WO2023128397A1 - 초박형 유연 투명 흡수체 - Google Patents

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WO2023128397A1
WO2023128397A1 PCT/KR2022/020199 KR2022020199W WO2023128397A1 WO 2023128397 A1 WO2023128397 A1 WO 2023128397A1 KR 2022020199 W KR2022020199 W KR 2022020199W WO 2023128397 A1 WO2023128397 A1 WO 2023128397A1
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WO
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flexible
layer
transparent
absorber
slit
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PCT/KR2022/020199
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English (en)
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이창형
정현준
이학주
김재현
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재단법인 파동에너지 극한제어연구단
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    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0084—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single continuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal foil, film, plating coating, electro-deposition, vapour-deposition
    • H—ELECTRICITY
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    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0088—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a plurality of shielding layers; combining different shielding material structure

Definitions

  • the present invention relates to an ultra-thin flexible and transparent absorber, and more particularly, to an ultra-thin flexible and transparent absorber having excellent absorption performance in a 5G millimeter wave band.
  • radio wave absorbers are divided into resonant absorbers and impedance matched absorbers according to the absorption mechanism.
  • the most common method used so far in designing a resonant radio wave absorber is a 1/4 wavelength ( ⁇ /4) thick Salisbury screen.
  • 1 is an exemplary view showing a Salisbury screen, which is an example of a conventional electromagnetic wave absorber.
  • the Salisbury screen is one of the types of resonant absorbers, and the resistive sheet 20 is positioned in front of the 1/4 wavelength ( ⁇ /4) point in the metal plate 21.
  • a part of the incident wave 10 is firstly reflected 11 from the resistive sheet 20, and the transmitted wave 12 transmitted through the resistive sheet 20 among the incident waves 10 is secondarily reflected from the metal plate 21 ( 13).
  • the phase difference between the first reflected wave (11) and the second reflected wave (13) becomes 180 degrees, and the electromagnetic wave is dissipated.
  • this technique has limitations in reducing the thickness because the dielectric thickness must satisfy ⁇ /4.
  • an electromagnetic wave absorber capable of removing electromagnetic wave interference by being attached to an electronic device, being flexible and transparent, having a thin thickness, and having excellent absorbing performance in the 5G millimeter wave band is required.
  • a technical problem to be achieved by the present invention is to provide an ultra-thin flexible and transparent absorber that is not only flexible and transparent, but also thin and has excellent absorption performance in the 5G millimeter wave band.
  • one embodiment of the present invention is a transparent flexible base substrate of the dielectric; a transparent flexible reflective layer provided on one surface of the flexible base substrate and reflecting incident waves passing through the flexible base substrate; and an absorbing layer provided on the other surface of the flexible base substrate, having a plurality of patterns disposed at first slit intervals, and absorbing reflected waves reflected from the flexible reflective layer, wherein the pattern has at least one type of polygonal shape, It is formed so that the inside is completely filled, and the absorber layer provides an ultra-thin flexible transparent absorber, characterized in that the pinned layer.
  • the flexible base substrate may have a second slit formed to correspond to the first slit, and may be formed in a shape corresponding to the absorption layer.
  • a first protective layer provided on one surface of the flexible reflective layer and a second protective layer provided on one surface of the absorption layer are further included, and the second protective layer corresponds to the first slit.
  • a third slit is formed and may be formed in a shape corresponding to the absorption layer.
  • the absorption layer may have a transparent electrode provided in the first slit and connecting the adjacent patterns to each other.
  • the flexible base substrate has a second slit formed to correspond to the first slit and a first connection portion formed to correspond to the transparent electrode, and may be formed in a shape corresponding to the absorption layer. there is.
  • a first protective layer provided on one surface of the flexible reflective layer and a second protective layer provided on one surface of the absorption layer are further included, and the second protective layer corresponds to the first slit. It may have a third slit formed and a second connection portion formed to correspond to the transparent electrode, and may be formed in a shape corresponding to the absorption layer.
  • the pattern may have a hexagonal shape.
  • the first slits may be formed to have the same width.
  • the graphene layer may be formed in multiple layers.
  • the flexible reflective layer is ITO (Indium Tin Oxide), graphene, silver nano wire, copper nano wire, CNT (Carbon Nano Tube) transparent electrode, AZO (Aluminum-doped Zinc Oxide) transparent electrode, FTO (Fluorine-doped Tin dioxide) may be formed of at least one of a transparent electrode and a metal-mesh.
  • the absorption layer since the absorption layer has a hexagonal pattern, it is not greatly affected by the polarization characteristics of electromagnetic waves and the incident angle of incident waves, and excellent absorption performance can be maintained even at all polarizations and incident angles.
  • the ultra-thin flexible and transparent absorber secures visibility and can be formed to be thin and bendable.
  • 1 is an exemplary view showing a Salisbury screen, which is an example of a conventional electromagnetic wave absorber.
  • Figure 2 is an exemplary cross-sectional view showing an ultra-thin flexible transparent absorbent according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a plan view illustrating a pattern of an absorber layer of an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 4 is a flow chart of a method for manufacturing an ultra-thin flexible transparent absorbent according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 5 is an equivalent circuit for explaining the impedance of the ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is an exemplary cross-sectional view showing another example of an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is an exemplary cross-sectional view showing another example of an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
  • FIG 8 is an exemplary view showing a set-up for a performance test of an ultra-thin flexible and transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 9 is a graph showing the absorbance according to the sheet resistance of the ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 10 is a graph showing the absorbance according to the polarization of the ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 11 is a graph showing the absorbance according to the change in the incident angle of the ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a distribution diagram showing electric field distribution on a cross section of an ultra-thin flexible and transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a distribution diagram showing electric field distribution on a plane of an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
  • FIG 14 is a graph showing the absorbance according to the thickness and sheet resistance of the base substrate and the absorber layer of the ultra-thin flexible transparent absorber according to another embodiment of the present invention.
  • 15 is a graph showing absorbance according to polarization of an ultra-thin flexible transparent absorber according to another embodiment of the present invention.
  • Figure 16 is a graph showing the absorbance according to the change in the incident angle of the ultra-thin flexible transparent absorber according to another embodiment of the present invention.
  • 17 is a graph showing absorbance according to sheet resistance of an ultra-thin flexible and transparent absorber according to another embodiment of the present invention.
  • 19 is a graph showing absorbance according to thickness and sheet resistance of a base substrate and an absorber layer of an ultra-thin flexible and transparent absorber according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an exemplary cross-sectional view showing an ultra-thin flexible and transparent absorber according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is an exemplary plan view showing a pattern of an absorber layer of an ultra-thin flexible and transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
  • the ultra-thin flexible transparent absorber may include a flexible base substrate 100 , a flexible reflective layer 200 and an absorption layer 300 .
  • the flexible base substrate 100 may be a dielectric substrate and may be formed transparently.
  • the flexible base substrate 100 may be formed of at least one of a polymer material and a glass material.
  • As the polymer material for example, polyethylene terephthalate (PET) may be used.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the flexible base substrate 100 may be formed in the form of a film.
  • the flexible base substrate 100 may be formed to a thickness of hundreds to thousands of ⁇ m.
  • the flexible reflective layer 200 may be provided on one surface of the flexible base substrate 100 and may be formed transparently.
  • the flexible reflective layer 200 may be provided in a direction opposite to the direction in which electromagnetic waves are incident. Based on FIG. 2 , since the incident wave 10 is incident from the upper side of the flexible base substrate 100 , the flexible reflective layer 200 may be provided on the lower surface of the flexible base substrate 100 .
  • the flexible reflective layer 200 may reflect the incident wave 10 passing through the flexible base substrate 100 .
  • the flexible reflective layer 200 may be formed of a conductive material.
  • the flexible reflective layer 200 may include ITO (Indium Tin Oxide), graphene, silver nanowires, copper nanowires, CNT (Carbon Nano Tube) transparent electrodes, AZO (Aluminum-doped Zinc Oxide) transparent electrodes, FTO (Fluorine- It may be formed of at least one of a doped Tin dioxide transparent electrode and a metal-mesh.
