WO2023145431A1 - 基板洗浄方法、ガラス基板の製造方法、ｅｕｖｌ用マスクブランクの製造方法、および基板洗浄装置 - Google Patents

基板洗浄方法、ガラス基板の製造方法、ｅｕｖｌ用マスクブランクの製造方法、および基板洗浄装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2023145431A1
WO2023145431A1 PCT/JP2023/000433 JP2023000433W WO2023145431A1 WO 2023145431 A1 WO2023145431 A1 WO 2023145431A1 JP 2023000433 W JP2023000433 W JP 2023000433W WO 2023145431 A1 WO2023145431 A1 WO 2023145431A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
cleaning head
cleaning
liquid film
holding
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/000433
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
尚明 宮本
誠人 中島
Original Assignee
Ａｇｃ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ａｇｃ株式会社 filed Critical Ａｇｃ株式会社
Publication of WO2023145431A1 publication Critical patent/WO2023145431A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate cleaning method, a glass substrate manufacturing method, an EUVL mask blank manufacturing method, and a substrate cleaning apparatus.
  • EUVL Extreme Ultraviolet
  • EUV includes soft X-rays and vacuum ultraviolet rays, and specifically refers to light with a wavelength of approximately 0.2 nm to 100 nm. At present, EUV with a wavelength of about 13.5 nm is mainly considered.
  • a reflective mask is used in EUVL.
  • a reflective mask has, in this order, a substrate such as a glass substrate, a multilayer reflective film that reflects EUV, and an absorbing film that absorbs EUV.
  • An opening pattern is formed in the absorption film.
  • a pattern of openings in an absorbing film is transferred to a target substrate, such as a semiconductor substrate. Transferring includes reducing and transferring.
  • the glass substrate or the functional film formed on the glass substrate may be washed. Ultrasonic cleaning may be performed as one of the cleaning methods.
  • the cleaning method described in Patent Document 1 includes spraying a cleaning liquid to which ultrasonic waves have been applied in advance from a nozzle onto the upper surface of a rotating substrate.
  • a cleaning liquid is supplied between the upper surface of a rotating substrate and the lower surface of an ultrasonic cleaning head, and ultrasonic waves are applied to the cleaning liquid from the lower surface of the ultrasonic cleaning head. , cleaning the top surface of the substrate.
  • the ultrasonic cleaning head when cleaning the upper surface of the substrate, the ultrasonic cleaning head is moved in a direction orthogonal to the rotation center line of the substrate while rotating the substrate.
  • the ultrasonic cleaning head is moved horizontally between a position directly above the center of the top surface of the substrate and a position directly above the periphery of the top surface of the substrate.
  • the distance between the ultrasonic cleaning head and the substrate may fluctuate depending on the horizontal position of the ultrasonic cleaning head and the rotational position of the substrate, causing unevenness in the sound pressure acting on the substrate. As a result, the substrate may be washed unevenly.
  • One aspect of the present disclosure provides a technique for uniformly cleaning the entire top surface of the substrate.
  • a substrate cleaning method has the following (A) to (G).
  • (A) The substrate is horizontally held by the holding portion.
  • the distance between the second substrate and the cleaning head or the sound pressure acting on the second substrate is measured at each of a plurality of points on the upper surface of the second substrate, and the measurement results are used to clean the upper surface of the substrate. do.
  • the time integral value of the sound pressure can be kept within the allowable range at each of the plurality of points on the upper surface of the substrate, and the entire upper surface of the substrate can be uniformly cleaned.
  • FIG. 1 is a side view showing a substrate cleaning apparatus according to one embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the internal structure of the cleaning head.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing another example of the internal structure of the cleaning head.
  • FIG. 4 is a plan view showing an example of the movement locus of the cleaning head.
  • FIG. 5 is a diagram showing an example of the relationship between the output of the ultrasonic transducer and the sound pressure acting on the substrate.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of standing waves formed between the cleaning head and the substrate.
  • FIG. 7 is a diagram showing an example of the relationship between the distance between the cleaning head and the substrate and the sound pressure acting on the substrate.
  • FIG. 1 is a side view showing a substrate cleaning apparatus according to one embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the internal structure of the cleaning head.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing another example of the internal
  • FIG. 8 is a plan view showing an example of measurement points on the upper surface of the second substrate.
  • FIG. 9 is a diagram showing an example of inclination of the rotation center line of the cleaning head.
  • FIG. 10 is a diagram showing an example of variations in the distance between the second substrate and the cleaning head due to the inclination of the rotation center line of the cleaning head.
  • FIG. 11 is a diagram showing an example of the inclination of the normal to the upper surface of the second substrate.
  • FIG. 12 is a diagram showing an example of variations in the distance between the second substrate and the cleaning head due to the inclination of the normal to the upper surface of the second substrate.
  • FIG. 13 is a diagram showing an example of variation in the distance between the second substrate and the cleaning head due to the inclination of the rotation center line of the cleaning head and the inclination of the normal to the upper surface of the second substrate.
  • 4 is a flow chart showing a method for manufacturing an EUVL mask blank according to one embodiment.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing an example of a substrate.
  • 16 is a plan view of the substrate of FIG. 15.
  • FIG. FIG. 17 is a cross-sectional view showing an example of an EUVL mask blank.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing an example of an EUVL mask.
  • the substrate cleaning apparatus 1 cleans the substrate W by applying ultrasonic vibrations to a liquid film F formed on the substrate W. As shown in FIG. Particles adhering to the substrate W can be removed.
  • the substrate cleaning apparatus 1 includes a holding section 10 , a nozzle 20 , a cleaning head 30 , a rotating section 40 , a first moving section 50 , a second moving section 60 and a control section 90 .
  • the holding part 10 holds the substrate W horizontally.
  • the substrate W is rectangular (see FIG. 4), but may also be circular.
  • Substrate W includes a glass substrate, a silicon wafer, or a compound semiconductor wafer.
  • the substrate W may include a functional film formed on a glass substrate or the like.
  • a functional film is, for example, a light reflecting film, a light absorbing film, a conductive film, an insulating film, or the like.
  • the holding part 10 includes a plurality of pins 11 arranged at intervals along the periphery of the substrate W, as shown in FIG. 1, for example.
  • a plurality of pins 11 hold the peripheral edge of the substrate W.
  • a substrate W is placed on a plurality of pins 11 . Since there is a space under the substrate W, it is possible to install a sensor on the bottom surface of the substrate W as described later. It should be noted that the holding unit 10 may hold the substrate W by suction.
  • the nozzle 20 forms a liquid film F by supplying cleaning liquid to the upper surface Wa of the substrate W held by the holding unit 10 .
  • the top surface Wa of the substrate W is also referred to as the substrate top surface Wa.
  • the nozzle 20 supplies the cleaning liquid, for example, near the center of the substrate upper surface Wa.
  • the substrate W is rotating, and the cleaning liquid on the substrate W is wetted and spread from the center of the substrate W toward the periphery by centrifugal force. As a result, a liquid film F is formed on the entire substrate upper surface Wa.
  • the nozzle 20 may be provided outside the cleaning head 30 as shown in FIG. 1, or may be provided inside the cleaning head 30 (not shown).
  • the nozzle 20 is connected to a cleaning liquid supply source 22 via a supply line 21 .
  • a valve 23 is provided in the middle of the supply line 21 .
  • the valve 23 opens and closes the channel of the supply line 21 .
  • the valve 23 opens the flow path of the supply line 21
  • the cleaning liquid is supplied from the supply source 22 to the nozzle 20, and the nozzle 20 discharges the cleaning liquid.
  • the valve 23 closes the flow path of the supply line 21, the nozzle 20 stops discharging the cleaning liquid.
  • the cleaning liquid is, for example, pure water (for example, deionized water), a mixture of pure water and X (at least one component selected from the group consisting of hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, formic acid, and acetic acid), pure water and Y (at least one component selected from the group consisting of ammonia, tetramethylammonium hydroxide, triethanolamine, choline, sodium hydroxide, potassium hydroxide, and cesium hydroxide) mixture, pure water and Z (hydrogen peroxide, at least one component selected from the group consisting of perchlorate ions and periodate ions), a mixture of pure water and X and Z, or a mixture of pure water and Y and Z.
  • pure water for example, deionized water
  • X at least one component selected from the group consisting of hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, formic acid, and acetic acid
  • the cleaning liquid may dissolve at least one gas selected from the group consisting of H2 gas, CO2 gas, N2 gas, O2 gas, O3 gas, and Ar gas.
  • the gas dissolved in the cleaning liquid is preferably H2 gas, CO2 gas or N2 gas, more preferably CO2 gas.
  • the cleaning head 30 includes, as shown in FIG. 2, a vibrating surface 31a that contacts the liquid film F, and an ultrasonic transducer 32 that vibrates the vibrating surface 31a.
  • Cleaning head 30 includes diaphragm 31 .
  • the vibration plate 31 has a downward vibration surface 31a that contacts the liquid film F, and an upward mounting surface 31b to which the ultrasonic transducer 32 is mounted.
  • the vibration surface 31a is installed parallel to the upper surface Wa of the substrate.
  • the size of the vibration surface 31a is smaller than, for example, the size of the substrate upper surface Wa.
  • the shape of the vibration surface 31a is, for example, circular.
  • the mounting surface 31b may be installed parallel to the vibration surface 31a as shown in FIG. 2, or may be installed obliquely to the vibration surface 31a as shown in FIG. In FIG. 3, ⁇ is the angle between the normal to the vibration surface 31a and the normal to the mounting surface 31b.
  • the normal direction of the mounting surface 31 b is the vibration direction of the ultrasonic transducer 32 .
  • the ultrasonic oscillator 32 applies ultrasonic vibration to the liquid film F and applies sound pressure to the substrate W by vibrating the vibration surface 31a. As a result, particles adhering to the upper surface Wa of the substrate can be peeled off.
  • the output of the ultrasonic transducer 32 is controlled by the controller 90 .
  • the sound pressure SP acting on the substrate W increases as the output PW of the ultrasonic transducer 32 increases (see FIG. 5).
  • the sound pressure SP is not an instantaneous value but an effective value.
  • the relationship between the output PW of the ultrasonic transducer 32 and the sound pressure SP acting on the substrate W (for example, the relationship shown in FIG. 5) is pre-stored in the storage medium 92 of the controller 90 .
  • the relationship between the distance D between the cleaning head 30 and the substrate W and the sound pressure SP acting on the substrate W (for example, the relationship shown in FIG. 7) is also stored in advance in the storage medium 92 of the controller 90 .
  • the relationship between the distance D and the sound pressure SP will be described later.
  • the rotating section 40 rotates the substrate W together with the holding section 10 .
  • a rotation center line 10R of the holding part 10 is set vertically.
  • the holding part 10 holds the substrate W so that the rotation center line 10R passes through the center of the substrate W.
  • the rotating portion 40 includes a servomotor 41 .
  • the rotational driving force of the servomotor 41 may be transmitted to the holding portion 10 via pulleys and belts, or gears (not shown).
  • the servomotor 41 transmits information about the rotational position of the holding section 10 to the control section 90 .
  • the rotational position of the holding portion 10 is represented by a rotational angle.
  • the first moving part 50 moves the cleaning head 30 in a horizontal direction orthogonal to the rotation center line 10R of the holding part 10.
  • the cleaning head 30 is moved between a position directly above the center of the substrate W and a position directly above the periphery of the substrate W, for example.
  • the first moving section 50 includes a servomotor 51 .
  • the servo motor 51 transmits information regarding the horizontal position of the cleaning head 30 to the control section 90 .
  • the first moving part 50 moves the cleaning head 30 in a horizontal direction orthogonal to the rotation center line 10R of the holding part 10 by rotating the pivot 52, for example.
  • the swivel shaft 52 is fixed to one end of the swivel arm 53
  • the cleaning head 30 is fixed to the other end of the swivel arm 53 .
  • a swivel centerline 30R of the cleaning head 30 is set vertically.
  • the first moving part 50 may move the cleaning head 30 in a horizontal direction orthogonal to the rotation center line 10R of the holding part 10 along a horizontal guide rail.
  • the second moving part 60 moves the cleaning head 30 in the vertical direction.
  • the second moving unit 60 moves the cleaning head 30 vertically by moving the turning shaft 52 vertically.
  • the second moving section 60 includes a servomotor 61 .
  • the second moving part 60 may include a ball screw that converts the rotary motion of the servomotor 61 into linear motion.
  • the servomotor 61 transmits information about the vertical position of the cleaning head 30 to the controller 90 .
  • the second moving part 60 may move the holding part 10 in the vertical direction instead of moving the cleaning head 30 in the vertical direction. In any case, the distance D between the substrate W and the cleaning head 30 can be changed.
