WO2023189256A1 - 導電性フィルム及び表示装置 - Google Patents

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layer
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metal layer
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浩 新開
圭介 西岡
はる菜 小川
晋亮 橋本
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Tdk株式会社
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    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate

Definitions

  • the thickness of the first metal layer 30a is 10 nm or more, 20 nm or more, or 30 nm or more from the viewpoint of high adhesion between the first metal layer 30a and other metal layers (for example, the third metal layer 30c). It may be. From the viewpoint of high conductivity as the conductive layer 30, the thickness of the first metal layer 30a may be 200 nm or less, 100 nm or less, or 90 nm or less. The thickness of the portion of the conductive layer 30 that includes the first metal can be regarded as the thickness of the first metal layer 30a.
  • the conductive layer 30 may further include a third metal layer 30c provided between the first metal layer 30a and the second metal layer 30b as shown in FIG. It is not necessary to have the metal layer 30c.
  • the third metal constituting the third metal layer 30c may be, for example, at least one selected from the group consisting of palladium, gold, silver, and copper, or may be palladium.
  • the third metal layer 30c may be formed of metal fine particles containing a third metal.
  • the thickness of the third metal layer 30c is determined from the viewpoint of easy growth of metal plating on the third metal layer 30c and from the viewpoint of higher adhesion between the third metal layer 30c and the second metal layer 30b. It may be 10 nm or more, 15 nm or more, or 20 nm or more. From the viewpoint of high conductivity as the conductive layer 30, the thickness of the third metal layer 30c may be 30 nm or less, 25 nm or less, or 20 nm or less. The thickness of the portion of the conductive layer 30 that includes the third metal can be regarded as the thickness of the third metal layer 30c. However, the thickness of the third metal present at the grain boundaries 31 is not included in the thickness of the third metal layer 30c.
  • the third metal layer 30c may have a thickness smaller than both the thickness of the first metal layer 30a and the thickness of the second metal layer 30b.
  • the first metal layer 30a may have a thickness smaller than the thickness of the second metal layer 30b.
  • the electrical conductivity of the second metal of the second metal layer 30b, the electrical conductivity of the first metal of the first metal layer 30a, and the electrical conductivity of the third metal of the third metal layer 30c are as follows.
  • the values may increase in order. Thereby, the conductive film 100 tends to have excellent conductivity.
  • the width of the linear portion of the conductive layer 30 may be 1 ⁇ m or more, 10 ⁇ m or more, or 20 ⁇ m or more, and may be 90 ⁇ m or less, 70 ⁇ m or less, or 30 ⁇ m or less.
  • the width of the linear portion of the conductive layer 30 refers to the maximum width in the extending direction of the linear portion. From the viewpoint of improving the transparency of the conductive film 100, the width of the linear portion of the conductive layer 30 may be 0.3 ⁇ m or more, 0.5 ⁇ m or more, or 1.0 ⁇ m or more, and 5.0 ⁇ m or less, It may be 4.0 ⁇ m or less, or 3.0 ⁇ m or less.
  • the first inorganic particles 11 are dispersed within the first resin part 12.
  • the first inorganic particles 11 include silica, alumina, titania, tantalum oxide, zirconia, silicon nitride, barium titanate, barium carbonate, magnesium carbonate, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, lead titanate, and zircon titanate.
  • the first inorganic particles 11 may be one kind alone or a combination of two or more kinds.
  • some of the plurality of first inorganic particles 11 may partially protrude from the first resin part 12 so as to be partially surrounded by the first metal, and/or may be surrounded by the first metal within the first metal layer 30a apart from the resin portion 12.
  • being surrounded by the first metal does not mean being surrounded only by the first metal, but also existing at the first metal and the grain boundaries 31 and grain boundaries 31 included in the first metal layer 30a. This also includes cases where it is surrounded by a second metal or a third metal.
  • the first inorganic particles 11a separated from the first resin part 12 can be considered as part of the first metal layer 30a.
  • the plurality of first inorganic particles 11 are unevenly distributed on the second resin layer 20 side in the first resin layer 10 means, for example, that in the cross section along the thickness direction of the conductive film 100,
  • region A the region from the center of the first resin layer 10 in the thickness direction to the second resin layer 20 side is defined as region A, the first inorganic particles 11 present in region A (the exposed first inorganic particles 11a are (including) exceeds 50% of the total number of first inorganic particles 11 in the entire first resin layer 10. This percentage may be 60% or more, 70% or more, 75% or more, or 80% or more.
  • the second resin layer 20 may contain second inorganic particles.
  • the second inorganic particles may be one or more inorganic particles selected from Pd, Cu, Ni, Co, Au, Ag, Pd, Rh, Pt, In, and Sn, and may include Pd.
  • the second inorganic particles may be a single type or a combination of two or more types of inorganic particles.
  • the second inorganic particles may also be included in the first metal layer 30a.
  • the shape of the second inorganic particles is not particularly limited, and may be, for example, spherical, ellipsoidal, polyhedral, plate-like, scale-like, columnar, or the like.
  • the plurality of second inorganic particles may be unevenly distributed on the first resin layer 10 side in the second resin layer 20.
  • the plurality of second inorganic particles are unevenly distributed on the first resin layer 10 side in the second resin layer 20 means, for example, that a cross section along the thickness direction of the conductive film 100 is observed using a TEM.
  • area B the ratio of the number of second inorganic particles in area B is , means that it exceeds 50% of the total number of second inorganic particles in the entire second resin layer 20. This percentage may be 80% or more, 90% or more, or 95% or more.
  • a plurality of second inorganic particles may exist around the portion of each of the plurality of exposed first inorganic particles 11a that protrudes (is exposed) to the second resin layer 20 side. .
  • the adhesion between the first resin layer 10 and the second resin layer 20 can be further improved.
  • “Around the part of each first inorganic particle 11a that protrudes to the second resin layer 20 side” is 10 nm from the surface of the part of the first inorganic particle 11a that protrudes to the second resin layer 20 side. It may be within the range.
  • a plurality of second inorganic particles may be in contact with a portion of one exposed first inorganic particle 11a that protrudes toward the second resin layer 20 side.
  • the trench 25 opens on the surface opposite to the first resin layer 10 and extends onto the second resin layer 20.
  • Trench 25 includes a portion forming a pattern corresponding to the pattern of conductive layer 30 . As shown in FIG. 2, the width of the trench 25 may become narrower from the side of the second resin layer 20 opposite to the first resin layer 10 side toward the first resin layer 10 side, The width of trench 25 may be substantially constant in the depth direction.
  • the width and depth of trench 25 typically substantially match the width and thickness of conductive layer 30, respectively.
  • the width of the trench 25 means the maximum width in the direction perpendicular to the thickness direction of the conductive film 100 (extending direction of the conductive film 100), and the depth of the trench 25 means the width of the conductive film 100. It means the maximum depth in the thickness direction of the film 100.
  • the ratio of the depth of trench 25 to the width of trench 25 may be similar to the aspect ratio of conductive layer 30 described above.
  • the third resin portion 41 in the second inorganic particle-containing layer 40 may be completely removed by ashing treatment, and a portion may remain on the surface 10S of the first resin layer 10. Good too.
  • the second inorganic particles 21 in the second inorganic particle-containing layer 40 are removed from the surface 10S of the first resin layer 10. deposit on top.
  • the deposited second inorganic particles 21 may be attached to the first resin portion 12 or the exposed first inorganic particles 11a.
  • a trench 25 having a shape that is an inversion of the shape of the convex portion 50a of the mold 50 is formed ((b) in FIG. 5).
  • the method for forming the trenches 25 is not limited to the imprint method, and the trenches 25 may be formed by, for example, laser, dry etching, or photolithography.
  • the trench 25 extends on the first resin layer 10 so that a pattern corresponding to the conductive layer 30 is formed.
  • the second resin portion remaining on the first resin layer 10 in the trench 25 is etched by dry etching or the like. 22 may be removed.
