WO2023188734A1 - 液晶材料を用いた電波の反射素子 - Google Patents

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WO2023188734A1
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common
reflective element
liquid crystal
electrode
bias
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和己 松永
真一郎 岡
光隆 沖田
大一 鈴木
Original Assignee
株式会社ジャパンディスプレイ
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
    • H01Q15/14—Reflecting surfaces; Equivalent structures

Definitions

  • a reflective element includes common electrodes arranged in a matrix spaced apart in one direction and a direction crossing the one direction, and bias electrodes arranged so as to overlap the common electrodes in a plan view. , a liquid crystal layer between the common electrode and the bias electrode, and a common wiring that connects adjacent common electrodes in the array of common electrodes, and the length of the common wiring is set according to the radio wave of a specific wavelength ⁇ . , has a length that is half the apparent wavelength ⁇ g when a radio wave with a specific wavelength ⁇ propagates through the liquid crystal layer.
  • FIG. 5B is an enlarged plan view showing a part of a reflective element according to an embodiment of the present invention, and is a diagram showing a plurality of common electrodes and a plurality of common wirings.
  • FIG. 5C is an enlarged plan view showing a part of a reflective element according to an embodiment of the present invention, and is a diagram showing a plurality of common electrodes and a plurality of common wirings.
  • FIG. 5D is an enlarged plan view showing a part of a reflective element according to an embodiment of the present invention, and is a diagram showing a plurality of common electrodes and a plurality of common wirings.
  • a member or region when a member or region is said to be “above (or below)" another member or region, it means that it is directly above (or directly below) the other member or region unless otherwise specified. This includes not only the case where the item is located above (or below) another member or area, that is, the case where another component is included in between above (or below) the other member or area. .
  • Adjacent common electrodes 102 are interconnected by common wiring 108.
  • a plurality of adjacent common electrodes 102 are not necessarily connected to each other by the common wiring 108, and may be connected only along the X-axis direction or only along the Y-axis direction.
  • the bias electrodes 104 are arranged so that adjacent ones have a gap between them, and are arranged in a physically separated state.
  • the common electrode 102 is provided on a first substrate 132, and the bias electrode 104 is provided on a second substrate 134.
  • the reflective element 100A is a device that scatters radio waves incident on the incident surface in a predetermined direction, and the first substrate 132 is placed on the side of the incident surface, and the second substrate 134 is placed on the back side of the incident surface. That is, the common electrode 102 is arranged on the incident surface, and the bias electrode 104 is arranged on the back side of the common electrode 102 with the liquid crystal layer 106 in between.
  • the second substrate 134 is provided with a selection signal line 110 extending in the X direction, a bias signal line 112 extending in the Y direction, and a switching element 116.
  • the switching elements 116 are provided in one-to-one correspondence with the bias electrodes 104.
  • the switching operation (on/off state) of the switching element 116 is controlled by a selection signal from the selection signal line 110, and a bias signal (bias voltage) is input from the bias signal line 112.
  • Bias signals are individually input to the bias electrodes 104 by switching elements 116 . That is, bias signals are individually input to the bias electrodes 104 arranged in a matrix by the switching elements 116.
  • the first alignment film 114A and the second alignment film 114B may have any structure as long as they have the function of aligning liquid crystal molecules, and may be made of organic or inorganic materials, for example, polyimide or the like may be used. Further, the orientation direction may be horizontal, vertical, or tilted, but this example shows the case of a horizontally oriented film.
  • the alignment state of liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 106 is controlled by the bias electrode 104. Since the bias voltage applied to the bias electrode 104 can be controlled for each unit cell 10A, the alignment state of liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 106 can also be controlled for each unit cell 10A.
  • the dielectric constant of the liquid crystal layer 106 changes depending on the alignment state of liquid crystal molecules.
  • the phase of the scattered wave of the reflective element 100A changes depending on the dielectric constant of the liquid crystal layer 106. Therefore, by changing the dielectric constant of the liquid crystal layer 106 for each unit cell 10A, it is possible to generate a phase difference within the plane of the reflective element 100A and control the traveling direction of the scattered waves.
  • the unit cell 10A can also be regarded as a patch antenna in which a patch electrode (common electrode 102) is provided on the top surface of the dielectric (liquid crystal layer 106) and a reflective electrode (bias electrode 104) is provided on the back surface.
  • FIGS. 3 and 4 show details of the unit cell 10A that constitutes the reflective element 100A.
  • FIG. 3 shows a plan view of the unit cell 10A
  • FIG. 4 shows a cross-sectional structure along line CD shown in FIG.
  • the unit cell 10A is arranged such that the common electrode 102, the liquid crystal layer 106, and the bias electrode 104 overlap in plan view.
  • the common electrode 102 is connected to the common wiring 108.
  • the common wiring 108 has a predetermined length and width. One end of the common wiring 108 is connected to the center point of one side of the common electrode 102. In other words, the common wiring 108 is connected such that the center point of one side of the common electrode 102 is included in the width portion of the common wiring 108.
  • the common wiring 108 and the common electrode 102 are formed of the same conductive layer.
  • the common wiring 108 is connected to a power supply circuit (not shown). Alternatively, the common wiring 108 is grounded or connected to a grounded wiring. As shown in FIG. 1, the common wiring 108 connects adjacent common electrodes 102 to each other. Since the common electrodes 102 are connected to each other by the common wiring 108, the common electrodes 102 arranged in a matrix have an equal potential.
  • the bias electrode 104 is formed to have a large area in order to function as a reflecting plate. As shown in FIG. 3, the bias electrode 104 has a larger area than the common electrode 102 in the unit cell 10A. The bias electrode 104 and the common electrode 102 are provided so as to overlap, and at this time, the common electrode 102 is arranged in a region inside the bias electrode 104.
  • the alignment state of liquid crystal molecules is controlled by the bias electrode 104. That is, the alignment state of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 106 is controlled by the bias signal applied to the bias electrode 104.
  • the bias signal is a DC voltage signal or a polarity inverted DC voltage signal in which a positive DC voltage and a negative DC voltage are alternately reversed.
  • the liquid crystal layer 106 is formed of a liquid crystal material having dielectric anisotropy.
  • the liquid crystal material forming the liquid crystal layer 106 may exhibit liquid crystallinity and have dielectric constant anisotropy, and nematic liquid crystal is particularly preferred.
  • the effect of this embodiment remains the same whether the dielectric anisotropy of the liquid crystal material is positive or negative.
  • this embodiment will be described using a liquid crystal layer 106 having positive dielectric constant anisotropy.
  • the dielectric constant of the liquid crystal layer 106 changes depending on the alignment state of liquid crystal molecules.
