WO2024014346A1

WO2024014346A1 - 基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理プログラム

Info

Publication number: WO2024014346A1
Application number: PCT/JP2023/024685
Authority: WO
Inventors: 涼末政; 和久大村
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2022-07-14
Filing date: 2023-07-03
Publication date: 2024-01-18
Anticipated expiration: 2025-01-14
Also published as: CN119487617A; KR20250037538A; JPWO2024014346A1; TW202427583A; JP7731001B2

Abstract

基板を処理する基板処理装置であって、基板を保持して回転させる保持回転部と、現像液が供給された後の基板に対して不活性ガスを供給する少なくとも１つのガスノズルと、ガスノズルによるガス供給位置よりも外周側に設けられた吐出位置において基板に対してリンス液を供給する少なくとも１つのリンスノズルと、を含む供給部と、制御部と、を備え、制御部は、ガスノズルからの不活性ガスの吐出を継続しながら、リンスノズルからのリンス液の吐出位置を基板の中心から外周方向へと移動させることにより、不活性ガスとリンス液により形成される気液界面を中心から外周方向へと移動させ、基板の中心側から外周側へのリンスノズルの移動の際に、リンスノズルから吐出されるリンス液の方向を、基板の回転方向に沿った方向から基板の径方向に沿った方向へ切り替える。

Description

基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理プログラム

　本開示は、基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理プログラムに関する。

　特許文献１では、基板の表面に対して洗浄液及び窒素ガスを吐出しながら洗浄を行う際に、洗浄液ノズルの吐出位置から基板の中心部までの距離とガスノズルの吐出位置から基板の中心部までの距離との差が小さくなるようにノズルを移動させる構成が示されている。

特開２０１５－００８２７３号公報

　本開示は、基板を洗浄した後の基板表面の残渣を低減させることが可能な技術を提供する。

　本開示の一形態に係る基板処理装置は、基板を処理する基板処理装置であって、前記基板を保持して回転させる保持回転部と、現像液が供給された後の前記基板に対して不活性ガスを供給する少なくとも１つのガスノズルと、前記ガスノズルによるガス供給位置よりも外周側に設けられた吐出位置において前記基板に対してリンス液を供給する少なくとも１つのリンスノズルと、を含む供給部と、制御部と、を備え、前記制御部は、前記ガスノズルからの前記不活性ガスの吐出を継続しながら、前記リンスノズルからの前記リンス液の吐出位置を前記基板の中心から外周方向へと移動させることにより、前記不活性ガスと前記リンス液により形成される気液界面を前記中心から外周方向へと移動させ、前記外周方向への前記リンスノズルの移動の際に、前記リンスノズルから吐出される前記リンス液の方向を、前記基板の中心側から外周側へ向かう際に、前記基板の回転方向に沿った方向から前記基板の径方向に沿った方向へ切り替える。

　本開示によれば、基板を洗浄した後の基板表面の残渣を低減させることが可能な技術が提供される。

図１は、基板処理システムの一例を示す模式図である。図２は、塗布現像装置の一例を示す模式図である。図３は、現像ユニットの一例を示す模式図である。図４（ａ）～図４（ｃ）は、現像ユニットのガスノズル及びリンスノズルの配置の一例を示す模式図である。図５は、制御装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。図６は、基板処理手順の一例を示すフロー図である。図７は、リンス液の除去手順の一例を示すフロー図である。図８（ａ）～図８（ｄ）は、リンス液の除去手順の一例を示す模式図である。図９は、リンス液の除去手順の一例を示すフロー図である。図１０（ａ）～図１０（ｄ）は、リンス液の除去手順の一例を示す模式図である。図１１は、リンス液の除去手順の一例を示すフロー図である。図１２（ａ）～図１２（ｄ）は、リンス液の除去手順の一例を示す模式図である。

　以下、種々の例示的実施形態について説明する。

　本開示の一形態に係る基板処理装置は、基板を処理する基板処理装置であって、前記基板を保持して回転させる保持回転部と、現像液が供給された後の前記基板に対して不活性ガスを供給する少なくとも１つのガスノズルと、前記ガスノズルによるガス供給位置よりも外周側に設けられた吐出位置において前記基板に対してリンス液を供給する少なくとも１つのリンスノズルと、を含む供給部と、制御部と、を備え、前記制御部は、前記ガスノズルからの前記不活性ガスの吐出を継続しながら、前記リンスノズルからの前記リンス液の吐出位置を前記基板の中心から外周方向へと移動させることにより、前記不活性ガスと前記リンス液により形成される気液界面を前記中心から外周方向へと移動させ、前記基板の中心側から外周側への前記リンスノズルの移動の際に、前記リンスノズルから吐出される前記リンス液の方向を、前記基板の回転方向に沿った方向から前記基板の径方向に沿った方向へ切り替える。

　上記の基板処理装置では、現像液が供給された後の基板に対して、ガスノズルからの不活性ガスの吐出を継続しながら、リンスノズルからのリンス液の吐出位置を基板の中心から外周方向へと移動させることにより、不活性ガスと前記リンス液により形成される気液界面を前記中心から外周方向へと移動させる。このとき、基板の中心側から外周側へのリンスノズルの移動の際に、リンスノズルから吐出されるリンス液の方向が基板の回転方向に沿った方向から前記基板の径方向に沿った方向へ切り替えられる。基板の中心側では、気液界面を形成する際に、リンスノズルからのリンス液の吐出方向が基板の回転方向に沿った方向であることによって、リンス液除去後の残渣の発生が抑制される。一方、基板の外周側では、リンスノズルからのリンス液の吐出方向が基板の径方向に沿った方向であることによって、リンス液除去後の残渣の発生が抑制される。したがって、気液界面を外周方向へ移動させる際に、上記のようにリンス液の吐出方向へ切り替える構成とすることで、基板を洗浄した後の基板表面の残渣を低減することができる。

　前記供給部は、第１リンスノズル及び第１ガスノズルが設けられた第１アームと、第２リンスノズル及び第２ガスノズルが設けられた第２アームと、を有し、前記第１リンスノズルから吐出されるリンス液の方向は、前記基板の回転方向に沿った方向であり、前記第２リンスノズルから吐出されるリンス液の方向は、前記基板の径方向に沿った方向であり、前記制御部は、所定の切り替わり位置よりも前記基板の中心側において前記第１アームを移動させながら前記不活性ガス及び前記リンス液の供給を行うことで前記気液界面を形成する第１の状態から、前記切り替わり位置よりも前記基板の外周側において前記第２アームを移動させながら前記不活性ガス及び前記リンス液の供給を行うことで前記気液界面を形成する第２の状態へ切り替える態様であってもよい。

　上記の構成とすることで、基板の中心側では、第１リンスノズルからのリンス液の吐出方向が基板の回転方向に沿った方向である第１アームから不活性ガスとリンス液とを供給して気液界面を形成することで、リンス液除去後の残渣の発生が抑制される。一方、基板の外周側では、第２リンスノズルからのリンス液の吐出方向が基板の径方向に沿った方向である第２アームから不活性ガスとリンス液とを供給して気液界面を形成することで、リンス液除去後の残渣の発生が抑制される。したがって、上記の構成とすることによって基板を洗浄した後の基板表面の残渣を低減することができる。

　前記制御部は、前記第１の状態において、前記第２リンスノズルからも前記リンス液を吐出させ、前記第２の状態において、前記第１リンスノズルからの前記リンス液の吐出を停止させると共に、前記第２リンスノズルからの前記リンス液の吐出量を前記第１の状態と比べて増加させる態様であってもよい。

　上記の構成とすることで、第１の状態では、第２リンスノズルからもリンス液を吐出することで、基板の中心付近から外周方向へのリンス液の移動が促進される。一方、第２の状態では、第１リンスノズルからのリンス液の吐出が停止されるため、第２リンスノズルからのリンス液の吐出量を増加させることによって、外周方向へのリンス液の移動を促進させることができる。

　前記制御部は、前記第２の状態において、前記第１ガスノズルからの前記ガスの吐出を停止させる態様であってもよい。

　上記の構成とすることで、第２の状態における基板表面におけるガスの流れが安定し、気液界面の乱れを防止することができる。

　前記第１アームにおける前記第１リンスノズルからの前記リンス液の吐出位置と前記第１ガスノズルからの前記ガスの吐出位置との距離は、前記第２アームにおける前記第２リンスノズルからの前記リンス液の吐出位置と前記第２ガスノズルからの前記ガスの吐出位置との距離よりも小さい態様であってもよい。

　基板上で気液界面を形成する場合、基板の中心側ではリンス液の吐出位置とガスの吐出位置とが近い方が残渣を抑制することができ、基板の外周側ではリンス液の吐出位置とガスの吐出位置とが離れていた方が残渣を抑制することができる。上記のように、第１アームでは吐出位置同士が近くなるようにノズルを配置し、第２アームでは吐出位置同士が遠くなるようにノズルを配置することで、洗浄後の残渣をさらに低減させることができる。

　前記供給部は、ガスノズルと、第１リンスノズルと、第２リンスノズルと、が互いに独立して移動可能なアームに設けられていて、前記第１リンスノズルから吐出されるリンス液の方向は、前記基板の回転方向に沿った方向であり、前記第２リンスノズルから吐出されるリンス液の方向は、前記基板の径方向に沿った方向であり、前記制御部は、所定の切り替わり位置よりも前記基板の中心側において前記第１リンスノズルからの前記リンス液の供給を行うことで前記気液界面を形成する第１の状態から、前記切り替わり位置よりも前記基板の外周側において前記第２リンスノズルからの前記リンス液の供給を行うことで前記気液界面を形成する第２の状態へ切り替えると共に、前記第１の状態及び前記第２の状態において前記外周方向への前記リンスノズルの移動に対応させて前記ガスノズルを前記外周方向へ移動させる態様であってもよい。

　上記の構成とすることで、基板の中心側では、リンス液の吐出方向が基板の回転方向に沿った方向である第１リンスノズルからリンス液を供給して気液界面を形成することで、リンス液除去後の残渣の発生が抑制される。一方、基板の外周側では、リンス液の吐出方向が基板の径方向に沿った方向である第２リンスノズルからリンス液を供給して気液界面を形成することで、リンス液除去後の残渣の発生が抑制される。したがって、上記の構成とすることによって基板を洗浄した後の基板表面の残渣を低減することができる。

　前記第１の状態における、前記基板上での前記第１リンスノズルからの前記リンス液の吐出位置と前記ガスノズルからの前記ガスの吐出位置との距離は、前記第２の状態における、前記基板上での前記第２リンスノズルからの前記リンス液の吐出位置と前記ガスノズルからの前記ガスの吐出位置との距離よりも小さい態様であってもよい。

