WO2023223802A1 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2023223802A1
WO2023223802A1 PCT/JP2023/016645 JP2023016645W WO2023223802A1 WO 2023223802 A1 WO2023223802 A1 WO 2023223802A1 JP 2023016645 W JP2023016645 W JP 2023016645W WO 2023223802 A1 WO2023223802 A1 WO 2023223802A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
switching element
arm
electrode
semiconductor device
wiring
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/016645
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
尚弘 小谷
Original Assignee
ローム株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ローム株式会社 filed Critical ローム株式会社
Publication of WO2023223802A1 publication Critical patent/WO2023223802A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00

Definitions

  • the present disclosure relates to a semiconductor device.
  • Patent Document 1 discloses an example of a conventional semiconductor device.
  • the semiconductor device described in Patent Document 1 is an intelligent power module (hereinafter referred to as "IPM") used for drive control of a motor, for example.
  • the semiconductor device includes a power semiconductor chip as the switching element.
  • the power semiconductor chip is an IGBT, a MOSFET, or the like.
  • one switching element is sometimes connected to another switching element in parallel, and these switching elements are operated as one switch section. For example, switching is performed by connecting multiple switching elements in parallel for the purpose of ensuring the permissible current of a semiconductor device, suppressing the voltage and current input to a switching element, or suppressing power loss.
  • switching is performed by connecting multiple switching elements in parallel for the purpose of ensuring the permissible current of a semiconductor device, suppressing the voltage and current input to a switching element, or suppressing power loss.
  • An object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that is improved over the conventional semiconductor device.
  • an object of the present disclosure is to provide a semiconductor device having a more preferable structure in a configuration in which a plurality of switching elements connected in parallel to each other operate as one switch unit. .
  • a semiconductor device provided by one aspect of the present disclosure includes a plurality of first switch sections each having a first switching element and a second switching element, and a first switching element of each of the plurality of first switch sections. and a first control element that inputs a first drive signal to the second switching element, and at least one lead on which the first switching element and the second switching element of each of the plurality of first switch parts are mounted. , a wiring pattern including a plurality of first wiring parts and a plurality of second wiring parts spaced apart from each other, a support substrate on which the wiring pattern is formed, and a plurality of wiring parts individually connected to the plurality of first wiring parts.
  • the first switching element and the second switching element are electrically connected in parallel to each other and are of different types, and the first control element is connected to the plurality of first switching elements.
  • a more preferable structure can be achieved in a configuration in which a plurality of switching elements connected in parallel are operated as one switch section.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor device according to a first embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view showing the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing the sealing member in imaginary lines in the plan view of FIG. 2.
  • FIG. 4 is a partially enlarged view of FIG. 3.
  • FIG. 5 is a partially enlarged view of FIG. 3.
  • FIG. 6 is a front view showing the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a side view (right side view) showing the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG. 3.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX in FIG. 3.
  • FIG. 10 is a sectional view taken along line XX in FIG.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line XI-XI in FIG. 3.
  • FIG. 12 is a diagram showing an example of the circuit configuration of the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 13 is a plan view showing a semiconductor device according to a first modification of the first embodiment, in which a sealing member is shown with imaginary lines.
  • FIG. 14 is a plan view showing a semiconductor device according to a second modification of the first embodiment, in which a sealing member is shown with imaginary lines.
  • FIG. 15 is an enlarged plan view of essential parts of a semiconductor device according to a third modification of the first embodiment.
  • FIG. 16 is an enlarged plan view of essential parts of a semiconductor device according to a fourth modification of the first embodiment.
  • FIG. 17 is an enlarged plan view of a main part of a semiconductor device according to a fifth modification of the first embodiment.
  • FIG. 18 is an enlarged plan view of essential parts of a semiconductor device according to a sixth modification of the first embodiment.
  • FIG. 19 is an enlarged plan view of essential parts of a semiconductor device according to a seventh modification of the first embodiment.
  • FIG. 20 is an enlarged plan view of essential parts of a semiconductor device according to an eighth modification of the first embodiment.
  • FIG. 21 is an enlarged plan view of essential parts of a semiconductor device according to an eighth modification of the first embodiment.
  • FIG. 22 is an enlarged plan view of the main parts of the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 23 is an enlarged plan view of the main parts of the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 24 is an enlarged plan view of main parts showing a semiconductor device according to a third embodiment.
  • FIG. 25 is an enlarged plan view of a main part of a semiconductor device according to a third embodiment.
  • FIG. 26 is an enlarged plan view of a main part of a semiconductor device according to a fourth embodiment.
  • FIG. 27 is an enlarged plan view of main parts showing a semiconductor device according to a fourth embodiment.
  • FIG. 28 is a plan view showing the semiconductor device according to the fifth embodiment, in which the sealing member is shown with imaginary lines.
  • FIG. 29 is a partially enlarged view of FIG. 28.
  • FIG. 30 is a partially enlarged view of FIG. 28.
  • FIG. 31 is a cross-sectional view taken along line XXXI-XXXI in FIG. 28.
  • FIG. 32 is a cross-sectional view taken along the line XXXII-XXXII in FIG. 28.
  • FIG. 33 is a plan view showing the semiconductor device according to the sixth embodiment, in which a sealing member is shown with imaginary lines.
  • FIG. 34 is a partially enlarged view of FIG. 33.
  • FIG. 35 is a partially enlarged view of FIG. 33.
  • FIG. 36 is a diagram showing an example of the circuit configuration of the semiconductor device according to the sixth embodiment.
  • a thing A is formed on a thing B" and "a thing A is formed on a thing B” mean “a thing A is formed on a thing B" unless otherwise specified.
  • A is formed directly on something B
  • a thing A is formed on something B, with another thing interposed between them.” including.
  • "a certain thing A is placed on a certain thing B” and "a certain thing A is placed on a certain thing B” are used as "a certain thing A is placed on a certain thing B” unless otherwise specified.
  • ⁇ It is placed directly on something B,'' and ⁇ A thing A is placed on something B, with another thing interposed between them.'' include.
  • an object A is located on an object B
  • an object A is in contact with an object B, and an object A is located on an object B.
  • an object A overlaps an object B when viewed in a certain direction means, unless otherwise specified, “an object A overlaps all of an object B” and "a certain object A overlaps an object B”. This includes "overlapping a part of something B.”
  • the semiconductor device A1 includes a plurality of first switch sections 1, a plurality of second switch sections 2, a plurality of leads 3A to 3G, 3Z, a plurality of leads 4A to 4H, 4J to 4N, 4P to 4R, a support substrate 51, and wiring. It includes a pattern 52, a plurality of connection members 6, a sealing member 7, a first control element 8A, a second control element 8B, and a plurality of electronic components 89U, 89V, 89W.
  • the plurality of connection members 6 include a plurality of wires 6A to 6F, 6L, 61G, 61H, 61J, 61K, 61Q, 62G, 62H, 62J, 62K, and 62Q.
  • the application of the semiconductor device A1 is not particularly limited, it is configured as an IPM used for, for example, drive control of a motor.
  • the z direction is the thickness direction of the semiconductor device A1.
  • one direction in the z direction is sometimes referred to as upper and the other is referred to as lower.
  • descriptions such as “upper”, “lower”, “upper”, “lower”, “upper surface”, and “lower surface” indicate the relative positional relationship of each component etc. in the z direction, and do not necessarily refer to the direction of gravity. It is not a term that defines the relationship between Moreover, “planar view” refers to when viewed in the z direction.
  • the x direction is the left-right direction in the plan view of the semiconductor device A1 (see FIGS. 2 and 3).
  • the y direction is the vertical direction in the plan view of the semiconductor device A1 (see FIGS. 2 and 3).
  • the x direction is an example of the "first direction” described in the claims
  • the y direction is an example of the "second direction” described in the claims.
  • one side in the x direction is referred to as the x1 side in the x direction
  • the other side in the x direction is referred to as the x2 side in the x direction.
  • one side in the y direction is referred to as the y1 side in the y direction
  • the other side in the y direction is referred to as the y2 side in the y direction.
  • one side in the z direction is referred to as a z1 side in the z direction
  • the other side in the z direction is referred to as a z2 side in the z direction.
  • the plurality of first switch sections 1 and the plurality of second switch sections 2 are elements that perform the electrical functions of the semiconductor device A1.
  • a three-phase AC inverter circuit is configured by a plurality of first switch sections 1 and a plurality of second switch sections 2.
  • the plurality of first switch sections 1 include a first arm 1A, a second arm 1B, and a third arm 1C, as shown in FIGS. 3, 4, and 12. As shown in FIG. 4, the first arm 1A, the second arm 1B, and the third arm 1C are arranged along the x direction.
  • the second arm 1B includes each of a plurality of first switch parts 1 (first arm 1A, second arm 1B, and third arm 1C) located between the first arm 1A and the third arm 1C in the x direction. is switched between an on state and an off state according to the first drive signal from the first control element 8A.
  • the plurality of first switch parts 1 each have a first switching element 11, a second switching element 12, and a first protection element 13.
  • first switching elements 11 of the first arm 1A, the second arm 1B, and the third arm 1C are respectively referred to as a first switching element 11A, a first switching element 11B, and a first switching element 11C.
  • second switching elements 12 of the first arm 1A, the second arm 1B, and the third arm 1C are respectively referred to as a second switching element 12A, a second switching element 12B, and a second switching element 12C.
  • the first protection elements 13 of the second arm 1B and the third arm 1C are respectively referred to as a first protection element 13A, a first protection element 13B, and a first protection element 13C.
  • the first switching element 11, second switching element 12, and first protection element 13 described below refer to each first switching element 1 (first arm 1A, second arm 1B, and third arm). 1C).
  • the first switching element 11 and the second switching element 12 are each a power semiconductor element.
  • the first switching element 11 and the second switching element 12 are each one of, for example, an IGBT, a bipolar transistor, a MOSFET, and a HEMT (High Electron Mobility Transistor).
  • the first switching element 11 and the second switching element 12 are of different types.
  • the types of switching elements in the present disclosure are classified according to their structure, such as IGBTs, bipolar transistors, MOSFETs, and HEMTs.
  • the first switching element 11 is an IGBT
  • the second switching element 12 is a MOSFET.
  • the first switching element 11 and the second switching element 12 are each configured to include a semiconductor material.
  • the semiconductor material for example, SiC (silicon carbide), Si (silicon), GaAs (gallium arsenide), or GaN (gallium nitride) is used.
  • the first switching element 11 contains Si as a semiconductor material
  • the second switching element 12 contains SiC as a semiconductor material.
  • the first switching element 11 has an element main surface 11a and an element back surface 11b.
  • the element main surface 11a and the element back surface 11b are spaced apart in the z direction.
  • the element main surface 11a faces upward in the z direction (z1 side in the z direction), and the element back surface 11b faces downward in the z direction (z2 side in the z direction).
  • the element main surface 11a and the element back surface 11b are each flat (including the case where they are substantially flat).
  • the first switching element 11 has three electrodes 111, 112, and 113.
  • the electrode 111 is provided on the back surface 11b of the element, and the electrodes 112 and 113 are provided on the main surface 11a of the element.
  • the electrode 111 is a collector
  • the electrode 112 is an emitter
  • the electrode 113 is a gate.
  • the first switching element 11 performs a switching operation in response to a drive signal (first drive signal) input to the electrode 113.
  • the switching operation is an operation in which an on state in which current flows between the two electrodes 111 and 112 and an off state in which no current flows between the two electrodes 111 and 112 are switched.
  • a forward current flows from the electrode 111 to the electrode 112.
  • the second switching element 12 has an element main surface 12a and an element back surface 12b.
  • the element main surface 12a and the element back surface 12b are spaced apart in the z direction.
  • the element main surface 12a faces upward in the z direction (z1 side in the z direction), and the element back surface 12b faces downward in the z direction (z2 side in the z direction).
  • the element main surface 12a and the element back surface 12b are each flat (including the case where they are substantially flat).
  • the second switching element 12 has three electrodes 121, 122, and 123.
  • the electrode 121 is provided on the back surface 12b of the element, and the electrodes 122 and 123 are provided on the main surface 12a of the element.
  • the electrode 121 is the drain
  • the electrode 122 is the source
  • the electrode 123 is the gate.
  • the second switching element 12 performs a switching operation in response to a drive signal (first drive signal) input to the electrode 123.
  • the switching operation is an operation in which an on state in which current flows between the two electrodes 121 and 122 and an off state in which no current flows between the two electrodes 121 and 122 are switched.
  • a forward current flows from the electrode 121 to the electrode 122.
  • each first switch section 1 (each of the first arm 1A, second arm 1B, and third arm 1C), the first switching element 11 and the second switching element 12 are electrically connected in parallel. Specifically, electrode 111 (collector) and electrode 121 (drain) are electrically connected, and electrode 112 (emitter) and electrode 122 (source) are electrically connected.
  • the first protection element 13 includes a diode function section.
  • the diode function section operates as a freewheeling diode.
  • the first protection element 13 is, for example, a Schottky barrier diode, but may be another type of diode.
  • the first protection element 13 has an element main surface 13a and an element back surface 13b.
  • the element main surface 13a and the element back surface 13b are spaced apart in the z direction.
  • the element main surface 13a faces upward in the z direction (z1 side in the z direction), and the element back surface 13b faces downward in the z direction (z2 side in the z direction).
  • the element main surface 13a and the element back surface 13b are each flat (including the case where they are substantially flat).
  • the first protection element 13 includes two electrodes 131 and 132, as shown in FIG.
  • the electrode 131 is formed on the main surface 13a of the element, and the electrode 132 is formed on the back surface 13b of the element.
  • the electrode 131 is an anode and the electrode 132 is a cathode.
  • the first protection element 13 is connected in antiparallel to the first switching element 11 and the second switching element 12. It is connected to the. Antiparallel means a state in which the forward currents of the first switching element 11 and the second switching element 12 and the forward current of the first protection element 13 are connected in parallel so that they are in opposite directions.
  • the electrode 131 (anode) of the first protection element 13 is connected to the electrode 112 (emitter) of the first switching element 11 and the electrode 122 (source) of the second switching element 12, and is connected to the electrode 132 (cathode) of the first protection element 13.
  • each first switch section 1 when a reverse voltage is applied to the first switching element 11 and the second switching element 12, a forward current flows through the first protection element 13, and the first switching element 11 and the second switching element 12 receive a forward current. The reverse voltage applied to the two switching elements 12 is reduced.
  • the first switching element 11A, the second switching element 12A, and the first protection element 13A are each bonded to the lead 3B via the conductive bonding material 19.
  • the first switching element 11B, the second switching element 12B, and the first protection element 13B are each bonded to the lead 3C via a conductive bonding material 19.
  • the first switching element 11C, the second switching element 12C, and the first protection element 13C are each bonded to the lead 3D via a conductive bonding material 19.
  • These conductive bonding materials 19 are, for example, solder, metal paste, or sintered metal.
  • each first switch section 1 (each of the first arm 1A, second arm 1B, and third arm 1C), the first switching element 11 and the second switching element 12 are arranged in the x direction. .
  • the first protection element 13 is located on the y2 side in the y direction with respect to the second switching element 12, and the second switching element 12 and the first protection element 13 are aligned in the y direction.
  • the plurality of first switching elements 11A, 11B, 11C and the plurality of second switching elements 12A, 12B, 12C are on the y2 side in the y direction with respect to the first control element 8A in plan view.
  • the positions of the first switching element 11 and the second switching element 12 may be opposite. .
  • the plurality of second switch sections 2 include a fourth arm 2A, a fifth arm 2B, and a sixth arm 2C. As shown in FIG. 5, the fourth arm 2A, the fifth arm 2B, and the sixth arm 2C are arranged along the x direction. The fifth arm 2B is located between the fourth arm 2A and the sixth arm 2C in the x direction. Each of the plurality of second switch sections 2 (fourth arm 2A, fifth arm 2B, and sixth arm 2C) is switched between an on state and an off state according to a second drive signal from a second control element 8B. .
  • the plurality of second switch parts 2 each have a third switching element 21, a fourth switching element 22, and a second protection element 23.
  • the first switching elements 11 of the fourth arm 2A, the fifth arm 2B, and the sixth arm 2C are respectively referred to as a third switching element 21A, a third switching element 21B, and a third switching element 21C.
  • the fourth switching elements 22 of the fourth arm 2A, the fifth arm 2B, and the sixth arm 2C are respectively referred to as a fourth switching element 22A, a fourth switching element 22B, and a fourth switching element 22C.
  • the second protection elements 23 of the fifth arm 2B and the sixth arm 2C are respectively referred to as a second protection element 23A, a second protection element 23B, and a second protection element 23C. This will be explained below.
  • the third switching element 21, the fourth switching element 22, and the second protection element 23 are connected to each second switch section 2 (fourth arm 2A, fifth arm 2B, and sixth arm 2C) unless otherwise specified. This is common.
  • the third switching element 21 and the fourth switching element 22 are power semiconductor elements like the first switching element 11 and the second switching element 12, respectively.
  • the third switching element 21 and the fourth switching element 22 are each one of, for example, an IGBT, a bipolar transistor, a MOSFET, and a HEMT.
  • the third switching element 21 and the fourth switching element 22 are of different types. As shown in FIG. 12, in the semiconductor device A1, the third switching element 21 is an IGBT, and the fourth switching element 22 is a MOSFET.
  • the third switching element 21 and the fourth switching element 22 are each configured to include a semiconductor material.
  • the semiconductor material for example, SiC (silicon carbide), Si (silicon), GaAs (gallium arsenide), or GaN (gallium nitride) is used.
  • the third switching element 21 contains Si as a semiconductor material
  • the fourth switching element 22 contains SiC as a semiconductor material.
  • the third switching element 21 has an element main surface 21a and an element back surface 21b.
  • the element main surface 21a and the element back surface 21b are spaced apart in the z direction.
  • the element main surface 21a faces upward in the z direction (z1 side in the z direction), and the element back surface 21b faces downward in the z direction (z2 side in the z direction).
  • the element main surface 21a and the element back surface 21b are each flat (including the case where they are substantially flat).
  • the third switching element 21 has three electrodes 211, 212, and 213.
  • the electrode 211 is provided on the back surface 21b of the element, and the electrodes 212 and 213 are provided on the main surface 21a of the element.
  • the electrode 211 is a collector
  • the electrode 212 is an emitter
  • the electrode 213 is a gate.
  • the third switching element 21 performs a switching operation in response to a drive signal (second drive signal) input to the electrode 213.
  • the switching operation is an operation in which an on state in which current flows between the two electrodes 211 and 212 and an off state in which no current flows between the two electrodes 211 and 212 are switched.
  • a forward current flows from the electrode 211 to the electrode 212.
  • the fourth switching element 22 has an element main surface 22a and an element back surface 22b.
  • the element main surface 22a and the element back surface 22b are spaced apart in the z direction.
  • the element main surface 22a faces upward in the z direction (z1 side in the z direction), and the element back surface 22b faces downward in the z direction (z2 side in the z direction).
  • the element main surface 22a and the element back surface 22b are each flat (including the case where they are substantially flat).
  • the fourth switching element 22 has three electrodes 221, 222, and 223.
  • the electrode 221 is provided on the back surface 22b of the element, and the electrodes 222 and 223 are provided on the main surface 22a of the element.
  • the electrode 221 is the drain
  • the electrode 222 is the source
  • the electrode 223 is the gate.
  • the fourth switching element 22 performs a switching operation in response to a drive signal (second drive signal) input to the electrode 223.
  • the switching operation is an operation in which an on state in which current flows between the two electrodes 221 and 222 and an off state in which no current flows between the two electrodes 221 and 222 are switched.
  • a forward current flows from the electrode 221 to the electrode 222.
  • each second switch section 2 (each of the fourth arm 2A, fifth arm 2B, and sixth arm 2C), the third switching element 21 and the fourth switching element 22 are electrically connected in parallel. Specifically, electrode 211 (collector) and electrode 221 (drain) are electrically connected, and electrode 212 (emitter) and electrode 222 (source) are electrically connected.
  • the second protection element 23 includes a diode function section.
  • the diode function section operates as a freewheeling diode.
  • the second protection element 23 is, for example, a Schottky barrier diode.
  • the second protection element 23 has an element main surface 23a and an element back surface 23b.
  • the element main surface 23a and the element back surface 23b are spaced apart in the z direction.
  • the element main surface 23a faces upward in the z direction (z1 side in the z direction), and the element back surface 23b faces downward in the z direction (z2 side in the z direction).
  • the element main surface 23a and the element back surface 23b are each flat (including the case where they are substantially flat).
  • the second protection element 23 includes two electrodes 231 and 232, as shown in FIG.
  • the electrode 231 is formed on the main surface 23a of the element, and the electrode 232 is formed on the back surface 23b of the element.
  • the electrode 231 is an anode and the electrode 232 is a cathode.
  • the second protection element 23 is connected in antiparallel to the third switching element 21 and the fourth switching element 22. It is connected to the. Antiparallel means a state in which the forward currents of the third switching element 21 and the fourth switching element 22 and the forward current of the second protection element 23 are connected in parallel so that they are in opposite directions.
  • the electrode 231 (anode) of the second protection element 23 is connected to the electrode 212 (emitter) of the third switching element 21 and the electrode 222 (source) of the fourth switching element 22, and is connected to the electrode 232 (cathode) of the second protection element 23.
  • each second switch section 2 when a reverse voltage is applied to the third switching element 21 and the fourth switching element 22, a forward current flows through the second protection element 23, and the third switching element 21 and the fourth switching element 22 The reverse voltage applied to the four switching elements 22 is reduced.
  • the third switching element 21A, the fourth switching element 22A, and the second protection element 23A are each bonded to the lead 3A via the conductive bonding material 29.
  • the third switching element 21B, the fourth switching element 22B, and the second protection element 23B are also bonded to the lead 3A via the conductive bonding material 29, respectively.
  • the third switching element 21C, the fourth switching element 22C, and the second protection element 23C are also bonded to the lead 3A via the conductive bonding material 29, respectively.
  • These conductive bonding materials 29 are, for example, solder, metal paste, or sintered metal.
  • the third switching element 21 and the fourth switching element 22 are arranged in the x direction.
  • the second protection element 23 is located on the y2 side in the y direction with respect to the fourth switching element 22, and the fourth switching element 22 and the second protection element 23 are aligned in the y direction.
  • the plurality of third switching elements 21A, 21B, 21C and the plurality of fourth switching elements 22A, 22B, 22C are on the y2 side in the y direction with respect to the second control element 8B in plan view.
  • the positions of the third switching element 21 and the fourth switching element 22 may be opposite. .
  • a three-phase AC inverter circuit constituted by a plurality of first switch sections 1 and a plurality of second switch sections 2 has a first phase of 10U, a second phase of 10V, and a third phase of 10W.
  • the first phase 10U, second phase 10V, and third phase 10W are U phase, V phase, and W phase, respectively.
  • the first phase 10U includes a first arm 1A and a fourth arm 2A.
  • the first arm 1A and the fourth arm 2A are electrically connected in series.
  • the first arm 1A is the lower arm of the first phase 10U
  • the fourth arm 2A is the upper arm of the first phase 10U.
  • the second phase 10V includes a second arm 1B and a fifth arm 2B. At the second phase of 10V, the second arm 1B and the fifth arm 2B are electrically connected in series.
  • the second arm 1B is the lower arm of the second phase 10V
  • the fifth arm 2B is the upper arm of the second phase 10V.
  • the third phase 10W includes a third arm 1C and a sixth arm 2C.
  • the third arm 1C and the sixth arm 2C are electrically connected in series.
  • the third arm 1C is the lower arm of the third phase 10W
  • the sixth arm 2C is the upper arm of the third phase 10W.
  • the first control element 8A controls the switching operations of the plurality of first switching elements 11 and the plurality of second switching elements 12, and is, for example, a driver IC.
  • the first control element 8A receives a first input signal from the outside and generates a first drive signal for controlling the switching operation of each first switch section 1 based on the first input signal.
  • the first control element 8A outputs a first drive signal (eg, gate voltage) to the electrode 113 (gate) of each first switching element 11 and the electrode 123 (gate) of each second switching element 12. Thereby, the switching operation of each first switching element 11 and each second switching element 12 is controlled.
  • the first control element 8A has a rectangular shape whose longitudinal direction is in the x direction in plan view.
  • the first control element 8A controls the first control element input to the first switching element 11 for each first switch section 1 (each of the first arm 1A, second arm 1B, and third arm 1C).
  • a delay time is provided between the drive signal and the first drive signal input to the second switching element 12. The delay time is changed as appropriate depending on, for example, the switching speed of the first switching element 11 and the switching speed of the second switching element 12.
  • the first switching element 11 is an IGBT and the second switching element 12 is a MOSFET
  • the first drive signal to the second switching element 12 is turned on more than the first drive signal to the first switching element 11.
  • the switching timing from the signal to the off signal and the switching timing from the off signal to the on signal are both early.
  • the first control element 8A does not necessarily need to provide a delay time between the first drive signal input to the first switching element 11 and the first drive signal input to the second switching element 12.
  • the second control element 8B controls the switching operations of the plurality of third switching elements 21 and the plurality of fourth switching elements 22, and is, for example, a driver IC.
  • the second control element 8B receives a second input signal from the outside and generates a second drive signal for controlling the switching operation of each second switch section 2 based on the second input signal.
  • the second control element 8B outputs a second drive signal (eg, gate voltage) to the electrode 213 (gate) of each third switching element 21 and the electrode 223 (gate) of each fourth switching element 22. Thereby, the switching operation of each third switching element 21 and each fourth switching element 22 is controlled.
  • the second control element 8B has a rectangular shape whose longitudinal direction is the x direction in plan view.
  • the second control element 8B controls the second control element 8B, which is input to the third switching element 21, for each second switch section 2 (each of the fourth arm 2A, the fifth arm 2B, and the sixth arm 2C).
  • a delay time is provided between the drive signal and the second drive signal input to the fourth switching element 22.
  • the delay time is changed as appropriate depending on, for example, the switching speed of the third switching element 21 and the switching speed of the fourth switching element 22.
  • the third switching element 21 is an IGBT and the fourth switching element 22 is a MOSFET
  • the second drive signal to the fourth switching element 22 is turned on more than the second drive signal to the third switching element 21.
  • the switching timing from the signal to the off signal and the switching timing from the off signal to the on signal are both early.
  • the second control element 8B does not necessarily need to provide a delay time between the second drive signal input to the third switching element 21 and the second drive signal input to the fourth switching element 22.
  • the first control element 8A and the second control element 8B each have a plurality of electrodes 81 and 82.
  • a plurality of electrodes 81 and 82 are arranged on the upper surface of each of the first control element 8A and the second control element 8B.
  • the plurality of electrodes 81 of the first control element 8A are electrically connected to any one of the plurality of first switch sections 1 (first arm 1A, second arm 1B, and third arm 1C).
  • the aforementioned first drive signal is output from the plurality of electrodes 81 of the first control element 8A.
  • the plurality of electrodes 82 of the first control element 8A are electrically connected to any of the leads 4A to 4H.
  • the plurality of electrodes 81 of the second control element 8B are electrically connected to any one of the plurality of second switch sections 2 (fourth arm 2A, fifth arm 2B, and sixth arm 2C).
  • the aforementioned second drive signal is output from the electrode 81 of the second control element 8B.
  • the plurality of electrodes 82 of the second control element 8B are electrically connected to any one of the leads 4J to 4N, 4Q, and 4R.
  • the second control element 8B has a plurality of electrodes 83.
  • a plurality of electrodes 83 are arranged on the upper surface of the second control element 8B.
  • Each of the plurality of electrodes 83 is electrically connected to a corresponding one of the plurality of second switch sections 2 (fourth arm 2A, fifth arm 2B, and sixth arm 2C).
  • a detection signal for detecting the conduction state of each first switch section 1 is input to the plurality of electrodes 83 .
  • the first control element 8A is bonded to the lead 4R via the bonding material 85
  • the second control element 8B is bonded to the lead 4H via the bonding material 85, as shown in FIG.
  • the bonding material 85 may be conductive or insulating.
  • the bonding material 85 may be a conductive material (for example, solder, metal paste material, sintered metal, etc.). It will be done.
  • the plurality of electronic components 89U, 89V, and 89W are elements that assist the respective functions of the first control element 8A and the second control element 8B, and are, for example, diodes. Although the example shown in FIG. 3 includes three electronic components 89U, 89V, and 89W, the number of electronic components is not limited to this. As shown in FIG. 3, each of the plurality of electronic components 89U, 89V, and 89W is joined to a corresponding one of the plurality of leads 4A, 4B, and 4C. The plurality of electronic components 89U, 89V, and 89W are each bonded using a conductive bonding material 891, as shown in FIG.
  • the conductive bonding material 891 is, for example, solder, metal paste material, sintered metal, or the like.
  • the plurality of leads 3A to 3G, 3Z and the plurality of leads 4A to 4H, 4J to 4N, 4P to 4R as shown in FIG.
  • the leads 4H and 4R are integrally formed, and the others are spaced apart from each other.
  • the lead 4H and the lead 4R are integrally connected.
  • the lead 4H and the lead 4R may be regarded as one lead.
  • the leads 4H and 4R may be spaced apart from each other.
  • the plurality of leads 3A to 3G, 3Z and the plurality of leads 4A to 4H, 4J to 4N, 4P to 4R may be formed from different conductive members, or may be formed from one conductive member.
  • the plurality of leads 3A to 3G, 3Z and the plurality of leads 4A to 4H, 4J to 4N, 4P to 4R are made of, for example, Cu or a Cu alloy.
  • the constituent materials of the plurality of leads 3A to 3G, 3Z and the plurality of leads 4A to 4H, 4J to 4N, 4P to 4R may be not Cu or Cu alloy, but Ni or Ni alloy, or 42 alloy. good. Note that the respective constituent materials of the plurality of leads 3A to 3G, 3Z and the respective constituent materials of the plurality of leads 4A to 4H, 4J to 4N, 4P to 4R may be the same or different. .
  • a motor drive current is passed through the plurality of leads 3A to 3G, and a control current is passed to the plurality of leads 4A to 4H, 4J to 4N, and 4P to 4R. Therefore, a higher voltage is applied to the plurality of leads 3A to 3G than to the plurality of leads 4A to 4H, 4J to 4N, and 4P to 4R, and a larger current is applied to the plurality of leads 3A to 3G.
  • the plurality of leads 3A to 3G, 3Z on the high voltage side and the leads 4A to 4H, 4J to 4N, 4P to 4R on the low voltage side are mutually connected in the y direction. They are placed on opposite sides.
  • the third switching element 21, fourth switching element 22, and second protection element 23 of each of the plurality of second switch parts 2 are attached to the lead 3A, respectively. , will be installed.
  • the lead 3A includes the electrode 211 (collector) of each third switching element 21, the electrode 221 (drain) of each fourth switching element 22, and each second protection element 23. conducts to the electrode 232 (cathode).
  • the lead 3A includes a plurality of mounting parts 311A, 312A, 313A, a terminal part 32A, a pad part 33A, and a connecting part 34A, as shown in FIGS. 3 and 5.
  • the plurality of mounting parts 311A, 312A, and 313A are each covered with a sealing member 7.
  • the plurality of mounting parts 311A, 312A, and 313A are integrally formed.
  • the plurality of mounting parts 311A, 312A, and 313A are each bonded to the support substrate 51 via a bonding material 39.
  • the bonding material 39 may be conductive or insulating.
  • the bonding material 39 is preferably one with excellent thermal conductivity.
  • a third switching element 21A, a fourth switching element 22A, and a second protection element 23A are mounted on the mounting portion 311A, respectively.
  • the mounting portion 311A is electrically connected to the electrode 211 (collector) of the third switching element 21A and the electrode 221 (drain) of the fourth switching element 22A, and is electrically connected to the electrode 232 (cathode) of the second protection element 23A. That is, the electrode 211 of the third switching element 21A, the electrode 221 of the fourth switching element 22A, and the electrode 232 of the second protection element 23A are electrically connected to each other via the mounting portion 311A.
  • a third switching element 21B, a fourth switching element 22B, and a second protection element 23B are respectively mounted on the mounting portion 312A.
  • the mounting portion 312A is electrically connected to the electrode 211 (collector) of the third switching element 21B and the electrode 221 (drain) of the fourth switching element 22B, and is electrically connected to the electrode 232 (cathode) of the second protection element 23B. That is, the electrode 211 of the third switching element 21B, the electrode 221 of the fourth switching element 22B, and the electrode 232 of the second protection element 23B are electrically connected to each other via the mounting portion 312A.
  • a third switching element 21C, a fourth switching element 22C, and a second protection element 23C are mounted on the mounting portion 313A, respectively.
  • the mounting portion 313A is electrically connected to the electrode 211 (collector) of the third switching element 21C and the electrode 221 (drain) of the fourth switching element 22C, and is electrically connected to the electrode 232 (cathode) of the second protection element 23C. That is, the electrode 211 of the third switching element 21C, the electrode 221 of the fourth switching element 22C, and the electrode 232 of the second protection element 23C are electrically connected to each other via the mounting portion 313A.
  • the terminal portion 32A is a portion of the lead 3A that protrudes from the sealing member 7, as shown in FIG.
  • the terminal portion 32A protrudes from the mounting portions 311A, 312A, and 313A on the opposite side from the leads 4A to 4H, 4J to 4N, and 4P to 4R in the y direction.
  • the terminal portion 32A is used to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit.
  • the terminal portion 32A is bent toward the z1 side in the z direction to form an L-shape.
  • the pad portion 33A and the connecting portion 34A are covered with the sealing member 7.
  • the pad portion 33A and the connecting portion 34A are interposed between the mounting portion 312A and the terminal portion 32A, as shown in FIG.
  • the pad portion 33A is located on the z1 side in the z direction with respect to the mounting portion 312A, and is connected to the terminal portion 32A.
  • the connecting portion 34A is connected to the mounting portion 311A and the pad portion 33A, and is inclined with respect to the y direction.
  • the leads 3B, 3C, and 3D are arranged on the x2 side in the x direction with respect to the leads 3A. Leads 3B, 3C, and 3D are lined up in the x direction.
  • the shapes of the leads 3B, 3C, and 3D are not particularly limited, and in the illustrated example, the leads 3B, 3C, and 3D have the same shape (or approximately the same shape) and the same size (or approximately the same size). ).
  • the first arm 1A is mounted on the lead 3B. That is, the first switching element 11A, the second switching element 12A, and the first protection element 13A are mounted on the lead 3B, respectively.
  • the lead 3B includes the electrode 111 (collector) of the first switching element 11A, the electrode 121 (drain) of the second switching element 12A, and the electrode 132 (of the first protection element 13A). cathode).
  • the lead 3B includes a mounting portion 31B, a terminal portion 32B, a pad portion 33B, and a connecting portion 34B.
  • the mounting portion 31B is covered with a sealing member 7.
  • the mounting portion 31B is bonded to the support substrate 51 via a bonding material 39.
  • a first switching element 11A, a second switching element 12A, and a first protection element 13A are mounted on the mounting portion 31B, respectively.
  • the mounting portion 31B is electrically connected to the electrode 111 (collector) of the first switching element 11A and the electrode 121 (drain) of the second switching element 12A, and is electrically connected to the electrode 132 (cathode) of the first protection element 13A. That is, the electrode 111 of the first switching element 11A, the electrode 121 of the second switching element 12A, and the electrode 132 of the first protection element 13A are electrically connected to each other via the mounting portion 31B.
  • the terminal portion 32B is a portion of the lead 3B that protrudes from the sealing member 7, as shown in FIG.
  • the terminal portion 32B protrudes from the mounting portion 31B in the y direction on the side opposite to the leads 4A to 4H, 4J to 4N, and 4P to 4R.
  • the terminal portion 32B is used to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit.
  • the terminal portion 32B is bent toward the z1 side in the z direction to form an L-shape.
  • the pad portion 33B and the connecting portion 34B are covered with the sealing member 7.
  • the pad portion 33B and the connecting portion 34B are interposed between the mounting portion 31B and the terminal portion 32B, as shown in FIG.
  • the pad portion 33B like the pad portion 33A, is located on the z1 side in the z direction with respect to the mounting portion 31B.
  • the pad portion 33B is connected to the terminal portion 32B.
  • a wire 6A is bonded to the pad portion 33B.
  • the connecting portion 34B is connected to the mounting portion 31B and the pad portion 33B, and is inclined with respect to the y direction similarly to the connecting portion 34A.
  • the second arm 1B is mounted on the lead 3C. That is, the first switching element 11B, the second switching element 12B, and the first protection element 13B are respectively mounted on the lead 3C.
  • the lead 3C includes the electrode 111 (collector) of the first switching element 11B, the electrode 121 (drain) of the second switching element 12B, and the electrode 132 (of the first protection element 13B). cathode).
  • the lead 3C includes a mounting portion 31C, a terminal portion 32C, a pad portion 33C, and a connecting portion 34C.
  • the mounting portion 31C is covered with a sealing member 7.
  • the mounting portion 31C is bonded to the support substrate 51 via a bonding material 39.
  • the first switching element 11B, the second switching element 12B, and the first protection element 13B are mounted on the mounting portion 31C.
  • the mounting portion 31C is electrically connected to the electrode 111 (collector) of the first switching element 11B and the electrode 121 (drain) of the second switching element 12B, and is electrically connected to the electrode 132 (cathode) of the first protection element 13B. That is, the electrode 111 of the first switching element 11B, the electrode 121 of the second switching element 12B, and the electrode 132 of the first protection element 13B are electrically connected to each other via the mounting portion 31C.
  • the terminal portion 32C is a portion of the lead 3C that protrudes from the sealing member 7, as shown in FIG.
  • the terminal portion 32C protrudes in the y direction with respect to the mounting portion 31C on the side opposite to the leads 4A to 4H, 4J to 4N, and 4P to 4R.
  • the terminal portion 32C is used to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit.
  • the terminal portion 32C is bent toward the z1 side in the z direction to form an L-shape.
  • the pad portion 33C and the connecting portion 34C are covered with the sealing member 7.
  • the pad portion 33C and the connecting portion 34C are interposed between the mounting portion 31C and the terminal portion 32C, as shown in FIG.
  • the pad portion 33C is located on the z1 side in the z direction with respect to the mounting portion 31C, similarly to the pad portions 33A and 33B.
  • the pad portion 33C is connected to the terminal portion 32C.
  • a wire 6B is bonded to the pad portion 33C.
  • the connecting portion 34C is connected to the mounting portion 31C and the pad portion 33C, and is inclined with respect to the y direction like the connecting portions 34A and 34B.
  • the third arm 1C is mounted on the lead 3D. That is, the first switching element 11C, the second switching element 12C, and the first protection element 13C are respectively mounted on the lead 3D.
  • the lead 3D includes the electrode 111 (collector) of the first switching element 11C, the electrode 121 (drain) of the second switching element 12C, and the electrode 132 (of the first protection element 13C). cathode).