  • the alignment state of liquid crystal molecules is controlled by a bias electrode 104.
  • the phase of the scattered wave changes depending on the dielectric constant of the liquid crystal layer.
  • the planarizing layer 128 is formed to planarize unevenness formed by switching elements and the like. Any material may be used as long as it has flatness and insulating properties. For example, organic materials are preferable, and acrylic resins, epoxy resins, polyimide materials, etc. can be used.
  • the common electrode 102, the bias electrode 104, and the common wiring 108 have a function of conducting a signal for driving the liquid crystal and a function of scattering input radio waves.
  • a material with low conductivity is desirable, and for example, aluminum, copper, gold, or an alloy thereof can be used. Further, in order to lower the resistance, it is desirable to make the film thicker than the bias signal line and selection signal line.
  • the first substrate 132 and the second substrate 134 are arranged with a gap between them and are bonded together using a sealing material.
  • the sealing material only needs to have a function of bonding the first substrate 132 and the second substrate 134, and is formed of an organic material such as acrylic resin or epoxy resin, for example.
  • the liquid crystal layer 106 is sealed within a region surrounded by the first substrate 132, the second substrate 134, and the sealant.
  • the gap between the first substrate 132 and the second substrate 134 is approximately 20 ⁇ m to 100 ⁇ m, for example, 40 ⁇ m.
  • a spacer may be provided between the first substrate 132 and the second substrate 134 to maintain a constant distance.
  • common electrodes 102 arranged in a matrix are connected to each other by a common wiring 108, and bias electrodes 104 are connected to a bias signal line 112 via a switching element 116, so that the potential can be individually controlled.
  • the dielectric constant of the liquid crystal layer 106 can be changed for each unit cell 10A.
  • the phase of the scattered waves can be controlled for each unit cell 10A.
  • FIGS. 5A, 5B, 5C, and 5D are enlarged plan views showing a part of a reflective element according to an embodiment of the present invention, in which a plurality of common electrodes 102 and a plurality of common wirings 108 are shown.
  • FIG. 5A, FIG. 5B, FIG. 5C, and FIG. 5D each have a common wiring 108 of a different shape.
  • the common electrode 102A has a length Px in the direction along the X-axis and a length Py in the direction along the Y-axis. The length Px and the length Py are appropriately set according to the frequency of the target radio wave. In the following description, reference will be made to FIG. 5A.
  • the common electrode 102A has a gap Wx between it and the common electrode 102B adjacent to it in the direction along the X-axis, and has a gap Wy between it and the common electrode 102C adjacent to it in the direction along the Y-axis. . It is preferable that the gap Wx and the gap Wy are smaller than the length Px and the length Py. This is because more preferable reflection characteristics can be obtained by arranging a plurality of common electrodes 102 in a reflective element at a high density.
  • the common wiring 108A that connects the common electrode 102A and the common electrode 102B adjacent in the direction along the X-axis has a length Lx.
  • the common wiring 108B that connects the common electrode 102A and the common electrode 102C adjacent to each other in the direction along the Y-axis has a length Ly.
  • the distance through which the current flows from the connection point between the common electrode 102A and the common wiring 108B to the connection point between the common electrode 102C and the common wiring 108B is Ly.
  • the length Lx and the length Ly have a length that is half the apparent wavelength of the target radio wave propagating through the dielectric layer.
  • the apparent wavelength ⁇ g at which the target radio wave propagates through the dielectric layer is calculated based on the dielectric constant ⁇ s of the dielectric layer. , is expressed as the following equation (1).
  • ⁇ g ⁇ /( ⁇ - s ) 1/2 (1)
  • the length Lx and the length Ly have a length of ⁇ g /2.
  • the length Lx and the length Ly have lengths within ⁇ 10% of ⁇ g /2. This is because the liquid crystal layer has dielectric anisotropy, and the apparent wavelength ⁇ g changes with the application of a bias voltage.
  • the dielectric constant of the liquid crystal layer changes from the short axis direction dielectric constant ⁇ ⁇ of the liquid crystal molecules to the long axis direction dielectric constant ⁇ // ( ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ // ). Therefore, the length Lx and the length Ly are preferably within the range of ⁇ g /( ⁇ ⁇ ) 1/2 to ⁇ g /( ⁇ // ) 1/2 , and more preferably in the minor axis direction.
  • ⁇ g /( ⁇ ) 1/2 using the average value ⁇ of the permittivity ⁇ ⁇ and the longitudinal permittivity ⁇ // .
  • a liquid crystal molecule has been developed that has dielectric constant anisotropy with a minor axis dielectric constant ⁇ ⁇ of 2.46 and a major axis dielectric constant ⁇ // of 3.53 (Fritzsch, C., Snow, B., Sargent, J., Klass, D., Kaur, S. and Parri, O. (2019), 77-1: Invited Paper: Liquid Crystals beyond Displays: Smart Antennas and Digital Optics. SID Symposium Digest of Technical Papers , 50: 1098-1101.).
  • ⁇ ⁇ and ⁇ // can be expressed as 0.8 ⁇ and 1.2 ⁇ , respectively.
  • the length Lx and the length Ly have design values within the range of 0.9 ⁇ g /2 to 1.1 ⁇ g /2.
  • the length Lx and the length Ly are values determined depending on the wavelength of the scattered radio waves, and are larger than the distance between the gap Wx and the gap Wy.
  • FIG. 5A shows a shape in which the common wiring 108 having a length Lx is bent into a hook shape between the common electrode 102A and the common electrode 102B in a plan view.
  • the common wiring 108A that connects the common electrode 102A and the common electrode 102B has a bent shape having a plurality of bending points between one end and the other end in plan view.
  • the common wiring 108A can be provided in the gap Wx which is narrower than the length Lx.
  • the common wiring 108B also has the same shape as the common wiring 108A, the common wiring 108B can be provided in a gap Wy that is narrower than the length Ly. Note that as long as the lengths Lx and Ly are satisfied, there is no limit to the number of bending points that this bent shape has, and as in the pattern of the common wirings 108A and 108B shown in FIG. It may have.
  • the shapes of the common wirings 108A and 108B are not limited to the shapes shown in FIGS. 5A and 5B.
  • it may have a zigzag pattern in which straight lines are bent alternately, or as shown in FIG. 5D, it may have a curved pattern that draws an arc. It's okay.
  • the common electrode 102A has an asymmetrical shape with respect to the horizontally polarized wave and the vertically polarized wave of the incident radio wave.
  • the lengths Lx and Ly of the common wirings 108A and 108B also have different lengths. That is, assuming that the apparent wavelengths at which the horizontally polarized wave and the vertically polarized wave of the target radio wave propagate through the dielectric layer are ⁇ gx and ⁇ gy , respectively, the length Lx and the length Ly are ⁇ gx /2 and ⁇ It has a length of gy /2.