　基板上で気液界面を形成する場合、基板の中心側ではリンス液の吐出位置とガスの吐出位置とが近い方が残渣を抑制することができ、基板の外周側ではリンス液の吐出位置とガスの吐出位置とが離れていた方が残渣を抑制することができる。上記のように、第１の状態では、ガス液とリンス液との吐出位置同士が近くなるようにノズルを配置し、第２の状態ではこれらの吐出位置同士が遠くなるようにノズルを配置することで、洗浄後の残渣をさらに低減させることができる。

　前記供給部は、前記基板の中央に吐出位置が固定された第１ガスノズルと、第１リンスノズルが設けられた第１アームと、第２リンスノズル及び第２ガスノズルが設けられた第２アームと、を有し、前記第１リンスノズルから吐出されるリンス液の方向は、前記基板の回転方向に沿った方向であり、前記第２リンスノズルから吐出されるリンス液の方向は、前記基板の径方向に沿った方向であり、前記制御部は、所定の切り替わり位置よりも前記基板の中心側において前記第１ガスノズルから不活性ガスの供給をしながら前記第１アームを移動させながら前記第１リンスノズルからの前記リンス液の供給を行うことで前記気液界面を形成する第１の状態から、前記切り替わり位置よりも前記基板の外周側において、前記第２アームを移動させながら前記不活性ガス及び前記リンス液の供給を行うことで前記気液界面を形成する第２の状態へ切り替える態様であってもよい。

　上記の構成とすることで、基板の中心側では、リンス液の吐出方向が基板の回転方向に沿った方向である第１リンスノズルからリンス液を供給し、基板の中央に吐出位置が固定された第１ガスノズルとで気液界面を形成することで、リンス液除去後の残渣の発生が抑制される。一方、基板の外周側では、第２リンスノズルからのリンス液の吐出方向が基板の径方向に沿った方向である第２アームから不活性ガスとリンス液とを供給して気液界面を形成することで、リンス液除去後の残渣の発生が抑制される。したがって、上記の構成とすることによって基板を洗浄した後の基板表面の残渣を低減することができる。

　前記第１の状態における、前記基板上での前記第１リンスノズルからの前記リンス液の吐出位置と前記ガスノズルからの前記ガスの吐出位置との距離は、前記第２の状態における、前記基板上での前記第２リンスノズルからの前記リンス液の吐出位置と前記第２ガスノズルからの前記ガスの吐出位置との距離よりも小さい態様であってもよい。

　前記供給部は、前記基板の中央に吐出位置が固定された第１ガスノズルと、吐出するリンス液の方向を変化させることが可能な第１リンスノズルが設けられた第１アームと、を有し、前記制御部は、前記外周方向への前記第１リンスノズルの移動の際に、前記第１リンスノズルから吐出される前記リンス液の方向を、前記基板の回転方向に沿った方向から前記基板の径方向に沿った方向へ徐々に変化させる態様であってもよい。

　上記の構成とすることで、基板の中心側では、リンスノズルからのリンス液の吐出方向を基板の回転方向に沿った方向としてリンス液を供給して気液界面を形成することで、リンス液除去後の残渣の発生が抑制される。一方、基板の外周側では、リンスノズルからのリンス液の吐出方向を基板の径方向に沿った方向としてリンス液を供給して気液界面を形成することで、リンス液除去後の残渣の発生が抑制される。したがって、上記の構成とすることによって基板を洗浄した後の基板表面の残渣を低減することができる。

　本開示の一形態に係る基板処理方法は、基板を処理する基板処理方法であって、保持回転部において前記基板を保持して回転させることと、現像液が供給された後の前記基板に対してガスノズルからの不活性ガスの吐出を継続しながら、前記ガスノズルによるガス供給位置よりも外周側に設けられた吐出位置において前記基板に対してリンス液を供給するリンスノズルからのリンス液の吐出位置を前記基板の中心から外周方向へと移動させることにより、前記不活性ガスと前記リンス液により形成される気液界面を前記中心から外周方向へと移動させることと、を含み、前記移動させることにおいて、前記基板の中心側から外周側への前記リンスノズルの移動の際に、前記リンスノズルから吐出される前記リンス液の方向を、前記基板の回転方向に沿った方向から前記基板の径方向に沿った方向へ切り替える。

　上記の基板処理方法では、基板の中心側から外周側へのリンスノズルの移動の際に、リンスノズルから吐出されるリンス液の方向が基板の回転方向に沿った方向から前記基板の径方向に沿った方向へ切り替えられる。基板の中心側では、気液界面を形成する際に、リンスノズルからのリンス液の吐出方向が基板の回転方向に沿った方向であることによって、リンス液除去後の残渣の発生が抑制される。一方、基板の外周側では、リンスノズルからのリンス液の吐出方向が基板の径方向に沿った方向であることによって、リンス液除去後の残渣の発生が抑制される。したがって、気液界面を外周方向へ移動させる際に、上記のようにリンス液の吐出方向へ切り替える構成とすることで、基板を洗浄した後の基板表面の残渣を低減することができる。

　本開示の一形態に係る基板処理プログラムは、基板処理をコンピュータに実行させる基板処理プログラムであって、保持回転部において前記基板を保持して回転させることと、現像液が供給された後の前記基板に対してガスノズルからの不活性ガスの吐出を継続しながら、前記ガスノズルによるガス供給位置よりも外周側に設けられた吐出位置において前記基板に対してリンス液を供給するリンスノズルからのリンス液の吐出位置を前記基板の中心から外周方向へと移動させることにより、前記不活性ガスと前記リンス液により形成される気液界面を前記中心から外周方向へと移動させることと、を前記コンピュータに実行させ、前記移動させることにおいて、前記基板の中心側から外周側への前記リンスノズルの移動の際に、前記リンスノズルから吐出される前記リンス液の方向を、前記基板の回転方向に沿った方向から前記基板の径方向に沿った方向へ切り替える。

　上記の基板処理プログラムによれば、基板処理方法と同様に、基板を洗浄した後の基板表面の残渣を低減することができる。

［例示的実施形態］
　以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

［基板処理システム］
　図１に示される基板処理システム１（基板処理装置）は、ワークＷに対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象のワークＷは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜又は回路等が形成された状態の基板である。当該基板は、一例として、シリコンウェハである。ワークＷ（基板）は、円形であってもよい。ワークＷは、ガラス基板、マスク基板、又はＦＰＤ（Flat　Panel　Display）などであってもよい。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。

　図１及び図２に示されるように、基板処理システム１は、塗布現像装置２と、露光装置３と、制御装置１００とを備える。露光装置３は、ワークＷ（基板）に形成されたレジスト膜（感光性被膜）を露光する装置である。具体的には、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。エネルギー線は、例えば、電離放射線又は非電離放射線である。電離放射線は、原子又は分子を電離させるのに十分なエネルギーを有する放射線である。電離放射線は、極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet）、電子線、イオンビーム、Ｘ線、α線、β線、γ線、重粒子線、又は陽子線などであってもよい。非電離放射線は、原子又は分子を電離させるのに十分なエネルギーを有しない放射線である。非電離放射線は、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、又はＦ２エキシマレーザーなどであってもよい。

　塗布現像装置２は、露光装置３による露光処理前に、ワークＷの表面にレジスト（薬液）を塗布してレジスト膜を形成する処理を行う。また、塗布現像装置２は、露光処理後にワークＷに形成されたレジスト膜の現像を行う。

　塗布現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６とを備える。

　キャリアブロック４は、塗布現像装置２内へのワークＷの導入及び塗布現像装置２内からのワークＷの導出を行う。キャリアブロック４は、例えば、ワークＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のワークＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからワークＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からワークＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。処理ブロック５は、処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。

　処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりワークＷの表面上に下層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をワークＷ上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

　処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜上に塗布する。液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液として、エネルギー線（例えば、ｉ線）の露光によりパターンの形成が可能な薬液を下層膜上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

　処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

　処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３と、熱処理ユニットＵ４と、計測ユニットＵ５と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４により、露光処理が施されたレジスト膜の現像及び現像に伴う熱処理を行う。現像ユニットＵ３は、現像液を用いた液処理をワークＷに対して施すユニットである。現像ユニットＵ３は、露光済みのワークＷの表面上に現像液を供給することで、ワークＷの表面上に現像液の液膜（パドル）を形成する。現像ユニットＵ３は、ワークＷの表面上に現像液の液膜を維持すること（例えば静止現像すること）で、レジスト膜の現像を行う。さらに、現像ユニットＵ３は、現像液による現像を行った後、ワークＷの表面上の現像液をリンス液により洗い流し、ワークＷの表面に残存するリンス液を除去する。

　熱処理ユニットＵ４は、現像に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像前の加熱処理（ＰＥＢ：Post　Exposure　Bake）、及び現像後の加熱処理（ＰＢ：Post　Bake）等が挙げられる。

　処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でワークＷを昇降させる。処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

　インタフェースブロック６は、露光装置３との間でワークＷの受け渡しを行う。インタフェースブロック６は、例えば、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたワークＷを露光装置３に渡す。搬送装置Ａ８は、露光装置３からワークＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

　制御装置１００（制御部）は、塗布現像装置２を部分的及び全体的に制御するように構成されている。制御装置１００は、例えば以下の手順で塗布現像処理を実行するように塗布現像装置２を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のワークＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このワークＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

　次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１１内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面上に下層膜を形成するように、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、下層膜が形成されたワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

　次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１２内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面に対してレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

　次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。

　次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。その後制御装置１００は、エネルギー線（例えば、ｉ線）を用いた露光処理が施されたワークＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。

　次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷのレジスト膜の現像を行うように現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４を制御する。レジスト膜の現像が行われることで、ワークＷの表面には、レジストパターンが形成される。

　その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷをキャリアＣ内に戻すように搬送装置Ａ７及び搬送装置Ａ１を制御する。以上により１枚のワークＷについての塗布現像処理が完了する。制御装置１００は、後続の複数のワークＷのそれぞれについても、上述と同様に塗布現像処理を塗布現像装置２に実行させる。

　制御装置１００には、入出力デバイスが接続されていてもよい。入出力デバイスは、オペレータ等のユーザからの指示を示す入力情報を制御装置１００に入力すると共に、制御装置１００からの情報をユーザに出力するための装置である。入出力デバイスは、入力デバイスとして、キーボード、操作パネル、又はマウスを含んでいてもよく、出力デバイスとして、モニタ（例えば液晶ディスプレイ）を含んでいてもよい。

　基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した基板処理システム１の構成に限られない。基板処理装置は、レジスト膜が形成された状態の基板に対して現像を施す現像ユニット、及びこれを制御可能な制御装置を備えていればどのようなものであってもよい。