  • the steps of (a) and (b) in FIG. 5 are performed in a laminate including a base material 1, a first resin layer 10, and a second resin layer 20 in this order. It may be a step of forming trenches 25 that open on the surface opposite to one resin layer 10.
  • a conductive layer 30 filling the trench 25 is formed.
  • the conductive film 100 can be obtained.
  • a method for forming the conductive layer 30 is shown, for example, in FIGS. 6(a) to 6(c).
  • a second metal layer 30b is formed on the third metal layer 30c.
  • the second metal layer 30b is formed by immersing the laminate on which the third metal layer 30c is formed in a second electroless plating solution containing ions of the metal constituting the second metal layer 30b. can do.
  • the process of FIG. 6C includes the base material 1, the first resin layer 10, and the second resin layer 20 in which a trench 25 opening on the surface opposite to the first resin layer 10 is formed. , a first metal layer 30a formed in the trench 25, a third metal layer 30c formed on the first metal layer 30a, and a second metal layer 30c formed on the third metal layer 30c.
  • the step may also be a step of preparing a laminate including the layers 30b in this order.
  • the second metal layer 30b is a layered product in which the first metal layer 30a is formed by ions of the metal constituting the second metal layer 30b.
  • the second metal layer 30a can be formed on the first metal layer 30a by being immersed in the second electroless plating solution.
  • the second electroless plating solution contains ions of the metal constituting the second metal layer 30b.
  • the second electroless plating solution may further contain formalin or the like.
  • the temperature of the second electroless plating solution when the laminate is immersed in the second electroless plating solution may be, for example, 30 to 60°C.
  • the immersion time in the second electroless plating solution varies depending on the thickness of the second metal layer 30b, and may be, for example, 2 to 20 minutes.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an embodiment of a display device incorporating the conductive film 100.
  • the display device 500 shown in FIG. 7 includes an image display section 60 having an image display area 60S, a conductive film 100, a polarizing plate 70, and a cover glass 80.
  • the conductive film 100, the polarizing plate 70, and the cover glass 80 are laminated in this order from the image display section 60 side on the image display area 60S side of the image display section 60.
  • the surface area of the first metal layer increases, and the adhesion between the first metal layer and other metal layers increases. improves.
  • the conductivity of the second metal, the conductivity of the first metal, and the conductivity of the third metal may increase in this order. According to this, the conductive film tends to have excellent conductivity.
  • the laminate After forming the second inorganic particle-containing layer, the laminate is placed in a vacuum device, and the surface of the second inorganic particle-containing layer is subjected to ashing treatment, and the resin part in the second inorganic particle-containing layer and the first The surface resin portion of the resin layer was removed.
  • the thickness of the first resin layer after the ashing treatment was 260 ⁇ m.
  • Example 2 A conductive film was produced in the same manner as in Example 1, except that the ashing treatment was not performed after forming the second resin layer and before forming the first metal layer.
  • the cross section of the obtained conductive film in the thickness direction was observed using a TEM, it was confirmed that grain boundaries were formed in the Ni layer.