  • the first state is a state in which the long axis direction of the liquid crystal molecules 130 is aligned substantially horizontally with respect to the surfaces of the common electrode 102 and the bias electrode 104.
  • FIG. 8 schematically shows how the traveling direction of reflected waves changes depending on the first unit cell 10A-1 and the second unit cell 10A-2.
  • a bias signal V1 is applied from the bias signal line 112A to the bias electrode 104A of the first unit cell 10A-1
  • a bias signal V2 is applied from the bias signal line 112B to the bias electrode 104B of the second unit cell 10A-2.
  • the voltage levels of the bias signal V1 and the bias signal V2 are different (V1 ⁇ V2).
  • the common electrodes 102 of the first unit cell 10A-1 and the second unit cell 10A-2 have the same potential, and are set to a common potential, for example.
  • FIG. 8 shows that when radio waves are incident on the first unit cell 10A-1 and the second unit cell 10A-2 with the same phase, different bias signals (V1 ⁇ V2) is applied, the phase change of the scattered wave by the second unit cell 10A-2 is larger than that of the first unit cell 10A-1.
  • the phase of the scattered wave R1 scattered by the first unit cell 10A-1 and the phase of the scattered wave R2 scattered by the second unit cell 10A-2 are different (in FIG. 8, the phase of the scattered wave R2 is different from the phase of the scattered wave R1). ), the direction of propagation of the scattered waves appears to change diagonally.
  • This embodiment shows an example of a reflective element in which the structure of the common electrode and common wiring differs from that of the first embodiment.
  • parts that are different from the first embodiment will be mainly explained, and overlapping parts will be omitted as appropriate.
  • FIG. 9 is an enlarged plan view showing a part of the reflective element according to the second embodiment, and is a diagram showing a plurality of common electrodes having a plurality of cutouts and a plurality of common wirings.
  • the common electrode 102 has a cutout 136 (recess) in a part of its outer shape, and the common wiring 108 is connected to the cutout 136. Thereby, impedance matching can be achieved at the connection point between the common electrode 102 and the common wiring 108, and reflection loss can be further suppressed compared to the structure of the first embodiment.
  • the common electrode 102 is provided on the first substrate 132, and the bias electrode 104 is provided on the second substrate 134.
  • a common electrode 102 is arranged on the incident surface, and a bias electrode 104 is arranged on the back side of the common electrode 102 with a liquid crystal layer 106 in between.

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Abstract

反射素子は、一方向及び前記一方向に交差する方向に離隔してマトリクス状に配列されたコモン電極と、コモン電極と平面視で重なるように配列されたバイアス電極と、コモン電極とバイアス電極との間の液晶層と、コモン電極の配列の中で隣接するコモン電極を接続するコモン配線とを有し、コモン配線の長さは、特定波長λの電波に対し、特定波長λの電波が前記液晶層を伝搬するときの見かけの波長λｇの半分の長さを有する。

Description

液晶材料を用いた電波の反射素子
　本発明の一実施形態は、入射波の散乱方向を制御することのできる液晶材料を用いた電波の反射素子の構造に関する。