（現像ユニット）
　図３及び図４を参照して、処理モジュール１４の現像ユニットＵ３について詳細に説明する。現像ユニットＵ３は、例えば、図３に示されるように、筐体Ｈと、保持回転部２０と、現像液供給部３０と、リンス液供給部４０（供給部）と、ガス供給部５０（供給部）と、カバー部材７０と、ブロアＢとを有する。筐体Ｈは、保持回転部２０、現像液供給部３０、リンス液供給部４０、ガス供給部５０、カバー部材７０、及びブロアＢを収容する。

　保持回転部２０（保持部）は、ワークＷを保持して回転させる。保持回転部２０は、ワークＷを回転させない状態で保持することと、ワークＷを回転させながら保持することとが可能である。保持回転部２０は、例えば、回転駆動部２２と、シャフト２４と、保持部２６とを含む。回転駆動部２２は、制御装置１００からの動作指示に基づいて動作し、シャフト２４を回転させる。回転駆動部２２は、例えば電動モータ等の動力源を含む。

　保持部２６は、シャフト２４の先端部に設けられている。保持部２６上にはワークＷが配置される。保持部２６は、例えば吸着等によりワークＷを略水平に保持する。保持回転部２０は、ワークＷの姿勢が略水平の状態で、ワークＷの表面Ｗａに対して垂直な軸（回転軸）まわりにワークＷを回転させる。保持部２６は、回転軸がワークＷの中央ＣＰ（図４（ａ）参照）に略一致するように、ワークＷを保持してもよい。

　現像液供給部３０は、保持回転部２０（保持部２６）に保持されたワークＷの表面Ｗａに対して現像液Ｌ１を供給する。現像液Ｌ１は、ワークＷの表面Ｗａに形成されているレジスト膜（以下、「レジスト膜Ｒ」という。）に対して現像を施すための薬液である。本開示において、液体又は気体等の流体（例えば、現像液Ｌ１）をワークＷの表面Ｗａに対して供給することは、その表面Ｗａに形成されているレジスト膜Ｒ又は液膜等の膜に対して当該流体を接触させることに相当する。

　現像液供給部３０は、例えば、送液部３２と、駆動部３４と、現像ノズル３６とを含む。送液部３２は、制御装置１００からの動作指示に基づいて、容器（図示せず）に貯留されている現像液Ｌ１を、ポンプ等（図示せず）によって現像ノズル３６に送り出す。駆動部３４は、制御装置１００からの動作指示に基づいて、少なくともワークＷの表面Ｗａに沿った方向（水平方向）において現像ノズル３６を移動させる。現像ノズル３６は図示しないアーム等によって支持されている。駆動部３４は、アームを移動させることによって現像ノズル３６を移動させる。

　現像ノズル３６は、送液部３２から供給される現像液Ｌ１を、ワークＷの表面Ｗａに向けて吐出する。ワークＷが回転している状態で、例えばワークＷの中心に対して現像ノズル３６から現像液Ｌ１を吐出すると、遠心力を利用してワークＷの表面Ｗａに現像液Ｌ１が広がり、ワークＷの表面Ｗａ全体を覆うように現像液Ｌ１が供給される。なお、現像ノズル３６は、例えばワークＷの中心から外周へ向かって移動しながら、現像液Ｌ１を吐出するように構成されてもよい。

　リンス液供給部４０は、保持回転部２０（保持部２６）に保持されたワークＷの表面Ｗａの周縁領域に対してリンス液Ｌ２を供給する。リンス液Ｌ２としては、水（例えば、純水）が用いられる。リンス液供給部４０は、第１リンス液供給部４０Ａと、第２リンス液供給部４０Ｂと、を含む。

　第１リンス液供給部４０Ａは、例えば、送液部４２Ａと、駆動部４４Ａと、リンスノズル４６Ａとを有する。送液部４２Ａは、制御装置１００からの動作指示に基づいて、容器（図示せず）に貯留されているリンス液Ｌ２を、ポンプ等（図示せず）によって、リンスノズル４６Ａに送り出す。駆動部４４Ａは、制御装置１００からの動作指示に基づいて、リンスノズル４６Ａを移動させる。リンスノズル４６Ａは、例えば、図４に示されるアーム４７Ａ等によって支持されている。駆動部４４Ａは、アーム４７Ａを移動させることによってリンスノズル４６Ａを移動させてもよい。

　リンスノズル４６Ａは、ワークＷの表面Ｗａの上方に配置される。図４（ａ）に示されるように、第１リンス液供給部４０Ａのリンスノズル４６Ａは、平面視においてワークＷの回転方向Ａに沿った方向に延びている。また、図４（ｃ）に示されるように、リンスノズル４６Ａ（リンスノズル４６Ａの延在方向）は、側面視においてワークＷの表面Ｗａに対して傾斜している。表面Ｗａに対するリンスノズル４６Ａの傾斜角は、例えば、３０°～６０°程度であり、一例として上記傾斜角は４５°である。この結果、リンスノズル４６Ａから、斜め下方に向けてリンス液Ｌ２が吐出される。リンスノズル４６Ａは、吐出されたリンス液Ｌ２がワークＷの表面Ｗａにおいて回転方向Ａに沿った方向となるように配置される。つまり、リンスノズル４６Ａから吐出されたリンス液Ｌ２のワークＷの表面Ｗａとの接点となる吐出位置Ｐ１において、リンス液Ｌ２の吐出方向が吐出位置Ｐ１とワークＷの中央ＣＰとを結ぶ直線に対して直交するようにリンスノズル４６Ａの位置が調整される。

　駆動部４４Ａは、吐出位置Ｐ１とワークＷの中央ＣＰとを結ぶ直線の延びる方向に沿ってリンスノズル４６Ａを移動させてもよい。このとき、駆動部４４Ａは、吐出位置Ｐ１がワークＷの中央ＣＰから延びる１つの直線上を移動するように、リンスノズル４６Ａを移動させてもよい。

　第２リンス液供給部４０Ｂは、例えば、送液部４２Ｂと、駆動部４４Ｂと、リンスノズル４６Ｂとを有する。送液部４２Ｂは、制御装置１００からの動作指示に基づいて、容器（図示せず）に貯留されているリンス液Ｌ２を、ポンプ等（図示せず）によって、リンスノズル４６Ｂに送り出す。駆動部４４Ｂは、制御装置１００からの動作指示に基づいて、リンスノズル４６Ｂを移動させる。リンスノズル４６Ｂは図４に示されるアーム４７Ｂによって支持されている。駆動部４４Ｂは、アーム４７Ｂを移動させることによってリンスノズル４６Ｂを移動させてもよい。

　リンスノズル４６Ｂは、ワークＷの表面Ｗａの上方に配置される。図４（ａ）に示されるように、第２リンス液供給部４０Ｂのリンスノズル４６Ｂは、平面視においてワークＷの径方向に沿った方向に延び、且つ、吐出口がワークＷの外方に向かっている。また、図４（ｂ）に示されるように、リンスノズル４６Ｂ（リンスノズル４６Ｂの延在方向）は、側面視においてワークＷの表面Ｗａに対して傾斜している。表面Ｗａに対するリンスノズル４６Ｂの傾斜角は、例えば、３０°～６０°程度であり、一例として上記傾斜角は４５°である。この結果、リンスノズル４６Ｂから、斜め下方に向けてリンス液Ｌ２が吐出される。リンスノズル４６Ｂは、吐出されたリンス液Ｌ２がワークＷの表面ＷａにおいてワークＷの径方向となるように配置される。つまり、リンスノズル４６Ｂから吐出されたリンス液Ｌ２のワークＷの表面Ｗａとの接点となる吐出位置Ｐ２において、リンス液Ｌ２の吐出方向が吐出位置Ｐ２とワークＷの中央ＣＰとを結ぶ直線に沿って延び、且つ、ワークＷの外方に向かうようにリンスノズル４６Ｂの位置が調整される。

　駆動部４４Ｂは、吐出位置Ｐ２とワークＷの中央ＣＰとを結ぶ直線の延びる方向に沿って、すなわち径方向に沿ってリンスノズル４６Ｂを移動させてもよい。このとき、駆動部４４Ｂは、吐出位置Ｐ２がワークＷの中央ＣＰから延びる１つの直線上を移動するように、且つ、リンスノズル４６Ｂ自体が吐出位置Ｐ２とワークＷの中央ＣＰとを結ぶ直線上を移動するように、リンスノズル４６Ｂを移動させてもよい。

　ガス供給部５０は、ワークＷの表面Ｗａに対して、所定のガスを供給する。ガス供給部５０により供給されるガス（以下、「ガスＧ」という。）は、不活性ガスであってもよく、一例では窒素ガスである。ガスＧは、リンス液Ｌ２をワークＷの表面Ｗａから除去するために用いられる。リンス液Ｌ２によってワークＷ上に存在する現像液Ｌ１を洗い流した後に、ガスＧをワークＷの中央ＣＰに対して供給することで、ワークＷの表面Ｗａの中心にワークＷの表面Ｗａが露出した領域が形成される。表面Ｗａが露出した領域の周囲には、円周状の気液界面が形成される。気液界面はリンス液Ｌ２が残存する領域と表面Ｗａが露出した領域との境界に対応する。ワークＷを回転しながらガスＧの供給を継続することで、気液界面が外周側へ移動する、すなわち、表面Ｗａが露出した領域が大きくなる。表面Ｗａが露出した領域を大きくすることで、最終的に表面Ｗａからリンス液Ｌ２が除去される。このように、ガスＧは、ワークＷの表面Ｗａからのリンス液Ｌ２の除去に使用される。

　ガス供給部５０は、例えば、ガス送出部５２と、ガスノズル５６とを有する。ガス送出部５２は、容器（図示せず）に貯留されているガスＧを、ポンプ等（図示せず）によって、ガスノズル５６に送り出す。ガスノズル５６は、ワークＷの上方に配置され、ガスノズル５６から離れるにつれて、種々の方向に（放射状に）広がるようにガスを噴射してもよい。ガスノズル５６には、例えば、ワークＷの表面Ｗａに対してそれぞれ異なる角度で延びる複数の噴出口が形成されていてもよい。ガスノズル５６は図４に示されるアーム５７によって支持されていてもよい。このとき、駆動部５４は、アーム５７を移動させることによってガスノズル５６を移動させてもよい。ガスノズル５６は、例えば、ワークＷの中央ＣＰから径方向に沿って外方へ向けて移動可能であってもよい。

　なお、ガスノズル５６は、リンスノズル４６Ａまたはリンスノズル４６Ｂに対して接続（固定）されていてもよい。この場合、駆動部４４Ａまたは駆動部４４Ｂが、リンスノズルだけでなくガスノズル５６を共に表面Ｗａに沿って移動させる。