  • EDS-STEM analysis confirmed that silica particles were present in the Ni layer surrounded by Ni, and that Pd and Cu were present at the grain boundaries of the Ni layer.
  • SYMBOLS 1 Base material, 10... First resin layer, 11, 11a, 11b... First inorganic particle, 12... First resin part, 20... Second resin layer, 21... Second inorganic particle, 22 ...Second resin part, 25...Trench, 30...Conductive layer, 30a...First metal layer, 30b...Second metal layer, 30c...Third metal layer, 31...Grain boundary, 40...Second metal layer Inorganic particle-containing layer, 41... Third resin part, 50... Mold, 60... Image display part, 70... Polarizing plate, 80... Cover glass, 100... Conductive film, 500... Display device.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

フィルム状の基材と、基材の一方の主面側に設けられた導電層と、を備える導電性フィルムに関する。導電層が、基材側から順に設けられた、第一の金属を含む第一の金属層と、第一の金属とは異なる第二の金属を含む第二の金属層と、を有する。第一の金属層が粒界を含む。

Description

導電性フィルム及び表示装置
　本開示は、導電性フィルム及び表示装置に関する。
　タッチパネル又はディスプレイの表面には、透明性と導電性を有する導電性基板（導電性フィルム）が搭載された透明アンテナが実装されることがある。昨今、タッチパネル及びディスプレイが大型化、多様化したことに伴い、導電性フィルムには、高い透明性と導電性とともに、フレキシブル性が求められている。
　導電性基板としては、例えば、特許文献１には、基材と、下地層と、トレンチ形成層と、導電性パターン層と、を備え、下地層が、下地層の導電パターン層側の表面からその内側にかけて形成され、導電パターン層を構成する金属を含み下地層に入り込んでいる金属粒子を含む混在領域を有する、導電性基板が開示されている。導電パターン層を複数の金属層により形成し得ることも開示されている。
特開２０１９－２９６５８号公報
　複数の金属層から構成された導電層を有する導電性フィルムに関して、金属層間の密着性が高いことが望まれる。
　本開示の一側面は、フィルム状の基材と、基材の一方の主面側に設けられた導電層と、を備える導電性フィルムに関する。当該導電性フィルムは、導電層が、基材側から順に設けられた、第一の金属層と、第二の金属層と、を有する。第一の金属層が粒界を含む。
　本開示の他の一側面は、導電性フィルムを備える表示装置に関する。
　複数の金属層から構成された導電層を有する導電性フィルムに関して、金属層間の密着性が高められ得る。
一実施形態に係る導電性フィルムを示す模式平面図である。 図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。 図２に示す導電性フィルムの部分拡大図である。 図１に示す導電性フィルムの製造方法を模式的に示す断面図である。 図１に示す導電性フィルムの製造方法を模式的に示す断面図である。 図１に示す導電性フィルムの金属層の形成方法を模式的に示す断面図である。 表示装置の一実施形態を示す断面図である。
　本開示は以下の例に限定されない。
　図１は、一実施形態に係る導電性フィルムを示す模式平面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。図１及び図２に示す導電性フィルム１００は、フィルム状の基材１と、基材１上に設けられた第一の樹脂層１０と、第一の樹脂層１０上に設けられ、第一の樹脂層１０と反対側の表面に開口する線状のトレンチ２５を有する第二の樹脂層２０と、トレンチ２５に設けられた導電層３０とを備える。図１及び図２の例においては、２つの方向それぞれに沿って延在する複数の線状のトレンチ２５が互いに交差することにより、メッシュ状のパターンが形成されている。トレンチ２５内の導電層３０もメッシュ状のパターンを形成している。メッシュ状のパターンを有する導電層３０は、例えばアンテナの放射素子として良好に機能することができる。トレンチ２５及び導電層３０は、第一の樹脂層１０の表面１０Ｓのうち一部の領域にわたって設けられている。
　図３は、図２に示す導電性フィルム１００の断面図における、領域Ｒの拡大図である。図３に示されるように、導電層３０は、基材１側から順に設けられた、第一の金属を含む第一の金属層３０ａと、第三の金属を含む第三の金属層３０ｃと、第二の金属を含む第二の金属層３０ｂとを有する。第一の金属、第二の金属及び第三の金属は、互いに異なる種類の金属である。第一の金属、第二の金属及び第三の金属は、それぞれ１種の金属であってもよく、２種以上の金属の組み合わせであってもよい。第一の金属層３０ａが第二の金属及び／又は第三の金属を更に含んでもよく、第二の金属層３０ｂが第一の金属及び／又は第三の金属を更に含んでもよく、第三の金属層３０ｃが第一の金属及び／又は第二の金属を更に含んでもよい。第一の金属層３０ａ、第二の金属層３０ｂ及び第三の金属層３０ｃは、導電性が維持される範囲で、リン等の非金属元素を更に含んでもよい。
　第一の金属層３０ａを構成する第一の金属は、例えば、ニッケル、金、銀、銅、パラジウムからなる群より選ばれる少なくとも１種であってもよく、ニッケルであってもよい。
　第一の金属層３０ａは、複数の結晶粒を含んでおり、それらの境界である粒界３１が第一の金属層３０ａ中に形成されている。粒界３１が形成されると、第一の金属層３０ａの表面積が大きくなり、これが第一の金属層３０ａと他の金属層との間の密着性向上に寄与し得る。粒界３１が形成されていることは、例えば、導電性フィルム１００の厚さ方向に沿った断面をＴＥＭ（透過電子顕微鏡）で観察することにより確認することができる。第一の金属層３０ａの元素マッピングにおいて、粒界３１が、第一の金属層３０ａ内で第一の金属が実質的に観測されない線状の領域として観測されることがある。その場合、粒界３１によって第一の金属層３０ａが複数の領域に区切られていてもよい。粒界３１によって区切られた個々の領域は結晶粒に相当すると考えられ、その最大幅が例えば１０ｎｍ以上、又は２０ｎｍ以上であってもよく、１００ｎｍ以下、又は８０ｎｍ以下であってもよい。
　第一の金属層３０ａの厚さは、第一の金属層３０ａと他の金属層（例えば、第三の金属層３０ｃ）との高い密着性の観点から、１０ｎｍ以上、２０ｎｍ以上、又は３０ｎｍ以上であってもよい。第一の金属層３０ａの厚さは、導電層３０としての高い導電性の観点から、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、又は９０ｎｍ以下であってもよい。導電層３０のうち、第一の金属が含まれる部分の厚さを、第一の金属層３０ａの厚さとみなすことができる。
　第二の金属層３０ｂを構成する第二の金属は、例えば、銅、金、銀、パラジウムからなる群より選ばれる少なくとも１種であってもよく、銅であってもよい。
　第二の金属が、第一の金属層３０ａ中の粒界３１にも存在していてもよい。すなわち、第一の金属層３０ａ中の粒界３１に第二の金属の金属成分が侵入していてもよい。第二の金属は、第二の金属層３０ｂから第一の金属層３０ａ中の粒界３１にかけて連続的に分布していてもよい。粒界３１に存在している第二の金属は、第一の金属層３０ａの一部とみすことができる。粒界３１に第二の金属が存在することで、例えば、アンカー効果により第一の金属層３０ａと第二の金属層３０ｂとの密着性が更に向上し得る。粒界３１に第二の金属が存在していることは、ＥＤＳ－ＳＴＥＭによる元素マッピングによって確認することができる。