  • the control section 90 controls the valve 23 , the ultrasonic transducer 32 , the rotating section 40 , the first moving section 50 and the second moving section 60 .
  • the control unit 90 is, for example, a computer, and includes a CPU (Central Processing Unit) 91 and a storage medium 92 such as a memory.
  • the storage medium 92 stores programs for controlling various processes executed in the substrate cleaning apparatus 1 .
  • the control unit 90 controls the operation of the substrate cleaning apparatus 1 by causing the CPU 91 to execute programs stored in the storage medium 92 .
  • a transport robot enters the interior of the substrate cleaning apparatus 1 and delivers the substrate W held by the transport robot to the holding unit 10 .
  • the transfer robot leaves the substrate cleaning apparatus 1 .
  • the substrate W is carried in in this manner.
  • the rotating part 40 rotates the substrate W together with the holding part 10, and the nozzle 20 supplies the cleaning liquid to the vicinity of the center of the substrate W.
  • the cleaning liquid on the substrate W wets and spreads from the center of the substrate W toward the periphery due to centrifugal force. As a result, a liquid film F is formed on the entire substrate upper surface Wa.
  • the supply rate of the cleaning liquid is, for example, 0.1 L/min to 5.0 L/min, preferably 0.8 L/min to 1.6 L/min.
  • the first moving part 50 adjusts the horizontal position of the cleaning head 30 so that the vibration surface 31a of the cleaning head 30 contacts the liquid film F, and the second moving part 60 moves the cleaning head 30 vertically. Adjust position. A desired gap is formed between the cleaning head 30 and the substrate W.
  • the interval is, for example, 0.1 mm to 5.0 mm, preferably 1.0 mm to 4.0 mm.
  • the ultrasonic vibrator 32 vibrates the vibration surface 31a of the cleaning head 30 to apply ultrasonic vibration to the liquid film F and apply sound pressure to the upper surface Wa of the substrate.
  • the first moving part 50 moves the cleaning head 30 in the horizontal direction orthogonal to the rotation center line 10R of the holding part 10.
  • the cleaning head 30 is reciprocated between a position just above the center of the substrate W and a position just above the periphery of the substrate W. As shown in FIG.
  • the substrate W is rotating, and the entire substrate upper surface Wa is cleaned.
  • the first moving part 50 moves the horizontal position of the cleaning head 30 to the standby position.
  • the standby position is a position outside the periphery of the substrate W when viewed from above. Further, the ultrasonic vibrator 32 stops vibrating the vibrating surface 31a, and the nozzle 20 stops supplying the cleaning liquid.
  • the rotating section 40 rotates the substrate W together with the holding section 10, so that the cleaning liquid on the substrate W is shaken off from the periphery of the substrate W by centrifugal force.
  • the liquid film F is removed from the substrate W and the substrate W is dried.
  • a transport robot enters the interior of the substrate cleaning apparatus 1 and receives the substrate W from the holding section 10 . After the transport robot holds the substrate W, the transport robot leaves the substrate cleaning apparatus 1 . The substrate W is carried out in this manner.
  • FIG. 6 As shown in FIG. 6, between the cleaning head 30 and the substrate W, the ultrasonic waves emitted from the vibrating surface 31a and the ultrasonic waves reflected from the substrate upper surface Wa are superimposed to form a standing wave.
  • a n corresponds to the position of the n-th antinode of the standing wave (where n is an integer equal to or greater than 1)
  • B n corresponds to the position of the n-th node of the standing wave.
  • the reflection of the ultrasonic wave is the free end reflection.
  • the sound pressure SP acting on the substrate W fluctuates according to the distance D, as shown in FIG.
  • the sound pressure SP becomes maximum.
  • the sound pressure SP is minimized.
  • the sound pressure SP is measured by a sound pressure sensor 70 shown in FIG. 6, for example.
  • a sound pressure sensor 70 is attached to the bottom surface of the substrate W. As shown in FIG.
  • the sound pressure SP acting on the substrate upper surface Wa is high, cavitation is likely to occur, and the particle removal efficiency is good.
  • the substrate upper surface Wa is at the position of the antinode of the standing wave or its vicinity. Therefore, when the distance D satisfies the following formula (1), the particle removal efficiency is good.
  • D is the distance between the substrate W and the cleaning head 30, n is an integer of 1 or more, ⁇ is the wavelength in the liquid film of the ultrasonic wave applied from the cleaning head 30 to the liquid film F, and m is is an integer of 5 or more, and ⁇ is a value that satisfies the following formula (2) where v is the velocity of the ultrasonic wave in the liquid film F and v1 is the velocity of the ultrasonic wave in the diaphragm 31 .
  • n is preferably 1 or more and 13 or less.
  • m is preferably 5 or more and 8 or less, more preferably 6 or more and 8 or less, still more preferably 7 or more and 8 or less, and particularly preferably 8.
  • ⁇ is the angle between the normal to the vibrating surface 31 a of the diaphragm 31 and the normal to the mounting surface 31 b of the diaphragm 31 .
  • ⁇ may be 0°.
  • the interval between two adjacent maxima is ⁇ /2 as shown in FIG.
  • the substrate cleaning apparatus 1 when cleaning the substrate upper surface Wa, that is, when forming the liquid film F on the substrate upper surface Wa and applying ultrasonic vibration to the liquid film F, holds the substrate W together with the holding unit 10.
  • the cleaning head 30 is moved in a direction orthogonal to the rotation center line 10R of the holding part 10 while being rotated.
  • the cleaning head 30 is horizontally moved between a position just above the center of the substrate top surface Wa and a position just above the periphery of the substrate top surface Wa. If the distance D between the cleaning head 30 and the substrate W varies depending on the horizontal position of the cleaning head 30 and the rotational position of the substrate W, the sound pressure SP acting on the substrate W becomes uneven as is clear from FIG. .
  • the control unit 90 controls the holding unit 10 to hold the second substrate W2 (see FIG. 8) prepared separately from the substrate W, and the plurality of upper surfaces W2a of the second substrate W2.
  • the results of measuring the distance D between the second substrate W2 and the cleaning head 30 at each of the points P1 to P16 are stored.
  • a laser displacement meter 80 shown in FIG. 1 is used for measuring the distance D.
  • the laser displacement gauge 80 is fixed relative to the cleaning head 30 or the swivel arm 53 and moves vertically and horizontally with the cleaning head 30 .
  • the upper surface W2a of the second substrate W2 is also referred to as the second substrate upper surface W2a.
  • the distance D at each point P1 to P16 on the second substrate upper surface W2a is the distance between each point P1 to P16 and the center of the vibration surface 31a when the center of the vibration surface 31a reaches directly above each point P1 to P16. is.
  • a plurality of points P1-P8 are set at equal intervals on the first circle C1
  • another plurality of points P9-P16 are set at equal intervals on the second circle C2.
  • the first circle C1 and the second circle C2 are concentric circles, the center of which coincides with the center of the second substrate upper surface W2a.
  • the second circle C2 is set outside the first circle C1.
  • FIG. 9 As shown in FIG. 9, when the rotation center line 30R is inclined with respect to the rotation center line 10R, the distance D varies according to the horizontal position of the cleaning head 30. As shown in FIG. In addition, in FIG. 9, the normal line N of the second substrate upper surface W2a coincides with the rotation center line 10R.
  • the distance D does not depend on the rotational position of the holding part 10, as shown in FIG.
  • the distances D at the points P1 to P8 on the first circle C1 are the same distance D1.
  • the distance D at each point P9 to P16 on the second circle C2 is the same distance D2.
  • the distance D1 and the distance D2 are different. Either the distance D1 or the distance D2 may be larger.
  • the greater the tilt angle ⁇ the greater the absolute value of the difference ⁇ D. Therefore, the magnitude of the tilt angle ⁇ can be known from the absolute value of the difference ⁇ D.
  • the inclination direction of the turning center line 30R can be determined from the sign of the difference ⁇ D.
  • FIG. 11 when the normal line N is inclined with respect to the rotation center line 10R, the distance D fluctuates according to the rotational position of the holding portion 10. As shown in FIG. The rotational position of the holding portion 10 is represented by a rotational angle. Note that in FIG. 11, the turning centerline 30R is parallel to the rotation centerline 10R.
  • the variation of the distance D at each point P1 to P8 on the first circle C1 is represented by the first sinusoidal curve S1, and the variation at each point P9 to P16 on the second circle C2.
  • Variations in the distance D are represented by a second sinusoidal curve S2.
  • the distance D2 corresponding to the vibration center line of the second sine curve S2 and the distance D1 corresponding to the vibration center line of the first sine curve S1 match.
  • the amplitude A2 of the second sine curve S2 is greater than the amplitude A1 of the first sine curve S1.
  • RP is the rotational position corresponding to the maximum value of the first sine curve S1 and the second sine curve S2.
  • An example will be described.
  • the distance D is the horizontal position of the cleaning head 30 and the rotational position of the holder 10. varies depending on both
  • the variation of the distance D at each point P1 to P8 on the first circle C1 is represented by the first sinusoidal curve S1, and the variation at each point P9 to P16 on the second circle C2.
  • Variations in the distance D are represented by a second sinusoidal curve S2.
  • the distance D2 corresponding to the vibration center line of the second sine curve S2 is different from the distance D1 corresponding to the vibration center line of the first sine curve S1. Either the distance D1 or the distance D2 may be greater.
  • the amplitude A2 of the second sine curve S2 is greater than the amplitude A1 of the first sine curve S1.
  • RP is the rotational position corresponding to the maximum value of the first sine curve S1 and the second sine curve S2.
  • the greater the tilt angle ⁇ the greater the absolute value of the difference ⁇ D. Therefore, the magnitude of the tilt angle ⁇ can be known from the absolute value of the difference ⁇ D.
  • the inclination direction of the turning center line 30R can be determined from the sign of the difference ⁇ D.
  • the larger the tilt angle ⁇ the larger the difference ⁇ A. Therefore, the magnitude of the tilt angle ⁇ can be known from the difference ⁇ A.
  • the tilt direction of the normal line N can be known from the rotational position RP.
  • the control unit 90 holds the second substrate W2 prepared separately from the substrate W by the holding unit 10, and the plurality of points P1 to P16 on the upper surface W2a of the second substrate W2.
  • the information to be stored may be the distance D at each point P1 to P16, or the magnitude of the tilt angle ⁇ , the tilt direction of the turning center line 30R, and the tilt angle calculated from the distance D at each point P1 to P16.
  • the magnitude of ⁇ and the tilt direction of the normal N may be used.
  • the control unit 90 stores the results of measuring the distance D between the second substrate W2 and the cleaning head 30 at each of the plurality of points P1 to P16 on the upper surface W2a of the second substrate W2.
  • the result of measuring the sound pressure SP acting on the second substrate W2 may be stored. Since the distance D and the sound pressure SP have a certain relationship (see FIG. 7), no matter which one is measured, the magnitude of the tilt angle ⁇ , the tilt direction of the turning center line 30R, and the magnitude of the tilt angle ⁇ , and the tilt direction of the normal N can be determined.
  • the sound pressure SP is measured by a sound pressure sensor 70 shown in FIG. 6, for example.
  • a plurality of sound pressure sensors 70 are attached to the lower surface of the second substrate W2.
  • the control unit 90 When cleaning the substrate W (more specifically, while applying ultrasonic vibrations to the liquid film F from the vibration surface 31 a of the cleaning head 30 , the control unit 90 rotates the substrate W and moves the cleaning head 30 in the horizontal direction. ), the vertical position of the cleaning head 30 is controlled based on the measurement results so that the distance D between the substrate W and the cleaning head 30 is within the allowable range. In this case, for example, before cleaning the substrate W, the control unit 90 obtains the vertical position of the cleaning head 30 for keeping the distance D within the allowable range based on the result of the measurement.
  • the control unit 90 controls the vertical position of the cleaning head 30 based on the measurement results so that the distance D between the substrate W and the cleaning head 30 is within the allowable range. do.
  • the sound pressure SP can be kept within the allowable range at each of the plurality of points on the substrate upper surface Wa, and the entire substrate upper surface Wa can be uniformly cleaned.
  • the distance D satisfies the above formula (1), the sound pressure SP acting on the substrate upper surface Wa is high, and the particle removal efficiency is good.
  • control unit 90 controls the vertical direction of the holding unit 10 so that the distance D between the substrate W and the cleaning head 30 falls within the allowable range. position may be controlled. Also in this case, the sound pressure SP can be kept within the allowable range at each of the plurality of points on the substrate upper surface Wa, and the entire substrate upper surface Wa can be uniformly cleaned.
