WO2023180857A1

WO2023180857A1 - 表示装置の作製方法

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Publication number: WO2023180857A1
Application number: PCT/IB2023/052372
Authority: WO
Inventors: 山崎舜平; 宮入秀和; 方堂涼太
Original assignee: 株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date: 2022-03-25
Filing date: 2023-03-13
Publication date: 2023-09-28

Abstract

高精細化な表示装置を提供する。画素電極の端部を覆う第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層の一部及び第１の画素電極と重なる第１の層を形成し、且つ、第１の絶縁層の他の一部及び第２の画素電極を露出させ、第１の絶縁層の他の一部及び第２の画素電極と重なる第２の層を形成し、第１の絶縁層を覆う第２の絶縁層を形成し、第２の絶縁層上に第１の絶縁層と重なる樹脂層を形成し、第１の膜、第２の膜、及び樹脂層を覆って、共通電極を形成する。また、第１の膜は、第１の光を発する第１の発光材料を含み、第２の膜は、第１の光とは異なる第２の光を発する第２の発光材料を含む。

Description

表示装置の作製方法

　本発明の一態様は、表示装置に関する。本発明の一態様は、表示装置の作製方法に関する。

　なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法、を一例として挙げることができる。半導体装置は、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。

　近年、ディスプレイパネルの高精細化が求められている。高精細なディスプレイパネルが要求される機器としては、例えばスマートフォン、タブレット端末、ノート型コンピュータなどがある。また、テレビジョン装置、モニタ装置などの据え置き型のディスプレイ装置においても、高解像度化に伴い高精細化が求められている。さらに、最も高い精細度が要求される機器としては、例えば、仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、または拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向けの機器がある。

　また、ディスプレイパネルに適用可能な表示装置としては、代表的には液晶表示装置、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子、または発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子を備える発光装置、電気泳動方式などにより表示を行う電子ペーパなどが挙げられる。

　例えば、有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟持したものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。このような有機ＥＬ素子が適用された表示装置は、液晶表示装置等で必要であったバックライトが不要なため、薄型、軽量、高コントラストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。例えば、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の一例が、特許文献１に記載されている。

特開２００２−３２４６７３号公報

　本発明の一態様は、高精細化が容易な表示装置を提供することを課題の一とする。または、表示品位の高い表示装置を提供することを課題の一とする。または、コントラストの高い表示装置を提供することを課題の一とする。または、色再現性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。または、高開口率の表示装置を提供することを課題の一とする。または、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。

　本発明の一態様は、新規な構成を有する表示装置、または表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、上述した表示装置を歩留まりよく製造する方法を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、先行技術の問題点の少なくとも一を、少なくとも軽減することを課題の一とする。

　なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。

　本発明の一態様は、表示装置の作製方法であって、以下の工程を有する。すなわち、第１の画素電極と第２の画素電極とを形成し、第１の画素電極の端部及び第２の画素電極の端部を覆い、第１の画素電極と第２の画素電極に挟まれた領域と重なる第１の絶縁層を形成し、第１の画素電極、第２の画素電極、及び第１の絶縁層上に第１の膜を形成し、第１の膜上に第１の犠牲膜を形成し、第１の膜と第１の犠牲膜のそれぞれの一部を除去して、第１の絶縁層の一部及び第１の画素電極と重なる第１の層及び第１の犠牲層を形成し、且つ、第１の絶縁層の他の一部及び第２の画素電極を露出させ、第１の犠牲層、第２の画素電極、及び第１の絶縁層上に第２の膜を形成し、第２の膜上に第２の犠牲膜を形成し、第２の膜と第２の犠牲膜のそれぞれの一部を除去して、第１の絶縁層の他の一部及び第２の画素電極と重なる第２の層及び第２の犠牲層を形成し、且つ、第１の犠牲層を露出させ、第１の犠牲層、第２の犠牲層、及び第１の絶縁層を覆う第２の絶縁層を形成し、第２の絶縁層上に、第１の絶縁層と重なる樹脂層を形成し、樹脂層をマスクとして、第１の犠牲層、第２の犠牲層、及び第２の絶縁層の一部をエッチングにより除去して、第１の膜及び第２の膜を露出させ、第１の膜、第２の膜、及び樹脂層を覆って、共通電極を形成する。また、第１の膜は、第１の光を発する第１の発光材料を含み、第２の膜は、第１の光とは異なる色の第２の光を発する第２の発光材料を含む。

　また、本発明の他の一態様は、表示装置の作製方法であって、以下の工程を有する。すなわち、第１の画素電極と、第２の画素電極とを形成し、第１の画素電極の端部及び第２の画素電極の端部を覆い、第１の画素電極と第２の画素電極に挟まれた領域と重なる第１の絶縁層を形成し、第１の画素電極、第２の画素電極、及び第１の絶縁層上に第１の膜を形成し、第１の膜上に第１の犠牲膜を形成し、第１の膜と第１の犠牲膜のそれぞれの一部を除去して、第１の絶縁層の一部及び第１の画素電極と重なる第１の層及び第１の犠牲層を形成し、且つ、第１の絶縁層の他の一部及び第２の画素電極を露出させ、第１の犠牲層、第２の画素電極、及び第１の絶縁層上に第２の膜を形成し、第２の膜上に第２の犠牲膜を形成し、第２の膜と第２の犠牲膜のそれぞれの一部を除去して、第１の絶縁層の他の一部及び第２の画素電極と重なる第２の層及び第２の犠牲層を形成し、且つ、第１の犠牲層を露出させ、第１の犠牲層、第２の犠牲層、及び第１の絶縁層を覆う第２の絶縁層を形成し、第２の絶縁層上に、第１の絶縁層と重なる樹脂層を形成し、樹脂層をマスクとして、第２の絶縁層の一部をエッチングにより除去したのち、第１の犠牲層及び第２の犠牲層を薄膜化し、加熱処理を行い、樹脂層をマスクとして、第１の犠牲層及び第２の犠牲層の一部をエッチングにより除去して、第１の膜及び第２の膜を露出させ、第１の膜、第２の膜、及び樹脂層を覆って、共通電極を形成する。また、第１の膜は、第１の光を発する第１の発光材料を含み、第２の膜は、第１の光とは色の異なる第２の光を発する第２の発光材料を含む。

　また、上記において、第１の絶縁層は、感光性の有機樹脂を用いて形成することが好ましい。このとき、第１の絶縁層は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体から選ばれる一以上を含むことが好ましい。

　または、上記において、第１の絶縁層は、無機絶縁材料を用いて形成することが好ましい。このとき、第１の絶縁層は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、及び酸化ハフニウムから選ばれる一以上を含むことが好ましい。

　また、上記において、加熱処理は、５０℃以上２００℃以下の温度で行うことが好ましい。

　また、上記において、加熱処理により、樹脂層を変形させることが好ましい。

　また、上記いずれかにおいて、第１の犠牲膜、第２の犠牲膜、及び第２の絶縁層のエッチングは、それぞれウェットエッチングによって行うことが好ましい。

　また、上記いずれかにおいて、第１の犠牲膜、第２の犠牲膜、及び第２の絶縁層は、原子層堆積法により形成することが好ましい。

　また、上記いずれかにおいて、第１の犠牲膜、第２の犠牲膜、及び第２の絶縁層は、酸化アルミニウムを含むことが好ましい。

　また、上記いずれかにおいて、第１の光は青色であり、第２の光は緑色または赤色であることが好ましい。

　本発明の一態様によれば、高精細化が容易な表示装置を提供できる。または、表示品位の高い表示装置を提供できる。または、コントラストの高い表示装置を提供できる。または、色再現性の高い表示装置を提供できる。または、高開口率の表示装置を提供できる。または、信頼性の高い表示装置を提供できる。

　また、本発明の一態様によれば、新規な構成を有する表示装置、または表示装置の作製方法を提供できる。または、上述した表示装置を歩留まりよく製造する方法を提供できる。本発明の一態様は、先行技術の問題点の少なくとも一を少なくとも軽減できる。

　なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。

図１Ａ乃至図１Ｃは、表示装置の構成例を示す図である。
図２Ａ乃至図２Ｅは、表示装置の構成例を示す図である。
図３Ａ乃至図３Ｃは、表示装置の構成例を示す図である。
図４は、表示装置の構成例を示す図である。
図５Ａ乃至図５Ｃは、表示装置の構成例を示す図である。
図６は、表示装置の構成例を示す図である。
図７Ａ及び図７Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図８は、表示装置の構成例を示す図である。
図９Ａ乃至図９Ｃは、表示装置の構成例を示す図である。
図１０Ａ乃至図１０Ｃは、表示装置の構成例を示す図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｇは、表示装置の作製方法を説明する図である。
図１２Ａ乃至図１２Ｆは、表示装置の作製方法を説明する図である。
図１３Ａ乃至図１３Ｆは、表示装置の作製方法を説明する図である。
図１４Ａ乃至図１４Ｇは、表示装置の作製方法を説明する図である。
図１５Ａ乃至図１５Ｆは、表示装置の作製方法を説明する図である。
図１６Ａ乃至図１６Ｆは、表示装置の作製方法を説明する図である。
図１７Ａ乃至図１７Ｇは、画素の一例を示す図である。
図１８Ａ乃至図１８Ｋは、画素の一例を示す図である。
図１９Ａ及び図１９Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図２０は、表示装置の構成例を示す図である。
図２１は、表示装置の構成例を示す図である。
図２２は、表示装置の構成例を示す図である。
図２３は、表示装置の構成例を示す図である。
図２４は、表示装置の構成例を示す図である。
図２５は、表示装置の構成例を示す図である。
図２６は、表示装置の構成例を示す図である。
図２７は、表示装置の構成例を示す図である。
図２８は、表示装置の構成例を示す図である。
図２９は、表示装置の構成例を示す図である。
図３０は、表示装置の構成例を示す図である。
図３１は、表示装置の構成例を示す図である。
図３２Ａ乃至図３２Ｆは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図３３Ａ乃至図３３Ｃは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図３４Ａ乃至図３４Ｄは、電子機器の構成例を示す図である。
図３５Ａ乃至図３５Ｆは、電子機器の構成例を示す図である。
図３６Ａ乃至図３６Ｇは、電子機器の構成例を示す図である。

　以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

　なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチングパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

　なお、本明細書で説明する各図において、各構成要素の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

　なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

　なお、本明細書等において「上面形状が概略一致」とは、積層した層と層との間で少なくとも輪郭の一部が重なることをいう。例えば、上層と下層とが、同一のマスクパターン、または一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪郭が重なり合わず、上層が下層の内側に位置すること、または上層が下層の外側に位置することもあり、この場合も「上面形状が概略一致」という場合がある。なお、本明細書等において、ある構成要素の上面形状とは、その平面視における当該構成要素の輪郭形状のことを言う。また平面視とは、当該構成要素の被形成面、または当該構成要素が形成される支持体（例えば基板）の表面の法線方向から見ることを言う。

　なお、以下では「上」、「下」などの向きを示す表現は、基本的には図面の向きと合わせて用いるものとする。しかしながら、説明を容易にするためなどの目的で、明細書中の「上」または「下」が意味する向きが、図面とは一致しない場合がある。一例としては、積層体等の積層順（または形成順）などを説明する場合に、図面において当該積層体が設けられる側の面（被形成面、支持面、接着面、平坦面など）が当該積層体よりも上側に位置していても、その向きを下、これとは反対の向きを上、などと表現する場合がある。

　また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」または「絶縁層」という用語は、「導電膜」または「絶縁膜」という用語に相互に交換することが可能な場合がある。

（実施の形態１）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例、及び作製方法例について説明する。

　本発明の一態様は、発光素子（発光デバイスともいう）を有する表示装置である。表示装置は、発光色の異なる２つ以上の発光素子を有する。発光素子は、それぞれ一対の電極と、その間にＥＬ層を有する。発光素子は有機ＥＬ素子（有機電界発光素子）であることが好ましい。発光色の異なる２つ以上の発光素子は、それぞれ異なる材料を含むＥＬ層を有する。例えば、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、または青色（Ｂ）の光を発する３種類の発光素子を有することで、フルカラーの表示装置を実現できる。

　ここで、発光色の異なる発光素子間で、ＥＬ層の一部または全部を作り分ける場合、メタルマスクなどのシャドーマスクを用いた蒸着法により形成することが知られている。しかしながら、この方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、及び蒸気の散乱等による成膜される膜の輪郭の広がりなど、様々な影響により、島状の有機膜の形状及び位置に設計からのずれが生じるため、表示装置の高精細化、及び高開口率化が困難である。そのため、ペンタイル配列などの特殊な画素配列方式を適用することなどにより、疑似的に精細度（画素密度ともいう）を高める対策が取られていた。

　本発明の一態様は、ＥＬ層をメタルマスクなどのシャドーマスクを用いることなく、微細なパターンに加工する。これにより、これまで実現が困難であった高い精細度と、大きな開口率を有する表示装置を実現できる。さらに、ＥＬ層を作り分けることができるため、極めて鮮やかで、コントラストが高く、表示品位の高い表示装置を実現できる。

　ここでは簡単のために、２色の発光素子のＥＬ層を作り分ける場合について説明する。まず、２つの画素電極の間に、これらの端部を覆う第１の絶縁層を設ける。当該第１の絶縁層を設けることで、後に成膜されるＥＬ膜などの段差被覆性を向上させ、成膜不良、及び加工不良の発生を抑制することができる。

　続いて、２つの画素電極及び第１の絶縁層を覆って第１のＥＬ膜と、第１の犠牲膜とを積層して形成する。続いて、第１の犠牲膜上であって、一方の画素電極（第１の画素電極）及び第１の絶縁層の一部と重なる位置にレジストマスクを形成する。続いて、当該レジストマスクと重ならない第１の犠牲膜の一部、及び第１のＥＬ膜の一部をエッチングする。これにより、第１の画素電極上及び第１の絶縁層上には、帯状または島状に加工された第１のＥＬ膜の一部（第１のＥＬ層ともいう）と、その上の第１の犠牲膜の一部（第１の犠牲層ともいう）を形成することができる。

　続いて、第２のＥＬ膜と、第２の犠牲膜とを積層して形成する。そして、第２の画素電極及び第１の絶縁層の他の一部と重なる位置にレジストマスクを形成する。続いて、上記と同様に第２の犠牲膜の一部、及び第２のＥＬ膜の一部をエッチングする。これにより、第１の画素電極と第１の絶縁層の一部の上には第１のＥＬ層及び第１の犠牲層が、第２の画素電極と第１の絶縁層の他の一部の上には第２のＥＬ層と第２の犠牲層が、それぞれ設けられた状態となる。このようにして、第１のＥＬ層と第２のＥＬ層とを作り分けることができる。

　続いて、第１の犠牲膜、第２の犠牲膜を覆って保護層（第２の絶縁層）を成膜する。このとき、保護層は第１のＥＬ層の側面、及び第２のＥＬ層の側面を覆って設ける。続いて、第１のＥＬ層と第２のＥＬ層とに挟まれた領域において、第２の絶縁層上に樹脂層を形成する。保護層により、第１のＥＬ層及び第２のＥＬ層が樹脂層の形成工程にてダメージを受けることを防ぐことができる。続いて、樹脂層をマスクとして、第１の犠牲層、第２の犠牲層、及び保護層をエッチングして第１のＥＬ層の一部、及び第２のＥＬ層の一部を露出させたのち、共通電極を形成する。樹脂層は、後に形成される共通電極の段差被覆性を向上させる機能を有する。これにより、二色の発光素子を作り分けることができる。

　さらに、上記工程を繰り返すことで、三色以上の発光素子のＥＬ層を作り分けることができ、三色、または四色以上の発光素子を有する表示装置を実現できる。

　隣接する２つの画素電極の間に設けられる絶縁層は、画素電極の端部を覆う。画素電極上の、当該絶縁層に覆われる領域は、発光素子の発光領域として機能しないため、絶縁層と画素電極とが重なる領域の幅が小さいほど、表示装置の有効発光面積比、すなわち開口率を高めることができる。

　また、ＥＬ層の端部は、上記絶縁層上に位置する。このとき、絶縁層上には、２つのＥＬ層の端部（側面）が対向して配置されることとなる。２つのＥＬ層の距離が狭いほど、絶縁層の幅も小さくできるため、表示装置の開口率を高めることができる。

　以下では、より具体的な例について、図面を参照して説明する。

［構成例１］
　図１Ａに、表示装置１００の上面概略図を示す。表示装置１００は、マトリクス状に配置された複数の画素１５０を有する。画素１５０は、赤色を呈する発光素子１５０Ｒ、緑色を呈する発光素子１５０Ｇ、及び青色を呈する発光素子１５０Ｂをそれぞれ複数有する。図１Ａでは、各発光素子の区別を簡単にするため、各発光素子の発光領域内にＲ、Ｇ、Ｂの符号を付している。

　なお以下では、発光素子１５０Ｒ、発光素子１５０Ｇ、発光素子１５０Ｂなどのように、アルファベットで区別する構成要素については、重複を避けるため、これらに共通する事項を説明する場合に、アルファベットを省略した符号を用いて説明する場合がある。

　図１Ａでは、一方向に同一の色の発光素子が配列する、いわゆるストライプ配列を示している。なお、発光素子の配列方法はこれに限られず、デルタ配列、ジグザグ配列などの配列方法を適用してもよいし、ペンタイル配列を用いることもできる。

　発光素子１５０Ｒ、発光素子１５０Ｇ、及び発光素子１５０Ｂとしては、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などを用いることが好ましい。発光素子が有する発光物質（発光材料ともいう）としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）などが挙げられる。発光素子が有する発光物質としては、有機化合物だけでなく、無機化合物（量子ドット材料など）を用いることができる。