　第二の金属層３０ｂの厚さは、高い導電性の観点から、１．５μｍ以上、１．８μｍ以上、又は２．０μｍ以上であってもよい。第二の金属層３０ｂの厚さは、１０μｍ以下、８μｍ以下、又は６μｍ以下であってもよい。導電層３０のうち、第二の金属が含まれる部分の厚さを、第二の金属層３０ｂの厚さとみなすことができる。ただし、粒界３１に存在している第二の金属の厚さは、第二の金属層３０ｂの厚さに含まれない。
　導電層３０は、図３に示されるように第一の金属層３０ａと第二の金属層３０ｂとの間に更に設けられた第三の金属層３０ｃを有していてもよく、第三の金属層３０ｃを有していなくてもよい。第三の金属層３０ｃを構成する第三の金属は、例えば、パラジウム、金、銀、銅からなる群より選ばれる少なくとも１種であってもよく、パラジウムであってもよい。第三の金属層３０ｃは、第三の金属を含む金属微粒子によって形成されていてもよい。
　第三の金属は、粒界３１にも存在していてもよい。すなわち、第一の金属層３０ａ中の粒界３１に第三の金属の金属成分が侵入していてもよい。第三の金属は、第三の金属層３０ｃから第一の金属層３０ａ中の粒界３１にかけて連続的に分布していてもよい。粒界３１に存在している第三の金属は、第一の金属層３０ａの一部とみなすことができる。粒界３１に第三の金属が存在することで、例えば、アンカー効果により第一の金属層３０ａと第三の金属層３０ｃとの密着性が向上し得る。粒界３１に第三の金属が存在していることは、ＥＤＳ－ＳＴＥＭ分析による元素マッピングによって確認することができる。
　第一の金属層３０ａと第三の金属層３０ｃとの密着性がより優れる観点から、粒界３１に存在している第三の金属の第一の金属層３０ａの表面からの深さが、最大で４０ｎｍ以上、３０ｎｍ以上、又は２０ｎｍ以上であってもよい。導電層３０としての高い導電性の観点から、粒界３１に存在している第三の金属の第一の金属層３０ａの表面からの深さが、２００ｎｍ以下又は１５０ｎｍ以下であってもよい。
　第三の金属層３０ｃの厚さは、第三の金属層３０ｃ上に金属めっきを成長させ易い観点及び第三の金属層３０ｃと第二の金属層３０ｂとのより高い密着性の観点から、１０ｎｍ以上、１５ｎｍ以上、又は２０ｎｍ以上であってもよい。第三の金属層３０ｃの厚さは、導電層３０としての高い導電性の観点から、３０ｎｍ以下、２５ｎｍ以下、又は２０ｎｍ以下であってもよい。導電層３０のうち、第三の金属が含まれる部分の厚さを、第三の金属層３０ｃの厚さとみなすことができる。ただし、粒界３１に存在している第三の金属の厚さは、第三の金属層３０ｃの厚さに含まれない。
　第三の金属層３０ｃは、第一の金属層３０ａの厚さ及び第二の金属層３０ｂの厚さのいずれよりも小さい厚さを有していてもよい。第一の金属層３０ａが、第二の金属層３０ｂの厚さよりも小さい厚さを有していてもよい。これにより、導電性フィルム１００は、各金属層間におけるより優れた密着性と、優れた導電性を有し易い。
　第二の金属層３０ｂの第二の金属の導電率と、第一の金属層３０ａの第一の金属の導電率と、第三の金属層３０ｃの第三の金属の導電率とは、この順に高くなっていてもよい。これにより、導電性フィルム１００が優れた導電性を有し易い。
　導電層３０は、第二の金属層３０ｂ上に、第二の金属とは異なる金属を含む第四の金属層を更に有していてもよい。第四の金属層を構成する金属は、例えば、金又はパラジウムの少なくとも一方を含んでもよい。
　導電層３０は、線状部を含むパターンを有していてもよい。導電層３０のパターンが、一定の方向に沿って延在しながら配列した複数の線状部を含んでいてもよい。導電層３０が、線状部を含むメッシュ状のパターンを有いていてもよい。
　導電層３０の線状部の幅は、１μｍ以上、１０μｍ以上、又は２０μｍ以上であってもよく、９０μｍ以下、７０μｍ以下、又は３０μｍ以下であってもよい。本明細書において、導電層３０の線状部の幅は、線状部の延在方向における最大幅をいう。導電層３０の線状部の幅は、導電性フィルム１００の透明性向上の観点からは、０．３μｍ以上、０．５μｍ以上、又は１．０μｍ以上であってもよく、５．０μｍ以下、４．０μｍ以下、又は３．０μｍ以下であってもよい。
　導電層３０の厚さは、０．１μｍ以上、１．０μｍ以上、又は２．０μｍ以上であってもよく、１０．０μｍ以下、５．０μｍ以下、又は３．０μｍ以下であってもよい。導電層３０の幅及び厚さは、後述するモールド５０の設計を変更し、トレンチ２５の幅及び厚さを変更することによって調整できる。
　導電層３０のアスペクト比は、例えば、０．１以上、０．５以上、又は１．０以上であってもよく、１０．０以下、７．０以下、又は４．０以下であってもよい。導電層３０のアスペクト比とは、導電層３０の幅に対する導電層３０の厚さの比（厚さ／幅）を意味する。
　基材１は、透明の基材であってもよく、特に透明の樹脂フィルムであってもよい。樹脂フィルムは、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、又はポリイミド（ＰＩ）のフィルムであってもよい。基材１は、ガラス、又はＳｉウェハ等であってもよい。基材１は、例えば、導電性フィルム１００が表示装置に組み込まれたときに必要とされる程度の光透過性を有していてもよい。具体的には、基材の全光線透過率が９０～１００％であってもよい。基材のヘイズが０～５％であってもよい。
　基材１の厚さは、１０μｍ以上、２０μｍ以上、又は３５μｍ以上であってもよく、５００μｍ以下、２００μｍ以下、又は１００μｍ以下であってもよい。
　第一の樹脂層１０を構成する第一の樹脂部１２は、硬化性樹脂を含む硬化性樹脂組成物の硬化物であってもよい。第一の樹脂層１０は透明であってもよい。硬化性樹脂の例としては、アミノ樹脂、シアネート樹脂、イソシアネート樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、ポリエステル、アリル樹脂、フェノール樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、キシレン樹脂、ケトン樹脂、フラン樹脂、ＣＯＰＮＡ樹脂、ケイ素樹脂、ジシクロペンタジエン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、エピスルフィド樹脂、エン－チオール樹脂、ポリアゾメチン樹脂、ポリビニルベンジルエーテル化合物、アセナフチレン、並びに不飽和二重結合、環状エーテル、及びビニルエーテル等の紫外線で重合反応を起こす官能基を含む紫外線硬化樹脂が挙げられる。硬化性樹脂は、１種単独又は２種類以上の組合せであってもよい。
　第一の無機粒子１１は、第一の樹脂部１２内に分散している。第一の無機粒子１１としては、例えば、シリカ、アルミナ、チタニア、酸化タンタル、ジルコニア、窒化ケイ素、チタン酸バリウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、チタン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛、酸化ガリウム、スピネル、ムライト、コーディエライト、タルク、チタン酸アルミニウム、ケイ酸バリウム、窒化ホウ素、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸マグネシウム、ハイドロタルサイト、雲母、焼成カオリン、及びカーボンが挙げられる。第一の無機粒子１１は、１種単独又は２種類以上の組合せであってもよい。
　第一の無機粒子１１の形状は、特に限定されず、例えば、球状、楕円体状、多面体状、板状、鱗片状、柱状等であってもよい。
　複数の第一の無機粒子１１のうち一部が、第一の金属層３０ａに存在していてもよい。第一の金属層３０ａに存在している第一の無機粒子１１ａは、第一の樹脂部１２から部分的にはみ出していてもよく、第一の樹脂部１２から離れて第一の金属層３０ａ内に分布していてもよい。第一の樹脂部１２から部分的にはみ出した第一の無機粒子１１ａあるいは第一の樹脂部１２から離れた第一の無機粒子１１ａは、第一の金属層３０ａ内に位置し、はみ出した部分あるいは離れた部分の周囲に第一の金属層３０ａの第一の金属が存在する状態となる。すなわち、複数の第一の無機粒子１１のうち一部が、第一の金属に部分的に囲まれるように第一の樹脂部１２から部分的にはみ出していてもよく、及び／又は、第一の樹脂部１２から離れて第一の金属層３０ａ内で第一の金属に囲まれていてもよい。なお、第一の金属に囲まれるとは、第一の金属のみによって囲まれる場合だけでなく、第一の金属と、第一の金属層３０ａに含まれる粒界３１及び粒界３１に存在する第二の金属や第三の金属とによって囲まれる場合も含まれる。第一の樹脂部１２から離れた第一の無機粒子１１ａは、第一の金属層３０ａの一部とみなすことができる。第一の無機粒子１１ａが第一の金属層３０ａに存在していることにより、第一の樹脂層１０と第一の金属層３０ａとの密着性がより高められ得る。また、第一の無機粒子１１ａが第一の金属層３０ａに存在していると、第一の金属層３０ａ内に粒界３１が形成され易い。