　カバー部材７０は、保持回転部２０の周囲に設けられている。カバー部材７０は、例えば、カップ本体７２と、排液口７４と、排気口７６とを含む。カップ本体７２は、ワークＷに対する液処理のためにワークＷに供給された現像液Ｌ１及びリンス液Ｌ２を受け止める集液容器として機能する。排液口７４は、カップ本体７２の底部に設けられており、カップ本体７２によって集められた排液を現像ユニットＵ３の外部に排出する。排気口７６は、カップ本体７２の底部に設けられている。

　現像ユニットＵ３は、排気部Ｖ１，Ｖ２を有する。排気部Ｖ１は、筐体Ｈの下部に設けられ、制御装置１００からの動作指示に基づいて動作することにより、筐体Ｈ内の気体を排出する。排気部Ｖ１は、例えば、開度に応じて排気量が調節可能なダンパであってもよい。排気部Ｖ１によって筐体Ｈからの排気量を調節することにより、筐体Ｈ内の温度、圧力、及び湿度等を制御することができる。排気部Ｖ１は、ワークＷに対する液処理の間、筐体Ｈ内を常時排気するように制御されてもよい。

　排気部Ｖ２は、排気口７６に設けられており、制御装置１００からの動作指示に基づいて動作することにより、カップ本体７２内の気体を排出する。ワークＷの周囲を流れた下降流（ダウンフロー）は、排気口７６及び排気部Ｖ２を通じて、現像ユニットＵ３の筐体Ｈの外部に排出される。排気部Ｖ２は、例えば、開度に応じて排気量が調節可能なダンパであってもよい。排気部Ｖ２によってカップ本体７２からの排気量を調節することにより、カップ本体７２内の温度、圧力、及び湿度等を制御することができる。

　ブロアＢは、現像ユニットＵ３の筐体Ｈ内において、保持回転部２０及びカバー部材７０の上方に配置されている。ブロアＢは、制御装置１００からの動作指示に基づいて、カバー部材７０に向かう下降流を形成する。ブロアＢは、ワークＷに対する液処理の間、下降流を常時形成するように制御されてもよい。

（制御装置）
　図２に示されるように、制御装置１００は、機能上の構成として、記憶部１０２と制御部１０４とを有する。記憶部１０２は、現像ユニットＵ３を含む塗布現像装置２の各部を動作させるためのプログラムを記憶している。記憶部１０２は、各種のデータ（例えば、現像ユニットＵ３を動作させるための信号に係る情報）、及び各部に設けられたセンサ等からの情報も記憶している。記憶部１０２は、例えば半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、又は光磁気記録ディスクである。当該プログラムは、記憶部１０２とは別体の外部記憶装置、又は伝播信号などの無形の媒体にも含まれ得る。これらの他の媒体から記憶部１０２に当該プログラムをインストールして、記憶部１０２に当該プログラムを記憶させてもよい。

　制御部１０４は、記憶部１０２から読み出したプログラムに基づいて、塗布現像装置２の各部の動作を制御する。制御部１０４は、少なくとも、保持回転部２０においてワークＷを保持して回転させることと、現像液が供給された後のワークＷに対してガスノズルからの不活性ガスの吐出を継続しながら、ガスノズルによるガス供給位置よりも外周側に設けられた吐出位置においてワークＷに対してリンス液を供給するリンスノズルからのリンス液の吐出位置をワークＷの中心から外周方向へと移動させることにより、不活性ガスとリンス液により形成される気液界面を中心から外周方向へと移動させることと、を実行するように構成されている。

　制御装置１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御装置１００は、図５に示される回路１５０を有する。回路１５０は、一つ又は複数のプロセッサ１５２と、メモリ１５４と、ストレージ１５６と、入出力ポート１５８と、タイマ１６２とを有する。ストレージ１５６は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述する基板処理方法を制御装置１００に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１５４は、ストレージ１５６の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１５２による演算結果を一時的に記憶する。

　プロセッサ１５２は、メモリ１５４と協働して上記プログラムを実行する。入出力ポート１５８は、プロセッサ１５２からの指令に従って、保持回転部２０、現像液供給部３０、リンス液供給部４０（第１リンス液供給部４０Ａ、及び第２リンス液供給部４０Ｂ）、排気部Ｖ１，Ｖ２、及びブロアＢ等との間で電気信号の入出力を行う。タイマ１６２は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。なお、制御装置１００のハードウェア構成は、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Application　Specific　Integrated　Circuit）により構成されていてもよい。

［基板処理方法］
　続いて、図６～図８を参照しながら、基板処理方法の一例として、制御装置１００が実行する一連の処理について説明する。図６は、ワークＷに対して行われる液処理の概要を説明するフロー図である。

　まず、制御装置１００は、塗布現像装置２の各部を制御して、処理モジュール１１～１３においてワークＷを処理することにより、ワークＷの表面Ｗａにレジスト膜Ｒを形成させる（ステップＳ０１）。次に、制御装置１００は、塗布現像装置２の各部を制御して、ワークＷを処理モジュール１３から露光装置３に搬送装置Ａ７等により搬送させる。次に、制御装置１００とは異なる別の制御装置が、露光装置３を制御して、ワークＷの表面Ｗａに形成されているレジスト膜Ｒを所定のパターンで露光装置３により露光させる（ステップＳ０２）。

　次に、制御装置１００は、塗布現像装置２の各部を制御して、ワークＷを露光装置３から処理モジュール１４の現像ユニットＵ３に搬送させる。これにより、ワークＷは表面Ｗａが上方を向いた状態で保持回転部２０に保持される。次に、制御装置１００は、現像ユニットＵ３の現像液供給部３０を制御して、ワークＷの表面Ｗａ、すなわちレジスト膜Ｒの上面に、現像液Ｌ１を供給させる（ステップＳ０３）。

　ステップＳ０３において、制御装置１００は、現像液供給部３０を制御して、回転していないワークＷの上方において現像ノズル３６を水平に移動させながら、現像ノズル３６から現像液Ｌ１をワークＷの表面Ｗａに向けて供給させてもよい。あるいは、制御装置１００は、保持回転部２０及び現像液供給部３０を制御して、ワークＷを保持回転部２０により回転させつつ、ワークＷの上方において現像ノズル３６を水平に移動させながら、現像ノズル３６から現像液Ｌ１をワークＷの表面Ｗａに向けて供給させてもよい。この場合、現像液Ｌ１は、ワークＷの中心から周縁にかけて、あるいは、ワークＷの周縁から中心にかけて、螺旋状に供給される。ステップＳ０３により、ワークＷの表面Ｗａのレジスト膜Ｒの上面全体を覆うように、現像液Ｌ１が滞留する状態が形成される。

　次に、制御装置１００は、保持回転部２０及びリンス液供給部４０（第１リンス液供給部４０Ａ及び第２リンス液供給部４０Ｂ）を制御して、回転中のワークＷの表面Ｗａすなわち現像液Ｌ１の上面に、リンス液供給部４０によってリンス液Ｌ２を供給させる（ステップＳ０４）。ステップＳ０４では、制御装置１００は、第１リンス液供給部４０Ａのリンスノズル４６Ａによるリンス液Ｌ２の吐出位置Ｐ１がワークＷの中央ＣＰと略一致するように、リンスノズル４６Ａを移動させてもよい。この状態で、ワークＷを回転させながらリンスノズル４６Ａからリンス液Ｌ２の供給が行われることで、リンス液Ｌ２がワークＷの表面Ｗａ全体に広げられる。なお、制御装置１００は、ワークＷを保持回転部２０により回転させつつ、ワークＷの上方においてリンスノズル４６Ａを水平に移動させながら、リンスノズル４６Ａからリンス液Ｌ２をワークＷの表面Ｗａに向けて供給させてもよい。また、ステップＳ０４において、制御装置１００は、第１リンス液供給部４０Ａのリンスノズル４６Ａ及び第２リンス液供給部４０Ｂのリンスノズル４６Ｂの両方からリンス液Ｌ２を供給させてもよい。

　次に、制御装置１００は、回転中のワークＷの表面Ｗａ、すなわち表面Ｗａに残るリンス液Ｌ２の上面に、ガス供給部５０により、ガスＧをガスノズル５６から供給させて、リンス液Ｌ２を除去する（ステップＳ０５）。ステップＳ０５におけるガスＧの吐出開始時点において、ガスＧ２の到達位置がワークＷの中央ＣＰに略一致するように、制御装置１００は、駆動部５４によりガスノズル５６を移動させてもよい。

　ステップＳ０５では、ガスノズル５６からガスＧを供給すると共に、ステップＳ０４から連続してリンス液Ｌ２の供給を継続する。つまり、ガスＧの供給とリンス液Ｌ２の供給とを同時に行いながら、ワークＷの表面Ｗａからのリンス液Ｌ２の除去を実行する。

（リンス液Ｌ２の除去の手順）
　ステップＳ０５におけるリンス液Ｌ２の除去の手順について、図７及び図８を参照しながら説明する。

　まず、図７に示すように、制御装置１００は、ガス供給部５０のガスノズル５６からのガスＧ（窒素ガス）の供給を開始（ＯＮ）する。同時に、制御装置１００は、第１リンス液供給部４０Ａのリンスノズル４６ＡからのワークＷの回転方向に沿ったリンス液Ｌ２の供給と、第２リンス液供給部４０Ｂのリンスノズル４６ＢからのワークＷの外周へ向かう方向に沿ったリンス液Ｌ２の供給とを開始（ＯＮ）する（ステップＳ１１）。このとき、図８（ａ）に示されるように、ガスノズル５６は、ワークＷの中央ＣＰにおいてガスＧを吐出するように配置される。また、回転方向に沿って延びて回転方向へリンス液Ｌ２を吐出するリンスノズル４６Ａは、ワークＷの径方向に沿って中央ＣＰから距離ｒ１だけ離間した位置に吐出位置Ｐ１が位置するように配置される。そして、ワークＷの径方向に沿って延びて径方向に沿った外周方向へリンス液Ｌ２を吐出するリンスノズル４６Ｂは、ワークＷの径方向に沿って中央ＣＰから距離ｒ２だけ離間した位置に吐出位置Ｐ２が位置するように配置される。この状態でガスＧの吐出を開始することで、図８（ａ）に示されるように、中央から徐々にリンス液Ｌ２が除去されてワークＷの表面Ｗａが露出した乾燥コア領域Ｄが形成される。また、リンス液Ｌ２が残存する領域と乾燥コア領域Ｄとの境界には気液界面Ｄ０が形成される。なお、リンスノズル４６Ａはリンスノズル４６Ｂよりも内側に配置される。すなわち、ｒ１＜ｒ２の関係とされる。ワークＷの直径が２００ｍｍの場合、距離ｒ１は例えば１０～２５ｍｍと設定され、距離ｒ２は２０ｍｍ～５０ｍｍと設定され得る。図８（ａ）では、距離ｒ１を１５ｍｍと設定し、距離ｒ２を３０ｍｍと設定した状態が模式的に示されいる。