  • the control unit 90 may control the output PW of the ultrasonic transducer 32 based on the measurement result so that the sound pressure SP acting on the substrate W is within the allowable range when cleaning the substrate W. .
  • the control unit 90 stores the relationship between the output PW and the sound pressure SP (see FIG. 5) and the relationship between the distance D and the sound pressure SP (see FIG. 7).
  • the output PW for keeping the sound pressure SP within the allowable range is determined based on the above relationship and the results of the measurements.
  • the time integral value of the sound pressure SP at each of a plurality of points on the substrate upper surface Wa should be within the allowable range, and the sound pressure SP does not need to be within the allowable range.
  • the control unit 90 controls the rotational speed of the holding unit 10 or the cleaning head 30 so that the time integral value of the sound pressure SP at each of the plurality of points on the substrate upper surface Wa falls within the allowable range. You may control the movement speed of .
  • control unit 90 controls the vertical position of the cleaning head 30 or the holding unit 10, and By controlling at least one selected from the output PW of the ultrasonic transducer 32, the rotation speed of the holder 10, and the moving speed of the cleaning head 30 in the horizontal direction orthogonal to the rotation center line 10R of the holder 10, good.
  • control unit 90 controls the second substrate W2 at each of the plurality of points P1 to P16 on the upper surface W2a of the second substrate W2 while the second substrate W2 is held by the holding unit 10. and the cleaning head 30, or the result of measuring the sound pressure SP acting on the second substrate W2 is stored, but the technology of the present disclosure is not limited to this.
  • the control unit 90 holds the substrate W by the holding unit 10.
  • the results of measuring the distance D between the substrate W and the cleaning head 30 at each of a plurality of points P1 to P16 on the upper surface Wa of the substrate W may be stored.
  • the time integral value of the sound pressure SP can be kept within the allowable range at each of the plurality of points on the substrate upper surface Wa, and the entire substrate upper surface Wa can be uniformly cleaned.
  • the control unit 90 measures the distance D between the substrate W and the cleaning head 30 or the sound pressure SP acting on the substrate W at each of a plurality of points P1 to P16 on the upper surface Wa of the substrate W. You may also in this case, the time integral value of the sound pressure SP can be kept within the allowable range at each of the plurality of points on the substrate upper surface Wa, and the entire substrate upper surface Wa can be uniformly cleaned.
  • the control unit 90 rotates the substrate W while applying ultrasonic vibrations to the liquid film F from the vibration surface 31a of the cleaning head 30 and horizontally moves the substrate W).
  • the following (A) and (B) may be performed repeatedly.
  • (A) Measure the distance D or the sound pressure SP at a desired point on the upper surface Wa of the substrate.
  • B) Based on the measurement results, the vertical position of the cleaning head 30 or the holder 10, the output of the ultrasonic transducer 32, the rotational speed of the holder 10, and the rotation center line 10R of the holder 10 are perpendicular to each other. and the moving speed of the cleaning head 30 in the horizontal direction.
  • the substrate cleaning apparatus 1 repeatedly cleans the substrate W while replacing the substrate W held by the holding unit 10 .
  • the thickness of the substrate W may change, and the distance D between the substrate W and the cleaning head 30 may change.
  • the distance D changes, the sound pressure SP acting on the substrate W changes as is clear from FIG.
  • the control unit 90 stores the result of measuring the thickness of the substrate W, for example, before the substrate W is held by the holding unit 10 .
  • the thickness of the substrate W is measured using a general thickness gauge. Thickness gauges may be contact or non-contact.
  • the thickness gauge may transmit the measurement result to the controller 90 .
  • the control unit 90 controls the vertical position of the cleaning head 30 or the holding unit 10, the output PW of the ultrasonic transducer 32, and the rotation speed of the holding unit 10 based on the measured thickness. and the moving speed of the cleaning head 30 in the horizontal direction orthogonal to the rotation center line 10R of the holding part 10.
  • control unit 90 stores the results of measuring the thickness of the substrate W before holding the substrate W by the holding unit 10, the technology of the present disclosure is not limited to this.
  • the thickness of the substrate W may be measured while the substrate W is held by the holder 10 .
  • the thickness of the substrate W may be measured before the substrate W is washed, or may be measured while the substrate W is being washed.
  • the time integral value of the sound pressure SP acting on the substrate W can be kept within the allowable range, and uneven cleaning between substrates can be suppressed.
  • the manufacturing method of the EUVL mask blank 200 has steps S101 to S107.
  • a substrate 210 shown in FIGS. 15 and 16 is prepared in advance.
  • steps S101 to S104 are included in the manufacturing method of the glass substrate.
  • the substrate 210 includes a first major surface 211 and a second major surface 212 opposite to the first major surface 211 .
  • the first major surface 211 is rectangular.
  • a rectangular shape includes a shape with chamfered corners. Rectangles also include squares.
  • the second major surface 212 is opposite to the first major surface 211 .
  • the second main surface 212 is also rectangular like the first main surface 211 .
  • the substrate 210 also includes four end surfaces 213 , four first chamfered surfaces 214 and four second chamfered surfaces 215 .
  • the end surface 213 is perpendicular to the first major surface 211 and the second major surface 212 .
  • a first chamfered surface 214 is formed at the boundary between the first major surface 211 and the end surface 213 .
  • a second chamfered surface 215 is formed at the boundary between the second main surface 212 and the end surface 213 .
  • the first chamfered surface 214 and the second chamfered surface 215 are so-called C-chamfered surfaces in this embodiment, but may be R-chamfered surfaces.
  • the substrate 210 is, for example, a glass substrate.
  • the glass of substrate 210 is preferably quartz glass containing TiO 2 .
  • Silica glass has a smaller coefficient of linear expansion than general soda-lime glass, and its dimensional change due to temperature change is small.
  • the quartz glass may contain 80% to 95% by weight of SiO 2 and 4% to 17% by weight of TiO 2 . When the TiO 2 content is 4% by mass to 17% by mass, the coefficient of linear expansion near room temperature is approximately zero, and dimensional change hardly occurs near room temperature. Quartz glass may contain third components or impurities other than SiO2 and TiO2 .
  • the size of the substrate 210 in plan view is, for example, 152 mm long and 152 mm wide.
  • the longitudinal and lateral dimensions may be 152 mm or greater.
  • the substrate 210 has a central region 211A and a peripheral region 211B on the first main surface 211.
  • the central region 211A is a square region excluding a rectangular frame-shaped peripheral region 211B surrounding the central region 211A, is processed to a desired flatness in steps S101 to S104, and is a quality assurance region.
  • the quality assurance area has a size of, for example, 142 mm long and 142 mm wide.
  • the four sides of the central region 211A are parallel to the four end faces 213. As shown in FIG.
  • the center of central region 211A coincides with the center of first main surface 211 .
  • the second principal surface 212 of the substrate 210 also has a central region and a peripheral region, similar to the first principal surface 211 .
  • the central region of the second principal surface 212 is a square region, similar to the central region of the first principal surface 211, which is processed to the desired flatness in steps S101 to S104 of FIG. Guaranteed area.
  • the quality assurance area has a size of, for example, 142 mm long and 142 mm wide.
  • Step S101 includes polishing the first main surface 211 and the second main surface 212 of the substrate 210 .
  • the first principal surface 211 and the second principal surface 212 are simultaneously polished by a double-sided polisher (not shown) in this embodiment, but may be polished sequentially by a single-sided polisher (not shown).
  • step S ⁇ b>101 the substrate 210 is polished while supplying polishing slurry between the polishing pad and the substrate 210 .
  • the polishing pad for example, a urethane-based polishing pad, a non-woven fabric-based polishing pad, or a suede-based polishing pad is used.
  • the polishing slurry contains an abrasive and a dispersion medium.
  • the abrasive is, for example, cerium oxide particles.
  • the dispersion medium is, for example, water or an organic solvent.
  • the first main surface 211 and the second main surface 212 may be polished multiple times with abrasives of different materials or grain sizes.
  • the abrasive used in step S101 is not limited to cerium oxide particles, and may be, for example, silicon oxide particles, aluminum oxide particles, zirconium oxide particles, titanium oxide particles, diamond particles, or silicon carbide particles. good.
  • Step S102 includes measuring the surface shapes of the first main surface 211 and the second main surface 212 of the substrate 210 .
  • a non-contact type measuring instrument such as a laser interference type is used so as not to damage the surface.
  • the measuring machine measures the surface shape of the central region 211A of the first principal surface 211 and the central region of the second principal surface 212 .
  • Step S103 includes locally processing the first main surface 211 and the second main surface 212 of the substrate 210 with reference to the measurement result of step S102 in order to improve the flatness.
  • the first main surface 211 and the second main surface 212 are locally machined in order.
  • the order is not particularly limited and may be either one first.
  • At least one selected from, for example, a GCIB (Gas Cluster Ion Beam) method, a PCVM (Plasma Chemical Vaporization Machining) method, a magnetic fluid polishing method, and polishing with a rotary polishing tool is used.
  • Step S104 includes final polishing of the first main surface 211 and the second main surface 212 of the substrate 210 .
  • the first principal surface 211 and the second principal surface 212 are simultaneously polished by a double-sided polisher (not shown) in this embodiment, but may be polished sequentially by a single-sided polisher (not shown).
  • the substrate 210 is polished while supplying polishing slurry between the polishing pad and the substrate 210 .
  • the polishing slurry contains an abrasive.
  • Abrasives are, for example, colloidal silica particles.
  • Step S105 includes forming the conductive film 240 shown in FIG.
  • the conductive film 240 is used to attract the EUVL mask to the electrostatic chuck of the exposure apparatus.
  • the conductive film 240 is made of, for example, chromium nitride (CrN).
  • CrN chromium nitride
  • a method for forming the conductive film 240 for example, a sputtering method is used.
  • Step S106 includes forming the multilayer reflective film 220 shown in FIG.
  • the multilayer reflective film 220 reflects EUV.
  • the multilayer reflective film 220 is formed by alternately laminating high refractive index layers and low refractive index layers, for example.
  • the high refractive index layer is made of silicon (Si), for example, and the low refractive index layer is made of molybdenum (Mo), for example.
  • a sputtering method such as an ion beam sputtering method or a magnetron sputtering method is used.
  • Step S107 includes forming an absorbing film 230 shown in FIG. 17 on the multilayer reflective film 220 formed in step S106.
  • the absorbing film 230 absorbs EUV.
  • the absorbing film 230 may be a phase shift film and may shift the phase of EUV.
  • the absorption film 230 is formed of a single metal, alloy, nitride, oxide, oxynitride, etc. containing at least one element selected from tantalum (Ta), chromium (Cr), and palladium (Pd), for example.
  • a sputtering method is used as a method for forming the absorption film 230.
  • steps S106 and S107 are performed after step S105 in this embodiment, they may be performed before step S105.
  • the EUVL mask blank 200 shown in FIG. 17 is obtained by the above steps S101 to S107.
  • the EUVL mask blank 200 has a conductive film 240, a substrate 210, a multilayer reflective film 220, and an absorbing film 230 in this order.
  • the EUVL mask blank 200 may include another film in addition to the conductive film 240, the substrate 210, the multilayer reflective film 220, and the absorption film 230.
  • the EUVL mask blank 200 may further include a low-reflection film.
  • a low-reflection film is formed on the absorbing film 230 .
  • an opening pattern 231 is formed in both the low reflection film and the absorption film 230 .
  • the low-reflection film is used for inspection of the opening pattern 231 and has a lower reflection characteristic than the absorption film 230 with respect to inspection light.
  • the low reflection film is made of TaON or TaO, for example.
  • a sputtering method is used as a method for forming the low-reflection film.
  • the EUVL mask blank 200 may further include a protective film.
  • a protective film is formed between the multilayer reflective film 220 and the absorbing film 230 .
  • the protective film protects the multilayer reflective film 220 from being etched when the absorbing film 230 is etched to form the opening pattern 231 in the absorbing film 230 .
  • the protective film is made of, for example, Ru, Si, or TiO2 .
  • As a method for forming the protective film for example, a sputtering method is used.
  • the EUVL mask 201 is obtained by forming an opening pattern 231 in the absorbing film 230 of the EUVL mask blank 200 .
  • a photolithography method and an etching method are used to form the opening pattern 231 . Therefore, the resist film used for forming the opening pattern 231 may be included in the EUVL mask blank 200 .
  • the substrate 210 or various functional films formed on the substrate 210 may be cleaned. Cleaning using a chemical reaction with an acid or alkali, cleaning using a physical action, or a combination thereof is performed. Cleaning using physical action includes ultrasonic cleaning, scrub cleaning, or two-fluid cleaning. In the two-fluid cleaning, the cleaning liquid and the gas are mixed and sprayed.