　図１Ｂは、図１Ａ中の一点鎖線Ａ１−Ａ２に対応する断面概略図であり、図１Ｃは、一点鎖線Ｂ１−Ｂ２に対応する断面概略図である。

　表示装置１００は、基板１０１上に機能層１０４と絶縁層１０３とが積層して設けられている。また絶縁層１０３上には、発光素子１５０Ｒ、発光素子１５０Ｇ、発光素子１５０Ｂなどが設けられている。また、基板１０１は、接着層１２２を介して基板１２０と貼り合わされている。

　機能層１０４は、例えばトランジスタ、ダイオード、配線、容量素子、抵抗素子などにより構成された回路を有する。具体的には、発光素子１５０Ｒ、発光素子１５０Ｇ、及び発光素子１５０Ｂの発光を制御するための画素回路が設けられる。また、機能層には、当該画素回路の他に、ゲート線駆動回路（ゲートドライバ）、ソース線駆動回路（ソースドライバ）、演算回路、または記憶回路などの少なくとも一部が設けられていてもよい。

　絶縁層１０３は、層間絶縁膜として機能する。絶縁層１０３としては、有機絶縁膜、無機絶縁膜、またはその両方により構成することができる。なおここでは示さないが、絶縁層１０３には複数の開口が設けられ、当該開口を介して発光素子１５０Ｒ、発光素子１５０Ｇ、及び発光素子１５０Ｂの各々と機能層１０４とが電気的に接続される。

　図１Ｂには、発光素子１５０Ｒ、発光素子１５０Ｇ、及び発光素子１５０Ｂの断面を示している。発光素子１５０Ｒは、画素電極１１１Ｒ、ＥＬ層１１２Ｒ、共通層１１４、及び共通電極１１３を有する。発光素子１５０Ｇは、画素電極１１１Ｇ、ＥＬ層１１２Ｇ、共通層１１４、及び共通電極１１３を有する。発光素子１５０Ｂは、画素電極１１１Ｂ、ＥＬ層１１２Ｂ、共通層１１４、及び共通電極１１３を有する。共通層１１４と共通電極１１３は、発光素子１５０Ｒ、発光素子１５０Ｇ、及び発光素子１５０Ｂに共通に設けられる。

　発光素子１５０Ｒが有するＥＬ層１１２Ｒは、少なくとも赤色の光を発する発光性の有機化合物を有する。発光素子１５０Ｇが有するＥＬ層１１２Ｇは、少なくとも緑色の光を発する発光性の有機化合物を有する。発光素子１５０Ｂが有するＥＬ層１１２Ｂは、少なくとも青色の光を発する発光性の有機化合物を有する。

　ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂは、それぞれ発光性の有機化合物を含む層（発光層）のほかに、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、及び正孔輸送層のうち、一以上を有していてもよい。共通層１１４は、発光層を有さない構成とすることができる。例えば、共通層１１４は、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、及び正孔輸送層のうち、一以上を有する。

　画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂは、それぞれ発光素子毎に設けられている。また、共通電極１１３及び共通層１１４は、各発光素子に共通な一続きの層として設けられている。各画素電極と共通電極１１３のいずれか一方に可視光に対して透光性を有する導電膜を用い、他方に反射性を有する導電膜を用いる。各画素電極を透光性、共通電極１１３を反射性とすることで、下面射出型（ボトムエミッション型）の表示装置とすることができ、反対に各画素電極を反射性、共通電極１１３を透光性とすることで、上面射出型（トップエミッション型）の表示装置とすることができる。なお、各画素電極と共通電極１１３の双方を透光性とすることで、両面射出型（デュアルエミッション型）の表示装置とすることもできる。

　画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの端部を覆って、絶縁層１３５が設けられている。絶縁層１３５は、画素電極１１１の端部において、ＥＬ層１１２の被覆不良が生じることを防ぐ機能を有する。そのため、絶縁層１３５の画素電極１１１上に位置する端部は、テーパー形状であることが好ましい。なお、本明細書等において、対象物の端部がテーパー形状であるとは、その端部の領域において表面と被形成面との成す角度が０度より大きく９０度未満、好ましくは５度以上７０度以下であり、端部から連続的に厚さが増加するような断面形状を有することをいう。

　絶縁層１３５により、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂの形成工程におけるエッチング処理において、絶縁層１０３の一部がエッチングに曝されて薄膜化または消失することを防ぐことができる。絶縁層１０３の下側には機能層１０４が設けられているため、絶縁層１０３が消失すると、機能層１０４が有する配線または電極などが露出し、ショート不良などの不具合が生じる恐れがある。そのため、絶縁層１３５は、絶縁層１０３の消失を防ぐための保護層、またはバッファ層としても機能する。なお、絶縁層１３５は、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂの形成工程におけるエッチング処理によって、一部が薄膜化、または消失し、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂのいずれかと絶縁層１０３の一部とが接する場合がある。

　絶縁層１３５は、有機樹脂を含むことが好ましい。絶縁層１３５として有機樹脂を用いることで、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂと絶縁層１３５との密着性を高めることができ、作製歩留まりを向上させることができる。特に、各ＥＬ層をエッチングにより加工する場合には、各ＥＬ層と密着性の高い絶縁層１３５を用いることで、各ＥＬ層がエッチング後に剥離してしまう不具合を低減できるため好ましい。

　また、絶縁層１３５に有機樹脂を用いることで、その表面を曲率変化の緩やかな曲面とすることができる。そのため、絶縁層１３５の上に形成される膜の被覆性を高めることができる。

　絶縁層１３５に用いることのできる材料としては、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。

　ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂは、それぞれ画素電極の上面に接する領域と、絶縁層１３５の表面に接する領域と、を有する。また、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂの端部は、絶縁層１３５上に位置する。

　図１Ｂに示すように、発光色の異なる発光素子間において、２つのＥＬ層の間に隙間が設けられている。このように、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂが、互いに接しないように、隙間をあけて設けられていることが好ましい。これにより、発光色の異なる発光素子間で連続するＥＬ層を介して電流が流れ、意図しない発光が生じることを好適に防ぐことができる。そのため、コントラストを高めることができ、表示品位の高い表示装置を実現できる。

　図１Ｃに示すように、同色の隣接画素間においても、ＥＬ層１１２Ｇが分断されるように形成されている。これにより、同色画素間においても意図しない光漏れを抑制できるため、よりシャープな映像を提供することができる。なお、図１Ｃでは一例として発光素子１５０Ｇの断面を示しているが、発光素子１５０Ｒ及び発光素子１５０Ｂについても同様の形状とすることができる。

　なお、ＥＬ層１１２Ｒが一続きとなるように、ＥＬ層１１２Ｒを帯状に形成してもよい。ＥＬ層１１２Ｒなどを帯状に形成することで、これらを分断するためのスペースが不要となり、発光素子間の非発光領域の面積を縮小できるため、開口率を高めることができる。

　共通電極１１３上には、発光素子１５０Ｒ、発光素子１５０Ｇ、及び発光素子１５０Ｂを覆って保護層１２１が設けられている。保護層１２１は、上方から発光素子に水などの不純物が拡散することを防ぐ機能を有する。

　保護層１２１としては、例えば、少なくとも無機絶縁膜を含む単層構造または積層構造とすることができる。無機絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化物膜または窒化物膜が挙げられる。または、保護層１２１としてインジウムガリウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物、インジウムスズ酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物などの半導体材料または導電性材料を用いてもよい。

　なお、本明細書などにおいて、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

　保護層１２１としては、無機絶縁膜と、有機絶縁膜の積層膜を用いることもできる。例えば、一対の無機絶縁膜の間に、有機絶縁膜を挟んだ構成とすることが好ましい。さらに有機絶縁膜が平坦化膜として機能することが好ましい。これにより、有機絶縁膜の上面を平坦なものとすることができるため、その上の無機絶縁膜の被覆性が向上し、バリア性を高めることができる。また、保護層１２１の上面が平坦となるため、保護層１２１の上方に構造物（例えばカラーフィルタ、タッチセンサの電極、またはレンズアレイなど）を設ける場合に、下方の構造に起因する凹凸形状の影響を軽減できるため好ましい。

　図２Ａは、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及びこれらに挟まれる領域の拡大図の一例である。なお、画素電極１１１Ｒと画素電極１１１Ｂとの間、画素電極１１１Ｇと画素電極１１１Ｂとの間、及び同色の画素電極の間も、同様の構成とすることができる。また、図２Ａ等では、絶縁層１０３の画素電極１１１Ｒ等と重ならない部分が薄膜化している場合の例を示している。

　絶縁層１３５は、画素電極１１１Ｒ及び画素電極１１１Ｇの、それぞれの端部における上面の一部、及び側面を覆って設けられる。ＥＬ層１１２Ｒ及びＥＬ層１１２Ｇのそれぞれの端部は、絶縁層１３５上に位置する。ＥＬ層１１２Ｒ及びＥＬ層１１２Ｇの、それぞれの端部における上面の一部、及び側面を覆って、絶縁層１２５が設けられている。またＥＬ層１１２ＲとＥＬ層１１２Ｇに挟まれた領域において、絶縁層１２５は絶縁層１３５の上面を覆って設けられている。

　絶縁層１２５上には、樹脂層１２６が設けられる。樹脂層１２６は、ＥＬ層１１２ＲとＥＬ層１１２Ｇに挟まれる領域に位置する絶縁層１２５の上面の凹部を埋めるように設けられ、平坦化膜として機能する。さらに樹脂層１２６上には、共通層１１４、共通電極１１３、及び保護層１２１が設けられている。絶縁層１２５の上面の凹部を樹脂層１２６で埋めることにより、共通電極１１３等が段差により分断されてしまう現象（段切れともいう）が生じ、ＥＬ層１１２上の共通電極１１３が絶縁してしまうことを防ぐことができる。樹脂層１２６は、ＬＦＰ（ＬＦＰ：Ｌｏｃａｌ　Ｆｉｌｌｉｎｇ　Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎともいう）ともいうことができる。

　ここで、ＥＬ層１１２Ｒ等と樹脂層１２６とが接すると、樹脂層１２６の形成時に用いられる有機溶媒などによりＥＬ層１１２Ｒ等が溶解する可能性がある。そのため、ＥＬ層１１２と樹脂層１２６との間に絶縁層１２５を設けることで、ＥＬ層１１２の側面を保護することが可能となる。また、絶縁層１２５により、ＥＬ層１１２の側面が大気に曝されることを防ぐことができる。これにより、信頼性の高い発光素子を作製することができる。

　ここで、絶縁層１２５と、ＥＬ層１１２Ｒ等の上面との間に、絶縁層１１８が設けられていてもよい。絶縁層１１８は、ＥＬ層１１２Ｒ等のエッチング時に、ＥＬ層１１２Ｒ等を保護するための保護層（犠牲層、またはマスク層ともいう）の一部が残存したものである。絶縁層１１８には、絶縁層１２５に用いることのできる材料を用いることができる。特に、絶縁層１１８と絶縁層１２５とに同じ材料を用いると、加工が容易となるため好ましい。

　絶縁層１２５は、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１２５には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２５は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜などが挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜などが挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜などが挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などが挙げられる。特にＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化金属膜、または酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、ＥＬ層を保護する機能に優れた絶縁層１２５を形成することができる。

　絶縁層１２５の形成は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いることができる。絶縁層１２５は、被覆性が良好なＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。

　樹脂層１２６としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、樹脂層１２６として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、樹脂層１２６として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いてもよい。

　また、樹脂層１２６として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いてもよい。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。

　樹脂層１２６は、可視光を吸収する材料を含んでいてもよい。例えば、樹脂層１２６自体が可視光を吸収する材料により構成されていてもよいし、樹脂層１２６が、可視光を吸収する顔料を含んでいてもよい。樹脂層１２６としては、例えば、赤色、青色、または緑色の光を透過し、他の光を吸収するカラーフィルタとして用いることのできる樹脂、またはカーボンブラックを顔料として含み、ブラックマトリクスとして機能する樹脂などを用いることができる。

　ここで、絶縁層１２５及び絶縁層１１８は、樹脂層１２６をマスクに用いて絶縁膜を加工して形成することができる。そのため当該加工の条件によっては、絶縁層１２５及び絶縁層１１８は、その端部が平面視において樹脂層１２６の輪郭よりも外側に突出するように形成される場合がある。このとき、絶縁層１２５及び絶縁層１１８の輪郭よりも外側に突出した部分は、テーパー形状であることが好ましい。これにより、絶縁層１２５及び絶縁層１１８の樹脂層１２６の輪郭よりも外側に突出した部分を覆う共通層１１４及び共通電極１１３の段切れを抑制することができる。

　樹脂層１２６は、表示装置の作製工程中において、様々な処理によってその形状を変形させることができる場合がある。一例としては、樹脂層１２６を形成した後、加熱処理を行うこと、プラズマ処理（表面処理、ドライエッチング処理など）を行うこと、ウェット処理（洗浄、ウェットエッチングなど）を行うこと、減圧雰囲気または高圧雰囲気に曝すこと、などが挙げられる。例えば、絶縁層１２５及び絶縁層１１８を形成するための加工工程の途中に、樹脂層１２６の形状を変形させる処理が行われることで、絶縁層１２５及び絶縁層１１８の端部の一部を樹脂層１２６が覆う構成を実現することが可能となる。

　図２Ｂは、図２ＡにおけるＥＬ層１１２Ｇ上の絶縁層１２５、絶縁層１１８、及び樹脂層１２６の端部及びその近傍を拡大した断面概略図である。なお、絶縁層１２５と絶縁層１１８とを同じ材料で形成した場合などでは、断面観察によって観察しても絶縁層１２５と絶縁層１１８の境界（または界面）が不明瞭である場合がある。その場合には、樹脂層１２６とＥＬ層１１２との間の領域の絶縁層の厚さと、樹脂層１２６と絶縁層１３５との間の領域の樹脂層の厚さから、絶縁層１２５と絶縁層１１８の厚さを見積もることができる。

　図２Ｂでは、樹脂層１２６が絶縁層１２５の全てを覆い、且つ、絶縁層１１８の端部の一部を覆う場合の例を示している。絶縁層１１８の端部は表面が傾斜した斜面を有しており、一部が樹脂層１２６に覆われ、残りが樹脂層１２６の輪郭よりも外側に突出している。絶縁層１１８の当該突出した部分の表面は共通層１１４に接している。

　図２Ｃでは、樹脂層１２６が絶縁層１２５の端部の一部を覆い、且つ、絶縁層１１８の端部を覆わない場合の例を示している。絶縁層１２５の端部は、絶縁層１１８と同様に表面が傾斜した斜面を有しており、その一部が樹脂層１２６に覆われ、残りが樹脂層１２６の輪郭よりも外側に突出している。また、絶縁層１１８の端部における斜面は、樹脂層１２６の輪郭よりも外側に突出している。絶縁層１２５の当該突出した部分の表面と、絶縁層１１８の端部の表面とは、それぞれ共通層１１４に接している。

　図２Ｄでは、樹脂層１２６が絶縁層１２５及び絶縁層１１８の全てを覆う場合の例を示している。樹脂層１２６の端部は、絶縁層１２５及び絶縁層１１８の端部を乗り越え、ＥＬ層１１２Ｇの上面の一部に接している。絶縁層１２５及び絶縁層１１８と共通層１１４とは接することなく、これらの間に樹脂層１２６が設けられている。

　図２Ｅでは、樹脂層１２６の端部が、絶縁層１２５の端部よりも内側に位置している場合の例を示している。絶縁層１２５の端部及び絶縁層１１８の端部は、それぞれ表面が傾斜した斜面を有しており、且つ、これら斜面が樹脂層１２６に覆われていない。また、絶縁層１２５及び絶縁層１１８の端部の表面は、それぞれ共通層１１４に接している。

　ここで、図２Ａ等では樹脂層１２６の上面が凸状の断面形状を有する場合を示したが、これに限られない。例えば図３Ａに示すように、樹脂層１２６の上面の一部が平坦であってもよいし、図３Ｂに示すように、樹脂層１２６の上面の一部が凹状であってもよい。

　また、図３Ｃでは、画素電極の端部を覆う絶縁層１３５を積層構造とした場合の例を示している。図３Ｃでは、画素電極の端部を覆う絶縁層１３５ａと、絶縁層１３５ａを覆う絶縁層１３５ｂと、を有する場合の例を示している。絶縁層１３５ｂは、画素電極１１１Ｒの上面、及び画素電極１１１Ｇの上面と接する領域を有していてもよい。絶縁層１３５ａには上述した有機樹脂を適用することが好ましい。また、絶縁層１３５ｂには、絶縁層１３５ａとは異なる材料を適用することが好ましく、無機絶縁材料を用いることがより好ましい。このように、絶縁層１３５ａを覆って、絶縁層１３５ａとは異なる材料が適用された絶縁層１３５ｂを設けることにより、ＥＬ層１１２Ｒなどを形成するためのエッチングの際に、有機樹脂を含む絶縁層１３５ａがエッチングされてしまうことを防ぐことができる。

　絶縁層１３５ｂに用いることのできる無機絶縁材料としては、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または酸化ハフニウムなどの、酸化物または窒化物を用いることができる。また、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化マグネシウム、酸化ランタン、酸化セリウム、及び酸化ネオジム等を用いてもよい。

　ここで、図１Ａには、共通電極１１３と電気的に接続する接続電極１１１Ｃを示している。接続電極１１１Ｃは、共通電極１１３に供給するための電位（例えばアノード電位、またはカソード電位）が与えられる。接続電極１１１Ｃは、画素１５０が配列する表示領域の外に設けられる。