  • the lead 3D includes a mounting portion 31D, a terminal portion 32D, a pad portion 33D, and a connecting portion 34D.
  • the mounting portion 31D is covered with a sealing member 7.
  • the mounting portion 31D is bonded to the support substrate 51 via a bonding material 39.
  • a first switching element 11C, a second switching element 12C, and a first protection element 13C are mounted on the mounting portion 31D.
  • the mounting portion 31D is electrically connected to the electrode 111 (collector) of the first switching element 11C and the electrode 121 (drain) of the second switching element 12C, and is electrically connected to the electrode 132 (cathode) of the first protection element 13C. That is, the electrode 111 of the first switching element 11C, the electrode 121 of the second switching element 12C, and the electrode 132 of the first protection element 13C are electrically connected to each other via the mounting portion 31D.
  • the terminal portion 32D is a portion of the lead 3D that protrudes from the sealing member 7.
  • the terminal portion 32D protrudes from the mounting portion 31D in the y direction on the opposite side from the leads 4A to 4H, 4J to 4N, and 4P to 4R.
  • the terminal portion 32D is used to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit.
  • the terminal portion 32D is bent toward the z1 side in the z direction to form an L-shape.
  • the pad portion 33D and the connecting portion 34D are covered with the sealing member 7. As shown in FIG. 3, the pad portion 33D and the connecting portion 34D are interposed between the mounting portion 31D and the terminal portion 32D.
  • the pad portion 33D is located on the z1 side in the z direction with respect to the mounting portion 31D, similarly to the pad portions 33A, 33B, and 33C.
  • the pad portion 33D is connected to the terminal portion 32D.
  • a wire 6C is bonded to the pad portion 33D.
  • the connecting portion 34D is connected to the mounting portion 31D and the pad portion 33D, and is inclined with respect to the y direction like the connecting portions 34A, 34B, and 34C.
  • the leads 3E, 3F, and 3G are arranged on the x2 side in the x direction with respect to the leads 3D. Leads 3E, 3F, and 3G are lined up in the x direction. Each of the leads 3E, 3F, and 3G is not mounted with any of the plurality of first switch sections 1 and the plurality of second switch sections 2.
  • the lead 3E is electrically connected to the electrode 112 (emitter) of the first switching element 11A, the electrode 122 (source) of the second switching element 12A, and the electrode 131 (anode) of the first protection element 13A, respectively, according to a configuration described in detail later. do.
  • the lead 3E includes a terminal portion 32E and a pad portion 33E, as shown in FIG. 3 and the like. The terminal portion 32E and the pad portion 33E are connected.
  • the terminal portion 32E is a portion of the lead 3E that protrudes from the sealing member 7. As shown in FIG. 3, the terminal portion 32E protrudes from the pad portion 33E in the y direction on the opposite side from the leads 4A to 4H, 4J to 4N, and 4P to 4R.
  • the terminal portion 32E is used to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit. In the illustrated example, the terminal portion 32E is bent toward the z1 side in the z direction to form an L-shape.
  • the pad portion 33E is covered with the sealing member 7, and has a rectangular shape in plan view in the illustrated example. As shown in FIG. 3, the pad portion 33E does not overlap the support substrate 51 in plan view.
  • the pad portion 33E is arranged at the same position (or approximately the same position) (at the same height (or approximately the same height)) as each of the pad portions 33A to 33D in the z direction. As shown in FIG. 3, the pad portion 33E is connected to a wire 6D, and is connected to the electrode 112 (emitter) of the first switching element 11A, the electrode 122 (source) of the second switching element 12A, and the like through the wire 6D. Each is electrically connected to the electrode 131 (anode) of the first protection element 13A.
  • the lead 3F is electrically connected to the electrode 112 (emitter) of the first switching element 11B, the electrode 122 (source) of the second switching element 12B, and the electrode 131 (anode) of the first protection element 13B, according to a configuration that will be detailed later. do.
  • the lead 3F includes a terminal portion 32F and a pad portion 33F, as shown in FIG. 3 and the like. The terminal portion 32F and pad portion 33F are connected.
  • the terminal portion 32F is a portion of the lead 3F that protrudes from the sealing member 7. As shown in FIG. 3, the terminal portion 32F protrudes in the y direction with respect to the pad portion 33F on the opposite side from the leads 4A to 4H, 4J to 4N, and 4P to 4R.
  • the terminal portion 32F is used to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit. In the illustrated example, the terminal portion 32F is bent toward the z1 side in the z direction to form an L-shape.
  • the pad portion 33F is covered with the sealing member 7, and has a rectangular shape in plan view in the illustrated example. As shown in FIG. 3, the pad portion 33F does not overlap the support substrate 51 in plan view.
  • the pad portion 33F is arranged at the same position (or approximately the same position) (at the same height (or approximately the same height)) as each of the pad portions 33A to 33E in the z direction. As shown in FIG. 3, the pad portion 33F is connected to a wire 6E, and is connected to the electrode 112 (emitter) of the first switching element 11B, the electrode 122 (source) of the second switching element 12B, and the like through the wire 6E. Each is electrically connected to the electrode 131 (anode) of the first protection element 13B.
  • the lead 3G is electrically connected to the electrode 112 (emitter) of the first switching element 11C, the electrode 122 (source) of the second switching element 12C, and the electrode 131 (anode) of the first protection element 13C, according to a configuration that will be detailed later. do.
  • the lead 3G includes a terminal portion 32G and a pad portion 33G, as shown in FIG. 3 and the like. The terminal portion 32G and the pad portion 33G are connected.
  • the terminal portion 32G is a portion of the lead 3G that protrudes from the sealing member 7. As shown in FIG. 3, the terminal portion 32G protrudes in the y direction with respect to the pad portion 33G on the opposite side from the leads 4A to 4H, 4J to 4N, and 4P to 4R.
  • the terminal portion 32G is used to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit. In the illustrated example, the terminal portion 32G is bent toward the z1 side in the z direction to form an L-shape.
  • the pad portion 33G is covered with the sealing member 7. As shown in FIG. 3, the pad portion 33G does not overlap the support substrate 51 in plan view.
  • the pad portion 33G is arranged at the same position (or approximately the same position) (at the same height (or approximately the same height)) as each of the pad portions 33A to 33F in the z direction.
  • the pad portion 33G is connected to a wire 6F, and is connected to the electrode 112 (emitter) of the first switching element 11C, the electrode 122 (source) of the second switching element 12C, and the like through the wire 6F. Each is electrically connected to the electrode 131 (anode) of the first protection element 13C.
  • the lead 3Z is arranged on the x1 side in the x direction with respect to the lead 3A.
  • the lead 3Z is not electrically connected to any of the plurality of first switch sections 1 and the plurality of second switch sections 2.
  • the lead 3Z includes a terminal portion 32Z and a pad portion 33Z, as shown in FIG. 3 and the like. The terminal portion 32Z and the pad portion 33Z are connected.
  • the terminal portion 32Z is a portion of the lead 3Z that protrudes from the sealing member 7. As shown in FIG. 3, the terminal portion 32Z protrudes in the y direction with respect to the pad portion 33Z on the opposite side from the leads 4A to 4H, 4J to 4N, and 4P to 4R. In the illustrated example, the terminal portion 32Z is bent toward the z1 side in the z direction to form an L-shape.
  • the pad portion 33Z is covered with the sealing member 7. As shown in FIG. 3, the pad portion 33Z does not overlap the support substrate 51 in plan view.
  • the pad portion 33Z is arranged at the same position (or approximately the same position) (at the same height (or approximately the same height)) as each of the pad portions 33A to 33G in the z direction.
  • the leads 4A, 4B, and 4C are arranged on the x1 side in the x direction with respect to the lead 4D.
  • lead 4A will be described in detail below, lead 4B and lead 4C also include similar components.
  • the constituent parts of the lead 4B and the lead 4C are obtained by changing "A" to "B” or "C" in each constituent part of the lead 4A.
  • the lead 4A includes a terminal portion 42A and a pad portion 43A, as shown in FIG. 3 and the like.
  • the lead 4B includes a terminal portion 42B and a pad portion 43B
  • the lead 4C includes a terminal portion 42C and a pad portion 43C.
  • the terminal portion 42A is a portion of the lead 4A that protrudes from the sealing member 7. As shown in FIG. 3, the terminal portion 42A protrudes in the y direction with respect to the pad portion 43A on the opposite side from the leads 3A to 3G and 3Z.
  • the terminal portion 42A is used to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit. In the illustrated example, the terminal portion 42A is bent toward the z1 side in the z direction to form an L-shape.
  • the pad portion 43A is covered with the sealing member 7. As shown in FIG. 3, the electronic component 89U and one of the plurality of wires 6L are bonded to the pad portion 43A. Note that an electronic component 89V is bonded to the pad portion 43B instead of the electronic component 89U, and an electronic component 89W is bonded to the pad portion 43C instead of the electronic component 89U.
  • the shape of the pad portion 43A is not limited to the illustrated example.
  • leads 4D to 4G are arranged on the x2 side in the x direction with respect to the lead 4C.
  • leads 4E, 4F, and 4G also include similar components.
  • the constituent parts of the leads 4E, 4F, and 4G are obtained by changing "D" to "E", “F", or "G" in each constituent part of the lead 4D.
  • the lead 4D includes a terminal portion 42D, a pad portion 43D, and a connecting portion 44D.
  • the lead 4E includes a terminal portion 42E, a pad portion 43E, and a connecting portion 44E
  • the lead 4F includes a terminal portion 42F, a pad portion 43F, and a connecting portion 44E.
  • the lead 4G includes a terminal portion 42G, a pad portion 43G, and a connecting portion 44G.
  • the terminal portion 42D is a portion of the lead 4D that protrudes from the sealing member 7. As shown in FIG. 3, the terminal portion 42D protrudes in the y direction with respect to the pad portion 43D on the opposite side to the leads 3A to 3G and 3Z.
  • the terminal portion 42D is used to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit. In the illustrated example, the terminal portion 42D is bent toward the z1 side in the z direction to form an L-shape.
  • the pad portion 43D is covered with the sealing member 7. As shown in FIG. 3, the pad portion 43D is connected to one of the plurality of wires 6L, and is electrically connected to the electrode 82 of the second control element 8B via the wire 6L.
  • the connecting portion 44D is covered with the sealing member 7. As shown in FIG. 3, the connecting portion 44D is connected to the terminal portion 42D and the pad portion 43D and is interposed between them.
  • the second control element 8B is mounted on the lead 4H.
  • the lead 4H includes a mounting portion 41H, a terminal portion 42H, a pad portion 43H, a plurality of connecting portions 44H, and a protruding portion 45H.
  • the mounting portion 41H is covered with the sealing member 7. As shown in FIG. 3, the second control element 8B is mounted on the mounting portion 41H. The second control element 8B is fixed to the mounting portion 41H by the bonding material 85, as described above. As shown in FIG. 10, the mounting portion 41H is spaced apart from the support substrate 51 in the z direction.
  • the terminal portion 42H is a portion of the lead 4H that protrudes from the sealing member 7. As shown in FIG. 3, the terminal portion 42H protrudes from the mounting portion 41H on the side opposite to the leads 3A to 3G and 3Z in the y direction.
  • the terminal portion 42H is used to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit.
  • the terminal portion 42H is bent in the z direction to form an L-shape.
  • the pad portion 43H is covered with the sealing member 7.
  • the pad portion 43H is adjacent to the mounting portion 41H.
  • one of the plurality of wires 6L is bonded to the pad portion 43H.
  • Each of the plurality of connecting portions 44H is covered with a sealing member 7.
  • Some of the plurality of connecting parts 44H are interposed between and connected to the terminal part 42H and the pad part 43H, and others are interposed between and connected to the mounting part 41H and the protruding part 45H.
  • the protruding portion 45H extends from the connecting portion 44H connected to the mounting portion 41H toward the y1 side in the y direction, and protrudes from the sealing member 7.
  • the first control element 8A is mounted on the lead 4R.
  • the lead 4R includes a mounting portion 41R, a terminal portion 42R, a pad portion 43R, and a connecting portion 44R, as shown in FIG. 3 and the like.
  • the mounting portion 41R is covered with a sealing member 7. As shown in FIG. 3, the first control element 8A is mounted on the mounting portion 41R. As described above, the first control element 8A is fixed to the mounting portion 41R with the bonding material 85.
  • the mounting portion 41R like the mounting portion 41H, is spaced apart from the support substrate 51 in the z direction.
  • the terminal portion 42R is a portion of the lead 4R that protrudes from the sealing member 7. As shown in FIG. 3, the terminal portion 42R protrudes from the mounting portion 41R on the side opposite to the leads 3A to 3G and 3Z in the y direction.
  • the terminal portion 42R is used to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit. In the illustrated example, the terminal portion 42R is bent in the z direction to form an L-shape.
  • the pad portion 43R is covered with the sealing member 7.
  • the pad portion 43R is adjacent to the mounting portion 41R. As shown in FIG. 3, one of the plurality of wires 6L is bonded to the pad portion 43R.
  • the connecting portions 44R are each covered with a sealing member 7.
  • the connecting portion 44R is interposed between the terminal portion 42R and the pad portion 43R and connected thereto.
  • leads 4J to 4N, 4P, and 4Q are arranged on the x2 side in the x direction with respect to the lead 4H.
  • lead 4Q will be described in detail below, leads 4J, 4K, 4L, 4M, 4N, and 4P also include similar components. In this case, leads 4J, 4K, 4L, These are the constituent parts of 4M, 4N, and 4P.
  • the lead 4Q includes a terminal portion 42Q, a pad portion 43Q, and a connecting portion 44Q.
  • the lead 4J includes a terminal portion 42J, a pad portion 43J, and a connecting portion 44J
  • the lead 4K includes a terminal portion 42K, a pad portion 43K, and a connecting portion 44K
  • the lead 4L includes a terminal portion 42L, a pad portion 43L, and a connecting portion 44L
  • the lead 4M includes a terminal portion 42M, a pad portion 43M, and a connecting portion 44M
  • the lead 4N includes a terminal portion 42N, a pad portion 43N and a connecting portion 44N
  • the lead 4P includes a terminal portion 42P, a pad portion 43P, and a connecting portion 44P.
  • the terminal portion 42Q is a portion of the lead 4Q that protrudes from the sealing member 7. As shown in FIG. 3, the terminal portion 42Q protrudes from the pad portion 43Q on the side opposite to the leads 3A to 3G and 3Z in the y direction.
  • the terminal portion 42Q is used to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit.
  • the terminal portion 42Q is bent in the z direction to form an L-shape.
  • the terminal portions 42Q, 42J to 42N of the plurality of leads 4Q, 4J to 4N are respectively arranged between the terminal portion 42H of the lead 4H and the terminal portion 42R of the lead 4R in the x direction, and are arranged between the terminal portion 42H of the lead 4H and the terminal portion 42R of the lead 4R.
  • 42P is located on the x2 side in the x direction with respect to the terminal portion 42R.
  • the pad portion 43Q is covered with the sealing member 7. As shown in FIG. 3, one of the plurality of wires 6L is bonded to the pad portion 43Q, and the pad portion 43Q is electrically connected to the electrode 82 of the first control element 8A via the wire 6L. However, in the example shown in FIG. 3, none of the plurality of wires 6L is bonded to the pad portion 43P.
  • the connecting portion 44Q is covered with the sealing member 7. As shown in FIG. 3, the connecting portion 44Q is connected to the terminal portion 42Q and the pad portion 43Q and is interposed between them.
  • the plurality of terminal portions 42A to 42C are arranged in line in the x direction with a first pitch width d1 (see FIG. 3). Further, the plurality of terminal portions 42D to 42H, 42J to 42N, and 42P to 42R are arranged in line in the x direction with a second pitch width d2 (see FIG. 3). The first pitch width d1 is larger than the second pitch width d2. The distance between the terminal portion 42C and the terminal portion 42D along the x direction is the first pitch width d1.
  • the support substrate 51 supports a plurality of leads 3A to 3D, and, for example, heat from each of the plurality of first switch sections 1 and the plurality of second switch sections 2 is transferred via these. It is provided for transmitting information to the outside of the semiconductor device A1.
  • the support substrate 51 is plate-shaped and rectangular in plan view.
  • the support substrate 51 is made of an insulating material, and examples of the insulating material include ceramics such as alumina (Al 2 O 3 ), silicon nitride (SiN), aluminum nitride (AlN), and alumina containing zirconia.
  • the support substrate 51 is preferably made of ceramics from the viewpoint of strength, heat transfer rate, and insulation, but is not limited thereto, and various materials (eg, epoxy resin, silicon, etc.) may be used. Further, the support substrate 51 is preferably made of a material having higher thermal conductivity than the sealing member 7.
  • the support substrate 51 has a first surface 511, a second surface 512, a third surface 513, a fourth surface 514, a fifth surface 515, and a sixth surface 516, as shown in FIG. 3 and FIGS. 8 to 11.
  • the first surface 511 and the second surface 512 are spaced apart in the z direction.
  • the first surface 511 faces upward in the z direction (z1 side in the z direction), and the second surface 512 faces downward in the z direction (z2 side in the z direction).
  • a plurality of mounting portions 311A, 312A, 313A, 31B, 31C, and 31D are bonded to the first surface 511 via a plurality of bonding materials 39, respectively.
  • the second surface 512 is exposed from the sealing member 7, as shown in FIGS. 8 to 11.
  • the third surface 513, the fourth surface 514, the fifth surface 515, and the sixth surface 516 are located between the first surface 511 and the second surface 512 in the z direction and are connected to them. As shown in FIGS. 3, 8, and 9, the third surface 513 and the fourth surface 514 are spaced apart in the x direction.
  • the third surface 513 faces the x2 side in the x direction, and the fourth surface 514 faces the x1 side in the x direction.
  • the fifth surface 515 and the sixth surface 516 are spaced apart in the y direction.
  • the fifth surface 515 faces the y2 side in the y direction
  • the sixth surface 516 faces the y1 side in the y direction.
  • the first surface 511, the second surface 512, the third surface 513, the fourth surface 514, the fifth surface 515, and the sixth surface 516 are each flat.
  • the wiring pattern 52 is formed on the first surface 511 of the support substrate 51, as shown in FIGS. 3 and 8.
  • the wiring pattern 52 is made of a conductive material.
  • the conductive material constituting the wiring pattern 52 is not particularly limited, but examples thereof include materials containing Ag, Cu, Au, and the like. In the following description, a case where the wiring pattern 52 includes Ag will be described as an example. Note that the wiring pattern 52 may contain Cu instead of Ag, or may contain Au instead of Ag or Cu. Alternatively, the wiring pattern 52 may include Ag--Pt or Ag--Pd. Further, the method of forming the wiring pattern 52 is not limited, and may be formed, for example, by printing a paste containing these metals and then firing it. The wiring pattern 52 is covered with the sealing member 7.
  • the wiring pattern 52 includes a plurality of wiring portions 541A, 541B, 542A, 542B, 543A, 543B, 544A to 544C, 545A to 545C, and 546A to 546C.
  • the plurality of wiring parts 541A, 541B, 542A, 542B, 543A, 543B, 544A to 544C, 545A to 545C, 546A to 546C respectively connect the plurality of leads 3A to 3G, 3Z and the plurality of leads 4A to 4H in the y direction. It is placed between 4J to 4N and 4P to 4R.
  • the wiring parts 541A, 542A, and 543A are examples of "first wiring parts” described in the claims.
  • the wiring parts 541B, 542B, and 543B are examples of "second wiring parts" described in the claims.
  • the two wiring parts 541A and 541B are part of the conduction path between the first control element 8A and the first arm 1A.
  • the two wiring parts 541A and 541B are located on the y1 side in the y direction than the mounting part 31B.
  • the two wiring portions 541A and 541B each extend from the vicinity of the first control element 8A toward the vicinity of the first arm 1A in plan view.
  • the wiring section 541A transmits a first drive signal to the first switching element 11A.
  • the wiring section 541B transmits the first drive signal to the second switching element 12A.
  • the two wiring parts 542A and 542B are part of the conduction path between the first control element 8A and the second arm 1B.
  • the two wiring parts 542A and 542B are located on the y1 side in the y direction than the mounting part 31C.
  • the two wiring portions 542A and 542B each extend from the vicinity of the first control element 8A toward the vicinity of the second arm 1B in plan view.
  • the wiring section 542A transmits a first drive signal to the first switching element 11B.
  • the wiring section 542B transmits a first drive signal to the second switching element 12B.
  • the two wiring parts 543A and 543B are part of the conduction path between the first control element 8A and the third arm 1C.
  • the two wiring portions 543A and 543B are located on the y1 side in the y direction than the mounting portion 31D.
  • the two wiring portions 543A and 543B each extend from the vicinity of the first control element 8A toward the vicinity of the third arm 1C in plan view.
  • the wiring section 543A transmits a first drive signal to the first switching element 11C.
  • the wiring section 543B transmits the first drive signal to the second switching element 12C.
  • the three wiring portions 544A to 544C are part of the conduction path between the second control element 8B and the fourth arm 2A.
  • the three wiring portions 544A to 544C are located on the y1 side in the y direction than the mounting portion 311A.
  • the three wiring portions 544A to 544C each extend from the vicinity of the second control element 8B toward the vicinity of the fourth arm 2A in plan view.
  • the wiring section 544A transmits the second drive signal to the third switching element 21A.
  • the wiring section 544B transmits the second drive signal to the fourth switching element 22A.
  • the wiring section 544C transmits a detection signal for detecting the conduction state of the fourth switching element 22A.
  • the detection signal is, for example, the source current (or source voltage) of the fourth switching element 22A.
  • the three wiring portions 545A to 545C are part of the conduction path between the second control element 8B and the fifth arm 2B.
  • the three wiring parts 545A to 545C are located closer to the y1 side in the y direction than the mounting part 312A.
  • the three wiring portions 545A to 545C each extend from the vicinity of the second control element 8B toward the vicinity of the fifth arm 2B in plan view.
  • the wiring section 545A transmits the second drive signal to the third switching element 21B.
  • the wiring section 545B transmits the second drive signal to the fourth switching element 22B.
  • the wiring section 545C transmits a detection signal for detecting the conduction state of the fourth switching element 22B.
  • the detection signal is, for example, the source current (or source voltage) of the fourth switching element 22B.
  • the three wiring parts 546A to 546C are part of the conduction path between the second control element 8B and the sixth arm 2C.
  • the three wiring parts 546A to 546C are located on the y1 side in the y direction than the mounting part 313A.
  • the three wiring portions 546A to 546C each extend from the vicinity of the second control element 8B toward the vicinity of the sixth arm 2C in plan view.
  • the wiring section 546A transmits the second drive signal to the third switching element 21C.
  • the wiring section 546B transmits the second drive signal to the fourth switching element 22C.
  • the wiring section 546C transmits a detection signal for detecting the conduction state of the fourth switching element 22C.
  • the detection signal is, for example, the source current (or source voltage) of the fourth switching element 22C.
  • the plurality of connection members 6 connect two parts separated from each other.
  • the plurality of connection members 6 include a plurality of wires 6A to 6F, 6L, 61G, 61H, 61J, 61K, 61Q, 62G, 62H, 62J, 62K, and 62Q.
  • Each of the wires 6A to 6F, 6L, 61G, 61H, 61J, 61K, 61Q, 62G, 62H, 62J, 62K, and 62Q (each connection member 6) is a bonding wire.
  • connection member 6 a conductive plate member may be used instead of each wire 6A to 6F, 6L, 61G, 61H, 61J, 61K, 61Q, 62G, 62H, 62J, 62K, 62Q.
  • a bonding ribbon or a plated wire may be used.
  • the wire 6A is connected to the electrode 212 (emitter) of the third switching element 21A, the electrode 222 (source) of the fourth switching element 22A, and the electrode 231 (anode) of the second protection element 23A. It is joined. Thereby, the electrode 212 of the third switching element 21A, the electrode 222 of the fourth switching element 22A, and the electrode 231 of the second protection element 23A are electrically connected to each other. Moreover, the wire 6A is joined to the pad portion 33B of the lead 3B, as shown in FIG.
  • the lead 3B is electrically connected to the first arm 1A (the electrode 111 of the first switching element 11A, the electrode 121 of the second switching element 12A, and the electrode 132 of the first protection element 13A), the electrode 212 of the third switching element 21A, The electrode 222 of the fourth switching element 22A and the electrode 231 of the second protection element 23A, the electrode 111 of the first switching element 11A, the electrode 121 of the second switching element 12A, and the electrode 132 of the first protection element 13A are connected to the lead 3B. and are electrically connected via wire 6A.
  • the wire 6B is connected to the electrode 212 (emitter) of the third switching element 21B, the electrode 222 (source) of the fourth switching element 22B, and the electrode 231 (anode) of the second protection element 23B. It is joined. Thereby, the electrode 212 of the third switching element 21B, the electrode 222 of the fourth switching element 22B, and the electrode 231 of the second protection element 23B are electrically connected to each other. Moreover, the wire 6B is joined to the pad portion 33C of the lead 3C, as shown in FIG.
  • the lead 3C is electrically connected to the second arm 1B (the electrode 111 of the first switching element 11B, the electrode 121 of the second switching element 12B, and the electrode 132 of the first protection element 13B), the electrode 212 of the third switching element 21B, The electrode 222 of the fourth switching element 22B and the electrode 231 of the second protection element 23B, the electrode 111 of the first switching element 11B, the electrode 121 of the second switching element 12B, and the electrode 132 of the first protection element 13B are connected to the lead 3C. and are electrically connected via wire 6B.
  • the wire 6C is connected to the electrode 212 (emitter) of the third switching element 21C, the electrode 222 (source) of the fourth switching element 22C, and the electrode 231 (anode) of the second protection element 23C. It is joined. Thereby, the electrode 212 of the third switching element 21C, the electrode 222 of the fourth switching element 22C, and the electrode 231 of the second protection element 23C are electrically connected to each other. Moreover, the wire 6C is joined to the pad portion 33D of the lead 3D, as shown in FIG.
  • the lead 3D is electrically connected to the third arm 1C (the electrode 111 of the first switching element 11C, the electrode 121 of the second switching element 12C, and the electrode 132 of the first protection element 13C), the electrode 212 of the third switching element 21C, The electrode 222 of the fourth switching element 22C and the electrode 231 of the second protection element 23C, the electrode 111 of the first switching element 11C, the electrode 121 of the second switching element 12C and the electrode 132 of the first protection element 13C are connected to the lead 3D. and are electrically connected via wire 6C.
  • the wire 6D is connected to the electrode 112 (emitter) of the first switching element 11A, the electrode 122 (source) of the second switching element 12A, and the electrode 131 (anode) of the first protection element 13A. It is joined. Thereby, the electrode 112 of the first switching element 11A, the electrode 122 of the second switching element 12A, and the electrode 131 of the first protection element 13A are electrically connected to each other. Further, the wire 6D is bonded to the pad portion 33E of the lead 3E, as shown in FIG. Therefore, the lead 3E is electrically connected to the electrode 112 of the first switching element 11A, the electrode 122 of the second switching element 12A, and the electrode 131 of the first protection element 13A via the wire 6D.
  • the wire 6E is connected to the electrode 112 (emitter) of the first switching element 11B, the electrode 122 (source) of the second switching element 12B, and the electrode 131 (anode) of the first protection element 13B. It is joined. Thereby, the electrode 112 of the first switching element 11B, the electrode 122 of the second switching element 12B, and the electrode 131 of the first protection element 13B are electrically connected to each other. Moreover, the wire 6E is joined to the pad portion 33F of the lead 3F, as shown in FIG. Therefore, the lead 3F is electrically connected to the electrode 112 of the first switching element 11B, the electrode 122 of the second switching element 12B, and the electrode 131 of the first protection element 13B via the wire 6E.
  • the wire 6F is connected to the electrode 112 (emitter) of the first switching element 11C, the electrode 122 (source) of the second switching element 12C, and the electrode 131 (anode) of the first protection element 13C. It is joined. Thereby, the electrode 112 of the first switching element 11C, the electrode 122 of the second switching element 12C, and the electrode 131 of the first protection element 13C are electrically connected to each other. Moreover, the wire 6F is joined to the pad portion 33G of the lead 3G, as shown in FIG. Therefore, the lead 3G is electrically connected to the electrode 112 of the first switching element 11C, the electrode 122 of the second switching element 12C, and the electrode 131 of the first protection element 13C via the wire 6F.
  • the plurality of wires 61G are individually joined to the plurality of electrodes 81 of the first control element 8A and the plurality of wiring parts 541A, 542A, and 543A.
  • the plurality of wires 62G are individually joined to the plurality of wiring parts 541A, 542A, 543A and the electrodes 113 (gates) of the plurality of first switching elements 11, respectively.
  • the electrode 113 of the first switching element 11A is electrically connected to the electrode 81 of the first control element 8A via the wire 62G, the wiring section 541A, and the wire 61G.
  • the first drive signal for the first switching element 11A is input from the electrode 81 of the first control element 8A to the electrode 113 of the first switching element 11A through the wire 61G, the wiring section 541A, and the wire 62G.
  • the electrode 113 of the first switching element 11B is electrically connected to the electrode 81 of the first control element 8A via the wire 62G, the wiring section 542A, and the wire 61G. Therefore, the first drive signal for the first switching element 11B is input from the electrode 81 of the first control element 8A to the electrode 113 of the first switching element 11B through the wire 61G, the wiring section 542A, and the wire 62G.
  • the electrode 113 of the first switching element 11C is electrically connected to the electrode 81 of the first control element 8A via the wire 62G, the wiring section 543A, and the wire 61G. Therefore, the first drive signal for the first switching element 11C is input from the electrode 81 of the first control element 8A to the electrode 113 of the first switching element 11C through the wire 61G, the wiring section 543A, and the wire 62G.
  • the wire 61G is an example of the "first connection member” described in the claims
  • the wire 62G is an example of the "second connection member" described in the claims.
  • the plurality of wires 61H are individually joined to the plurality of electrodes 81 of the first control element 8A and the plurality of wiring parts 541B, 542B, and 543B.
  • the plurality of wires 62H are individually joined to the plurality of wiring parts 541B, 542B, 543B and the electrodes 123 of the plurality of second switching elements 12, respectively.
  • the electrode 123 (gate) of the second switching element 12A is electrically connected to the electrode 81 of the first control element 8A via the wire 62H, the wiring portion 541B, and the wire 61H.
  • the first drive signal for the second switching element 12A is input from the electrode 81 of the first control element 8A to the electrode 123 of the second switching element 12A via the wire 61H, the wiring section 541B, and the wire 62H.
  • the electrode 123 of the second switching element 12B is electrically connected to the electrode 81 of the first control element 8A via the wire 62H, the wiring section 542B, and the wire 61H. Therefore, the first drive signal for the second switching element 12B is input to the electrode 123 of the second switching element 12B from the electrode 81 of the first control element 8A, through the wire 61H, the wiring section 542B, and the wire 62H.
  • the electrode 123 of the second switching element 12C is electrically connected to the electrode 81 of the first control element 8A via the wire 62H, the wiring section 543B, and the wire 61H. Therefore, the first drive signal for the second switching element 12C is input from the electrode 81 of the first control element 8A to the electrode 123 of the second switching element 12C through the wire 61H, the wiring section 543B, and the wire 62H.
  • the wire 61H is an example of the "third connection member” described in the claims
  • the wire 62H is an example of the "fourth connection member" described in the claims.
  • the plurality of wires 61Q are individually joined to the plurality of electrodes 81 of the second control element 8B and the plurality of wiring parts 544A, 545A, and 546A.
  • the plurality of wires 62Q are individually joined to the plurality of wiring parts 544A, 545A, 546A and the electrodes 213 (gates) of the plurality of third switching elements 21, respectively.
  • the electrode 213 of the third switching element 21A is electrically connected to the electrode 81 of the second control element 8B via the wire 62Q, the wiring section 544A, and the wire 61Q.
  • the second drive signal for the third switching element 21A is input from the electrode 81 of the second control element 8B to the electrode 213 of the third switching element 21A through the wire 61Q, the wiring section 544A, and the wire 62Q.
  • the electrode 213 of the third switching element 21B is electrically connected to the electrode 81 of the second control element 8B via the wire 62Q, the wiring section 545A, and the wire 61Q. Therefore, the second drive signal for the third switching element 21B is input to the electrode 213 of the third switching element 21B from the electrode 81 of the second control element 8B, through the wire 61Q, the wiring section 545A, and the wire 62Q.
  • the electrode 213 of the third switching element 21C is electrically connected to the electrode 81 of the second control element 8B via the wire 62Q, the wiring section 546A, and the wire 61Q. Therefore, the second drive signal for the third switching element 21C is input from the electrode 81 of the second control element 8B to the electrode 213 of the third switching element 21C through the wire 61Q, the wiring section 546A, and the wire 62Q.
  • the plurality of wires 61J are individually joined to the plurality of electrodes 81 of the second control element 8B and the plurality of wiring parts 544B, 545B, and 546B.
  • the plurality of wires 62J are individually joined to the plurality of wiring parts 544B, 545B, 546B and the electrodes 223 (gates) of the plurality of fourth switching elements 22, respectively.
  • the electrode 223 of the fourth switching element 22A is electrically connected to the electrode 81 of the second control element 8B via the wire 62J, the wiring section 544B, and the wire 61J.
  • the second drive signal for the fourth switching element 22A is input from the electrode 81 of the second control element 8B to the electrode 223 of the fourth switching element 22A through the wire 61J, the wiring section 544B, and the wire 62J.
  • the electrode 223 of the fourth switching element 22B is electrically connected to the electrode 81 of the second control element 8B via the wire 62J, the wiring section 545B, and the wire 61J. Therefore, the second drive signal for the fourth switching element 22B is input to the electrode 223 of the fourth switching element 22B from the electrode 81 of the second control element 8B, through the wire 61J, the wiring section 545B, and the wire 62J.
  • the electrode 223 of the fourth switching element 22C is electrically connected to the electrode 81 of the second control element 8B via the wire 62J, the wiring section 546B, and the wire 61J. Therefore, the second drive signal for the fourth switching element 22C is input from the electrode 81 of the second control element 8B to the electrode 223 of the fourth switching element 22C through the wire 61J, the wiring section 546B, and the wire 62J.
  • the plurality of wires 61K are individually joined to the plurality of electrodes 83 of the second control element 8B and the plurality of wiring parts 544C, 545C, and 546C.
  • the plurality of wires 62K are individually joined to the plurality of wiring parts 544C, 545C, 546C and the electrodes 222 (sources) of the plurality of fourth switching elements 22, respectively.
  • the electrode 222 of the fourth switching element 22A is electrically connected to the electrode 83 of the second control element 8B via the wire 62K, the wiring section 544C, and the wire 61K.
  • the detection signal of the fourth switching element 22A is input to the electrode 83 of the second control element 8B from the electrode 222 of the fourth switching element 22A, through the wire 62K, the wiring section 544C, and the wire 61K.
  • the electrode 222 of the fourth switching element 22B is electrically connected to the electrode 83 of the second control element 8B via the wire 62K, the wiring section 545C, and the wire 61K. Therefore, the detection signal of the fourth switching element 22B is input to the electrode 83 of the second control element 8B from the electrode 222 of the fourth switching element 22B, through the wire 62K, the wiring section 545C, and the wire 61K.
  • the electrode 222 of the fourth switching element 22C is electrically connected to the electrode 83 of the second control element 8B via the wire 62K, the wiring section 546C, and the wire 61K. Therefore, the detection signal of the fourth switching element 22C is input to the electrode 83 of the second control element 8B via the wire 62K, the wiring section 546C, and the wire 61K.
  • Each of the plurality of wires 6L connects to the electrode 82 of the first control element 8A or the electrode 82 of the second control element 8B, and one of the plurality of electronic components 89U, 89V, 89W or the plurality of leads 4A to 4H, 4J to 4N, It is connected to any of the pad portions 43A to 43H, 43J to 43N, and 43P to 43R of 4P to 4R. Therefore, each wire 6L connects the first control element 8A or the second control element 8B to each of the leads 4A to 4H, 4J to 4N, and 4P to 4R.
  • each wire 6A to 6F has a larger wire diameter than each wire 6L, 61G, 61H, 61J, 61K, 61Q, 62G, 62H, 62J, 62K, and 62Q. This is because when the semiconductor device A1 is configured as an IPM, a higher voltage is applied to the plurality of leads 3A to 3G than to the plurality of leads 4A to 4H, 4J to 4N, and 4P to 4R, and a larger current is applied. Because you will be swept away.
  • Each wire 6A to 6F is made of, for example, Al or an Al alloy.
  • each wire 6A to 6F may be Au or an Au alloy, or Cu or a Cu alloy instead of Al or an Al alloy.
  • Each wire 6L, 61G, 61H, 61J, 61K, 61Q, 62G, 62H, 62J, 62K, 62Q is made of, for example, Au or an Au alloy.
  • the constituent material of each wire 6L, 61G, 61H, 61J, 61K, 61Q, 62G, 62H, 62J, 62K, 62Q may be Al, Al alloy, Cu or Cu alloy instead of Au or Au alloy.
  • the sealing member 7 includes a plurality of first switch sections 1, a plurality of second switch sections 2, a first control element 8A, a second control element 8B, A plurality of electronic components 89U, 89V, 89W, a portion of each of the plurality of leads 3A to 3G, 3Z, a portion of each of the plurality of leads 4A to 4H, 4J to 4N, 4P to 4R, a portion of the support substrate 51, and a plurality of The connecting member 6 is covered.
  • the sealing member 7 is, for example, a black epoxy resin.
  • the sealing member 7 has a resin main surface 71, a resin back surface 72, and a plurality of resin side surfaces 73 to 76.
  • the resin main surface 71 and the resin back surface 72 are spaced apart in the z direction.
  • the main resin surface 71 faces upward in the z direction (z1 side in the z direction), and the resin back surface 72 faces downward in the z direction (z2 side in the z direction).
  • the main resin surface 71 and the resin back surface 72 are each substantially flat.
  • Each of the plurality of resin side surfaces 73 to 76 is located between and connected to the resin main surface 71 and the resin back surface 72 in the z direction.
  • the pair of resin side surfaces 73 and 74 are spaced apart in the x direction.
  • a pair of resin side surfaces 73 and 74 face oppositely to each other in the x direction.
  • the pair of resin side surfaces 75 and 76 are spaced apart in the y direction.
  • a pair of resin side surfaces 75 and 76 face opposite to each other in the y direction.
  • a recess 731 recessed in the x direction is formed in the resin side surface 73.
  • a recess 741 recessed in the x direction is formed in the resin side surface 74.
  • the recess 731 and the recess 741 are used, for example, to fix the semiconductor device A1 when it is mounted.
  • a plurality of recesses 761 are formed in the resin side surface 76, each recessed in the y direction.