　反射素子は、入射波を所望の方向に散乱する機能を有し、例えば、高層ビルの谷間の電波が届きにくい地帯（不感地帯）に電波を散乱させるときに使用される。電波の反射素子として、例えば、メインアレイ素子（ダイポール素子）及びサブアレイ素子（無給電素子）とコモン電極（接地電極）とが誘電体基板を挟んで設けられ、メインアレイ素子にサブアレイ素子が近接して配置された構成（特許文権１）、アレイ素子とコモン電極（接地電極）が誘電体基板を挟む構造において、コモン電極が周期的なループ形状を有する構成（特許文献２）が開示されている。
特開２０１１－０１９０２１号公報 特開２０１０－２２６６９５号公報
　反射素子の誘電体基板に相当する部分を液晶層に置き換えると、液晶材料の誘電率異方性を利用することができ、反射波の指向性を可変にすることが可能となる。誘電率を変化させるためには液晶層に電圧を印加する必要があり、そのためにバイアス電極用の配線及びコモン電極用の配線を設ける必要がある。しかし、コモン電極用の配線を不用意に設けるとコモン電極素子間の電界に影響を及ぼし、意図する反射特性が得られないことが問題となる。
　本発明の一実施形態に係る反射素子は、一方向及び前記一方向に交差する方向に離隔してマトリクス状に配列されたコモン電極と、コモン電極と平面視で重なるように配列されたバイアス電極と、コモン電極とバイアス電極との間の液晶層と、コモン電極の配列の中で隣接するコモン電極を接続するコモン配線とを有し、コモン配線の長さは、特定波長λの電波に対し、特定波長λの電波が前記液晶層を伝搬するときの見かけの波長λｇの半分の長さを有する。
図１は、本発明の一実施形態に係る反射素子を示す平面図である。 図２は、図１に示した反射素子のＡ－Ｂ間を示す断面図である。 図３は、本発明の一実施形態に係る反射素子を構成するユニットセルを示す平面図である。 図４は、図３に示したユニットセルのＣ－Ｄ間を示す断面図である。 図５Ａは、本発明の一実施形態に係る反射素子の一部を示す拡大平面図であり、複数のコモン電極及び複数のコモン配線を示す図である。 図５Ｂは、本発明の一実施形態に係る反射素子の一部を示す拡大平面図であり、複数のコモン電極及び複数のコモン配線を示す図である。 図５Ｃは、本発明の一実施形態に係る反射素子の一部を示す拡大平面図であり、複数のコモン電極及び複数のコモン配線を示す図である。 図５Ｄは、本発明の一実施形態に係る反射素子の一部を示す拡大平面図であり、複数のコモン電極及び複数のコモン配線を示す図である。 図６は、本発明の一実施形態に係る反射素子の一部を示す拡大平面図であり、複数の長方形のコモン電極及び複数のコモン配線を示す図である。 図７Ａは、本発明の一実施形態に係る反射素子を構成するユニットセルの動作を説明する図であり、液晶層にバイアス電圧が印加されない状態を示す図である。 図７Ｂは、本発明の一実施形態に係る反射素子を構成するユニットセルの動作を説明する図であり、（液晶層にバイアス電圧が印加された状態を示す図である。 図８は、本発明の一実施形態に係る反射素子によって散乱波の進行方向が変化することを模式的に示す図である。 図９は、第２実施形態に係る反射素子の一部を示す拡大平面図であり、複数の切り欠きを有した複数のコモン電極及び複数のコモン配線を示す図である。 図１０は、第３実施形態に係る反射素子を示す平面図である。 図１１は、図１０に示した反射素子のＥ－Ｆ間を示す断面図である。
　以下、本発明の実施の形態を、図面などを参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状などについて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後にＡ、Ｂなどを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有しない。
　本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
［第１実施形態］
　本実施形態に係る反射素子は、誘電体層として用いられる液晶層を挟んで、コモン電極とバイアス電極とが配置された構造を有する。以下、その詳細について図面を参照して説明する。
１－１．反射素子
　図１は、第１実施形態に係る反射素子１００Ａの平面図を示し、図２は、図１に示すＡ－Ｂ間に対応する断面構造を示す。以下の説明では、図１及び図２の両方を適宜参照するものとする。
　反射素子１００Ａは、少なくとも１つのコモン電極１０２と、少なくとも１つのバイアス電極１０４と、これらの電極の間に配置された液晶層１０６と、を含む。図１に示すように、コモン電極１０２はＸ軸方向及びＹ軸方向に配列され、バイアス電極１０４はコモン電極１０２に対応するようにＸ軸方向及びＹ軸方向にマトリクス状に配列される。したがって、反射素子１００Ａは、コモン電極１０２及びバイアス電極１０４がそれぞれ複数個、マトリクスを形成するように配列された構成を有する。なお、Ｘ軸方向及びＹ軸方向は説明のために用いられ、具体的には図１に表示される方向を示す。Ｘ軸方向及びＹ軸方向は、一方向及び一方向に交差する方向と読み替えることもできる。
　コモン電極１０２は、隣接するもの同士がコモン配線１０８により相互に連結される。必ずしも隣接する複数のコモン電極１０２同士がコモン配線１０８によって連結されず、Ｘ軸方向に沿ってのみ連結してもよいし、Ｙ軸方向に沿ってのみ連結してもよい。これに対し、バイアス電極１０４は、隣接するもの同士が間隙を有するように配置され、物理的に分離された状態で配置される。コモン電極１０２は第１基板１３２に設けられ、バイアス電極１０４は第２基板１３４に設けられる。反射素子１００Ａは入射面に入射した電波を所定の方向に散乱するデバイスであり、第１基板１３２が入射面側に配置され、第２基板１３４が入射面の裏側に配置される。すなわち、入射面にコモン電極１０２が配置され、コモン電極１０２の背面に液晶層１０６を挟んでバイアス電極１０４が配置される。
　反射素子１００Ａは、コモン電極１０２、液晶層１０６、バイアス電極１０４が平面視で重畳するように配置された構造を有する。また、反射素子１００Ａは、第１基板１３２のコモン電極１０２が設けられた面と、第２基板１３４のバイアス電極１０４が設けられた面とが対向するように配置され、その間に液晶層１０６が配置される。反射素子１００Ａは、一組のコモン電極１０２、液晶層１０６、及びバイアス電極１０４の積層構造（第１基板１３２及び第２基板１３４も含み得る）が基本単位となる。以下においては、この基本単位をユニットセル１０Ａと呼ぶ。
　第２基板１３４には、Ｘ方向に延伸する選択信号線１１０と、Ｙ方向に延伸するバイアス信号線１１２と、スイッチング素子１１６が設けられる。スイッチング素子１１６はバイアス電極１０４に１対１で対応するように設けられる。スイッチング素子１１６は選択信号線１１０の選択信号によりスイッチング動作（オン／オフ状態）が制御され、バイアス信号線１１２からバイアス信号（バイアス電圧）が入力される。バイアス電極１０４はスイッチング素子１１６により個別にバイアス信号が入力される。すなわち、マトリクス状に配列されるバイアス電極１０４は、スイッチング素子１１６により個別にバイアス信号が入力される。
