WO2024024233A1 - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

半導体レーザ装置は、複数のメサ部を有する半導体レーザ素子と、複数のメサ部が配置される凹部を有するサブマウントと、を備える。凹部には、配線部が設けられている。各メサ部に対応する電極は、半田部材を介して、配線部と電気的に接続されている。配線部は、互いに隣接し電気的に分離された第１配線及び第２配線を含む。半導体レーザ素子の第１基準面は、サブマウントの第２基準面と面接触している。第１配線に対応する第１メサ部の第１基端部から第２配線に対応する第２メサ部の第２基端部までの距離は、メサ部のコンタクト領域の長さよりも長い。

Description

半導体レーザ装置

　本開示は、半導体レーザ装置に関する。

　従来、端面出射型の半導体レーザ素子が知られている。例えば特許文献１には、ジャンクションアップ方式によって、複数のチャンネル（発光点）を有する半導体レーザ素子の表面（発光点を形成する活性層が設けられた側の面）とは反対側の裏面をマウント部材に実装する構成が開示されている。また、従来、ジャンクションアップ方式以外の実装方式として、半導体レーザ素子の表面をマウント部材に実装するジャンクションダウン方式も知られている。

特開第２０１９－１２５６１４号公報

　しかしながら、上述したような従来の実装方式には、例えばリフロー半田付け等によって半田部材を介して半導体レーザ素子の表面又は裏面をマウント部材に実装する際に、半田部材の厚みが均一にならず、複数の発光点の高さ位置がばらつくという問題があった。

　また、複数のチャンネルを互いに独立して駆動可能な第１チャンネルと第２チャンネルとを少なくとも含むように構成する場合、第１チャンネルと第２チャンネルとの間の短絡を確実に防止することが求められる。

　そこで、本開示の一側面は、互いに独立して駆動可能に構成されたチャンネル間の短絡を防止しつつ、複数の発光点の位置合わせを精度良く実行することができる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。

　本開示は、以下の［１］～［１８］の半導体レーザ装置を含んでいる。

［１］
　第１方向において互いに反対側に位置する第１表面及び第２表面を有する基板と、第１方向に直交する第２方向に交差する光出射端面を有し、第２表面に形成された第１基準面に対して第１方向に突出すると共に第２方向に延在するように形成された複数のメサ部と、を有する半導体レーザ素子と、
　第１基準面に対向する第２基準面を形成する第３表面と、第３表面に形成され、複数のメサ部が配置される凹部と、を有するマウント部材と、を備え、
　メサ部は、凹部の底面に対向する頂面と、第１方向及び第２方向に直交する第３方向において互いに反対側に位置する一対の側面と、を有し、
　メサ部の頂面には、メサ部の頂面側に設けられたコンタクト層と電気的に接続された第１電極が設けられており、
　凹部には、複数のメサ部の各々に対応する位置に配線部が設けられており、
　複数のメサ部の各々に対応する第１電極は、半田部材を介して、配線部と電気的に接続されており、
　配線部は、第３方向に互いに隣接して配置され且つ互いに電気的に分離された第１配線及び第２配線を含み、
　第１配線と電気的に接続された半田部材が第２配線と電気的に接続された半田部材と接触しないように配置されていることにより、第１配線と電気的に接続されたメサ部である第１メサ部は、第２配線と電気的に接続されたメサ部である第２メサ部と電気的に分離されており、
　第１基準面は、第２基準面と面接触しており、
　第１メサ部に対して第２メサ部が位置する側の第１メサ部の側面と第１基準面との境界である第１基端部から第２メサ部に対して第１メサ部が位置する側の第２メサ部の側面と第１基準面との境界である第２基端部までの第３方向の距離は、コンタクト層のうち第１電極と接触するコンタクト領域の第３方向の長さよりも長い、
　半導体レーザ装置。

　上記半導体レーザ装置では、半導体レーザ素子の第１基準面がマウント部材の第２基準面と面接触している。これにより、マウント部材の第２基準面に対する複数の発光点（例えば、光出射端面の第１方向における中心）の位置を精度良く揃えることができる。また、上記半導体レーザ装置は、互いに電気的に分離される（すなわち、互いに独立して駆動可能に構成される）と共に互いに隣接して配置された第１メサ部及び第２メサ部を有する。ここで、コンタクト領域の幅（第３方向の長さ）によって、必要となる半田部材の量（例えば、第３方向における半田部材の幅）が変化し得るが、上記半導体レーザ装置では、第１メサ部と第２メサ部との間隔（すなわち、第３方向における第１基端部から第２基端部までの距離）がコンタクト領域の幅よりも長くされている。これにより、コンタクト領域の幅に応じて必要となる半田部材の量に対して、第１メサ部と第２メサ部との間隔を十分に確保することができる。その結果、リフロー半田付けによって半導体レーザ素子をマウント部材に実装する際に、第１メサ部に対応する半田部材と第２メサ部に対応する半田部材とが溶けて互いに接触してしまうことを好適に防止できる。従って、上記半導体レーザ装置によれば、互いに独立して駆動可能に構成されたチャンネル間の短絡を防止しつつ、複数の発光点の位置合わせを精度良く実行することができる。

［２］
　凹部は、第１メサ部が配置される第１凹部と、第２メサ部が配置される第２凹部と、を有し、
　第１凹部と第２凹部との間に形成され、第１凹部と第２凹部とを分離するように第２方向に延在する隔壁部の第２基準面の第３方向の長さは、コンタクト領域の第３方向の長さよりも長い、
　［１］の半導体レーザ装置。
　上記構成によれば、第１メサ部と第２メサ部とを互いに異なる凹部（第１凹部及び第２凹部）に配置すると共に第１凹部と第２凹部との間の隔壁部の幅を十分に確保することにより、リフロー時に溶けた第１メサ部（又は第２メサ部）に対応する半田部材が隔壁部を越えて第２メサ部（又は第１メサ部）に対応する半田部材と短絡することを好適に防止できる。

［３］
　凹部は、複数のメサ部の各々が個別に配置される複数の凹部によって構成されており、
　互いに隣接する凹部間には、第２方向に延在すると共に第３方向に所定の長さを有し、第２基準面を有する隔壁部が設けられている、
　［１］又は［２］の半導体レーザ装置。
　上記構成によれば、２以上のメサ部が配置される単一の凹部を含む構成と比較して、隣接するメサ部間の短絡を好適に防止できると共に、複数のチャンネルの独立駆動の信頼性を向上させることができる。さらに、各凹部間に設けられた隔壁部において第１基準面と第２基準面との接触面積を増やすことができるため、半導体レーザ素子（主に基板）にかかる応力を低減でき、半導体レーザ素子の反りの発生を抑制することができる。特に、第３方向に複数のメサ部が配列されることによって基板の第３方向の長さが長くなると、第３方向に対して基板の反りが発生し易くなる。上記構成は、このような場合に特に有効である。

［４］
　第１表面には、複数のメサ部に共通の単一の第２電極が設けられている、
　［１］～［３］のいずれかの半導体レーザ装置。
　上記構成によれば、半導体レーザ素子の基板の裏面（第１表面）側に配置される電極部材（第２電極）を複数のメサ部間で共通化することにより、ワイヤボンディングによって当該電極部材に接続されるワイヤの本数を削減できるため、ワイヤボンディングによる半導体レーザ素子の損傷を抑制できる。

［５］
　凹部は、第３方向においてメサ部の側面に対向する第１側面を有し、
　第１側面は、第３表面における凹部の第３方向に沿った開口幅が凹部の底面の第３方向に沿った幅よりも大きくなるように、底面に対して傾斜している、
　［１］～［４］のいずれかの半導体レーザ装置。
　上記構成によれば、凹部の第１側面を底面側から開口端側に向かって幅広となる傾斜面として構成することにより、凹部内において、リフロー時に溶けた半田部材を逃がすためのスペースを適切に確保することができる。

［６］
　配線部は、凹部の内部から凹部の外側の第３表面上まで延びている、
　［１］～［５］のいずれかの半導体レーザ装置。
　上記構成によれば、半導体レーザ素子のメサ部側の電極を第１電極及び配線部を介してマウント部材の表面（第３表面）まで引き出すことができるため、半導体レーザ素子に電流を流すための構成の実装が容易となる。

［７］
　配線部は、凹部の内部から凹部の外側まで第２方向に沿って延びており、
　凹部は、第２方向に交差し、配線部が沿う第２側面を有し、
　第２側面は、第３表面における凹部の第２方向に沿った開口幅が凹部の底面の第２方向に沿った幅よりも大きくなるように、底面に対して傾斜している、
　［６］の半導体レーザ装置。
　仮に第２側面が上記のように傾斜していない場合（例えば、第２側面が凹部の底面に対して垂直な面である場合）、配線部が段差状に折れ曲がってしまうため、断線が生じ易くなる。一方、上記のように第２側面を傾斜面として構成し、傾斜した第２側面に配線部を沿わせることにより、配線部が段差状に折れ曲がることを回避し、断線の発生を抑制することができる。

［８］
　複数のメサ部の各々は、メサ部毎に独立して設けられた一以上の活性層を有している、
　［１］～［７］のいずれかの半導体レーザ装置。
　上記構成によれば、複数のメサ部間において活性層が空間的に分離されるため、メサ部間の光学的クロストークの発生を確実に防止することができる。また、各メサ部に複数の活性層を設けた場合には、各メサ部をスタック型の半導体レーザ素子として機能させることができ、レーザ出力の増強を図ることができる。

［９］
　配線部は、複数のメサ部の各々に対応する位置毎に配置され、互いに電気的に分離された複数の配線を含み、
　複数の配線のうち第３方向に互いに隣接して配置された任意の２つの配線は、第１配線及び第２配線に該当する、
　［１］～［８］のいずれかの半導体レーザ装置。
　上記構成によれば、互いに隣接する任意の２つのメサ部間において、メサ部同士の間隔（すなわち、第３方向における第１基端部から第２基端部までの距離）がコンタクト領域の幅よりも長くされているため、各チャンネル間の短絡を防止しつつ、複数のメサ部（チャンネル）を独立して駆動させることが可能となる。