  • the first DC voltage applied to the terminal portion 32A (lead 3A) and the terminal portion 32E (lead 3E) is changed to the first AC voltage by each switching operation of the first arm 1A and the fourth arm 2A. converted to voltage. Then, the first AC voltage is output from the terminal portion 32B (lead 3B). Further, the second DC voltage applied to the terminal portion 32A (lead 3A) and the terminal portion 32F (lead 3F) is converted into a second AC voltage by each switching operation of the second arm 1B and the fifth arm 2B. be done. Then, the second AC voltage is output from the terminal portion 32C (lead 3C).
  • the third DC voltage applied to the terminal portion 32A (lead 3A) and the terminal portion 32G (lead 3G) is converted into a third AC voltage by each switching operation of the third arm 1C and the sixth arm 2C. be done. Then, the third AC voltage is output from the terminal portion 32D (lead 3D).
  • each of the first switching elements 11A, 11B, 11C and each of the third switching elements 21A, 21B, 21C is an IGBT
  • each of the second switching elements 12A, 12B, 12C and each of the fourth switching elements Elements 22A, 22B, and 22C are each MOSFETs.
  • each of the first protection elements 13A, 13B, 13C and each of the second protection elements 23A, 23B, 23C is a Schottky barrier diode.
  • the parasitic diodes of each second switching element 12A, 12B, 12C and each fourth switching element 22A, 22B, 22C are also illustrated.
  • Collector (electrode 211) of each third switching element 21A, 21B, 21C, drain (electrode 221) of each fourth switching element 22A, 22B, 22C, and cathode (electrode 131) of each second protection element 23A, 23B, 23C are connected to each other and to the P terminal (lead 3A).
  • the emitter (electrode 212) of the third switching element 21A, the source (electrode 222) of the fourth switching element 22A, and the anode (electrode 231) of the second protection element 23A are connected to the first switching element 11A through the connection point N1. It is connected to the collector (electrode 111), the drain (electrode 121) of the second switching element 12A, and the cathode (electrode 132) of the first protection element 13A. Connection point N1 is connected to the U terminal (lead 3B).
  • the emitter (electrode 212) of the third switching element 21B, the source (electrode 222) of the fourth switching element 22B, and the anode (electrode 231) of the second protection element 23B are connected to each other via the connection point N2 of the first switching element 11B. It is connected to the collector (electrode 111), the drain (electrode 121) of the second switching element 12B, and the cathode (electrode 132) of the first protection element 13B. Connection point N2 is connected to the V terminal (lead 3C).
  • the emitter (electrode 212) of the third switching element 21C, the source (electrode 222) of the fourth switching element 22C, and the anode (electrode 231) of the second protection element 23C are connected to the emitter (electrode 212) of the first switching element 11C via the connection point N3. It is connected to the collector (electrode 111), the drain (electrode 121) of the second switching element 12C, and the cathode (electrode 132) of the first protection element 13C. Connection point N3 is connected to the W terminal (lead 3D).
  • the emitter (electrode 112) of the first switching element 11A, the source (electrode 122) of the second switching element 12A, and the anode (electrode 131) of the first protection element 13A are connected to the NU terminal (lead 3E).
  • the emitter (electrode 112) of the first switching element 11B, the source (electrode 122) of the second switching element 12B, and the anode (electrode 131) of the first protection element 13B are connected to the NV terminal (lead 3F).
  • the emitter (electrode 112) of the first switching element 11C, the source (electrode 122) of the second switching element 12C, and the anode (electrode 131) of the first protection element 13C are connected to the NW terminal (lead 3G).
  • the voltage levels applied to the U terminal (lead 3B), V terminal (lead 3C), and W terminal (lead 3D) are, for example, about 0V to 650V.
  • the voltage level applied to the NU terminal (lead 3E), NV terminal (lead 3F), and NW terminal (lead 3G) is, for example, about 0V
  • the gate (electrode 213) of each third switching element 21A, 21B, 21C and the gate (electrode 223) of each fourth switching element 22A, 22B, 22C are respectively connected to the second control element 8B.
  • the sources (electrodes 222) of each of the fourth switching elements 22A, 22B, and 22C are respectively connected to the second control element 8B.
  • the gate (electrode 113) of each first switching element 11A, 11B, 11C and the gate (electrode 123) of each second switching element 12A, 12B, 12C are respectively connected to the first control element 8A.
  • the LINU terminal (lead 4Q), LINV terminal (lead 4J), and LINW terminal (lead 4K) are connected to an external gate control circuit, and the first input signal is input from the gate control circuit.
  • the HINU terminal (lead 4E), HINV terminal (lead 4F), and HINW terminal (lead 4G) are connected to the gate control circuit (not shown), and a second input signal is input from the gate control circuit.
  • the first control element 8A includes a LINU terminal (lead 4Q), a LINV terminal (lead 4J), a LINW terminal (lead 4K), a second VCC terminal (lead 4L), an FO terminal (lead 4M), a CIN terminal (lead 4N), And it is electrically connected to the second GND terminal (lead 4R).
  • the first control element 8A is also electrically connected to the first GND terminal (lead 4H).
  • the second VCC terminal is a terminal that supplies the power supply voltage VCC to the first control element 8A.
  • the first input signal is input to the first control element 8A from the LINU terminal, LINV terminal, and LINW terminal.
  • the first control element 8A generates the first drive signal (for example, gate voltage) based on the input first input signal.
  • the generated first drive signal is then input to the gate (electrode 113) of each first switching element 11A, 11B, 11C and the gate (electrode 123) of each second switching element 12A, 12B, 12C.
  • the second control element 8B includes a VBU terminal (lead 4A), a VBV terminal (lead 4B), a VBW terminal (lead 4C), a HINU terminal (lead 4D), a HINV terminal (lead 4E), a HINW terminal (lead 4F), and a VBU terminal (lead 4B). It is electrically connected to the 1VCC terminal (lead 4G) and the first GND terminal (lead 4H). Further, the second control element 8B is also electrically connected to the second GND terminal (lead 4R).
  • the first VCC terminal is a terminal that supplies the power supply voltage VCC to the second control element 8B.
  • a second input signal is input to the second control element 8B from the HINU terminal, HINV terminal, and HIINW terminal.
  • the second control element 8B generates the second drive signal (for example, gate voltage) based on the input second input signal. Then, the generated second drive signal is input to the gate (electrode 213) of each third switching element 21A, 21B, 21C and the gate (electrode 223) of each fourth switching element 22A, 22B, 22C.
  • the first GND terminal (lead 4H) and the second GND terminal (lead 4R) are connected inside the semiconductor device A1 and have the same potential. Unlike this configuration, the first GND terminal (lead 4H) and the second GND terminal (lead 4R) may be separated from each other inside the semiconductor device A1 and may have different potentials.
  • the functions and effects of the semiconductor device A1 are as follows.
  • the semiconductor device A1 includes a plurality of first switch sections 1, a first control element 8A, a plurality of wiring sections 541A, 542A, 543A, a plurality of wiring sections 541B, 542B, 543B, and a plurality of wires 61G, 62G, 61H, 62H. Be prepared.
  • Each of the plurality of first switch sections 1 includes a first switching element 11 and a second switching element 12.
  • the first control element 8A inputs the first drive signal to the first switching element 11 and the second switching element 12 of each first switch section 1.
  • the first control element 8A connects each first switching element 11 to a corresponding one of the plurality of wires 61G, a corresponding one of the plurality of wiring parts 541A, 542A, 543A, and a plurality of wires 62G. conduction through a corresponding one of the plurality of wires 61H, and a corresponding one of the plurality of wiring parts 541B, 542B, 543B to each second switching element 12. Electrical conduction through a corresponding one of the wires 62H and the plurality of wires 62H.
  • each power semiconductor chip and control semiconductor chip are each connected by one wire.
  • the first control element 8A is electrically connected to the first switching element 11 of each first switch section 1 via a corresponding one of the plurality of wiring sections 541A, 542A, and 543A. Therefore, it is possible to suppress the length of each wire 61G, 62G.
  • the semiconductor device A1 since the first control element 8A is electrically connected to the second switching element 12 of each first switch section 1 via a corresponding one of the plurality of wiring sections 541B, 542B, and 543B, each wire 61H, It becomes possible to suppress the length of 62H.
  • the semiconductor device A1 includes wires 61G and 62G that are part of the conduction path from the first control element 8A to each of the first switching elements 11, and wires that are part of the conduction path from the first control element 8A to each of the second switching elements 12. It becomes possible to suppress the flow of each wire 61H, 62H that is a part of the conduction path. Therefore, the semiconductor device A1 has a more preferable structure in which a plurality of switching elements (the first switching element 11 and the second switching element 12) are operated as one first switch section 1.
  • each wire 61Q, 62Q which is a part of the conduction path from the second control element 8B to each third switching element 21, and the wires 61Q, 62Q, which are part of the conduction path from the second control element 8B to each fourth switching element 22, are connected to each other. It becomes possible to suppress the flow of each wire 61J, 62J that is a part of the conduction path. Therefore, the semiconductor device A1 has a more preferable structure in which a plurality of switching elements (the third switching element 21 and the fourth switching element 22) are operated as one second switch section 2.
  • the first switching element 11 is an IGBT
  • the second switching element 12 is a MOSFET.
  • MOSFETs and IGBTs are known to exhibit the following electrical characteristics due to differences in physical properties and structures. For example, MOSFETs have faster switching speeds than IGBTs and lower switching losses than IGBTs.
  • IGBTs have lower on-resistance than MOSFETs and lower steady-state losses than MOSFETs in large current ranges. Therefore, the semiconductor device A1 can reduce switching loss by controlling so that a large amount of current flows through the second switching element 12 (MOSFET) during switching (turn-on and turn-off) of each first switch section 1.
  • each first switch section 1 when each first switch section 1 is in a steady state, steady state loss can be reduced by controlling so that a large amount of current flows through the first switching element 11 (IGBT). Therefore, the semiconductor device A1 can reduce both switching loss and steady loss, and reduce power loss. In other words, the semiconductor device A1 can improve conversion efficiency.
  • This also applies to the relationship between the third switching element 21 and the fourth switching element 22 in each second switch section 2. That is, in the semiconductor device A1, since the third switching element 21 is an IGBT and the fourth switching element 22 is a MOSFET, both switching loss and steady-state loss can be reduced, and power loss can be reduced.
  • the plurality of first switch units 1 include a first arm 1A, a second arm 1B, and a third arm 1C, and the first arm 1A, the second arm 1B, and the third arm 1C are arranged in the x direction. Arranged. Further, the first control element 8A is located closer to the y1 side in the y direction than each of the mounting portions 31B, 31C, and 31D. In this configuration, it is difficult to equalize each distance from the first control element 8A to the plurality of first switch sections 1 (first arm 1A, second arm 1B, and third arm 1C). Therefore, when the first control element 8A and each first switch section 1 are directly connected with a wire, there is a high possibility that the wire becomes so long that wire flow occurs.
  • the first switching element 11A and the second switching element 12A of the first arm 1A are arranged in the x direction in the mounting section 31B, and the first switching element 11B and the second switching element of the second arm 1B are arranged in the x direction.
  • 12B are lined up in the x direction in the mounting part 31C
  • the first switching element 11C and the second switching element 12C of the third arm 1C are lined up in the x direction in the mounting part 31D.
  • the semiconductor device A1 by providing the wiring portions 541A, 542A, and 543A, it is possible to suppress the length of each wire 61G and 62G. Further, in the semiconductor device A1, as described above, by providing the wiring portions 541B, 542B, and 543B, it is possible to suppress the length of each wire 61H and 62H. In other words, the semiconductor device A1 can suppress the length of the wires 61G, 62G, 61H, and 62H regardless of the positional relationship between the first switch portions 1 and the first control element 8A. This also applies to the relationship between the plurality of second switch sections 2 and the second control element 8B.
  • the plurality of wiring parts 541A, 542A, 543A and the plurality of wiring parts 541B, 542B, 543B are respectively located on the y1 side in the y direction than the mounting parts 31B, 31C, 31D. According to this configuration, it is possible to suppress an increase in the dimension of the semiconductor device A1 in the x direction. In other words, even if the semiconductor device A1 has a configuration in which a plurality of switching elements (the first switching element 11 and the second switching element 12) are operated as one first switch unit 1, the size in plan view is suppressed from increasing. It is possible to do so. This also applies to the plurality of wiring sections 544A, 545A, 546A and the plurality of wiring sections 544B, 545B, 546B.
  • FIG. 13 shows a semiconductor device A11 according to a first modification of the first embodiment.
  • the semiconductor device A11 differs from the semiconductor device A1 in the following points. That is, as shown in FIG. 13, the electrode 112 of the first switching element 11A and the electrode 122 of the second switching element 12A are not connected by the wire 6D but are connected by the wire 61D. Similarly, as shown in FIG. 13, the electrode 112 of the first switching element 11B and the electrode 122 of the second switching element 12B are not connected by the wire 6E but are connected by the wire 61E. The electrode 112 of the element 11C and the electrode 122 of the second switching element 12C are not connected by the wire 6F, but are connected by the wire 61F. Further, as shown in FIG.
  • the electrode 212 of the third switching element 21A and the electrode 222 of the fourth switching element 22A are not connected by the wire 6A, but are connected by the wire 61A.
  • the electrode 212 of the third switching element 21B and the electrode 222 of the fourth switching element 22B are not connected by the wire 6B but are connected by the wire 61B.
  • the electrode 212 of the element 21C and the electrode 222 of the fourth switching element 22C are not connected by the wire 6C, but are connected by the wire 61C.
  • Each wire 61A to 61F is a bonding wire similar to the plurality of wires 6A to 6F.
  • the wire 61A is connected to the electrode 212 of the third switching element 21A and the electrode 222 of the fourth switching element 22A.
  • the wire 61B is joined to the electrode 212 of the third switching element 21B and the electrode 222 of the fourth switching element 22B.
  • the wire 61C is joined to the electrode 212 of the third switching element 21C and the electrode 222 of the fourth switching element 22C.
  • the wire 61D is joined to the electrode 112 of the first switching element 11A and the electrode 122 of the second switching element 12A.
  • the wire 61E is connected to the electrode 112 of the first switching element 11B and the electrode 122 of the second switching element 12B.
  • the wire 61F is joined to the electrode 112 of the first switching element 11C and the electrode 122 of the second switching element 12C.
  • the semiconductor device A11 according to this modification also has the same functions and effects as the semiconductor device A1. Furthermore, in the semiconductor device A11, the formation of each of the wires 6A to 6F is facilitated due to the following.
  • a portion of the wire 6D extending from a portion bonded to the electrode 112 of the first switching element 11A toward a portion bonded to the electrode 122 of the second switching element 12A, and A portion of the first protection element 13A extending from the portion joined to the electrode 112 to the portion joined to the electrode 131 is bent at an angle close to a right angle in plan view. In order to bend the wire at an angle close to a right angle, more advanced wire bonding technology is required.
  • FIG. 14 shows a semiconductor device A12 according to a second modification of the first embodiment.
  • the semiconductor device A12 differs from the semiconductor device A1 in the following points. That is, as shown in FIG. 14, the electrode 112 of the first switching element 11A is electrically connected to the pad portion 33E (lead 3E) via the wire 62D instead of the wire 6D. Similarly, as shown in FIG. 14, the electrode 112 of the first switching element 11B is electrically connected to the pad portion 33F (lead 3F) via the wire 62E instead of the wire 6E, and the electrode 112 of the first switching element 11C However, it is electrically connected to the pad portion 33G (lead 3G) via the wire 62F instead of the wire 6F. Further, as shown in FIG.
  • the electrode 212 of the third switching element 21A is electrically connected to the pad portion 33B (lead 3B) via the wire 62A instead of the wire 6A.
  • the electrode 212 of the third switching element 21B is electrically connected to the pad portion 33C (lead 3C) via the wire 62B instead of the wire 6B, and the electrode 212 of the third switching element 21C However, it is electrically connected to the pad portion 33D (lead 3D) via the wire 62C instead of the wire 6C.
  • Each wire 62A to 62F is a bonding wire similar to the plurality of wires 6A to 6F.
  • the wire 62A is connected to the electrode 212 of the third switching element 21A and the pad portion 33B.
  • the wire 6A is not joined to the electrode 212 of the third switching element 21A, but is joined to the electrode 222 of the fourth switching element 22A, the electrode 231 of the second protection element 23A, and the pad portion 33B.
  • the wire 62B is connected to the electrode 212 of the third switching element 21B and the pad portion 33C.
  • the wire 6B is not joined to the electrode 212 of the third switching element 21B, but is joined to the electrode 222 of the fourth switching element 22B, the electrode 231 of the second protection element 23B, and the pad portion 33C.
  • the wire 62C is connected to the electrode 212 of the third switching element 21C and the pad portion 33D.
  • the wire 6C is not joined to the electrode 212 of the third switching element 21C, but is joined to the electrode 222 of the fourth switching element 22C, the electrode 231 of the second protection element 23C, and the pad portion 33D.
  • the wire 62D is connected to the electrode 112 of the first switching element 11A and the pad portion 33E.
  • the wire 6D is not joined to the electrode 112 of the first switching element 11A, but is joined to the electrode 122 of the second switching element 12A, the electrode 131 of the first protection element 13A, and the pad portion 33E.
  • the wire 62E is connected to the electrode 112 of the first switching element 11B and the pad portion 33F.
  • the wire 6E is not joined to the electrode 112 of the first switching element 11B, but is joined to the electrode 122 of the second switching element 12B, the electrode 131 of the first protection element 13B, and the pad portion 33F.
  • the wire 62F is connected to the electrode 112 of the first switching element 11C and the pad portion 33G.
  • the wire 6F is not joined to the electrode 112 of the first switching element 11C, but is joined to the electrode 122 of the second switching element 12C, the electrode 131 of the first protection element 13C, and the pad portion 33G.
  • the semiconductor device A12 according to this modification also has the same functions and effects as the semiconductor device A1. Further, in the semiconductor device A12, like the semiconductor device A11, there is no need to bend each of the wires 6A to 6F at an angle close to a right angle, so that the formation of each of the wires 6A to 6F is facilitated.
  • FIG. 15 shows a semiconductor device A13 according to a third modification of the first embodiment.
  • the semiconductor device A13 differs from the semiconductor device A1 in the following points. That is, as shown in FIG. 15, the shapes and sizes of the electrodes 113 on the element main surface 11a of each first switching element 11 in plan view are different. In each second switching element 12, the shape and size of the electrode 123 in plan view are different.
  • the electrode 113 of each first switching element 11 has a band shape extending in the x direction in plan view.
  • the electrode 123 of each second switching element 12 has a band shape extending in the x direction in plan view.
  • each third switching element 21 and the electrode 223 of each fourth switching element 22 are similar to the electrode 113 of each first switching element 11 and the electrode 123 of each second switching element 12, The shape and size in plan view may be changed.
  • the semiconductor device A13 according to this modification also has the same functions and effects as the semiconductor device A1. Moreover, in the semiconductor device A13, the formation of each wire 62G, 62H becomes easy because of the following. In the semiconductor device A13, the electrode 113 of each first switching element 11 is larger than the electrode 113 of each first switching element 11 of the semiconductor device A1, so the area where each wire 62G can be bonded becomes larger. Thereby, in the semiconductor device A13, the degree of freedom in the bonding position of each wire 62G with respect to the electrode 113 of each first switching element 11 is increased, so that formation of each wire 62G is facilitated. Furthermore, the degree of freedom in arranging each wiring portion 541A, 542A, and 543A is also increased.
  • each second switching element 12 since the electrode 123 of each second switching element 12 is larger than the electrode 123 of each second switching element 12 of the semiconductor device A1, the area where each wire 62H can be bonded becomes larger. Accordingly, in the semiconductor device A13, the degree of freedom in the bonding position of each wire 62H to the electrode 123 of each second switching element 12 is increased, so that formation of each wire 62H is facilitated. Furthermore, the degree of freedom in arranging each wiring portion 541B, 542B, and 543B is also increased. This also applies to the wire 62Q joined to the electrode 213 of each third switching element 21 and the wire 62J joined to the electrode 223 of each fourth switching element 22.
  • FIG. 16 shows a semiconductor device A14 according to a fourth modification of the first embodiment.
  • the semiconductor device A14 differs from the semiconductor device A1 in the following points. That is, as shown in FIG. 16, in each first switching element 11, a plurality of electrodes 113 are arranged on the main element surface 11a. Further, in each second switching element 12, a plurality of electrodes 123 are arranged on the element main surface 12a. Although not shown, in each third switching element 21, a plurality of electrodes 213 may be arranged on the element main surface 21a, and in each fourth switching element 22, a plurality of electrodes 223 may be arranged on the element main surface 22a. may be placed.
  • the semiconductor device A14 according to this modification also has the same functions and effects as the semiconductor device A1. Moreover, in the semiconductor device A14, the formation of each wire 62G, 62H becomes easy because of the following. In the semiconductor device A14, since each first switching element 11 has a plurality of electrodes 113, the degree of freedom in the bonding position of each wire 62G is increased. Therefore, in the semiconductor device A14, each wire 62G can be easily formed. Furthermore, the degree of freedom in arranging each wiring portion 541A, 542A, and 543A is also increased. Similarly, in the semiconductor device A14, since each second switching element 12 has a plurality of electrodes 123, the degree of freedom in the bonding position of each wire 62H is increased.
  • each wire 62H can be easily formed. Furthermore, the degree of freedom in arranging each wiring portion 541B, 542B, and 543B is also increased. This also applies to the wire 62Q joined to the electrode 213 of each third switching element 21 and the wire 62J joined to the electrode 223 of each fourth switching element 22.
  • FIG. 17 shows a semiconductor device A15 according to a fifth modification of the first embodiment.
  • the semiconductor device A15 differs from the semiconductor device A1 in the following points. That is, as shown in FIG. 17, in each first switching element 11, the arrangement of the electrodes 113 on the element main surface 11a is different. Further, in each of the second switching elements 12, the arrangement of the electrodes 123 on the element main surface 12a is different.
  • the electrode 113 of the first switching element 11A and the electrode 123 of the second switching element 12A are aligned based on the relative positional relationship between the mounting portion 31B and the first control element 8A. It is located. Specifically, since the mounting portion 31B is located on the x1 side of the first control element 8A in the x direction, the electrode 113 of the first switching element 11A and the electrode 123 of the second switching element 12A are It is placed on the x2 side of the direction.
  • the electrode 113 of the first switching element 11B and the electrode 123 of the second switching element 12B are aligned based on the relative positional relationship between the mounting portion 31C and the first control element 8A. It is located. Specifically, since the mounting portion 31C is located on the y2 side of the first control element 8A in the y direction, the electrode 113 of the first switching element 11B and the electrode 123 of the second switching element 12B are It is arranged on the y1 side in the y direction.
  • the electrode 113 of the first switching element 11C and the electrode 123 of the second switching element 12C are aligned based on the relative positional relationship between the mounting portion 31D and the first control element 8A. It is located. Specifically, since the mounting portion 31D is located on the x2 side of the first control element 8A in the x direction, the electrode 113 of the first switching element 11C and the electrode 123 of the second switching element 12C are It is placed on the x1 side of the direction.
  • the electrode 113 of each first switching element 11 and the electrode 123 of each second switching element 12 are located on the side where the first control element 8A is located, with the first control element 8A as the center. Placed.
  • the semiconductor device A15 according to this modification also has the same functions and effects as the semiconductor device A1.
  • FIG. 18 shows a semiconductor device A16 according to a sixth modification of the first embodiment.
  • the semiconductor device A16 differs from the semiconductor device A15 (fifth modification of the first embodiment) in the following points. That is, as shown in FIG. 18, the electrodes 113 of the first switching element 11B and the electrodes 123 of the second switching element 12B are arranged differently.
  • the electrode 113 of the first switching element 11B and the electrode 123 of the second switching element 12B are arranged on sides facing each other in the x direction. With this configuration, the electrodes 113 of each first switching element 11 and the electrodes 123 of each second switching element 12 are arranged symmetrically with respect to the center of the first control element 8A in the x direction.
  • the semiconductor device A16 according to this modification also has the same functions and effects as the semiconductor device A1.
  • FIG. 19 shows a semiconductor device A17 according to a seventh modification of the first embodiment.
  • the semiconductor device A17 differs from the semiconductor device A1 in the following points. That is, as shown in FIG. 19, the electrode 113 of each first switching element 11 is arranged on the x2 side in the x direction, whereas the electrode 123 of each second switching element 12 is arranged on the y1 side in the y direction. placed on the side. In other words, the arrangement of control electrodes (for example, gates) is changed depending on the type of switching element.
  • control electrodes for example, gates
  • the semiconductor device A17 according to this modification also has the same functions and effects as the semiconductor device A1. Furthermore, in the semiconductor device A17, the arrangement of the control electrodes (for example, gates) is changed for each type of switching element, so that each first switching element 11 and each second switching element 12 have the same shape (or Even if they have substantially the same shape) and the same size (or substantially the same size) and are difficult to distinguish, it becomes possible to distinguish the first switching element 11 and the second switching element 12.
  • the control electrodes for example, gates
  • the electrode 213 of each third switching element 21 and the electrode 223 of each fourth switching element 22 are also connected to each first switching element 11. may be arranged in the same manner as the electrode 113 of and the electrode 123 of each second switching element 12.
  • FIGS. 20 and 21 show a semiconductor device A18 according to an eighth modification of the first embodiment.
  • the semiconductor device A18 differs from the semiconductor device A1 in the following points. That is, as shown in FIGS. 20 and 21, the size of each first switching element 11 in plan view and the size of each third switching element 21 in plan view are each large.
  • each first switching element 11 contains Si as a semiconductor material
  • each second switching element 12 contains SiC as a semiconductor material.
  • the on-resistance of the first switching element 11 is greater than the on-resistance of the second switching element 12. can also become large. Therefore, in the semiconductor device A18, as shown in FIG. 20, the planar view size of the first switching element 11 is made larger than the planar view size of the first switching element 11 of the semiconductor device A1. As a result, the on-resistance of the first switching element 11 becomes smaller and has a characteristic value close to the on-resistance of the second switching element 12.
  • each third switching element 21 contains Si as a semiconductor material
  • each fourth switching element 22 contains SiC as a semiconductor material.
  • the on-resistance of the third switching element 21 is equal to the on-resistance of the fourth switching element 22. It can be larger than. Therefore, in the semiconductor device A18, as shown in FIG. 21, the planar view size of the third switching element 21 is made larger than the planar view size of the third switching element 21 of the semiconductor device A1. Thereby, the on-resistance of the third switching element 21 is reduced to a characteristic value close to the on-resistance of the fourth switching element 22.
  • the semiconductor device A18 according to this modification also has the same functions and effects as the semiconductor device A1. Further, as understood from the modification, the semiconductor device of the present disclosure is not limited to a configuration in which the first switching element 11 and the second switching element 12 have the same (or substantially the same) size in plan view, This also includes configurations in which each of these sizes in plan view is different. This also applies to the third switching element 21 and the fourth switching element 22.
  • FIG. 22 and 23 show a semiconductor device A2 according to the second embodiment.
  • the semiconductor device A2 differs from the semiconductor device A1 in the following points. That is, in the semiconductor device A2, as shown in FIG. 22, the first switching element 11 and the second switching element 12 and first protection elements 13 are arranged along the y direction. Furthermore, in the semiconductor device A2, as shown in FIG. 22 and second protection elements 23 are arranged along the y direction.
  • each of the mounting portions 31B, 31C, and 31D has a band shape extending in the y direction when viewed from above.
  • the separation distance d3 between the mounting portion 31B and the mounting portion 31C in the x direction (see FIG. 22) and the separation distance d4 between the mounting portion 31C and the mounting portion 31D in the x direction are respectively , larger than the semiconductor device A1.
  • a part of the wiring part 541A and a part of the wiring part 541B are each located on the x2 side of the mounting part 31B in the x direction.
  • a part of the wiring part 541A and a part of the wiring part 541B are respectively arranged between the two mounting parts 31B and 31C in the x direction, and are sandwiched between them.
  • a portion of the wiring portion 542A and a portion of the wiring portion 542B are each located on the x2 side of the mounting portion 31C in the x direction.
  • a part of the wiring part 542A and a part of the wiring part 542B are respectively arranged between the two mounting parts 31C and 31D in the x direction, and are sandwiched between them. ing.
  • a part of the wiring part 543A and a part of the wiring part 543B are each located on the x2 side of the mounting part 31D in the x direction.
  • part of the wiring part 541A and part of the wiring part 541B may each be located on the x1 side of the mounting part 31B in the x direction, or one part of the wiring part 542A may be located on the x1 side of the mounting part 31B in the x direction.
  • a portion of the wiring portion 542B may be located on the x1 side of the mounting portion 31C in the x direction, or a portion of the wiring portion 543A and a portion of the wiring portion 543B may be located on the x side of the mounting portion 31D. It may be located on the x1 side of the direction.
  • each mounting portion 311A, 312A, 313A has a band shape extending in the y direction when viewed from above.
  • the distal end of the mounting section 311A and the distal end of the mounting section 312A are spaced apart in the x direction, and the base end of the mounting section 311A and the base end of the mounting section 312A are connected to each other.
  • the distal end of the mounting section 312A and the distal end of the mounting section 313A are spaced apart in the x direction, and the base end of the mounting section 312A and the base end of the mounting section 313A are connected to each other.
  • each tip of each mounting part 311A, 312A, 313A is an end on the y1 side in the y direction
  • each base end of each mounting part 311A, 312A, 313A is an end on the y direction. This is the end on the y2 side.
  • each of the wiring portions 544A, 544B, and 544C is located on the x2 side of the mounting portion 311A in the x direction.
  • a part of each of the wiring parts 544A, 544B, and 544C is arranged between and sandwiched between the two mounting parts 311A and 312A in the x direction.
  • a portion of each of the wiring portions 545A, 545B, and 545C is located on the x2 side of the mounting portion 312A in the x direction.
  • each of the wiring sections 545A, 545B, and 545C is disposed between and sandwiched between the two mounting sections 312A and 313A in the x direction.
  • a portion of each of the wiring portions 546A, 546B, and 546C is located on the x2 side of the mounting portion 313A in the x direction.
  • each of the wiring portions 544A, 544B, and 544C may be located on the x1 side of the mounting portion 311A in the x direction, or each of the wiring portions 545A, 545B, and 545C may be located on the x1 side of the mounting portion 311A in the may be located on the x1 side of the mounting portion 312A in the x direction, or a portion of each of the wiring portions 546A, 546B, and 546C may be located on the x1 side of the mounting portion 313A in the x direction. You may do so.
  • the semiconductor device A2 also has the same functions and effects as the semiconductor device A1.
  • the semiconductor device A2 has a more preferable structure in which a plurality of switching elements (the first switching element 11 and the second switching element 12) are operated as one first switch section 1.
  • the semiconductor device A2 in each of the first switch sections 1 (each of the first arm 1A, the second arm 1B, and the third arm 1C), the first switching element 11, the second switching element 12, and the first protection element 13 are arranged along the y direction.
  • each second switch section 2 (each of the fourth arm 2A, the fifth arm 2B, and the sixth arm 2C), the third switching element 21, the fourth switching element 22, and the second protection element 23 are arranged in the y direction. arranged along the According to this configuration, the size in the x direction can be reduced compared to the semiconductor device A1.
  • the semiconductor device A3 differs from the semiconductor device A1 in the following points. That is, in the semiconductor device A3, as shown in FIG. 24, in each of the first arm 1A and the third arm 1C, the first switching element 11, the second switching element 12, and the first protection element 13 are arranged along the y direction. are arranged. Further, in the semiconductor device A3, as shown in FIG. 25, in each of the fourth arm 2A and the sixth arm 2C, the third switching element 21, the fourth switching element 22, and the second protection element 23 are arranged along the y direction. are arranged.
  • the semiconductor device A3 has the following relationship among the plurality of mounting parts 31B, 31C, and 31D.
  • the edge 301 of the mounting portion 31B on the y1 side in the y direction and the edge 303 of the mounting portion 31D on the y1 side in the y direction are at the same (or substantially the same) position in the y direction.
  • the edge 302 of the mounting portion 31C on the y1 side in the y direction is located on the y2 side in the y direction with respect to the aforementioned edges 301 and 303.
  • the mounting portion 31C is arranged so as to be recessed relative to the two mounting portions 31B and 31D.
  • each of the wiring portions 541A, 542A, 543A, 541B, 542B, and 543B is located between the mounting portion 31B and the mounting portion 31D.
  • the semiconductor device A3 has the following relationship among the plurality of mounting parts 311A, 312A, and 313A.
  • the edge 304 of the mounting portion 311A on the y1 side in the y direction and the edge 306 of the mounting portion 313A on the y1 side in the y direction are at the same (or substantially the same) position in the y direction.
  • the edge 305 on the y1 side in the y direction of the mounting portion 312A is located on the y2 side in the y direction with respect to the aforementioned edges 304 and 306.
  • the mounting portion 312A is arranged to be recessed relative to the two mounting portions 311A and 313A in a plan view, and the plurality of mounting portions 311A, 312A, and 313A as a whole are Formed in a letter shape.
  • each of the wiring portions 544A, 545A, 546A, 544B, 545B, 546B, 544C, 545C, and 546C is located between the mounting portion 311A and the mounting portion 313A. To position.
  • the semiconductor device A3 also has the same functions and effects as the semiconductor devices A1 and A2.
  • the semiconductor device A3 has a configuration in which a plurality of switching elements (the first switching element 11 and the second switching element 12) operate as one first switch section 1, like the semiconductor devices A1 and A2. This results in a preferable structure.
  • the first switching element 11, the second switching element 12, and the first protection element 13 are arranged along the y direction in the first arm 1A and the third arm 1C.
  • the third switching element 21, the fourth switching element 22, and the second protection element 23 are arranged along the y direction. According to this configuration, the size in the x direction can be reduced compared to the semiconductor device A1.
  • FIG. 26 and 27 show a semiconductor device A4 according to the fourth embodiment.
  • the semiconductor device A4 differs from the semiconductor device A3 in the following points. That is, in the semiconductor device A4, as shown in FIG. 26, in the second arm 1B, the first switching element 11B, the second switching element 12B, and the first protection element 13B are arranged along the x direction. Further, in the semiconductor device A4, as shown in FIG. 27, in the fifth arm 2B, a third switching element 21B, a fourth switching element 22B, and a second protection element 23B are arranged along the x direction.
  • the first switching element 11B, the second switching element 12B, and the first protection element 13B are arranged along the x direction, so as shown in FIG. , is located further on the y2 side in the y direction than the edge 301 of the mounting portion 31B and the edge 303 of the mounting portion 31D.
  • the third switching element 21B, the fourth switching element 22B, and the second protection element 23B are arranged along the x direction, so that the ends of the mounting portion 312A are arranged as shown in FIG.
  • the edge 305 is located further toward the y2 side in the y direction than the edge 304 of the mounting portion 311A and the edge 306 of the mounting portion 313A.
  • the semiconductor device A4 according to the present embodiment also has the same functions and effects as each of the semiconductor devices A1 to A3.
  • the semiconductor device A4 has a configuration in which a plurality of switching elements (the first switching element 11 and the second switching element 12) operate as one first switch unit 1, and the This results in a desirable structure.
  • the first control element 8A may be arranged in a region defined by the three mounting parts 31B, 31C, and 31D in plan view.
  • the area defined by the three mounting parts 31B, 31C, and 31D is an area formed by arranging the mounting part 31C so as to be recessed with respect to the two mounting parts 31B and 31D.
  • the second control element 8B may be arranged in a region defined by the three mounting parts 311A, 312A, and 313A in plan view.
  • the area defined by the three mounting parts 311A, 312A, and 313A is an area formed by arranging the mounting part 312A so as to be recessed with respect to the two mounting parts 311A and 313A.
  • the semiconductor device A5 differs from the semiconductor device A1 in the following points. That is, compared to the wiring pattern 52 of the semiconductor device A1, the wiring pattern 52 of the semiconductor device A5 further includes a plurality of wiring portions 52A to 52P and a plurality of bonding portions 53A to 53D.
  • the plurality of wiring parts 52A to 52P and the plurality of joint parts 53A to 53D are, for example, made of the same material as the plurality of wiring parts 541A, 541B, 542A, 542B, 543A, 543B, 544A to 544C, 545A to 545C, and 546A to 546C. They are formed by the same forming method.
  • the wiring part 52H and the wiring part 52O are integrally formed, and the other parts are spaced apart from each other. Unlike this example, the wiring portion 52H and the wiring portion 52O may be spaced apart from each other.
  • the wiring portion 52A, the wiring portion 52B, and the wiring portion 52C are arranged on the x1 side in the x direction with respect to the wiring portion 52D.
  • a wire 6L connected to the second control element 8B and an electronic component 89U are joined to the wiring portion 52A. Further, the lead 4A is joined to the wiring portion 52A.
  • the wire 6L and the electronic component 89V, which are bonded to the second control element 8B, are bonded to the wiring portion 52B. Further, the lead 4B is joined to the wiring portion 52B.
  • the wire 6L and the electronic component 89W that are bonded to the second control element 8B are bonded to the wiring portion 52C. Further, the lead 4C is joined to the wiring portion 52C.
  • the wiring portion 52D is arranged on the x2 side in the x direction than the wiring portion 52C.
  • the wire 6L connected to the second control element 8B is connected to the wiring portion 52D.
  • a lead 4D is joined to the wiring portion 52D.
  • the plurality of wiring parts 52E, 52F, and 52G are arranged on the x2 side in the x direction with respect to the wiring part 52D.
  • Wires 6L connected to the second control element 8B are connected to the plurality of wiring parts 52E, 52F, and 52G, respectively.
  • a corresponding one of the plurality of leads 4E, 4F, and 4G is connected to each of the plurality of wiring portions 52E, 52F, and 52G.
  • a second control element 8B is mounted on the wiring section 52H. Further, the lead 4H is joined to the wiring portion 52H.
  • the wiring section 52H includes a pad section 521H, as shown in FIG. 28.
  • the pad portion 521H is a portion of the wiring portion 52H to which the second control element 8B is bonded.
  • the pad portion 521H has a rectangular shape in plan view.
  • the first control element 8A is mounted on the wiring section 52R. Further, the lead 4R is joined to the wiring portion 52R.
  • the wiring section 52R includes a pad section 521R, as shown in FIG. 28.
  • the pad portion 521R is a portion of the wiring portion 52R to which the first control element 8A is bonded.
  • the pad portion 521R has a rectangular shape in plan view.
  • the plurality of wiring parts 52Q, 52J, 52K, 52L, 52M, and 52N are arranged on the x2 side in the x direction with respect to the wiring part 52H.
  • Wires 6L connected to the first control element 8A are connected to the plurality of wiring parts 52Q, 52J, 52K, 52L, 52M, and 52N, respectively.