　第１配向膜１１４Ａが第１基板１３２に設けられ、第２配向膜１１４Ｂが第２基板１３４に設けられる。第１配向膜１１４Ａはコモン電極１０２を覆うように設けられ、第２配向膜１１４Ｂはバイアス電極１０４を覆うように設けられる。第１配向膜１１４Ａ及び第２配向膜１１４Ｂは、液晶層１０６の配向状態を制御するために設けられる。液晶層１０６は細長い棒状の液晶分子を含む。液晶分子は第１配向膜１１４Ａ及び第２配向膜１１４Ｂによって初期配向状態（電界が作用しない状態の配向状態）が制御される。
　第１配向膜１１４Ａ及び第２配向膜１１４Ｂは液晶分子を配向させる機能を有していればどのような構成でもよく、有機材料、無機材料を問わないが、例えばポリイミドなどを用いることができる。また配向方向も水平配向、垂直配向、チルト配向で問わないが、本実施例は水平配向膜である場合を示す。
　液晶層１０６の液晶分子の配向状態は、バイアス電極１０４によって制御される。バイアス電極１０４に印加されるバイアス電圧は、ユニットセル１０Ａごとに制御可能であるため、液晶層１０６の液晶分子の配向状態もユニットセル１０Ａごとに制御することができる。液晶層１０６は、液晶分子の配向状態で誘電率が変化する。反射素子１００Ａの散乱波は、液晶層１０６の誘電率によって位相が変化する。したがって、ユニットセル１０Ａごとに液晶層１０６の誘電率を変化させることで、反射素子１００Ａの面内で位相差を生じさせ、散乱波の進行方向を制御することが可能となる。
　反射素子１００Ａは、コモン電極１０２が配列する面で入射する入射波を散乱するため、コモン電極１０２は散乱体とも呼ばれる。また、ユニットセル１０Ａは、誘電体（液晶層１０６）の上面にパッチ電極（コモン電極１０２）が設けられ、背面に反射電極（バイアス電極１０４）が設けられたパッチアンテナとみなすこともできる。
　なお、図１及び図２に図示されないが、第２基板１３４には選択信号線１１０に選択信号を出力する駆動回路、バイアス信号線１１２にバイアス信号を出力する駆動回路が設けられていてもよい。また、これらの駆動回路を駆動する信号及び駆動電力を入力する入力端子が設けられていてもよい。
１－２．ユニットセル
　図３及び図４は、反射素子１００Ａを構成するユニットセル１０Ａの詳細を示す。図３はユニットセル１０Ａの平面図を示し、図４は、図３に示すＣ－Ｄ間の断面構造を示す。図３及び図４に示すように、ユニットセル１０Ａは、コモン電極１０２、液晶層１０６、及びバイアス電極１０４が平面視で重畳するように配置される。
　本実施形態で用いられるコモン電極１０２は、入射する電波の垂直偏波及び水平偏波に対して対称な形状を有する。図３は、コモン電極１０２が正方形である一例を示す。コモン電極１０２の大きさ（縦及び横の寸法）は、対象とする電波の周波数に応じて適宜設定される。なお、コモン電極１０２の形状は正方形に限定されず、長方形であってもよいし、他の幾何学的な形状を有していてもよい。
　コモン電極１０２は、コモン配線１０８と接続される。コモン配線１０８は所定の長さと幅を有する。コモン配線１０８の一端がコモン電極１０２の一辺の中心点に接続される。別言すれば、コモン配線１０８は、コモン電極１０２の一辺の中心点がコモン配線１０８の幅部分に含まれるように接続される。コモン配線１０８とコモン電極１０２との接続構造に限定はないが、例えば、コモン配線１０８及びコモン電極１０２は同じ導電層で形成される。コモン配線１０８は、図示されない電源回路に接続される。または、コモン配線１０８は接地され、若しくは接地された配線と接続される。図１に示すように、コモン配線１０８は隣接するコモン電極１０２同士を接続する。コモン電極１０２がコモン配線１０８で相互に接続されることで、マトリクス状に配列されたコモン電極１０２は等電位を有する。
　バイアス電極１０４は、反射板としての機能を有するために大面積に形成される。図３に示すように、ユニットセル１０Ａの中でバイアス電極１０４はコモン電極１０２より大きな面積を有する。バイアス電極１０４とコモン電極１０２は重畳するように設けられ、このときコモン電極１０２がバイアス電極１０４の内側の領域に配置される。
　バイアス電極１０４はスイッチング素子１１６を介してバイアス信号線１１２と接続される。図３及び図４は、スイッチング素子１１６がトランジスタで形成される一例を示す。トランジスタは、半導体層１２０、ゲート絶縁層１２２、及びゲート電極１２４が積層された構造を有する。ゲート電極１２４の上には層間絶縁層１２６が設けられ、その上にバイアス信号線１１２が設けられる。スイッチング素子１１６及びバイアス信号線１１２は平坦化層１２８で埋められる。バイアス電極１０４は平坦化層１２８の上に設けられる。バイアス電極１０４は、コンタクトホールを介してスイッチング素子（トランジスタ）１１６の入出力端子（ドレイン）と接続される。また、スイッチング素子（トランジスタ）１１６のゲート電極１２４が選択信号線１１０と接続され、バイアス電極１０４と接続されない入出力端子（ソース）がバイアス信号線１１２と接続される。
　液晶層１０６はバイアス電極１０４によって液晶分子の配向状態が制御される。すなわち、液晶層１０６の液晶分子はバイアス電極１０４に印加されるバイアス信号により配向状態が制御される。バイアス信号は、直流電圧信号又は正の直流電圧と負の直流電圧が交互に反転する極性反転直流電圧信号である。
　液晶層１０６は誘電率異方性を有する液晶材料で形成される。例えば、液晶層１０６を形成する液晶材料として、液晶性を示し、誘電率異方性を有していれば良く、特にネマチック液晶が好ましい。液晶材料の誘電率異方性は正でも負でも本実施例における効果は変わらない。以降、本実施例では正の誘電率異方性を持つ液晶層１０６を用いて説明する。
　液晶層１０６は液晶分子の配向状態により誘電率が変化する。液晶分子の配向状態は、バイアス電極１０４によって制御される。入射波がユニットセル１０Ａで散乱されるとき、液晶層の誘電率に応じて散乱波の位相が変化する。
　反射素子１００Ａが適用対象とする周波数帯は、超短波（ＶＨＦ：Very High Frequency）帯、極超短波（ＵＨＦ：Ultra-High Frequency）帯、マイクロ波（ＳＨＦ：Super High Frequency）帯、サブミリ波（ＴＨＦ：Tremendously high frequency）、ミリ波（ＥＨＦ：Extra High Frequency）帯、及びテラヘルツ波帯である。液晶層１０６の液晶分子はバイアス電極１０４に印加されるバイアス電圧によって液晶分子の配向が変化するが、コモン電極１０２に入射する電波の周波数にはほとんど追従しない。液晶分子のこのような特性により、バイアス電極１０４によって液晶層１０６の誘電率を変化させつつ、コモン電極１０２で電波を散乱させ、散乱される電波の位相を制御することができる。