　複数の第一の無機粒子１１のうち少なくとも一部が、第一の樹脂部１２から第二の樹脂層２０側に部分的にはみ出していてもよい。「第一の無機粒子１１が第一の樹脂部１２から第二の樹脂層２０側に部分的にはみ出している」とは、第一の無機粒子１１の表面の一部が、第一の樹脂部１２から第二の樹脂層２０側にはみ出し、第二の樹脂層２０と接している状態を意味する。すなわち、第二の樹脂層２０側に部分的にはみ出している複数の第一の無機粒子１１は、第二の樹脂層２０側にはみ出している部分が第一の樹脂部１２に覆われていない（第二の樹脂層２０側にはみ出している部分が第一の樹脂部１２から露出している）状態となっていてもよい。以下、このような第一の無機粒子を「露出した第一の無機粒子」ともいう。露出した第一の無機粒子１１ａは、第一の樹脂層１０と第二の樹脂層２０との密着性向上に寄与することができる。露出した第一の無機粒子１１ａの存在は、例えば、導電性フィルム１００の厚さ方向に沿った断面をＴＥＭで観察することにより確認できる。第一の無機粒子１１は、第一の樹脂部１２内に埋め込まれ、第二の樹脂層２０側にはみ出していない（第一の樹脂部１２から露出していない）第一の無機粒子１１ｂを含んでもよい。
　露出した第一の無機粒子１１ａの数の割合は、導電性フィルム１００の第一の樹脂層１０と第二の樹脂層２０との間の優れた密着性の観点から、第一の無機粒子１１の全個数に対して、１０％以上であってもよい。露出した第一の無機粒子１１ａの数の割合は、第一の無機粒子１１の全個数に対して、例えば、４０％以下であってもよい。露出した第一の無機粒子１１ａの数の割合は、導電性フィルム１００の厚さ方向に沿った断面のＴＥＭで観察し、導電性フィルム１００の任意の延在方向に１．５μｍの範囲の第一の樹脂層１０の断面画像における露出した第一の無機粒子１１ａの個数と、当該範囲の第一の樹脂層１０の断面画像における全ての第一の無機粒子１１の個数を計測することにより算出される。
　複数の第一の無機粒子１１は、第一の樹脂層１０において第二の樹脂層２０側に偏在していてもよい。第一の無機粒子１１が、第一の樹脂層１０において第二の樹脂層２０側に偏在していることは、導電性フィルム１００の厚さ方向に沿った断面をＴＥＭで観察することにより確認できる。
　「複数の第一の無機粒子１１が第一の樹脂層１０において第二の樹脂層２０側に偏在している」とは、例えば、導電性フィルム１００の厚さ方向に沿った断面において、第一の樹脂層１０の厚さ方向の中心から第二の樹脂層２０側の領域を領域Ａとするとき、領域Ａ内に存在する第一の無機粒子１１（露出した第一の無機粒子１１ａを含む）の数の割合が、第一の樹脂層１０全体における第一の無機粒子１１の全個数に対して５０％を超えることを意味する。この割合は、６０％以上、７０％以上、７５％以上、又は８０％以上であってもよい。
　第一の無機粒子１１の平均粒子径は、例えば、１０ｎｍ以上、１５ｎｍ以上、又は２０ｎｍ以上であってもよく、４００ｎｍ以下、３００ｎｍ以下、又は２００ｎｍ以下であってもよい。第一の無機粒子１１の平均粒子径は、導電性フィルム１００の厚さ方向に沿った断面をＴＥＭで観察し、断面のＴＥＭ画像において導電性フィルム１００の任意の延在方向の１．５μｍの範囲に存在する第一の無機粒子１１それぞれの最大長さを測定し、平均することにより算出される。
　第一の樹脂層１０、又は第一の樹脂部１２の厚さは、例えば、３０ｎｍ以上、５０ｎｍ以上、又は１００ｎｍ以上であってもよく、５００ｎｍ以下、４００ｎｍ以下、又は３００ｎｍ以下であってもよい。
　第二の樹脂層２０は、主として第二の樹脂部２２から構成される樹脂層である。第二の樹脂部２２は透明であってもよい。第二の樹脂部２２は、光硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂の硬化物であってもよい。光硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂の例としては、アクリル樹脂、アミノ樹脂、シアネート樹脂、イソシアネート樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、ポリエステル、アリル樹脂、フェノール樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、キシレン樹脂、ケトン樹脂、フラン樹脂、ＣＯＰＮＡ樹脂、ケイ素樹脂、ジシクロペンタジエン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、エピスルフィド樹脂、エン－チオール樹脂、ポリアゾメチン樹脂、ポリビニルベンジルエーテル化合物、アセナフチレン、並びに不飽和二重結合、環状エーテル、及びビニルエーテル等の紫外線で重合反応を起こす官能基を含む紫外線硬化樹脂等が挙げられる。これらの光硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂は、１種単独又は２種類以上の組合せであってもよい。
　第二の樹脂層２０は、第二の無機粒子を含有してもよい。第二の無機粒子は、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｎ、及びＳｎから選ばれる１種以上の無機粒子であってもよく、Ｐｄを含んでもよい。第二の無機粒子は、１種単独又は２種類以上の無機粒子の組合せであってもよい。第二の無機粒子は、第一の金属層３０ａにも含まれていてもよい。
　第二の無機粒子の形状は、特に限定されず、例えば、球状、楕円体状、多面体状、板状、鱗片状、柱状等であってもよい。
　第二の無機粒子の平均粒子径は、導電性フィルム１００の透明性が優れる観点から、１０ｎｍ以下、８ｎｍ以下、又は５ｎｍ以下であってもよい。第二の無機粒子の平均粒子径は、例えば、０．１ｎｍ以上、０．５ｎｍ以上、又は１ｎｍ以上であってもよい。第二の無機粒子の平均粒子径は、導電性フィルム１００の厚さ方向に沿った断面をＴＥＭで観察し、断面のＴＥＭ画像において導電性フィルム１００の任意の延在方向に１．５μｍの範囲に存在する第二の無機粒子それぞれの最大長さを測定し、平均することにより算出される。
　第二の無機粒子の平均粒子径は、第一の無機粒子１１の平均粒子径よりも小さくてもよい。第一の無機粒子１１の平均粒子径に対する第二の無機粒子の平均粒子径の比率（第二の無機粒子の平均粒子径／第一の無機粒子１１の平均粒子径）は、０．３以下、又は０．１以下であってもよく、０．０１以上、０．０２以上、又は０．０５以上であってもよい。
　複数の第二の無機粒子は、第二の樹脂層２０において第一の樹脂層１０側に偏在していてもよい。「複数の第二の無機粒子が、第二の樹脂層２０において第一の樹脂層１０側に偏在している」とは、例えば、導電性フィルム１００の厚さ方向に沿った断面をＴＥＭで観察したときの観察画像において、第二の樹脂層２０の厚さ方向の中心から第一の樹脂層１０側の領域を領域Ｂとするとき、領域Ｂにおける第二の無機粒子の数の割合が、第二の樹脂層２０全体における第二の無機粒子の全個数に対して５０％を超えることを意味する。この割合は、８０％以上、９０％以上、又は９５％以上であってもよい。
　導電性フィルム１００の優れた透明性の観点から、第二の無機粒子の全個数に対して８０％以上の数の第二の無機粒子が、第一の樹脂層１０と第二の樹脂層２０との界面からの距離が第一の樹脂層１０の厚さの１／３以下、１／４以下、又は１／５以下である領域内に分布していてもよい。第二の無機粒子の全個数に対して９０％以上又は９５％以上の数の第二の無機粒子が、第一の樹脂層１０と第二の樹脂層２０との界面からの距離が第一の樹脂層１０の厚さの１／３以下、１／４以下、又は１／５以下の領域内に分布していてもよい。「第一の樹脂層１０と第二の樹脂層２０との界面」は、第一の樹脂部１２と第二の樹脂部２２との界面、及び、露出した第一の無機粒子１１ａと第二の樹脂部２２との界面を意味する。