　この状態で、制御装置１００は、リンスノズル４６Ａからのリンス液Ｌ２の吐出量（単位時間あたりの吐出量）に対して、リンスノズル４６Ｂからのリンス液Ｌ２の吐出量（単位時間あたりの吐出量）が小さくなるように吐出量を調整する。一例として、リンスノズル４６Ａからのリンス液Ｌ２の吐出量が３５０ｍｌ／分に調整され、リンスノズル４６Ｂからのリンス液Ｌ２の吐出量が１００ｍｌ／分に調整される。このような吐出量の関係とすることで、ワークＷの中央ＣＰから距離ｒ１～ｒ２の領域では、回転方向に吐出されるリンスノズル４６Ａからのリンス液Ｌ２による螺旋方向のリンス液Ｌ２の流れが主流となる。また、距離ｒ２よりも外周側の領域では、外周方向に吐出されるリンスノズル４６Ｂからのリンス液Ｌ２が加わることで、より外方へ向かうリンス液Ｌ２の流れが形成される。

　次に、制御装置１００は、ガスＧ及びリンス液Ｌ２の吐出を継続しながら、ガスノズル５６及びリンスノズル４６Ａを外周方向へ移動させる（ステップＳ１２）。図８（ｂ）では、ガスノズル５６及びリンスノズル４６ＡをワークＷの外周方向へ１５ｍｍ移動させた状態が示されている。リンスノズル４６Ａを外周方向へ移動させることで、リンス液Ｌ２が供給される領域が外周方向へ移動する。さらに、ガスノズル５６を移動させることによってガスＧが供給される領域も外周方向へ移動する。この結果、ワークＷの中央側に形成されるリンス液Ｌ２と乾燥コア領域Ｄとの境界である気液界面Ｄ０が徐々に外周側へ移動する。すなわち、図８（ｂ）に示されるように、乾燥コア領域Ｄが徐々に中央ＣＰから外周側へ広がる。なお、リンスノズル４６Ｂはこの段階では移動しないため、図８（ｂ）に示す状態では、外周方向へ１５ｍｍ移動したリンスノズル４６Ａと、リンスノズル４６Ｂと、の両方が中央ＣＰから３０ｍｍ離れた位置にいることになる。すなわち、リンスノズル４６Ａがリンスノズル４６Ｂと同じ外周位置まで移動した状態である。

　次に、制御装置１００は、リンスノズル４６Ａからのリンス液Ｌ２の吐出を停止（ＯＦＦ）させる（ステップＳ１３）。図８（ｃ）では、リンスノズル４６Ａからのリンス液Ｌ２の吐出を停止した状態が模式的に示されている。この段階で、制御装置１００は、リンスノズル４６Ｂからのリンス液Ｌ２の吐出量を、リンスノズル４６Ａからの吐出量と同じ程度（例えば、３５０ｍｌ／分）まで増やしてもよい。これにより、中央ＣＰから距離ｒ２よりも外周側の領域において、外周方向に吐出されるリンスノズル４６Ｂからのリンス液Ｌ２によって、外周へ向かうリンス液Ｌ２の流れが形成される。

　次に、制御装置１００は、ガスＧ及びリンス液Ｌ２の吐出を継続しながら、リンスノズル４６Ｂを外周方向へ移動させる（ステップＳ１４）。図８（ｃ）に示す状態では、ガスノズル５６がワークＷの中央ＣＰから外周方向へ１５ｍｍ移動した状態である。一方、リンスノズル４６Ｂの吐出位置Ｐ２はワークＷの中央ＣＰから外周方向へ３０ｍｍ（距離ｒ２）離れた状態である。そこで、制御装置１００は、ガスＧの吐出位置とワークＷの中央ＣＰとの距離と、リンス液Ｌ２の吐出位置Ｐ２とワークＷの中央ＣＰとの距離と、の差分が３０ｍｍとなるまで、リンスノズル４６Ｂのみを移動させる。ここでは、リンスノズル４６Ｂのみを外周方向へ１５ｍｍ移動させることで、リンスノズル４６Ｂの吐出位置Ｐ２とガスＧの吐出位置との距離が３０ｍｍとなる。これにより、ワークＷの外周側におけるリンスノズル４６Ｂの吐出位置Ｐ２及びガスＧの吐出位置のそれぞれについての中央ＣＰからの距離の差分が、ワークＷの中心側でのリンスノズル４６Ａの吐出位置Ｐ１及びガスＧの吐出位置との関係と比べて大きくなる。

　次に、制御装置１００は、ガスＧ及びリンス液Ｌ２の吐出を継続しながら、ガスノズル５６及びリンスノズル４６Ｂを外周方向へ移動させる（ステップＳ１５）。図８（ｄ）では、図８（ｃ）に示す状態と比べてガスノズル５６及びリンスノズル４６ＢをワークＷの外周方向へ移動させた状態が示されている。ステップＳ１４の状態から、ワークＷにおけるリンスノズル４６Ｂの吐出位置Ｐ２及びガスＧの吐出位置それぞれの中央ＣＰからの距離を維持した状態で、ガスノズル５６及びリンスノズル４６ＢをワークＷの外周方向へ移動させる。このとき、リンスノズル４６Ｂを外周方向へ移動させることで、リンス液Ｌ２が供給される領域が外周方向へ移動する。さらに、ガスノズル５６を移動させることによってガスＧが供給される領域も外周方向へ移動する。この結果、ワークＷの気液界面Ｄ０はさらに外周側へ移動する。すなわち、図８（ｄ）に示されるように、乾燥コア領域Ｄがさらに外周側へ広がり、リンス液Ｌ２が残存する領域が外周縁のみとなる。この状態から、制御装置１００が、さらにガスノズル５６及びリンスノズル４６Ｂを外周方向へ移動させると、ガスＧによって、現像液Ｌ１との反応で溶解したレジストの溶解物と共にリンス液Ｌ２の全てがワークＷの表面Ｗａから除去される。この結果、ワークＷの表面Ｗａの全体が乾燥コア領域Ｄとなり、現像によって形成されたレジストパターンが現れることになる。

　なお、上記の手順では、図８（ｂ）及びステップＳ１２に示すように、ガスノズル５６とリンスノズル４６Ａとが同時に移動する状態が存在する。したがって、ガスノズル５６とリンスノズル４６Ａとが一体的に移動可能なように構成されていてもよい。この場合、ステップＳ１４において、ガスノズル５６を外周方向へ移動させる場合にも、制御装置１００は、リンス液Ｌ２の供給が停止されたリンスノズル４６Ａをガスノズル５６と共に外周方向へ移動させてもよい。

　また、上記の手順では、ステップＳ１４において、リンスノズル４６Ｂのみを移動させている。この処理は、ワークＷの外周側でのリンスノズル４６Ｂの吐出位置Ｐ２及びガスノズル５６によるガスＧの吐出位置のそれぞれについての中央ＣＰからの距離の差分を、ワークＷの中心側のリンスノズル４６Ａとガスノズル５６との関係よりも大きくする処理である。外周側では、ワークＷの径方向に沿ったリンス液Ｌ２の吐出位置Ｐ２と、ガスＧの吐出位置とをある程度遠ざける（ガスＧの吐出位置とワークＷの中央ＣＰとの距離と、リンス液Ｌ２の吐出位置Ｐ２とワークＷの中央ＣＰとの距離と、の差分を大きくする）ほうが、ガスノズル５６から吐出されるガスＧによってリンス液Ｌ２が跳ねて、乾燥コア領域Ｄに飛散すること（スプラッシュ）が発生する可能性を小さくすることができる。そのため、上記のステップＳ１４のように、ワークＷの中心側と比べて、外周側ではワークＷの径方向に沿ったリンス液Ｌ２の吐出位置Ｐ２と、ガスＧの吐出位置との距離を大きくすることで、処理後の残渣がワークＷの表面Ｗａに滞留することを防ぐことができる。

　一方、ワークＷの中心側では、ワークＷの径方向に沿ったリンス液Ｌ２の吐出位置とガスＧの吐出位置との距離を大きくすると、ワークＷの表面Ｗａにリンス液Ｌ２及び残渣に由来する干渉縞が発生し得る。また、リンスノズル４６Ｂのように、外周方向にリンス液Ｌ２を吐出する構成とすると、ワークＷの中央付近ではガスＧによるリンス液Ｌ２の液跳ね（スプラッシュ）が発生しやすいことが確認された。そこで、上記のリンスノズル４６Ａを用いてワークＷの回転方向に沿った方向にリンス液Ｌ２を吐出する構成を採用し、さらに、ワークＷの径方向に沿ったリンス液Ｌ２の吐出位置Ｐ１とガスＧの吐出位置との距離をある程度小さくすることで、干渉縞及びリンス液Ｌ２の液跳ねを抑制しながら、気液界面Ｄ０を外周方向へ移動させることができるため、処理後に残渣が滞留することが防がれる。

　なお、上記の手順では、ガスノズル５６、リンスノズル４６Ａ及びリンスノズル４６Ｂが独立して移動する。したがって、図４等に示すように、３つのノズルは、互いに異なるアームによって支持されていて、独立して移動可能とされている。ただし、図８（ｂ）及びステップＳ１２に示すように、ガスノズル５６とリンスノズル４６Ａとが同時に移動するタイミングが存在する。したがって、ガスノズル５６とリンスノズル４６Ａとが一体的に移動可能なように構成されていてもよい。この場合、ステップＳ１４において、ガスノズル５６を外周方向へ移動させる場合にも、制御装置１００は、リンス液Ｌ２の供給が停止されたリンスノズル４６Ａをガスノズル５６と共に外周方向へ移動させてもよい。

（リンス液Ｌ２の除去の手順の変更例－１）
　上記の手順では、３つのノズル（ガスノズル５６、リンスノズル４６Ａ及びリンスノズル４６Ｂ）が互いに異なるアームによって支持されている場合について説明した。したがって、ステップＳ１３においてリンスノズル４６Ａからのリンス液Ｌ２の吐出を停止した後、ステップＳ１４においてリンスノズル４６Ｂのみを外周方向へ移動させるステップが存在する。すなわち、ステップＳ１４においてワークＷの径方向に沿ったリンス液Ｌ２の吐出位置Ｐ２とガスＧの吐出位置との距離が大きくなるように調整されている。これに対して、２つのガスノズルを準備し、１つのガスノズルと１つのリンスノズルとを１つのアームに対して取り付ける構成とすることで、当初からリンス液Ｌ２の吐出位置とガスＧの吐出位置との位置関係を固定する。このような２つのアームを含む構成で、図７，図８に示す手順と同様の手順を実行しようとすると、ステップＳ１４に示すようにリンスノズル４６Ｂのみを移動させるステップを省略することができる。以下、図９及び図１０を参照しながらその具体的な手順について第１の変更例として説明する。

