WO2023248860A1 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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WO2023248860A1
WO2023248860A1 PCT/JP2023/021837 JP2023021837W WO2023248860A1 WO 2023248860 A1 WO2023248860 A1 WO 2023248860A1 JP 2023021837 W JP2023021837 W JP 2023021837W WO 2023248860 A1 WO2023248860 A1 WO 2023248860A1
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aqueous solution
substrate
hydrofluoric acid
concentration
acid
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崇 烏野
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東京エレクトロン株式会社
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    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B24B55/02—Equipment for cooling the grinding surfaces, e.g. devices for feeding coolant
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
  • the substrate processing method described in Patent Document 1 includes a step of grinding the substrate surface and a step of removing a damaged layer formed on the substrate surface by the grinding.
  • the step of removing the damaged layer includes a step of supplying a treatment liquid to the surface of the substrate.
  • the treatment liquid is, for example, an aqueous solution containing hydrofluoric acid and nitric acid.
  • One aspect of the present disclosure provides a technology that maintains substrate processing quality and suppresses wasteful disposal of chemical solutions.
  • a substrate processing apparatus includes a processing unit that supplies an aqueous solution containing hydrofluoric acid, nitric acid, and phosphoric acid to a substrate, a recovery unit that recovers the aqueous solution from the processing unit, and a recovery unit that includes
  • the apparatus includes a controller that adjusts the component concentration of the collected aqueous solution, a supply part that supplies the aqueous solution adjusted by the controller to the processing part, and a controller that controls the controller.
  • the adjustment section includes a concentration meter that detects the hydrofluoric acid concentration of the aqueous solution, and a replenishment section that supplies hydrofluoric acid, nitric acid, and phosphoric acid to the aqueous solution.
  • the control unit performs control to replenish the aqueous solution with hydrofluoric acid, nitric acid, and phosphoric acid in a desired ratio based on the hydrofluoric acid concentration.
  • FIG. 1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to one embodiment.
  • FIG. 2 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to one embodiment.
  • FIG. 3 is a sectional view showing an example of an etching apparatus.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of an etching liquid circuit.
  • FIG. 5 is a diagram showing an example of a change in component concentration over time when the replenishment unit does not replenish the chemical solution.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a change in hydrofluoric acid concentration over time when the replenishment unit replenishes the chemical solution.
  • FIG. 7 is a flowchart showing an example of adjustment of component concentration.
  • the X-axis direction, Y-axis direction, and Z-axis direction are directions perpendicular to each other.
  • the X-axis direction and the Y-axis direction are horizontal directions, and the Z-axis direction is a vertical direction.
  • the substrate processing apparatus 1 processes a substrate W.
  • the substrate W includes, for example, a semiconductor wafer such as a silicon wafer.
  • Substrate W may include multiple devices formed on a semiconductor wafer.
  • the device includes, for example, an electronic circuit.
  • the substrate W may be a laminated substrate in which a plurality of semiconductor wafers are laminated. A laminated substrate is obtained by bonding a plurality of semiconductor wafers.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a loading/unloading station 10, a processing station 20, and a control device 90.
  • the loading/unloading station 10 and the processing station 20 are arranged in this order from the X-axis negative direction side to the X-axis positive direction side.
  • the loading/unloading station 10 includes a mounting table 11. Cassettes C1 to C2 are placed on the mounting table 11.
  • the cassette C1 accommodates substrates W before processing.
  • the cassette C2 accommodates the processed substrate W.
  • the number of cassettes C1 and C2 is not particularly limited.
  • a cassette (not shown) may accommodate a substrate W that has a problem during processing.
  • the loading/unloading station 10 includes a first conveying area 12 and a first conveying device 13.
  • the first transport area 12 is adjacent to the mounting table 11 and a transition device 21, which will be described later.
  • the first transport device 13 transports the substrate W between a plurality of devices adjacent to the first transport region 12 .
  • the first transport device 13 includes a transport arm that holds the substrate W, and a drive section that moves or rotates the transport arm.
  • the transport arm can move in the horizontal direction (both the X-axis direction and the Y-axis direction) and the vertical direction, and can rotate about the vertical axis.
  • a plurality of transport arms may be provided.
  • the processing station 20 includes a transition device 21, a second transfer area 22, a second transfer device 23, a grinding device 24, a cleaning device 25, and an etching device 26. Note that the arrangement and number of devices constituting the processing station 20 are not limited to the arrangement and number shown in FIG.
  • the transition device 21 temporarily stores the substrate W.
  • the transition device 21 is provided between the first transfer area 12 and the second transfer area 22, and relays the substrate W between the first transfer device 13 and the second transfer device 23.
  • the second transport area 22 is adjacent to the transition device 21 , the grinding device 24 , the cleaning device 25 , and the etching device 26 .
  • the second transport device 23 transports the substrate W between a plurality of devices adjacent to the second transport region 22 .
  • the second transport device 23 includes a transport arm that holds the substrate W, and a drive section that moves or rotates the transport arm.
  • the transport arm can move in the horizontal direction (both the X-axis direction and the Y-axis direction) and the vertical direction, and can rotate about the vertical axis.
  • a plurality of transport arms may be provided.
  • the grinding device 24 grinds the substrate W.
  • the substrate W can be made thinner.
  • the grinding device 24 may grind one side of the substrate W, or may grind both sides of the substrate W. When grinding both sides of the substrate W, one side and the opposite side of the substrate W may be ground by separate grinding devices 24.
  • the grinding device 24 grinds the substrate W by, for example, pressing the grindstone against the substrate W while rotating the grindstone and the substrate W.
  • the cleaning device 25 cleans the substrate W. Grinding debris attached to the substrate W can be removed. When the grinding device 24 grinds both sides of the substrate W, the cleaning device 25 cleans both sides of the substrate W. One side and the opposite side of the substrate W may be cleaned using separate cleaning devices 25. The cleaning device 25 scrubs and cleans the substrate W using, for example, a brush or a sponge.
  • the etching device 26 etches the substrate W by supplying a processing liquid to the substrate W. A damaged layer caused by grinding the substrate W can be removed, and cracking of the substrate W can be suppressed.
  • the grinding device 24 grinds both sides of the substrate W
  • the etching device 26 etches both sides of the substrate W. One side and the opposite side of the substrate W may be etched using separate etching apparatuses 26. Details of the etching device 26 will be described later.
  • the control device 90 is, for example, a computer, and includes a calculation section 91 such as a CPU (Central Processing Unit), and a storage section 92 such as a memory.