  • the flexible reflective layer 200 may be formed to a thickness of several to several tens of nm.
  • the absorption layer 300 may be provided on the other surface of the flexible base substrate 100 .
  • the absorption layer 300 may be a graphene layer formed of graphene.
  • the graphene layer may be formed in multiple layers and may have a thickness of several to several tens of nm.
  • the transmitted wave 14 passing through the flexible base substrate 100 in the incident wave 10 is reflected by the flexible reflective layer 200, and the absorbing layer 300 absorbs the reflected wave 15 reflected by the flexible reflective layer 200.
  • the absorption layer 300 may have a plurality of patterns 310 .
  • the patterns 310 may be spaced apart by the first slits 320 and arranged in a tile form. That is, the patterns 310 may be arranged at intervals of the first slits 320 .
  • the first slits 320 may be formed to have the same width (W), and accordingly, each of the patterns 310 may be disposed at equal intervals. In other words, each of the patterns 310 may be arranged such that gaps between the patterns 310 are formed with the same width (W).
  • the pattern 310 may be formed in a circular shape.
  • the pattern 310 may be formed in a polygonal shape close to a circular shape.
  • the pattern 310 may be formed in a triangular shape (see (a) in FIG. 3) or a quadrangular shape (see (b) in FIG. 3).
  • the pattern 310 may be formed in a shape in which two or more types of polygons are mixed.
  • the pattern 310 may be formed in a mixed shape (refer to (c) of FIG. 3 ) of a rectangular pattern 311 and a triangular pattern 312 . That is, the pattern 310 may be formed in at least one type of polygonal shape. As shown in (c) of FIG. 3, if the pattern 310 is formed by a combination of polygons, dual-band, multi-band, or broadband characteristics can be improved.
  • the most desirable shape of the pattern 310 may be a hexagonal shape (see (d) in FIG. 3). According to this, the pattern 310 may have a honeycomb shape. Since the patterns 310 are formed in a hexagonal shape closer to a circle, not only can they be arranged at equal intervals, but they are not greatly affected by the polarization characteristics of electromagnetic waves and the incident angle of incident waves, and they have excellent absorption at all polarizations and incident angles. performance can be realized.
  • the pattern 310 may be formed to fill the entire inside. Therefore, in the absorption layer 300 , graphene may be provided only in the portion where the pattern 310 is formed, and graphene may not be provided in the first slit 320 formed between the respective patterns 310 .
  • the flexible base substrate 100 and the absorber layer 300 may be formed so that the shimmer caused by the absorber layer 300 is not visually distinguished even though the absorber layer 300 has the pattern 310, which will be described later. .
  • the ultra-thin flexible transparent absorber may further include a first protective layer 400 and a second protective layer 450 .
  • the first protective layer 400 may be provided on one surface of the flexible reflective layer 200 to protect the flexible reflective layer 200 .
  • the second protective layer 450 may be provided on one surface of the absorbing layer 300 to protect the absorbing layer 300 .
  • the first protective layer 400 and the second protective layer 450 may be transparent and flexible, and may be formed of, for example, polyethylene terephthalate (PET).
  • PET polyethylene terephthalate
  • the first protective layer 400 and the second protective layer 450 may be formed in the form of a film and may have a thickness of several tens of ⁇ m.
  • the ultra-thin flexible and transparent absorber is transparent and can secure visibility, can be formed thinner than conventional absorbers, and can be formed to be flexible and bendable.
  • FIG. 4 is a flowchart of a method for manufacturing an ultra-thin flexible and transparent absorber according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 5 is an equivalent circuit for explaining the impedance of an ultra-thin flexible and transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
  • the method for manufacturing an ultra-thin flexible transparent absorber may include preparing a flexible base substrate (S610), preparing a flexible reflective layer (S620), and preparing an absorber layer (S630).
  • the step of preparing a flexible base substrate (S610) may be a step of preparing a dielectric flexible base substrate 100.
  • the flexible reflective layer preparation step (S620) may be a step of providing a flexible reflective layer 200 on one surface of the flexible base substrate 100 to reflect incident waves passing through the flexible base substrate 100.
  • the absorbing layer preparation step (S630) may be a step of providing an absorbing layer 300 having a plurality of patterns 310 on the other surface of the flexible base substrate 100 and absorbing reflected waves reflected from the flexible reflective layer 200. there is.
  • the pattern 310 has at least one type of polygonal shape so that the absorption performance is maintained in the 5G millimeter wave band even when the polarization angle of the electric field of the incident wave or the incident angle of the incident wave is changed, and the inside is All may be formed to be filled, and each pattern 310 may be provided to be arranged while achieving the same interval by the first slit 320 .
  • the 5G band can be divided into Frequency Range 1 (FR1) of the sub-6 GHz frequency band and Frequency Range 2 (FR2) of the mmWave band (24-100 GHz) frequency band.
  • FR1 Frequency Range 1
  • FR2 Frequency Range 2
  • the 5G mmWave band is FR2 (Korea ) may be a frequency band of 26.5 to 28.9 GHz.
  • the absorption layer 300 may be formed to have the pattern 310 so that resistance R, inductance L, and capacitance C may be formed.
  • Equation (1) Based on the transmission line and frequency selective surface (FSS) theory, the total impedance (Zt) can be expressed by Equation (1) below.
  • ZA is the input impedance of the absorption layer 300
  • Zd is the dielectric constant of the flexible reflective layer 200, which can be seen in a short-circuited state, based on the transmission line theory.
  • the size of the pattern 310 and the interval between the patterns 310, that is, the first A width W of the slit 320 may be set.
  • the total impedance (Zt) satisfies the free space impedance of 377 Ohm, a phenomenon in which there is no reflected electromagnetic wave may occur due to impedance matching, and through this, the thickness of the ultra-thin flexible and transparent absorber exceeds the thickness limit of the conventional absorber, and ⁇ It can be formed with a thin thickness of /20 or less.
  • the ultra-thin flexible transparent absorber according to the present invention can be formed with a thickness of 1/20 wavelength ( ⁇ /20), that is, a thickness of 565 ⁇ m, it can be ultra-thin.
  • the flexible transparent absorber prepared in this way has a basic absorber function, can be bent, and can be used in various fields because it is ultra-thin.
  • the pattern 310 is formed in a hexagonal shape, so that the same sheet resistance value can be evenly distributed over a large area of the absorption layer 300, and through this, the above-described functions and effects can be satisfied.
  • the distance between each pattern 310 that is, the width W of each first slit 320 is the distance L between the observer's eye looking at the absorption layer 300 and the absorption layer 300.
  • the human eye can distinguish 1/60 degree as an angle. Therefore, it is necessary to ensure that the distance between two points at a distance of L from the human eye is 1/60 degree.
  • the interval between each pattern 310 that is, the width W of the first slit 320 may be expressed as Equation (2) below.
  • the width of the first slit 320 in the ultra-thin flexible transparent absorber located at a distance L from the human eye is preferably smaller than ( ⁇ L)/(60 ⁇ 180).
  • the width W of the first slit 320 is preferably set to 100 ⁇ m or less.
  • the interval between each pattern that is, the width of the first slit 320, according to the visual acuity
  • W the interval between each pattern 310, that is, the first slit 320
  • the interval between each pattern 310, that is, the first slit 320 is preferably set to 100 ⁇ m or less.
  • the period of the pattern 310 is adjusted by adjusting the size of the pattern 310 and the thickness of the flexible base substrate 100 between the pattern 310 and the flexible reflective layer 200 is adjusted in the target frequency band. Optimization work may be performed to satisfy the absorption performance of
  • the absorption layer 300 for the flexible base substrate 100 so that the shimmer caused by the difference in transmittance between the flexible base substrate 100 and the absorption layer 300 is not distinguished with the naked eye.
  • the area ratio can be set through Equation (3) below.
  • Equation (3) IL full is the visible light insertion loss when the conductive material is provided on the entire flexible base substrate 100, ARTEM is the area ratio, and T is the transmittance difference between the flexible base substrate 100 and the absorption layer 300 It is the transmittance difference to be obtained in order to prevent the shimmering caused by it from being distinguished by the naked eye.