［１０］
　マウント部材は、シリコンによって形成されている、
　［１］～［９］のいずれかの半導体レーザ装置。
　上記構成によれば、例えばエッチングプロセスによって、凹部を精度良く形成することができる。

［１１］
　マウント部材は、第３表面と接続され、第２方向に交差する第４表面を有し、
　凹部は、第４表面まで延びており、第４表面に開口している、
　［１］～［１０］のいずれかの半導体レーザ装置。
　上記構成によれば、凹部のうち第４表面に開口した部分から、凹部に配置された各メサ部の光出射端面を外部に露出させることができるため、光出射端面から第２方向に沿って出射される光の取り出し効率を向上させることができる。

［１２］
　第３表面には、マウント部材に対して半導体レーザ素子を位置合わせするためのアライメントマークが設けられている、
　［１］～［１１］のいずれかの半導体レーザ装置。
　上記構成によれば、マウント部材に半導体レーザ素子を実装する際に、マウント部材に対する半導体レーザ素子の位置合わせを容易且つ正確に行うことが可能となる。

［１３］
　第１方向における基板の厚さは、第１方向におけるマウント部材の厚さよりも小さい、
　［１］～［１２］のいずれかの半導体レーザ装置。
　上記構成によれば、半導体レーザ素子よりも厚みのあるマウント部材を用いることにより、半導体レーザ素子に対するマウント部材の歪み（すなわち、第２基準面の歪み）の発生を好適に抑制できる。その結果、マウント部材の第２基準面に対する複数の発光点の位置をより一層精度良く揃えることができる。

［１４］
　基板は、第３方向に交差する第５表面を有し、
　第３方向において第５表面から最も近い位置に設けられた凹部の端部から第５表面までの第３方向の距離は、第１基準面からメサ部の頂面までの第１方向の距離よりも長い、
　［１］～［１３］のいずれかの半導体レーザ装置。
　上記構成によれば、基板のうち第３方向において凹部が設けられた領域よりも外側において、第１基準面と第２基準面とが接触する部分の面積を一定以上確保することができるため、マウント部材に対する半導体レーザ素子の支持安定性を向上させることができる。

［１５］
　第２方向において半導体レーザ素子及びマウント部材と対向する位置に配置され、複数のメサ部の各々の光出射端面から出射される光を外部に向けて導光する光学素子と、
　マウント部材及び光学素子を支持する支持基板と、
を更に備え、
　支持基板は、マウント部材の第３表面とは反対側の第６表面と面接触してマウント部材を支持する第１支持面と、光学素子と面接触して光学素子を支持する第２支持面と、を有する、
　［１］～［１４］のいずれかの半導体レーザ装置。
　上記構成によれば、半導体レーザ素子が搭載されたマウント部材と光学素子とが、支持基板の第１支持面及び第２支持面と面接触して支持されるため、半導体レーザ素子及び光学素子の高さ位置（すなわち、支持基板の支持面（第１支持面及び第２支持面）を基準とする各部材の高さ位置）を容易且つ精度良く合わせることができる。

［１６］
　光学素子は、複数のメサ部の各々の光出射端面から出射される光が入射される光入射面を有し、
　マウント部材は、光入射面に対向する第４表面を有し、
　光入射面は、第４表面と面接触している、
　［１５］の半導体レーザ装置。
　上記構成によれば、第２方向において互いに対向するマウント部材の第４表面と光学素子の光入射面とを面接触させることにより、第２方向における光出射端面と光入射面との距離を精度良く調整することができる。すなわち、マウント部材に半導体レーザ素子を実装する際に、第２方向における光出射端面から第４表面までの距離を調整することにより、光出射端面から光入射面までの距離を調整することができる。

［１７］
　凹部の第２方向の長さは、半導体レーザ素子の第２方向の長さよりも長い、
　［１］～［１６］のいずれかの半導体レーザ装置。
　上記構成によれば、凹部のうち第２方向において半導体レーザ素子（メサ部）と重ならない空間に、リフロー時に溶けた半田部材を逃すことが可能となる。また、光学素子がレンズである場合等において、レンズの焦点距離に応じて、マウント部材に対する半導体レーザ素子の第２方向の位置を調整することが可能となる。

［１８］
　支持基板上において、光学素子、マウント部材、及び半導体レーザ素子を覆うように形成されたモールド樹脂を更に備える、
　［１５］～［１７］のいずれかの半導体レーザ装置。
　上記構成によれば、モールド樹脂によって、支持基板上に配置された各部材（光学素子、マウント部材、及び半導体レーザ素子）の位置関係を固定することができるため、各部材の位置関係のずれが発生することを防止できる。また、モールド樹脂によって各部材を適切に保護することができる。

　本開示の一側面によれば、互いに独立して駆動可能に構成されたチャンネル間の短絡を防止しつつ、複数の発光点の位置合わせを精度良く実行することができる半導体レーザ装置を提供することができる。

図１は、第１実施形態の半導体レーザ装置を示す斜視図である。 図２は、図１の半導体レーザ装置の半導体レーザ素子をメサ部が設けられた側から見た斜視図である。 図３は、図２のIII-III線に沿った断面図である。 図４は、図１の半導体レーザ装置における半導体レーザ素子が実装される前のサブマウントを示す斜視図である。 図５は、図４の領域Ａの拡大図である。 図６の（Ａ）は、図５のVIa-VIa線に沿った断面図である。図６の（Ｂ）は、図５のVIb-VIb線に沿った断面図である。 図７は、サブマウントに対する半導体レーザ素子の実装工程を示す図である。 図８は、サブマウントに実装された半導体レーザ素子を示す平面図である。 図９は、互いに隣接する２つのメサ部を含む部分の側面図である。 図１０は、凹部の変形例を示す側面図である。 図１１は、凹部の他の変形例を示す部分側面図である。 図１２は、第２実施形態の半導体レーザ装置を示す斜視図である。 図１３は、図１２の半導体レーザ装置を示す側面図である。 図１４は、第３実施形態の半導体レーザ装置を示す斜視図である。 図１５は、図１４の半導体レーザ装置を示す側面図である。

　以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下の説明において、同一又は相当要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。

［第１実施形態］
　図１～図９を参照して、第１実施形態の半導体レーザ装置１Ａについて説明する。図１に示されるように、半導体レーザ装置１Ａは、半導体レーザ素子１０と、サブマウント２０（マウント部材）と、を備えている。半導体レーザ素子１０は、ジャンクションダウン方式によって、サブマウント２０上に実装されている。すなわち、半導体レーザ素子１０は、活性層１３（図３参照）が設けられた側の表面（下面１１ｂ）がサブマウント２０に対向するようにして、サブマウント２０上に搭載されている。

　本実施形態では、サブマウント２０に対して半導体レーザ素子１０が搭載される側を上側とし、半導体レーザ素子１０から外部に向けたレーザ光Ｌが出射される側を前側とする。また、上記定義を前提として、上下方向をＺ軸方向（第１方向）と表し、前後方向をＹ軸方向（第２方向）と表し、左右方向をＸ軸方向（第３方向）と表す。Ｚ軸方向は、半導体レーザ素子１０とサブマウント２０とが対向する方向と一致する。Ｙ軸方向は、Ｚ軸方向に直交する方向であり、半導体レーザ素子１０が有する複数のメサ部１２の各々が延在する方向（すなわち、レーザ出射方向）と一致する。Ｘ軸方向は、Ｚ軸方向及びＹ軸方向の両方に直交する方向であり、複数のメサ部１２の配列方向と一致する。

　半導体レーザ素子１０は、端面出射型の半導体レーザ素子である。半導体レーザ素子１０は、基板１１と、複数（本実施形態では８つ）のメサ部１２と、を有している。半導体レーザ素子１０は、単一のチャンネルのみを有するシングルチャンネル型であってもよいし、複数のチャンネルを有するマルチチャンネル型であってもよい。ここで、「チャンネル」とは、同時に発光する単位である。言い換えれば、チャンネルは、独立して駆動可能な単位である。一つのチャンネルは、一以上のメサ部１２によって構成される。例えば、２以上のメサ部１２が電気的に接続されている場合には、当該２以上のメサ部１２によって１つのチャンネルが構成される。本実施形態では、一例として、複数のメサ部１２の各々が互いに電気的に分離されているため、メサ部１２とチャンネルとは「１：１」の関係を有している。すなわち、本実施形態では、半導体レーザ素子１０は、マルチチャンネル（８チャンネル）型の半導体レーザ素子として構成されており、メサ部１２の数（８つ）とチャンネル数とが一致している。

　基板１１は、例えば化合物半導体基板等の半導体基板である。基板１１は、矩形板状（直方体状）に形成されている。図１及び図２に示されるように、基板１１は、Ｚ軸方向において互いに反対側に位置する上面１１ａ（第１表面）及び下面１１ｂ（第２表面）と、Ｙ軸方向において互いに反対側に位置する前面１１ｃ及び後面１１ｄと、Ｘ軸方向において互いに反対側に位置する側面１１ｅ，１１ｆ（第５表面）と、を有している。

　基板１１の上面１１ａには、カソード電極である電極３２（第２電極）が設けられている。一例として、電極３２は、複数のメサ部１２に共通の単一の電極として構成されている。すなわち、電極３２は、Ｚ軸方向において複数のメサ部１２と重なるように、上面１１ａの略全面に設けられている。電極３２は、例えば、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、Ａｕ等の金属材料によって形成され得る。電極３２の上面には、ワイヤボンディング等によって、図示しない電源回路と電気的に接続するためのワイヤが接続され得る。