　まず、前提として、現像ユニットＵ３の供給部が、ガスノズル５６Ａ，５６Ｂ（２つのガスノズル）を有するとする。ガスノズル５６Ａ，５６Ｂは、それぞれガス送出部に接続されて、ポンプ等によって容器に貯留されているガスＧが供給される構成としてもよい。

　図１０（ａ）に示されるように、ガスノズル５６Ａ及びリンスノズル４６Ａは第１アーム６１によって支持され、ガスノズル５６Ｂ及びリンスノズル４６Ｂは第２アーム６２によって支持されている。このとき、ガスノズル５６Ａ，５６Ｂは、いずれもワークＷの中央ＣＰに対してガスＧを吐出可能となるように配置されている。図１０（ａ）では、ガスノズル５６Ａ，５６Ｂの吐出口が平面視において重なる例が示されているが、２つのノズルの配置は適宜変更することができる。また、第１アーム６１に設けられるリンスノズル４６Ａは、ワークＷの径方向に沿って中央ＣＰから距離ｒ１だけ離間した位置に吐出位置Ｐ１が位置するように配置される。すなわち、第１アーム６１では、ガスノズル５６Ａの吐出位置とリンスノズル４６Ａの吐出位置Ｐ１とが、ワークＷの径方向に沿って距離ｒ１となるように配置される。一方、第２アーム６２に設けられるリンスノズル４６Ｂは、ワークＷの径方向に沿って中央ＣＰから距離ｒ２だけ離間した位置に吐出位置Ｐ２が位置するように配置される。すなわち、第２アーム６２では、ガスノズル５６Ｂの吐出位置とリンスノズル４６Ｂの吐出位置Ｐ２とが、ワークＷの径方向に沿って距離ｒ２となるように配置される。このようなノズルの配置を前提として、制御装置１００は以下の手順を実行する。

　まず、図９に示すように、制御装置１００は、第１アーム６１のガスノズル５６Ａ及び第２アーム６２のガスノズル５６ＢからのガスＧ（窒素ガス）の供給を開始（ＯＮ）する。同時に、制御装置１００は、第１アーム６１のリンスノズル４６ＡからのワークＷの回転方向に沿ったリンス液Ｌ２の供給と、第２アーム６２のリンスノズル４６ＢからのワークＷの外周へ向かう方向に沿ったリンス液Ｌ２の供給とを開始（ＯＮ）する（ステップＳ２１）。図１０（ａ）に示されるように、ガスノズル５６Ａ，５６Ｂは、ワークＷの中央ＣＰにおいてガスＧを吐出するように配置される。また、回転方向に沿って延びて回転方向へリンス液Ｌ２を吐出するリンスノズル４６Ａは、ワークＷの径方向に沿って中央ＣＰから距離ｒ１だけ離間した位置に吐出位置Ｐ１が位置するように配置される。そして、ワークＷの径方向に沿って延びて径方向に沿った外周方向へリンス液Ｌ２を吐出するリンスノズル４６Ｂは、ワークＷの径方向に沿って中央ＣＰから距離ｒ２だけ離間した位置に吐出位置Ｐ２が位置するように配置される。この状態でガスＧの吐出を開始することで、図１０（ａ）に示されるように乾燥コア領域Ｄが形成され、リンス液Ｌ２が残存する領域と乾燥コア領域Ｄとの境界には気液界面Ｄ０が形成される。

　なお、この状態では、リンスノズル４６Ａからのリンス液Ｌ２の吐出量（単位時間あたりの吐出量）に対して、リンスノズル４６Ｂからのリンス液Ｌ２の吐出量（単位時間あたりの吐出量）が小さくなるように吐出量を調整する。一例として、リンスノズル４６Ａからのリンス液Ｌ２の吐出量が３５０ｍｌ／分に調整され、リンスノズル４６Ｂからのリンス液Ｌ２の吐出量が１００ｍｌ／分に調整される。このような吐出量の関係とすることで、ワークＷの中央ＣＰから距離ｒ１～ｒ２の領域では、回転方向に吐出されるリンスノズル４６Ａからのリンス液Ｌ２による螺旋方向のリンス液Ｌ２の流れが主流となる。また、距離ｒ２よりも外周側の領域では、外周方向に吐出されるリンスノズル４６Ｂからのリンス液Ｌ２が加わることで、より外方へ向かうリンス液Ｌ２の流れが形成される。

　次に、制御装置１００は、ガスＧ及びリンス液Ｌ２の吐出を継続しながら、第１アーム６１を外周方向へ移動させる（ステップＳ２２）。図１０（ｂ）では、第１アーム６１をワークＷの外周方向へ１５ｍｍ移動させた状態が示されている。第１アーム６１を移動させることによってリンスノズル４６Ａを外周方向へ移動させることで、リンス液Ｌ２が供給される領域が外周方向へ移動する。さらに、ガスノズル５６Ａを移動させることによってガスＧが供給される領域も外周方向へ移動する。この結果、ワークＷの中央側に形成されるリンス液Ｌ２と乾燥コア領域Ｄとの境界である気液界面Ｄ０が徐々に外周側へ移動する。すなわち、図１０（ｂ）に示されるように、乾燥コア領域Ｄが徐々に中央ＣＰから外周側へ広がる。なお、第２アーム６２のガスノズル５６Ｂ及びリンスノズル４６Ｂはこの段階では移動しない。

　次に、制御装置１００は、リンスノズル４６Ａからのリンス液Ｌ２の吐出を停止（ＯＦＦ）させる（ステップＳ２３）。このとき、ガスノズル５６ＡからのガスＧの吐出も停止してもよい。図１０（ｃ）では、リンスノズル４６Ａからのリンス液Ｌ２の吐出と、ガスノズル５６ＡからのガスＧの吐出を停止した状態が模式的に示されている。この段階で、リンスノズル４６Ｂからのリンス液Ｌ２の吐出量を、リンスノズル４６Ａからの吐出量と同じ程度（例えば、３５０ｍｌ／分）まで増加（ＵＰ）させる。これにより、中央ＣＰから距離ｒ２よりも外周側の領域において、外周方向に吐出されるリンスノズル４６Ｂからのリンス液Ｌ２によって、外周へ向かうリンス液Ｌ２の流れが形成される。

　次に、制御装置１００は、第２アーム６２を外周方向へ移動させる（ステップＳ２４）。図１０（ｄ）では、図１０（ｃ）に示す状態と比べて、第２アーム６２（ガスノズル５６Ｂ及びリンスノズル４６Ｂ）をワークＷの外周方向へ移動させた状態が示されている。このとき、リンスノズル４６Ｂ及びガスノズル５６Ｂを外周方向へ移動させることで、リンス液Ｌ２が供給される領域及びガスＧが供給される領域が外周方向へ移動する。この結果、ワークＷの気液界面Ｄ０が外周側へ移動する。すなわち、図１０（ｄ）に示されるように、乾燥コア領域Ｄがさらに外周側へ広がり、リンス液Ｌ２が残存する領域が外周縁のみとなる。この状態から、さらに第２アーム６２を外周方向へ移動させると、ガスＧによって、現像液Ｌ１との反応で溶解したレジストの溶解物と共にリンス液Ｌ２の全てがワークＷの表面Ｗａから除去される。この結果、ワークＷの表面Ｗａの全体が乾燥コア領域Ｄとなり、現像によって形成されたレジストパターンが現れることになる。

　このように、第１アーム６１及び第２アーム６２を用いた手順では、リンスノズル４６Ａ，４６Ｂの移動に対してそれぞれガスノズル５６Ａ，５６Ｂが追随して移動するため、リンスノズルとガスノズルとの間の距離が維持される。つまり、第１アーム６１及び第２アーム６２のそれぞれにおいてリンス液Ｌ２の吐出位置とガスＧの吐出位置が維持された状態で、リンスノズルを外周方向へ移動させることができる。

　なお、図９に示す手順では、ステップＳ２３において気液界面Ｄ０の形成に関与するガスノズル及びリンスノズルが、ガスノズル５６Ａ及びリンスノズル４６Ａからガスノズル５６Ｂ及びリンスノズル４６Ｂへ入れ替わる。このとき、ガスノズルからのガスＧの吐出量を短期間で大きく変化させると、リンス液Ｌ２との干渉によって液跳ね等が生じる場合がある。したがって、制御装置１００は、ガスノズル５６Ａ，５６Ｂの吐出量を緩やかに変化する制御等を加えてもよい。

（リンス液Ｌ２の除去の手順の変更例－２）
　ステップＳ０５におけるリンス液Ｌ２の除去の手順の第２の変更例について、図１１及び図１２を参照しながら説明する。この変更例では、図７及び図８で説明した例と比較して、ガスノズル５６が移動しない点が相違する。具体的には、ガスノズル５６はワークＷの中央ＣＰに固定された状態となっている。

　まず、図１１に示すように、制御装置１００は、ガス供給部５０のガスノズル５６からのガスＧ（窒素ガス）の供給を開始（ＯＮ）する。同時に、制御装置１００は、第１リンス液供給部４０Ａのリンスノズル４６ＡからのワークＷの回転方向に沿ったリンス液Ｌ２の供給と、第２リンス液供給部４０Ｂのリンスノズル４６ＢからのワークＷの外周へ向かう方向に沿ったリンス液Ｌ２の供給とを開始（ＯＮ）する（ステップＳ３１）。このとき、図１２（ａ）に示されるように、ガスノズル５６は、ワークＷの中央ＣＰにおいてガスＧを吐出するように配置される。また、回転方向に沿って延びて回転方向へリンス液Ｌ２を吐出するリンスノズル４６Ａは、ワークＷの径方向に沿って中央ＣＰから距離ｒ１だけ離間した位置に吐出位置Ｐ１が位置するように配置される。そして、ワークＷの径方向に沿って延びて径方向に沿った外周方向へリンス液Ｌ２を吐出するリンスノズル４６Ｂは、ワークＷの径方向に沿って中央ＣＰから距離ｒ２だけ離間した位置に吐出位置Ｐ２が位置するように配置される。この状態でガスＧの吐出を開始することで、図１２（ａ）に示されるように、中央から徐々にリンス液Ｌ２が除去されてワークＷの表面Ｗａが露出した乾燥コア領域Ｄが形成される。また、リンス液Ｌ２が残存する領域と乾燥コア領域Ｄとの境界には気液界面Ｄ０が形成される。なお、リンスノズル４６Ａはリンスノズル４６Ｂよりも内側に配置される。すなわち、ｒ１＜ｒ２の関係とされる。ワークＷの直径が２００ｍｍの場合、距離ｒ１は例えば１０～２５ｍｍと設定され、距離ｒ２は２０ｍｍ～５０ｍｍと設定され得る。図１２（ａ）では、距離ｒ１を１５ｍｍと設定し、距離ｒ２を３０ｍｍと設定した状態が模式的に示されている。