  • the transmittance difference may be determined depending on the material of the flexible base substrate 100 and the material of the absorber layer 300, but may be preferably 1% or less. That is, when the difference between the transmittance of the flexible base substrate 100 and the transmittance of the absorbing layer 300 is 1% or less, the shape of the absorbing layer 300 cannot be visually identified, and therefore, the shimmer caused by the absorbing layer 300 is also visually observed. may not be distinguished.
  • IL full may be determined according to the type of material and pattern of the flexible base substrate 100. For example, when graphene is provided as a pattern on the entire surface of the flexible base substrate 100 made of PET material, IL full is 5 %, and if the transmittance difference is 1%, the area ratio (ARTEM) may be greater than 0.8. And, since the absorption layer 300 provided on the entire surface of the flexible base substrate 100 has an empty space (ie, a gap), the area ratio may be less than 1.0, and therefore, the area ratio may be greater than 0.8 or less than 1.0.
  • the ultra-thin flexible transparent absorber manufacturing method may further include a protective layer providing step (S640).
  • the protective layer preparation step (S640) may be a step of further providing protective layers 400 and 450 on one surface of the reflective layer 200 and one surface of the absorbing layer 300, respectively.
  • the ultra-thin flexible transparent absorber manufactured in this way uses a sheet resistance capable of ensuring visibility, and can simultaneously satisfy a physical structure for improving visibility and absorption performance in a desired frequency band.
  • FIG. 6 is an exemplary cross-sectional view showing another example of an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
  • the flexible base substrate 100 may further have a second slit 110 formed to correspond to the first slit 320 of the absorbing layer 300, and has a shape corresponding to the absorbing layer 300. can be formed as In this way, since the flexibility of the flexible base substrate 100 can be further increased, the flexibility of the ultra-thin flexible and transparent absorber can also be increased.
  • the second protective layer 450 may also have a third slit 451 formed to correspond to the first slit 320 of the absorption layer 300, and may be formed in a shape corresponding to the absorption layer 300. there is.
  • the flexibility of even the second protective layer 450 can be increased, as a result, the flexibility of the ultra-thin flexible and transparent absorber can be further increased.
  • FIG. 7 is an exemplary cross-sectional view showing another example of an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
  • the flexible base substrate 100 is in a form in which the second slit is not formed, and the second protective layer 450 is in a state in which the third slit is not formed.
  • the absorption layer 300 may have a transparent electrode 330 .
  • the transparent electrode 330 is provided in the first slit 320 to connect adjacent patterns 310 to each other.
  • the transparent electrode 330 may be formed of graphene and may be integrally formed with the pattern 310 .
  • the pattern 310 may all be connected by the transparent electrode 330, and through this, when a current is applied to the pattern 310, it can be heated, and as a result, the absorption layer 300 can be heated as a whole, so that fogging, frosting, etc. can be effectively removed.
  • the flexible base substrate 100 and the second protective layer 450 also have the absorption layer 300. It may be formed to correspond to.
  • the flexible base substrate 100 is formed to further have the first connection portion 120 formed to correspond to the transparent electrode 330 together with the second slit 110 formed to correspond to the first slit 320. It can be. Further, the second protective layer 450 also has a third slit 451 formed to correspond to the first slit 320 and a second connection portion 452 formed to correspond to the transparent electrode 330.
  • the ultra-thin flexible and transparent absorber may have a heating function and high flexibility.
  • FIG 8 is an exemplary view showing a set-up for a performance test of an ultra-thin flexible and transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
  • the set-up for the performance test of the ultra-thin flexible transparent absorber includes a first port 500, a flexible base substrate 100, a pattern 310, and a second port 510. can do.
  • the pattern 310 is a unit pattern, and is formed in a hexagonal shape.
  • the pattern 310 was tested in a periodic boundary condition (PBC) state in order to shorten the simulation time and create a plane wave environment.
  • PBC periodic boundary condition
  • k displayed on the first port 500 is a wave number vector traveling in a direction perpendicular to the electric field (E) and the magnetic field (H).
  • FIG. 9 is a graph showing absorbance according to sheet resistance of an ultra-thin flexible and transparent absorber according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 10 is a graph showing absorbance according to polarization of an ultra-thin flexible and transparent absorber according to an embodiment of the present invention
  • Figure 11 is a graph showing the absorbance according to the change in the incident angle of the ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
  • the absorption layer 300 is formed of 10 graphene layers, has a thickness of 3 nm, and the thickness of the flexible base substrate 100 is 0.5 mm. However, in FIG. 9, the process was performed by varying the sheet resistance of the absorption layer 300, and in FIGS. 10 and 11, the sheet resistance of the absorption layer 300 was 25 ohm/sq.
  • the absorption performance is greater than 90% in the 5G frequency band of 26.5 to 28.9 GHz.
  • the pattern 310 is formed in a hexagonal shape, , it can be seen that even if the electric field is tilted by Theta, it shows similar performance at almost all angles.
  • the angle of the wave number vector k is inclined by Theta based on the imaginary line VL perpendicular to the first port 500 and is incident, and the incident angle is between 0 and 30 degrees. Even if it is changed, it can be confirmed that it has more than 90% absorption performance in the 26.5 ⁇ 28.9 GHz band, which is the 5G frequency band.
  • FIG. 12 is a distribution diagram showing the electric field distribution on a cross section of an ultra-thin flexible and transparent absorber according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 13 is a distribution of electric field on a plane of the ultra-thin flexible and transparent absorber according to an embodiment of the present invention. It is a distribution chart showing .
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the electric field distribution when electromagnetic waves are incident from top to bottom. Referring to FIG. 12, it can be seen that the strongest electric field is distributed at the interface between the air layer 30 and the absorption layer 300. there is. That is, the pattern 310 of the absorption layer 300 can form the strongest electric field distribution, and can absorb electromagnetic waves by canceling and matching the electric field.
  • FIG. 13 shows the electric field distribution when electromagnetic waves proceed in a direction penetrating the absorption layer 300.
  • the polarization of the incident electric field is vertical, the upper and lower gaps of the hexagonal structure pattern 310 are shown. It can be seen that a strong electric field distribution appears in .
  • Figure 14 is a graph showing the absorbance according to the thickness and sheet resistance of the base substrate and the absorber layer of the ultra-thin flexible and transparent absorber according to another embodiment of the present invention
  • Figure 15 is the polarization of the ultra-thin flexible and transparent absorber according to another embodiment of the present invention
  • 16 is a graph showing the absorbance according to the change in incident angle of the ultra-thin flexible transparent absorber according to another embodiment of the present invention.
  • the thickness of the flexible base substrate 100 is thicker than in the above-described embodiment, instead of having a thinner thickness because the number of graphene layers of the absorption layer 300 is smaller.
  • the absorption layer 300 was formed of two layers of graphene, had a thickness of 0.5 nm, and the thickness of the flexible base substrate 100 was 1.1 mm.
  • the process was performed with different sheet resistances of the absorber layer 300, and in FIGS. 15 and 16, the sheet resistance of the absorber layer 300 was 200 ohm/sq.
  • the absorption layer is changed from 10 layers to 2 layers to reduce the number of graphene layers and to have more than 90% absorption performance in the 5G frequency band of 26.5 to 28.9 GHz band even if the sheet resistance is high.
  • the sheet resistance is high.
  • the pattern 310 is formed in a hexagonal shape, , it can be seen that even if the electric field is tilted by Theta, it shows similar performance at almost all angles.
  • the angle of the wave number vector (k) is tilted by Theta based on the imaginary line (VL) perpendicular to the first port 500 and is incident, and the incident angle is between 0 and 30 degrees. Even if it is changed, it can be confirmed that it has more than 90% absorption performance in the 26.5 ⁇ 28.9 GHz band, which is the 5G frequency band.
  • FIG. 17 is a graph showing absorbance according to sheet resistance of an ultra-thin flexible and transparent absorber according to another embodiment of the present invention
  • FIG. 18 is a graph showing absorbance according to polarization of an ultra-thin flexible and transparent absorber according to another embodiment of the present invention. is the graph shown.