　接続電極１１１Ｃは、表示領域の外周に沿って設けることができる。例えば、表示領域の外周の一辺に沿って設けられていてもよいし、表示領域の外周の二辺以上にわたって設けられていてもよい。すなわち、表示領域の上面形状が長方形である場合には、接続電極１１１Ｃの上面形状は、帯状、Ｌ字状、Ｕ字状（角括弧状）、または四角形などとすることができる。

　図４は、図１Ａ中の一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に対応する断面概略図である。図４には、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが電気的に接続する接続部１４０を示している。接続部１４０では、接続電極１１１Ｃ上に共通電極１１３が接して設けられ、共通電極１１３を覆って保護層１２１が設けられている。また、接続電極１１１Ｃの端部を覆って絶縁層１３５が設けられている。

　上記では絶縁層１３５に有機樹脂を用いる構成を示したが、絶縁層１３５には、無機絶縁材料を用いることもできる。図５Ａ乃至図５Ｃ、図６、図７Ａ、図７Ｂ、及び図８には、それぞれ絶縁層１３５に無機絶縁材料を用いた場合の例を示している。また、図６等では、絶縁層１０３の画素電極１１１Ｒ等と重ならない部分が薄膜化している場合の例を示している。

　絶縁層１３５として無機絶縁材料を用いることで、フォトリソグラフィ法による精度の高い微細加工が可能となるため、有機絶縁材料を用いた場合と比べて隣接画素間の距離を極めて小さくでき、開口率を極めて高いものとすることができる。

　絶縁層１３５は、その端部がテーパー形状であることが好ましい。これにより、絶縁層１３５の端部を覆って設けられるＥＬ層など、絶縁層１３５の上に形成される膜の段差被覆性を高めることができる。また、絶縁層１３５は、その厚さが画素電極１１１Ｒ等よりも薄いことが好ましい。絶縁層１３５を薄く形成することで、絶縁層１３５上に形成される膜の段差被覆性を高めることができる。

　絶縁層１３５に用いることのできる無機絶縁材料としては、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または酸化ハフニウムなどの、酸化物または窒化物を用いることができる。また、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化マグネシウム、酸化ランタン、酸化セリウム、及び酸化ネオジム等を用いてもよい。

　また、絶縁層１３５は、上記無機絶縁材料を含む膜を積層してもよい。

［変形例］
　以下では、表示装置の変形例について説明する。

　図９Ａ乃至図９Ｃは、絶縁層１３５に有機樹脂を用いた場合の例であり、図１０Ａ乃至図１０Ｃは、絶縁層１３５に無機絶縁材料を用いた場合の例である。

　図９Ａ、図１０Ａは、カラーフィルタとして機能する着色層を適用した場合の例である。着色層を用いることで、表示装置が発する光の色純度を高めることができる。保護層１２１上に平坦化層１２３が設けられ、平坦化層１２３上に着色層１７４Ｒ、着色層１７４Ｇ、及び着色層１７４Ｂが設けられている。着色層１７４Ｒは赤色の光を透過し、他の色の光を吸収する機能を有し、発光素子１５０Ｒと重なる位置に設けられている。着色層１７４Ｇは緑色の光を透過し、他の色の光を吸収する機能を有し、発光素子１５０Ｇと重なる位置に設けられている。着色層１７４Ｂは、青色の光を透過し、他の色の光を吸収する機能を有し、発光素子１５０Ｂと重なる位置に設けられている。

　図９Ｂ、図１０Ｂは、レンズアレイ１７６を適用した場合の例である。レンズアレイ１７６は、平坦化層１２３上に設けられている。レンズアレイ１７６が有する複数のレンズは、それぞれ発光素子１５０Ｒ、発光素子１５０Ｇ、及び発光素子１５０Ｂのいずれか一つと重なるように設けられている。これにより、光の取り出し効率が向上し、映像をより明るく表示することが可能となる。

　また、図９Ｃ、図１０Ｃには、各着色層とレンズアレイ１７６の両方を適用した場合の例を示している。平坦化層１２３上に着色層１７４Ｒ、着色層１７４Ｇ、及び着色層１７４Ｂが設けられ、着色層１７４Ｒ、着色層１７４Ｇ、及び着色層１７４Ｂを覆って平坦化層１２４が設けられ、平坦化層１２４上にレンズアレイ１７６が設けられている。

　なお、上記では着色層及びレンズを基板１０１側に設けたが、基板１２０側に設けてもよい。

　以上が、変形例についての説明である。

　上記で例示した表示装置は、リーク電流によるクロストークが抑制され、極めて表示品位の高い画像を表示することができる。さらに、高い開口率と、高い精細度を両立することが可能である。そのため、ヘッドマウントディスプレイ向けの超小型ディスプレイ（マイクロディスプレイ）に好適に用いることができる。なおこれに限られず、１インチ未満の超小型ディスプレイから、１００インチ超の超大型ディスプレイにまで、本発明の一態様を適用することができる。

［作製方法例］
　以下では、本発明の一態様の表示装置の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。ここでは、上記構成例で示した表示装置１００を例に挙げて説明する。図１１Ａ乃至図１３Ｆは、以下で例示する表示装置の作製方法の、各工程における断面概略図である。また図１１Ａ等では、右側に接続部１４０及びその近傍における断面概略図を合わせて示している。

　なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、または熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。

　また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。

　また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いることができる。それ以外に、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。

　フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

　フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光、Ｘ線などを用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

　薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。

〔基板１０１の準備〕
　基板１０１としては、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。基板１０１として、絶縁性基板を用いる場合には、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、有機樹脂基板などを用いることができる。また、シリコン、炭化シリコンなどを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板などの半導体基板を用いることができる。

〔機能層１０４、絶縁層１０３の形成〕
　続いて基板１０１上に、機能層１０４、及び絶縁層１０３を形成する。機能層１０４としては、公知の半導体プロセス技術を用いて、トランジスタ、配線、容量などの様々な機能素子を作製することにより、画素回路をはじめとした各種回路を形成することができる。

　絶縁層１０３としては、有機絶縁膜、無機絶縁膜、またはこれらの積層膜を用いることができる。有機絶縁膜は、平坦化膜として用いることができるため好ましい。また、絶縁層１０３として無機絶縁膜を成膜したのち、上面を平坦化処理によって平坦化してもよい。

　絶縁層１０３として無機絶縁膜を用いる場合は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、またはＡＬＤ法などの成膜方法を用いて成膜することが好ましい。例えば、絶縁層１０３として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化物膜または窒化物膜を用いることができる。

　また、絶縁層１０３として、有機絶縁膜を用いる場合は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等の有機絶縁膜を用いることができる。

　また、絶縁層１０３として、無機絶縁膜と有機絶縁膜の積層膜を用いる場合、有機絶縁膜上に無機絶縁膜を積層した構成、または、無機絶縁膜上に有機絶縁膜を積層した構成などとすることができる。

　また、絶縁層１０３に開口を設ける場合、絶縁層１０３上にレジストマスクを形成し、絶縁層１０３の一部をエッチングすることにより開口を形成することができる。または、感光性の有機樹脂を絶縁層１０３に用いることで、エッチング処理の代わりに露光処理と現像処理を用いて開口を有する絶縁層１０３を形成してもよい。また無機絶縁膜上に有機絶縁膜を積層する場合には、開口を有する有機絶縁膜を形成した後、当該有機絶縁膜をマスクとして、当該有機絶縁膜の開口に位置する無機絶縁膜をエッチングにより除去することで、絶縁層１０３に開口を形成することができる。

〔画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ、接続電極１１１Ｃの形成〕
　続いて、絶縁層１０３上に、画素電極となる導電膜を成膜し、当該導電膜の不要な部分をエッチングにより除去することで、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ、及び接続電極１１１Ｃを形成する（図１１Ａ）。

　このとき、絶縁層１０３の画素電極１１１及び接続電極１１１Ｃに覆われない部分がエッチングされ、薄膜化する場合がある。

　画素電極１１１として可視光に対して反射性を有する導電膜を用いる場合、可視光の波長域全域での反射率ができるだけ高い材料（例えば銀またはアルミニウムなど）を適用することが好ましい。これにより、発光素子の光取り出し効率を高められるだけでなく、色再現性を高めることができる。また、反射性を有する導電膜上に、透光性を有する導電膜を積層してもよく、さらに当該透光性を有する導電膜の厚さを、発光素子毎に異ならせ、光学調整層として用いてもよい。また、反射性を有する画素電極１１１上に透光性の無機絶縁層を形成し、当該無機絶縁層上に、透光性の導電層を形成する構成としてもよい。このとき、無機絶縁層は発光素子毎に異ならせて光学調整層として用いることができる。さらにこのとき、画素電極１１１は反射層として用い、無機絶縁膜上の透光性の導電層を画素電極として用いることができる。

〔絶縁層１３５の形成〕
　続いて、絶縁層１０３、各画素電極１１１、及び接続電極１１１Ｃを覆って、後に絶縁層１３５となる絶縁膜１３５ｆを形成する（図１１Ｂ）。絶縁膜１３５ｆは、特にスピンコート、インクジェット、またはスリットコートなどを用いて形成すると、厚さをより均一にできるため好ましい。

　絶縁膜１３５ｆとしては、感光性の有機樹脂を用いることが好ましい。感光性の有機樹脂を含む絶縁膜１３５ｆを成膜後、露光処理、現像処理を経ることで、画素電極１１１の端部、及び接続電極１１１Ｃの端部を覆う絶縁層１３５を形成することができる（図１１Ｃ）。なお、絶縁膜１３５ｆに非感光性の有機樹脂を用いる場合には、その上にレジストマスクを形成し、エッチングにより絶縁膜１３５ｆを加工することで絶縁層１３５を形成してもよい。

〔ＥＬ膜１１２Ｂｆの形成〕
　続いて、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂ、及び絶縁層１３５上に、後にＥＬ層１１２ＢとなるＥＬ膜１１２Ｂｆを成膜する。

　ＥＬ膜１１２Ｂｆは、少なくとも発光性の化合物を含む膜を有する。このほかに、電子注入層、電子輸送層、電荷発生層、正孔輸送層、または正孔注入層として機能する膜のうち、一以上が積層された構成としてもよい。ＥＬ膜１１２Ｂｆは、例えば蒸着法、スパッタリング法、またはインクジェット法等により形成することができる。なおこれに限られず、上述した成膜方法を適宜用いることができる。

　ＥＬ膜１１２Ｂｆを蒸着法（またはスパッタリング法）により成膜する場合、画素ごとに蒸着膜を塗分けるための高精細なメタルマスク（ＦＭＭ：Ｆｉｎｅ　Ｍｅｔａｌ　Ｍａｓｋ）を用いることなく成膜することができる。なお、接続電極１１１Ｃ上には設けないように形成することが好ましい。そのため、接続電極１１１Ｃなど、蒸着膜を形成したくない領域を遮蔽するための、遮蔽マスクを用いて形成することが好ましい。

〔犠牲膜１４４ａの形成〕
　続いて、ＥＬ膜１１２Ｂｆを覆って犠牲膜１４４ａを形成する。また、犠牲膜１４４ａは、接続電極１１１Ｃの上面に接して設けられる。

　犠牲膜１４４ａは、ＥＬ膜１１２Ｂｆなどの各ＥＬ膜のエッチング処理に対する耐性の高い膜、すなわち、エッチングの選択比を大きくとることのできる膜を用いることができる。また、犠牲膜１４４ａは、後述する犠牲膜１４６ａなどの保護膜とのエッチングの選択比を大きくとることのできる膜を用いることができる。さらに、犠牲膜１４４ａは、各ＥＬ膜へのダメージの少ないウェットエッチング法により除去可能な膜を用いることができる。

　犠牲膜１４４ａとしては、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、無機絶縁膜などの無機膜を好適に用いることができる。犠牲膜１４４ａは、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法などの各種成膜方法により形成することができる。特に、ＡＬＤ法は被形成層に対する成膜ダメージが小さいため、ＥＬ膜１１２Ｂｆ上に直接形成する犠牲膜１４４ａは、ＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。

　犠牲膜１４４ａとしては、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコンなどの酸化物、窒化シリコン、窒化アルミニウムなどの窒化物、または酸化窒化シリコンなどの酸窒化物を用いることができる。このような無機絶縁材料は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、またはＡＬＤ法等の成膜方法を用いて形成することができるが、特にＡＬＤ法を用いることが好ましい。

　また、犠牲膜１４４ａとしては、例えば金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタルなどの金属材料、または該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウムまたは銀などの低融点材料を用いることが好ましい。

　また、犠牲膜１４４ａとしては、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯとも表記する）などの金属酸化物を用いることができる。さらに、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物）、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）などを用いることができる。またはシリコンを含むインジウムスズ酸化物などを用いることもできる。

　また、犠牲膜１４４ａとして、少なくともＥＬ膜１１２Ｂｆの最上部に位置する膜に対して化学的に安定な溶媒に、溶解しうる材料を用いることが好ましい。特に、水またはアルコールに溶解する材料を、犠牲膜１４４ａに好適に用いることができる。犠牲膜１４４ａを成膜する際には、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、ＥＬ膜１１２Ｂｆへの熱的なダメージを低減することができ、好ましい。

　犠牲膜１４４ａとしては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いることができる。

　犠牲膜１４４ａの形成に用いることのできる湿式の成膜方法としては、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等がある。

〔犠牲膜１４６ａの形成〕
　続いて、犠牲膜１４４ａ上に、犠牲膜１４６ａを形成する。

　犠牲膜１４６ａは、後に犠牲膜１４４ａをエッチングする際のハードマスクとして用いる膜である。また、後の犠牲膜１４６ａの加工時には、犠牲膜１４４ａが露出する。したがって、犠牲膜１４４ａと犠牲膜１４６ａとは、互いにエッチングの選択比を大きくとることのできる膜の組み合わせを選択する。そのため、犠牲膜１４４ａのエッチング条件、及び犠牲膜１４６ａのエッチング条件に応じて、犠牲膜１４６ａに用いることのできる膜を選択することができる。

　犠牲膜１４６ａは、様々な材料の中から、犠牲膜１４４ａのエッチング条件、及び犠牲膜１４６ａのエッチング条件に応じて、選択することができる。例えば、上記犠牲膜１４４ａに用いることのできる膜の中から選択することができる。

　また、犠牲膜１４６ａとして、ＥＬ膜１１２Ｂｆなどに用いることのできる有機膜を用いてもよい。例えば、ＥＬ膜１１２Ｒｆ、ＥＬ膜１１２Ｇｆ、またはＥＬ膜１１２Ｂｆに用いる有機膜と同じ膜を、犠牲膜１４６ａに用いることができる。このような有機膜を用いることで、ＥＬ膜１１２Ｂｆなどと成膜装置を共通に用いることができるため、好ましい。

　犠牲膜１４４ａと犠牲膜１４６ａとに異なる材料を含む膜を用いることで、双方のエッチングの選択比を大きくとれる組み合わせとすることが容易となる。例えば犠牲膜１４４ａに、金属膜、合金膜、酸化物膜、半導体膜、無機絶縁膜、及び有機膜のうちいずれかを用いる場合、犠牲膜１４６ａにはそれ以外の膜を用いることが好ましい。

　より具体的な組み合わせの一例としては、犠牲膜１４４ａにＡＬＤ法またはスパッタリング法を用いて形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化シリコン膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、インジウム亜鉛酸化物膜などの酸化物膜を用い、犠牲膜１４６ａにスパッタリング法または蒸着法を用いて形成したタングステン、モリブデン、銅、チタン、アルミニウム、タンタルなどを含む金属膜または合金膜を用いることができる。

　また例えば、犠牲膜１４４ａとして、蒸着法、または上記湿式の成膜方法のいずれかを用いて形成した有機膜（例えば、ＰＶＡ膜）を用い、犠牲膜１４６ａとして、スパッタリング法を用いて形成した無機膜（例えば、酸化シリコン膜、または窒化シリコン膜など）を用いることができる。

〔レジストマスク１４３ａの形成〕
　続いて、犠牲膜１４６ａ上であって、画素電極１１１Ｂとその両端の絶縁層１３５の一部と重なる位置、及び接続電極１１１Ｃと重なる位置に、それぞれレジストマスク１４３ａを形成する（図１１Ｄ）。

　レジストマスク１４３ａは、ポジ型のレジスト材料、またはネガ型のレジスト材料など、感光性の樹脂を含むレジスト材料を用いることができる。

　ここで、犠牲膜１４６ａを有さずに、犠牲膜１４４ａ上にレジストマスク１４３ａを形成する場合、犠牲膜１４４ａにピンホールなどの欠陥が存在すると、レジスト材料の溶媒によって、ＥＬ膜１１２Ｂｆが溶解してしまう恐れがある。犠牲膜１４６ａを用いることで、このような不具合が生じることを防ぐことができる。

　なお、犠牲膜１４４ａにピンホールなどの欠陥が生じにくい膜を用いる場合、または、レジスト材料の溶媒に、ＥＬ膜１１２Ｂｆを溶解しない材料を用いる場合などでは、犠牲膜１４６ａを用いずに、犠牲膜１４４ａ上に直接レジストマスク１４３ａを形成してもよい場合がある。

〔犠牲膜１４６ａのエッチング〕
　続いて、犠牲膜１４６ａのレジストマスク１４３ａに覆われない一部をエッチングにより除去し、島状の犠牲層１４７ａを形成する。このとき同時に、接続電極１１１Ｃ上にも犠牲層１４７ａが形成される（図１１Ｅ）。

