを有し、前記第1基板の第1主面と前記第4主面とが対向するように配置される第2基板を備え、
     前記RFICチップは前記第2基板と隣り合って配置され、
     前記第1放射素子は前記第2基板の第3主面側に配置され、
     前記第1放射素子は第2開口を有し、
     前記第2開口の最小幅は、前記第1放射素子の線幅よりも大きい、
     請求項1から4のいずれか1つに記載のRFIDモジュール。
  6.  前記第1放射素子及び前記第2放射素子の一方の線幅は、他方の線幅よりも大きい、
     請求項1から5のいずれか1つに記載のRFIDモジュール。
  7.  互いに対向する第3主面と第4主面とを有し、前記第1基板の第1主面と前記第4主面とが対向するように配置される第2基板と、
     互いに対向する第5主面と第6主面とを有し、前記第1基板の第1主面と前記第6主面とが対向するように配置される第3基板と、を備え、
     前記RFICチップは前記第2基板と隣り合って配置され、
     前記第3基板は、前記第2基板に対して前記RFICチップの反対側に配置され、
     前記第1放射素子は、前記第2基板の第3主面に配置された第1導体と、前記第3基板の第5主面側に配置された第2導体と、前記第1基板の第1主面側に配置された第3導体と、を有し、
     前記第1導体、前記第2導体、及び、前記第3導体は電気的に接続され、
     前記第1放射素子は第2開口を有し、
     前記第2開口の最小幅は、前記第1放射素子の線幅よりも大きい、
     請求項1から4のいずれか1つに記載のRFIDモジュール。
  8.  前記第2放射素子は、前記第1基板を挟んで前記第3導体と重なる箇所に第3開口を有する、
     請求項7に記載のRFIDモジュール。
  9.  前記第2導体は、凹形状の第1配線パターンと、前記RFICチップから離れる方向に前記第1配線パターンから延びる第2配線パターンとを有し、
     前記第4端部は、前記第2配線パターンの端部である、
     請求項7または8に記載のRFIDモジュール。
  10.  前記第2導体の前記RFICチップから遠い側と電気的に接続される第3配線パターンが前記第1基板の第1主面側に配置され、
     前記第3配線パターンは前記RFICチップから離れる方向に延び、
     前記第3配線パターンの端部と前記第2放射素子の前記第2端部とが電気的に接続される、
     請求項7または8に記載のRFIDモジュール。
  11.  前記第3導体は、前記第1導体と前記第2導体とを電気的に接続する電極パターンと、前記第2導体の前記RFICチップから遠い側と電気的に接続され、前記RFICチップから離れる方向に延びる第3配線パターンとを有し、
     前記第3配線パターンの少なくとも一部が平面視で第2開口と重なるように配置されている、
     請求項7または8に記載のRFIDモジュール。
  12.  前記第1放射素子は、板金である第1導体及び第2導体と、前記第1基板の第1主面側に配置された第3導体と、を有し、
     前記第1導体は前記RFICチップに隣り合って配置され、前記第2導体は、前記第1導体に対して前記RFICチップの反対側に配置され、
     前記第1導体、前記第2導体、及び、前記第3導体は電気的に接続される、
     請求項1から4のいずれか1つに記載のRFIDモジュール。
  13.  前記第1導体及び前記第2導体は、矩形状の第1フレームと、前記第1フレームを2分割するように接続される第2フレームと、を有する、
     請求項12に記載のRFIDモジュール。
  14.  前記第1導体及び前記第2導体は、2つの側辺と1つの底辺とを有し、凹形状の第3フレームと、前記2つの側辺の中央部でそれぞれを接続する第4フレームとを有し、
     前記第1導体及び前記第2導体のそれぞれの第4フレームが対向するように配置されている、
     請求項12または13に記載のRFIDモジュール。
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