  • the storage unit 92 stores programs that control various processes executed in the substrate processing apparatus 1.
  • the control device 90 controls the operation of the substrate processing apparatus 1 by causing the calculation section 91 to execute a program stored in the storage section 92 .
  • a unit control section that controls the operation of the unit may be provided for each unit constituting the substrate processing apparatus 1, and a system control section may be provided that centrally controls a plurality of unit control sections.
  • the control device 90 may be configured by a unit control section and a system control section.
  • the control device 90 is an example of a control section.
  • the substrate processing method includes steps S101 to S103, for example. Steps S101 to S103 are performed under the control of the control device 90.
  • the first transport device 13 takes out the substrate W from the cassette C1 and transports it to the transition device 21.
  • the second transport device 23 takes out the substrate W from the transition device 21 and transports it to the grinding device 24 .
  • the grinding device 24 grinds the substrate W (step S101).
  • the substrate W can be made thinner.
  • the second transport device 23 takes out the substrate W from the grinding device 24 and transports it to the cleaning device 25.
  • the cleaning device 25 cleans the substrate W (step S102). Grinding debris attached to the substrate W can be removed. Thereafter, the second transport device 23 takes out the substrate W from the cleaning device 25 and transports it to the etching device 26.
  • the etching device 26 etches the substrate W (step S103). A damaged layer caused by grinding the substrate W can be removed, and cracking of the substrate W can be suppressed. Thereafter, the second transport device 23 takes out the substrate W from the etching device 26 and transports it to the transition device 21.
  • the first transport device 13 takes out the substrate W from the transition device 21 and stores it in the cassette C2.
  • the substrate processing method only needs to include step S103.
  • the substrate processing method may include forming a modified layer inside the substrate W with a laser beam and dividing the substrate W using the modified layer as a starting point. good. In any case, the substrate W can be made thinner.
  • the etching device 26 is an example of a processing section.
  • the processing section supplies the processing liquid L to the substrate W.
  • the processing section is of a single-wafer type that processes the substrates W one by one, but may be of a batch type that processes a plurality of substrates W at the same time.
  • the single wafer type processing section will be explained below.
  • the etching apparatus 26 includes, for example, a processing container 31, a substrate holding section 34, a substrate rotating section 35, a nozzle 36, a nozzle moving section 37, a cup 38, a drain pipe 39, and an exhaust pipe 40.
  • the processing container 31 houses the substrate holder 34 and the like.
  • a gate 32 and a gate valve 33 for opening and closing the gate 32 are provided on the side wall of the processing container 31 .
  • the substrate W is carried into the processing container 31 via the gate 32 by the second transport device 23 (see FIG. 1).
  • the substrate W is processed with the processing liquid L inside the processing container 31.
  • the substrate W is carried out of the processing container 31 by the second transport device 23 via the gate 32 .
  • the substrate holding unit 34 is provided inside the processing container 31 and holds the substrate W horizontally.
  • the substrate holding part 34 has, for example, a claw part 34a that holds the outer peripheral part of the substrate W.
  • a plurality of claw portions 34a are provided at equal intervals in the circumferential direction of the substrate W.
  • the substrate holder 34 may vacuum suck the lower surface of the substrate W.
  • the substrate rotating section 35 rotates the substrate W together with the substrate holding section 34 by rotating the substrate holding section 34 .
  • the substrate rotating section 35 includes a motor and the like.
  • the nozzle 36 supplies the processing liquid L to the substrate W.
  • the nozzle 36 supplies the processing liquid L to the rotating substrate W, for example.
  • the processing liquid L includes, for example, an etching liquid and a rinsing liquid.
  • the etching solution is an aqueous solution containing hydrofluoric acid (HF), nitric acid (HNO 3 ), and phosphoric acid (H 3 PO 4 ).
  • the rinsing liquid is pure water such as DIW (deionized water).
  • the nozzle 36 supplies the etching liquid and the rinsing liquid to the substrate W in this order.
  • the etching liquid and the rinsing liquid may be supplied by separate nozzles 36.
  • the nozzle 36 is connected to a supply section 70, which will be described later.
  • the nozzle moving unit 37 moves the nozzle 36 in the horizontal direction.
  • the nozzle moving unit 37 moves the nozzle 36 in the radial direction of the substrate W, for example.
  • the nozzle moving unit 37 includes, for example, an arm 37a that holds the nozzle 36, and a drive unit 37b that rotates the arm 37a.
  • the cup 38 surrounds the outer periphery of the substrate W held by the substrate holder 34 and collects the processing liquid L scattered from the outer periphery of the substrate W.
  • a drain pipe 39 and an exhaust pipe 40 are provided at the bottom of the cup 38.
  • the drain pipe 39 drains the processing liquid L accumulated inside the cup 38.
  • the drain pipe 39 is connected to a recovery section 50, which will be described later.
  • the exhaust pipe 40 exhausts the gas accumulated inside the cup 38.
  • the etching solution L1 is an aqueous solution containing HF, HNO 3 and H 3 PO 4 .
  • HNO 3 oxidizes the substrate W to generate an oxide, and HF etches the oxide.
  • etching of the silicon wafer is considered to proceed according to the following chemical reaction formulas (1) and (2).
  • H 3 PO 4 is a component that adjusts the viscosity of the etching solution L1.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a recovery section 50, an adjustment section 60, and a supply section 70.
  • the recovery unit 50 recovers the etching liquid L1 from the etching device 26.
  • the adjustment unit 60 adjusts the component concentration of the etching solution L1 collected by the collection unit 50.
  • the supply unit 70 supplies the etching liquid L1 whose component concentration has been adjusted by the adjustment unit 60 to the etching device 26.
  • the substrate processing apparatus 1 reuses the etching liquid L1. The amount of waste of the etching solution L1 can be reduced.
  • the recovery section 50 has a recovery line 51.
  • the recovery line 51 connects the etching device 26 and the adjustment section 60.
  • the recovery line 51 connects the drain pipe 39 (see FIG. 3) of the etching device 26 and the storage tank 61 of the adjustment section 60.
  • a filter 52 may be provided in the middle of the recovery line 51. The filter 52 collects foreign substances in the etching solution L1.
  • the adjustment section 60 includes, for example, a storage tank 61, a circulation line 62, a pump 63, a filter 64, a flow meter 65, a concentration meter 66, and a replenishment section 67.
  • the storage tank 61 stores the etching liquid L1.