　犠牲膜１４６ａのエッチングの際、犠牲膜１４４ａが当該エッチングにより除去されないように、選択比の高いエッチング条件を用いることが好ましい。犠牲膜１４６ａのエッチングは、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行うことができるが、ドライエッチングを用いることで、犠牲膜１４６ａのパターンが縮小することを抑制できる。

〔レジストマスク１４３ａの除去〕
　続いて、レジストマスク１４３ａを除去する。レジストマスク１４３ａの除去は、ウェットエッチング法またはドライエッチング法により行うことができる。特に、酸素ガスをエッチングガスに用いたドライエッチング（プラズマアッシングともいう）により、レジストマスク１４３ａを除去することが好ましい。

　このとき、レジストマスク１４３ａの除去は、ＥＬ膜１１２Ｂｆが犠牲膜１４４ａに覆われた状態で行われるため、ＥＬ膜１１２Ｂｆへの影響が抑制されている。特に、ＥＬ膜１１２Ｂｆが酸素に触れると、電気特性に悪影響を及ぼす場合があるため、プラズマアッシングなどの、酸素ガスを用いたエッチングを行う場合には好適である。

〔犠牲膜１４４ａのエッチング〕
　続いて、犠牲層１４７ａをマスクとして用いて、犠牲膜１４４ａの犠牲層１４７ａに覆われない一部をエッチングにより除去し、犠牲層１４５ａを形成する（図１１Ｆ）。

　犠牲膜１４４ａのエッチングは、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行うことができるが、ドライエッチング法を用いると、パターンの縮小を抑制できるため好ましい。

〔ＥＬ膜１１２Ｂｆのエッチング〕
　続いて、犠牲層１４７ａをマスクとして、ＥＬ膜１１２Ｂｆの一部をエッチングにより除去し、ＥＬ層１１２Ｂを形成する（図１１Ｇ）。ＥＬ膜１１２Ｂｆのエッチングにより、画素電極１１１Ｒ及び画素電極１１１Ｇが露出する。

　ＥＬ膜１１２Ｂｆのエッチングとしては、酸素を含むエッチングガスを用いた異方性のドライエッチングを用いると、エッチング速度を高めることができるため好ましい。また、酸素を主成分に含まないエッチングガスを用いてもよい。

　なお、エッチングガスはこれに限られず、例えば水素ガス、窒素ガス、酸素ガス、アンモニアガス、塩素ガス、貴ガス、またはＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、などのフッ素を含むガス、ＢＣｌ_３などの塩素を含むガスをエッチングガスに用いることができる。また、上記ガスを２種類以上混合させた混合ガスを用いてもよい。また、上記ガスにアルゴン、ヘリウム、キセノン、クリプトンなどの貴ガスを混合させたガスをエッチングガスに用いてもよい。

　なお、ＥＬ膜１１２Ｂｆのエッチングと同時に犠牲層１４７ａをエッチングにより除去してもよい。これにより、工程を簡略化することができ、表示装置の作製コストを低減することができる。

〔ＥＬ膜１１２Ｇｆの形成〕
　続いて、犠牲層１４７ａ、画素電極１１１Ｒ、及び画素電極１１１Ｇ上に、後にＥＬ層１１２ＧとなるＥＬ膜１１２Ｇｆを成膜する。

　ＥＬ膜１１２Ｇｆの形成方法については、上記ＥＬ膜１１２Ｂｆの記載を参照できる。

〔犠牲膜１４４ｂの形成〕
　続いて、ＥＬ膜１１２Ｇｆ上に、犠牲膜１４４ｂを形成する。犠牲膜１４４ｂは、上記犠牲膜１４４ａと同様の方法で形成することができる。特に、犠牲膜１４４ｂは、犠牲膜１４４ａと同一材料を用いることが好ましい。

〔犠牲膜１４６ｂの形成〕
　続いて、犠牲膜１４４ｂ上に、犠牲膜１４６ｂを形成する。犠牲膜１４６ｂは、上記犠牲膜１４６ａと同様の方法で形成することができる。特に、犠牲膜１４６ｂは、上記犠牲膜１４６ａと同一材料を用いることが好ましい。

〔レジストマスク１４３ｂの形成〕
　続いて、犠牲膜１４６ｂ上に、レジストマスク１４３ｂを形成する（図１２Ａ）。レジストマスク１４３ｂは、画素電極１１１Ｇと重なる領域に形成する。

　レジストマスク１４３ｂは、上記レジストマスク１４３ａと同様の方法で形成することができる。

〔犠牲膜１４６ｂのエッチング〕
　続いて、犠牲膜１４６ｂの、レジストマスク１４３ｂに覆われない一部をエッチングにより除去し、島状の犠牲層１４７ｂを形成する。

　犠牲膜１４６ｂのエッチングについては、上記犠牲膜１４６ａの記載を参照することができる。

〔レジストマスク１４３ｂの除去〕
　続いて、レジストマスク１４３ｂを除去する。レジストマスク１４３ｂの除去は、上記レジストマスク１４３ａの記載を参照することができる。

〔犠牲膜１４４ｂのエッチング〕
　続いて、犠牲層１４７ｂをマスクとして用いて、犠牲膜１４４ｂの犠牲層１４７ｂに覆われない一部をエッチングにより除去し、島状の犠牲層１４５ｂを形成する。

　犠牲膜１４４ｂのエッチングは、上記犠牲膜１４４ａの記載を参照することができる。

〔ＥＬ膜１１２Ｇｆのエッチング〕
　続いて、犠牲層１４５ｂに覆われないＥＬ膜１１２Ｇｆの一部をエッチングにより除去し、島状のＥＬ層１１２Ｇを形成する（図１２Ｂ）。

　ＥＬ膜１１２Ｇｆのエッチングは、上記ＥＬ膜１１２Ｂｆの記載を参照することができる。

　このとき、ＥＬ層１１２Ｂは、犠牲層１４５ａ及び犠牲層１４７ａに保護されているため、ＥＬ膜１１２Ｇｆのエッチングの工程でダメージを受けることを防ぐことができる。

　このようにして、島状のＥＬ層１１２Ｂと島状のＥＬ層１１２Ｇとを、高い位置精度で作り分けることができる。

〔ＥＬ層１１２Ｒの形成〕
　以上の工程を、ＥＬ膜１１２Ｒｆに対して行うことで、画素電極１１１Ｒ上に、島状のＥＬ層１１２Ｒと、犠牲層１４５ｃと、犠牲層１４７ｃと、を形成することができる。

　すなわち、ＥＬ層１１２Ｇの形成後、ＥＬ膜１１２Ｒｆ、犠牲膜１４４ｃ、犠牲膜１４６ｃ、及びレジストマスク１４３ｃを順に形成する（図１２Ｃ）。続いて、犠牲膜１４６ｃをエッチングして犠牲層１４７ｃを形成した後に、レジストマスク１４３ｃを除去する。続いて、犠牲膜１４４ｃをエッチングして犠牲層１４５ｃを形成する。その後、ＥＬ膜１１２Ｒｆをエッチングして、島状のＥＬ層１１２Ｒを形成する（図１２Ｄ）。

〔犠牲層１４７の除去〕
　続いて、犠牲層１４７ａ、犠牲層１４７ｂ、及び犠牲層１４７ｃを除去し、犠牲層１４５ａ、犠牲層１４５ｂ、犠牲層１４５ｃの上面を露出させる（図１２Ｅ）。このとき、犠牲層１４５ａ、犠牲層１４５ｂ、及び犠牲層１４５ｃは除去することなく残したままとしておくことが好ましい。なお、この時点で犠牲層１４７ａ、犠牲層１４７ｂ、及び犠牲層１４７ｃを除去せず、後の犠牲層１４５ａ、犠牲層１４５ｂ、及び犠牲層１４５ｃのエッチング工程でエッチングする方法を用いてもよい。

〔絶縁膜１２５ｆの形成〕
　続いて、犠牲層１４５ａ、犠牲層１４５ｂ、犠牲層１４５ｃ、及び絶縁層１３５を覆って、絶縁膜１２５ｆを形成する（図１２Ｆ）。

　絶縁膜１２５ｆは、後に絶縁層１２５となる層である。絶縁膜１２５ｆの膜厚は、３ｎｍ以上、５ｎｍ以上、または、１０ｎｍ以上、かつ、２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、または、５０ｎｍ以下にすることが好ましい。

　絶縁膜１２５ｆは、ＥＬ層の側面に接して形成されるため、ＥＬ層へのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。また、絶縁膜１２５ｆは、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で形成する。絶縁膜１２５ｆ及び、後の樹脂層１２６を形成する際の基板温度としては、それぞれ、代表的には、２００℃以下、好ましくは１８０℃以下、より好ましくは１６０℃以下、より好ましくは１４０℃以下、より好ましくは１２０℃以下、より好ましくは１００℃以下とする。

　絶縁膜１２５ｆとしては、犠牲膜１４６ａと異なる材料を用いることが好ましく、さらに犠牲膜１４４ａと同じ材料を用いることが好ましい。例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで、成膜ダメージを小さくすることができ、また、被覆性の高い膜を成膜可能なため好ましい。

〔樹脂層１２６の形成〕
　続いて、絶縁膜１２５ｆ上に、樹脂膜１２６ｆを形成する（図１３Ａ）。

　樹脂膜１２６ｆは、前述の湿式の成膜方法を用いて形成することが好ましい。樹脂膜１２６ｆは、例えば、スピンコート、スリットコート等の成膜方法により、感光性の樹脂を用いて形成することが好ましく、より具体的には、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物を用いて形成することが好ましい。

　また、樹脂膜１２６ｆの形成後に加熱処理（プリベークともいう）を行うことが好ましい。当該加熱処理は、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂの耐熱温度よりも低い温度で形成する。加熱処理の際の基板温度としては、５０℃以上２００℃以下が好ましく、６０℃以上１５０℃以下がより好ましく、７０℃以上１２０℃以下がさらに好ましい。これにより、樹脂膜１２６ｆ中に含まれる溶媒を除去することができる。

　続いて、フォトマスクを介して可視光線または紫外線を樹脂膜１２６ｆの一部に照射し、樹脂膜１２６ｆの一部を感光させる。ここで、樹脂膜１２６ｆにポジ型の感光性の樹脂を用いる場合、樹脂膜１２６ｆを除去する部分に光を照射する。樹脂層１２６は、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂのいずれか２つに挟まれる領域、及び接続電極１１１Ｃの周囲に設けることができる。そのため、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂのそれぞれにおける、輪郭の内側の領域に光を照射する。

　なお、ここで照射する光範囲と強度によって、形成される樹脂層１２６の形状を制御することができる。樹脂層１２６は、ＥＬ層１１２の端部近傍における上面の一部を覆い、且つ、出来るだけＥＬ層１１２と樹脂層１２６とが重なる領域の幅が小さいと、発光面積を大きくできるため好ましい。

　露光に用いる光は、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を含むことが好ましい。また、露光に用いる光は、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、及びｈ線（波長４０５ｎｍ）の少なくとも一方を含んでいてもよい。

　なお、樹脂膜１２６ｆにネガ型の感光性の樹脂を用いる場合は、残したい部分に光を照射すればよい。

　続いて、現像処理を行うことで、樹脂膜１２６ｆの一部を除去し、樹脂層１２６を形成する（図１３Ｂ）。樹脂膜１２６ｆにアクリル樹脂を用いる場合、現像液として、アルカリ性の溶液を用いることが好ましく、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いることができる。

　なお、現像後には、現像時の残渣（いわゆるスカム）を除去する工程を行ってもよい。例えば、酸素プラズマを用いたアッシングを行うことで、残渣を除去することができる。

　また、樹脂層１２６の表面の高さを調整するために、エッチング処理を行ってもよい。例えば、酸素プラズマを用いたアッシングにより樹脂層１２６の一部を除去してもよい。

　なお、現像後、かつ、ポストベークの前に露光を行い、可視光線または紫外光線を樹脂層１２６に照射してもよい。このとき、フォトマスクを介さずに露光を行ってもよい。現像後にこのような露光を行うことで、樹脂層１２６を低い温度でテーパー形状に変形させることができる場合がある。なお、当該露光を行わなくてもよい。

　この時点では、樹脂層１２６は、上面が平坦である断面形状を有している。

〔絶縁層１２５、絶縁層１１８の形成〕
　続いて、絶縁膜１２５ｆ並びに犠牲層１４５ａ、犠牲層１４５ｂ、犠牲層１４５ｃ（以下、まとめて犠牲層１４５とも表記する）について、樹脂層１２６をマスクとして用いたエッチングにより不要な部分を除去して、絶縁層１２５及び絶縁層１１８を形成する。

　絶縁膜１２５ｆと犠牲層１４５とは、同一のエッチング工程で同時にエッチングしてもよい。また、絶縁膜１２５ｆと犠牲層１４５を複数のエッチング工程に分けてエッチングしてもよい。以下では、２回のエッチング工程により、絶縁膜１２５ｆと犠牲層１４５をエッチングする場合の例を説明する。

　図１３Ｃ１乃至図１３Ｃ４は、各工程におけるＥＬ層１１２Ｇ上の樹脂層１２６の端部及びその近傍の拡大図を示している。図１３Ｃ１は、図１３Ｂの段階における拡大図に相当する。

　まず、樹脂層１２６をマスクとして用いた第１のエッチング処理において、絶縁膜１２５ｆの不要な部分を除去し、さらに犠牲層１４５の一部をエッチングする（図１３Ｃ２）。絶縁膜１２５ｆは、エッチングされて絶縁層１２５となる。

　このとき、犠牲層１４５が除去されＥＬ層１１２Ｇ等の上面が露出することのないように、犠牲層１４５を除去することなく薄く加工することが好ましい。例えば、犠牲層１４５の第１のエッチング処理を経た後の厚さを、工程前の厚さの７０％以下、好ましくは６０％以下、より好ましくは５０％以下であって、５％以上、好ましくは１０％以上とする。第１のエッチング処理を経た後の犠牲層１４５の厚さが薄いほど、第２のエッチング処理において、エッチング速度の遅い条件を用いた場合であっても工程時間を短縮することができるため好ましい。なお、第１のエッチング処理で絶縁膜１２５ｆをエッチングし、第２のエッチング処理で犠牲層１４５をエッチングしてもよい。

　第１のエッチング処理は、ドライエッチングまたはウェットエッチングを用いることができる。

　ドライエッチングを行う場合、塩素を含むガス（塩素系ガスともいう）を用いることが好ましい。塩素系ガスとしては、Ｃｌ_２、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、及びＣＣｌ_４などを、単独または２以上のガスを混合して用いることができる。また、上記塩素系ガスに、酸素ガス、水素ガス、ヘリウムガス、及びアルゴンガスなどを、単独または２以上のガスを混合して、適宜添加することができる。ドライエッチングを用いることにより、犠牲層１４５のエッチング後の厚さを精密に制御でき、且つ、均一性を高めることができる。

　ウェットエッチングは、ドライエッチングに比べて、エッチングダメージを低減することができるため好ましい。例えば、ウェットエッチングは、アルカリ溶液などを用いて行うことができる。例えば、酸化アルミニウム膜のウェットエッチングには、アルカリ溶液である水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いることが好ましい。この場合、パドル方式でウェットエッチングを行うことができる。そのほか、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、またはこれらの混合液体を用いたウェットエッチングを用いることができる。また、水、リン酸、希フッ酸、及び硝酸を含む混酸系薬液を用いてもよい。なお、ウェットエッチング処理に用いる薬液は、アルカリ性であってもよく、酸性であってもよい。

　続いて、加熱処理（ポストベーク）を行うことで、樹脂層１２６を変形させることができる。例えば、樹脂層１２６の上面が平坦であったものを、円弧状の断面形状となるように変形させることが好ましい。また当該変形により、図１３Ｃ３に示すように、樹脂層１２６の端部が、絶縁層１２５の端面（例えば絶縁層１２５の傾斜した表面を含む）、及び犠牲層１４５の上面（犠牲層１４５の傾斜した表面を含む）に接する場合がある。

　例えばＥＬ層１１２が犠牲層１４５に覆われずに露出した状態でポストベークを行うと、ＥＬ層１１２がダメージを受けて特性が劣化する場合がある。特に酸素を含む雰囲気下にＥＬ層１１２を曝した状態で加熱処理を行うと、より劣化が促進する恐れがある。そのため、第１のエッチング処理にて犠牲層１４５をＥＬ層１１２上に残存させておくことにより、ポストベークによる劣化を抑制できる。

　なお、樹脂層１２６の材料および形成方法によっては、ポストベーク以外の処理、例えば第１のエッチング処理、または後述する第２のエッチング処理でも、樹脂層１２６が変形する場合がある。

　続いて、樹脂層１２６をマスクとして用いた第２のエッチング処理において、犠牲層１４５の樹脂層１２６に覆われない残りの部分を除去し、ＥＬ層１１２の上面を露出させる（図１３Ｃ４、図１３Ｄ）。犠牲層１４５は、エッチングされて絶縁層１１８となる。

　第２のエッチング処理はウェットエッチングで行うことが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、ＥＬ層１１２に加わるダメージを低減することができる。

　図１３Ｃ４では、絶縁層１１８の第１のエッチング処理により形成された斜面の一部を樹脂層１２６が覆い、第２のエッチング処理により形成された斜面の一部は樹脂層１２６に覆われない場合の例を示している。

　以上のように、エッチング処理を２回に分け、その間にポストベークを行う方法を用いることで、絶縁層１２５と樹脂層１２６との間、及び絶縁層１１８と樹脂層１２６との間に、隙間が生じることを防ぐことができ、この後に形成される共通層１１４、共通電極１１３などの被覆不良を生じにくくすることができる。