　導電性フィルム１００の優れた透明性の観点から、第二の無機粒子の全個数に対して８０％以上の数の第二の無機粒子が、第一の樹脂層１０と第二の樹脂層２０との界面からの距離が７０ｎｍ以下、６５ｎｍ以下、６０ｎｍ以下、５５ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、４５ｎｍ以下、４０ｎｍ以下、３５ｎｍ以下、３０ｎｍ以下、２５ｎｍ以下、２０ｎｍ以下、１５ｎｍ以下、又は１０ｎｍ以下の領域内に分布していてもよい。第二の無機粒子の全個数に対して９０％以上又は９５％以上の数の第二の無機粒子が、第一の樹脂層１０と第二の樹脂層２０との界面からの距離が７０ｎｍ以下、６５ｎｍ以下、６０ｎｍ以下、５５ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、４５ｎｍ以下、４０ｎｍ以下、３５ｎｍ以下、３０ｎｍ以下、２５ｎｍ以下、２０ｎｍ以下、１５ｎｍ以下、又は１０ｎｍ以下の領域内に分布していてもよい。
　露出している複数の第一の無機粒子１１ａそれぞれの第二の樹脂層２０側にはみ出している（露出している）部分の周囲に、複数の第二の無機粒子が存在していてもよい。この場合、第一の樹脂層１０と第二の樹脂層２０との密着性がより高められ得る。「第一の無機粒子１１ａそれぞれの第二の樹脂層２０側にはみ出している部分の周囲」とは、第一の無機粒子１１ａの第二の樹脂層２０側にはみ出している部分の表面から１０ｎｍ以内の領域であってもよい。露出している１つの第一の無機粒子１１ａの第二の樹脂層２０側にはみ出している部分に複数の第二の無機粒子が接していてもよい。
　トレンチ２５は、第一の樹脂層１０とは反対側の表面に開口し、第二の樹脂層２０上に延在している。トレンチ２５は、導電層３０のパターンに対応するパターンを形成している部分を含む。図２に示されるように、トレンチ２５の幅は、第二の樹脂層２０の第一の樹脂層１０側とは反対側から第一の樹脂層１０側に向かって狭くなっていてもよく、トレンチ２５の幅が深さ方向において実質的に一定であってもよい。
　トレンチ２５の幅及び深さは、通常、それぞれ導電層３０の幅及び厚みと実質的に一致する。本明細書において、トレンチ２５の幅とは、導電性フィルム１００の厚さ方向と垂直な方向（導電性フィルム１００の延在方向）における最大幅を意味し、トレンチ２５の深さとは、導電性フィルム１００の厚さ方向の最大深さを意味する。トレンチ２５の幅に対するトレンチ２５の深さの比が、上述した導電層３０のアスペクト比と同様であってもよい。
　第二の樹脂層２０の厚さ、又は第二の樹脂部２２の厚さは、例えば、１μｍ以上、１．５μｍ以上、又は２μｍ以上であってもよく、５μｍ以下、４μｍ以下、又は３μｍ以下であってもよい。
　図４～６は、図１に示される導電性フィルム１００を製造する方法の一例を模式的に示す断面図である。本実施形態に係る方法では、まず、図４の（ａ）に示すように、フィルム状の基材１の一方の表面１Ｓ上に、第一の無機粒子１１を含む第一の樹脂層１０を形成する。第一の樹脂層１０は、例えば、第一の樹脂部１２を形成する樹脂成分と、第一の無機粒子１１と、溶剤とを含む塗工液を基材１上に塗布すること、及び基材１上の塗膜から溶剤を除去することを含む方法によって形成される。図４の（ａ）の工程は、基材１及び基材１上に形成された第一の樹脂層１０を備えた積層体を用意する工程であってもよい。
　図４の（ｂ）に示すように、第一の樹脂層１０の基材１とは反対側の表面１０Ｓ上に第二の無機粒子含有層４０を形成する。第二の無機粒子含有層４０は、第二の無機粒子２１と、第三の樹脂部４１とを含む層である。第三の樹脂部４１は、第二の樹脂部２２と同様の材料を含んでもよい。図４の（ｂ）の工程は、基材１と、第一の樹脂層１０と、第二の無機粒子含有層４０とをこの順に備える積層体を用意する工程であってもよい。
　図４の（ｃ）に示すように、第一の樹脂層１０の表面１０Ｓから第一の無機粒子１１を露出させる。表面１０Ｓから第一の無機粒子１１を露出させる方法としては、例えば、図４の（ｂ）の積層体に対してアッシング処理を行い、第二の無機粒子含有層４０中の第三の樹脂部４１及び第一の樹脂層１０中の第一の樹脂部１２の一部を除去する方法が挙げられる。アッシング処理により、第一の樹脂層１０は図４の（ｂ）の時点よりも薄くなる。アッシング処理により、第一の樹脂部１２の一部が除去されるが、第一の樹脂部１２中に存在していた第一の無機粒子１１は、除去されず第一の樹脂層１０の基材１とは反対側に残存するため、第一の無機粒子１１が基材１とは反対側に偏在した第一の樹脂層１０を形成することができる。第二の無機粒子含有層４０中の第三の樹脂部４１は、アッシング処理により、その全てが除去されていてもよく、一部が第一の樹脂層１０の表面１０Ｓ上に残存していてもよい。第二の無機粒子含有層４０中の第三の樹脂部４１が除去されることにより、第二の無機粒子含有層４０中の第二の無機粒子２１は、第一の樹脂層１０の表面１０Ｓ上に堆積する。堆積した第二の無機粒子２１は、第一の樹脂部１２又は露出した第一の無機粒子１１ａに付着していてもよい。図４の（ｃ）の工程は、第一の樹脂層１０中の第一の樹脂部１２の一部及び第二の無機粒子含有層４０中の第三の樹脂部４１を除去し、第一の樹脂層１０の表面１０Ｓに複数の第一の無機粒子１１を露出させる工程であってもよい。
　図４の（ｄ）に示すように、第一の樹脂層１０の表面１０Ｓ上に第二の樹脂層２０を形成する。具体的には、第二の樹脂部２２を形成する樹脂成分を含む樹脂組成物を、第二の無機粒子２１が堆積している第一の樹脂層１０の表面１０Ｓ上に塗布することにより、第二の樹脂部２２と第二の無機粒子２１とを含有する第二の樹脂層２０を形成する。ここで、第二の無機粒子含有層４０中の第三の樹脂部４１の一部が第一の樹脂層１０の表面１０Ｓ上に残存している場合、残存している第三の樹脂部４１は、第二の樹脂層２０の第二の樹脂部２２の一部となる。図４の（ｄ）の工程は、基材１と、第一の樹脂層１０と、第二の樹脂層２０とをこの順に備える積層体を用意する工程であってもよい。
　図５の（ａ）、（ｂ）に示すように、凸部５０ａを有するモールド５０を用いたインプリント法により、第二の樹脂層２０にトレンチ（溝部）２５を形成する。この工程では、所定の形状の凸部５０ａを有するモールド５０を、矢印Ａで示す方向に移動させることで、モールド５０を第二の樹脂層２０に押し込ませる（図５の（ａ））。凸部５０ａの先端が第一の樹脂層１０に到達するまでモールド５０が押し込まれてもよい。この状態で、必要により第二の樹脂部２２を硬化させる。硬化前の第二の樹脂部２２が光硬化性樹脂を含む場合、紫外線等の光を照射することにより、第二の樹脂部２２を硬化させる。その後、モールド５０を取り外すことにより、モールド５０の凸部５０ａの形状が反転した形状を有するトレンチ２５が形成される（図５の（ｂ））。トレンチ２５を形成する方法は、インプリント法に限定されず、例えば、レーザー、ドライエッチング、又はフォトリソグラフィーによりトレンチ２５を形成してもよい。トレンチ２５は、導電層３０に対応するパターンが形成されるように、第一の樹脂層１０上に延在している。トレンチ２５の底面に第二の無機粒子２１を露出させるために、モールド５０を取り外した後、ドライエッチング等のエッチングにより、トレンチ２５内の第一の樹脂層１０上に残存した第二の樹脂部２２を除去してもよい。図５の（ａ）及び（ｂ）の工程は、基材１と、第一の樹脂層１０と、第二の樹脂層２０とをこの順に備える積層体において、第二の樹脂層２０の第一の樹脂層１０とは反対側の表面に開口するトレンチ２５を形成する工程であってもよい。
　モールド５０は、石英、Ｎｉ、紫外線硬化型液状シリコーンゴム（ＰＤＭＳ）等で形成されていてよい。モールド５０の凸部５０ａの形状は、形成されるトレンチ２５の形状に応じて設計される。
　図５の（ｃ）に示すように、トレンチ２５を充填する導電層３０を形成する。トレンチ２５を充填する導電層３０を形成することにより、導電性フィルム１００を得ることができる。導電層３０の形成方法は、例えば、図６の（ａ）～（ｃ）に示される。
　まず、図６の（ａ）に示すように、トレンチ２５が形成された積層体のトレンチ２５の底部に第一の金属層３０ａを形成する。第一の金属層３０ａは、トレンチ２５が形成された積層体を、第一の金属層３０ａを構成する金属のイオンを含有する第一の無電解めっき液に浸漬させることにより形成することができる。図６の（ａ）の工程は、基材１と、第一の樹脂層１０と、第一の樹脂層１０とは反対側の表面に開口するトレンチ２５が形成された第二の樹脂層２０と、トレンチ２５に形成された第一の金属層３０ａとをこの順に備える積層体を用意する工程であってもよい。