　複数のメサ部１２は、それぞれ独立してレーザ光Ｌを出射する光出射端面１２ａを有している。図２に示されるように、複数（本実施形態では８つ）のメサ部１２は、Ｘ軸方向に沿って略等間隔に配列されている。各メサ部１２の光出射端面１２ａは、Ｙ軸方向に交差しており、Ｙ軸方向に沿ってレーザ光Ｌを出射する。なお、光出射端面１２ａは、各メサ部１２のＹ軸方向の両側（前側及び後側）に設けられているが、本実施形態では、前側の光出射端面１２ａが、外部に向けてレーザ光Ｌを出射する光出射端面として機能する。従って、後側の光出射端面１２ａには、後方に向けてレーザ光Ｌが出射されないようにするために、反射膜等が設けられてもよい。一方、前側の光出射端面１２ａには、外部への光の取り出し効率を高めるために、低反射膜が設けられてもよい。

　図２に示されるように、各メサ部１２は、基板１１の下面１１ｂに形成された基準面Ｒ１（第１基準面）に対してＺ軸方向に突出するように形成されている。また、各メサ部１２は、Ｙ軸方向に延在するように形成されている。基準面Ｒ１は、サブマウント２０の基準面Ｒ２（第２基準面）に面接触することによりサブマウント２０に直接支持される面である。一例として、下面１１ｂの全体（メサ部１２の表面を含む）に、絶縁層１９が所定の厚みで連続的に形成される。この場合、絶縁層１９の基板１１に対向する側とは反対側の表面１９ａが、基準面Ｒ１として機能する。

　各メサ部１２は、頂面１２ｂと、一対の側面１２ｃと、を有している。頂面１２ｂは、サブマウント２０の凹部２１（図４参照）に対向する面である。言い換えれば、頂面１２ｂは、メサ部１２に対して基板１１が位置する側とは反対側を向く面である。一例として、頂面１２ｂは、絶縁層１９の表面１９ａのうち、後述するコンタクト層１８の表面１８ａを覆う部分によって形成される。一対の側面１２ｃは、Ｘ軸方向において互いに反対側に位置する面である。側面１２ｃは、頂面１２ｂと基準面Ｒ１とを接続する面である。一対の側面１２ｃは、Ｘ軸方向における一対の側面１２ｃ同士の間隔が頂面１２ｂから基準面Ｒ１に向かうにつれて幅広となるように、頂面１２ｂ及び基準面Ｒ１に対して傾斜している。すなわち、各メサ部１２は、Ｙ軸方向から見た場合に、台形状に形成されている。

　各メサ部１２の頂面１２ｂには、各メサ部１２と電気的に接続されるアノード電極である電極３５（第１電極）が設けられている。すなわち、電極３５は、メサ部１２毎に設けられている。電極３５は、例えば、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ等の金属材料によって形成され得る。図２に示されるように、一例として、電極３５は、メサ部１２の頂面１２ｂの大部分（頂面１２ｂのＹ軸方向における両側縁部を除いた部分）を覆うと共に、Ｙ軸方向に延在するように設けられている。

　図３に示されるように、メサ部１２は、基板１１の下面１１ｂ上に形成された積層構造を有している。一例として、メサ部１２は、４つの第１積層構造体Ｌ１と、３つの第２積層構造体Ｌ２と、コンタクト層１８と、を含んでいる。より具体的には、基板１１の下面１１ｂ上に最下部（最も基板１１に近い側）の第１積層構造体Ｌ１が積層されている。その上に、１つの第２積層構造体Ｌ２が２つの第１積層構造体Ｌ１に挟まれる繰り返し構造が形成されるように、３つの第１積層構造体Ｌ１と３つの第２積層構造体Ｌ２とが積層されている。最上部（最も基板１１から遠い側）の第１積層構造体Ｌ１上には、コンタクト層１８が積層されている。

　第１積層構造体Ｌ１は、活性層１３と、第１半導体層１４と、第２半導体層１５と、を含んでいる。第１積層構造体Ｌ１を構成する各層は、下面１１ｂ側から、第１半導体層１４、活性層１３、第２半導体層１５の順に積層されている。活性層１３は、例えば、量子井戸層と障壁層とがＺ軸方向に交互に積層された量子井戸構造を含む層であり、レーザ光Ｌを発生させる層である。活性層１３は、例えば、ＩｎＧａＡｓ層とＩｎＡｌＡｓ層とを積層方向（Ｚ軸方向）に沿って交互に複数積層した構造を有している。第１半導体層１４は、例えば、ｎ型のＡｌＧａＡｓ層によって形成され得る。第２半導体層１５は、例えば、ｐ型のＡｌＧａＡｓ層によって形成され得る。

　第２積層構造体Ｌ２は、いわゆるトンネルジャンクションであり、第１トンネル接合層１６と、第２トンネル接合層１７と、を含んでいる。第１トンネル接合層１６は、第２トンネル接合層１７よりも下面１１ｂ側に位置している。第１トンネル接合層１６は、例えば、ｐ型ドーパントの高濃度ドープＧａＡｓ層によって形成され得る。第２トンネル接合層１７は、例えば、ｎ型ドーパントの高濃度ドープＧａＡｓ層によって形成され得る。

　コンタクト層１８は、例えば、ｐ型ドーパントの高濃度ドープＧａＡｓ層によって形成され得る。コンタクト層１８は、上述した電極３５と接触する層である。コンタクト層１８の基板１１に対向する側とは反対側の表面１８ａを覆う絶縁層１９には、表面１８ａの少なくとも一部を露出させるための開口部１９ｂが設けられている。図２及び図３に示されるように、開口部１９ｂは、電極３５とコンタクト層１８とが重なる部分において、Ｘ軸方向における頂面１２ｂの中央部に設けられている。Ｚ軸方向から見た場合に、開口部１９ｂは、Ｙ軸方向に延在する長方形状に形成されている。本実施形態では、図２において電極３５が窪んだ部分が、開口部１９ｂが形成された部分に対応する。開口部１９ｂにおいて、電極３５がコンタクト層１８側へと入り込むことによって、電極３５の表面が窪んでいる。コンタクト層１８の表面１８ａのうちＺ軸方向において開口部１９ｂと重なる領域（すなわち、外部に露出した領域）が、電極３５と接触するコンタクト領域ＣＡとして機能する。本実施形態では、絶縁層１９がコンタクト層１８の表面１８ａのＸ軸方向の両側縁部を覆っているため、コンタクト領域ＣＡのＸ軸方向の長さｄ１は、頂面１２ｂのＸ軸方向の長さよりも短くなっている。

　サブマウント２０は、例えば、シリコンによって形成されたシリコン基板である。サブマウント２０の内部には、半導体レーザ素子１０を駆動させるための回路が内蔵されてもよい。図４に示されるように、サブマウント２０は、矩形板状（直方体状）に形成されている。サブマウント２０は、Ｚ軸方向において互いに反対側に位置する上面２０ａ（第３表面）及び下面２０ｂ（第６表面）と、Ｙ軸方向において互いに反対側に位置する前面２０ｃ（第４表面）及び後面２０ｄと、Ｘ軸方向において互いに反対側に位置する側面２０ｅ，２０ｆと、を有している。上面２０ａは、半導体レーザ素子１０の基準面Ｒ１に対向する面であり、基準面Ｒ１と面接触する基準面Ｒ２を形成する。本実施形態では、半導体レーザ素子１０の基準面Ｒ１が、基板１１の下面１１ｂに設けられた絶縁層１９の表面１９ａによって形成されているのに対して、サブマウント２０の基準面Ｒ２は、サブマウント２０自体の表面（上面２０ａ）によって形成されている。

　サブマウント２０は、上面２０ａに形成された凹部２１を有している。凹部２１は、半導体レーザ素子１０に設けられた複数のメサ部１２を配置（収容）するために、上面２０ａの他の部分よりも下面２０ｂ側に窪むように形成された部分である。凹部２１は、例えばウェットエッチングによって形成され得る。一例として、凹部２１は、複数のメサ部１２の各々を個別に収容する複数（本実施形態では８つ）の凹部２２によって構成されている。すなわち、本実施形態では、上面２０ａに、複数のメサ部１２の各々に対応するようにＸ軸方向に配列された複数の凹部２２が設けられている。各凹部２２のＹ軸方向の長さは、基板１１のＹ軸方向の長さよりも長くされている。互いに隣接する凹部２２間には、隔壁部２３が設けられている。隔壁部２３は、Ｙ軸方向に延在すると共にＸ軸方向に所定の長さ（すなわち、一定以上の幅）を有し、基準面Ｒ２を有している。すなわち、隣接する凹部２２同士は、Ｘ軸方向に一定以上の間隔を空けて配置されており、この間隔に対応する部分（すなわち、凹部２２が形成されていない部分）が、隔壁部２３として機能する。

　図４、図５及び図６に示されるように、凹部２２は、Ｙ軸方向に延在する溝状に形成されている。凹部２２は、前面２０ｃまで延びており、前面２０ｃに開口している。凹部２２は、Ｚ軸方向に交差する底面２２ａと、Ｘ軸方向に交差する一対の側面２２ｂ（第１側面）と、Ｙ軸方向に交差する側面２２ｃ（第２側面）と、を有している。なお、図４、図５及び図６は、サブマウント２０に半導体レーザ素子１０が実装される前の状態を示している。

　一対の側面２２ｂは、半導体レーザ素子１０がサブマウント２０に実装された実装状態において、Ｘ軸方向においてメサ部１２の側面１２ｃと対向する面である。側面２２ｂは、上面２０ａにおける凹部２２のＸ軸方向に沿った開口幅が凹部２２の底面２２ａのＸ軸方向に沿った幅よりも大きくなるように、底面２２ａに対して傾斜している。すなわち、図６の（Ａ）に示されるように、底面２２ａに対する側面２２ｂの傾斜角度θ１は、鋭角をなしている。一方、上面２０ａ（基準面Ｒ２）と側面２２ｂとがなす角度θ２は、鈍角である。一例として、凹部２２がウェットエッチングによって形成されることによって、側面２２ｂは、平面状に形成されている。この場合、傾斜角度θ１と角度θ２とは、「θ１＋θ２＝１８０°」の関係を有している。