  • the circulation line 62 takes out the etching solution L1 from the storage tank 61 and returns it to the storage tank 61. By circulating the etching solution L1, the component concentration can be made uniform.
  • a pump 63, a filter 64, a flow meter 65, and a concentration meter 66 are provided in the middle of the circulation line 62.
  • the pump 63 pumps out the etching liquid L1.
  • the filter 64 collects foreign substances in the etching solution L1.
  • the flow meter 65 detects the flow rate of the etching liquid L1.
  • the control device 90 controls the pump 63 so that the detected value of the flow meter 65 becomes the set value.
  • the concentration meter 66 detects the hydrofluoric acid concentration of the etching solution L1.
  • thermometer and a heater may be provided in the middle of the circulation line 62.
  • the thermometer detects the temperature of the etching solution L1.
  • the heater heats the etching liquid L1.
  • the control device 90 controls the heater so that the detected value of the thermometer becomes the set value.
  • the supply unit 67 supplies HF, HNO 3 and H 3 PO 4 to the etching solution L1.
  • the replenishment unit 67 replenishes the storage tank 61 or the circulation line 62 (storage tank 61 in FIG. 4) with HF, HNO 3 , and H 3 PO 4 .
  • the replenishment unit 67 may replenish HF, HNO 3 or H 3 PO 4 in the form of an aqueous solution.
  • the replenishment unit 67 may replenish HF, HNO 3 and H 3 PO 4 in order or at the same time.
  • the replenishment unit 67 may have separate lines for each type of chemical solution.
  • an HF replenishment amount adjusting section 67b-1 is provided in the middle of the individual HF line 67a-1.
  • the HF replenishment amount adjustment unit 67b-1 includes, for example, an on-off valve, a metering tank, and an on-off valve in this order from the upstream side to the downstream side.
  • the metering tank measures the amount of replenishment for one time.
  • the HF replenishment amount adjustment unit 67b-1 may include a tank, a flow meter, a flow rate controller, and an on-off valve, and in this case, the control device 90 controls the replenishment amount with a meter provided in the tank.
  • the replenishment amount may be controlled using a flow meter (time integral value of flow rate).
  • the HF replenishment amount adjustment section 67b-1 may have a flow meter, a flow rate controller, and an on-off valve without having a tank. ) may be used to control the supply amount.
  • the order of the flow meter, flow controller, and on-off valve is not particularly limited.
  • an HNO 3 replenishment amount adjustment section 67b-2 is provided in the middle of the HNO 3 individual line 67a-2.
  • the HNO 3 replenishment amount adjustment section 67b-2 is configured similarly to the HF replenishment amount adjustment section 67b-1.
  • an H 3 PO 4 replenishment amount adjusting section 67b-3 is provided in the middle of the H 3 PO 4 individual line 67a-3.
  • the H 3 PO 4 replenishment amount adjustment section 67b-3 is configured similarly to the HF replenishment amount adjustment section 67b-1.
  • the disposal section 68 discards the etching solution L1 stored in the storage tank 61.
  • the etching liquid L1 is disposed of periodically, and is appropriately performed depending on, for example, the elapsed time since the etching liquid L1 was replaced or the number of substrates W to be processed.
  • the waste section 68 has a discharge line 68a connected to the storage tank 61, and an on-off valve 68b that opens and closes a flow path of the discharge line 68a.
  • the supply unit 70 includes, for example, a supply line 71, a flow meter 72, a flow controller 73, and an on-off valve 74.
  • Supply line 71 connects adjustment section 60 and etching device 26 .
  • the supply line 71 connects the circulation line 62 of the adjustment section 60 and the nozzle 36 of the etching device 26 (see FIG. 3).
  • a flow meter 72, a flow controller 73, and an on-off valve 74 are provided in the middle of the supply line 71.
  • the flow meter 72 detects the flow rate of the etching liquid L1.
  • the flow rate controller 73 controls the flow rate of the etching liquid L1.
  • the control device 90 controls the flow rate controller 73 so that the detected value of the flow meter 72 becomes the set value.
  • the on-off valve 41 opens and closes the flow path of the supply line 71.
  • Etching liquid L1 is reused as described above. Therefore, when the replenishing unit 67 does not replenish various chemical solutions, the concentration of each component changes over time as shown in FIG. Specifically, the HF concentration, HNO 3 concentration, and H 3 PO 4 concentration decrease, and the H 2 O concentration and H 2 SiF 6 concentration increase. This is also clear from the chemical reaction formulas (1) and (2) above. Note that the H 3 PO 4 concentration decreases because H 2 O is generated by etching the substrate W. The generation of H 2 O causes a relative decrease in the H 3 PO 4 concentration.
  • replenishment unit 67 replenishing the chemical solution, changes in component concentration can be suppressed, and deterioration in processing quality of the substrate W can be suppressed.
  • HF, HNO 3 and H 3 PO 4 are replenished at a desired ratio based on the HF concentration. Replenishment of HF, HNO 3 and H 3 PO 4 in the desired ratio is done based on the HF concentration.
  • the ratio of the HF replenishment amount, the HNO 3 replenishment amount, and the H 3 PO 4 replenishment amount is determined in advance based on, for example, the above chemical reaction equations (1) and (2) and the target value of each component concentration, and the ratio is determined in advance by the control device.
  • 90 is stored in advance in the storage unit 92.
  • the ratio may be a volume ratio, a mass ratio, or a molar ratio. The ratio may be fixed.
  • the control device 90 Based on the HF concentration detected by the concentration meter 66, the control device 90 performs control to replenish the etching liquid L1 with HF, HNO 3 and H 3 PO 4 at a desired ratio. Thereby, the HF concentration can be maintained at the set value, and the processing quality of the substrate W can be maintained. In addition, by leaving the HNO 3 concentration and H 3 PO 4 concentration uncontrolled, that is, by not replenishing HNO 3 based on the HNO 3 concentration and not replenishing H 3 PO 4 based on the H 3 PO 4 concentration. The adjustment of component concentration can be completed in a short time, and wasteful disposal of chemical solutions can be suppressed. Note that the above ratios are determined so that the HNO 3 concentration and H 3 PO 4 concentration are also maintained at their respective target values as much as possible.
  • the control device 90 is configured to replenish the etching solution L1 with predetermined amounts of each of HF, HNO 3 , and H 3 PO 4 . 1 control.
  • the HF replenishment amount, the HNO 3 replenishment amount, and the H 3 PO 4 replenishment amount are determined in advance so as to have the above-mentioned desired ratios, and are further determined in consideration of the volume of the storage tank 61.