  • Ultrasonic cleaning is performed using, for example, the substrate cleaning apparatus 1 shown in FIG. Ultrasonic cleaning is preferably performed at least one of between steps S104 and S105, between steps S105 and S106, between steps S106 and S107, and after step S107. In addition, although not shown, ultrasonic cleaning may be performed before and after the low-reflection film, hard mask film, or protective film.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

基板洗浄方法は、下記（Ａ）～（Ｇ）を有する。（Ａ）基板を保持部で水平に保持する。（Ｂ）前記保持部で保持している前記基板の上面に液膜を形成する。（Ｃ）前記液膜に洗浄ヘッドの振動面を接触させる。（Ｄ）前記振動面を超音波振動子によって振動させる。（Ｅ）前記保持部と共に前記基板を回転させると共に前記保持部の回転中心線と直交する水平方向に前記洗浄ヘッドを移動させる。（Ｆ）前記基板とは別に用意した第２基板を前記保持部で保持した状態で、前記第２基板と前記洗浄ヘッドの距離、または前記第２基板に作用する音圧を測定する。（Ｇ）前記測定した結果に基づき、前記洗浄ヘッドまたは前記保持部の鉛直方向位置と、前記超音波振動子の出力と、前記保持部の回転速度と、前記水平方向における前記洗浄ヘッドの移動速度と、から選ばれる少なくとも１つを制御する。

Description

基板洗浄方法、ガラス基板の製造方法、ＥＵＶＬ用マスクブランクの製造方法、および基板洗浄装置
　本開示は、基板洗浄方法、ガラス基板の製造方法、ＥＵＶＬ用マスクブランクの製造方法、および基板洗浄装置に関する。
　近年、半導体デバイスの微細化に伴い、極端紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ－Ｖｉｏｌｅｔ：ＥＵＶ）を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィー（ＥＵＶＬ）が開発されている。ＥＵＶとは、軟Ｘ線および真空紫外線を含み、具体的には波長が０．２ｎｍ～１００ｎｍ程度の光のことである。現時点では、１３．５ｎｍ程度の波長のＥＵＶが主に検討されている。
　ＥＵＶＬでは、反射型マスクが用いられる。反射型マスクは、ガラス基板などの基板と、ＥＵＶを反射する多層反射膜と、ＥＵＶを吸収する吸収膜と、をこの順で有する。吸収膜には、開口パターンが形成される。ＥＵＶＬでは、吸収膜の開口パターンを半導体基板などの対象基板に転写する。転写することは、縮小して転写することを含む。
　ＥＵＶＬ用マスクブランクの製造工程の途中で、ガラス基板またはガラス基板の上に形成された機能膜を洗浄することがある。その洗浄方法の一つとして、超音波洗浄が行われることがある。
　特許文献１に記載の洗浄方法は、回転する基板の上面に対し、予め超音波を印可した洗浄液をノズルから噴射することを有する。特許文献２に記載の洗浄方法は、回転する基板の上面と超音波洗浄ヘッドの下面との間に洗浄液を供給し、この洗浄液に対して超音波洗浄ヘッドの下面から超音波を付与することで、基板の上面を洗浄する。
日本国特開２０１３－１５８６６４号公報 日本国特開２００１－８７７２５号公報
　特許文献２の洗浄方法は、基板上面を洗浄する際に、基板を回転させながら基板の回転中心線と直交する方向に超音波洗浄ヘッドを移動させる。超音波洗浄ヘッドは、基板上面の中心の真上の位置と、基板上面の周縁の真上の位置との間で水平方向に移動させられる。
　従来、超音波洗浄ヘッドの水平方向位置と基板の回転位置とに応じて、超音波洗浄ヘッドと基板の距離が変動することがあり、基板に作用する音圧にむらが生じることがあった。その結果、基板に洗浄ムラが生じることがあった。
　本開示の一態様は、基板上面の全体を均等に洗浄する、技術を提供する。
　本開示の一態様に係る基板洗浄方法は、下記（Ａ）～（Ｇ）を有する。（Ａ）基板を保持部で水平に保持する。（Ｂ）前記保持部で保持している前記基板の上面に液膜を形成する。（Ｃ）前記液膜に洗浄ヘッドの振動面を接触させる。（Ｄ）前記振動面を超音波振動子によって振動させる。（Ｅ）前記保持部と共に前記基板を回転させると共に前記保持部の回転中心線と直交する水平方向に前記洗浄ヘッドを移動させる。（Ｆ）前記基板とは別に用意した第２基板を前記保持部で保持した状態で、前記第２基板の上面の複数点のそれぞれで、前記第２基板と前記洗浄ヘッドの距離、または前記第２基板に作用する音圧を測定する。（Ｇ）前記洗浄ヘッドの前記振動面から前記液膜に超音波振動を付与しながら、前記基板を回転させると共に前記水平方向に前記洗浄ヘッドを移動させる際に、前記測定した結果に基づき、前記洗浄ヘッドまたは前記保持部の鉛直方向位置と、前記超音波振動子の出力と、前記保持部の回転速度と、前記水平方向における前記洗浄ヘッドの移動速度と、から選ばれる少なくとも１つを制御する。
　本開示の一態様によれば、第２基板上面の複数点のそれぞれで第２基板と洗浄ヘッドの距離または第２基板に作用する音圧を測定し、その測定結果を用いて基板上面を洗浄する。その結果、基板上面の複数点のそれぞれで音圧の時間積分値を許容範囲に収めることができ、基板上面の全体を均等に洗浄できる。
図１は、一実施形態に係る基板洗浄装置を示す側面図である。 図２は、洗浄ヘッドの内部構造の一例を示す断面図である。 図３は、洗浄ヘッドの内部構造の別の一例を示す断面図である。 図４は、洗浄ヘッドの移動軌跡の一例を示す平面図である。 図５は、超音波振動子の出力と、基板に作用する音圧の関係の一例を示す図である。 図６は、洗浄ヘッドと基板の間に形成される定在波の一例を示す断面図である。 図７は、洗浄ヘッドと基板の距離と、基板に作用する音圧の関係の一例を示す図である。 図８は、第２基板上面における測定点の一例を示す平面図である。 図９は、洗浄ヘッドの旋回中心線の傾きの一例を示す図である。 図１０は、洗浄ヘッドの旋回中心線の傾きによる、第２基板と洗浄ヘッドの距離のばらつきの一例を示す図である。 図１１は、第２基板上面の法線の傾きの一例を示す図である。 図１２は、第２基板上面の法線の傾きによる、第２基板と洗浄ヘッドの距離のばらつきの一例を示す図である。 図１３は、洗浄ヘッドの旋回中心線の傾きと第２基板上面の法線の傾きとによる、第２基板と洗浄ヘッドの距離のばらつきの一例を示す図である。 一実施形態に係るＥＵＶＬ用マスクブランクの製造方法を示すフローチャートである。 図１５は、基板の一例を示す断面図である。 図１６は、図１５の基板の平面図である。 図１７は、ＥＵＶＬ用マスクブランクの一例を示す断面図である。 図１８は、ＥＵＶＬ用マスクの一例を示す断面図である。
　以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。明細書中、数値範囲を示す「～」は、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。
　図１～図４を参照して、一実施形態に係る基板洗浄装置１について説明する。基板洗浄装置１は、基板Ｗの上に形成された液膜Ｆに対して超音波振動を付与することで、基板Ｗを洗浄する。基板Ｗに付着したパーティクルを除去できる。基板洗浄装置１は、保持部１０と、ノズル２０と、洗浄ヘッド３０と、回転部４０と、第１移動部５０と、第２移動部６０と、制御部９０と、を備える。
　保持部１０は、基板Ｗを水平に保持する。上方から見たときに、基板Ｗは、矩形であるが（図４参照）、円形であってもよい。基板Ｗは、ガラス基板、シリコンウエハ又は化合物半導体ウエハを含む。基板Ｗは、ガラス基板などの上に形成される機能膜を含んでもよい。機能膜は、例えば光反射膜、光吸収膜、導電膜、または絶縁膜などである。
　保持部１０は、例えば図１に示すように、基板Ｗの周縁に沿って間隔をおいて配置される複数本のピン１１を含む。複数本のピン１１は、基板Ｗの周縁を保持する。基板Ｗは、複数本のピン１１の上に載置される。基板Ｗの下には空間が存在するので、後述するように基板Ｗの下面にセンサを取りけることも可能である。なお、保持部１０は、基板Ｗを吸着してもよい。
　ノズル２０は、保持部１０で保持している基板Ｗの上面Ｗａに洗浄液を供給することで液膜Ｆを形成する。基板Ｗの上面Ｗａを、基板上面Ｗａとも記載する。ノズル２０は、例えば、基板上面Ｗａの中心付近に洗浄液を供給する。基板Ｗは回転しており、基板Ｗ上の洗浄液は遠心力によって基板Ｗの中心から周縁に向けて濡れ広がる。その結果、基板上面Ｗａの全体に液膜Ｆが形成される。ノズル２０は、図１に示すように洗浄ヘッド３０の外部に設けられてもよいし、図示しないが洗浄ヘッド３０の内部に設けられてもよい。
　ノズル２０は、供給ライン２１を介して洗浄液の供給源２２と接続されている。供給ライン２１の途中には、バルブ２３が設けられている。バルブ２３は、供給ライン２１の流路を開閉する。バルブ２３が供給ライン２１の流路を開放すると、洗浄液が供給源２２からノズル２０に供給され、ノズル２０が洗浄液を吐出する。バルブ２３が供給ライン２１の流路を閉塞すると、ノズル２０が洗浄液の吐出を停止する。
　洗浄液は、例えば、純水（例えば脱イオン水）、純水とＸ（塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、ギ酸、酢酸からなる群から選択される少なくとも１つの成分）の混合物、純水とＹ（アンモニア、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリエタノールアミン、コリン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウムからなる群から選択される少なくとも１つの成分）の混合物、純水とＺ（過酸化水素、過塩素酸イオン、過ヨウ素酸イオンからなる群から選択される少なくとも１つの成分）の混合物、純水とＸとＺの混合物、または純水とＹとＺの混合物である。
　洗浄液は、Ｈ２ガス、ＣＯ２ガス、Ｎ２ガス、Ｏ２ガス、Ｏ３ガス、及びＡｒガスからなる群から選択される少なくとも１つのガスを溶存してもよい。ガスの溶存量を制御することで、キャビテーションの発生効率を向上でき、パーティクルの除去効率を向上できる。洗浄液に溶存するガスは、好ましくはＨ２ガス、ＣＯ２ガスまたはＮ２ガスであり、より好ましくはＣＯ２ガスである。
　洗浄ヘッド３０は、図２に示すように、液膜Ｆに接触する振動面３１ａと、振動面３１ａを振動させる超音波振動子３２とを含む。洗浄ヘッド３０は、振動板３１を含む。振動板３１は、液膜Ｆに接触する下向きの振動面３１ａと、超音波振動子３２が取り付けられる上向きの取付面３１ｂと、を有する。
　振動面３１ａは、基板上面Ｗａに対して平行に設置される。振動面３１ａの大きさは、例えば基板上面Ｗａの大きさよりも小さい。振動面３１ａの形状は、例えば円形である。なお、ノズル２０が洗浄ヘッド３０の内部に設けられる場合、ノズル２０の吐出口が振動面３１ａに形成される。
　取付面３１ｂは、図２に示すように振動面３１ａに対して平行に設置されてもよいし、図３に示すように振動面３１ａに対して斜めに設置されてもよい。図３において、θは、振動面３１ａの法線と、取付面３１ｂの法線とのなす角である。取付面３１ｂの法線方向が、超音波振動子３２の振動方向である。
　超音波振動子３２は、振動面３１ａを振動させることで液膜Ｆに超音波振動を付与し、基板Ｗに音圧を付与する。これにより、基板上面Ｗａに付着したパーティクルを剥離できる。超音波振動子３２の出力は、制御部９０によって制御する。洗浄ヘッド３０と基板Ｗの距離Ｄが一定の場合、超音波振動子３２の出力ＰＷが大きくなるほど、基板Ｗに作用する音圧ＳＰが大きくなる（図５参照）。本明細書において、音圧ＳＰとは、瞬時値のことではなく、実効値のことである。
　超音波振動子３２の出力ＰＷと、基板Ｗに作用する音圧ＳＰとの関係（例えば図５に示す関係）は、制御部９０の記憶媒体９２に予め記憶されている。なお、洗浄ヘッド３０と基板Ｗの距離Ｄと、基板Ｗに作用する音圧ＳＰとの関係（例えば図７に示す関係）も、制御部９０の記憶媒体９２に予め記憶されている。距離Ｄと音圧ＳＰの関係については、後述する。