  • each of the plurality of wiring portions 52Q, 52J, 52K, 52L, 52M, and 52N has a corresponding one of the plurality of leads 4Q, 4J, 4K, 4L, 4M, and 4N. Joined.
  • the lead 4P is connected to the wiring portion 52P.
  • the wire 6L is not joined to the wiring portion 52P.
  • the parts where the leads 4A to 4H, 4J to 4N, and 4P to 4R corresponding to the wiring parts 52A to 52P are joined. are arranged along the periphery of the support substrate 51 in plan view.
  • the plurality of joints 53A to 53D are each formed on the support substrate 51.
  • each of the joint parts 53A to 53D is formed on the first surface 511 of the support substrate 51, similarly to each of the wiring parts 52A to 52H, 52J to 52N, and 52P to 52R.
  • the joint 53A is arranged below the mounting parts 311A, 312A, 313A of the lead 3A (z2 side in the z direction), and the joint 53B is arranged below the mounting part 31B of the lead 3B.
  • each bonding portion 53A to 53D is not particularly limited, and may be any material that can bond support substrate 51 to each lead 3A to 3D.
  • Each joint 53A to 53D is made of, for example, a conductive material.
  • the conductive material constituting each of the joints 53A to 53D is not particularly limited, but includes, for example, materials containing Ag, Cu, Au, and the like.
  • Each of the joint portions 53A to 53D includes the same conductive material that constitutes each of the wiring portions 52A to 52H, 52J to 52N, and 52P to 52R.
  • each of the joint portions 53A to 53D may contain copper instead of silver, or may contain gold instead of silver or copper.
  • each joint portion 53A to 53D may contain Ag-Pt or Ag-Pd.
  • the method of forming each of the joint parts 53A to 53D is not limited, and for example, similarly to each of the wiring parts 52A to 52H, 52J to 52N, and 52P to 52R, a paste containing these metals may be printed and then fired. It is formed.
  • the material of each joint 53A to 53D may not be electrically conductive.
  • the wiring pattern 52 does not have to include each of the plurality of joints 53A to 53D.
  • the plurality of leads 4A to 4H, 4J to 4N, and 4P to 4R are each connected to the wiring pattern 52. Also.
  • the semiconductor device A5 further includes a lead 4Z compared to the semiconductor device A1.
  • the plurality of leads 4A to 4H, 4J to 4N, and 4P to 4R are arranged on the x2 side in the x direction with respect to the lead 4Z.
  • lead 4A will be described in detail, but other leads 4B to 4H, 4J to 4N, and 4P to 4R also include similar constituent parts.
  • the lead 4A includes a terminal portion 42A, a connecting portion 44A, and a joining portion 46A, as shown in FIG. 28 and the like.
  • the terminal portion 42A of the semiconductor device A5 is configured similarly to the terminal portion 42A of the semiconductor device A1.
  • the connecting portion 44A connects the terminal portion 42A and the joint portion 46A.
  • the bonding portions 46A are bonded to the wiring portions 52A via the conductive bonding material 49, respectively.
  • the bonding portions 46B (46C to 46H, 46J to 46N, 46P to 46R) are bonded to the wiring portions 52B (52C to 52H, 52J to 52N, 52P to 52R), respectively, via the conductive bonding material 49. Ru.
  • the conductive bonding material 49 is, for example, solder, metal paste material, sintered metal, or the like.
  • a through hole 461C is formed in the joint portion 46C. Unlike this configuration, the through hole 461C does not need to be formed in the joint portion 46C. Further, although through holes are formed in the other joint portions 46A, 46B, 46D to 46H, 46J to 46N, and 46P to 46R, the through holes may not be formed.
  • the lead 4Z is arranged on the x1 side in the x direction with respect to the lead 4A.
  • the lead 4Z is not electrically connected to any of the plurality of first switch sections 1, the plurality of second switch sections 2, the first control element 8A, and the second control element 8B.
  • the lead 4Z includes a pad portion 43Z and a protruding portion 45Z, as shown in FIG. 28. The pad portion 43Z and the protruding portion 45Z are connected.
  • the pad portion 43Z is covered with the sealing member 7. As shown in FIG. 28, the pad portion 43Z does not overlap the support substrate 51 in plan view. As shown in FIG. 28, the protruding portion 45Z extends from the pad portion 43Z toward the y1 side in the y direction, and protrudes from the sealing member 7.
  • the semiconductor device A5 according to the present embodiment can also have the same functions and effects as the semiconductor device A1.
  • the semiconductor device A5 has a more preferable structure in which a plurality of switching elements (the first switching element 11 and the second switching element 12) are operated as one first switch section 1. Become.
  • the semiconductor device A5 includes a support substrate 51 and a wiring pattern 52 formed on the first surface 511.
  • the wiring pattern 52 includes a plurality of wiring parts 52A to 52H, 52J to 52N, 52P to 52R, and the plurality of wiring parts 52A to 52H, 52J to 52N, 52P to 52R are connected to the first control element 8A and the second control element.
  • 8B transmits a control signal (for example, the above-mentioned first input signal and the above-mentioned second input signal) for controlling the plurality of first switch sections 1 and the plurality of second switch sections 2, and the control signal of the control signal is Configure the transmission route.
  • the plurality of wiring parts 52A to 52H, 52J to 52N, and 52P to 52R are formed by, for example, printing a paste containing Ag and then firing it. According to this configuration, it is possible to make the transmission path thinner and higher in density than, for example, when the transmission path of the control signal is configured using a metal lead frame. Therefore, the semiconductor device A5 can be highly integrated.
  • each first switch section 1 (each of the first arm 1A, second arm 1B, and third arm 1C) has a first protection element 13. do not have.
  • each second switch section 2 (fourth arm 2A, fifth arm 2B, and sixth arm 2C) does not have the second protection element 23.
  • the first switching element 11 of each first switch section 1 is a reverse conduction IGBT, and includes a switching function section and a diode function section, as shown in FIG.
  • the switching function section operates as an IGBT
  • the diode function section operates as a freewheeling diode. That is, each first switching element 11 of this embodiment includes a diode function section (freewheeling diode).
  • each first switching element 11 is a single chip of the first switching element 11 and the first protection element 13 of the semiconductor device A1, and includes a diode function section (freewheeling diode). As shown in FIG. 36, in each first switching element 11, the switching function section and the diode function section are electrically connected in antiparallel relationship.
  • each third switching element 21 of each second switch section 2 is a reverse conduction IGBT, and as shown in FIG. 36, includes a switching function section and a diode function section.
  • the switching function section operates as an IGBT
  • the diode function section operates as a freewheeling diode. That is, each third switching element 21 of this embodiment includes a diode function section (freewheeling diode).
  • each third switching element 21 is obtained by combining the third switching element 21 and the second protection element 23 of the semiconductor device A1 into one chip.
  • the switching function section and the diode function section are electrically connected in antiparallel relationship.
  • the semiconductor device A6 according to the present embodiment also has the same functions and effects as the semiconductor device A1.
  • the semiconductor device A6 has a more preferable structure in which a plurality of switching elements (the first switching element 11 and the second switching element 12) are operated as one first switch section 1. Become.
  • each of the semiconductor devices A2 to A6 described above may be configured in the same manner as each modification of the semiconductor device A1 as long as there is no technical contradiction.
  • each first switching element 11 and each third switching element 21 having a larger plan view size may be respectively arranged.
  • imaginary lines show the case where each first switching element 11 and each third switching element 21 having a larger plan view size are arranged.
  • the plurality of first switching elements 11, the plurality of second switching elements 12, and the plurality of first protection elements of each mounting section 311A, 312A, 313A, 31B, 31C, 31D The surplus portion in which none of the element 13, the plurality of third switching elements 21, the plurality of fourth switching elements 22, and the plurality of second protection elements 23 are mounted may be further reduced. Reducing the surplus portion in this way is preferable in reducing the planar view size of the semiconductor device.
  • the semiconductor device according to the present disclosure is not limited to the embodiments described above.
  • the specific configuration of each part of the semiconductor device of the present disclosure can be modified in various ways.
  • the semiconductor device of the present disclosure includes embodiments related to the following additional notes. Additional note 1. a plurality of first switch parts each having a first switching element and a second switching element; a first control element that inputs a first drive signal to the first switching element and the second switching element of each of the plurality of first switch sections; at least one lead on which the first switching element and the second switching element of each of the plurality of first switch parts are mounted; a wiring pattern including a plurality of first wiring parts and a plurality of second wiring parts spaced apart from each other; a support substrate on which the wiring pattern is formed; a plurality of first connection members individually connected to the plurality of first wiring parts; a plurality of second connection members individually connected to the plurality of first wiring parts; a plurality of third connection members individually connected to the plurality of second wiring parts; a plurality of fourth connection members individually
  • the first switching element of each of the plurality of first switch sections is an IGBT
  • the semiconductor device according to appendix 1, wherein the second switching element of each of the plurality of first switch sections is a MOSFET.
  • Appendix 3 The semiconductor device according to appendix 1 or 2, wherein each of the plurality of first switch sections includes a diode function section. Appendix 4.
  • the plurality of first switch parts include a first arm, a second arm, and a third arm each having a first switching element and a second switching element,
  • the first arm, the second arm, and the third arm are arranged in a first direction perpendicular to the thickness direction of the support substrate,
  • the semiconductor device according to any one of appendices 1 to 5, wherein the second arm is located between the first arm and the third arm in the first direction.
  • the at least one lead includes a first mounting part, a second mounting part, and a third mounting part, A first switching element and a second switching element of the first arm are mounted on the first mounting part, A first switching element and a second switching element of the second arm are mounted on the second mounting part,
  • the semiconductor device according to appendix 6 wherein the first switching element and the second switching element of the third arm are mounted on the third mounting part.
  • Supplementary note, wherein the first control element is located on one side in a second direction perpendicular to the thickness direction and the first direction, with respect to the first mounting part, the second mounting part, and the third mounting part. 7.
  • the first switching element and the second switching element of the first arm are arranged in the first direction in the first mounting part
  • the first switching element and the second switching element of the second arm are arranged in the first direction in the second mounting part
  • the first switching element and the second switching element of the third arm are arranged in the first direction in the third mounting part
  • Each of the plurality of first wiring portions and each of the plurality of second wiring portions are located closer to one side in the second direction than the first mounting portion, the second mounting portion, and the third mounting portion.
  • the first switching element and the second switching element of the first arm are arranged in the second direction in the first mounting part
  • the first switching element and the second switching element of the second arm are arranged in the second direction in the second mounting part
  • the first switching element and the second switching element of the third arm are arranged in the second direction in the third mounting part
  • a part of the first wiring part that is electrically connected to the first switching element of the first arm and a part of the second wiring part that is electrically connected to the second switching element of the first arm are arranged such that, in the first direction, disposed between the first mounting section and the second mounting section
  • a part of the first wiring part that is electrically connected to the first switching element of the second arm and a part of the second wiring part that is electrically connected to the second switching element of the second arm are arranged such that, in the first direction
  • the semiconductor device according to appendix 8 which is disposed between the second mounting section and the third mounting section.
  • the edge on one side in the second direction of the second mounting part is the edge on one side in the second direction of the first mounting part and the edge on one side in the second direction of the third mounting part. located on the other side in the second direction than the edge;
  • Each of the plurality of first wiring parts and each of the plurality of second wiring parts are arranged on one side in the second direction than the second mounting part, A part of each of the plurality of first wiring parts and a part of each of the plurality of second wiring parts are arranged between the first mounting part and the third mounting part in the first direction.
  • the at least one lead includes a first lead, a second lead, and a third lead spaced apart from each other,
  • the first lead includes the first mounting part
  • the second lead includes the second mounting part
  • the semiconductor device according to any one of attachments 7 to 11, wherein the third lead includes the third mounting portion.
  • Appendix 13 a plurality of second switch parts each having a third switching element and a fourth switching element; a second control element that inputs a second drive signal to the third switching element and the fourth switching element of each of the plurality of second switch sections;
  • the semiconductor device according to any one of Supplementary notes 6 to 12, further comprising: Appendix 14.
  • the plurality of second switch parts include a fourth arm, a fifth arm, and a sixth arm each having a third switching element and a fourth switching element,
  • the fourth arm, the fifth arm, and the sixth arm are arranged in a first direction perpendicular to the thickness direction,
  • the semiconductor device according to attachment 13 wherein the fifth arm is located between the fourth arm and the sixth arm in the first direction.
  • the at least one lead includes a fourth mounting part, a fifth mounting part, and a sixth mounting part, A third switching element and a fourth switching element of the fourth arm are mounted on the fourth mounting part, A third switching element and a fourth switching element of the fifth arm are mounted on the fifth mounting part, 15.
  • the semiconductor device according to appendix 14 wherein a third switching element and a fourth switching element of the sixth arm are mounted on the sixth mounting part.
  • the at least one lead includes a fourth lead;
  • the semiconductor device according to appendix 15, wherein the fourth lead includes the fourth mounting section, the fifth mounting section, and the sixth mounting section.
  • the first arm is a lower arm
  • the fourth arm is an upper arm
  • the first arm and the fourth arm are electrically connected in series to form a first phase of a three-phase AC circuit
  • the second arm is a lower arm
  • the fifth arm is an upper arm
  • the second arm and the fifth arm are electrically connected in series to constitute a second phase of the three-phase AC circuit
  • the third arm is a lower arm
  • the sixth arm is an upper arm
  • the third arm and the sixth arm are electrically connected in series to constitute a third phase of the three-phase AC circuit.
  • A1, A11 to A18, A2 to A6 semiconductor device 10U: first phase 10V: second phase 10W: third phase 1: first switch section 1A: first arm 1B: second arm 1C: third arm 11, 11A, 11B, 11C: First switching element 11a: Element main surface 11b: Element back surface 111, 112, 113: Electrode 12, 12A, 12B, 12C: Second switching element 12a: Element main surface 12b: Element back surface 121, 122 , 123: Electrodes 13, 13A, 13B, 13C: First protection element 13a: Element main surface 13b: Element back surface 131, 132: Electrode 19: Conductive bonding material 2: Second switch part 2A: Fourth arm 2B: Fourth 5 arm 2C: Sixth arm 21, 21A, 21B, 21C: Third switching element 21a: Element main surface 21b: Element back surface 211, 212, 213: Electrode 22, 22A, 22B, 22C: Fourth switching element 22a: Element Main surface 22b: Element back

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

半導体装置は、複数の第１スイッチ部と、第１制御素子と、配線パターンと、複数のワイヤとを備える。前記複数の第１スイッチ部の各々は、互いに電気的に並列に接続された第１スイッチング素子および第２スイッチング素子を有する。前記配線パターンは、第１配線部（配線部）および第２配線部（配線部）を含む。各第１スイッチ部に対して、前記第１制御素子は、前記第１スイッチング素子に、前記ワイヤおよび前記第１配線部を介して導通し、かつ、前記第２スイッチング素子に、前記ワイヤおよび前記第２配線部を介して導通する。

Description

半導体装置
　本開示は、半導体装置に関する。
　従来、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）およびＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などのスイッチング素子を備える半導体装置が知られている。たとえば、特許文献１には、従来の半導体装置の一例が開示されている。特許文献１に記載の半導体装置は、たとえばモータの駆動制御に用いられるインテリジェントパワーモジュール（Intelligent Power Module、以下「ＩＰＭ」という）である。当該半導体装置は、上記スイッチング素子としてのパワー半導体チップを備える。当該パワー半導体チップは、ＩＧＢＴ、または、ＭＯＳＦＥＴなどである。
特開２０２０－４８９３号公報
　半導体装置において、１つのスイッチング素子に、他のスイッチング素子を並列に接続して、これらのスイッチング素子を１つのスイッチ部としてスイッチング動作させることがある。たとえば、半導体装置の許容電流を確保すること、スイッチング素子に入力される電圧および電流を抑制すること、あるいは、電力損失を抑制することなどを目的として、複数のスイッチング素子を並列に接続してスイッチングさせる。一方で、特許文献１に記載の半導体装置においては、各スイッチング素子に他のスイッチング素子を並列に接続する際に、未だ改善の余地があった。