　第一の無電解めっき液は、第一の金属層３０ａを構成する金属のイオンを含む。第一の無電解めっき液は、リン、ホウ素、鉄等を更に含有していてもよい。
　第一の無電解めっき液に積層体を浸漬させる際の第一の無電解めっき液の温度は、例えば、４０～８０℃であってもよい。第一の無電解めっき液の浸漬時間は、第一の金属層３０ａの厚み等によって異なるが、例えば、１～１０分であってもよい。
　図６の（ｂ）に示すように、第一の金属層３０ａ上に第三の金属層３０ｃを形成する。第三の金属層３０ｃは、第一の金属層３０ａが形成された積層体を、第三の金属層３０ｃを構成する金属を含有する水溶液に浸漬させることにより形成することができる。図６の（ｂ）の工程は、基材１と、第一の樹脂層１０と、第一の樹脂層１０とは反対側の表面に開口するトレンチ２５が形成された第二の樹脂層２０と、トレンチ２５に形成された第一の金属層３０ａと、第一の金属層３０ａ上に形成された第三の金属層３０ｃと、をこの順に備える積層体を用意する工程であってもよい。
　水溶液は、第三の金属層３０ｃを構成する金属を含む。水溶液に積層体を浸漬させる際の水溶液の温度は、例えば、２０～６０℃であってもよい。水溶液の浸漬時間は、第三の金属層３０ｃの厚み等によって異なるが、例えば、１～１０分であってもよい。
　図６の（ｃ）に示すように、第三の金属層３０ｃ上に第二の金属層３０ｂを形成する。第二の金属層３０ｂは、第三の金属層３０ｃが形成された積層体を、第二の金属層３０ｂを構成する金属のイオンを含有する第二の無電解めっき液に浸漬させることにより形成することができる。図６の（ｃ）の工程は、基材１と、第一の樹脂層１０と、第一の樹脂層１０とは反対側の表面に開口するトレンチ２５が形成された第二の樹脂層２０と、トレンチ２５に形成された第一の金属層３０ａと、第一の金属層３０ａ上に形成された第三の金属層３０ｃと、第三の金属層３０ｃ上に形成された第二の金属層３０ｂとをこの順に備える積層体を用意する工程であってもよい。導電層３０が第三の金属層３０ｃを有さない場合、第二の金属層３０ｂは、第一の金属層３０ａが形成された積層体を第二の金属層３０ｂを構成する金属のイオンを含有する第二の無電解めっき液に浸漬させ、第一の金属層３０ａ上に形成させることができる。
　第二の無電解めっき液は、第二の金属層３０ｂを構成する金属のイオンを含む。第二の無電解めっき液は、ホルマリン等を更に含有していてもよい。
　第二の無電解めっき液に積層体を浸漬させる際の第二の無電解めっき液の温度は、例えば、３０～６０℃であってもよい。第二の無電解めっき液の浸漬時間は、第二の金属層３０ｂの厚み等によって異なるが、例えば、２～２０分であってもよい。
　以上、例示的に説明された導電性フィルムを、例えば平面状の透明アンテナとして表示装置に組み込むことができる。表示装置は、例えば、液晶表示装置、又は有機ＥＬ表示装置であってもよい。図７は、導電性フィルム１００が組み込まれた表示装置の一実施形態を示す断面図である。図７に示される表示装置５００は、画像表示領域６０Ｓを有する画像表示部６０と、導電性フィルム１００と、偏光板７０と、カバーガラス８０とを備える。導電性フィルム１００、偏光板７０、及びカバーガラス８０は、画像表示部６０の画像表示領域６０Ｓ側において、画像表示部６０側からこの順に積層されている。
　表示装置の構成は図７の形態に限られず、必要により適宜変更が可能である。例えば、偏光板７０が画像表示部６０と導電性フィルム１００との間に設けられてもよい。画像表示部６０は、例えば、液晶表示部であってもよい。偏光板７０及びカバーガラス８０として、表示装置において通常用いられているものを用いることができる。偏光板７０及びカバーガラス８０は、必ずしも設けられなくてもよい。
　導電性フィルムの適用装置として表示装置を例示したが、表示装置以外の装置に導電性フィルムを適用してもよい。例えば、透明アンテナとして建物や自動車等のガラスに導電性フィルムを適用してもよい。
　本開示に係る技術には、以下の構成例が含まれるが、これに限定されるものではない。
　本開示の一側面に係る導電性フィルムは、フィルム状の基材と、基材の一方の主面側に設けられた導電層と、を備える導電性フィルムであって、導電層が、基材側から順に設けられた、第一の金属を含む第一の金属層と、第一の金属とは異なる第二の金属を含む第二の金属層と、を有し、第一の金属層が粒界を含む。
　上記の導電性フィルムによれば、第一の金属層が粒界を含むことにより、第一の金属層の表面積が大きくなり、第一の金属層と他の金属層との間の密着性が向上する。
　上記の導電性フィルムにおいて、第二の金属は粒界にも存在していていてもよい。これによれば、導電層の導電率を向上しつつ、粒界に存在している第二の金属のアンカー効果により、第一の金属層と他の金属層との間の密着性がより向上する。
　上記の導電性フィルムにおいて、導電層は、第一の金属層と第二の金属層との間に設けられた、第一の金属及び第二の金属とは異なる第三の金属を含む第三の金属層を更に有していてもよい。これによれば、導電層を多層化することにより、導電性フィルムに加わる応力が分散され、第一の金属層と第三の金属層との間及び第二の金属層と第三の金属層との間の密着性がより向上する。
　上記の導電性フィルムにおいて、第三の金属は粒界に存在していてもよい。これによれば、粒界に存在している第三の金属のアンカー効果により、第一の金属層と第三の金属層との間の密着性がより向上する。
　上記の導電性フィルムにおいて、第二の金属の導電率と、第一の金属の導電率と、第三の金属の導電率と、がこの順に高くなっていてもよい。これによれば、導電性フィルムが優れた導電性を有し易い。
　上記の導電性フィルムにおいて、第三の金属層は、第一の金属層の厚さ及び第二の金属層の厚さのいずれよりも小さい厚さを有していてもよい。これによれば、導電性フィルムは、各金属層間におけるより優れた密着性と、優れた導電性とを有し易い。
　上記の導電性フィルムにおいて、基材と導電層との間に設けられた、複数の無機粒子を含む樹脂層を更に備えていてもよい。これによれば、導電層の基材に対する密着性がより向上する。
　上記の導電性フィルムにおいて、複数の無機粒子のうち一部は、第一の金属に部分的に囲まれるように樹脂部から部分的にはみ出していてもよい。また、複数の無機粒子のうち一部は、樹脂部から離れて第一の金属層内で第一の金属に囲まれていてもよい。これらによれば、導電層と樹脂層との密着性がより向上する。
　上記の導電性フィルムにおいて、導電層は、線状部を含むパターンを有していてもよい。これによれば、導電性フィルムは、優れた透明性を有し易い。
　また、本開示の一側面に係る表示装置は、上記導電性フィルムを備える。
　上記の表示装置によれば、金属層間の密着性が高い導電性フィルムを備えた表示装置が得られる。
　本開示は、例えば、以下の［１］～［１２］を含む。
［１］フィルム状の基材と、前記基材の一方の主面側に設けられた導電層と、を備える導電性フィルムであって、
　前記導電層が、前記基材側から順に設けられた、第一の金属を含む第一の金属層と、前記第一の金属とは異なる第二の金属を含む第二の金属層と、を有し、
　前記第一の金属層が粒界を含む、導電性フィルム。
［２］前記第二の金属が前記粒界にも存在している、［１］に記載の導電性フィルム。
［３］前記導電層が、前記第一の金属層と前記第二の金属層との間に設けられた、前記第一の金属及び前記第二の金属とは異なる第三の金属を含む第三の金属層を更に有する、［１］に記載の導電性フィルム。
［４］前記第三の金属が前記粒界にも存在している、［３］に記載の導電性フィルム。
［５］前記導電層が、前記第一の金属層と前記第二の金属層との間に設けられた、前記第一の金属及び前記第二の金属とは異なる第三の金属を含む第三の金属層を更に有する、［２］に記載の導電性フィルム。
［６］前記第三の金属が前記粒界にも存在している、［５］に記載の導電性フィルム。
［７］前記第二の金属の導電率と、前記第一の金属の導電率と、前記第三の金属の導電率と、がこの順に高くなる、［３］～［６］のいずれか一つに記載の導電性フィルム。
［８］前記第三の金属層が、前記第一の金属層の厚さ及び前記第二の金属層の厚さのいずれよりも小さい厚さを有する、［３］～［７］のいずれか一つに記載の導電性フィルム。
［９］前記基材と前記導電層との間に設けられた、樹脂部及び複数の無機粒子を含む樹脂層を更に備える、［１］～［８］のいずれか一つに記載の導電性フィルム。