　側面２２ｃは、凹部２２の後方に形成された面である。側面２２ｃは、上面２０ａにおける凹部２２のＹ軸方向に沿った開口幅が凹部２２の底面２２ａのＹ軸方向に沿った幅よりも大きくなるように、底面２２ａに対して傾斜している。すなわち、図６の（Ｂ）に示されるように、底面２２ａに対する側面２２ｃの傾斜角度θ３は、鋭角をなしている。一例として、凹部２２がウェットエッチングによって形成されることによって、傾斜角度θ３は、傾斜角度θ１と略一致している。

　凹部２１には、複数のメサ部１２の各々に対応する位置に配線部Ｗが設けられている。一例として、配線部Ｗは、複数のメサ部１２の各々に対応する位置毎に配置された複数の配線３１を含んでいる。配線３１は、例えばＡｕ等の金属材料によって形成され得る。本実施形態では、メサ部１２毎に独立した凹部２２が形成されているため、図５に示されるように、凹部２２毎に個別の配線３１が設けられている。各凹部２２において、配線３１は、底面２２ａに沿ってＹ軸方向に延びている。図４及び図５に示されるように、配線３１は、凹部２２の内部から凹部２２の外側の上面２０ａ上まで延びている。一例として、各配線３１は、上面２０ａ上にそれぞれ独立して設けられた電極パッド３４まで延びている。すなわち、複数の配線３１は、互いに電気的に分離されている。これにより、複数のメサ部１２の各々に対して独立して電流を流すこと（すなわち、各メサ部１２を独立して駆動させること）が可能となっている。図５及び図６の（Ｂ）に示されるように、配線３１は、底面２２ａ及び側面２２ｃに沿っている。すなわち、側面２２ｃは、配線３１を凹部２２の内部から凹部２２の外側へと誘導する役割を果たしている。なお、各電極パッド３４には、ワイヤボンディング等によって、図示しない電源回路と電気的に接続するためのワイヤが接続され得る。

　図５及び図６の（Ａ）に示されるように、各凹部２２内において、配線３１上には、半田部材３３が蒸着等によって設けられている。半田部材３３は、例えばＳｎ、Ａｇ、Ｃｕ等のリフロー半田付けに適した材料によって形成され得る。

　図７を参照して、サブマウント２０に対する半導体レーザ素子１０の実装工程について説明する。まず、図７のＳ１に示されるように、各凹部２２内の配線３１上に半田部材３３が配置される。続いて、図７のＳ２に示されるように、半導体レーザ素子１０の各メサ部１２の位置と凹部２２の位置とを合わせると共に、基準面Ｒ１が基準面Ｒ２に対向するようにして半導体レーザ素子１０をサブマウント２０上に載置する。すなわち、各メサ部１２の頂面１２ｂに設けられた電極３５を、各凹部２２に配置された半田部材３３の上面と接触させる。続いて、図７のＳ２に示される状態の半導体レーザ素子１０及びサブマウント２０をリフロー炉で加熱することにより、半田部材３３が溶融し、半導体レーザ素子１０がサブマウント２０に吸着される。具体的には、半田部材３３が溶融して半田部材３３のＺ軸方向の厚みが減少することにより、半導体レーザ素子１０の基準面Ｒ１とサブマウント２０の基準面Ｒ２とが接触するまで、半導体レーザ素子１０がサブマウント２０側へと移動する。その結果、図７のＳ３に示されるように、複数のメサ部１２の各々が凹部２２内に収容されると共に、基準面Ｒ１と基準面Ｒ２とが面接触した状態となる。また、複数のメサ部１２の各々に対応する電極３５が、半田部材３３を介して、対応する配線３１と電気的に接続された状態となる。

　図８に示されるように、サブマウント２０の上面２０ａには、図７に示した実装工程においてサブマウント２０に対して半導体レーザ素子１０を位置合わせするためのアライメントマークＭが設けられている。一例として、アライメントマークＭは、平面視において十字形状を有している。アライメントマークＭは、実装状態における半導体レーザ素子１０のＸ軸方向の両側に配置されている。図８に示されるように、各アライメントマークＭのＸ軸方向における内側端部を側面１１ｅ，１１ｆに沿わせることにより、サブマウント２０に対する半導体レーザ素子１０のＸ軸方向の位置合わせを行うことが可能となっている。また、一例として、電極３２のＸ軸方向における両側端部には、アライメントマークＭに対応する目印（凹部３２ａ）が設けられている。アライメントマークＭのうちＸ軸方向の内側に延びる部分Ｍ１が凹部３２ａとＹ軸方向において重なるように位置合わせを行うことにより、サブマウント２０に対する半導体レーザ素子１０のＹ軸方向の位置合わせを行うことが可能となっている。なお、本実施形態では、このような位置合わせにより、半導体レーザ素子１０の前面１１ｃとサブマウント２０の前面２０ｃとが略面一となるように、半導体レーザ素子１０がサブマウント２０に対して配置されるため、前面１１ｃと前面２０ｃとを合わせることによっても、サブマウント２０に対する半導体レーザ素子１０のＹ軸方向の位置を決定することができる。ただし、例えば、基板１１の前面１１ｃがサブマウント２０の前面２０ｃよりも前方又は後方に位置するように半導体レーザ素子１０が配置される場合には、上述した部分Ｍ１及び凹部３２ａを目印として用いることにより、半導体レーザ素子１０のＹ軸方向の位置を適切に決定することができる。

　図９を参照して、実装状態における各メサ部１２の位置関係について説明する。図９は、複数（本実施形態では８つ）のメサ部１２のうち互いにＸ軸方向に隣接する２つのメサ部１２を含む部分をＹ軸方向（前方）から見た側面図である。ここでは、２つのメサ部１２のうち前方から見て左側のメサ部１２を第１メサ部１２Ａとし、右側のメサ部１２を第２メサ部１２Ｂとする。

　第１メサ部１２Ａが収容された凹部２２に配置された配線３１である第１配線３１Ａは、第２メサ部１２Ｂが収容された凹部２２に配置された配線３１である第２配線３１Ｂと電気的に分離（絶縁）されている。言い換えれば、複数の配線３１は、Ｘ軸方向に互いに隣接して配置され且つ互いに電気的に分離された第１配線３１Ａ及び第２配線３１Ｂを含んでいる。また、第１配線３１Ａと電気的に接続された半田部材３３が第２配線３１Ｂと電気的に接続された半田部材３３と接触しないように配置されていることにより、第１配線３１Ａと電気的に接続された第１メサ部１２Ａは、第２配線３１Ｂと電気的に接続された第２メサ部１２Ｂと電気的に分離されている。なお、本実施形態では、上述した通り、複数の配線３１は、互いに電気的に分離されている。従って、複数の配線３１のうちＸ軸方向に互いに隣接して配置された任意の２つの配線３１が、第１配線３１Ａ及び第２配線３１Ｂに該当する。

　ここで、メサ部１２の側面１２ｃと基準面Ｒ１との境界を基端部Ｐと表し、第１メサ部１２Ａに対して第２メサ部１２Ｂが位置する側の第１メサ部１２Ａの側面１２ｃと基準面Ｒ１との境界である基端部Ｐを第１基端部Ｐ１と表し、第２メサ部１２Ｂに対して第１メサ部１２Ａが位置する側の第２メサ部１２Ｂの側面１２ｃと基準面Ｒ１との境界である基端部Ｐを第２基端部Ｐ２と表す。このとき、第１基端部Ｐ１から第２基端部Ｐ２までのＸ軸方向の距離ｄ２は、メサ部１２のコンタクト領域ＣＡのＸ軸方向の長さｄ１よりも長い。

　また、Ｙ軸方向から見た場合に、凹部２２の側面２２ｂと当該側面２２ｂに対向するメサ部１２の側面１２ｃとのＸ軸方向の距離ｄ４は、Ｚ軸方向に沿って頂面１２ｂからメサ部１２の側面１２ｃと基準面Ｒ１との境界である基端部Ｐに向かうにつれて短くなっている。

［作用効果］
　以下、上述した半導体レーザ装置１Ａの作用効果について説明する。

（第１の作用効果）
　半導体レーザ装置１Ａでは、半導体レーザ素子１０の基準面Ｒ１（本実施形態では、絶縁層１９の表面１９ａ）がサブマウント２０の基準面Ｒ２と面接触している。これにより、サブマウント２０の基準面Ｒ２に対する複数の発光点（例えば、光出射端面１２ａのＺ軸方向における中心）の位置を精度良く揃えることができる。また、半導体レーザ装置１Ａは、互いに電気的に分離される（すなわち、互いに独立して駆動可能に構成される）と共に互いに隣接して配置された第１メサ部１２Ａ及び第２メサ部１２Ｂを有する。ここで、コンタクト領域ＣＡの幅（Ｘ軸方向の長さｄ１）によって、必要となる半田部材３３の量（例えば、Ｘ軸方向における半田部材３３の幅）が変化し得るが、半導体レーザ装置１Ａでは、第１メサ部１２Ａと第２メサ部１２Ｂとの間隔（すなわち、Ｘ軸方向における第１基端部Ｐ１から第２基端部Ｐ２までの距離ｄ２）がコンタクト領域ＣＡの長さｄ１よりも長くされている。これにより、コンタクト領域ＣＡの長さｄ１に応じて必要となる半田部材３３の量に対して、第１メサ部１２Ａと第２メサ部１２Ｂとの間隔を十分に確保することができる。その結果、リフロー半田付けによって半導体レーザ素子１０をサブマウント２０に実装する際に、第１メサ部１２Ａに対応する半田部材３３と第２メサ部１２Ｂに対応する半田部材３３とが溶けて互いに接触してしまうことを好適に防止できる。従って、半導体レーザ装置１Ａによれば、互いに独立して駆動可能に構成されたチャンネル間の短絡を防止しつつ、複数の発光点の位置合わせを精度良く実行することができる。