　本開示は、従来より改良が施された半導体装置を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記した事情に鑑み、互いに並列に接続された複数のスイッチング素子を１つのスイッチ部として動作させる構成において、より好ましい構造を有する半導体装置を提供することをその一の課題とする。
　本開示の一の側面によって提供される半導体装置は、各々が第１スイッチング素子および第２スイッチング素子を有する複数の第１スイッチ部と、前記複数の第１スイッチ部の各々の前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子に第１駆動信号を入力する第１制御素子と、前記複数の第１スイッチ部の各々の前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子が搭載される少なくとも１つのリードと、互いに離間する複数の第１配線部および複数の第２配線部を含む配線パターンと、前記配線パターンが形成された支持基板と、前記複数の第１配線部に対して個別に接続される複数の第１接続部材と、前記複数の第１配線部に対して個別に接続される複数の第２接続部材と、前記複数の第２配線部に対して個別に接続される複数の第３接続部材と、前記複数の第２配線部に対して個別に接続される複数の第４接続部材と、を備える。前記複数の第１スイッチ部において、前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子は、互いに電気的に並列に接続され、且つ、互いに異なる種類であり、前記第１制御素子は、前記複数の第１スイッチ部の各々の前記第１スイッチング素子に、前記複数の第１接続部材のうちの対応する１つ、前記複数の第１配線部のうちの対応する１つおよび前記複数の第２接続部材のうちの対応する１つを介して導通し、かつ、前記複数の第１スイッチ部の各々の前記第２スイッチング素子に、前記複数の第３接続部材のうちの対応する１つ、前記複数の第２配線部のうちの対応する１つおよび前記複数の第４接続部材のうちの対応する１つを介して導通する。
　上記構成によれば、互いに並列に接続された複数のスイッチング素子を１つのスイッチ部として動作させる構成において、より好ましい構造とすることが可能である。
図１は、第１実施形態にかかる半導体装置を示す斜視図である。 図２は、第１実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。 図３は、図２の平面図において、封止部材を想像線で示した図である。 図４は、図３の一部を拡大した部分拡大図である。 図５は、図３の一部を拡大した部分拡大図である。 図６は、第１実施形態にかかる半導体装置を示す正面図である。 図７は、第１実施形態にかかる半導体装置を示す側面図（右側面図）である。 図８は、図３のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図９は、図３のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。 図１０は、図３のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。 図１１は、図３のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。 図１２は、第１実施形態にかかる半導体装置の回路構成例を示す図である。 図１３は、第１実施形態の第１変形例にかかる半導体装置を示す平面図であって、封止部材を想像線で示した図である。 図１４は、第１実施形態の第２変形例にかかる半導体装置を示す平面図であって、封止部材を想像線で示した図である。 図１５は、第１実施形態の第３変形例にかかる半導体装置を示す要部拡大平面図である。 図１６は、第１実施形態の第４変形例にかかる半導体装置を示す要部拡大平面図である。 図１７は、第１実施形態の第５変形例にかかる半導体装置を示す要部拡大平面図である。 図１８は、第１実施形態の第６変形例にかかる半導体装置を示す要部拡大平面図である。 図１９は、第１実施形態の第７変形例にかかる半導体装置を示す要部拡大平面図である。 図２０は、第１実施形態の第８変形例にかかる半導体装置を示す要部拡大平面図である。 図２１は、第１実施形態の第８変形例にかかる半導体装置を示す要部拡大平面図である。 図２２は、第２実施形態にかかる半導体装置を示す要部拡大平面図である。 図２３は、第２実施形態にかかる半導体装置を示す要部拡大平面図である。 図２４は、第３実施形態にかかる半導体装置を示す要部拡大平面図である。 図２５は、第３実施形態にかかる半導体装置を示す要部拡大平面図である。 図２６は、第４実施形態にかかる半導体装置を示す要部拡大平面図である。 図２７は、第４実施形態にかかる半導体装置を示す要部拡大平面図である。 図２８は、第５実施形態にかかる半導体装置を示す平面図であって、封止部材を想像線で示した図である。 図２９は、図２８の一部を拡大した部分拡大図である。 図３０は、図２８の一部を拡大した部分拡大図である。 図３１は、図２８のＸＸＸＩ－ＸＸＸＩ線に沿う断面図である。 図３２は、図２８のＸＸＸＩＩ－ＸＸＸＩＩ線に沿う断面図である。 図３３は、第６実施形態にかかる半導体装置を示す平面図であって、封止部材を想像線で示した図である。 図３４は、図３３の一部を拡大した部分拡大図である。 図３５は、図３３の一部を拡大した部分拡大図である。 図３６は、第６実施形態にかかる半導体装置の回路構成例を示す図である。
　本開示の半導体装置の好ましい実施の形態について、図面を参照して、以下に説明する。以下では、同一あるいは類似の構成要素に、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。
　本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」を含む。また、「ある方向に見てある物Ａがある物Ｂに重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。
　図１～図１２は、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１を示している。半導体装置Ａ１は、複数の第１スイッチ部１、複数の第２スイッチ部２、複数のリード３Ａ～３Ｇ，３Ｚ、複数のリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒ、支持基板５１、配線パターン５２、複数の接続部材６、封止部材７、第１制御素子８Ａ、第２制御素子８Ｂおよび複数の電子部品８９Ｕ，８９Ｖ，８９Ｗなどを備えている。複数の接続部材６は、複数のワイヤ６Ａ～６Ｆ，６Ｌ，６１Ｇ，６１Ｈ，６１Ｊ，６１Ｋ，６１Ｑ，６２Ｇ，６２Ｈ，６２Ｊ，６２Ｋ，６２Ｑを含む。半導体装置Ａ１の用途は、特に限定されないが、たとえばモータの駆動制御などに用いられるＩＰＭとして構成される。
　説明の便宜上、互いに直交する３つのｘ方向、ｙ方向、ｚ方向を参照する。ｚ方向は、半導体装置Ａ１の厚さ方向である。以下の説明において、ｚ方向の一方を上方、他方を下方ということがある。なお、「上」、「下」、「上方」、「下方」、「上面」および「下面」などの記載は、ｚ方向における各部品等の相対的位置関係を示すものであり、必ずしも重力方向との関係を規定する用語ではない。また、「平面視」とは、ｚ方向に見たときをいう。ｘ方向は、半導体装置Ａ１の平面図（図２および図３参照）における左右方向である。ｙ方向は、半導体装置Ａ１の平面図（図２および図３参照）における上下方向である。本実施形態では、ｘ方向は、特許請求の範囲に記載の「第１方向」の一例であり、ｙ方向は、特許請求の範囲に記載の「第２方向」の一例である。なお、ｘ方向の一方側をｘ方向のｘ１側、ｘ方向の他方側をｘ方向のｘ２側と称する。また、ｙ方向の一方側をｙ方向のｙ１側、ｙ方向の他方側をｙ方向のｙ２側と称する。また、ｚ方向の一方側をｚ方向のｚ１側、ｚ方向の他方側をｚ方向のｚ２側と称する。
　複数の第１スイッチ部１および複数の第２スイッチ部２は、半導体装置Ａ１の電気的機能を発揮する要素である。半導体装置Ａ１では、図１２に示すように、複数の第１スイッチ部１および複数の第２スイッチ部２によって、三相交流のインバータ回路が構成される。
　複数の第１スイッチ部１は、図３、図４および図１２に示すように、第１アーム１Ａ、第２アーム１Ｂおよび第３アーム１Ｃを含む。図４に示すように、第１アーム１Ａ、第２アーム１Ｂおよび第３アーム１Ｃは、ｘ方向に沿って配列される。第２アーム１Ｂは、ｘ方向において、第１アーム１Ａと第３アーム１Ｃとの間に位置する複数の第１スイッチ部１（第１アーム１Ａ、第２アーム１Ｂおよび第３アーム１Ｃ）の各々は、第１制御素子８Ａからの第１駆動信号に応じて、オン状態とオフ状態とが切り替わる。
　複数の第１スイッチ部１（第１アーム１Ａ、第２アーム１Ｂおよび第３アーム１Ｃ）はそれぞれ、第１スイッチング素子１１、第２スイッチング素子１２および第１保護素子１３を有する。説明の便宜上、第１アーム１Ａ、第２アーム１Ｂおよび第３アーム１Ｃの各第１スイッチング素子１１をそれぞれ、第１スイッチング素子１１Ａ、第１スイッチング素子１１Ｂ、第１スイッチング素子１１Ｃという。また、第１アーム１Ａ、第２アーム１Ｂおよび第３アーム１Ｃの各第２スイッチング素子１２をそれぞれ、第２スイッチング素子１２Ａ、第２スイッチング素子１２Ｂ、第２スイッチング素子１２Ｃといい、第１アーム１Ａ、第２アーム１Ｂおよび第３アーム１Ｃの各第１保護素子１３をそれぞれ、第１保護素子１３Ａ、第１保護素子１３Ｂ、第１保護素子１３Ｃという。以下で説明する第１スイッチング素子１１、第２スイッチング素子１２および第１保護素子１３は、特段の断りがない限り、各第１スイッチ部１（第１アーム１Ａ、第２アーム１Ｂおよび第３アーム１Ｃの各々）で共通する。
　第１スイッチング素子１１および第２スイッチング素子１２はそれぞれ、パワー系半導体素子である。第１スイッチング素子１１および第２スイッチング素子１２はそれぞれ、たとえばＩＧＢＴ、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳＦＥＴおよびＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）などのいずれかである。第１スイッチング素子１１および第２スイッチング素子１２は、互いに種類が異なる。本開示におけるスイッチング素子の種類とは、ＩＧＢＴ、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳＦＥＴ、ＨＥＭＴなどの構造の違いにより分類されたものである。図１２に示すように、半導体装置Ａ１では、第１スイッチング素子１１は、ＩＧＢＴであり、第２スイッチング素子１２は、ＭＯＳＦＥＴである。第１スイッチング素子１１および第２スイッチング素子１２はそれぞれ、半導体材料を含んで構成される。当該半導体材料は、たとえばＳｉＣ（炭化ケイ素）、Ｓｉ（シリコン）、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）あるいはＧａＮ（窒化ガリウム）などが採用される。半導体装置Ａ１では、第１スイッチング素子１１は、半導体材料としてＳｉを含み、第２スイッチング素子１２は、半導体材料としてＳｉＣを含む。
　第１スイッチング素子１１は、図８に示すように、素子主面１１ａおよび素子裏面１１ｂを有する。素子主面１１ａおよび素子裏面１１ｂは、ｚ方向に離間する。素子主面１１ａはｚ方向上方（ｚ方向のｚ１側）を向き、素子裏面１１ｂはｚ方向下方（ｚ方向のｚ２側）を向く。素子主面１１ａおよび素子裏面１１ｂはそれぞれ、平坦である（略平坦である場合を含む）。
　第１スイッチング素子１１は、３つの電極１１１，１１２，１１３を有する。電極１１１は、素子裏面１１ｂに設けられており、電極１１２，１１３は、素子主面１１ａに設けられている。第１スイッチング素子１１がＩＧＢＴである例において、電極１１１はコレクタであり、電極１１２はエミッタであり、電極１１３はゲートである。第１スイッチング素子１１は、電極１１３に入力される駆動信号（第１駆動信号）に応じて、スイッチング動作する。当該スイッチング動作とは、２つの電極１１１，１１２間に電流が流れるオン状態と、２つの電極１１１，１１２間に電流が流れないオフ状態とが切り替わる動作である。第１スイッチング素子１１がオン状態のとき、電極１１１から電極１１２に順方向電流が流れる。
　第２スイッチング素子１２は、図８に示すように、素子主面１２ａおよび素子裏面１２ｂを有する。素子主面１２ａおよび素子裏面１２ｂは、ｚ方向に離間する。素子主面１２ａはｚ方向上方（ｚ方向のｚ１側）を向き、素子裏面１２ｂはｚ方向下方（ｚ方向のｚ２側）を向く。素子主面１２ａおよび素子裏面１２ｂはそれぞれ、平坦である（略平坦である場合を含む）。
　第２スイッチング素子１２は、３つの電極１２１，１２２，１２３を有する。電極１２１は、素子裏面１２ｂに設けられており、電極１２２，１２３は、素子主面１２ａに設けられている。第２スイッチング素子１２がＭＯＳＦＥＴである例において、電極１２１はドレインであり、電極１２２はソースであり、電極１２３はゲートである。第２スイッチング素子１２は、電極１２３に入力される駆動信号（第１駆動信号）に応じて、スイッチング動作する。当該スイッチング動作とは、２つの電極１２１，１２２間に電流が流れるオン状態と、２つの電極１２１，１２２間に電流が流れないオフ状態とが切り替わる動作である。第２スイッチング素子１２がオン状態のとき、電極１２１から電極１２２に順方向電流が流れる。
　各第１スイッチ部１（第１アーム１Ａ、第２アーム１Ｂおよび第３アーム１Ｃの各々）において、第１スイッチング素子１１および第２スイッチング素子１２は、電気的に並列に接続されている。具体的には、電極１１１（コレクタ）と電極１２１（ドレイン）とが電気的に接続され、電極１１２（エミッタ）と電極１２２（ソース）とが電気的に接続される。
　第１保護素子１３は、ダイオード機能部を含む。当該ダイオード機能部は、還流ダイオードとして動作する。本実施形態では、第１保護素子１３は、たとえばショットキーバリアダイオードであるが、他の種類のダイオードであってもよい。
　第１保護素子１３は、図１０に示すように、素子主面１３ａおよび素子裏面１３ｂを有する。素子主面１３ａと素子裏面１３ｂとは、ｚ方向に離間する。素子主面１３ａは、ｚ方向上方（ｚ方向のｚ１側）を向き、素子裏面１３ｂは、ｚ方向下方（ｚ方向のｚ２側）を向く。素子主面１３ａおよび素子裏面１３ｂはそれぞれ、平坦である（略平坦である場合を含む）。
　第１保護素子１３は、図１０に示すように、２つの電極１３１，１３２を含む。電極１３１は、素子主面１３ａに形成され、電極１３２は、素子裏面１３ｂに形成されている。第１保護素子１３がダイオードである例において、電極１３１はアノードであり、電極１３２はカソードである。
　各第１スイッチ部１（第１アーム１Ａ、第２アーム１Ｂおよび第３アーム１Ｃの各々）において、第１保護素子１３は、第１スイッチング素子１１および第２スイッチング素子１２に対して、逆並列に接続されている。逆並列とは、第１スイッチング素子１１および第２スイッチング素子１２の各順方向電流と、第１保護素子１３における順方向電流とが、逆向きになるように並列接続された状態である。第１保護素子１３の電極１３１（アノード）は、第１スイッチング素子１１の電極１１２（エミッタ）および第２スイッチング素子１２の電極１２２（ソース）に接続され、第１保護素子１３の電極１３２（カソード）は、第１スイッチング素子１１の電極１１１（コレクタ）および第２スイッチング素子１２の電極１２１（ドレイン）に接続されている。これにより、各第１スイッチ部１において、第１スイッチング素子１１および第２スイッチング素子１２に逆電圧が印加されたとき、第１保護素子１３に順方向電流が流れ、第１スイッチング素子１１および第２スイッチング素子１２に印加される逆電圧が低減される。
　図８および図１０から理解されるように、第１スイッチング素子１１Ａ、第２スイッチング素子１２Ａおよび第１保護素子１３Ａはそれぞれ、導電性接合材１９を介して、リード３Ｂに接合されている。第１スイッチング素子１１Ｂ、第２スイッチング素子１２Ｂおよび第１保護素子１３Ｂはそれぞれ、導電性接合材１９を介して、リード３Ｃに接合されている。第１スイッチング素子１１Ｃ、第２スイッチング素子１２Ｃおよび第１保護素子１３Ｃはそれぞれ、導電性接合材１９を介して、リード３Ｄに接合されている。これらの導電性接合材１９は、たとえばはんだ、金属ペースト材、あるいは焼結金属などである。
　図４に示すように、各第１スイッチ部１（第１アーム１Ａ、第２アーム１Ｂおよび第３アーム１Ｃの各々）において、第１スイッチング素子１１と第２スイッチング素子１２とはｘ方向に並ぶ。また、第１保護素子１３は、第２スイッチング素子１２に対してｙ方向のｙ２側に位置しており、第２スイッチング素子１２と第１保護素子１３とはｙ方向に並ぶ。図４に示すように、複数の第１スイッチング素子１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃおよび複数の第２スイッチング素子１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃは、平面視において、第１制御素子８Ａに対して、ｙ方向のｙ２側に配置される。なお、各第１スイッチ部１（第１アーム１Ａ、第２アーム１Ｂおよび第３アーム１Ｃの各々）において、第１スイッチング素子１１と第２スイッチング素子１２との各位置が反対であってもよい。
　複数の第２スイッチ部２は、第４アーム２Ａ、第５アーム２Ｂおよび第６アーム２Ｃを含む。図５に示すように、第４アーム２Ａ、第５アーム２Ｂおよび第６アーム２Ｃは、ｘ方向に沿って配列される。第５アーム２Ｂは、ｘ方向において、第４アーム２Ａと第６アーム２Ｃとの間に位置する。複数の第２スイッチ部２（第４アーム２Ａ、第５アーム２Ｂおよび第６アーム２Ｃ）の各々は、第２制御素子８Ｂからの第２駆動信号に応じて、オン状態とオフ状態とが切り替わる。
　複数の第２スイッチ部２（第４アーム２Ａ、第５アーム２Ｂおよび第６アーム２Ｃ）はそれぞれ、第３スイッチング素子２１、第４スイッチング素子２２および第２保護素子２３を有する。説明の便宜上、第４アーム２Ａ、第５アーム２Ｂおよび第６アーム２Ｃの各第１スイッチング素子１１をそれぞれ、第３スイッチング素子２１Ａ、第３スイッチング素子２１Ｂ、第３スイッチング素子２１Ｃという。また、第４アーム２Ａ、第５アーム２Ｂおよび第６アーム２Ｃの各第４スイッチング素子２２をそれぞれ、第４スイッチング素子２２Ａ、第４スイッチング素子２２Ｂおよび第４スイッチング素子２２Ｃといい、第４アーム２Ａ、第５アーム２Ｂおよび第６アーム２Ｃの各第２保護素子２３をそれぞれ、第２保護素子２３Ａ、第２保護素子２３Ｂおよび第２保護素子２３Ｃという。以下で説明する。第３スイッチング素子２１、第４スイッチング素子２２および第２保護素子２３は、特段の断りがない限り、各第２スイッチ部２（第４アーム２Ａ、第５アーム２Ｂおよび第６アーム２Ｃの各々）で共通する。
　第３スイッチング素子２１および第４スイッチング素子２２はそれぞれ、第１スイッチング素子１１および第２スイッチング素子１２と同様にパワー半導体素子である。第３スイッチング素子２１および第４スイッチング素子２２はそれぞれ、たとえばＩＧＢＴ、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳＦＥＴおよびＨＥＭＴなどのいずれかである。第３スイッチング素子２１と第４スイッチング素子２２とは、異なる種類である。図１２に示すように、半導体装置Ａ１では、第３スイッチング素子２１は、ＩＧＢＴであり、第４スイッチング素子２２は、ＭＯＳＦＥＴである。第３スイッチング素子２１および第４スイッチング素子２２はそれぞれ、半導体材料を含んで構成される。当該半導体材料は、たとえばＳｉＣ（炭化ケイ素）、Ｓｉ（シリコン）、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）あるいはＧａＮ（窒化ガリウム）などが採用される。半導体装置Ａ１では、第３スイッチング素子２１は、半導体材料としてＳｉを含み、第４スイッチング素子２２は、半導体材料としてＳｉＣを含む。
　第３スイッチング素子２１は、図１１に示すように、素子主面２１ａおよび素子裏面２１ｂを有する。素子主面２１ａおよび素子裏面２１ｂは、ｚ方向に離間する。素子主面２１ａはｚ方向上方（ｚ方向のｚ１側）を向き、素子裏面２１ｂはｚ方向下方（ｚ方向のｚ２側）を向く。素子主面２１ａおよび素子裏面２１ｂはそれぞれ、平坦である（略平坦である場合を含む）。
　第３スイッチング素子２１は、３つの電極２１１，２１２，２１３を有する。電極２１１は、素子裏面２１ｂに設けられており、電極２１２，２１３は、素子主面２１ａに設けられている。第３スイッチング素子２１がＩＧＢＴである例において、電極２１１はコレクタであり、電極２１２はエミッタであり、電極２１３はゲートである。第３スイッチング素子２１は、電極２１３に入力される駆動信号（第２駆動信号）に応じて、スイッチング動作する。当該スイッチング動作とは、２つの電極２１１，２１２間に電流が流れるオン状態と、２つの電極２１１，２１２間に電流が流れないオフ状態とが切り替わる動作である。第３スイッチング素子２１がオン状態のとき、電極２１１から電極２１２に順方向電流が流れる。
　第４スイッチング素子２２は、図１１に示すように、素子主面２２ａおよび素子裏面２２ｂを有する。素子主面２２ａおよび素子裏面２２ｂは、ｚ方向に離間する。素子主面２２ａはｚ方向上方（ｚ方向のｚ１側）を向き、素子裏面２２ｂはｚ方向下方（ｚ方向のｚ２側）を向く。素子主面２２ａおよび素子裏面２２ｂはそれぞれ、平坦である（略平坦である場合を含む）。
　第４スイッチング素子２２は、３つの電極２２１，２２２，２２３を有する。電極２２１は、素子裏面２２ｂに設けられており、電極２２２，２２３は、素子主面２２ａに設けられている。第４スイッチング素子２２がＭＯＳＦＥＴである例において、電極２２１はドレインであり、電極２２２はソースであり、電極２２３はゲートである。第４スイッチング素子２２は、電極２２３に入力される駆動信号（第２駆動信号）に応じて、スイッチング動作する。当該スイッチング動作とは、２つの電極２２１，２２２間に電流が流れるオン状態と、２つの電極２２１，２２２間に電流が流れないオフ状態とが切り替わる動作である。第４スイッチング素子２２がオン状態のとき、電極２２１から電極２２２に順方向電流が流れる。
　各第２スイッチ部２（第４アーム２Ａ、第５アーム２Ｂおよび第６アーム２Ｃの各々）において、第３スイッチング素子２１および第４スイッチング素子２２は、電気的に並列に接続されている。具体的には、電極２１１（コレクタ）と電極２２１（ドレイン）とが電気的に接続され、電極２１２（エミッタ）と電極２２２（ソース）とが電気的に接続される。
　第２保護素子２３は、ダイオード機能部を含む。当該ダイオード機能部は、還流ダイオードとして動作する。本実施形態では、第２保護素子２３は、たとえばショットキーバリアダイオードである。
　第２保護素子２３は、図１１に示すように、素子主面２３ａおよび素子裏面２３ｂを有する。素子主面２３ａと素子裏面２３ｂとは、ｚ方向に離間する。素子主面２３ａは、ｚ方向上方（ｚ方向のｚ１側）を向き、素子裏面２３ｂは、ｚ方向下方（ｚ方向のｚ２側）を向く。素子主面２３ａおよび素子裏面２３ｂはそれぞれ、平坦である（略平坦である場合を含む）。
　第２保護素子２３は、図１１に示すように、２つの電極２３１，２３２を含む。電極２３１は、素子主面２３ａに形成され、電極２３２は、素子裏面２３ｂに形成されている。第２保護素子２３がダイオードである例において、電極２３１はアノードであり、電極２３２はカソードである。
　各第２スイッチ部２（第４アーム２Ａ、第５アーム２Ｂおよび第６アーム２Ｃの各々）において、第２保護素子２３は、第３スイッチング素子２１および第４スイッチング素子２２に対して、逆並列に接続されている。逆並列とは、第３スイッチング素子２１および第４スイッチング素子２２の各順方向電流と、第２保護素子２３における順方向電流とが、逆向きになるように並列接続された状態である。第２保護素子２３の電極２３１（アノード）は、第３スイッチング素子２１の電極２１２（エミッタ）および第４スイッチング素子２２の電極２２２（ソース）に接続され、第２保護素子２３の電極２３２（カソード）は、第３スイッチング素子２１の電極２１１（コレクタ）および第４スイッチング素子２２の電極２２１（ドレイン）に接続されている。これにより、各第２スイッチ部２において、第３スイッチング素子２１および第４スイッチング素子２２に逆電圧が印加されたとき、第２保護素子２３に順方向電流が流れ、第３スイッチング素子２１および第４スイッチング素子２２に印加される逆電圧が低減される。
　図８および図１１から理解されるように、第３スイッチング素子２１Ａ、第４スイッチング素子２２Ａおよび第２保護素子２３Ａはそれぞれ、導電性接合材２９を介して、リード３Ａに接合されている。第３スイッチング素子２１Ｂ、第４スイッチング素子２２Ｂおよび第２保護素子２３Ｂもそれぞれ、導電性接合材２９を介して、リード３Ａに接合されている。第３スイッチング素子２１Ｃ、第４スイッチング素子２２Ｃおよび第２保護素子２３Ｃもそれぞれ、導電性接合材２９を介して、リード３Ａに接合されている。これらの導電性接合材２９は、たとえばはんだ、金属ペースト材、あるいは焼結金属などである。
　図５に示すように、各第２スイッチ部２（第４アーム２Ａ、第５アーム２Ｂおよび第６アーム２Ｃの各々）において、第３スイッチング素子２１と第４スイッチング素子２２とはｘ方向に並ぶ。また、第２保護素子２３は、第４スイッチング素子２２に対してｙ方向のｙ２側に位置しており、第４スイッチング素子２２と第２保護素子２３とはｙ方向に並ぶ。図５に示すように、複数の第３スイッチング素子２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃおよび複数の第４スイッチング素子２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃは、平面視において、第２制御素子８Ｂに対して、ｙ方向のｙ２側に配置される。なお、各第２スイッチ部２（第４アーム２Ａ、第５アーム２Ｂおよび第６アーム２Ｃの各々）において、第３スイッチング素子２１と第４スイッチング素子２２との各位置が反対であってもよい。
　複数の第１スイッチ部１および複数の第２スイッチ部２によって構成される三相交流のインバータ回路は、図１２に示すように、第１相１０Ｕ、第２相１０Ｖおよび第３相１０Ｗを有する。第１相１０Ｕ、第２相１０Ｖおよび第３相１０Ｗはそれぞれ、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相である。
　第１相１０Ｕは、第１アーム１Ａと第４アーム２Ａとを含む。第１相１０Ｕにおいて、第１アーム１Ａと第４アーム２Ａとは電気的に直列に接続されている。第１アーム１Ａは、第１相１０Ｕの下アームであり、第４アーム２Ａは、第１相１０Ｕの上アームである。
　第２相１０Ｖは、第２アーム１Ｂと第５アーム２Ｂとを含む。第２相１０Ｖにおいて、第２アーム１Ｂと第５アーム２Ｂとは電気的に直列に接続されている。第２アーム１Ｂは、第２相１０Ｖの下アームであり、第５アーム２Ｂは、第２相１０Ｖの上アームである。
　第３相１０Ｗは、第３アーム１Ｃと第６アーム２Ｃとを含む。第３相１０Ｗにおいて、第３アーム１Ｃと第６アーム２Ｃとは電気的に直列に接続されている。第３アーム１Ｃは、第３相１０Ｗの下アームであり、第６アーム２Ｃは、第３相１０Ｗの上アームである。
　第１制御素子８Ａは、複数の第１スイッチング素子１１および複数の第２スイッチング素子１２のスイッチング動作を制御するものであり、たとえばドライバＩＣである。第１制御素子８Ａは、外部から第１入力信号が入力され、当該第１入力信号に基づいて、各第１スイッチ部１のスイッチング動作を制御するための第１駆動信号を生成する。第１制御素子８Ａは、各第１スイッチング素子１１の電極１１３（ゲート）および各第２スイッチング素子１２の電極１２３（ゲート）に第１駆動信号（たとえばゲート電圧）を出力する。これにより、各第１スイッチング素子１１および各第２スイッチング素子１２のスイッチング動作を制御する。本実施形態では、第１制御素子８Ａは、平面視において、ｘ方向を長手方向とする矩形状である。
　本実施形態では、第１制御素子８Ａは、各第１スイッチ部１（第１アーム１Ａ、第２アーム１Ｂおよび第３アーム１Ｃの各々）に対して、第１スイッチング素子１１に入力する第１駆動信号と、第２スイッチング素子１２に入力する第１駆動信号とで、遅延時間を設けている。当該遅延時間は、たとえば、第１スイッチング素子１１のスイッチング速度と第２スイッチング素子１２のスイッチング速度とに応じて適宜変更される。第１スイッチング素子１１がＩＧＢＴであり、第２スイッチング素子１２がＭＯＳＦＥＴである例において、第２スイッチング素子１２への第１駆動信号は、第１スイッチング素子１１への第１駆動信号よりも、オン信号からオフ信号への切り替わりタイミング、および、オフ信号からオン信号への切り替わりタイミングがそれぞれ早い。なお、第１制御素子８Ａは、第１スイッチング素子１１に入力する第１駆動信号と、第２スイッチング素子１２に入力する第１駆動信号とで、必ずしも遅延時間を設けなくてもよい。
　第２制御素子８Ｂは、複数の第３スイッチング素子２１および複数の第４スイッチング素子２２のスイッチング動作を制御するものであり、たとえばドライバＩＣである。第２制御素子８Ｂは、外部から第２入力信号が入力され、当該第２入力信号に基づいて、各第２スイッチ部２のスイッチング動作を制御するための第２駆動信号を生成する。第２制御素子８Ｂは、各第３スイッチング素子２１の電極２１３（ゲート）および各第４スイッチング素子２２の電極２２３（ゲート）に第２駆動信号（たとえばゲート電圧）を出力する。これにより、各第３スイッチング素子２１および各第４スイッチング素子２２のスイッチング動作を制御する。本実施形態では、第２制御素子８Ｂは、平面視において、ｘ方向を長手方向とする矩形状である。
　本実施形態では、第２制御素子８Ｂは、各第２スイッチ部２（第４アーム２Ａ、第５アーム２Ｂおよび第６アーム２Ｃの各々）に対して、第３スイッチング素子２１に入力する第２駆動信号と、第４スイッチング素子２２に入力する第２駆動信号とで、遅延時間を設けている。当該遅延時間は、たとえば、第３スイッチング素子２１のスイッチング速度と第４スイッチング素子２２のスイッチング速度とに応じて適宜変更される。第３スイッチング素子２１がＩＧＢＴであり、第４スイッチング素子２２がＭＯＳＦＥＴである例において、第４スイッチング素子２２への第２駆動信号は、第３スイッチング素子２１への第２駆動信号よりも、オン信号からオフ信号への切り替わりタイミング、および、オフ信号からオン信号への切り替わりタイミングがそれぞれ早い。なお、第２制御素子８Ｂは、第３スイッチング素子２１に入力する第２駆動信号と、第４スイッチング素子２２に入力する第２駆動信号とで、必ずしも遅延時間を設けなくてもよい。
　図４および図５に示すように、第１制御素子８Ａおよび第２制御素子８Ｂはそれぞれ、複数の電極８１，８２を有する。複数の電極８１，８２は、第１制御素子８Ａおよび第２制御素子８Ｂの各々の上面に配置される。第１制御素子８Ａの複数の電極８１は、複数の第１スイッチ部１（第１アーム１Ａ、第２アーム１Ｂおよび第３アーム１Ｃ）のいずれかに導通する。第１制御素子８Ａの複数の電極８１からは、先述の第１駆動信号が出力される。第１制御素子８Ａの複数の電極８２は、リード４Ａ～４Ｈのいずれかに導通する。第２制御素子８Ｂの複数の電極８１は、複数の第２スイッチ部２（第４アーム２Ａ、第５アーム２Ｂおよび第６アーム２Ｃ）のいずれかに導通する。第２制御素子８Ｂの電極８１からは、先述の第２駆動信号が出力される。第２制御素子８Ｂの複数の電極８２は、リード４Ｊ～４Ｎ，４Ｑ，４Ｒのいずれかに導通する。さらに、図５に示すように、第２制御素子８Ｂは、複数の電極８３を有する。複数の電極８３は、第２制御素子８Ｂの上面に配置される。複数の電極８３はそれぞれ、複数の第２スイッチ部２（第４アーム２Ａ、第５アーム２Ｂおよび第６アーム２Ｃ）のうちの対応する１つに導通する。複数の電極８３には、各第１スイッチ部１の導通状態を検出するための検出信号が入力される。
　第１制御素子８Ａは、接合材８５を介して、リード４Ｒに接合され、第２制御素子８Ｂは、図１０に示すように、接合材８５を介して、リード４Ｈに接合される。半導体装置Ａ１では、第１制御素子８Ａおよび第２制御素子８Ｂの各下面（ｚ方向のｚ２側を向く面）に電極が形成されていないため、接合材８５は、導電性でも絶縁性でもよい。なお、第１制御素子８Ａおよび第２制御素子８Ｂの各下面に電極が形成されている場合、接合材８５には、導電性のもの（たとえばはんだ、金属ペース材、焼結金属など）が用いられる。
　複数の電子部品８９Ｕ，８９Ｖ，８９Ｗはそれぞれ、第１制御素子８Ａおよび第２制御素子８Ｂの各機能を補助する素子であり、たとえばダイオードである。図３に示す例では、３つの電子部品８９Ｕ，８９Ｖ，８９Ｗを備えるが、当該電子部品の数は、これに限定されない。複数の電子部品８９Ｕ，８９Ｖ，８９Ｗはそれぞれ、図３に示すように、複数のリード４Ａ，４Ｂ，４Ｃのうちの対応する１つにそれぞれ接合されている。複数の電子部品８９Ｕ，８９Ｖ，８９Ｗはそれぞれ、図１１に示すように、導電性接合材８９１により、接合されている。導電性接合材８９１は、たとえばはんだ、金属ペースト材、または焼結金属などである。
　複数のリード３Ａ～３Ｇ，３Ｚおよび複数のリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒは、図３などに示すように、複数の第１スイッチング素子１１、複数の第２スイッチング素子１２、複数の第１保護素子１３、複数の第３スイッチング素子２１、複数の第４スイッチング素子２２、複数の第２保護素子２３、第１制御素子８Ａ、第２制御素子８Ｂ、および、複数の電子部品８９Ｕ，８９Ｖ，８９Ｗのいずれかを支持し、且つ、これらへの導通経路を構成する。複数のリード３Ａ～３Ｇ，３Ｚおよび複数のリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒのうち、リード４Ｈとリード４Ｒとは一体的に形成されており、それ以外は、互いに離間する。図３に示す補助線Ｌ１は、リード４Ｈとリード４Ｒとの境界であって、一体的に繋がる部分を示している。なお、リード４Ｈとリード４Ｒとを１つのリードとみなしてもよい。この例とは異なり、リード４Ｈとリード４Ｒとが互いに離間していてもよい。
　複数のリード３Ａ～３Ｇ，３Ｚと、複数のリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒとは、異なる導電部材から形成されてもよいし、１つの導電部材から形成されてもよい。複数のリード３Ａ～３Ｇ，３Ｚおよび複数のリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒは、たとえばＣｕまたはＣｕ合金からなる。複数のリード３Ａ～３Ｇ，３Ｚおよび複数のリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒの各構成材料は、ＣｕまたはＣｕ合金でなく、ＮｉまたはＮｉ合金、あるいは、４２アロイなどであってもよい。なお、複数のリード３Ａ～３Ｇ，３Ｚの各構成材料と、複数のリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒの各構成材料とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　半導体装置Ａ１がＩＰＭとして構成された場合、複数のリード３Ａ～３Ｇにはモータの駆動電流が流され、複数のリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒには制御電流が流される。このため、複数のリード３Ａ～３Ｇには、複数のリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒよりも高電圧が印加され、より大きな電流が流される。図３に示すように、本実施形態では、高電圧側の複数のリード３Ａ～３Ｇ，３Ｚと、低電圧側のリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒとは、ｙ方向において、互いに反対側に分かれて配置されている。
　リード３Ａには、複数の第２スイッチ部２（第４アーム２Ａ、第５アーム２Ｂおよび第６アーム２Ｃ）の各々の第３スイッチング素子２１、第４スイッチング素子２２および第２保護素子２３がそれぞれ、搭載される。リード３Ａは、後に後述される構成から理解されるように、各第３スイッチング素子２１の電極２１１（コレクタ）、各第４スイッチング素子２２の電極２２１（ドレイン）、および、各第２保護素子２３の電極２３２（カソード）に導通する。リード３Ａは、図３および図５などに示すように、複数の搭載部３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａ、端子部３２Ａ、パッド部３３Ａおよび連結部３４Ａを含む。
　図３に示すように、複数の搭載部３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａはそれぞれ、封止部材７に覆われている。複数の搭載部３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａは、一体的に形成されている。複数の搭載部３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａはそれぞれ、接合材３９を介して、支持基板５１に接合されている。接合材３９は、導電性のものであってもよいし絶縁性のものであってもよい。接合材３９は、好ましくは熱伝導性に優れたものがよい。
　図５に示すように、搭載部３１１Ａには、第３スイッチング素子２１Ａ、第４スイッチング素子２２Ａおよび第２保護素子２３Ａがそれぞれ搭載されている。搭載部３１１Ａは、第３スイッチング素子２１Ａの電極２１１（コレクタ）および第４スイッチング素子２２Ａの電極２２１（ドレイン）に導通しつつ、第２保護素子２３Ａの電極２３２（カソード）に導通する。つまり、搭載部３１１Ａを介して、第３スイッチング素子２１Ａの電極２１１と第４スイッチング素子２２Ａの電極２２１と第２保護素子２３Ａの電極２３２とが互いに導通する。
　図５に示すように、搭載部３１２Ａには、第３スイッチング素子２１Ｂ、第４スイッチング素子２２Ｂおよび第２保護素子２３Ｂがそれぞれ搭載されている。搭載部３１２Ａは、第３スイッチング素子２１Ｂの電極２１１（コレクタ）および第４スイッチング素子２２Ｂの電極２２１（ドレイン）に導通しつつ、第２保護素子２３Ｂの電極２３２（カソード）に導通する。つまり、搭載部３１２Ａを介して、第３スイッチング素子２１Ｂの電極２１１と第４スイッチング素子２２Ｂの電極２２１と第２保護素子２３Ｂの電極２３２とが互いに導通する。
　図５に示すように、搭載部３１３Ａには、第３スイッチング素子２１Ｃ、第４スイッチング素子２２Ｃおよび第２保護素子２３Ｃがそれぞれ搭載されている。搭載部３１３Ａは、第３スイッチング素子２１Ｃの電極２１１（コレクタ）および第４スイッチング素子２２Ｃの電極２２１（ドレイン）に導通しつつ、第２保護素子２３Ｃの電極２３２（カソード）に導通する。つまり、搭載部３１３Ａを介して、第３スイッチング素子２１Ｃの電極２１１と第４スイッチング素子２２Ｃの電極２２１と第２保護素子２３Ｃの電極２３２とが互いに導通する。
　端子部３２Ａは、図３に示すように、リード３Ａのうち封止部材７から突出した部位である。端子部３２Ａは、ｙ方向において、各搭載部３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａに対して、リード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒとは反対側に突出している。端子部３２Ａは、半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、端子部３２Ａは、ｚ方向のｚ１側に折り曲げられて、Ｌ字状をなす。
　パッド部３３Ａおよび連結部３４Ａは、封止部材７に覆われている。パッド部３３Ａおよび連結部３４Ａは、図３に示すように、搭載部３１２Ａと端子部３２Ａとの間に介在する。パッド部３３Ａは、搭載部３１２Ａに対してｚ方向のｚ１側に位置しており、端子部３２Ａに繋がっている。連結部３４Ａは、図１０に示すように、搭載部３１１Ａとパッド部３３Ａとに繋がっており、ｙ方向に対して傾いている。
　図３に示すように、リード３Ｂ、リード３Ｃおよびリード３Ｄは、リード３Ａに対してｘ方向のｘ２側に配置されている。リード３Ｂ、リード３Ｃおよびリード３Ｄは、ｘ方向に並んでいる。リード３Ｂ、リード３Ｃおよびリード３Ｄの形状等は特に限定されず、図示された例においては、リード３Ｂ、リード３Ｃおよびリード３Ｄは、同形状（あるいは略同形状）および同サイズ（あるいは略同サイズ）である。
　リード３Ｂには、第１アーム１Ａが搭載される。つまり、リード３Ｂには、第１スイッチング素子１１Ａ、第２スイッチング素子１２Ａおよび第１保護素子１３Ａがそれぞれ搭載される。リード３Ｂは、後に詳述される構成から理解されるように、第１スイッチング素子１１Ａの電極１１１（コレクタ）、第２スイッチング素子１２Ａの電極１２１（ドレイン）および第１保護素子１３Ａの電極１３２（カソード）に導通する。リード３Ｂは、図３および図４に示すように、搭載部３１Ｂ、端子部３２Ｂ、パッド部３３Ｂおよび連結部３４Ｂを含む。
　図３に示すように、搭載部３１Ｂは、封止部材７に覆われている。搭載部３１Ｂは、接合材３９を介して、支持基板５１に接合されている。図４に示すように、搭載部３１Ｂには、第１スイッチング素子１１Ａ、第２スイッチング素子１２Ａおよび第１保護素子１３Ａがそれぞれ搭載されている。搭載部３１Ｂは、第１スイッチング素子１１Ａの電極１１１（コレクタ）および第２スイッチング素子１２Ａの電極１２１（ドレイン）に導通しつつ、第１保護素子１３Ａの電極１３２（カソード）に導通する。つまり、搭載部３１Ｂを介して、第１スイッチング素子１１Ａの電極１１１と、第２スイッチング素子１２Ａの電極１２１、と第１保護素子１３Ａの電極１３２とが互いに導通する。
　端子部３２Ｂは、図３に示すように、リード３Ｂのうち封止部材７から突出した部位である。端子部３２Ｂは、ｙ方向において搭載部３１Ｂに対してリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒとは反対側に突出している。端子部３２Ｂは、半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、端子部３２Ｂは、ｚ方向のｚ１側に折り曲げられて、Ｌ字状をなす。
　パッド部３３Ｂおよび連結部３４Ｂは、封止部材７に覆われている。パッド部３３Ｂおよび連結部３４Ｂは、図３に示すように、搭載部３１Ｂと端子部３２Ｂとの間に介在する。パッド部３３Ｂは、パッド部３３Ａと同様に搭載部３１Ｂに対してｚ方向のｚ１側に位置する。パッド部３３Ｂは、端子部３２Ｂに繋がっている。パッド部３３Ｂには、ワイヤ６Ａが接合されている。連結部３４Ｂは、搭載部３１Ｂとパッド部３３Ｂとに繋がっており、連結部３４Ａと同様に、ｙ方向に対して傾いている。