　図１に示すように、回転部４０は、保持部１０と共に基板Ｗを回転させる。保持部１０の回転中心線１０Ｒは、鉛直に設置される。保持部１０は、その回転中心線１０Ｒが基板Ｗの中心を通るように基板Ｗを保持する。回転部４０は、サーボモータ４１を含む。サーボモータ４１の回転駆動力は、図示しないプーリとベルト、またはギヤを介して保持部１０に伝達されてもよい。サーボモータ４１は、保持部１０の回転位置に関する情報を制御部９０に送信する。保持部１０の回転位置は、回転角で表される。
　第１移動部５０は、保持部１０の回転中心線１０Ｒと直交する水平方向に洗浄ヘッド３０を移動させる。洗浄ヘッド３０は、例えば、基板Ｗの中心の真上の位置と、基板Ｗの周縁の真上の位置との間で移動させられる。第１移動部５０は、サーボモータ５１を含む。サーボモータ５１は、洗浄ヘッド３０の水平方向位置に関する情報を制御部９０に送信する。
　第１移動部５０は、例えば旋回軸５２を回転させることで、保持部１０の回転中心線１０Ｒと直交する水平方向に洗浄ヘッド３０を移動させる。旋回軸５２は旋回アーム５３の一端に固定されており、洗浄ヘッド３０は旋回アーム５３の他端に固定されている。洗浄ヘッド３０の旋回中心線３０Ｒは、鉛直に設置される。
　なお、図示しないが、第１移動部５０は、水平なガイドレールに沿って、保持部１０の回転中心線１０Ｒと直交する水平方向に洗浄ヘッド３０を移動させてもよい。
　第２移動部６０は、洗浄ヘッド３０を鉛直方向に移動させる。例えば、第２移動部６０は、旋回軸５２を鉛直方向に移動させることで、洗浄ヘッド３０を鉛直方向に移動させる。第２移動部６０は、サーボモータ６１を含む。第２移動部６０は、サーボモータ６１の回転運動を直線運動に変換するボールねじを含んでもよい。サーボモータ６１は、洗浄ヘッド３０の鉛直方向位置に関する情報を制御部９０に送信する。
　なお、図示しないが、第２移動部６０は、洗浄ヘッド３０を鉛直方向に移動させる代わりに、保持部１０を鉛直方向に移動させてもよい。いずれにしろ、基板Ｗと洗浄ヘッド３０の距離Ｄを変更できる。
　制御部９０は、バルブ２３と超音波振動子３２と回転部４０と第１移動部５０と第２移動部６０とを制御する。制御部９０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）９１と、メモリ等の記憶媒体９２とを備える。記憶媒体９２には、基板洗浄装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部９０は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、基板洗浄装置１の動作を制御する。
　次に、基板洗浄装置１の動作、つまり基板洗浄方法について説明する。まず、図示しない搬送ロボットが、基板洗浄装置１の内部に進入し、搬送ロボットが保持している基板Ｗを保持部１０に渡す。保持部１０が基板Ｗを水平に保持した後、搬送ロボットが基板洗浄装置１から退出する。このようにして基板Ｗの搬入が行われる。
　次に、回転部４０が保持部１０と共に基板Ｗを回転させると共に、ノズル２０が基板Ｗの中心付近に洗浄液を供給する。基板Ｗ上の洗浄液は遠心力によって基板Ｗの中心から周縁に向けて濡れ広がる。その結果、基板上面Ｗａの全体に液膜Ｆが形成される。洗浄液の供給量は、例えば０．１Ｌ／ｍｉｎ～５．０Ｌ／ｍｉｎ、好ましくは０．８Ｌ／ｍｉｎ～１．６Ｌ／ｍｉｎである。
　次に、洗浄ヘッド３０の振動面３１ａが液膜Ｆに接触するように、第１移動部５０が洗浄ヘッド３０の水平方向位置を調整すると共に、第２移動部６０が洗浄ヘッド３０の鉛直方向位置を調整する。洗浄ヘッド３０と基板Ｗの間には、所望の間隔が形成される。その間隔は、例えば０．１ｍｍ～５．０ｍｍ、好ましくは１．０ｍｍ～４．０ｍｍである。
　次に、超音波振動子３２が洗浄ヘッド３０の振動面３１ａを振動させることで液膜Ｆに超音波振動を付与し、基板上面Ｗａに音圧を付与する。
　次に、第１移動部５０が洗浄ヘッド３０を保持部１０の回転中心線１０Ｒと直交する水平方向に移動させる。洗浄ヘッド３０は、基板Ｗの中心の真上の位置と、基板Ｗの周縁の真上の位置との間を往復移動させられる。基板Ｗは回転しており、基板上面Ｗａの全体が洗浄される。
　次に、第２移動部６０が洗浄ヘッド３０を上昇させた後、第１移動部５０が洗浄ヘッド３０の水平方向位置を待機位置まで移動させる。上方から見たときに、待機位置は、基板Ｗの周縁よりも外側の位置である。また、超音波振動子３２が振動面３１ａの振動を停止し、ノズル２０が洗浄液の供給を停止する。
　次に、ノズル２０が洗浄液の供給を停止した状態で、回転部４０が保持部１０と共に基板Ｗを回転させることで、基板Ｗ上の洗浄液が遠心力によって基板Ｗの周縁から振り切られる。基板Ｗから液膜Ｆが除去され、基板Ｗが乾燥させられる。
　次に、図示しない搬送ロボットが基板洗浄装置１の内部に進入し、保持部１０から基板Ｗを受け取る。搬送ロボットが基板Ｗを保持した後、搬送ロボットが基板洗浄装置１から退出する。このようにして基板Ｗの搬出が行われる。
　次に、図６～図７を参照して、洗浄ヘッド３０と基板Ｗの距離Ｄと、基板Ｗに作用する音圧ＳＰとの関係について説明する。図６に示すように、洗浄ヘッド３０と基板Ｗの間には、振動面３１ａから発せられる超音波と、基板上面Ｗａにて反射される超音波とが重ね合わせられ、定在波が形成される。図６において、Ａｎは定在波のｎ番目（ｎ：１以上の整数）の腹の位置に相当し、Ｂｎは定在波のｎ番目の節の位置に相当する。なお、超音波の反射は、自由端反射である。
　超音波振動子３２の出力ＰＷが一定の場合、図７に示すように、基板Ｗに作用する音圧ＳＰは、距離Ｄに応じて変動する。基板上面Ｗａが定在波の腹の位置に位置するとき、音圧ＳＰが極大になる。基板上面Ｗａが定在波の節の位置に位置するとき、音圧ＳＰが極小になる。距離Ｄが大きくなるほど、音圧ＳＰの極大値が小さくなる。音圧ＳＰは、例えば図６に示す音圧センサ７０で計測する。音圧センサ７０は、基板Ｗの下面に取り付けられる。
　定在波の腹の位置では、基板上面Ｗａに作用する音圧ＳＰが高く、キャビテーションが発生しやすく、パーティクルの除去効率が良い。距離Ｄが下記式（１）を満たす場合、基板上面Ｗａが定在波の腹の位置、またはその近傍の位置になる。従って、距離Ｄが下記式（１）を満たす場合、パーティクルの除去効率が良い。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000007
 上記式（１）中、Ｄは基板Ｗと洗浄ヘッド３０の距離、ｎは１以上の整数、λは洗浄ヘッド３０から液膜Ｆに付与される超音波の液膜中での波長、ｍは５以上の整数、Θは液膜Ｆにおける超音波の速度をｖとし振動板３１における超音波の速度をｖ１とした場合に下記式（２）を満たす値である。ｎは、好ましくは１以上１３以下である。ｍは、好ましくは５以上８以下であり、より好ましくは６以上８以下であり、更に好ましくは７以上８以下であり、特に好ましくは８である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000008
 上記式（２）中、θは振動板３１の振動面３１ａの法線と振動板３１の取付面３１ｂの法線とのなす角である。なお、θは０°であってもよい。θが０°である場合、距離Ｄがλ／２の整数倍であれば、つまり「Ｄ＝ｎλ／２」の式が成立すれば、基板上面Ｗａが定在波の腹の位置になる。θが０°である場合、図７に示すように隣り合う２つの極大値の間隔はλ／２である。
　ところで、基板洗浄装置１は、基板上面Ｗａを洗浄する際に、つまり、基板上面Ｗａに液膜Ｆを形成すると共に液膜Ｆに超音波振動を付与する際に、保持部１０と共に基板Ｗを回転させながら保持部１０の回転中心線１０Ｒと直交する方向に洗浄ヘッド３０を移動させる。洗浄ヘッド３０は、基板上面Ｗａの中心の真上の位置と、基板上面Ｗａの周縁の真上の位置との間で水平方向に移動させられる。洗浄ヘッド３０の水平方向位置と基板Ｗの回転位置とに応じて、洗浄ヘッド３０と基板Ｗの距離Ｄが変動すると、図７から明らかなように基板Ｗに作用する音圧ＳＰにむらが生じる。
　そこで、制御部９０は、基板Ｗを洗浄する前に、基板Ｗとは別に用意した第２基板Ｗ２（図８参照）を保持部１０で保持した状態で、第２基板Ｗ２の上面Ｗ２ａの複数点Ｐ１～Ｐ１６のそれぞれで、第２基板Ｗ２と洗浄ヘッド３０の距離Ｄを測定した結果を記憶しておく。距離Ｄの測定には、例えば図１に示すレーザー変位計８０を用いる。レーザー変位計８０は、洗浄ヘッド３０または旋回アーム５３に対して固定されており、洗浄ヘッド３０と共に鉛直方向および水平方向に移動する。
　第２基板Ｗ２の上面Ｗ２ａを、第２基板上面Ｗ２ａとも記載する。第２基板上面Ｗ２ａの各点Ｐ１～Ｐ１６における距離Ｄは、各点Ｐ１～Ｐ１６の真上に振動面３１ａの中心が到達したときの、各点Ｐ１～Ｐ１６と振動面３１ａの中心との距離である。複数点Ｐ１～Ｐ８が第１円Ｃ１の上に等間隔で設定され、別の複数点Ｐ９～Ｐ１６が第２円Ｃ２の上に等間隔で設定される。第１円Ｃ１と第２円Ｃ２とは同心円であり、その中心は第２基板上面Ｗ２ａの中心と一致する。第２円Ｃ２は、第１円Ｃ１の外側に設定される。
　次に、図９と図１０を参照して、洗浄ヘッド３０の旋回中心線３０Ｒの傾きによる、第２基板Ｗ２と洗浄ヘッド３０の距離Ｄのばらつきの一例について説明する。図９に示すように、回転中心線１０Ｒに対して旋回中心線３０Ｒが傾いている場合、距離Ｄは洗浄ヘッド３０の水平方向位置に応じて変動する。なお、図９において、第２基板上面Ｗ２ａの法線Ｎは、回転中心線１０Ｒと一致している。
　この場合、図１０に示すように、距離Ｄは、保持部１０の回転位置には依存しない。第１円Ｃ１上の各点Ｐ１～Ｐ８での距離Ｄは同じ距離Ｄ１になる。また、第２円Ｃ２上の各点Ｐ９～Ｐ１６での距離Ｄも同じ距離Ｄ２になる。但し、距離Ｄ１と距離Ｄ２とは異なる。距離Ｄ１と距離Ｄ２とは、どちらが大きくてもよい。
　距離Ｄ１、Ｄ２の差ΔＤ（ΔＤ＝Ｄ２－Ｄ１）の絶対値は、保持部１０の回転中心線１０Ｒに対する洗浄ヘッド３０の旋回中心線３０Ｒの傾斜角α（α＞０）に応じて変動する。傾斜角αが大きいほど、差ΔＤの絶対値が大きくなる。従って、差ΔＤの絶対値から、傾斜角αの大きさが分かる。また、差ΔＤの正負から、旋回中心線３０Ｒの傾斜方向が分かる。
　次に、図１１と図１２を参照して、第２基板上面Ｗ２ａの法線Ｎの傾きによる、第２基板Ｗ２と洗浄ヘッド３０の距離Ｄのばらつきの一例について説明する。図１１に示すように、回転中心線１０Ｒに対して法線Ｎが傾いている場合、距離Ｄは保持部１０の回転位置に応じて変動する。保持部１０の回転位置は、回転角で表される。なお、図１１において、旋回中心線３０Ｒは、回転中心線１０Ｒに対して平行である。
　この場合、図１２に示すように、第１円Ｃ１上の各点Ｐ１～Ｐ８での距離Ｄの変動は第１正弦曲線Ｓ１で表され、第２円Ｃ２上の各点Ｐ９～Ｐ１６での距離Ｄの変動は第２正弦曲線Ｓ２で表される。第２正弦曲線Ｓ２の振動中心線に相当する距離Ｄ２と、第１正弦曲線Ｓ１の振動中心線に相当する距離Ｄ１とは、一致する。第２正弦曲線Ｓ２の振幅Ａ２は、第１正弦曲線Ｓ１の振幅Ａ１よりも大きい。図１２において、ＲＰは、第１正弦曲線Ｓ１と第２正弦曲線Ｓ２の最大値に相当する回転位置である。
　振幅Ａ１、Ａ２の差ΔＡ（ΔＡ＝Ａ２－Ａ１＞０）は、保持部１０の回転中心線１０Ｒに対する第２基板上面Ｗ２ａの法線Ｎの傾斜角β（β＞０）に応じて変動する。傾斜角βが大きいほど、差ΔＡが大きくなる。従って、差ΔＡから、傾斜角βの大きさが分かる。また、回転位置ＲＰから、法線Ｎの傾斜方向が分かる。
　次に、図１３を参照して、洗浄ヘッド３０の旋回中心線３０Ｒの傾きと、第２基板上面Ｗ２ａの法線Ｎの傾きとによる、第２基板Ｗ２と洗浄ヘッド３０の距離Ｄのばらつきの一例について説明する。回転中心線１０Ｒに対して法線Ｎが傾いており、且つ回転中心線１０Ｒに対して旋回中心線３０Ｒが傾いている場合、距離Ｄは洗浄ヘッド３０の水平方向位置と保持部１０の回転位置の両方に応じて変動する。
　この場合、図１３に示すように、第１円Ｃ１上の各点Ｐ１～Ｐ８での距離Ｄの変動は第１正弦曲線Ｓ１で表され、第２円Ｃ２上の各点Ｐ９～Ｐ１６での距離Ｄの変動は第２正弦曲線Ｓ２で表される。第２正弦曲線Ｓ２の振動中心線に相当する距離Ｄ２と、第１正弦曲線Ｓ１の振動中心線に相当する距離Ｄ１とは、異なる。距離Ｄ１と距離Ｄ２とは、どちらが大きくてもよい。一方、第２正弦曲線Ｓ２の振幅Ａ２は、第１正弦曲線Ｓ１の振幅Ａ１よりも大きい。図１２において、ＲＰは、第１正弦曲線Ｓ１と第２正弦曲線Ｓ２の最大値に相当する回転位置である。