　さらに、半導体レーザ装置１Ａは、上記第１の作用効果に関連して、以下の構成を備えている。すなわち、図９に示されるように、凹部２１は、第１メサ部１２Ａが収容（配置）される凹部２２である第１凹部２２Ａと、第２メサ部１２Ｂが収容される凹部２２である第２凹部２２Ｂと、を有している。また、第１凹部２２Ａと第２凹部２２Ｂとの間に形成された隔壁部２３（すなわち、第１凹部２２Ａと第２凹部２２Ｂとを分離するようにＹ軸方向に延在する部分）の基準面Ｒ２のＸ軸方向の長さｄ３は、コンタクト領域ＣＡのＸ軸方向の長さｄ１よりも長い。図９に示されるように、本実施形態では、基準面Ｒ２と凹部２２の側面２２ｂとの境界部Ｂは、Ｘ軸方向において、基端部Ｐから離間している。このため、「ｄ２＞ｄ３＞ｄ１」の関係が成立している。なお、長さｄ３は、基準面Ｒ２及び第１凹部２２Ａの境界部Ｂ（第２凹部２２Ｂ側の境界部Ｂ）と基準面Ｒ２及び第２凹部２２Ｂの境界部Ｂ（第１凹部２２Ａ側の境界部Ｂ）とのＸ軸方向の長さである。上記構成によれば、第１メサ部１２Ａと第２メサ部１２Ｂとを互いに異なる凹部２２（第１凹部２２Ａ及び第２凹部２２Ｂ）に収容すると共に第１凹部２２Ａと第２凹部２２Ｂとの間の隔壁部２３の幅（長さｄ３）を十分に確保することにより、リフロー時に溶けた第１メサ部１２Ａ（又は第２メサ部１２Ｂ）に対応する半田部材３３が隔壁部２３を越えて第２メサ部１２Ｂ（又は第１メサ部１２Ａ）に対応する半田部材３３と接触（短絡）することを好適に防止できる。

　また、凹部２１は、複数のメサ部１２の各々が個別に収容される複数の凹部２２によって構成されており、互いに隣接する凹部２２間に隔壁部２３が設けられている。上記構成によれば、２以上のメサ部１２が収容される単一の凹部２２を含む構成と比較して、隣接するメサ部１２間の短絡を好適に防止できると共に、複数のチャンネルの独立駆動の信頼性を向上させることができる。さらに、各凹部２２間に設けられた隔壁部２３において基準面Ｒ１と基準面Ｒ２との接触面積を増やすことができるため、半導体レーザ素子１０（主に基板１１）にかかる応力を低減でき、半導体レーザ素子１０の反りの発生を抑制することができる。特に、本実施形態のようにＸ軸方向に複数のメサ部１２が配列されることによって基板１１のＸ軸方向の長さが長くなると、Ｘ軸方向に対して基板１１の反りが発生し易くなる。上記構成は、このような場合に特に有効である。

　なお、本実施形態では、第１メサ部１２Ａと第２メサ部１２Ｂとが別々の凹部２２に収容されることによって、第１メサ部１２Ａに対応する半田部材３３と第２メサ部１２Ｂに対応する半田部材３３とが互いに接触することが効果的に防止されるが、上記第１の作用効果を得る上で、第１メサ部１２Ａと第２メサ部１２Ｂとが別々の凹部２２に収容されることは必須ではない。例えば、図１０に示されるように、凹部２１は、複数（ここでは８つ）のメサ部１２を収容する単一の凹部２２Ｃによって構成されてもよい。この場合、単一の凹部２２Ｃの底面２２ａ上に複数のメサ部１２の各々に対応する複数の配線３１が設けられる。すなわち、複数のメサ部１２の各々に対応する位置に設けられた配線部Ｗは、複数のメサ部１２の各々に対応する位置毎に配置され、互いに電気的に分離された複数の配線３１を含む。或いは、図１１に示されるように、凹部２１は、複数（ただし、メサ部１２の総数よりも少ない数）の凹部２２を有すると共に、２以上（ここでは３つ）のメサ部１２を収容する少なくとも１つの凹部２２Ｄを有してもよい。上述した「ｄ２＞ｄ１」が成立する構成によれば、仮に第１メサ部１２Ａと第２メサ部１２Ｂとが同一の凹部に収容される場合（すなわち、第１メサ部１２Ａと第２メサ部１２Ｂとの間に隔壁部２３が設けられない場合）においても、第１メサ部１２Ａに対応する半田部材３３と第２メサ部１２Ｂに対応する半田部材３３との短絡の発生を効果的に防止することができる。

　また、図１１に示される例のように、隣接するメサ部１２間の距離（上述した距離ｄ２に対応する距離）は、全てのメサ部１２間で均一でなくてもよい。図１１の例では、凹部２２Ｄに収容された最も右側に位置するメサ部１２と凹部２２Ｄの右側に隣接する凹部２２に収容された最も左側に位置するメサ部１２との距離ｄ２１は、凹部２２Ｄに収容された３つのメサ部１２間の距離ｄ２２よりも長くされている。例えば、電気的に分離する必要があるメサ部１２間の距離を、電気的に分離する必要のないメサ部１２間の距離よりも長くしてもよい。また、図１１の例において、凹部２２Ｄに収容された３つのメサ部１２によって同一のチャンネルが構成される場合には、当該３つのメサ部１２に共通の１つの配線（当該３つのメサ部１２と重なるようにＸ軸方向に幅広に形成された配線）が凹部２２Ｄ内に設けられてもよい。この場合、当該１つの配線を介して、当該３つのメサ部１２が互いに電気的に接続される。

　また、本実施形態では、配線部Ｗは、複数のメサ部１２の各々に対応する位置毎に配置され、互いに電気的に分離された複数の配線３１を含み、複数の配線３１のうちＸ軸方向に互いに隣接して配置された任意の２つの配線３１が、上述した第１配線３１Ａ及び第２配線３１Ｂに該当する。上記構成によれば、互いに隣接する任意の２つのメサ部１２間において、メサ部１２同士の間隔（すなわち、距離ｄ２）がコンタクト領域ＣＡの幅（長さｄ１）よりも長くされているため、各チャンネル間の短絡を防止しつつ、複数のメサ部１２（チャンネル）を独立して駆動させることが可能となる。

　なお、複数の配線３１のうちのいくつかの配線３１は、互いに電気的に接続されていてもよい。例えば、上述したように、同一のチャンネルに属する２以上のメサ部１２に共通の配線３１が形成されてもよい。この場合、当該いくつかの配線３１に対応する半田部材３３同士が接触しても問題ない。従って、当該いくつかの配線３１に対応するメサ部１２同士がＸ軸方向に互いに隣接する場合において、当該メサ部１２同士の間隔（距離ｄ２）は、コンタクト領域ＣＡの幅（長さｄ１）よりも短くされてもよい。すなわち、上記第１の作用効果を得る上で、上述した「ｄ２＞ｄ１」の関係は、互いに電気的に分離された２つの配線３１（第１配線３１Ａ及び第２配線３１Ｂ）に対応する第１メサ部１２Ａと第２メサ部１２Ｂとの間で成立していればよい。

（第２の作用効果）
　半導体レーザ装置１Ａでは、半導体レーザ素子１０の基準面Ｒ１がサブマウント２０の基準面Ｒ２と面接触している。これにより、サブマウント２０の基準面Ｒ２に対する複数の発光点（例えば、光出射端面１２ａのＺ軸方向における中心）の位置を精度良く揃えることができる。また、半導体レーザ装置１Ａでは、互いに隣接する凹部２２間に設けられた隔壁部２３において基準面Ｒ１と基準面Ｒ２との接触面積を増やすことができるため、半導体レーザ素子１０（主に基板１１）にかかる応力を低減でき、半導体レーザ素子１０の反りの発生を抑制することができる。より具体的には、半導体レーザ装置１Ａでは、半導体レーザ素子のＸ軸方向における両側の領域（最も左側の凹部２２よりもさらに左側の領域と、最も右側の凹部２２よりもさらに右側の領域）において基準面Ｒ１と基準面Ｒ２とが接触していることに加えて、隔壁部２３においても基準面Ｒ１と基準面Ｒ２とが接触するため、半導体レーザ素子１０（主に基板１１）にかかる応力を効果的に低減できる。ここで、半導体レーザ素子１０の反りの発生を抑制する観点からは、基準面Ｒ１と基準面Ｒ２との接触面をなるべく大きくすることが好ましい。そのためには、凹部２２の側面２２ｂ及び基準面Ｒ２の境界部Ｂと当該側面２２ｂに対向するメサ部１２の基端部ＰとのＸ軸方向の距離をなるべく短くすることが好ましい。しかし、このように境界部Ｂと基端部Ｐとの距離を短くした場合、凹部２２の側面２２ｂとメサ部１２の側面１２ｃとが接触し易くなり、メサ部１２が破損するリスクが高くなる。そこで、半導体レーザ装置１Ａでは、凹部２２の側面２２ｂとメサ部１２の側面１２ｃとのＸ軸方向の距離ｄ４（図９参照）が、Ｚ軸方向に沿って頂面１２ｂから基端部Ｐに向かうにつれて短くなるように構成されている。上記構成によれば、凹部２２の側面２２ｂとメサ部１２の側面１２ｃとが接触するリスクを低減しつつ、境界部Ｂと基端部Ｐとの距離をなるべく短くすることができる。その結果、半導体レーザ素子１０の破損を抑制しつつ、基準面Ｒ１と基準面Ｒ２との接触面をなるべく大きくすることができる。従って、半導体レーザ装置１Ａによれば、半導体レーザ素子１０の反りの発生を好適に抑制しつつ、複数の発光点の位置合わせを精度良く実行することができる。