  • the reflective layer is also formed of a graphene layer.
  • the reflective layer was formed of a graphene layer, and the sheet resistance of the reflective layer was 25 ohm/sq.
  • the absorption performance is greater than 90% in the 5G frequency band of 26.5 to 28.9 GHz.
  • both the absorption layer and the reflection layer are formed of graphene, they may have an absorption performance of 90% or more in the 5G frequency band of 26.5 to 28.9 GHz.
  • 19 is a graph showing absorbance according to thickness and sheet resistance of a base substrate and an absorber layer of an ultra-thin flexible and transparent absorber according to another embodiment of the present invention.
  • the absorption layer 300 was formed of 10 graphene layers, had a sheet resistance of 25 ohm/sq, and had a thickness of 3 nm. Also, the flexible base substrate 100 was PET and had a thickness of 0.5 mm. And, in (b) to (d) of FIG. 19, the absorption layer 300 is formed of two layers of graphene, each having a sheet resistance of 180 ohm / sq, 200 ohm / sq and 220 ohm / sq, the thickness is It was 0.5 nm. Also, the flexible base substrate 100 was PET and had a thickness of 1.1 mm.
  • the flexible reflective layer is formed of graphene (Gr), ITO or copper (here, the sheet resistance of graphene is assumed to be 25 ohm / sq, and the sheet resistance of ITO is 10 ohm / sq), comparing the absorption rate, It can be seen that the thickness of the base substrate tends to increase as the sheet resistance of the absorber layer pattern increases.
  • the thickness of the flexible base substrate showing the best absorption performance was 0.5T, 1.0T, 1.1T, and 1.2T in order, and all cases were found to have more than 90% absorption performance in the target frequency band of 26.5 ⁇ 28.9 GHz. From this, if the graphene layer is reduced and the sheet resistance is increased, the thickness of the flexible base substrate can be increased, but it has advantages in terms of process procedure and cost, and broadband characteristics can be obtained than using a relatively low sheet resistance. There are advantages to being able to
  • the present invention is industrially applicable to the field of electromagnetic wave absorber technology having excellent absorption performance in the 5G millimeter wave band.

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Abstract

본 발명의 일실시예는 유연하고 투명할 뿐만 아니라, 두께가 얇고, 5G 밀리미터파 대역에서 우수한 흡수 성능을 가지는 초박형 유연 투명 흡수체를 제공한다. 여기서, 초박형 유연 투명 흡수체는 유전체의 투명한 유연 베이스 기판, 투명한 유연 반사층 그리고 흡수층을 포함한다. 유연 반사층은 유연 베이스 기판의 일면에 구비되고, 유연 베이스 기판을 투과하는 입사파를 반사시킨다. 흡수층은 베이스 기판의 타면에 구비되고, 제1슬릿 간격으로 배치되는 복수 개의 패턴을 가지며, 유연 반사층에서 반사되는 반사파를 흡수한다. 패턴은 적어도 한 종류의 다각형 형상이고, 내부가 모두 채워지도록 형성되며, 흡수층은 그래핀층이다.

Description

초박형 유연 투명 흡수체
본 발명은 초박형 유연 투명 흡수체에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 5G 밀리미터파 대역에서 우수한 흡수 성능을 가지는 초박형 유연 투명 흡수체에 관한 것이다.
전자통신 산업에 사용되고 있는 각종 전기전자 기기 및 구성 부품들의 사용 주파수 대역은 광대역화와 동시에 높은 주파수 영역까지 확장되고 있으며, 많은 부품들이 좁은 공간에 밀집되는 추세이다. 이로 인해 기기들 사이에 유발되는 전자파 간섭으로 기기의 오작동과 같은 기능 이상이 발생하는 경우가 생기고 있다.
특히 이동통신 분야에서는 휴대의 간편성 및 장시간 사용을 위해 관련기기들이 경량, 박형, 소형화, 저전력화, 디지털화되고 있기 때문에 외부로부터 유입되는 전자파 간섭 영향에 매우 취약하다. 또한 각종 통신장비 및 고압 전력선 등으로부터 발생되는 불요전자파의 인체 유해여부 등이 전자파 분야의 관심사 중의 하나이다.
기존 방식의 전파흡수체는 흡수 기구에 따라 공진형 흡수체(Resonant Absorber)와 임피던스 정합형 흡수체(Impedance Matched Absorber)로 구분된다. 공진형 전파흡수체 설계에 있어서 지금까지 사용된 가장 보편적인 방식은 1/4 파장(λ/4) 두께의 Salisbury 스크린이다.
도 1은 종래의 전자파 흡수체의 일 예인 Salisbury 스크린을 나타낸 예시도이다.
도 1에서 보는 바와 같이, Salisbury 스크린은 공진형 흡수체의 종류 중 하나로 저항성 시트(20)가 금속판(21)에서 1/4 파장(λ/4) 지점 앞에 위치된다.
입사파(10) 중 일부는 저항성 시트(20)에서 1차 반사(11)되고 입사파(10) 중 저항성 시트(20)를 투과한 투과파(12)는 금속판(21)에서 2차 반사(13)된다. Salisbury 스크린에서는 1차 반사(11)되는 반사파와 2차 반사(13)되는 반사파의 위상차가 180도가 되면서 전자파가 소멸되게 된다. 그러나, 이 기술은 유전체 두께가 λ/4를 만족해야 하므로, 두께를 줄이는데 한계가 있다.
따라서, 전자기기에 부착함으로써 전자기파 간섭 현상을 제거할 수 있으며, 유연하고 투명할 뿐만 아니라, 두께가 얇고, 5G 밀리미터파 대역에서 우수한 흡수 성능을 가지는 전자기파 흡수체가 요구된다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 유연하고 투명할 뿐만 아니라, 두께가 얇고, 5G 밀리미터파 대역에서 우수한 흡수 성능을 가지는 초박형 유연 투명 흡수체를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 유전체의 투명한 유연 베이스 기판; 상기 유연 베이스 기판의 일면에 구비되고, 상기 유연 베이스 기판을 투과하는 입사파를 반사시키는 투명한 유연 반사층; 그리고 상기 유연 베이스 기판의 타면에 구비되고, 제1슬릿 간격으로 배치되는 복수 개의 패턴을 가지며, 상기 유연 반사층에서 반사되는 반사파를 흡수하는 흡수층을 포함하고, 상기 패턴은 적어도 한 종류의 다각형 형상이고, 내부가 모두 채워지도록 형성되며, 상기 흡수층은 그래핀층인 것을 특징으로 하는 초박형 유연 투명 흡수체를 제공한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 유연 베이스 기판은 상기 제1슬릿에 대응되도록 형성되는 제2슬릿을 가지고, 상기 흡수층에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 유연 반사층의 일면에 구비되는 제1보호층 및 상기 흡수층의 일면에 구비되는 제2보호층을 더 포함하고, 상기 제2보호층은 상기 제1슬릿에 대응되도록 형성되는 제3슬릿을 가지고, 상기 흡수층에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 흡수층은, 상기 제1슬릿에 구비되고 이웃하는 상기 패턴을 서로 연결하는 투명 전극을 가질 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 유연 베이스 기판은 상기 제1슬릿에 대응되도록 형성되는 제2슬릿 및 상기 투명 전극에 대응되도록 형성되는 제1연결부를 가지고, 상기 흡수층에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 유연 반사층의 일면에 구비되는 제1보호층 및 상기 흡수층의 일면에 구비되는 제2보호층을 더 포함하고, 상기 제2보호층은 상기 제1슬릿에 대응되도록 형성되는 제3슬릿 및 상기 투명 전극에 대응되도록 형성되는 제2연결부를 가지고, 상기 흡수층에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 패턴은 육각형 형상일 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1슬릿은 동일한 폭으로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 그래핀층은 다층으로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 유연 반사층은 ITO(Indium Tin Oxide), 그래핀, 은나노 와이어, 구리 나노 와이어, CNT(Carbon Nano Tube) 투명전극, AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide) 투명전극, FTO(Fluorine-doped Tin dioxide) 투명전극 및 메탈 메시(Metal-Mesh) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 흡수층이 육각형 형상의 패턴을 가짐으로써 전자파의 편파특성 및 입사파의 입사 각도에 크게 영향을 받지 않고 모든 편파 및 입사각도에서도 우수한 흡수성능이 유지될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 초박형 유연 투명 흡수체는 시인성이 확보되며, 얇고 휘어질 수 있도록 형성될 수 있다.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 종래의 전자파 흡수체의 일 예인 Salisbury 스크린을 나타낸 예시도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체를 나타낸 단면 예시도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 흡수층의 패턴을 나타낸 평면 예시도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체 제조방법의 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 임피던스를 설명하기 위한 등가회로이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 다른 예를 나타낸 단면 예시도이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 또 다른 예를 나타낸 단면 예시도이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 성능 실험을 위한 구성(Set-up)을 나타낸 예시도이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 면저항에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 편파에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.