　距離Ｄ１、Ｄ２の差ΔＤ（ΔＤ＝Ｄ２－Ｄ１）の絶対値は、傾斜角α（α＞０）に応じて変動する。傾斜角αが大きいほど、差ΔＤの絶対値が大きくなる。従って、差ΔＤの絶対値から、傾斜角αの大きさが分かる。また、差ΔＤの正負から、旋回中心線３０Ｒの傾斜方向が分かる。また、振幅Ａ１、Ａ２の差ΔＡ（ΔＡ＝Ａ２－Ａ１＞０）は、傾斜角β（β＞０）に応じて変動する。傾斜角βが大きいほど、差ΔＡが大きくなる。従って、差ΔＡから、傾斜角βの大きさが分かる。また、回転位置ＲＰから、法線Ｎの傾斜方向が分かる。
　傾斜角α、βを完全にゼロにすることは、現実的ではない。そこで、制御部９０は、基板Ｗを洗浄する前に、基板Ｗとは別に用意した第２基板Ｗ２を保持部１０で保持した状態で、第２基板Ｗ２の上面Ｗ２ａの複数点Ｐ１～Ｐ１６のそれぞれで、第２基板Ｗ２と洗浄ヘッド３０の距離Ｄを測定した結果を記憶しておく。記憶する情報は、各点Ｐ１～Ｐ１６での距離Ｄでもよいし、各点Ｐ１～Ｐ１６での距離Ｄから算出される、傾斜角αの大きさと、旋回中心線３０Ｒの傾斜方向と、傾斜角βの大きさと、法線Ｎの傾斜方向とでもよい。
　なお、制御部９０は、基板Ｗを洗浄する前に、第２基板Ｗ２の上面Ｗ２ａの複数点Ｐ１～Ｐ１６のそれぞれで、第２基板Ｗ２と洗浄ヘッド３０の距離Ｄを測定した結果を記憶する代わりに、第２基板Ｗ２に作用する音圧ＳＰを測定した結果を記憶してもよい。距離Ｄと音圧ＳＰとは、一定の関係（図７参照）を有するので、どちらを測定しても、傾斜角αの大きさと、旋回中心線３０Ｒの傾斜方向と、傾斜角βの大きさと、法線Ｎの傾斜方向とを求めることは可能である。音圧ＳＰは、例えば図６に示す音圧センサ７０で計測する。音圧センサ７０は、第２基板Ｗ２の下面に複数取り付けられる。
　制御部９０は、基板Ｗを洗浄する際に（より詳細には、洗浄ヘッド３０の振動面３１ａから液膜Ｆに超音波振動を付与しながら、基板Ｗを回転させると共に水平方向に洗浄ヘッド３０を移動させる際に）、基板Ｗと洗浄ヘッド３０の距離Ｄが許容範囲に収まるように、前記測定した結果に基づき、洗浄ヘッド３０の鉛直方向位置を制御する。この場合、制御部９０は、例えば基板Ｗを洗浄する前に、前記測定した結果に基づいて、距離Ｄを許容範囲に収めるための洗浄ヘッド３０の鉛直方向位置を求めておく。
　制御部９０は、上記の通り、基板Ｗを洗浄する際に、基板Ｗと洗浄ヘッド３０の距離Ｄが許容範囲に収まるように、前記測定した結果に基づき、洗浄ヘッド３０の鉛直方向位置を制御する。これにより、基板上面Ｗａの複数点のそれぞれで音圧ＳＰを許容範囲に収めることができ、基板上面Ｗａの全体を均等に洗浄できる。距離Ｄが上記式（１）を満たす場合、基板上面Ｗａに作用する音圧ＳＰが高く、パーティクルの除去効率が良い。
　なお、制御部９０は、基板Ｗと洗浄ヘッド３０の距離Ｄが許容範囲に収まるように、前記測定した結果に基づき、洗浄ヘッド３０の鉛直方向位置を制御する代わりに、保持部１０の鉛直方向位置を制御してもよい。この場合も、基板上面Ｗａの複数点のそれぞれで音圧ＳＰを許容範囲に収めることができ、基板上面Ｗａの全体を均等に洗浄できる。
　制御部９０は、基板Ｗを洗浄する際に、基板Ｗに作用する音圧ＳＰが許容範囲に収まるように、前記測定した結果に基づき、超音波振動子３２の出力ＰＷを制御してもよい。この場合、制御部９０は、基板Ｗを洗浄する前に、出力ＰＷと音圧ＳＰの関係（図５参照）と、距離Ｄと音圧ＳＰの関係（図７）を記憶しておき、記憶した関係と、前記測定した結果とに基づいて、音圧ＳＰを許容範囲に収めるための出力ＰＷを求める。
　基板上面Ｗａの全体を均等に洗浄するには、基板上面Ｗａの複数点のそれぞれで音圧ＳＰの時間積分値を許容範囲に収めればよく、音圧ＳＰが許容範囲に収まらなくてもよい。例えば、制御部９０は、基板Ｗを洗浄する際に、基板上面Ｗａの複数点のそれぞれで音圧ＳＰの時間積分値が許容範囲に収まるように、保持部１０の回転速度、または洗浄ヘッド３０の移動速度を制御してもよい。
　制御部９０は、基板Ｗを洗浄する際に、基板上面Ｗａの複数点のそれぞれで音圧ＳＰの時間積分値が許容範囲に収まるように、洗浄ヘッド３０または保持部１０の鉛直方向位置と、超音波振動子３２の出力ＰＷと、保持部１０の回転速度と、保持部１０の回転中心線１０Ｒと直交する水平方向における洗浄ヘッド３０の移動速度と、から選ばれる少なくとも１つを制御すればよい。
　なお、制御部９０は、基板Ｗを洗浄する前に、第２基板Ｗ２を保持部１０で保持した状態で、第２基板Ｗ２の上面Ｗ２ａの複数点Ｐ１～Ｐ１６のそれぞれで、第２基板Ｗ２と洗浄ヘッド３０の距離Ｄ、または第２基板Ｗ２に作用する音圧ＳＰを測定した結果を記憶しておくが、本開示の技術はこれに限定されない。
　例えば、制御部９０は、基板Ｗを洗浄する前に、つまり、洗浄ヘッド３０の振動面３１ａから液膜Ｆに超音波振動を付与する前に、基板Ｗを保持部１０で保持した状態で、基板Ｗの上面Ｗａの複数点Ｐ１～Ｐ１６のそれぞれで、基板Ｗと洗浄ヘッド３０の距離Ｄを測定した結果を記憶しておいてもよい。この場合も、基板上面Ｗａの複数点のそれぞれで音圧ＳＰの時間積分値を許容範囲に収めることができ、基板上面Ｗａの全体を均等に洗浄できる。
　あるいは、制御部９０は、基板Ｗを洗浄しながら、基板Ｗの上面Ｗａの複数点Ｐ１～Ｐ１６のそれぞれで、基板Ｗと洗浄ヘッド３０の距離Ｄ、または基板Ｗに作用する音圧ＳＰを測定してもよい。この場合も、基板上面Ｗａの複数点のそれぞれで音圧ＳＰの時間積分値を許容範囲に収めることができ、基板上面Ｗａの全体を均等に洗浄できる。
　具体的には、制御部９０は、基板Ｗを洗浄する際に（より詳細には、洗浄ヘッド３０の振動面３１ａから液膜Ｆに超音波振動を付与しながら、基板Ｗを回転させると共に水平方向に洗浄ヘッド３０を移動させる際に）、下記（Ａ）と（Ｂ）を繰り返し実施してもよい。（Ａ）基板上面Ｗａの所望の点で距離Ｄまたは音圧ＳＰを測定する。（Ｂ）前記測定した結果に基づき、洗浄ヘッド３０または保持部１０の鉛直方向位置と、超音波振動子３２の出力と、保持部１０の回転速度と、保持部１０の回転中心線１０Ｒと直交する水平方向における洗浄ヘッド３０の移動速度と、から選ばれる少なくとも１つを制御する。
　ところで、基板洗浄装置１は、保持部１０に保持される基板Ｗを取り替えながら、基板Ｗを洗浄することを繰り返し実施する。基板Ｗが取り替えられると、基板Ｗの板厚が変わることがあり、基板Ｗと洗浄ヘッド３０との距離Ｄが変わることがある。距離Ｄが変わると、図７から明らかなように基板Ｗに作用する音圧ＳＰが変わる。
　そこで、制御部９０は、例えば基板Ｗを保持部１０で保持する前に、基板Ｗの板厚を測定した結果を記憶しておく。基板Ｗの板厚は、一般的な厚さ計を用いて測定する。厚さ計は、接触式でも、非接触式でもよい。厚さ計は、測定した結果を、制御部９０に送信してもよい。
　制御部９０は、基板Ｗを洗浄する際に、前記測定した板厚に基づき、洗浄ヘッド３０または保持部１０の鉛直方向位置と、超音波振動子３２の出力ＰＷと、保持部１０の回転速度と、保持部１０の回転中心線１０Ｒと直交する水平方向における洗浄ヘッド３０の移動速度と、から選ばれる少なくとも１つを制御する。これにより、基板Ｗに作用する音圧ＳＰの時間積分値を許容範囲に収めることができ、基板間での洗浄ムラを抑制できる。
　なお、制御部９０は、基板Ｗを保持部１０で保持する前に、基板Ｗの板厚を測定した結果を記憶しておくが、本開示の技術はこれに限定されない。つまり、基板Ｗを保持部１０に保持した状態で基板Ｗの板厚を測定してもよい。基板Ｗの板厚は、基板Ｗを洗浄する前に測定してもよいし、基板Ｗを洗浄しながら測定してもよい。この場合も、基板Ｗに作用する音圧ＳＰの時間積分値を許容範囲に収めることができ、基板間での洗浄ムラを抑制できる。
　次に、図１４を参照して、図１７に示すＥＵＶＬ用マスクブランク２００の製造方法について説明する。ＥＵＶＬ用マスクブランク２００の製造方法は、ステップＳ１０１～Ｓ１０７を有する。例えば図１５及び図１６に示す基板２１０が予め準備される。基板２１０がガラス基板である場合、ステップＳ１０１～Ｓ１０４はガラス基板の製造方法に含まれる。
　基板２１０は、第１主面２１１と、第１主面２１１とは反対向きの第２主面２１２とを含む。第１主面２１１は、矩形状である。本明細書において、矩形状とは、角に面取加工を施した形状を含む。また、矩形は、正方形を含む。第２主面２１２は、第１主面２１１とは反対向きである。第２主面２１２も、第１主面２１１と同様に、矩形状である。
　また、基板２１０は、４つの端面２１３と、４つの第１面取面２１４と、４つの第２面取面２１５とを含む。端面２１３は、第１主面２１１及び第２主面２１２に対して垂直である。第１面取面２１４は、第１主面２１１と端面２１３の境界に形成される。第２面取面２１５は、第２主面２１２と端面２１３の境界に形成される。第１面取面２１４及び第２面取面２１５は、本実施形態では、いわゆるＣ面取面であるが、Ｒ面取面であってもよい。
　基板２１０は、例えばガラス基板である。基板２１０のガラスは、ＴｉＯ２を含有する石英ガラスが好ましい。石英ガラスは、一般的なソーダライムガラスに比べて、線膨張係数が小さく、温度変化による寸法変化が小さい。石英ガラスは、ＳｉＯ２を８０質量％～９５質量％、ＴｉＯ２を４質量％～１７質量％含んでよい。ＴｉＯ２含有量が４質量％～１７質量％であると、室温付近での線膨張係数が略ゼロであり、室温付近での寸法変化がほとんど生じない。石英ガラスは、ＳｉＯ２およびＴｉＯ２以外の第三成分又は不純物を含んでもよい。
　平面視にて基板２１０のサイズは、例えば縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍである。縦寸法及び横寸法は、１５２ｍｍ以上であってもよい。
　基板２１０は、第１主面２１１に中央領域２１１Ａと周縁領域２１１Ｂとを有する。中央領域２１１Ａは、その中央領域２１１Ａを取り囲む矩形枠状の周縁領域２１１Ｂを除く、正方形の領域であり、ステップＳ１０１～Ｓ１０４によって所望の平坦度に加工される領域であり、品質保証領域である。品質保証領域は、例えば縦１４２ｍｍ、横１４２ｍｍのサイズを有する。中央領域２１１Ａの４つの辺は、４つの端面２１３に平行である。中央領域２１１Ａの中心は、第１主面２１１の中心に一致する。
　なお、図示しないが、基板２１０の第２主面２１２も、第１主面２１１と同様に、中央領域と、周縁領域とを有する。第２主面２１２の中央領域は、第１主面２１１の中央領域と同様に、正方形の領域であって、図１４のステップＳ１０１～Ｓ１０４によって所望の平坦度に加工される領域であり、品質保証領域である。品質保証領域は、例えば縦１４２ｍｍ、横１４２ｍｍのサイズを有する。
　ステップＳ１０１は、基板２１０の第１主面２１１及び第２主面２１２を研磨することを含む。第１主面２１１及び第２主面２１２は、本実施形態では不図示の両面研磨機で同時に研磨されるが、不図示の片面研磨機で順番に研磨されてもよい。ステップＳ１０１では、研磨パッドと基板２１０の間に研磨スラリーを供給しながら、基板２１０を研磨する。
　研磨パッドとしては、例えばウレタン系研磨パッド、不織布系研磨パッド、又はスウェード系研磨パッドなどが用いられる。研磨スラリーは、研磨剤と分散媒とを含む。研磨剤は、例えば酸化セリウム粒子である。分散媒は、例えば水又は有機溶剤である。第１主面２１１及び第２主面２１２は、異なる材質又は粒度の研磨剤で、複数回研磨されてもよい。
　なお、ステップＳ１０１で用いられる研磨剤は、酸化セリウム粒子には限定されず、例えば、酸化シリコン粒子、酸化アルミニウム粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化チタン粒子、ダイヤモンド粒子、又は炭化珪素粒子などであってもよい。
　ステップＳ１０２は、基板２１０の第１主面２１１及び第２主面２１２の表面形状を測定することを含む。表面形状の測定には、例えば、表面が傷付かないように、レーザー干渉式などの非接触式の測定機が用いられる。測定機は、第１主面２１１の中央領域２１１Ａ、及び第２主面２１２の中央領域の表面形状を測定する。
　ステップＳ１０３は、ステップＳ１０２の測定結果を参照し、平坦度を向上すべく、基板２１０の第１主面２１１及び第２主面２１２を局所加工することを含む。第１主面２１１と第２主面２１２は、順番に局所加工される。その順番は、どちらが先でもよく、特に限定されない。
　局所加工には、例えば、ＧＣＩＢ（Ｇａｓ　Ｃｌｕｓｔｅｒ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ）法、ＰＣＶＭ（Ｐｌａｓｍａ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒｉｚａｔｉｏｎ　Ｍａｃｈｉｎｉｎｇ）法、磁性流体による研磨法、及び回転研磨工具による研磨から選ばれる少なくとも１つが用いられる。