  • the HF replenishment amount, the HNO 3 replenishment amount, and the H 3 PO 4 replenishment amount may be fixed.
  • the HNO 3 replenishment amount is determined according to the HF replenishment amount, not the HNO 3 concentration.
  • the H 3 PO 4 replenishment amount is determined according to the HF replenishment amount, not the H 3 PO 4 concentration.
  • the control device 90 performs the first control again if the hydrofluoric acid concentration N remains below the threshold value NTh after performing the first control. Normally, by performing the first control once, the hydrofluoric acid concentration N can be restored to the threshold value N Th or more, but if recovery is not possible due to disturbance etc., the hydrofluoric acid concentration N can be restored to the threshold value N Th or more by performing the first control again. can recover.
  • control device 90 may perform second control to continue replenishing the etching solution L1 with HF, HNO 3 and H 3 PO 4 at a desired flow rate while the hydrofluoric acid concentration N is below the threshold value N Th . good.
  • the control device 90 stops the second control when the hydrofluoric acid concentration N recovers to the threshold value NTh or more.
  • step S201 shown in FIG. 7 are performed under the control of the control device 90.
  • the processes after step S201 are performed periodically.
  • the concentration meter 66 detects the hydrofluoric acid concentration N of the etching solution L1 (step S201).
  • the control device 90 determines whether the hydrofluoric acid concentration N is lower than the threshold value NTh (step S202). If the hydrofluoric acid concentration N is greater than or equal to the threshold value NTh (step S202, NO), there is no need to adjust the component concentration, and the control device 90 ends the current process.
  • step S202 when the hydrofluoric acid concentration N is lower than the threshold value N Th (step S202, YES), the etching rate of the substrate W is low, so the replenishing unit 67 supplies predetermined amounts of HF, HNO 3 and H 3 PO 4 to the etching solution L1. (step S203). Thereafter, after a predetermined period of time has elapsed, the processes from step S201 onwards are performed again.
  • step S203 Even if step S203 is performed a set number of times, if the hydrofluoric acid concentration N remains below the threshold value NTh , the control device 90 may perform control to interrupt the processing of the substrate W and issue an alarm. Alarm notifications are performed using a notification device.
  • the notification device is, for example, a display device, a warning light, or a buzzer.
  • Substrate processing device 26 Etching device (processing section) 50 Recovery section 60 Adjustment section 66 Concentration meter 67 Replenishment section 70 Supply section 90 Control device (control section) W board

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Abstract