도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 입사각 변화에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.
도 12는 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 단면에 대한 전기장 분포를 나타낸 분포도이다.
도 13은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 평면에 대한 전기장 분포를 나타낸 분포도이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 베이스 기판 및 흡수층의 두께와 면저항에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 편파에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 입사각 변화에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 면저항에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.
도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 편파에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.
도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 베이스 기판 및 흡수층의 두께와 면저항에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(접속, 접촉, 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체를 나타낸 단면 예시도이고, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 흡수층의 패턴을 나타낸 평면 예시도이다.
도 2 및 도 3에서 보는 바와 같이, 초박형 유연 투명 흡수체는 유연 베이스 기판(100), 유연 반사층(200) 그리고 흡수층(300)을 포함할 수 있다.
유연 베이스 기판(100)은 유전체 기판일 수 있으며, 투명하게 형성될 수 있다. 유연 베이스 기판(100)은 폴리머 소재 및 유리 소재 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 폴리머 소재로는 예를 들면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)가 사용될 수 있다. 유연 베이스 기판(100)은 필름 형태로 형성될 수 있다. 유연 베이스 기판(100)은 수백 내지 수천 ㎛의 두께로 형성될 수 있다.
유연 반사층(200)은 유연 베이스 기판(100)의 일면에 구비될 수 있으며, 투명하게 형성될 수 있다. 유연 반사층(200)은 전자파가 입사되는 방향의 반대방향에 구비될 수 있다. 도 2를 기준으로 했을 때, 입사파(10)는 유연 베이스 기판(100)의 상측에서 입사되므로, 유연 반사층(200)은 유연 베이스 기판(100)의 하면에 구비될 수 있다.
유연 반사층(200)은 유연 베이스 기판(100)을 투과하는 입사파(10)를 반사시킬 수 있다. 유연 반사층(200)은 전도성을 가진 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면 유연 반사층(200)은 ITO(Indium Tin Oxide), 그래핀, 은나노 와이어, 구리 나노 와이어, CNT(Carbon Nano Tube) 투명전극, AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide) 투명전극, FTO(Fluorine-doped Tin dioxide) 투명전극 및 메탈 메시(Metal-Mesh) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 유연 반사층(200)은 수 내지 수십 nm 두께로 형성될 수 있다.
흡수층(300)은 유연 베이스 기판(100)의 타면에 구비될 수 있다. 흡수층(300)은 그래핀으로 형성되는 그래핀층일 수 있다. 그래핀층은 다층으로 형성되고, 수 내지 수십 nm 두께로 형성될 수 있다.
입사파(10)에서 유연 베이스 기판(100)을 투과하는 투과파(14)는 유연 반사층(200)에서 반사되며, 흡수층(300)은 유연 반사층(200)에서 반사되는 반사파(15)를 흡수할 수 있다.
흡수층(300)은 복수 개의 패턴(310)을 가질 수 있다.
패턴(310)은 제1슬릿(320)에 의해 이격되어 타일 형태로 배열될 수 있다. 즉, 패턴(310)은 제1슬릿(320) 간격으로 배치될 수 있다.
제1슬릿(320)은 동일한 폭(W)으로 형성될 수 있으며, 이에 따라 각각의 패턴(310)은 동일한 간격을 이루면서 배치될 수 있다. 다시 말하면, 각각의 패턴(310)은, 패턴(310) 간의 틈새가 동일한 폭(W)으로 형성되도록 배열될 수 있다.
패턴(310)은 원형으로 형성되면 가장 이상적일 수 있지만, 패턴(310)이 원형으로 형성되면 패턴(310) 간의 빈 공간이 많아지고, 동일한 폭을 이루면서 배치되도록 하는 배열화가 곤란하다. 이에 따라, 패턴(310)은 원형에 근접한 다각형 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 패턴(310)은 삼각형 형상(도 3의 (a) 참조), 또는 사각형 형상(도 3의 (b) 참조)으로 형성될 수 있다.
나아가 패턴(310)은 두 종류 이상의 다각형이 혼합된 형상으로 형성될 수도 있다. 예를 들면, 패턴(310)은 사각형 형상의 패턴(311) 및 삼각형 형상의 패턴(312)이 혼합된 형상(도 3의 (c) 참조)으로 형성될 수도 있다. 즉, 패턴(310)은 적어도 한 종류의 다각형 형상으로 형성될 수 있다. 도 3의 (c)에서와 같이 패턴(310)이 다각형의 조합으로 형성되면 이중대역, 다중대역 또는 광대역 특성이 개선될 수 있다.
그러나 패턴(310)의 가장 바람직한 형상은 육각형 형상(도 3의 (d) 참조)일 수 있다. 이에 따르면, 패턴(310)은 벌집(Honeycomb) 형태를 가질 수 있다. 패턴(310)이 보다 원에 가까운 육각형 형상으로 형성됨으로써, 동일한 간격을 이루면서 배열될 수 있을 뿐만 아니라, 전자파의 편파특성 및 입사파의 입사 각도에 크게 영향을 받지 않고 모든 편파 및 입사각도에서도 우수한 흡수성능을 구현할 수 있다.
그리고, 패턴(310)은 내부가 모두 채워지도록 형성될 수 있다. 따라서, 흡수층(300)에서는 패턴(310)이 형성된 부분만 그래핀이 마련되게 되며, 각각의 패턴(310) 사이에 형성되는 제1슬릿(320)에는 그래핀이 마련되지 않게 될 수 있다.
유연 베이스 기판(100) 및 흡수층(300)은, 흡수층(300)이 패턴(310)을 가짐에도 불구하고 흡수층(300)에 의한 아른거림이 육안으로 구별되지 않도록 형성될 수 있으며, 이에 대해서는 후술한다.
그리고, 초박형 유연 투명 흡수체는 제1보호층(400) 및 제2보호층(450)을 더 포함할 수 있다.
제1보호층(400)은 유연 반사층(200)의 일면에 구비되어 유연 반사층(200)을 보호할 수 있다.
그리고, 제2보호층(450)은 흡수층(300)의 일면에 구비되어 흡수층(300)을 보호할 수 있다. 제1보호층(400) 및 제2보호층(450)은 투명하고 유연성을 가질 수 있으며, 예를 들면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)로 형성될 수 있다. 제1보호층(400) 및 제2보호층(450)은 필름 형태로 형성될 수 있으며, 수십 ㎛의 두께로 형성될 수 있다.
따라서, 초박형 유연 투명 흡수체는 투명하여 시인성이 확보될 수 있고, 종래의 흡수체보다 얇게 형성될 수 있으며, 유연성을 가져 잘 휘어질 수 있도록 형성될 수 있다.
이하에서는, 이러한 초박형 유연 투명 흡수체를 제조하기 위한 제조방법에 대해서 설명한다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체 제조방법의 흐름도이고, 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 임피던스를 설명하기 위한 등가회로이다.
도 4 및 도 5에서 보는 바와 같이, 초박형 유연 투명 흡수체 제조방법은 유연 베이스 기판 마련단계(S610), 유연 반사층 마련단계(S620) 그리고 흡수층 마련단계(S630)를 포함할 수 있다.