　リード３Ｃには、第２アーム１Ｂが搭載される。つまり、リード３Ｃには、第１スイッチング素子１１Ｂ、第２スイッチング素子１２Ｂおよび第１保護素子１３Ｂがそれぞれ搭載される。リード３Ｃは、後に詳述される構成から理解されるように、第１スイッチング素子１１Ｂの電極１１１（コレクタ）、第２スイッチング素子１２Ｂの電極１２１（ドレイン）および第１保護素子１３Ｂの電極１３２（カソード）に導通する。リード３Ｃは、図３および図４に示すように、搭載部３１Ｃ、端子部３２Ｃ、パッド部３３Ｃおよび連結部３４Ｃを含む。
　図３に示すように、搭載部３１Ｃは、封止部材７に覆われている。搭載部３１Ｃは、接合材３９を介して、支持基板５１に接合されている。図４に示すように、搭載部３１Ｃには、第１スイッチング素子１１Ｂ、第２スイッチング素子１２Ｂおよび第１保護素子１３Ｂが搭載されている。搭載部３１Ｃは、第１スイッチング素子１１Ｂの電極１１１（コレクタ）および第２スイッチング素子１２Ｂの電極１２１（ドレイン）に導通しつつ、第１保護素子１３Ｂの電極１３２（カソード）に導通する。つまり、搭載部３１Ｃを介して、第１スイッチング素子１１Ｂの電極１１１と、第２スイッチング素子１２Ｂの電極１２１と、第１保護素子１３Ｂの電極１３２とが互いに導通する。
　端子部３２Ｃは、図３に示すように、リード３Ｃのうち封止部材７から突出した部位である。端子部３２Ｃは、ｙ方向において搭載部３１Ｃに対してリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒとは反対側に突出している。端子部３２Ｃは、半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、端子部３２Ｃは、ｚ方向のｚ１側に折り曲げられて、Ｌ字状をなす。
　パッド部３３Ｃおよび連結部３４Ｃは、封止部材７に覆われている。パッド部３３Ｃおよび連結部３４Ｃは、図３に示すように、搭載部３１Ｃと端子部３２Ｃとの間に介在している。パッド部３３Ｃは、パッド部３３Ａ，３３Ｂと同様に搭載部３１Ｃに対してｚ方向のｚ１側に位置する。パッド部３３Ｃは、端子部３２Ｃに繋がっている。パッド部３３Ｃには、ワイヤ６Ｂが接合されている。連結部３４Ｃは、搭載部３１Ｃとパッド部３３Ｃとに繋がっており、連結部３４Ａ，３４Ｂと同様に、ｙ方向に対して傾いている。
　リード３Ｄは、第３アーム１Ｃが搭載される。つまり、リード３Ｄには、第１スイッチング素子１１Ｃ、第２スイッチング素子１２Ｃおよび第１保護素子１３Ｃがそれぞれ搭載される。リード３Ｄは、後に詳述される構成から理解されるように、第１スイッチング素子１１Ｃの電極１１１（コレクタ）、第２スイッチング素子１２Ｃの電極１２１（ドレイン）および第１保護素子１３Ｃの電極１３２（カソード）に導通する。リード３Ｄは、図３および図４に示すように、搭載部３１Ｄ、端子部３２Ｄ、パッド部３３Ｄおよび連結部３４Ｄを含む。
　図３に示すように、搭載部３１Ｄは、封止部材７に覆われている。搭載部３１Ｄは、接合材３９を介して、支持基板５１に接合されている。図４に示すように、搭載部３１Ｄには、第１スイッチング素子１１Ｃ、第２スイッチング素子１２Ｃおよび第１保護素子１３Ｃが搭載されている。搭載部３１Ｄは、第１スイッチング素子１１Ｃの電極１１１（コレクタ）および第２スイッチング素子１２Ｃの電極１２１（ドレイン）に導通しつつ、第１保護素子１３Ｃの電極１３２（カソード）に導通する。つまり、搭載部３１Ｄを介して、第１スイッチング素子１１Ｃの電極１１１と、第２スイッチング素子１２Ｃの電極１２１と、第１保護素子１３Ｃの電極１３２とが互いに導通する。
　端子部３２Ｄは、図３に示すように、リード３Ｄのうち封止部材７から突出した部位である。端子部３２Ｄは、ｙ方向において搭載部３１Ｄに対してリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒとは反対側に突出している。端子部３２Ｄは、半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、端子部３２Ｄは、ｚ方向のｚ１側に折り曲げられて、Ｌ字状をなす。
　パッド部３３Ｄおよび連結部３４Ｄは、封止部材７に覆われている。パッド部３３Ｄおよび連結部３４Ｄは、図３に示すように、搭載部３１Ｄと端子部３２Ｄとの間に介在している。パッド部３３Ｄは、パッド部３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃと同様に搭載部３１Ｄに対してｚ方向のｚ１側に位置する。パッド部３３Ｄは、端子部３２Ｄに繋がっている。パッド部３３Ｄには、ワイヤ６Ｃが接合されている。連結部３４Ｄは、搭載部３１Ｄとパッド部３３Ｄとに繋がっており、連結部３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃと同様に、ｙ方向に対して傾いている。
　図２および図３に示すように、リード３Ｅ、リード３Ｆおよびリード３Ｇは、リード３Ｄに対してｘ方向のｘ２側に配置されている。リード３Ｅ、リード３Ｆおよびリード３Ｇは、ｘ方向に並んでいる。リード３Ｅ、リード３Ｆおよびリード３Ｇはそれぞれ、複数の第１スイッチ部１および複数の第２スイッチ部２のいずれも搭載されない。
　リード３Ｅは、後に詳述される構成により、第１スイッチング素子１１Ａの電極１１２（エミッタ）、第２スイッチング素子１２Ａの電極１２２（ソース）および第１保護素子１３Ａの電極１３１（アノード）にそれぞれ導通する。リード３Ｅは、図３などに示すように、端子部３２Ｅおよびパッド部３３Ｅを含む。端子部３２Ｅとパッド部３３Ｅとは繋がっている。
　端子部３２Ｅは、リード３Ｅのうち封止部材７から突出した部位である。端子部３２Ｅは、図３に示すように、ｙ方向においてパッド部３３Ｅに対してリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒとは反対側に突出している。端子部３２Ｅは、半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、端子部３２Ｅは、ｚ方向のｚ１側に折り曲げられて、Ｌ字状をなす。
　パッド部３３Ｅは、封止部材７に覆われており、図示された例においては、平面視矩形状である。パッド部３３Ｅは、図３に示すように、平面視において支持基板５１に重ならない。パッド部３３Ｅは、ｚ方向において、各パッド部３３Ａ～３３Ｄと同じ位置（あるいは略同じ位置）（同じ高さ（あるいは略同じ高さ））に配置される。パッド部３３Ｅは、図３に示すように、ワイヤ６Ｄが接合されており、ワイヤ６Ｄを介して、第１スイッチング素子１１Ａの電極１１２（エミッタ）、第２スイッチング素子１２Ａの電極１２２（ソース）および第１保護素子１３Ａの電極１３１（アノード）にそれぞれ導通する。
　リード３Ｆは、後に詳述される構成により、第１スイッチング素子１１Ｂの電極１１２（エミッタ）、第２スイッチング素子１２Ｂの電極１２２（ソース）および第１保護素子１３Ｂの電極１３１（アノード）にそれぞれ導通する。リード３Ｆは、図３などに示すように、端子部３２Ｆおよびパッド部３３Ｆを含む。端子部３２Ｆとパッド部３３Ｆとは繋がっている。
　端子部３２Ｆは、リード３Ｆのうち封止部材７から突出した部位である。端子部３２Ｆは、図３に示すように、ｙ方向においてパッド部３３Ｆに対してリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒとは反対側に突出している。端子部３２Ｆは、半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、端子部３２Ｆは、ｚ方向のｚ１側に折り曲げられて、Ｌ字状をなす。
　パッド部３３Ｆは、封止部材７に覆われており、図示された例においては、平面視矩形状である。パッド部３３Ｆは、図３に示すように、平面視において支持基板５１に重ならない。パッド部３３Ｆは、ｚ方向において、各パッド部３３Ａ～３３Ｅと同じ位置（あるいは略同じ位置）（同じ高さ（あるいは略同じ高さ））に配置される。パッド部３３Ｆは、図３に示すように、ワイヤ６Ｅが接合されており、ワイヤ６Ｅを介して、第１スイッチング素子１１Ｂの電極１１２（エミッタ）、第２スイッチング素子１２Ｂの電極１２２（ソース）および第１保護素子１３Ｂの電極１３１（アノード）にそれぞれ導通する。
　リード３Ｇは、後に詳述される構成により、第１スイッチング素子１１Ｃの電極１１２（エミッタ）、第２スイッチング素子１２Ｃの電極１２２（ソース）および第１保護素子１３Ｃの電極１３１（アノード）にそれぞれ導通する。リード３Ｇは、図３などに示すように、端子部３２Ｇおよびパッド部３３Ｇを含む。端子部３２Ｇとパッド部３３Ｇとは繋がっている。
　端子部３２Ｇは、リード３Ｇのうち封止部材７から突出した部位である。端子部３２Ｇは、図３に示すように、ｙ方向においてパッド部３３Ｇに対してリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒとは反対側に突出している。端子部３２Ｇは、半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、端子部３２Ｇは、ｚ方向のｚ１側に折り曲げられて、Ｌ字状をなす。
　パッド部３３Ｇは、封止部材７に覆われている。パッド部３３Ｇは、図３に示すように、平面視において支持基板５１に重ならない。パッド部３３Ｇは、ｚ方向において、各パッド部３３Ａ～３３Ｆと同じ位置（あるは略同じ位置）（同じ高さ（あるいは略同じ高さ））に配置される。パッド部３３Ｇは、図３に示すように、ワイヤ６Ｆが接合されており、ワイヤ６Ｆを介して、第１スイッチング素子１１Ｃの電極１１２（エミッタ）、第２スイッチング素子１２Ｃの電極１２２（ソース）および第１保護素子１３Ｃの電極１３１（アノード）にそれぞれ導通する。
　リード３Ｚは、リード３Ａに対してｘ方向のｘ１側に配置されている。リード３Ｚは、複数の第１スイッチ部１および複数の第２スイッチ部２のいずれにも導通しない。リード３Ｚは、図３などに示すように、端子部３２Ｚおよびパッド部３３Ｚを含む。端子部３２Ｚとパッド部３３Ｚとは繋がっている。
　端子部３２Ｚは、リード３Ｚのうち封止部材７から突出した部位である。端子部３２Ｚは、図３に示すように、ｙ方向においてパッド部３３Ｚに対してリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒとは反対側に突出している。図示された例においては、端子部３２Ｚは、ｚ方向のｚ１側に折り曲げられて、Ｌ字状をなす。
　パッド部３３Ｚは、封止部材７に覆われている。パッド部３３Ｚは、図３に示すように、平面視において支持基板５１に重ならない。パッド部３３Ｚは、ｚ方向において、各パッド部３３Ａ～３３Ｇと同じ位置（あるいは略同じ位置）（同じ高さ（あるいは略同じ高さ））に配置される。
　図３に示すように、リード４Ａ、リード４Ｂおよびリード４Ｃは、リード４Ｄに対して、ｘ方向のｘ１側に配置されている。以下においては、リード４Ａについて詳述するが、リード４Ｂおよびリード４Ｃも同様の構成部位を含む。この場合、リード４Ａの各構成部位の「Ａ」を「Ｂ」または「Ｃ」に変えたものが、リード４Ｂおよびリード４Ｃの各構成部位となる。
　リード４Ａは、図３などに示すように、端子部４２Ａおよびパッド部４３Ａを含む。上述の通り、詳述は省略するが、図３などに示すように、リード４Ｂは、端子部４２Ｂおよびパッド部４３Ｂを含み、リード４Ｃは、端子部４２Ｃおよびパッド部４３Ｃを含む。
　端子部４２Ａは、リード４Ａのうち封止部材７から突出した部位である。端子部４２Ａは、図３に示すように、ｙ方向においてパッド部４３Ａに対してリード３Ａ～３Ｇ，３Ｚとは反対側に突出している。端子部４２Ａは、半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、端子部４２Ａは、ｚ方向のｚ１側に折り曲げられて、Ｌ字状をなす。
　パッド部４３Ａは、封止部材７に覆われている。パッド部４３Ａには、図３に示すように、電子部品８９Ｕおよび複数のワイヤ６Ｌのいずれかが接合される。なお、パッド部４３Ｂには、電子部品８９Ｕの代わりに、電子部品８９Ｖが接合され、パッド部４３Ｃには、電子部品８９Ｕの代わりに、電子部品８９Ｗが接合されている。パッド部４３Ａの形状は、図示された例に限定されない。
　図３に示すように、複数のリード４Ｄ～４Ｇは、リード４Ｃに対してｘ方向のｘ２側に配置されている。以下においては、リード４Ｄについて詳述するが、リード４Ｅ，４Ｆ，４Ｇも同様の構成部位を含む。この場合、リード４Ｄの各構成部位の「Ｄ」を「Ｅ」、「Ｆ」または「Ｇ」に変えたものが、リード４Ｅ，４Ｆ，４Ｇの各構成部位となる。
　リード４Ｄは、図３などに示すように、端子部４２Ｄ、パッド部４３Ｄおよび連結部４４Ｄを含む。上述の通り、詳述は省略するが、図３などに示すように、リード４Ｅは、端子部４２Ｅ、パッド部４３Ｅおよび連結部４４Ｅを含み、リード４Ｆは、端子部４２Ｆ、パッド部４３Ｆおよび連結部４４Ｆを含み、リード４Ｇは、端子部４２Ｇ、パッド部４３Ｇおよび連結部４４Ｇを含む。
　端子部４２Ｄは、リード４Ｄのうち封止部材７から突出した部位である。端子部４２Ｄは、図３に示すように、ｙ方向においてパッド部４３Ｄに対してリード３Ａ～３Ｇ，３Ｚとは反対側に突出している。端子部４２Ｄは、半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、端子部４２Ｄは、ｚ方向のｚ１側に折り曲げられて、Ｌ字状をなす。
　パッド部４３Ｄは、封止部材７に覆われている。パッド部４３Ｄは、図３に示すように、複数のワイヤ６Ｌのいずれかが接合されており、当該ワイヤ６Ｌを介して、第２制御素子８Ｂの電極８２に導通する。
　連結部４４Ｄは、封止部材７に覆われている。連結部４４Ｄは、図３に示すように、端子部４２Ｄとパッド部４３Ｄとに繋がり、これらの間に介在している。
　リード４Ｈは、第２制御素子８Ｂが搭載される。リード４Ｈは、図３などに示すように、搭載部４１Ｈ、端子部４２Ｈ、パッド部４３Ｈ、複数の連結部４４Ｈおよび突出部４５Ｈを含む。
　搭載部４１Ｈは、封止部材７に覆われている。搭載部４１Ｈには、図３に示すように、第２制御素子８Ｂが搭載されている。第２制御素子８Ｂは、上述の通り、接合材８５により、搭載部４１Ｈに固着されている。搭載部４１Ｈは、図１０に示すように、ｚ方向において支持基板５１から離間している。
　端子部４２Ｈは、リード４Ｈのうち封止部材７から突出した部位である。端子部４２Ｈは、図３に示すように、ｙ方向において、搭載部４１Ｈよりもリード３Ａ～３Ｇ，３Ｚとは反対側に突出している。端子部４２Ｈは、半導体装置Ａ１を外部の回路の電気的に接続するために用いられる。図示された例において、端子部４２Ｈは、ｚ方向に折り曲げられて、Ｌ字状をなす。
　パッド部４３Ｈは、封止部材７に覆われている。パッド部４３Ｈは、搭載部４１Ｈに隣接している。パッド部４３Ｈには、図３に示すように、複数のワイヤ６Ｌのいずれかが接合されている。
　複数の連結部４４Ｈはそれぞれ、封止部材７に覆われている。複数の連結部４４Ｈには、端子部４２Ｈとパッド部４３Ｈとの間に介在しこれらに繋がるもの、および、搭載部４１Ｈと突出部４５Ｈとの間に介在しこれらに繋がるものがある。
　突出部４５Ｈは、図３に示すように、搭載部４１Ｈに繋がる連結部４４Ｈからｙ方向のｙ１側に延びており、封止部材７から突出している。
　リード４Ｒは、第１制御素子８Ａが搭載される。リード４Ｒは、図３などに示すように、搭載部４１Ｒ、端子部４２Ｒ、パッド部４３Ｒおよび連結部４４Ｒを含む。
　搭載部４１Ｒは、封止部材７に覆われている。搭載部４１Ｒには、図３に示すように、第１制御素子８Ａが搭載されている。第１制御素子８Ａは、上述の通り、接合材８５により、搭載部４１Ｒに固着されている。搭載部４１Ｒは、搭載部４１Ｈと同様に、ｚ方向において支持基板５１から離間している。
　端子部４２Ｒは、リード４Ｒのうち封止部材７から突出した部位である。端子部４２Ｒは、図３に示すように、ｙ方向において、搭載部４１Ｒよりもリード３Ａ～３Ｇ，３Ｚとは反対側に突出している。端子部４２Ｒは、半導体装置Ａ１を外部の回路の電気的に接続するために用いられる。図示された例において、端子部４２Ｒは、ｚ方向に折り曲げられて、Ｌ字状をなす。
　パッド部４３Ｒは、封止部材７に覆われている。パッド部４３Ｒは、搭載部４１Ｒに隣接している。パッド部４３Ｒには、図３に示すように、複数のワイヤ６Ｌのいずれかが接合されている。
　連結部４４Ｒはそれぞれ、封止部材７に覆われている。連結部４４Ｒは、端子部４２Ｒとパッド部４３Ｒとの間に介在し、これらに繋がる。
　図３に示すように、複数のリード４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ，４Ｑは、リード４Ｈに対してｘ方向のｘ２側に配置されている。以下においては、リード４Ｑについて詳述するが、リード４Ｊ，４Ｋ，４Ｌ，４Ｍ，４Ｎ，４Ｐも同様の構成部位を含む。この場合、リード４Ｑの各構成部位の「Ｑ」を「Ｊ」、「Ｋ」、「Ｌ」、「Ｍ」、「Ｎ」または「Ｐ」に変えたものが、リード４Ｊ，４Ｋ，４Ｌ，４Ｍ，４Ｎ，４Ｐの各構成部位となる。
　リード４Ｑは、図３に示すように、端子部４２Ｑ、パッド部４３Ｑおよび連結部４４Ｑを含む。上述の通り、詳述は省略するが、図３に示すように、リード４Ｊは、端子部４２Ｊ、パッド部４３Ｊおよび連結部４４Ｊを含み、リード４Ｋは、端子部４２Ｋ、パッド部４３Ｋおよび連結部４４Ｋを含み、リード４Ｌは、端子部４２Ｌ、パッド部４３Ｌおよび連結部４４Ｌを含み、リード４Ｍは、端子部４２Ｍ、パッド部４３Ｍおよび連結部４４Ｍを含み、リード４Ｎは、端子部４２Ｎ、パッド部４３Ｎおよび連結部４４Ｎを含み、リード４Ｐは、端子部４２Ｐ、パッド部４３Ｐおよび連結部４４Ｐを含む。
　端子部４２Ｑは、リード４Ｑのうち封止部材７から突出した部位である。端子部４２Ｑは、図３に示すように、ｙ方向において、パッド部４３Ｑに対してリード３Ａ～３Ｇ，３Ｚとは反対側に突出している。端子部４２Ｑは、半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、端子部４２Ｑは、ｚ方向に折り曲げられて、Ｌ字状をなす。複数のリード４Ｑ，４Ｊ～４Ｎの端子部４２Ｑ，４２Ｊ～４２Ｎはそれぞれ、ｘ方向において、リード４Ｈの端子部４２Ｈとリード４Ｒの端子部４２Ｒとの間に配置されており、リード４Ｐの端子部４２Ｐは、端子部４２Ｒに対してｘ方向のｘ２側に位置する。
　パッド部４３Ｑは、封止部材７に覆われている。パッド部４３Ｑには、図３に示すように、複数のワイヤ６Ｌのいずれかが接合されており、当該ワイヤ６Ｌを介して、第１制御素子８Ａの電極８２に導通する。ただし、図３に示す例では、パッド部４３Ｐには、複数のワイヤ６Ｌのいずれも接合されていない。
　連結部４４Ｑは、封止部材７に覆われている。連結部４４Ｑは、図３に示すように、端子部４２Ｑとパッド部４３Ｑとに繋がり、これらの間に介在している。
　図示された例において、複数の端子部４２Ａ～４２Ｃは、第１ピッチ幅ｄ１（図３参照）でｘ方向に並んで配置されている。また、複数の端子部４２Ｄ～４２Ｈ，４２Ｊ～４２Ｎ，４２Ｐ～４２Ｒは、第２ピッチ幅ｄ２（図３参照）でｘ方向に並んで配置されている。第１ピッチ幅ｄ１は、第２ピッチ幅ｄ２よりも大きい。端子部４２Ｃと端子部４２Ｄとのｘ方向に沿う距離は、第１ピッチ幅ｄ１である。
　支持基板５１は、図８に示すように、複数のリード３Ａ～３Ｄを支持しており、たとえばこれらを介して複数の第１スイッチ部１および複数の第２スイッチ部２のそれぞれからの熱を半導体装置Ａ１外に伝達するために設けられている。支持基板５１は、板状であって、平面視矩形状である。支持基板５１は、絶縁性材料からなり、当該絶縁性材料としては、たとえばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、ジルコニア入りアルミナなどのセラミックスが採用される。なお、支持基板５１は、セラミックスからなる構成が強度、熱伝達率および絶縁性の観点から好ましいが、これに限定されず、種々の材料（たとえばエポキシ樹脂やシリコンなど）が採用される。また、支持基板５１は、封止部材７よりも熱伝導率が高い材料が好ましい。
　支持基板５１は、図３および図８～図１１に示すように、第１面５１１、第２面５１２、第３面５１３、第４面５１４、第５面５１５および第６面５１６を有する。図８～図１１に示すように、第１面５１１および第２面５１２は、ｚ方向に離間する。第１面５１１はｚ方向上方（ｚ方向のｚ１側）を向き、第２面５１２はｚ方向下方（ｚ方向のｚ２側）を向く。図８に示すように、第１面５１１には、複数の搭載部３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄが、複数の接合材３９を介してそれぞれ接合されている。第２面５１２は、図８～図１１に示すように、封止部材７から露出している。第３面５１３、第４面５１４、第５面５１５および第６面５１６は、ｚ方向において第１面５１１と第２面５１２との間に位置し、これらに繋がる。図３、図８および図９に示すように、第３面５１３および第４面５１４は、ｘ方向に離間する。第３面５１３はｘ方向のｘ２側を向き、第４面５１４はｘ方向のｘ１側を向く。図３、図１０および図１１に示すように、第５面５１５および第６面５１６はｙ方向に離間する。第５面５１５はｙ方向のｙ２側を向き、第６面５１６はｙ方向のｙ１側を向く。図示された例において、第１面５１１、第２面５１２、第３面５１３、第４面５１４、第５面５１５および第６面５１６はそれぞれ、平坦である。
　配線パターン５２は、図３および図８に示すように、支持基板５１の第１面５１１上に形成されている。配線パターン５２は、導電性材料からなる。配線パターン５２を構成する導電性材料は、特に限定されないが、たとえばＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ等を含むものが挙げられる。以降の説明においては、配線パターン５２がＡｇを含む場合を例に説明する。なお、配線パターン５２は、Ａｇに代えてＣｕを含んでいてもよいし、ＡｇまたはＣｕに代えてＡｕを含んでいてもよい。あるいは、配線パターン５２は、Ａｇ－ＰｔやＡｇ－Ｐｄを含んでいてもよい。また、配線パターン５２の形成手法は限定されず、たとえばこれらの金属を含むペーストを印刷した後に、焼成することによって形成される。配線パターン５２は、封止部材７に覆われている。図４、図５および図８に示すように、配線パターン５２は、複数の配線部５４１Ａ，５４１Ｂ，５４２Ａ，５４２Ｂ，５４３Ａ，５４３Ｂ，５４４Ａ～５４４Ｃ，５４５Ａ～５４５Ｃ，５４６Ａ～５４６Ｃを含む。
　複数の配線部５４１Ａ，５４１Ｂ，５４２Ａ，５４２Ｂ，５４３Ａ，５４３Ｂ，５４４Ａ～５４４Ｃ，５４５Ａ～５４５Ｃ，５４６Ａ～５４６Ｃはそれぞれ、ｙ方向において、複数のリード３Ａ～３Ｇ，３Ｚと複数のリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒとの間に配置される。配線部５４１Ａ，５４２Ａ，５４３Ａは、特許請求の範囲に記載の「第１配線部」の一例である。配線部５４１Ｂ，５４２Ｂ，５４３Ｂは、特許請求の範囲に記載の「第２配線部」の一例である。
　２つの配線部５４１Ａ，５４１Ｂは、第１制御素子８Ａおよび第１アーム１Ａ間の導通経路の一部である。２つの配線部５４１Ａ，５４１Ｂは、搭載部３１Ｂよりもｙ方向のｙ１側に位置する。２つの配線部５４１Ａ，５４１Ｂはそれぞれ、平面視において、第１制御素子８Ａの近辺から第１アーム１Ａの近辺に向かって延びる。配線部５４１Ａは、第１スイッチング素子１１Ａに対する第１駆動信号を伝送する。配線部５４１Ｂは、第２スイッチング素子１２Ａに対する第１駆動信号を伝送する。
　２つの配線部５４２Ａ，５４２Ｂは、第１制御素子８Ａおよび第２アーム１Ｂ間の導通経路の一部である。２つの配線部５４２Ａ，５４２Ｂは、搭載部３１Ｃよりもｙ方向のｙ１側に位置する。２つの配線部５４２Ａ，５４２Ｂはそれぞれ、平面視において、第１制御素子８Ａの近辺から第２アーム１Ｂの近辺に向かって延びる。配線部５４２Ａは、第１スイッチング素子１１Ｂに対する第１駆動信号を伝送する。配線部５４２Ｂは、第２スイッチング素子１２Ｂに対する第１駆動信号を伝送する。
　２つの配線部５４３Ａ，５４３Ｂは、第１制御素子８Ａおよび第３アーム１Ｃ間の導通経路の一部である。２つの配線部５４３Ａ，５４３Ｂは、搭載部３１Ｄよりもｙ方向のｙ１側に位置する。２つの配線部５４３Ａ，５４３Ｂはそれぞれ、平面視において、第１制御素子８Ａの近辺から第３アーム１Ｃの近辺に向かって延びる。配線部５４３Ａは、第１スイッチング素子１１Ｃに対する第１駆動信号を伝送する。配線部５４３Ｂは、第２スイッチング素子１２Ｃに対する第１駆動信号を伝送する。
　３つの配線部５４４Ａ～５４４Ｃは、第２制御素子８Ｂおよび第４アーム２Ａ間の導通経路の一部である。３つの配線部５４４Ａ～５４４Ｃは、搭載部３１１Ａよりもｙ方向のｙ１側に位置する。３つの配線部５４４Ａ～５４４Ｃはそれぞれ、平面視において、第２制御素子８Ｂの近辺から第４アーム２Ａの近辺に向かって延びる。配線部５４４Ａは、第３スイッチング素子２１Ａに対する第２駆動信号を伝送する。配線部５４４Ｂは、第４スイッチング素子２２Ａに対する第２駆動信号を伝送する。配線部５４４Ｃは、第４スイッチング素子２２Ａの導通状態を検出するための検出信号を伝送する。当該検出信号は、たとえば第４スイッチング素子２２Ａのソース電流（またはソース電圧）である。
　３つの配線部５４５Ａ～５４５Ｃは、第２制御素子８Ｂおよび第５アーム２Ｂ間の導通経路の一部である。３つの配線部５４５Ａ～５４５Ｃは、搭載部３１２Ａよりもｙ方向のｙ１側に位置する。３つの配線部５４５Ａ～５４５Ｃはそれぞれ、平面視において、第２制御素子８Ｂの近辺から第５アーム２Ｂの近辺に向かって延びる。配線部５４５Ａは、第３スイッチング素子２１Ｂに対する第２駆動信号を伝送する。配線部５４５Ｂは、第４スイッチング素子２２Ｂに対する第２駆動信号を伝送する。配線部５４５Ｃは、第４スイッチング素子２２Ｂの導通状態を検出するための検出信号を伝送する。当該検出信号は、たとえば第４スイッチング素子２２Ｂのソース電流（またはソース電圧）である。
　３つの配線部５４６Ａ～５４６Ｃは、第２制御素子８Ｂおよび第６アーム２Ｃ間の導通経路の一部である。３つの配線部５４６Ａ～５４６Ｃは、搭載部３１３Ａよりもｙ方向のｙ１側に位置する。３つの配線部５４６Ａ～５４６Ｃはそれぞれ、平面視において、第２制御素子８Ｂの近辺から第６アーム２Ｃの近辺に向かって延びる。配線部５４６Ａは、第３スイッチング素子２１Ｃに対する第２駆動信号を伝送する。配線部５４６Ｂは、第４スイッチング素子２２Ｃに対する第２駆動信号を伝送する。配線部５４６Ｃは、第４スイッチング素子２２Ｃの導通状態を検出するための検出信号を伝送する。当該検出信号は、たとえば第４スイッチング素子２２Ｃのソース電流（またはソース電圧）である。
　複数の接続部材６は、互いに離間する２つの部位を導通させる。図３～図５から理解されるように、複数の接続部材６は、複数のワイヤ６Ａ～６Ｆ，６Ｌ，６１Ｇ，６１Ｈ，６１Ｊ，６１Ｋ，６１Ｑ，６２Ｇ，６２Ｈ，６２Ｊ，６２Ｋ，６２Ｑを含む。各ワイヤ６Ａ～６Ｆ，６Ｌ，６１Ｇ，６１Ｈ，６１Ｊ，６１Ｋ，６１Ｑ，６２Ｇ，６２Ｈ，６２Ｊ，６２Ｋ，６２Ｑ（各接続部材６）は、ボンディングワイヤである。なお、各接続部材６として、各ワイヤ６Ａ～６Ｆ，６Ｌ，６１Ｇ，６１Ｈ，６１Ｊ，６１Ｋ，６１Ｑ，６２Ｇ，６２Ｈ，６２Ｊ，６２Ｋ，６２Ｑの代わりに、導電性の板状部材を用いてもよいし、ボンディングリボンを用いてもよいし、メッキ線を用いてもよい。
　ワイヤ６Ａは、図５に示すように、第３スイッチング素子２１Ａの電極２１２（エミッタ）と、第４スイッチング素子２２Ａの電極２２２（ソース）と、第２保護素子２３Ａの電極２３１（アノード）とに接合されている。これにより、第３スイッチング素子２１Ａの電極２１２と、第４スイッチング素子２２Ａの電極２２２と、第２保護素子２３Ａの電極２３１とが互いに導通する。また、ワイヤ６Ａは、図３に示すように、リード３Ｂのパッド部３３Ｂに接合されている。リード３Ｂが第１アーム１Ａ（第１スイッチング素子１１Ａの電極１１１、第２スイッチング素子１２Ａの電極１２１および第１保護素子１３Ａの電極１３２）に導通することから、第３スイッチング素子２１Ａの電極２１２、第４スイッチング素子２２Ａの電極２２２および第２保護素子２３Ａの電極２３１と、第１スイッチング素子１１Ａの電極１１１、第２スイッチング素子１２Ａの電極１２１および第１保護素子１３Ａの電極１３２とが、リード３Ｂおよびワイヤ６Ａを介して、電気的に接続される。
　ワイヤ６Ｂは、図５に示すように、第３スイッチング素子２１Ｂの電極２１２（エミッタ）と、第４スイッチング素子２２Ｂの電極２２２（ソース）と、第２保護素子２３Ｂの電極２３１（アノード）とに接合されている。これにより、第３スイッチング素子２１Ｂの電極２１２と、第４スイッチング素子２２Ｂの電極２２２と、第２保護素子２３Ｂの電極２３１とが互いに導通する。また、ワイヤ６Ｂは、図３に示すように、リード３Ｃのパッド部３３Ｃに接合されている。リード３Ｃが第２アーム１Ｂ（第１スイッチング素子１１Ｂの電極１１１、第２スイッチング素子１２Ｂの電極１２１および第１保護素子１３Ｂの電極１３２）に導通することから、第３スイッチング素子２１Ｂの電極２１２、第４スイッチング素子２２Ｂの電極２２２および第２保護素子２３Ｂの電極２３１と、第１スイッチング素子１１Ｂの電極１１１、第２スイッチング素子１２Ｂの電極１２１および第１保護素子１３Ｂの電極１３２とが、リード３Ｃおよびワイヤ６Ｂを介して、電気的に接続される。
　ワイヤ６Ｃは、図５に示すように、第３スイッチング素子２１Ｃの電極２１２（エミッタ）と、第４スイッチング素子２２Ｃの電極２２２（ソース）と、第２保護素子２３Ｃの電極２３１（アノード）とに接合されている。これにより、第３スイッチング素子２１Ｃの電極２１２と、第４スイッチング素子２２Ｃの電極２２２と、第２保護素子２３Ｃの電極２３１とが互いに導通する。また、ワイヤ６Ｃは、図３に示すように、リード３Ｄのパッド部３３Ｄに接合されている。リード３Ｄが第３アーム１Ｃ（第１スイッチング素子１１Ｃの電極１１１、第２スイッチング素子１２Ｃの電極１２１および第１保護素子１３Ｃの電極１３２）に導通することから、第３スイッチング素子２１Ｃの電極２１２、第４スイッチング素子２２Ｃの電極２２２および第２保護素子２３Ｃの電極２３１と、第１スイッチング素子１１Ｃの電極１１１、第２スイッチング素子１２Ｃの電極１２１および第１保護素子１３Ｃの電極１３２とが、リード３Ｄおよびワイヤ６Ｃを介して、電気的に接続される。
　ワイヤ６Ｄは、図４に示すように、第１スイッチング素子１１Ａの電極１１２（エミッタ）と、第２スイッチング素子１２Ａの電極１２２（ソース）と、第１保護素子１３Ａの電極１３１（アノード）とに接合されている。これにより、第１スイッチング素子１１Ａの電極１１２と、第２スイッチング素子１２Ａの電極１２２と、第１保護素子１３Ａの電極１３１とが互いに導通する。また、ワイヤ６Ｄは、図３に示すように、リード３Ｅのパッド部３３Ｅに接合されている。よって、リード３Ｅは、ワイヤ６Ｄを介して、第１スイッチング素子１１Ａの電極１１２、第２スイッチング素子１２Ａの電極１２２および第１保護素子１３Ａの電極１３１に導通する。
　ワイヤ６Ｅは、図４に示すように、第１スイッチング素子１１Ｂの電極１１２（エミッタ）と、第２スイッチング素子１２Ｂの電極１２２（ソース）と、第１保護素子１３Ｂの電極１３１（アノード）とに接合されている。これにより、第１スイッチング素子１１Ｂの電極１１２と、第２スイッチング素子１２Ｂの電極１２２と、第１保護素子１３Ｂの電極１３１とが互いに導通する。また、ワイヤ６Ｅは、図３に示すように、リード３Ｆのパッド部３３Ｆに接合されている。よって、リード３Ｆは、ワイヤ６Ｅを介して、第１スイッチング素子１１Ｂの電極１１２、第２スイッチング素子１２Ｂの電極１２２および第１保護素子１３Ｂの電極１３１に導通する。
　ワイヤ６Ｆは、図４に示すように、第１スイッチング素子１１Ｃの電極１１２（エミッタ）と、第２スイッチング素子１２Ｃの電極１２２（ソース）と、第１保護素子１３Ｃの電極１３１（アノード）とに接合されている。これにより、第１スイッチング素子１１Ｃの電極１１２と、第２スイッチング素子１２Ｃの電極１２２と、第１保護素子１３Ｃの電極１３１とが互いに導通する。また、ワイヤ６Ｆは、図３に示すように、リード３Ｇのパッド部３３Ｇに接合されている。よって、リード３Ｇは、ワイヤ６Ｆを介して、第１スイッチング素子１１Ｃの電極１１２、第２スイッチング素子１２Ｃの電極１２２および第１保護素子１３Ｃの電極１３１に導通する。
　複数のワイヤ６１Ｇは、図４に示すように、第１制御素子８Ａの複数の電極８１と、複数の配線部５４１Ａ，５４２Ａ，５４３Ａとに、それぞれ個別に接合されている。複数のワイヤ６２Ｇは、複数の配線部５４１Ａ，５４２Ａ，５４３Ａと、複数の第１スイッチング素子１１の電極１１３（ゲート）とに、それぞれ個別に接合されている。図４に示すように、第１スイッチング素子１１Ａの電極１１３は、ワイヤ６２Ｇ、配線部５４１Ａおよびワイヤ６１Ｇを介して、第１制御素子８Ａの電極８１に導通する。よって、第１スイッチング素子１１Ａに対する第１駆動信号は、第１制御素子８Ａの電極８１から、ワイヤ６１Ｇ、配線部５４１Ａおよびワイヤ６２Ｇを伝って、第１スイッチング素子１１Ａの電極１１３に入力される。第１スイッチング素子１１Ｂの電極１１３は、ワイヤ６２Ｇ、配線部５４２Ａおよびワイヤ６１Ｇを介して、第１制御素子８Ａの電極８１に導通する。よって、第１スイッチング素子１１Ｂに対する第１駆動信号は、第１制御素子８Ａの電極８１から、ワイヤ６１Ｇ、配線部５４２Ａおよびワイヤ６２Ｇを伝って、第１スイッチング素子１１Ｂの電極１１３に入力される。第１スイッチング素子１１Ｃの電極１１３は、ワイヤ６２Ｇ、配線部５４３Ａおよびワイヤ６１Ｇを介して、第１制御素子８Ａの電極８１に導通する。よって、第１スイッチング素子１１Ｃに対する第１駆動信号は、第１制御素子８Ａの電極８１から、ワイヤ６１Ｇ、配線部５４３Ａおよびワイヤ６２Ｇを伝って、第１スイッチング素子１１Ｃの電極１１３に入力される。ワイヤ６１Ｇは、特許請求の範囲に記載の「第１接続部材」の一例であり、ワイヤ６２Ｇは、特許請求の範囲に記載の「第２接続部材」の一例である。
　複数のワイヤ６１Ｈは、図４に示すように、第１制御素子８Ａの複数の電極８１と、複数の配線部５４１Ｂ，５４２Ｂ，５４３Ｂとに、それぞれ個別に接合されている。複数のワイヤ６２Ｈは、複数の配線部５４１Ｂ，５４２Ｂ，５４３Ｂと、複数の第２スイッチング素子１２の電極１２３とに、それぞれ個別に接合されている。図４に示すように、第２スイッチング素子１２Ａの電極１２３（ゲート）は、ワイヤ６２Ｈ、配線部５４１Ｂおよびワイヤ６１Ｈを介して、第１制御素子８Ａの電極８１に導通する。よって、第２スイッチング素子１２Ａに対する第１駆動信号は、第１制御素子８Ａの電極８１から、ワイヤ６１Ｈ、配線部５４１Ｂおよびワイヤ６２Ｈを伝って、第２スイッチング素子１２Ａの電極１２３に入力される。第２スイッチング素子１２Ｂの電極１２３は、ワイヤ６２Ｈ、配線部５４２Ｂおよびワイヤ６１Ｈを介して、第１制御素子８Ａの電極８１に導通する。よって、第２スイッチング素子１２Ｂに対する第１駆動信号は、第１制御素子８Ａの電極８１から、ワイヤ６１Ｈ、配線部５４２Ｂおよびワイヤ６２Ｈを伝って、第２スイッチング素子１２Ｂの電極１２３に入力される。第２スイッチング素子１２Ｃの電極１２３は、ワイヤ６２Ｈ、配線部５４３Ｂおよびワイヤ６１Ｈを介して、第１制御素子８Ａの電極８１に導通する。よって、第２スイッチング素子１２Ｃに対する第１駆動信号は、第１制御素子８Ａの電極８１から、ワイヤ６１Ｈ、配線部５４３Ｂおよびワイヤ６２Ｈを伝って、第２スイッチング素子１２Ｃの電極１２３に入力される。ワイヤ６１Ｈは、特許請求の範囲に記載の「第３接続部材」の一例であり、ワイヤ６２Ｈは、特許請求の範囲に記載の「第４接続部材」の一例である。
　複数のワイヤ６１Ｑは、図５に示すように、第２制御素子８Ｂの複数の電極８１と、複数の配線部５４４Ａ，５４５Ａ，５４６Ａとに、それぞれ個別に接合されている。複数のワイヤ６２Ｑは、複数の配線部５４４Ａ，５４５Ａ，５４６Ａと、複数の第３スイッチング素子２１の電極２１３（ゲート）とに、それぞれ個別に接合されている。図５に示すように、第３スイッチング素子２１Ａの電極２１３は、ワイヤ６２Ｑ、配線部５４４Ａおよびワイヤ６１Ｑを介して、第２制御素子８Ｂの電極８１に導通する。よって、第３スイッチング素子２１Ａに対する第２駆動信号は、第２制御素子８Ｂの電極８１から、ワイヤ６１Ｑ、配線部５４４Ａおよびワイヤ６２Ｑを伝って、第３スイッチング素子２１Ａの電極２１３に入力される。第３スイッチング素子２１Ｂの電極２１３は、ワイヤ６２Ｑ、配線部５４５Ａおよびワイヤ６１Ｑを介して、第２制御素子８Ｂの電極８１に導通する。よって、第３スイッチング素子２１Ｂに対する第２駆動信号は、第２制御素子８Ｂの電極８１から、ワイヤ６１Ｑ、配線部５４５Ａおよびワイヤ６２Ｑを伝って、第３スイッチング素子２１Ｂの電極２１３に入力される。第３スイッチング素子２１Ｃの電極２１３は、ワイヤ６２Ｑ、配線部５４６Ａおよびワイヤ６１Ｑを介して、第２制御素子８Ｂの電極８１に導通する。よって、第３スイッチング素子２１Ｃに対する第２駆動信号は、第２制御素子８Ｂの電極８１から、ワイヤ６１Ｑ、配線部５４６Ａおよびワイヤ６２Ｑを伝って、第３スイッチング素子２１Ｃの電極２１３に入力される。
　複数のワイヤ６１Ｊは、図５に示すように、第２制御素子８Ｂの複数の電極８１と、複数の配線部５４４Ｂ，５４５Ｂ，５４６Ｂとに、それぞれ個別に接合されている。複数のワイヤ６２Ｊは、複数の配線部５４４Ｂ，５４５Ｂ，５４６Ｂと、複数の第４スイッチング素子２２の電極２２３（ゲート）とに、それぞれ個別に接合されている。図５に示すように、第４スイッチング素子２２Ａの電極２２３は、ワイヤ６２Ｊ、配線部５４４Ｂおよびワイヤ６１Ｊを介して、第２制御素子８Ｂの電極８１に導通する。よって、第４スイッチング素子２２Ａに対する第２駆動信号は、第２制御素子８Ｂの電極８１から、ワイヤ６１Ｊ、配線部５４４Ｂおよびワイヤ６２Ｊを伝って、第４スイッチング素子２２Ａの電極２２３に入力される。第４スイッチング素子２２Ｂの電極２２３は、ワイヤ６２Ｊ、配線部５４５Ｂおよびワイヤ６１Ｊを介して、第２制御素子８Ｂの電極８１に導通する。よって、第４スイッチング素子２２Ｂに対する第２駆動信号は、第２制御素子８Ｂの電極８１から、ワイヤ６１Ｊ、配線部５４５Ｂおよびワイヤ６２Ｊを伝って、第４スイッチング素子２２Ｂの電極２２３に入力される。第４スイッチング素子２２Ｃの電極２２３は、ワイヤ６２Ｊ、配線部５４６Ｂおよびワイヤ６１Ｊを介して、第２制御素子８Ｂの電極８１に導通する。よって、第４スイッチング素子２２Ｃに対する第２駆動信号は、第２制御素子８Ｂの電極８１から、ワイヤ６１Ｊ、配線部５４６Ｂおよびワイヤ６２Ｊを伝って、第４スイッチング素子２２Ｃの電極２２３に入力される。
　複数のワイヤ６１Ｋは、図５に示すように、第２制御素子８Ｂの複数の電極８３と、複数の配線部５４４Ｃ，５４５Ｃ，５４６Ｃとに、それぞれ個別に接合されている。複数のワイヤ６２Ｋは、複数の配線部５４４Ｃ，５４５Ｃ，５４６Ｃと、複数の第４スイッチング素子２２の電極２２２（ソース）とに、それぞれ個別に接合されている。図５に示すように、第４スイッチング素子２２Ａの電極２２２は、ワイヤ６２Ｋ、配線部５４４Ｃおよびワイヤ６１Ｋを介して、第２制御素子８Ｂの電極８３に導通する。よって、第４スイッチング素子２２Ａの検出信号は、第４スイッチング素子２２Ａの電極２２２から、ワイヤ６２Ｋ、配線部５４４Ｃおよびワイヤ６１Ｋを伝って、第２制御素子８Ｂの電極８３に入力される。第４スイッチング素子２２Ｂの電極２２２は、ワイヤ６２Ｋ、配線部５４５Ｃおよびワイヤ６１Ｋを介して、第２制御素子８Ｂの電極８３に導通する。よって、第４スイッチング素子２２Ｂの検出信号は、第４スイッチング素子２２Ｂの電極２２２から、ワイヤ６２Ｋ、配線部５４５Ｃおよびワイヤ６１Ｋを伝って、第２制御素子８Ｂの電極８３に入力される。第４スイッチング素子２２Ｃの電極２２２は、ワイヤ６２Ｋ、配線部５４６Ｃおよびワイヤ６１Ｋを介して、第２制御素子８Ｂの電極８３に導通する。よって、第４スイッチング素子２２Ｃの検出信号は、ワイヤ６２Ｋ、配線部５４６Ｃおよびワイヤ６１Ｋを伝って、第２制御素子８Ｂの電極８３に入力される。
　複数のワイヤ６Ｌはそれぞれ、第１制御素子８Ａの電極８２または第２制御素子８Ｂの電極８２と、複数の電子部品８９Ｕ，８９Ｖ，８９Ｗのいずれかまたは複数のリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒのいずれかのパッド部４３Ａ～４３Ｈ，４３Ｊ～４３Ｎ，４３Ｐ～４３Ｒとに接続されている。よって、各ワイヤ６Ｌは、第１制御素子８Ａまたは第２制御素子８Ｂと、各リード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒとを導通させる。
　複数の接続部材６において、各ワイヤ６Ａ～６Ｆは、各ワイヤ６Ｌ，６１Ｇ，６１Ｈ，６１Ｊ，６１Ｋ，６１Ｑ，６２Ｇ，６２Ｈ，６２Ｊ，６２Ｋ，６２Ｑよりも線径が太い。これは、半導体装置Ａ１が、ＩＰＭとして構成された場合、複数のリード３Ａ～３Ｇには、複数のリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒよりも高電圧が印加され、より大きな電流が流されるからである。各ワイヤ６Ａ～６Ｆは、たとえばＡｌまたはＡｌ合金からなる。各ワイヤ６Ａ～６Ｆの構成材料は、ＡｌまたはＡｌ合金ではなく、ＡｕまたはＡｕ合金あるいはＣｕまたはＣｕ合金であってもよい。各ワイヤ６Ｌ，６１Ｇ，６１Ｈ，６１Ｊ，６１Ｋ，６１Ｑ，６２Ｇ，６２Ｈ，６２Ｊ，６２Ｋ，６２Ｑは、たとえばＡｕまたはＡｕ合金からなる。各ワイヤ６Ｌ，６１Ｇ，６１Ｈ，６１Ｊ，６１Ｋ，６１Ｑ，６２Ｇ，６２Ｈ，６２Ｊ，６２Ｋ，６２Ｑの構成材料は、ＡｕまたはＡｕ合金ではなく、ＡｌまたはＡｌ合金あるいはＣｕまたはＣｕ合金であってもよい。
　封止部材７は、図１～図３および図６～図１１に示すように、複数の第１スイッチ部１、複数の第２スイッチ部２、第１制御素子８Ａ、第２制御素子８Ｂ、複数の電子部品８９Ｕ，８９Ｖ，８９Ｗ、複数のリード３Ａ～３Ｇ，３Ｚ各々の一部、複数のリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒ各々の一部、支持基板５１の一部および複数の接続部材６を覆っている。封止部材７は、たとえば黒色のエポキシ樹脂である。封止部材７は、樹脂主面７１、樹脂裏面７２および複数の樹脂側面７３～７６を有する。
　図６～図１１に示すように、樹脂主面７１および樹脂裏面７２は、ｚ方向に離間する。樹脂主面７１はｚ方向上方（ｚ方向のｚ１側）を向き、樹脂裏面７２はｚ方向下方（ｚ方向のｚ２側）を向く。樹脂主面７１および樹脂裏面７２はそれぞれ、略平坦である。複数の樹脂側面７３～７６はそれぞれ、ｚ方向において樹脂主面７１と樹脂裏面７２との間に位置し、これらに繋がっている。図２、図３、図８および図９に示すように、一対の樹脂側面７３，７４は、ｘ方向に離間する。一対の樹脂側面７３，７４は、ｘ方向において互いに反対側を向く。図２、図３、図１０および図１１に示すように、一対の樹脂側面７５，７６は、ｙ方向に離間する。一対の樹脂側面７５，７６は、ｙ方向において互いに反対側を向く。図２および図３などに示すように、樹脂側面７３には、ｘ方向に窪んだ凹部７３１が形成されている。樹脂側面７４には、ｘ方向に窪んだ凹部７４１が形成されている。凹部７３１および凹部７４１は、たとえば半導体装置Ａ１を実装する際の固定に用いられる。また、図２および図３に示すように、樹脂側面７６には、各々がｙ方向に窪んだ複数の凹部７６１が形成されている。