　第２のエッチング処理の後に、加熱処理を行ってもよい。加熱処理により、ＥＬ層１１２等の表面に吸着する水分を除去することができる。加熱処理は不活性ガス雰囲気、または減圧雰囲気で行うことで、ＥＬ層１１２の表面が酸素に曝された状態で加熱されることで変質してしまうことを防ぐことができる。

〔共通層１１４、共通電極１１３の形成〕
　続いて、ＥＬ層１１２、絶縁層１１８、絶縁層１２５、及び樹脂層１２６を覆って、共通層１１４を形成する。共通層１１４は、例えばスパッタリング法または真空蒸着法などにより形成することができる。

　続いて、共通層１１４を覆って共通電極１１３を形成する（図１３Ｅ）。共通電極１１３は、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、またはその両方などにより形成することができる。

　例えば、共通電極として、可視光に対して反射性及び透過性を有する導電膜を用いる場合、透光性を有する程度に薄い金属または合金膜と、透光性を有する導電膜の積層構造とすることが好ましい。なお、透光性を有する導電膜の代わりに、透光性を有する半導体膜（酸化物半導体膜）を用いてもよい。

　共通層１１４及び共通電極１１３は、それぞれ基板１０１の全面に成膜するのではなく、成膜エリアを規定するための遮蔽マスク（メタルマスク、ラフメタルマスクともいう）を用いて形成することが好ましい。共通層１１４は発光素子が設けられる領域に成膜し、共通電極は、発光素子が設けられる領域、及び共通電極１１３と電気的に接続する電極が設けられる領域を含む所定の領域に成膜することが好ましい。

　共通層１１４は、接続電極１１１Ｃ上には設けないようにすると、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが直接的に接続することができるため、これらの間の電気抵抗を低減できるため好ましい。なお、共通層１１４キャリア注入層を用いた場合などでは、当該共通層１１４に用いる材料の電気抵抗率が十分に低く、且つ厚さも薄く形成できるため、共通層１１４が接続電極１１１Ｃ上に位置していても問題は生じない場合が多い。これにより、共通電極１１３と共通層１１４とを同じ遮蔽マスクを用いて形成することができるため、製造コストを低減できる。

　以上により、発光素子１５０Ｒ、発光素子１５０Ｇ、及び発光素子１５０Ｂを作り分けることができる。

〔保護層１２１の形成〕
　続いて、共通電極１１３上に、保護層１２１を形成する（図１３Ｆ）。保護層１２１に用いる無機絶縁膜の成膜には、スパッタリング法、ＰＥＣＶＤ法、またはＡＬＤ法を用いることが好ましい。特にＡＬＤ法は、段差被覆性に優れ、ピンホールなどの欠陥が生じにくいため、好ましい。

〔基板１２０の貼合わせ〕
　最後に、接着層１２２を介して基板１２０を貼り合せる。

　基板１２０は、視認側の基板である場合には、透光性の基板を用いることができる。一方、視認側とは反対側の基板である場合には、基板１２０の透光性は問わないが、特に金属または合金などの導電性の部材を有する基板を用いると、表示装置１００の放熱性が高まるため好ましい。

　以上の工程により、図１Ａ等に示す表示装置１００を作製することができる。

　上記では、絶縁層１３５に有機樹脂を用いる場合の例を説明したが、以下では、絶縁層１３５に無機絶縁材料を用いた場合の例について説明する。なお、上記と重複する部分については上記を参照し、説明を省略する。

　上記と同様に基板１０１上に機能層１０４、絶縁層１０３、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ、及び接続電極１１１Ｃを形成する（図１４Ａ）。

　画素電極１１１及び接続電極１１１Ｃは、側面がテーパー形状となるように加工すると、後に形成する絶縁膜１３５ｆの段差被覆性が向上するため好ましい。例えばドライエッチング法を用いる場合、導電膜と同時にレジストマスクもエッチング可能な条件でエッチングすることで、テーパー形状を実現することができる。なお、テーパー形状となる加工方法はこれに限られず、ウェットエッチングによってテーパー形状を実現できる場合もある。

　続いて、絶縁層１０３、各画素電極１１１、及び接続電極１１１Ｃを覆って、後に絶縁層１３５となる絶縁膜１３５ｆを成膜する（図１４Ｂ）。絶縁膜１３５ｆは、特にスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、ＡＬＤ法などの成膜方法で形成すると、低温で緻密な膜を形成できるため好ましい。

　絶縁膜１３５ｆを形成した後、不要な部分をエッチングにより除去することで、画素電極１１１の端部、及び接続電極１１１Ｃの端部を覆う絶縁層１３５を形成することができる（図１４Ｃ）。このとき、絶縁層１３５の端部がテーパー形状となるように、絶縁膜１３５ｆを加工することが好ましい。

　なお、絶縁層１３５を異なる方法により形成してもよい。例えば、絶縁層１０３上に絶縁層１３５となる絶縁膜を成膜し、当該絶縁膜の一部をエッチングして格子状の上面形状を有する絶縁層１３５を形成する。続いて、絶縁層１３５に囲まれた凹部を埋めるように画素電極１１１となる導電膜を成膜したのち、絶縁層１３５の上面が露出するまで平坦化処理を行い、当該凹部に埋め込まれた画素電極を形成する。このような方法により、絶縁層１３５と画素電極１１１（及び接続電極１１１Ｃ）を形成することもできる。なお、平坦化処理の前にリフローのための加熱処理を行ってもよい。

　また他の方法としては、まず各画素電極１１１及び接続電極１１１Ｃを形成した後に、絶縁層１３５となる絶縁膜１３５ｆを、画素電極１１１の厚さよりも厚く形成する。その後、画素電極１１１の上面が露出するまで平坦化処理を行うことで、隣接する画素電極１１１間の凹部を埋める絶縁層１３５を形成することもできる。

　続いて、上記と同様の方法により、ＥＬ層１１２Ｂ、犠牲層１４５ａ、及び犠牲層１４７ａを形成する（図１４Ｄ乃至図１４Ｇ）。その後、ＥＬ層１１２Ｇ、犠牲層１４５ｂ、及び犠牲層１４７ｂを形成し（図１５Ａ及び図１５Ｂ）、続いてＥＬ層１１２Ｒ、犠牲層１４５ｃ、及び犠牲層１４７ｃを形成する（図１５Ｃ及び図１５Ｄ）。その後、犠牲層１４７ａ、犠牲層１４７ｂ、及び犠牲層１４７ｃを除去する（図１５Ｅ）。

　続いて、上記と同様の方法により、絶縁層１２５、絶縁層１２６、及び絶縁層１１８を形成する（図１５Ｆ乃至図１６Ｄ）。その後、共通層１１４及び共通電極１１３、保護層１２１を形成し（図１６Ｅ及び図１６Ｆ）、基板１２０を貼り合せる。

　以上の工程により、図５Ａ等に示す表示装置１００を作製することができる。

　なお、上記では、ＥＬ層１１２Ｂ、ＥＬ層１１２Ｇ、ＥＬ層１１２Ｒをこの順で形成する例を示したが、形成の順序はこれに限られない。

　また、上記では、ＥＬ層１１２の厚さについて、ＥＬ層１１２Ｂが最も厚く、ＥＬ層１１２Ｒが最も薄いように図示したが、各ＥＬ層の厚さについてはこれに限られない。ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂの厚さの差が小さくなるように設定すると、樹脂層１２６の断面形状を左右対称に近づけることができ、発光素子の視野角特性への影響を低減できるため好ましい。

　本発明の一態様の表示装置の作製方法では、島状のＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂを、ファインメタルマスクを用いて形成するのではなく、均一な厚さの膜を成膜したのちに加工するため、パターン内の膜厚均一性に優れている。そのため、輝度が場所によって異なるなどのムラを低減することができ、歩留まりを向上させることができる。また、ファインメタルマスクを用いた方法と比較して、発光素子間の距離を小さくすることが可能となるため、開口率の高い表示装置を実現できる。さらに、発光素子のサイズの微細化が可能となるため、極めて高精細な表示装置を実現できる。

　さらに、隣接する発光素子間において、画素電極の端部を覆う絶縁層と、ＥＬ層の端部を覆う樹脂層とを有することで、隣接する発光素子間における電流のリークを防ぐことができる。これにより、リーク電流による意図しない発光を抑制できるため、色再現性、及びコントラストの高い表示装置を実現できる。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態２）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について説明する。

［画素のレイアウト］
　本実施の形態では、主に、図１Ａとは異なる画素レイアウトについて説明する。画素が有する発光素子（発光デバイス）の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。発光素子の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などが挙げられる。

　本実施の形態で図に示す発光素子の上面形状は、発光領域（または受光領域）の上面形状に相当する。

　なお、発光素子の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。

　また、画素を構成する回路レイアウトは、図に示す発光素子の範囲に限定されず、その外側に配置されていてもよい。すなわち、回路の配列と、発光素子の配列とは必ずしも同じ必要はなく、異なる配列方法とすることができる。例えば、回路の配列をストライプ配列とし、発光素子の配列をＳストライプ配列とすることもできる。

　図１７Ａに示す画素１１０には、Ｓストライプ配列が適用されている。図１７Ａに示す画素１１０は、発光素子１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの、３つの発光素子から構成される。

　図１７Ｂに示す画素１１０は、角が丸い略台形の上面形状を有する発光素子１１０ａと、角が丸い略三角形の上面形状を有する発光素子１１０ｂと、角が丸い略四角形または略六角形の上面形状を有する発光素子１１０ｃと、を有する。また、発光素子１１０ａは、発光素子１１０ｂよりも発光面積が広い。このように、各発光素子の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光素子ほど、サイズを小さくすることができる。

　図１７Ｃに示す画素１２４ａ、１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図１７Ｃでは、発光素子１１０ａ及び発光素子１１０ｂを有する画素１２４ａと、発光素子１１０ｂ及び発光素子１１０ｃを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。

　図１７Ｄ乃至図１７Ｆに示す画素１２４ａ、１２４ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの発光素子（発光素子１１０ａ、１１０ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの発光素子（発光素子１１０ｃ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの発光素子（発光素子１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの発光素子（発光素子１１０ａ、１１０ｂ）を有する。

　図１７Ｄは、各発光素子が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図１７Ｅは、各発光素子が、円形の上面形状を有する例であり、図１７Ｆは、各発光素子が、角が丸い略六角形の上面形状を有する例である。

　図１７Ｆでは、各発光素子が、最密に配列した六角形の領域の内側に配置されている。各発光素子は、その１つの発光素子に着目したとき、６つの発光素子に囲まれるように、配置されている。また、同じ色の光を呈する発光素子が隣り合わないように設けられている。例えば、発光素子１１０ａに着目したとき、これを囲むように３つの発光素子１１０ｂと３つの発光素子１１０ｃが、交互に配置されるように、それぞれの発光素子が設けられている。

　図１７Ｇは、各色の発光素子がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、列方向に並ぶ２つの発光素子（例えば、発光素子１１０ａと発光素子１１０ｂ、または、発光素子１１０ｂと発光素子１１０ｃ）の上辺の位置がずれている。

　図１７Ａ乃至図１７Ｇに示す各画素において、例えば、発光素子１１０ａを赤色の光を呈する発光素子Ｒとし、発光素子１１０ｂを緑色の光を呈する発光素子Ｇとし、発光素子１１０ｃを青色の光を呈する発光素子Ｂとすることが好ましい。なお、発光素子の構成はこれに限定されず、発光素子が呈する色とその並び順は適宜決定することができる。例えば、発光素子１１０ｂを赤色の光を呈する発光素子Ｒとし、発光素子１１０ａを緑色の光を呈する発光素子Ｇとしてもよい。

　フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、発光素子の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。

　さらに、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、レジストマスクを用いてＥＬ層を島状に加工する。ＥＬ層上に形成したレジスト膜は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、ＥＬ層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、ＥＬ層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、ＥＬ層の上面形状が円形になることがある。

　なお、ＥＬ層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。

　図１８Ａ乃至図１８Ｉに示すように、画素は発光素子を４種類有する構成とすることができる。

　図１８Ａ乃至図１８Ｃに示す画素１１０は、ストライプ配列が適用されている。

　図１８Ａは、各発光素子が、長方形の上面形状を有する例であり、図１８Ｂは、各発光素子が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図１８Ｃは、各発光素子が、楕円形の上面形状を有する例である。

　図１８Ｄ乃至図１８Ｆに示す画素１１０は、マトリクス配列が適用されている。

　図１８Ｄは、各発光素子が、正方形の上面形状を有する例であり、図１８Ｅは、各発光素子が、角が丸い略正方形の上面形状を有する例であり、図１８Ｆは、各発光素子が、円形の上面形状を有する例である。

　図１８Ｇ及び図１８Ｈでは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。

　図１８Ｇに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの発光素子（発光素子１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、１つの発光素子（発光素子１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、発光素子１１０ａを有し、中央の列（２列目）に発光素子１１０ｂを有し、右の列（３列目）に発光素子１１０ｃを有し、さらに、この３列にわたって、発光素子１１０ｄを有する。

　図１８Ｈに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの発光素子（発光素子１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、３つの発光素子１１０ｄを有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、発光素子１１０ａ及び発光素子１１０ｄを有し、中央の列（２列目）に発光素子１１０ｂ及び発光素子１１０ｄを有し、右の列（３列目）に発光素子１１０ｃ及び発光素子１１０ｄを有する。図１８Ｈに示すように、上の行と下の行との発光素子の配置を揃える構成とすることで、製造プロセスで生じうるゴミなどを効率よく除去することが可能となる。したがって、表示品位の高い表示装置を提供することができる。

　図１８Ｉでは、１つの画素１１０が、３行２列で構成されている例を示す。

　図１８Ｉに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、発光素子１１０ａを有し、中央の行（２行目）に、発光素子１１０ｂを有し、１行目から２行目にわたって発光素子１１０ｃを有し、下の行（３行目）に、１つの発光素子（発光素子１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、発光素子１１０ａ、１１０ｂを有し、右の列（２列目）に発光素子１１０ｃを有し、さらに、この２列にわたって、発光素子１１０ｄを有する。

　図１８Ａ乃至図１８Ｉに示す画素１１０は、発光素子１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄの、４つの発光素子から構成される。

　発光素子１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄは、それぞれ発光色の異なる構成とすることができる。発光素子１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄとしては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の発光素子、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の発光素子、または、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の発光素子などが挙げられる。

　図１８Ａ乃至図１８Ｉに示す各画素１１０において、例えば、発光素子１１０ａを赤色の光を呈する発光素子（Ｒ）とし、発光素子１１０ｂを緑色の光を呈する発光素子（Ｇ）とし、発光素子１１０ｃを青色の光を呈する発光素子（Ｂ）とし、発光素子１１０ｄを白色の光を呈する発光素子（Ｗ）、黄色の光を呈する発光素子（Ｙ）、または近赤外光を呈する発光素子（ＩＲ）のいずれかとすることが好ましい。このような構成とする場合、図１８Ｇ及び図１８Ｈに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。また、図１８Ｉに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。

　また、画素１１０は、受光素子（受光デバイス）を有していてもよい。

　図１８Ａ乃至図１８Ｉに示す各画素１１０において、発光素子１１０ａ乃至発光素子１１０ｄのいずれか一つを、受光素子としてもよい。

　図１８Ａ乃至図１８Ｉに示す各画素１１０において、例えば、発光素子１１０ａを赤色の光を呈する発光素子（Ｒ）とし、発光素子１１０ｂを緑色の光を呈する発光素子（Ｇ）とし、発光素子１１０ｃを青色の光を呈する発光素子（Ｂ）とし、発光素子１１０ｄを、受光素子（Ｓ）とすることが好ましい。このような構成とする場合、図１８Ｇ及び図１８Ｈに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。また、図１８Ｉに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。

　受光素子が検出する光の波長は特に限定されない。受光素子は、可視光及び赤外光の一方または双方を検出する構成とすることができる。

　図１８Ｊ及び図１８Ｋに示すように、画素は発光素子を５種類有する構成とすることができる。

　図１８Ｊでは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。

　図１８Ｊに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの発光素子（発光素子１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの発光素子（発光素子１１０ｄ、１１０ｅ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、発光素子１１０ａ、１１０ｄを有し、中央の列（２列目）に発光素子１１０ｂを有し、右の列（３列目）に発光素子１１０ｃを有し、さらに、２列目から３列目にわたって、発光素子１１０ｅを有する。

　図１８Ｋでは、１つの画素１１０が、３行２列で構成されている例を示す。

　図１８Ｋに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、発光素子１１０ａを有し、中央の行（２行目）に、発光素子１１０ｂを有し、１行目から２行目にわたって発光素子１１０ｃを有し、下の行（３行目）に、２つの発光素子（発光素子１１０ｄ、１１０ｅ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、発光素子１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｄを有し、右の列（２列目）に発光素子１１０ｃ、１１０ｅを有する。

　図１８Ｊ及び図１８Ｋに示す各画素１１０において、例えば、発光素子１１０ａを赤色の光を呈する発光素子（Ｒ）とし、発光素子１１０ｂを緑色の光を呈する発光素子（Ｇ）とし、発光素子１１０ｃを青色の光を呈する発光素子（Ｂ）とすることが好ましい。このような構成とする場合、図１８Ｊに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。また、図１８Ｋに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。

　また、図１８Ｊ及び図１８Ｋに示す各画素１１０において、例えば、発光素子１１０ｄと発光素子１１０ｅのうち、いずれか一方または両方に、受光素子Ｓを適用してもよい。発光素子１１０ｄと発光素子１１０ｅの両方に受光素子を用いる場合、受光素子の構成が互いに異なっていてもよい。例えば、互いに検出する光の波長域が少なくとも一部が異なっていてもよい。具体的には、２つの受光素子のうち、一方は主に可視光を検出し、他方は主に赤外光を検出してもよい。