　ステップＳ１０４は、基板２１０の第１主面２１１及び第２主面２１２の仕上げ研磨を行うことを含む。第１主面２１１及び第２主面２１２は、本実施形態では不図示の両面研磨機で同時に研磨されるが、不図示の片面研磨機で順番に研磨されてもよい。ステップＳ１０４では、研磨パッドと基板２１０の間に研磨スラリーを供給しながら、基板２１０を研磨する。研磨スラリーは、研磨剤を含む。研磨剤は、例えばコロイダルシリカ粒子である。
　ステップＳ１０５は、基板２１０の第２主面２１２の中央領域に、図１７に示す導電膜２４０を形成することを含む。導電膜２４０は、ＥＵＶＬ用マスクを露光装置の静電チャックに吸着するのに用いられる。導電膜２４０は、例えば窒化クロム（ＣｒＮ）などで形成される。導電膜２４０の成膜方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。
　ステップＳ１０６は、基板２１０の第１主面２１１の中央領域２１１Ａに、図１７に示す多層反射膜２２０を形成することを含む。多層反射膜２２０は、ＥＵＶを反射する。多層反射膜２２０は、例えば高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層したものである。高屈折率層は例えばシリコン（Ｓｉ）で形成され、低屈折率層は例えばモリブデン（Ｍｏ）で形成される。多層反射膜２２０の成膜方法としては、例えばイオンビームスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法などのスパッタリング法が用いられる。
　ステップＳ１０７は、ステップＳ１０６で形成された多層反射膜２２０の上に、図１７に示す吸収膜２３０を形成することを含む。吸収膜２３０は、ＥＵＶを吸収する。吸収膜２３０は、位相シフト膜であってもよく、ＥＵＶの位相をシフトさせてもよい。吸収膜２３０は、例えばタンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）から選ばれる少なくとも１つの元素を含む単金属、合金、窒化物、酸化物、酸窒化物などで形成される。吸収膜２３０の成膜方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。
　なお、ステップＳ１０６～Ｓ１０７は、本実施形態ではステップＳ１０５の後に実施されるが、ステップＳ１０５の前に実施されてもよい。
　上記ステップＳ１０１～Ｓ１０７により、図１７に示すＥＵＶＬ用マスクブランク２００が得られる。ＥＵＶＬ用マスクブランク２００は、導電膜２４０と、基板２１０と、多層反射膜２２０と、吸収膜２３０とをこの順番で有する。なお、ＥＵＶＬ用マスクブランク２００は、導電膜２４０と、基板２１０と、多層反射膜２２０と、吸収膜２３０とに加えて、別の膜を含んでもよい。
　例えば、ＥＵＶＬ用マスクブランク２００は、更に、低反射膜を含んでもよい。低反射膜は、吸収膜２３０上に形成される。その後、低反射膜と吸収膜２３０の両方に、開口パターン２３１が形成される。低反射膜は、開口パターン２３１の検査に用いられ、検査光に対して吸収膜２３０よりも低反射特性を有する。低反射膜は、例えばＴａＯＮまたはＴａＯなどで形成される。低反射膜の成膜方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。
　また、ＥＵＶＬ用マスクブランク２００は、更に、保護膜を含んでもよい。保護膜は、多層反射膜２２０と吸収膜２３０との間に形成される。保護膜は、吸収膜２３０に開口パターン２３１を形成すべく吸収膜２３０をエッチングする際に、多層反射膜２２０がエッチングされないように、多層反射膜２２０を保護する。保護膜は、例えばＲｕ、Ｓｉ、またはＴｉＯ２などで形成される。保護膜の成膜方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。
　図１８に示すように、ＥＵＶＬ用マスク２０１は、ＥＵＶＬ用マスクブランク２００の吸収膜２３０に開口パターン２３１を形成することで得られる。開口パターン２３１の形成には、フォトリソグラフィ法およびエッチング法が用いられる。従って、開口パターン２３１の形成に用いられるレジスト膜が、ＥＵＶＬ用マスクブランク２００に含まれてもよい。
　ところで、ＥＵＶＬ用マスクブランク２００の製造工程の途中で、基板２１０または基板２１０の上に形成された各種の機能膜を洗浄することがある。酸またはアルカリによる化学反応を利用する洗浄、物理作用を利用する洗浄、またはこれらの組み合せの洗浄などが行われる。物理作用を利用する洗浄は、超音波洗浄、スクラブ洗浄、または二流体洗浄などである。二流体洗浄は、洗浄液とガスを混合しながら噴射する。
　超音波洗浄は、例えば図１に示す基板洗浄装置１を用いて行われる。超音波洗浄は、好ましくは、ステップＳ１０４とＳ１０５の間、ステップＳ１０５とＳ１０６の間、ステップＳ１０６とＳ１０７の間、ステップＳ１０７の後のうちの少なくとも１つで実施される。また、超音波洗浄は、図示しないが、低反射膜、ハードマスク膜または保護膜の前後で実施されてもよい。
　以上、本開示に係る基板洗浄装置、基板洗浄方法、ガラス基板の製造方法、およびＥＵＶＬ用マスクブランクの製造方法について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
　本出願は、２０２２年１月３１日に日本国特許庁に出願した特願２０２２－０１３０１９号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０２２－０１３０１９号の全内容を本出願に援用する。
１０　保持部
３０　洗浄ヘッド
３１ａ　振動面
３２　超音波振動子
Ｗ　　基板
Ｗ２　第２基板
Ｆ　　液膜

Claims (14)

  1. 　基板を保持部で水平に保持することと、前記保持部で保持している前記基板の上面に液膜を形成することと、前記液膜に洗浄ヘッドの振動面を接触させることと、前記振動面を超音波振動子によって振動させることと、前記保持部と共に前記基板を回転させると共に前記保持部の回転中心線と直交する水平方向に前記洗浄ヘッドを移動させることと、を有する、基板洗浄方法であって、
    　前記基板とは別に用意した第２基板を前記保持部で保持した状態で、前記第２基板の上面の複数点のそれぞれで、前記第２基板と前記洗浄ヘッドの距離、または前記第２基板に作用する音圧を測定することと、
    　前記洗浄ヘッドの前記振動面から前記液膜に超音波振動を付与しながら、前記基板を回転させると共に前記水平方向に前記洗浄ヘッドを移動させる際に、前記測定した結果に基づき、前記洗浄ヘッドまたは前記保持部の鉛直方向位置と、前記超音波振動子の出力と、前記保持部の回転速度と、前記水平方向における前記洗浄ヘッドの移動速度と、から選ばれる少なくとも１つを制御することと、
    　を有する、基板洗浄方法。
  2. 　前記第２基板を前記保持部で保持した状態で、前記第２基板の上面の複数点のそれぞれで、前記第２基板と前記洗浄ヘッドの距離を測定することと、
    　前記洗浄ヘッドの前記振動面から前記液膜に超音波振動を付与しながら、前記基板を回転させると共に前記水平方向に前記洗浄ヘッドを移動させる際に、前記基板と前記洗浄ヘッドの距離が下記式（１）を満たすように、前記測定した結果に基づき、前記洗浄ヘッドまたは前記保持部の鉛直方向位置を制御することと、
    　を有する、請求項１に記載の基板洗浄方法。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
     上記式（１）中、Ｄは前記基板と前記洗浄ヘッドの距離、ｎは１以上の整数、λは前記洗浄ヘッドから前記液膜に付与される超音波の前記液膜中での波長、ｍは５以上の整数、Θは前記液膜における超音波の速度をｖとし前記振動面を形成する振動板における超音波の速度をｖ１とした場合に下記式（２）を満たす値である。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
     上記式（２）中、θは前記振動板の前記液膜に接触する前記振動面の法線と、前記振動板の前記超音波振動子が取り付けられる取付面の法線とのなす角である。
  3. 　前記第２基板を前記保持部で保持した状態で、前記第２基板の上面の複数点のそれぞれで、前記第２基板と前記洗浄ヘッドの距離を測定することと、
    　前記洗浄ヘッドの前記振動面から前記液膜に超音波振動を付与しながら、前記基板を回転させると共に前記水平方向に前記洗浄ヘッドを移動させる際に、前記基板に作用する音圧が許容範囲に収まるように、前記測定した結果に基づき、前記超音波振動子の出力を制御することと、
    　を有する、請求項１に記載の基板洗浄方法。
  4. 　基板を保持部で水平に保持することと、前記保持部で保持している前記基板の上面に液膜を形成することと、前記液膜に洗浄ヘッドの振動面を接触させることと、前記振動面を超音波振動子によって振動させることと、前記保持部と共に前記基板を回転させると共に前記保持部の回転中心線と直交する水平方向に前記洗浄ヘッドを移動させることと、を有する、基板洗浄方法であって、
    　前記洗浄ヘッドの前記振動面から前記液膜に超音波振動を付与する前に、前記基板を前記保持部で保持した状態で、前記基板の上面の複数点のそれぞれで、前記基板と前記洗浄ヘッドの距離を測定することと、
    　前記洗浄ヘッドの前記振動面から前記液膜に超音波振動を付与しながら、前記基板を回転させると共に前記水平方向に前記洗浄ヘッドを移動させる際に、前記測定した結果に基づき、前記洗浄ヘッドまたは前記保持部の鉛直方向位置と、前記超音波振動子の出力と、前記保持部の回転速度と、前記水平方向における前記洗浄ヘッドの移動速度と、から選ばれる少なくとも１つを制御することと、
    　を有する、基板洗浄方法。
  5. 　前記洗浄ヘッドの前記振動面から前記液膜に超音波振動を付与しながら、前記基板を回転させると共に前記水平方向に前記洗浄ヘッドを移動させる際に、前記基板と前記洗浄ヘッドの距離が下記式（１）を満たすように、前記測定した結果に基づき、前記洗浄ヘッドまたは前記保持部の鉛直方向位置を制御することと、
    　を有する、請求項４に記載の基板洗浄方法。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
     上記式（１）中、Ｄは前記基板と前記洗浄ヘッドの距離、ｎは１以上の整数、λは前記洗浄ヘッドから前記液膜に付与される超音波の前記液膜中での波長、ｍは５以上の整数、Θは前記液膜における超音波の速度をｖとし前記振動面を形成する振動板における超音波の速度をｖ１とした場合に下記式（２）を満たす値である。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000004
     上記式（２）中、θは前記振動板の前記液膜に接触する前記振動面の法線と、前記振動板の前記超音波振動子が取り付けられる取付面の法線とのなす角である。
  6. 　前記洗浄ヘッドの前記振動面から前記液膜に超音波振動を付与しながら、前記基板を回転させると共に前記水平方向に前記洗浄ヘッドを移動させる際に、前記基板に作用する音圧が許容範囲に収まるように、前記測定した結果に基づき、前記超音波振動子の出力を制御することと、
    　を有する、請求項４に記載の基板洗浄方法。
  7. 　基板を保持部で水平に保持することと、前記保持部で保持している前記基板の上面に液膜を形成することと、前記液膜に洗浄ヘッドの振動面を接触させることと、前記振動面を超音波振動子によって振動させることと、前記保持部と共に前記基板を回転させると共に前記保持部の回転中心線と直交する水平方向に前記洗浄ヘッドを移動させることと、を有する、基板洗浄方法であって、
    　前記基板の板厚を、前記基板を前記保持部で保持する前に測定することと、
    　前記洗浄ヘッドの前記振動面から前記液膜に超音波振動を付与しながら、前記基板を回転させると共に前記水平方向に前記洗浄ヘッドを移動させる際に、前記測定した前記板厚に基づき、前記洗浄ヘッドまたは前記保持部の鉛直方向位置と、前記超音波振動子の出力と、前記保持部の回転速度と、前記水平方向における前記洗浄ヘッドの移動速度と、から選ばれる少なくとも１つを制御することと、
    　を有する、基板洗浄方法。
  8. 　基板を保持部で水平に保持することと、前記保持部で保持している前記基板の上面に液膜を形成することと、前記液膜に洗浄ヘッドの振動面を接触させることと、前記振動面を超音波振動子によって振動させることと、前記保持部と共に前記基板を回転させると共に前記保持部の回転中心線と直交する水平方向に前記洗浄ヘッドを移動させることと、を有する、基板洗浄方法であって、