基板処理装置は、フッ酸と硝酸とリン酸を含む水溶液を基板に対して供給する処理部と、前記処理部から前記水溶液を回収する回収部と、前記回収部で回収した前記水溶液の成分濃度を調節する調節部と、前記調節部で調節した前記水溶液を前記処理部に供給する供給部と、前記調節部を制御する制御部と、を備える。前記調節部は、前記水溶液のフッ酸濃度を検出する濃度計と、前記水溶液に対してフッ酸と硝酸とリン酸を補給する補給部と、を有する。前記制御部は、前記フッ酸濃度に基づきフッ酸と硝酸とリン酸を所望の比で前記水溶液に対して補給する制御を行う。

Description

基板処理装置および基板処理方法
　本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
　特許文献１に記載の基板処理方法は、基板表面を研削する工程と、研削によって基板表面に形成されたダメージ層を除去する工程と、を有する。ダメージ層を除去する工程は、基板表面に処理液を供給する工程を含む。処理液は、例えばフッ酸と硝酸を含む水溶液である。
日本国特開２０１８－１４７９０８号公報
　本開示の一態様は、基板の処理品質を維持すると共に薬液の無駄な廃棄を抑制する、技術を提供する。
　本開示の一態様に係る基板処理装置は、フッ酸と硝酸とリン酸を含む水溶液を基板に対して供給する処理部と、前記処理部から前記水溶液を回収する回収部と、前記回収部で回収した前記水溶液の成分濃度を調節する調節部と、前記調節部で調節した前記水溶液を前記処理部に供給する供給部と、前記調節部を制御する制御部と、を備える。前記調節部は、前記水溶液のフッ酸濃度を検出する濃度計と、前記水溶液に対してフッ酸と硝酸とリン酸を補給する補給部と、を有する。前記制御部は、前記フッ酸濃度に基づきフッ酸と硝酸とリン酸を所望の比で前記水溶液に対して補給する制御を行う。
　本開示の一態様によれば、基板の処理品質を維持すると共に薬液の無駄な廃棄を抑制することができる。
図１は、一実施形態に係る基板処理装置を示す平面図である。 図２は、一実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 図３は、エッチング装置の一例を示す断面図である。 図４は、エッチング液の液回路の一例を示す図である。 図５は、補給部が薬液を補給しない場合の成分濃度の時間変化の一例を示す図である。 図６は、補給部が薬液を補給する場合のフッ酸濃度の時間変化の一例を示す図である。 図７は、成分濃度の調節の一例を示すフローチャートである。
　以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。本明細書において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向である。Ｘ軸方向とＹ軸方向は水平方向であり、Ｚ軸方向は鉛直方向である。
　図１を参照して、一実施形態に係る基板処理装置１について説明する。基板処理装置１は、基板Ｗを処理する。基板Ｗは、例えばシリコンウェハなどの半導体ウェハを含む。基板Ｗは、半導体ウェハの上に形成される複数のデバイスを含んでもよい。デバイスは、例えば電子回路を含む。基板Ｗは、複数枚の半導体ウェハを積層した積層基板であってもよい。積層基板は、複数枚の半導体ウェハを接合することで得られる。
　基板処理装置１は、搬入出ステーション１０と、処理ステーション２０と、制御装置９０と、を備える。搬入出ステーション１０と、処理ステーション２０とは、この順番で、Ｘ軸負方向側からＸ軸正方向側に並ぶ。
　搬入出ステーション１０は、載置台１１を備える。載置台１１には、カセットＣ１～Ｃ２が載置される。カセットＣ１は、処理前の基板Ｗを収容する。カセットＣ２は、処理後の基板Ｗを収容する。カセットＣ１、Ｃ２の数は特に限定されない。不図示のカセットが、処理の途中で不具合の生じた基板Ｗを収容してもよい。
　搬入出ステーション１０は、第１搬送領域１２と、第１搬送装置１３と、を備える。第１搬送領域１２は、載置台１１と後述するトランジション装置２１に隣接する。第１搬送装置１３は、第１搬送領域１２に隣接する複数の装置間で基板Ｗを搬送する。第１搬送装置１３は、基板Ｗを保持する搬送アームと、搬送アームを移動または回転させる駆動部と、を有する。搬送アームは、水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方向）及び鉛直方向の移動と、鉛直軸を中心とする回転とが可能である。複数の搬送アームが設けられてもよい。
　処理ステーション２０は、トランジション装置２１と、第２搬送領域２２と、第２搬送装置２３と、研削装置２４と、洗浄装置２５と、エッチング装置２６と、を備える。なお、処理ステーション２０を構成する装置の配置および数は、図１に示す配置および数には限定されない。
　トランジション装置２１は、基板Ｗを一時的に保管する。トランジション装置２１は、第１搬送領域１２と第２搬送領域２２との間に設けられ、第１搬送装置１３と第２搬送装置２３の間で基板Ｗを中継する。
　第２搬送領域２２は、トランジション装置２１と、研削装置２４と、洗浄装置２５と、エッチング装置２６とに隣接している。第２搬送装置２３は、第２搬送領域２２に隣接する複数の装置間で基板Ｗを搬送する。第２搬送装置２３は、基板Ｗを保持する搬送アームと、搬送アームを移動または回転させる駆動部と、を有する。搬送アームは、水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方向）及び鉛直方向の移動と、鉛直軸を中心とする回転とが可能である。複数の搬送アームが設けられてもよい。
　研削装置２４は、基板Ｗを研削する。基板Ｗを薄化できる。研削装置２４は、基板Ｗの片面を研削してもよいし、基板Ｗの両面を研削してもよい。基板Ｗの両面を研削する場合、基板Ｗの片面と反対面とは別々の研削装置２４で研削してもよい。研削装置２４は、例えば砥石と基板Ｗを回転させながら、砥石を基板Ｗに押し当てることで、基板Ｗを研削する。
　洗浄装置２５は、基板Ｗを洗浄する。基板Ｗに付着した研削屑を除去できる。研削装置２４が基板Ｗの両面を研削する場合、洗浄装置２５が基板Ｗの両面を洗浄する。基板Ｗの片面と反対面とは別々の洗浄装置２５で洗浄してもよい。洗浄装置２５は、例えばブラシまたはスポンジで基板Ｗをスクラブ洗浄する。
　エッチング装置２６は、基板Ｗに対して処理液を供給することで基板Ｗをエッチングする。基板Ｗの研削によって生じたダメージ層を除去でき、基板Ｗの割れを抑制できる。研削装置２４が基板Ｗの両面を研削する場合、エッチング装置２６が基板Ｗの両面をエッチングする。基板Ｗの片面と反対面とは別々のエッチング装置２６でエッチングしてもよい。エッチング装置２６の詳細は、後述する。