［１０］前記複数の無機粒子のうち一部が、前記第一の金属に部分的に囲まれるように前記樹脂部から部分的にはみ出している、及び／又は、前記樹脂部から離れて前記第一の金属層内で前記第一の金属に囲まれている、［９］に記載の導電性フィルム。
［１１］前記導電層が、線状部を含むパターンを有する、［１］～［１０］のいずれか一つに記載の導電性フィルム。
［１２］［１１］に記載の導電性フィルムを備える、表示装置。
　本開示は以下の実施例に限定されない。
［実施例１］
　シリカ粒子（平均粒子径１００ｎｍ）と、アクリル樹脂と、溶媒とを含有する、第一の樹脂層形成用の塗工液を準備した。この塗工液を、ＣＯＰフィルム（厚み１００μｍ）上に塗工し、熱風乾燥炉においてＣＯＰフィルム上の塗膜から溶剤を除去した。次いで、塗膜にＵＶ処理装置を用いて紫外線を照射し、塗膜を硬化させ、ＣＯＰフィルム上に第一の樹脂部及びシリカ粒子（第一の無機粒子）を含む厚さ３００μｍの第一の樹脂層を形成した。
　Ｐｄ微粒子（平均粒子径５ｎｍ）と、アクリル樹脂と、溶媒とを含有する、第二の無機粒子含有層形成用の塗工液を準備した。この塗工液を、第一の樹脂層上に塗工し、熱風乾燥炉において第一の樹脂層上の塗膜から溶剤を除去した。次いで、塗膜にＵＶ処理装置を用いて紫外線を照射し、塗膜を硬化させ、Ｐｄ微粒子（第二の無機粒子）を含む厚さ６０μｍの第二の無機粒子含有層を第一の樹脂層上に形成し、積層体を得た。
　第二の無機粒子含有層を形成した後の積層体を真空装置内に配置し、第二の無機粒子含有層表面のアッシング処理を行い、第二の無機粒子含有層中の樹脂部及び第一の樹脂層の表層の樹脂部を除去した。アッシング処理後の第一の樹脂層の厚さは２６０μｍであった。
　アッシング処理後の第一の樹脂層の表面にＵＶ硬化樹脂を塗布し、厚さ２μｍの塗膜を形成した。次いで、この塗膜に凸部を有するモールドを、モールドの凸部の先端が第一の樹脂層の表面に到達するように押し込み、この状態で塗膜に紫外線を照射し、塗膜を硬化させた。硬化させた塗膜からモールドを除去することで、互いに交差し、第一の樹脂層とは反対側の表面に開口し、メッシュ状のパターンを有する線状のトレンチが形成された第二の樹脂層を形成した。
　第二の樹脂層を形成した後の積層体を真空装置内に配置し、アッシング処理を行い、トレンチの底部に残存する第二の樹脂層を構成する樹脂を除去した。
　次いで、積層体を、硫酸ニッケル及び次亜リン酸ナトリウムを含有する無電解めっき液に浸漬して、第一の樹脂層の表面からＮｉめっきを成長させ、トレンチ内にＮｉ層（第一の金属層）を形成した。
　Ｎｉ層が形成された積層体を、Ｐｄを含む水溶液に浸漬した。次いで、得られた積層体を、硫酸銅及びホルマリンを含有する無電解めっき液に浸漬させ、Ｐｄ層を起点としてＮｉ層上にＣｕめっきを成長させ、トレンチ内にＣｕ層（第二の金属層）を形成した。これにより、Ｎｉ層、Ｐｄ層、及びＣｕ層を有し、メッシュ状のパターンを有する導電層をトレンチ内に形成し、導電性フィルムを得た。Ｎｉ層、Ｐｄ層、及びＣｕ層の厚さは順に、１００ｎｍ、３０ｎｍ、及び２μｍであった。
　得られた導電性フィルムの厚さ方向に沿った断面を観察するために、導電性フィルムの導電層を含む部分をＦＩＢ（集束イオンビーム）により板状に切り出し、薄片化処理を行ってＴＥＭ観察用のサンプルとした。作製したサンプルを、ＴＥＭ（装置名ＪＥＭ－２０１１Ｆ）を用いて、加速電圧２００ｋＶの条件で明視野観察を行ったところ、Ｎｉ層中に粒界が形成されていることが確認された。ＥＤＳ－ＳＴＥＭ分析により、第一の樹脂層中のシリカ粒子の一部がＮｉ層に存在していることと、Ｎｉ層の粒界にＰｄ及びＣｕが存在していることとが確認された。
［実施例２］
　第二の樹脂層を形成した後、第一の金属層形成前にアッシング処理を行わなかったこと以外は、実施例１と同様の方法により導電性フィルムを作製した。得られた導電性フィルムの厚さ方向の断面をＴＥＭで観察したところ、Ｎｉ層中に粒界が形成されていることが確認された。また、ＥＤＳ－ＳＴＥＭ分析により、シリカ粒子がＮｉ層内でＮｉに囲まれて存在していることと、Ｎｉ層の粒界にＰｄ及びＣｕが存在していることとが確認された。
［実施例３］
　第二の無機粒子含有層を形成した後、第二の樹脂層形成前にアッシング処理を行わなかったこと以外は、実施例１と同様の方法により導電性フィルムを作製した。得られた導電性フィルムの厚さ方向の断面をＴＥＭで観察したところ、Ｎｉ層中に粒界が形成されていることが確認された。また、ＥＤＳ－ＳＴＥＭ分析により、シリカ粒子がＮｉ層内でＮｉに囲まれて存在していることと、Ｎｉ層の粒界にＰｄ及びＣｕが存在していることとが確認された。
［比較例１］
　第二の無機粒子含有層を形成した後、第二の樹脂層形成前にアッシング処理を行わなかったこと、及び第二の樹脂層を形成した後、第一の金属層形成前にアッシング処理を行わなかったこと以外は、実施例１と同様の方法により導電性フィルムを作製した。得られた導電性フィルムの厚さ方向の断面をＴＥＭで観察したところ、Ｎｉ層が複数の粒界は確認できなかった。
＜密着性の評価＞
　ＪＩＳ　Ｋ　５６００で規定されているクロスカット試験により密着性の評価を行った。具体的には、第二の樹脂層及び導電層を含む領域の表面にカッターナイフにより切り込みを設けて、直角の格子パターン（２５マス）を形成した。次いで、格子パターン上にテープを貼り付け、第二の樹脂層及び導電層の表面とテープとを密着させてからテープを引き剥がした。テープを引き剥がした後の格子パターンを光学顕微鏡で観察し、導電層の剥離が確認されなかった場合をＡ、導電層の剥離が確認された場合をＢとして評価した。結果を表１に示す。各実施例において、導電層における層間剥離は確認されなかった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　１…基材、１０…第一の樹脂層、１１，１１ａ，１１ｂ…第一の無機粒子、１２…第一の樹脂部、２０…第二の樹脂層、２１…第二の無機粒子、２２…第二の樹脂部、２５…トレンチ、３０…導電層、３０ａ…第一の金属層、３０ｂ…第二の金属層、３０ｃ…第三の金属層、３１…粒界、４０…第二の無機粒子含有層、４１…第三の樹脂部、５０…モールド、６０…画像表示部、７０…偏光板、８０…カバーガラス、１００…導電性フィルム、５００…表示装置。

 

Claims (12)

  1. 　フィルム状の基材と、前記基材の一方の主面側に設けられた導電層と、を備える導電性フィルムであって、
    　前記導電層が、前記基材側から順に設けられた、第一の金属を含む第一の金属層と、前記第一の金属とは異なる第二の金属を含む第二の金属層と、を有し、
    　前記第一の金属層が粒界を含む、導電性フィルム。
  2. 　前記第二の金属が前記粒界にも存在している、請求項１に記載の導電性フィルム。
  3. 　前記導電層が、前記第一の金属層と前記第二の金属層との間に設けられた、前記第一の金属及び前記第二の金属とは異なる第三の金属を含む第三の金属層を更に有する、請求項１に記載の導電性フィルム。
  4. 　前記第三の金属が前記粒界にも存在している、請求項３に記載の導電性フィルム。
  5. 　前記導電層が、前記第一の金属層と前記第二の金属層との間に設けられた、前記第一の金属及び前記第二の金属とは異なる第三の金属を含む第三の金属層を更に有する、請求項２に記載の導電性フィルム。
  6. 　前記第三の金属が前記粒界にも存在している、請求項５に記載の導電性フィルム。
  7. 　前記第二の金属の導電率と、前記第一の金属の導電率と、前記第三の金属の導電率と、がこの順に高くなる、請求項３～６のいずれか一項に記載の導電性フィルム。
  8. 　前記第三の金属層が、前記第一の金属層の厚さ及び前記第二の金属層の厚さのいずれよりも小さい厚さを有する、請求項３～６のいずれか一項に記載の導電性フィルム。
  9. 　前記基材と前記導電層との間に設けられた、樹脂部及び複数の無機粒子を含む樹脂層を更に備える、請求項１～６のいずれか一項に記載の導電性フィルム。
  10. 　前記複数の無機粒子のうち一部が、前記第一の金属に部分的に囲まれるように前記樹脂部から部分的にはみ出している、及び／又は、前記樹脂部から離れて前記第一の金属層内で前記第一の金属に囲まれている、請求項９に記載の導電性フィルム。
  11. 　前記導電層が、線状部を含むパターンを有する、請求項１～６のいずれか一項に記載の導電性フィルム。
  12. 　請求項１１に記載の導電性フィルムを備える、表示装置。

     
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