　半導体装置Ａ１では、端子部３２Ａ（リード３Ａ）と端子部３２Ｅ（リード３Ｅ）とに印加された第１直流電圧が、第１アーム１Ａと第４アーム２Ａとの各スイッチング動作により、第１交流電圧に変換される。そして、当該第１交流電圧が端子部３２Ｂ（リード３Ｂ）から出力される。また、端子部３２Ａ（リード３Ａ）と端子部３２Ｆ（リード３Ｆ）とに印加された第２直流電圧が、第２アーム１Ｂと第５アーム２Ｂとの各スイッチング動作により、第２交流電圧に変換される。そして、当該第２交流電圧が端子部３２Ｃ（リード３Ｃ）から出力される。さらに、端子部３２Ａ（リード３Ａ）と端子部３２Ｇ（リード３Ｇ）とに印加された第３直流電圧が、第３アーム１Ｃと第６アーム２Ｃとの各スイッチング動作により、第３交流電圧に変換される。そして、当該第３交流電圧が端子部３２Ｄ（リード３Ｄ）から出力される。
　以上のように構成された半導体装置Ａ１の回路構成は、図１２に示すように、次の通りである。図１２に示す例では、各第１スイッチング素子１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃおよび各第３スイッチング素子２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃはそれぞれ、ＩＧＢＴであり、各第２スイッチング素子１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃおよび各第４スイッチング素子２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃはそれぞれ、ＭＯＳＦＥＴである。また、各第１保護素子１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃおよび各第２保護素子２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃはそれぞれ、ショットキーバリアダイオードである。なお、図１２においては、各第２スイッチング素子１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃおよび各第４スイッチング素子２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃの寄生ダイオードも図示する。
　各第３スイッチング素子２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃのコレクタ（電極２１１）、各第４スイッチング素子２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃのドレイン（電極２２１）および各第２保護素子２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃのカソード（電極１３１）は互いに接続され、Ｐ端子（リード３Ａ）に接続されている。
　第３スイッチング素子２１Ａのエミッタ（電極２１２）、第４スイッチング素子２２Ａのソース（電極２２２）および第２保護素子２３Ａのアノード（電極２３１）は、接続点Ｎ１を介して、第１スイッチング素子１１Ａのコレクタ（電極１１１）、第２スイッチング素子１２Ａのドレイン（電極１２１）および第１保護素子１３Ａのカソード（電極１３２）に接続されている。接続点Ｎ１は、Ｕ端子（リード３Ｂ）に接続される。
　第３スイッチング素子２１Ｂのエミッタ（電極２１２）、第４スイッチング素子２２Ｂのソース（電極２２２）および第２保護素子２３Ｂのアノード（電極２３１）は、接続点Ｎ２を介して、第１スイッチング素子１１Ｂのコレクタ（電極１１１）、第２スイッチング素子１２Ｂのドレイン（電極１２１）および第１保護素子１３Ｂのカソード（電極１３２）に接続されている。接続点Ｎ２は、Ｖ端子（リード３Ｃ）に接続される。
　第３スイッチング素子２１Ｃのエミッタ（電極２１２）、第４スイッチング素子２２Ｃのソース（電極２２２）および第２保護素子２３Ｃのアノード（電極２３１）は、接続点Ｎ３を介して、第１スイッチング素子１１Ｃのコレクタ（電極１１１）、第２スイッチング素子１２Ｃのドレイン（電極１２１）および第１保護素子１３Ｃのカソード（電極１３２）に接続されている。接続点Ｎ３は、Ｗ端子（リード３Ｄ）に接続される。
　第１スイッチング素子１１Ａのエミッタ（電極１１２）、第２スイッチング素子１２Ａのソース（電極１２２）および第１保護素子１３Ａのアノード（電極１３１）は、ＮＵ端子（リード３Ｅ）に接続される。第１スイッチング素子１１Ｂのエミッタ（電極１１２）、第２スイッチング素子１２Ｂのソース（電極１２２）および第１保護素子１３Ｂのアノード（電極１３１）は、ＮＶ端子（リード３Ｆ）に接続される。第１スイッチング素子１１Ｃのエミッタ（電極１１２）、第２スイッチング素子１２Ｃのソース（電極１２２）および第１保護素子１３Ｃのアノード（電極１３１）は、ＮＷ端子（リード３Ｇ）に接続される。
　Ｕ端子（リード３Ｂ）、Ｖ端子（リード３Ｃ）およびＷ端子（リード３Ｄ）に印加される電圧レベルは、たとえば０Ｖ～６５０Ｖ程度である。一方、ＮＵ端子（リード３Ｅ）、ＮＶ端子（リード３Ｆ）およびＮＷ端子（リード３Ｇ）に印加される電圧レベルは、たとえば、０Ｖ程度であり、Ｕ端子（リード３Ｂ）、Ｖ端子（リード３Ｃ）およびＷ端子（リード３Ｄ）に印加される電圧レベルよりも低い。
　各第３スイッチング素子２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃのゲート（電極２１３）および各第４スイッチング素子２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃのゲート（電極２２３）はそれぞれ、第２制御素子８Ｂに接続される。各第４スイッチング素子２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃのソース（電極２２２）はそれぞれ、第２制御素子８Ｂに接続される。各第１スイッチング素子１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃのゲート（電極１１３）および各第２スイッチング素子１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃのゲート（電極１２３）はそれぞれ、第１制御素子８Ａに接続される。
　ＬＩＮＵ端子（リード４Ｑ）、ＬＩＮＶ端子（リード４Ｊ）、ＬＩＮＷ端子（リード４Ｋ）は、外部のゲート制御回路が接続され、ゲート制御回路から第１入力信号が入力される。ＨＩＮＵ端子（リード４Ｅ）、ＨＩＮＶ端子（リード４Ｆ）、ＨＩＮＷ端子（リード４Ｇ）は、上記ゲート制御回路（図示略）が接続され、当該ゲート制御回路から第２入力信号が入力される。
　第１制御素子８Ａは、ＬＩＮＵ端子（リード４Ｑ）、ＬＩＮＶ端子（リード４Ｊ）、ＬＩＮＷ端子（リード４Ｋ）、第２ＶＣＣ端子（リード４Ｌ）、ＦＯ端子（リード４Ｍ）、ＣＩＮ端子（リード４Ｎ）、および、第２ＧＮＤ端子（リード４Ｒ）に電気的に接続されている。また、第１制御素子８Ａは、第１ＧＮＤ端子（リード４Ｈ）にも電気的に接続されている。第２ＶＣＣ端子は、第１制御素子８Ａに電源電圧ＶＣＣを供給する端子である。第１制御素子８Ａは、ＬＩＮＵ端子、ＬＩＮＶ端子、ＬＩＮＷ端子から第１入力信号が入力される。第１制御素子８Ａは、入力される第１入力信号に基づいて、上記第１駆動信号（たとえばゲート電圧）を生成する。そして、生成した第１駆動信号を、各第１スイッチング素子１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃのゲート（電極１１３）および各第２スイッチング素子１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃのゲート（電極１２３）にそれぞれ入力する。
　第２制御素子８Ｂは、ＶＢＵ端子（リード４Ａ）、ＶＢＶ端子（リード４Ｂ）、ＶＢＷ端子（リード４Ｃ）、ＨＩＮＵ端子（リード４Ｄ）、ＨＩＮＶ端子（リード４Ｅ）、ＨＩＮＷ端子（リード４Ｆ）、第１ＶＣＣ端子（リード４Ｇ）、および、第１ＧＮＤ端子（リード４Ｈ）に、電気的に接続されている。また、第２制御素子８Ｂは、第２ＧＮＤ端子（リード４Ｒ）にも電気的に接続されている。第１ＶＣＣ端子は、第２制御素子８Ｂに電源電圧ＶＣＣを供給する端子である。第２制御素子８Ｂは、ＨＩＮＵ端子、ＨＩＮＶ端子およびＨＩＮＷ端子から第２入力信号が入力される。第２制御素子８Ｂは、入力された第２入力信号に基づいて、上記第２駆動信号（たとえばゲート電圧）を生成する。そして、生成した第２駆動信号を、各第３スイッチング素子２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃのゲート（電極２１３）および各第４スイッチング素子２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃのゲート（電極２２３）にそれぞれ入力する。
　図１２に示す例では、第１ＧＮＤ端子（リード４Ｈ）と第２ＧＮＤ端子（リード４Ｒ）とは、半導体装置Ａ１の内部において繋がっており、互いに同電位である。この構成とは異なり、第１ＧＮＤ端子（リード４Ｈ）と第２ＧＮＤ端子（リード４Ｒ）とは、半導体装置Ａ１の内部において互いに分離しており、異なる電位であってもよい。
　半導体装置Ａ１の作用および効果は、次の通りである。
　半導体装置Ａ１は、複数の第１スイッチ部１、第１制御素子８Ａ、複数の配線部５４１Ａ，５４２Ａ，５４３Ａ、複数の配線部５４１Ｂ，５４２Ｂ，５４３Ｂおよび複数のワイヤ６１Ｇ，６２Ｇ，６１Ｈ，６２Ｈを備える。複数の第１スイッチ部１の各々は、第１スイッチング素子１１および第２スイッチング素子１２を有する。第１制御素子８Ａは、各第１スイッチ部１の第１スイッチング素子１１および第２スイッチング素子１２に第１駆動信号を入力する。そして、第１制御素子８Ａは、各第１スイッチング素子１１に、複数のワイヤ６１Ｇのうちの対応する１つ、複数の配線部５４１Ａ，５４２Ａ，５４３Ａのうちの対応する１つおよび複数のワイヤ６２Ｇのうちの対応する１つを介して導通し、且つ、各第２スイッチング素子１２に、複数のワイヤ６１Ｈのうちの対応する１つ、複数の配線部５４１Ｂ，５４２Ｂ，５４３Ｂのうちの対応する１つおよび複数のワイヤ６２Ｈのうちの対応する１つを介して導通する。特許文献１に記載の半導体装置では、各パワー半導体チップと制御半導体チップとがそれぞれ、１本ワイヤで接続されている。このような従来の構成では、パワー半導体チップと制御半導体チップとの距離が大きくなるほど、これらを接続するワイヤが長くなる。当該ワイヤは、長ければ長い程、モールド樹脂の形成時においてワイヤ流れが発生しやすい。一方で、半導体装置Ａ１では、第１制御素子８Ａは、各第１スイッチ部１の第１スイッチング素子１１に、複数の配線部５４１Ａ，５４２Ａ，５４３Ａのうちの対応する１つを介して導通するので、各ワイヤ６１Ｇ，６２Ｇが長くなることを抑制することが可能となる。また、第１制御素子８Ａは、各第１スイッチ部１の第２スイッチング素子１２に、複数の配線部５４１Ｂ，５４２Ｂ，５４３Ｂのうちの対応する１つを介して導通するので、各ワイヤ６１Ｈ，６２Ｈが長くなることを抑制することが可能となる。つまり、半導体装置Ａ１は、第１制御素子８Ａから各第１スイッチング素子１１までの導通経路の一部である各ワイヤ６１Ｇ，６２Ｇ、および、第１制御素子８Ａから各第２スイッチング素子１２までの導通経路の一部である各ワイヤ６１Ｈ，６２Ｈの各ワイヤ流れを抑制することが可能となる。したがって、半導体装置Ａ１は、複数のスイッチング素子（第１スイッチング素子１１と第２スイッチング素子１２と）を１つの第１スイッチ部１として動作させる構成において、より好ましい構造となる。
　先述のワイヤ流れに関しては、複数の第２スイッチ部２（第３スイッチング素子２１および第４スイッチング素子２２）と第２制御素子８Ｂとの関係においても同様である。つまり、半導体装置Ａ１では、第２制御素子８Ｂは、各第２スイッチ部２の第３スイッチング素子２１に、複数の配線部５４４Ａ，５４５Ａ，５４６Ａのうちの対応する１つを介して導通するので、各ワイヤ６１Ｑ，６２Ｑが長くなることを抑制することが可能となる。また、第２制御素子８Ｂは、各第２スイッチ部２の第４スイッチング素子２２に、複数の配線部５４４Ｂ，５４５Ｂ，５４６Ｂのうちの対応する１つを介して導通するので、各ワイヤ６１Ｊ，６２Ｊが長くなることを抑制することが可能となる。つまり、半導体装置Ａ１は、第２制御素子８Ｂから各第３スイッチング素子２１までの導通経路の一部である各ワイヤ６１Ｑ，６２Ｑ、および、第２制御素子８Ｂから各第４スイッチング素子２２までの導通経路の一部である各ワイヤ６１Ｊ，６２Ｊの各ワイヤ流れを抑制することが可能となる。したがって、半導体装置Ａ１は、複数のスイッチング素子（第３スイッチング素子２１と第４スイッチング素子２２と）を１つの第２スイッチ部２として動作させる構成において、より好ましい構造となる。
　半導体装置Ａ１では、各第１スイッチ部１において、第１スイッチング素子１１は、ＩＧＢＴであり、第２スイッチング素子１２は、ＭＯＳＦＥＴである。一般的に、ＭＯＳＦＥＴとＩＧＢＴとは、物性および構造の違いにより、次のような電気的特性を示すことが知られている。たとえば、ＭＯＳＦＥＴは、ＩＧＢＴよりもスイッチング速度が速く、ＩＧＢＴよりもスイッチング損失が小さい。一方、ＩＧＢＴは、大電流域において、ＭＯＳＦＥＴよりもオン抵抗が小さく、ＭＯＳＦＥＴよりも定常損失が小さい。したがって、半導体装置Ａ１は、各第１スイッチ部１のスイッチング時（ターンオンおよびターンオフ）では、第２スイッチング素子１２（ＭＯＳＦＥＴ）に多くの電流が流れるように制御することで、スイッチング損失を低減できる。また、各第１スイッチ部１が定常状態では、第１スイッチング素子１１（ＩＧＢＴ）に多くの電流が流れるように制御することで、定常損失を低減できる。したがって、半導体装置Ａ１は、スイッチング損失および定常損失の双方を低減し、電力損失を低減できる。つまり、半導体装置Ａ１は、変換効率を向上させることが可能となる。このことは、各第２スイッチ部２における第３スイッチング素子２１と第４スイッチング素子２２との関係においても同様である。つまり、半導体装置Ａ１は、第３スイッチング素子２１がＩＧＢＴであり、第４スイッチング素子２２がＭＯＳＦＥＴであることから、スイッチング損失および定常損失の双方を低減し、電力損失を低減できる。
　半導体装置Ａ１では、複数の第１スイッチ部１は、第１アーム１Ａ、第２アーム１Ｂおよび第３アーム１Ｃを含み、第１アーム１Ａ、第２アーム１Ｂおよび第３アーム１Ｃは、ｘ方向に配列される。また、第１制御素子８Ａは、各搭載部３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄよりもｙ方向のｙ１側に位置する。この構成では、第１制御素子８Ａから複数の第１スイッチ部１（第１アーム１Ａ、第２アーム１Ｂおよび第３アーム１Ｃ）までの各距離を均等にすることが困難である。そのため、第１制御素子８Ａと各第１スイッチ部１とを直接ワイヤで接続した場合には、当該ワイヤが、ワイヤ流れが生じるほどに長くなる可能性が高い。特に、半導体装置Ａ１では、第１アーム１Ａの第１スイッチング素子１１Ａおよび第２スイッチング素子１２Ａが、搭載部３１Ｂにおいて、ｘ方向に並び、第２アーム１Ｂの第１スイッチング素子１１Ｂおよび第２スイッチング素子１２Ｂが、搭載部３１Ｃにおいて、ｘ方向に並び、第３アーム１Ｃの第１スイッチング素子１１Ｃおよび第２スイッチング素子１２Ｃが、搭載部３１Ｄにおいて、ｘ方向に並んでいる。この場合、第１制御素子８Ａと各第１スイッチ部１とを直接ワイヤで接続した場合には、第１制御素子８Ａから最も遠いスイッチング素子へのワイヤが非常に長くなる。一方で、半導体装置Ａ１では、先述のように、配線部５４１Ａ，５４２Ａ，５４３Ａを設けることで、各ワイヤ６１Ｇ，６２Ｇが長くなることを抑制できる。また、半導体装置Ａ１では、先述のように、配線部５４１Ｂ，５４２Ｂ，５４３Ｂを設けることで、各ワイヤ６１Ｈ，６２Ｈが長くなることを抑制できる。つまり、半導体装置Ａ１は、各第１スイッチ部１と第１制御素子８Ａとの位置関係によらず、各ワイヤ６１Ｇ，６２Ｇ，６１Ｈ，６２Ｈが長くなることを抑制できる。このことは、複数の第２スイッチ部２と第２制御素子８Ｂとの関係においても同様である。
　半導体装置Ａ１では、複数の配線部５４１Ａ，５４２Ａ，５４３Ａおよび複数の配線部５４１Ｂ，５４２Ｂ，５４３Ｂはそれぞれ、各搭載部３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄよりもｙ方向のｙ１側に位置する。この構成によれば、半導体装置Ａ１のｘ方向の寸法の増大化を抑制することが可能となる。つまり、半導体装置Ａ１は、複数のスイッチング素子（第１スイッチング素子１１と第２スイッチング素子１２と）を１つの第１スイッチ部１として動作させる構成であっても、平面視サイズの大型化を抑制することが可能である。このことは、複数の配線部５４４Ａ，５４５Ａ，５４６Ａおよび複数の配線部５４４Ｂ，５４５Ｂ，５４６Ｂにおいても同様である。
　以下に、本開示の半導体装置の他の実施形態および変形例について、説明する。なお、各実施形態および各変形例における各部の構成は、技術的な矛盾が生じない範囲において相互に組み合わせ可能である。
　図１３は、第１実施形態の第１変形例にかかる半導体装置Ａ１１を示している。半導体装置Ａ１１は、半導体装置Ａ１と比較して、次の点で異なる。すなわち、図１３に示すように、第１スイッチング素子１１Ａの電極１１２と第２スイッチング素子１２Ａの電極１２２とが、ワイヤ６Ｄで接続されておらず、ワイヤ６１Ｄで接続されている。同様に、図１３に示すように、第１スイッチング素子１１Ｂの電極１１２と第２スイッチング素子１２Ｂの電極１２２とが、ワイヤ６Ｅで接続されておらず、ワイヤ６１Ｅで接続されており、第１スイッチング素子１１Ｃの電極１１２と第２スイッチング素子１２Ｃの電極１２２とが、ワイヤ６Ｆで接続されておらず、ワイヤ６１Ｆで接続されている。また、図１３に示すように、第３スイッチング素子２１Ａの電極２１２と第４スイッチング素子２２Ａの電極２２２とが、ワイヤ６Ａで接続されておらず、ワイヤ６１Ａで接続されている。同様に、図１３に示すように、第３スイッチング素子２１Ｂの電極２１２と第４スイッチング素子２２Ｂの電極２２２とが、ワイヤ６Ｂで接続されておらず、ワイヤ６１Ｂで接続されており、第３スイッチング素子２１Ｃの電極２１２と第４スイッチング素子２２Ｃの電極２２２とが、ワイヤ６Ｃで接続されておらず、ワイヤ６１Ｃで接続されている。
　各ワイヤ６１Ａ～６１Ｆは、複数のワイヤ６Ａ～６Ｆと同様のボンディングワイヤである。ワイヤ６１Ａは、第３スイッチング素子２１Ａの電極２１２と、第４スイッチング素子２２Ａの電極２２２とに接合される。ワイヤ６１Ｂは、第３スイッチング素子２１Ｂの電極２１２と、第４スイッチング素子２２Ｂの電極２２２とに接合される。ワイヤ６１Ｃは、第３スイッチング素子２１Ｃの電極２１２と、第４スイッチング素子２２Ｃの電極２２２とに接合される。ワイヤ６１Ｄは、第１スイッチング素子１１Ａの電極１１２と、第２スイッチング素子１２Ａの電極１２２とに接合される。ワイヤ６１Ｅは、第１スイッチング素子１１Ｂの電極１１２と、第２スイッチング素子１２Ｂの電極１２２とに接合される。ワイヤ６１Ｆは、第１スイッチング素子１１Ｃの電極１１２と、第２スイッチング素子１２Ｃの電極１２２とに接合される。
　本変形例にかかる半導体装置Ａ１１においても、半導体装置Ａ１と同様の作用および効果を奏する。また、半導体装置Ａ１１においては、次のことから、各ワイヤ６Ａ～６Ｆの形成が容易となる。半導体装置Ａ１では、ワイヤ６Ｄのうち、第１スイッチング素子１１Ａの電極１１２に接合された部位から第２スイッチング素子１２Ａの電極１２２に接合された部位に向かって延びる部分と、第２スイッチング素子１２Ａの電極１１２に接合された部位から第１保護素子１３Ａの電極１３１に接合された部位に向かって延びる部分とが、平面視において直角に近い角度で屈曲している。このような直角に近い角度でワイヤを屈曲させるには、より高度なワイヤボンディング技術が求められる。一方で、半導体装置Ａ１１では、第１スイッチング素子１１Ａの電極１１２と第２スイッチング素子１２Ａの電極１２２とを別のワイヤ６１Ｄで接続したので、ワイヤ６Ｄを、直角に近い角度で屈曲させる必要がない。したがって、半導体装置Ａ１１においては、ワイヤ６Ｄの形成が容易となる。このことは、各ワイヤ６Ａ～６Ｃ，６Ｅ，６Ｆにおいても同様である。すなわち、各ワイヤ６Ａ～６Ｃ，６Ｅ，６Ｆを直角に近い角度で屈曲させる必要がない。したがって、半導体装置Ａ１１においては、各ワイヤ６Ａ～６Ｃ，６Ｅ，６Ｆの形成が容易となる。
　図１４は、第１実施形態の第２変形例にかかる半導体装置Ａ１２を示している。半導体装置Ａ１２は、半導体装置Ａ１と比較して、次の点で異なる。すなわち、図１４に示すように、第１スイッチング素子１１Ａの電極１１２が、ワイヤ６Ｄではなく、ワイヤ６２Ｄを介して、パッド部３３Ｅ（リード３Ｅ）に導通する。同様に、図１４に示すように、第１スイッチング素子１１Ｂの電極１１２が、ワイヤ６Ｅではなく、ワイヤ６２Ｅを介して、パッド部３３Ｆ（リード３Ｆ）に導通し、第１スイッチング素子１１Ｃの電極１１２が、ワイヤ６Ｆではなく、ワイヤ６２Ｆを介して、パッド部３３Ｇ（リード３Ｇ）に導通する。また、図１４に示すように、第３スイッチング素子２１Ａの電極２１２が、ワイヤ６Ａではなく、ワイヤ６２Ａを介して、パッド部３３Ｂ（リード３Ｂ）に導通する。同様に、図１４に示すように、第３スイッチング素子２１Ｂの電極２１２が、ワイヤ６Ｂではなく、ワイヤ６２Ｂを介して、パッド部３３Ｃ（リード３Ｃ）に導通し、第３スイッチング素子２１Ｃの電極２１２が、ワイヤ６Ｃではなく、ワイヤ６２Ｃを介して、パッド部３３Ｄ（リード３Ｄ）に導通する。
　各ワイヤ６２Ａ～６２Ｆは、複数のワイヤ６Ａ～６Ｆと同様のボンディングワイヤである。ワイヤ６２Ａは、第３スイッチング素子２１Ａの電極２１２と、パッド部３３Ｂとに接合される。ワイヤ６Ａは、第３スイッチング素子２１Ａの電極２１２に接合されず、第４スイッチング素子２２Ａの電極２２２と第２保護素子２３Ａの電極２３１とパッド部３３Ｂとに接合されている。ワイヤ６２Ｂは、第３スイッチング素子２１Ｂの電極２１２と、パッド部３３Ｃとに接合される。ワイヤ６Ｂは、第３スイッチング素子２１Ｂの電極２１２に接合されず、第４スイッチング素子２２Ｂの電極２２２と第２保護素子２３Ｂの電極２３１とパッド部３３Ｃとに接合されている。ワイヤ６２Ｃは、第３スイッチング素子２１Ｃの電極２１２と、パッド部３３Ｄとに接合される。ワイヤ６Ｃは、第３スイッチング素子２１Ｃの電極２１２に接合されず、第４スイッチング素子２２Ｃの電極２２２と第２保護素子２３Ｃの電極２３１とパッド部３３Ｄとに接合されている。ワイヤ６２Ｄは、第１スイッチング素子１１Ａの電極１１２と、パッド部３３Ｅとに接合される。ワイヤ６Ｄは、第１スイッチング素子１１Ａの電極１１２に接合されず、第２スイッチング素子１２Ａの電極１２２と第１保護素子１３Ａの電極１３１とパッド部３３Ｅとに接合されている。ワイヤ６２Ｅは、第１スイッチング素子１１Ｂの電極１１２と、パッド部３３Ｆとに接合される。ワイヤ６Ｅは、第１スイッチング素子１１Ｂの電極１１２に接合されず、第２スイッチング素子１２Ｂの電極１２２と第１保護素子１３Ｂの電極１３１とパッド部３３Ｆとに接合されている。ワイヤ６２Ｆは、第１スイッチング素子１１Ｃの電極１１２と、パッド部３３Ｇとに接合される。ワイヤ６Ｆは、第１スイッチング素子１１Ｃの電極１１２に接合されず、第２スイッチング素子１２Ｃの電極１２２と第１保護素子１３Ｃの電極１３１とパッド部３３Ｇとに接合されている。
　本変形例にかかる半導体装置Ａ１２においても、半導体装置Ａ１と同様の作用および効果を奏する。また、半導体装置Ａ１２においては、半導体装置Ａ１１と同様に、各ワイヤ６Ａ～６Ｆを直角に近い角度で屈曲させる必要がないので、各ワイヤ６Ａ～６Ｆの形成が容易となる。
　図１５は、第１実施形態の第３変形例にかかる半導体装置Ａ１３を示している。半導体装置Ａ１３は、半導体装置Ａ１と比較して、次の点で異なる。すなわち、図１５に示すように、各第１スイッチング素子１１の素子主面１１ａにおける電極１１３の平面視における形状および大きさが異なる。各第２スイッチング素子１２において、電極１２３の平面視における形状および大きさが異なる。
　半導体装置Ａ１３では、図１５に示すように、各第１スイッチング素子１１の電極１１３は、平面視において、ｘ方向に延びる帯状である。また、図１５に示すように、各第２スイッチング素子１２の電極１２３は、平面視において、ｘ方向に延びる帯状である。
　図示は省略するが、各第３スイッチング素子２１の電極２１３および各第４スイッチング素子２２の電極２２３も、各第１スイッチング素子１１の電極１１３および各第２スイッチング素子１２の電極１２３と同様に、平面視における形状および大きさを変更してもよい。
　本変形例にかかる半導体装置Ａ１３においても、半導体装置Ａ１と同様の作用および効果を奏する。また、半導体装置Ａ１３においては、次のことから、各ワイヤ６２Ｇ，６２Ｈの形成が容易となる。半導体装置Ａ１３では、各第１スイッチング素子１１の電極１１３が、半導体装置Ａ１の各第１スイッチング素子１１の電極１１３よりも大きいので、各ワイヤ６２Ｇを接合可能な領域が大きくなる。これにより、半導体装置Ａ１３は、各第１スイッチング素子１１の電極１１３に対する各ワイヤ６２Ｇの接合位置の自由度が高くなるので、各ワイヤ６２Ｇの形成が容易となる。また、各配線部５４１Ａ，５４２Ａ，５４３Ａの配置の自由度も高くなる。同様に、半導体装置Ａ１３では、各第２スイッチング素子１２の電極１２３が、半導体装置Ａ１の各第２スイッチング素子１２の電極１２３よりも大きいので、各ワイヤ６２Ｈを接合可能な領域が大きくなる。これにより、半導体装置Ａ１３は、各第２スイッチング素子１２の電極１２３に対する各ワイヤ６２Ｈの接合位置の自由度が高くなるので、各ワイヤ６２Ｈの形成が容易となる。また、各配線部５４１Ｂ，５４２Ｂ，５４３Ｂの配置の自由度も高くなる。このことは、各第３スイッチング素子２１の電極２１３に接合されるワイヤ６２Ｑ、および、各第４スイッチング素子２２の電極２２３に接合されるワイヤ６２Ｊにおいても同様である。
　図１６は、第１実施形態の第４変形例にかかる半導体装置Ａ１４を示している。半導体装置Ａ１４は、半導体装置Ａ１と比較して、次の点で異なる。すなわち、図１６に示すように、各第１スイッチング素子１１において、素子主面１１ａに複数の電極１１３が配置されている。また、各第２スイッチング素子１２において、素子主面１２ａに複数の電極１２３が配置されている。なお、図示は省略するが、各第３スイッチング素子２１において、素子主面２１ａに複数の電極２１３を配置してもよいし、各第４スイッチング素子２２において、素子主面２２ａに複数の電極２２３を配置してもよい。
　本変形例にかかる半導体装置Ａ１４においても、半導体装置Ａ１と同様の作用および効果を奏する。また、半導体装置Ａ１４においては、次のことから、各ワイヤ６２Ｇ，６２Ｈの形成が容易となる。半導体装置Ａ１４では、各第１スイッチング素子１１が複数の電極１１３を有するので、各ワイヤ６２Ｇの接合位置の自由度が高くなる。したがって、半導体装置Ａ１４では、各ワイヤ６２Ｇの形成が容易となる。また、各配線部５４１Ａ，５４２Ａ，５４３Ａの配置の自由度も高くなる。同様に、半導体装置Ａ１４では、各第２スイッチング素子１２が複数の電極１２３を有するので、各ワイヤ６２Ｈの接合位置の自由度が高くなる。したがって、半導体装置Ａ１４では、各ワイヤ６２Ｈの形成が容易となる。また、各配線部５４１Ｂ，５４２Ｂ，５４３Ｂの配置の自由度も高くなる。このことは、各第３スイッチング素子２１の電極２１３に接合されるワイヤ６２Ｑ、および、各第４スイッチング素子２２の電極２２３に接合されるワイヤ６２Ｊにおいても同様である。
　図１７は、第１実施形態の第５変形例にかかる半導体装置Ａ１５を示している。半導体装置Ａ１５は、半導体装置Ａ１と比較して、次の点で異なる。すなわち、図１７に示すように、各第１スイッチング素子１１において、素子主面１１ａにおける電極１１３の配置が異なる。また、各第２スイッチング素子１２において、素子主面１２ａにおける電極１２３の配置が異なる。
　半導体装置Ａ１５では、図１７に示すように、搭載部３１Ｂと第１制御素子８Ａとの相対的な位置関係に基づいて、第１スイッチング素子１１Ａの電極１１３および第２スイッチング素子１２Ａの電極１２３が配置されている。具体的には、搭載部３１Ｂがｘ方向において第１制御素子８Ａよりもｘ方向のｘ１側に位置することから、第１スイッチング素子１１Ａの電極１１３および第２スイッチング素子１２Ａの電極１２３は、ｘ方向のｘ２側に配置される。
　半導体装置Ａ１５では、図１７に示すように、搭載部３１Ｃと第１制御素子８Ａとの相対的な位置関係に基づいて、第１スイッチング素子１１Ｂの電極１１３および第２スイッチング素子１２Ｂの電極１２３が配置されている。具体的には、搭載部３１Ｃがｙ方向において、第１制御素子８Ａよりもｙ方向のｙ２側に位置することから、第１スイッチング素子１１Ｂの電極１１３および第２スイッチング素子１２Ｂの電極１２３は、ｙ方向のｙ１側に配置される。
　半導体装置Ａ１５では、図１７に示すように、搭載部３１Ｄと第１制御素子８Ａとの相対的な位置関係に基づいて、第１スイッチング素子１１Ｃの電極１１３および第２スイッチング素子１２Ｃの電極１２３が配置されている。具体的には、搭載部３１Ｄがｘ方向において第１制御素子８Ａよりもｘ方向のｘ２側に位置することから、第１スイッチング素子１１Ｃの電極１１３および第２スイッチング素子１２Ｃの電極１２３は、ｘ方向のｘ１側に配置される。
　以上のように、半導体装置Ａ１５では、各第１スイッチング素子１１の電極１１３および各第２スイッチング素子１２の電極１２３は、第１制御素子８Ａを中心として、第１制御素子８Ａが位置する側に配置される。
　本変形例にかかる半導体装置Ａ１５においても、半導体装置Ａ１と同様の作用および効果を奏する。
　図１８は、第１実施形態の第６変形例にかかる半導体装置Ａ１６を示している。半導体装置Ａ１６は、半導体装置Ａ１５（第１実施形態の第５変形例）と比較して、次の点で異なる。すなわち、図１８に示すように、第１スイッチング素子１１Ｂの電極１１３および第２スイッチング素子１２Ｂの電極１２３の配置が異なる。
　半導体装置Ａ１６では、図１８に示すように、第１スイッチング素子１１Ｂの電極１１３と第２スイッチング素子１２Ｂの電極１２３とがｘ方向において互いに向かい合う側に配置されている。このような構成により、各第１スイッチング素子１１の電極１１３および各第２スイッチング素子１２の電極１２３は、第１制御素子８Ａのｘ方向中心を基準に、対称的に配置されている。
　本変形例にかかる半導体装置Ａ１６においても、半導体装置Ａ１と同様の作用および効果を奏する。
　図１９は、第１実施形態の第７変形例にかかる半導体装置Ａ１７を示している。半導体装置Ａ１７は、半導体装置Ａ１と比較して、次の点で異なる。すなわち、図１９に示すように、各第１スイッチング素子１１の電極１１３が、ｘ方向のｘ２側に配置されているのに対して、各第２スイッチング素子１２の電極１２３が、ｙ方向のｙ１側に配置されている。つまり、スイッチング素子の種類ごとに制御電極（たとえばゲート）の配置を変えている。
　本変形例にかかる半導体装置Ａ１７においても、半導体装置Ａ１と同様の作用および効果を奏する。また、半導体装置Ａ１７では、スイッチング素子の種類ごとに制御電極（たとえばゲート）の配置を変えているので、各第１スイッチング素子１１と各第２スイッチング素子１２とが、平面視において同形状（あるいは略同形状）且つ同サイズ（あるいは略同サイズ）であり、見分けることが困難な場合においても、第１スイッチング素子１１と第２スイッチング素子１２とを見分けることが可能となる。
　上記第１実施形態の第５変形例ないし第７変形例において、図示は省略するが、各第３スイッチング素子２１の電極２１３および各第４スイッチング素子２２の電極２２３も、各第１スイッチング素子１１の電極１１３および各第２スイッチング素子１２の電極１２３と同様に、配置してもよい。
　図２０および図２１は、第１実施形態の第８変形例にかかる半導体装置Ａ１８を示している。半導体装置Ａ１８は、半導体装置Ａ１と比較して、次の点で異なる。すなわち、図２０および図２１に示すように、各第１スイッチング素子１１の平面視サイズおよび各第３スイッチング素子２１の平面視サイズがそれぞれ大きい。
　上述の通り、各第１スイッチング素子１１は、半導体材料としてＳｉを含み、各第２スイッチング素子１２は、半導体材料としてＳｉＣを含む。この構成においては、各第１スイッチング素子１１と各第２スイッチング素子１２の平面視サイズが同じ（あるいは略同じ）場合、第１スイッチング素子１１のオン抵抗が、第２スイッチング素子１２のオン抵抗よりも大きくなることがある。そこで、半導体装置Ａ１８では、図２０に示すように、第１スイッチング素子１１の平面視サイズを、半導体装置Ａ１の第１スイッチング素子１１の平面視サイズよりも、大きくしている。これにより、第１スイッチング素子１１のオン抵抗が、小さくなり、第２スイッチング素子１２のオン抵抗に近い特性値となる。
　同様に、各第３スイッチング素子２１は、半導体材料としてＳｉを含み、各第４スイッチング素子２２は、半導体材料としてＳｉＣを含む。この構成においては、各第３スイッチング素子２１と各第４スイッチング素子２２との平面視サイズが同じ（あるいは略同じ）場合、第３スイッチング素子２１のオン抵抗が、第４スイッチング素子２２のオン抵抗よりも大きくなることがある。そこで、半導体装置Ａ１８では、図２１に示すように、第３スイッチング素子２１の平面視サイズを、半導体装置Ａ１の第３スイッチング素子２１の平面視サイズよりも、大きくしている。これにより、第３スイッチング素子２１のオン抵抗を小さくして、第４スイッチング素子２２のオン抵抗に近い特性値となる。
　当該変形例にかかる半導体装置Ａ１８においても、半導体装置Ａ１と同様の作用および効果を奏する。また、当該変形例から理解されるように、本開示の半導体装置は、第１スイッチング素子１１および第２スイッチング素子１２の各平面視サイズが同じ（あるいは略同じ）である構成に限定されず、これらの各平面視サイズが異なる構成も含む。このことは、第３スイッチング素子２１および第４スイッチング素子２２においても同様である。
　図２２および図２３は、第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２を示している。半導体装置Ａ２は、半導体装置Ａ１と比較して、次の点で異なる。すなわち、半導体装置Ａ２では、図２２に示すように、各第１スイッチ部１（第１アーム１Ａ、第２アーム１Ｂおよび第３アーム１Ｃの各々）において、第１スイッチング素子１１と第２スイッチング素子１２と第１保護素子１３とがｙ方向に沿って配列されている。また、半導体装置Ａ２では、図２３に示すように、各第２スイッチ部２（第４アーム２Ａ、第５アーム２Ｂおよび第６アーム２Ｃの各々）において、第３スイッチング素子２１と第４スイッチング素子２２と第２保護素子２３とがｙ方向に沿って配列されている。
　図２２に示すように、半導体装置Ａ２では、各搭載部３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄは、平面視において、ｙ方向に延びる帯状である。半導体装置Ａ２では、ｘ方向における搭載部３１Ｂと搭載部３１Ｃとの離間距離ｄ３（図２２参照）、および、ｘ方向における搭載部３１Ｃと搭載部３１Ｄとの離間距離ｄ４（図２２参照）がそれぞれ、半導体装置Ａ１よりも大きい。
　図２２に示すように、半導体装置Ａ２では、配線部５４１Ａの一部と配線部５４１Ｂの一部とがそれぞれ、搭載部３１Ｂのｘ方向のｘ２側に位置する。本実施形態では、図２２に示すように、配線部５４１Ａの一部と配線部５４１Ｂの一部とはそれぞれ、ｘ方向において、２つの搭載部３１Ｂ，３１Ｃの間に配置され、これらに挟まれている。同様に、配線部５４２Ａの一部と配線部５４２Ｂの一部とがそれぞれ、搭載部３１Ｃのｘ方向のｘ２側に位置する。本実施形態では、図２２に示すように、配線部５４２Ａの一部と配線部５４２Ｂの一部とはそれぞれ、ｘ方向において、２つの搭載部３１Ｃ，３１Ｄの間に配置され、これらに挟まれている。配線部５４３Ａの一部と配線部５４３Ｂの一部がそれぞれ、搭載部３１Ｄのｘ方向のｘ２側に位置する。なお、図示された例とは異なり、配線部５４１Ａの一部と配線部５４１Ｂの一部とがそれぞれ、搭載部３１Ｂのｘ方向のｘ１側に位置していてもよいし、配線部５４２Ａの一部と配線部５４２Ｂの一部とがそれぞれ、搭載部３１Ｃのｘ方向のｘ１側に位置してもよいし、配線部５４３Ａの一部と配線部５４３Ｂの一部がそれぞれ、搭載部３１Ｄのｘ方向のｘ１側に位置していてもよい。
　図２３に示すように、半導体装置Ａ２では、各搭載部３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａは、平面視において、ｙ方向に延びる帯状である。半導体装置Ａ２では、搭載部３１１Ａの先端と搭載部３１２Ａの先端とは、ｘ方向に離間しており、搭載部３１１Ａの基端と搭載部３１２Ａの基端とは、互いに繋がる。また、搭載部３１２Ａの先端と搭載部３１３Ａの先端とは、ｘ方向に離間しており、搭載部３１２Ａの基端と搭載部３１３Ａの基端とは、互いに繋がる。なお、ここでは、各搭載部３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａの各先端とは、ｙ方向のｙ１側の端部のことであり、各搭載部３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａの各基端とは、ｙ方向のｙ２側の端部のことである。
　図２３に示すように、半導体装置Ａ２では、配線部５４４Ａ，５４４Ｂ，５４４Ｃ各々の一部がそれぞれ、搭載部３１１Ａのｘ方向のｘ２側に位置する。本実施形態では、図２３に示すように、配線部５４４Ａ，５４４Ｂ，５４４Ｃ各々の一部はそれぞれ、ｘ方向において、２つの搭載部３１１Ａ，３１２Ａの間に配置され、これらに挟まれている。同様に、配線部５４５Ａ，５４５Ｂ，５４５Ｃ各々の一部がそれぞれ、搭載部３１２Ａのｘ方向のｘ２側に位置する。本実施形態では、図２３に示すように、配線部５４５Ａ，５４５Ｂ，５４５Ｃ各々の一部はそれぞれ、ｘ方向において、２つの搭載部３１２Ａ，３１３Ａの間に配置され、これらに挟まれている。配線部５４６Ａ，５４６Ｂ，５４６Ｃ各々の一部がそれぞれ、搭載部３１３Ａのｘ方向のｘ２側に位置する。なお、図示された例とは異なり、配線部５４４Ａ，５４４Ｂ，５４４Ｃ各々の一部がそれぞれ、搭載部３１１Ａのｘ方向のｘ１側に位置していてもよいし、配線部５４５Ａ，５４５Ｂ，５４５Ｃ各々の一部ずつがそれぞれ、搭載部３１２Ａのｘ方向のｘ１側に位置していてもよいし、配線部５４６Ａ，５４６Ｂ，５４６Ｃ各々の一部がそれぞれ、搭載部３１３Ａのｘ方向のｘ１側に位置していてもよい。
　本実施形態にかかる半導体装置Ａ２においても、半導体装置Ａ１と同様の作用および効果を奏する。たとえば、半導体装置Ａ２は、半導体装置Ａ１と同様に、複数のスイッチング素子（第１スイッチング素子１１と第２スイッチング素子１２と）を１つの第１スイッチ部１として動作させる構成において、より好ましい構造となる。また、半導体装置Ａ２では、各第１スイッチ部１（第１アーム１Ａ、第２アーム１Ｂおよび第３アーム１Ｃの各々）において、第１スイッチング素子１１と第２スイッチング素子１２と第１保護素子１３とがｙ方向に沿って配列されている。また、各第２スイッチ部２（第４アーム２Ａ、第５アーム２Ｂおよび第６アーム２Ｃの各々）において、第３スイッチング素子２１と第４スイッチング素子２２と第２保護素子２３とがｙ方向に沿って配列されている。この構成によれば、半導体装置Ａ１と比較して、ｘ方向の寸法の縮小化を図ることができる。
　図２４および図２５は、第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３を示している。半導体装置Ａ３は、半導体装置Ａ１と比較して、次の点で異なる。すなわち、半導体装置Ａ３では、図２４に示すように、第１アーム１Ａおよび第３アーム１Ｃの各々において、第１スイッチング素子１１と第２スイッチング素子１２と第１保護素子１３とがｙ方向に沿って配列されている。また、半導体装置Ａ３では、図２５に示すように、第４アーム２Ａおよび第６アーム２Ｃの各々において、第３スイッチング素子２１と第４スイッチング素子２２と第２保護素子２３とがｙ方向に沿って配列されている。
　図２４に示すように、半導体装置Ａ３は、複数の搭載部３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄにおいて、次の関係がある。搭載部３１Ｂのｙ方向のｙ１側の端縁３０１と、搭載部３１Ｄのｙ方向のｙ１側の端縁３０３とは、ｙ方向において同じ（あるいは略同じ）位置である。そして、搭載部３１Ｃのｙ方向のｙ１側の端縁３０２は、先述の端縁３０１，３０３に対して、ｙ方向のｙ２側に位置する。これにより、図２４に示すように、平面視において、搭載部３１Ｃは、２つの搭載部３１Ｂ，３１Ｄに対して窪むように配置される。
　また、図２４に示すように、半導体装置Ａ３では、配線部５４１Ａ，５４２Ａ，５４３Ａ，５４１Ｂ，５４２Ｂ，５４３Ｂ各々の一部が、搭載部３１Ｂと搭載部３１Ｄとの間に位置する。
　図２５に示すように、半導体装置Ａ３は、複数の搭載部３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａにおいて、次の関係がある。搭載部３１１Ａのｙ方向のｙ１側の端縁３０４と、搭載部３１３Ａのｙ方向のｙ１側の端縁３０６とは、ｙ方向において同じ（あるいは略同じ）位置である。そして、搭載部３１２Ａのｙ方向のｙ１側の端縁３０５は、先述の端縁３０４，３０６に対して、ｙ方向のｙ２側に位置する。これにより、図２５に示すように、平面視において、搭載部３１２Ａは、２つの搭載部３１１Ａ，３１３Ａに対して窪むように配置され、複数の搭載部３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａは、全体として平面視Ｕ字状に形成される。
　また、図２５に示すように、半導体装置Ａ３では、配線部５４４Ａ，５４５Ａ，５４６Ａ，５４４Ｂ，５４５Ｂ，５４６Ｂ，５４４Ｃ，５４５Ｃ，５４６Ｃ各々の一部が、搭載部３１１Ａと搭載部３１３Ａとの間に位置する。
　本実施形態にかかる半導体装置Ａ３においても、各半導体装置Ａ１，Ａ２と同様の作用および効果を奏する。たとえば、半導体装置Ａ３は、各半導体装置Ａ１，Ａ２と同様に、複数のスイッチング素子（第１スイッチング素子１１と第２スイッチング素子１２と）を１つの第１スイッチ部１として動作させる構成において、より好ましい構造となる。また、半導体装置Ａ３では、第１アーム１Ａおよび第３アーム１Ｃにおいて、第１スイッチング素子１１と第２スイッチング素子１２と第１保護素子１３とがｙ方向に沿って配列されている。また、第４アーム２Ａおよび第６アーム２Ｃにおいて、第３スイッチング素子２１と第４スイッチング素子２２と第２保護素子２３とがｙ方向に沿って配列されている。この構成によれば、半導体装置Ａ１と比較して、ｘ方向の寸法の縮小化を図ることができる。