　制御装置９０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）などの演算部９１と、メモリなどの記憶部９２と、を備える。記憶部９２には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御装置９０は、記憶部９２に記憶されたプログラムを演算部９１に実行させることにより、基板処理装置１の動作を制御する。基板処理装置１を構成するユニットごとにユニットの動作を制御するユニット制御部が設けられ、複数のユニット制御部を統括制御するシステム制御部が設けられてもよい。ユニット制御部とシステム制御部とで制御装置９０が構成されてもよい。制御装置９０は、制御部の一例である。
　次に、図２を参照して、一実施形態に係る基板処理方法について説明する。基板処理方法は、例えばステップＳ１０１～Ｓ１０３を有する。ステップＳ１０１～Ｓ１０３は、制御装置９０による制御下で実施される。
　先ず、第１搬送装置１３が、基板ＷをカセットＣ１から取り出し、トランジション装置２１に搬送する。次に、第２搬送装置２３が、トランジション装置２１から基板Ｗを取り出し、研削装置２４に搬送する。
　次に、研削装置２４が、基板Ｗを研削する（ステップＳ１０１）。基板Ｗを薄化できる。その後、第２搬送装置２３が、基板Ｗを研削装置２４から取り出し、洗浄装置２５に搬送する。
　次に、洗浄装置２５が、基板Ｗを洗浄する（ステップＳ１０２）。基板Ｗに付着した研削屑を除去できる。その後、第２搬送装置２３が、基板Ｗを洗浄装置２５から取り出し、エッチング装置２６に搬送する。
　次に、エッチング装置２６が、基板Ｗをエッチングする（ステップＳ１０３）。基板Ｗの研削によって生じたダメージ層を除去でき、基板Ｗの割れを抑制できる。その後、第２搬送装置２３が、基板Ｗをエッチング装置２６から取り出し、トランジション装置２１に搬送する。
　最後に、第１搬送装置１３が、基板Ｗをトランジション装置２１から取り出し、カセットＣ２に収納する。
　なお、基板処理方法は、ステップＳ１０３を有していればよい。例えば、基板処理方法は、基板Ｗを研削すること（ステップＳ１０１）の代わりに、基板Ｗの内部にレーザー光線で改質層を形成し、改質層を起点に基板Ｗを分割することを含んでもよい。いずれにしろ、基板Ｗを薄化できる。
　次に、図３を参照して、エッチング装置２６の一例について説明する。エッチング装置２６は、処理部の一例である。処理部は、基板Ｗに処理液Ｌを供給する。処理部は、本実施形態では基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式であるが、基板Ｗを複数枚ずつ同時に処理するバッチ式でもよい。以下、枚葉式の処理部について説明する。
　エッチング装置２６は、例えば、処理容器３１と、基板保持部３４と、基板回転部３５と、ノズル３６と、ノズル移動部３７と、カップ３８と、排液管３９と、排気管４０と、を有する。
　処理容器３１は、基板保持部３４などを収容する。処理容器３１の側壁部には、ゲート３２と、ゲート３２を開閉するゲートバルブ３３と、が設けられる。基板Ｗは、第２搬送装置２３（図１参照）によってゲート３２を介して処理容器３１の内部に搬入される。次に、基板Ｗは、処理容器３１の内部において処理液Ｌで処理される。その後、基板Ｗは、第２搬送装置２３によってゲート３２を介して処理容器３１の外部に搬出される。
　基板保持部３４は、処理容器３１の内部に設けられ、基板Ｗを水平に保持する。基板保持部３４は、例えば基板Ｗの外周部を保持する爪部３４ａを有する。爪部３４ａは、基板Ｗの周方向に等間隔で複数設けられる。なお、図示しないが、基板保持部３４は、基板Ｗの下面を真空吸着してもよい。
　基板回転部３５は、基板保持部３４を回転させることで、基板保持部３４と共に基板Ｗを回転させる。基板回転部３５は、モータなどを含む。
　ノズル３６は、基板Ｗに対して処理液Ｌを供給する。ノズル３６は、例えば回転する基板Ｗに処理液Ｌを供給する。処理液Ｌは、例えばエッチング液とリンス液とを含む。エッチング液は、フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）とリン酸（Ｈ３ＰＯ４）を含む水溶液である。リンス液は、ＤＩＷ（脱イオン水）などの純水である。ノズル３６は、エッチング液とリンス液をこの順番で基板Ｗに対して供給する。エッチング液とリンス液は、別々のノズル３６によって供給してもよい。ノズル３６は、後述する供給部７０に接続されている。
　ノズル移動部３７は、ノズル３６を水平方向に移動させる。ノズル移動部３７は、例えばノズル３６を基板Ｗの径方向に移動させる。ノズル移動部３７は、例えば、ノズル３６を保持するアーム３７ａと、アーム３７ａの旋回を行う駆動部３７ｂと、を有する。
　カップ３８は、基板保持部３４に保持されている基板Ｗの外周を囲み、基板Ｗの外周から飛散する処理液Ｌを捕集する。
　排液管３９と排気管４０は、カップ３８の底部に設けられる。排液管３９は、カップ３８の内部に溜まった処理液Ｌを排出する。排液管３９は、後述する回収部５０に接続されている。排気管４０は、カップ３８の内部に溜まった気体を排出する。
　次に、図４を参照して、エッチング液Ｌ１の液回路の一例について説明する。エッチング液Ｌ１は、ＨＦとＨＮＯ３とＨ３ＰＯ４を含む水溶液である。ＨＮＯ３が基板Ｗを酸化することで酸化物が生じ、ＨＦが酸化物をエッチングする。基板Ｗがシリコンウェハである場合、下記の化学反応式（１）および（２）に従ってシリコンウェハのエッチングが進むと考えられる。
（１）Ｓｉ＋ＨＮＯ３＋Ｈ２Ｏ→ＳｉＯ２＋ＨＮＯ２＋Ｈ２
（２）ＳｉＯ２＋６ＨＦ→Ｈ２ＳｉＦ６＋２Ｈ２Ｏ
なお、Ｈ３ＰＯ４は、エッチング液Ｌ１の粘度を調節する成分である。
　図４に示すように、基板処理装置１は、回収部５０と、調節部６０と、供給部７０と、を備える。回収部５０は、エッチング装置２６からエッチング液Ｌ１を回収する。調節部６０は、回収部５０で回収したエッチング液Ｌ１の成分濃度を調節する。供給部７０は、調節部６０で成分濃度を調節したエッチング液Ｌ１をエッチング装置２６に供給する。基板処理装置１は、エッチング液Ｌ１を再利用する。エッチング液Ｌ１の廃棄量を低減できる。
　回収部５０は、回収ライン５１を有する。回収ライン５１は、エッチング装置２６と調節部６０を接続する。例えば、回収ライン５１は、エッチング装置２６の排液管３９（図３参照）と調節部６０の貯留槽６１を接続する。回収ライン５１の途中には、フィルター５２が設けられてもよい。フィルター５２は、エッチング液Ｌ１中の異物を捕集する。
　調節部６０は、例えば、貯留槽６１と、循環ライン６２と、ポンプ６３と、フィルター６４と、流量計６５と、濃度計６６と、補給部６７と、を備える。貯留槽６１は、エッチング液Ｌ１を貯留する。循環ライン６２は、エッチング液Ｌ１を貯留槽６１から取り出し貯留槽６１に戻す。エッチング液Ｌ１を循環させることで、成分濃度を均一化できる。