    　前記洗浄ヘッドの前記振動面から前記液膜に超音波振動を付与しながら、前記基板を回転させると共に前記水平方向に前記洗浄ヘッドを移動させる際に、
    　前記基板の上面の所望の点で、前記基板と前記洗浄ヘッドの距離、または前記基板に作用する音圧を測定することと、
    　前記測定した結果に基づき、前記洗浄ヘッドまたは前記保持部の鉛直方向位置と、前記超音波振動子の出力と、前記保持部の回転速度と、前記水平方向における前記洗浄ヘッドの移動速度と、から選ばれる少なくとも１つを制御することと、
    　を繰り返し実施する、基板洗浄方法。
  9. 　前記洗浄ヘッドの前記振動面から前記液膜に超音波振動を付与しながら、前記基板を回転させると共に前記水平方向に前記洗浄ヘッドを移動させる際に、
    　前記基板の上面の所望の点で、前記基板と前記洗浄ヘッドの距離を測定することと、
    　前記基板と前記洗浄ヘッドの距離が下記式（１）を満たすように、前記測定した結果に基づき、前記洗浄ヘッドまたは前記保持部の鉛直方向位置を制御することと、
    　を繰り返し実施する、請求項８に記載の基板洗浄方法。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000005
     上記式（１）中、Ｄは前記基板と前記洗浄ヘッドの距離、ｎは１以上の整数、λは前記洗浄ヘッドから前記液膜に付与される超音波の前記液膜中での波長、ｍは５以上の整数、Θは前記液膜における超音波の速度をｖとし前記振動面を形成する振動板における超音波の速度をｖ１とした場合に下記式（２）を満たす値である。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000006
     上記式（２）中、θは前記振動板の前記液膜に接触する前記振動面の法線と、前記振動板の前記超音波振動子が取り付けられる取付面の法線とのなす角である。
  10. 　前記洗浄ヘッドの前記振動面から前記液膜に超音波振動を付与しながら、前記基板を回転させると共に前記水平方向に前記洗浄ヘッドを移動させる際に、
    　前記基板の上面の所望の点で、前記基板と前記洗浄ヘッドの距離を測定することと、
    　前記基板に作用する音圧が許容範囲に収まるように、前記測定した結果に基づき、前記超音波振動子の出力を制御することと、
    　を繰り返し実施する、請求項８に記載の基板洗浄方法。
  11. 　基板を保持部で水平に保持することと、前記保持部で保持している前記基板の上面に液膜を形成することと、前記液膜に洗浄ヘッドの振動面を接触させることと、前記振動面を超音波振動子によって振動させることと、前記保持部と共に前記基板を回転させると共に前記保持部の回転中心線と直交する水平方向に前記洗浄ヘッドを移動させることと、を有する、基板洗浄方法であって、
    　前記基板の板厚を、前記基板を前記保持部で保持した状態で測定することと、
    　前記洗浄ヘッドの前記振動面から前記液膜に超音波振動を付与しながら、前記基板を回転させると共に前記水平方向に前記洗浄ヘッドを移動させる際に、前記測定した前記板厚に基づき、前記洗浄ヘッドまたは前記保持部の鉛直方向位置と、前記超音波振動子の出力と、前記保持部の回転速度と、前記水平方向における前記洗浄ヘッドの移動速度と、から選ばれる少なくとも１つを制御することと、
    　を有する、基板洗浄方法。
  12. 　請求項１～１１のいずれか１項に記載の基板洗浄方法で、ガラス基板を洗浄することを有する、ガラス基板の製造方法。
  13. 　請求項１～１１のいずれか１項に記載の基板洗浄方法で、ガラス基板または前記ガラス基板の上に形成された機能膜を洗浄することを有する、ＥＵＶＬ用マスクブランクの製造方法。
  14. 　基板を保持する保持部と、前記保持部で保持している前記基板の上面に液膜を形成するノズルと、前記液膜に接触する振動面と前記振動面を振動させる超音波振動子とを含む洗浄ヘッドと、前記保持部を回転させる回転部と、前記保持部の回転中心線と直交する水平方向に前記洗浄ヘッドを移動させる第１移動部と、前記保持部または前記洗浄ヘッドを鉛直方向に移動させる第２移動部と、前記超音波振動子と前記回転部と前記第１移動部と前記第２移動部とを制御する制御部と、を備える、基板洗浄装置であって、
    　前記制御部は、請求項１～１１のいずれか１項に記載の基板洗浄方法を実施する、基板洗浄装置。
PCT/JP2023/000433 2022-01-31 2023-01-11 基板洗浄方法、ガラス基板の製造方法、ｅｕｖｌ用マスクブランクの製造方法、および基板洗浄装置 WO2023145431A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-013019 2022-01-31
JP2022013019 2022-01-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023145431A1 true WO2023145431A1 (ja) 2023-08-03

Family

ID=87471164

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2023/000433 WO2023145431A1 (ja) 2022-01-31 2023-01-11 基板洗浄方法、ガラス基板の製造方法、ｅｕｖｌ用マスクブランクの製造方法、および基板洗浄装置

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2023145431A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008306108A (ja) * 2007-06-11 2008-12-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2013084667A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Hitachi Kokusai Denki Engineering:Kk 超音波処理装置および超音波処理方法
JP2014132639A (ja) * 2012-12-06 2014-07-17 Ebara Corp 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2015045847A (ja) * 2013-07-29 2015-03-12 Hoya株式会社 基板の製造方法、マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板製造装置
JP2019109277A (ja) * 2017-12-15 2019-07-04 Ａｇｃ株式会社 マスクブランク用基板およびマスクブランク

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008306108A (ja) * 2007-06-11 2008-12-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2013084667A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Hitachi Kokusai Denki Engineering:Kk 超音波処理装置および超音波処理方法
JP2014132639A (ja) * 2012-12-06 2014-07-17 Ebara Corp 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2015045847A (ja) * 2013-07-29 2015-03-12 Hoya株式会社 基板の製造方法、マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板製造装置
JP2019109277A (ja) * 2017-12-15 2019-07-04 Ａｇｃ株式会社 マスクブランク用基板およびマスクブランク

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10025176B2 (en) Mask blank substrate, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing mask blank substrate, method of manufacturing substrate with reflective film and method of manufacturing semiconductor device
JP6889792B2 (ja) 紫外線リソグラフィ用ガラスセラミックス及びその製造方法
JP4219718B2 (ja) Ｅｕｖマスクブランクス用ガラス基板の製造方法及びｅｕｖマスクブランクスの製造方法
JP6515235B2 (ja) マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
US8748062B2 (en) Method of cleaning substrate
US9507254B2 (en) Method of manufacturing substrate with a multilayer reflective film, method of manufacturing a reflective mask blank, substrate with a multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing a semiconductor device
KR20150097484A (ko) 마스크 블랭크용 기판처리장치, 마스크 블랭크용 기판처리방법, 마스크 블랭크용 기판의 제조방법, 마스크 블랭크의 제조방법 및 전사용 마스크의 제조방법
WO2023145431A1 (ja) 基板洗浄方法、ガラス基板の製造方法、ｅｕｖｌ用マスクブランクの製造方法、および基板洗浄装置
WO2023166961A1 (ja) 超音波洗浄ヘッド、基板洗浄方法、基板洗浄装置、基板の製造方法、およびｅｕｖｌ用マスクブランクの製造方法
JP6297512B2 (ja) マスクブランク用基板の製造方法、多層膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び転写用マスクの製造方法
JP2023125886A (ja) 洗浄槽、洗浄機、洗浄方法、ガラス基板の製造方法、およびｅｕｖｌ用マスクブランクの製造方法
JP6133189B2 (ja) 基板の製造方法、多層膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板製造装置
JP6367417B2 (ja) マスクブランク用基板の製造方法、多層膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及びマスクブランク用基板製造装置
JP2022108719A (ja) マスクブランク用基板の洗浄方法およびｅｕｖｌ用マスクブランクの製造方法
JP6297321B2 (ja) 機能膜付き基板の製造方法、多層膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び転写用マスクの製造方法
JP2014149351A (ja) マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、および転写用マスクの製造方法
JP2022100702A (ja) マスクブランク用基板の乾燥方法、およびｅｕｖｌ用マスクブランクの製造方法
JP2022179998A (ja) 回転加工ツール、基板の加工方法、及び反射型マスクブランクの製造方法
JP2022073953A (ja) Ｅｕｖｌ用ガラス基板、及びｅｕｖｌ用マスクブランク
JP2000061819A (ja) 研磨加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 23746646

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1