　第１基板１３２及び第２基板１３４は、液晶層１０６を挟持し、配線等を形成するために設けられ、ガラス、樹脂、金属板などの平坦性を有する材料で形成される。このとき、透明性は問わない。また、第１基板１３２及び第２基板１３４に設けられる各層は、以下のような材料を用いて形成される。半導体層１２０はスイッチング素子１１６を形成するために設けられ、アモルファスシリコン、多結晶シリコンのようなシリコン半導体、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウムなどの金属酸化物を含む酸化物半導体で形成される。ゲート絶縁層１２２及び層間絶縁層１２６、は各配線層を絶縁するために設置されるため、絶縁性を有する材料であれば良く、例えば、酸化シリコン膜、又は窒化シリコン膜、又はその積層構造で形成される。選択信号線１１０及びゲート電極１２４は、電気信号を伝えるために設置され、導電性を有する材料が好ましく、金属膜などを用いることができる。例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）又はこれらの合金で構成される。バイアス信号線１１２は、電気信号を伝えるために設置され、導電性を有する材料が好ましく、金属膜などを用いることができる。例えば、チタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／チタン（Ｔｉ）の積層構造、又はモリブデン（Ｍｏ）／アルミニウム（Ａｌ）／モリブデン（Ｍｏ）の積層構造で構成される。平坦化層１２８は、スイッチング素子などで形成される凹凸などを平坦化するために形成される。平坦性と絶縁性を有する材料であればどのようなものでもよく、例えば有機材料が望ましく、アクリル系樹脂やエポキシ系樹脂、ポリイミド材料などを用いることができる。コモン電極１０２、バイアス電極１０４及びコモン配線１０８は、液晶を駆動するための信号を導通させる機能と、入力された電波を散乱する機能を有している。どちらも導電性を有していればよく、金属膜などを用いることができる。特に導電率が低い材料が望ましく、例えば、アルミニウムや銅、金やそれを用いた合金を用いることができる。また抵抗を下げるため、バイアス信号線や選択信号線と比べると、膜厚を厚くすることが望ましい。
　また、図４には示されないが、第１基板１３２と第２基板１３４とは間隙を有するように配置され、シール材により貼り合わされる。シール材は、第１基板１３２と第２基板１３４を接着させる機能を有していれば良く、例えばアクリル樹脂やエポキシ系樹脂などの有機材料によって形成される。液晶層１０６は、第１基板１３２、第２基板１３４、及びシール材で囲まれる領域内に封入される。第１基板１３２と第２基板１３４との間隙は概略２０μｍ～１００μｍであり、例えば、４０μｍの間隔を有する。図示されないが、第１基板１３２と第２基板１３４との間には、間隔を一定に保つためのスペーサが設けられていてもよい。
　図３に示すように、マトリクス状に配列されたコモン電極１０２がコモン配線１０８により相互に接続され、バイアス電極１０４がスイッチング素子１１６を介してバイアス信号線１１２に接続されて個別に電位を制御可能となることで、ユニットセル１０Ａごとに液晶層１０６の誘電率を変化させることができる。それにより散乱波の位相をユニットセル１０Ａごとに制御することができる。
１－３．コモン電極及びコモン配線
　図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ及び図５Ｄは、本発明の一実施形態に係る反射素子の一部を示す拡大平面図であり、複数のコモン電極１０２及び複数のコモン配線１０８を示す図である。図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ及び図５Ｄは、それぞれが異なる形状のコモン配線１０８を有している。コモン電極１０２Ａは、Ｘ軸に沿った方向に長さＰｘを有し、Ｙ軸に沿った方向に長さＰｙを有している。長さＰｘ及び長さＰｙは、対象とする電波の周波数に応じて適宜設定される。以下の説明では、図５Ａを参照するものとする。
　コモン電極１０２Ａは、Ｘ軸に沿った方向に隣接するコモン電極１０２Ｂとの間に間隙Ｗｘを有し、Ｙ軸に沿った方向に隣接するコモン電極１０２Ｃとの間に間隙Ｗｙを有している。間隙Ｗｘ及び間隙Ｗｙは、上記長さＰｘ及び長さＰｙと比べて小さくした方が望ましい。なぜなら、反射素子に複数のコモン電極１０２を高密度で配置した方が、より好ましい反射特性を得られるからである。
　コモン電極１０２Ａと、Ｘ軸に沿った方向に隣接するコモン電極１０２Ｂを接続するコモン配線１０８Ａは、長さＬｘを有する。別言すれば、コモン電極１０２Ａとコモン配線１０８Ａの接続点から、コモン電極１０２Ｂとコモン配線１０８Ａの接続点まで、電流が流れる距離がＬｘである。コモン電極１０２Ａと、Ｙ軸に沿った方向に隣接するコモン電極１０２Ｃを接続するコモン配線１０８Ｂは、長さＬｙを有する。別言すれば、コモン電極１０２Ａとコモン配線１０８Ｂの接続点から、コモン電極１０２Ｃとコモン配線１０８Ｂの接続点まで、電流が流れる距離がＬｙである。長さＬｘ及び長さＬｙは、対象とする電波が誘電体層を伝搬する見かけの波長の半分の長さを有する。
　このとき、対象とする電波が空気中で伝搬する波長をλとすると、対象とする電波が誘電体層を伝搬する見かけの波長λgは、誘電体層の比誘電率εｓをもとに、次式（１）のように表される。
　λｇ ＝ λ／（ε-ｓ）１／２　　　（１）
　つまり、言い換えれば、長さＬｘ及び長さＬｙはλｇ／２の長さを有する。
　上記長さＬｘ及び長さＬｙは、λｇ／２の±１０％以内の長さを有することが望ましい。なぜなら、液晶層は誘電率異方性を有しており、バイアス電圧の印加によって見かけの波長λｇが変化するためである。液晶層の誘電率は、正の誘電率異方性を有する場合、液晶分子の短軸方向誘電率ε⊥から長軸方向誘電率ε//まで変化する（ε⊥＜ε//）。したがって、上記長さＬｘ及び長さＬｙは、λｇ／（ε⊥）１／２からλｇ／（ε//）１／２の範囲に含まれることが望ましく、さらに望ましくは、短軸方向誘電率ε⊥及び長軸方向誘電率ε//の平均値εを用いて、λｇ／（ε）１／２とするのがよい。例えば、短軸方向誘電率ε⊥が２．４６、及び長軸方向誘電率ε//が３．５３の誘電率異方性を有する液晶分子が開発されている（Fritzsch, C., Snow, B., Sargent, J., Klass, D., Kaur, S. and Parri, O. (2019), 77-1: Invited Paper: Liquid Crystals beyond Displays: Smart Antennas and Digital Optics. SID Symposium Digest of Technical Papers, 50: 1098-1101.）。このとき、誘電率の平均値εを使って、ε⊥及びε//は、それぞれ０．８×ε及び１．２×εと書き表すことができる。液晶層の誘電率を０．８×εから１．２×εの範囲で変化させるとき、見かけの波長はおよそ０．９×λｇから１．１×λｇまで変化する。したがって、長さＬｘ及び長さＬｙは、０．９×λｇ／２から１．１×λｇ／２の範囲内に設計値を持たせることが望ましい。この長さＬｘ及び長さＬｙは散乱する電波の波長に依存して決まる値であり、間隙Ｗｘ及び間隙Ｗｙの間隔に比べて大きい値となる。