유연 베이스 기판 마련단계(S610)는 유전체의 유연 베이스 기판(100)을 마련하는 단계일 수 있다.
유연 반사층 마련단계(S620)는 유연 베이스 기판(100)의 일면에, 유연 베이스 기판(100)을 투과하는 입사파를 반사시키는 유연 반사층(200)을 마련하는 단계일 수 있다.
그리고, 흡수층 마련단계(S630)는 유연 베이스 기판(100)의 타면에, 복수 개의 패턴(310)을 가지며, 유연 반사층(200)에서 반사되는 반사파를 흡수하는 흡수층(300)을 마련하는 단계일 수 있다.
흡수층 마련단계(S630)에서, 입사파의 전기장의 편파 각도 또는 입사파의 입사 각도의 변화에도 5G 밀리미터파 대역에서 흡수성능이 유지되도록, 패턴(310)은 적어도 한 종류의 다각형 형상이고, 내부가 모두 채워지도록 형성될 수 있으며, 각각의 패턴(310)은 제1슬릿(320)에 의해 동일한 간격을 이루면서 배치되도록 마련될 수 있다.
5G 대역은 sub-6 GHz 주파수 대역의 Frequency Range 1(FR1) 및 mmWave 대역(24-100GHz) 주파수 대역의 Frequency Range 2(FR2)로 나뉠 수 있는데, 본 발명에서, 5G 밀리미터파 대역은 FR2(한국) 주파수 대역인 26.5~28.9 GHz 일 수 있다.
흡수층(300)은 패턴(310)을 가지도록 형성되어 저항(R), 인덕턴스(L) 및 커패시턴스(C)가 형성될 수 있다.
전송선로 및 주파수 선택표면(FSS) 이론을 기반으로 하면, 전체 임피던스(Zt)는 아래 식(1)로 표현될 수 있다.
Zt = ZA + Zd --- 식(1)
여기서, ZA는 흡수층(300)의 입력 임피던스이고, Zd는 전송선로 이론을 기반으로 했을 때, 단락된 상태로 볼 수 있는 유연 반사층(200)에 의한 유전체(Dielectric)의 비유전율이다.
흡수층 마련단계(S630)에서는, 전체 임피던스(Zt)가 목표주파수 대역인 5G 밀리미터파 대역에서 자유공간 임피던스인 377 Ohm을 만족하도록 패턴(310)의 크기 및 패턴(310) 사이의 간격, 즉 제1슬릿(320)의 폭(W)이 설정될 수 있다. 전체 임피던스(Zt)가 자유공간 임피던스인 377 Ohm을 만족하게 되면, 임피던스 정합으로 인해 반사되는 전자파가 없는 현상이 발생할 수 있으며, 이를 통해 초박형 유연 투명 흡수체의 두께는 종래의 흡수체의 두께 한계치를 넘어 λ/20 이하의 얇은 두께로 형성될 수 있다. 즉, 5G 밀리미터파 대역인 26.5~28.9 GHz에서 가장 낮은 주파수 대역인26.5 GHz를 기준으로 했을 때, 26.5 GHz의 파장(λ)은 11.31mm인데, 종래의 흡수체두께안 1/4 파장(λ/4) 두께는 2.82mm이다. 반면, 본 발명에 따른 초박형 유연 투명 흡수체는 1/20 파장(λ/20)의 두께, 즉, 565㎛의 두께로 형성될 수 있기 때문에, 초박형화가 가능하다. 이와 같이 제조되는 유연 투명 흡수체는 기본적인 흡수체 기능을 가지고, 휘어질 수 있을 뿐만 아니라, 초박형이기 때문에 다양한 분야에서 활용이 가능할 수 있다.
흡수층 마련단계(S630)에서는, 패턴(310)이 육각형 형상으로 형성됨으로써, 흡수층(300)의 넓은 면적에 같은 면저항 값이 골고루 분포되도록 할 수 있으며, 이를 통해, 전술한 기능 및 효과가 만족되도록 할 수 있다.
한편, 각각의 패턴(310) 사이의 간격, 다시 말하면 각각의 제1슬릿(320)의 폭(W)은 흡수층(300)을 바라보는 관찰자의 눈 및 흡수층(300) 사이의 거리(L)의 함수일 수 있다.
일반적으로 시력 1.0을 기준으로 했을 때, 사람의 눈은 각도로 1/60 도를 구분할 수 있다. 따라서, 사람의 눈으로부터 L 만큼 떨어진 곳에 있는 두 점 사이의 간격이 1/60 도가 되도록 하는 것이 필요하다. 이에 따르면, 각각의 패턴(310) 사이의 간격, 즉, 제1슬릿(320)의 폭(W)은 아래 식(2)와 같이 표현될 수 있다.
W ≤ (π×L) / (60×180) --- 식(2)
식(2)에 따르면, 사람의 눈으로부터 거리 L에 위치한 초박형 유연 투명 흡수체에서 제1슬릿(320)의 폭은 (π×L) / (60×180) 보다 작은 것이 바람직하다. 예를 들어, 흡수층(300)이 0.344 m 떨어진 지점에서 관찰되는 경우, 제1슬릿(320)의 폭(W)은 100 ㎛ 이하로 설정됨이 바람직하다. 위 식은 시력 1.0을 기준으로 했을 때에 적용될 수 있고, 시력에 따라 사람의 눈이 구분할 수 있는 각도도 달라질 수 있기 때문에, 시력에 따라 각각의 패턴 사이의 간격, 즉, 제1슬릿(320)의 폭(W)은 다르게 적용될 수 있지만, 흡수층(300)의 관찰 거리인 0.344 m는 일반적인 관찰 거리로는 충분할 수 있기 때문에, 본 발명에서는 각각의 패턴(310) 사이의 간격, 즉, 제1슬릿(320)의 폭(W)은 100 ㎛ 이하로 설정됨이 바람직하다.
또한, 제1슬릿(320)의 폭(W)을 100 ㎛ 이하로 설정한 뒤에는, 흡수층(300)의 전체 면적이 그래핀으로 채워져 있는 것과 같이 보이도록 하기 위해, 즉, 동일 광투과도를 가지도록 하기 위해, 패턴(310)의 크기 조절을 통한 패턴(310)의 주기(Period) 조절 및 패턴(310)과 유연 반사층(200) 사이의 유연 베이스 기판(100)의 두께를 조절하여 목표 주파수 대역에서의 흡수성능을 만족하기 위한 최적화 작업이 진행될 수 있다.
구체적으로, 흡수층 마련단계(S630)에서, 유연 베이스 기판(100) 및 흡수층(300)의 투과도 차이에 기인한 아른거림이 육안으로 구별되지 않도록, 유연 베이스 기판(100)에 대한 흡수층(300)의 면적비는 아래 식(3)을 통해 설정될 수 있다.
ILfull - (ILfull × ARTEM ) < T --- 식(3)
식(3)에서, ILfull 은 유연 베이스 기판(100) 전체에 전도성 물질이 마련되었을 때 가시광 삽입 손실이고, ARTEM은 면적비이고, T는 유연 베이스 기판(100) 및 흡수층(300)의 투과도 차이에 기인한 아른거림이 육안으로 구별되지 않도록 하기 위해 얻고자 하는 투과도 차이이다.
투과도 차이는 유연 베이스 기판(100)의 소재 및 흡수층(300)의 소재에 따라 결정될 수 있으나, 바람직하게는 1 % 이하일 수 있다. 즉, 유연 베이스 기판(100)의 투과도 및 흡수층(300)의 투과도의 차이가 1 % 이하가 되면, 흡수층(300)의 형상이 육안으로 식별되지 않고, 따라서 흡수층(300)에 의한 아른거림도 육안으로 구별되지 않을 수 있다.