　また、図１８Ｊ及び図１８Ｋに示す各画素１１０において、例えば、発光素子１１０ｄと発光素子１１０ｅのうち、いずれか一方に、受光素子Ｓを適用し、他方に、光源として用いることが可能な発光素子を適用することが好ましい。例えば、赤外光を呈する発光素子ＩＲと、赤外光を検出する受光素子を有する構成とすることが好ましい。

　発光素子Ｒ、発光素子Ｇ、発光素子Ｂ、発光素子ＩＲ、及び受光素子Ｓを有する画素では、発光素子Ｒ、発光素子Ｇ、発光素子Ｂを用いて画像を表示しながら、発光素子ＩＲを光源として用いて、受光素子Ｓにて発光素子ＩＲが発する赤外光の反射光を検出することができる。

　以上のように、本発明の一態様の表示装置は、発光素子を有する画素について、様々なレイアウトを適用することができる。また、本発明の一態様の表示装置は、画素に発光素子と受光素子との双方を有する構成を適用することができる。この場合においても、様々なレイアウトを適用することができる。

（実施の形態３）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図面を用いて説明する。

　本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。例えば、本発明の一態様の表示装置は、腕時計型、及び、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器などの頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。

［表示モジュール］
　図１９Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置２００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示パネルは表示装置２００Ａに限られず、後述する表示装置２００Ｂ乃至表示装置２００Ｆのいずれかであってもよい。

　表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、画像を表示する領域である。

　図１９Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

　画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図１９Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａは、赤色の光を発する発光素子１１０Ｒ、緑色の光を発する発光素子１１０Ｇ、及び、青色の光を発する発光素子１１０Ｂを有する。

　画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する３つの発光デバイスの発光を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａには、１つの発光デバイスの発光を制御する回路が３つ設けられる構成としてもよい。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量素子と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースにはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示パネルが実現されている。

　回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。また、回路部２８２に設けられるトランジスタが画素回路２８３ａの一部を構成してもよい。すなわち、画素回路２８３ａが、画素回路部２８３が有するトランジスタと、回路部２８２が有するトランジスタと、により構成されていてもよい。

　ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号及び電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。

　表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方または双方が重ねて設けられた構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。

　このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、またはメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

［表示装置２００Ａ］
　図２０に示す表示装置２００Ａは、基板３０１、発光素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。

　基板３０１は、図１９Ａ及び図１９Ｂにおける基板２９１に相当する。

　トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソースまたはドレインの一方として機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。

　また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。

　また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。

　容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。

　導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。

　容量２４０を覆って、絶縁層２５５ａが設けられ、絶縁層２５５ａ上に絶縁層２５５ｂが設けられ、絶縁層２５５ｂ上に絶縁層２５５ｃが設けられている。

　絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃには、それぞれ無機絶縁膜を好適に用いることができる。例えば、絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃに酸化シリコン膜を用い、絶縁層２５５ｂに窒化シリコン膜を用いることが好ましい。これにより、絶縁層２５５ｂは、エッチング保護膜として機能させることができる。本実施の形態では、絶縁層２５５ｃの一部がエッチングされ、凹部が形成されている例を示すが、絶縁層２５５ｃに凹部が設けられていなくてもよい。

　絶縁層２５５ｃ上に発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び、発光素子１１０Ｂが設けられている。発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び、発光素子１１０Ｂの構成は、実施の形態１を参照できる。

　表示装置２００Ａは、発光色ごとに、発光デバイスを作り分けているため、低輝度での発光と高輝度での発光で色度の変化が小さい。また、ＥＬ層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂがそれぞれ離隔しているため、高精細な表示パネルであっても、隣接する副画素間におけるクロストークの発生を抑制することができる。したがって、高精細であり、かつ、表示品位の高い表示パネルを実現することができる。

　隣り合う発光素子の間の領域には、絶縁層１３５、絶縁層１２５、及び樹脂層１２６が設けられる。絶縁層１３５は、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの端部を覆って設けられている。絶縁層１２５と樹脂層１２６とは、絶縁層１３５上に設けられ、且つ各ＥＬ層の端部を覆って設けられている。

　発光素子の画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び、画素電極１１１Ｂは、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び、絶縁層２５５ｃに埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２５５ｃの上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致または概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。

　また、発光素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、及び１１０Ｂ上には保護層１２１が設けられている。保護層１２１上には、接着層１７１によって基板１７０が貼り合わされている。

［表示装置２００Ｂ］
　図２１に示す表示装置２００Ｂは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。なお、以降の表示パネルの説明では、先に説明した表示パネルと同様の部分については説明を省略することがある。

　表示装置２００Ｂは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０、発光デバイスが設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。

　ここで、基板３０１Ｂの下面に絶縁層３４５が設けられ、基板３０１Ａ上に設けられた絶縁層２６１の上には絶縁層３４６を設けられている。絶縁層３４５、３４６は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂ及び基板３０１Ａに不純物が拡散することを抑制することができる。絶縁層３４５、３４６としては、保護層１２１または絶縁層３３２に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

　基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂ及び絶縁層３４５を貫通するプラグ３４３が設けられる。ここで、プラグ３４３の側面を覆って、保護層として機能する絶縁層３４４を設けることが好ましい。

　また、基板３０１Ｂは、絶縁層３４５の下側に、導電層３４２が設けられる。導電層３４２は、絶縁層３３５に埋め込まれており、導電層３４２と絶縁層３３５の下面は平坦化されている。また、導電層３４２はプラグ３４３と電気的に接続されている。

　一方、基板３０１Ａには、絶縁層３４６上に導電層３４１が設けられている。導電層３４１は、絶縁層３３６に埋め込まれており、導電層３４１と絶縁層３３６の上面は平坦化されている。

　導電層３４１及び導電層３４２としては、同じ導電材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１及び導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。

［表示装置２００Ｃ］
　図２２に示す表示装置２００Ｃは、導電層３４１と導電層３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成を有する。

　図２２に示すように、導電層３４１と導電層３４２の間にバンプ３４７を設けることで、導電層３４１と導電層３４２を電気的に接続することができる。バンプ３４７は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）などを含む導電材料を用いて形成することができる。また例えば、バンプ３４７として半田を用いる場合がある。また、絶縁層３４５と絶縁層３４６の間に、接着層３４８を設けてもよい。また、バンプ３４７を設ける場合、絶縁層３３５及び絶縁層３３６を設けない構成にしてもよい。

［表示装置２００Ｄ］
　図２３に示す表示装置２００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置２００Ａと主に相違する。

　トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタ（ＯＳトランジスタ）である。

　トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を有する。

　基板３３１は、図１９Ａ及び図１９Ｂにおける基板２９１に相当する。

　基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３３２は、基板３３１から水または水素などの不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリコン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

　絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。

　半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を示す金属酸化物（酸化物半導体ともいう）膜を有することが好ましい。一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。

　半導体層３２１がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：２：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５等が挙げられる。

　また、スパッタリングターゲットとしては、多結晶の酸化物を含むターゲットを用いると、結晶性を有する半導体層３２１を形成しやすくなるため好ましい。なお、成膜される半導体層３２１の原子数比は、上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。例えば、半導体層３２１に用いるスパッタリングターゲットの組成がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］の場合、成膜される半導体層３２１の組成は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］の近傍となる場合がある。

　また、半導体層３２１は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上である。このように、シリコンよりもエネルギーギャップの広い金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。

　また、半導体層３２１は、非単結晶構造であると好ましい。非単結晶構造は、例えば、後述するＣＡＡＣ構造、多結晶構造、微結晶構造、または非晶質構造を含む。非単結晶構造において、非晶質構造は最も欠陥準位密度が高く、ＣＡＡＣ構造は最も欠陥準位密度が低い。

　以下では、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ　ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌ）について説明する。ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表す。

　ＣＡＡＣ構造とは、複数のナノ結晶（最大径が１０ｎｍ未満である結晶領域）を有する薄膜などの結晶構造の一つであり、各ナノ結晶はｃ軸が特定の方向に配向し、かつａ軸及びｂ軸は配向性を有さずに、ナノ結晶同士が粒界を形成することなく連続的に連結しているといった特徴を有する結晶構造である。特にＣＡＡＣ構造を有する薄膜は、各ナノ結晶のｃ軸が、薄膜の厚さ方向、被形成面の法線方向、または薄膜の表面の法線方向に配向しやすいといった特徴を有する。

　ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）は結晶性の高い酸化物半導体である。一方、ＣＡＡＣ−ＯＳは、明確な結晶粒界を確認することはできないため、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、酸化物半導体の結晶性は不純物の混入、欠陥の生成などによって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ−ＯＳは不純物及び欠陥（酸素欠損など）の少ない酸化物半導体ともいえる。従って、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は熱に強く、信頼性が高い。

　ここで、結晶学において、単位格子を構成するａ軸、ｂ軸、及びｃ軸の３つの軸（結晶軸）について、特異的な軸をｃ軸とした単位格子を取ることが一般的である。特に層状構造を有する結晶では、層の面方向に平行な２つの軸をａ軸及びｂ軸とし、層に交差する軸をｃ軸とすることが一般的である。このような層状構造を有する結晶の代表的な例として、六方晶系に分類されるグラファイトがあり、その単位格子のａ軸及びｂ軸は劈開面に平行であり、ｃ軸は劈開面に直交する。例えば層状構造であるＹｂＦｅ_２Ｏ_４型の結晶構造をとるＩｎＧａＺｎＯ_４の結晶は六方晶系に分類することができ、その単位格子のａ軸及びｂ軸は層の面方向に平行となり、ｃ軸は層（すなわちａ軸及びｂ軸）に直交する。

　微結晶構造を有する酸化物半導体膜（微結晶酸化物半導体膜）は、ＴＥＭによる観察像では、明確に結晶部を確認することができない場合がある。微結晶酸化物半導体膜に含まれる結晶部は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、または１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の大きさであることが多い。特に、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、または１ｎｍ以上３ｎｍ以下の微結晶であるナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）を有する酸化物半導体膜を、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜と呼ぶ。また、ｎｃ−ＯＳ膜は、例えば、ＴＥＭによる観察像では、結晶粒界を明確に確認できない場合がある。

　ｎｃ−ＯＳ膜は、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ−ＯＳ膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。従って、ｎｃ−ＯＳ膜は、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体膜と区別が付かない場合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、結晶部よりも大きい径のＸ線を用いるＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、結晶面を示すピークが検出されない。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、結晶部よりも大きいプローブ径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子線回折（制限視野電子線回折ともいう。）を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、結晶部の大きさと近いか結晶部より小さいプローブ径（例えば１ｎｍ以上３０ｎｍ以下）の電子線を用いる電子線回折（ナノビーム電子線回折ともいう。）を行うと、円を描くように（リング状に）輝度の高い領域が観測され、当該リング状の領域内に複数のスポットが観測される場合がある。

　ｎｃ−ＯＳ膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低い。ただし、ｎｃ−ＯＳ膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、ｎｃ−ＯＳ膜は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜と比べて欠陥準位密度が高くなる。従って、ｎｃ−ＯＳ膜はＣＡＡＣ−ＯＳ膜と比べて、キャリア密度が高く、電子移動度が高くなる場合がある。従って、ｎｃ−ＯＳ膜を用いたトランジスタは、高い電界効果移動度を示す場合がある。

　ｎｃ−ＯＳ膜は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜と比較して、成膜時の酸素流量比を小さくすることで形成することができる。また、ｎｃ−ＯＳ膜は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜と比較して、成膜時の基板温度を低くすることでも形成することができる。例えば、ｎｃ−ＯＳ膜は、基板温度を比較的低温（例えば１３０℃以下の温度）とした状態、または基板を加熱しない状態でも成膜することができるため、大型のガラス基板、または樹脂基板などを使う場合に適しており、生産性を高めることができる。

　一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水または水素などの不純物が拡散すること、及び半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部に、半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。

　導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが一致または概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられている。

　絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水または水素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９としては、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、及び絶縁層２６４に埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。

［表示装置２００Ｅ］
　図２４に示す表示装置２００Ｅは、それぞれチャネルが形成される半導体に酸化物半導体を有するトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。

　トランジスタ３２０Ａ、トランジスタ３２０Ｂ、及びその周辺の構成については、上記表示装置２００Ｄを参照することができる。

　なお、ここでは、酸化物半導体を有するトランジスタを２つ積層する構成としたが、これに限られない。例えば３つ以上のトランジスタを積層する構成としてもよい。

［表示装置２００Ｆ］
　図２５に示す表示装置２００Ｆは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。

　トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられている。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。

　トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

　このような構成とすることで、発光デバイスの直下に画素回路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示パネルを小型化することが可能となる。

　図２０乃至図２５では、絶縁層１３５に有機樹脂を用いた場合の例を示したが、無機絶縁材料を用いることもできる。図２６乃至図３１には、絶縁層１３５に無機絶縁材料を用いた場合の例を示す。

（実施の形態４）
　本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置に用いることができる発光素子（発光デバイスともいう）について説明する。

　本明細書等において、発光デバイス（発光素子ともいう）は、一対の電極間にＥＬ層を有する。ＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。ここで、ＥＬ層が有する層（機能層ともいう）としては、発光層、キャリア注入層（正孔注入層及び電子注入層）、キャリア輸送層（正孔輸送層及び電子輸送層）、及び、キャリアブロック層（正孔ブロック層及び電子ブロック層）などが挙げられる。

　本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いないデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。

　なお、本明細書等において、各色の発光デバイス（ここでは青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））で、発光層を作り分ける、または発光層を塗り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。ＳＢＳ構造は、発光デバイスごとに材料及び構成を最適化することができるため、材料及び構成の選択の自由度が高まり、輝度の向上及び信頼性の向上を図ることが容易となるまた、本明細書等において、白色光を発することのできる発光デバイスを白色発光デバイスと呼ぶ場合がある。なお、白色発光デバイスは、着色層（たとえば、カラーフィルタ）と組み合わせることで、フルカラー表示の表示装置とすることができる。

　本明細書等において、正孔または電子を、「キャリア」といって示す場合がある。具体的には、正孔注入層または電子注入層を「キャリア注入層」といい、正孔輸送層または電子輸送層を「キャリア輸送層」といい、正孔ブロック層または電子ブロック層を「キャリアブロック層」という場合がある。なお、上述のキャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層は、それぞれ、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。また、１つの層が、キャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層のうち２つまたは３つの機能を兼ねる場合がある。

［発光デバイス］
　発光デバイスは、シングル構造と、タンデム構造とに大別することができる。シングル構造のデバイスは、一対の電極間に１つの発光ユニットを有する。当該発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とする。シングル構造で白色発光を得るには、２以上の発光層の各々の発光により無彩色を作ることのできるような発光層を選択すればよい。例えば２色の場合、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する構成を得ることができる。また、３以上の発光層を用いて白色発光を得る場合、３以上の発光層のそれぞれの発光色が合わさることで、発光デバイス全体として白色発光することができる構成とすればよい。

　タンデム構造のデバイスは、一対の電極間に複数の発光ユニットを有する。各発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とする。各発光ユニットにおいて、同じ色の光を発する発光層を用いることで、所定の電流当たりの輝度が高められ、且つ、シングル構造と比較して信頼性の高い発光デバイスとすることができる。タンデム構造で白色発光を得るには、複数の発光ユニットの発光層からの光を合わせて白色発光が得られる構成とすればよい。なお、白色発光が得られる発光色の組み合わせについては、シングル構造の構成と同様である。なお、タンデム構造のデバイスにおいて、複数の発光ユニットの間には、電荷発生層などの中間層を設けると好適である。

　白色発光デバイスと、ＳＢＳ構造の発光デバイスと、を比較した場合、ＳＢＳ構造の発光デバイスは、白色発光デバイスよりも消費電力を低くすることができる。一方で、白色発光デバイスは、製造プロセスがＳＢＳ構造の発光デバイスよりも簡単であるため、製造コストを低く、さらには製造歩留まりを高くすることができる。

　図３２Ａに示すように、発光デバイスは、一対の電極（下部電極７６１及び上部電極７６２）の間に、ＥＬ層７６３を有する。ＥＬ層７６３は、層７８０、発光層７７１、及び、層７９０などの複数の層で構成することができる。

　発光層７７１は、少なくとも発光物質（発光材料ともいう）を有する。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０は、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）、及び、電子ブロック性の高い物質を含む層（電子ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。また、層７９０は、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）、及び、正孔ブロック性の高い物質を含む層（正孔ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０と層７９０は互いに上記と逆の構成になる。

　一対の電極間に設けられた層７８０、発光層７７１、及び層７９０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では図３２Ａの構成をシングル構造と呼ぶ。

　また、図３２Ｂは、図３２Ａに示す発光デバイスが有するＥＬ層７６３の変形例である。具体的には、図３２Ｂに示す発光デバイスは、下部電極７６１上の層７８１と、層７８１上の層７８２と、層７８２上の発光層７７１と、発光層７７１上の層７９１と、層７９１上の層７９２と、層７９２上の上部電極７６２と、を有する。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８１を正孔注入層、層７８２を正孔輸送層、層７９１を電子輸送層、層７９２を電子注入層とすることができる。また、下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８１を電子注入層、層７８２を電子輸送層、層７９１を正孔輸送層、層７９２を正孔注入層とすることができる。このような層構造とすることで、発光層７７１に効率よくキャリアを注入し、発光層７７１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることができる。

　なお、図３２Ｃ及び図３２Ｄに示すように、層７８０と層７９０との間に複数の発光層（発光層７７１、７７２、７７３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。なお、図３２Ｃ及び図３２Ｄでは、発光層を３層有する例を示すが、シングル構造の発光デバイスにおける発光層は、２層であってもよく、４層以上であってもよい。