　図５Ａは、長さＬｘを有するコモン配線１０８が、平面視において、コモン電極１０２Ａとコモン電極１０２Ｂとの間で鉤形に屈曲した形状を示す。別言すれば、コモン電極１０２Ａとコモン電極１０２Ｂとを接続するコモン配線１０８Ａは、平面視において、一端と他端の間に複数の屈曲点を有するように折れ曲がった形状を有する。このような屈曲形状を採用することで、長さＬｘより狭い間隙Ｗｘにコモン配線１０８Ａを設けることができる。コモン配線１０８Ｂもコモン配線１０８Ａと同様の形状を有することで、長さＬｙより狭い間隙Ｗｙにコモン配線１０８Ｂを設けることができる。なお、長さＬｘ及びＬｙを満たす限り、この屈曲形状が有する屈曲点の数に限定はなく、図５Ｂに示すコモン配線１０８Ａ、１０８Ｂのパターンのように、図５Ａに示す例より多くの屈曲点を有していてもよい。
　コモン配線１０８Ａ、１０８Ｂの形状は、図５Ａ及び図５Ｂに示す形状に限定されない。例えば、図５Ｃに示すように、直線が交互に折れ曲るジグザグ状のパターンを有していてもよいし、図５Ｄに示すように、円弧を描くような曲線状の折れ曲がりパターンを有していてもよい。
　また、コモン配線１０８Ａ及び１０８Ｂの形状は１８０度回転対称を有することが好ましい。コモン配線１０８Ａ、１０８Ｂの形状が１８０度回転対称性を有することで、コモン電極１０２Ａの回転対称性を乱さないようにすることができる。
　さらに、コモン配線１０８Ａ、１０８Ｂのパターンは、直線となる部分の長さがλｇ／２の５０％以下であることが好ましい。別言すれば、コモン配線１０８Ａ、１０８Ｂは直線部分を含み、この直線部分の長さが見かけの波長λｇの四分の一の長さ未満であることが好ましい。これにより、コモン配線１０８Ａ、１０８Ｂが、パッチ電極として作用しないようにすることができ、意図しない散乱波を生じさせないようにすることができる。
　図６は、本発明の一実施形態に係る反射素子の一部を示す拡大平面図であり、複数のコモン電極１０２及び複数のコモン配線１０８を示す図である。コモン電極１０２は長方形であり、Ｙ軸方向に沿って長辺を有している（Ｐｘ＜Ｐｙ）。
　図６に示すように、コモン電極１０２Ａは入射する電波の水平偏波及び垂直偏波に対して非対称な形状を有する。このとき、コモン配線１０８Ａ及び１０８Ｂの長さＬｘ及びＬｙも異なる長さを有した方がよい。すなわち、対象とする電波の水平偏波及び垂直偏波が誘電体層を伝搬する見かけの波長をそれぞれλgｘ及びλｇｙとすると、上記長さＬｘ及び長さＬｙは、λｇｘ／２及びλｇｙ／２の長さを有する。
１－４．ユニットセルの動作
　図７Ａ及び図７Ｂは、ユニットセル１０Ａの動作を示す。ここで、図７Ａ及び図７Ｂは、第１配向膜１１４Ａ及び第２配向膜１１４Ｂが水平配向膜である場合を示す。図７Ａは、バイアス電極１０４にバイアス電圧が印加されない状態を示す。別言すれば、図７Ｂは、バイアス電極１０４に液晶分子の配向状態を変化させるレベル、すなわち閾値よりも高い電圧が印加されない状態を示す。以下、この状態を「第１の状態」と呼ぶ。図７Ａは、第１の状態において、液晶分子１３０の長軸が第１配向膜１１４Ａ及び第２配向膜１１４Ｂの配向規制力により略水平に配向する状態（初期配向状態）を示す。別言すれば、第１状態は、液晶分子１３０の長軸方向が、コモン電極１０２及びバイアス電極１０４の表面に対し略水平に配向する状態を有する。
　図７Ｂは、バイアス電極１０４に、液晶分子１３０の配向状態を変化させる電圧レベル、すなわち閾値よりも十分に高いバイアス電圧が印加された状態を示す。以下、この状態を「第２の状態」と呼ぶ。第２の状態では、液晶分子１３０の長軸方向がバイアス電圧によって生成される電界の影響を受けて、コモン電極１０２及びバイアス電極１０４の表面に対し略垂直方向に配向する。液晶分子１３０の長軸が配向する角度は、バイアス電極１０４に印加するバイアス信号の大きさによって制御することができ、水平と垂直の中間の角度に配向させることもできる。
　液晶分子１３０が正の誘電率異方性を有する場合、第１の状態（図７Ａ）に対して第２の状態（図７Ｂ）の方がＺ軸に沿った方向における誘電率が大きくなる。また、液晶分子１３０が負の誘電率異方性を有する場合、第１の状態（図７Ａ）に対して第２の状態（図７Ｂ）の方が見かけ上のＺ軸に沿った方向における誘電率が小さくなる。誘電率異方性を有する液晶で形成された液晶層１０６は可変誘電体層とみなすこともできる。ユニットセル１０Ａは、液晶層１０６の誘電率異方性を利用することで、コモン電極１０２で散乱する電波の位相を遅らせる（又は遅らせない）ように制御することができる。
　図８は、第１ユニットセル１０Ａ－１及び第２ユニットセル１０Ａ－２によって反射波の進行方向が変化する態様を模式的に示す。第１ユニットセル１０Ａ－１のバイアス電極１０４Ａには、バイアス信号線１１２Ａからバイアス信号Ｖ１が印加され、第２ユニットセル１０Ａ－２のバイアス電極１０４Ｂには、バイアス信号線１１２Ｂからバイアス信号Ｖ２が印加される。ここでバイアス信号Ｖ１とバイアス信号Ｖ２の電圧レベルは異なっている（Ｖ１≠Ｖ２）。第１ユニットセル１０Ａ－１及び第２ユニットセル１０Ａ－２のコモン電極１０２は同電位であり、例えば共通電位に設定される。
　図８は、第１ユニットセル１０Ａ－１と第２ユニットセル１０Ａ－２に同じ位相で電波が入射したとき、第１ユニットセル１０Ａ－１と第２ユニットセル１０Ａ－２に異なるバイアス信号（Ｖ１≠Ｖ２）が印加されているため、第１ユニットセル１０Ａ－１に比べ第２ユニットセル１０Ａ－２による散乱波の位相変化が大きいことを模式的に示す。その結果、第１ユニットセル１０Ａ－１で散乱した散乱波Ｒ１の位相と、第２ユニットセル１０Ａ－２で散乱した散乱波Ｒ２の位相が異なり（図８では散乱波Ｒ２の位相が散乱波Ｒ１の位相より進んでいる）、見かけ上、散乱波の進行方向が斜め方向に変化する。
　図８に示すように、反射素子１００Ａは、入射波に対して散乱波の位相を第１ユニットセル１０Ａ－１と第２ユニットセル１０Ａ－２とで異ならせることができる。図８は、模式的に２つのユニットセルを示すが、実際にはマトリクス状に配列されるユニットセル１０Ａを個別に制御することで、反射素子１００Ａの方向を変えずに、散乱波の進行方向を任意の方向に制御することができる。反射素子１００Ａの反射面に配置される複数のコモン電極１０２は一定電位（例えば、接地電位）に保持されており、液晶層１０６にバイアス電圧を印加するバイアス電極１０４Ａ、１０４Ｂ、及びバイアス信号線１１２Ａ、１１２Ｂはコモン電極１０２の背面に配置されるため、反射素子１００Ａの前面側にバイアス信号線１１２Ａ、１１２Ｂにより生成される電界の影響を及ぼさないようにすることができる。
　このように、本実施形態に係る反射素子１００Ａは、電波の入射面にコモン電極１０２が配置され一定電位に保持されるので、バイアス電圧が印加されるバイアス信号線１１２によって電界が乱されないようにすることができ、散乱波の進行方向を正確に制御することができる。さらに、コモン配線１０８が対象とする電波が誘電体層を伝搬する見かけの波長の半分の長さを有するため、コモン電極１０２に生じる電流密度分布が乱されないようにすることができ、反射損失を抑制することができる。
［第２実施形態］