ILfull 은 유연 베이스 기판(100)의 소재 및 패턴의 종류에 따라 결정될 수 있는데, 예를 들어, PET 소재의 유연 베이스 기판(100)의 일면 전체에 그래핀이 패턴으로 마련되는 경우 ILfull 은 5 % 이고, 투과도 차이가 1 % 라고 하면, 면적비(ARTEM)는 0.8 초과 일 수 있다. 그리고, 유연 베이스 기판(100)의 전면에 마련되는 흡수층(300)은 빈 공간(즉, 틈새)을 가지기 때문에, 면적비는 1.0 미만일 수 있으며, 따라서, 면적비는 0.8 초과, 1.0 미만일 수 있다.
그리고, 초박형 유연 투명 흡수체 제조방법은 보호층 마련단계(S640)를 더 포함할 수 있다. 보호층 마련단계(S640)는 반사층(200)의 일면 및 흡수층(300)의 일면에 각각 보호층(400,450)을 더 마련하는 단계일 수 있다.
이와 같이 제조되는 초박형 유연 투명 흡수체는 시인성이 확보될 수 있는 면저항이 사용되고, 시인성 향상을 위한 물리적 구조 및 원하는 주파수 대역에서 흡수성능을 얻을 수 있는 것이 동시에 만족될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 다른 예를 나타낸 단면 예시도이다.
도 6에서 보는 바와 같이, 유연 베이스 기판(100)은 흡수층(300)의 제1슬릿(320)에 대응되도록 형성되는 제2슬릿(110)을 더 가질 수 있고, 흡수층(300)에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 이렇게 되면, 유연 베이스 기판(100)의 유연성이 더욱 증가될 수 있기 때문에, 초박형 유연 투명 흡수체의 유연성도 증가될 수 있다.
나아가, 제2보호층(450)도 흡수층(300)의 제1슬릿(320)에 대응되도록 형성되는 제3슬릿(451)을 더 가질 수 있고, 흡수층(300)에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 이렇게 되면, 제2보호층(450)까지도 유연성이 증가될 수 있기 때문에, 결과적으로 초박형 유연 투명 흡수체의 유연성은 더욱 증가될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 또 다른 예를 나타낸 단면 예시도이다.
도 1 및 도 7의 (a)에서 보는 바와 같이, 유연 베이스 기판(100)이 제2슬릿이 형성되지 않은 형태이고, 제2보호층(450)도 제3슬릿이 형성되지 않은 형태일 상태에서, 흡수층(300)은 투명 전극(330)을 가질 수 있다.
투명 전극(330)은 제1슬릿(320)에 구비되어 이웃하는 패턴(310)을 서로 연결할 수 있다. 투명 전극(330)은 그래핀으로 형성될 수 있으며, 패턴(310)과 일체로 형성될 수 있다.
패턴(310)은 투명 전극(330)에 의해 모두 연결될 수 있으며, 이를 통해, 패턴(310)에 전류가 인가되면 히팅될 수 있고, 결과적으로 흡수층(300)이 전체적으로 히팅될 수 있어 김서림, 성애 등도 효과적으로 제거될 수 있다.
한편, 도 6 및 도 7에서 보는 바와 같이, 흡수층(300)의 패턴(310)이 투명 전극(330)을 가질 때, 유연 베이스 기판(100) 및 제2보호층(450)도 흡수층(300)에 대응되도록 형성될 수도 있다.
즉, 유연 베이스 기판(100)은 제1슬릿(320)에 대응되도록 형성되는 제2슬릿(110)과 함께, 투명 전극(330)에 대응되도록 형성되는 제1연결부(120)를 더 가지도록 형성될 수 있다. 그리고, 제2보호층(450)도 제1슬릿(320)에 대응되도록 형성되는 제3슬릿(451)과 함께, 투명 전극(330)에 대응되도록 형성되는 제2연결부(452)를 더 가지도록 형성될 수 있으며, 이를 통해, 초박형 유연 투명 흡수체는 히팅 기능을 가지면서도 높은 유연성을 가질 수 있다.
이하에서는, 초박형 유연 투명 흡수체의 성능 실험 결과를 설명한다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 성능 실험을 위한 구성(Set-up)을 나타낸 예시도이다.
도 8에서 보는 바와 같이, 초박형 유연 투명 흡수체의 성능 실험을 위한 구성(Set-up)은 제1포트(500), 유연 베이스 기판(100), 패턴(310) 및 제2포트(510)를 포함할 수 있다.
위 구성을 이용하여, 제1포트(500)에서 입사된 입사파(10)가 패턴(310) 및 유연 베이스 기판(100)을 투과(14)한 후, 제2포트(510)에 얼마큼 도달하는지에 대한 지표(S21, 투과도)와, 제1포트(500)에서 입사된 신호가 반사(15)되어 제1포트(500)로 되돌아오는 지표(S11, 반사도)를 활용하여 흡수성능(A) = 1-S11 2-S21 2 으로 표현 가능하다.
패턴(310)은 단위 패턴으로서, 육각형 형태로 형성되었다. 또한, 패턴(310)은 시뮬레이션 시간 단축 및 평면파 환경을 만들어 내기 위해 무한주기구조(PBC, Periodic boundary condition) 상태에서 실험되었다.
그리고, 제1포트(500)에 표시된 k는 전기장(E)과 자기장(H)에 수직한 방향으로 진행하는 파수 벡터이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 면저항에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이고, 도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 편파에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이고, 도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 입사각 변화에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.
도 9 내지 도 11에서, 흡수층(300)은 10층의 그래핀층으로 형성되고, 두께는 3nm였으며, 유연 베이스 기판(100)의 두께는 0.5mm 였다. 다만, 도 9에서는, 흡수층(300)의 면저항을 다르게 하여 진행되었고, 도 10 및 도 11에서는 흡수층(300)의 면저항이 25 ohm/sq 였다.
도 9를 참고하면, 흡수층(300)의 면저항이 20 ohm/sq 내지 40 ohm/sq 사이로 변화되어도 5G 주파수 대역인 26.5~28.9 GHz 대역에서 90% 이상의 흡수성능을 가지는 것을 확인할 수 있다.
그리고, 도 10에서 보는 바와 같이, 제1포트(500)로 입사되는 입사파(10)의 전기장(E-field)의 편파에 따른 흡수율 특성을 확인한 결과, 패턴(310)이 육각형 형상으로 형성됨으로써, 전기장이 Theta 만큼 기울어지더라도 거의 모든 각도에서 유사한 성능을 나타냄을 알 수 있다.
또한, 도 11에서 보는 바와 같이, 제1포트(500)에 수직한 가상의 선(VL)을 기준으로 파수 벡터(k)의 각도가 Theta 만큼 기울어져서 입사되고, 입사 각도가 0 ~ 30 도 사이로 변화되더라도, 5G 주파수 대역인 26.5~28.9 GHz 대역에서 90% 이상의 흡수성능을 가지는 것을 확인할 수 있다.
다음으로, 도 12는 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 단면에 대한 전기장 분포를 나타낸 분포도이고, 도 13은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 평면에 대한 전기장 분포를 나타낸 분포도이다.
도 12는 위쪽에서 아래쪽으로 전자파가 입사되었을 경우의 전기장 분포를 단면으로 나타낸 모습인데, 도 12를 참조하면, 공기층(30)과 흡수층(300)의 경계면에서 가장 강한 전기장 필드가 분포함을 알 수 있다. 즉, 흡수층(300)의 패턴(310)은 전기장 분포가 가장 강하게 형성되도록 할 수 있고, 전기장을 상쇄 및 정합시켜 전자파를 흡수할 수 있다.
도 13은 전자파가 흡수층(300)을 뚫고 들어가는 방향으로 진행하였을 경우 전기장 분포를 나타내는데, 도 13을 참조하면, 입사되는 전기장 편파가 수직이기 때문에 육각형 구조의 패턴(310)의 위쪽 틈새 및 아래 틈새 부분에서 강한 전기장 분포가 나타남을 확인할 수 있다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 베이스 기판 및 흡수층의 두께와 면저항에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이고, 도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 편파에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이고, 도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 입사각 변화에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다. 본 실시예에서는 전술한 실시예에서보다 흡수층(300)의 그래핀층수가 적어 두께가 얇은 대신, 유연 베이스 기판(100)의 두께는 더 두껍다는 점에서 차이가 있다.