　図２６および図２７は、第４実施形態にかかる半導体装置Ａ４を示している。半導体装置Ａ４は、半導体装置Ａ３と比較して、次の点で異なる。すなわち、半導体装置Ａ４では、図２６に示すように、第２アーム１Ｂにおいて、第１スイッチング素子１１Ｂと第２スイッチング素子１２Ｂと第１保護素子１３Ｂとがｘ方向に沿って配列されている。また、半導体装置Ａ４では、図２７に示すように、第５アーム２Ｂにおいて、第３スイッチング素子２１Ｂと第４スイッチング素子２２Ｂと第２保護素子２３Ｂとがｘ方向に沿って配列されている。
　半導体装置Ａ４においては、第１スイッチング素子１１Ｂ、第２スイッチング素子１２Ｂおよび第１保護素子１３Ｂは、ｘ方向に沿って配列されるので、図２６に示すように、搭載部３１Ｃの端縁３０２が、搭載部３１Ｂの端縁３０１および搭載部３１Ｄの端縁３０３よりも、さらにｙ方向のｙ２側に位置する。
　同様に、半導体装置Ａ４においては、第３スイッチング素子２１Ｂ、第４スイッチング素子２２Ｂおよび第２保護素子２３Ｂは、ｘ方向に沿って配列されるので、図２７に示すように、搭載部３１２Ａの端縁３０５が、搭載部３１１Ａの端縁３０４および搭載部３１３Ａの端縁３０６よりも、さらにｙ方向のｙ２側に位置する。
　本実施形態にかかる半導体装置Ａ４においても、各半導体装置Ａ１～Ａ３と同様の作用および効果を奏する。たとえば、半導体装置Ａ４は、各半導体装置Ａ１～Ａ３と同様に、複数のスイッチング素子（第１スイッチング素子１１と第２スイッチング素子１２と）を１つの第１スイッチ部１として動作させる構成において、より好ましい構造となる。
　半導体装置Ａ４と異なる例において、次のように構成してもよい。すなわち、平面視において３つの搭載部３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄによって区画される領域に第１制御素子８Ａを配置してもよい。３つの搭載部３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄによって区画される領域とは、搭載部３１Ｃが２つの搭載部３１Ｂ，３１Ｄに対して窪むように配置されることで形成される領域である。同様に、平面視において、３つの搭載部３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａによって区画される領域に第２制御素子８Ｂを配置してもよい。３つの搭載部３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａによって区画される領域とは、搭載部３１２Ａが２つの搭載部３１１Ａ，３１３Ａに対して窪むように配置されることで形成される領域である。このように構成すれば、半導体装置Ａ４のｙ方向の寸法の縮小化を図ることが可能となる。つまり、半導体装置Ａ４は、複数のスイッチング素子（第１スイッチング素子１１と第２スイッチング素子１２と）を１つの第１スイッチ部１として動作させる構成であっても、平面視サイズの大型化を抑制することが可能である。さらに、３つの搭載部３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａによって区画される領域に３つの電子部品８９Ｕ，８９Ｖ，８９Ｗを配置すれば、更なる半導体装置Ａ４のｙ方向の寸法の縮小化を図ることが可能となる。
　図２８～図３２は、第５実施形態にかかる半導体装置Ａ５を示している。半導体装置Ａ５は、半導体装置Ａ１と比較して、次の点で異なる。すなわち、半導体装置Ａ５の配線パターン５２は、半導体装置Ａ１の配線パターン５２と比較して、複数の配線部５２Ａ～５２Ｐおよび複数の接合部５３Ａ～５３Ｄをさらに含む。
　複数の配線部５２Ａ～５２Ｐおよび複数の接合部５３Ａ～５３Ｄは、たとえば、複数の配線部５４１Ａ，５４１Ｂ，５４２Ａ，５４２Ｂ，５４３Ａ，５４３Ｂ，５４４Ａ～５４４Ｃ，５４５Ａ～５４５Ｃ，５４６Ａ～５４６Ｃと同じ材料であって、同じ形成方法によって形成される。
　複数の配線部５２Ａ～５２Ｐのうち、配線部５２Ｈと配線部５２Ｏとは、一体的に形成されており、それ以外は互いに離間する。この例とは異なり、配線部５２Ｈと配線部５２Ｏとが、互いに離間していてもよい。
　図２８に示すように、配線部５２Ａ、配線部５２Ｂおよび配線部５２Ｃは、配線部５２Ｄに対して、ｘ方向のｘ１側に配置されている。
　配線部５２Ａには、図２８に示すように、第２制御素子８Ｂに接続されたワイヤ６Ｌおよび電子部品８９Ｕが接合される。また、配線部５２Ａには、リード４Ａが接合される。
　配線部５２Ｂには、図２８に示すように、第２制御素子８Ｂに接合されたワイヤ６Ｌおよび電子部品８９Ｖが接合される。また、配線部５２Ｂには、リード４Ｂが接合される。
　配線部５２Ｃには、図２８に示すように、第２制御素子８Ｂに接合されたワイヤ６Ｌおよび電子部品８９Ｗが接合される。また、配線部５２Ｃには、リード４Ｃが接合される。
　配線部５２Ｄには、図２８に示すように、配線部５２Ｃよりも、ｘ方向のｘ２側に配置される。配線部５２Ｄは、第２制御素子８Ｂに接合されたワイヤ６Ｌが接合される。また、配線部５２Ｄには、リード４Ｄが接合される。
　図２８に示すように、複数の配線部５２Ｅ，５２Ｆ，５２Ｇは、配線部５２Ｄに対して、ｘ方向のｘ２側に配置されている。複数の配線部５２Ｅ，５２Ｆ，５２Ｇにはそれぞれ、第２制御素子８Ｂに接合されたワイヤ６Ｌが接合される。また、複数の配線部５２Ｅ，５２Ｆ，５２Ｇにはそれぞれ、図２８に示すように、複数のリード４Ｅ，４Ｆ，４Ｇのうちの対応する１つがそれぞれ接合される。
　配線部５２Ｈには、第２制御素子８Ｂが搭載される。また、配線部５２Ｈには、リード４Ｈが接合される。配線部５２Ｈは、図２８に示すように、パッド部５２１Ｈを含む。パッド部５２１Ｈは、配線部５２Ｈのうちの第２制御素子８Ｂが接合される部位である。パッド部５２１Ｈは、平面視矩形状である。
　配線部５２Ｒには、第１制御素子８Ａが搭載される。また、配線部５２Ｒには、リード４Ｒが接合される。配線部５２Ｒは、図２８に示すように、パッド部５２１Ｒを含む。パッド部５２１Ｒは、配線部５２Ｒのうちの第１制御素子８Ａが接合される部位である。パッド部５２１Ｒは、平面視矩形状である。
　図２８に示すように複数の配線部５２Ｑ，５２Ｊ，５２Ｋ，５２Ｌ，５２Ｍ，５２Ｎは、配線部５２Ｈに対して、ｘ方向のｘ２側に配置される。複数の配線部５２Ｑ，５２Ｊ，５２Ｋ，５２Ｌ，５２Ｍ，５２Ｎにはそれぞれ、第１制御素子８Ａに接合されたワイヤ６Ｌが接合される。また、複数の配線部５２Ｑ，５２Ｊ，５２Ｋ，５２Ｌ，５２Ｍ，５２Ｎにはそれぞれ、図２８に示すように、複数のリード４Ｑ，４Ｊ，４Ｋ，４Ｌ，４Ｍ，４Ｎのうちの対応する１つがそれぞれ接合される。
　図２８に示すように、配線部５２Ｐには、リード４Ｐが接合される。本実施形態では、配線部５２Ｐには、ワイヤ６Ｌが接合されていない。
　図２８に示すように、各配線部５２Ａ～５２Ｈ，５２Ｊ～５２Ｎ，５２Ｐ～５２Ｒのうち、当該配線部５２Ａ～５２Ｐに対応するリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒが接合される部位は、平面視において、支持基板５１の周縁に沿って配置される。
　複数の接合部５３Ａ～５３Ｄはそれぞれ、支持基板５１上に形成されている。図３１に示すように、各接合部５３Ａ～５３Ｄは、各配線部５２Ａ～５２Ｈ，５２Ｊ～５２Ｎ，５２Ｐ～５２Ｒと同様に、支持基板５１の第１面５１１上に形成されている。図３１に示すように、接合部５３Ａは、リード３Ａの複数の搭載部３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａの下方（ｚ方向のｚ２側）に配置され、接合部５３Ｂは、リード３Ｂの搭載部３１Ｂの下方（ｚ方向のｚ２側）に配置され、接合部５３Ｃは、リード３Ｃの搭載部３１Ｃの下方（ｚ方向のｚ２側）に配置され、接合部５３Ｄは、リード３Ｄの搭載部３１Ｄの下方（ｚ方向のｚ２側）に配置される。各接合部５３Ａ～５３Ｄの構成材料は、特に限定されず、支持基板５１と各リード３Ａ～３Ｄとを接合可能な材料であればよい。各接合部５３Ａ～５３Ｄは、たとえば導電性材料からなる。各接合部５３Ａ～５３Ｄを構成する導電性材料は、特に限定されないが、たとえばＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ等を含むものが挙げられる。各接合部５３Ａ～５３Ｄは、各配線部５２Ａ～５２Ｈ，５２Ｊ～５２Ｎ，５２Ｐ～５２Ｒを構成する導電性材料と同じものを含む。なお、各接合部５３Ａ～５３Ｄは、銀に代えて銅を含んでいてもよいし、銀または銅に代えて金を含んでいてもよい。あるいは、各接合部５３Ａ～５３Ｄは、Ａｇ－ＰｔやＡｇ－Ｐｄを含んでいてもよい。また、各接合部５３Ａ～５３Ｄの形成手法は限定されず、たとえば各配線部５２Ａ～５２Ｈ，５２Ｊ～５２Ｎ，５２Ｐ～５２Ｒと同様に、これらの金属を含むペーストを印刷した後に、焼成することによって形成される。なお、各接合部５３Ａ～５３Ｄの材料は、導電性ではなくもよい。また、配線パターン５２は、複数の接合部５３Ａ～５３Ｄのそれぞれを含んでいなくてもよい。
　半導体装置Ａ５において、複数のリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒはそれぞれ、配線パターン５２に接合されている。また。半導体装置Ａ５は、半導体装置Ａ１と比較して、リード４Ｚをさらに備えている。
　図２８に示すように、複数のリード４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒは、リード４Ｚに対して、ｘ方向のｘ２側に配置されている。以下においては、リード４Ａについて詳述するが、他のリード４Ｂ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒも同様の構成部位を含む。この場合、リード４Ａの各構成部位の「Ａ」を「Ｂ」～「Ｈ」，「Ｊ」～「Ｎ」，「Ｐ」～「Ｒ」にそれぞれ変えたものが、各リード４Ｂ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒの各構成部位となる。
　リード４Ａは、図２８などに示すように、端子部４２Ａ、連結部４４Ａおよび接合部４６Ａを含む。半導体装置Ａ５の端子部４２Ａは、半導体装置Ａ１における端子部４２Ａと同様に構成される。連結部４４Ａは、端子部４２Ａと接合部４６Ａとを連結する。接合部４６Ａは、導電性接合材４９を介して、配線部５２Ａにそれぞれ接合される。同様に、接合部４６Ｂ（４６Ｃ～４６Ｈ，４６Ｊ～４６Ｎ，４６Ｐ～４６Ｒ）は、導電性接合材４９を介して、配線部５２Ｂ（５２Ｃ～５２Ｈ，５２Ｊ～５２Ｎ，５２Ｐ～５２Ｒ）にそれぞれ接合される。導電性接合材４９は、たとえば、はんだ、金属ペースト材、焼結金属などである。図３２に示すように、接合部４６Ｃには、貫通孔４６１Ｃが形成されている。この構成と異なり、接合部４６Ｃに貫通孔４６１Ｃが形成されていなくてもよい。また、他の接合部４６Ａ，４６Ｂ，４６Ｄ～４６Ｈ，４６Ｊ～４６Ｎ，４６Ｐ～４６Ｒにも貫通孔が形成されているが、当該貫通孔が形成されていなくてもよい。
　リード４Ｚは、リード４Ａに対してｘ方向のｘ１側に配置されている。リード４Ｚは、複数の第１スイッチ部１、複数の第２スイッチ部２、第１制御素子８Ａおよび第２制御素子８Ｂのいずれにも導通しない。リード４Ｚは、図２８に示すように、パッド部４３Ｚおよび突出部４５Ｚを含む。パッド部４３Ｚと突出部４５Ｚとは、繋がっている。
　パッド部４３Ｚは、封止部材７に覆われている。パッド部４３Ｚは、図２８に示すように、平面視において、支持基板５１に重ならない。突出部４５Ｚは、図２８に示すように、パッド部４３Ｚからｙ方向のｙ１側に延びており、封止部材７から突出している。
　本実施形態にかかる半導体装置Ａ５においても、半導体装置Ａ１と同様の作用および効果を奏することができる。たとえば、半導体装置Ａ５は、半導体装置Ａ１と同様に、複数のスイッチング素子（第１スイッチング素子１１と第２スイッチング素子１２と）を１つの第１スイッチ部１として動作させる構成において、より好ましい構造となる。
　半導体装置Ａ５は、支持基板５１と第１面５１１上に形成された配線パターン５２とを備える。配線パターン５２は、複数の配線部５２Ａ～５２Ｈ，５２Ｊ～５２Ｎ，５２Ｐ～５２Ｒを含み、複数の配線部５２Ａ～５２Ｈ，５２Ｊ～５２Ｎ，５２Ｐ～５２Ｒは、第１制御素子８Ａおよび第２制御素子８Ｂが、複数の第１スイッチ部１および複数の第２スイッチ部２を制御するための制御信号（たとえば上記第１入力信号および上記第２入力信号など）を伝送しており、当該制御信号の伝達経路を構成する。複数の配線部５２Ａ～５２Ｈ，５２Ｊ～５２Ｎ，５２Ｐ～５２Ｒは、たとえばＡｇを含むペーストを印刷した後に、焼成することによって形成される。この構成によると、たとえば金属製のリードフレームによって制御信号の伝達経路を構成する場合と比べて、当該伝達経路の細線化や高密度化を図ることが可能である。したがって、半導体装置Ａ５は、高集積化が可能となる。
　図３３～図３６は、第６実施形態にかかる半導体装置Ａ６を示している。半導体装置Ａ６は、半導体装置Ａ１と比較して、次の点で異なる。すなわち、図３３、図３４および図３６に示すように、各第１スイッチ部１（第１アーム１Ａ、第２アーム１Ｂおよび第３アーム１Ｃの各々）は、第１保護素子１３を有していない。また、図３３、図３５および図３６に示すように、各第２スイッチ部２（第４アーム２Ａ、第５アーム２Ｂおよび第６アーム２Ｃ）は、第２保護素子２３を有していない。
　各第１スイッチ部１の第１スイッチング素子１１は、逆導通ＩＧＢＴであり、図３６に示すように、スイッチング機能部とダイオード機能部を含む。スイッチング機能部はＩＧＢＴとして動作し、ダイオード機能部は還流ダイオードとして動作する。すなわち、本実施形態の各第１スイッチング素子１１は、ダイオード機能部（還流ダイオード）を内蔵する。たとえば、各第１スイッチング素子１１は、半導体装置Ａ１の第１スイッチング素子１１と第１保護素子１３とが１チップ化されたものであり、ダイオード機能部（還流ダイオード）を内蔵する。図３６に示すように、各第１スイッチング素子１１において、スイッチング機能部とダイオード機能部とは、電気的に逆並列接続の関係にある。
　同様に、各第２スイッチ部２の第３スイッチング素子２１は、逆導通ＩＧＢＴであり、図３６に示すように、スイッチング機能部とダイオード機能部を含む。スイッチング機能部はＩＧＢＴとして動作し、ダイオード機能部は還流ダイオードとして動作する。すなわち、本実施形態の各第３スイッチング素子２１は、ダイオード機能部（還流ダイオード）を内蔵する。たとえば、各第３スイッチング素子２１は、半導体装置Ａ１の第３スイッチング素子２１と第２保護素子２３とが１チップ化されたものである。図３６に示すように、各第３スイッチング素子２１において、スイッチング機能部とダイオード機能部とは、電気的に逆並列接続の関係にある。
　本実施形態にかかる半導体装置Ａ６においても、半導体装置Ａ１と同様の作用および効果を奏する。たとえば、半導体装置Ａ６は、半導体装置Ａ１と同様に、複数のスイッチング素子（第１スイッチング素子１１と第２スイッチング素子１２と）を１つの第１スイッチ部１として動作させる構成において、より好ましい構造となる。
　上記各半導体装置Ａ２～Ａ６において、技術的な矛盾が生じない範囲で、半導体装置Ａ１における各変形例と同様に構成してもよい。たとえば、各半導体装置Ａ２～Ａ６において、第１実施形態の第８変形例と同様に、平面視サイズを大きくした各第１スイッチング素子１１および各第３スイッチング素子２１をそれぞれ配置してもよい。図２２～図３０および図３３～図３５においては、平面視サイズを大きくした各第１スイッチング素子１１および各第３スイッチング素子２１を配置した場合を想像線で示している。
　上記した各実施形態および各変形例において、各搭載部３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄのうちの、複数の第１スイッチング素子１１、複数の第２スイッチング素子１２、複数の第１保護素子１３、複数の第３スイッチング素子２１、複数の第４スイッチング素子２２および複数の第２保護素子２３のいずれも搭載されない余剰部分をさらに削減してもよい。このように、余剰部分を削減することは、半導体装置の平面視サイズを縮小化する上で好ましい。
　本開示にかかる半導体装置は、上記した実施形態に限定されるものではない。本開示の半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。たとえば、本開示の半導体装置は、以下の付記に関する実施形態を含む。
　付記１．
　各々が第１スイッチング素子および第２スイッチング素子を有する複数の第１スイッチ部と、
　前記複数の第１スイッチ部の各々の前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子に第１駆動信号を入力する第１制御素子と、
　前記複数の第１スイッチ部の各々の前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子が搭載される少なくとも１つのリードと、
　互いに離間する複数の第１配線部および複数の第２配線部を含む配線パターンと、
　前記配線パターンが形成された支持基板と、
　前記複数の第１配線部に対して個別に接続される複数の第１接続部材と、
　前記複数の第１配線部に対して個別に接続される複数の第２接続部材と、
　前記複数の第２配線部に対して個別に接続される複数の第３接続部材と、
　前記複数の第２配線部に対して個別に接続される複数の第４接続部材と、
を備え、
　前記複数の第１スイッチ部において、前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子は、互いに電気的に並列に接続され、且つ、互いに異なる種類であり、
　前記第１制御素子は、前記複数の第１スイッチ部の各々の前記第１スイッチング素子に、前記複数の第１接続部材のうちの対応する１つ、前記複数の第１配線部のうちの対応する１つおよび前記複数の第２接続部材のうちの対応する１つを介して導通し、かつ、前記複数の第１スイッチ部の各々の前記第２スイッチング素子に、前記複数の第３接続部材のうちの対応する１つ、前記複数の第２配線部のうちの対応する１つおよび前記複数の第４接続部材のうちの対応する１つを介して導通する、半導体装置。
　付記２．
　前記複数の第１スイッチ部の各々の前記第１スイッチング素子は、ＩＧＢＴであり、
　前記複数の第１スイッチ部の各々の前記第２スイッチング素子は、ＭＯＳＦＥＴである、付記１に記載の半導体装置。
　付記３．
　前記複数の第１スイッチ部の各々は、ダイオード機能部を備える、付記１または付記２に記載の半導体装置。
　付記４．
　前記複数の第１スイッチ部の各々において、前記ダイオード機能部は、前記第１スイッチング素子に内蔵されている、付記３に記載の半導体装置。
　付記５．
　前記複数の第１スイッチ部の各々において、前記ダイオード機能部は、前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子の各々と異なる素子で構成される、付記３に記載の半導体装置。
　付記６．
　前記複数の第１スイッチ部は、各々が第１スイッチング素子および第２スイッチング素子を有する第１アーム、第２アームおよび第３アームを含み、
　前記第１アーム、前記第２アームおよび前記第３アームは、前記支持基板の厚さ方向に直交する第１方向に配列され、
　前記第２アームは、前記第１方向において、前記第１アームと前記第３アームとの間に位置する、付記１ないし付記５のいずれかに記載の半導体装置。
　付記７．
　前記少なくとも１つのリードは、第１搭載部、第２搭載部および第３搭載部を含み、
　前記第１搭載部には、前記第１アームの第１スイッチング素子および第２スイッチング素子が搭載され、
　前記第２搭載部には、前記第２アームの第１スイッチング素子および第２スイッチング素子が搭載され、
　前記第３搭載部には、前記第３アームの第１スイッチング素子および第２スイッチング素子が搭載される、付記６に記載の半導体装置。
　付記８．
　前記第１制御素子は、前記第１搭載部、前記第２搭載部および前記第３搭載部よりも、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向の一方側に位置する、付記７に記載の半導体装置。
　付記９．
　前記第１アームの前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とは、前記第１搭載部において、前記第１方向に並び、
　前記第２アームの前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とは、前記第２搭載部において、前記第１方向に並び、
　前記第３アームの前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とは、前記第３搭載部において、前記第１方向に並び、
　前記複数の第１配線部の各々と前記複数の第２配線部の各々とは、前記第１搭載部、前記第２搭載部および前記第３搭載部よりも、前記第２方向の一方側に位置する、付記８に記載の半導体装置。
　付記１０．
　前記第１アームの前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とは、前記第１搭載部において、前記第２方向に並び、
　前記第２アームの前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とは、前記第２搭載部において、前記第２方向に並び、
　前記第３アームの前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とは、前記第３搭載部において、前記第２方向に並び、
　前記第１アームの前記第１スイッチング素子に導通する第１配線部の一部と前記第１アームの前記第２スイッチング素子に導通する第２配線部の一部とは、前記第１方向において、前記第１搭載部と前記第２搭載部との間に配置され、
　前記第２アームの前記第１スイッチング素子に導通する第１配線部の一部と前記第２アームの前記第２スイッチング素子に導通する第２配線部の一部とは、前記第１方向において、前記第２搭載部と前記第３搭載部との間に配置される、付記８に記載の半導体装置。
　付記１１．
　前記第２搭載部の前記第２方向の一方側の端縁は、前記第１搭載部の前記第２方向の一方側の端縁および前記第３搭載部の前記第２方向の一方側の端縁よりも、前記第２方向の他方側に位置し、
　前記複数の第１配線部の各々と前記複数の第２配線部の各々とは、前記第２搭載部よりも前記第２方向の一方側に配置され、
　前記複数の第１配線部各々の一部と前記複数の第２配線部各々の一部とは、前記第１方向において、前記第１搭載部と前記第３搭載部との間に配置される、付記８に記載の半導体装置。
　付記１２．
　前記少なくとも１つのリードは、互いに離間する第１リード、第２リード、第３リードを含み、
　前記第１リードは、前記第１搭載部を含み、
　前記第２リードは、前記第２搭載部を含み、
　前記第３リードは、前記第３搭載部を含む、付記７ないし付記１１のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１３．
　各々が第３スイッチング素子および第４スイッチング素子を有する複数の第２スイッチ部と、
　前記複数の第２スイッチ部の各々の前記第３スイッチング素子および前記第４スイッチング素子に第２駆動信号を入力する第２制御素子と、
をさらに備える、付記６ないし付記１２のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１４．
　前記複数の第２スイッチ部は、各々が第３スイッチング素子および第４スイッチング素子を有する第４アーム、第５アームおよび第６アームを含み、
　前記第４アーム、前記第５アームおよび前記第６アームは、前記厚さ方向に直交する第１方向に配列され、
　前記第５アームは、前記第１方向において、前記第４アームと前記第６アームとの間に位置する、付記１３に記載の半導体装置。
　付記１５．
　前記少なくとも１つのリードは、第４搭載部、第５搭載部および第６搭載部を含み、
　前記第４搭載部には、前記第４アームの第３スイッチング素子および第４スイッチング素子が搭載され、
　前記第５搭載部には、前記第５アームの第３スイッチング素子および第４スイッチング素子が搭載され、
　前記第６搭載部には、前記第６アームの第３スイッチング素子および第４スイッチング素子が搭載される、付記１４に記載の半導体装置。
　付記１６．
　前記少なくとも１つのリードは、第４リードを含み、
　前記第４リードは、前記第４搭載部、前記第５搭載部および前記第６搭載部を含む、付記１５に記載の半導体装置。
　付記１７．
　前記第１アームを下アーム、前記第４アームを上アームとして、前記第１アームと前記第４アームとが電気的に直列に接続されて、三相交流回路の第１相を構成し、
　前記第２アームを下アーム、前記第５アームを上アームとして、前記第２アームと前記第５アームとが電気的に直列に接続されて、前記三相交流回路の第２相を構成し、
　前記第３アームを下アーム、前記第６アームを上アームとして、前記第３アームと前記第６アームとが電気的に直列に接続されて、前記三相交流回路の第３相を構成する、付記１４ないし付記１６のいずれかに記載の半導体装置。
Ａ１，Ａ１１～Ａ１８，Ａ２～Ａ６：半導体装置
１０Ｕ：第１相　　　１０Ｖ：第２相
１０Ｗ：第３相　　　１：第１スイッチ部
１Ａ：第１アーム　　　１Ｂ：第２アーム
１Ｃ：第３アーム
１１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ：第１スイッチング素子
１１ａ：素子主面　　　１１ｂ：素子裏面
１１１，１１２，１１３：電極
１２，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ：第２スイッチング素子
１２ａ：素子主面　　　１２ｂ：素子裏面
１２１，１２２，１２３：電極
１３，１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ：第１保護素子
１３ａ：素子主面　　　１３ｂ：素子裏面
１３１，１３２：電極　　　１９：導電性接合材
２：第２スイッチ部　　　２Ａ：第４アーム
２Ｂ：第５アーム　　　２Ｃ：第６アーム
２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ：第３スイッチング素子
２１ａ：素子主面　　　２１ｂ：素子裏面
２１１，２１２，２１３：電極
２２，２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ：第４スイッチング素子
２２ａ：素子主面　　　２２ｂ：素子裏面
２２１，２２２，２２３：電極
２３，２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃ：第２保護素子
２３ａ：素子主面　　　２３ｂ：素子裏面
２３１，２３２：電極　　　２９：導電性接合材
３Ａ～３Ｇ，３Ｚ：リード　　　３０１～３０６：端縁
３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａ，３１Ｂ～３１Ｄ：搭載部
３２Ａ～３２Ｇ，３２Ｚ：端子部
３３Ａ～３３Ｇ，３３Ｚ：パッド部
３４Ａ～３４Ｄ：連結部　　　３９：接合材
４Ａ～４Ｈ，４Ｊ～４Ｎ，４Ｐ～４Ｒ，４Ｚ：リード
４１Ｈ，４１Ｒ：搭載部
４２Ａ～４２Ｈ，４２Ｊ～４２Ｎ，４２Ｐ～４２Ｒ：端子部
４３Ａ～４３Ｈ，４３Ｊ～４３Ｎ，４３Ｐ～４３Ｒ，４３Ｚ：パッド部
４４Ａ～４４Ｈ，４４Ｊ～４４Ｎ，４４Ｐ～４４Ｒ：連結部
４５Ｈ：突出部　　　４５Ｚ：突出部
４６Ａ～４６Ｈ，４６Ｊ～４６Ｎ，４６Ｐ～４６Ｒ：接合部
４６１Ｃ：貫通孔　　　４９：導電性接合材
５１：支持基板　　　５１１：第１面
５１２：第２面　　　５１３：第３面
５１４：第４面　　　５１５：第５面
５１６：第６面　　　５２：配線パターン
５２Ａ～５２Ｈ，５２Ｊ～５２Ｎ，５２Ｐ～５２Ｒ：配線部
５２１Ｈ，５２１Ｒ：パッド部　　　５３Ａ～５３Ｄ：接合部
５４１Ａ，５４１Ｂ：配線部　　　５４２Ａ，５４２Ｂ：配線部
５４３Ａ，５４３Ｂ：配線部
５４４Ａ，５４４Ｂ，５４４Ｃ：配線部
５４５Ａ，５４５Ｂ，５４５Ｃ：配線部
５４６Ａ，５４６Ｂ，５４６Ｃ：配線部
６：接続部材　　　６Ａ～６Ｆ，６Ｌ：ワイヤ
６１Ａ～６１Ｈ，６１Ｊ，６１Ｋ，６１Ｑ：ワイヤ
６２Ａ～６２Ｈ，６２Ｊ，６２Ｋ，６２Ｑ：ワイヤ
７：封止部材　　　７１：樹脂主面
７２：樹脂裏面　　　７３～７６：樹脂側面
７３１，７４１，７６１：凹部　　　８Ａ：第１制御素子
８Ｂ：第２制御素子　　　８１，８２，８３：電極
８５：接合材　　　８９Ｕ，８９Ｖ，８９Ｗ：電子部品
８９１：導電性接合材

Claims (17)

  1. 　各々が第１スイッチング素子および第２スイッチング素子を有する複数の第１スイッチ部と、
    　前記複数の第１スイッチ部の各々の前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子に第１駆動信号を入力する第１制御素子と、
    　前記複数の第１スイッチ部の各々の前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子が搭載される少なくとも１つのリードと、
    　互いに離間する複数の第１配線部および複数の第２配線部を含む配線パターンと、
    　前記配線パターンが形成された支持基板と、
    　前記複数の第１配線部に対して個別に接続される複数の第１接続部材と、
    　前記複数の第１配線部に対して個別に接続される複数の第２接続部材と、
    　前記複数の第２配線部に対して個別に接続される複数の第３接続部材と、
    　前記複数の第２配線部に対して個別に接続される複数の第４接続部材と、
    を備え、
    　前記複数の第１スイッチ部において、前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子は、互いに電気的に並列に接続され、且つ、互いに異なる種類であり、
    　前記第１制御素子は、前記複数の第１スイッチ部の各々の前記第１スイッチング素子に、前記複数の第１接続部材のうちの対応する１つ、前記複数の第１配線部のうちの対応する１つおよび前記複数の第２接続部材のうちの対応する１つを介して導通し、かつ、前記複数の第１スイッチ部の各々の前記第２スイッチング素子に、前記複数の第３接続部材のうちの対応する１つ、前記複数の第２配線部のうちの対応する１つおよび前記複数の第４接続部材のうちの対応する１つを介して導通する、
    　半導体装置。
  2. 　前記複数の第１スイッチ部の各々の前記第１スイッチング素子は、ＩＧＢＴであり、
    　前記複数の第１スイッチ部の各々の前記第２スイッチング素子は、ＭＯＳＦＥＴである、
    　請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記複数の第１スイッチ部の各々は、ダイオード機能部を備える、
    　請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
  4. 　前記複数の第１スイッチ部の各々において、前記ダイオード機能部は、前記第１スイッチング素子に内蔵されている、
    　請求項３に記載の半導体装置。
  5. 　前記複数の第１スイッチ部の各々において、前記ダイオード機能部は、前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子の各々と異なる素子で構成される、
    　請求項３に記載の半導体装置。
  6. 　前記複数の第１スイッチ部は、各々が第１スイッチング素子および第２スイッチング素子を有する第１アーム、第２アームおよび第３アームを含み、
    　前記第１アーム、前記第２アームおよび前記第３アームは、前記支持基板の厚さ方向に直交する第１方向に配列され、
    　前記第２アームは、前記第１方向において、前記第１アームと前記第３アームとの間に位置する、
    　請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の半導体装置。
  7. 　前記少なくとも１つのリードは、第１搭載部、第２搭載部および第３搭載部を含み、
    　前記第１搭載部には、前記第１アームの第１スイッチング素子および第２スイッチング素子が搭載され、
    　前記第２搭載部には、前記第２アームの第１スイッチング素子および第２スイッチング素子が搭載され、
    　前記第３搭載部には、前記第３アームの第１スイッチング素子および第２スイッチング素子が搭載される、
    　請求項６に記載の半導体装置。
  8. 　前記第１制御素子は、前記第１搭載部、前記第２搭載部および前記第３搭載部よりも、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向の一方側に位置する、
    　請求項７に記載の半導体装置。
  9. 　前記第１アームの前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とは、前記第１搭載部において、前記第１方向に並び、
    　前記第２アームの前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とは、前記第２搭載部において、前記第１方向に並び、
    　前記第３アームの前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とは、前記第３搭載部において、前記第１方向に並び、
    　前記複数の第１配線部の各々と前記複数の第２配線部の各々とは、前記第１搭載部、前記第２搭載部および前記第３搭載部よりも、前記第２方向の一方側に位置する、
    　請求項８に記載の半導体装置。
  10. 　前記第１アームの前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とは、前記第１搭載部において、前記第２方向に並び、
    　前記第２アームの前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とは、前記第２搭載部において、前記第２方向に並び、
    　前記第３アームの前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とは、前記第３搭載部において、前記第２方向に並び、
    　前記第１アームの前記第１スイッチング素子に導通する第１配線部の一部と前記第１アームの前記第２スイッチング素子に導通する第２配線部の一部とは、前記第１方向において、前記第１搭載部と前記第２搭載部との間に配置され、
    　前記第２アームの前記第１スイッチング素子に導通する第１配線部の一部と前記第２アームの前記第２スイッチング素子に導通する第２配線部の一部とは、前記第１方向において、前記第２搭載部と前記第３搭載部との間に配置される、
    　請求項８に記載の半導体装置。
  11. 　前記第２搭載部の前記第２方向の一方側の端縁は、前記第１搭載部の前記第２方向の一方側の端縁および前記第３搭載部の前記第２方向の一方側の端縁よりも、前記第２方向の他方側に位置し、
    　前記複数の第１配線部の各々と前記複数の第２配線部の各々とは、前記第２搭載部よりも前記第２方向の一方側に配置され、
    　前記複数の第１配線部各々の一部と前記複数の第２配線部各々の一部とは、前記第１方向において、前記第１搭載部と前記第３搭載部との間に配置される、
    　請求項８に記載の半導体装置。
  12. 　前記少なくとも１つのリードは、互いに離間する第１リード、第２リード、第３リードを含み、
    　前記第１リードは、前記第１搭載部を含み、
    　前記第２リードは、前記第２搭載部を含み、
    　前記第３リードは、前記第３搭載部を含む、
    　請求項７ないし請求項１１のいずれかに記載の半導体装置。
  13. 　各々が第３スイッチング素子および第４スイッチング素子を有する複数の第２スイッチ部と、
    　前記複数の第２スイッチ部の各々の前記第３スイッチング素子および前記第４スイッチング素子に第２駆動信号を入力する第２制御素子と、
    をさらに備える、
    　請求項６ないし請求項１２のいずれかに記載の半導体装置。
  14. 　前記複数の第２スイッチ部は、各々が第３スイッチング素子および第４スイッチング素子を有する第４アーム、第５アームおよび第６アームを含み、
    　前記第４アーム、前記第５アームおよび前記第６アームは、前記厚さ方向に直交する第１方向に配列され、
    　前記第５アームは、前記第１方向において、前記第４アームと前記第６アームとの間に位置する、
    　請求項１３に記載の半導体装置。
  15. 　前記少なくとも１つのリードは、第４搭載部、第５搭載部および第６搭載部を含み、
    　前記第４搭載部には、前記第４アームの第３スイッチング素子および第４スイッチング素子が搭載され、
    　前記第５搭載部には、前記第５アームの第３スイッチング素子および第４スイッチング素子が搭載され、
    　前記第６搭載部には、前記第６アームの第３スイッチング素子および第４スイッチング素子が搭載される、
    　請求項１４に記載の半導体装置。
  16. 　前記少なくとも１つのリードは、第４リードを含み、
    　前記第４リードは、前記第４搭載部、前記第５搭載部および前記第６搭載部を含む、
    　請求項１５に記載の半導体装置。
  17. 　前記第１アームを下アーム、前記第４アームを上アームとして、前記第１アームと前記第４アームとが電気的に直列に接続されて、三相交流回路の第１相を構成し、
    　前記第２アームを下アーム、前記第５アームを上アームとして、前記第２アームと前記第５アームとが電気的に直列に接続されて、前記三相交流回路の第２相を構成し、
    　前記第３アームを下アーム、前記第６アームを上アームとして、前記第３アームと前記第６アームとが電気的に直列に接続されて、前記三相交流回路の第３相を構成する、
    　請求項１４ないし請求項１６のいずれかに記載の半導体装置。
PCT/JP2023/016645 2022-05-19 2023-04-27 半導体装置 WO2023223802A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022082597 2022-05-19
JP2022-082597 2022-05-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023223802A1 true WO2023223802A1 (ja) 2023-11-23

Family

ID=88835081

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2023/016645 WO2023223802A1 (ja) 2022-05-19 2023-04-27 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2023223802A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000138342A (ja) * 1998-10-30 2000-05-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2002057282A (ja) * 2000-08-11 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびそれを用いたインバータ回路
JP2013125806A (ja) * 2011-12-14 2013-06-24 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
JP2014130909A (ja) * 2012-12-28 2014-07-10 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000138342A (ja) * 1998-10-30 2000-05-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2002057282A (ja) * 2000-08-11 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびそれを用いたインバータ回路
JP2013125806A (ja) * 2011-12-14 2013-06-24 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
JP2014130909A (ja) * 2012-12-28 2014-07-10 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6763998B2 (ja) 半導体モジュール
US10070528B2 (en) Semiconductor device wiring pattern and connections
US8736043B2 (en) Power device having a specific range of distances between collector and emitter electrodes
US8970020B2 (en) Semiconductor device
EP3443588B1 (en) Robust low inductance power module package
US11380656B2 (en) Semiconductor device
US20220320049A1 (en) Power module
US11664298B2 (en) Semiconductor module
JP2020009834A (ja) 半導体装置
US20220320054A1 (en) Semiconductor device
JP7428017B2 (ja) 半導体モジュール
US11335660B2 (en) Semiconductor module
WO2023223802A1 (ja) 半導体装置
JP7050732B2 (ja) 半導体装置
WO2023223813A1 (ja) 半導体装置
WO2023223829A1 (ja) 半導体装置
US11935875B2 (en) Power module layout for symmetric switching and temperature sensing
WO2022075003A1 (ja) 半導体装置
US20240186256A1 (en) Semiconductor device
WO2021215294A1 (ja) 半導体装置
US20240088796A1 (en) Semiconductor module
WO2022118626A1 (ja) 半導体装置
WO2022224935A1 (ja) 半導体装置
US20220319952A1 (en) Power module
WO2022259824A1 (ja) 接合構造および半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 23807412

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1