　本実施形態は、コモン電極及びコモン配線の構造が第１実施形態と異なる反射素子の一例を示す。以下の説明では第１実施形態と相違する部分を中心に説明し、重複する分部については適宜省略するものとする。
　図９は、第２実施形態に係る反射素子の一部を示す拡大平面図であり、複数の切り欠きを有した複数のコモン電極及び複数のコモン配線を示す図である。コモン電極１０２は外形の一部に切り欠き部１３６（凹部）を有していて、コモン配線１０８は切り欠き部１３６に接続される。これにより、コモン電極１０２とコモン配線１０８の接続点でインピーダンスのマッチングを取ることができ、実施例1の構造と比較して反射損失をより抑制す
ることができる。
［第３実施形態］
　本実施形態は、反射素子の構造が第１実施形態と異なる一例を示す。以下の説明では第１実施形態と相違する部分を中心に説明し、重複する分部については適宜省略するものとする。
　図１０は、第３実施形態に係る反射素子を示す平面図である。図１１は、図１０に示した反射素子のＥ－Ｆ間を示す断面図である。以下の説明では、図１０及び図１１の両方を適宜参照するものとする。
　反射素子１００Ｂは、少なくとも１つのコモン電極１０２と、少なくとも１つのバイアス電極１０４と、これらの電極の間に配置された液晶層１０６と、を含む。
　複数のコモン電極１０２は、隣接するもの同士がコモン配線１０８によりＸ軸方向又はＹ軸方向に沿ってのみ連結している。本実施例では、複数のコモン電極１０２がＹ軸方向に沿って、コモン配線１０８により連結している例を示す。これに対し、バイアス電極１０４は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に延伸して配置される。
　コモン電極１０２は第１基板１３２に設けられ、バイアス電極１０４は第２基板１３４に設けられる。入射面にコモン電極１０２が配置され、コモン電極１０２の背面に液晶層１０６を挟んでバイアス電極１０４が配置される。
　反射素子１００Ｂは、コモン電極１０２、液晶層１０６、バイアス電極１０４が平面視で重畳するように配置された構造を有する。また、反射素子１００Ａは、第１基板１３２のコモン電極１０２が設けられた面と、第２基板１３４のバイアス電極１０４が設けられた面とが対向するように配置され、その間に液晶層１０６が配置される。反射素子１００Ｂは、一組のコモン電極１０２、液晶層１０６、及びバイアス電極１０４の積層構造（第１基板１３２及び第２基板１３４も含み得る）が基本単位となる。以下においては、この基本単位をユニットセル１０Ｂと呼ぶ。
　液晶層１０６の液晶分子の配向状態は、コモン電極１０２によって制御される。コモン電極１０２に印加されるコモン電圧は、Ｙ軸方向に沿って連結したユニットセル１０Ｂの列ごとに制御可能であるため、液晶層１０６の液晶分子の配向状態もユニットセル１０Ｂの列ごとに制御することができる。コモン電極１０２はコモン配線１０８によって連結され、コモン配線１０８は図示されない電源回路に接続される。バイアス電極１０４は同電位であり、例えば共通電位に設定される。
　図１０及び図１１に図示されないが、第１基板１３２及び第２基板１３４にはコモン電極１０２に電圧を印加する駆動回路が設けられていてもよい。また、これらの駆動回路を駆動する信号及び駆動電力を入力する入力端子が設けられていてもよい。
　このように、本実施形態に示す反射素子１００Ｂは、コモン配線１０８が対象とする電波が液晶層を伝搬する見かけの波長の半分の長さを有するため、コモン電極１０２に生じる電流密度分布が乱されないようにすることができ、反射損失を抑制することができる。
　本発明の一実施形態として例示した反射素子の各種構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせることができる。また、本明細書及び図面に開示された反射素子を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
　本明細書に開示された実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
１０、１０Ａ、１０Ｂ：ユニットセル、１００、１００Ａ、１００Ｂ：反射素子、１０２：コモン電極、１０４：バイアス電極、１０６：液晶層、１０８：コモン配線、１１０：選択信号線、１１２：バイアス信号線、１１４Ａ：第１配向膜、１１４Ｂ：第２配向膜、１１６：スイッチング素子、１１８：絶縁層、１２０：半導体層、１２２：ゲート絶縁層、１２４：ゲート電極、１２６：層間絶縁層、１２８：平坦化層、１３０：液晶分子、１３２：第１基板、１３４：第２基板、１３６：切り欠き部

Claims (11)

  1. 　電波を反射する反射素子であって、前記反射素子は、
    　一方向及び前記一方向に交差する方向に離隔してマトリクス状に配列されたコモン電極と、
    　前記コモン電極と平面視で重なるように配列されたバイアス電極と、
    　前記コモン電極と前記バイアス電極との間の液晶層と、
    　前記コモン電極の配列の中で隣接するコモン電極を接続するコモン配線と、
    を有し、
    　前記コモン配線の長さは、特定波長λの電波に対し、前記特定波長λの電波が前記液晶層を伝搬するときの見かけの波長λｇの半分の長さを有する
    ことを特徴とする反射素子。
  2. 　前記液晶層は正の誘電率異方性を有し、前記液晶層の平均誘電率をεとしたとき、前記見かけの波長λｇは、
    　　λｇ＝λ×（ε）１／２　　　（１）
    で与えられ、
    　前記コモン電極の長さＬは、
    　　λg×０．９≦Ｌ≦λg×１．１　　　（２）
    を満たす、請求項１に記載の反射素子。
  3. 　前記コモン配線が、前記コモン電極の一辺の中心点に接続されている、請求項１に記載の反射素子。
  4. 　前記コモン電極の前記離隔する間隔が、前記コモン電極の前記一方向の長さ及び前記一方向に交差する方向の長さより狭い、請求項１に記載の反射素子。
  5. 　前記コモン配線の長さが、前記離隔する間隔より長い、請求項４に記載の反射素子。
  6. 　前記コモン配線が、平面視において屈曲したパターンを有する、請求項５に記載の反射素子。
  7. 　前記パターンが、１８０度回転対称性を有する、請求項６に記載の反射素子。
  8. 　前記パターンが直線部分を含み、前記直線部分の長さが前記見かけの波長λｇの四分の一の長さ未満である、請求項６に記載の反射素子。
  9. 　前記コモン電極は、前記コモン配線の接続部に隣接して切り欠き部が設けられている、請求項１に記載の反射素子。
  10. 　前記マトリクス状に配列されたコモン電極が、前記コモン配線によって前記一方向の配列に沿って接続され、前記一方向に交差する方向の配列に対して接続されていない、請求項１に記載の反射素子。
  11. 　前記バイアス電極にバイアス電圧を印加するバイアス信号線と、
    　前記バイアス電極と前記バイアス信号線とを接続するスイッチング素子と、を有する、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の反射素子。
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