구체적으로, 도 14 내지 도 16에서, 흡수층(300)은 2층의 그래핀층으로 형성되고, 두께는 0.5nm였으며, 유연 베이스 기판(100)의 두께는 1.1mm 였다. 다만, 도 14에서는 흡수층(300)의 면저항을 다르게 하여 진행되었고, 도 15 및 도 16에서는 흡수층(300)의 면저항이 200 ohm/sq 였다.
도 14에서 보는 바와 같이, 흡수층(300)의 면저항이 160 ohm/sq 내지 240 ohm/sq 사이로 변화되어도 5G 주파수 대역인 26.5~28.9 GHz 대역에서 90% 이상의 흡수성능을 가지는 것을 확인할 수 있다.
도 9 및 도 14를 비교했을 때, 흡수층을 10층에서 2층으로 변경하여 그래핀층의 개수를 줄이고, 면저항을 높게 하더라도 5G 주파수 대역인 26.5~28.9 GHz 대역에서 90% 이상의 흡수성능을 가지는 것을 확인할 수 있다. 이처럼, 동일한 형태의 패턴을 형성하되, 그래핀층의 개수를 줄이게 되면, 전제 두께가 증가하게 될 수는 있지만, 비용적인 측면과 제조공정적인 측면, 그리고 시인성 부분에서 장점을 가질 수 있다.
그리고, 도 15에서 보는 바와 같이, 제1포트(500)로 입사되는 입사파(10)의 전기장(E-field)의 편파에 따른 흡수율 특성을 확인한 결과, 패턴(310)이 육각형 형상으로 형성됨으로써, 전기장이 Theta 만큼 기울어지더라도 거의 모든 각도에서 유사한 성능을 나타냄을 알 수 있다.
또한, 도 16에서 보는 바와 같이, 제1포트(500)에 수직한 가상의 선(VL)을 기준으로 파수 벡터(k)의 각도가 Theta 만큼 기울어져서 입사되고, 입사 각도가 0 ~ 30 도 사이로 변화되더라도, 5G 주파수 대역인 26.5~28.9 GHz 대역에서 90% 이상의 흡수성능을 가지는 것을 확인할 수 있다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 면저항에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이고, 도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 편파에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다. 본 실시예에서는 반사층도 그래핀층으로 형성된다는 점에서 차이가 있다.
구체적으로, 도 17 및 도 18에서는, 반사층이 그래핀층으로 형성되고, 반사층의 면저항은 25 ohm/sq 였다.
도 17에 따르면, 흡수층(300)의 면저항이 220 ohm/sq 내지 260 ohm/sq 사이로 변화되어도 5G 주파수 대역인 26.5~28.9 GHz 대역에서 90% 이상의 흡수성능을 가지는 것을 확인할 수 있다.
그리고, 도 18에서 보는 바와 같이, 제1포트로 입사되는 입사파의 전기장(E-field)의 편파에 따른 흡수율 특성을 확인한 결과, 전기장이 15도 각도 만큼씩 기울어지더라도 거의 모든 각도에서 유사한 성능을 나타냄을 알 수 있다.
즉, 흡수층 및 반사층이 모두 그래핀으로 형성되더라도 5G 주파수 대역인 26.5~28.9 GHz 대역에서 90% 이상의 흡수성능을 가질 수 있다.
도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 베이스 기판 및 흡수층의 두께와 면저항에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.
실험 조건으로는, 도 19의 (a)에서는, 흡수층(300)은 10층의 그래핀층으로 형성되고, 25 ohm/sq 의 면저항을 가지며, 두께는 3nm였다. 그리고, 유연 베이스 기판(100)은 PET이고, 두께는 0.5mm 였다. 그리고, 도 19의 (b) 내지 (d)에서는, 흡수층(300)은 2층의 그래핀층으로 형성되고, 각각 180 ohm/sq, 200 ohm/sq 및 220 ohm/sq 의 면저항을 가지며, 두께는 0.5nm였다. 그리고, 유연 베이스 기판(100)은 PET이고, 두께는 1.1mm 였다.
이러한 상태에서, 유연 반사층이 그래핀(Gr), ITO 또는 구리로 형성되었을 때(여기에서, 그래핀의 면저항은 25 ohm/sq, ITO의 면저항은 10 ohm/sq으로 가정) 흡수율을 비교해보면, 흡수층의 패턴의 면저항이 증가할수록 베이스 기판의 두께가 증가하는 추세를 보임을 알 수 있다.
그리고, 가장 좋은 흡수 성능을 보이는 유연 베이스 기판의 두께는 0.5T, 1.0T, 1.1T, 1.2T 순이며, 모든 케이스가 목표 주파수 대역인 26.5 ~ 28.9 GHz 에서 90% 이상의 흡수성능을 가지는 것으로 나타났다. 이를 통해 볼 때, 그래핀 Layer를 줄이고 면저항을 높이면, 유연 베이스 기판의 두께가 증가될 수는 있지만, 공정 절차 및 비용 적인 면에서 장점이 있고 상대적으로 낮은 면저항을 사용하는 것보다 광대역 특성을 얻어낼 수 있는 장점이 있다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 후술하는 청구범위에 의하여 나타내어지며, 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
본 발명은 5G 밀리미터파 대역에서 우수한 흡수 성능을 가지는 전자파 흡수체 기술 분야에 산업상 이용가능하다.

Claims (10)

  1. 유전체의 투명한 유연 베이스 기판;
    상기 유연 베이스 기판의 일면에 구비되고, 상기 유연 베이스 기판을 투과하는 입사파를 반사시키는 투명한 유연 반사층; 그리고
    상기 유연 베이스 기판의 타면에 구비되고, 제1슬릿 간격으로 배치되는 복수 개의 패턴을 가지며, 상기 유연 반사층에서 반사되는 반사파를 흡수하는 흡수층을 포함하고,
    상기 패턴은 적어도 한 종류의 다각형 형상이고, 내부가 모두 채워지도록 형성되며,
    상기 흡수층은 그래핀층인 것을 특징으로 하는 초박형 유연 투명 흡수체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유연 베이스 기판은 상기 제1슬릿에 대응되도록 형성되는 제2슬릿을 가지고, 상기 흡수층에 대응되는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 초박형 유연 투명 흡수체.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 유연 반사층의 일면에 구비되는 제1보호층 및 상기 흡수층의 일면에 구비되는 제2보호층을 더 포함하고,
    상기 제2보호층은 상기 제1슬릿에 대응되도록 형성되는 제3슬릿을 가지고, 상기 흡수층에 대응되는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 초박형 유연 투명 흡수체.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 흡수층은, 상기 제1슬릿에 구비되고 이웃하는 상기 패턴을 서로 연결하는 투명 전극을 가지는 것을 특징으로 하는 초박형 유연 투명 흡수체.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 유연 베이스 기판은 상기 제1슬릿에 대응되도록 형성되는 제2슬릿 및 상기 투명 전극에 대응되도록 형성되는 제1연결부를 가지고, 상기 흡수층에 대응되는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 초박형 유연 투명 흡수체.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 유연 반사층의 일면에 구비되는 제1보호층 및 상기 흡수층의 일면에 구비되는 제2보호층을 더 포함하고,
    상기 제2보호층은 상기 제1슬릿에 대응되도록 형성되는 제3슬릿 및 상기 투명 전극에 대응되도록 형성되는 제2연결부를 가지고, 상기 흡수층에 대응되는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 초박형 유연 투명 흡수체.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 패턴은 육각형 형상인 것을 특징으로 하는 초박형 유연 투명 흡수체.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1슬릿은 동일한 폭으로 형성되는 것을 특징으로 하는 초박형 유연 투명 흡수체.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 그래핀층은 다층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 초박형 유연 투명 흡수체.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 유연 반사층은 ITO(Indium Tin Oxide), 그래핀, 은나노 와이어, 구리 나노 와이어, CNT(Carbon Nano Tube) 투명전극, AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide) 투명전극, FTO(Fluorine-doped Tin dioxide) 투명전극 및 메탈 메시(Metal-Mesh) 중 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 초박형 유연 투명 흡수체.
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