　さらに、半導体レーザ装置１Ａは、上記第２の作用効果に関連して、以下の構成を備えている。すなわち、複数の凹部２２が、複数のメサ部１２の各々を個別に収容している。上記構成によれば、各凹部２２間に設けられた複数の隔壁部２３において基準面Ｒ１と基準面Ｒ２との接触面積を増やすことができるため、半導体レーザ素子１０（主に基板１１）にかかる応力をより一層低減でき、半導体レーザ素子１０の反りの発生を効果的に抑制することができる。

　また、配線部Ｗは、複数のメサ部１２の各々に対応する位置毎に配置され、互いに電気的に分離された複数の配線３１を含む。上記構成によれば、互いに隣接する任意の２つのメサ部１２間を凹部２２間に設けられた隔壁部２３で分離することによって、各チャンネル間の短絡を防止しつつ、複数のメサ部１２（チャンネル）を独立して駆動させることが可能となる。

　また、図９に示されるように、基準面Ｒ１に対するメサ部１２の側面１２ｃの傾斜角度θ４は、凹部２２の底面２２ａに対する側面２２ｂの傾斜角度θ１（図６の（Ａ）参照）よりも小さい。すなわち、本実施形態では、メサ部１２の側面１２ｃと凹部２２の側面２２ｂとがいずれも平面状に設けられると共に、側面１２ｃの傾斜角度θ４と側面２２ｂの傾斜角度θ１とが「θ４＜θ１」の関係を有することにより、距離ｄ４が頂面１２ｂから基端部Ｐに向かうにつれて短くなる構成が実現されている。上記構成によれば、凹部２２の側面２２ｂとメサ部１２の側面１２ｃとの距離ｄ４が頂面１２ｂから基端部Ｐに向かうにつれて短くなる構成を、容易且つ確実に実現することができる。

　また、図６の（Ａ）に示されるように、基準面Ｒ２と凹部２２の側面２２ｂとがなす角度θ２は、鈍角である。上記構成によれば、仮に半導体レーザ素子１０をサブマウント２０に実装する際に基準面Ｒ２と側面２２ｂとが交わる部分（すなわち、境界部Ｂ）にメサ部１２の側面１２ｃが接触してしまったとしても、基準面Ｒ２と側面２２ｃとがなす角度を９０度以下に構成する場合（すなわち、境界部Ｂの尖り具合が大きい場合）と比較して、メサ部１２の側面１２ｃに対する衝撃を低減できる。従って、上記構成によれば、実装時における半導体レーザ素子１０の破損のリスクを低減できる。

　また、基準面Ｒ２と凹部２２の側面２２ｂとの境界部Ｂは、Ｘ軸方向において、基端部Ｐから離間している。上記構成によれば、境界部Ｂと基端部Ｐとが接触しないように半導体レーザ素子１０がサブマウント２０に実装されるため、実装時においてメサ部１２の側面１２ｃが境界部Ｂに接触するリスクを低減し、半導体レーザ素子１０の破損を好適に防止することができる。

　なお、上記第２の作用効果を得る上で、メサ部１２を個別に収容する複数の凹部２２が設けられることは必須ではない。上記第２の作用効果を得るためには、少なくとも２つの凹部２２とその間に配置される少なくとも１つの隔壁部２３とが設けられていればよい。

（他の作用効果）
　半導体レーザ素子１０の基板１１の上面１１ａには、複数のメサ部１２に共通の単一の電極３２が設けられている。上記構成によれば、基板１１の裏面（上面１１ａ）側に配置されるカソード電極（電極３２）を複数のメサ部１２間で共通化することにより、ワイヤボンディングによって電極３２に接続されるワイヤの本数を削減できるため、ワイヤボンディングによる半導体レーザ素子１０の損傷を抑制できる。より具体的には、仮に電極３２がチャンネル毎に分離されていると、少なくともチャンネル数分のワイヤが必要になるが、本実施形態によれば、少なくとも１本のワイヤを電極３２に接続すればよい。

　図６の（Ａ）に示されるように、凹部２２の側面２２ｂは、サブマウント２０の上面２０ａにおける凹部２２のＸ軸方向に沿った開口幅が凹部２２の底面２２ａのＸ軸方向に沿った幅よりも大きくなるように、底面２２ａに対して傾斜している。すなわち、底面２２ａに対する側面２２ｂの傾斜角度θ１が鋭角とされている。上記構成によれば、凹部２２の側面２２ｂを底面２２ａ側から開口端側に向かって幅広となる傾斜面として構成することにより、凹部２２内において、リフロー時に溶けた半田部材３３を逃がすためのスペースを適切に確保することができる。

　図４及び図５に示されるように、配線３１は、凹部２２の内部から凹部２２の外側の上面２０ａ上まで延びている。上記構成によれば、半導体レーザ素子１０のメサ部１２側の電極（アノード電極）を電極３５及び配線３１を介してサブマウント２０の表面（上面２０ａ）まで引き出すことができるため、半導体レーザ素子１０に電流を流すための構成の実装が容易となる。より具体的には、アノード電極である電極３５と電気的に接続された電極パッド３４を、カソード電極である電極３２と同じ側（サブマウント２０の上面２０ａが向く側）に露出させることができる。これにより、電極３２及び電極パッド３４に対するワイヤボンディングの作業性を向上させることができる。

　図５に示されるように、配線３１（配線部Ｗ）は、凹部２２の内部から凹部２２の外側までＹ軸方向に沿って延びている。また、図６の（Ｂ）に示されるように、凹部２２は、Ｙ軸方向に交差し、配線３１が沿う側面２２ｃを有している。また、側面２２ｃは、上面２０ａにおける凹部２２のＹ軸方向に沿った開口幅が凹部２２の底面２２ａのＹ軸方向に沿った幅よりも大きくなるように、底面２２ａに対して傾斜している。すなわち、底面２２ａに対する側面２２ｃの傾斜角度θ３が鋭角とされている。仮に側面２２ｃが上記のように傾斜していない場合（例えば、側面２２ｃが凹部２２の底面２２ａに対して垂直な面である場合）、底面２２ａと側面２２ｃとの境界及び側面２２ｃと上面２０ａとの境界において、配線３１が段差状に折れ曲がってしまうため、断線が生じ易くなる。一方、上記のように側面２２ｃを傾斜面として構成し、傾斜した側面２２ｃに配線３１を沿わせることにより、配線３１が段差状に折れ曲がることを回避し、断線の発生を抑制することができる。

　図３に示されるように、複数のメサ部１２の各々は、メサ部１２毎に独立して設けられた一以上の活性層１３を有している。上記構成によれば、複数のメサ部１２間において活性層１３が空間的に分離されるため、メサ部１２間の光学的クロストークの発生を確実に防止することができる。また、本実施形態のように、各メサ部１２に複数（本実施形態では４つ）の活性層１３を設けた場合には、各メサ部１２をスタック型の半導体レーザ素子として機能させることができ、レーザ出力の増強を図ることができる。

　サブマウント２０は、シリコンによって形成されている。上記構成によれば、例えばエッチングプロセスによって、凹部２１を精度良く形成することができる。

　サブマウント２０は、上面２０ａと接続され、Ｙ軸方向に交差する前面２０ｃを有し、凹部２２は、前面２０ｃまで延びており、前面２０ｃに開口している。上記構成によれば、凹部２２のうち前面２０ｃに開口した部分から、凹部２２に収容された各メサ部１２の光出射端面１２ａを外部に露出させることができるため、光出射端面１２ａからＹ軸方向に沿って出射されるレーザ光Ｌの取り出し効率を向上させることができる。

　サブマウント２０の上面２０ａには、サブマウント２０に対して半導体レーザ素子１０を位置合わせするためのアライメントマークＭが設けられている。上記構成によれば、サブマウント２０に半導体レーザ素子１０を実装する際に、サブマウント２０に対する半導体レーザ素子１０の位置合わせを容易且つ正確に行うことが可能となる。

　Ｚ軸方向における基板１１の厚さ（上面１１ａから下面１１ｂまでの長さ）は、Ｚ軸方向におけるサブマウント２０の厚さ（上面２０ａから下面２０ｂまでの長さ）よりも小さい。上記構成によれば、半導体レーザ素子１０よりも厚みのあるサブマウント２０を用いることにより、半導体レーザ素子１０に対するサブマウント２０の歪み（すなわち、基準面Ｒ２の歪み）の発生を好適に抑制できる。その結果、サブマウント２０の基準面Ｒ２に対する複数の発光点の位置をより一層精度良く揃えることができる。

　基板１１は、Ｘ軸方向に交差する側面１１ｅ，１１ｆを有している。また、Ｘ軸方向において側面１１ｅ，１１ｆから最も近い位置に設けられた凹部２２の端部（境界部Ｂ）から側面１１ｅ，１１ｆまでのＸ軸方向の距離ｄ５（図７参照）は、基準面Ｒ１からメサ部１２の頂面１２ｂまでのＺ軸方向の距離ｄ６（図９参照）よりも長い。上記構成によれば、基板１１のうちＸ軸方向において凹部２２が設けられた領域よりも外側において、基準面Ｒ１と基準面Ｒ２とが接触する部分の面積を一定以上確保することができるため、サブマウント２０に対する半導体レーザ素子１０の支持安定性を向上させることができる。