　また、シングル構造の発光デバイスは、２つの発光層の間に、バッファ層を有していてもよい。バッファ層は、例えば、正孔輸送層または電子輸送層に用いることができる材料を用いて形成することができる。

　また、図３２Ｅ及び図３２Ｆに示すように、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂ）が電荷発生層７８５（中間層ともいう）を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。また、タンデム構造は、シングル構造と比べて、同じ輝度を得るために必要な電流を低減できるため、信頼性を高めることができる。

　なお、図３２Ｄ及び図３２Ｆは、表示装置が、発光デバイスと重なる層７６４を有する例である。図３２Ｄは、層７６４が、図３２Ｃに示す発光デバイスと重なる例であり、図３２Ｆは、層７６４が、図３２Ｅに示す発光デバイスと重なる例である。図３２Ｄ及び図３２Ｆでは、上部電極７６２側に光を取り出すため、上部電極７６２には、可視光を透過する導電膜を用いる。

　層７６４としては、色変換層及びカラーフィルタ（着色層）の一方または双方を用いることができる。

　図３２Ｃ及び図３２Ｄにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。例えば、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、青色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素においては、発光デバイスが発する青色の光を取り出すことができる。また、赤色の光を呈する副画素及び緑色の光を呈する副画素においては、図３２Ｄに示す層７６４として色変換層を設けることで、発光デバイスが発する青色の光をより長波長の光に変換し、赤色または緑色の光を取り出すことができる。また、層７６４としては、色変換層と着色層との双方を用いることが好ましい。発光デバイスが発する光の一部は、色変換層で変換されずにそのまま透過してしまうことがある。色変換層を透過した光を、着色層を介して取り出すことで、所望の色の光以外を着色層で吸収し、副画素が呈する光の色純度を高めることができる。

　また、図３２Ｃ及び図３２Ｄにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、それぞれ異なる色の光を発する発光物質を用いてもよい。発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３がそれぞれ発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。例えば、シングル構造の発光デバイスは、青色の光を発する発光物質を有する発光層、及び、青色よりも長波長の可視光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。

　図３２Ｄに示す層７６４として、カラーフィルタを設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。

　例えば、シングル構造の発光デバイスが３層の発光層を有する場合、赤色（Ｒ）の光を発する発光物質を有する発光層、緑色（Ｇ）の光を発する発光物質を有する発光層、及び、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。発光層の積層順としては、陽極側から、Ｒ、Ｇ、Ｂ、または、陽極側からＲ、Ｂ、Ｇなどとすることができる。このとき、ＲとＧまたはＢとの間にバッファ層が設けられていてもよい。

　また、例えば、シングル構造の発光デバイスが２層の発光層を有する場合、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層、及び、黄色（Ｙ）の光を発する発光物質を有する発光層を有する構成が好ましい。当該構成をＢＹシングル構造と呼称する場合がある。

　白色の光を発する発光デバイスは、２種類以上の発光物質を含むことが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光物質の各々の発光により無彩色が得られるような発光物質を選択すればよい。例えば、２色の場合、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることができる。また、３以上の発光層を用いて白色発光を得る場合、３以上の発光層のそれぞれの発光色が合わさることで、発光デバイス全体として白色発光することができる構成とすればよい。

　なお、図３２Ｃ、図３２Ｄにおいても、図３２Ｂに示すように、層７８０と、層７９０とを、それぞれ独立に、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。

　また、図３２Ｅ及び図３２Ｆにおいて、発光層７７１と、発光層７７２とに、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。例えば、各色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ青色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素においては、発光デバイスが発する青色の光を取り出すことができる。また、赤色の光を呈する副画素及び緑色の光を呈する副画素においては、図３２Ｆに示す層７６４として色変換層を設けることで、発光デバイスが発する青色の光をより長波長の光に変換し、赤色または緑色の光を取り出すことができる。また、層７６４としては、色変換層と着色層との双方を用いることが好ましい。

　また、図３２Ｅ及び図３２Ｆにおいて、発光層７７１と、発光層７７２とに、異なる色の光を発する発光物質を用いてもよい。発光層７７１が発する光と、発光層７７２が発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図３２Ｆに示す層７６４として、カラーフィルタを設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。

　なお、図３２Ｅ及び図３２Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａが１層の発光層７７１を有し、発光ユニット７６３ｂが１層の発光層７７２を有する例を示すが、これに限られない。発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂは、それぞれ、２層以上の発光層を有していてもよい。

　また、図３２Ｅ及び図３２Ｆでは、発光ユニットを２つ有する発光デバイスを例示したが、これに限られない。発光デバイスは、発光ユニットを３つ以上有していてもよい。なお、発光ユニットを２つ有する構成を２段タンデム構造と、発光ユニットを３つ有する構成を３段タンデム構造と、それぞれ呼称してもよい。

　また、図３２Ｅ及び図３２Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａ、発光層７７１、及び、層７９０ａを有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂ、発光層７７２、及び、層７９０ｂを有する。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０ａ及び層７８０ｂは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、及び、電子ブロック層のうち一つまたは複数を有する。また、層７９０ａ及び層７９０ｂは、それぞれ、電子注入層、電子輸送層、及び、正孔ブロック層のうち一つまたは複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０ａと層７９０ａは互いに上記と逆の構成になり、層７８０ｂと層７９０ｂも互いに上記と逆の構成になる。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８０ａは、正孔注入層と、正孔注入層上の正孔輸送層と、を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ａは、電子輸送層を有し、さらに、発光層７７１と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７８０ｂは、正孔輸送層を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ｂは、電子輸送層と、電子輸送層上の電子注入層と、を有し、さらに、発光層７７２と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有していてもよい。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、例えば、層７８０ａは、電子注入層と、電子注入層上の電子輸送層と、を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ａは、正孔輸送層を有し、さらに、発光層７７１と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７８０ｂは、電子輸送層を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ｂは、正孔輸送層と、正孔輸送層上の正孔注入層と、を有し、さらに、発光層７７２と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有していてもよい。

　また、タンデム構造の発光デバイスを作製する場合、２つの発光ユニットは、電荷発生層７８５を介して積層される。電荷発生層７８５は、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生層７８５は、一対の電極間に電圧を印加したときに、２つの発光ユニットの一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。

　また、タンデム構造の発光デバイスの一例として、図３３Ａ乃至図３３Ｃに示す構成が挙げられる。

　図３３Ａは、発光ユニットを３つ有する構成である。図３３Ａでは、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、及び発光ユニット７６３ｃ）がそれぞれ電荷発生層７８５を介して、直列に接続されている。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２と、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。なお、層７８０ｃは、層７８０ａ及び層７８０ｂに適用可能な構成を用いることができ、層７９０ｃは、層７９０ａ及び層７９０ｂに適用可能な構成を用いることができる。

　図３３Ａにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３は、同じ色の光を発する発光物質を有することができる。具体的には、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、いずれも青色（Ｂ）の発光物質を有する構成（いわゆるＢ＼Ｂ＼Ｂの３段タンデム構造）とすることができる。なお、「ａ＼ｂ」は、ａの光を発する発光物質を有する発光ユニット上に、電荷発生層を介して、ｂの光を発する発光物質を有する発光ユニットが設けられていることを意味し、ａ、ｂは、色を意味する。

　また、図３３Ａにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３のうち、一部または全てに異なる色の光を発する発光物質を用いてもよい。発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３の発光色の組み合わせは、例えば、いずれか２つが青色（Ｂ）、残りの一つが黄色（Ｙ）の構成、並びに、いずれか一つが赤色（Ｒ）、他の一つが緑色（Ｇ）、残りの一つが青色（Ｂ）の構成が挙げられる。

　なお、それぞれ同じ色の光を発する発光物質としては、上記の構成に限定されない。例えば、図３３Ｂに示すように、複数の発光層を有する発光ユニットを積層したタンデム型の発光デバイスとしてもよい。図３３Ｂは、２つの発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、及び発光ユニット７６３ｂ）が電荷発生層７８５を介して直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃと、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有する。

　図３３Ｂにおいては、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃについて、補色の関係となる発光物質を選択し、発光ユニット７６３ａを白色発光（Ｗ）が可能な構成とする。また、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃについても、補色の関係となる発光物質を選択し、発光ユニット７６３ｂを白色発光（Ｗ）が可能な構成とする。すなわち、図３３Ｂに示す構成は、Ｗ＼Ｗの２段タンデム構造である。なお、補色の関係となる発光物質の積層順については、特に限定はない。実施者が適宜最適な積層順を選択することができる。また、図示しないが、Ｗ＼Ｗ＼Ｗの３段タンデム構造、または４段以上のタンデム構造としてもよい。

　また、タンデム構造の発光デバイスを用いる場合、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＢ＼ＹまたはＹ＼Ｂの２段タンデム構造、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＲ・Ｇ＼ＢまたはＢ＼Ｒ・Ｇの２段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｙ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｇ＼Ｂの３段タンデム構造などが挙げられる。なお、「ａ・ｂ」は、１つの発光ユニットにａの光を発する発光物質とｂの光を発する発光物質とを有することを意味する。

　また、図３３Ｃに示すように、１つの発光層を有する発光ユニットと、複数の発光層を有する発光ユニットと、を組み合わせてもよい。

　具体的には、図３３Ｃに示す構成においては、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、及び発光ユニット７６３ｃ）がそれぞれ電荷発生層７８５を介して直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。

　例えば、図３３Ｃに示す構成において、発光ユニット７６３ａが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｂが赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｃが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットである、Ｂ＼Ｒ・Ｇ・ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造などを適用することができる。

　例えば、発光ユニットの積層数と色の順番としては、陽極側から、Ｂ、Ｙの２段構造、Ｂと発光ユニットＸとの２段構造、Ｂ、Ｙ、Ｂの３段構造、Ｂ、Ｘ、Ｂの３段構造が挙げられ、発光ユニットＸにおける発光層の積層数と色の順番としては、陽極側から、Ｒ、Ｙの２層構造、Ｒ、Ｇの２層構造、Ｇ、Ｒの２層構造、Ｇ、Ｒ、Ｇの３層構造、または、Ｒ、Ｇ、Ｒの３層構造などとすることができる。また、２つの発光層の間に他の層が設けられていてもよい。

　次に、発光デバイスに用いることができる材料について説明する。

　下部電極７６１と上部電極７６２のうち、光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。また、表示装置が赤外光を発する発光デバイスを有する場合には、光を取り出す側の電極には、可視光及び赤外光を透過する導電膜を用い、光を取り出さない側の電極には、可視光及び赤外光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

　また、光を取り出さない側の電極にも可視光を透過する導電膜を用いてもよい。この場合、反射層と、ＥＬ層７６３との間に当該電極を配置することが好ましい。つまり、ＥＬ層７６３の発光は、当該反射層によって反射されて、表示装置から取り出されてもよい。

　発光デバイスの一対の電極を形成する材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜用いることができる。当該材料としては、具体的には、アルミニウム、マグネシウム、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、亜鉛、インジウム、スズ、モリブデン、タンタル、タングステン、パラジウム、金、白金、銀、イットリウム、ネオジムなどの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金が挙げられる。また、当該材料としては、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、及びＩｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物などを挙げることができる。また、当該材料としては、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、並びに、銀とマグネシウムの合金、及び、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）等の銀を含む合金が挙げられる。その他、当該材料としては、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム、セシウム、カルシウム、ストロンチウム）、ユウロピウム、イッテルビウムなどの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等が挙げられる。

　発光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されていることが好ましい。したがって、発光デバイスが有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）を有することが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）を有することが好ましい。発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電極間で共振させ、発光デバイスから射出される光を強めることができる。

　なお、半透過・半反射電極は、反射電極として用いることができる導電層と、可視光に対する透過性を有する電極（透明電極ともいう）として用いることができる導電層と、の積層構造とすることができる。

　透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光デバイスの透明電極には、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０^−２Ωｃｍ以下が好ましい。

　発光デバイスは少なくとも発光層を有する。また、発光デバイスは、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子ブロック材料、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。例えば、発光デバイスは、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１層以上を有する構成とすることができる。

　発光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

　発光層は、１種または複数種の発光物質を有する。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。

　発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、及び量子ドット材料などが挙げられる。

　蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、及びナフタレン誘導体などが挙げられる。

　燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、及び希土類金属錯体等が挙げられる。

　発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物としては、正孔輸送性の高い物質（正孔輸送性材料）及び電子輸送性の高い物質（電子輸送性材料）の一方または双方を用いることができる。正孔輸送性材料としては、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い材料を用いることができる。電子輸送性材料としては、後述の、電子輸送層に用いることができる電子輸送性の高い物質を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。

　発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。

　正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。

　正孔輸送性材料としては、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い物質を用いることができる。

　アクセプター性材料としては、例えば、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、及び、酸化レニウムが挙げられる。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。また、フッ素を含む有機アクセプター性材料を用いることもできる。また、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、及び、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプター性材料を用いることもできる。

　例えば、正孔注入性の高い物質として、正孔輸送性材料と、上述の元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物（代表的には酸化モリブデン）とを含む材料を用いてもよい。

　正孔輸送層は、正孔注入層によって陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い物質が好ましい。

　電子ブロック層は、発光層に接して設けられる。電子ブロック層は、正孔輸送性を有し、かつ、電子をブロックすることが可能な材料を含む層である。電子ブロック層には、上記正孔輸送性材料のうち、電子ブロック性を有する材料を用いることができる。

　電子ブロック層は、正孔輸送性を有するため、正孔輸送層と呼ぶこともできる。また、正孔輸送層のうち、電子ブロック性を有する層を、電子ブロック層と呼ぶこともできる。

　電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電子を、発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他、含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い物質を用いることができる。

　正孔ブロック層は、発光層に接して設けられる。正孔ブロック層は、電子輸送性を有し、かつ、正孔をブロックすることが可能な材料を含む層である。正孔ブロック層には、上記電子輸送性材料のうち、正孔ブロック性を有する材料を用いることができる。

　正孔ブロック層は、電子輸送性を有するため、電子輸送層と呼ぶこともできる。また、電子輸送層のうち、正孔ブロック性を有する層を、正孔ブロック層と呼ぶこともできる。

　電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入性の高い物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い物質としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。

　また、電子注入性の高い物質のＬＵＭＯ準位は、陰極に用いる材料の仕事関数の値との差が小さい（具体的には０．５ｅＶ以下である）ことが好ましい。

　電子注入層には、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_ｘ、Ｘは任意数）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層は、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造としては、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設ける構成が挙げられる。

　電子注入層は、電子輸送性材料を有していてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも１つを有する化合物を用いることができる。

　なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位は、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

　例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、２，２’−（１，３−フェニレン）ビス（９−フェニル−１，１０−フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移点（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

　電荷発生層は、上述の通り、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生領域は、アクセプター性材料を含むことが好ましく、例えば、上述の正孔注入層に適用可能な、正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含むことが好ましい。

　また、電荷発生層は、電子注入性の高い物質を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子注入バッファ層と呼ぶこともできる。電子注入バッファ層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子注入バッファ層を設けることで、電荷発生領域と電子輸送層との間の注入障壁を緩和することができるため、電荷発生領域で生じた電子を電子輸送層に容易に注入することができる。

　電子注入バッファ層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むことが好ましく、例えば、アルカリ金属の化合物またはアルカリ土類金属の化合物を含む構成とすることができる。具体的には、電子注入バッファ層は、アルカリ金属と酸素とを含む無機化合物、または、アルカリ土類金属と酸素とを含む無機化合物を有することが好ましく、リチウムと酸素とを含む無機化合物（酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）など）を有することがより好ましい。その他、電子注入バッファ層には、上述の電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。

　電荷発生層は、電子輸送性の高い物質を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子リレー層と呼ぶこともできる。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層との間に設けられることが好ましい。電荷発生層が電子注入バッファ層を有さない場合、電子リレー層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層（または電子輸送層）との相互作用を防いで、電子をスムーズに受け渡す機能を有する。

　電子リレー層としては、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）などのフタロシアニン系の材料、または、金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

　なお、上述の電荷発生領域、電子注入バッファ層、及び電子リレー層は、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。

　なお、電荷発生層は、アクセプター性材料の代わりに、ドナー性材料を有していてもよい。例えば、電荷発生層としては、上述の電子注入層に適用可能な、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を有していてもよい。

　発光ユニットを積層する際、２つの発光ユニットの間に電荷発生層を設けることで、駆動電圧の上昇を抑制することができる。

（実施の形態５）
　本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図３４乃至図３６を用いて説明する。

　本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示パネル（表示装置）を有する。本発明の一態様の表示パネルは、高精細化及び高解像度化が容易であり、また、高い表示品位を実現できる。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

　電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。

　特に、本発明の一態様の表示パネルは、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。

　本発明の一態様の表示パネルは、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、またはそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示パネルにおける画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方または双方を有する表示パネルを用いることで、臨場感及び奥行き感などをより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の表示パネルの画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、表示パネルは、１：１（正方形）、４：３、１６：９、１６：１０など様々な画面比率に対応することができる。

　本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を検知、検出、または測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

　本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。

　図３４Ａ乃至図３４Ｄを用いて、頭部に装着可能なウェアラブル機器の一例を説明する。これらウェアラブル機器は、ＡＲのコンテンツを表示する機能、及びＶＲのコンテンツを表示する機能の一方または双方を有する。なお、これらウェアラブル機器は、ＡＲ、ＶＲの他に、ＳＲまたはＭＲのコンテンツを表示する機能を有していてもよい。電子機器が、ＡＲ、ＶＲ、ＳＲ、及びＭＲなどのうち少なくとも一つのコンテンツを表示する機能を有することで、使用者の没入感を高めることが可能となる。