　ポンプ６３とフィルター６４と流量計６５と濃度計６６とは、循環ライン６２の途中に設けられる。ポンプ６３は、エッチング液Ｌ１を送り出す。フィルター６４は、エッチング液Ｌ１中の異物を捕集する。流量計６５は、エッチング液Ｌ１の流量を検出する。流量計６５の検出値が設定値になるように、制御装置９０がポンプ６３を制御する。濃度計６６は、エッチング液Ｌ１のフッ酸濃度を検出する。
　循環ライン６２の途中には、図示しない温度計とヒータが設けられてもよい。温度計はエッチング液Ｌ１の温度を検出する。ヒータは、エッチング液Ｌ１を加熱する。温度計の検出値が設定値になるように、制御装置９０がヒータを制御する。
　補給部６７は、エッチング液Ｌ１に対してＨＦとＨＮＯ３とＨ３ＰＯ４を補給する。例えば、補給部６７は、貯留槽６１または循環ライン６２（図４では貯留槽６１）にＨＦとＨＮＯ３とＨ３ＰＯ４を補給する。補給部６７は、ＨＦ、ＨＮＯ３またはＨ３ＰＯ４を水溶液の形態で補給してもよい。補給部６７は、ＨＦとＨＮＯ３とＨ３ＰＯ４を順番に補給してもよいし、同時に補給してもよい。
　補給部６７は、薬液の種類ごとに個別ラインを有してもよい。ＨＦ用個別ライン６７ａ－１の途中には、例えばＨＦ用補給量調整部６７ｂ－１が設けられる。ＨＦ用補給量調整部６７ｂ－１は、例えば、上流側から下流側に向けて、開閉弁と計量タンクと開閉弁とをこの順番で有する。計量タンクは、１回分の補給量を計量する。なお、ＨＦ用補給量調整部６７ｂ－１はタンクと流量計と流量制御器と開閉弁とを有してもよく、この場合、制御装置９０はタンクに備えられた計量計で補給量を制御してもよいし、流量計（流量の時間積分値）で補給量を制御してもよい。また、ＨＦ用補給量調整部６７ｂ－１はタンクを有さずに流量計と流量制御器と開閉弁とを有してもよく、この場合、制御装置９０は流量計（流量の時間積分値）で補給量を制御してもよい。流量計と流量制御器と開閉弁の順番は特に限定されない。
　ＨＮＯ３用個別ライン６７ａ－２の途中には、例えばＨＮＯ３用補給量調整部６７ｂ－２が設けられる。ＨＮＯ３用補給量調整部６７ｂ－２は、ＨＦ用補給量調整部６７ｂ－１と同様に構成される。また、Ｈ３ＰＯ４用個別ライン６７ａ－３の途中には、例えばＨ３ＰＯ４用補給量調整部６７ｂ－３が設けられる。Ｈ３ＰＯ４用補給量調整部６７ｂ－３は、ＨＦ用補給量調整部６７ｂ－１と同様に構成される。
　廃棄部６８は、貯留槽６１に溜めたエッチング液Ｌ１を廃棄する。エッチング液Ｌ１の廃棄は、定期的に行われ、例えばエッチング液Ｌ１の交換からの経過時間または基板Ｗの処理枚数に応じて適宜行われる。廃棄部６８は、貯留槽６１に接続される排出ライン６８ａと、排出ライン６８ａの流路を開閉する開閉バルブ６８ｂと、を有する。
　供給部７０は、例えば、供給ライン７１と、流量計７２と、流量制御器７３と、開閉バルブ７４と、を有する。供給ライン７１は、調節部６０とエッチング装置２６とを接続する。例えば、供給ライン７１は、調節部６０の循環ライン６２とエッチング装置２６のノズル３６（図３参照）とを接続する。
　流量計７２と流量制御器７３と開閉バルブ７４とは、供給ライン７１の途中に設けられる。流量計７２は、エッチング液Ｌ１の流量を検出する。流量制御器７３は、エッチング液Ｌ１の流量を制御する。流量計７２の検出値が設定値になるように、制御装置９０が流量制御器７３を制御する。開閉バルブ４１は、供給ライン７１の流路を開閉する。
　エッチング液Ｌ１は、上記の通り、再利用される。それゆえ、補給部６７が各種薬液を補給しない場合、図５に示すように時間の経過とともに各成分濃度が変化する。具体的にはＨＦ濃度とＨＮＯ３濃度とＨ３ＰＯ４濃度が低下し、Ｈ２Ｏ濃度とＨ２ＳｉＦ６濃度が上昇する。これは、上記の化学反応式（１）および（２）からも明らかである。なお、Ｈ３ＰＯ４濃度が低下するのは、基板ＷのエッチングによってＨ２Ｏが生成されるからである。Ｈ２Ｏの生成によって、相対的にＨ３ＰＯ４濃度が低下する。
　補給部６７が薬液を補給することで、成分濃度の変化を抑制でき、基板Ｗの処理品質の低下を抑制できる。基板Ｗの処理品質を維持するには、各成分濃度の中でもＨＦ濃度とＨＮＯ３濃度とＨ３ＰＯ４濃度の変化を抑制することが重要である。
　しかしながら、これら３つの成分濃度を全て制御するには、時間がかかる。例えば、ＨＦ濃度が設定値になるようにＨＦの補給を行った後に、ＨＮＯ３濃度が設定値になるようにＨＮＯ３の補給を行うと、ＨＦ濃度が設定値から外れる。３つの成分濃度を全て設定値に収束するには、ＨＦ濃度の検出値に基づくＨＦの補給と、ＨＮＯ３濃度の検出値に基づくＨＮＯ３の補給と、Ｈ３ＰＯ４濃度の検出値に基づくＨ３ＰＯ４の補給とを複数回繰り返すことになる。その結果、貯留槽６１におけるエッチング液Ｌ１の液面レベルが上限を超えてしまうと、貯留槽６１に溜めたエッチング液Ｌ１を廃棄することになる。
　薬液の無駄な廃棄を抑制すべく、基板Ｗの処理枚数に基づきＨＦとＨＮＯ３とＨ３ＰＯ４を既定量ずつ補給することも考えられる。但し、この場合、ＨＦ濃度とＨＮＯ３濃度とＨ３ＰＯ４濃度のいずれも監視しないので、外乱などで濃度異常が生じても、濃度異常を検知できなくなってしまう。そのため、基板Ｗの処理品質が低下してしまう恐れがある。
　そこで、本実施形態では、３つの成分濃度のうちシリコンのエッチングに最も重要なＨＦ濃度のみを制御する。基板Ｗのエッチング速度は、主にＨＦ濃度に依存する。本実施形態では、ＨＦ濃度に基づきＨＦとＨＮＯ３とＨ３ＰＯ４を所望の比で補給する。ＨＦとＨＮＯ３とＨ３ＰＯ４を所望の比で補給することを、ＨＦ濃度に基づき行う。ＨＦ補給量とＨＮＯ３補給量とＨ３ＰＯ４補給量との比は、例えば、上記の化学反応式（１）および（２）と各成分濃度の目標値とに基づき予め決定され、制御装置９０の記憶部９２に予め記憶される。比は、体積比、質量比およびモル比のいずれでもよい。比は、固定されてよい。
　制御装置９０は、濃度計６６の検出したＨＦ濃度に基づき、ＨＦとＨＮＯ３とＨ３ＰＯ４を所望の比でエッチング液Ｌ１に対して補給する制御を行う。これにより、ＨＦ濃度を設定値に維持でき、基板Ｗの処理品質を維持できる。また、ＨＮＯ３濃度およびＨ３ＰＯ４濃度を制御することなく放置すること、つまり、ＨＮＯ３濃度に基づくＨＮＯ３の補給およびＨ３ＰＯ４濃度に基づくＨ３ＰＯ４の補給を行わないことで、短時間で成分濃度の調節を終えることができ、薬液の無駄な廃棄を抑制できる。なお、ＨＮＯ３濃度およびＨ３ＰＯ４濃度もそれぞれの目標値にできるだけ維持されるように、上記の比が決定されている。
　制御装置９０は、例えば、図６に示すように、フッ酸濃度Ｎが閾値ＮＴｈを下回る場合に、ＨＦとＨＮＯ３とＨ３ＰＯ４をそれぞれ既定量ずつエッチング液Ｌ１に対して補給する第１制御を行う。ＨＦ補給量とＨＮＯ３補給量とＨ３ＰＯ４補給量とは、上記所望の比になるように予め決定され、さらに貯留槽６１の容積をも考慮して決定される。ＨＦ補給量とＨＮＯ３補給量とＨ３ＰＯ４補給量とは、固定されてよい。ＨＮＯ３補給量は、ＨＮＯ３濃度ではなく、ＨＦ補給量に応じて決定される。Ｈ３ＰＯ４補給量は、Ｈ３ＰＯ４濃度ではなく、ＨＦ補給量に応じて決定される。