　なお、一例として、距離ｄ６（すなわち、メサ部１２の高さ）は、凹部２２の深さ（すなわち、基準面Ｒ２から底面２２ａまでのＺ軸方向の長さ）の１／２よりも短くなるように設定されてもよい。この場合、凹部２２においてメサ部１２によって占有されない空間を好適に確保できるため、例えばリフロー時に溶けた半田部材３３を溜めるためのスペースを適切に確保できる。また、メサ部１２の高さに対して凹部２２を深くすることで、メサ部１２と凹部２２との接触のリスクを低減できるが、メサ部１２の高さに対して凹部２２を深くし過ぎると、配線３１と電極３５との確実なコンタクトを図るために必要な半田部材３３の量（高さ）が増大する。上記観点から、距離ｄ６は、凹部２２の深さの１／３よりも長くなるように設定されてもよい。

［第２実施形態］
　図１２及び図１３を参照して、第２実施形態の半導体レーザ装置１Ｂについて説明する。半導体レーザ装置１Ｂは、第１実施形態の半導体レーザ装置１Ａに加えて、支持基板４０と、レンズ部材５０（光学素子）と、を更に備える点において、半導体レーザ装置１Ａと相違している。なお、図１３では、半導体レーザ素子１０、サブマウント２０、支持基板４０、及びレンズ部材５０の位置関係を説明するために必要な要素のみを図示し、上記説明のために不要な要素（配線３１、電極パッド３４等）の図示を適宜省略している。

　支持基板４０は、サブマウント２０及びレンズ部材５０を支持する部材である。一例として、支持基板４０は、Ｘ軸方向の長さがサブマウント２０と一致し、Ｙ軸方向の長さがサブマウント２０よりも長い矩形板状に形成されている。一例として、支持基板４０のＸ軸方向に交差する一対の側面がサブマウント２０の側面２０ｆ，２０ｅと略面一になると共に、支持基板４０の後方を向く面がサブマウント２０の後面２０ｄと略面一になるように、支持基板４０上にサブマウント２０が配置されている。

　レンズ部材５０は、Ｙ軸方向において半導体レーザ素子１０及びサブマウント２０と対向する位置に配置されている。レンズ部材５０は、複数のメサ部１２の各々の光出射端面１２ａ（図１参照）から出射されるレーザ光Ｌを外部に向けて導光する。本実施形態では、図１３に示されるように、レンズ部材５０は、各メサ部１２の光出射端面１２ａから一定の拡がり角を有して出射されるレーザ光Ｌを集光又はコリメートする役割を果たす。レンズ部材５０は、レンズ機能を有する本体部５１と、本体部５１の下側（支持基板４０が位置する側）に設けられた下部フランジ５２と、本体部５１の上側に設けられた上部フランジ５３と、を有している。下部フランジ５２及び上部フランジ５３は、同様の矩形板状を有している。レンズ部材５０は、下部フランジ５２の矩形状の下面によって構成される下面５０ａと、本体部５１、下部フランジ５２、及び上部フランジ５３の後面によって形成された光入射面５０ｂと、本体部５１に形成された光入射面５０ｂとは反対側の光出射面５０ｃと、を有している。下面５０ａ及び光入射面５０ｂは、いずれも平坦面である。光出射面５０ｃは、Ｘ軸方向から見て外側（前方）に凸な曲面状を有するレンズ面である。光入射面５０ｂは、複数のメサ部１２の各々の光出射端面１２ａから出射されるレーザ光Ｌが入射される面である。光入射面５０ｂは、サブマウント２０の前面２０ｃと面接触している。

　支持基板４０は、サブマウント２０及びレンズ部材５０を支持する支持面４０ａを有している。支持面４０ａは、サブマウント２０の下面２０ｂと面接触してサブマウント２０を支持する第１支持面４０ａ１と、レンズ部材５０の下面５０ａと面接触してレンズ部材５０を支持する第２支持面４０ａ２と、を有している。なお、本実施形態では、第１支持面４０ａ１と第２支持面４０ａ２とは、面一に連続しているが、第１支持面４０ａ１の高さ位置（Ｚ軸方向における位置）と第２支持面４０ａ２の高さ位置とは、互いに異なっていてもよい。すなわち、支持基板４０は、第１支持面４０ａ１と第２支持面４０ａ２とを接続するＸＺ平面に平行な接続面を有していてもよい。

　半導体レーザ装置１Ｂによれば、半導体レーザ素子１０が搭載されたサブマウント２０とレンズ部材５０とが、支持基板４０の第１支持面４０ａ１及び第２支持面４０ａ２と面接触して支持されるため、半導体レーザ素子１０及びレンズ部材５０の高さ位置（すなわち、支持基板４０の支持面４０ａ（第１支持面４０ａ１及び第２支持面４０ａ２）を基準とする各部材の高さ位置）を容易且つ精度良く合わせることができる。ここで、図１３に示されるように、サブマウント２０のＺ軸方向の厚さをＴと表し、レンズ部材５０の中心軸の下面５０ａからの高さをＨと表す。この場合、基準面Ｒ１からメサ部１２の頂面１２ｂまでのＺ軸方向の距離ｄ６（図９参照）と上述した厚さＴ及び高さＨとの間で「Ｈ＝Ｔ－ｄ６／２」の関係が成立するように厚さＴを調整することにより、複数の発光点（光出射端面１２ａのＺ軸方向における中心）の高さ位置をレンズ部材５０の中心位置に容易に合わせることができる。なお、上記の高さ位置の調整は、支持基板４０の第１支持面４０ａ１に対する第２支持面４０ａ２の高さ位置を調整することによって行われてもよい。いずれにしても、支持基板４０の支持面４０ａ上にサブマウント２０及びレンズ部材５０を載置するだけで、半導体レーザ素子１０及びレンズ部材５０の高さ位置を容易且つ適切に合わせることが可能となる。

　また、半導体レーザ装置１Ｂでは、Ｙ軸方向において互いに対向するサブマウント２０の前面２０ｃとレンズ部材５０の光入射面５０ｂとを面接触させることにより、Ｙ軸方向における光出射端面１２ａと光入射面５０ｂとの距離を精度良く調整することができる。すなわち、サブマウント２０に半導体レーザ素子１０を実装する際に、Ｙ軸方向における光出射端面１２ａから前面２０ｃまでの距離を調整することにより、光出射端面１２ａから光入射面５０ｂまでの距離を調整することができる。例えば、各メサ部１２の光出射端面１２ａを基板１１の前面１１ｃと面一になるように構成し、基板１１の前面１１ｃとサブマウント２０の前面２０ｃとが面一になるように半導体レーザ素子１０をサブマウント２０に実装した場合、光出射端面１２ａは、サブマウント２０の前面２０ｃと面一となる。この場合、サブマウント２０の前面２０ｃと光入射面５０ｂとを面接触させることにより、各メサ部１２の光出射端面１２ａを光入射面５０ｂに面接触させることができる。

　また、半導体レーザ装置１Ａを説明した際に述べた通り、本実施形態では、凹部２１のＹ軸方向の長さは、半導体レーザ素子１０のＹ軸方向の長さよりも長い。上記構成によれば、凹部２１のうちＹ軸方向において半導体レーザ素子１０（メサ部１２）と重ならない空間に、リフロー時に溶けた半田部材３３を逃すことが可能となる。また、レンズ部材５０の焦点距離に応じて、サブマウント２０に対する半導体レーザ素子１０のＹ軸方向の位置を調整することが可能となる。すなわち、上記構成によれば、メサ部１２がサブマウント２０と干渉しない範囲で、半導体レーザ素子１０の前面１１ｃがサブマウント２０の前面２０ｃよりも後方に位置するように、半導体レーザ素子１０をサブマウント２０に対して配置することが可能となる。これにより、各メサ部１２の前方の光出射端面１２ａと光入射面５０ｂとの距離を適切に調整することが可能となる。

［第３実施形態］
　図１４及び図１５を参照して、第３実施形態の半導体レーザ装置１Ｃについて説明する。半導体レーザ装置１Ｃは、第２実施形態の半導体レーザ装置１Ｂに加えて、モールド樹脂６０を更に備える点において、半導体レーザ装置１Ｂと相違している。なお、図１５では、図１３と同様に、半導体レーザ素子１０、サブマウント２０、支持基板４０、レンズ部材５０、及びモールド樹脂６０の位置関係を説明するために必要な要素のみを図示し、上記説明のために不要な要素（配線３１、電極パッド３４等）の図示を適宜省略している。

　モールド樹脂６０は、支持基板４０上において、レンズ部材５０、サブマウント２０、及び半導体レーザ素子１０を覆うように形成されている。半導体レーザ装置１Ｃは、このようなモールド樹脂６０を備えることにより、全体として直方体状の外形を有している。モールド樹脂６０は、例えば、トランスファーモールド、コンプレッションモールド等の樹脂成形技術によって形成され得る。モールド樹脂６０の材料としては、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。

　半導体レーザ装置１Ｃによれば、モールド樹脂６０によって、支持基板４０上に配置された各部材（レンズ部材５０、サブマウント２０、及び半導体レーザ素子１０）の位置関係を固定することができるため、各部材の位置関係のずれが発生することを防止できる。また、モールド樹脂６０によって各部材を適切に保護することができる。

［変形例］
　以上、本開示の実施形態及びいくつかの変形例について説明したが、本開示は、上記実施形態及び各変形例で示した構成に限られない。各構成の材料及び形状には、上述した具体的な材料及び形状に限らず、上述した以外の様々な材料及び形状を採用することができる。また、上記実施形態及び各変形例に含まれる一部の構成は、適宜省略又は変更されてもよいし、任意に組み合わせることが可能である。