　図３４Ａに示す電子機器７００Ａ、及び、図３４Ｂに示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示パネル７５１と、一対の筐体７２１と、通信部（図示しない）と、一対の装着部７２３と、制御部（図示しない）と、撮像部（図示しない）と、一対の光学部材７５３と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。

　表示パネル７５１には、本発明の一態様の表示パネルを適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。

　電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、光学部材７５３の表示領域７５６に、表示パネル７５１で表示した画像を投影することができる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域に表示された画像を見ることができる。したがって、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ＡＲ表示が可能な電子機器である。

　電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、撮像部として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロセンサなどの加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。

　通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により映像信号等を供給することができる。なお、無線通信機に代えて、または無線通信機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。

　また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、バッテリが設けられており、無線及び有線の一方または双方によって充電することができる。

　筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていてもよい。タッチセンサモジュールは、筐体７２１の外側の面がタッチされることを検出する機能を有する。タッチセンサモジュールにより、使用者のタップ操作またはスライド操作などを検出し、様々な処理を実行することができる。例えば、タップ操作によって動画の一時停止または再開などの処理を実行することが可能となり、スライド操作により、早送りまたは早戻しの処理を実行することなどが可能となる。また、２つの筐体７２１のそれぞれにタッチセンサモジュールを設けることで、操作の幅を広げることができる。

　タッチセンサモジュールとしては、様々なタッチセンサを適用することができる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、光学方式等、種々の方式を採用することができる。特に、静電容量方式または光学方式のセンサを、タッチセンサモジュールに適用することが好ましい。

　光学方式のタッチセンサを用いる場合には、受光デバイス（受光素子ともいう）として、光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）を用いることができる。光電変換デバイスの活性層には、無機半導体及び有機半導体の一方または双方を用いることができる。

　図３４Ｃに示す電子機器８００Ａ、及び、図３４Ｄに示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。

　表示部８２０には、本発明の一態様の表示パネルを適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。これにより、使用者に高い没入感を感じさせることができる。

　表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通して視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。

　電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、ＶＲ向けの電子機器ということができる。電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを装着した使用者は、レンズ８３２を通して、表示部８２０に表示される画像を視認することができる。

　電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。また、レンズ８３２と表示部８２０との距離を変えることで、ピントを調整する機構を有していることが好ましい。

　装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを頭部に装着することができる。なお、図３４Ｃなどにおいては、メガネのつる（テンプルなどともいう）のような形状として例示しているがこれに限定されない。装着部８２３は、使用者が装着できればよく、例えば、ヘルメット型またはバンド型の形状としてもよい。

　撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力することができる。撮像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、広角などの複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。

　なお、ここでは撮像部８２５を有する例を示したが、対象物の距離を測定することのできる測距センサ（以下、検知部ともよぶ）を設ければよい。すなわち、撮像部８２５は、検知部の一態様である。検知部としては、例えばイメージセンサ、または、ライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｒａｎｇｉｎｇ）などの距離画像センサを用いることができる。カメラによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを用いることにより、より多くの情報を取得し、より高精度なジェスチャー操作を可能とすることができる。

　電子機器８００Ａは、骨伝導イヤホンとして機能する振動機構を有していてもよい。例えば、表示部８２０、筐体８２１、及び装着部８２３のいずれか一または複数に、当該振動機構を有する構成を適用することができる。これにより、別途、ヘッドホン、イヤホン、またはスピーカなどの音響機器を必要とせず、電子機器８００Ａを装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。

　電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、入力端子を有していてもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、及び、電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続することができる。

　本発明の一態様の電子機器は、イヤホン７５０と無線通信を行う機能を有していてもよい。イヤホン７５０は、通信部（図示しない）を有し、無線通信機能を有する。イヤホン７５０は、無線通信機能により、電子機器から情報（例えば音声データ）を受信することができる。例えば、図３４Ａに示す電子機器７００Ａは、無線通信機能によって、イヤホン７５０に情報を送信する機能を有する。また、例えば、図３４Ｃに示す電子機器８００Ａは、無線通信機能によって、イヤホン７５０に情報を送信する機能を有する。

　また、電子機器がイヤホン部を有していてもよい。図３４Ｂに示す電子機器７００Ｂは、イヤホン部７２７を有する。例えば、イヤホン部７２７と制御部とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤホン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐体７２１または装着部７２３の内部に配置されていてもよい。

　同様に、図３４Ｄに示す電子機器８００Ｂは、イヤホン部８２７を有する。例えば、イヤホン部８２７と制御部８２４とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤホン部８２７と制御部８２４とをつなぐ配線の一部は、筐体８２１または装着部８２３の内部に配置されていてもよい。また、イヤホン部８２７と装着部８２３とがマグネットを有していてもよい。これにより、イヤホン部８２７を装着部８２３に磁力によって固定することができ、収納が容易となり好ましい。

　なお、電子機器は、イヤホンまたはヘッドホンなどを接続することができる音声出力端子を有していてもよい。また、電子機器は、音声入力端子及び音声入力機構の一方または双方を有していてもよい。音声入力機構としては、例えば、マイクなどの集音装置を用いることができる。電子機器が音声入力機構を有することで、電子機器に、いわゆるヘッドセットとしての機能を付与してもよい。

　このように、本発明の一態様の電子機器としては、メガネ型（電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂなど）と、ゴーグル型（電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂなど）と、のどちらも好適である。

　図３５Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。

　電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。

　表示部６５０２に、本発明の一態様の表示パネルを適用することができる。

　図３５Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。

　筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、バッテリ６５１８等が配置されている。

　保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。

　表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。

　表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイを適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。

　図３５Ｃにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。

　図３５Ｃに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

　なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間など）の情報通信を行うことも可能である。

　図３５Ｄに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

　図３５Ｅ及び図３５Ｆに、デジタルサイネージの一例を示す。

　図３５Ｅに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

　図３５Ｆは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

　表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

　表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

　また、図３５Ｅ及び図３５Ｆに示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

　また、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

　図３５Ｃ乃至図３５Ｆにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示パネルを適用することができる。

　図３６Ａ乃至図３６Ｇに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を検知、検出、または測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。

　図３６Ａ乃至図３６Ｇに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画または動画を撮影し、記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。

　図３６Ａ乃至図３６Ｇに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

　図３６Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図３６Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メールまたはＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、電波強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。

　図３６Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。

　図３６Ｃは、タブレット端末９１０３を示す斜視図である。タブレット端末９１０３は、一例として、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲーム等の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１０３は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフォン９００８、スピーカ９００３を有し、筐体９０００の左側面には操作用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。

　図３６Ｄは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。

　図３６Ｅ乃至図３６Ｇは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図３６Ｅは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図３６Ｇは折り畳んだ状態、図３６Ｆは図３６Ｅと図３６Ｇの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

１００：表示装置、１０１：基板、１０３：絶縁層、１０４：機能層、１１０ａ：発光素子、１１０Ｂ：発光素子、１１０ｂ：発光素子、１１０ｃ：発光素子、１１０ｄ：発光素子、１１０ｅ：発光素子、１１０Ｇ：発光素子、１１０Ｒ：発光素子、１１０：画素、１１１Ｂ：画素電極、１１１Ｃ：接続電極、１１１Ｇ：画素電極、１１１Ｒ：画素電極、１１１：画素電極、１１２Ｂ：ＥＬ層、１１２Ｂｆ：ＥＬ膜、１１２Ｇ：ＥＬ層、１１２Ｇｆ：ＥＬ膜、１１２Ｒ：ＥＬ層、１１２Ｒｆ：ＥＬ膜、１１２：ＥＬ層、１１３：共通電極、１１４：共通層、１１８：絶縁層、１２０：基板、１２１：保護層、１２２：接着層、１２３：平坦化層、１２４ａ：画素、１２４ｂ：画素、１２４：平坦化層、１２５ｆ：絶縁膜、１２５：絶縁層、１２６ｆ：樹脂膜、１２６：有機層，　樹脂層、１３５ａ：絶縁層、１３５ｂ：絶縁層、１３５ｆ：絶縁膜、１３５：絶縁層、１４０：接続部、１４３ａ：レジストマスク、１４３ｂ：レジストマスク、１４３ｃ：レジストマスク、１４４ａ：犠牲膜、１４４ｂ：犠牲膜、１４４ｃ：犠牲膜、１４５ａ：犠牲層、１４５ｂ：犠牲層、１４５ｃ：犠牲層、１４５：犠牲層、１４６ａ：犠牲膜、１４６ｂ：犠牲膜、１４６ｃ：犠牲膜、１４７ａ：犠牲層、１４７ｂ：犠牲層、１４７ｃ：犠牲層、１５０Ｂ：発光素子、１５０Ｇ：発光素子、１５０Ｒ：発光素子、１５０：画素、１７０：基板、１７１：接着層、１７４Ｂ：着色層、１７４Ｇ：着色層、１７４Ｒ：着色層、１７６：レンズアレイ、２００Ａ：表示装置、２００Ｂ：表示装置、２００Ｃ：表示装置、２００Ｄ：表示装置、２００Ｅ：表示装置、２００Ｆ：表示装置、２４０：容量、２４１：導電層、２４３：絶縁層、２４５：導電層、２５１：導電層、２５２：導電層、２５４：絶縁層、２５５ａ：絶縁層、２５５ｂ：絶縁層、２５５ｃ：絶縁層、２５６：プラグ、２６１：絶縁層、２６２：絶縁層、２６３：絶縁層、２６４：絶縁層、２６５：絶縁層、２７１：プラグ、２７４ａ：導電層、２７４ｂ：導電層、２７４：プラグ、２８０：表示モジュール、２８１：表示部、２８２：回路部、２８３ａ：画素回路、２８３：画素回路部、２８４ａ：画素、２８４：画素部、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、３０１Ａ：基板、３０１Ｂ：基板、３０１：基板、３１０Ａ：トランジスタ、３１０Ｂ：トランジスタ、３１０：トランジスタ、３１１：導電層、３１２：低抵抗領域、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：素子分離層、３２０Ａ：トランジスタ、３２０Ｂ：トランジスタ、３２０：トランジスタ、３２１：半導体層、３２３：絶縁層、３２４：導電層、３２５：導電層、３２６：絶縁層、３２７：導電層、３２８：絶縁層、３２９：絶縁層、３３１：基板、３３２：絶縁層、３３５：絶縁層、３３６：絶縁層、３４１：導電層、３４２：導電層、３４３：プラグ、３４４：絶縁層、３４５：絶縁層、３４６：絶縁層、３４７：バンプ、３４８：接着層、７００Ａ：電子機器、７００Ｂ：電子機器、７２１：筐体、７２３：装着部、７２７：イヤホン部、７５０：イヤホン、７５１：表示パネル、７５３：光学部材、７５６：表示領域、７５７：フレーム、７５８：鼻パッド、７６１：下部電極、７６２：上部電極、７６３ａ：発光ユニット、７６３ｂ：発光ユニット、７６３ｃ：発光ユニット、７６３：ＥＬ層、７６４：層、７７１ａ：発光層、７７１ｂ：発光層、７７１ｃ：発光層、７７１：発光層、７７２ａ：発光層、７７２ｂ：発光層、７７２ｃ：発光層、７７２：発光層、７７３：発光層、７８０ａ：層、７８０ｂ：層、７８０ｃ：層、７８０：層、７８１：層、７８２：層、７８５：電荷発生層、７９０ａ：層、７９０ｂ：層、７９０ｃ：層、７９０：層、７９１：層、７９２：層、８００Ａ：電子機器、８００Ｂ：電子機器、８２０：表示部、８２１：筐体、８２２：通信部、８２３：装着部、８２４：制御部、８２５：撮像部、８２７：イヤホン部、８３２：レンズ、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、９０００：筐体、９００１：表示部、９００２：カメラ、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９１０３：タブレット端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

Claims

　第１の画素電極と、第２の画素電極とを形成し、
　前記第１の画素電極の端部及び前記第２の画素電極の端部を覆い、前記第１の画素電極と前記第２の画素電極に挟まれた領域と重なる第１の絶縁層を形成し、
　前記第１の画素電極、前記第２の画素電極、及び前記第１の絶縁層上に第１の膜を形成し、
　前記第１の膜上に第１の犠牲膜を形成し、
　前記第１の膜と前記第１の犠牲膜のそれぞれの一部を除去して、前記第１の絶縁層の一部及び前記第１の画素電極と重なる第１の層及び第１の犠牲層を形成し、且つ、前記第１の絶縁層の他の一部及び前記第２の画素電極を露出させ、
　前記第１の犠牲層、前記第２の画素電極、及び前記第１の絶縁層上に第２の膜を形成し、
　前記第２の膜上に第２の犠牲膜を形成し、
　前記第２の膜と前記第２の犠牲膜のそれぞれの一部を除去して、前記第１の絶縁層の前記他の一部及び前記第２の画素電極と重なる第２の層及び第２の犠牲層を形成し、且つ、前記第１の犠牲層を露出させ、
　前記第１の犠牲層、前記第２の犠牲層、及び前記第１の絶縁層を覆う第２の絶縁層を形成し、
　前記第２の絶縁層上に、前記第１の絶縁層と重なる樹脂層を形成し、
　前記樹脂層をマスクとして、前記第１の犠牲層、前記第２の犠牲層、及び前記第２の絶縁層の一部をエッチングにより除去して、前記第１の膜及び前記第２の膜を露出させ、
　前記第１の膜、前記第２の膜、及び前記樹脂層を覆って、共通電極を形成し、
　前記第１の膜は、第１の光を発する第１の発光材料を含み、
　前記第２の膜は、前記第１の光とは異なる色の第２の光を発する第２の発光材料を含む、
　表示装置の作製方法。
　請求項１において、
　前記第１の絶縁層は、感光性の有機樹脂を用いて形成する、
　表示装置の作製方法。
　請求項２において、
　前記第１の絶縁層は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体から選ばれる一以上を含む、
　表示装置の作製方法。
　請求項１において、
　前記第１の絶縁層は、無機絶縁材料を用いて形成する、
　表示装置の作製方法。
　請求項４において、
　前記第１の絶縁層は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、及び酸化ハフニウムから選ばれる一以上を含む、
　表示装置の作製方法。
　第１の画素電極と、第２の画素電極とを形成し、
　前記第１の画素電極の端部及び前記第２の画素電極の端部を覆い、前記第１の画素電極と前記第２の画素電極に挟まれた領域と重なる第１の絶縁層を形成し、
　前記第１の画素電極、前記第２の画素電極、及び前記第１の絶縁層上に第１の膜を形成し、
　前記第１の膜上に第１の犠牲膜を形成し、
　前記第１の膜と前記第１の犠牲膜のそれぞれの一部を除去して、前記第１の絶縁層の一部及び前記第１の画素電極と重なる第１の層及び第１の犠牲層を形成し、且つ、前記第１の絶縁層の他の一部及び前記第２の画素電極を露出させ、
　前記第１の犠牲層、前記第２の画素電極、及び前記第１の絶縁層上に第２の膜を形成し、
　前記第２の膜上に第２の犠牲膜を形成し、
　前記第２の膜と前記第２の犠牲膜のそれぞれの一部を除去して、前記第１の絶縁層の前記他の一部及び前記第２の画素電極と重なる第２の層及び第２の犠牲層を形成し、且つ、前記第１の犠牲層を露出させ、
　前記第１の犠牲層、前記第２の犠牲層、及び前記第１の絶縁層を覆う第２の絶縁層を形成し、
　前記第２の絶縁層上に、前記第１の絶縁層と重なる樹脂層を形成し、
　前記樹脂層をマスクとして、前記第２の絶縁層の一部をエッチングにより除去したのち、前記第１の犠牲層及び前記第２の犠牲層を薄膜化し、
　加熱処理を行い、
　前記樹脂層をマスクとして、前記第１の犠牲層及び前記第２の犠牲層の一部をエッチングにより除去して、前記第１の膜及び前記第２の膜を露出させ、
　前記第１の膜、前記第２の膜、及び前記樹脂層を覆って、共通電極を形成し、
　前記第１の膜は、第１の光を発する第１の発光材料を含み、
　前記第２の膜は、前記第１の光とは異なる色の第２の光を発する第２の発光材料を含む、
　表示装置の作製方法。
　請求項６において、
　前記第１の絶縁層は、感光性の有機樹脂を用いて形成する、
　表示装置の作製方法。
　請求項７において、
　前記第１の絶縁層は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体から選ばれる一以上を含む、
　表示装置の作製方法。
　請求項６において、
　前記第１の絶縁層は、無機絶縁材料を用いて形成する、
　表示装置の作製方法。
　請求項９において、
　前記第１の絶縁層は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、及び酸化ハフニウムから選ばれる一以上を含む、
　表示装置の作製方法。
　請求項６において、
　前記加熱処理は、５０℃以上２００℃以下の温度で行う、
　表示装置の作製方法。
　請求項６において、
　前記加熱処理により、前記樹脂層を変形させる、
　表示装置の作製方法。
　請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
　前記第１の犠牲膜、前記第２の犠牲膜、及び前記第２の絶縁層のエッチングは、それぞれウェットエッチングによって行う、
　表示装置の作製方法。
　請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
　前記第１の犠牲膜、前記第２の犠牲膜、及び前記第２の絶縁層は、原子層堆積法により形成する、
　表示装置の作製方法。
　請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
　前記第１の犠牲膜、前記第２の犠牲膜、及び前記第２の絶縁層は、酸化アルミニウムを含む、
　表示装置の作製方法。
　請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
　前記第１の光は、青色であり、
　前記第２の光は、緑色または赤色である、
　表示装置の作製方法。