　次に、制御装置１００は、ガスＧ及びリンス液Ｌ２の吐出を継続しながら、リンスノズル４６Ａを外周方向へ移動させる（ステップＳ３２）。図１２（ｂ）では、リンスノズル４６ＡをワークＷの外周方向へ１５ｍｍ移動させた状態が示されている。リンスノズル４６Ａを外周方向へ移動させることで、リンス液Ｌ２が供給される領域が外周方向へ移動する。これにより、ワークＷの中央側に形成されるリンス液Ｌ２と乾燥コア領域Ｄとの境界である気液界面Ｄ０が徐々に外周側へ移動する。すなわち、図１２（ｂ）に示されるように、乾燥コア領域Ｄが徐々に中央ＣＰから外周側へ広がる。ガスノズル５６が移動しない場合であっても、リンスノズル４６Ａからのリンス液Ｌ２の吐出位置を外周方向へ移動させることで、気液界面Ｄ０も外周側へ移動する。

　次に、制御装置１００は、リンスノズル４６Ａからのリンス液Ｌ２の吐出を停止（ＯＦＦ）させる（ステップＳ３３）。図１２（ｃ）では、リンスノズル４６Ａからのリンス液Ｌ２の吐出を停止した状態が模式的に示されている。この段階で、制御装置１００は、リンスノズル４６Ｂからのリンス液Ｌ２の吐出量を、リンスノズル４６Ａからの吐出量と同じ程度（例えば、３５０ｍｌ／分）まで増やしてもよい。これにより、中央ＣＰから距離ｒ２よりも外周側の領域において、外周方向に吐出されるリンスノズル４６Ｂからのリンス液Ｌ２によって、外周へ向かうリンス液Ｌ２の流れが形成される。

　次に、制御装置１００は、ガスＧ及びリンス液Ｌ２の吐出を継続しながら、リンスノズル４６Ｂを外周方向へ移動させる（ステップＳ３４）。図１２（ｄ）では、図１２（ｃ）に示す状態と比べてリンスノズル４６ＢをワークＷの外周方向へ移動させた状態が示されている。リンスノズル４６Ｂを外周方向へ移動させることで、リンス液Ｌ２が供給される領域が外周方向へ移動する。この結果、ワークＷの気液界面Ｄ０はさらに外周側へ移動する。すなわち、図１２（ｄ）に示されるように、乾燥コア領域Ｄがさらに外周側へ広がり、リンス液Ｌ２が残存する領域が外周縁のみとなる。この状態から、さらにリンスノズル４６Ｂを外周方向へ移動させると、ガスＧによって、現像液Ｌ１との反応で溶解したレジストの溶解物と共にリンス液Ｌ２の全てがワークＷの表面Ｗａから除去される。この結果、ワークＷの表面Ｗａの全体が乾燥コア領域Ｄとなり、現像によって形成されたレジストパターンが現れることになる。

　なお、図１１及び図１２に示す第２の変更例に係る手順では、基本的にガスノズル５６、リンスノズル４６Ａ、及びリンスノズル４６Ｂは独立して動作する。したがって、これらのノズルを個別に動作させることによって細かい制御が可能となり得る。

　また、上記の手順では、ステップＳ３４においてリンスノズル４６Ｂのみからリンス液Ｌ２を吐出しながらリンスノズル４６Ｂが外方へ移動する際に、中央に固定されたガスノズル５６との距離が徐々に大きくなる。ガスノズル５６との距離が大きくなると、ガスノズル５６から吐出されるガスＧにより乾燥コア領域Ｄを広げることが徐々に難しくなり、気液界面Ｄ０の乱れも発生し得る。そのため、制御装置１００は、ガスノズル５６とリンスノズル４６との距離が大きくなるに応じてガスノズル５６からのガスＧの吐出量を大きくしてもよい。また、図９及び図１０で示した第１の変更例と同様に、現像ユニットＵ３の供給部は、リンスノズル４６Ｂと一体的に移動可能な第２のガスノズルを設けて、これらを１つのアームで動作させる構成を有してもよい。このような構成を有することで、ワークＷの外周側、すなわち、リンスノズル４６Ｂとガスノズルとによって気液界面Ｄ０を形成する段階において、リンス液Ｌ２の吐出位置Ｐ２とガスＧの吐出位置との距離を一定に保つことが可能となり、リンス液Ｌ２の除去を効果的に行うことができる。

［作用］
　上記の基板処理装置としての塗布現像装置２では、現像液が供給された後のワークＷに対して、ガスノズル５６からの不活性ガスの吐出を継続しながら、リンスノズル４６Ａ，４６Ｂからのリンス液の吐出位置をワークＷの中心から外周方向へと移動させる。これにより、不活性ガスとリンス液Ｌ２により形成される気液界面Ｄ０を中心から外周方向へと移動させることができる。このとき、ワークＷの中心側から外周側へのリンスノズル４６Ａ，４６Ｂの移動の際に、リンス液Ｌ２の吐出方向がワークＷの回転方向に沿った方向から径方向に沿った方向へ切り替えられる。ワークＷの中心側では、気液界面を形成する際に、リンスノズルからのリンス液の吐出方向がワークＷの回転方向に沿った方向であることによって、リンス液除去後の残渣の発生が抑制される。一方、ワークＷの外周側では、リンスノズルからのリンス液の吐出方向がワークＷの径方向に沿った方向であることによって、リンス液除去後の残渣の発生が抑制される。したがって、気液界面Ｄ０を外周方向へ移動させる際に、上記のようにリンス液の吐出方向へ切り替える構成とすることで、ワークＷを洗浄した後のワークＷ表面の残渣を低減することができる。

　上記の構成を実現するための具体的な方法として、第１の変更例で示したように、第１リンスノズル４６Ａ及び第１ガスノズル５６Ａが設けられた第１アーム６１と、第２リンスノズル４６Ｂ及び第２ガスノズル５６Ｂが設けられた第２アーム６２と、を有する構成としてもよい。このような構成とすることで、ワークＷの中心側では、第１リンスノズル４６Ａからのリンス液の吐出方向がワークＷの回転方向に沿った方向である第１アーム６１から不活性ガスとリンス液とを供給して気液界面Ｄ０を形成することで、リンス液除去後の残渣の発生が抑制される。一方、ワークＷの外周側では、第２リンスノズル４６Ｂからのリンス液の吐出方向が基板の径方向に沿った方向である第２アーム６２から不活性ガスとリンス液とを供給して気液界面Ｄ０を形成することで、リンス液除去後の残渣の発生が抑制される。したがって、上記の構成とすることによってワークＷを洗浄した後のワークＷ表面の残渣を低減することができる。

　また、上記実施形態で説明したように、ガスノズル５６と、第１リンスノズル４６Ａと、第２リンスノズルと、が互いに独立して移動可能なアームに設けられていてもよい。このとき、第１リンスノズル４６Ａは、ノズルから吐出されるリンス液の方向がワークＷの回転に沿った方向であって、第２リンスノズル４６Ｂは、ノズルから吐出されるリンス液の方向がワークＷの径方向に沿った方向であってもよい。このとき、制御装置１００は、所定の切り替わり位置よりもワークＷの中心側では、第１リンスノズル４６Ａからのリンス液の供給を行うことで気液界面Ｄ０を形成する第１の状態とし、切り替わり位置よりもワークＷの外周側において第２リンスノズル４６Ｂからのリンス液の供給を行うことで気液界面Ｄ０を形成する第２の状態へ切り替える。このとき、第１の状態及び第２の状態において外周方向へのリンスノズル４６Ａ，４６Ｂの移動に対応させてガスノズル５６を外周方向へ移動させる態様であってもよい。

　上記の構成とした場合でも、ワークＷの中心側では、リンス液の吐出方向が基板の回転方向に沿った方向である第１リンスノズル４６Ａからリンス液を供給して気液界面Ｄ０が形成される。一方、ワークＷの外周側では、リンス液の吐出方向が基板の径方向に沿った方向である第２リンスノズル４６Ｂからリンス液を供給して気液界面Ｄ０が形成される。したがって、上記の構成とすることによってワークＷを洗浄した後のワークＷ表面の残渣を低減することができる。

　また、別の態様として、ワークＷの中央に吐出位置が固定された第１ガスノズルとしてのガスノズル５６Ａと、第１リンスノズル４６Ａが設けられた第１アームと、第２リンスノズル４６Ｂ及び第２ガスノズルとしてのガスノズル５６Ｂが設けられた第２アームと、を有していてもよい。このとき、第１リンスノズル４６Ａは、ノズルから吐出されるリンス液の方向がワークＷの回転に沿った方向であって、第２リンスノズル４６Ｂは、ノズルから吐出されるリンス液の方向がワークＷの径方向に沿った方向であってもよい。このとき、制御装置１００は、所定の切り替わり位置よりもワークＷの中心側では、第１ガスノズル５６Ａから不活性ガスの供給をしながら、第１リンスノズル４６Ａからの前記リンス液の供給を行うことで気液界面Ｄ０を形成する第１の状態としてもよい。また、切り替わり位置よりもワークＷの外周側では、第２アームを移動させながら不活性ガス及びリンス液の供給を行うことで気液界面Ｄ０を形成する第２の状態へ切り替えてもよい。

　さらに、供給部は、ワークＷの中央に吐出位置が固定された第１ガスノズルと、吐出するリンス液の方向を変化させることが可能な第１リンスノズルが設けられた第１アームと、を有する構成としてもよい。このとき、制御装置１００は、外周方向への第１リンスノズルの移動の際に、第１リンスノズルから吐出される前記リンス液の方向を、ワークＷの回転方向に沿った方向から前記基板の径方向に沿った方向へ徐々に変化させてもよい。

　基板処理装置としての塗布現像装置２では、第１の状態では、第２リンスノズル４６Ｂからもリンス液を吐出させてもよい。また、第２の状態では、第１リンスノズル４６Ａからのリンス液の吐出を停止させると共に、第２リンスノズル４６Ｂからのリンス液の吐出量を第１の状態と比べて増加させてもよい。上記の構成とすることで、第１の状態では、第２リンスノズルからもリンス液を吐出することで、基板の中心付近から外周方向へのリンス液の移動が促進される。一方、第２の状態では、第１リンスノズルからのリンス液の吐出が停止されるため、第２リンスノズルからのリンス液の吐出量を増加させることによって、外周方向へのリンス液の移動を促進させることができる。

　また、制御装置１００は、第２の状態では、第１ガスノズル５６Ａからのガスの吐出を停止させる態様であってもよい。上記の構成とすることで、第２の状態においてワークＷ表面におけるガスの流れが安定し、気液界面Ｄ０の乱れを防止することができる。