　制御装置９０は、第１制御を行った後にフッ酸濃度Ｎが閾値ＮＴｈを下回ったままである場合に、第１制御を再び行う。通常、第１制御を１回行えば、フッ酸濃度Ｎを閾値ＮＴｈ以上に回復できるが、外乱などで回復できない場合に第１制御を再び行うことで、フッ酸濃度Ｎを閾値ＮＴｈ以上に回復できる。
　なお、制御装置９０は、フッ酸濃度Ｎが閾値ＮＴｈを下回る間、ＨＦとＨＮＯ３とＨ３ＰＯ４を所望の流量比でエッチング液Ｌ１に対して補給し続ける第２制御を行ってもよい。制御装置９０は、フッ酸濃度Ｎが閾値ＮＴｈ以上に回復すると、第２制御を停止する。
　次に、図７を参照して、成分濃度の調節（第１制御）の一例について説明する。図７に示すステップＳ２０１以降の処理は、制御装置９０による制御下で実施される。ステップＳ２０１以降の処理は、定期的に行われる。
　先ず、濃度計６６がエッチング液Ｌ１のフッ酸濃度Ｎを検出する（ステップＳ２０１）。次に、制御装置９０が、フッ酸濃度Ｎが閾値ＮＴｈを下回るか否かを判定する（ステップＳ２０２）。フッ酸濃度Ｎが閾値ＮＴｈ以上である場合（ステップＳ２０２、ＮＯ）、成分濃度を調節する必要がないので、制御装置９０は今回の処理を終了する。
　一方、フッ酸濃度Ｎが閾値ＮＴｈを下回る場合（ステップＳ２０２、ＹＥＳ）、基板Ｗのエッチング速度が低いので、補給部６７がＨＦとＨＮＯ３とＨ３ＰＯ４をそれぞれ既定量ずつエッチング液Ｌ１に対して補給する（ステップＳ２０３）。その後、所定時間経過後に、ステップＳ２０１以降の処理が再び行われる。
　ステップＳ２０３が設定回数行われても、フッ酸濃度Ｎが閾値ＮＴｈを下回ったままである場合、制御装置９０は基板Ｗの処理を中断し、警報を報知する制御を行ってもよい。警報の報知は、報知装置を用いて行う。報知装置は、例えば表示装置、警告灯、またはブザーなどである。
　以上、本開示に係る基板処理装置および基板処理方法の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
　本出願は、２０２２年６月２４日に日本国特許庁に出願した特願２０２２－１０１７０１号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０２２－１０１７０１号の全内容を本出願に援用する。
１　　基板処理装置
２６　エッチング装置（処理部）
５０　回収部
６０　調節部
６６　濃度計
６７　補給部
７０　供給部
９０　制御装置（制御部）
Ｗ　　基板

Claims (12)

  1. 　フッ酸と硝酸とリン酸を含む水溶液を基板に対して供給する処理部と、
    　前記処理部から前記水溶液を回収する回収部と、
    　前記回収部で回収した前記水溶液の成分濃度を調節する調節部と、
    　前記調節部で調節した前記水溶液を前記処理部に供給する供給部と、
    　前記調節部を制御する制御部と、
    を備え、
    　前記調節部は、前記水溶液のフッ酸濃度を検出する濃度計と、前記水溶液に対してフッ酸と硝酸とリン酸を補給する補給部と、を有し、
    　前記制御部は、前記フッ酸濃度に基づきフッ酸と硝酸とリン酸を所望の比で前記水溶液に対して補給する制御を行う、基板処理装置。
  2. 　前記制御部は、前記フッ酸濃度が閾値を下回る場合に、フッ酸と硝酸とリン酸をそれぞれ既定量ずつ前記水溶液に対して補給する第１制御を行う、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記制御部は、前記第１制御を行った後に前記フッ酸濃度が前記閾値を下回ったままである場合に、前記第１制御を再び行う、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記制御部は、前記フッ酸濃度が閾値を下回る間、フッ酸と硝酸とリン酸を所望の流量比で前記水溶液に対して補給し続ける第２制御を行う、請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 　前記調節部は、前記回収部で回収した前記水溶液を溜める貯留槽と、前記水溶液を前記貯留槽から取り出して前記貯留槽に戻す循環ラインと、を有し、
    　前記補給部は、前記貯留槽または前記循環ラインに、フッ酸と硝酸とリン酸を所望の比で補給する、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  6. 　前記基板を研削する研削部と、前記基板を前記研削部から前記処理部に搬送する搬送部と、を備え、
    　前記処理部は、前記研削部で研削した前記基板に対して前記水溶液を供給する、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  7. 　処理部においてフッ酸と硝酸とリン酸を含む水溶液を基板に対して供給することと、
    　前記処理部から前記水溶液を回収することと、
    　前記処理部から回収した前記水溶液の成分濃度を調節することと、
    　前記成分濃度を調節した前記水溶液を前記処理部に供給することと、
    を有し、
    　前記成分濃度を調節することは、前記水溶液のフッ酸濃度を検出することと、前記フッ酸濃度に基づきフッ酸と硝酸とリン酸を所望の比で前記水溶液に対して補給することと、を含む、基板処理方法。
  8. 　前記成分濃度を調節することは、前記フッ酸濃度が閾値を下回る場合に、フッ酸と硝酸とリン酸をそれぞれ既定量ずつ前記水溶液に対して補給することを含む、請求項７に記載の基板処理方法。
  9. 　前記成分濃度を調節することは、フッ酸と硝酸とリン酸をそれぞれ前記既定量ずつ前記水溶液に対して補給した後に前記フッ酸濃度が前記閾値を下回ったままである場合に、フッ酸と硝酸とリン酸をそれぞれ前記既定量ずつ前記水溶液に対して再び補給することを含む、請求項８に記載の基板処理方法。
  10. 　前記成分濃度を調節することは、前記フッ酸濃度が閾値を下回る間、フッ酸と硝酸とリン酸を所望の流量比で前記水溶液に対して補給し続けることを含む、請求項７に記載の基板処理方法。
  11. 　前記成分濃度を調節することは、前記処理部から回収した前記水溶液を貯留槽に溜めることと、前記水溶液を前記貯留槽から循環ラインに取り出して前記循環ラインから前記貯留槽に戻すことと、前記貯留槽または前記循環ラインにフッ酸と硝酸とリン酸を所望の比で補給することとを含む、請求項７～１０のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  12. 　前記基板を研削することと、研削した前記基板に対して前記水溶液を供給することとを有する、請求項７～１０のいずれか１項に記載の基板処理方法。
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