　例えば、凹部２２は、ウェットエッチング以外の方法で形成されてもよい。この場合、傾斜角度θ１と傾斜角度θ３とは異なっていてもよい。また、凹部２２の側面２２ｂの傾斜角度θ１は、側面２２ｂのＺ軸方向における全域において一定でなくてもよい。例えば、側面２２ｂは、上面２０ａ側から底面２２ａ側に向かうにつれて、底面２２ａに対する傾斜角度が段階的に変化するように形成されてもよい。また、側面２２ｂは、平面状でなくてもよく、例えば曲面状であってもよい。側面２２ｂについて上述した内容は、側面２２ｃについても同様にあてはまる。

　また、第２実施形態及び第３実施形態では、光学素子の例としてレンズ部材５０を説明したが、光学素子は、例えば、光学フィルタ、体積型ホログラフィック回折格子（ＶＢＧ）等のレンズ以外の部材であってもよい。すなわち、光学素子は、支持基板４０の第２支持面４０ａ２と面接触して支持されることが可能な下面（下面５０ａに相当する面）を有していればよく、半導体レーザ装置に組み込まれる光学素子の種類は特に限定されない。

　また、上記実施形態では、各メサ部１２は、凹部２２内に完全に収容されたが、メサ部１２の一部が凹部２２の外側に配置されてもよい。すなわち、凹部２２には、メサ部１２の少なくとも一部が配置されていればよい。例えば、メサ部１２の前側の光出射端面１２ａは、サブマウント２０の前面２０ｃよりも前方に突出してもよい。また、例えば、半導体レーザ素子１０の基準面Ｒ１が上記実施形態よりも下方に形成される場合（例えば、絶縁層１９の表面１９ａに設けられた他の部材の表面等によって基準面Ｒ１が形成される場合）には、メサ部１２の一部（Ｚ軸方向における基端部Ｐ側の一部）が凹部２２の外側に配置されてもよい。

　１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…半導体レーザ装置、１０…半導体レーザ素子、１１…基板、１１ａ…上面（第１表面）、１１ｂ…下面（第２表面）、１１ｅ，１１ｆ…側面（第５表面）、１２…メサ部、１２ａ…光出射端面、１２Ａ…第１メサ部、１２Ｂ…第２メサ部、１２ｂ…頂面、１２ｃ…側面、１３…活性層、１８…コンタクト層、２０…サブマウント（マウント部材）、２０ａ…上面（第３表面）、２０ｂ…下面（第６表面）、２０ｃ…前面（第４表面）、２１，２２，２２Ｃ，２２Ｄ…凹部、２２ａ…底面、２２ｂ…側面（第１側面）、２２ｃ…側面（第２側面）、２２Ａ…第１凹部、２２Ｂ…第２凹部、２３…隔壁部、３１…配線、３１Ａ…第１配線、３１Ｂ…第２配線、３２…電極（第２電極）、３３…半田部材、３５…電極（第１電極）、４０…支持基板、４０ａ１…第１支持面、４０ａ２…第２支持面、５０…レンズ部材（光学素子）、５０ｂ…光入射面、６０…モールド樹脂、ＣＡ…コンタクト領域、Ｍ…アライメントマーク、Ｐ１…第１基端部、Ｐ２…第２基端部、Ｒ１…基準面（第１基準面）、Ｒ２…基準面（第２基準面）、Ｗ…配線部。

Claims (18)

1. 　第１方向において互いに反対側に位置する第１表面及び第２表面を有する基板と、前記第１方向に直交する第２方向に交差する光出射端面を有し、前記第２表面に形成された第１基準面に対して前記第１方向に突出すると共に前記第２方向に延在するように形成された複数のメサ部と、を有する半導体レーザ素子と、
   　前記第１基準面に対向する第２基準面を形成する第３表面と、前記第３表面に形成され、前記複数のメサ部が配置される凹部と、を有するマウント部材と、
   を備え、
   　前記メサ部は、前記凹部の底面に対向する頂面と、前記第１方向及び前記第２方向に直交する第３方向において互いに反対側に位置する一対の側面と、を有し、
   　前記メサ部の前記頂面には、前記メサ部の前記頂面側に設けられたコンタクト層と電気的に接続された第１電極が設けられており、
   　前記凹部には、前記複数のメサ部の各々に対応する位置に配線部が設けられており、
   　前記複数のメサ部の各々に対応する前記第１電極は、半田部材を介して、前記配線部と電気的に接続されており、
   　前記配線部は、前記第３方向に互いに隣接して配置され且つ互いに電気的に分離された第１配線及び第２配線を含み、
   　前記第１配線と電気的に接続された前記半田部材が前記第２配線と電気的に接続された前記半田部材と接触しないように配置されていることにより、前記第１配線と電気的に接続された前記メサ部である第１メサ部は、前記第２配線と電気的に接続された前記メサ部である第２メサ部と電気的に分離されており、
   　前記第１基準面は、前記第２基準面と面接触しており、
   　前記第１メサ部に対して前記第２メサ部が位置する側の前記第１メサ部の前記側面と前記第１基準面との境界である第１基端部から前記第２メサ部に対して前記第１メサ部が位置する側の前記第２メサ部の前記側面と前記第１基準面との境界である第２基端部までの前記第３方向の距離は、前記コンタクト層のうち前記第１電極と接触するコンタクト領域の前記第３方向の長さよりも長い、
   　半導体レーザ装置。
2. 　前記凹部は、前記第１メサ部が配置される第１凹部と、前記第２メサ部が配置される第２凹部と、を有し、
   　前記第１凹部と前記第２凹部との間に形成され、前記第１凹部と前記第２凹部とを分離するように前記第２方向に延在する隔壁部の前記第２基準面の前記第３方向の長さは、前記コンタクト領域の前記第３方向の長さよりも長い、
   　請求項１に記載の半導体レーザ装置。
3. 　前記凹部は、前記複数のメサ部の各々が個別に配置される複数の凹部によって構成されており、
   　互いに隣接する前記凹部間には、前記第２方向に延在すると共に前記第３方向に所定の長さを有し、前記第２基準面を有する隔壁部が設けられている、
   　請求項１に記載の半導体レーザ装置。
4. 　前記第１表面には、前記複数のメサ部に共通の単一の第２電極が設けられている、
   　請求項１に記載の半導体レーザ装置。
5. 　前記凹部は、前記第３方向において前記メサ部の前記側面に対向する第１側面を有し、
   　前記第１側面は、前記第３表面における前記凹部の前記第３方向に沿った開口幅が前記凹部の前記底面の前記第３方向に沿った幅よりも大きくなるように、前記底面に対して傾斜している、
   　請求項１に記載の半導体レーザ装置。
6. 　前記配線部は、前記凹部の内部から前記凹部の外側の前記第３表面上まで延びている、
   　請求項１に記載の半導体レーザ装置。
7. 　前記配線部は、前記凹部の内部から前記凹部の外側まで前記第２方向に沿って延びており、
   　前記凹部は、前記第２方向に交差し、前記配線部が沿う第２側面を有し、
   　前記第２側面は、前記第３表面における前記凹部の前記第２方向に沿った開口幅が前記凹部の前記底面の前記第２方向に沿った幅よりも大きくなるように、前記底面に対して傾斜している、
   　請求項６に記載の半導体レーザ装置。
8. 　前記複数のメサ部の各々は、前記メサ部毎に独立して設けられた一以上の活性層を有している、
   　請求項１に記載の半導体レーザ装置。
9. 　前記配線部は、前記複数のメサ部の各々に対応する位置毎に配置され、互いに電気的に分離された複数の配線を含み、
   　前記複数の配線のうち前記第３方向に互いに隣接して配置された任意の２つの配線は、前記第１配線及び前記第２配線に該当する、
   　請求項１に記載の半導体レーザ装置。
10. 　前記マウント部材は、シリコンによって形成されている、
    　請求項１に記載の半導体レーザ装置。
11. 　前記マウント部材は、前記第３表面と接続され、前記第２方向に交差する第４表面を有し、
    　前記凹部は、前記第４表面まで延びており、前記第４表面に開口している、
    　請求項１に記載の半導体レーザ装置。
12. 　前記第３表面には、前記マウント部材に対して前記半導体レーザ素子を位置合わせするためのアライメントマークが設けられている、
    　請求項１に記載の半導体レーザ装置。
13. 　前記第１方向における前記基板の厚さは、前記第１方向における前記マウント部材の厚さよりも小さい、
    　請求項１に記載の半導体レーザ装置。
14. 　前記基板は、前記第３方向に交差する第５表面を有し、
    　前記第３方向において前記第５表面から最も近い位置に設けられた前記凹部の端部から前記第５表面までの前記第３方向の距離は、前記第１基準面から前記メサ部の前記頂面までの前記第１方向の距離よりも長い、
    　請求項１に記載の半導体レーザ装置。
15. 　前記第２方向において前記半導体レーザ素子及び前記マウント部材と対向する位置に配置され、前記複数のメサ部の各々の前記光出射端面から出射される光を外部に向けて導光する光学素子と、
    　前記マウント部材及び前記光学素子を支持する支持基板と、
    を更に備え、
    　前記支持基板は、前記マウント部材の前記第３表面とは反対側の第６表面と面接触して前記マウント部材を支持する第１支持面と、前記光学素子と面接触して前記光学素子を支持する第２支持面と、を有する、
    　請求項１に記載の半導体レーザ装置。
16. 　前記光学素子は、前記複数のメサ部の各々の前記光出射端面から出射される前記光が入射される光入射面を有し、
    　前記マウント部材は、前記光入射面に対向する第４表面を有し、
    　前記光入射面は、前記第４表面と面接触している、
    　請求項１５に記載の半導体レーザ装置。
17. 　前記凹部の前記第２方向の長さは、前記半導体レーザ素子の前記第２方向の長さよりも長い、
    　請求項１又は１５に記載の半導体レーザ装置。
18. 　前記支持基板上において、前記光学素子、前記マウント部材、及び前記半導体レーザ素子を覆うように形成されたモールド樹脂を更に備える、
    　請求項１５又は１６に記載の半導体レーザ装置。

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