　第１の状態における、ワークＷ上での第１リンスノズルからのリンス液の吐出位置とガスノズルからのガスの吐出位置との距離は、第２の状態における、ワークＷ上での第２リンスノズルからのリンス液の吐出位置と第２ガスノズルからのガスの吐出位置との距離よりも小さくてもよい。

　上記の構成を実現するために、例えば、第１アーム６１における第１リンスノズル４６Ａからのリンス液の吐出位置と第１ガスノズル５６Ａからの前記ガスの吐出位置との距離は、第２アーム６２における第２リンスノズル４６Ｂからのリンス液の吐出位置と第２ガスノズル５６Ｂからの前記ガスの吐出位置との距離よりも小さくてもよい。

　ワークＷ上で気液界面Ｄ０を形成する場合、ワークＷの中心側ではリンス液の吐出位置とガスの吐出位置とが近い方が残渣を抑制することができ、ワークＷの外周側ではリンス液の吐出位置とガスの吐出位置とが離れていた方が残渣を抑制することができる。上記のように、第１リンスノズルはガスノズルとの間で吐出位置同士が近くなるようにノズルを配置し、第２リンスノズルはガスノズルとの間で吐出位置同士が遠くなるようにノズルを配置することで、洗浄後の残渣をさらに低減させることができる。

　以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

　例えば、上記実施形態では、現像液を供給した後のワークＷに対してリンス液を供給してリンス液を除去する場合について説明した。しかしながら、上記実施形態で説明した処理は、他の薬液を用いた処理にも適用することができる。

　また、上記実施形態では、リンス液Ｌ２の吐出量及びガスＧの吐出量を間欠的に切り替える場合について説明した。しかしながら、リンス液Ｌ２の吐出量及びガスＧの吐出量は段階的に変更してもよいし、連続的に変更してもよい。上述したように、気液界面Ｄ０を穏やかに形成し、且つワークＷの外周側へ徐々に移動させることによって、残渣の発生を抑制することができる。したがって、このような状態を形成するために、リンス液Ｌ２の吐出量及びガスＧの吐出量は適宜調整してもよい。また、ワークＷの回転数等についても適宜調整してもよい。

　以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。

　１…基板処理システム、２…塗布現像装置、３…露光装置、２０…保持回転部、３６…現像ノズル、４０…リンス液供給部、４０Ａ…第１リンス液供給部、４０Ｂ…第２リンス液供給部、４６…リンスノズル、４６Ａ…リンスノズル（第１リンスノズル）、４６Ｂ…リンスノズル（第２リンスノズル）、４７Ａ，４７Ｂ…アーム、５０…ガス供給部、５６…ガスノズル、５６Ａ…ガスノズル（第１ガスノズル）、５６Ｂ…ガスノズル（第２ガスノズル）、５７…アーム、６１…第１アーム、６２…第２アーム、１００…制御装置。

Claims

　基板を処理する基板処理装置であって、
　前記基板を保持して回転させる保持回転部と、
　現像液が供給された後の前記基板に対して不活性ガスを供給する少なくとも１つのガスノズルと、前記ガスノズルによるガス供給位置よりも外周側に設けられた吐出位置において前記基板に対してリンス液を供給する少なくとも１つのリンスノズルと、を含む供給部と、
　制御部と、
　を備え、
　前記制御部は、
　　前記ガスノズルからの前記不活性ガスの吐出を継続しながら、前記リンスノズルからの前記リンス液の吐出位置を前記基板の中心から外周方向へと移動させることにより、前記不活性ガスと前記リンス液により形成される気液界面を前記中心から外周方向へと移動させ、
　　前記基板の中心側から外周側への前記リンスノズルの移動の際に、前記リンスノズルから吐出される前記リンス液の方向を、前記基板の回転方向に沿った方向から前記基板の径方向に沿った方向へ切り替える、基板処理装置。
　前記供給部は、第１リンスノズル及び第１ガスノズルが設けられた第１アームと、第２リンスノズル及び第２ガスノズルが設けられた第２アームと、を有し、
　前記第１リンスノズルから吐出されるリンス液の方向は、前記基板の回転方向に沿った方向であり、
　前記第２リンスノズルから吐出されるリンス液の方向は、前記基板の径方向に沿った方向であり、
　前記制御部は、所定の切り替わり位置よりも前記基板の中心側において前記第１アームを移動させながら前記不活性ガス及び前記リンス液の供給を行うことで前記気液界面を形成する第１の状態から、前記切り替わり位置よりも前記基板の外周側において前記第２アームを移動させながら前記不活性ガス及び前記リンス液の供給を行うことで前記気液界面を形成する第２の状態へ切り替える、請求項１に記載の基板処理装置。
　前記制御部は、
　　前記第１の状態において、前記第２リンスノズルからも前記リンス液を吐出させ、
　　前記第２の状態において、前記第１リンスノズルからの前記リンス液の吐出を停止させると共に、前記第２リンスノズルからの前記リンス液の吐出量を前記第１の状態と比べて増加させる、請求項２に記載の基板処理装置。
　前記制御部は、前記第２の状態において、前記第１ガスノズルからの前記ガスの吐出を停止させる、請求項３に記載の基板処理装置。
　前記第１アームにおける前記第１リンスノズルからの前記リンス液の吐出位置と前記第１ガスノズルからの前記ガスの吐出位置との距離は、前記第２アームにおける前記第２リンスノズルからの前記リンス液の吐出位置と前記第２ガスノズルからの前記ガスの吐出位置との距離よりも小さい、請求項２～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
　前記供給部は、ガスノズルと、第１リンスノズルと、第２リンスノズルと、が互いに独立して移動可能なアームに設けられていて、
　前記第１リンスノズルから吐出されるリンス液の方向は、前記基板の回転方向に沿った方向であり、
　前記第２リンスノズルから吐出されるリンス液の方向は、前記基板の径方向に沿った方向であり、
　前記制御部は、所定の切り替わり位置よりも前記基板の中心側において前記第１リンスノズルからの前記リンス液の供給を行うことで前記気液界面を形成する第１の状態から、前記切り替わり位置よりも前記基板の外周側において前記第２リンスノズルからの前記リンス液の供給を行うことで前記気液界面を形成する第２の状態へ切り替えると共に、前記第１の状態及び前記第２の状態において前記外周方向への前記リンスノズルの移動に対応させて前記ガスノズルを前記外周方向へ移動させる、請求項１に記載の基板処理装置。
　前記制御部は、
　　前記第１の状態において、前記第２リンスノズルからも前記リンス液を吐出させ、
　　前記第２の状態において、前記第１リンスノズルからの前記リンス液の吐出を停止させると共に、前記第２リンスノズルからの前記リンス液の吐出量を前記第１の状態と比べて増加させる、請求項６に記載の基板処理装置。
　前記第１の状態における、前記基板上での前記第１リンスノズルからの前記リンス液の吐出位置と前記ガスノズルからの前記ガスの吐出位置との距離は、前記第２の状態における、前記基板上での前記第２リンスノズルからの前記リンス液の吐出位置と前記ガスノズルからの前記ガスの吐出位置との距離よりも小さい、請求項６または７に記載の基板処理装置。
　前記供給部は、前記基板の中央に吐出位置が固定された第１ガスノズルと、第１リンスノズルが設けられた第１アームと、第２リンスノズル及び第２ガスノズルが設けられた第２アームと、を有し、
　前記第１リンスノズルから吐出されるリンス液の方向は、前記基板の回転方向に沿った方向であり、
　前記第２リンスノズルから吐出されるリンス液の方向は、前記基板の径方向に沿った方向であり、
　前記制御部は、所定の切り替わり位置よりも前記基板の中心側において前記第１ガスノズルから不活性ガスの供給をしながら前記第１アームを移動させながら前記第１リンスノズルからの前記リンス液の供給を行うことで前記気液界面を形成する第１の状態から、前記切り替わり位置よりも前記基板の外周側において、前記第２アームを移動させながら前記不活性ガス及び前記リンス液の供給を行うことで前記気液界面を形成する第２の状態へ切り替える、請求項１に記載の基板処理装置。
　前記制御部は、
　　前記第１の状態において、前記第２リンスノズルからも前記リンス液を吐出させ、
　　前記第２の状態において、前記第１リンスノズルからの前記リンス液の吐出を停止させると共に、前記第２リンスノズルからの前記リンス液の吐出量を前記第１の状態と比べて増加させる、請求項９に記載の基板処理装置。
　前記第１の状態における、前記基板上での前記第１リンスノズルからの前記リンス液の吐出位置と前記ガスノズルからの前記ガスの吐出位置との距離は、前記第２の状態における、前記基板上での前記第２リンスノズルからの前記リンス液の吐出位置と前記第２ガスノズルからの前記ガスの吐出位置との距離よりも小さい、請求項９または１０に記載の基板処理装置。
　前記供給部は、前記基板の中央に吐出位置が固定された第１ガスノズルと、吐出するリンス液の方向を変化させることが可能な第１リンスノズルが設けられた第１アームと、を有し、
　前記制御部は、前記外周方向への前記第１リンスノズルの移動の際に、前記第１リンスノズルから吐出される前記リンス液の方向を、前記基板の回転方向に沿った方向から前記基板の径方向に沿った方向へ徐々に変化させる、請求項１に記載の基板処理装置。
　基板を処理する基板処理方法であって、
　保持回転部において前記基板を保持して回転させることと、
　現像液が供給された後の前記基板に対してガスノズルからの不活性ガスの吐出を継続しながら、前記ガスノズルによるガス供給位置よりも外周側に設けられた吐出位置において前記基板に対してリンス液を供給するリンスノズルからのリンス液の吐出位置を前記基板の中心から外周方向へと移動させることにより、前記不活性ガスと前記リンス液により形成される気液界面を前記中心から外周方向へと移動させることと、
　を含み、
　前記移動させることにおいて、前記基板の中心側から外周側への前記リンスノズルの移動の際に、前記リンスノズルから吐出される前記リンス液の方向を、前記基板の回転方向に沿った方向から前記基板の径方向に沿った方向へ切り替える、基板処理方法。
　基板処理をコンピュータに実行させる基板処理プログラムであって、
　保持回転部において前記基板を保持して回転させることと、
　現像液が供給された後の前記基板に対してガスノズルからの不活性ガスの吐出を継続しながら、前記ガスノズルによるガス供給位置よりも外周側に設けられた吐出位置において前記基板に対してリンス液を供給するリンスノズルからのリンス液の吐出位置を前記基板の中心から外周方向へと移動させることにより、前記不活性ガスと前記リンス液により形成される気液界面を前記中心から外周方向へと移動させることと、
　を前記コンピュータに実行させ、
　前記移動させることにおいて、前記基板の中心側から外周側への前記リンスノズルの移動の際に、前記リンスノズルから吐出される前記リンス液の方向を、前記基板の回転方向に沿った方向から前記基板の径方向に沿った方向へ切り替える、基板処理プログラム。